JP2008541164A - 空間光変調器装置、リソグラフィ装置、ディスプレイ装置、空間光パターンを有する光ビームの生成方法、および装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
電気信号に応じて変化する空間光パターンを得る空間光変調器(SLM)は、第1変調素子(ME1)と第2変調素子(ME2)とを備える。第1変調素子(ME1)により処理した第1光ビーム(LB1)と第2変調素子により処理した第2光ビーム(LB2)とを重ね合わせて空間光パターンを形成することができる。このようにして、第1変調素子(ME1)内の欠陥を第2変調素子(ME2)の対応するピクセルにより補正することができる。第1変調素子(ME1)と第2変調素子(ME2)とにより得られる空間光パターンは相補的であり、組み合わせることにより所望の空間光パターンとなる。本発明による空間光変調装置(SLM)は、リソグラフィ装置(LA)またはディスプレイデバイス(DD)に使用することができる。
Description
本発明は、電気信号に応じて変化する空間光パターンを得るための空間光変調器(SLM)装置であって、光ビームの一部を受光し、電気信号に応じてこれを変化させるための変調素子を備えたSLM装置に関する。
本発明はさらに、上記のような空間光変調装置を備えたリソグラフィ装置に関する。
本発明はさらに、上記のような空間光変調装置を備えたディスプレイ装置に関する。
本発明はさらに、上記のような空間光変調器を使用して空間光パターンを有する光ビームを生成する方法に関する。
本発明はさらに、上記のような空間光変調装置を使用するリソグラフィステップを含む、装置の製造方法に関する。
空間光パターンは、光ビームの伝播方向に垂直な平面内における異方性的な光強度分布を意味するものとして理解される。
特許文献1(米国特許第6618185号)は、ピクセルのアレイ(配列)200を有するSLM装置を開示している。このアレイの列を図1に示す。ピクセル群は、支持部材310〜316により基板300に対して可動に結合した可動マイクロミラー10〜16を備える。アドレス電極410〜416および可動マイクロミラー10〜16に電位差を与えることにより、可動マイクロミラー10〜16を偏向することができる。偏向の程度は各アドレス電極と各可動マイクロミラーの間の電位差に依存する。適切に選択した電位差によりアドレスすると、マイクロミラーを基板300にほぼ平行になり(図1のマイクロミラー10および14〜16参照)、またはほぼ同一の角度で傾いた状態となるよう構成することができる(図1のマイクロミラー11〜13参照)。
実際上において、SLM装置には欠陥ピクセル、すなわち電位差を与えることによってその位置を十分に制御することができないピクセルが含まれることがある。こうしたピクセルは特定の位置、例えばオン状態、オフ状態またはこの2つの状態間における任意の状態に固定してしまうことがある。より一般的な意味では、欠陥ピクセルは、その反応が許容可能な使用または動作限界を外れているような任意のピクセルをいう。欠陥ピクセルは空間光パターンに過大または過小な光を与えることになる。この結果、意図した空間光パターンを得られないことがある。これは、リソグラフィ方法において空間光パターンを用いる場合には、空間光パターンで照射する被加工材の欠陥を生ずる結果となりうる。
特許文献1(米国特許第6618185号)は、欠陥ピクセルを補正するためのリソグラフィ方法を開示する。この方法では、被加工材を、第1書き込み経路内で、欠陥ピクセルによる欠陥を有する空間光パターンで照射し、第2書き込み経路内で、第1書き込み経路における欠陥の補正を行った空間光パターンで照射する。これは、第1および第2の書き込み経路においてそれぞれ別のピクセルを使用することにより達成される。この目的のため、ピクセルの較正、すなわち欠陥ピクセルの決定を行う。そして、較正したピクセルを使用して、第1および第2の書き込み経路を用いて欠陥ピクセルを補正するための方法を実施する。
特許文献1(米国特許第6618185号)は、図2に示す上記のような方法の実施形態を開示しており、そこでは不良ピクセルの補正のために複数個のアレイを使用する。図2は、第1SLM1610および第2SLM1620およびビームスプリッタを含む。第1SLM1610および第2SLM1620には同一のパターンデータを供給する。しかし、第1および第2のSLMにおける個々のピクセル用のキャリブレート(較正)機能は固有のものである。SLMの領域を全体的に較正することにより、第1SLM内の各ピクセルが、第2のSLM内のあるピクセル集合に対応するようにする。これを双方について行う。こうすることにより、両方向で1対4のピクセルの関係が得られる。SLMの相違はこうして補正されることになる。SLM自体のいくつかの幾何学的エラーは、第1SLMを第2SLMに対して180度回転することにより相殺される。第1および第2のSLMは同一強度の電磁放射により照射することができる。しかし、第1および第2のSLMを異なる強度により照射することにより、さらなる階調化(グレースケール)を実現することができる。階調(グレースケール)の数は、2つの強度の関係および絶対値に依存するであろう。
米国特許第6618185号明細書
この既知のSLM装置の欠点としては、欠陥ピクセルの補正に第1および第2の書き込み経路が必要となるという点がある。第2の書き込み経路のための電圧の調整には比較的長い時間を要し、特に大きなピクセルアレイの場合には尚更である。これにより、既知のSLM装置の動作が相対的に遅いものとなる。リソグラフィツールに用いた場合には、そのリソグラフィツールの処理能力が相対的に低くなる点である。
本発明は、欠陥ピクセルを補正した空間光パターンの変調を、単独の書き込み経路で得ることができるSLM装置を提供することを目的とする。
この目的は、請求項1に定義するSLM装置により達成することができる。本発明によるSLM装置において、第1変調素子および第2変調素子は、第1変調素子のピクセルと第2変調素子のピクセルとがそれぞれ第1状態にあるとき、空間光パターンの第1光ビーム部分と第2光ビーム部分とが実質的に一致するよう構成する。空間光パターン内で、第1変調素子のピクセルに欠陥がある場合には、第2変調素子内のピクセルに由来する第2光ビームの部分により、第1光ビームの部分による変調を代替することができる。これは、第2変調素子のある単一のピクセルを用いて、第1変調素子のピクセルの欠陥を補正することができることを意味する。空間光パターン内の第1光ビーム部分と第2光ビーム部分とが実質的に一致するよう構成しているため、このような代替により所望の空間光パターンの変調が得られる。このように、2つの異なる状態のみを有する第2変調素子の単一のピクセルを使用することにより、第1変調素子のピクセルによる変調を代替することができる。
