RU2194087C2 - Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги и устройство для его осуществления - Google Patents

Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги и устройство для его осуществления Download PDF

Info

Publication number
RU2194087C2
RU2194087C2 RU2000117878A RU2000117878A RU2194087C2 RU 2194087 C2 RU2194087 C2 RU 2194087C2 RU 2000117878 A RU2000117878 A RU 2000117878A RU 2000117878 A RU2000117878 A RU 2000117878A RU 2194087 C2 RU2194087 C2 RU 2194087C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
beryllium
substrate
foil
magnetron
inert gas
Prior art date
Application number
RU2000117878A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2000117878A (ru
Inventor
Адил Жианшахович Тулеушев
Валерий Николаевич Володин
Владимир Николаевич Лисицын
Юрий Жианшахович Тулеушев
Светлана Николаевна Ким
Александр Бикетович Асанов
Original Assignee
Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан
Товарищество с ограниченной ответственностью "СИМПЛА"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан, Товарищество с ограниченной ответственностью "СИМПЛА" filed Critical Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан
Priority to RU2000117878A priority Critical patent/RU2194087C2/ru
Publication of RU2000117878A publication Critical patent/RU2000117878A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2194087C2 publication Critical patent/RU2194087C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области изготовления самонесущих тонких пленок, в частности, к способам и устройствам для получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги, используемых для окон при регистрации низкоэнергетических излучений, и может найти применение в прикладной физике, машиностроении, при обработке металлов и в других отраслях промышленности. Способ включает нанесение на подготовленную поверхность подложки подслоя, препятствующего диффузии материала фольги в подложку, последующее осаждение слоев материала фольги и отделение полученной фольги от подложки, в котором фольгу формируют магнетронным напылением, при этом используют, по меньшей мере, две мишени, одна из которых состоит из металла-геттера, взаимодействующего с примесями плазмообразующего инертного газа, который поступает в анодное пространство магнетрона, предназначенного для распыления металла-геттера, после чего инертный газ очищают от распыленного металла-геттера и продуктов его взаимодействия с примесями и направляют к бериллиевой мишени с тыльной стороны подложки. Устройство содержит вакуумную камеру, магнетрон, держатель подложки, системы подачи, регулирования расхода, очистки и эвакуации инертного газа, которое содержит, по меньшей мере, два магнетрона, один из которых имеет мишень из металла-геттера и анодное пространство которого соединено с системой подачи и регулирования расхода газа, при этом указанный магнетрон размещен с тыльной стороны подложки, выполненной с возможностью перемещения, и отделен от нее системой очистки газового потока. Способ и устройство позволяют повысить качество бериллиевой и бериллийсодержащей фольги. 2 с.п.ф-лы, 2 табл., 1 ил.

