FI57975B - Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor - Google Patents

Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor Download PDF

Info

Publication number
FI57975B
FI57975B FI790680A FI790680A FI57975B FI 57975 B FI57975 B FI 57975B FI 790680 A FI790680 A FI 790680A FI 790680 A FI790680 A FI 790680A FI 57975 B FI57975 B FI 57975B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
reaction
source
gas
gases
reactive
Prior art date
Application number
FI790680A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI57975C (fi
Inventor
Tuomo Suntola
Arto Pakkala
Sven Lindfors
Original Assignee
Lohja Ab Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lohja Ab Oy filed Critical Lohja Ab Oy
Priority to FI790680A priority Critical patent/FI57975C/fi
Priority to US06/050,606 priority patent/US4413022A/en
Priority to AT80100568T priority patent/ATE15820T1/de
Priority to DE8080100568T priority patent/DE3071110D1/de
Priority to EP80100568A priority patent/EP0015390B1/en
Priority to ZA00800852A priority patent/ZA80852B/xx
Priority to IL59393A priority patent/IL59393A/xx
Priority to IN193/CAL/80A priority patent/IN152596B/en
Priority to AU55786/80A priority patent/AU535151B2/en
Priority to MX181260A priority patent/MX151518A/es
Priority to BR8001087A priority patent/BR8001087A/pt
Priority to CA000346409A priority patent/CA1166937A/en
Priority to DK084680A priority patent/DK157943C/da
Priority to SU802889600A priority patent/SU1085510A3/ru
Priority to HU80445A priority patent/HU181779B/hu
Priority to NO800555A priority patent/NO155106C/no
Priority to PL1980222293A priority patent/PL138247B1/pl
Priority to JP55023480A priority patent/JPS6021955B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of FI57975B publication Critical patent/FI57975B/fi
Publication of FI57975C publication Critical patent/FI57975C/fi

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
    • C23C16/306—AII BVI compounds, where A is Zn, Cd or Hg and B is S, Se or Te
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)