これとは対照的に、既知のSLM装置では、第1SLMにおける欠陥ピクセルは、第2の書き込み経路により同一の第1SLMを用いて補正される。同じことが第2SLMにも当てはまる。このため、第1および第2のSLMのピクセル群をそれぞれ較正する。ここで第2SLMは装置のダイナミックレンジを増加させるために、すなわち階調を導入するに使用する。SLM域を全体的にキャリブレート(較正)することにより、第1SLMの各ピクセルが第2SLMのピクセル集合と対応するようにする。このようにして階調化を実現する。一般に、第2変調素子のピクセルの集合が第1状態にあるとき、第2の光ビームの各部分は第1光ビーム部分と一致していない。このため、本発明におけるように、このピクセル集合を単純に第1変調素子の代替とすることはできない。既知のSLM装置では、これは第2変調素子のマイクロミラー用の電気信号を適切に選択したときにのみ達成することができるが、これには単純に1個のオン状態に対応する1個の信号では十分でない。本発明によるSLM装置では2個の状態のみで足りるのに対して、所望の補正が実現されるよう、マイクロミラーのそれぞれを異なる信号で対処しなければならない。
表現「第1光ビームが実質的に寄与しない」は、第1変調素子のピクセルに第1光ビームが入射している状況と、これが入射していない状況との間に有意な相違がないことを意味する。表現「第2光ビームが実質的に寄与しない」もこれに対応する意味を有する。
空間光変調装置はさらに、所望の空間光パターン、例えば空間光変調装置のユーザーが得ることを望む空間光パターンを受信し、その所望の空間光パターンを得るため第1電気信号および第2電気信号を供給するための制御ユニットを備えることができる。制御ユニットは、第1変調素子のピクセルと第2の変調素子のピクセルとが同時にそれぞれの第1状態になることを防止するよう構成することができる。これは、第1変調素子のピクセルと第2変調素子のピクセルの双方が機能的である場合、すなわち欠陥がない場合には、下記の3個の状態の組み合わせのうちの1つのみが得られるということを意味する。すなわち、(1)両ピクセルが第2状態、すなわち空間光パターンに光を与えるピクセルがない状態、(2)第1変調素子のピクセルが第1状態で、第2変調素子のピクセルは第2状態、すなわち第1変調素子のピクセルのみが空間光パターンに寄与する状態、(3)第2変調素子のピクセルが第1状態で、第1変調素子のピクセルは第2状態、すなわち第2の変調素子のピクセルのみが空間光パターンに寄与する状態、である。この実施形態では、制御ユニットは両ピクセルが第1状態では使用不可能とする。すなわち両ピクセルが同時に空間光パターンに光を与えることはない。このような制御ユニットにより、第1変調素子と第2変調素子とを相補的に使用することを可能になる。すなわち、空間光パターンに光を与えるため、第1変調素子のピクセルの代わりに第2変調素子のピクセルを選択することができる。この実施形態は、空間光パターンがバイナリ光パターンである場合、すなわち空間光パターンが低強度か高強度のいずれかを有するピクセルから構成されている場合には、ピクセルの強度が高すぎることを回避できることから特に有利である。
第1変調素子は、単独のピクセルまたは複数個のピクセルを有することができる。複数個のピクセルはすべてほぼ同一のサイズおよび特性とすることができ、既知のSLM装置と同様にアレイとして配列することができる。
第2変調素子は、単独のピクセルまたは複数個のピクセルを有することができる。複数個のピクセルはすべて実質的に同一のサイズおよび特性とすることができ、アレイとして配列することができる。
ある実施形態では、第1および第2の変調素子は同一の寸法およびレイアウトを有する。第1変調素子における複数個のピクセルのうち各ピクセルは、第2変調素子における複数個のピクセルのうち対応するピクセルを有し、第1変調素子における複数ピクセルのうちあるピクセルと、第2変調素子の対応するピクセルとがそれぞれの第1状態にあるとき、空間光パターンにおける第1および第2の光ビームの各部分が実質的に一致するよう構成することができる。これは、第2変調素子の各ピクセルを使用して、第1変調素子における任意のピクセルの欠陥を補正することができるということを意味する。空間光パターンにおける第1光ビーム部分と第2光ビーム部分とが、第1の変調素子と対応する第2変調素子の各ピクセル組について実質的に一致するよう構成しているため、このような代替により空間光パターンの変調の欠陥が生じることがない。こうして、2個の異なる状態のみを有する第2変調素子の単独のピクセルを使用することにより、第1変調素子における任意のピクセルによる変調に代替することができる。
ある実施形態では、第1変調素子のピクセルに欠陥があり、この欠陥ピクセルを、第1電気信号に関わらず、空間光パターンに欠陥ピクセルに入射する第1光ビーム部分が実質的に関与しないよう修正する。一般に欠陥ピクセルは、第1電気信号に関わらず空間光パターンに関与しうる。このようなピクセルは恒常的にオンである。このとき対応する部分が暗い、すなわち光が当たらないような空間光パターンを得ることができない。この実施形態では、この効果は、欠陥ピクセルを、第1電気信号に関わらず、空間光パターンに欠陥ピクセルに入射する第1光ビーム部分が実質的に関与しないよう修正することにより防止する。第1変調素子のすべてのピクセルについてこの効果を得るため、第1変調素子の実質的におけるすべての欠陥ピクセルを、第1電気信号に関わらず、空間光パターンに欠陥ピクセルに入射する第1光ビーム部分が実質的に関与しないよう修正する。
第1変調素子の欠陥ピクセルに対応する第2変調素子のピクセルが無欠陥の場合、この第2変調素子のピクセルを使用して第1変調素子の欠陥ピクセルを補正することができる。第1変調素子の各欠陥ピクセルに対応する第2変調素子の無欠陥ピクセルがある場合、第1変調素子の各欠陥ピクセルを第2変調素子の対応ピクセルにより補正することができる。こうして、第1変調素子に欠陥がある場合においても、第2変調素子の対応ピクセルが無欠陥であれば、任意のバイナリ空間光パターン、すなわち光が高強度か低強度かであるような空間光パターンを生成することができる。
同様に、第2変調素子に1個または複数個の欠陥ピクセルがあることがある。第2変調素子の欠陥ピクセルを、第2電気信号に関わらず、空間光パターンに欠陥ピクセルに入射する第2光ビームの部分が実質的に関与しないよう修正する。こうして第2変調素子の欠陥ピクセルが空間光パターンに関与することがないようにして、実際の空間光パターンが所望の空間光パターンから逸脱することがないようにする。第2変調素子の欠陥ピクセルに対応する第1変調素子のピクセルが無欠陥の場合、この第1変調素子のピクセルを第2変調素子の欠陥ピクセルにより補正する必要はない。第2変調素子の欠陥ピクセルに対応するすべての第1変調素子のピクセルが無欠陥であることが望ましい。
第1および/または第2の変調素子のピクセルが、それぞれ第1および/または第2の電気信号に対応して可変の反射特性を有するものとすることができる。変調セルの可変の反射特性により、この変調セルに入射する光ビームの方向変化および/または位相変化が生じることがある。代わりに、または付加的に、第1および/または第2の変調セルは、それぞれ第1および/または第2の電気信号に対応する可変の透過特性を有するものとすることができる。
