JPWO2013031901A1 - 空間光変調器の検査方法及び装置、並びに露光方法及び装置 - Google Patents
空間光変調器の検査方法及び装置、並びに露光方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013031901A1 JPWO2013031901A1 JP2013531399A JP2013531399A JPWO2013031901A1 JP WO2013031901 A1 JPWO2013031901 A1 JP WO2013031901A1 JP 2013531399 A JP2013531399 A JP 2013531399A JP 2013531399 A JP2013531399 A JP 2013531399A JP WO2013031901 A1 JPWO2013031901 A1 JP WO2013031901A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light modulator
- spatial light
- inspection
- optical system
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
- G01B11/255—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures for measuring radius of curvature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/005—Testing of reflective surfaces, e.g. mirrors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/06—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the phase of light
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/62—Optical apparatus specially adapted for adjusting optical elements during the assembly of optical systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/003—Alignment of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N2021/9511—Optical elements other than lenses, e.g. mirrors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
- G06T2207/10061—Microscopic image from scanning electron microscope
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
空間光変調器の検査方法は、ミラー要素のアレイの検査対象領域で、入射光に対する位相の変化量が0の第1の状態のミラー要素と、入射光に対する位相の変化量が180?(π)の第2の状態のミラー要素とが市松模様状に配列された状態になるように制御し、検査対象領域を通過した光を、一つのミラー要素の像の幅よりも解像限界の粗い投影光学系に導いて空間像を形成し、空間像から空間光変調器の特性を検査する。複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器の特性の検査を容易に行うことができる。
Description
本発明は、複数の光学要素を有する空間光変調器の検査技術、この検査技術を用いて物体を露光する露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
例えば半導体素子又は液晶表示素子等のデバイス(電子デバイス又はマイクロデバイス)を製造するためのリソグラフィ工程中で、所定のパターンを投影光学系を介してウエハ又はガラスプレート等の基板の各ショット領域に形成するために、ステッパー等の一括露光型の露光装置、又はスキャニングステッパー等の走査露光型の露光装置等が使用されている。
最近では、複数種類のデバイス毎に、さらに基板の複数のレイヤ毎にそれぞれマスクを用意することによる製造コストの増大を抑制し、各デバイスを効率的に製造するために、マスクの代わりに、それぞれ傾斜角が可変の多数の微小ミラーのアレイを有する空間光変調器(spatial light modulators: SLM)を用いて、投影光学系の物体面に可変のパターンを生成するいわゆるマスクレス方式の露光装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、空間光変調器としては、入射する光の位相分布を制御するために、それぞれ反射面の高さが制御可能な多数の微小ミラーのアレイを有するタイプも提案されている(例えば、非特許文献1参照)。
D. Lopez et al., "Two-dimensional MEMS array for maskless lithography and wavefront modulation,"Proc. of SPIE (米国) Vol. 6589, 65890S (2007)
多数の微小ミラーのアレイを有する空間光変調器を用いる際に、そのアレイ中に高さの制御が正確にできない微小ミラー(欠陥素子)が生じるか、又はその空間光変調器の反射面の曲がりが許容範囲を超える等の現象が発生すると、最終的に基板の表面に形成される空間像の強度分布が目標とする分布から外れる恐れがある。
また、空間光変調器の欠陥素子等の特性の検査を行う場合には、例えば露光装置から取り外すことなくオンボディで容易に検査できることが好ましい。
また、空間光変調器の欠陥素子等の特性の検査を行う場合には、例えば露光装置から取り外すことなくオンボディで容易に検査できることが好ましい。
本発明は、このような事情に鑑み、複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器の特性の検査を容易に行うことを目的とする。
本発明の第1の態様によれば、光が照射される複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器の検査方法が提供される。この検査方法は、その光学素子のアレイの少なくとも一部の検査対象領域で、入射する光の位相を第1の位相だけ変化させて通過させる第1の状態の光学素子と、入射する光の位相をその第1の位相と180°異なる第2の位相だけ変化させて通過させる第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態になるように制御することと、その検査対象領域を通過した光を、一つの光学素子の像の幅よりも解像限界の粗い投影光学系に導いて空間像を形成することと、その投影光学系によって形成される空間像からその空間光変調器の特性を検査することと、を含むものである。
また、第2の態様によれば、光が照射される複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器の検査装置が提供される。この検査装置は、その光学素子のアレイの少なくとも一部の検査対象領域を照明する照明装置と、その検査対象領域で、入射する光の位相を第1の位相だけ変化させて通過させる第1の状態の光学素子と、入射する光の位相をその第1の位相と180°異なる第2の位相だけ変化させて通過させる第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態になるように制御する制御装置と、その検査対象領域を通過した光から空間像を形成するとともに、一つの光学素子の像の幅よりも解像限界の粗い投影光学系と、その投影光学系によって形成される空間像に基づいてその空間光変調器の検査を行う演算装置と、を備えるものである。
また、第3の態様によれば、露光光で複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、本発明の空間光変調器の検査方法によってその空間光変調器の検査を行う工程を含む露光方法が提供される。
また、第4の態様によれば、照明系からの露光光で投影系を介して基板を露光する露光装置が提供される。この露光装置は、その投影系の物体面側に配置されて、それぞれその露光光をその投影系に導くように制御可能な複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器と、本発明の空間光変調器の検査装置と、を備えるものである。
また、第4の態様によれば、照明系からの露光光で投影系を介して基板を露光する露光装置が提供される。この露光装置は、その投影系の物体面側に配置されて、それぞれその露光光をその投影系に導くように制御可能な複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器と、本発明の空間光変調器の検査装置と、を備えるものである。
また、第5の態様によれば、本発明の露光方法又は露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明によれば、空間光変調器の光学素子のアレイの検査対象領域で、第1の状態の光学素子と第2の状態の光学素子とを市松模様状に配列し、その検査対象領域からの光を一つの光学素子の像の幅よりも解像限界の粗い投影光学系に導いて空間像を形成することで、その光学素子のアレイの特性と目標とする特性との間に相違があると、その空間像の強度分布がほぼ一定の低レベルの分布から変化する。従って、その空間像を用いて空間光変調器の特性の検査を容易に行うことができる。
[第1の実施形態]
以下、第1の実施形態につき図1〜図7を参照して説明する。
図1は、本実施形態のマスクレス方式の露光装置EXの概略構成を示す。図1において、露光装置EXは、パルス発光を行う露光用の光源2と、光源2からの露光用の照明光(露光光)ILで被照射面を照明する照明光学系ILSと、ほぼその被照射面又はその近傍の面上に二次元のアレイ状に配列されたそれぞれ高さが可変の微小ミラーである多数のミラー要素30を備えた空間光変調器28と、空間光変調器28を駆動する変調制御部48と、空間光変調器28の検査装置53とを備えている。さらに、露光装置EXは、多数のミラー要素30によって生成された反射型の可変の凹凸パターン(可変の位相分布を持つマスクパターン)で反射された照明光ILを受光して、その凹凸パターン(位相分布)に対応して形成される空間像(デバイスパターン)をウエハW(基板)の表面に投影する投影光学系PLと、ウエハWの位置決め及び移動を行うウエハステージWSTと、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系40と、各種制御系等とを備えている。
以下、第1の実施形態につき図1〜図7を参照して説明する。
図1は、本実施形態のマスクレス方式の露光装置EXの概略構成を示す。図1において、露光装置EXは、パルス発光を行う露光用の光源2と、光源2からの露光用の照明光(露光光)ILで被照射面を照明する照明光学系ILSと、ほぼその被照射面又はその近傍の面上に二次元のアレイ状に配列されたそれぞれ高さが可変の微小ミラーである多数のミラー要素30を備えた空間光変調器28と、空間光変調器28を駆動する変調制御部48と、空間光変調器28の検査装置53とを備えている。さらに、露光装置EXは、多数のミラー要素30によって生成された反射型の可変の凹凸パターン(可変の位相分布を持つマスクパターン)で反射された照明光ILを受光して、その凹凸パターン(位相分布)に対応して形成される空間像(デバイスパターン)をウエハW(基板)の表面に投影する投影光学系PLと、ウエハWの位置決め及び移動を行うウエハステージWSTと、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系40と、各種制御系等とを備えている。
以下、図1において、ウエハステージWSTの底面(不図示のガイド面に平行な面)に垂直にZ軸を設定し、Z軸に垂直な平面内において図1の紙面に平行な方向にY軸を、図1の紙面に垂直な方向にX軸を設定して説明する。また、X軸、Y軸、Z軸の回りの角度をそれぞれθx方向、θy方向、θz方向の角度とも呼ぶ。本実施形態では、露光時にウエハWはY方向(走査方向)に走査される。
光源2としては、波長193nmでパルス幅50ns程度のほぼ直線偏光のレーザ光を4〜6kHz程度の周波数でパルス発光するArFエキシマレーザ光源が使用されている。なお、光源2として、波長248nmのKrFエキシマレーザ光源、パルス点灯される発光ダイオード、又はYAGレーザ若しくは固体レーザ(半導体レーザ等)から出力されるレーザ光の高調波を生成する固体パルスレーザ光源等も使用できる。固体パルスレーザ光源は、例えば波長193nm(これ以外の種々の波長が可能)でパルス幅1ns程度のレーザ光を1〜2MHz程度の周波数でパルス発光可能である。
本実施形態においては、光源2には電源部42が連結されている。主制御系40が、パルス発光のタイミング及び光量(パルスエネルギー)を指示する発光トリガパルスTPを電源部42に供給する。その発光トリガパルスTPに同期して電源部42は、指示されたタイミング及び光量で光源2にパルス発光を行わせる。