Description

ESjF^l [B] (11)KW^UTUSjULKAISU γπλπγ
ΉΕΓα LJ ^ ' UTLÄGG N I NGSSKRI FT O f y f O
C,_ Patentti eyennetty 10 11 1^80 f45» Patent «dielet ^ ^ (51) κ».»?/ι«.α3 c 23 C 11/00 SUOMI —FINLAND {21) P«t*»ittfh*k*»mi* —ftrt*nt»iweiciMng 79068ο (22) HakmnltpUvt —AnatMcnlngadag 28.02.79 ^ ^ (23) AlkupUv»—GIMthMsdai 28.02.79 (41) Tullut julktMksI — Bllvlt off anti lg tmtmnttU Ja rekisterihallitut NlKtlvUulp^ j. ku„L|Ulk.tem pvm.-
Patent- och ragisterstyralsan Αη·ΰΙ»η uti»g<J och uti.sknftan pubik«rvi 31.07.80 (32)(33)(31) Pyy<l««r «tuolle·» —B«gtrd prlorltuc (71) Oy Lohja Ab, Ahertajantie 3, 02100 Espoo 10, Suomi-Finland(Fl) (72) Tuomo Suntola, Espoo, Arto Pakkala, Espoo, Sven Lindfors, Espoo,
Suomi-Finland(FI) (7*0 Forssen & Salomaa Oy (5*0 Menetelmä ja laite yhdisteohutkalvojen kasvatuksessa - Förfarande och anordning vid uppbyggande av tunna föreningshinnor
Keksinnön kohteena on menetelmä yhdisteohutkalvojen kasvatuksessa yhdistekomponentti-kohtaisten pintareaktioiden avulla, jossa menetelmässä substraatin pinta asetetaan altiiksi sanotun yhdisteen komponentteja sisältävien eri aineiden vuorottaisille pintareaktioille syöttämällä mainittujen aineiden kaasuja toistuvasti ja vuorottai-sesti reaktiotilaan, johon mainittu substraatti on sijoitettu ja antamalla mainittujen kaasujen reagoida substraatin pinnan kanssa, jolle pinnalle täten kasvaa kiinteässä olomuodossa oleva yhdisteohutkalvotuote mainitun substraattipinnan lämpötilassa.
Lisäksi keksinnön kohteena on menetelmää soveltava laite.
Yksittäisiä yhdistekomponenttiatomikerroksia muodostaviin pintareaktioihin perustuva yhdisteohutkalvojen kasvatus on ennestään tunnettua hakijan Fi-patentissa 52359 (vast. US-pat. 4 058 430), jossa on myös esitetty eräitä menetelmää soveltavia laiteratkaisuja. Kyseiset laiteratkaisut on kehitetty tyypillisistä tyhjiöhöyrystys-laitteista yhdistämällä niihin Fi-patentin 52359 mukaisen 'Atomic Layer Epitaxy'-= 'ALE'-menetelmän edellyttämät erilliset reaktiotilat. Reaktiotilojen erotus perustuu tunnetuissa laitteissa joko tarkkoihin mekaanisiin välyksiin ja tehokkaaseen reaktiojäännösten keräämiseen kylmäloukkujen ja tyhjiöpumpun avulla tai vain jälkimmäiseen esitetyistä keinoista kuten mainitun Fi-patentin alivaatimuksen 9 (kuvion 5) mukaisessa tapauksessa.
Koska ALE-menetelmälle sinänsä on tunnusomaista se, että kasvatettavaan pintaan voidaan, ja on edullistakin, kohdistaa kussakin reaktiovaiheessa suurempi annos pinta-reaktion edellyttämää kaasua kuin ko. reaktiossa sitä kuluu, ylimääräkaasun poistaminen kasvatettavan pinnan vaikutuspiiristä muodostuu vaikeaksi. Kylmäloukkuja käytettäessä on tulos alhaisen höyrynpaineen omaavilla materiaaleilla, kuten metal- 2 57975 leiliä, kohtalainen, mutta esim. alkuaineryhmän VI komponenteilla on kylmäloukuilla vaikea päästä tyydyttävään tulokseen. Jäännöskaasujen poisto ALE-prosessin yhteydessä ennestään tunnetuilla ratkaisuilla on erityisen vaikea silloin, kuin yksi tai useampi alkuainekomponentti tuodaan kasvatettavaan pintaan yhdisteenä, jolloin ko. yhdisteestä vapautuva osa muodostaa myös jäännöskaasua.
Reaktiojäännösten poiston ongelma on samalla ongelma reaktiovaiheiden erottamisessa, mikä sinänsä on ALE-menetelmälle keskeinen ominaisuus. Tämä ongelma on ilmeinen myös em. Fi-patentin 52359 kuvion 1 laiteratkaisulle, sillä jos laitteelle yhteisessä tyhjiötilassa esiintyy jokin lähdemateriaali, se myös kulkeutuu muiden lähdemateriaalien reaktioalueille substraattien liikutteluun tarvittavien mekaanisten välysten kautta.
Edellä esitetyt epäkohdat korostuvat pyrittäessä suuriin substraattipinta-aloihin, | jolloin vastaavasti joudutaan käyttämään suuria lähdemateriaalien annostuksia.
Keksinnön päätarkoituksena on ALE-menetelmän edelleen kehittäminen ja edellä esiintuotujen epäkohtien eliminoiminen. Näiden ja keksinnön muiden myöhemmin selviävien päämäärien saavuttamiseksi keksinnön menetelmälle on pääasiallisesti tunnusomaista se, että menetelmässä syötetään kaasufaasissa olevaa väliainetta mainittuun reaktioillaan ainakin sanottujen aineiden vuorottaisten syöttöjen väliaikoina, ja että mainitun kaasumaisen väliaineen syötöllä aikaansaadulla diffuusiovallilla estetään mainittujen vuorottaisesti syötettyjen kaasujen samanaikainen vuorovaikutus kasvatettavan pinnan kanssa.
Keksinnön mukaiselle laitteelle tunnusomaiset piirteet selviävät laitesivuvaatimus-ten tunnusmerkeistä.
Tämän keksinnön menetelmän edullisen sovellutusmuodon mukaisesti reaktiovaiheiden erotus ja jäännöskaasujen poisto on ratkaistu ohutkalvon kasvuun osallistumattoman väliaineen avulla, joka muodostaa diffuusiovallin reaktiovaiheiden välille ja jota myös voidaan käyttää pintareaktioon osallistuvien kaasujen ja reaktiojäännösten kuljettamiseen kasvatuslaitteessa. Kuljetuskaasua on edullista käyttää tämän keksinnön toteutuksissa diffuusiovallin muodostamisen lisäksi myös määrättyjen reaktiivisten kaasujen lähteiden sulkemiseen mekaanisten venttiileiden korvaamiseksi tilanteissa, joissa korkea lämpötila ja korroosio-ongelmat tekevät mekaanisen venttiilin käytön vaikeaksi.
j Paitsi ALE-reaktiovaiheiden erotuksen entistä paremman hallinnan diffuusiovallien i avulla, tämän keksinnön mukainen menetelmä tuo huomattavia parannuksia myös ALE-menetelmän käyttöalueeseen, tuotannolliseen hyödyntämiseen sekä ALE-menetelmän etujen hyväksikäyttöön.
i i 3 57975
Kaasuvirtauksen käyttö ei-toivottujen vuorovaikutusten estämiseen ja määrättyjen kaasujen kuljettamiseen on sinänsä tunnettu eräistä toisista yhteyksistä, kuten esim. suojakaasuhitsauksesta ja esillä olevan keksinnön käyttöalaa lähempänä CVD-("chemical vapour deposition")-ohutkalvojen ja epitaksiaalikerros-ten kasvatusmenetelmistä, joissa suojakaasuvirtausta käytetään myös reagoivien kaasujen kuljetukseen. Pisimmälle suojakaasun virtauksen ja sen sisältämien erillisten kaasupitoisuuksien tutkiminen on viety kaasukromatografian menetelmissä ja laitteissa.
Käyttöalueen laajennukseksi on katsottava kaasufaasissa esiintyviä reaktio-jäännöksiä aiheuttavien vaihtoreaktioiden aikaisempaa yksinkertaisempi hyväksikäyttö, mikä on johtanut ALE-prosessin, erityisesti laitteiston osalta, lähemmäksi CVD-prosessin menetelmiä ja samalla kaueammaksi MBE-(Molecular Beam Epitaxy)-menetelmistä. Tunnettuihin CVD-menetelmiin nähden tällä keksinnöllä saavutetaan kuitenkin vastaavia etuja kuin verrattaessa ALE-prosessia tavanomaisiin tyhjiöhöyrystys-, sputraus- ja MBE-menetelmiin. Lisäksi tämän keksinnön mukaisella menetelmällä automaattisesti eliminoituu aikaisemmin ennestään tunnetuissa CVD-menetelmissä ongelmia tuottavat kaasufaasireaktiot, jotka voivat aiheuttaa kasvuhäiriöitä valmistettaviin kalvoihin.
Seuraavassa keksintöä selostetaan yksityiskohtaisesti esittämällä keksinnön mukaisen diffuusiovallin teoriaa sekä viittaamalla oheisen piirustuksen kuvioissa esitettyihin keksinnön eräisiin sovellutusesimerkkeihin, joihin keksintö ei ole rajoitettu.
Kuvio 1 esittää yhdisteen alkuainekomponenttien AX ja BY materiaalipulsseja ja niiden välistä diffuusiovallia V (pituus x ) suuntaan x nopeudella v vir-
D
taavassa väliaineessa C.
Kuvio 2 esittää keskeistä pitkittäistä leikkausta eräästä keksinnön mukaisesta laitteesta.
Kuvio 3 esittää leikkausta III-III kuviossa 2.
Kuvio 4 esittää keksinnön mukaisella menetelmällä, kuvion 2 periaatteella toimivalla laitteella kasvatetun kalvon paksuusjakautumaa (käyrä a) verrattuna siihen, että reaktiiviset kaasut tuodaan substraatille samanaikaisesti (käyrä b).
4 57975
Kuvio 5 esittää sinänsä ennestään tunnetun magneettiventtiilin sovellutusta keksinnön mukaisessa menetelmässä.
Kuvio 6 esittää erästä keksinnön mukaista materiaalilähteen toteutusta.
Kuvio 7 esittää kuvion 6 mukaisen laitteen vastinpiiriä.
Kuvio 8 esittää erästä keksinnön menetelmää soveltavaa laitetta pystyleikka-uksena.
Kuvio 9A esittää leikkausta kuvion 8 viivaa IXA-IXA pitkin, kuvio 9B viivaa IXB-IXB ja kuvio 9C viivaa IXC-IXC pitkin.