ピクセルは、既知のSLMのマイクロミラーと同様の1個または複数個のマイクロミラーを備えることができる。代替的に、または付加的に、ピクセルは軸線に沿う屈折率の変化を生成することが可能な液晶(LC)セルを有するものとすることができる。この液晶セルを使用して、該液晶セルに与える電気信号に対応して、入射する光の強度および/または方向を変化させることができる。液晶セルは透過または反射により動作することができる。
LCセルの代わりに、国際特許出願IB 2004/052620および欧州特許出願03104914.1に記載されている電子ウェッティング(electro‐wetting)を基礎としたセルを用いることができる。両出願は本件出願人に譲渡されたものであり、内部参照番号はPHNL 031520である。
ある実施形態では、第1変調素子により処理した第1光ビームと第2変調素子により処理した第2の光ビームとを重ね合わせる(スーパーインポーズ)ための手段は半透明の光学素子とし、該光学素子は、第1変調素子により処理した第1光ビームを透過し、第2変調素子により処理した第2の光ビームを反射することにより、第1変調素子により処理した第1の光ビームと第2変調素子により処理した第2光ビームとを組み合わせて複合光ビームとする。代案として、第1変調素子により処理した第1光ビームと第2変調素子により処理した第2光ビームとを重ね合わせるための手段は、第2変調素子により処理した第2光ビームを透過し、第1変調素子により処理した第1光ビームを反射することにより、第1変調素子により処理した第1光ビームと第2変調素子により処理した第2光ビームとを組み合わせて複合光ビームとするよう構成した半透明の光学素子とすることもできる。このようにして、第1および第2の両処理光ビームが共線的となり、複合光パターンを都合よく伝搬することができる。半透明の光学素子は、偏向ビームスプリッタなどのビームスプリッタすることができる。
代案の実施形態では、処理した第1および第2の光ビームを非共線的に、すなわち空間的に規制された領域、例えば平面上で重ね合わせる。これは、第2処理光ビームを第1処理光ビームに向ける、またはその逆とするミラーまたはレンズにより実現することができる。
ある実施形態では、第1および/または第2の変調素子のピクセルは、それぞれ第1および/または第2の電気信号が存在しないときは第2状態とする。この結果、例えば電気接続の欠陥により電気信号が適切に供給されない場合、変調素子のピクセルは空間光パターンに関与しない。このとき、もう一方の変調素子の対応ピクセルに電気信号を供給することによりこれを補正することが可能である。
ある実施形態では、SLM装置はさらに、入力光ビームを受光し、この入力光ビームを第1光ビームと第2の光ビームとに分割するためのビーム分割素子を備える。これにより、単一の入力光ビームを供給する単一の光源を使用することができ、費用効率が高い。代案の実施形態では、第1および第2の変調素子を、それぞれ第1および第2の異なる光源に対する第1および第2の光ビームを受光するよう構成する。これには、空間光パターンに相対的に大きな出力を与えることができるという利点がある。
ビーム分割素子は、第1変調素子により処理した第1光ビームと第2変調素子により処理した第2光ビームとを重ね合わせるための半透明光学素子としても機能するよう構成することができる。これにより、光学部品の数を相対的に減らし、相対的にコンパクトなSLM装置が可能になる。
本発明のある態様は、空間光パターンを有する化学線により被加工材上に設けた光化学材料層を照射するためのリソグラフィ装置に関する。このリソグラフィ装置は、化学線を生ずる光源と、この光源により生じた化学線を受光するよう構成した、任意の上記実施形態に記載した本発明によるSLM装置とを備える。SLM装置は受光した化学線を変調することにより、変調された化学線が空間光パターンを与えるよう構成する。この空間光パターンを有する化学線を光化学材料層に与えることができる。
リソグラフィ装置は、マスクなしでリソグラフィを行うことが可能なマスクレスリソグラフィ装置とすることができる。マスクレスリソグラフィはそれ自体既知であり、マイクロミラーアレイを基礎としたSLM装置を有するリソグラフィ装置は特許文献1(米国特許第6618185号)に記載されている。
SLM装置は光化学材料層内の光子密度を局所的に変化させることができるマイクロミラーなどを有するチップとすることができる。光子密度パターンに、従来のリソグラフィにおいてマスク内に符号化していた情報を反映させる。マイクロミラーは電子的に駆動することができる。パターンデータをチップに電子的、デジタル手段により直接送信する。変調素子が大きいほど、リソグラフィ装置の処理能力は大きなものとなりうる。変調素子上で、単独のマイクロミラーまたはマイクロミラーの集合(スーパーピクセルと呼ばれる)などの各ピクセルが光化学材料層内のスポット点を表す。しかしこれは、これらのスポットに欠陥があってはならないことから、変調素子は各ピクセルまたはスーパーピクセルがあるとすればそのレベルで無欠陥でなければならないということを意味する。これにより、変調素子のサイズ、したがってリソグラフィ装置の処理能力も限定されることになる。
本発明のある実施形態によれば、光化学層は2個(またはそれ以上)の変調素子の光を受け、その空間光パターンは組み合わされて光化学層内の複合空間光パターンとなる。2個の変調素子は合わせて光化学層内の空間光パターン全体を規定する。変調素子は欠陥ミラーなど欠陥ピクセルを有することがあるが、これらの欠陥ピクセルにより処理される光の部分が空間光パターン内で一致しないことが望ましい。
本発明のある態様は、画像を表示するためのディスプレイ装置に関する。このディスプレイ装置は、光ビームを供給するための光源と、上記任意の実施形態に記載した本発明に係るSLM装置とを有する。SLM装置は光源により供給する光ビームを受光し、受光した光ビームを変調して、変調した光ビームが画像に対応する空間光パターンを有するようにし、この空間光パターンを有する光ビームをディスプレイ面に供給するよう構成する。ディスプレイ装置は、複数、例えば3個の異なる色、例えば赤、緑、青の光ビームを得るための複数、例えば3個の光源を備えることができる。光源により生ずる各光ビームは本発明による1個のSLM装置により変調することができる。代案として、2個またはそれ以上の光ビームがもしあるとすればこれを、本発明に係る単独かつ同一のSLM装置の異なる部分により変調することができる。
本発明のこれらおよびその他の態様を、図面につき以下さらに説明する。
図3に示すリソグラフィ装置LAは、被加工材W上に設けた光化学(感光)材料の層ALを、本例では「P」で表す空間光パターンを有する光化学線(光線)により照射するのに適する。光化学(感光)材料はリソグラフィで一般的に用いられるフォトレジストとすることができる。光化学材料の溶解度は該材料を化学線で照射することにより変化させることができる。ある実施形態では、化学線放射により照射した光化学層の部分が可溶性となり除去することが可能なのに対し、非照射部分は現像液中で不溶性にとどまる。別の実施形態では、化学線により照射した光化学層の部分が不溶性にとどまり除去できないのに対し、非照射部分は現像液中で可溶性となり除去可能である。2種類の光化学材料は、それぞれポジティブレジスト、ネガティブレジストと称されることが多い。