光源2から射出された断面形状が矩形でほぼ平行光束のパルスレーザ光よりなる照明光ILは、1対のレンズよりなるビームエキスパンダ4、照明光ILの偏光状態を制御する偏光制御光学系6及びミラー8Aを介して、Y軸に平行に、複数の回折光学素子(diffractive optical element)10A,10B等から選択された回折光学素子(図1では回折光学素子10A)に入射する。偏光制御光学系6は、例えば照明光ILの偏光方向を回転する1/2波長板、照明光ILを円偏光に変換するための1/4波長板、及び照明光ILをランダム偏光(非偏光)に変換するための楔型の複屈折性プリズム等を交換可能に設置可能な光学系である。
光源2から射出された断面形状が矩形でほぼ平行光束のパルスレーザ光よりなる照明光ILは、1対のレンズよりなるビームエキスパンダ4、照明光ILの偏光状態を制御する偏光制御光学系6及びミラー8Aを介して、Y軸に平行に、複数の回折光学素子(diffractive optical element)10A,10B等から選択された回折光学素子(図1では回折光学素子10A)に入射する。偏光制御光学系6は、例えば照明光ILの偏光方向を回転する1/2波長板、照明光ILを円偏光に変換するための1/4波長板、及び照明光ILをランダム偏光(非偏光)に変換するための楔型の複屈折性プリズム等を交換可能に設置可能な光学系である。
回折光学素子10A,10B等は、回転板12の周縁部にほぼ等角度間隔で固定されている。主制御系40が駆動部12aを介して回転板12の角度を制御して、照明条件に応じて選択された回折光学素子を照明光ILの光路上に設置する。選択された回折光学素子で回折された照明光ILは、レンズ14a,14bよりなるリレー光学系14によってマイクロレンズアレイ16の入射面に導かれる。マイクロレンズアレイ16に入射した照明光ILは、マイクロレンズアレイ16を構成する多数の微小なレンズエレメントによって二次元的に分割され、各レンズエレメントの後側焦点面である照明光学系ILSの瞳面(照明瞳面IPP)には二次光源(面光源)が形成される。
一例として、回折光学素子10Aは通常照明用であり、回折光学素子10Bは、小さいコヒーレンスファクター(σ値)の照明光を生成する小σ照明用であり、その他に、2極照明用、4極照明用、及び輪帯照明用等の回折光学素子(不図示)も備えられている。なお、複数の回折光学素子10A,10B等の代わりに、それぞれ傾斜角が可変の多数の微小ミラーのアレイを有する空間光変調器を使用してもよく、マイクロレンズアレイ16の代わりにフライアイレンズ等も使用可能である。
照明瞳面IPPに形成された二次光源からの照明光ILは、第1リレーレンズ18、視野絞り20、光路を−Z方向に折り曲げるミラー8B、第2リレーレンズ22、コンデンサ光学系24、及びミラー8Cを介して、XY平面に平行な被照射面(設計上の転写用のパターンが配置される面)にθx方向に平均的な入射角αで入射する。言い換えると、その被照射面に対して照明光学系ILSの光軸AXIはθx方向に入射角αで交差している。入射角αは例えば数deg(°)から数10degである。その被照射面又はその近傍の面に、空間光変調器28の2次元のアレイ状に配列された多数のミラー要素30の電源オフ時の反射面が配置される。ビームエキスパンダ4からコンデンサ光学系24及びミラー8Cまでの光学部材を含んで照明光学系ILSが構成されている。照明光学系ILSからの照明光ILは、空間光変調器28の多数のミラー要素30のアレイ上のX方向に細長い長方形状の照明領域26Aをほぼ均一な照度分布で照明する。多数のミラー要素30は、照明領域26Aを含む長方形の領域にX方向及びY方向に所定ピッチで配列されている。照明光学系ILSは不図示のフレームに支持されている。
図2(A)は、図1中の空間光変調器28の反射面の一部を示す拡大斜視図、図2(B)は図2(A)のBB線に沿う断面図である。図2(A)において、空間光変調器28の反射面には、X方向及びY方向にそれぞれピッチ(周期)px及びpyで、多数のミラー要素30が配列されている。ミラー要素30のX方向及びY方向の幅は、それぞれピッチpx及びpyとほぼ等しいとみなすことができる。一例としてミラー要素30は正方形であり、ピッチpx,pyは互いに等しい。なお、ミラー要素30は長方形等でもよく、ピッチpx,pyは互いに異なってもよい。
その反射面において、X方向にi番目(i=1,2,…,I)及びY方向にj番目(j=1,2,…,J)の位置P(i,j)にそれぞれミラー要素30が配置されている。一例として、ミラー要素30のY方向(ウエハWの走査方向に対応する方向)の配列数Jは数100〜数1000であり、X方向の配列数Iは配列数Jの数倍〜数10倍である。また、ミラー要素30の配列のピッチpx(=py)は例えば10〜1μm程度である。また、空間光変調器28は、多数のミラー要素30と、各ミラー要素30をそれぞれ可撓性(弾性)を持つヒンジ部35(図2(B)参照)を介して支持するベース部材32とを備えている。
図2(B)において、ベース部材32は、例えばシリコンよりなる平板状の基材32Aと、基材32Aの表面に形成された窒化ケイ素(例えばSi3N4)等の絶縁層32Bとから構成されている。また、ベース部材32の表面にX方向、Y方向に所定ピッチで支持部34が形成され、隣接するY方向の支持部34の間に、弾性変形によってZ方向に可撓性を持つ1対の2段のヒンジ部35を介して、ミラー要素30の裏面側の凸部が支持されている。支持部34、ヒンジ部35、及びミラー要素30は例えばポリシリコンから一体的に形成されている。ミラー要素30の反射面(表面)には、反射率を高めるために金属(例えばアルミニウム等)の薄膜よりなる反射膜31が形成されている。
また、ミラー要素30の底面側のベース部材32の表面に電極36Aが形成され、電極36Aに対向するようにヒンジ部35の底面に電極36Bが形成されている。ベース部材32の表面及び支持部34の側面には、ミラー要素30毎に対応する電極36A,36B間に所定の電圧を印加するための信号ライン(不図示)がマトリクス状に設けられている。この場合、電源オフ状態又は電源オン状態で電極36A,36B間に電圧が印加されていない状態(第1の状態)では、照明光IL2が入射している位置P(i,j−1)のミラー要素30で示すように、ミラー要素30の反射面は、XY平面に平行な平面である基準平面A1に合致している。一方、電源オン時で電極36A,36B間に所定の電圧が印加されている状態(第2の状態)では、照明光IL1が入射している位置P(i,j)のミラー要素30で示すように、ミラー要素30の反射面は、XY平面に平行で基準平面A1からZ方向に間隔d1だけ変位した平面A2に合致している。図1の変調制御部48が、主制御系40から設定される照明光ILの位相分布(凹凸パターン)の情報に応じて、位置P(i,j)のミラー要素30毎の電極36A,36B間の電圧を制御する。各ミラー要素30は、その第1の状態又はその第2の状態のいずれかに設定される。
このような微小な立体構造の空間光変調器28は、例えば背景技術で引用した非特許文献1に記載されているように、MEMS(Microelectromechanical Systems:微小電気機械システム)技術を用いて製造することが可能である。空間光変調器28の各ミラー要素30は、平行移動によって第1の状態又は第2の状態に設定できればよいだけであるため、ミラー要素30の小型化及びミラー要素30の配列数の増大が容易である。
また、各ミラー要素30の反射面が基準平面A1に合致している状態(第1の状態)で、当該ミラー要素30によって反射される照明光ILの位相の変化量を第1の位相δ1とすると、本実施形態では位相δ1は0°である。また、各ミラー要素30の反射面が基準平面A1から間隔d1だけ変位した平面A2に合致している状態(第2の状態)で、当該ミラー要素30で反射される照明光ILの位相の変化量を第2の位相δ2とすると、位相δ2は位相δ1に対して180°(π(rad))異なっている。すなわち、以下の関係が成立する。ただし、空間光変調器28の製造誤差及び変調制御部48による駆動誤差等を考慮して、位相δ2は、以下の式に対して数deg(°)程度の誤差は許容される。
δ1=0°…(1A), δ2=180°=π(rad) …(1B)
なお、以下では、単位のない位相はradを意味する。また、位置P(i,j)のミラー要素30の反射面が基準平面A1に合致しているときの点線で示す反射光B1の波面の位相の変化量と、その反射面が間隔d1の平面A2に合致しているときの反射光B2の波面の位相の変化量との差分が第2の位相δ2である。一例として、入射角αを0°として、ミラー要素30の反射面に入射する照明光IL1の波長をλ(ここではλ=193nm)とすると、間隔d1は次のようになる。
なお、以下では、単位のない位相はradを意味する。また、位置P(i,j)のミラー要素30の反射面が基準平面A1に合致しているときの点線で示す反射光B1の波面の位相の変化量と、その反射面が間隔d1の平面A2に合致しているときの反射光B2の波面の位相の変化量との差分が第2の位相δ2である。一例として、入射角αを0°として、ミラー要素30の反射面に入射する照明光IL1の波長をλ(ここではλ=193nm)とすると、間隔d1は次のようになる。
d1=λ/4 …(2)
図2(A)において、空間光変調器28の各ミラー要素30はそれぞれ入射する照明光ILの位相を0°変化させて反射する第1の状態、又は入射する照明光ILの位相を180°変化させて反射する第2の状態に制御される。以下では、その第1の状態に設定されたミラー要素30を位相0のミラー要素、その第2の状態に設定されたミラー要素30を位相πのミラー要素とも呼ぶこととする。
図2(A)において、空間光変調器28の各ミラー要素30はそれぞれ入射する照明光ILの位相を0°変化させて反射する第1の状態、又は入射する照明光ILの位相を180°変化させて反射する第2の状態に制御される。以下では、その第1の状態に設定されたミラー要素30を位相0のミラー要素、その第2の状態に設定されたミラー要素30を位相πのミラー要素とも呼ぶこととする。
一例として、所定パルス数の照明光ILの発光毎に、主制御系40が変調制御部48に、空間光変調器28によって設定される照明光ILの位相分布(凹凸パターン)の情報を供給する。これに応じて変調制御部48が空間光変調器28の各ミラー要素30を位相0又は位相πになるように制御する。ウエハWの表面にはその位相分布に応じた空間像が形成される。
図1において、空間光変調器28のベース部材32は、例えば同一直線上にない3箇所に配置された支持部材56(3番目の支持部材は図示省略)及びナット57によってフレームFLに支持されている。さらに、ベース部材32の反射面(ミラー要素30のアレイの反射面)に対向する裏面が、複数箇所でボルト58及びナット57を介してフレームFLに連結されている。この場合、ボルト58の軸方向における2箇所のナット57の位置を調整することで、ベース部材32の裏面の応力分布を調整して、空間光変調器28の反射面の平面度を調整することが可能である。
空間光変調器28の照明領域26A内の多数のミラー要素30のアレイで反射された照明光ILは、平均的な入射角αで投影光学系PLに入射する。不図示のコラムに支持された光軸AXWを持つ投影光学系PLは、空間光変調器28(物体面)側に非テレセントリックであり、ウエハW(像面)側にテレセントリックの縮小投影光学系である。投影光学系PLは、空間光変調器28によって設定される照明光ILの位相分布に応じた空間像の縮小像を、ウエハWの1つのショット領域内の露光領域26B(照明領域26Aと光学的に共役な領域)に形成する。投影光学系PLの投影倍率βは例えば1/10〜1/100程度である。投影光学系PLの像面側の開口数をNA、照明光ILの波長をλとして、照明条件を通常照明とすると、投影光学系PLの解像度Re(周期的パターンの線幅で表した解像限界)は、次のようになる。
Re=λ/(2・NA) …(3)
本実施形態では、解像度Reは、空間光変調器28のミラー要素30の像の幅(β・py)よりも大きく設定されている。一例として、解像度Reは、ミラー要素30の像の幅の2倍程度である。例えば、ミラー要素30の大きさ(配列のピッチ)が数μm程度、投影光学系PLの投影倍率βが1/100程度であれば、解像度Reは数10nmの2倍程度である。なお、投影光学系PLは開口絞り(不図示)を備えているため、後述の空間光変調器28の検査時に、その開口絞りによって、投影光学系PLの解像度を露光時の解像度より低く設定してもよい。
本実施形態では、解像度Reは、空間光変調器28のミラー要素30の像の幅(β・py)よりも大きく設定されている。一例として、解像度Reは、ミラー要素30の像の幅の2倍程度である。例えば、ミラー要素30の大きさ(配列のピッチ)が数μm程度、投影光学系PLの投影倍率βが1/100程度であれば、解像度Reは数10nmの2倍程度である。なお、投影光学系PLは開口絞り(不図示)を備えているため、後述の空間光変調器28の検査時に、その開口絞りによって、投影光学系PLの解像度を露光時の解像度より低く設定してもよい。
また、ウエハW(基板)は、例えばシリコン又はSOI(silicon on insulator)等の円形の平板状の基材の表面に、フォトレジスト(感光材料)を数10nm〜200nm程度の厚さで塗布したものを含む。
本実施形態のように物体側に非テレセントリックの投影光学系PLを用いることによって、空間光変調器28の多数のミラー要素30の反射面とウエハWの露光面(フォトレジストの表面)とをほぼ平行に配置できる。従って、露光装置の設計・製造が容易である。
本実施形態のように物体側に非テレセントリックの投影光学系PLを用いることによって、空間光変調器28の多数のミラー要素30の反射面とウエハWの露光面(フォトレジストの表面)とをほぼ平行に配置できる。従って、露光装置の設計・製造が容易である。
