HU181779B - Method and apparatus for growing thin film layer combined from atoms of various elements on some carrier surface - Google Patents
Method and apparatus for growing thin film layer combined from atoms of various elements on some carrier surface Download PDFInfo
- Publication number
- HU181779B HU181779B HU80445A HU44580A HU181779B HU 181779 B HU181779 B HU 181779B HU 80445 A HU80445 A HU 80445A HU 44580 A HU44580 A HU 44580A HU 181779 B HU181779 B HU 181779B
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- reactive
- vapors
- reaction zone
- chamber
- carrier
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
- C23C16/306—AII BVI compounds, where A is Zn, Cd or Hg and B is S, Se or Te
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
A találmány tárgya eljárás és berendezés különböző elemekből álló, atomokból összetett vékony filmréteg növesztésére valamely hordozó felületén, az ilyen elemeket tartalmazó különböző anyagok változó felületi reakciói révén.
A találmány kiteljed olyan készülékekre is, amelynek a segítségével a találmány szerinti eljárás foganatosítható.
A 4 058 430 számú amerikai szabadalmi leírásban ismertettek összetett vékony filmeket, valamint ezek előállítását. E módszerrel, amelyet ALE eljárásnak neveznek (Atomié Layer Epitaxy), jó minőségű összetett vékony filmek készíthetők oly módon, hogy a megnövelendő felületet egymást követően olyan reaktív gőzök hatásának teszik ki, amelyek a felületet különálló vékony rétegekkel növelik minden egyes lépésben.
A korábbi, vékony filmréteg felhordására alkalmas módszereknek az ALE eljárással való összehasonlításánál látható, hogy az ALE eljárás különböző reaktív gőzök külön-külön lefolytatott felületi reakcióit kívánja meg és ez speciális készüléket és eljárást igényel a megvalósításhoz. A 4 058 430 számú amerikai szabadalmi leírásban megadott módon megközelítették ezeket a követelményeket hagyományos vákuumos bevonó módszerek alkalmazásával, így elkülönített reakciózónákat vagy szakaszokat alakítottak ki nagyvákuumos körülmények között. A reakciózónákból származó reaktív gőzök szivárgása 181779 )
miatt és felületcserés reakciók esetében a maradékgőzöknek köszönhetően nehézségek jelentkeztek nagyvákuumos körülmények között, amelyek szükségesek a reakciólépések sikeres elkülönítésénél.
A fentiek csökkentik az ALE eljárás előnyét, mely eljárás önstabilizáló sebességnövelő sajátságai úgy érhetők el, hogy olyan reaktív gőzmennyiségeket használnak, amelyek feleslegben tartalmaznak reakcióképes atomokat ahhoz képest, mint amennyi az egész felületnek egyetlen felületi reakciólépésben való befedéséhez szükséges.
A találmány célkitűzése eljárás és berendezés kidolgozása a fenti mehézségek leküzdésére. A találmány értelmében vákuum-felhordó módszert alkalmazunk az ALE felületnövelő eljárás megvalósításánál. Fontos jellemzője a találmány szerinti eljárásnak az, hogy gázfázisú diffúziós gátakat használunk az egyes felületi reakciólépések elkülönítése érdekében. A találmány szerinti diffúziós gátat alkalmazó módszereket használjuk szelephatások létesítésére annak érdekében, hogy szabályozzuk a reaktív gőzök áramlását forrásaikból a felületi reakciózónához. Ezen túlmenően a diffúziós gátak képzéséhez használt gázt vivőgázként alkalmazhatjuk a reaktív gőzöknek forrásaikból a felületi reakciózónához való szállítására és a maradék-gőzöknek a felületi reakciózónából az elszívóhoz történő elvitelére.
Közömbös gázoknak vivőgázokként vagy védőgázokként való használata bizonyos vonatkozásokban ismert a szakterületen, például a gáz-1181^79 kromatográfia területén és a kémiai gőzfelhordó (CVD = Chemical Vapor Deposition) módszereknél, amelyeket széles körben alkalmaznak a félvezető iparban. Általában célszerű, ha a találmányt olyan módszernek tekintjük, amely az ALE növesztő eljárást a molekuláris sugaras növesztő módszertől (MBE = Molecular Beám Epitaxy) a CVD módszerek felé mozdítja el. A találmány szerinti módszernek és készüléknek a technika állásához tartozó CVD módszerekkel való összefüggése azonban hasonló az ALE eljárásnak a fejlődése és a hagyományos vákuumfelhordásos módszerek, ideszámítva az MBE módszert is, között meglevő jelentés különbségekhez.
Hangsúlyozzuk, hogy a találmány szerinti eljárás nem csupán a 4 058 430 számú amerikai szabadalmi leírásban ismertetett módszer változata az ALE eljárás szerinti növesztésre, hanem új előnyöket is biztosít a technika állásához képest az összetett vékony filmréteg növesztésére. Ezek az előnyök magukban foglalják azt a könnyedséget, amellyel a felületcserélődési reakciók végezhetők, ahol a növesztendő film elemi komponenseit a felületi reakció területére a szóban forgó film egy második összetevője formájában juttatjuk. Ez különösen akkor jelentős, ha olyan fémekről van szó, amelyek kis gőznyomással rendelkeznek, amelyek ily módon illékonyabb vegyületekkel, így fémhalogenidekkel vagy szerves fémvegyületekkel helyettesíthetők. Ily módon a kezdeti hőmérséklet, valamint az anyaghőmérséklet csökkenthető, amely szükséges ahhoz, hogy tökéletes visszapárolgás jöjjön létre az ALE eljárás szerinti teljes felületi fedőréteg kialakulása után. A fémoxidok növesztését illetően, a jelenlegi ismeretek szerint, a fémhalogenid kemiszorbeálódik egy oxigénfelületre halogénmolekula formában, míg a halogénatomokat felszabadítják a következő felületi reakciólépésben azokból a vízmolekulákból származó hidrogénatomok, amelyeket reaktív gőzként használunk az oxidáló felületi reakcióban.
A kicserélődési reakció másik előnye a növesztési sebesség alakulásában jelentkezik. Közvetlen elemi felületi reakciók esetében például, ahogy ez a ZnS növesztésénél történik, az egyatomos felületi fémréteg hajlamos arra, hogy újra elpárologjon, mielőtt végbemegy a felületi reakció a kéngőzzel. így a növekedési sebesség függ az újrapárolgási időtől az Zn- és S-felületi reakciólépésben, és ez csökken a hőmérséklet növekedésével. A megfelelő kicserélődési reakciók esetében ez a kedvezőtlen eset nem fordul elő és lényegében 0,1 nm/ciklus állandó növekedési sebesség észlelhető széles hőmérséklettartományban és újrapárolgási idő alatt. Megfigyelhető, hogy mindegyik vegyületnek jellegzetes saját növesztési sebessége van, amely egy a kérdéses szerkezet kristályszerkezeti tulajdonságai szerinti stabilis egyrétegű konfigurációnak felel meg.
A találmány szerinti eljárás kivitelezésére alkalmas készülék mechanikusan egyszerűbb, mint a megfelelő korábbi készülékek. Fontos előnyök mutatkoznak a műveletben és a találmány szerinti készülék jellemzőinek a megtartásában. A készülék alkalmas nagy felületek készítésére, amely annak tudható be, hogy az ALE eljárás önstabilizáló növesztési sebességét ténylegesen alkalmazzuk.
A találmány szerinti eljárásnak bizonyos előfeltételei vannak a használandó anyagok alakját illetően, amely annak köszönhető, hogy bizonyos „légmozgásokat” kell fenntartani gyors művelet megvalósítása érdekében. Az ideális anyagok a sima felülettel rendelkező síklapok, így például az üveglapok és hasonló lapok.
Az ALE eljárás műveleti sajátosságai lehetővé teszik meghatározott rétegszerkezetek és telítés elérését, és ilyen termékek könnyen kaphatók a találmány szerinti eljárással. Egyetlen felületi reakciólépésben alkalmazott reaktív gőz olyan komponenseket tartalmazhat, amelyek képesek reagálni a növesztendő felülettel, de nem kell olyan komponenseket tartalmaznia, amelyek egymással reagálnak és bizonyos szilárd állapotú vegyület alakul ki a felületnövesztő hőmérsékleten. Például egy bázisos ZnS-t módosíthatunk oly módon, hogy kis mennyiségű MnCl2 gőzt adagolunk a ZnCl2 reakciólépésben. Az MnCl2 és a ZnCl2 nem reagál egymással, de ezek egyike reakcióba lép a szilárd kénfelülettel és ZnS-el átitatott Mn keletkezik. Kevert vegyületeket hasonló módon készíthetünk, például CdCl2 gőzt adunk ZnCl2-ben keletkező ZnS-hez és így ZnxCd^S film képződik. Megfelelő átalakítás vagy elegyítés történhet a VI. csoportbeli vagy más csoportbeli elemekkel. A találmány szerinti eljárásnak megfelelő ALE típusú növesztés azon a felismerésen alapul, hogy az egymással reagálni képes gőzöknek az olyan anyag felületének hőmérsékletén, amely azonos hőmérsékleten, a szilárd állapotú reakciótermékben keletkezik, egymás közötti reakciói megelőzhetők a gázfázisú közeg vagy vivőgáz segítségével kialakított diffúziós gátak segítségével. A gázfázisú közeg valamely, a növekvő felülettel szemben közömbös gáz lehet. Bizonyos másodlagos befolyások, mint például katalitikus vagy gátlóhatások és felületi reakciómaradékátvitelek, előfordulhatnak.
