NO155106B - Fremgangsmaate og apparat for gjennomfoering av en atomsjiktsepitaksivekst. - Google Patents

Fremgangsmaate og apparat for gjennomfoering av en atomsjiktsepitaksivekst. Download PDF

Info

Publication number
NO155106B
NO155106B NO800555A NO800555A NO155106B NO 155106 B NO155106 B NO 155106B NO 800555 A NO800555 A NO 800555A NO 800555 A NO800555 A NO 800555A NO 155106 B NO155106 B NO 155106B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
rifamycin
solution
methanol
acid
formula
Prior art date
Application number
NO800555A
Other languages
English (en)
Other versions
NO155106C (no
NO800555L (no
Inventor
Tuomo Suntola
Arto Pakkala
Sven Lindfors
Original Assignee
Lohja Ab Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lohja Ab Oy filed Critical Lohja Ab Oy
Publication of NO800555L publication Critical patent/NO800555L/no
Publication of NO155106B publication Critical patent/NO155106B/no
Publication of NO155106C publication Critical patent/NO155106C/no

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/305Sulfides, selenides, or tellurides
    • C23C16/306AII BVI compounds, where A is Zn, Cd or Hg and B is S, Se or Te
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/403Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/405Oxides of refractory metals or yttrium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/20Aluminium oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)

Description

Fremgangsmåte til fremstilling av nye antibiotisk virksomme
forbindelser av rifamycingruppen.
Oppfinnelsens gjenstand er fremstil-
lingen av nye anibiotisk virksomme for-
bindelser med de generelle formler
som adskiller seg fra rifamycin O, som ifølge publikasjoner i Experientia 20
(1964), 336, 339 har følgende formel:
idet de nye forbindelser istedetfor delfor-melen I hvor X står for NH, eller O, og hvor R sammen med kullstoff atomene d og e står for en rest av en aromatisk forbindelse eller en heterocyklisk forbindelse av aromatisk karakter, samt deres 16, 17, 18, 19-tetrahydroderivater. Den ovenfor beskrevne formel II b gjelder også, i tilfelle X=NH, for de tautomere former med struktur II c.
R betyr sammen med kullstoff-atomene d og e tetrahydronaftylen-, en fenylen-, naftylen-, pyridylen- eller pyri-midylenrest, som også kan være mono-eller disubstituert. Substituenter er f. eks. hydroksy-, merkapto-, lavere-alkyl-, lavere-alkoksy-, nitro-, amino-, eller karboksyl-grupper eller halogenatomer. Særlig må følgende forbindelser svarende til ovennevnte formel II b nevnes, hvori
1. X=NH, edR = fenylen
2. X=NH, edR = fenylen substituert med klor i p-stilling til e eller d 3. X=NH, edR = pyridylen med formlene 5. X=NH, edR = fenylen substituert med metyl i p-stilling til e eller d 6. X=NH, edR = fenylen substituert med metyl i o-stilling til e eller d 7. X=NH, edR = fenylen substituert med etyl i o-stilling til e eller d 8. X=NH, edR = fenylen substituert i p-stilling til e eller d hver med metyl 9. X=NH, edR = naftylen med formlene
10. X=0, edR = fenylen
11. X=0, edR = fenylen substituert med
klor i p-stilling til e
12. X=0, edR = fenylen substituert med
. en nitrogruppe i p-stilling. til e
13. X=0, edR — fenylen substituert med -klor i o-stilling til e og med en nitrogruppe i p-stilling til d 14. X=0, edR = fenylen substituert med en karboksylgruppe i o-stilling til d 15. X=0, edR = naftylen med formel 16. X=0, edR = fenylen substituert med metyl i o-stilling til e 17. X=0, edR = fenylen substituert med metyl i p-stilling til d 18. X = 0, edR = fenylen substituert med metyl i p-stilling til e 19. X=NH, edR = tetrahydronaftylen med formel 20. 16, 17, 18, 19-tetrahydroderivatet av ovenfor nevnte forbindelse 1, samt de tilsvarende hydrochinonderivater i-følge formel II a, som skal betegnes med numrene 1'—20'.
Av særlig betydning er ovenfor nevnte forbindelse 1, som har formel eller i tautomer form
og som betegnes som rifamycin PH.
De nye forbindelser er dypfarvede stoffer. Chinonene (Hb) og hydrochinon-ene (Ila) kan lett overføres i hverandre. Av begge kan man fremstille vannløselige salter ved omsetning med alkalier, når X=NH i formel II, fortrinnsvis av den chinoide form b, og når X—O i formel II, fortrinnsvis av den hydrochinoide form a. Hvis forbindelsene av form a eller b har basiske substituenter, kan de også danne syreaddisjonssalter, hvortil man fremfor alt bruker syrer som er egnet til dannelse av terapeutisk anvendbare salter. Slike er f.eks.: halogenvannstoffsyre, svovelsyrer, fosforsyrer, salpetersyre, perklorsyre, ali-fatiske, alicykliske, aromatiske eller hete-rocykliske karbonsyrer eller sulfonsyrer, som maursyre, eddiksyre, propionsyre, ravsyre, glykolsyre, melkesyre, eplesyre, vinsyre, sitronsyre, ascorbinsyre, malein-syre, hydroksymaleinsyre eller pyrodrue-syre, fenyleddiksyre, benzoesyre, p-amino-benzoesyre, antranilsyre, p-hydroksyben-zoesyre, salicylsyre eller p-aminosalisyl-syre, embonsyre, metansulfonsyre, etansul-fonsyre, hydroksyetansulfonsyre, etylen-sulfonsyre, halogenbenzolsulfonsyre, tolu-olsulfonsyre, naftalinsulfonsyre eller sulfa-nilsyre, metionin, tryptofan, lysin eller ar-ginin.
Disse eller andre salter av de nye forbindelser, som f.eks. pikratene, kan også brukes til ren-fremstilling av de oppnådde baser, idet man overfører basene i salter, adskiller disse fra forurensninger, og derpå igjen frigjør basene. På grunn av den intime sammenheng mellom basene i fri form og i form av deres salter, forstås i det forangående og i det følgende med de frie baser hensiktsmessig også eventuelt de tilsvarende salter.
Forbindelsene ifølge formel Ila eller II b, deres 16, 17, 18, 19-tetrahydroderivater, blandinger av disse og deres salter utmerker seg ved en høy antibiotisk virkning. Således oppviser de en høy antibakte-riell effekt mot grampositive bakterier og mot tuberkulosebasiller og en god virkning mot gramnegative bakterier. En særlig ut-preget virkning oppviser det ovenfor beskrevne rifamycin PH, idet dette såvel in vitro som in vivo er overlegent ovenfor be-kjente antibiotika som f.eks. rifamycin SV, hvilket fremgår av følgende tabell.
In vitro- aktivitet av rifamycin PH sammenlignet med rifamycin SV.
Minimal hemmende konsentrasjon i y/ ml.
S. = staphylococcus E. = Escherichis Ps. Aer. = Pseudomonas aeruginosa Str. = streptococcus Tbc. = Mycobac.tubercolosis
Kjemoterapi på mus ved rifamycin PH og SV.
Et annet fortrinn med rifamycin PH ligger i at det ved oral administrasjon oppnås en relativt høy blodspeilverdi og en god organfordeling. F.eks. får man følg-ende verdier, når man anvender dette stoff i doser på 10, henholdsvis 20 mg/kg på mus:
Produktene ifølge oppfinnelsen kan ved siden av bruk som antibiotika innen human- og dyremedisinen også anvendes som matvaretilsats og til konservering av næringsmidler.
De nye forbindelser blir oppnådd når man omsetter rifamycin O eller rifamycin S eller deres 16, 17, 18, 19-tetrahydroderivater med en forbindelse med formel III
hvor R og X har den angitte betydning, og om ønsket, uansett rekkefølge, oksyderes dannede hydrochinoner til chinoner og/ eller dannede chinoner reduseres til hydrochinoner og/eller dannede forbindelser hydreres med katalytisk aktivert vannstoff til deres 16, 17, 18, 19-tetrahydroderivater og eventuelt overføres de oppnådde forbindelser til sine salter. Alt etter reaksjons- og opparbeidelsesbetingelsene fås det ønskede reaksjonsprodukt som chinon (II b) eller som hydrochinon (Ila). Disse to forbindelser går lett over i hverandre ved oksy-dasjon, henholdsvis reduksjon, og lar seg på den måte skille fra hverandre. Til ok-sydering er det allerede nok med luftens surstoff. Til reduksjon kan man f.eks. bruke ascorbinsyre eller ditionit.
Kondensasjonen, idet man går ut fra rifamycin O, blir utført i nærvær av et oppløsningsmiddel, fortrinnsvis et polart oppløsningsmiddel, eller en blanding av oppløsningsmidler, f.eks. i kloroform-metanol-vann, vannmettet n-butanol, dioksan, tetrahydrofuran eller deres blandinger med metanol og/eller vann. Man arbeider ved værelsestemperatur, eller, om nødven-dig, ved høyere temperatur (dampbad). Reaksjonens endepunkt, henholdsvis ende-punkter, som gir maksimalt utbytte, kan bestemmes ved tynnskiktkromatografi. Ved siden av det ønskede kondensasjonsprodukt kan oppløsningen inneholde redu-sert utgangsmateriale, rifamycin B. Kondensasjonsproduktet kan renses ved fraksjonert ekstraksjon, ved absorpsjonskro-matografi og/eller krystallisasjon eller re-krystallisasjon fra metanol-vann.
Til kondensasjon, idet man går ut fra rifamycin S, anvendes ekvivalente mengder rifamycin S og den annen kondensa-sjonskomponent i upolare oppløsningsmid-ler (benzol, toluol, eter etc), idet kompo-nentene løses opp i disse og reaksjonsblandingen settes tilside så lenge til alt det tilsatte rifamycin S har reagert. Dette har som regel skjedd etter noen dager. Reaksjonstiden kan forkortes ved oppvarm-ning. Oppløsningen inneholder nå, ved siden av det ønskede kondensasjonsprodukt, også rifamycin SV og oksydert reagens. Til fremstilling av det rene kondensasjonsprodukt er det hensiktsmessig å foreta en forrensning: A) Ved kondensasjonsproduktet av fenoksazintypen (X = O i formel II) opp-løser man residuet etter inndampning av reaksjonsløsningen i metanol eller aceton og feller ut kondensasjonsproduktet ved forsiktig tilsetning av konsentrert soda-oppløsning, mens rifamycin SV og delvis også andre forurensninger forblir i opp-løsning. B) Ved kondensasjonsproduktet av fenazintypen (X = NH i formel II) må — på grunn av disse forbindelsers høyere aciditet — den ovenfor beskrevne omkrystallisering fra metanol eller aceton foretas med vann istedetfor sodaoppløsning. Når de anrikede kondensasjonsprodukter fra denne omfelling ikke kan krystalliseres direkte, kan man deretter utsette produktet for adsorpsjonskromatografi. Dette er nødvendig i de tilfeller hvor det oppstår en blanding av isomere kondensasjonsprodukter på grunn av usymmetri av den kon-denserende reagens, og man ønsker en adskillelse av disse komponenter. Hertil kan som adsorbens anvendes kiselgel, som er forbehandlet med 1-2%-ig oppløsning av eddiksyre i kloroform. Som elueringsmid-del brukes ved fenazinstoffene kloroform med 1% iseddik, ved fenoksazinstoffene kloroform med 5% aceton. Som regel er det tilstrekkelig med 1 kg kiselgel til kromatografering av ca. 20 g råkondensa-sjonsprodukt.