また、露光装置EXが液浸型である場合には、例えば米国特許出願公開第2007/242247号明細書に開示されているように、投影光学系PLの先端の光学部材とウエハWとの間に照明光ILを透過する液体(例えば純水)を供給して回収する局所液浸装置が設けられる。液浸型の場合には開口数NAを1より大きくできるため、解像度をさらに高めることができる。
図1において、ウエハWはウエハホルダ(不図示)を介してウエハステージWSTの上面に吸着保持され、ウエハステージWSTは、不図示のガイド面上でX方向、Y方向にステップ移動を行うとともに、Y方向に一定速度で移動する。ウエハステージWSTのX方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角等はレーザ干渉計45によって形成され、この計測情報がステージ制御系44に供給されている。ステージ制御系44は、主制御系40からの制御情報及びレーザ干渉計45からの計測情報に基づいて、リニアモータ等の駆動系46を介してウエハステージWSTの位置及び速度を制御する。なお、ウエハWのアライメントを行うために、ウエハWのアライメントマークの位置を検出するアライメント系(不図示)等も備えられている。
また、ウエハステージWSTの上部のウエハWの近傍に、露光領域26Bに形成される空間像の強度分布を計測する空間像計測装置54が設けられている。空間像計測装置54は、一例として、空間像を拡大する拡大光学系と、拡大された空間像を撮像する2次元の撮像素子とを備えている。空間像計測装置54から出力される検出信号は演算装置55に供給され、演算装置55は、その検出信号を処理して後述のように空間光変調器28の特性を求め、求めた特性を主制御系40に供給する。主制御系40には、各種情報を入出力する入出力装置(不図示)も接続されている。照明光学系ILS、変調制御部48、投影光学系PL、空間像計測装置54、及び演算装置55を含んで、空間光変調器28の検査装置53が構成されている。なお、空間像計測装置54としては、ピンホールと、このピンホールに入射する光を集光する集光光学系と、集光された光を受光する光電検出器とを含む走査型の計測装置を使用することも可能である。
ウエハWの露光時には、基本的な動作として、ウエハWのアライメントを行った後、照明光学系ILSの照明条件を設定する。また、主制御系40から変調制御部48に、ウエハWの各ショット領域に露光されるパターンに対応する位相分布の情報が供給される。そして、例えば図3(A)に示すウエハWの表面でY方向に一列に配列されたショット領域SA21,SA22,…に露光を行うために、ウエハWを走査開始位置に位置決めする。その後、ウエハWの+Y方向への一定速度での走査を開始する。なお、図3(A)のショット領域SA21等の中の矢印は、ウエハWに対する露光領域26Bの相対的な移動方向を示している。
次に、主制御系40は、露光領域26Bに対するウエハWのショット領域SA21の相対位置の情報を変調制御部48に供給し、その相対位置に応じて変調制御部48は、転写対象の部分位相分布を読み出し、読み出した部分位相分布を空間光変調器28で設定する。そして、主制御系40が電源部42に発光トリガパルスTPを供給することによって、ウエハW上の露光領域26Bには、Y方向の位置に応じて目標とする空間像が露光される。この動作は、ウエハWが所定量移動する毎に、かつショット領域SA21が露光領域26Bを横切るまで繰り返される。
その後、ウエハWのショット領域SA21に隣接するショット領域SA22に露光するために、ウエハWを同じ方向に走査したまま、主制御系40は、変調制御部48に露光領域26Bに対するショット領域SA22の相対位置の情報を供給するとともに、電源部42に発光トリガパルスTPを供給する。このようにして、マスクレス方式で、ショット領域SA21からSA22にかけて連続的に露光を行うことができる。そして、図3(A)のウエハWのX方向に隣接するショット領域SA31,SA32を含む列の露光に移行する場合には、ウエハステージWSTを駆動してウエハWをX方向(走査方向に直交する非走査方向)にステップ移動する。そして、点線で示す露光領域26Bに対するウエハWの走査方向を逆の−Y方向に設定し、主制御系40から変調制御部48に露光領域26Bに対するショット領域SA31等の相対位置の情報を供給し、電源部42に発光トリガパルスTPを供給する。これによって、ショット領域SA32からSA31にかけて連続的に露光を行うことができる。この露光に際して、ショット領域SA21,SA22等に互いに異なる空間像を露光することも可能である。その後、ウエハWのフォトレジストの現像を行うことで、ウエハWの各ショット領域に回路パターンに対応するレジストパターンが形成される。
次に、本実施形態の露光装置EXにおいて、空間光変調器28の検査方法の一例として、空間光変調器28のミラー要素30中の欠陥要素を特定する方法につき図7のフローチャートを参照して説明する。欠陥要素とは、変調制御部48から第1の状態(位相0)又は第2の状態(位相π)になるように制御を行っても、それぞれ第1の状態又は第2の状態に設定されないミラー要素30を意味する。この検査方法は主制御系40の制御のもとで実行される。
まず、図7のステップ102において、ウエハステージWSTを駆動して、空間像計測装置54の受光面を露光領域26B(この段階では照明光ILは照射されていない)を覆う位置に移動する。さらに、照明光学系ILSの照明条件は、一例としてσ値が0.1程度の小σ照明で、偏光条件は非偏光に設定される。次のステップ104において、図4(A)に示すように、空間光変調器28のミラー要素30のアレイ中の照明領域26Aが設定される部分を検査対象領域DAとする。そして、主制御系40からの制御情報に応じて、変調制御部48は、検査対象領域DAにおいて、第1の状態(位相0)のミラー要素30と第2の状態(位相π)のミラー要素30とが第1の市松模様状に配列されるように各ミラー要素30を駆動する。
市松模様状の配列とは、検査対象領域DAのX軸に平行な1行目のミラー要素30において、位置P(1,1)を含む奇数番目のミラー要素30が第2の状態(位相π)で、偶数番目のミラー要素30が第1の状態(位相0)になる場合、2行目のミラー要素30においては、奇数番目のミラー要素30が位相0で、偶数番目のミラー要素30が位相πになり、以下の行では、1行目及び2行目と同じ配列が繰り返されることを意味する。なお、市松模様とは、市松格子又はチェッカーボードパターン(Checkerboard Pattern))とも言う。さらに、図4(A)の配列のように、位置P(1,1)のミラー要素30が位相πである市松模様を、本実施形態では第1の市松模様と呼んでいる。
次のステップ106において、主制御系40が電源部42に発光トリガパルスTPを供給することによって、ミラー要素30のアレイの照明領域26Aに照明光ILが照射され、投影光学系PLを介して露光領域26Bに、図4(A)の位相分布に対応する図4(B)の空間像28P(拡大して示されている)が形成される。なお、説明の便宜上、空間像28Pは正立像としている。そして、空間像計測装置54によって空間像28PのX方向、Y方向の強度分布を計測し、計測された画像データを演算装置55に取り込む。
次のステップ108において、主制御系40からの制御情報に応じて、変調制御部48は、検査対象領域DAにおいて、第1の状態(位相0)のミラー要素30と第2の状態(位相π)のミラー要素30とが図5(A)に示す第2の市松模様状に配列されるように各ミラー要素30を駆動する。第2の市松模様とは、第1の市松模様の位相0の部分と位相πの部分とを入れ替えた配列であり、図5(A)の位置P(1,1)のミラー要素30は位相0である。次のステップ110において、照明領域26Aに照明光ILが照射され、投影光学系PLを介して露光領域26Bに、図5(A)の位相分布に対応する図5(B)の空間像28Pが形成される。そして、空間像計測装置54によって空間像28Pの強度分布を計測し、計測された画像データを演算装置55に取り込む。
次のステップ112において、演算装置55は、ステップ106及び110で計測された空間像28Pの画像データ(強度分布)を順次処理して、強度が予め定められている閾値よりも高い部分を検出する。この場合、図4(A)の第1の市松模様の配列では、全部のミラー要素30の状態が設定された状態であり、かつ投影光学系PLの解像度はミラー要素30の像の幅よりも大きい(粗い)。そのため、図4(B)の空間像28Pは、全面が低レベルとなり、図4(B)のCC線(中央付近のミラー要素30の仮想的な像の中心を通りY軸に平行な直線)に沿う強度分布INTは、図4(C)に示すようにほぼ一定の低レベルである。
一方、図5(A)の第2の市松模様の配列では、位置P(i1,j1)(一例として、i1=11,j1=8)のミラー要素30の状態(位相0)が設定された状態(位相π)とは異なっている。このとき、位置P(i1,j1)を中心とするX方向に3個のミラー要素30及びY方向に3個のミラー要素30の像の幅は、1つのミラー要素30の像の幅の3倍になるため、位置P(i1,j1)のミラー要素30を含む部分の像は投影光学系PLによって解像される。そのため、図5(B)の空間像28Pは、位置P(i1,j1)のミラー要素30の仮想的な像30Pの部分で高レベルとなり、それ以外の部分で低レベルとなる。従って、図5(B)のCC線(像30Pの中心を通りY軸に平行な直線)に沿う強度分布INTは、図5(C)に示すように、像30Pに対応する部分で高レベルである。この場合、ステップ112の閾値は、一例として図5(C)の強度分布INTの低レベルと高レベル(例えば予め実測で定められるレベル)との中間に設定されている。そのため、演算装置55では、像30Pの部分を強度がその閾値よりも高い部分として検出できる。なお、強度が閾値より高い部分がない場合には、動作はステップ120に移行する。
ここでは、像30Pの部分の強度が閾値よりも高いため、動作はステップ114に移行する。そして、演算装置55は、空間像28P中で強度が閾値よりも高い部分(像30P)に対応する空間光変調器28の位置P(i1,j1)のミラー要素30を欠陥要素38(図6(A)参照)として特定する。欠陥要素38の位置の情報は、主制御系40から変調制御部48に供給される。
次のステップ116において、変調制御部48は、図6(A)に示すように、ミラー要素30のアレイ中の検査対象領域DA(照明領域26A)を、Y方向(ウエハWの走査方向に対応する方向SD)に、欠陥要素38を含む通常領域37Aと、欠陥要素のないY方向に複数行(図6(A)では4行)の予備領域37Bとに分ける。予備領域37Bは通常領域37Bよりも狭い領域である。次のステップ118において、変調制御部48は、予備領域37B内で、欠陥要素38に対して方向SDに離れて配置されたミラー要素30を代替要素39(予備要素)として設定して記憶する。
その後、ステップ120の露光工程において、ウエハWの表面に形成される空間像に対応するミラー要素30のアレイの位相分布が欠陥要素38によって位相πに設定される部分を含む場合、変調制御部48は、欠陥要素38の代わりに代替用度39を使用する。一例として、図6(A)のX方向に細長いパターン領域60内の全部のミラー要素30の位相がπの位相分布に対応する空間像をウエハWの表面に形成するものとする。このとき、パターン領域60以外の部分では、ミラー要素30の位相分布は、位相0のミラー要素30と位相πのミラー要素30とが市松模様状に設定され、パターン領域60以外の部分の空間像は低レベルとなる。また、予備領域37Bも、通常は位相0のミラー要素30と位相πのミラー要素30とが市松模様状に設定され、代替要素39は位相0に設定されて、予備領域37Bの部分の空間像は低レベルとなる。
この場合、走査露光時には、照明領域26Aの全体に照明光ILがパルス的に照射されるとともに、ウエハWが次第にY方向に走査されるのに同期して、パターン領域60も次第にY方向に移動する。そして、図6(B)に示すように、パターン領域60内に欠陥要素38が含まれる状態では、欠陥要素38の位相は0であるため、その部分に対応するウエハWの表面では露光量が減少する。その後、図6(C)に示すように、パターン領域60が欠陥要素38を過ぎて、図6(D)に示すように、パターン領域60が予備領域37B内の代替要素39を含む領域61に達すると、変調制御部48は代替要素39の位相をπに設定する。このときに、代替要素39を含む部分の像によるウエハWに対する露光量は、欠陥要素38で減少した露光量を相殺するように設定される。これによって、欠陥要素38が発生しても、ウエハWの表面の露光量の均一性が確保され、パターン領域60に対応する空間像をウエハWの表面に正確に形成できる。従って、ウエハWのフォトレジストの現像によって目標とするパターンを高精度に形成できる。
なお、欠陥要素38が予備領域37B内に発生したときには、一例として、例えば視野絞り20によって照明領域26AのY方向の幅を欠陥要素を含まないように設定してもよい。また、欠陥要素38の個数は2個以上であってもよく、一つの代替要素39で複数個の欠陥要素の代替を行うことも可能である。
本実施形態の効果等は以下の通りである。
(1)本実施形態の露光装置EXは、複数のミラー要素30(光学要素)のアレイを有する空間光変調器28を備えている。また、空間光変調器28の検査方法は、ミラー要素30のアレイの検査対象領域DAで、入射光の位相を第1の位相(0°)だけ変化させて反射する第1の状態のミラー要素30と、入射光の位相を第2の位相(180°)だけ変化させて反射する第2の状態のミラー要素30とが市松模様状に配列された状態になるように制御するステップ104,108と、検査対象領域DAを通過した光を、一つのミラー要素30の像の幅よりも解像限界の粗い投影光学系PLに導いて空間像を形成するステップ106,110と、投影光学系PLによって形成される空間像から空間光変調器28の特性を検査するステップ112,114と、を含んでいる。