A találmány szerinti eljárás előnyös foganatosítási módjait a rajzok kapcsán írjuk le, ahol az
1. ábra az Ax és By reaktív gőzimpulzusokat és az ilyen impulzusok közötti V diffúziós gátakat ábrázolja, a
2. ábra a találmány szerinti eljárás foganatosítására szolgáló változat vázlatos metszete, a
3. ábra a 2. ábra III—III vonala mentén készített keresztmetszet, a
4. ábra a találmány szerinti eljárással kapott önstabilizáló növesztési sebességet mutatja a technika állásával összehasonlítva, az
5. ábra olyan jellegzetes mágneses szelepet ábrázol, amelyet reaktív gőzimpulzus-forrás létesítésére használunk a találmány szerinti eljárásnak megfelelően, a
6. ábra valamely, a találmány szerinti eljárásnak megfelelő reaktív gőzimpulzus-forrás kiviteli alakjának vázlatos bemutatása, a
7. ábra a 6. ábrával analóg egyszerűsített áramkör rajza, a
8. ábra a találmány szerinti eljárás foganatosítására szolgáló más készülék kiviteli alakjának a vázlatos függőleges szakasza, a
9. ábra, amely a 9A-9C. ábrákból áll, a 8. ábra keresztmetszeti rajzait szemlélteti a IXA-IXA, IXB—IXB és a IXC—IXC vonal mentén, a
10. ábra egy lényegében az 1. ábrával összeférő kiviteli alak vázlatos metszetét szemlélteti, a
11. ábra a 10. ábra szerinti kiviteli alak felülnézetét mutatja, a
12. ábra a 10. ábra szerinti alaknál használt 6. ábra szerinti forrás változatának vázlatos képe, a
13. ábra a találmány szerinti eljárás foganatosítására használt készülék egy más kiviteli alakjának a vázlatos bemutatása, és a 14. ábra XIII-XIII vonala mentén készített függőleges metszeti rajz, a
14. ábra a 13. ábra XIV-XIV vonala mentén készített vízszintes metszeti rajza, a
15. ábra a találmány szerinti eljárással a 4. példában leírt módon készített elektrolumineszcensz (EL) vékony filmszerkezet vázlatos bemutatása, a
16. ábra a 15. ábra szerinti EL-szerkezetre kapott fény- és hatásgörbéket mutatja, a
17. ábra egy, az 5. példa szerint készített A12O3 vékony film mért elektromos tulajdonságait szemlélteti.
A találmány szerinti eljárásnak megfelelően különböző reaktív gőzöket egymás után ráviszünk valamely hordozóra, összetett vékony film növesztése érdekében. Ahogy például az 1. ábra mutatja, ilyen Ax és By reaktív gőzimpulzusokat, amelyek között V diffúziós gát helyezkedik el, parciális Po gőznyomáson vezetünk át a reakciózónán, ahol a diffúziós gát hossza Χθ a G gázfázisú közegben és a sebessége v az x irányban. A tB mennyiség a diffúziós gát időtartamát képviseli, amely lényegében megakadályozza a gőzök közötti reakciót, így kizárja azok bármilyen észlelhető hatását a végtermékre.
A 2. és 3. ábrán bemutatott kiviteli alaknál egy 10 üvegcső alkotja a fő szerkezettestet, egy 20 gőzforrás 12 csatlakozókkal kapcsolódik a cső alakú főtestben levő 18 reakciózónával, a cső alakú főtestből egy 13 elszívó csonk vezet egy 17 vákuumszivattyúhoz, amely meghatározott Pr nyomás fenntartását biztosítja és a 18 reakciózónát egy 15 fűtőtest veszi körül. A 18 reakciózónába a 10 üvegcső végén levő 14 nyíláson keresztül 11 hordozót vagy hordozókat viszünk be. A 100 vékony filmeknek a 11 hordozókon való növesztése folyamán all hordozó hőmérsékletét a 16 fűtőelemek segítségével szabványos regulátorral meghatározott értéken tartjuk. A 20 gőzforrásból származó gőzimpulzusokat szabványos időmérővel szabályozzuk és egymás után a 18 reakciózónához irányítjuk, az ALE elvnek és a találmány szerinti eljárásnak megfelelően.
Ahogy említettük, a találmány szerinti eljárás egy önstabilizáló növesztő hatást létesít, amelyet a korábbiakkal összehasonlítva a 4. ábra szemléltet. A görbék közül az £ görbe a találmány szerinti módszerrel növesztett vékony film vastagságprofilját mutatja és a film előállítására a 2. és 3. ábrák szerinti készüléket használtuk. Másrészt a b vastagság-profil az ismert módszerrel előállított megfelelő vékony film növesztésének az eredménye, ahol két reaktív gőz reagált egyidejűleg a szubsztrátummal.
Két fő módszert használtunk a reaktív gőzök impulzusainak a működtetésére. Ezek közül az egyik a mechanikus szelepek használatát igényli, amely egy közvetlen módszer olyan reaktív anyagok esetében, amelyek ténylegesen illékonyak szobahőmérsékleten. A megoldásnak ezt a módját az 5. ábra szemlélteti, ahol a gőzforrás és a reaktív gőztartály között 25 összekötő cső van elhelyezve, míg a 21 szeleptest 5 egy 22 mágneses szeleppel és egy 23 záróelemmel rendelkezik. A 26 szelepnyílás és egy 28 vivőgázszállító vezeték közvetlenül érintkezik a 20 gőzforrással. Valamely vivőgázáram alkalmazása annak érdekében célszerű, hogy a lehető legkisebbre 10 csökkentsük a maradékképződést a reaktív gázimpulzusok felé. A szelepműködést egy 30 időbeállítóval szabályozzuk.
Az impulzusforrás másik változatát a 6. ábra szemlélteti. A megoldás szerint a mechanikus szelep15 működést szabályozható diffúziós gátakkal helyettesítjük a gőzforrás és a reakciókamra közötti összekötő csőben. Ez a gőzforrás-típus előnyös olyan esetekben, ahol a reaktív anyagnak alacsony a gőznyomása és ennélfogva emelt hőmérsékleten kell azt a 20 reakciókamrába vezetni. A reaktív gőzt úgy képezzük, hogy valamely szilárd vagy folyékony M reaktív anyagot melegítünk a 41 párologtató zónában 47 fűtőelemek segítségével. Rögzített állapotok között egy diffúziós gát alakul ki egy a forrásba 25 nyúló 43 csőben valamely vivőgáz segítségével, amelyet 49 összekötő csőből táplálunk be és egy 46 összekötő csövön át az 50 szivattyúval elszívjuk. A 20 gőzforráshoz vezető 12 csatlakozóban megfelelő diffúziós gát képződik, amely megakadályozza azt, 30 hogy a gőzök a reakciókamrából a gőzforráshoz diffundáljanak. Az ilyen diffúziós gátak kialakításához szükséges körülményeket az alábbiakban részletesen leírjuk. Stabil állapotok között a 41 párologtató zónában keletkező reaktív gőzt egy 42 kondenzáló 35 zónába visszük, amelyet a 48 hűtőelemekkel hűtheíünk. A forrás stabil állapotát adagoló állapottá változtatjuk egy 44 szabályozó szeleppel oly módon, hogy kiegészítő vivőgázt táplálunk be, elég nagy mennyiségben ahhoz, hogy az áramlás irányát meg40 fordítsa a forrásba nyíló 43 csőben. A forrás működését részletesen a 7. ábrán szemléltetett áramköranalógia alapján mutatjuk be.
A találmány szerinti eljárás bemutatására szolgáló kiviteli alakokat különböző példákban írunk le és a 45 10. ábra, valamint all. ábra segítségével mutatunk be. Ilyen kiviteli alakok működési elvük tekintetében azonosak a 2. és 3. ábra szerinti megoldással és egy cső alakú reakciózónát, gőzfonást és elszívó eszközt foglalnak magukban. A 110 reakciózóna 50 rozsdamentes acélból készül, amelyet belül 96 üveglapok borítanak. Az elszívó eszköz egy 116 fűtőelemet, 19 kondenzáló zónát és egy 115 gázáramvezérlő falat tartalmaz. A hőmérsékletszabályozókat és az időmérő egységet a 90 és 91 tömbök jelölik. A 55 12. ábra a 10. és 11. ábrák szerinti megoldáshoz alkalmazott gőzfonását mutatja be a 6. és 7. ábrák szerinti elveknek megfelelően. Ebben a szerkezetben a 12 csatlakozócső és a 49 és 43 csövek koaxiális üvegcső segítségével vannak elrendezve és egy, a for60 rásba nyúló 43 csövet, valamint egy 84 üvegcsövet tartalmaznak. A gőzfonás 86 külső burkolata rozsdamentes acél.
A 2., a 3., a 10. és a 11. ábrák szerinti kiviteli alakok közös jellemzője az, hogy a hordozók 65 rögzített helyzetben vannak a reakciókamrában a
-3181779 vékony film növesztése során. A reaktív gőzimpulzusok átmennek a kamrán és valamilyen vivőgáz szállítja azokat, amely diffúziós gátakat létesít a reaktív gőzök impulzusai között.
A találmány szerinti eljárás úgy is megvalósítható, 5 hogy olyan kiviteli alakokat alkalmazunk, amelyek diffúziós gátakat alkotó más, lokálisan rögzített gázáramokkal egymástól elkülönített, lokálisan rögzített reaktív gőzáramokkal rendelkeznek. Ilyen kiviteli alakokban a ciklusosán változó egymásraha- jq tásokat a hordozó felülete és mindegyik reaktív gőzáram között rotációval vagy a hordozók szabályos időközökben ismétlődő mechanikus mozgatásával létesítjük. A hordozó felületének szempontjából a helyzet hasonló mindkét esetben, ahol a hor- 15 dozót egymás után tesszük ki mindegyik reaktív gőz hatásának egy gázfázisú közegben, mely utóbbi a reaktív gőzöket elkülönítve tartja a köztük létrehozott diffúziós gátak segítségével. Lokálisan rögzített reaktív gázáramokkal működő kiviteli alakokat 20 szemléltetnek a 8., a 9A., a 9B., 9C., valamint a 13. és a 14. ábrák. A 8., 9A., 9B. és 9C ábrák szerinti kiviteli alakoknál két - 53 és 54 - reaktív gőzforrás van elhelyezve a készülék 60 terének szemben levő 51 és 52 oszlopaiban. A gőzfonásokat 56 fűtő 25 elemekkel melegítjük. A reaktív gőzök diffúzió útján vagy vivőgázok segítségével felfelé áramlanak és találkoznak all hordozókkal, amelyek 61 forgó tartókban helyezkednek el és vízikerékhez hasonló szerkezetet alkotnak. Abban az esetben, ha a „vízi- 30 kerék” forog, a hordozók találkoznak minden egyes reagáló gőzárammal, amint azok átmennek az 51 és 52 oszlopokon. A vivőgázáramok a 66 és 67 csövekből az 55 oszlopon magukkal viszik a hordozók között levő reaktív gőzöket, miközben azok átmen- 35 nek az 55 oszlopokon. A hordozók közötti csatornákban az áramlási körülmények közel azonosak a
10. és 11. ábrák szerinti kiviteli alakoknál uralkodó áramlási körülményekkel. A 8. ábrán a hordozó forgatására a 64 eszköz szolgál, a reakciózónánál 68 40 fűtőelemek helyezkednek el, a 9A ábrán az 51’, 52’, 55’ és 57’ függőleges oszlopok között 57 falak vannak elhelyezve, melyeknek a 9C. ábrán az 51, 52, 55 és 57 elemek felelnek meg.