I de fleste tilfeller er det fordelaktig å foreta en filtrering gjennom korte kisel-gelkolonner før den egentlige rensing. Isomerblandinger av fenazinstoffer som er oppstått ved kondensering med usymme-trisk reagens av typen III (X = NH), lar seg bare adskille ved gjentatte kromato-graferinger ifølge ovenfor angitte betin-gelser.
Til rensing av kondensasjonsprodukter med både rifamycin 0 og rifamycin S som utgangsstoffer, kan man benytte seg av kromatografi på polyamidkolonner eller fraksjonert adsorpsjons-eluering på polyamidpulver i «batch-metoden». Reaksjonsblandingen, f.eks. den oppståtte blanding av rifamycin PH og rifamycin B fra kondensasjonen av rifamycin 0 med fenylendiamin, blir adsorbert på polyamid fra metanolisk oppløsning og eluert fraksjonert ved eluering med iseddikmetanol med varierende sammensetning.
Når man ved kondenseringen går ut fra rifamycin O, kan det være en fordel å foreta anrikningen av kondensasjonsprodukt ved fraksjonert ekstraksjon, hvorved man utnytter reaksjonsproduktenes forskjellige aciditet. Således kan man eksem-pelvis fra en eddikesteroppløsning av reaksjonsblandingen, oppstått ved kondensering av rifamycin O med o-fenylendiamin, ekstrahere det overskytende o-fenylendiamin ved pH 3-3,5, og ekstrahere rifamycin B ved pH 7,3. Den tilbakeværende eddik-esterfase inneholder da nesten rent rifamycin PH. Ved denne anrikningsmetode kan det være nyttig i alle tilfelle å redusere uomsatt utgangsstoff rifamycin O til rifamycin B før adskillelsen, idet rifamycin B lettere lar seg skille fra det ønskede kondensasjonsprodukt enn rifamycin O. Det fraskilte rifamycin B kan vinnes tilbake som utgangsstoff, rifamycin O, ved oksy-dasjon gjennom et separat reaksjonstrinn.
Omvendt er det mulig å oksydere re-dusert utgangsstoff, rifamycin B, (som foreligger ved siden av det ønskede kondensasjonsprodukt) tilbake til utgangsstoffet rifamycin 0 i selve reaksjonsblandingen uten adskillelse eller isolering, og likeledes å oksydere rifamycin SV tilbake til rifamycin S, hvis dette er utgangsstoffet. Etter fornyet tilsetning av reagens, f.eks. o-fenylendiamin, kan man la reaksjonen løpe videre. Til disse omdannelser anvender man fortrinnsvis oksydasjons-midler som f.eks. ammoniumpersulfat eller kaliumferricyanid, og reduksjonsmidler som f.eks. ascorbinsyre. Man kan utføre Redoxprosessene i heterogen blanding eller i homogen fase. F.eks. kan det rifamycin SV som er dannet etter kondensasjon mellom rifamycin S og o-fenylendiamin i benzolisk oppløsning, og som foreligger ved siden av rifamycin PH, oksyderes tilbake til rifamycin S ved utrysting med en vandig oppløsning av kaliumferricyanid.
Etter den kromatografiske rensing av kondensasjonsproduktene kan man foreta en krystallisering. Som oppløsningsmiddel for krystalliseringen av kondensasjonsproduktene, har man funnet at metanol, aceton, iseddik, aceton-eter-benzol-eter-, metanol-vann-blanding samt 80%-ig eddiksyre egner seg. Blandinger av isomere fe-nazinforbindelser danner ofte blandkry-staller.
Kondensasjonsprodukter ifølge formel
II a eller II b, fremstilt ved ovennevnte metode fra rifamycin O eller S, kan reduseres til tetrahydroderivater, hvori de to dobbeltbindinger i 16,17 og 18,19-stilling er mettet. Denne reduksjon kan foretas ved hjelp av katalytisk aktivisert hydrogen, f.eks. ved hydrogen i nærvær av en palla-diumkatalysator, særlig palladium-kull, eller Raney-nikkel.
Oppfinnelsen vil beskrives ved de føl-gende eksempler. Temperaturen er angitt i Celsiusgrader.
De tynnskikt-kromatogrammer som er nevnt i eksemplene 1—9, er utført på kiselgel i systemet kloroformaceton (15 : 1). Platene blir utsatt for eddiksyredamper i 15 sek. før utviklingen. • De tynnskiktkromatogrammer som er anført i eksemplene 10—27 og 30—33, er utført på kiselgel i system A eller B: System A: Kloroform-metanol 100 : 3, plate impregnert med sitronsyre (52 ml 5% vandig sitronsyreoppløsning pr. 25 g kiselgel).
System B: Kloroform-aceton 5 : 1.
Rf-verdiene er oppført med Rf-verdien for rifamycin 0 = 1 som referanse, og betegnes heretter som Rf,.0.
Strukturen for de forbindelser som fås ifølge eksemplene er angitt i eksemplene ved henvisning til formlene på side 3, 4 og 5.
Eksempel 1.
Man blander en oppløsning av 1,52 g rifamycin O i 150 ml kloroform med en oppløsning av 0,22 g o-fenylendiamin i 200, ml metanol. Blandingen f arves raskt mørkegrønn. Man lar stå 30 min. ved rom-témperatur og avdamper deretter i vakuum ved 20°. Residuet løses i kloroform og filtreres gjennom en kort kiselgelkolonne. Etter avdamping av kloroformen får man et grønt pulver, som renses ved gjentatt omkrystallisering fra metanol-vann (0,84 g). Det fremstilte pulver kokes i 30 min. i metanolisk oppløsning. Deretter inndampes i vakuum og residuet kromatograferes på kiselgel med elueringsmiddelet kloroform-aceton (10 : 1) som inneholder 5 % iseddik. Man oppsamler de forskjellige elu-atporsjoner, og grønnfarven forvandler seg til lyserød med lut. Etter inndamping fås tilbake et kromatografisk rent kondensasjonsprodukt av rifamycin O og o-fenylendiamin; rifamycin PH. Utbyttet 0,68 g, Rfjjo = 0,28. Formel 1.
Eksempel 2.
1,52 g rifamycin O og 0,29 g 4-klor-o-fenylendiamin oppløses i 400 ml kloroform-metanol (1:1). Man koker kort opp på vannbad og avdamper den dypt grønnfar-vede oppløsning til tørrhet i vakuum. Residuet blir som i eksempel 1, renset ved
kiselgel og ved omkrystallisering fra metanol-vann. Det oppnådde kondensasjonsprodukt av rifamycin O og 4-klor-o-fenylendiamin er et amorft grønt pulver, som ifølge tynnskiktkromatografi er enhetlig. Rfu0 = 1,1. Formel 2.
Eksempel 3.
Man oppløser 3,0 g rifamycin O i 500 ml metanol, tilsetter 0,5 g 2,3-diaminopyridin og lar stå 36 timer ved værelsestemperatur. Deretter inndampes den mørk-farvede reaksjonsblanding til tørrhet i vakuum, og residuet ble renset ved gjentatt kromatografering på kiselgel. Med elueringsmiddelet kloroform-aceton (10 : 1) får man først brungrønne eluater, senere fås eluater med rent blå farve. Etter opp-arbeidelse av alle de blå eluater fås tilbake 1,50 g av et kondensasjonsprodukt av rifamycin O og 2,3-diaminopyridin, som krystalliseres fra 80%-ig vandig metanol. Det dannes violet-svarte krystaller som opp-løser seg i organiske oppløsningsmidler med blå farve, utbyttet ca. 50%. Stoffet f arves rødt med alkali. Smeltepunkt: 175°
(dekomposisjon). Rf K0 = 0,30. Formel 3.
Eksempel lf.
0,76 g rifamycin O og 0,15 g 4,5-diamino-2-tiouracil oppløses i 100 ml kloroform, tilsettes 300 ml metanol og man lar stå i 3 dager ved romtemperatur. Deretter inndampes oppløsningen i vakuum og kromatograferes på kiselgel. Med kloroform-aceton (10 : 1) elueres gult og rødbrunt stoff. Med kloroform-aceton (5 : 1) elueres deretter et rent grønnblått kondensasjonsprodukt av rifamycin O og 4,5-diamino-2-tio-uracil. Utbyttet 390 mg (50%). RfR0 = 0,17. Formel 4.
Eksempel 5.
En oppløsning av 5,4 g rifamycin O i 150 ml kloroform ble blandet med en opp-løsning av 0,8 g o-aminofenol i 200 ml 75%-ig vandig metanol, og kokt på vannbad under tilbakeløp. Derved farves reaksjonsblandingen raskt violett. Etter 15 min. koketid inndampes den i mellomtiden vin-rødt farvede oppløsning i vakuum. Man oppløser residuet i eter, filtrerer, og ryster den eteriske oppløsning flere ganger med vandig sodaoppløsning, og til slutt med kokesaltoppløsning. Etter tørring over natriumsulfat og irindampning av den eteriske oppløsning, gjenstår 3,1 g residuum, som ved siden av forurensninger inneholder to hovedprodukter. For å kunne skille disse, blir blandingen kromatografert på kiselgel med kloroform som oppløsnings-middel. Etter uttapning av gule forfrak-sjoner elueres et violett produkt. Man oppsamler alle violett-farvede reaksjoner og kromatograferer deretter flere ganger, for å kunne skille ut alle spor av gule og røde stoffer. Endelig omkrystalliseres to ganger fra metanol-vann og man får derved en tynnskiktkromatografisk enhetlig violett pulver. Rfu0 — 1,1. Stoffet omdannes i vandig metanolisk oppløsning etter noen tid, raskere ved kort oppkokning, til det rødfarvede hovedprodukt nr. 2 i den ovenfor beskrevne blanding.
Hovedprodukt nr. 2 fås også når man oppløser ovennevnte residuum (3,1 g) i 50%-ig vandig metanol og lar oppløsnin-gen stå 12 timer ved romtemperatur. Man fortynner sterkt med kokesaltoppløsning og ekstraherer med eter. To gangers kromatografering av ekstraktet og 100 g kiselgel hver gang (mrk. løpemiddel kloroform-aceton (5%) fører til et rødt produkt. Man oppløser dette i 30 ml metanol (rød oppløsning) og tilsetter oppløsningen ct overskudd av ascorbinsyre (farveom-slag til brunt). Ved langsom tildrypning av over 50 ml vann utskiller hydrochinon-forrnen av kondensasjonsproduktet seg i svartglinsende krystaller. Samtlige forurensninger befinner seg i den rødbrune moderlut. Krystallene er tynnskiktkromatografisk rene. Rf,!0 = 0,61. Utbyttet: 2,4 g (45%). Smeltepunkt under dekom-ponering (opp-esing): 180°. Forbindelsen har formel 10.
Til fremstilling av natriumsaltet opp-slemmes krystallene i så lite vann som mulig og tilsettes under sterk røring og dråpevis en ekvivalent mengde l-n natronlut. Ved potentiometrisk pH-kontroll blir til-drypningshastigheten utmålt slik at det unngås en sterk alkalisk reaksjon for blandingen. Etter avsluttet lufttilsetning, er alle krystallene oppløst. Man filtrerer den vinrøde oppløsning og isolerer det opp-løste natriumsaltet ved frysetørkning.
Eksempel 6.
3,04 g rifamycin O og 0,58 g 4-klor-2-aminofenol oppløses i 400 ml kloroform-metanol (1:1) og oppløsningen kokes 15 min. på vannbad. Den først violette, siden vinrøde oppløsning dampes inn, residuet løses i eter, og eteroppløsningen rystes ut gjentatte ganger med sodaoppløsning og til slutt med kokesaltoppløsning. Etter tør-ring over natriumsulfat og inndamping av eterløsningen, kromatograferes residuet gjentatte ganger på kiselgel (oppløsnings-middel kloroform-aceton (15 : 1)). Derved lykkes det å få en violett og en rød sub-stans som er adskilt fra alle forurensninger. Når de gule forurensninger vanskelig lar seg skille, fører også omkrystallisering av sterkt anrikede stoffer ut fra metanol-vann til rene produkter. Det violette produkt fås med dårlig utbytte. Det har Rf|i0-verdien 1,1. Det rødfargede kondensasjonsprodukt oppnås i 55-60%-ig utbytte, og har RfH0-verdien 0,64. Det violette produktet går ved koking i vandig metanol nesten kvantitativt over i det røde produkt. Dette tilsvarer formel 11.