(1)本実施形態の露光装置EXは、複数のミラー要素30(光学要素)のアレイを有する空間光変調器28を備えている。また、空間光変調器28の検査方法は、ミラー要素30のアレイの検査対象領域DAで、入射光の位相を第1の位相(0°)だけ変化させて反射する第1の状態のミラー要素30と、入射光の位相を第2の位相(180°)だけ変化させて反射する第2の状態のミラー要素30とが市松模様状に配列された状態になるように制御するステップ104,108と、検査対象領域DAを通過した光を、一つのミラー要素30の像の幅よりも解像限界の粗い投影光学系PLに導いて空間像を形成するステップ106,110と、投影光学系PLによって形成される空間像から空間光変調器28の特性を検査するステップ112,114と、を含んでいる。
また、空間光変調器28の検査装置53は、ミラー要素30のアレイの検査対象領域DAを照明する照明光学系ILSと、検査対象領域DAで、その第1の状態のミラー要素30と、その第2の状態のミラー要素30とが市松模様状に配列された状態になるように制御する変調制御部48(制御装置)と、検査対象領域DAを通過した光から空間像を形成する投影光学系PLと、投影光学系PLによって形成される空間像に基づいて空間光変調器28の検査を行う演算装置55と、を備えている。
本実施形態によれば、空間光変調器28のミラー要素30のアレイの検査対象領域DAで、第1の状態のミラー要素30と第2の状態のミラー要素30とを市松模様状に配列し、検査対象領域DAからの光を一つのミラー要素30の像の幅よりも解像限界の粗い投影光学系PLに導いて空間像を形成することで、そのミラー要素30のアレイの特性と目標とする特性との間に相違があると、その空間像がほぼ一定の低レベルの状態から変化する。従って、その空間像を用いて空間光変調器28の特性の検査をオンボディで容易に行うことができる。
(2)また、本実施形態では、空間光変調器28の特性として、ミラー要素30中の欠陥要素38の有無を検査しているため、欠陥要素38が存在することによって、ウエハWに形成されるパターンに形状誤差が生じることを抑制できる。なお、本実施形態では、欠陥要素38が存在する場合には、代替要素39を割り当てているが、欠陥要素38が存在する場合に空間光変調器28を交換してもよい。この場合、露光装置EXの主制御系40は、露光装置EXのコンソールに設けられた表示部(モニター)に空間光変調器の交換を促す警告を表示させても良い。なお、欠陥要素38が存在する場合に代替要素39を割り当てる際にも、代替要素を割り当てている旨の注意情報を表示部に表示させても良い。また、上記の警告或いは注意情報は、製造プラントにおける多数のリソグラフィユニットに関して管理機能を有するマスターコンピュータシステムに通知されるものであっても良い。
(3)また、空間光変調器28は光学要素としてミラー要素30(反射要素)を有するため、照明光ILの利用効率が高い。しかしながら、空間光変調器28の代わりに、個々の光学要素がそれぞれ透過する光の位相を所定のφ1又は(φ1+180°)変化させる透過型の空間光変調器を使用することも可能である。このような光学要素としては、電圧によって屈折率が変化する電気光学素子又は液晶セル等を使用できる。
(4)また、本実施形態の露光装置EXの露光方法は、照明光IL(露光光)で複数のミラー要素30のアレイを有する空間光変調器28及び投影光学系PLを介してウエハW(基板)を露光する露光方法において、上記の空間光変調器28の検査方法によって空間光変調器28の検査を行う工程を含んでいる。
また、本実施形態の露光装置EXは、照明光学系ILS(照明系)からの照明光IL(露光光)で投影光学系PL(投影系)を介してウエハWを露光する露光装置において、投影光学系PLの物体面側に配置されて、それぞれ照明光ILを投影光学系PLに導くように制御可能な複数のミラー要素30のアレイを有する空間光変調器28と、上記の空間光変調器の検査装置53と、を備えている。
また、本実施形態の露光装置EXは、照明光学系ILS(照明系)からの照明光IL(露光光)で投影光学系PL(投影系)を介してウエハWを露光する露光装置において、投影光学系PLの物体面側に配置されて、それぞれ照明光ILを投影光学系PLに導くように制御可能な複数のミラー要素30のアレイを有する空間光変調器28と、上記の空間光変調器の検査装置53と、を備えている。
その露光方法又は露光装置EXによれば、空間光変調器28を用いて種々のパターンをマスクレス方式でウエハWの表面に形成できる。さらに、空間光変調器28の特性の検査をオンボディで容易に行うことができるため、空間光変調器28の特性の検査に際して、露光工程のスループットの低下を抑制できる。
また、露光装置EXの照明光学系ILS及び投影光学系PLが検査装置53の照明光学系ILS及び投影光学系PLとして兼用されている。従って、検査装置53の構成が簡単である。なお、検査装置53の照明装置及び投影光学系の少なくとも一方を、照明光学系ILS及び投影光学系PLとは別に着脱可能に設けてもよい。また、検査装置53は、露光装置EXとは独立に空間光変調器28の専用の検査装置として設けてもよい。
また、露光装置EXの照明光学系ILS及び投影光学系PLが検査装置53の照明光学系ILS及び投影光学系PLとして兼用されている。従って、検査装置53の構成が簡単である。なお、検査装置53の照明装置及び投影光学系の少なくとも一方を、照明光学系ILS及び投影光学系PLとは別に着脱可能に設けてもよい。また、検査装置53は、露光装置EXとは独立に空間光変調器28の専用の検査装置として設けてもよい。
(5)また、照明光学系ILSからの照明光ILは、複数のミラー要素30(反射要素)にほぼ入射角αで斜めに入射し、ミラー要素30からの反射光が、投影光学系PLに対して投影光学系PLの光軸AXWに交差するように入射している。従って、投影光学系PLは物体面側に非テレセントリックであるため、空間光変調器28からの反射光の全部を投影光学系PLを介してウエハWに照射でき、照明光ILの利用効率が高い。さらに、偏光制御光学系6で設定される照明光ILの偏光状態をウエハWの表面で正確に再現できる。
[第2の実施形態]
次に、第2の実施形態につき図1及び図8を参照して説明する。本実施形態においても、図1の露光装置EXを使用するが、空間光変調器28の特性として反射面の平面度を検査する点が異なっている。これに伴い演算装置55の動作が第1の実施形態とは異なっている。
次に、第2の実施形態につき図1及び図8を参照して説明する。本実施形態においても、図1の露光装置EXを使用するが、空間光変調器28の特性として反射面の平面度を検査する点が異なっている。これに伴い演算装置55の動作が第1の実施形態とは異なっている。
本実施形態の空間光変調器28の特性の検査時には、図7のステップ102,104,106と同じ動作を実行する。すなわち、空間光変調器28のミラー要素30の照明領域26A内のアレイは、図4(A)に示すように、位相0のミラー要素30と位相πのミラー要素30とが市松模様状に配列され、図4(A)の位相分布に対応する空間像の強度分布が空間像計測装置54によって計測される。
図8(B)の実線の強度分布64は、空間像計測装置54によって計測される空間像のX軸に平行な直線に沿う部分の強度分布INTである。実際には、その空間像の全面にY方向に所定間隔で配置された複数のX軸に平行な直線に沿う強度分布が計測され、計測結果が演算装置55に供給される。本実施形態では、予め空間像の強度分布INTと対応する空間光変調器28の反射面の曲がりとの関係の情報が求められ、この情報が演算装置55内の記憶装置に記憶されている。ベース部材32の歪み情報を含む強度分布64が、一例として図8(B)のような球面状の分布であるときには、図8(A)に示すように、空間光変調器28のベース部材32(ひいてはミラー要素30のアレイの反射面)が球面状に湾曲していると推定される。そこで、演算装置55は、強度分布64及びミラー要素30のアレイの反射面が平坦である場合の既知の強度分布(例えば強度分布65Aのような平坦な分布)の情報を、例えば2次元の画像のような形で主制御系40を介して不図示のモニターに表示する。
これに応じて、例えばオペレータは、図1の空間光変調器28のベース部材32の裏面のボルト58に沿ったナット57の位置を調整して、ベース部材32に作用する応力分布を制御して、計測された強度分布64が強度分布65Aに近づくようにベース部材32の平坦度を調整する。この場合、ベース部材32の平坦度を調整する毎に、ステップ104,106の動作を実行して、空間像の強度分布INTを計測することが好ましい。この動作を繰り返すことによって、空間光変調器28のベース部材32、ひいてはミラー要素30のアレイの反射面を2点鎖線の位置65Bで示すように平坦にすることができる。
なお、演算装置55からは、ベース部材32に付加する応力分布の情報を供給してもよい。
また、空間光変調器28のベース部材32の裏面に、ベース部材32に作用する応力分布を可変にするための1つまたは複数のアクチュエータを設け、演算装置55からのベース部材32の平坦度に関する情報、空間光変調器23の反射面の曲がりに関する情報、または空間像の位置での光強度分布に関する情報に基づいて、ミラー要素30のアレイの反射面が平坦となるように、アクチュエータを駆動させても良い。
この第2の実施形態においても、露光装置EXの主制御系40は、露光装置EXのコンソールに設けられた表示部(モニター)に、ミラー要素30のアレイの反射面が平坦度に関する情報を表示させても良く、マスターコンピュータシステムにその情報を通知しても良い。なお、ミラー要素30のアレイの反射面を平坦に補正できない場合は、その情報を表示部に表示させるか、マスターコンピュータシステムに通知しても良い。
なお、演算装置55からは、ベース部材32に付加する応力分布の情報を供給してもよい。
また、空間光変調器28のベース部材32の裏面に、ベース部材32に作用する応力分布を可変にするための1つまたは複数のアクチュエータを設け、演算装置55からのベース部材32の平坦度に関する情報、空間光変調器23の反射面の曲がりに関する情報、または空間像の位置での光強度分布に関する情報に基づいて、ミラー要素30のアレイの反射面が平坦となるように、アクチュエータを駆動させても良い。
この第2の実施形態においても、露光装置EXの主制御系40は、露光装置EXのコンソールに設けられた表示部(モニター)に、ミラー要素30のアレイの反射面が平坦度に関する情報を表示させても良く、マスターコンピュータシステムにその情報を通知しても良い。なお、ミラー要素30のアレイの反射面を平坦に補正できない場合は、その情報を表示部に表示させるか、マスターコンピュータシステムに通知しても良い。
[第3の実施形態]
次に、第3の実施形態につき図1及び図9を参照して説明する。本実施形態においても、図1の露光装置EXを使用するが、空間光変調器28の特性として迷光を検査し、この検査結果を用いて投影光学系PLのフレアを検査(計測)する点が異なっている。これに伴い演算装置55の動作が第1の実施形態とは異なっている。
次に、第3の実施形態につき図1及び図9を参照して説明する。本実施形態においても、図1の露光装置EXを使用するが、空間光変調器28の特性として迷光を検査し、この検査結果を用いて投影光学系PLのフレアを検査(計測)する点が異なっている。これに伴い演算装置55の動作が第1の実施形態とは異なっている。
本実施形態の空間光変調器28の特性の検査時には、まず、図7のステップ102,104,106と同じ動作を実行する。すなわち、空間光変調器28のミラー要素30の照明領域26A内のアレイは、図9(A)に示すように、位相0のミラー要素30と位相πのミラー要素30とが市松模様状に配列され、図9(A)の位相分布に対応する空間像の強度分布が空間像計測装置54によって計測される。
図9(C)の実線の強度分布68Bは、空間像計測装置54によって計測される空間像のX方向の中央の部分でY軸に平行な直線(計測軸)に沿う部分の強度分布INTである。実際には、その空間像の全面にX方向に所定間隔で配置された複数のY軸に平行な直線に沿う強度分布を計測してもよい。その計測結果が演算装置55に供給される。本実施形態では、予め照明光ILを照射しない状態でも、図9(A)の位相分布に対応する空間像の強度分布68Aが計測され、計測結果が演算装置55に記憶されている。演算装置55は、強度分布68Bと強度分布68Aとの差分を位置Y毎に計算し、計算結果を空間光変調器28の迷光として記憶するとともに、主制御系40に供給する。
次に、ミラー要素30の照明領域26A内のアレイの位相分布を、図9(B)に示すように、中央の長方形の第1領域66内の全部のミラー要素30が位相πになり、第1領域66を囲む枠状の第2領域67内で位相0のミラー要素30と位相πのミラー要素30とが市松模様状に配列されるように設定する。そして、図9(B)の位相分布に対応する検査用空間像の強度分布を空間像計測装置54によって計測する。このときの上記の計測軸に沿う強度分布は、図9(D)の台形状の強度分布68Cで示すように、第1領域66に対応する部分で高レベルになる。計測結果は演算装置55に供給される。
そして、演算装置55では、強度分布68Cのレベルが低下した部分で、強度分布68Cと図9(A)の位相分布に対応する空間像の強度分布68Bとの差分FR1,FR2を計算する。その差分FR1,FR2は投影光学系PLのフレアを表している。演算装置55は、その差分FR1,FR2を投影光学系PLのフレア情報として主制御系40に供給する。このように本実施形態によれば、空間光変調器28の迷光及び投影光学系PLのフレアを効率的に検査できる。
ここで、空間光変調器28の迷光の量または分布、或いは投影光学系PLのフレアの量または分布が許容値を超える場合には、露光装置EXの主制御系40は、露光装置EXのコンソールに設けられた表示部(モニター)に、許容値を超えている旨の情報を表示させても良く、マスターコンピュータシステムにその情報を通知しても良い。