A 13. és 14. ábrák szerinti kiviteli alakoknál a hordozó felület és a reaktív gőzök közötti egymásrahatást all’ hordozó váltakozó mozgásával hozzuk létre a 75 forrásnyílások, a 73 vivőgáznyílások és a 74 szellőzőnyílások felett, a megadott sorrendben. A hordozófelület és a 72 gázáramvezető test között E diffúziós gátak képződnek. Az alábbiakban ismertetésre kerülő számítások szerint különféle műveletek végezhetők el ezzel a kiviteli alakkal, légköri nyomáson, gyakorlatilag nem nagy vivőgáz összáramlási se- 55 bességgel. A 13. és 14. ábrákon a 77 vivőgázbetápláló cső, 79 forráscsatlakozó és a 82 reaktív gázforrások láthatók.
Valamely ALE típusú eljárás általában ezer egyedi felületi reakciólépésből áll a vékony film 60 növesztése! során, a teljes műveleti idő, tp, hajlamos arra, hogy hosszúra nyúljék, kivéve, ha ügyelünk arra, hogy a lehető legkisebbre csökkentsük a késést a reakcióciklusban. Általában egy vékony filmfelvitel E minőségi mutatóját a következő egyenlet fejezi ki, 65
Ε T · As/jtp+tt) (1) ahol T a filmvastagság, As a bevonandó hordozó felület, tp a műveleti idő és tL a készülék betöltéséhez és ürítéséhez szükséges idő. A készülékköltségeket, az energiafogyasztást és a fonásanyag hasznosítási fokát nem vettük figyelembe.
Valamely ALE típusú eljárásnál a vékony film vastagságát a következő egyenlet fejezi ki,
T=N · To (2) ahol To az egy reakcióciklusban kapott vastagság és N a ciklusok száma. A tp műveleti időt a következő egyenlet adja, tp=N · tp (3) ahol az egy ciklus ideje, to, különböző reaktív gőzök tj, t2 · · tm impulzus-idejének és a diffúziós gátak felépítése közötti tjj, tj2,... tim időintervallumoknak az összege. Egyszerű AB biner összetétel esetén to a következő egyenlettel írható le:
to =t A+tiA+tB+tiB (4)
Az As hordozó felületet valamely eljárásváltozatnál főként a készülék mérete határozza meg és széles határok között változhat a találmány szerinti kiviteli alakoknál. A műveleti elemzés, amely a készülék méretének a hatását is magában foglalja, gyakorlatilag a tm és tim idők összehasonlításából áll egy reakcióciklusban. Részletes elemzést végeztünk a 2.,
3., 10. és 11. ábrák szerinti kiviteli alakok esetében, ahol a vivőgáz áramlási sebessége v a cső alakú reakciókamrában, a szabad keresztmetszeti felület pedig A az 1. ábra szerint, ahol az össznyomás pr és az Ax és By reaktív gőzimpulzusok po parciális nyomását vivőgázárammal segítettük x irányban.
A reaktív gőzimpulzusok hajlamosak arra, hogy szélesedjenek a növesztés folyamán. Ez a diffúziónak köszönhető a vivőgázban, amely a következő egyenlettel írható le,
(5) ahol D a reaktív gőz diffúziós állandója a vivőgázban. Lamináris áramlási körülmények között a reakciócsőben, és a sugárirányú sebesség elhanyagolása esetén az (5) egyenlet valamely egydimenziós egyenlettel helyettesíthető az x irányban: ·
(6)
Egyszerűség kedvéért a po nyomást az impulzusok széleinél állandónak tételezzük fel a diffúzió folyamán, amely a határoknál jelentkezik, és ez a feltételezés érvényes a diffúziós gát tekintetében is lokálisan rögzített esetekben, így a 6. és Ί. ábrák sze-4181779 rinti forrásoknál, valamint a 13. és 14. ábrák szerinti kiviteli alaknál. A (6) egyenlet megoldása tehát a következő:
p(x,t)=poerfc (x/2VDt) (7) ahol x az impulzusok szélei között levő távolságot fejezi ki, t pedig az impulzus kezdetétől eltelt idő. Egy ρ i izobár nyomás az impulzus-szélektől terjed a következő egyenlet szerint( x=2 C.VDt (8) ahol Cj jelentése erfc C1=p1}po (9)
A V diffúziós gát, amely képes lecsökkenteni az Ax és By parciális nyomását ρχ értékre, XB hosszúságú a (8) egyenlet és az 1. ábra szerint, és a következő módon írható le:
XB=2-xpi=4-Cx>/Dt (10)
Valamely v vivőgázsebességnél az XB diffúziós gát hossza a reaktív gőzimpulzusok létesítési pontjától számítva L távolságnál, a következő képlettel fejezhető ki,
Xb=4 · CxVDl/v(11) amely megfelel a tB reaktív impulzusok közötti intervallumnak, és a következő egyenlettel írható le: tB=XB/v=4 · CxVDL/v3(12)
Gyakorlati célokra a D diffúziós állandót a következő egyenlettel fejezhetjük ki:
D=Dx/p(13) ahol a Dx állandó független a diffúziós közeg nyomásától. így tehát tB a következő egyenlettel írható le:
tB=4· CiVDxx/L/v3p(14)
A (14) egyenlet szerint tB nagymértékben függ a v vivőgázsebességtől, amely a következő egyenlettel is kifejezhető:
v=S/A(15) ahol S a szivattyúzási sebesség és A a szabad keresztmetszeti felület a reakciócsőben. Egy minimális vivőgázmennyiség meghatározott tB értékre nagy mennyiségeket eredményez kis nyomáson, amely azonban nem mehet p0 alá.
A nyomáshatárok a reaktív gőzök po parciális nyomására a szubsztrátum-felületek teljes bevonásához szükséges teljes atom- vagy molekula-mennyiségből származtathatók le. A kinetikus gázelméletnek és a szóban forgó növesztési geometriának megfe lelően valamely gázimpulzusban levő reaktív gázmolekulák száma a következő egyenlettel írható le:
n2=v · tj · Po · A/kT (16) ahol ίχ a reaktív impulzus időtartama. Abban az esetben, ha valamely felületegység teljes befedéséhez szükséges atomok száma Ns, és a reaktív gőzhasználat hatásossága η, akkor a reaktív gőzimpulzusban levő atomok számát a következő egyenlettel számíthatjuk:
nx=Ns-As/r? (17) ahol As a szubsztrátum-felület. Abban az esetben, ha ηχ=η2, akkor
A (18) egyenlet másrészt megadja a t, impulzustartamot egy adott po esetén. Azt találtuk, hogy t χ minimumnál a po gőznyomás érték növekszik. Egy felső határt p0 gőznyomásra a vivőgáznyomás határoz meg, amelyről azt találtuk, hogy legkisebb optimális áramlási szintre, pr · v és to körülményekre előnyös. Alacsony áramlási szint még használható a reaktív po gőznyomás legkisebb sugárirányú profiljai esetén. Ax és By reaktív gőzökből való egyszerű biner AB összetételre a legrövidebb eljárási időszakasz, tp, a következő egyenlettel fejezhető ki: tp=2(tD+tx) (19) abban az esetben, ha tA=tB=t χ és tjA=tiB=to.
A találmány szerinti kiviteli módoknál a gyakorlati nagyságrend to-re és tx-ra 0,1...1 és 0,05 ... 0,5 másodperc, pr=0,5 ... 5 mb nyomáson. Egy további korlátozásként megjegyezhetjük az egydimenziós diffúziós analízis esetében, hogy mind az impulzusok hossza lx(=v/tx), mind az XD diffúziós gátak hossza nagyobb, mint a reakciócsövek átmérője, amely az egydimenziós megközelítés követelményének tekinthető. A fenti analízisnél a reaktív gőzimpulzusok meredek szélei valószínűleg az indulási pontnál vannak. Az 5. ábra szerinti forrásmód könnyen megvalósítható szabványos szelepekkel. A
6. és 7. ábrák szerinti forrásmód esetén részletes elemzésre van szükség előirányzott helyzet elérésére. A forrás rögzített állapotát akkor éljük el, ha diffúziós gátakat képezünk a 43 csőben és 12 csatlakozóban. Ilyen diffúziós gátakhoz szükséges viszonyok az f2 és f3 áramlási szintekből vezethetők le ilyen csövekben a (8) egyenlet differenciálása útján, amely egy vd izobár sebességet ad a vivőgázban:
vd = ”X- = C χ vWt=2ClD/x=2C?Dx/xp (20) dt
Egy diffúziós gát fd áramlási szintnél alakul ki, amely vf vd vivőgáz áramlási sebességet ad egy Af keresztmetszeti felülettel rendelkező csatornában:
Vf = fd/Af · p · 2C1 Dx/xp (21)
-511
18Γ79
Ebből
Fd>2AfC]Dx/x (22)
A 7. ábra szerinti áramkör-analógiánál a diffúziós 5 gát alakulásának a körülményei a 43 csőben és 12 csatlakozóban a következő egyenletekkel adhatók meg.
fd2 >2A2C21DX/L2 (23) 10 fd3 >2A3C2DX/L3 (24) ahol A2 és A3 a keresztmetszeti felületeket jelölik, L2 és L3 pedig a 43 cső és a 12 csatlakozó hosszát 15 képviselik.
Az impulzuslétesítés körülményét úgy teremtjük meg, hogy vivőgázt áramoltatunk keresztül az Sj szelepen. A gőzforrás felépülési idejének a kezdete 20 könnyen lecsökkenthető te-vei és trel összehasonlítva, de számításba kell venni a C forrástérfogat, valamint a gu g2 és g3 vezetőképesség-értékeket annak érdekében, hogy rövid késést biztosítsunk a kikapcsolási ponton. Általában egy f gázáramszint va- 25 lamely csatornán keresztül a következő egyenlettel fejezhető ki;
A diffúziós gát ts felépülési idejét, amely egyenlő a fonásimpulzus felépülési idejével, a (34) és a (26) egyenletek segítségével kapjuk (35) ahol b = x/[fo +g3p? “ Íd2 (§2 + S3)/g2] (gí)Pcoo (36)
Két reaktív impulzus közötti tt legkisebb időintervallumig terjedő biztonsági határt azzal érhetünk el, hogy a ts impulzuskésést hozzáadjuk a tB időhöz.