Eksempel 7.
1,52 g rifamycin O blir sammen med 0,31 g 4-nitro-2-aminofenol oppløst i kloroform, tilsatt 300 ml metanol og kokt 30 min. på vannbad. Deretter inndampes og man kromatograferer residuet med kloroform-aceton (10 : 1) på kiselgel. Man får etter fraskillelse av brune og gule stoffer et brunrødlig materiale, som allerede er sterkt oppkonsentrert. Omkrystallisering fra metanol-vann fjerner de siste forurensninger og man får et rustrødt pulver som tynnskiktkromatografisk er enhetlig (kiselgel, kloroform-aceton (15 : 1)). RfR0 = 1,0. Utbyttet 50-60%. Produktet tilkommer formel 12.
Eksempel 8.
1,52 g rifamycin O og 0,38 g 2-amino-6-klor-5-nitrofenol oppløses i 50 ml kloroform, tilsettes 300 ml metanol og man koker oppløsningen raskt opp på vannbad. Den straks mørke rødbrun-farvede opp-løsning inndampes og kromatograferes raskt på kiselgel med kloroform-aceton
(10 : 1). På grunn av at reaksjonsproduk-tet med denne kromatografering delvis blir ødelagt, nøyer man seg med en sterk an-rikning av det rustrøde reaksjonsprodukt. ' Dette blir derpå oppnådd i kromatografisk
ren form ved tre gangers omkrystallisering fra metanol-vann. Ffuo = 1,0. Utbyttet 60%. Produktet tilkommer formel 13.
Eksempel 9.
En oppløsning av 1,52 g rifamycin O og 0,31 g 3-hydroksy-antranilsyre i 300 ml kloroform-metanol (1 : 1) oppkokes en time. Derpå damper man inn og kromatograferer residuet flere ganger på kiselgel med kloroform-aceton-iseddik (20 : 1 : 1). Man' isolerer 0,780 g kondensasjonsprodukt som polar brunt stoff (tilnærmet 50 % utbytte). RfR0 = 0,42. Produktet tilkommer formel 14.
Eksempel 10.
Man oppløser 7,54 g rifamycin 0 oe: 1,11 men med 1,59 g l-amino-2-naftol i 70 ml kloroform, tilsetter 400 ml metanol og lar oppløsningen, som raskt mørkfarves, stå så lenge ved værelsestemperatur til alt det tilsatte rifamycin 0 har reagert, (tynnskikt-kromatogram). Så inndampes det meste av oppløsningsmiddelet i vakuum, og man lar stå. Etter noen tid utkrystalliserer fra løs-ningen blåsvarte, glinsende krystaller av kondensasjonsproduktet ut, som etter omkrystallisering fra metanol smelter ved 210—212°. Utbyttet 3,7 g. Rfli0 = 0,91
(system B). Produktet har formel 15.
Eksempel 11.
Man oppløser 7,94 g rifamycin 0 og 1,11 g 3-amino-2-hydroksytoluen i 70 ml kloroform, tilsetter 400 ml metanol og lar blandingen stå ved værelsestemperatur så lenge at alt det tilsatte rifamycin 0 har reagert (tynnskikt-kromatogram). Deretter damper man inn, oppløser residuet i metanol og lar igjen stå, til det til å begynne med violett-farvet kondensasjonsprodukt er gått fullstendig over i et rødfarvet produkt. Nå felles kondensasjonsproduktet med konsentrert natriumkarbonatoppløs-ning, fellingen filtreres, vaskes med vann og krystalliseres endelig ut fra metanol. Etter gjentatt omkrystallisering fra metanol fåes 3,5 g kondensasjonsprodukt i mør-ke, brunrøde krystaller, som smelter ved 172—174°. Rfli0 = 0,89 (System B). Formel 16.
Forbindelsen' lar seg omdanne til dets hydrokinon (formel 16) ved reduksjon med askorbinsyre (sammenlign eksempel 5) i alkoholisk oppløsning, og hydrokinonet fåes' fra metanol i fiolettsvarte krystaller , med smeltepunkt 183—184°. |
Eksempel 12.
Man oppløser 7,54 g rifamycin 0 og 1,11 g 4-amino-3-hydroksytoluen 70 ml kloroform. Oppløsningen tilsettes 400 ml
metanol og får stå så lenge ved værelsetemperatur at alt tilsatt rifamycin 0 omsettes. Så damper man inn, oppløser residuet i metanol og lar igjen dette stå så lenge at det primært dannede produkt fullstendig omdannes til et rødfarvet kondensasjonsprodukt. Så felles det røde produkt med konsentrert sodaoppløsning og fellingen kromatograferes til renfremstilling på 500 g kiselgel med elueringsmiddelet kloroform-metanol (20:1). Det rødfarvede kondensasjonsprodukt krystalliserer ut fra vandig metanol i mørkerøde, rombiske plater med smeltepunkt 185—187° C. RfI{0
= 0,98 (System B). Utbytte: 3,0 g. Formel 17.
Stoffet lar seg omdanne til dets hydrokinon med askorbinsyre på den måte som er angitt i eksempel 5. (Formel 17').
Eksempel 13.
Fra 7,54 g Rifamycin 0 og 1,11 g 3-amino-4-hydroksytoluen fåes etter fremgangsmåten i eksempel 12 2,80 g kondensasjonsprodukt som rødt, amorft stoff. RfH0 = 0,98 (System B). Formel 18.
Stoffet lar seg omdanne til dets hydrokinon med askorbinsyre på den måte som er angitt i eksempel 5 (formel 18').
Eksempel lJf.
7,54 g Rifamycin 0 og 1,10 g 3,4 diaminotoluen løses i 70 ml kloroform. Man tilsetter oppløsningen 400 ml metanol og lar oppløsningen stå så lenge ved romtemperatur at alt tilsatt rifamycin 0 er omsatt. Deretter inndampes i vakuum, residuet oppløses i metanol og man setter igjen til' side så lenge til det primært dannede skittengrønne materiale i så stor mengde som mulig er gått over til et kondensasjonsprodukt med rød alkalif arvning. Dette kondensasjonsprodukt felles flere ganger fra metanoloppløsning med kok-saltoppløsning og man renser det på denne måte anrikede materiale ved gjentatt kromatografering på kiselgel, forbehandlet med 1 % eddiksyre, og elueringsmidlet kloroform (inneholdende 1 % eddiksyre), hvorunder under kromatograferingens for-løp kan tilsettes noe-aceton eller metanol. Man får to isomere, mørkegrønne kondensasjonsprodukter, som tilkommer formel .5.
Hovedmengden har RfK0-verdi 0,42
(System A), krystalliserer fra 80 %-ig eddiksyre i små mørkegrønne glinsende kry-stallblader, som smelter ved 199—201°C. Utbyttet: 1,40 g.
Den annen isomer med RfR0-verdi 0,51 (system A) fåes ved denne arbeidsmåte likeledes rent. Smeltepunkt 192—193°.
Eksempel 15.
7,54 g rifamycin 0 og 1,10 g 2,3-diaminotoluen oppløses i 70 ml kloroform. Man tilsetter oppløsningen 400 ml metanol og lar oppløsningen stå så lenge ved værelsetemperatur, til det tilsatte rifamycin 0 er omsatt. Deretter opparbeides som under eksempel 14. Etter omhyggelig kromatografering fåes et kondensasjonsprodukt som omkrystalliseres fra metanol, metanolvann og aceton. Det fåes mørkegrønne krystaller med smeltepunkt 190—191°C. Utbytte 2,7 g. Rfli0 = 0,51 (System A). Formel 6.
Den annen isomer, som ved kromato-graferingen likeledes oppnås ren og som finnes i moderluten etter krystalliseringen av stoffet med smeltepunkt 190—191°, viser RfR0-verdien = 0,64 (System A).
Eksempel 16.
Ut fraj 7,54 g Rifamycin 0 og 1,24 g 2,3-diamino-etylbenzen fåes etter fremgangsmåten i eksempel 14 en blanding av isomere kondensasjonsprodukter, som lar seg skille i sine komponenter ved kromatografering. som beskrevet i eksempel 14. Hovedproduktet, den isomere med Rfli0 = 0,53 (System A), krystalliserer fra metanol og aceton. Mån får 2,5 g mørkegrønne krystaller, som smelter ved 180—181°. Formel 7.
T moderluten etter krystallisering av den ' isomere med smeltepunkt 180—181°, finnes det annet kondensasjonsprodukt. Dette produkt renf remstillet ved kromatografering på beskreven måte oppviser RfK0
-verdi = 0,73 (System A).
Eksempel 17.
Fra 7,54 g Rifamycin 0 og 1,36 g 4,5-diamirio^l,2-dimetylbenzen fåes etter fremgangsmåten i eksempel 14 et mørkegrønt kondensasjonsprodukt, som renses ved omkrystallisering og kromatografering. Utbytte:' 2,8g RfR0'= 0,43 (system A),Formel 8.
Eksempel 18.
34,8 g rifamycin S oppløses sammen med 5,4 g o-fenylendiamin i 750 ml benzen. Oppløsningen lar man stå så lenge til det ved tynnskiktkromatografi ikke kan påvises noe Rifamycin S i reaksjonsblandingen lengere. Dette er tilfelle etter et par dager. Derpå blir reaksjonsoppløsningen inndampet og residuet renset ved gjentatt omkrystallisering fra metanol. Etter to gangers kromatografering på 300 resp. 1000 g kiselgel (forbehandlet med 1 %-ig kloroformoppløsning av eddiksyre) med oppløsningsmidlet kloroform (inneholdende 1 % iseddik) oppnås 15 g kondensasjonsprodukt, som langsomt krystalliserer ut fra 80 %-ig eddiksyre. Det kromatografiske rene produkt danner små mørke-grønne krystaller som smelter ved 181— 183°. RfK0 = 0,53 (system A) Formel 1.
Eksempel 19.
34,8 g Rifamycin S oppløses sammen med 6,1 g 3,4 diaminotoluen i 750 ml benzen. Oppløsningen lar man stå så lenge ved værelsestemperatur til alt Rifamycin S har reagert (Tynnskiktkromatogram). Deretter dampes reaksjonsoppløsningen inn og residuet renses ved gjentatt omkrystallisering fra metanol med vann. Gjentatt kromatografering på kiselgel forbehandlet med 1 %-ig kloroformoppløsning av eddiksyre og med elueringsmidlet kloroform (inneholdende 1 % iseddik) leverer 9 g av et rent kondensasjonsprodukt med RfR0-verdi 0,42 (system A), som krystalliserer ut fra 80 %-ig eddiksyre i mørkegrønne, glinsende små blader som smelter ved 199
—201°C. Formel 5.
Blant de forbindelser som vandrer raskere i kromatogrammet, finnes 4,5 g av det isomere kondensasjonsprodukt med Rfu0-verdi 0,51 (system A) i ren form. Formel 5.
Eksempel 20.