Description

Изобретение относится к области изготовления самонесущих тонких пленок, в частности к способам и устройствам для получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги, используемых для окон при регистрации низкоэнергетических излучений, и может найти применение в прикладной физике, машиностроении, при обработке металлов и в других отраслях промышленности.
Существующая в настоящее время технология изготовления бериллиевых фольг обработкой давлением металла в пакетах при высокой температуре и низком парциальном давлении кислорода позволяет получить изделия толщиной до 50 мкм. Процессу свойственны высокие трудозатраты, а хрупкость материала и локальная пористость фольги значительно снижают качество и выход годного при ее производстве.
Известен способ изготовления тонкой бериллиевой фольги (RU 2036244, кл. С 23 С 14/22, 1995), включающий многостадийное осаждение паров бериллия на подложку, отделение конденсата и последующую термообработку, в котором после осаждения паров бериллия толщиной 0,5-5 мкм проводят осаждение слоя оксида бериллия толщиной 2-10 нм с последующим многократным повторением этого цикла при количестве слоев бериллия не менее пяти. Получение фольги путем конденсации паров бериллия позволяет снизить трудозатраты, уменьшить толщину, а послойное формирование - несколько уменьшить пористость фольги, но присутствие в ней оксида бериллия снижает прочностные характеристики и тем самым качество фольги в целом.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является способ получения тонких самоподдерживающихся пленок (RU 2040589, кл. С 23 С 14/00, 14/24, 1995) для ядерно-физических исследований из бериллия и других элементов, включающий химическую очистку поверхности подложки, осаждение на подложку термическим испарением в вакууме подслоя хлорида натрия и затем пленки заданного материала и последующее отделение пленки от подложки, в котором перед осаждением хлорида натрия осуществляют дополнительную очистку подложки в тлеющем разряде.
Испарение бериллия осуществляют в импульсном режиме при температуре испарителя 1923-2100К, длительность импульсов и промежуток между ними поддерживают равными 3-4 с и 8-10 с, осаждение пленки осуществляют со скоростью 2,0-9,57 мкг•см-2•с-1. Очистку в тлеющем разряде осуществляют в вакууме 0,133-0,266 Па при напряжении 1-3 кВ в течение 3-5 мин.
Недостатками способа является получение пленок с относительно рыхлой структурой, являющейся следствием энергетических условий формирования кристаллов пленки из паровой фазы, наличие включений, образующихся в результате присутствия в газовой фазе даже малого количества активных составляющих, взаимодействующих с паром, что влечет за собой низкие прочностные характеристики, высокую газопроницаемость и микрошероховатость поверхности. Качество пленки, полученной таким образом, недостаточно для использования ее при изготовлении окон детекторов для низкоэнергетических излучений.
Известны устройства для нанесения и формирования тонких пленочных покрытий.
Известно устройство для магнетронного реактивного распыления нитридных, карбидных и карбонитридных покрытий (RU 2065507, кл. С 23 С 14/36, 1993), включающее катод, мишень, закрепленную на катоде посредством держателя мишени, магнитную систему и полый анод, снабженный расположенным на удаленном от мишени торце анода соплом для запуска рабочей газовой смеси с направляющими, параллельными боковой образующей анода, и изолирующей цилиндрической втулкой, расположенной между анодом и поверхностью держателя мишени, магнитная система расположена с нерабочей стороны мишени, анод выполнен цилиндрическим, а полость анода соединена с кольцевым соплом посредством винтовых входов.
Устройство позволяет формировать фольги из бериллия и содержащие в своем составе бериллий, однако использование потока плазмообразующего газа, подаваемого в полый анод, не прошедшего глубокую очистку от примесей, сопровождается образованием при распылении соединений бериллия, которые внедряются в фольгу и снижают ее качество.
Известны также способ и устройство для локального ионного распыления (US 5591313, кл. С 23 С 14/34, 1995), содержащее вакуумную камеру, внутри которой на небольшом расстоянии один от другого установлены катод, имеющий поверхность мишени, и анод, имеющий обращенную к поверхности мишени поверхность и противоположную первой вторую поверхность, и источник питания для создания электрического поля между анодом и катодом. Силовые линии поля проходят между передним краем анода и локальной областью поверхности мишени непосредственно рядом с передним краем анода. Между анодом и поверхностью мишени установлено сопло, направляющее струю плазмообразующего газа на поверхность мишени. Выходное отверстие сопла расположено рядом с указанной локальной областью мишени для создания локального облачка над рассматриваемой областью мишени. Сопло имеет на конце мундштук для создания повышенного локального давления в облачке плазмообразующего газа в пределах 60-600 Па. Устройство имеет механизм для перемещения подложки, на которую осаждают покрытие.
Здесь, как и в предыдущем устройстве, использование потока плазмообразующего газа, не прошедшего глубокую очистку от примесей, сопровождается образованием при распылении соединений бериллия, которые внедряются в фольгу и снижают ее качество.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому является устройство для нанесения тонких пленок (RU 2041972, кл. С 23 С 14/35, 1989), включающее вакуумную камеру с входным и выходным отверстиями для плазмообразующего инертного газа, размещенные в камере держатель подложки и магнетронный распылительный источник с анодом, катодом и магнитной системой, в котором анод источника выполнен в виде двух пластин с отверстиями, параллельных одна другой и плоскости подложки, а катод выполнен в форме полого эллиптического цилиндра, размещенного между анодными пластинами с образованием двух свободно сообщающихся зон очистки рабочего газа и нанесения, причем ось симметрии катода ориентирована параллельно анодным пластинам, а на поверхности катода со стороны зоны очистки нанесен слой геттерного материала преимущественно из титана.
Устройство позволяет повысить качество получаемой фольги применительно к бериллию, однако свободное сообщение зон очистки газа и напыления не исключает попадания продуктов взаимодействия распыленного металла с примесями инертного газа в формируемую фольгу, что снижает качество получаемой фольги из бериллия и на его основе.