Az analízist diffúziós gátak viszonyaira vizsgáltuk gázfázisú közegben a 2. és 3. ábrák, valamint a 10. és 11. ábrák szerinti kiviteli alakokra. Az analízis közvetlenül alkalmazható a 8. és 9. ábrákra, valamint kis módosítással a 13. és 14. ábrák szerinti kiviteli alakokra is.
A találmány szerinti eljárást a továbbiakban kiviteli példákon is bemutatjuk. A találmány köre azonban nem korlátozódik csupán a példákban ismertetett megoldásokra.
f = g(Pa- Pb) (25) ahol pa és Pb a csatorna végén levő nyomásokat jelenti, g pedig a csatorna méretétől és a kérdéses gáz tulajdonságaitól függő állandó. A (25) egyenlet és a 7. ábra szerinti áramkör-analógia segítségével megoldáshoz jutunk a gőzforrás pc nyomását illetően az 3Sj kikapcsolási pontból leszármaztatott idő függvényeként, pc a következő egyenlettel írható le:
a'e‘/T+l z an
Pc — 1 Pcoo (26) a·e ' -1
1. példa
A szerkezeti és műveleti paraméterek a 10. és 11 ábrák szerinti kiviteli alakra a következők:
Reakciózóna:
hosszúság, L = 40 cm;
a test keresztmetszeti területe, AR = 14 x 14 cm2; szabad áramlási keresztmetszet, A = 150 cm2; elszívó szivattyú sebességé, S = 60 m3 /óra.
Forrás, 12. ábra:
pco a forrás nyomása t=o-nál és | forrástérfogat (41 + 42), C = 210 cm3; forrásnyílás (43), Φ = 0,7 x 10 cm; | |
0 PcocJPco) (1 Pcoo/Pco) | (27) 45 | g2 = 1400 cm3/mb; forrásösszekötő (12), φ = 1,1 x 10 cm; g3 = 8800 cm3/mb; |
= ΆΧΡΧ2 +giPi2)/(gX +gi) | (28) | |
elszívóösszekötő (46), gí = 100 cm3/mb. | ||
= C/2gxpcoo, | (29) | |
50 | Műveleti paraméterek (jellegzetes): | |
= gz/(l + gzh/.és | (30) | reakciózóna-nyomás, pr = 2 mb; forráselszívó szivattyú nyomása, Pb = 0,4 mb; |
= Vp? + fo/g3 | (31) | |
gázfázisú közeg (argon) áramlása/forrás, | ||
p2 nyomás (7. ábra) értéke | 55 | fo = 5500 mbcm3/mp; impulzus-nyomás a forrásban, pco = 3 mb. |
P2 =(f0 +g2Pr +g3 Pr )l(gl+g3 ) | (32) | Az adott paraméterek felhasználásával a következő értékeket számíthatjuk ki: | ||
Valamely diffúziós gátat a 43 | csőben akkor ka- 60 | (30) egyenlet; | g* | = 1208 cm3/mb; |
púnk, ha f2=fd2-vel | (28) egyenlet: | p; | = 2,07 mb; | |
(36) egyenlet: | b | = 1,067; | ||
f2=g2(p2-p?) | (33) | (22) egyenlet: | fd2 | = 89 mbcm3 /mp megfelelő |
=g2(fo+g3)P?-p2)/(g2+g3)>fd2 | ppm izobár, pi/pc = 10-6 | |||
(34) 6í | a diffúziós gát közepén; |
-613 (29) egyenlet: τ = 0,030 mp;
(35) egyenlet: ts = 0,05 mp;
(14) egyenlet: tb = 0,74 mp.
Egy biztonsági időintervallum a pulzusok között így körülbelül tt = 0,8 pm. A gyakorlatban tj = 1 mp-t használunk.
2. példa
Ta2Oj összetett vékony filmet készítünk az 1. példában megadott paramétereknek megfelelően. Hordozó:
darab 0,3 x 10 x 20 cm nagyságú úsztatott üveg. A TR reakciózóna-hőmérséklet = 300 °C.
Gőz-anyagok:
Ta2C15 a 12. ábra szerinti forrásból 140 °C hőmérsékleten, tl(Ta2Clj)=0,2 mp;
H2O az 5. ábra szerinti forrásból, t|(H20)=0,2 s, T (H2O)=15 °C.
Egy 2500 ciklusos növesztés olyan Ta2O$ vékony filmet eredményezett, amelynek a vastagsága 1000 A a hordozókon.
3. példa
Mangánnal, Mn, átitatott ZnS vékony filmet készítünk az 1. példának megfelelő változatban. Hordozóként a 2. példában megadott üveget vagy előnyösen Corning Glass 7059 üveget használunk. Reaktív zónahőmérséklet: 450 °C.
Reaktív gőz alakú anyagok: ZnCl2 és MnCl2 a 12. ábra szerinti forrásból 380°C-on, illetve 510°C-on. A ZnCl2 és MnCl2 forrásimpulzusokat egyidejűleg létesítünk tj =0,2 mp-el.
Szulfidáló szerként H2S-t használunk az 5. ábra szerinti forrásból, ti(H2S) = 0,2 mp.
Egy 4500 ciklusos növesztés 4000 A méretű filmet, amely ZnS (Mn) film, eredményez a hordozókon.
4. példa
Ta2O5 + ZnS(Mn) + Ta205 vékony filmeket készítünk a 2. és 3. példáknak megfelelően olyan üveghordozókon, amelyek vezető, átlátszó iridium-ónoxid vékony filmmel vannak borítva, és a vékony filmet alumínium-kontaktelektróddal vonjuk be egy a 15. ábra szerinti elektrolumineszcens szerkezet kialakítása érdekében. A 15. ábra esetében a 11 hordozó 101 átlátszó irídium-ónoxid vezetőréteggel van bevonva, amelyet egy 102 Ta2Os első szigetelő film, egy 103 ZnS(Mn) film, egy 104 Ta20s második szigetelő film és egy 105 alumíniumelektród borít, amely lehetővé teszi elektromos mező alkalmazását a 101 átlátszó irídium-ónoxid vezetőréteg és 105 alumíniumelektród közötti szendvics-szerkezeten át. Egy 2 kHz erősségű szinusz-hullámmal való gerjesztésnél a 16. ábrán bemutatott fényességet és hatásjellemzőket kapjuk. A B görbe a fényességet mutatja be cd/m2-ben a gerjesztőfeszültség függvényében, míg a C görbe a fényteljesítményt adja lm/W-ben.
5. példa
A12O3 vékony filmet készítünk. Az eljárás hasonló a 2. példában leírt eljáráshoz, de a Ta2Cl5-öt A1C13 -al helyettesítjük 95 °C hőmérsékleten. Egy 2800 ciklusos eljárás 2200 A vastagságú A12O3 vékony filmet eredményez 250 °C reakciózóna-hőmérsékleten. A kapott alumíniumoxid-film elektromos jellemzőit egy szendvics-szerkezetben mértük, ahol az A12O3 film egy lapkondenzátor szigetelőjét alkotja a vékony alumínium-filmelektródok között 5x5 mm aktív felülettel. A 17. ábrán a C görbe a mért kapacitást tünteti fel pF-ben a frekvencia függvényében és a tan δ görbe a dielektromos veszteséget mutatja.
Claims (11)
- Szabadalmi igénypontok:1. Eljárás különböző elemekből álló atomokból összetett vékony film növesztésére valamely hordozó felületén az ilyen elemeket tartalmazó különböző anyagok váltakozó felületi reakciói útján, azzal jellemezve, hogy az anyagok gőzeit ismételten és váltakozva a hordozót tartalmazó kamrába juttatjuk, majd valamely gázfázisú közeget táplálunk be a kamrába, legalább az anyagok váltakozó bevitele közötti időszakaszok alatt, a gőzöket a hordozó felületével reagáltatjuk és szilárd állapotú termék formájában a hordozó felületének hőmérsékletén filmet növesztünk, miközben a gázfázisú közeg adagolásával megakadályozzuk a váltakozva bevitt gőzök egyidejű egymásrahatását a vékony filmnek a hordozó felületén való kialakulása közben.
- 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a váltakozó gözbevitel lépéseit úgy végezzük, hogya) valamely első és egy második gőzt táplálunk be, ezeket a hordozó felületével reagáltatjuk és szilárd terméket alakítunk ki,b) egy további, harmadik gőzt táplálunk be, amelyet a felülettel szilárd állapotú termék kialakulása mellett reagáltatunk.
- 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a gázfázisú közeget folyamatosan tápláljuk be.
- 4. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a gázfázisú közeg betáplálását úgy végezzük, hogy azok a maradék gőzöket a kamrából egy kondenzáló zónába viszik át és diffúziós gátat létesítünk a kamra és a kondenzáló zóna között és megakadályozzuk, hogy gőzök áramoljanak a kondenzáló zónából a kamrába.
- 5. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a gőzöket a kamrába külső, a kamrával összekötött gőzadagoló forrásból visszük be és a gázfázisú közeg adagolása útján szelektíven és váltakozva diffúziós gátakat alakítunk ki a gőzadagoló forrásnál.
- 6. Az 1-5. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítására szolgáló berendezés, mely egy, a hordozó (11,11’) befogadására alkalmas, célszerűen-7181779 kamraként kialakított reakciózónát (18, 110), reakciózónához csatlakozó vákuum-eszközöket, a reakciózónában levő hordozó (11, 1Γ) melegítésére szolgáló fűtőelemeket (15, 47, 116, 68), a reakciózónához csatlakozó gőzforrásokat (20, 53, 54, 82), amelyek szelektíven és váltakozva különböző anyagok gőzeit szolgáltatják a gőzforrásokból a reakciózónába, továbbá a gázfázisú közegnek a gázforrásból a reakciózónán át a vákuumeszközökhöz való áramlását szabályozó eszközöket tartalmaz, azzal jelle- io mezve, hogy az elszívó szivattyú (17, 50) a közömbös vivő- és/vagy elválasztógáz áramlási irányára (v) vonatkoztatva a reakciózóna (18, 110) kivezető oldalához, a reaktív gázforrások, valamint a vivő- és/vagy elválasztógázforrások (20, 53, 54, 82) a 15 reakciózóna bevezető oldalához kapcsolódnak.