Kuvio 10 esittää sellaista keksinnön sovellutusta, jossa reaktiotila on sijoitettu lasilla vuoratun teräsputken sisään.
Kuvio 11 esittää kuvion 10 laitetta päältä katsottuna.
Kuvio 12 esittää kuvion 6 mukaisen lähteen erästä modifikaatiota.
Kuvio 13 esittää sellaista keksinnön sovellutusta, jossa substraatti järjestetään lineaariliikkeellä kulkemaan useiden peräkkäisten lähdealueiden ja niiden välisten diffuusiovallialueiden ohi. Kuvio 13 on samalla keskeinen leikkaus kuvion 14 viivaa XIII-XI1I pitkin.
Kuvio 14 esittää samaa kuin kuvio 13 päältäpäin nähtynä kuvion 13 viivaa XIV-XIV pitkin.
Kuvio 15 esittää keksinnön mukaisella menetelmällä valmistettua elektrolumi-nenssirakennetta.
Kuvio 16 esittää kuvion 15 mukaisen rakenteen sähköoptisia ominaisuuksia sekä hyötysuhdetta käyttöjännitteen funktiona.
Kuvion 17 käyrät esittävät esimerkin 5. mukaisen, keksinnön menetelmällä valmistetun A^O^-kalvon kapasitanssia ja häviökulmaa taajuuden funktiona.
Kuvioissa 2 ja 3 esitetty keksinnön menetelmää toteuttava laite muodostuu lasiputkesta 10, jonka toinen pää on suljettu kannella 14 ja toinen pää on putkien 5 57975 12 kautta yhteydessä lähdelaitteisiin 20. Putki 10 sulkee sisäänsä reaktioti-lan 18, joka on yhteen 13 välityksellä liitetty imupumppuun 17. Putken 10 sisälle on sovitettu substraatti 11 tai useita substraatteja, joille ohutkalvo 100 kasvatetaan lähdelaitteista 20 syötettävistä reaktiivisista kaasuista atomikerroksittain keksinnön lähtökohtana olevan ALE-menetelmän mukaisesti. Putken 10 ympärillä on lämmityslai.tteet 15, joilla substraatin 11 ja reaktio-tilan 18 lämpötila pidetään ALE-menetelmän kannalta sopivana.
Kuviossa 5 on esitetty eräs yksinkertainen laiteratkaisu lähdemateriaalin annostelussa. Reaktioputki 10 on putkella 12 yhdistetty magneettiventtiiliin 21, jossa on sinänsä tunnetusti solenoidi 22 ja sen sisällä sulkukappale 23, jonka toinen pääty sulkee venttiilin vasteen 26 kohdalla. Solenoidia 21 ohjataan sinänsä tunnetulla impulssilaitteella 30. Magneettiventtiiliin 21 tuleva putki 25 on yhdistetty reaktiomateriaalilähteeseen ja putki 28 erotuskaasun lähteeseen. Putki 28 yhdistyy magneettiventtiilin 21 lähtöputkeen välittömästi venttiilin jälkeen. Impulssilaitetta 30 käyttäen magneettiventtiilillä 21 pulssi-tetaan putken 25 kautta tuleva reaktiivinen kaasuvirta. Venttiilin 21 ollessa suljettuna putkesta 28 tuleva erotuskaasuvirtaus huuhtelee putken 12 ja muodostaa diffuusiovallin, joka estää reaktiotilassa 10 olevia kaasuja diffundoi-tumasta putkeen 12.
Sovellettaessa keksinnön mukaista menetelmää kuvioiden 2 ja 3 mukaisella laitteella ja kuvion 1 periaatteella, jossa reaktiiviset kaasupulssit ohittavat substraatin 11 pituussuunnassa x, ALE-menetelmän itsestabiloiva vaikutus tulee erittäin tehokkaasti hyödynnettyä, sillä vaikka substraatin 11 etureunat saavat pintareaktion aiheuttavan reaktiivisen kaasupulssin A,B osapaineeltaan suurempana kuin substraattien 11 takareuna, kasvaa kalvo 100 samanpaksuisena koko pituudeltaan (kuvio 4, käyrä a). Kuvion 4 käyrä b kuvaa vastaavaa tilannetta, jossa reaktiiviset kaasut on tuotu substraateille 11 samanaikaisesti.
Seuraavassa selostetaan keksinnön fysikaalista taustaa.
Jos prosessoitavan ohutkalvon 100 paksuus on T, kerralla prosessoitava pinta-ala Ag ja prosessiaika t^, kuvaa prosessin ja prosessilaitteen suorituskykyä suure E, joka on muotoa E * T · A / (t + O (1) s p 1 6 57975 jossa t^ on laitteen uudelleen lataamiseen kuluva aika.
ALE-prosessissa voidaan kasvatettavan kalvon paksuus ilmaista muodossa T = N · T (2) o missä Tq on yhdessä reaktiojaksossa syntyvä kalvon paksuus ja N reaktiojakso-jen lukumäärä. Vastaavasti prosessiaika t on muotoa t = N · t (3) P o missä yhteen prosessijaksoon kuluva aika t muodostuu erillisenä syötettävien reaktiivisten kaasujen syöttöajoista **’ fcm ^°’ reaktiivisten kaasu- pulssien erottamiseen tarvittavista ajoista t.,,t._ ... t. . Yksinkertaisen ^ J il i2 im binääriyhdisteen AB valmistuksessa on t muotoa t = t. + t.A + t + t._ (4)
o Α ιΑ B lB
Yhdessä prosessissa käsiteltävän substraatin pinta-ala on pääasiallisesti laitteen geometristen mittojen määräämä ja sitä voidaan suurissa rajoissa muutella tämän keksinnön mukaisissa ratkaisuissa. Keksinnön mukaisen menetelmän toiminnallinen analysointi tapahtuu parhaiten yhteen prosessijaksoon t liittyviä osa-aikoja t ja t. tarkastelemalla.
1 J m im
Diffuusiovallin muodostamista kaasussa voidaan tarkastella yhtälöstä ^=DV2p (5) o1 lähtien, joka kuvaa osapaineen p (tässä tapauksessa reaktiivisen kaasun osa-paineen) leviämistä ympäröivässä väliaineessa (tässä tapauksessa kuljetus-kaasussa), jossa sen diffuusiovakio on D.
Kuvioiden 1,2 ja 3 mukaisessa laitteessa reaktiotilan 18 muodostaa suora reak-tioputki 10, johon substraatit 11 on asetettu kantajakaasun C virtauksen suuntaisesti siten, että ne mahdollisimman vähän häiritsevät kantajakaasun C virtausta. Reaktioputkessa 10 kantajakaasu C virtaa nopeudella v paineen ollessa p^ (kuvio 1). Kantajakaasuun C injektoidaan lähdelaitteista 20 pintareaktioon osallistuvat kaasut AX ja BY syöttöputkien 12 kautta. Reaktioputkessa 10 ete- 57975 nevä reaktiivinen kaasupulssi leviää diffuusion vaikutuksesta kulkusuunnassa x yhtälön 4? = D ^ (6) o t dx^ nmkaisesti. Tilanne approksimoidaan yksdimensionaaliseksi diffuusioksi, mikä kuvioiden 2 ja 3 laitegeometrialla antaa riittävän tarkan tuloksen. Injektoidun reaktiivisen kaasun osapaine syöttöpulssissa on pQ, joka oletetaan vakioksi pulssin reunoilla, jolloin p(x,t):lle pulssin etu- ja takareunassa saadaan ratkaisu p(x,t) pQ erfc (x/2·/Dt) (7) missä x ilmaisee etäisyyden pulssin reunasta poispäin ja t ajan injektiohet-kestä. Määrätyn vakiopitoisuusrintaman ρχ, etenemistä kuvaa tällöin yhtälö x / 2"/dT= C1 (8) missä 0χ saadaan yhtälöstä erfc C = p. / p (9) 1 1 o
Kuvioon 1 viitaten todetaan, että tahdottaessa kahden toisiaan seuraavan reaktiivisen pulssin AX ja BY välissä kummankin pulssin diffuusiosta aiheutuva pitoisuus kantajakaasussa C pienemmäksi kuin ρχ, ts. kun halutaan muodostaa ko. pulssien väliin diffuusiovalli V, joka pienentää kantajakaasussa C yhtäaikaisesti esiintyvien eri reaktiivisista pulsseista peräisin olevat reaktiivisten kaasujen AX ja BY pitoisuudet alle tason ρχ saadaan diffuusiovallin pituudelle lauseke xfi * 2 · χ^χ = V * CjV Dt'' (10)
Kantajakaasun nopeuden ollessa v, voidaan diffuusiovalli Xg etäisyydellä L reaktiivisten kaasujen injektiopisteestä ilmaista muodossa
Xg = V · cxVdl/v' (11) s 57975 χ :n muodostamiseen tarvittava injektiopulssien A,B syötön välinen aika tD on
D D
tällöin tB = Χβ/ν = V DL/v3 (12)
Diffuusiovakio D on riippuvainen ko. kaasuista, lämpötilasta ja paineesta. Jatkotarkastelujen kannalta on käytännöllistä ilmaista se muodossa D = D*/p (13)
«··«·. K
jolloin diffuusiovakion paineriippuvuus D :ssä on eliminoitu. Tällöin tB - v/ciVrDir λ/L/v3 p (14)
Yhtälöstä (14) voidaan todeta, että diffuusiovallin V muodostamiseen tarvittava pulssiväli t,, riippuu voimakkaimmin kantajakaasun C nopeudesta v
D
V -f <15> S = kaasun pumppausnopeus, A = reaktioputken vapaa poikkipinta.
Kaasuvirran (throughput) ja pulssivälin t samanaikainen minimointi johtaa
D
kantajakaasun suureen virtausnopeuteen ja sen pieneen paineeseen. Kantaja-kaasun paineen pienentämistä käytännössä rajoittaa vaatimus p^ > pQ.
Reaktiivisen kaasun A,B osapaine pQ puolestaan määräytyy siitä, että kasvatettavan kalvon 100 pintaan on kussakin reaktiovaiheessa saatava riittävä määrä reagoivia molekyylejä tai atomeja. Molekyylimäärä (atomimäärä) reaktiivisessa pulssissa saadaan kineettisen kaasuteorian mukaisesti yhtälöstä n. = v · t. · p * A/kT (16) missä t^ on reaktiivisen pulssin pituus. Tarvittava molekyyli-(atomi)-määrä n^ on täydellisen pintareaktion substraatin pinnalla synnyttämään tarvittava atomimäärä (molekyylimäärä) pinta-alayksikköä kohti Ng jaettuna materiaali-hyötysuhteella ^ , johon puolestaan vaikuttaa reaktiotilan 18 seinämäpinta-ala ja pintareaktion tapahtumistodennäköisyys pintaan "1-»,· \ '7 (l7) 9 57975 missä Ag = substraattien pinta-ala.