被加工材Wは、シリコンウエハなど任意の基板とすることができる。基板上には例えば酸化シリコンなどの絶縁材料およびドープシリコンなどの導電材料、アルミニウム、または銅などのパターン層を配置することができる。基板は、その上に液晶(LCD)ディスプレイを形成すべき透明な絶縁層とすることができる。基板上には、リソグラフィによりパターン形成すべき層を形成し、その後例えばエッチングなどの材料除去処理を行うことができる。現像した光化学材料の層は、材料除去処理においてマスクとして機能することができる。パターン形成すべき層は、例えばドープした半導体材料または金属などの導電層とすることができる。代案として、これを絶縁層、例えば二酸化ケイ素とすることができる。
リソグラフィ装置LAは化学線を生成するための光源LSを有する。この実施例では、この光源LSは248nmの波長を発生するエキシマレーザとする。他の実施例では、LSは赤外線(IR)、可視光線または紫外線(UV)を発生するものとすることができる。
光源LSから発生する光ビームを入射光ILBと称し、これを空間光変調装置SLMに供給することができる。すなわち空間光変調装置SLMを光源LSにより生じた化学線を受光するよう構成する。空間光変調装置SLMは、受線した化学線を変調することにより、変調された化学線が空間光パターンを有し、この空間光パターンを有する化学線を光化学材料の層ALに供給することができる。
空間光変調装置SLMは、入力光ビームILBを受光し、この入力光ビームを第1光ビームLB1および第2光ビームLB2に分割するビーム分割素子BSを有する。この実施例では、ビーム分割素子BSは偏向ビームスプリッタとする。これは、任意の他の好適なビーム分割素子、例えば半透明の平面光学素子に代替することができる。他の実施例では、図示しないが、2個の個別の光源を用いることができる。これら2個の個別の光源は、ほぼ同一の波長を有する光を放射するよう構成することができる。
空間光変調装置SLMは、第1光ビームLB1を受光し、これを第1電気信号に応じて処理するためのピクセルを有する第1変調素子ME1と、第2光ビームLB2を受光し、これを第2電気信号に応じて処理するためのピクセルを有する第2変調素子ME2とを備える。第1および第2の変調素子ME1およびME2は、ともに既知のSLM装置と同様のマイクロミラーのアレイである。ピクセルは単一のマイクロミラーにより、またはいわゆるスーパーピクセルを形成する多数のマイクロミラーにより形成することができる。アレイは1000×1000のマイクロミラーのサイズを有することができるが、本発明は矩形レイアウトを有するアレイに限定するものではなく、またこのサイズを有するアレイに限定するものでもない。第1および第2の変調素子ME1およびME2は同一のサイズおよびレイアウトを有することができる。
アレイにおけるマイクロミラーの指向性は、既知のSLM装置と同様の、図1に示したマイクロミラー10〜16と電極410〜416の間に電位差を加えることにより、調整することができる。マイクロミラーが基板300に対してほぼ平行なとき(図1のマイクロミラー10および14〜16参照)、光ビームLB1またはLB2はそれぞれ正常入射、すなわちマイクロミラー面に垂直に入射する。マイクロミラー面は、例えばアルミニウムの層で被覆して反射面とし、基板300に対してほぼ平行なマイクロミラーはそれぞれ光ビームLB1またはLB2を逆行させる。図1のマイクロミラー11〜13のように基板300に対して傾斜させたマイクロミラーは、そこに入射する光ビームの部分をビームダンプ(図示せず)に向かう他の方向に反射し、このビームダンプは、各光ビーム部分を吸収する。
このようにして第1および第2の変調素子ME1およびME2は、それぞれ第1および第2の光ビームLB1およびLB2を処理する。この処理は、各電極410〜416とマイクロミラー10〜16に与える電位差に依存する。第1および第2の変調素子ME1およびME2の各電極410〜416とマイクロミラー10〜16に与える電位差をそれぞれ第1および第2の電気信号と呼ぶ。
処理の結果、第1および第2の光ビームLB1およびLB2は、それぞれ第1および第2の変調素子ME1およびME2におけるマイクロミラーにより可変である空間光パターンを有する。第1変調素子ME1により処理した第1光ビームと第2変調素子ME2により処理した第2光ビームとを半透明の光学素子BSにより重ね合わせる。半透明の光学素子BSは、第1変調素子ME1により処理した第1光ビームを透過し、第2変調素子ME2により処理した第2光ビームを反射することにより、第1変調素子ME1により処理した第1の光ビームと第2変調素子ME2により処理した第2光ビームとを組み合わせて複合光ビームCLBとするよう構成する。複合光ビームCLBは、処理した第1光ビームおよび第2光ビームの空間光パターンの重ね合わせである空間光パターンを有する。こうして、空間光変調装置SLMは、電気信号に応じて可変である空間光パターンを得ることができる。この電気信号は、第1変調素子ME1に与える第1電気信号と、第2変調素子ME2に与える第2電気信号とを含む。
複合光ビームCLBを2個のレンズLEにより光化学材料の層ALに合焦させる。レンズLEは空間光パターンを、例えば4分の1に縮小する。他の実施例では空間光パターンを縮小しない。空間光変調装置SLMにより得られる空間光パターンは、まず拡大しなければ人間の目では観察できないほど小さな特徴を有することがある。
この実施例で、ビーム分割素子BSは、第1変調素子により処理した第1光ビームと第2変調素子により処理した第2光ビームとを重ね合わせる半透明の光学素子としても機能するよう構成する。他の実施例では、図示しないが、2個の個別の光学素子を使用する。
第1変調素子ME1のピクセルは調整可能な2つの状態を有する。すなわち、第1電気信号に応じて、第1光ビームLB1を、ピクセル上に入射するする第1光ビームLB1の部分が空間光パターンの一部となるように、例えば基板300と平行なマイクロミラー10および14〜16のように処理する第1状態と、第1光ビームLB1を、空間光パターンに第1の光ビームLB1部分がほぼ寄与しないように、例えば基板300に対して傾斜したマイクロミラー11〜13のように処理する第1状態と異なる第2状態とである。同様に、第2変調素子ME2のピクセルは調整可能な2つの状態を有する。すなわち、第2電気信号に応じて、第2光ビームLB2を、ピクセル上に入射するする第2の光ビームLB2の部分が空間光パターンの一部となるように処理する第1状態と、第2光ビームLB2を、空間光パターンに第2の光ビームLB2部分が実ほぼ寄与しないように処理する、第1状態とは異なる第2状態とである。このようにして、第1および第2の変調素子ME1およびME2のピクセルは、それぞれ第1および第2の電気信号に対応して可変の反射を有することになる。