- 7. A 6. igénypont szerinti berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a közömbösgáz elválasztógázforrás a reaktív gáz és a reakciózóna közötti csatlakozóhoz (12) van kapcsolva. 20
- 8. A 7. igénypont szerinti berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a csatlakozóval (12) szemben levő reaktív gázforrás oldala az elszívó szivattyúhoz (17, 50) kapcsolódik, amely diffúziós falat képez az elválasztó gázforrásból. 25
- 9. A 6., 7. vagy 8. igénypontok bármelyike szerinti berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a közömbös gázforrás egy impulzus-szelep (22) vagy egyenértékű eszköz közvetítésével kapcsolódik a reaktív gázforráshoz a reakciózónába (18, 110) vezető csatlakozó (12) ellentétes oldalán.
- 10. A 6. vagy 7. igénypont szerinti berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a hordozó (11, 1Γ) mozgatható tartóban (61) van elhelyezve, mely vízikerékhez hasonló vagy azzal egyenértékű, tengely körül forgatható elem és a reakciózóna szektor-szerű részei között van elhelyezve, ahol az egyes szektorok olyan átjárókat képeznek a közömbös elválasztógáz számára, amelyek egyik végükön elszívó szivattyúhoz (50), másik végükön pedig az elválasztó gázforráshoz kapcsolódnak, továbbá átjárókat képeznek a különböző reaktív gázok számára, amelyek egyik végükkel elszívó szivattyúhoz (17), másik végükkel pedig reaktív gázforrásokhoz csatlakoznak.
- 11. A 6-9. igénypontok bármelyike szerinti berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy elválasztó tagot tartalmaz a reaktív gázokhoz szükséges elválasztó gáz számára, mely elválasztó tag külső fele a gázok számára szükséges adagoló nyílásokba és az ürítő nyílásokba nyílik és ezek környezetében van elhelyezve, és ezáltal a meghatározott térközökben úgy mozgatja a hordozót (11, 1Γ), hogy annak egy adott pontja váltakozva jut át az elválasztó gáz által alkotott diffúziós falon és a különböző reaktív gázok zónáin.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI790680A FI57975C (fi) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
HU181779B true HU181779B (en) | 1983-11-28 |
Family
ID=8512439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
HU80445A HU181779B (en) | 1979-02-28 | 1980-02-27 | Method and apparatus for growing thin film layer combined from atoms of various elements on some carrier surface |
Country Status (18)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4413022A (hu) |
EP (1) | EP0015390B1 (hu) |
JP (1) | JPS6021955B2 (hu) |
AT (1) | ATE15820T1 (hu) |
AU (1) | AU535151B2 (hu) |
BR (1) | BR8001087A (hu) |
CA (1) | CA1166937A (hu) |
DE (1) | DE3071110D1 (hu) |
DK (1) | DK157943C (hu) |
FI (1) | FI57975C (hu) |
HU (1) | HU181779B (hu) |
IL (1) | IL59393A (hu) |
IN (1) | IN152596B (hu) |
MX (1) | MX151518A (hu) |
NO (1) | NO155106C (hu) |
PL (1) | PL138247B1 (hu) |
SU (1) | SU1085510A3 (hu) |
ZA (1) | ZA80852B (hu) |
Families Citing this family (537)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5889821A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-28 | Canon Inc | 堆積膜の製造装置 |
JPS5898917A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Seiko Epson Corp | 原子層エビタキシヤル装置 |
FI64878C (fi) * | 1982-05-10 | 1984-01-10 | Lohja Ab Oy | Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer |
US4664960A (en) * | 1982-09-23 | 1987-05-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Compositionally varied materials and method for synthesizing the materials |
US4520039A (en) * | 1982-09-23 | 1985-05-28 | Sovonics Solar Systems | Compositionally varied materials and method for synthesizing the materials |
EP0145201A1 (en) * | 1983-11-10 | 1985-06-19 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Antireflection optical coating with antistatic properties |
JPS60189928A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Fujitsu Ltd | 減圧気相成長装置 |
JP2577542B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1997-02-05 | 新技術事業団 | 半導体結晶成長装置 |
GB2162862B (en) * | 1984-07-26 | 1988-10-19 | Japan Res Dev Corp | A method of growing a thin film single crystalline semiconductor |
JPH0766906B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1995-07-19 | 新技術事業団 | GaAsエピタキシャル成長方法 |
JPH0782990B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1995-09-06 | 新技術事業団 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0787179B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1995-09-20 | 新技術事業団 | 超格子半導体装置の製造方法 |
JPH0766910B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1995-07-19 | 新技術事業団 | 半導体単結晶成長装置 |
GB2162207B (en) | 1984-07-26 | 1989-05-10 | Japan Res Dev Corp | Semiconductor crystal growth apparatus |
JPH0766907B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1995-07-19 | 新技術事業団 | 半導体結晶成長方法 |
JPH0782991B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1995-09-06 | 新技術事業団 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
JPH0715884B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1995-02-22 | 新技術事業団 | 選択型結晶の成長方法 |
JPH0766908B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1995-07-19 | 新技術事業団 | 半導体単結晶成長方法 |
US5294286A (en) * | 1984-07-26 | 1994-03-15 | Research Development Corporation Of Japan | Process for forming a thin film of silicon |
JP2577544B2 (ja) * | 1984-08-08 | 1997-02-05 | 新技術事業団 | 半導体装置の製造方法 |
JP2577543B2 (ja) * | 1984-08-08 | 1997-02-05 | 新技術事業団 | 単結晶薄膜成長装置 |
JPH07120625B2 (ja) * | 1984-08-08 | 1995-12-20 | 新技術事業団 | 化合物半導体単結晶薄膜の形成方法 |
JPS62226892A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-05 | Univ Tohoku | 単結晶サフアイア薄膜の製造法 |
JPS6328031A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
JP2587623B2 (ja) * | 1986-11-22 | 1997-03-05 | 新技術事業団 | 化合物半導体のエピタキシヤル結晶成長方法 |
JPH0727861B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1995-03-29 | 富士通株式会社 | ▲iii▼−▲v▼族化合物半導体結晶の成長方法 |
US5296087A (en) * | 1987-08-24 | 1994-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Crystal formation method |
DE3743938C2 (de) * | 1987-12-23 | 1995-08-31 | Cs Halbleiter Solartech | Verfahren zum Atomschicht-Epitaxie-Aufwachsen einer III/V-Verbindungshalbleiter-Dünnschicht |
US4931132A (en) * | 1988-10-07 | 1990-06-05 | Bell Communications Research, Inc. | Optical control of deposition of crystal monolayers |
DE3889735T2 (de) * | 1988-12-21 | 1994-09-08 | Monkowski Rhine Inc | Chemischer dampfniederschlagsreaktor und dessen verwendung. |
DE3843157C1 (hu) * | 1988-12-22 | 1990-05-10 | Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 6380 Bad Homburg, De | |
JPH0824191B2 (ja) * | 1989-03-17 | 1996-03-06 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタ |
US5071670A (en) * | 1990-06-11 | 1991-12-10 | Kelly Michael A | Method for chemical vapor deposition under a single reactor vessel divided into separate reaction chambers each with its own depositing and exhausting means |
US5480818A (en) * | 1992-02-10 | 1996-01-02 | Fujitsu Limited | Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor |
JP3351477B2 (ja) * | 1993-02-04 | 2002-11-25 | 理化学研究所 | 固体レーザー結晶薄膜作成方法および固体レーザー結晶薄膜作成装置 |
JP3181171B2 (ja) * | 1994-05-20 | 2001-07-03 | シャープ株式会社 | 気相成長装置および気相成長方法 |
JP2654608B2 (ja) * | 1994-09-09 | 1997-09-17 | 科学技術振興事業団 | GaAs半導体ダイオードの製造方法 |
FI97730C (fi) * | 1994-11-28 | 1997-02-10 | Mikrokemia Oy | Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
FI97731C (fi) * | 1994-11-28 | 1997-02-10 | Mikrokemia Oy | Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
FI100409B (fi) | 1994-11-28 | 1997-11-28 | Asm Int | Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
JP3206375B2 (ja) * | 1995-06-20 | 2001-09-10 | 信越半導体株式会社 | 単結晶薄膜の製造方法 |
US5759623A (en) * | 1995-09-14 | 1998-06-02 | Universite De Montreal | Method for producing a high adhesion thin film of diamond on a Fe-based substrate |
FI954922A (fi) * | 1995-10-16 | 1997-04-17 | Picopak Oy | Valmistusmenetelmä sekä kontaktinystyrakenne puolijohdepalojen tiheitä pintaliitoksia varten |
US6013583A (en) * | 1996-06-25 | 2000-01-11 | International Business Machines Corporation | Low temperature BPSG deposition process |
JPH10308283A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Denso Corp | El素子およびその製造方法 |
FI972874A0 (fi) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | Mikrokemia Oy | Foerfarande och anordning foer framstaellning av tunnfilmer |
US5972430A (en) * | 1997-11-26 | 1999-10-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Digital chemical vapor deposition (CVD) method for forming a multi-component oxide layer |
FI104383B (fi) | 1997-12-09 | 2000-01-14 | Fortum Oil & Gas Oy | Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi |
US6974766B1 (en) | 1998-10-01 | 2005-12-13 | Applied Materials, Inc. | In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application |
FI118342B (fi) | 1999-05-10 | 2007-10-15 | Asm Int | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
US6812157B1 (en) | 1999-06-24 | 2004-11-02 | Prasad Narhar Gadgil | Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition |
FI110311B (fi) * | 1999-07-20 | 2002-12-31 | Asm Microchemistry Oy | Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista |
US7554829B2 (en) | 1999-07-30 | 2009-06-30 | Micron Technology, Inc. | Transmission lines for CMOS integrated circuits |
JP4819267B2 (ja) | 1999-08-17 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | パルスプラズマ処理方法および装置 |
US6391785B1 (en) * | 1999-08-24 | 2002-05-21 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes |
US6727169B1 (en) | 1999-10-15 | 2004-04-27 | Asm International, N.V. | Method of making conformal lining layers for damascene metallization |
US6503330B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-01-07 | Genus, Inc. | Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition |
US6551399B1 (en) | 2000-01-10 | 2003-04-22 | Genus Inc. | Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition |
US6319766B1 (en) | 2000-02-22 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification |
JP4556282B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-10-06 | 株式会社デンソー | 有機el素子およびその製造方法 |
FI117978B (fi) * | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä ja laitteisto ohutkalvon kasvattamiseksi alustalle |
US7060132B2 (en) * | 2000-04-14 | 2006-06-13 | Asm International N.V. | Method and apparatus of growing a thin film |
US6759325B2 (en) | 2000-05-15 | 2004-07-06 | Asm Microchemistry Oy | Sealing porous structures |
US6482733B2 (en) | 2000-05-15 | 2002-11-19 | Asm Microchemistry Oy | Protective layers prior to alternating layer deposition |
WO2001094662A1 (fr) * | 2000-06-07 | 2001-12-13 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede de preparation d'un revetement sur un substrat par le procede ald utilisant un reactant deutere |
US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
US7732327B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
US7964505B2 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
FI20001694A0 (fi) * | 2000-07-20 | 2000-07-20 | Asm Microchemistry Oy | Menetelmä ohutkalvon kasvattamiseksi substraatille |
US6903005B1 (en) | 2000-08-30 | 2005-06-07 | Micron Technology, Inc. | Method for the formation of RuSixOy-containing barrier layers for high-k dielectrics |