Kun merkitään ^ n^ saadaan v ' t. · p · A/kT = N · A /n (18) 1 o s s / josta
N ’A · kT
p = -S- (19) 0 v · ^ · A ·?
Yhtälöitä (14,15) tarkasteltaessa voidaan todeta, että paitsi käyttöparamet-reilla p ja v, voidaan t :hen vaikuttaa myös reaktioputken 10 poikkipinta-alalla A, joka on lähinnä laitteen rakenteeseen liittyvä parametri.
Edellä oli kantajakaasuvirtauksen pv arvon minimointiin pyritty tgin minimoinnin yhteydessä. Alhainen pv:n arvo on edullinen myös kantajakaasun kulutuksen ja mahdollisen puhdistustarpeen vuoksi. Lisäksi voidaan osoittaa, että PQ:n diffuusio radiaalisessa suunnassa, ts. kaasupitoisuuden tasoittaminen koko reaktioputken 10 poikkipinnalle, paranee, kun pvm arvo pienenee.
Edellä t :lle suoritettu analysointi edellyttää, että yksidimensionaalinen 15 diffuusiotarkastelu on käyttökelpoinen. Tämä edellyttää, että pulssien A,B etuja takareunat etenevät vakiopitoisuustasoina, jotka ovat kohtisuorassa kulje-tuskaasun C etenemissuuntaan x nähden. Tämä tilanne on verrattain hyvin saavutettavissa, jos pulssin pituus 1^ (= v/t^) sekä sen diffuusion alku- ja loppu-reunat X2 ovat suurempia kuin reaktioputken halkaisija d. Kuvioiden 2 ja 3 mukaisessa putkityyppisessä reaktiotilassa 18 tämän ehdon täyttäminen johtaa mahdollisimman alhaiseen paineeseen p^, käytännössä luokkaan 1 mb, joka toisaalta on samalla reaktiivisten materiaalien kuljetuksen edellyttämän vähim-mäispaineen suuruusluokka.
Edelleen t^m analysoinnissa oletettiin, että reaktioputken 10 kuljetuskaasu-virtaan injektoidut reaktiiviset kaasupulssit ΑΧ,ΒΥ ovat injektiohetkellä jyrkkäreunaisia, ts. pulssien nousu- ja laskuajat ovat lyhyitä verrattuna t_:en.
B
Kun käytetään kuvion 5 mukaista venttiilin kautta tapahtuvaa injektiotapaa, tämä ehto on helposti saavutettavissa tunnetuilla venttiiliratkaisuilla. Kuvion 5 tapauksessa on kuitenkin oletettava, että injektoitava reaktiivinen kaasu omaa riittävän höyrynpaineen lämpötilassa, jossa kyseinen venttiili 21 10 57975 on käyttökelpoinen. Useilla tärkeillä reaktiivisilla materiaaleilla, kuten esim. Zn, Cd, ZnC^, MnC^ jne. tämä ehto on kuitenkin vaikeasti täytettävissä, jolloin esitettyä diffuusiovallitekniikkaa on sovellettu myös injektiolähteiden toteuttamiseen, mistä on esitetty esimerkki kuviossa 6, jonka mukainen injektio-lähde muodostuu seuraavista osista: lähdetila 41, jossa lähdemateriaalia M, kondensaatioalue 42, lähteen syöttöputki 43, pulssiventtiili 44, sulkuputki 12, imuputki 46, lämmityselementti 47, jäähdytys element ti 48 ja kantajakaasun syöttöputki 49 sekä imupumppu 50. Kaasuvirtausten suhteen kuvion 6 rakenne vastaa kuvion 7 vastinpiiriä. Tilavuus C muodostuu materiaalit!lasta ja konden-saatioalueesta, konduktanssi e imuputki, g^ = lähteen syöttöputki, “ sulkuputki. Kytkin on pulssiventtiili 44, p^ on reaktiotilan paine ja p^ on paine imupumpussa 50. Sovittamalla p^ yhtä suureksi kuin paine imupura-pussa 17 kuvioissa 2 ja 10 voidaan erillinen imupumppu 50 eliminoida yhdistämällä imuputki 46 pumppuun 17. Lähde 20 on sulkutilassa, kun virtaukset f2 ja fj täyttävät diffuusiovallin muodostusehdot, jotka voidaan johtaa yhtälöstä (8), josta derivoimalla saadaan vakiopitoisuuden etenemisnopeus v^ kantajakaasussa.
v, = $ - C.VTTV·/?- 2 C 2 D / x - 2 C 2 D*/xp (20) d at 1 ! 1
Diffuusiovallin muodostamiseen tarvitaan läpivirtaus f^, jonka aiheuttama virtausnopeus v^ on suurempi tai yhtä suuri kuin v^ vf - fd / Af * p > 2^2 D* / xp (21) missä ko. virtauskanavan poikkipinta. Tällöin fd > 2Af Cx2 DK / x (22)
Kuvion 7 vastinpiirin kanavissa 43 ja 45 saadaan tällöin diffuusiovalliehdoiksi f2 “ 2A2 Cl2 D* 1 L2- (23) f3 il 2A3 Cx2 DK /L3 (24) missä A2 kanavan 43 poikkipinta ja ky kanavan 45 poikkipinta.
Kuvion 6 putkessa 43 muodostetun diffuusiovallin tarkoituksena on estää lähde-kaasua kulkeutumasta putken 10 sisällä olevaan reaktiotilaan 18 ja putkessa 45 11 57975 muodostetun diffuusiovallin tarkoituksen on estää reaktiotilassa 18 olevia kaasuja kulkeutumasta lähdetilaan. Sulkutilanne toteutuu näin ollen molempiin suuntiin reaktiotilan 18 ja lähdetilan 41 välillä.
Lähdemateriaalin M injektiopulssi saadaan syntymään ohjaamalla venttiilin kautta tilaan 41,42 kuljetuskaasua (C) siten, että sen paine nousee arvoon Pco> joka on suurempi kuin p^ Ja kääntää näin ollen kaasuvirtauksen suunnan putkessa 43, jolloin tämän kaasuvirtauksen mukana kulkeutuu lähdetilassa 41 olevan materiaalin M höyry lähteen 41 lämpötilan määräämän osapaineen omaavana reaktiotilaan 18. Paineen p^ avulla määrätään kuljetuskaasun virtaus in-jektiopulssissa. Pco:n kytkentä voidaan helposti saada hyvin nopeaksi, joten lähteen dynaaminen tarkastelu voidaan rajoittaa injektiopulssin lopettamiseen. Yleisesti voidaan kaasuvirta f kanavan lävitse ilmaista muodossa f - g (Pa2 " Pb2) (25) missä pa ja p^ ovat kanavan päissä vallitsevat paineet ja vakio g kanavan geometrisista mitoista sekä kaasun ominaisuuksista määräytyvä tekijä.
Kun hetkellä t = o syöttöventtiili s^ suljetaan, voidaan kuvion 7 vastin-piiristä lähteen paineelle p^ johtaa lauseke a e + 1 //-1/--1 P - -T77Z- · P (26) c . t'7 , c» a ' e ^ - 1.
missä a = (1 + p /p ) / (1 - p lp ) (27) co© co cw> co P^ = "^(gV42 + ΒχΡχ2) / (S* + ) (28) * - c / 2gH PCQo (29) g* - g2 / (1 + g2/g3) (30) * / 2 v P =V Pr + f0/g3 (31)
Paine p^ saa vastaavasti arvon π 57975 P22· <£0 + S2 pc2 + g3 Pr2> / (¾ + s3^ ¢32)
Uuniputkessa 43 syntyy diffuusiovalli, kun it f^» *»issä on diffuu-siovallin syntymiseen tarvittava virtaus yhtälön (22) mukaisesti.
f2 - 82 <p22 ' »e'» <33> g2 (fo + 83 ^pr pc ^ ^ (82+83^— £d2 (3*^
Sijoittamalla yhtälöön(34)yhtälö (26)voidaan ratkaista lähteelle sulkuaika (** diffuusiovallin muodostumisaika) e. a l"U <£r>] (35) missä b - V(£o * g3 pr2 - fd2 (g2*g3)/g2) / 63'/ Pcoo 06)
Reaktiovaiheiden erotus voidaan varmistaa diffuusiovallin käyttöön perustuvia pulssilähteitä käytettäessä, kun pulssien väliseksi ajaksi otetaan lähteen sulkuajän t :n ja t :n summa
S D
t. « t_ + t (37) 1 B s
Edellä esitetyissä laskelmissa ei ole huomioitu kanavassa virtaavan kaasun radiaalista nopeusjakautumaa, vaan on käytetty keskimääräisiä nopeuksia. Käytännössä on havaittu tästä nopeusjakautumasta johtuva virhe vähäiseksi paitsi, jos kuljetettava kaasu pyrkii adsorboitumaan kanavan seinämiin.
Tähän voidaan kuitenkin vaikuttaa seinämien materiaalivalinnoilla ja lämpötiloilla.
Kuvioissa 10 ja 11 on esitetty laiteratkaisu, jossa käytetään kuutta kuvion 7 vastinpiirin mukaista lähdettä kuvion 12 esittämässä muodossa. Lähteet sijoitetaan lähdetiloihin 20. Reaktiotilan seinämät 110 on suojattu laseilla 96. Reaktiotila lämmitetään tarvittavaan lämpötilaan lämmittimen 15 avulla ja lähdetilat lämmitetään läramittimillä 47. Yhteen 13 ja imupumpun 17 väliin on sijoitettu reaktiojäännösten kondensaatioalue 19, jonka yhteessä 13 muodostuva diffuusiovalli erottaa reaktiotilasta 18. Seinämä 115 ohjaa kaasuvirtauk- 13 57975 sen reaktiotilasta 18 yhteeseen 13. Lämmittimellä 116 pidetään yhteen 13 lämpötila sellaisena, että reaktiojäännökset eivät kondensoidu sen seinämiin. Lämmittimiä ohjataan säätöyksiköllä 90. Substraatit 11 tuodaan reaktiotilaan luukusta 14, reaktiotilan paine pf määräytyy tyhjöpumpun 17 pumppausnopeudes-ta sekä laitteeseen syötettävästä apukaasuvirrasta f^, joka puolestaan muor dostuu sulkuvirtauksista f sekä lähteiden syöttöpulsseista, jotka ohjataan venttiileiden S^, 44 avulla. Kuvion 12 lähderatkaisussa muodostuu erotuskaa-sun syöttökanava 49 koaksiaalisesta putkesta lähteen syöttöputken 43 ja lasiputken 84 välille. Putki 84 muodostaa samalla sulkuputken 12. Lähdetilan 20 runko 86 on ruostumatonta terästä. Lähdetiloihin voidaan sijoittaa myös kuvion 5 mukainen lähderatkaisu. Toiminnallisesti kuvioiden 10 ja 11 laite on samanlainen kuin kuvioiden 1,2 ja 3 perusratkaisu, jota edellä on yksityiskohtaisesti käsitelty.