第1変調素子ME1および第2変調素子ME2はそれぞれ複数個のピクセルを備え、この実施例ではこれらピクセルはマイクロミラーのアレイとする。第1変調素子ME1の複数個のピクセルにおける各ピクセルは、第2変調素子ME2の複数個のピクセルに対応するピクセルを有し、第1変調素子ME1における複数個のピクセル中のあるピクセルと第2変調素子ME2の対応するピクセルとがそれぞれ第1状態にあるとき、例えばそれぞれ基板300に対して平行であるとき、空間光パターンにおける第1および第2の光ビームの各部分がほぼ一致する。
第1変調素子ME1と第2変調素子ME2とは、図示しない共通の支持構造に取り付ける。ある実施例では、第1変調素子ME1に対する第2変調素子ME2の位置を、空間光パターンにおける第1および第2の光ビームのそれぞれの部分が実質的に一致するよう調整可能に構成する。
空間光変調装置SLMは、所望の空間光パターンを受信し、該所望の空間光パターンを得るため第1電気信号および第2電気信号を供給するための制御ユニットCUを有する。この実施例では、制御ユニットCUはコンピュータであり所望の空間光パターンは「P」であるが、本発明はこの所望の空間光パターンに限定されるものではなく、単に本発明を説明する目的で用いるにすぎない。
第1光ビームLB1から見た第1変調素子ME1の正面図を、図3の第1変調素子ME1の断面図を表す黒い実線の上方に線図的に示す。第1変調素子ME1は、図3の第1変調素子ME1の正面図中に白い丸で示した複数個の欠陥ピクセルDP1を有する。欠陥のいくつかは所望の空間光パターンに一致する、すなわち「P」内にある。第1変調素子ME1のみを用いれば、空間光パターンに欠陥が生じることになるであろう。「P」の外にある欠陥ピクセルは空間光パターンに関与してもよいが、「P」の内部にある欠陥ピクセルは空間光パターンに関与してはならない。
第1変調素子ME1のほとんどすべての欠陥ピクセルは、空間光パターンに、第1電気信号に関わらず、いかなる欠陥ピクセルDP1に入射する第1光ビームLB1の部分も実質的に関与しないように修正される。これは欠陥マイクロミラーのアルミニウム層のレーザアブレーション(除去)により実現する。代案として、任意の他の適切なマスキング技術を使用することができる。この結果、第1変調素子ME1の欠陥ピクセルDP1は空間光パターンに関与しない。
第1変調素子ME1の使用のみによって得られる空間光パターンは所望の「P」と同じではない。第1変調素子ME1内の欠陥ピクセルのため、パターン内には複数の穴がある。制御ユニットCUは、パターン内の穴の原因である第1変調素子ME1の欠陥ピクセルに対応する第2変調素子ME2のピクセルに第2電気信号を供給することにより、穴を第2光ビームLB2部分で埋めるようにする。
第2光ビームLB2から見た第2変調素子ME2の正面図を、図3の第2変調素子ME2の断面図を表す黒い実線ME2の右側に線図的に示す。第2変調素子ME2の正面図中に、第1変調素子ME1により与えるパターン「P」部分を灰色で示す。第1変調素子ME1により与えるパターン「P」中の第2変調素子ME2により埋めるべき穴を黒丸で示す。これは、第2光ビームLB2部分をビームスプリッタBSに送り返し、複合光ビームCLBとする第2変調素子ME2のピクセルを表す。
このように、第2変調素子ME2は、第1変調素子ME1により得られない空間光パターンの部分を供給する。この結果、たとえ第1および第2の変調素子ME1およびME2に欠陥が存在する場合であっても、所望の空間光パターンを得ることができる。
この実施例では、第2変調素子ME2は、図3の第2変調素子ME2の正面図において白丸で表した複数の欠陥ピクセルDP2を有する。第2変調素子ME2の欠陥ピクセルDP2は第1変調素子ME1の無欠陥ピクセルに対応する。同様に、ME2の正面図において灰色の円で示した、第1の変調素子ME1の欠陥ピクセルDP1に対応する第2変調素子ME2のピクセルは無欠陥である。こうして、無欠陥の所望の空間光パターンを得ることができる。
制御ユニットCUは、第1変調素子ME1内の欠陥ピクセルDP1の位置を記憶するメモリを有する。所望のパターンが、そのような欠陥ピクセルDP1を、第1光ビームLB1の一部として空間光パターンに関与することを要求する場合、制御ユニットCUは欠陥ピクセルDP1の代わりに第2変調素子ME2内の対応するピクセルを動作させることにより、この対応するピクセルが、第1光ビームLB1の部分の代わりに第2光ビームLB2部分を複合光ビームCLBに与えて所望の空間光パターンを得るようにする。このことは、制御ユニットCUを、第1変調素子ME1のピクセルと第2変調素子ME2の対応ピクセルとが同時にそれぞれの第1状態になることを防止するように構成することを意味する。
他の実施例では、制御ユニットCUは、所望の空間光パターンを得るために、ほぼ同数の第1変調素子ME1および第2変調素子ME2のピクセルを用いるよう構成する。所望の空間光パターンが得られれば、第1変調素子ME1および第2変調素子ME2のピクセルは他の組み合わせにすることも可能である。
図4に示す空間光変調装置SLMの代案の実施例では、第1変調素子ME1と第2変調素子ME2とを同一平面内に配置し、第1変調素子ME1および第2変調素子ME2の整列を簡素化している。第1変調素子ME1および第2変調素子ME2を1個の同一マイクロミラーのアレイ内に統合することができ、これにより整列はさらに簡素化される。入射光ビームILBを、ビームスプリッタBSにより第1変調素子ME1に向かう第1光ビームLB1とミラーMを介して第2変調素子ME2に向かう第2光ビームLB2とに分割する。
図3の実施例と同様、第1変調素子ME1により処理した第1光ビームLB1と第2変調素子ME2により処理した第2光ビームLB2とをビームスプリッタBSにより組み合わせて複合光ビームCLBとする。制御ユニットCUを、図3の実施例と同様の方法により第1および第2の変調素子ME1およびME2に接続することができる。
図5に示す空間光変調装置SLMは、第1および第2の変調素子ME1およびME2を有し、これら変調素子はそれぞれ第1および第2の電気信号に応じて変化する透過率を有するピクセルのアレイを有するものとする。ピクセルは液晶(LC)セルとすることができる。LCセルは内部の液晶分子の配向に依存する偏光の透過率を有する。液晶分子の配向はLCセルに電圧を与えることにより制御することができる。図5に示したSLM装置は、偏向入射光ビームILBを使用して動作させることができる。この偏向入射光ビームの第1および第2の光ビームLB1およびLB2は第1ビームスプリッタBS1により分割される。第1および第2の光ビームLB1およびLB2は変調素子ME1およびME2により処理することができ、処理した第1および第2の光ビームLB1およびLB2を第2ビームスプリッタBS2により重ね合わせることにより、所望の空間光パターンを有する複合光ビームCLBを得ることができる。ここでも、制御ユニットCUは図3の実施例と同様の方法により、第1および第2の変調素子ME1およびME2に接続することができる。第1および第2の変調素子ME1およびME2のLCセルは1個かつ同一の装置内に統合することができる。代案として、これらを2個の個別の装置により実現することもできる。