US6461909B1 (en) | 2000-08-30 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Process for fabricating RuSixOy-containing adhesion layers |
US6617173B1 (en) | 2000-10-11 | 2003-09-09 | Genus, Inc. | Integration of ferromagnetic films with ultrathin insulating film using atomic layer deposition |
US20030190424A1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-10-09 | Ofer Sneh | Process for tungsten silicide atomic layer deposition |
AU2002232844A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-18 | Angstron Systems, Inc. | System and method for modulated ion-induced atomic layer deposition (mii-ald) |
US9255329B2 (en) | 2000-12-06 | 2016-02-09 | Novellus Systems, Inc. | Modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD) |
US6800173B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-10-05 | Novellus Systems, Inc. | Variable gas conductance control for a process chamber |
US6630201B2 (en) | 2001-04-05 | 2003-10-07 | Angstron Systems, Inc. | Adsorption process for atomic layer deposition |
US6765178B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
US6825447B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection |
US20020127336A1 (en) * | 2001-01-16 | 2002-09-12 | Applied Materials, Inc. | Method for growing thin films by catalytic enhancement |
US6811814B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method for growing thin films by catalytic enhancement |
US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
KR100408733B1 (ko) | 2001-02-02 | 2003-12-11 | 주성엔지니어링(주) | 박막 증착 방법 |
EP1421607A2 (en) | 2001-02-12 | 2004-05-26 | ASM America, Inc. | Improved process for deposition of semiconductor films |
US6613656B2 (en) | 2001-02-13 | 2003-09-02 | Micron Technology, Inc. | Sequential pulse deposition |
US6852167B2 (en) | 2001-03-01 | 2005-02-08 | Micron Technology, Inc. | Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions |
US6660126B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US6734020B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
US6939579B2 (en) * | 2001-03-07 | 2005-09-06 | Asm International N.V. | ALD reactor and method with controlled wall temperature |
CN1258617C (zh) * | 2001-03-20 | 2006-06-07 | 马特森技术公司 | 用于在衬底上沉积具有较高介电常数的涂层的方法 |
US20020144786A1 (en) * | 2001-04-05 | 2002-10-10 | Angstron Systems, Inc. | Substrate temperature control in an ALD reactor |
US6627268B1 (en) | 2001-05-03 | 2003-09-30 | Novellus Systems, Inc. | Sequential ion, UV, and electron induced chemical vapor deposition |
US7056278B2 (en) * | 2001-06-01 | 2006-06-06 | Adamed Sp. Z.O.O. | Method of treating overactive bladder in women |
JP2002367990A (ja) | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US6849545B2 (en) | 2001-06-20 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques |
US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
US9051641B2 (en) | 2001-07-25 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Cobalt deposition on barrier surfaces |
WO2003030224A2 (en) | 2001-07-25 | 2003-04-10 | Applied Materials, Inc. | Barrier formation using novel sputter-deposition method |
US20090004850A1 (en) | 2001-07-25 | 2009-01-01 | Seshadri Ganguli | Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications |
US20030029715A1 (en) | 2001-07-25 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems |
US8110489B2 (en) | 2001-07-25 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Process for forming cobalt-containing materials |
US6835414B2 (en) | 2001-07-27 | 2004-12-28 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Method for producing coated substrates |
US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
US6844203B2 (en) | 2001-08-30 | 2005-01-18 | Micron Technology, Inc. | Gate oxides, and methods of forming |
US8026161B2 (en) | 2001-08-30 | 2011-09-27 | Micron Technology, Inc. | Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2 |
US6718126B2 (en) | 2001-09-14 | 2004-04-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition |
US7049226B2 (en) * | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
US7780785B2 (en) | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
US6773507B2 (en) | 2001-12-06 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition |
US7081271B2 (en) | 2001-12-07 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride |
US6729824B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Dual robot processing system |
US6953730B2 (en) | 2001-12-20 | 2005-10-11 | Micron Technology, Inc. | Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics |
US6939801B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material |
US6767795B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Micron Technology, Inc. | Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY |
JP4908738B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2012-04-04 | サンデュー・テクノロジーズ・エルエルシー | Ald方法 |
US7175713B2 (en) | 2002-01-25 | 2007-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
US6866746B2 (en) * | 2002-01-26 | 2005-03-15 | Applied Materials, Inc. | Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support |
US6998014B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
US6827978B2 (en) | 2002-02-11 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Deposition of tungsten films |
US6833161B2 (en) | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
US6972267B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-12-06 | Applied Materials, Inc. | Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor |
EP1485513A2 (en) * | 2002-03-08 | 2004-12-15 | Sundew Technologies, LLC | Ald method and apparatus |
US6812100B2 (en) * | 2002-03-13 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Evaporation of Y-Si-O films for medium-k dielectrics |
US7439191B2 (en) | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
US6846516B2 (en) | 2002-04-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor cyclical deposition system |
US6720027B2 (en) | 2002-04-08 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer |
US6869838B2 (en) | 2002-04-09 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
US6875271B2 (en) | 2002-04-09 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Simultaneous cyclical deposition in different processing regions |
US7279432B2 (en) | 2002-04-16 | 2007-10-09 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming an integrated barrier layer |
US20040247787A1 (en) * | 2002-04-19 | 2004-12-09 | Mackie Neil M. | Effluent pressure control for use in a processing system |
US20040025787A1 (en) * | 2002-04-19 | 2004-02-12 | Selbrede Steven C. | System for depositing a film onto a substrate using a low pressure gas precursor |
US7589029B2 (en) | 2002-05-02 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition and conversion |
US7160577B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits |
US7045430B2 (en) | 2002-05-02 | 2006-05-16 | Micron Technology Inc. | Atomic layer-deposited LaAlO3 films for gate dielectrics |
JP4292777B2 (ja) * | 2002-06-17 | 2009-07-08 | ソニー株式会社 | 薄膜形成装置 |
US7041335B2 (en) | 2002-06-04 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Titanium tantalum nitride silicide layer |
US7135421B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide |
US7205218B2 (en) | 2002-06-05 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method including forming gate dielectrics having multiple lanthanide oxide layers |
US7193893B2 (en) | 2002-06-21 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Write once read only memory employing floating gates |
US7154140B2 (en) | 2002-06-21 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Write once read only memory with large work function floating gates |
US6804136B2 (en) | 2002-06-21 | 2004-10-12 | Micron Technology, Inc. | Write once read only memory employing charge trapping in insulators |
US7221586B2 (en) | 2002-07-08 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Memory utilizing oxide nanolaminates |
US7221017B2 (en) * | 2002-07-08 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Memory utilizing oxide-conductor nanolaminates |
US6838125B2 (en) | 2002-07-10 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method of film deposition using activated precursor gases |
US6955211B2 (en) | 2002-07-17 | 2005-10-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system |
US7186385B2 (en) | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
US7066194B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Valve design and configuration for fast delivery system |
US6772072B2 (en) | 2002-07-22 | 2004-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery |
US6915592B2 (en) | 2002-07-29 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating gas to a processing chamber |
US6921702B2 (en) | 2002-07-30 | 2005-07-26 | Micron Technology Inc. | Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics |
US7186630B2 (en) | 2002-08-14 | 2007-03-06 | Asm America, Inc. | Deposition of amorphous silicon-containing films |
US6884739B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-04-26 | Micron Technology Inc. | Lanthanide doped TiOx dielectric films by plasma oxidation |
US6790791B2 (en) | 2002-08-15 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide doped TiOx dielectric films |
US20040036129A1 (en) * | 2002-08-22 | 2004-02-26 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions |
US6967154B2 (en) * | 2002-08-26 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Enhanced atomic layer deposition |
US7199023B2 (en) | 2002-08-28 | 2007-04-03 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited HfSiON dielectric films wherein each precursor is independendently pulsed |
US7084078B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-08-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited lanthanide doped TiOx dielectric films |
US6936086B2 (en) * | 2002-09-11 | 2005-08-30 | Planar Systems, Inc. | High conductivity particle filter |
US6821563B2 (en) | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
US20040069227A1 (en) | 2002-10-09 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber configured for uniform gas flow |
US6905737B2 (en) | 2002-10-11 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition |
EP1420080A3 (en) | 2002-11-14 | 2005-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes |
US6958302B2 (en) | 2002-12-04 | 2005-10-25 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films using TiI4 |
US7101813B2 (en) | 2002-12-04 | 2006-09-05 | Micron Technology Inc. | Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films |
US20040142558A1 (en) | 2002-12-05 | 2004-07-22 | Granneman Ernst H. A. | Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates |
US7244683B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD/CVD barriers with porous low k materials |
US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
US6753248B1 (en) | 2003-01-27 | 2004-06-22 | Applied Materials, Inc. | Post metal barrier/adhesion film |
JP4528489B2 (ja) | 2003-01-27 | 2010-08-18 | 独立行政法人理化学研究所 | p型半導体を用いた紫外発光素子 |
US6994319B2 (en) * | 2003-01-29 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Membrane gas valve for pulsing a gas |