En oppløsning av 34,8 g rifamycin S og 6,1 g 2,3-diaminotoluen i 750 ml benzen lar man stå ved værelsetemperatur inntil fullstendig reaksjon. Derpå inndampes oppløsningen, residuet felles flere ganger fra metanolvann og man kromatograferer det på denne måte forrensede reaksjonsprodukt på den måte som er beskrevet i eksempel 18. En eneste kromatografering på 1000 g kiselgel leverer et krystallisert, produkt, som etter gjentatt krystallisering (avvekslende) fra metanol, fortynnet metanol og aceton oppstår som den krystalliserte rene isomer med RfK0 = 0>51 i System A. Den isomere fåes i form av mørke-grønne rombiske plater som smelter ved 190—191°C. Utbytte: 10 g. Formel 6.
Moderluten gir etter inndampning en blanding av to isomere kondensasjonsprodukter, hvor den annen isomer med Rf H0 = 0,64 (System A) er sterkt anriket. Denne annen isomer lar seg utvinne ved omhyggelig kromatografering som ovenfor beskrevet. Formel 6.
Eksempel 21.
Fra reaksjonen mellom 34,8 g Rifamycin S og 6,8 g 2,3-diaminoetylben^en fåes etter fremgangsmåten som beskrevet i eksempel 18 og 20, et kondensasjonsprodukt, som oppnåes rent ved gjentatt krystallisering (avvekslende) fra metanol, fortynnet metanol og aceton i form av den rene isomer med RfI!0-verdi lik 0,53 (System A). Mørkegrønne krystaller med smeltepunkt 180—181°. Utbytte: 6 g.
Formel 7.
Moderluten etter krystallisering av den ovennevnte isomer lar tilbake etter inndampning 6,5 g krystallinsk materiale, som består av omtrent like deler av de to isomere kondensasjonsprodukter. Ved kromatografi på den beskrevne måte fremstilles derav i små mengder den oppståtte isomer med RfK0-verdi = 0,73 (System A). Formel 7.
Eksempel 22.
En oppløsning av 3,48 g Rifamycin S og 0,79 g 1,2-diaminonaftalen i 100 ml benzol settes til side ved værelsestemperatur inntil fullstendig reaksjon av det tilsatte Rifamycin S har funnet sted. Deretter inndampes oppløsningen, residuet felles flere ganger fra metanolvann og man kromatograferer det på denne måte forrensede reaksjonsprodukt på den måte som er beskrevet i eksemplene 18—21 (kiselgel, kloroform med 1% eddiksyre). Ved omhyggelig gjentatt kromatografering lar den største del av de oppståtte isomere (Rfl{0 = 0,39 i system A) seg utvinne i kromatografisk ren form og krystalliserer fra metanol og fortynnet metanol. Mørke-grønne tetraedriske krystaller med smeltepunkt 205—210°. Utbytte: 0,35 g.
Eksempel 23.
En oppløsning av 3,48 g rifamycin S og 0,68 g 4,5-diamino-l,2-dimetylbenzen i 100 ml benzen settes til side så lenge ved værelsetemperatur til man har fått en fullstendig reaksjon av det tilsatte rifamycin S. Deretter inndampes oppløsningen, residuet felles flere ganger fra metanolvann og det på denne måte for-rensede reaksjonsprodukt kromatograferes på beskreven måte (kiselgel, kloroform med 1 % eddiksyre). Man får det mørkegrønne kondensasjonsprodukt med Rf no = 0,43 (System A). Formel 8.
Eksempel 2Jf.
34,8 g Rifamycin S og 5,45 g o-aminofenol ble oppløst i 750 ml benzen. Man lar on<p>løsningen stå ved værelsestemperatur så lenge at alt det tilsatte rifamycin S har reagert. Deretter inndampes til tørrhet, residuet oppløses i metanol og lar igjen
stå til det til å begynne med dannede fiolette kondensasjonsprodukt fullstendig er gått over til et rødt produkt. Deretter
felles det røde kondensasjonsprodukt ved tilsetning av sodaoppløsning til den metanoliske oppløsning av reaksjonsblandingen, fellingen vaskes med vann og filtratet kastes, idet hovedmengden av foru-rensningen befinner seg deri. Man renser
det røde kondensasjonsprodukt ved kromatografering på 1000 g kiselgel med elueringsmidlet kloroform-aceton 20:1, idet man øker acetonmengden etter hvert til et forhold på 5:1.
Man får på denne måte 16 g av amorft, rødt kondensasjonsprodukt (Rf|;0 = 0,98, system B), formel 10. Dette overføres på den allerede beskrevne måte
(eksempel 5) ved reduksjon med askorbinsyre i dens krystalliserte hydrokinonform. Hydrokinonet krystalliserer ut fra metanol i svartbrune, glinsende krystaller med smeltepunkt 180°C. Formel 10.
0,211 g av rødt kondensasjonsprodukt med Rf,,0-verdi = 0,98 hydreres i 40 ml
alkohol med 0,6 g 10 %-ig palladiumkull-katalysator. Man avbryter hydreringen
etter opptak av 17,9 ml hydrogen, filtrerer katalysatoren av og fortynner filtratet noe med vann. Nå innledes luft så lenge gjennom oppløsningen inntil alt hydrokinon er oksydert til kinon. Man feller kinonet med vann og krystalliserer flere ganger fra aceton. Den rene forbindelse er 16, 17, 18, 19-tetrahydroderivatet av det ovennevnte kinon med Rf]!0-verdi = 0,98. Det kry-
stalliserer i teglstensrøde prisme med smeltepunkt 260°. Utbytte: 0,150 g Rfli0 = 0,73. (System B).
Eksempel 25.
En oppløsning av 34,8 g Rifamycin S og 6,15 g 3-amino-2-hydroksytoluen i 750 ml benzen settes til side så lenge ved værelsestemperatur til alt det tilsatte Rifamycin S har reagert. Deretter inndampes, residuet oppløses i metanol og begge de to oppståtte kondensasjonsprodukter fra reaksjonen felles med sodaopp-løsning. Man filtrerer det utfelte materiale fra, vasker det med vann og løser det igjen opp i metanol. Ved henstand av den metanoliske oppløsning omdanner det første fiolette kondensasjonsprodukt seg etter hvert til det stabile røde kondensasjonsprodukt og det skiller seg langsomt ut fra metanolet i store, grove, brunrøde krystaller. For å oppnå fullstendig rensing krystalliseres ennu fire ganger fra metanol. Man får 19 g krystaller med smeltepunkt 172—174°. Rf ,.0 = 0,89 (System B).
Forbindelsen kan overføres i hydrokinonet på følgende måte: Man oppløser det krystalline kondensasjonsprodukt ved 60° i en akkurat tilstrekkelig mengde etanol, kjøler noe av og tilsetter derpå dråpevis en vandig-alkoholisk oppløsning av askorbinsyre (overskudd). Etter kort tid skiller det seg ut hydrokinonkrystaller, som kan omkrystalliseres fra metanol. Hydrokinonet smelter ved 183—184°.
Eksempel 26.
Man lar en oppløsning av 11,60 g Rifamycin S og 2,05 g 4-amino-3-hydrok-sytoluen i 200 ml benzen så lenge stå ved værelsestemperatur til alt det tilsatte Rifamycin S har reagert. Deretter inndampes oppløsningen, residuet løses i metanol og man lar igjen stå til det fiolette kondensasjonsprodukt som først dannes fullstendig er omdannet til det stabilere røde kondensasjonsprodukt. Det røde produkt blir felt ut fra sin metanoliske opp-løsning med sodaoppløsning, filtrert, vasket med vann, og for fullstendig rensing kromatografert på 400 g kiselgel (Eluerings-middel kloroform-aceton 20:1). Man får 4 g rødfarvet kondensasjonsprodukt, Rf no = 98. (System B). (Formel 17). Det røde kondensasjonsprodukt kan over-føres til sitt hydrokinon ved reduksjon med askorbinsyre på den måte som er beskrevet i eksempel 5. (Formel 17).
Eksempel 27.
Ved en arbeidsmåte analog til den beskrevne under eksempel 26, fåes fra 11,60 g rifamycin S og 2,05 g 3-amino-4-hydroksytoluen 4,5 g rødt kondensasjonsprodukt med RfKO = 0,98. (System B).
(Formel 18). Med askorbinsyre oppstår
derav det tilsvarende hydrokinon. (Formel 18).
Eksempel 28.
40 g Rifamycin S (spektrofotometrisk
-titer 92 %) og 6,2 g o-fenylendiamin omkrystallisert fra absolutt alkohol, oppløses i 4 liter eter tørket over natriumsulfat og oppløsningen oppbevares 64 timer ved romtemperatur. Den krystallgrøt som danner seg i løpet av dette tidsrom (29,7 g) blir suget fra på porselensnutsch. I filtratet finnes ifølge ultrafiolette absorbsjons-spektra bare små mengder av kondensasjonsproduktet Rifamycin PH ved siden av rifamycin SV. Filtratet kastes og det faste stoff på nutschen, som ifølge polarografisk analyse inneholder 58 % rifamycin PH, løses opp i 6,5 liter eddikester og ekstraheres 18 ganger i skille-trakten hver gang med 4 liter fosfatpuffer med pH 6,24. I løpet av disse ekstraksjoner tilsettes ytterligere 2,4 liter eddikester. Før de to siste ekstraksjoner tilsettes ytterligere 1,5 liter heksan, for å fjerne rifamycin SV fullstendig fra den organiske fase. Ekstraktene blir hele tiden kontrollert spektrofotometrisk og analyt-tisk ved tynnskiktkromatogram. Etter avsluttet ekstraksjon får man et volum på 8,2 liter eddikesteroppløsning, hvori ifølge spektrofotometrisk analyse finnes 15,3 g rifamycin PH (Formel 1). Denne oppløs-ning blir nå tilsatt 6 ml natrium-metylat, inneholdende 8,9 % natrium og 2,5 liter ligroin. Oppløsningen blir oppkonsentrert i vakuum til ca. 1 liter og man får på denne måten et første krystallisat av rifamycin PH's natriumsalt (13 g). Av moderluten fåes ennu 2 krystallisater. Analysen av de forskjellige fraksjoner ga følgende titer av fri rifamycin PH: 1. krystallisat: 13 g: polarografisk titer 84,4%. 2. krystallisat: 1,4 g: polarografisk titer 86,4 %. 3. krystallisat: 1,4 g: polarografisk titer 44,4%.
De spektrofotometriske og polarogra-fiske data for rifamycin PH og rifamycin SV er som følger:
Eksempel 29.
I en 6 liters firhalskolbe med glass-rører, tilbakeløpskjøler, termometer og gassinnledningsrør bringes 3,5 liter ana-lyserent metanol, og deri suspenderes 100 g rifamycin 0 omkrystallisert fra metanol (spektrofotometrisk titer minst 95 % og rifamycin 0-innhold maksimalt 3 %). Suspensjonen blir under røring kjølt utenifra med is inntil suspensjonens temperatur ligger på mellom 0 og 2°C.
Likeledes blir det for å oppnå en fullstendig avlufting av oppløsningsmidlet kjørt igjennom en middels sterk nitrogen-strøm i 40—45 minutter. Under stadig røring og kjøling blir det etter hvert tilsatt 42 ml av en metanolisk oppløsning av natriummetylat med 7,3 % natrium (beregnet mengde i forhold til rifamycin 0 100 %-ig). Man lar nitrogen strømme igjennom i ennå 15 minutter. Derpå dek-kes kolben med svart papir og det tilsettes 15 g av o-fenylendiamin (omkrystallisert som nedenfor angitt (5 % overskudd i forhold til teoretisk beregnet mengde). Blandingen røres ennu i 50 minutter under stadig gjennomledning av nitrogen og sørger for kjøling. Derpå fastslås kromatografisk om reaksjonen er ferdig: Dertil anvendes plater belagt med kiselgel G, ifølge Stahls metode, og det brukes som oppløsnings-middel aceton (rifamycin 0 lager en grå-gul flekk og har en RF-verdi på 0,55, rifamycin PH har en RF-verdi på 0,65 og gir en fiolett langtrukken flekk, rifamycin B har en RF-verdi mellom 0 og 0,4 og gir en langtrukken intensivt gul flekk).
Hvis rifamycin 0 ikke er omsatt fullstendig, må reaksjonstiden forlenges. Etter at reaksjonen er ferdig, helles oppløsningen opp i 15 liter vann som inneholder 50 g askorbinsurt natrium for å redusere tilbakeværende rifamycin 0 til rifamycin B.
Etter kort omrøring (3—5 minutter) surgjøres med 10 %-ig saltsyre til pH3 3 .-og man ekstraherer med en eneste porsjon bestående av 12 liter eddikester renset over fosforpentoksyd (oppvarmet under tilbakebeløp 2 timer over 2 % fosforpentoksyd). Man ryster i ca. 20—25 minutter og kaster deretter den lett farvede vandige fase. Den organiske fase blir, for å fjerne eventuelle tilbakeværende rester av o-fenylendiamin, vasket 2 ganger etter-hverandre med 2 liter og med 0,5 liter, sur-gjort vann (pH 2,5—3).
Derpå blir den organiske fase be-handlet med 5 liter fosfatpuffer, og deretter med 2,5 liter av den samme fosfatpuffer ved pH 7,3 (1/15 molar). Hvis det kan påvises rifamycin B ifølge kromatografisk undersøkelse av det organiske skikt som ovenfor beskrevet, utføres ennå en tredje ekstraksjon med en liter av nevnte puffer. Fra de samlede vandige ekstrakter kan rifamycin B fåes tilbake.
Den organiske fase blir nå tørket over natriumsulfat, filtrert, og konsentrert i vakuum ved 30 til 35°C til et volum på 300—400 ml. Residuet lar man stå i 24 timer ved 5—10°, hvorunder det skilles ut en krystallgrøt. Denne blir suget av på nutsch, vasket 2 ganger med en liten mengde eddikester, renset som ovenfor beskrevet, og tørket ved 40° i vakuum.
På denne måten får man 35,5 g krystallisert, mørkegrønn rifamycin PH med en spektrofotometrisk titer mellom 90 og 95 % (utbytte 32—36 %).
Fremstilling av natriumsaltet.
35,5 g rifamycin PH med titer 92,5 %
(tilsvarende 32,8 g og 100 %-ig rifamycin pH) ble oppløst i 160 ml metanol. Ved en temperatur som ikke overstiger 20° tilsettes denne oppløsning 15,3 ml av en metanolisk oppløsning av natriummetylat med en natrium-titer på 6,5 % (tilsvarende et overskudd på 3 % i forhold til beregnet mengde). Denne oppløsning av natriumsaltet blir fortynnet med 1,3 liter eddikester og blandingen blir konsentrert
til ca. 200—250 ml, residuet blir derpå tilsatt 0,5 liter eddikester og 0,4 liter cyklo-heksan og så inndampet til ca. 200 ml. Allerede under inndampningen utfaller natriumsaltet. Til fullstendig utfelling lar man væsken stå i 12 timer ved 4—5°C. Man frafilterer det fiolettfarvede saltet og vasker det med normal heksan. Produktet tørkes deretter 48 timer ved 35— 40° i vakuum.
Utbytte: 31,4 g; spektrofotometrisk titer (beregnet ut fra syreinnholdet): ca. 90 %. Utbytte beregnet ut fra syreinnholdet 85 %.
Saltet oppløses i vann inntil en konsentrasjon på 15—20 %, og oppløsningen er intenst rødfarvet.
Det anvendte o-fenylendiamin blir fremstillet på følgende måte: 33 g teknisk o-fenylendiamin blir oppløst i 115—120 ml kokende vann, inneholdende 1 g natrium-hydrosulfit. Man tilsetter benkull i et forhold på 10 % av det tilsatte o-fenylendiamin, frafiltrerer, avkjøler med is i mørket og frafiltrerer det hvite krystalline produkt etter 2—3 timer. Man vasker med en liten mengde kaldt vann og tørket stoffet 24 timer i vakuum og i mørke ved 40°C. Man får 28 g av det rene produkt, som smelter ved 100—101°. Denne rensing bør ikke foretas før 20—30 timer før produktet skal brukes.
Eksempel 30.
Man blander en oppløsning av 44,0 g rifamycin 0 i 150 ml kloroform og 1000 ml metanol med en oppløsning av 6,25 g o-fenylendiamin i 1000 ml metanol. Blandingen lar man stå i 5 dager. Etter dette tidsrom inneholder oppløsningen ikke lengere rifamycin 0, men rifamycin PH og rifamycin B. Man inndamper denne blanding i vakuum til ca. 200 ml og kromatograferer på 1 kg av et polyamidpulver som i handelen går under betegnelsen Ultramid BM 228. Rifamycin B holdes fast som en gul sone og rifamycin PH som en rød sone. Man vasker med metanol, inntil eluatet er tilnærmet farveløst. Derpå elueres først rifamycin PH ved metanol, inneholdende 3 % eddiksyre. Så kan det rifamycin B som er blitt tilbake på kolonnen som et gult bånd utvinnes ved eluering med 30 % eddiksyre i metanol. Eluatet inneholdende det grønnfarvede rifamycin PH inndampes i vakuum til tørrhet. Til krystallisering oppløses det grønne amorfe stoff i 100 ml iseddik. Etter noen timer krystalliserer det ut 19 g rent rifamycin PH. Man krystalliserer dette stoff flere ganger fra benzol-eter eller aceton-eter og får krystaller med smeltepunkt 183—184°C (målt i Koflerblokk). Rifamycin PH danner svarte, glinsende krystaller i form av langtrukne prismer eller små blader, som ved utgnidning antar en skittengulgrønn farve. Det er lett oppløselig i metanol, kloroform og acetonitril, mindre lett oppløselig i aceton, iseddik, benzen, metylenklorid, dioksan, og tungt oppløselig i eter, cyklohexan, hexan og vann. Oppløsningen av rifamycin PH i eddiksyre er grønnfarvet, mens diok-sanoppløsninger viser en blå, farve. Rifamycin PH danner med alkalier rødfarvede salter, hvis vandige oppløsninger reagerer nøytralt.
Eksempel 31.
Man lar en oppløsning av 3,48 g rifamycin S og 0,81 g 6,7-diamino-l,2,3,4-tetra-hydronaftalin løse opp i 100 ml benzen ved værelsestemperatur og stå inntil det har funnet sted en fullstendig reaksjon av det tilsatte . rifamycin S. Reaksjonsblandingen blir inndampet, residuet oppløst i metanol og den metanoliske oppløsning filtrert gjennom en kolonne med 100 g av det polyamidpulver som ble anvendt i eksempel 30. Man vasker etter med metanol inntil filtratet er tilnærmet farveløst. Ved vasking av polyamidet med metanol, inneholdende 3 % eddiksyre, utvinnes et grønn-farvet eluat, som etter inndampning inneholder 1,57 g rent kondensasjonsprodukt. RfR0 = 0,53 (System A) formel 19.
Eksempel 32.
Man lar en oppløsning av 3,04 g 16,17, 18,19-tetrahydro-rifamycin S med smeltepunkt 226—228°C og 0,45 g o-fenylendiamin i 100 ml benzen stå ved værelsetemperatur til fullstendig reaksjon av tilsatt tetrahydrorifamycin S. Reaksjonsblandingen blir inndampet, residuet løst i metanol og den metanoliske oppløsning filtrert gjennom en kolonne med 100 g polyamidpulver ifølge eksempel 30. Man vasker etter med metanol inntil filtratet flyter ut tilnærmet farveløst. Ved vasking av kolonnen med metanol, inneholdende 3 % eddiksyre, utvinnes et blågrønt farvet eluat, som etter inndamping lar tilbake 1,2 g rent kondensasjonsprodukt. Dette stoff omkrystalliseres flere ganger fra metanol og fra aceton, og gir 950 mg svartglinsende krystaller med smeltepunkt 188—189°C. Massespektrometrisk béstemt molekyl-vekt: 788 (beregnet: 788). RfK0 = 0,70
(System A).
16, 17, 18, 19-tetrahydrorifamycin PH som oppstår ved hydrering av rifamycin PH (sammenlign eksempel 33), er identisk med kondensasjonsproduktet av 16, 17, 18, 19-tetrahydrorifamycin S og o-fenylendiamin (smeltepunkt og blande-smeltepunkt, tynnskiktkromatografi). Formel 20.
Utgangsstoffet 16, 17, 18, 19-tetrahydrorifamycin S fremstilles på følgende måte: Man hydrerer 5,0 g rifamycin SV i 150 ml alkohol ved værelsestemperatur og atmosfære trykk med 0,5 g 10 %-ig palladium/kull. Etter opptak av 311 ml hydrogen avbrytes hydreringen, man filtrerer katalysatoren fra og fortynner den metanoliske oppløsning med fosfatpuffer med pH 7. Deretter tilsettes overskudd av am-moniumpersulfatoppløsning og man lar stå noen tid. Deretter frafiltreres det utfelte materiale og man krystalliserer flere ganger fra metanolet. Man oppnår 2 g 16,17, 18,19-tetrahydrorifamycin S i langtrukne, gule prismer med smeltepunkt 226— 228°C.
Eksempel 33.
0,784 g rifamycin PH hydreres i 250 ml etanol ved værelsestemperatur og atmosfæretrykk med 200 mg 10 %-ig Pd/C. Etter opptak av 67,5 ml hydrogen (tilsvarende 3 mol) filtreres katalysatoren fra, og man innleder i 20 minutter en kraf-tig luftstrøm gjennom oppløsningen og inndamper deretter. Etter et tynnskikt-kromatogram består residuet av ca. fem komponenter med blå til blågrå farve. For å fraskille de komponenter som tilsvarer de 16,17,18,19-tetrahydrorifamycin PH i eksempel 32, kromatograferes blandingen flere ganger på syrevasket kiselgel med kloroform som oppløsningsmiddel. Man får 0,19 g rent stoff med RfR0 = 0,70 (System A) som krystalliseres om fra aceton
og metanol. Etter smeltepunkt, blande-smeltepunkt og RfH0-verdi er dette stoff identisk med 16,17,18,19-tetrahydrorifamycin PH fremstillet ved kondensering av 16,17,18,19-tetrahydrorifamycin S med o-fenylendiamin. Formel 20.
Eksempel 3Jf.
Man oppvarmer 2,8 g rifamycin S med 0,50 g o-fenylendiamin 200 ml. toluen under nitrogen på kokende vannbad. Etter en time tilsettes oppløsningen 0,15 g o-fenylendiamin og man oppvarmer videre til rifamycin S forsvinner. Etter avkjøling ryster man toluenoppløsningen ut med en vandig oppløsning inneholdende overskudd av kaliumferricyanid. Etter at man for adskillelse av amorft materiale og for lettere å kunne gjennomføre en faseadskillelse har filtrert gjennom celit, vaskes toluen-oppløsningen med koksaltoppløsning, tilsettes 0,25 g o-fenylendiamin og varmes på ny under kvelstoff på vannbad. Etter en time tilsettes 0,04 g o-fenylendiamin og man oppvarmer videre til rifamycin S har forsvunnet. Derpå gjentas hele oksyda-sjonsforløpet, oppløsningen tilsettes på ny 0,12 g o-fenylendiamin og oppvarmes på ny ca. 2 timer. Derpå rystes toluenoppløs-ningen ut med 2-n-saltsyre og med kok-saltoppløsning, og avdampes til tørrhet i vakuum. Residuet oppløses i metanol og man isolerer fra dette rifamycin PH på den måte som er angitt i eksempel 30. Man får 1,85 g rifamycin PH. Dette tilsvarer et utbytte på ca. 66 %.

Claims (4)

1. Fremgangsmåte til fremstilling av nye antibiotisk virksomme forbindelser av rifamycin-gruppen med de generelle formler
hvori X betegner NH eller 0, og R sammen med karbonatomene d og e betegner en fenylen—, naftylen-, tetrahydronaftylen-, pyridylen -eller pyrimidylen-rest, eventuelt mono- eller di-substituert med hydroksy-, merkapto-, lavalkyl-, lavalkoksy-, nitro-, amino- eller karboksyl-grupper eller halogenatomer, samt disse forbindelsers 16,17, 18,19-tetrahydroderivater, eller eventuelt deres tautomere samt metall- og syre-addi- sjonssalter,karakterisert ved at rifamycin O eller rifamycin S eller en av disses 16,17, 18,19-tetrahydroderivater omsettes med en forbindelse med formel hvori R og X har ovennevnte betydning, og om ønsket, utfører en eller flere av de følgende reaksjoner i egnet rekkefølge; oksyderer dannede hydrokinoner til kinoner, eller reduserer dannede kinoner til hydrokinoner, under anvendelse av for disse operasjoner vanlige fremgangsmåter, fortrinnsvis med luft som oksydasjons-middel og ascorbinsyre som reduksjons-middel, hydrogenerer fremstilte forbindelser med hydrogen til deres 16,17,18, 19-tetrahydroderivater under anvendelse av palladium eller Raney-nikkel som kataly-sator og overfører de fremstilte forbindelser til deres salter, metall- eller syreaddisjonssalter.
2. Fremgangsmåte som angitt i på-stand 1, karakterisert ved at omsetningen av rifamycin 0 foretas i et polart oppløs-ningsmiddel eller en polar oppløsningsmid-delblanding, ved temperaturer mellom 20— 100° C.
3. Fremgangsmåte som angitt i på-stand 1, karakterisert ved at omsetningen av rifamycin S foretas i et upolart oppløs-ningsmiddel ved henstand ved romtemperatur med den annen reaksjonskomponent.
4. Fremgangsmåte som angitt i på-stand 1 og 3, karakterisert ved at rifamycin 0 eller rifamycin S omsettes med O-fenylendiamin.
NO800555A 1979-02-28 1980-02-27 Fremgangsmaate og apparat for gjennomfoering av en atomsjiktsepitaksivekst. NO155106C (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI790680A FI57975C (fi) 1979-02-28 1979-02-28 Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO800555L NO800555L (no) 1980-08-29
NO155106B true NO155106B (no) 1986-11-03
NO155106C NO155106C (no) 1987-02-11

Family

ID=8512439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO800555A NO155106C (no) 1979-02-28 1980-02-27 Fremgangsmaate og apparat for gjennomfoering av en atomsjiktsepitaksivekst.

Country Status (18)

Country Link
US (1) US4413022A (no)
EP (1) EP0015390B1 (no)
JP (1) JPS6021955B2 (no)
AT (1) ATE15820T1 (no)
AU (1) AU535151B2 (no)
BR (1) BR8001087A (no)
CA (1) CA1166937A (no)
DE (1) DE3071110D1 (no)
DK (1) DK157943C (no)
FI (1) FI57975C (no)
HU (1) HU181779B (no)
IL (1) IL59393A (no)
IN (1) IN152596B (no)
MX (1) MX151518A (no)
NO (1) NO155106C (no)
PL (1) PL138247B1 (no)
SU (1) SU1085510A3 (no)
ZA (1) ZA80852B (no)

Families Citing this family (550)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5889821A (ja) * 1981-11-24 1983-05-28 Canon Inc 堆積膜の製造装置
JPS5898917A (ja) * 1981-12-09 1983-06-13 Seiko Epson Corp 原子層エビタキシヤル装置
FI64878C (fi) * 1982-05-10 1984-01-10 Lohja Ab Oy Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer
US4664960A (en) * 1982-09-23 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Compositionally varied materials and method for synthesizing the materials
US4520039A (en) * 1982-09-23 1985-05-28 Sovonics Solar Systems Compositionally varied materials and method for synthesizing the materials
EP0145201A1 (en) * 1983-11-10 1985-06-19 Optical Coating Laboratory, Inc. Antireflection optical coating with antistatic properties
JPS60189928A (ja) * 1984-03-12 1985-09-27 Fujitsu Ltd 減圧気相成長装置
JPH0766906B2 (ja) * 1984-07-26 1995-07-19 新技術事業団 GaAsエピタキシャル成長方法
JPH0782991B2 (ja) * 1984-07-26 1995-09-06 新技術事業団 化合物半導体単結晶薄膜の成長法
GB2162862B (en) * 1984-07-26 1988-10-19 Japan Res Dev Corp A method of growing a thin film single crystalline semiconductor
JPH0782990B2 (ja) * 1984-07-26 1995-09-06 新技術事業団 半導体装置の製造方法
JPH0766910B2 (ja) * 1984-07-26 1995-07-19 新技術事業団 半導体単結晶成長装置
JPH0787179B2 (ja) * 1984-07-26 1995-09-20 新技術事業団 超格子半導体装置の製造方法
JPH0715884B2 (ja) * 1984-07-26 1995-02-22 新技術事業団 選択型結晶の成長方法
GB2162207B (en) 1984-07-26 1989-05-10 Japan Res Dev Corp Semiconductor crystal growth apparatus
JPH0766908B2 (ja) * 1984-07-26 1995-07-19 新技術事業団 半導体単結晶成長方法
JP2577542B2 (ja) * 1984-07-26 1997-02-05 新技術事業団 半導体結晶成長装置
JPH0766907B2 (ja) * 1984-07-26 1995-07-19 新技術事業団 半導体結晶成長方法
US5294286A (en) * 1984-07-26 1994-03-15 Research Development Corporation Of Japan Process for forming a thin film of silicon
JPH07120625B2 (ja) * 1984-08-08 1995-12-20 新技術事業団 化合物半導体単結晶薄膜の形成方法
JP2577543B2 (ja) * 1984-08-08 1997-02-05 新技術事業団 単結晶薄膜成長装置
JP2577544B2 (ja) * 1984-08-08 1997-02-05 新技術事業団 半導体装置の製造方法
JPS62226892A (ja) * 1986-03-29 1987-10-05 Univ Tohoku 単結晶サフアイア薄膜の製造法
JPS6328031A (ja) * 1986-07-21 1988-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長装置
JP2587623B2 (ja) * 1986-11-22 1997-03-05 新技術事業団 化合物半導体のエピタキシヤル結晶成長方法
JPH0727861B2 (ja) * 1987-03-27 1995-03-29 富士通株式会社 ▲iii▼−▲v▼族化合物半導体結晶の成長方法
US5296087A (en) * 1987-08-24 1994-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Crystal formation method
DE3743938C2 (de) * 1987-12-23 1995-08-31 Cs Halbleiter Solartech Verfahren zum Atomschicht-Epitaxie-Aufwachsen einer III/V-Verbindungshalbleiter-Dünnschicht
US4931132A (en) * 1988-10-07 1990-06-05 Bell Communications Research, Inc. Optical control of deposition of crystal monolayers
WO1990007019A1 (en) * 1988-12-21 1990-06-28 Monkowski-Rhine, Inc. Chemical vapor deposition reactor and method for use thereof
DE3843157C1 (no) * 1988-12-22 1990-05-10 Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 6380 Bad Homburg, De
JPH0824191B2 (ja) * 1989-03-17 1996-03-06 富士通株式会社 薄膜トランジスタ
US5071670A (en) * 1990-06-11 1991-12-10 Kelly Michael A Method for chemical vapor deposition under a single reactor vessel divided into separate reaction chambers each with its own depositing and exhausting means
US5480818A (en) * 1992-02-10 1996-01-02 Fujitsu Limited Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor
JP3351477B2 (ja) * 1993-02-04 2002-11-25 理化学研究所 固体レーザー結晶薄膜作成方法および固体レーザー結晶薄膜作成装置
JP3181171B2 (ja) * 1994-05-20 2001-07-03 シャープ株式会社 気相成長装置および気相成長方法
JP2654608B2 (ja) * 1994-09-09 1997-09-17 科学技術振興事業団 GaAs半導体ダイオードの製造方法
FI100409B (fi) * 1994-11-28 1997-11-28 Asm Int Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
FI97730C (fi) * 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
FI97731C (fi) * 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
JP3206375B2 (ja) * 1995-06-20 2001-09-10 信越半導体株式会社 単結晶薄膜の製造方法
US5759623A (en) * 1995-09-14 1998-06-02 Universite De Montreal Method for producing a high adhesion thin film of diamond on a Fe-based substrate
FI954922A (fi) * 1995-10-16 1997-04-17 Picopak Oy Valmistusmenetelmä sekä kontaktinystyrakenne puolijohdepalojen tiheitä pintaliitoksia varten
US6013583A (en) * 1996-06-25 2000-01-11 International Business Machines Corporation Low temperature BPSG deposition process
JPH10308283A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Denso Corp El素子およびその製造方法
FI972874A0 (fi) 1997-07-04 1997-07-04 Mikrokemia Oy Foerfarande och anordning foer framstaellning av tunnfilmer
US5972430A (en) * 1997-11-26 1999-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Digital chemical vapor deposition (CVD) method for forming a multi-component oxide layer
FI104383B (fi) * 1997-12-09 2000-01-14 Fortum Oil & Gas Oy Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi
US6974766B1 (en) 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
FI118342B (fi) * 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US6812157B1 (en) 1999-06-24 2004-11-02 Prasad Narhar Gadgil Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition
FI110311B (fi) 1999-07-20 2002-12-31 Asm Microchemistry Oy Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista
US7554829B2 (en) 1999-07-30 2009-06-30 Micron Technology, Inc. Transmission lines for CMOS integrated circuits
DE60041341D1 (de) 1999-08-17 2009-02-26 Tokyo Electron Ltd Gepulstes plasmabehandlungsverfahren und vorrichtung
US6391785B1 (en) * 1999-08-24 2002-05-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes
US6727169B1 (en) 1999-10-15 2004-04-27 Asm International, N.V. Method of making conformal lining layers for damascene metallization
US6503330B1 (en) 1999-12-22 2003-01-07 Genus, Inc. Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
US6551399B1 (en) 2000-01-10 2003-04-22 Genus Inc. Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition
US6319766B1 (en) 2000-02-22 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification
JP4556282B2 (ja) * 2000-03-31 2010-10-06 株式会社デンソー 有機el素子およびその製造方法
TW496907B (en) * 2000-04-14 2002-08-01 Asm Microchemistry Oy Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate
US7060132B2 (en) * 2000-04-14 2006-06-13 Asm International N.V. Method and apparatus of growing a thin film
US6482733B2 (en) 2000-05-15 2002-11-19 Asm Microchemistry Oy Protective layers prior to alternating layer deposition
US6759325B2 (en) 2000-05-15 2004-07-06 Asm Microchemistry Oy Sealing porous structures
WO2001094662A1 (fr) * 2000-06-07 2001-12-13 Commissariat A L'energie Atomique Procede de preparation d'un revetement sur un substrat par le procede ald utilisant un reactant deutere
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7101795B1 (en) * 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
FI20001694A0 (fi) * 2000-07-20 2000-07-20 Asm Microchemistry Oy Menetelmä ohutkalvon kasvattamiseksi substraatille
US6461909B1 (en) 2000-08-30 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Process for fabricating RuSixOy-containing adhesion layers
US6903005B1 (en) 2000-08-30 2005-06-07 Micron Technology, Inc. Method for the formation of RuSixOy-containing barrier layers for high-k dielectrics
US6617173B1 (en) 2000-10-11 2003-09-09 Genus, Inc. Integration of ferromagnetic films with ultrathin insulating film using atomic layer deposition
US20030190424A1 (en) * 2000-10-20 2003-10-09 Ofer Sneh Process for tungsten silicide atomic layer deposition
WO2002070142A1 (en) * 2000-12-06 2002-09-12 Angstron Systems, Inc. Method and apparatus for improved temperature control in atomic layer deposition
US9255329B2 (en) 2000-12-06 2016-02-09 Novellus Systems, Inc. Modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US6630201B2 (en) 2001-04-05 2003-10-07 Angstron Systems, Inc. Adsorption process for atomic layer deposition
US6800173B2 (en) 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
US6765178B2 (en) * 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US20020127336A1 (en) * 2001-01-16 2002-09-12 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6811814B2 (en) 2001-01-16 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
KR100408733B1 (ko) 2001-02-02 2003-12-11 주성엔지니어링(주) 박막 증착 방법
AU2002306436A1 (en) 2001-02-12 2002-10-15 Asm America, Inc. Improved process for deposition of semiconductor films
US6613656B2 (en) 2001-02-13 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Sequential pulse deposition
US6852167B2 (en) 2001-03-01 2005-02-08 Micron Technology, Inc. Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6939579B2 (en) * 2001-03-07 2005-09-06 Asm International N.V. ALD reactor and method with controlled wall temperature
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
KR100853903B1 (ko) * 2001-03-20 2008-08-25 맷슨 테크놀로지, 인크. 비교적 높은 유전율을 갖는 코팅을 기판 상에 증착하는 방법
US20020144786A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-10 Angstron Systems, Inc. Substrate temperature control in an ALD reactor
US6627268B1 (en) 2001-05-03 2003-09-30 Novellus Systems, Inc. Sequential ion, UV, and electron induced chemical vapor deposition
US7056278B2 (en) * 2001-06-01 2006-06-06 Adamed Sp. Z.O.O. Method of treating overactive bladder in women
JP2002367990A (ja) * 2001-06-04 2002-12-20 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法
US6849545B2 (en) 2001-06-20 2005-02-01 Applied Materials, Inc. System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
JP2005504885A (ja) 2001-07-25 2005-02-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成
US7085616B2 (en) * 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US6835414B2 (en) 2001-07-27 2004-12-28 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Method for producing coated substrates
US6844203B2 (en) * 2001-08-30 2005-01-18 Micron Technology, Inc. Gate oxides, and methods of forming
US8026161B2 (en) 2001-08-30 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US7049226B2 (en) * 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US6936906B2 (en) 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US7204886B2 (en) 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6773507B2 (en) 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US7081271B2 (en) 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6953730B2 (en) 2001-12-20 2005-10-11 Micron Technology, Inc. Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics
US6939801B2 (en) * 2001-12-21 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material
CN1643179B (zh) * 2002-01-17 2010-05-26 松德沃技术公司 Ald装置和方法
US6767795B2 (en) 2002-01-17 2004-07-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY
WO2003065424A2 (en) 2002-01-25 2003-08-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
AU2003220088A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-22 Sundew Technologies, Llc Ald method and apparatus
US6812100B2 (en) 2002-03-13 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Evaporation of Y-Si-O films for medium-k dielectrics
US7439191B2 (en) 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6846516B2 (en) 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6875271B2 (en) 2002-04-09 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Simultaneous cyclical deposition in different processing regions
US6869838B2 (en) 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US20040247787A1 (en) * 2002-04-19 2004-12-09 Mackie Neil M. Effluent pressure control for use in a processing system
JP2005523384A (ja) * 2002-04-19 2005-08-04 マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド 低蒸気圧のガス前駆体を用いて基板上にフィルムを蒸着させるシステム
US7045430B2 (en) 2002-05-02 2006-05-16 Micron Technology Inc. Atomic layer-deposited LaAlO3 films for gate dielectrics
US7160577B2 (en) 2002-05-02 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits
US7589029B2 (en) 2002-05-02 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition and conversion
JP4292777B2 (ja) * 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
US7041335B2 (en) 2002-06-04 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Titanium tantalum nitride silicide layer
US7135421B2 (en) 2002-06-05 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide
US7205218B2 (en) 2002-06-05 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Method including forming gate dielectrics having multiple lanthanide oxide layers
US7154140B2 (en) 2002-06-21 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Write once read only memory with large work function floating gates
US6804136B2 (en) * 2002-06-21 2004-10-12 Micron Technology, Inc. Write once read only memory employing charge trapping in insulators
US7193893B2 (en) 2002-06-21 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Write once read only memory employing floating gates
US7221017B2 (en) * 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide-conductor nanolaminates
US7221586B2 (en) 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide nanolaminates
US6838125B2 (en) 2002-07-10 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method of film deposition using activated precursor gases
US6955211B2 (en) 2002-07-17 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US7066194B2 (en) 2002-07-19 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Valve design and configuration for fast delivery system
US6772072B2 (en) 2002-07-22 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery
US6915592B2 (en) 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US6921702B2 (en) 2002-07-30 2005-07-26 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics
US7186630B2 (en) 2002-08-14 2007-03-06 Asm America, Inc. Deposition of amorphous silicon-containing films
US6884739B2 (en) * 2002-08-15 2005-04-26 Micron Technology Inc. Lanthanide doped TiOx dielectric films by plasma oxidation
US6790791B2 (en) 2002-08-15 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Lanthanide doped TiOx dielectric films
US20040036129A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions
US6967154B2 (en) 2002-08-26 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Enhanced atomic layer deposition
US7199023B2 (en) 2002-08-28 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited HfSiON dielectric films wherein each precursor is independendently pulsed
US7084078B2 (en) 2002-08-29 2006-08-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited lanthanide doped TiOx dielectric films
US6936086B2 (en) * 2002-09-11 2005-08-30 Planar Systems, Inc. High conductivity particle filter
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040069227A1 (en) 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
US7101813B2 (en) 2002-12-04 2006-09-05 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films
US6958302B2 (en) 2002-12-04 2005-10-25 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films using TiI4
US20040142558A1 (en) 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
WO2004064147A2 (en) 2003-01-07 2004-07-29 Applied Materials, Inc. Integration of ald/cvd barriers with porous low k materials
US6753248B1 (en) 2003-01-27 2004-06-22 Applied Materials, Inc. Post metal barrier/adhesion film
JP4528489B2 (ja) * 2003-01-27 2010-08-18 独立行政法人理化学研究所 p型半導体を用いた紫外発光素子
US6994319B2 (en) * 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
US6868859B2 (en) * 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
US7192892B2 (en) 2003-03-04 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited dielectric layers
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7135369B2 (en) 2003-03-31 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited ZrAlxOy dielectric layers including Zr4AlO9
US7294360B2 (en) * 2003-03-31 2007-11-13 Planar Systems, Inc. Conformal coatings for micro-optical elements, and method for making the same
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
US7601223B2 (en) 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
WO2004113585A2 (en) 2003-06-18 2004-12-29 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of barrier materials
US7049192B2 (en) 2003-06-24 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectrics
US7192824B2 (en) 2003-06-24 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers
US20100129548A1 (en) * 2003-06-27 2010-05-27 Sundew Technologies, Llc Ald apparatus and method
DE602004027256D1 (de) * 2003-06-27 2010-07-01 Sundew Technologies Llc Vorrichtung und verfahren zur steuerung des dampfdrucks einer chemikalienquelle
US20050067103A1 (en) 2003-09-26 2005-03-31 Applied Materials, Inc. Interferometer endpoint monitoring device
US20050221004A1 (en) * 2004-01-20 2005-10-06 Kilpela Olli V Vapor reactant source system with choked-flow elements
US20050233477A1 (en) * 2004-03-05 2005-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US7241686B2 (en) 2004-07-20 2007-07-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tantalum-containing materials using the tantalum precursor TAIMATA
US7601649B2 (en) 2004-08-02 2009-10-13 Micron Technology, Inc. Zirconium-doped tantalum oxide films
US7081421B2 (en) 2004-08-26 2006-07-25 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide dielectric layer
US7494939B2 (en) 2004-08-31 2009-02-24 Micron Technology, Inc. Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer
US7588988B2 (en) 2004-08-31 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition
US7966969B2 (en) 2004-09-22 2011-06-28 Asm International N.V. Deposition of TiN films in a batch reactor
US7429402B2 (en) 2004-12-10 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition
US7235501B2 (en) 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
US7846499B2 (en) 2004-12-30 2010-12-07 Asm International N.V. Method of pulsing vapor precursors in an ALD reactor
DE102005003336B3 (de) * 2005-01-25 2006-07-13 Bte Bedampfungstechnik Gmbh Verfahren zur Bildung einer dünnen Schicht auf einer Substratoberfläche
US7687383B2 (en) * 2005-02-04 2010-03-30 Asm America, Inc. Methods of depositing electrically active doped crystalline Si-containing films
US7608549B2 (en) * 2005-03-15 2009-10-27 Asm America, Inc. Method of forming non-conformal layers
US7687409B2 (en) 2005-03-29 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited titanium silicon oxide films
US7662729B2 (en) 2005-04-28 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer
US7473637B2 (en) 2005-07-20 2009-01-06 Micron Technology, Inc. ALD formed titanium nitride films
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
US7850779B2 (en) 2005-11-04 2010-12-14 Applied Materisals, Inc. Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
KR20080089403A (ko) * 2005-12-22 2008-10-06 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 도핑된 반도체 물질들의 에피택시 증착
FI121341B (fi) * 2006-02-02 2010-10-15 Beneq Oy Hopean suojapinnoitus
US7709402B2 (en) 2006-02-16 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films
US7235736B1 (en) 2006-03-18 2007-06-26 Solyndra, Inc. Monolithic integration of cylindrical solar cells
US7413982B2 (en) * 2006-03-29 2008-08-19 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US7456429B2 (en) 2006-03-29 2008-11-25 Eastman Kodak Company Apparatus for atomic layer deposition
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US8278176B2 (en) 2006-06-07 2012-10-02 Asm America, Inc. Selective epitaxial formation of semiconductor films
US7691757B2 (en) 2006-06-22 2010-04-06 Asm International N.V. Deposition of complex nitride films
US7801623B2 (en) * 2006-06-29 2010-09-21 Medtronic, Inc. Implantable medical device having a conformal coating
US7563730B2 (en) 2006-08-31 2009-07-21 Micron Technology, Inc. Hafnium lanthanide oxynitride films
US8053372B1 (en) 2006-09-12 2011-11-08 Novellus Systems, Inc. Method of reducing plasma stabilization time in a cyclic deposition process
US7871678B1 (en) 2006-09-12 2011-01-18 Novellus Systems, Inc. Method of increasing the reactivity of a precursor in a cyclic deposition process
US8092695B2 (en) 2006-10-30 2012-01-10 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
US7775508B2 (en) 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US11136667B2 (en) 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US7789961B2 (en) 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
US20080166880A1 (en) * 2007-01-08 2008-07-10 Levy David H Delivery device for deposition
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US8821637B2 (en) 2007-01-29 2014-09-02 Applied Materials, Inc. Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition
US8043432B2 (en) * 2007-02-12 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Atomic layer deposition systems and methods
CN101657564A (zh) 2007-02-12 2010-02-24 莲花应用技术有限责任公司 用原子层沉积制备复合材料
US7629256B2 (en) 2007-05-14 2009-12-08 Asm International N.V. In situ silicon and titanium nitride deposition
US7939932B2 (en) * 2007-06-20 2011-05-10 Analog Devices, Inc. Packaged chip devices with atomic layer deposition protective films
US7759199B2 (en) 2007-09-19 2010-07-20 Asm America, Inc. Stressor for engineered strain on channel
US7585762B2 (en) 2007-09-25 2009-09-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition processes for tantalum carbide nitride materials
US7678298B2 (en) 2007-09-25 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Tantalum carbide nitride materials by vapor deposition processes
US8211231B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-03 Eastman Kodak Company Delivery device for deposition