LCセルの代わりに、またはこれに付加して、第1および/または第2の変調素子は、国際特許出願第IB 2004/052620号および欧州特許出願第03104914.1号に記載した電子ウェッティングセルを有するものとすることができる。両出願は本件出願人に譲渡されている、内部参照番号はPHNL 031520である。
図3に示すSLM装置の代わりに、図4および図5に示したSLM装置をリソグラフィ装置LAに使用することができる。
第1および第2の変調素子ME1およびME2は第1および第2の光ビームLB1およびLB2を交互に受光するよう構成することができる。すなわち、第1の時間周期では第1変調素子ME1は第1の光ビームLB1を受光するよう構成するとともに、第2変調素子ME2は第2光ビームLB2を受光しないよう構成し、第1の時間周期と異なる第2の時間周期では第2変調素子ME2は第2光ビームLB2を受光するよう構成するとともに、第1変調素子ME1は第1の光ビームLB1を受光しないよう構成する。これは第1および第2の光ビームLB1およびLB2の経路内に適当なシャッタを使用することにより実現することができ、または、第1および第2の光ビームLB1およびLB2が異なる光源から放射されている場合は、各光源をオフにすることにより実現することができる。この実施例では、SLM装置に入射する光の全強度が2分の1に低減されるが、これはエネルギー消費が問題となる場合に有利である。
SLM装置は、例えば長さおよび幅が1〜20ミクロンである長方形または正方形のマイクロミラーを有することができる。マイクロミラーは例えば1〜200cm2のサイズの長方形または正方形のアレイ内に配置することができる。
図3、図4、図5に示した空間光変調装置SLMは、図6に示す画像を表示するためのディスプレイ装置DDに使用することができる。ディスプレイ装置DDは、光ビームを生ずる光源LSと、この光源LSにより生じた光ビームILBを受光するよう構成した空間光変調装置SLMとを有する。空間光変調装置SLMは、第1および第2の電気信号を供給することにより、受光した光ビームを、変調光ビームが画像に対応する空間光パターンを有するよう変調するよう構成した制御ユニットCUに接続する。次いで、空間光パターンを有する光ビームCLBを図示しないディスプレイ面に供給することができる。ディスプレイ面は、本発明によるディスプレイ装置DDの一部とすることもできるし、そうしないこともできる。
要約すれば、電気信号に応答して可変の空間光パターンを供給するための空間光変調装置SLMは、第1変調素子ME1と第2変調素子ME2とを有する。第1変調素子ME1により処理した第1光ビームLB1と第2変調素子ME2により処理した第2光ビームLB2とを重ね合わせて空間光パターンを形成することができる。このようにして、第1変調素子ME1における欠陥を、第2変調素子ME2の対応するピクセルにより補正することができる。第1変調素子ME1および第2変調素子ME2により供給する空間光パターンは相補的であり、組み合わせることで所望の空間光パターンとなる。空間光変調装置SLMはリソグラフィ装置LAまたはディスプレイデバイスDDに使用することができる。
Claims (17)
- 電気信号に応じて変化する空間光パターンを得るための空間光変調装置であって、
第1光ビームを受光し、第1電気信号に応じてこれを処理するためのピクセルを有する第1変調素子と、
第2電気信号を受光し、第2電気信号に応じてこれを処理するためのピクセルを有する第2変調素子と、
を備え、前記電気信号は前記第1電気信号および前記第2電気信号を含み、前記空間光変調装置は、さらに、
前記第1変調素子により処理した前記第1光ビームと、前記第2変調素子により処理した前記第2光ビームとを重ね合わせて前記空間光パターンを形成する手段
を備え、前記第1変調素子の前記ピクセルは、前記第1電気信号に応じて調整することが可能な可変状態を有し、これら可変状態は、ピクセルに入射する前記第1光ビームの部分が前記空間光パターンの一部となるよう第1光ビームを処理する第1状態と、前記空間光パターンに前記第1光ビームの部分が実質的に関与しないよう第1光ビームを処理する第1状態とは異なる第2状態とし、前記第2変調素子の前記ピクセルは、前記第2の電気信号に応じて調整することが可能な可変状態を有し、これら可変状態は、ピクセルに入射する前記第2光ビームの部分が前記空間光パターンの一部となるよう第2光ビームを処理する第1状態と、前記空間光パターンに前記第2光ビームの部分が実質的に寄与しないよう第2光ビームを処理する第1状態とは異なる第2状態と有するものとした該空間光変調装置において、
前記第1変調素子および前記第2変調素子は、第1変調素子のピクセルと第2変調素子のピクセルとがそれぞれの第1状態にあるとき、前記空間光パターン内の前記第1光ビーム部分と前記第2光ビーム部分とが実質的に一致するよう構成したことを特徴とする、空間光変調装置。 - 請求項1に記載の空間光変調装置において、該空間光変調装置は、さらに、所望の空間光パターンを受信し、該所望の空間光パターンを得るため前記第1電気信号および前記第2電気信号を供給するための制御ユニットを有し、この制御ユニットは、前記第1変調素子のピクセルおよび前記第2変調素子のピクセルが同時にそれぞれの第1状態になることを防止するよう構成したことを特徴とする、空間光変調装置。
- 請求項1または2に記載の空間光変調装置において、前記第1変調素子および前記第2変調素子は、それぞれ複数個のピクセルを有し、前記第1変調素子の前記複数個のピクセルにおける各ピクセルは、前記第2変調素子の前記複数個のピクセルにおける対応するピクセルを有するものとし、第1変調素子の複数個のピクセルにおけるピクセルと第2変調素子の対応するピクセルとがそれぞれの第1状態にあるとき、前記空間光パターンにおける前記第1および第2の光ビームの各部分が実質的に一致するよう構成したことを特徴とする、空間光変調装置。
- 請求項3に記載の空間光変調装置において、前記第1変調素子のピクセルに欠陥がある場合、この欠陥ピクセルを修正して、前記第1電気信号に関わらず、前記空間光パターンに前記欠陥ピクセルに入射する前記第1光ビームの部分が実質的に関与しないようにしたことを特徴とする、空間光変調装置。
- 請求項4に記載の空間光変調装置において、前記第1変調素子の実質的にすべての欠陥ピクセルを修正して、前記第1電気信号に関わらず、前記空間光パターンに前記欠陥ピクセルのいずれに入射する前記第1光ビームの部分も実質的に関与しないようにしたことを特徴とする、空間光変調装置。