US6868859B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | Rotary gas valve for pulsing a gas |
US7192892B2 (en) | 2003-03-04 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited dielectric layers |
US20040177813A1 (en) | 2003-03-12 | 2004-09-16 | Applied Materials, Inc. | Substrate support lift mechanism |
US7294360B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-11-13 | Planar Systems, Inc. | Conformal coatings for micro-optical elements, and method for making the same |
US7135369B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited ZrAlxOy dielectric layers including Zr4AlO9 |
US20040198069A1 (en) | 2003-04-04 | 2004-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method for hafnium nitride deposition |
US7537662B2 (en) | 2003-04-29 | 2009-05-26 | Asm International N.V. | Method and apparatus for depositing thin films on a surface |
US7601223B2 (en) | 2003-04-29 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | Showerhead assembly and ALD methods |
JP2007523994A (ja) | 2003-06-18 | 2007-08-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | バリヤ物質の原子層堆積 |
US7192824B2 (en) | 2003-06-24 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers |
US7049192B2 (en) | 2003-06-24 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectrics |
US20100129548A1 (en) * | 2003-06-27 | 2010-05-27 | Sundew Technologies, Llc | Ald apparatus and method |
ATE468421T1 (de) * | 2003-06-27 | 2010-06-15 | Sundew Technologies Llc | Vorrichtung und verfahren zur steuerung des dampfdrucks einer chemikalienquelle |
US20050067103A1 (en) | 2003-09-26 | 2005-03-31 | Applied Materials, Inc. | Interferometer endpoint monitoring device |
US20050221004A1 (en) * | 2004-01-20 | 2005-10-06 | Kilpela Olli V | Vapor reactant source system with choked-flow elements |
US20050233477A1 (en) * | 2004-03-05 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method |
US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
US7241686B2 (en) | 2004-07-20 | 2007-07-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tantalum-containing materials using the tantalum precursor TAIMATA |
US7601649B2 (en) | 2004-08-02 | 2009-10-13 | Micron Technology, Inc. | Zirconium-doped tantalum oxide films |
US7081421B2 (en) | 2004-08-26 | 2006-07-25 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide oxide dielectric layer |
US7588988B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition |
US7494939B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-02-24 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer |
US7966969B2 (en) | 2004-09-22 | 2011-06-28 | Asm International N.V. | Deposition of TiN films in a batch reactor |
US7429402B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition |
US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
US7846499B2 (en) | 2004-12-30 | 2010-12-07 | Asm International N.V. | Method of pulsing vapor precursors in an ALD reactor |
DE102005003336B3 (de) * | 2005-01-25 | 2006-07-13 | Bte Bedampfungstechnik Gmbh | Verfahren zur Bildung einer dünnen Schicht auf einer Substratoberfläche |
US7438760B2 (en) * | 2005-02-04 | 2008-10-21 | Asm America, Inc. | Methods of making substitutionally carbon-doped crystalline Si-containing materials by chemical vapor deposition |
US7608549B2 (en) * | 2005-03-15 | 2009-10-27 | Asm America, Inc. | Method of forming non-conformal layers |
US7687409B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-03-30 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited titanium silicon oxide films |
US7662729B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer |
US7927948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
US7473637B2 (en) | 2005-07-20 | 2009-01-06 | Micron Technology, Inc. | ALD formed titanium nitride films |
US7402534B2 (en) | 2005-08-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Pretreatment processes within a batch ALD reactor |
US7464917B2 (en) | 2005-10-07 | 2008-12-16 | Appiled Materials, Inc. | Ampoule splash guard apparatus |
TWI331770B (en) | 2005-11-04 | 2010-10-11 | Applied Materials Inc | Apparatus for plasma-enhanced atomic layer deposition |
JP2009521801A (ja) * | 2005-12-22 | 2009-06-04 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | ドープされた半導体物質のエピタキシャル堆積 |
FI121341B (fi) * | 2006-02-02 | 2010-10-15 | Beneq Oy | Hopean suojapinnoitus |
US7709402B2 (en) | 2006-02-16 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films |
US7235736B1 (en) | 2006-03-18 | 2007-06-26 | Solyndra, Inc. | Monolithic integration of cylindrical solar cells |
US7456429B2 (en) | 2006-03-29 | 2008-11-25 | Eastman Kodak Company | Apparatus for atomic layer deposition |
US7413982B2 (en) * | 2006-03-29 | 2008-08-19 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
US7798096B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool |
US8278176B2 (en) | 2006-06-07 | 2012-10-02 | Asm America, Inc. | Selective epitaxial formation of semiconductor films |
US7691757B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
US7801623B2 (en) * | 2006-06-29 | 2010-09-21 | Medtronic, Inc. | Implantable medical device having a conformal coating |
US7563730B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-07-21 | Micron Technology, Inc. | Hafnium lanthanide oxynitride films |
US7871678B1 (en) | 2006-09-12 | 2011-01-18 | Novellus Systems, Inc. | Method of increasing the reactivity of a precursor in a cyclic deposition process |
US8053372B1 (en) | 2006-09-12 | 2011-11-08 | Novellus Systems, Inc. | Method of reducing plasma stabilization time in a cyclic deposition process |
US20080176149A1 (en) | 2006-10-30 | 2008-07-24 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for photomask etching |
US7775508B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor |
US11136667B2 (en) | 2007-01-08 | 2021-10-05 | Eastman Kodak Company | Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure |
US7789961B2 (en) * | 2007-01-08 | 2010-09-07 | Eastman Kodak Company | Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition |
US20080166880A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Levy David H | Delivery device for deposition |
US8207063B2 (en) * | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
US20080206987A1 (en) | 2007-01-29 | 2008-08-28 | Gelatos Avgerinos V | Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly |
US7923068B2 (en) | 2007-02-12 | 2011-04-12 | Lotus Applied Technology, Llc | Fabrication of composite materials using atomic layer deposition |
US8043432B2 (en) * | 2007-02-12 | 2011-10-25 | Tokyo Electron Limited | Atomic layer deposition systems and methods |
US7629256B2 (en) | 2007-05-14 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | In situ silicon and titanium nitride deposition |
US7939932B2 (en) * | 2007-06-20 | 2011-05-10 | Analog Devices, Inc. | Packaged chip devices with atomic layer deposition protective films |
US7759199B2 (en) | 2007-09-19 | 2010-07-20 | Asm America, Inc. | Stressor for engineered strain on channel |
US7678298B2 (en) | 2007-09-25 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Tantalum carbide nitride materials by vapor deposition processes |
US7585762B2 (en) | 2007-09-25 | 2009-09-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition processes for tantalum carbide nitride materials |
US8182608B2 (en) * | 2007-09-26 | 2012-05-22 | Eastman Kodak Company | Deposition system for thin film formation |
US8398770B2 (en) * | 2007-09-26 | 2013-03-19 | Eastman Kodak Company | Deposition system for thin film formation |
US7851380B2 (en) * | 2007-09-26 | 2010-12-14 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
US7572686B2 (en) * | 2007-09-26 | 2009-08-11 | Eastman Kodak Company | System for thin film deposition utilizing compensating forces |
US7972898B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-07-05 | Eastman Kodak Company | Process for making doped zinc oxide |
US8211231B2 (en) * | 2007-09-26 | 2012-07-03 | Eastman Kodak Company | Delivery device for deposition |
US20090081356A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Fedorovskaya Elena A | Process for forming thin film encapsulation layers |
US8017183B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-09-13 | Eastman Kodak Company | Organosiloxane materials for selective area deposition of inorganic materials |
US7858144B2 (en) * | 2007-09-26 | 2010-12-28 | Eastman Kodak Company | Process for depositing organic materials |
US20090079328A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Fedorovskaya Elena A | Thin film encapsulation containing zinc oxide |
US8030212B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-10-04 | Eastman Kodak Company | Process for selective area deposition of inorganic materials |
US20090081360A1 (en) | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Fedorovskaya Elena A | Oled display encapsulation with the optical property |
US7824743B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Deposition processes for titanium nitride barrier and aluminum |
US7939447B2 (en) | 2007-10-26 | 2011-05-10 | Asm America, Inc. | Inhibitors for selective deposition of silicon containing films |
WO2009070574A2 (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | North Carolina State University | Methods for modification of polymers, fibers and textile media |
US7655543B2 (en) * | 2007-12-21 | 2010-02-02 | Asm America, Inc. | Separate injection of reactive species in selective formation of films |
US20100123993A1 (en) * | 2008-02-13 | 2010-05-20 | Herzel Laor | Atomic layer deposition process for manufacture of battery electrodes, capacitors, resistors, and catalyzers |
US7659158B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
US20090291209A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Asm International N.V. | Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition |
US9238867B2 (en) | 2008-05-20 | 2016-01-19 | Asm International N.V. | Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition |
FI122941B (fi) * | 2008-06-12 | 2012-09-14 | Beneq Oy | Sovitelma ALD-reaktorin yhteydessä |
EP2159304A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-03 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for atomic layer deposition |
US8491967B2 (en) | 2008-09-08 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber treatment and deposition process |
US20100062149A1 (en) | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Applied Materials, Inc. | Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process |
US8146896B2 (en) | 2008-10-31 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes |
US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
US8486191B2 (en) | 2009-04-07 | 2013-07-16 | Asm America, Inc. | Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber |
US20100266765A1 (en) * | 2009-04-21 | 2010-10-21 | White Carl L | Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate |
US8657959B2 (en) * | 2009-07-31 | 2014-02-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Apparatus for atomic layer deposition on a moving substrate |
US20110023775A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Apparatus for atomic layer deposition |