ここで、上記の迷光またはフレアの許容値は、そのプロセスにおいて許容される線幅誤差(OPC誤差を含む)によって定めることができる。この線幅誤差(OPC誤差)は、例えば露光量の変更、瞳輝度分布などの照明条件の変更等によってある程度は補正することが可能であるため、露光装置EXの主制御系40は、計測された迷光・フレアに関する情報に基づいて、露光量の変更や、瞳輝度分布などの照明条件の変更を行っても良い。この場合においても、露光装置EXの主制御系40は、露光装置EXのコンソールに設けられた表示部(モニター)に、これらの情報を表示させても良く、マスターコンピュータシステムにその情報を通知しても良い。
また、露光量の変更や、瞳輝度分布などの照明条件の変更を行っても、空間光変調器28の迷光の量または分布、或いは投影光学系PLのフレアの量または分布が許容値を超えてしまう場合には、補正不可能である旨の情報(空間光変調器28の交換等を促す情報)を表示させても良く、マスターコンピュータシステムにその情報を通知しても良い。
ここで、空間光変調器28の迷光の量または分布、或いは投影光学系PLのフレアの量または分布が許容値を超える場合には、露光装置EXの主制御系40は、露光装置EXのコンソールに設けられた表示部(モニター)に、許容値を超えている旨の情報を表示させても良く、マスターコンピュータシステムにその情報を通知しても良い。
ここで、上記の迷光またはフレアの許容値は、そのプロセスにおいて許容される線幅誤差(OPC誤差を含む)によって定めることができる。この線幅誤差(OPC誤差)は、例えば露光量の変更、瞳輝度分布などの照明条件の変更等によってある程度は補正することが可能であるため、露光装置EXの主制御系40は、計測された迷光・フレアに関する情報に基づいて、露光量の変更や、瞳輝度分布などの照明条件の変更を行っても良い。この場合においても、露光装置EXの主制御系40は、露光装置EXのコンソールに設けられた表示部(モニター)に、これらの情報を表示させても良く、マスターコンピュータシステムにその情報を通知しても良い。
また、露光量の変更や、瞳輝度分布などの照明条件の変更を行っても、空間光変調器28の迷光の量または分布、或いは投影光学系PLのフレアの量または分布が許容値を超えてしまう場合には、補正不可能である旨の情報(空間光変調器28の交換等を促す情報)を表示させても良く、マスターコンピュータシステムにその情報を通知しても良い。
なお、上記の実施形態では以下のような変形が可能である。
上記の実施形態では、投影光学系PLの空間像を空間像計測装置54によって計測しているため、効率的に空間光変調器28の検査を行うことができる。なお、投影光学系PLの空間像の状態を計測するために、実際にウエハWのフォトレジストを露光し、フォトレジストの現像後に形成されるレジストパターンの形状等を例えば走査型電子顕微鏡(SEM)等を用いて計測してもよい。
上記の実施形態では、投影光学系PLの空間像を空間像計測装置54によって計測しているため、効率的に空間光変調器28の検査を行うことができる。なお、投影光学系PLの空間像の状態を計測するために、実際にウエハWのフォトレジストを露光し、フォトレジストの現像後に形成されるレジストパターンの形状等を例えば走査型電子顕微鏡(SEM)等を用いて計測してもよい。
また、上記の実施形態では、ウエハWを連続的に移動してウエハWを走査露光している。その他に、図3(B)に示すように、ウエハWの各ショット領域(例えばSA21)をY方向に複数の部分領域SB1〜SB5等に分割し、投影光学系PLの露光領域26Bに部分領域SB1等が達したときに、照明光ILを所定パルス数だけ発光させて、空間光変調器28のミラー要素30のアレイからの反射光で部分領域SB1等を露光してもよい。この後、ウエハWをY方向にステップ移動させて、次の部分領域SB2等が露光領域26Bに達してから、同様に部分領域SB2等に露光が行われる。この方式は実質的にステップ・アンド・リピート方式であるが、部分領域SB1〜SB5等には互いに異なるパターンが露光される。
次に、上記の実施形態では、物体側に非テレセントリックの投影光学系PLを用いている。それ以外に、図10の変形例の露光装置EXAで示すように、物体側及び像面側に両側テレセントリックの投影光学系PLAを用いることも可能である。図10において、露光装置EXAは、S偏光の照明光ILをほぼ+Y方向に発生する照明光学系ILSAと、照明光ILを+Z方向に反射する偏光ビームスプリッタ51と、偏光ビームスプリッタ51からの照明光ILを円偏光に変換する1/4波長板52と、円偏光の照明光ILを−Z方向に反射する多数のミラー要素30の2次元のアレイを有する空間光変調器28と、ミラー要素30で反射されてから、1/4波長板52及び偏光ビームスプリッタ51を透過した照明光ILを受光してウエハWの表面の露光領域26Bに空間像(パターン)を投影する投影光学系PLAと、を備えている。照明光学系ILSAは、図1の照明光学系ILSからミラー8B,8Cを除いた光学系である。空間光変調器28の構成及び作用は図1の実施形態と同様である。
ただし、この変形例では、空間光変調器28のミラー要素30に対して照明光ILがほぼ入射角0で入射する。そのため、小σ照明の場合には、ミラー要素30からの反射光は、投影光学系PLの光軸AXにほぼ平行に投影光学系PLに入射する。この変形例の露光装置EXAによれば、両側テレセントリックの投影光学系PLAを使用できるため、露光装置の構成が簡素化できる。
なお、照明光ILの利用効率が1/2に低下してもよい場合には、偏光ビームスプリッタ51の代わりに通常のビームスプリッタを使用し、1/4波長板52を省略してもよい。この場合には、偏光照明が使用できる。
また、図1の波面分割型のインテグレータであるマイクロレンズアレイ16に代えて、内面反射型のオプティカル・インテグレータとしてのロッド型インテグレータを用いることもできる。
また、図1の波面分割型のインテグレータであるマイクロレンズアレイ16に代えて、内面反射型のオプティカル・インテグレータとしてのロッド型インテグレータを用いることもできる。
[第4の実施形態]
次に、第4の実施形態につき図11〜図14を参照して説明する。本実施形態においては、独立の検査装置を用いて空間光変調器の各ミラー要素の高さ(反射光の位相)の平均的な設定誤差(目標値に対する実際の設定値のばらつき)ΔZを計測する。
次に、第4の実施形態につき図11〜図14を参照して説明する。本実施形態においては、独立の検査装置を用いて空間光変調器の各ミラー要素の高さ(反射光の位相)の平均的な設定誤差(目標値に対する実際の設定値のばらつき)ΔZを計測する。
図11は、本実施形態の検査装置70を示す。検査装置70は、検査用の照明光ILDを発生する照明系71と、照明光ILDを折り曲げるハーフミラー72と、折り曲げられた照明光ILDを検査対象の空間光変調器28のミラー要素30のアレイに照射する第1対物レンズ73Aと、を有する。さらに、検査装置70は、ミラー要素30のアレイで反射されて第1対物レンズ73A及びハーフミラー72を通過した照明光からミラー要素30のアレイの空間像を形成する第2対物レンズ73Bと、対物レンズ73A,73Bよりなる検査光学系(結像光学系)の瞳面(射出瞳と共役な面)又はこの近傍の面に配置される可変開口絞り74と、その空間像を撮像する例えばCCD型の2次元の撮像素子75と、撮像素子75の撮像信号を処理して各ミラー要素30の高さの平均的な設定誤差ΔZを求める演算装置55Aと、を有する。空間光変調器28には変調制御部48が接続されている。その検査光学系の倍率は低倍であり、例えば1倍である。また、その検査光学系の開口数NAは可変である。
本実施形態では、空間光変調器28のミラー要素30のアレイの高さの分布(反射光の位相分布)は、図12に示すように、一例としてX方向にN列でY方向にN行のN×N画素(Nは1以上の整数)のミラー要素30を単位として市松模様状に設定される。図12において、全部でM×M画素(MはNの整数倍)の検査対象のミラー要素30のアレイをN×N個ずつのミラー要素30を含み市松模様状に配列された画素群76A,76Bに分けたとき、画素群76A内の全部のミラー要素30は、反射光の位相を第1の位相(ここでは0°とする)だけ変化させる第1の状態に設定される。そして、画素群76AとX方向及びY方向に交互に配置される画素群76内の全部のミラー要素30は、反射光の位相を第1の位相と180°異なる第2の位相(ここでは180°=π)だけ変化させる第2の状態に設定される。
この場合、図11の検査光学系の開口NAは、各画素群76A,76Bの像を解像しないように設定される。具体的に、照明光ILDの波長をλ、ミラー要素30の配列のピッチをpxとすると、開口数NAは次の範囲であればよい。
NA<λ/(21/2・N・px) …(4)
NA<λ/(21/2・N・px) …(4)
そして、図11の照明系71の照明条件を、一例としてコヒーレンスファクタ(σ値)が極めて小さい(ほぼ0)とともに、ランダム偏光であるとして、図12の整数Nを10、整数Mを100として、ミラー要素30のアレイの空間像をシミュレーションによって評価した。この際に、各ミラー要素30の高さの目標値に対する実際の設定値の設定誤差(ばらつき)ΔZをガウス分布であると仮定し、設定誤差ΔZの標準偏差の3倍(以下、ΔZ3σという。)が図13(A)、(B)、(C)に示す値である場合についてそれぞれ図11の撮像素子75で検出される空間像をシミュレーションによって求めた。図13(A)、(B)、(C)はそれぞれΔZ3σが1nm、2nm、及び4nmの場合の図12のミラー要素30のアレイの設定誤差Δの分布の一例を示す。設定誤差ΔZの分布の形は互いに同じであるが、設定誤差ΔZの絶対値がΔZ3σに比例して大きく設定されている。また、図11の検査光学系の開口数NAは、式(4)を満たす範囲でほぼ最も大きい値である0.6に設定した。
図14(A)、(B)、(C)は、それぞれ空間光変調器28のミラー要素30の高さの設定誤差の標準偏差の3倍(ΔZ3σ)が1nm、2nm、及び4nmの場合に、図11の検査装置70によって得られる空間像(光強度分布)をシミュレーションで求めた結果を示す。図14(A)〜(C)より、ΔZ3σが増加すると、空間像の最大値を平均値で割って得られるコントラストが大きくなっていることが分かる。
図14(D)は、図14(A)〜(C)の空間像の光強度の平均値(%)(折れ線77C)、それらの空間像の光強度の最大値(%)(折れ線77B)、及びその光強度の最大値を平均値で割ったコントラスト(%)(折れ線77A)を示す。図14(D)の折れ線77Aが示すコントラストは、ほぼΔZ3σに比例して変化していることが分かる。そこで、図11の演算装置55Aの記憶部には、図14(D)の折れ線77Aの情報が記憶されている。
そして、実際に空間光変調器28のミラー要素30の高さの設定誤差を評価するときには、演算装置55Aは、図11の撮像素子75の撮像信号から図12のミラー要素30のアレイの像のコントラストを求める。さらに、そのコントラストを折れ線77Aに適用することで、容易にミラー要素30のアレイの高さの設定誤差の標準偏差の3倍(ΔZ3σ)を求めることができる。
なお、図11の検査装置70の動作を図1の実施形態の検査装置54で行うことも可能である。図1の実施形態の検査装置54を用いる場合には、ミラー要素30のアレイの高さの設定誤差に関する情報を、露光装置EXの表示部に表示、或いはマスターコンピュータシステムに通知しても良い。
なお、図11の検査装置70の動作を図1の実施形態の検査装置54で行うことも可能である。図1の実施形態の検査装置54を用いる場合には、ミラー要素30のアレイの高さの設定誤差に関する情報を、露光装置EXの表示部に表示、或いはマスターコンピュータシステムに通知しても良い。
また、電子デバイス(又はマイクロデバイス)を製造する場合、電子デバイスは、図11に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスクのパターンデータを実施形態の露光装置EX,EXAの主制御系に記憶するステップ222、デバイスの基材である基板(ウエハ)を製造してレジストを塗布するステップ223、前述した露光装置EX,EXA(又は露光方法)により空間光変調器28で生成される位相分布の空間像を基板(感応基板)に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。
このデバイスの製造方法は、上記の実施形態のマスクレス方式の露光装置(又は露光方法)を用いてウエハWを露光する工程と、露光されたウエハWを処理する工程(ステップ224)とを含んでいる。従って、微細な回路パターンを備える電子デバイスを高精度に安価に製造できる。
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、液晶表示素子、プラズマディスプレイ等の製造プロセスや、撮像素子(CMOS型、CCD等)、マイクロマシーン、MEMS(Microelectromechanical Systems:微小電気機械システム)、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイス(電子デバイス)の製造プロセスにも広く適用できる。
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、液晶表示素子、プラズマディスプレイ等の製造プロセスや、撮像素子(CMOS型、CCD等)、マイクロマシーン、MEMS(Microelectromechanical Systems:微小電気機械システム)、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイス(電子デバイス)の製造プロセスにも広く適用できる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