- 請求項4または5に記載の空間光変調装置において、前記第1変調素子の欠陥ピクセルに対応する前記第2変調素子のピクセルが欠陥がないものとしたことを特徴とする、空間光変調装置。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の空間光変調装置において、前記第1および/または第2の変調素子のピクセルが、それぞれ前記第1および/または第2の電気信号に応じて変化する反射特性を有するものとしたことを特徴とする、空間光変調装置。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の空間光変調装置において、前記第1および/または第2の変調素子のピクセルが、それぞれ前記第1および/または第2の電気信号に応じて変化する透過特性を有するものとしたことを特徴とする、空間光変調装置。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の空間光変調装置において、第1変調素子により処理した第1光ビームと第2変調素子により処理した第2光ビームとを重ね合わせるための前記手段は、前記第1変調素子により処理した第1光ビームを透過し、前記第2変調素子により処理した第2光ビームを反射することにより、第1変調素子により処理した第1光ビームと第2変調素子により処理した第2光ビームとを組み合わせて複合光ビームとするよう構成した半透明の光学素子を有する構成としたことを特徴とする、空間光変調装置。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の空間光変調装置において、該空間光変調装置は、さらに、入力光ビームを受光し、この入力光ビームを前記第1光ビームと前記第2光ビームとに分割するためのビーム分割素子を有する構成としたことを特徴とする、空間光変調装置。
- 請求項9または10に記載の空間光変調装置において、前記ビーム分割素子を、第1変調素子により処理した第1光ビームと第2変調素子により処理した第2光ビームとを重ね合わせるための前記半透明の光学素子としても機能するよう構成したことを特徴とする、空間光変調装置。
- 被加工材上に設けた光化学材料の層を、空間光パターンを有する化学線により照射するためのリソグラフィ装置において、
前記化学線を生ずる光源と、
前記光源により生ずる化学線を受光し、変調した化学線が空間光パターンを有するよう前記受光した化学線を変調し、該空間光パターンを有する化学線を光化学材料の層に供給するよう構成した、請求項1〜11のいずれか一項に記載の空間光変調装置と、
を備えたことを特徴とするリソグラフィ装置。 - 画像を表示するディスプレイ装置において、
光ビームを供給するための光源と、
前記光源により生ずる前記光ビームを受光し、該受光した光ビームを変調した光ビームが前記画像に対応する空間光パターンを有するように変調し、前記空間光パターンを有する光ビームをディスプレイ面に供給するよう構成した、請求項1〜9のいずれか一項に記載の空間光変調装置と、
を備えたことを特徴とするディスプレイ装置。 - 空間光パターンを有する光ビームを生成する方法において、該方法は、
欠陥ピクセルを有する第1変調素子により第1の光ビームを処理するステップと、
無欠陥ピクセルを有する第2変調素子により第2光ビームを処理するステップと、
前記第1変調素子により処理した第1光ビームと前記第2変調素子により処理した第2光ビームとを、前記第2変調素子の無欠陥ピクセルにより処理した光が前記第1変調素子により処理した欠陥ピクセルを代替して前記空間光パターンを形成するよう重ね合わせるステップと、
を有することを特徴とする方法。 - 請求項14に記載の方法において、前記第1変調素子の無欠陥ピクセルは、前記第1電気信号に応じて調整することが可能な可変状態を有し、これら可変状態は、ピクセルに入射する前記第1光ビームの部分が前記空間光パターンの一部となるよう第1光ビームを処理する第1状態と、前記空間光パターンに前記第1光ビームの部分が実質的に関与しないよう第1光ビームを処理する第1状態とは異なる第2状態とを有するものとし、前記第2変調素子のさらなる無欠陥ピクセルは、前記第2電気信号に応じて調整することが可能な可変状態を有し、この可変状態は、ピクセルに入射する前記第2光ビームの部分が前記空間光パターンの一部となるよう第2光ビームを処理する第1状態と、前記空間光パターンに前記第2光ビームの部分が実質的に関与しないよう第2光ビームを処理する第1状態とは異なる第2状態とを有するものとし、前記第1変調素子と前記第2変調素子とを、第1変調素子の無欠陥ピクセルと第2変調素子のさらなる無欠陥ピクセルとがそれぞれの第1状態にあるとき、前記空間光パターン内の前記第1光ビーム部分と前記第2光ビーム部分とが実質的に一致するよう構成したことを特徴とする方法。
- 請求項15に記載の方法において、前記第1電気信号および前記第2電気信号を、前記第1変調素子のピクセルと前記第2変調素子のピクセルとが同時にそれぞれの第1の状態になることを防止するよう選択したことを特徴とする方法。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の空間光変調装置を用いるリソグラフィステップを含む、ことを特徴とする装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013031901A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2014514759A (ja) * | 2011-04-04 | 2014-06-19 | イエーノプティーク オプティカル システムズ ゲーエムベーハー | 表面の構造化された露光のための露光装置 |
JP2016508232A (ja) * | 2012-12-20 | 2016-03-17 | ヘレーウス クルツァー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHeraeus Kulzer GmbH | 均一な光分布を形成する方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008040742A1 (de) * | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung von Mehrfachspiegelanordnungen, optische Anordnung mit einer derartigen Vorrichtung sowie mit einer zweiten Mehrfachspiegelanordnung zum Ein- und Ausschalten einer ersten Mehrfachspiegelanordnung sowie Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Vorrichtung |
US9405203B2 (en) | 2008-09-23 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Pixel blending for multiple charged-particle beam lithography |