Edellä suoritettu analyysi keskittyy diffuusiovallin synnyttämisehtoihin ja siihen liittyviin aikavakioihin laitekonstruktiossa, jossa kuvioiden 2,3 ja 10,11 mukaisesti reaktiotila 18 muodostuu putkesta, jonka läpi reaktiivisia kaasupulsseja kuljetetaan kuljetuskaasun avulla. Analyysiä voidaan käyttää myös tarkasteltaessa toteutusvaihtoehtoja, joissa ohutkalvosubstraatin ohi virtaavat reaktiiviset kaasut "pulssittuvat" substraatin liikkeen avulla.
Esimerkki tällaisesta laiteratkaisusta on kuvioissa 8 ja 9A,9B ja 9C. Näiden kuvioiden mukainen laite muodostuu lieriömäisistä runko-osasta 60, jonka sisällä on siipipyörää muistuttava pidin 61, jota laitteet 64 pyörittävät. Runko-osan 60 alaosassa on sisäpuolinen lieriöosa 59 ja näiden välillä tasomaiset erotusseinämät 57, jotka rajoittavat väliinsä sektorin muotoiset lähde-kaasukanavat 51 ja 52. Lähdekaasukanaviin 51 ja 52 on sijoitettu materiaaliläh-teet 53 ja 54. Materiaalilähteiden 53,54 ympärillä ovat lämmityslaitteet 56. Lähdekaasukanavien 51 ja 52 välillä on sektorin muotoiset erotuskaasukanavat 55, joiden pohjaosaan aukeavat tuloputket 66 ja 67 kaasulähteestä. Vastaavasti kuvion 9A mukaisesti runko-osan 60 yläosassa on lähdekaasukanavat 51' ja 52' sekä erotuskaasukanavat 55' seinämien 57' erottamina. Pitimeen 61 kiinnitetään substraatit 11', joille ohutkalvo 100 kasvatetaan. Substraatit 11' lämmitetään lämmitys-laitteella 56'. Pitimen 61 pyöriessä virtaa substraattipintojen ohi vuoroin erotuskaasua ja eri reaktiivisia kaasuja lähteistä 53 ja 54, jolloin tilanne on kussakin kahden substraatin välisessä kanavassa täysin verrattavissa kuvion 2 ja 3 mukaisen toteutusesimerkin toimintaan reaktioputkessa 10 substraattien kohdalla. Edellä esitetyn laitteen putki 63, joka on yhteydessä kanaviin 51',52' ja 55', on yhdistetty imupumppuun niin, että sekä lähdekaasujen että kuljetus-kaasujen tarvittavat virtaukset nuolen D suunnassa saadaan aikaan.
14 57975
Kuvioiden 8 ja 9 mukaisessa "siipirataslaitteessa" voidaan eliminoida reaktiivisten lähteiden pulssitustarve, jolloin lähteet yksinkertaistuvat. Toisaalta kuitenkin laitteen mekaaninen rakenne tulee jonkin verran monimutkaisemmaksi ja substraattien vaihto hankalammaksi.
Suoritetussa analyysissä todettiin reaktiotilan optimipaineen olevan mahdollisimman lähellä reaktiivisten kaasujen kuljetuksen määräämää minimipainetta.
Eräänä erityisratkaisuna toteutustavaksi, jossa painetta voidaan nostaa vaikka yli ilmanpaineen, on kuvioiden 13 ja 14 mukainen laite. Se muodostuu liikkuvasta substraatista 11", kaasujenjakokappaleesta 72, erotuskaasun syöttöau-koista 73, poistoaukoista 74, lähdekaasujen syöttöaukoista 75 sekä virtausvä-lyksestä 76, johon diffuusiovallit synnytetään erotuskaasun syöttöaukkojen kummallekin puolelle. Diffuusiovalleja synnyttäviä erotuskaasuvirtauksia on kuviossa 14 havainnollistettu nuolin E. Kuviosta 13 näkyvät erotuskaasun syöt-töputket 77, kaasujen poistoputket 78. Kuvioon 13 on lisäksi merkitty kaksi eri materiaalilähdettä 81 ja 82, joista johtavat putket 79 lähdekaasujen syöt-töaukkoihin 75. Lähdekaasujen virtauksia on kuviossa 14 havainnollistettu nuolin F. Seinämä 80 rajaa laitteen ilmanpainetta vastaan.
Diffuusiovalliehto saadaan yhtälöstä (22) sijoittamalla
Af = y? · b? (38) ja x = Xy (39) Tällöin fd7 - y7 * b7 Cl2 D* 1 x7 (40) 57975
Yhtälön 40 mukaisesti f ^ on riippumaton erotuskaasun paineesta (edellyttäen kuitenkin, että ko. paine on Xgrssa esiintyvää reaktiivisen kaasun painetta suurempi). Kuvioiden 13 ja 14 laitetta voidaankin käyttää myös ilmanpaineessa, jolloin laitteesta voidaan pumput eliminoida.
Reaktiovaiheiden vuorotteluun tarvitaan edestakainen substraatin 11 liike lähdealueiden 75 ohi. Edestakainen liike voidaan korvata pyörivällä liikkeellä, jos syöttö- ja poistoaukot 73...75 sijoitetaan ympyrän kehälle. Jos reaktiivisten kaasujen syöttöaukkoja sekä erotukseen tarvittavia erotuskaasun syöttö- ja poistoaukkoja sijoitetaan jakokappaleeseen yhtä monta jaksoa kuin kasvatuksessa reaktiojaksoja tarvitaan, voidaan substraatin edestakainen liike periaatteessa korvata jatkuvalla lineaariliikkeellä. Käytännössä tämä kuitenkin johtaa yleensä epäkäytännöllisen pitkään jakokappaleeseen, sillä tyypilliset ohutkalvot (0,1-1 /um) edellyttävät tuhansien reaktiovaiheiden käyttämistä.
Kuvioiden 13 ja 14 laite rajoittuu tasopintaisten substraattien, tyypillisesti lasilevyjen, käyttöön. Myös kuvioiden 2 ja 3 laitteet asettavat tiettyjä rajoituksia substraattien muodolle, jotta virtauskanavan aerodynaamisuus kohtuudella toteutuu. Kuvioiden 2 ja 3 tapauksessa ovat tasolevyjen lisäksi sopivia substraatteja mm. sauvat ja putket. Putken sisäpintaan tapahtuva kalvon kasvatus kuvioiden 2 ja 3 laitteella suoritetaan myös siten, että tämä putki itse muodostaa reaktiotilan. Putken sisäpintaan suoritettavaa kasvatusta tarvitaan mm. optisten aaltoputkien (lasikuitukaapeleiden) aihioiden valmistuksessa.
Seuraavassa esitetään viisi keksintöä kuvaavaa, ei rajoittavaa esimerkkiä: Esimerkki 1
Kuvion 10,11 laitteen mitoitusesimerkki.
Reaktiotila: pituus L„ = 40 cm K 2 poikkipinta A = 14 x 14 cm R . . 2 vapaa virtauspoikkipinta A 150 cm 3 poistopumpun 17 teho = 60 m /h
Diffuusiovallilähde (kuvio 12):
materiaalitilan 41 ja kondensaatiotilan 42 yhteinen tilavuus C = 210 cnP
16 57975 3 lähteen syöttöputki (43) 85 0 0,7 x 10 cm: = 1400 cm /mbs 3 sulkuputki (45) 84 0 1,1 x 10 cm * 8800 cm /mbs J 3 imuputki (46) = 100 cm /mbs
Tyypilliset käyttöparametrit prosessipaine pf = 2 mb sulkupumpun (50) paine p, = 0.4 mb d 3 sulkuvirtaus/lähde f = 5500 mb cm /s o lähteen syöttöpaine pcQ= 3 ^
Edellä esitetyistä arvoista saadaan: yht. (30) : g* = 1208 cm^/mbs (28) : PcÄ = 2,07 mb (36) : b = 1,067 p (22) : f = 89 mb cm3/s = 3,6; ^ = 10~6) (29) : r = 0,030 s (35) : t = 0,05 s (14) : tg = 0,74 s
Laskennolliseksi pulssiväliksi saadaan yhtälön (37) mukaan t. = 0,8 s 1 Käytännön prosesseissa on käytetty arvoa t. β 1 s 1 Käyttöesimerkkejä esimerkin 1 mukaisesti mitoitetulla laitteella.
Esimerkki 2
Tantaalioksidin (Ta^O^) valmistus. Substraatit 11 10x20 cm 3 mm: float-lasia, 6 kpl.
Reaktiotilan 18 lämpötila 300°C. Reaktiiviset kaasut: TaCl^ kuvion 12 mukaisesta Lähteestä, lähdelämpötila 140°C. Hapettavana komponenttina vesi H^O syöttö kuvion 5 mukaisesta lähteestä. ^0 lähteen lämpötila 15°C. Kuljetus-kaasu argon.
17 57975
Ajoitus (TaCl^) = 0,2 s t2 (H20) = 0,2 s t.. = t0. =1 s li 2i joten kokonaisjakso t = 2,4 s 2500 jaksoa antaa 1000 Ä:n ohutkalvon paksuuden substraattien 11 pintaan. Esimerkki 3
Mangaaniduupatun sinkkisulfidin valmistus ZnS (Mn).
Substraatit 11 samoin kuin edellä. Reaktiotilan 118 lämpötila 450°C.
Reaktiiviset kaasut: ZnCl2, MnCl^ ja H2S. ZnCl^ ja MnCl2 syötetään kuvion 12 mukaisista lähteistä, H^S kuvion 5 lähteestä. ZnCl2:n lähdelämpötila 380°C.
MnCl^n lähdelämpötila 510°C.
MnCl2 ja ZnCl2 lähdepulssit ajetaan samanaikaisesti. Kaikki lähdepulssit 0,2 s pulssivälit 1 s, joten kokonaisjakso 2,4 s.
4500 jakson prosessi antaa 4000 Ä:n ohutkalvon paksuuden substraateille. Esimerkki 4
Kasvattamalla indiumtinaoksidikalvolla päällystetylle substraatille Ta20^ + ZnS (Mn) + Ta20,. kalvot esimerkkien 2 ja 3 mukaisesti ja höyrystämäl-lä rakenteen päälle alumiinikontakti, saadaan kuvion 15 mukainen elektro-luminenssirakenne, jolla on kuvion 16 mukaiset sähköoptiset ominaisuudet. Kuviossa 15 kerros 101 on läpinäkyvä johde (indium-tinaoksidia), kerros 102 Ta20^ 1000 Ä, kerros 103 ZnS (Mn) 4000 Ä, kerros 104 Ta20^ 1000 Ä ja kerros 105 Al-kontakti.
Esimerkki 5
Alumiinioksidin Al^O^ valmistus. Prosessi samoin kuin esimerkissä 2; TaCl^rn tilalla A1C1_ lämpötilassa 95°C. 2800 jaksoa reaktiolämpötilassa 250 C antaa ... . . 2 2200 Ä:n A^O^kalvon. Alumiinielektrodeja (pinta-ala 25 mm ) käyttäen on ko. kalvoille mitattu kuvion 17 mukaiset häviökulma tan S ja kapasitanssi C taajuuden f funktiona.