また、本発明は、以下の条項に従って記述することもできる。
1. 光が照射される複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器の検査方法であって、 前記光学素子のアレイの少なくとも一部の検査対象領域で、第1の状態の光学素子と、入射する光の位相を、前記第1の状態の光学素子を通過した光の位相である第1の位相とは180°異なる第2の位相だけ変化させて通過させる第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態になるように制御することと、
前記検査対象領域を通過した光を、投影光学系の像面に導くことと、
一つの前記光学素子の像の幅よりも解像限界の粗い投影光学系に導いて空間像を形成することと、
前記投影光学系を通過した光から前記空間光変調器の特性を検査することと、
を含み、
λ/(2・NA)>β・py
を満足する空間光変調器の検査方法。
但し、
λ :前記光の波長、
NA:前記投影光学系の像面に光を導く際の前記投影光学系の前記像面の側の開口数、 β :前記投影光学系の倍率、
py:前記複数の光学要素のアレイの幅、
である。
2. 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像から前記検査対象領域内の欠陥のある光学素子を特定する条項1に記載の空間光変調器の検査方法。
3. 前記欠陥のある光学素子を特定するために、前記検査対象領域内で、前記空間像のうちの光強度が所定の閾値よりも強い部分に対応する光学素子の位置を求める条項2に記載の空間光変調器の検査方法。
また、本発明は、以下の条項に従って記述することもできる。
1. 光が照射される複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器の検査方法であって、 前記光学素子のアレイの少なくとも一部の検査対象領域で、第1の状態の光学素子と、入射する光の位相を、前記第1の状態の光学素子を通過した光の位相である第1の位相とは180°異なる第2の位相だけ変化させて通過させる第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態になるように制御することと、
前記検査対象領域を通過した光を、投影光学系の像面に導くことと、
一つの前記光学素子の像の幅よりも解像限界の粗い投影光学系に導いて空間像を形成することと、
前記投影光学系を通過した光から前記空間光変調器の特性を検査することと、
を含み、
λ/(2・NA)>β・py
を満足する空間光変調器の検査方法。
但し、
λ :前記光の波長、
NA:前記投影光学系の像面に光を導く際の前記投影光学系の前記像面の側の開口数、 β :前記投影光学系の倍率、
py:前記複数の光学要素のアレイの幅、
である。
2. 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像から前記検査対象領域内の欠陥のある光学素子を特定する条項1に記載の空間光変調器の検査方法。
3. 前記欠陥のある光学素子を特定するために、前記検査対象領域内で、前記空間像のうちの光強度が所定の閾値よりも強い部分に対応する光学素子の位置を求める条項2に記載の空間光変調器の検査方法。
4. 前記検査対象領域をそれぞれ複数の前記光学素子を含み、前記光学素子の配列方向である第1方向に隣接する第1領域及び第2領域に分割することと、
前記第1領域内に前記欠陥のある光学素子が配置されているときに、前記第2領域内で前記欠陥のある光学素子から前記第1方向に離れた光学素子を前記欠陥のある光学素子の代替の光学素子とすることと、
を含む条項2又は3に記載の空間光変調器の検査方法。
5. 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像から前記検査対象領域内の複数の前記光学素子の反射面の歪み情報を求める条項1に記載の空間光変調器の検査方法。
6. 前記反射面の歪み情報に基づいて、前記空間光変調器の前記検査対象領域に応力を加えることを含む条項5に記載の空間光変調器の検査方法。
7. 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像から前記空間光変調器に起因する迷光量を求める条項1に記載の空間光変調器の検査方法。
前記第1領域内に前記欠陥のある光学素子が配置されているときに、前記第2領域内で前記欠陥のある光学素子から前記第1方向に離れた光学素子を前記欠陥のある光学素子の代替の光学素子とすることと、
を含む条項2又は3に記載の空間光変調器の検査方法。
5. 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像から前記検査対象領域内の複数の前記光学素子の反射面の歪み情報を求める条項1に記載の空間光変調器の検査方法。
6. 前記反射面の歪み情報に基づいて、前記空間光変調器の前記検査対象領域に応力を加えることを含む条項5に記載の空間光変調器の検査方法。
7. 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像から前記空間光変調器に起因する迷光量を求める条項1に記載の空間光変調器の検査方法。
8. 前記検査対象領域を、第1照明領域とこれを囲む第2照明領域とに分け、
前記第1照明領域内の複数の前記光学要素を前記第1の状態に設定し、前記第2照明領域を、前記第1の状態の光学素子と、前記第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態に設定することと、
前記検査対象領域を通過した光によって前記投影光学系を介して検査用空間像を形成することと、
前記投影光学系によって形成される前記空間像と前記検査用空間像とから前記投影光学系のフレア情報を求めることと、
を含む条項7に記載の空間光変調器の検査方法。
9. 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像の光強度のコントラストから前記空間光変調器の前記光学要素を通過する光の位相のばらつきを求める条項1に記載の空間光変調器の検査方法。
10. 前記空間像から前記空間光変調器の特性を検査することは、前記空間像を光学的に検出することを含む条項1〜9のいずれか一項に記載の空間光変調器の検査方法。
11. 露光光で複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、
条項1〜10のいずれか一項に記載の空間光変調器の検査方法によって前記空間光変調器の検査を行う工程を含む露光方法。
前記第1照明領域内の複数の前記光学要素を前記第1の状態に設定し、前記第2照明領域を、前記第1の状態の光学素子と、前記第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態に設定することと、
前記検査対象領域を通過した光によって前記投影光学系を介して検査用空間像を形成することと、
前記投影光学系によって形成される前記空間像と前記検査用空間像とから前記投影光学系のフレア情報を求めることと、
を含む条項7に記載の空間光変調器の検査方法。
9. 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像の光強度のコントラストから前記空間光変調器の前記光学要素を通過する光の位相のばらつきを求める条項1に記載の空間光変調器の検査方法。
10. 前記空間像から前記空間光変調器の特性を検査することは、前記空間像を光学的に検出することを含む条項1〜9のいずれか一項に記載の空間光変調器の検査方法。
11. 露光光で複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、
条項1〜10のいずれか一項に記載の空間光変調器の検査方法によって前記空間光変調器の検査を行う工程を含む露光方法。
12. 前記投影光学系の像面に光を導く際の前記投影光学系の前記像面の側の開口数は、前記基板を露光する際の前記投影光学系の前記像面の側の開口数よりも低く設定する条項11に記載の露光方法。
13. 光が照射される複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器の検査装置であって、
前記光学素子のアレイの少なくとも一部の検査対象領域を照明する照明装置と、
前記検査対象領域で、第1の状態の光学素子と、入射する光の位相を、前記第1の状態の光学素子を通過した光の位相である第1の位相と180°異なる第2の位相だけ変化させて通過させる第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態になるように制御する制御装置と、
前記検査対象領域を通過した光を像面に導く投影光学系と、
前記投影光学系を通過した光を用いて前記空間光変調器の検査を行う演算装置と、
を備え、
λ/(2・NA)>β・py
を満足する空間光変調器の検査装置。
但し、
λ :前記光の波長、
NA:前記投影光学系の像面に光を導く際の前記投影光学系の前記像面の側の開口数、
β :前記投影光学系の倍率、
py:前記複数の光学要素のアレイの幅、
である。
14. 前記演算装置は、前記検査対象領域内の欠陥のある光学素子を特定する条項13に記載の空間光変調器の検査装置。
15. 前記制御装置は、
前記検査対象領域をそれぞれ複数の前記光学素子を含み、前記光学素子の配列方向である第1方向に隣接する第1領域及び第2領域に分割し、
前記第1領域内に前記欠陥のある光学素子が配置されているときに、前記第2領域内で前記欠陥のある光学素子から前記第1方向に離れた光学素子を前記欠陥のある光学素子の代替の光学素子とする条項14に記載の空間光変調器の検査装置。
13. 光が照射される複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器の検査装置であって、
前記光学素子のアレイの少なくとも一部の検査対象領域を照明する照明装置と、
前記検査対象領域で、第1の状態の光学素子と、入射する光の位相を、前記第1の状態の光学素子を通過した光の位相である第1の位相と180°異なる第2の位相だけ変化させて通過させる第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態になるように制御する制御装置と、
前記検査対象領域を通過した光を像面に導く投影光学系と、
前記投影光学系を通過した光を用いて前記空間光変調器の検査を行う演算装置と、
を備え、
λ/(2・NA)>β・py
を満足する空間光変調器の検査装置。
但し、
λ :前記光の波長、
NA:前記投影光学系の像面に光を導く際の前記投影光学系の前記像面の側の開口数、
β :前記投影光学系の倍率、
py:前記複数の光学要素のアレイの幅、
である。
14. 前記演算装置は、前記検査対象領域内の欠陥のある光学素子を特定する条項13に記載の空間光変調器の検査装置。
15. 前記制御装置は、
前記検査対象領域をそれぞれ複数の前記光学素子を含み、前記光学素子の配列方向である第1方向に隣接する第1領域及び第2領域に分割し、
前記第1領域内に前記欠陥のある光学素子が配置されているときに、前記第2領域内で前記欠陥のある光学素子から前記第1方向に離れた光学素子を前記欠陥のある光学素子の代替の光学素子とする条項14に記載の空間光変調器の検査装置。
16. 前記演算装置は、前記検査対象領域内の複数の前記光学素子の反射面の歪み情報を求める条項13に記載の空間光変調器の検査装置。
17. 前記演算装置は、前記空間光変調器に起因する迷光量を求める条項13に記載の空間光変調器の検査装置。
18. 前記制御装置は、
前記検査対象領域を、第1領域とこれを囲む第2領域とに分け、
前記第1領域内の複数の前記光学要素を前記第1の状態に設定し、前記第2領域を、前記第1の状態の光学素子と、前記第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態に設定し、
前記演算装置は、前記第1領域及び第2領域を通過した光によって前記投影光学系を介して形成される検査用空間像と前記空間像とに基づいて前記投影光学系のフレア情報を求める条項17に記載の空間光変調器の検査装置。
19. 前記演算装置は、前記投影光学系によって形成される空間像の光強度のコントラストから前記空間光変調器の前記光学要素を通過する光の位相のばらつきを求める条項13に記載の空間光変調器の検査装置。
17. 前記演算装置は、前記空間光変調器に起因する迷光量を求める条項13に記載の空間光変調器の検査装置。
18. 前記制御装置は、
前記検査対象領域を、第1領域とこれを囲む第2領域とに分け、
前記第1領域内の複数の前記光学要素を前記第1の状態に設定し、前記第2領域を、前記第1の状態の光学素子と、前記第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態に設定し、
前記演算装置は、前記第1領域及び第2領域を通過した光によって前記投影光学系を介して形成される検査用空間像と前記空間像とに基づいて前記投影光学系のフレア情報を求める条項17に記載の空間光変調器の検査装置。
19. 前記演算装置は、前記投影光学系によって形成される空間像の光強度のコントラストから前記空間光変調器の前記光学要素を通過する光の位相のばらつきを求める条項13に記載の空間光変調器の検査装置。
20. 照明系からの露光光で投影系を介して基板を露光する露光装置において、
前記投影系の物体面側に配置されて、それぞれ前記露光光を前記投影系に導くように制御可能な複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器と、