Технический результат изобретения заключается в повышении качества бериллиевой и бериллийсодержащей фольги.
Указанный технический результат достигается в способе получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги, включающем нанесение на подготовленную поверхность подложки подслоя, препятствующего диффузии материала фольги в подложку, последующее осаждение слоев материала фольги и отделение полученной фольги от подложки, в котором слои осаждают магнетронным напылением, при этом используют по меньшей мере две мишени, одна из которых выполнена из бериллия, а вторая - из металла-геттера, взаимодействующего с примесями плазмообразующего инертного газа, который поступает в анодное пространство магнетрона, предназначенного для распыления металла-геттера, после чего инертный газ очищают от распыленного металла-геттера и продуктов его взаимодействия с примесями и направляют к бериллиевой мишени с тыльной стороны подложки.
Технический результат обеспечивается также конструкцией устройства для осуществления способа, включающего вакуумную камеру, магнетрон, держатель подложки, системы подачи, регулирования расхода, очистки и эвакуации инертного газа, которое содержит по меньшей мере два магнетрона, один из которых имеет мишень, выполненную из бериллия, а второй - из металла-геттера с анодным пространством, соединенным с системой подачи и регулирования расхода газа, при этом указанный магнетрон размещен с тыльной стороны подложки, выполненной с возможностью перемещения, и отделен от нее системой очистки газового потока.
Магнетронное формирование фольги вследствие большого энергетического запаса, сообщенного группам атомов при распылении, способствует формированию более совершенной кристаллической структуры с зеркальной поверхностью, что повышает качество изделия.
Распыление геттера в том же объеме, где протекает процесс формирования фольги, повышает чистоту плазмообразующего инертного газа за счет исключения загрязнения его сорбированными примесями газов на стенках газопровода и неорганизованного натекания на пути от системы очистки до вакуумного объема. Подвод всего потока газа в анодное пространство при распылении геттера позволяет наиболее полно обеспечить контакт и реакцию примесей плазмообразующего газа с распыленным геттером, что вместе с последующей очисткой газового потока от продуктов взаимодействия и частиц распыленного геттера также повышает степень очистки инертного газа, используемого затем при распылении бериллия, и положительно сказывается на качество получаемой фольги.
Направление потока плазмообразующего газа к бериллиевой мишени с тыльной стороны подложки способствует дополнительной очистке его от следов примесей за счет взаимодействующих с ними распыленных частиц бериллия, направленных навстречу потоку газа вне габаритов подложки, и предотвращает попадание продуктов взаимодействия в кристаллическую решетку фольги при послойном ее формировании, что также способствует достижению технического результата.
Снабжение устройства не менее чем двумя магнетронами, один из которых снабжен мишенью из металла-геттера, позволяет при распылении ее очистить инертный газ от примесей непосредственно в вакуумной камере, где происходит получение фольги магнетронным распылением второй мишени, повысить его чистоту и тем самым качество фольги.
Наличие системы очистки газового потока от пылевидной фракции позволяет повысить чистоту инертного газа, используемого при распылении бериллия, и качество формируемой фольги. Кроме того, присутствие распыленных и не вступивших во взаимодействие с примесями газа частиц металла-геттера в системе очистки дополняет глубину очистки инертного газа за счет потенциальной реакционной способности.
Размещение магнетрона с мишенью из металла-геттера с тыльной стороны подложки позволяет направить поток инертного плазмообразующего газа через систему очистки, размещенную на его пути, с дополнительной очисткой газа без попадания продуктов взаимодействия в формируемую фольгу. Это, а также соединение системы регулирования расхода газа с анодным пространством данного магнетрона, то есть направление всего потока газа через него, позволяет значительно повысить степень очистки газа и качество бериллиевой и бериллийсодержащей фольги.
Возможность перемещения подложки позволяет организовать процесс формирования фольги слоями в несколько нанометров, при котором дефекты каждого предыдущего слоя перекрываются последующим, что положительно сказывается на достижении технического результата.
На чертеже приведена схема сечения устройства для формирования бериллиевой и бериллийсодержащей фольги предлагаемым способом.
Устройство представляет собой вакуумную камеру 1, в которой размещены магнетрон 2 с бериллиевой мишенью, магнетрон 3 с мишенью из металла-геттера, например из титана, и исходя из необходимости магнетрон 4 с мишенью из металла, являющегося составляющим фольги, например из меди, алюминия и др. В камере 1 смонтированы устройство для перемещения подложки 5 с закрепленными подложками 6, система 7 для очистки газового потока от пылевидной фракции и газопровод 8, соединяющий систему регулирования расхода газа 9 с анодным пространством магнетрона 3. Для эвакуации газа из камеры 1 устройство снабжено системой 10. Система регулирования расхода газа 9 соединена с системой подачи инертного газа 11.
Устройство работает следующим образом.
Из вакуумной камеры 1 посредством системы 10 эвакуируют газ до давления, меньшего чем 1•10-3 Па. Через системы подачи газа 11, регулирования расхода газа 9 и газопровод 8 в анодное пространство магнетрона 3, снабженного мишенью из металла-геттера, подают инертный газ, например аргон или криптон. Подачей электрической мощности на электроды магнетрона 3 организуют процесс распыления металла-геттера в плазме низкого давления. Включают устройство для перемещения подложки 5 с закрепленными на нем подложками 6. Поток инертного газа в потоке плазмы взаимодействует с частицами распыленного геттера с образованием пылевидной фракции оксидов, нитридов и других соединений с примесями и, собственно, геттера.