Claims (15)

1. Menetelmä yhdisteohutkalvojen kasvatuksessa yhdistekomponenttikohtaisten pinta-reaktioiden avulla, jossa menetelmässä substraatin pinta asetetaan alttiiksi sanotun yhdisteen komponentteja sisältävien eri aineiden vuorottaisille pintareaktioille syöttämällä mainittujen aineiden kaasuja toistuvasti ja vuorottaisesti reaktio-tilaan, johon mainittu substraatti on sijoitettu ja antamalla mainittujen kaasujen reagoida substraatin pinnan kanssa, jolle pinnalle täten kasvaa kiinteässä olomuodossa oleva yhdisteohutkalvotuote mainitun substraattipinnan lämpötilassa, tunnettu siitä, että menetelmässä syötetään kaasufaasissa olevaa väliainetta mainittuun reaktio-tilaan ainakin sanottujen aineiden vuorottaisten syöttöjen väliaikoina, ja että mainitun kaasumaisen väliaineen syötöllä aikaansaadulla diffuusiovallilla estetään mainittujen vuorottaisesti syötettyjen kaasujen samanaikainen vuorovaikutus kasvatettavan pinnan kanssa.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kasvatettavan pinnan kanssa reagoivat kaasut tuodaan reaktiotilaan kantajakaasulla, joka samalla on mainittu väliaine, johon diffuusiovalli on muodostettu.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktiivisten kaasujen lähdealueet on erotettu reaktiotilasta erotuskaasun avulla muodostetuilla diffuusiovalleilla.
4. Patenttivaatimuksen 1,2 tai 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktiojäännösten kondensaatioalue on erotettu reaktiotilasta diffuusiovallin avulla.
5. Patenttivaatimuksen 1,2,3 tai 4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktiotilan virtaus ja lähteiden sulkuvirtaus aikaansaadaan erillisillä imupumpuilla. 19 57975
6. Patenttivaatimuksen 1,2,3 tai 4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktiotilan virtaus ja lähteiden sulkuvirtaus aikaansaadaan yhteisellä imupumpulla.
7. Laite patenttivaatimuksen 1-6 mukaisen menetelmän toteuttamiseen, tunnet-t u siitä, että laite käsittää kombinaationa seuraavat komponentit: reaktiokammion (10;60,61;72,73,74,75,80;110), joka rajoittaa sisäänsä reaktio-tilan (18;76), johon sijoitetaan substraatit (11;11’), joille yhdisteohutkalvo (100) kasvatetaan; tyhjöpumppulaitteet (17,50), jotka on kytketty mainittuun reaktiotilaan (18;76); ainakin kahden eri reaktiivisen kaasun lähdelaitteet (20;53;81,82), jotka on yhdistetty mainittuun reaktiotilaan (18;76); inertin kantaja- ja/tai erotuskaasun lähdelaitteet, jotka on yhdistetty mainittuun reaktiotilaan (18;76); lämmityslaitteet (15;47;56,56*), joilla reaktioilla (18) ja reaktiivisten kaasujen lähteet pidetään tietyssä lämpötilassa sekä säätö- ja ohjauslaitteet (22,23,26,30;44,S^;91), joilla edellä mainittujen laitteiden toimintaa ohjataan ja säädetään niin, että keksinnön menetelmän mukainen laitteen toiminta toteutuu.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen laite, tunnettu siitä, että imupumppu (17) on yhdistetty inertin kantaja- ja/tai erotuskaasun virtauksen (v) suuntaan nähden reaktiokammion (10;60;110) lähtöpuolelle ja että reaktiivisten kaasujen lähteet (20;53,54;81,82) ja kantaja- ja/tai erotuskaasun lähteet on yhdistetty reaktio-kammion (10;60;110) tulopuolelle.
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen laite, tunnettu siitä, että inertin erotuskaasun lähde (f ) on yhdistetty reaktiivisen kaasun lähteen (20;41,42) ja reaktiokammion (10;110) väliseen yhdysputkeen (12) (kuviot 5,6,12).
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktiivisen kaasun lähteen (41,42) mainittuun yhdysputkeen (12) nähden vastakkainen puoli on yhdistetty imupumppuun (17;50), jolla saadaan aikaan mainitusta erotuskaasu-lähteestä (fQ) diffuusiovallia muodostava virtaus (f^).
11. Patenttivaatimuksen 7,8,9 tai 10 mukainen laite, tunnettu siitä, että inertin kantajakaasun lähde on yhdistetty pulssiventtiilin (44) tai vastaavan vä- 20 57975 lityksellä reaktiivisen kaasun lähteeseen (20;41,42) sen reaktiotilaan (18) johtavan yhdysputken (12) nähden vastakkaiselle puolelle.
12. Patenttivaatimuksen 7,8,9,10 tai 11 mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktiotilaan (18) on järjestetty stationääriset pitimet, joihin substraatit (ll;lla,llb,llc) kiinnitetään.
13. Patenttivaatimuksen 7,8,9,10 tai 11 mukainen laite, tunnettu siitä, että substraatin tai substraattien (111) oidinlaite (61) on liikkuva, joko suoraviivaisesti (kuviot 13;14) tai pyörivästi (kuviot 8,9A,9B,9C) niin, että substraatin tietty kohta kulkee vuoron perään erotuskaasun alueen (55,55*;73, E,74) ja eri reaktiivisten kaasujen alueiden (51,52,51 *,52* ;75,F,74) kautta (kuviot 8,9A,9B,9C;13,14).
14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen laite, tunnettu siitä, että liikkuva substraattien pidin muodostuu akselin (64) ympäri pyörivästä siipirattaan tai vastaavan tapaisesta osasta, joka on sovitettu reaktiokammion sektorimaisten osien välille, jotka sektorit vuoronperään muodostavat inertin erotuskaasun virtaussolat (55,55'), jotka on toisesta päästään (63) kytketty imupumppuun ja toisesta päästään (66,67) erotuskaasun lähteeseen ja eri reaktiivisten kaasujen virtaussolat (51,52,51* ,52'), jotka on toisesta päästään kytketty imu-pumppuun ja toisesta päästään reaktiivisten kaasujen lähteisiin (53,54) (kuviot 9A,9B,9C).
15. Patenttivaatimuksen 13 mukainen laite, tunnettu siitä, että laite käsittää erotuskaasun ja reaktiivisten kaasujen jakokappaleen (72), jonka ulkopintaan avautuvat vuoronperään mainittujen kaasujen syöttöaukot (73,75) ja pois-toaukot (74), joiden yhteyteen on järjestetty liikkumaan tietyllä välyksellä (76) substraatti (11*) niin, että substraatin tietty kohta kulkee vuoron perään erotuskaasun virtauksen (E) muodostaman diffuusiovallin ja eri reaktiivisten kaasujen virtausalueiden (F) kautta. 57975 21
FI790680A 1979-02-28 1979-02-28 Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor FI57975C (fi)

Priority Applications (18)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI790680A FI57975C (fi) 1979-02-28 1979-02-28 Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor
US06/050,606 US4413022A (en) 1979-02-28 1979-06-21 Method for performing growth of compound thin films
AT80100568T ATE15820T1 (de) 1979-02-28 1980-02-04 Verfahren und vorrichtung zum erzielen des wachstums duenner schichten einer verbindung.
DE8080100568T DE3071110D1 (en) 1979-02-28 1980-02-04 Method and apparatus for performing growth of thin films of a compound
EP80100568A EP0015390B1 (en) 1979-02-28 1980-02-04 Method and apparatus for performing growth of thin films of a compound
ZA00800852A ZA80852B (en) 1979-02-28 1980-02-14 Method and apparatus for performing growth of compound thin films
IL59393A IL59393A (en) 1979-02-28 1980-02-15 Method and apparatus for performing growth of compound thin films
IN193/CAL/80A IN152596B (fi) 1979-02-28 1980-02-20
AU55786/80A AU535151B2 (en) 1979-02-28 1980-02-21 Atomic layer epitaxial growth of thin films
MX181260A MX151518A (es) 1979-02-28 1980-02-21 Metodo y aparato mejorados para llevar a cabo el crecimiento de peliculas compuestas
BR8001087A BR8001087A (pt) 1979-02-28 1980-02-25 Processo e aparelho para desenvolvimento de uma pelicula fina composta de diferentes elementos em uma superficie de substrato
CA000346409A CA1166937A (en) 1979-02-28 1980-02-26 Method and apparatus for performing growth of compound thin films
DK084680A DK157943C (da) 1979-02-28 1980-02-27 Fremgangsmaade og apparat til udfoerelse af en epitaksiel vaekst af atomare lag
SU802889600A SU1085510A3 (ru) 1979-02-28 1980-02-27 Способ получени составной пленки и устройство дл его осуществлени
HU80445A HU181779B (en) 1979-02-28 1980-02-27 Method and apparatus for growing thin film layer combined from atoms of various elements on some carrier surface
NO800555A NO155106C (no) 1979-02-28 1980-02-27 Fremgangsmaate og apparat for gjennomfoering av en atomsjiktsepitaksivekst.
PL1980222293A PL138247B1 (en) 1979-02-28 1980-02-27 Method of producing thin films of compoenets of various elements,in particular thin oxide films on glass and apparatus therefor
JP55023480A JPS6021955B2 (ja) 1979-02-28 1980-02-28 化合物薄膜の成長のための方法と装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI790680A FI57975C (fi) 1979-02-28 1979-02-28 Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor
FI790680 1979-02-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FI57975B true FI57975B (fi) 1980-07-31
FI57975C FI57975C (fi) 1980-11-10