条項13〜19のいずれか一項に記載の空間光変調器の検査装置と、
を備える露光装置。
21. 前記照明系は、前記検査装置の前記照明装置の少なくとも一部を兼用し、
前記投影系は、前記検査装置の前記投影光学系を兼用する条項20に記載の露光装置。
22. 前記投影光学系の像面に光を導かれた光を用いて前記空間光変調器を検査を行う際の前記投影光学系の前記像面の側の開口数は、前記基板を露光する際の前記投影光学系の前記像面の側の開口数よりも低く設定する条項20または21に記載の露光装置。
23. 条項11または12に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
を含むデバイス製造方法。
24. 条項20〜22のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
を含むデバイス製造方法。
また、本願に記載した上記公報、各国際公開パンフレット、米国特許、又は米国特許出願公開明細書における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。また、明細書、特許請求の範囲、図面、及び要約を含む2011年9月2日付け提出の日本国特許出願第2011−191319号の全ての開示内容は、そっくりそのまま引用して本願に組み込まれている。
前記投影系の物体面側に配置されて、それぞれ前記露光光を前記投影系に導くように制御可能な複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器と、
条項13〜19のいずれか一項に記載の空間光変調器の検査装置と、
を備える露光装置。
21. 前記照明系は、前記検査装置の前記照明装置の少なくとも一部を兼用し、
前記投影系は、前記検査装置の前記投影光学系を兼用する条項20に記載の露光装置。
22. 前記投影光学系の像面に光を導かれた光を用いて前記空間光変調器を検査を行う際の前記投影光学系の前記像面の側の開口数は、前記基板を露光する際の前記投影光学系の前記像面の側の開口数よりも低く設定する条項20または21に記載の露光装置。
23. 条項11または12に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
を含むデバイス製造方法。
24. 条項20〜22のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
を含むデバイス製造方法。
また、本願に記載した上記公報、各国際公開パンフレット、米国特許、又は米国特許出願公開明細書における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。また、明細書、特許請求の範囲、図面、及び要約を含む2011年9月2日付け提出の日本国特許出願第2011−191319号の全ての開示内容は、そっくりそのまま引用して本願に組み込まれている。
EX,EXA…露光装置、ILS,ILSA…照明光学系、PL,PLA…投影光学系、W…ウエハ、28…空間光変調器、30…ミラー要素、37A…通常領域、37B…予備領域、38…欠陥要素、39…代替要素、48…変調制御部、53…検査装置、54…空間像計測装置
Claims (22)
- 光が照射される複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器の検査方法であって、
前記光学素子のアレイの少なくとも一部の検査対象領域で、入射する光の位相を第1の位相だけ変化させて通過させる第1の状態の光学素子と、入射する光の位相を前記第1の位相と180°異なる第2の位相だけ変化させて通過させる第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態になるように制御することと、
前記検査対象領域を通過した光を、一つの前記光学素子の像の幅よりも解像限界の粗い投影光学系に導いて空間像を形成することと、
前記投影光学系によって形成される空間像から前記空間光変調器の特性を検査することと、
を含む空間光変調器の検査方法。 - 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像から前記検査対象領域内の欠陥のある光学素子を特定する請求項1に記載の空間光変調器の検査方法。
- 前記欠陥のある光学素子を特定するために、前記検査対象領域内で、前記空間像のうちの光強度が所定の閾値よりも強い部分に対応する光学素子の位置を求める請求項2に記載の空間光変調器の検査方法。
- 前記検査対象領域をそれぞれ複数の前記光学素子を含み、前記光学素子の配列方向である第1方向に隣接する第1領域及び第2領域に分割することと、
前記第1領域内に前記欠陥のある光学素子が配置されているときに、前記第2領域内で前記欠陥のある光学素子から前記第1方向に離れた光学素子を前記欠陥のある光学素子の代替の光学素子とすることと、
を含む請求項2又は3に記載の空間光変調器の検査方法。 - 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像から前記検査対象領域内の複数の前記光学素子の反射面の歪み情報を求める請求項1に記載の空間光変調器の検査方法。
- 前記反射面の歪み情報に基づいて、前記空間光変調器の前記検査対象領域に応力を加えることを含む請求項5に記載の空間光変調器の検査方法。
- 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像から前記空間光変調器に起因する迷光量を求める請求項1に記載の空間光変調器の検査方法。
- 前記検査対象領域を、第1照明領域とこれを囲む第2照明領域とに分け、
前記第1照明領域内の複数の前記光学要素を前記第1の状態に設定し、前記第2照明領域を、前記第1の状態の光学素子と、前記第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態に設定することと、
前記検査対象領域を通過した光によって前記投影光学系を介して検査用空間像を形成することと、
前記投影光学系によって形成される前記空間像と前記検査用空間像とから前記投影光学系のフレア情報を求めることと、
を含む請求項7に記載の空間光変調器の検査方法。 - 前記空間光変調器の特性を検査するために、前記投影光学系によって形成される空間像の光強度のコントラストから前記空間光変調器の前記光学要素を通過する光の位相のばらつきを求める請求項1に記載の空間光変調器の検査方法。
- 前記空間像から前記空間光変調器の特性を検査することは、前記空間像を光学的に検出することを含む請求項1〜9のいずれか一項に記載の空間光変調器の検査方法。
- 露光光で複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、
請求項1〜10のいずれか一項に記載の空間光変調器の検査方法によって前記空間光変調器の検査を行う工程を含む露光方法。 - 光が照射される複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器の検査装置であって、
前記光学素子のアレイの少なくとも一部の検査対象領域を照明する照明装置と、
前記検査対象領域で、入射する光の位相を第1の位相だけ変化させて通過させる第1の状態の光学素子と、入射する光の位相を前記第1の位相と180°異なる第2の位相だけ変化させて通過させる第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態になるように制御する制御装置と、
前記検査対象領域を通過した光から空間像を形成するとともに、一つの前記光学素子の像の幅よりも解像限界の粗い投影光学系と、
前記投影光学系によって形成される空間像に基づいて前記空間光変調器の検査を行う演算装置と、
を備える空間光変調器の検査装置。 - 前記演算装置は、前記検査対象領域内の欠陥のある光学素子を特定する請求項12に記載の空間光変調器の検査装置。
- 前記制御装置は、
前記検査対象領域をそれぞれ複数の前記光学素子を含み、前記光学素子の配列方向である第1方向に隣接する第1領域及び第2領域に分割し、
前記第1領域内に前記欠陥のある光学素子が配置されているときに、前記第2領域内で前記欠陥のある光学素子から前記第1方向に離れた光学素子を前記欠陥のある光学素子の代替の光学素子とする請求項13に記載の空間光変調器の検査装置。 - 前記演算装置は、前記検査対象領域内の複数の前記光学素子の反射面の歪み情報を求める請求項12に記載の空間光変調器の検査装置。
- 前記演算装置は、前記空間光変調器に起因する迷光量を求める請求項12に記載の空間光変調器の検査装置。
- 前記制御装置は、
前記検査対象領域を、第1領域とこれを囲む第2領域とに分け、
前記第1領域内の複数の前記光学要素を前記第1の状態に設定し、前記第2領域を、前記第1の状態の光学素子と、前記第2の状態の光学素子とが市松模様状に配列された状態に設定し、
前記演算装置は、前記第1領域及び第2領域を通過した光によって前記投影光学系を介して形成される検査用空間像と前記空間像とに基づいて前記投影光学系のフレア情報を求める請求項16に記載の空間光変調器の検査装置。 - 前記演算装置は、前記投影光学系によって形成される空間像の光強度のコントラストから前記空間光変調器の前記光学要素を通過する光の位相のばらつきを求める請求項12に記載の空間光変調器の検査装置。
- 照明系からの露光光で投影系を介して基板を露光する露光装置において、
前記投影系の物体面側に配置されて、それぞれ前記露光光を前記投影系に導くように制御可能な複数の光学要素のアレイを有する空間光変調器と、
請求項12〜18のいずれか一項に記載の空間光変調器の検査装置と、
を備える露光装置。 - 前記照明系は、前記検査装置の前記照明装置の少なくとも一部を兼用し、
前記投影系は、前記検査装置の前記投影光学系を兼用する請求項19に記載の露光装置。 - 請求項11に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
を含むデバイス製造方法。 - 請求項19又は20に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013531399A JPWO2013031901A1 (ja) | 2011-09-02 | 2012-08-30 | 空間光変調器の検査方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011191319 | 2011-09-02 | ||
JP2011191319 | 2011-09-02 | ||
JP2013531399A JPWO2013031901A1 (ja) | 2011-09-02 | 2012-08-30 | 空間光変調器の検査方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013031901A1 true JPWO2013031901A1 (ja) | 2015-03-23 |
Family
ID=47756379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013531399A Pending JPWO2013031901A1 (ja) | 2011-09-02 | 2012-08-30 | 空間光変調器の検査方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10317346B2 (ja) |
JP (1) | JPWO2013031901A1 (ja) |
KR (2) | KR102321222B1 (ja) |
WO (1) | WO2013031901A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013031901A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-03-23 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
WO2014104001A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 株式会社ニコン | 空間光変調器及びその駆動方法、並びに露光方法及び装置 |
US9703085B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-07-11 | Nikon Corporation | Catadioptric imaging systems for digital scanner |
US9638906B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-05-02 | Nikon Corporation | Catadioptric imaging systems for digital scanner |
KR101609029B1 (ko) * | 2013-12-13 | 2016-04-04 | 고려대학교 산학협력단 | 광 전달 매질의 투과 특성을 측정하는 방법 및 이를 이용한 이미지 획득 장치 |
EP3203275A4 (en) * | 2014-09-30 | 2018-05-30 | Kuraray Co., Ltd. | Diffusing plate and method for producing diffusing plate |
JP6467233B2 (ja) * | 2015-01-29 | 2019-02-06 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置、描画装置及び検査方法 |