В связи с тем, что газовый поток организован в сторону бериллиевой мишени магнетрона 2, пылевидную фракцию улавливают в системе очистки 7. Затем подачей электрической мощности на электроды магнетрона 2 организуют распыление бериллиевой мишени. Распыленный бериллий, достигая поверхности подложки 6, предварительно подготовленной с нанесенным подслоем, препятствующим диффузии материала фольги в материал подложки 6, кристаллизуется и формирует фольгу послойно, вследствие многократного перемещения подложки. Так как поперечное сечение потока плазмы магнетрона 2 больше размеров подложки 6, то часть распыленного бериллия направлена на систему очистки 7, и встречаясь с потоком очищенного от пылевидной фракции газового потока от магнетрона 3 за пределами подложки с тыльной ее стороны, способствует дополнительной его очистке от реактивных примесей и предотвращает попадание образующихся соединений в материал фольги.
Следует отметить, что присутствие в системе очистки 7 уловленных частиц металла-геттера размером менее 50 нм, характерных для магнетронного распыления и имеющих весьма большую поверхность, также направлено на удаление следов примесей последующих объемов подаваемого инертного газа.
При формировании бериллийсодержащей фольги включением магнетрона 4 организуют распыление металла, входящего в качестве составляющего в материал фольги, и при последующем осаждении на перемещающуюся подложку формируют покрытие заданного состава.
Инертный газ, подаваемый через систему 11 в течение процесса формирования фольги в вакуумную камеру 1, эвакуируют с помощью системы 10.
После завершения процесса формирования магнетроны 2-4, подачу исходного инертного газа через систему 11 и газопровод 8, а также перемещение подложек 6 отключают, давление в вакуумной камере 1 выравнивают с атмосферным, снимают подложки 6 и отделяют фольгу. После замены подложек предварительно подготовленными процесс получения фольги повторяют.
Предлагаемые способ и устройство использованы для получения бериллиевой фольги для окон детекторов при регистрации рентгеновского излучения и образцов медно-бериллиевой и алюмобериллиевой фольги.
Пример 1. Изготовление фольги бериллия осуществляли распылением одной мишени из высокочистого бериллия и осаждением его на полированную подложку с подслоем хлорида натрия. Подложку при формировании слоев фольги перемещали относительно потока плазмы со скоростью 0,15 м•с-1, количество перемещений подложки относительно потока плазмы при нанесении бериллия - 3,6•104 раз. Осаждение бериллия осуществляли слоями толщиной около 1 нм при расстоянии от мишени до подложки 30 мм. В качестве плазмообразующего газа использовали аргон, подаваемый в полый анод магнетрона для очистки газового потока, металла-геттера - титан, поток аргона после системы очистки внутри камеры содержал примеси, суммарное парциальное давление которых не превышало 5•10-6 Па.
Принцип работы системы очистки газового потока от пылевидной фракции основывался на многократном изменении направления движения газового потока. После завершения процесса осаждения бериллия, разгерметизации вакуумного объема и разборки оснастки, удерживающей подложку, происходило самопроизвольное отслаивание сформированной фольги. Хлорид натрия при этом распределялся между поверхностью фольги и подложки. Очистку фольги от хлорида натрия производили растворением с последующей обработкой этиловым спиртом. В результате получена вакуумно-плотная с зеркальной поверхностью фольга в форме круга толщиной 35 мкм и диаметром 30 мм. Включений продуктов взаимодействия примесей аргона с металлом-геттером и бериллием при исследовании структуры фольги не обнаружено. Прочностные характеристики оценивали по испытанию на изгиб. Полученная фольга выдерживает без разрушения изгиб на 90-130o при радиусе кривизны, равном 5 мм, что, учитывая высокую хрупкость бериллия, свидетельствует о высоком ее качестве. Фольга с аналогичными размерами, полученная по способу- прототипу, разрушалась при изгибе на 37-45o.
Пример 2. Изготовление медно-бериллиевых фольг выполнено с последовательностью и при условиях (за исключением приведенных) аналогичных примеру 1 на полированных подложках из стали 12Х18Н10Т. Формирование фольги на подслое хлорида натрия вели осаждением распыляемых одновременно меди и бериллия поочередным перемещением подложки относительно потоков плазмы при скорости перемещения 0,6-1,0 м•с-1. Изменение содержания бериллия от 10 до 30 ат. % в фольге осуществляли изменением соотношения скорости распыления металлов. Суммарное парциальное давление примесей в аргоне после очистки составило (3-9)•10-6 Па.
В итоге получены фольги толщиной 15-20 мкм мелкозернистой структуры и высоким качеством поверхности, результаты прочностных испытаний которых приведены в табл. 1.
Увеличение упругости и прочности фольги, полученной предлагаемым способом, связано с мелкозернистой структурой металлов и отсутствием включений в структуре фольги, обусловленными магнетронным способом формирования и высокой степенью очистки газового потока, осуществляемой при ведении процесса предлагаемым способом.
Приведенные прочностные характеристики подтверждают высокое качество фольги.
Пример 3. Изготовление алюмобериллиевых фольг выполнено с последовательностью и при условиях (за исключением приведенных) аналогичных примеру 1 на полированных подложках из стали 12Х18Н10Т. Формирование фольги на подслое хлорида натрия вели осаждением распыляемых одновременно алюминия и бериллия поочередным перемещением подложки относительно потоков плазмы при скорости перемещения 0,4-0,6 м•с-1. Изменение содержания бериллия с 8 до 80 ат.% в фольге осуществляли изменением соотношения скорости распыления металлов. Суммарное давление примесей в аргоне после очистки составляло 8•10-7 Па. В итоге получены фольги толщиной 10-15 мкм мелкозернистой структуры и высоким качеством поверхности, результаты прочностных испытаний которых приведены в табл. 2.
Для полученных фольг характерны высокие прочность и упругость, обусловленные текстурой, полученной в результате магнетронного способа формирования, и отсутствием включений в кристаллической решетке, что является результатом глубокой очистки аргона от газов-примесей.
Таким образом, приведенные примеры и результаты, изложенные в них, свидетельствуют о повышении качества бериллиевых и бериллийсодержащих фольг, получаемых с использованием предлагаемого способа и устройства для его осуществления.