Family

ID=8512439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI790680A FI57975C (fi) 1979-02-28 1979-02-28 Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor

Country Status (18)

Country Link
US (1) US4413022A (fi)
EP (1) EP0015390B1 (fi)
JP (1) JPS6021955B2 (fi)
AT (1) ATE15820T1 (fi)
AU (1) AU535151B2 (fi)
BR (1) BR8001087A (fi)
CA (1) CA1166937A (fi)
DE (1) DE3071110D1 (fi)
DK (1) DK157943C (fi)
FI (1) FI57975C (fi)
HU (1) HU181779B (fi)
IL (1) IL59393A (fi)
IN (1) IN152596B (fi)
MX (1) MX151518A (fi)
NO (1) NO155106C (fi)
PL (1) PL138247B1 (fi)
SU (1) SU1085510A3 (fi)
ZA (1) ZA80852B (fi)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7846499B2 (en) 2004-12-30 2010-12-07 Asm International N.V. Method of pulsing vapor precursors in an ALD reactor
WO2011019950A1 (en) 2009-08-14 2011-02-17 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species

Families Citing this family (548)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5889821A (ja) * 1981-11-24 1983-05-28 Canon Inc 堆積膜の製造装置
JPS5898917A (ja) * 1981-12-09 1983-06-13 Seiko Epson Corp 原子層エビタキシヤル装置
FI64878C (fi) * 1982-05-10 1984-01-10 Lohja Ab Oy Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer
US4664960A (en) * 1982-09-23 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Compositionally varied materials and method for synthesizing the materials
US4520039A (en) * 1982-09-23 1985-05-28 Sovonics Solar Systems Compositionally varied materials and method for synthesizing the materials
EP0145201A1 (en) * 1983-11-10 1985-06-19 Optical Coating Laboratory, Inc. Antireflection optical coating with antistatic properties
JPS60189928A (ja) * 1984-03-12 1985-09-27 Fujitsu Ltd 減圧気相成長装置
JPH0766906B2 (ja) * 1984-07-26 1995-07-19 新技術事業団 ＧａＡｓエピタキシャル成長方法
JPH0782991B2 (ja) * 1984-07-26 1995-09-06 新技術事業団 化合物半導体単結晶薄膜の成長法
GB2162862B (en) * 1984-07-26 1988-10-19 Japan Res Dev Corp A method of growing a thin film single crystalline semiconductor
JPH0782990B2 (ja) * 1984-07-26 1995-09-06 新技術事業団 半導体装置の製造方法
JPH0766910B2 (ja) * 1984-07-26 1995-07-19 新技術事業団 半導体単結晶成長装置
JPH0787179B2 (ja) * 1984-07-26 1995-09-20 新技術事業団 超格子半導体装置の製造方法
JPH0715884B2 (ja) * 1984-07-26 1995-02-22 新技術事業団 選択型結晶の成長方法
GB2162207B (en) 1984-07-26 1989-05-10 Japan Res Dev Corp Semiconductor crystal growth apparatus
JPH0766908B2 (ja) * 1984-07-26 1995-07-19 新技術事業団 半導体単結晶成長方法
JP2577542B2 (ja) * 1984-07-26 1997-02-05 新技術事業団 半導体結晶成長装置
JPH0766907B2 (ja) * 1984-07-26 1995-07-19 新技術事業団 半導体結晶成長方法
US5294286A (en) * 1984-07-26 1994-03-15 Research Development Corporation Of Japan Process for forming a thin film of silicon
JPH07120625B2 (ja) * 1984-08-08 1995-12-20 新技術事業団 化合物半導体単結晶薄膜の形成方法
JP2577543B2 (ja) * 1984-08-08 1997-02-05 新技術事業団 単結晶薄膜成長装置
JP2577544B2 (ja) * 1984-08-08 1997-02-05 新技術事業団 半導体装置の製造方法
JPS62226892A (ja) * 1986-03-29 1987-10-05 Univ Tohoku 単結晶サフアイア薄膜の製造法
JPS6328031A (ja) * 1986-07-21 1988-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長装置
JP2587623B2 (ja) * 1986-11-22 1997-03-05 新技術事業団 化合物半導体のエピタキシヤル結晶成長方法
JPH0727861B2 (ja) * 1987-03-27 1995-03-29 富士通株式会社 ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体結晶の成長方法
US5296087A (en) * 1987-08-24 1994-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Crystal formation method
DE3743938C2 (de) * 1987-12-23 1995-08-31 Cs Halbleiter Solartech Verfahren zum Atomschicht-Epitaxie-Aufwachsen einer III/V-Verbindungshalbleiter-Dünnschicht
US4931132A (en) * 1988-10-07 1990-06-05 Bell Communications Research, Inc. Optical control of deposition of crystal monolayers
WO1990007019A1 (en) * 1988-12-21 1990-06-28 Monkowski-Rhine, Inc. Chemical vapor deposition reactor and method for use thereof
DE3843157C1 (fi) * 1988-12-22 1990-05-10 Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 6380 Bad Homburg, De
JPH0824191B2 (ja) * 1989-03-17 1996-03-06 富士通株式会社 薄膜トランジスタ
US5071670A (en) * 1990-06-11 1991-12-10 Kelly Michael A Method for chemical vapor deposition under a single reactor vessel divided into separate reaction chambers each with its own depositing and exhausting means
US5480818A (en) * 1992-02-10 1996-01-02 Fujitsu Limited Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor
JP3351477B2 (ja) * 1993-02-04 2002-11-25 理化学研究所 固体レーザー結晶薄膜作成方法および固体レーザー結晶薄膜作成装置
JP3181171B2 (ja) * 1994-05-20 2001-07-03 シャープ株式会社 気相成長装置および気相成長方法
JP2654608B2 (ja) * 1994-09-09 1997-09-17 科学技術振興事業団 ＧａＡｓ半導体ダイオードの製造方法
FI100409B (fi) * 1994-11-28 1997-11-28 Asm Int Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
FI97730C (fi) * 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
FI97731C (fi) * 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
JP3206375B2 (ja) * 1995-06-20 2001-09-10 信越半導体株式会社 単結晶薄膜の製造方法
US5759623A (en) * 1995-09-14 1998-06-02 Universite De Montreal Method for producing a high adhesion thin film of diamond on a Fe-based substrate
FI954922A (fi) * 1995-10-16 1997-04-17 Picopak Oy Valmistusmenetelmä sekä kontaktinystyrakenne puolijohdepalojen tiheitä pintaliitoksia varten
US6013583A (en) * 1996-06-25 2000-01-11 International Business Machines Corporation Low temperature BPSG deposition process
JPH10308283A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Denso Corp Ｅｌ素子およびその製造方法
FI972874A0 (fi) 1997-07-04 1997-07-04 Mikrokemia Oy Foerfarande och anordning foer framstaellning av tunnfilmer
US5972430A (en) * 1997-11-26 1999-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Digital chemical vapor deposition (CVD) method for forming a multi-component oxide layer
FI104383B (fi) * 1997-12-09 2000-01-14 Fortum Oil & Gas Oy Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi
US6974766B1 (en) 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
FI118342B (fi) * 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US6812157B1 (en) 1999-06-24 2004-11-02 Prasad Narhar Gadgil Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition
FI110311B (fi) 1999-07-20 2002-12-31 Asm Microchemistry Oy Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista
US7554829B2 (en) 1999-07-30 2009-06-30 Micron Technology, Inc. Transmission lines for CMOS integrated circuits
DE60041341D1 (de) 1999-08-17 2009-02-26 Tokyo Electron Ltd Gepulstes plasmabehandlungsverfahren und vorrichtung
US6391785B1 (en) * 1999-08-24 2002-05-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes
US6727169B1 (en) 1999-10-15 2004-04-27 Asm International, N.V. Method of making conformal lining layers for damascene metallization
US6503330B1 (en) 1999-12-22 2003-01-07 Genus, Inc. Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
US6551399B1 (en) 2000-01-10 2003-04-22 Genus Inc. Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition
US6319766B1 (en) 2000-02-22 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification
JP4556282B2 (ja) * 2000-03-31 2010-10-06 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子およびその製造方法
TW496907B (en) * 2000-04-14 2002-08-01 Asm Microchemistry Oy Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate
US7060132B2 (en) * 2000-04-14 2006-06-13 Asm International N.V. Method and apparatus of growing a thin film
US6482733B2 (en) 2000-05-15 2002-11-19 Asm Microchemistry Oy Protective layers prior to alternating layer deposition
US6759325B2 (en) 2000-05-15 2004-07-06 Asm Microchemistry Oy Sealing porous structures
WO2001094662A1 (fr) * 2000-06-07 2001-12-13 Commissariat A L'energie Atomique Procede de preparation d'un revetement sur un substrat par le procede ald utilisant un reactant deutere
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7101795B1 (en) * 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
FI20001694A0 (fi) * 2000-07-20 2000-07-20 Asm Microchemistry Oy Menetelmä ohutkalvon kasvattamiseksi substraatille
US6461909B1 (en) 2000-08-30 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Process for fabricating RuSixOy-containing adhesion layers
US6903005B1 (en) 2000-08-30 2005-06-07 Micron Technology, Inc. Method for the formation of RuSixOy-containing barrier layers for high-k dielectrics
US6617173B1 (en) 2000-10-11 2003-09-09 Genus, Inc. Integration of ferromagnetic films with ultrathin insulating film using atomic layer deposition
US20030190424A1 (en) * 2000-10-20 2003-10-09 Ofer Sneh Process for tungsten silicide atomic layer deposition
WO2002070142A1 (en) * 2000-12-06 2002-09-12 Angstron Systems, Inc. Method and apparatus for improved temperature control in atomic layer deposition
US9255329B2 (en) 2000-12-06 2016-02-09 Novellus Systems, Inc. Modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US6630201B2 (en) 2001-04-05 2003-10-07 Angstron Systems, Inc. Adsorption process for atomic layer deposition
US6800173B2 (en) 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
US6765178B2 (en) * 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US20020127336A1 (en) * 2001-01-16 2002-09-12 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6811814B2 (en) 2001-01-16 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
KR100408733B1 (ko) 2001-02-02 2003-12-11 주성엔지니어링(주) 박막 증착 방법
AU2002306436A1 (en) 2001-02-12 2002-10-15 Asm America, Inc. Improved process for deposition of semiconductor films
US6613656B2 (en) 2001-02-13 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Sequential pulse deposition
US6852167B2 (en) 2001-03-01 2005-02-08 Micron Technology, Inc. Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6939579B2 (en) * 2001-03-07 2005-09-06 Asm International N.V. ALD reactor and method with controlled wall temperature
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
KR100853903B1 (ko) * 2001-03-20 2008-08-25 맷슨 테크놀로지, 인크. 비교적 높은 유전율을 갖는 코팅을 기판 상에 증착하는 방법
US20020144786A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-10 Angstron Systems, Inc. Substrate temperature control in an ALD reactor
US6627268B1 (en) 2001-05-03 2003-09-30 Novellus Systems, Inc. Sequential ion, UV, and electron induced chemical vapor deposition
US7056278B2 (en) * 2001-06-01 2006-06-06 Adamed Sp. Z.O.O. Method of treating overactive bladder in women
JP2002367990A (ja) * 2001-06-04 2002-12-20 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法
US6849545B2 (en) 2001-06-20 2005-02-01 Applied Materials, Inc. System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
JP2005504885A (ja) 2001-07-25 2005-02-17 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成
US7085616B2 (en) * 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US6835414B2 (en) 2001-07-27 2004-12-28 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Method for producing coated substrates
US6844203B2 (en) * 2001-08-30 2005-01-18 Micron Technology, Inc. Gate oxides, and methods of forming
US8026161B2 (en) 2001-08-30 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US7049226B2 (en) * 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US6936906B2 (en) 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US7204886B2 (en) 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6773507B2 (en) 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US7081271B2 (en) 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6953730B2 (en) 2001-12-20 2005-10-11 Micron Technology, Inc. Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics
US6939801B2 (en) * 2001-12-21 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material
CN1643179B (zh) * 2002-01-17 2010-05-26 松德沃技术公司 Ald装置和方法
US6767795B2 (en) 2002-01-17 2004-07-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY
WO2003065424A2 (en) 2002-01-25 2003-08-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
AU2003220088A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-22 Sundew Technologies, Llc Ald method and apparatus
US6812100B2 (en) 2002-03-13 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Evaporation of Y-Si-O films for medium-k dielectrics
US7439191B2 (en) 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6846516B2 (en) 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6875271B2 (en) 2002-04-09 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Simultaneous cyclical deposition in different processing regions
US6869838B2 (en) 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US20040247787A1 (en) * 2002-04-19 2004-12-09 Mackie Neil M. Effluent pressure control for use in a processing system
JP2005523384A (ja) * 2002-04-19 2005-08-04 マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド 低蒸気圧のガス前駆体を用いて基板上にフィルムを蒸着させるシステム
US7045430B2 (en) 2002-05-02 2006-05-16 Micron Technology Inc. Atomic layer-deposited LaAlO3 films for gate dielectrics
US7160577B2 (en) 2002-05-02 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits
US7589029B2 (en) 2002-05-02 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition and conversion
JP4292777B2 (ja) * 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
US7041335B2 (en) 2002-06-04 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Titanium tantalum nitride silicide layer
US7135421B2 (en) 2002-06-05 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide
US7205218B2 (en) 2002-06-05 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Method including forming gate dielectrics having multiple lanthanide oxide layers
US7154140B2 (en) 2002-06-21 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Write once read only memory with large work function floating gates
US6804136B2 (en) * 2002-06-21 2004-10-12 Micron Technology, Inc. Write once read only memory employing charge trapping in insulators
US7193893B2 (en) 2002-06-21 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Write once read only memory employing floating gates
US7221017B2 (en) * 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide-conductor nanolaminates
US7221586B2 (en) 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide nanolaminates
US6838125B2 (en) 2002-07-10 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method of film deposition using activated precursor gases
US6955211B2 (en) 2002-07-17 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US7066194B2 (en) 2002-07-19 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Valve design and configuration for fast delivery system
US6772072B2 (en) 2002-07-22 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery
US6915592B2 (en) 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US6921702B2 (en) 2002-07-30 2005-07-26 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics
US7186630B2 (en) 2002-08-14 2007-03-06 Asm America, Inc. Deposition of amorphous silicon-containing films
US6884739B2 (en) * 2002-08-15 2005-04-26 Micron Technology Inc. Lanthanide doped TiOx dielectric films by plasma oxidation
US6790791B2 (en) 2002-08-15 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Lanthanide doped TiOx dielectric films
US20040036129A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions
US6967154B2 (en) 2002-08-26 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Enhanced atomic layer deposition
US7199023B2 (en) 2002-08-28 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited HfSiON dielectric films wherein each precursor is independendently pulsed
US7084078B2 (en) 2002-08-29 2006-08-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited lanthanide doped TiOx dielectric films
US6936086B2 (en) * 2002-09-11 2005-08-30 Planar Systems, Inc. High conductivity particle filter
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040069227A1 (en) 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
US7101813B2 (en) 2002-12-04 2006-09-05 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films
US6958302B2 (en) 2002-12-04 2005-10-25 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films using TiI4
US20040142558A1 (en) 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
WO2004064147A2 (en) 2003-01-07 2004-07-29 Applied Materials, Inc. Integration of ald/cvd barriers with porous low k materials
US6753248B1 (en) 2003-01-27 2004-06-22 Applied Materials, Inc. Post metal barrier/adhesion film
JP4528489B2 (ja) * 2003-01-27 2010-08-18 独立行政法人理化学研究所 ｐ型半導体を用いた紫外発光素子
US6994319B2 (en) * 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
US6868859B2 (en) * 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
US7192892B2 (en) 2003-03-04 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited dielectric layers
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7135369B2 (en) 2003-03-31 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited ZrAlxOy dielectric layers including Zr4AlO9
US7294360B2 (en) * 2003-03-31 2007-11-13 Planar Systems, Inc. Conformal coatings for micro-optical elements, and method for making the same
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
US7601223B2 (en) 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
WO2004113585A2 (en) 2003-06-18 2004-12-29 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of barrier materials