CN110431486B (zh) * | 2017-03-16 | 2022-03-15 | 株式会社尼康 | 控制装置及控制方法、曝光装置及曝光方法、元件制造方法、数据生成方法和计算机可读介质 |
JP6969163B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-11-24 | 株式会社ニコン | 検査装置及び検査方法、露光装置及び露光方法、並びに、デバイス製造方法 |
JP7020859B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2022-02-16 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置および物品の製造方法 |
JP7020900B2 (ja) * | 2017-12-15 | 2022-02-16 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
DE102019201762A1 (de) * | 2019-02-12 | 2020-08-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung der Oberflächenform eines Testobjekts |
JP7416090B2 (ja) | 2020-01-10 | 2024-01-17 | 株式会社ニコン | 光学装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
EP4202549A1 (en) * | 2020-08-18 | 2023-06-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, measurement apparatus, measurement method, and device manufacturing method |
US11366307B2 (en) * | 2020-08-27 | 2022-06-21 | Kla Corporation | Programmable and reconfigurable mask with MEMS micro-mirror array for defect detection |
CN113218625B (zh) * | 2021-03-05 | 2023-11-17 | 香港理工大学深圳研究院 | 一种基于几何相位超构表面的标准相位检测元件 |
DE102022207687A1 (de) * | 2022-07-27 | 2024-02-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines Bauteils, computerimplementiertes Verfahren und Lithografiesystem |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3657392B2 (ja) * | 1996-05-30 | 2005-06-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 画像露光装置における欠陥画素の特定方法 |
SE9800665D0 (sv) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
US6816302B2 (en) * | 1998-03-02 | 2004-11-09 | Micronic Laser Systems Ab | Pattern generator |
US6215578B1 (en) * | 1998-09-17 | 2001-04-10 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Electronically switchable off-axis illumination blade for stepper illumination system |
JP2001013427A (ja) | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Seiko Epson Corp | 光変調デバイス及び表示装置 |
US6847752B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-01-25 | Bluebird Optical Mems Ltd. | Integrated actuator for optical switch mirror array |
US6618185B2 (en) | 2001-11-28 | 2003-09-09 | Micronic Laser Systems Ab | Defective pixel compensation method |
EP1476715B1 (en) * | 2002-01-24 | 2018-10-10 | Icos Vision Systems N.V. | Improved spatial wavefront analysis and 3d measurement |
JP4188620B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2008-11-26 | Nskワーナー株式会社 | エンドベアリングおよびワンウェイクラッチ装置 |
CN1723384A (zh) | 2003-01-15 | 2006-01-18 | 麦克罗尼克激光系统公司 | 检测缺陷像素的方法 |
US7278643B2 (en) * | 2004-03-01 | 2007-10-09 | Steve Roberson | Compact cart |
JP2005326465A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Canon Inc | 光偏向器 |
CN108490741A (zh) | 2004-06-09 | 2018-09-04 | 株式会社尼康 | 曝光装置及元件制造方法 |
JP4690754B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2011-06-01 | 株式会社ナノシステムソリューションズ | 大面積マスクレス露光方法及び露光装置 |
JP2008541164A (ja) * | 2005-05-13 | 2008-11-20 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 空間光変調器装置、リソグラフィ装置、ディスプレイ装置、空間光パターンを有する光ビームの生成方法、および装置の製造方法 |
WO2007049336A1 (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-03 | Fujitsu Limited | ホログラム記録装置 |
JP5245296B2 (ja) | 2007-06-12 | 2013-07-24 | 凸版印刷株式会社 | 偽造防止媒体および判別方法 |
US8189172B2 (en) | 2007-06-14 | 2012-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US8692974B2 (en) * | 2007-06-14 | 2014-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using pupil filling by telecentricity control |
KR101657053B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2016-09-13 | 마이크로닉 마이데이타 에이비 | 구조화된 거울 표면을 가진 공간적 광 조절기 |
JP5394663B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2014-01-22 | キヤノン電子株式会社 | 光走査用マイクロミラーデバイス、光走査装置、画像形成装置、表示装置および入力装置 |
JP5727005B2 (ja) * | 2010-07-01 | 2015-06-03 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学系及びマルチファセットミラー |
WO2012081292A1 (ja) * | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 株式会社ニコン | 空間光変調器及びその駆動方法、並びに露光方法及び装置 |
JPWO2013031901A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-03-23 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
-
2012
- 2012-08-30 JP JP2013531399A patent/JPWO2013031901A1/ja active Pending
- 2012-08-30 US US14/241,951 patent/US10317346B2/en active Active
- 2012-08-30 WO PCT/JP2012/072025 patent/WO2013031901A1/ja active Application Filing
- 2012-08-30 KR KR1020147008802A patent/KR102321222B1/ko active IP Right Grant
- 2012-08-30 KR KR1020207011191A patent/KR20200043533A/ko not_active Application Discontinuation
-
2019
- 2019-04-22 US US16/390,058 patent/US10598606B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140320835A1 (en) | 2014-10-30 |
KR102321222B1 (ko) | 2021-11-03 |
KR20140063761A (ko) | 2014-05-27 |
US20190293568A1 (en) | 2019-09-26 |
WO2013031901A1 (ja) | 2013-03-07 |
US10317346B2 (en) | 2019-06-11 |
KR20200043533A (ko) | 2020-04-27 |
US10598606B2 (en) | 2020-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2013031901A1 (ja) | 空間光変調器の検査方法及び装置、並びに露光方法及び装置 | |
TWI382202B (zh) | 散射量測之折射反射式光學系統 | |
KR20210061474A (ko) | 검사 장치용 조명 소스, 검사 장치 및 검사 방법 | |
JP6756989B2 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP4509131B2 (ja) | リソグラフィ装置用アライメントツール | |
JP2016200840A (ja) | 空間光変調器、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP4991009B2 (ja) | リソグラフィ装置及び方法 | |
JP2008109132A (ja) | 高速可変減衰器としての干渉計の使用 | |
WO2012043497A1 (ja) | 空間光変調器の駆動方法、露光用パターンの生成方法、並びに露光方法及び装置 | |
JP2007335863A (ja) | グレーフィルタを有する波面センサおよびそれを含むリソグラフィ装置 | |
JP4401368B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4964192B2 (ja) | テレセントリック性の制御を瞳の充填に使用するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2007133382A (ja) | マルチレンズアレイのフィールド湾曲を補正するシステムおよび方法 | |
JP5639023B2 (ja) | 空間光変調器の較正 | |
JP5261442B2 (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
CN102472979A (zh) | 用于光刻的检验方法 | |
JP4705008B2 (ja) | 多数のミラーからなるコントラストデバイスにレーザトリミングを用いる露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP6558529B2 (ja) | 空間光変調器及びその使用方法、変調方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
TWI450051B (zh) | 微影裝置中控制圖案化元件的方法、元件製造方法及微影裝置 | |
JP2014203905A (ja) | 照明方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |