JPS63179067A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
- Publication number
- JPS63179067A JPS63179067A JP1152887A JP1152887A JPS63179067A JP S63179067 A JPS63179067 A JP S63179067A JP 1152887 A JP1152887 A JP 1152887A JP 1152887 A JP1152887 A JP 1152887A JP S63179067 A JPS63179067 A JP S63179067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- vacuum
- shaped pipe
- atmosphere
- filled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 108010085603 SFLLRNPND Proteins 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は材料を連続的に大気中から真空中に導入し、又
真空中から大気中へ導出することが可能な真空装置に関
するものである。
真空中から大気中へ導出することが可能な真空装置に関
するものである。
近年エレクトロニクス産業等の発展に伴ない、金属、プ
ラスチックス・等の基板材料表面に蒸着、スパッタ、イ
オンブレーティング等のPVD法により薄膜を作製する
技術が注目されている。前記薄膜作製は一般に真空室内
で行なわれるが、量産化のためには材料を連続的に処理
することが必要である。
ラスチックス・等の基板材料表面に蒸着、スパッタ、イ
オンブレーティング等のPVD法により薄膜を作製する
技術が注目されている。前記薄膜作製は一般に真空室内
で行なわれるが、量産化のためには材料を連続的に処理
することが必要である。
従来この様に真空室内で材料を連続的に処理するために
は、始めから該真空室内に材料及び材料の繰出し、巻取
り装置をセットしておき、該真空室内で材料を繰出しな
がら連続的に薄膜を作製する方法が一般に用いられてい
る。
は、始めから該真空室内に材料及び材料の繰出し、巻取
り装置をセットしておき、該真空室内で材料を繰出しな
がら連続的に薄膜を作製する方法が一般に用いられてい
る。
然しなから前記方法においては、非常に大きい真空室が
必要であると共に、所定の真空度を得るためには大きな
排気設備が必要であって、しかも排気時間が長くなり、
従って製造コストが高くなる欠点が有る。又材料の繰出
し、巻取り等を真空室内で行なうため、駆動部の潤滑に
油系統の潤滑剤を使用出来ない等の問題もある。
必要であると共に、所定の真空度を得るためには大きな
排気設備が必要であって、しかも排気時間が長くなり、
従って製造コストが高くなる欠点が有る。又材料の繰出
し、巻取り等を真空室内で行なうため、駆動部の潤滑に
油系統の潤滑剤を使用出来ない等の問題もある。
一方真空室の外部で材料の繰出し、巻取りを行なう方法
としては、通常下記の方法が行なわれている。即ち、大
気中よりスリットを通して材料を真空室中に導入して粗
引排気し、次に又スリノトを通して個別に排気されてい
る次の真空室中に導入し、斯様にして順次高真空側の真
空室中に導入して所定の真空度で真空処理を施した後、
導入側と同じ様に個別に排気されている真空室のスリッ
トを通して、高真空側から低真空側へと段階的に移動さ
せ、最後に低真空側の真空室のスリットを通して大気中
に導出する方法がとられている。
としては、通常下記の方法が行なわれている。即ち、大
気中よりスリットを通して材料を真空室中に導入して粗
引排気し、次に又スリノトを通して個別に排気されてい
る次の真空室中に導入し、斯様にして順次高真空側の真
空室中に導入して所定の真空度で真空処理を施した後、
導入側と同じ様に個別に排気されている真空室のスリッ
トを通して、高真空側から低真空側へと段階的に移動さ
せ、最後に低真空側の真空室のスリットを通して大気中
に導出する方法がとられている。
前記方法においては、所定の真空度を得るために個別に
排気されている一連の真空室が必要であって、装置全体
としてはかなり大掛かりになり、高価な装置になってし
まう、又材料も長手方向に変化がある形状、例えば孔あ
き条、段付き条の様なものは、真空度を落さずにスリッ
トを通すことが極めて困難である。
排気されている一連の真空室が必要であって、装置全体
としてはかなり大掛かりになり、高価な装置になってし
まう、又材料も長手方向に変化がある形状、例えば孔あ
き条、段付き条の様なものは、真空度を落さずにスリッ
トを通すことが極めて困難である。
〔問題点を解決するための手段]
本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、その目的
とするところは、材料の大気中から真空中への導入及び
真空中から大気中への導出が連続的にかつ簡便に行なえ
る比較的安価な真空装置を提供することである。
とするところは、材料の大気中から真空中への導入及び
真空中から大気中への導出が連続的にかつ簡便に行なえ
る比較的安価な真空装置を提供することである。
即ち本発明は真空室内で材料を加工する真空装置におい
て、真空室の材料導入部及び導出部にU字管部を設けて
、該U字管部にHg及びGaを充填し、真空室側表面層
をGaとしたことを特徴とする真空装置である。
て、真空室の材料導入部及び導出部にU字管部を設けて
、該U字管部にHg及びGaを充填し、真空室側表面層
をGaとしたことを特徴とする真空装置である。
本発明におけるU字管部は、真空室側が真空に引かれる
ことによって、真空側及び大気側における液状物質の間
に真空、大気間のヘッド差H(第2図参照)を生じるの
で、該ヘッド差以上の高さが必要であり、又Gaを溶融
させるための加熱装置が必要である。
ことによって、真空側及び大気側における液状物質の間
に真空、大気間のヘッド差H(第2図参照)を生じるの
で、該ヘッド差以上の高さが必要であり、又Gaを溶融
させるための加熱装置が必要である。
更に前記U字管部におけるHg及びGaの対流混合を抑
止する手段を講することが望ましく、例えば前記Hg及
びGaの境界に、両者の中間の比重を有し、かつ被加工
物が通過出来る様なスリットを有する隔壁(例えばTa
、Mo、Ni等の仮)を設置することが好ましい(第2
図参照)。或いは、U字管壁土の真空室側を真空に引い
た際のHg及びGaの境界に相当する位置に、金属板等
からなるスリットを有する隔壁をあらかじめ固定してお
いても差し支えない(第3図参照)。
止する手段を講することが望ましく、例えば前記Hg及
びGaの境界に、両者の中間の比重を有し、かつ被加工
物が通過出来る様なスリットを有する隔壁(例えばTa
、Mo、Ni等の仮)を設置することが好ましい(第2
図参照)。或いは、U字管壁土の真空室側を真空に引い
た際のHg及びGaの境界に相当する位置に、金属板等
からなるスリットを有する隔壁をあらかじめ固定してお
いても差し支えない(第3図参照)。
本発明においては、U字管部にHg及びGaの両者を充
填する必要があり、Hgのみの場合は、コールドトラッ
プを使用してもHgの蒸気により真空室内が多少汚染さ
れる、Gaのみの場合は、真空、大気間のヘッド差が大
きくなりすぎる等の問題を生じる。而して前記U字管部
に充填するHg及びGaの割合については特に限定はな
いが、Gaは真空室側表面層としてHg藩気の発生を抑
制出来る程度に少量充填されていれば充分であり、真空
、大気間のヘッド差を小さくするためには、なるべくH
gの割合を多くすることが好ましい。
填する必要があり、Hgのみの場合は、コールドトラッ
プを使用してもHgの蒸気により真空室内が多少汚染さ
れる、Gaのみの場合は、真空、大気間のヘッド差が大
きくなりすぎる等の問題を生じる。而して前記U字管部
に充填するHg及びGaの割合については特に限定はな
いが、Gaは真空室側表面層としてHg藩気の発生を抑
制出来る程度に少量充填されていれば充分であり、真空
、大気間のヘッド差を小さくするためには、なるべくH
gの割合を多くすることが好ましい。
以下に本発明を図によって更に具体的に説明する。まず
本発明による真空装置の構成の一例を第1図に示す。
本発明による真空装置の構成の一例を第1図に示す。
■は材料、2はU字管部、3AはHg、3BはGa、3
は液状物質、4は真空室、5は基板の清浄化設備、6は
蒸発源、7はU字管部、8はコールドトラップ、9は加
熱装置、10は真空ポンプである。
は液状物質、4は真空室、5は基板の清浄化設備、6は
蒸発源、7はU字管部、8はコールドトラップ、9は加
熱装置、10は真空ポンプである。
材料1はU字管部2に充填されているHg3A及びGa
3Bよりなる液状物質3中を通して真空室4に導入され
、クリーニング設備5より発生させた電子シャワーによ
って表面の清浄化が行なわれる。しかる後電子銃、ルツ
ボ、蒸着金属からなる蒸発源6より発生させた金属蒸気
が前記材料1の片面(下面)に蒸着される0以上の様に
して真空中で処理された材料1はU字管部7に充填され
ているHg3A及びGa3Bよりなる液状物質3中を通
して大気中へ導出される。尚U字管部2.7には加熱装
置9が設けられており、又該U字管部2.7の真空室側
にはコールドトラップ8が水平方向に設けられている。
3Bよりなる液状物質3中を通して真空室4に導入され
、クリーニング設備5より発生させた電子シャワーによ
って表面の清浄化が行なわれる。しかる後電子銃、ルツ
ボ、蒸着金属からなる蒸発源6より発生させた金属蒸気
が前記材料1の片面(下面)に蒸着される0以上の様に
して真空中で処理された材料1はU字管部7に充填され
ているHg3A及びGa3Bよりなる液状物質3中を通
して大気中へ導出される。尚U字管部2.7には加熱装
置9が設けられており、又該U字管部2.7の真空室側
にはコールドトラップ8が水平方向に設けられている。
本発明による真空装置は、U字管部に充填された液状物
質中を通して、材料の真空室への導入及び該真空室から
の導出を行なうので、前記材料の導入及び導出を連続的
かつ簡便に行なうことが出来る。又大気と真空との遮断
を液状物質により行なっているので、材料の形状には何
等制約を要しなく、長手方向に変化がある形状(例えば
孔あき条、段付き条等)であっても差支えない。
質中を通して、材料の真空室への導入及び該真空室から
の導出を行なうので、前記材料の導入及び導出を連続的
かつ簡便に行なうことが出来る。又大気と真空との遮断
を液状物質により行なっているので、材料の形状には何
等制約を要しなく、長手方向に変化がある形状(例えば
孔あき条、段付き条等)であっても差支えない。
更に前記液状物質として比重が大きいHg及び蒸気圧が
低いGaを充填し、真空室側表面層をGaにしているの
で、真空、大気間のヘッド差を比較的小さく出来、従っ
て前記U字管部の高さを低く抑えるしことが出来ると共
に、真空室内への液状物質の蒸発を極めてわずかにする
ことが出来、該真空室内を高真空に維持することが可能
である。
低いGaを充填し、真空室側表面層をGaにしているの
で、真空、大気間のヘッド差を比較的小さく出来、従っ
て前記U字管部の高さを低く抑えるしことが出来ると共
に、真空室内への液状物質の蒸発を極めてわずかにする
ことが出来、該真空室内を高真空に維持することが可能
である。
次に本発明の具体的な実施例について説明する。
第1図において、材料の導入部及び導出部に高さ1mの
U字管部2.7を設け、液状物質3としてHg3Aを充
填した後、真空室側には更に少量のGa3Bを充填した
。而して表面のGa層が45“Cに維持される様に、加
熱装置9により加熱した。
U字管部2.7を設け、液状物質3としてHg3Aを充
填した後、真空室側には更に少量のGa3Bを充填した
。而して表面のGa層が45“Cに維持される様に、加
熱装置9により加熱した。
この状態で真空排気を始めたところ、液状物質3はU字
管部2におけるヘッド差H1即ち大気側表面と真空側表
面との高さの差が820+saとなった時点で安定した
状態になった。一方真空度は、Gaの蒸気圧がHgのそ
れよりも1ケタ以上低いため、特にコールドトラップ8
を効かせなくても10−’T o r rの真空度を維
持することが出来た(コールドトラップ8を効かせれば
更に高真空化が可能である)、尚使用中にGa中にHg
がわずかに溶解(状態図上では約2at%)した状態に
なるが、10−’T o r rの真空度を維持出来る
ことから、Hgの蒸発量は極めてわずかであると考えら
れる。
管部2におけるヘッド差H1即ち大気側表面と真空側表
面との高さの差が820+saとなった時点で安定した
状態になった。一方真空度は、Gaの蒸気圧がHgのそ
れよりも1ケタ以上低いため、特にコールドトラップ8
を効かせなくても10−’T o r rの真空度を維
持することが出来た(コールドトラップ8を効かせれば
更に高真空化が可能である)、尚使用中にGa中にHg
がわずかに溶解(状態図上では約2at%)した状態に
なるが、10−’T o r rの真空度を維持出来る
ことから、Hgの蒸発量は極めてわずかであると考えら
れる。
斯様な状態にして、材料lとして厚さ0.2鵬、中10
0閣のステンレスのシートを、U字管部2に充填された
Hg3A及びGa3B中を通して連続的に真空室4内に
導入し、電子シャワー5によって表面を清浄化した後、
蒸発源6にてNbを電子ビームで溶解蒸発させ、if
N bを前記銅シートの片面(下面)に蒸着させた。し
かる後該銅シートをU字管部7に充填されたGa3B及
びHg3A中を通して大気中へ導出し、巻取り装置で連
続的に巻取った。
0閣のステンレスのシートを、U字管部2に充填された
Hg3A及びGa3B中を通して連続的に真空室4内に
導入し、電子シャワー5によって表面を清浄化した後、
蒸発源6にてNbを電子ビームで溶解蒸発させ、if
N bを前記銅シートの片面(下面)に蒸着させた。し
かる後該銅シートをU字管部7に充填されたGa3B及
びHg3A中を通して大気中へ導出し、巻取り装置で連
続的に巻取った。
〔発明の効果]
本発明の真空装置は、材料の真空室への導入及び該真空
室からの導出を連続的にかつ簡便に行なうことが出来、
しかも比較的安価であり、かつ材料の形状に同等制約を
要しない、更に材料導入部及び導出部に設けたU字管部
の高さを余り高くすることなく、真空室内を高真空に維
持することが出来る等工業上顕著な効果を奏するもので
ある。
室からの導出を連続的にかつ簡便に行なうことが出来、
しかも比較的安価であり、かつ材料の形状に同等制約を
要しない、更に材料導入部及び導出部に設けたU字管部
の高さを余り高くすることなく、真空室内を高真空に維
持することが出来る等工業上顕著な効果を奏するもので
ある。
第1図は本発明による真空装置の構成の一例を示す説明
図、第2図、第3図は材料導入部におけるU字管部の構
成の一例を示す説明図である。 l・・・材料 2・・・U字管部 3A・・・Hg
、3B・・・Ga、3C・・・隔壁 3・・・液状物
質4・・・真空室 5・・・基板の清浄化設備 6
・・・蒸発源 7・・・U字管部 8・・・コール
ドトラップ 9・・・加熱装置 10・・・真空ポ
ンプ特許出願人 古河電気工業株式会社 第1図
図、第2図、第3図は材料導入部におけるU字管部の構
成の一例を示す説明図である。 l・・・材料 2・・・U字管部 3A・・・Hg
、3B・・・Ga、3C・・・隔壁 3・・・液状物
質4・・・真空室 5・・・基板の清浄化設備 6
・・・蒸発源 7・・・U字管部 8・・・コール
ドトラップ 9・・・加熱装置 10・・・真空ポ
ンプ特許出願人 古河電気工業株式会社 第1図
Claims (2)
- (1)真空室内で材料を加工する真空装置において、真
空室の材料導入部及び導出部にU字管部を設けて、該U
字管部にHg及びGaを充填し、真空室側表面層をGa
としたことを特徴とする真空装置。 - (2)Hg及びGaの境界に、両者の中間の比重を有し
、かつ被加工物が通過出来る隔壁を有することを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の真空装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1152887A JPS63179067A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1152887A JPS63179067A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 真空装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63179067A true JPS63179067A (ja) | 1988-07-23 |
Family
ID=11780466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1152887A Pending JPS63179067A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 真空装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63179067A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019151882A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 株式会社豊田中央研究所 | 気密処理装置 |
-
1987
- 1987-01-21 JP JP1152887A patent/JPS63179067A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019151882A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 株式会社豊田中央研究所 | 気密処理装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68920613T2 (de) | Mikrowellenplasmavorrichtung für ausgedehnte Oberfläche. | |
US3945903A (en) | Sputter-coating of glass sheets or other substrates | |
KR930021814A (ko) | 연속 박막 형성방법 | |
JPS63179067A (ja) | 真空装置 | |
JP2001073131A (ja) | 銅薄膜製造方法、及びその方法に用いるスパッタ装置 | |
US2778485A (en) | Vacuum tube getter body material | |
US3288700A (en) | Sputtering apparatus including a folded flexible conveyor | |
JPS5489983A (en) | Device and method for vacuum deposition compound | |
JPH03260063A (ja) | 酸化物薄膜の成膜方法 | |
DE3752208T2 (de) | Durch Mikrowellen gesteigertes CVD-Verfahren und -Gerät | |
EP0537012A1 (en) | Sputtering processes and apparatus | |
JPH07188905A (ja) | 連続真空蒸着装置 | |
JPH1112731A (ja) | 高純度薄膜の形成方法 | |
EP0138515A2 (en) | An apparatus for use in manufacturing a perpendicular magnetic recording member | |
RU2194087C2 (ru) | Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги и устройство для его осуществления | |
JPS63111175A (ja) | 真空装置 | |
JP2603919B2 (ja) | 立方晶系窒化ホウ素の結晶粒を含む窒化ホウ素膜の作製方法 | |
US7279201B2 (en) | Methods and apparatus for forming precursors | |
RU2061786C1 (ru) | Способ нанесения покрытий в вакууме и испаритель вакуумной установки для его осуществления | |
JPH0663087B2 (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
JPS5970763A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0242897B2 (ja) | ||
JPS60100661A (ja) | スパツタ蒸着方法 | |
JPS591676A (ja) | イオンブレ−テイング装置 | |
JPS58100672A (ja) | 薄膜形成法及びその装置 |