US8253923B1 (en) | 2008-09-23 | 2012-08-28 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Optical imaging writer system |
US8670106B2 (en) | 2008-09-23 | 2014-03-11 | Pinebrook Imaging, Inc. | Optical imaging writer system |
US9025136B2 (en) * | 2008-09-23 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | System and method for manufacturing three dimensional integrated circuits |
JP5518612B2 (ja) * | 2010-07-20 | 2014-06-11 | 株式会社ディスコ | 光学装置およびこれを備えるレーザー加工装置 |
WO2013185822A1 (en) * | 2012-06-14 | 2013-12-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Maskless lithographic apparatus and method for generating an exposure pattern |
KR102262216B1 (ko) | 2014-05-07 | 2021-06-08 | 삼성전자주식회사 | 광변조기 및 이를 적용한 디지털 노광 장치 |
WO2016015987A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method |
CN104820345B (zh) * | 2015-05-23 | 2017-03-22 | 南昌航空大学 | 一种基于亚像素调制提高数字光刻分辨力的方法 |
WO2017011188A1 (en) | 2015-07-13 | 2017-01-19 | Applied Materials, Inc. | Quarter wave light splitting |
US10069996B2 (en) * | 2016-09-15 | 2018-09-04 | Xerox Corporation | System and method for utilizing digital micromirror devices to split and recombine a signal image to enable heat dissipation |
CN110596677A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-20 | 上海影创信息科技有限公司 | 基于多空间光调制器拼接激光雷达扫描装置及系统 |
TW202141575A (zh) * | 2020-03-11 | 2021-11-01 | 日商奈米系統解決股份有限公司 | 曝光裝置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0770469B2 (ja) | 1991-10-30 | 1995-07-31 | フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン | 照明装置 |
DE19522936C2 (de) | 1995-06-23 | 1999-01-07 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zum Strukturieren einer photolithographischen Schicht |
US6359662B1 (en) * | 1999-11-05 | 2002-03-19 | Agilent Technologies, Inc. | Method and system for compensating for defects in a multi-light valve display system |
US6618185B2 (en) | 2001-11-28 | 2003-09-09 | Micronic Laser Systems Ab | Defective pixel compensation method |
JP2007515802A (ja) | 2003-12-22 | 2007-06-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | プログラム可能なエレクトロウェッティングマスクを用いた電子リソグラフィシステム |
-
2006
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014514759A (ja) * | 2011-04-04 | 2014-06-19 | イエーノプティーク オプティカル システムズ ゲーエムベーハー | 表面の構造化された露光のための露光装置 |
WO2013031901A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
KR20140063761A (ko) * | 2011-09-02 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 공간 광 변조기의 검사 방법 및 장치, 및 노광 방법 및 장치 |
US10317346B2 (en) | 2011-09-02 | 2019-06-11 | Nikon Corporation | Method and device for inspecting spatial light modulator, and exposure method and device |
US10598606B2 (en) | 2011-09-02 | 2020-03-24 | Nikon Corporation | Method and device for inspecting spatial light modulator, and exposure method and device |
KR102321222B1 (ko) * | 2011-09-02 | 2021-11-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 공간 광 변조기의 검사 방법 및 장치, 및 노광 방법 및 장치 |
JP2016508232A (ja) * | 2012-12-20 | 2016-03-17 | ヘレーウス クルツァー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHeraeus Kulzer GmbH | 均一な光分布を形成する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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