Claims (2)

1. Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги, включающий нанесение на подготовленную поверхность подложки подслоя, препятствующего диффузии материала фольги в подложку, последующее осаждение слоев материала фольги и отделение полученной фольги от подложки, отличающийся тем, что слои осаждают магнетронным распылением, при этом используют, по меньшей мере, две мишени, одна из которых выполнена из бериллия, а вторая из металла-геттера, взаимодействующего с примесями плазмообразующего инертного газа, который поступает в анодное пространство магнетрона, предназначенного для распыления металла-геттера, после чего инертный газ очищают от распыленного металла-геттера и продуктов его взаимодействия с примесями и направляют к бериллиевой мишени с тыльной стороны подложки.
2. Устройство для получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги, включающее вакуумную камеру, магнетрон, держатель подложки, системы подачи, регулирования расхода, очистки и эвакуации инертного газа, отличающееся тем, что оно содержит, по меньшей мере, два магнетрона, один из которых имеет мишень, выполненную из бериллия, а второй из металла-геттера, с анодным пространством, соединенным с системой подачи и регулирования расхода газа, при этом второй магнетрон размещен с тыльной стороны подложки, выполненной с возможностью перемещения, и отделен от нее системой очистки газового потока.
RU2000117878A 2000-07-05 2000-07-05 Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги и устройство для его осуществления RU2194087C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000117878A RU2194087C2 (ru) 2000-07-05 2000-07-05 Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги и устройство для его осуществления