US8883270B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
US20110097493A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Fluid distribution manifold including non-parallel non-perpendicular slots |
US20110097487A1 (en) | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Fluid distribution manifold including bonded plates |
US20110097489A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Distribution manifold including multiple fluid communication ports |
US20110097488A1 (en) | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Fluid distribution manifold including mirrored finish plate |
US20110097491A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Levy David H | Conveyance system including opposed fluid distribution manifolds |
US20110097494A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Fluid conveyance system including flexible retaining mechanism |
US20110097490A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Fluid distribution manifold including compliant plates |
US20110097492A1 (en) | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Fluid distribution manifold operating state management system |
FI20096154A0 (fi) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | Beneq Oy | Menetelmä kalvon muodostamiseksi, kalvo ja sen käyttöjä |
FI20096153A0 (fi) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | Beneq Oy | Menetelmä koristepäällysteen muodostamiseksi, koristepäällyste ja sen käyttötapoja |
US8367528B2 (en) | 2009-11-17 | 2013-02-05 | Asm America, Inc. | Cyclical epitaxial deposition and etch |
WO2011062779A1 (en) | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Eastman Kodak Company | Method for selective deposition and devices |
FI20096262A0 (fi) | 2009-11-30 | 2009-11-30 | Beneq Oy | Menetelmä koristepinnoitteen muodostamiseksi jalokiveen, jalokiven koristepinnoite, ja sen käytöt |
FI122616B (fi) | 2010-02-02 | 2012-04-30 | Beneq Oy | Vahvistettu rakennemoduuli ja sen valmistusmenetelmä |
FI124113B (fi) * | 2010-08-30 | 2014-03-31 | Beneq Oy | Laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan muokkaamiseksi |
US8778204B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process |
KR101881181B1 (ko) | 2010-11-04 | 2018-08-16 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 탄탈륨의 이온 유도 원자층 증착 |
US8809170B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-08-19 | Asm America Inc. | High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US8961804B2 (en) | 2011-10-25 | 2015-02-24 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for photomask etching |
US8808559B2 (en) | 2011-11-22 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for reflective multi-material layers etching |
US8618003B2 (en) | 2011-12-05 | 2013-12-31 | Eastman Kodak Company | Method of making electronic devices using selective deposition |
US8900469B2 (en) | 2011-12-19 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching |
WO2013171360A1 (en) * | 2012-05-14 | 2013-11-21 | Picosun Oy | Powder particle coating using atomic layer deposition cartridge |
KR20150023016A (ko) * | 2012-06-15 | 2015-03-04 | 피코순 오와이 | 원자층 퇴적에 의한 기판 웹 코팅 |
WO2013186427A1 (en) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Picosun Oy | Coating a substrate web by atomic layer deposition |
US9805939B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-10-31 | Applied Materials, Inc. | Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US8778574B2 (en) | 2012-11-30 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
WO2014131043A1 (en) | 2013-02-25 | 2014-08-28 | Solan, LLC | Methods for fabricating graphite-based structures and devices made therefrom |
JP6134191B2 (ja) | 2013-04-07 | 2017-05-24 | 村川 惠美 | 回転型セミバッチald装置 |
US9490149B2 (en) * | 2013-07-03 | 2016-11-08 | Lam Research Corporation | Chemical deposition apparatus having conductance control |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
EP2960059B1 (en) | 2014-06-25 | 2018-10-24 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US11267012B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-03-08 | Universal Display Corporation | Spatial control of vapor condensation using convection |
US11220737B2 (en) | 2014-06-25 | 2022-01-11 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
JP6398761B2 (ja) * | 2015-02-04 | 2018-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10954597B2 (en) * | 2015-03-17 | 2021-03-23 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition apparatus |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
KR102420015B1 (ko) | 2015-08-28 | 2022-07-12 | 삼성전자주식회사 | Cs-ald 장치의 샤워헤드 |
US10566534B2 (en) | 2015-10-12 | 2020-02-18 | Universal Display Corporation | Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP) |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
TWI571526B (zh) * | 2015-12-18 | 2017-02-21 | 國家中山科學研究院 | 一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列 |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
MY189436A (en) * | 2016-04-12 | 2022-02-11 | Picosun Oy | Coating by ald for suppressing metallic whiskers |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
TWI620830B (zh) * | 2016-12-30 | 2018-04-11 | Nat Chung Shan Inst Science & Tech | Batch coating process system |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
JP6640781B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2020-02-05 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置 |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10774422B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-09-15 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for controlling vapor phase processing |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220006455A (ko) | 2020-07-08 | 2022-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US20220064792A1 (en) | 2020-08-25 | 2022-03-03 | Innovalens B.V. | Partial coating of intraocular lenses using spatial atomic layer deposition |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1057845B (de) * | 1954-03-10 | 1959-05-21 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von einkristallinen halbleitenden Verbindungen |
NL281602A (hu) * | 1959-06-18 | |||
US3218203A (en) * | 1961-10-09 | 1965-11-16 | Monsanto Co | Altering proportions in vapor deposition process to form a mixed crystal graded energy gap |
NL6709379A (hu) * | 1967-07-06 | 1969-01-08 | ||
US3602192A (en) * | 1969-05-19 | 1971-08-31 | Ibm | Semiconductor wafer processing |
US3721583A (en) * | 1970-12-08 | 1973-03-20 | Ibm | Vapor phase epitaxial deposition process for forming superlattice structure |
US4015558A (en) * | 1972-12-04 | 1977-04-05 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Vapor deposition apparatus |
US3964937A (en) * | 1973-08-13 | 1976-06-22 | Materials Technology Corporation | Method of making a composite coating |
SE393967B (sv) * | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
US4048955A (en) * | 1975-09-02 | 1977-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Continuous chemical vapor deposition reactor |
-
1979
- 1979-02-28 FI FI790680A patent/FI57975C/fi not_active IP Right Cessation
- 1979-06-21 US US06/050,606 patent/US4413022A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-02-04 AT AT80100568T patent/ATE15820T1/de not_active IP Right Cessation
- 1980-02-04 DE DE8080100568T patent/DE3071110D1/de not_active Expired
- 1980-02-04 EP EP80100568A patent/EP0015390B1/en not_active Expired
- 1980-02-14 ZA ZA00800852A patent/ZA80852B/xx unknown
- 1980-02-15 IL IL59393A patent/IL59393A/xx unknown
- 1980-02-20 IN IN193/CAL/80A patent/IN152596B/en unknown
- 1980-02-21 AU AU55786/80A patent/AU535151B2/en not_active Ceased
- 1980-02-21 MX MX181260A patent/MX151518A/es unknown
- 1980-02-25 BR BR8001087A patent/BR8001087A/pt unknown
- 1980-02-26 CA CA000346409A patent/CA1166937A/en not_active Expired
- 1980-02-27 PL PL1980222293A patent/PL138247B1/pl unknown
- 1980-02-27 SU SU802889600A patent/SU1085510A3/ru active
- 1980-02-27 HU HU80445A patent/HU181779B/hu unknown
- 1980-02-27 DK DK084680A patent/DK157943C/da not_active IP Right Cessation
- 1980-02-27 NO NO800555A patent/NO155106C/no unknown
- 1980-02-28 JP JP55023480A patent/JPS6021955B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU5578680A (en) | 1980-09-04 |
DE3071110D1 (en) | 1985-10-31 |
BR8001087A (pt) | 1980-10-29 |
NO155106C (no) | 1987-02-11 |
FI57975C (fi) | 1980-11-10 |
DK157943B (da) | 1990-03-05 |
EP0015390B1 (en) | 1985-09-25 |
JPS6021955B2 (ja) | 1985-05-30 |
PL222293A1 (hu) | 1980-11-03 |
DK157943C (da) | 1990-08-27 |
EP0015390A1 (en) | 1980-09-17 |
CA1166937A (en) | 1984-05-08 |
NO155106B (no) | 1986-11-03 |
MX151518A (es) | 1984-12-10 |
US4413022A (en) | 1983-11-01 |
IN152596B (hu) | 1984-02-18 |
FI57975B (fi) | 1980-07-31 |
IL59393A (en) | 1983-06-15 |
ATE15820T1 (de) | 1985-10-15 |
JPS55130896A (en) | 1980-10-11 |
ZA80852B (en) | 1981-02-25 |
PL138247B1 (en) | 1986-08-30 |
NO800555L (no) | 1980-08-29 |
DK84680A (da) | 1980-08-29 |
IL59393A0 (en) | 1980-05-30 |
SU1085510A3 (ru) | 1984-04-07 |
AU535151B2 (en) | 1984-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
HU181779B (en) | Method and apparatus for growing thin film layer combined from atoms of various elements on some carrier surface | |
US4389973A (en) | Apparatus for performing growth of compound thin films | |
US5728425A (en) | Method for chemical vapor deposition of semiconductor films by separate feeding of source gases and growing of films | |
US5017404A (en) | Plasma CVD process using a plurality of overlapping plasma columns | |
Santra et al. | Copper oxide thin films grown by plasma evaporation method | |
AU721374B2 (en) | Method and device for the deposit of at least one film of intrinsic microcrystalline or nanocrystalline hydrogenated silicon and photovoltaic cell obtained by this method | |
US4268711A (en) | Method and apparatus for forming films from vapors using a contained plasma source | |
EP2116629A1 (en) | Deposition source, deposition apparatus and method for forming organic thin film | |
US9103033B2 (en) | Reel-to-reel reaction of precursor film to form solar cell absorber | |
KR960023228A (ko) | 화학 증착에 의한 박막 형성 장치 및 방법 | |
US5405517A (en) | Magnetron sputtering method and apparatus for compound thin films | |
KR20090110293A (ko) | 솔라셀 흡수체를 형성하기 위한 전구체의 릴-투-릴 반응 | |
JPS5586169A (en) | Manufacture of organic photo-conducting film | |
WO1998039497A1 (en) | Deposition of thin films | |
Haller et al. | Photochemistry of 1, 3‐Butadiene: Details of the Primary Processes and Mechanism of Photopolymerization | |
KR850001974B1 (ko) | 광화학적 증착방법 및 장치 | |
US3239368A (en) | Method of preparing thin films on substrates by an electrical discharge | |
JPS61229319A (ja) | 薄膜形成方法 | |
Geohegan et al. | Column IIIA metal film deposition by dissociative photoionization of metal halide vapors | |
KR860001049B1 (ko) | 화합물의 박층필름 제조방법 | |
Greenberg | Photodesorption from Interstellar Dust Grains∗ | |
KR860001051B1 (ko) | 화합물의 박층필름 제조장치 | |
SU901352A1 (ru) | Устройство дл нанесени покрытий | |
RU2061786C1 (ru) | Способ нанесения покрытий в вакууме и испаритель вакуумной установки для его осуществления | |
JP2548387B2 (ja) | 液晶の配向膜の製造装置 |