US7049192B2 (en) 2003-06-24 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectrics
US7192824B2 (en) 2003-06-24 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers
US20100129548A1 (en) * 2003-06-27 2010-05-27 Sundew Technologies, Llc Ald apparatus and method
DE602004027256D1 (de) * 2003-06-27 2010-07-01 Sundew Technologies Llc Vorrichtung und verfahren zur steuerung des dampfdrucks einer chemikalienquelle
US20050067103A1 (en) 2003-09-26 2005-03-31 Applied Materials, Inc. Interferometer endpoint monitoring device
US20050221004A1 (en) * 2004-01-20 2005-10-06 Kilpela Olli V Vapor reactant source system with choked-flow elements
US20050233477A1 (en) * 2004-03-05 2005-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US7241686B2 (en) 2004-07-20 2007-07-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tantalum-containing materials using the tantalum precursor TAIMATA
US7601649B2 (en) 2004-08-02 2009-10-13 Micron Technology, Inc. Zirconium-doped tantalum oxide films
US7081421B2 (en) 2004-08-26 2006-07-25 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide dielectric layer
US7494939B2 (en) 2004-08-31 2009-02-24 Micron Technology, Inc. Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer
US7588988B2 (en) 2004-08-31 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition
US7966969B2 (en) 2004-09-22 2011-06-28 Asm International N.V. Deposition of TiN films in a batch reactor
US7429402B2 (en) 2004-12-10 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition
US7235501B2 (en) 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
DE102005003336B3 (de) * 2005-01-25 2006-07-13 Bte Bedampfungstechnik Gmbh Verfahren zur Bildung einer dünnen Schicht auf einer Substratoberfläche
US7687383B2 (en) * 2005-02-04 2010-03-30 Asm America, Inc. Methods of depositing electrically active doped crystalline Si-containing films
US7608549B2 (en) * 2005-03-15 2009-10-27 Asm America, Inc. Method of forming non-conformal layers
US7687409B2 (en) 2005-03-29 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited titanium silicon oxide films
US7662729B2 (en) 2005-04-28 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer
US7473637B2 (en) 2005-07-20 2009-01-06 Micron Technology, Inc. ALD formed titanium nitride films
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
US7850779B2 (en) 2005-11-04 2010-12-14 Applied Materisals, Inc. Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
KR20080089403A (ko) * 2005-12-22 2008-10-06 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 도핑된 반도체 물질들의 에피택시 증착
FI121341B (fi) * 2006-02-02 2010-10-15 Beneq Oy Hopean suojapinnoitus
US7709402B2 (en) 2006-02-16 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films
US7235736B1 (en) 2006-03-18 2007-06-26 Solyndra, Inc. Monolithic integration of cylindrical solar cells
US7413982B2 (en) * 2006-03-29 2008-08-19 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US7456429B2 (en) 2006-03-29 2008-11-25 Eastman Kodak Company Apparatus for atomic layer deposition
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US8278176B2 (en) 2006-06-07 2012-10-02 Asm America, Inc. Selective epitaxial formation of semiconductor films
US7691757B2 (en) 2006-06-22 2010-04-06 Asm International N.V. Deposition of complex nitride films
US7801623B2 (en) * 2006-06-29 2010-09-21 Medtronic, Inc. Implantable medical device having a conformal coating
US7563730B2 (en) 2006-08-31 2009-07-21 Micron Technology, Inc. Hafnium lanthanide oxynitride films
US8053372B1 (en) 2006-09-12 2011-11-08 Novellus Systems, Inc. Method of reducing plasma stabilization time in a cyclic deposition process
US7871678B1 (en) 2006-09-12 2011-01-18 Novellus Systems, Inc. Method of increasing the reactivity of a precursor in a cyclic deposition process
US8092695B2 (en) 2006-10-30 2012-01-10 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
US7775508B2 (en) 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US11136667B2 (en) 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US7789961B2 (en) 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
US20080166880A1 (en) * 2007-01-08 2008-07-10 Levy David H Delivery device for deposition
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US8821637B2 (en) 2007-01-29 2014-09-02 Applied Materials, Inc. Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition
US8043432B2 (en) * 2007-02-12 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Atomic layer deposition systems and methods
CN101657564A (zh) 2007-02-12 2010-02-24 莲花应用技术有限责任公司 用原子层沉积制备复合材料
US7629256B2 (en) 2007-05-14 2009-12-08 Asm International N.V. In situ silicon and titanium nitride deposition
US7939932B2 (en) * 2007-06-20 2011-05-10 Analog Devices, Inc. Packaged chip devices with atomic layer deposition protective films
US7759199B2 (en) 2007-09-19 2010-07-20 Asm America, Inc. Stressor for engineered strain on channel
US7585762B2 (en) 2007-09-25 2009-09-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition processes for tantalum carbide nitride materials
US7678298B2 (en) 2007-09-25 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Tantalum carbide nitride materials by vapor deposition processes
US8211231B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-03 Eastman Kodak Company Delivery device for deposition
US8398770B2 (en) * 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8030212B2 (en) * 2007-09-26 2011-10-04 Eastman Kodak Company Process for selective area deposition of inorganic materials
US20090081360A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Oled display encapsulation with the optical property
US8182608B2 (en) * 2007-09-26 2012-05-22 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US7972898B2 (en) * 2007-09-26 2011-07-05 Eastman Kodak Company Process for making doped zinc oxide
US7572686B2 (en) * 2007-09-26 2009-08-11 Eastman Kodak Company System for thin film deposition utilizing compensating forces
US7851380B2 (en) * 2007-09-26 2010-12-14 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US20090081356A1 (en) 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Process for forming thin film encapsulation layers
US7858144B2 (en) * 2007-09-26 2010-12-28 Eastman Kodak Company Process for depositing organic materials
US8017183B2 (en) * 2007-09-26 2011-09-13 Eastman Kodak Company Organosiloxane materials for selective area deposition of inorganic materials
US20090079328A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Thin film encapsulation containing zinc oxide
US7824743B2 (en) 2007-09-28 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Deposition processes for titanium nitride barrier and aluminum
US7939447B2 (en) 2007-10-26 2011-05-10 Asm America, Inc. Inhibitors for selective deposition of silicon containing films
US20090137043A1 (en) * 2007-11-27 2009-05-28 North Carolina State University Methods for modification of polymers, fibers and textile media
US7655543B2 (en) * 2007-12-21 2010-02-02 Asm America, Inc. Separate injection of reactive species in selective formation of films
US20100123993A1 (en) * 2008-02-13 2010-05-20 Herzel Laor Atomic layer deposition process for manufacture of battery electrodes, capacitors, resistors, and catalyzers
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US20090291209A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Asm International N.V. Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition
US9238867B2 (en) 2008-05-20 2016-01-19 Asm International N.V. Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition
FI122941B (fi) * 2008-06-12 2012-09-14 Beneq Oy Sovitelma ALD-reaktorin yhteydessä
EP2159304A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-03 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for atomic layer deposition
US8491967B2 (en) 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
US20100062149A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
US8146896B2 (en) 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
US7833906B2 (en) 2008-12-11 2010-11-16 Asm International N.V. Titanium silicon nitride deposition
US8486191B2 (en) 2009-04-07 2013-07-16 Asm America, Inc. Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber
US20100266765A1 (en) * 2009-04-21 2010-10-21 White Carl L Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate
US8657959B2 (en) * 2009-07-31 2014-02-25 E I Du Pont De Nemours And Company Apparatus for atomic layer deposition on a moving substrate
US20110023775A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Apparatus for atomic layer deposition
US20110097489A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Distribution manifold including multiple fluid communication ports
US20110097491A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Levy David H Conveyance system including opposed fluid distribution manifolds
US20110097487A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold including bonded plates
US20110097492A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold operating state management system
US20110097488A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold including mirrored finish plate
US20110097494A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid conveyance system including flexible retaining mechanism
US20110097490A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold including compliant plates
US20110097493A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold including non-parallel non-perpendicular slots
FI20096153A0 (fi) 2009-11-06 2009-11-06 Beneq Oy Menetelmä koristepäällysteen muodostamiseksi, koristepäällyste ja sen käyttötapoja
FI20096154A0 (fi) 2009-11-06 2009-11-06 Beneq Oy Menetelmä kalvon muodostamiseksi, kalvo ja sen käyttöjä
US8367528B2 (en) 2009-11-17 2013-02-05 Asm America, Inc. Cyclical epitaxial deposition and etch
WO2011062779A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Eastman Kodak Company Method for selective deposition and devices
FI20096262A0 (fi) 2009-11-30 2009-11-30 Beneq Oy Menetelmä koristepinnoitteen muodostamiseksi jalokiveen, jalokiven koristepinnoite, ja sen käytöt
FI122616B (fi) 2010-02-02 2012-04-30 Beneq Oy Vahvistettu rakennemoduuli ja sen valmistusmenetelmä
FI124113B (fi) * 2010-08-30 2014-03-31 Beneq Oy Laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan muokkaamiseksi
US8778204B2 (en) 2010-10-29 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process
CN103189964A (zh) 2010-11-04 2013-07-03 诺发系统公司 钽的离子诱导原子层沉积
US8809170B2 (en) 2011-05-19 2014-08-19 Asm America Inc. High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8961804B2 (en) 2011-10-25 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for photomask etching
US8808559B2 (en) 2011-11-22 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for reflective multi-material layers etching
US8618003B2 (en) 2011-12-05 2013-12-31 Eastman Kodak Company Method of making electronic devices using selective deposition
US8900469B2 (en) 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
IN2014DN09214A (fi) * 2012-05-14 2015-07-10 Picosun Oy
KR20150023017A (ko) * 2012-06-15 2015-03-04 피코순 오와이 원자층 퇴적에 의한 기판 웹 코팅
RU2600462C2 (ru) * 2012-06-15 2016-10-20 Пикосан Ой Покрытие полотна подложки осаждением атомных слоев
US9805939B2 (en) 2012-10-12 2017-10-31 Applied Materials, Inc. Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US8778574B2 (en) 2012-11-30 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9478422B2 (en) 2013-02-25 2016-10-25 Solan, LLC Methods for fabricating refined graphite-based structures and devices made therefrom
JP6134191B2 (ja) 2013-04-07 2017-05-24 村川 惠美 回転型セミバッチａｌｄ装置
US9490149B2 (en) * 2013-07-03 2016-11-08 Lam Research Corporation Chemical deposition apparatus having conductance control
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11267012B2 (en) * 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
EP2960059B1 (en) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6398761B2 (ja) * 2015-02-04 2018-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10954597B2 (en) * 2015-03-17 2021-03-23 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition apparatus
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
KR102420015B1 (ko) 2015-08-28 2022-07-12 삼성전자주식회사 Cs-ald 장치의 샤워헤드
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
TWI571526B (zh) * 2015-12-18 2017-02-21 國家中山科學研究院 一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
CN109072430A (zh) * 2016-04-12 2018-12-21 皮考逊公司 通过ald进行涂覆以用于抑制金属晶须
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) * 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
TWI620830B (zh) * 2016-12-30 2018-04-11 Nat Chung Shan Inst Science & Tech Batch coating process system
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6640781B2 (ja) * 2017-03-23 2020-02-05 キオクシア株式会社 半導体製造装置
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10774422B2 (en) 2018-06-01 2020-09-15 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for controlling vapor phase processing
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US20220064792A1 (en) 2020-08-25 2022-03-03 Innovalens B.V. Partial coating of intraocular lenses using spatial atomic layer deposition
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1057845B (de) * 1954-03-10 1959-05-21 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung von einkristallinen halbleitenden Verbindungen
NL252729A (fi) * 1959-06-18
US3218203A (en) * 1961-10-09 1965-11-16 Monsanto Co Altering proportions in vapor deposition process to form a mixed crystal graded energy gap
NL6709379A (fi) * 1967-07-06 1969-01-08
US3602192A (en) * 1969-05-19 1971-08-31 Ibm Semiconductor wafer processing
US3721583A (en) * 1970-12-08 1973-03-20 Ibm Vapor phase epitaxial deposition process for forming superlattice structure
US4015558A (en) * 1972-12-04 1977-04-05 Optical Coating Laboratory, Inc. Vapor deposition apparatus
US3964937A (en) * 1973-08-13 1976-06-22 Materials Technology Corporation Method of making a composite coating
SE393967B (sv) * 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
US4048955A (en) * 1975-09-02 1977-09-20 Texas Instruments Incorporated Continuous chemical vapor deposition reactor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7846499B2 (en) 2004-12-30 2010-12-07 Asm International N.V. Method of pulsing vapor precursors in an ALD reactor
WO2011019950A1 (en) 2009-08-14 2011-02-17 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6021955B2 (ja) 1985-05-30
DK157943B (da) 1990-03-05
US4413022A (en) 1983-11-01
FI57975C (fi) 1980-11-10
EP0015390A1 (en) 1980-09-17
ATE15820T1 (de) 1985-10-15
MX151518A (es) 1984-12-10
AU5578680A (en) 1980-09-04
ZA80852B (en) 1981-02-25
IL59393A (en) 1983-06-15
DK157943C (da) 1990-08-27
BR8001087A (pt) 1980-10-29
NO155106C (no) 1987-02-11
JPS55130896A (en) 1980-10-11
NO800555L (no) 1980-08-29
DE3071110D1 (en) 1985-10-31
HU181779B (en) 1983-11-28
PL222293A1 (fi) 1980-11-03
NO155106B (no) 1986-11-03
IL59393A0 (en) 1980-05-30
AU535151B2 (en) 1984-03-08
DK84680A (da) 1980-08-29
IN152596B (fi) 1984-02-18
EP0015390B1 (en) 1985-09-25
SU1085510A3 (ru) 1984-04-07
CA1166937A (en) 1984-05-08
PL138247B1 (en) 1986-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI57975B (fi) Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor
US8187679B2 (en) Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
US5819683A (en) Trap apparatus
US4138306A (en) Apparatus for the treatment of semiconductors
US6972055B2 (en) Continuous flow deposition system
CN110582591B (zh) 原子层沉积设备、方法和阀
US9683289B2 (en) Device and method for continuous chemical vapour deposition under atmospheric pressure and use thereof
JP2001348666A (ja) 基板上に薄膜を成長させる方法および装置
IE811017L (en) Chemical vapor deposition of films on silicon wafers
CN107452653A (zh) 具有集成蒸气浓度传感器的蒸气歧管
CN104508177B (zh) 气体分离器
EP1420866B1 (fr) Dispositif a enceintes multiples pour l&#39;evaporation fractionnee et la separation d&#39;une solution
US20220145462A1 (en) Gas distribution unit in connection with ald reactor
EP3118349B1 (en) Deposition source, deposition apparatus and method of operating thereof
KR102531696B1 (ko) 전구체 컨테이너
CN219363795U (zh) 一种蒸发器
US20130064975A1 (en) Vapor transport deposition system and method employing removable shields
US20230227974A1 (en) Substrate processing apparatus and method
CN114496707A (zh) 反应器和相关方法
JP4452345B2 (ja) 金属・有機ガススクラバー
KR20020008193A (ko) 보호용 가스 차폐 장치
JPS63179067A (ja) 真空装置
JPH04163911A (ja) 光ｃｖｄ装置
JPS6366924A (ja) 光ｃｖｄによる固体薄膜の製造装置
KR19980025735A (ko) 다수의 진공포트를 구비한 반도체 제조용의 화학기상증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
MA Patent expired
MA Patent expired

Owner name: ELKOTRADE AG