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KZ2000/0090.1 2000-01-28
RU2000117878A RU2194087C2 (ru) 2000-07-05 2000-07-05 Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги и устройство для его осуществления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2000117878A RU2000117878A (ru) 2002-06-10
RU2194087C2 true RU2194087C2 (ru) 2002-12-10

Family

ID=20237422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000117878A RU2194087C2 (ru) 2000-07-05 2000-07-05 Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги и устройство для его осуществления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2194087C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2695697C2 (ru) * 2014-07-14 2019-07-25 Хельмхольтц-Центрум Гестхахт Центрум Фюр Материал-Унд Кюстенфоршунг Гмбх Способ изготовления нейтронных конвертеров

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2695697C2 (ru) * 2014-07-14 2019-07-25 Хельмхольтц-Центрум Гестхахт Центрум Фюр Материал-Унд Кюстенфоршунг Гмбх Способ изготовления нейтронных конвертеров

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3756193A (en) Coating apparatus
US20060251917A1 (en) Method for magnetron sputter deposition
KR20000048547A (ko) 단열층을 제조하기 위한 방법 및 장치
JPH02285072A (ja) 加工物表面のコーティング方法及びその加工物
JPS61295377A (ja) 薄膜形成方法
US3925187A (en) Apparatus for the formation of coatings on a substratum
JP2005048260A (ja) 反応性スパッタリング方法
US4415420A (en) Cubic boron nitride preparation
Komiya et al. Titanium nitride film as a protective coating for a vacuum deposition chamber
JP3836184B2 (ja) 酸化マグネシウム膜の製造方法
Weissmantel et al. Ion beam sputtering and its application for the deposition of semiconducting films
RU2194087C2 (ru) Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги и устройство для его осуществления
JPH03260054A (ja) 耐剥離性にすぐれたcBN被覆部材及びその製作法
RU2653399C2 (ru) Способ нанесения покрытия из аморфного оксида алюминия реактивным испарением алюминия в разряде низкого давления
JP6975972B2 (ja) Yf3成膜体の製造方法
RU2188876C2 (ru) Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги
JP2009144252A (ja) 反応性スパッタリング装置及び反応性スパッタリング方法
JP2854130B2 (ja) スパッタリングにより基板を被覆するための装置
JPH0445580B2 (ru)
JPS63475A (ja) ハイブリツドイオンプレ−テイング装置
JPH0565637A (ja) イオンビームスパツタ装置
JPS58133368A (ja) 硼素皮膜の形成方法
JPH06207266A (ja) 薄膜形成物の製造方法および装置
US7279201B2 (en) Methods and apparatus for forming precursors
JPS6347362A (ja) イオンプレ−テイング装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120706