US8398770B2 (en) * 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8030212B2 (en) * 2007-09-26 2011-10-04 Eastman Kodak Company Process for selective area deposition of inorganic materials
US20090081360A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Oled display encapsulation with the optical property
US8182608B2 (en) * 2007-09-26 2012-05-22 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US7972898B2 (en) * 2007-09-26 2011-07-05 Eastman Kodak Company Process for making doped zinc oxide
US7572686B2 (en) * 2007-09-26 2009-08-11 Eastman Kodak Company System for thin film deposition utilizing compensating forces
US7851380B2 (en) * 2007-09-26 2010-12-14 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US20090081356A1 (en) 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Process for forming thin film encapsulation layers
US7858144B2 (en) * 2007-09-26 2010-12-28 Eastman Kodak Company Process for depositing organic materials
US8017183B2 (en) * 2007-09-26 2011-09-13 Eastman Kodak Company Organosiloxane materials for selective area deposition of inorganic materials
US20090079328A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Thin film encapsulation containing zinc oxide
US7824743B2 (en) 2007-09-28 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Deposition processes for titanium nitride barrier and aluminum
US7939447B2 (en) 2007-10-26 2011-05-10 Asm America, Inc. Inhibitors for selective deposition of silicon containing films
US20090137043A1 (en) * 2007-11-27 2009-05-28 North Carolina State University Methods for modification of polymers, fibers and textile media
US7655543B2 (en) * 2007-12-21 2010-02-02 Asm America, Inc. Separate injection of reactive species in selective formation of films
US20100123993A1 (en) * 2008-02-13 2010-05-20 Herzel Laor Atomic layer deposition process for manufacture of battery electrodes, capacitors, resistors, and catalyzers
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US20090291209A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Asm International N.V. Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition
US9238867B2 (en) 2008-05-20 2016-01-19 Asm International N.V. Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition
FI122941B (fi) * 2008-06-12 2012-09-14 Beneq Oy Sovitelma ALD-reaktorin yhteydessä
EP2159304A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-03 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for atomic layer deposition
US8491967B2 (en) 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
US20100062149A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
US8146896B2 (en) 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
US7833906B2 (en) 2008-12-11 2010-11-16 Asm International N.V. Titanium silicon nitride deposition
US8486191B2 (en) 2009-04-07 2013-07-16 Asm America, Inc. Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber
US20100266765A1 (en) * 2009-04-21 2010-10-21 White Carl L Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate
US8657959B2 (en) * 2009-07-31 2014-02-25 E I Du Pont De Nemours And Company Apparatus for atomic layer deposition on a moving substrate
US20110023775A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Apparatus for atomic layer deposition
US8883270B2 (en) 2009-08-14 2014-11-11 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species
US20110097489A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Distribution manifold including multiple fluid communication ports
US20110097491A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Levy David H Conveyance system including opposed fluid distribution manifolds
US20110097487A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold including bonded plates
US20110097492A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold operating state management system
US20110097488A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold including mirrored finish plate
US20110097494A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid conveyance system including flexible retaining mechanism
US20110097490A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold including compliant plates
US20110097493A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold including non-parallel non-perpendicular slots
FI20096153A0 (fi) 2009-11-06 2009-11-06 Beneq Oy Menetelmä koristepäällysteen muodostamiseksi, koristepäällyste ja sen käyttötapoja
FI20096154A0 (fi) 2009-11-06 2009-11-06 Beneq Oy Menetelmä kalvon muodostamiseksi, kalvo ja sen käyttöjä
US8367528B2 (en) 2009-11-17 2013-02-05 Asm America, Inc. Cyclical epitaxial deposition and etch
WO2011062779A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Eastman Kodak Company Method for selective deposition and devices
FI20096262A0 (fi) 2009-11-30 2009-11-30 Beneq Oy Menetelmä koristepinnoitteen muodostamiseksi jalokiveen, jalokiven koristepinnoite, ja sen käytöt
FI122616B (fi) 2010-02-02 2012-04-30 Beneq Oy Vahvistettu rakennemoduuli ja sen valmistusmenetelmä
FI124113B (fi) * 2010-08-30 2014-03-31 Beneq Oy Laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan muokkaamiseksi
US8778204B2 (en) 2010-10-29 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process
CN103189964A (zh) 2010-11-04 2013-07-03 诺发系统公司 钽的离子诱导原子层沉积
US8809170B2 (en) 2011-05-19 2014-08-19 Asm America Inc. High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8961804B2 (en) 2011-10-25 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for photomask etching
US8808559B2 (en) 2011-11-22 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for reflective multi-material layers etching
US8618003B2 (en) 2011-12-05 2013-12-31 Eastman Kodak Company Method of making electronic devices using selective deposition
US8900469B2 (en) 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
IN2014DN09214A (no) * 2012-05-14 2015-07-10 Picosun Oy
KR20150023017A (ko) * 2012-06-15 2015-03-04 피코순 오와이 원자층 퇴적에 의한 기판 웹 코팅
RU2600462C2 (ru) * 2012-06-15 2016-10-20 Пикосан Ой Покрытие полотна подложки осаждением атомных слоев
US9805939B2 (en) 2012-10-12 2017-10-31 Applied Materials, Inc. Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US8778574B2 (en) 2012-11-30 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9478422B2 (en) 2013-02-25 2016-10-25 Solan, LLC Methods for fabricating refined graphite-based structures and devices made therefrom
JP6134191B2 (ja) 2013-04-07 2017-05-24 村川 惠美 回転型セミバッチald装置
US9490149B2 (en) * 2013-07-03 2016-11-08 Lam Research Corporation Chemical deposition apparatus having conductance control
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11267012B2 (en) * 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
EP2960059B1 (en) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6398761B2 (ja) * 2015-02-04 2018-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10954597B2 (en) * 2015-03-17 2021-03-23 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition apparatus
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
KR102420015B1 (ko) 2015-08-28 2022-07-12 삼성전자주식회사 Cs-ald 장치의 샤워헤드
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
TWI571526B (zh) * 2015-12-18 2017-02-21 國家中山科學研究院 一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
CN109072430A (zh) * 2016-04-12 2018-12-21 皮考逊公司 通过ald进行涂覆以用于抑制金属晶须
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) * 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
TWI620830B (zh) * 2016-12-30 2018-04-11 Nat Chung Shan Inst Science & Tech Batch coating process system
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6640781B2 (ja) * 2017-03-23 2020-02-05 キオクシア株式会社 半導体製造装置
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10774422B2 (en) 2018-06-01 2020-09-15 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for controlling vapor phase processing
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US20220064792A1 (en) 2020-08-25 2022-03-03 Innovalens B.V. Partial coating of intraocular lenses using spatial atomic layer deposition
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1057845B (de) * 1954-03-10 1959-05-21 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung von einkristallinen halbleitenden Verbindungen
NL252729A (no) * 1959-06-18
US3218203A (en) * 1961-10-09 1965-11-16 Monsanto Co Altering proportions in vapor deposition process to form a mixed crystal graded energy gap
NL6709379A (no) * 1967-07-06 1969-01-08
US3602192A (en) * 1969-05-19 1971-08-31 Ibm Semiconductor wafer processing
US3721583A (en) * 1970-12-08 1973-03-20 Ibm Vapor phase epitaxial deposition process for forming superlattice structure
US4015558A (en) * 1972-12-04 1977-04-05 Optical Coating Laboratory, Inc. Vapor deposition apparatus
US3964937A (en) * 1973-08-13 1976-06-22 Materials Technology Corporation Method of making a composite coating
SE393967B (sv) * 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
US4048955A (en) * 1975-09-02 1977-09-20 Texas Instruments Incorporated Continuous chemical vapor deposition reactor

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6021955B2 (ja) 1985-05-30
DK157943B (da) 1990-03-05
US4413022A (en) 1983-11-01
FI57975C (fi) 1980-11-10
EP0015390A1 (en) 1980-09-17
ATE15820T1 (de) 1985-10-15
MX151518A (es) 1984-12-10
AU5578680A (en) 1980-09-04
ZA80852B (en) 1981-02-25
IL59393A (en) 1983-06-15
DK157943C (da) 1990-08-27
BR8001087A (pt) 1980-10-29
NO155106C (no) 1987-02-11
JPS55130896A (en) 1980-10-11
NO800555L (no) 1980-08-29
DE3071110D1 (en) 1985-10-31
HU181779B (en) 1983-11-28
PL222293A1 (no) 1980-11-03
IL59393A0 (en) 1980-05-30
AU535151B2 (en) 1984-03-08
DK84680A (da) 1980-08-29
IN152596B (no) 1984-02-18
EP0015390B1 (en) 1985-09-25
SU1085510A3 (ru) 1984-04-07
FI57975B (fi) 1980-07-31
CA1166937A (en) 1984-05-08
PL138247B1 (en) 1986-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO155106B (no) Fremgangsmaate og apparat for gjennomfoering av en atomsjiktsepitaksivekst.
US3338963A (en) Tetracycline compounds
US3338888A (en) Rifamycin type antibiotic compounds
JP2544375B2 (ja) アルキル置換ベンゾキサジノリフアマイシン誘導体
Kuyama et al. Cercosporin. A pigment of Cercosporina kikuchii Matsumoto et Tomoyasu. II. Physical and chemical properties of cercosporin and its derivatives
Geissman et al. Anthochlor pigments. X. Aureusin and cernuoside
EHRLICH et al. Experiments in the veratrole and quinoxaline groups
Ellingson et al. Pyrazine chemistry. IV. Bromination of 2-amino-3-carbomethoxypyrazine
Culberson Some constituents of the lichen Ramalina siliquosa
Sugiyama et al. Altenin. I. The Isolation of Altenin from Alternaria Kikuchiana Tanaka
Green et al. Chemistry of the tetracycline antibiotics. II. Bromination of dedimethylaminotetracyclines
SHIBATA et al. Reexamination on the structure of so-called “Hiviscin”
Rao Streptonigrin and related compounds III. Synthesis and microbiological activity of destrioxyphenylstreptonigrin and analogues
BANNISTER et al. Protorubradirin, an antibiotic containing a C-nitroso-sugar fragment, is the true secondary metabolite produced by Streptomyces achromogenes var. rubradiris. Rubradirin, described earlier, is its photo-oxidation product
US3475459A (en) Hordatine compounds and synthesis
DE2700234A1 (de) Organische verbindungen und verfahren zu deren herstellung
Ahmad et al. Acylarylnitrosamines. Part VII. Reactions of 3-aminomethoxypyridines and 3-amino-1-methylpyridones. The preparation of 2-methoxy-3-phenyl-, 4-methoxy-3-phenyl-, and 2-methoxy-5-phenylpyridine
Adams et al. The structure of leucenol. III. synthesis of 2, 5-dihydroxypyridine (5-hydroxy-2-pyridone)
Clapp et al. Chemotherapeutic Dyes. IV. Phenoxazines and Benzo [a] phenoxazines1
Ohta Studies on the Constituents of Rice-Bran Oil. III. Structure of Oryzanol-C.
Adams et al. Quinone imides. XVIII. p-Quinonedipivalimides and their reactions
Tanaka Some Addition Compounds of Salicylaldehyde-ethylenediimine-copper. I
Charlesworth et al. Fluoranthene studies. IV. Nitration of 2-nitro-, 3-nitro-, and 2-acetamido-fluoranthene
US2533699A (en) Amines containing the king system
Kraaijeveld et al. Studies on tautomerism IV: The complexes of 3‐halogenobenzene‐6‐diazo‐oxides with quinone monoximes (nitrosophenols) and some other complexes