JPS591676A - イオンブレ−テイング装置 - Google Patents
イオンブレ−テイング装置Info
- Publication number
- JPS591676A JPS591676A JP11083282A JP11083282A JPS591676A JP S591676 A JPS591676 A JP S591676A JP 11083282 A JP11083282 A JP 11083282A JP 11083282 A JP11083282 A JP 11083282A JP S591676 A JPS591676 A JP S591676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- evaporation source
- evaporating
- impressed
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ものであり、特に話性な金属をイオンプレーティングす
るに於いて、該金属蒸発αj!の金属と使用する活性ガ
スとの反応を防止し、長時1?JJにわたり安定的な蒸
発を維持する事が可能な蒸発源を持つイオンブレーティ
ング装置を提供するものである。
るに於いて、該金属蒸発αj!の金属と使用する活性ガ
スとの反応を防止し、長時1?JJにわたり安定的な蒸
発を維持する事が可能な蒸発源を持つイオンブレーティ
ング装置を提供するものである。
真空装置内に於いて、活性な金属を蒸発させ、該装置内
に導入1〜だ活性ガス,とで反応させ、化合物を生成す
る反応性イオンプレーティングの手段については、多陰
極法、高周波励起法、DC法、熱電子引出し法等、その
他種々な方法がある。
に導入1〜だ活性ガス,とで反応させ、化合物を生成す
る反応性イオンプレーティングの手段については、多陰
極法、高周波励起法、DC法、熱電子引出し法等、その
他種々な方法がある。
何れの手段を用いた反応性イオンプレーティングに於い
ても、長時間、又は多回数の安定的な処理を行うにあた
り、障害となるのは、活性金属の蒸発源が変化し、金属
の蒸発量が不安定になってしまう事である。
ても、長時間、又は多回数の安定的な処理を行うにあた
り、障害となるのは、活性金属の蒸発源が変化し、金属
の蒸発量が不安定になってしまう事である。
これは、イオンプレーティング、プロセス中に於いて、
高温に熱せられた蒸発源の活性金属の近傍まで、、導入
された活性なガスが存在する事と、さらには、そのガス
が、イオンブレーティング手段によりプラズマ中で活性
に励起されでいるため、高温の活性金属表面に於いて、
その活性ガスと反応し、徐々に活性金属が化合物化する
ために起る溶融点の変化、蒸気圧の変化に起因すると考
えられる。
高温に熱せられた蒸発源の活性金属の近傍まで、、導入
された活性なガスが存在する事と、さらには、そのガス
が、イオンブレーティング手段によりプラズマ中で活性
に励起されでいるため、高温の活性金属表面に於いて、
その活性ガスと反応し、徐々に活性金属が化合物化する
ために起る溶融点の変化、蒸気圧の変化に起因すると考
えられる。
従来のイオンブレーティング装置に於いては、この現象
を防止するための手段を具備していなかったために、化
合物を多く含有した場合、その蒸発源を廃棄するか、研
摩、切削等により化合物の混入拡散した部分だけを取り
除かなければならなかった。
を防止するための手段を具備していなかったために、化
合物を多く含有した場合、その蒸発源を廃棄するか、研
摩、切削等により化合物の混入拡散した部分だけを取り
除かなければならなかった。
この場合希少であって高価な物質をも廃棄しなければな
らず、大変な無駄を求められ、研摩切削等による余分な
作業負荷を強いられていた。
らず、大変な無駄を求められ、研摩切削等による余分な
作業負荷を強いられていた。
本発明は、上記反応性イオンブレーティングに於いて蒸
発源の金属蒸気発生部に、円筒状の蒸発源保瞳カバーを
設ける事により、イオンブレーティング中の金属蒸気の
蒸気分圧と、蒸発源保護カバー内部に設けた不活性ガス
導入孔より噴出した、不活性ガスのガス分圧とにより、
蒸発源活性金属近傍への活性ガスの流入を防ぎ、蒸発源
活性金、属の化合物生成を防止し、長時間、多回数にわ
たる安定した蒸発を維持することが出来る。
発源の金属蒸気発生部に、円筒状の蒸発源保瞳カバーを
設ける事により、イオンブレーティング中の金属蒸気の
蒸気分圧と、蒸発源保護カバー内部に設けた不活性ガス
導入孔より噴出した、不活性ガスのガス分圧とにより、
蒸発源活性金属近傍への活性ガスの流入を防ぎ、蒸発源
活性金、属の化合物生成を防止し、長時間、多回数にわ
たる安定した蒸発を維持することが出来る。
第1図は、本発明に基づくイオンブレーティング装置の
断面図であり、1は、排気系統(図示せず)によって、
10 ’Torr 程度迄排気可能なペルジャーである
。2は、イオン加速用電源3と接続して陰極電圧を印加
出来・、る基板ボルダ−であり、4は、基板ホルダーク
に取り付けられた被覆される部品である。
断面図であり、1は、排気系統(図示せず)によって、
10 ’Torr 程度迄排気可能なペルジャーである
。2は、イオン加速用電源3と接続して陰極電圧を印加
出来・、る基板ボルダ−であり、4は、基板ホルダーク
に取り付けられた被覆される部品である。
5は、電源乙によって陽極の印加されるイオン化電極で
、7は後述する蒸発源ソース15の加熱用電子ビーム供
給電源を示す。8は、生成する被覆の目的により導入す
る反応用の活性ガス導入ノズルである。
、7は後述する蒸発源ソース15の加熱用電子ビーム供
給電源を示す。8は、生成する被覆の目的により導入す
る反応用の活性ガス導入ノズルである。
次に本発明の要旨と云うべき金属蒸気発生部分について
、第1図により説明する。
、第1図により説明する。
9は、円筒状の蒸発源保護カバーで、銅で製作されてお
り、その側壁に電子ビームの通過孔1゜が設けられ、且
つ、円筒内側に向は開口した不活性ガス導入孔21を持
ち外部と接続されたパイプ11が、円筒部の上端に清っ
て固定され、加熱防止用には、送排パイプ12により外
部と接続された銅パイプ13が巻き付けである。
り、その側壁に電子ビームの通過孔1゜が設けられ、且
つ、円筒内側に向は開口した不活性ガス導入孔21を持
ち外部と接続されたパイプ11が、円筒部の上端に清っ
て固定され、加熱防止用には、送排パイプ12により外
部と接続された銅パイプ13が巻き付けである。
又、14は、蒸発源保護カバー9の下端に配通された水
冷されたルツボで、15は電子ビームにより加熱される
蒸発源ソースである。16は金属蒸気が飛行する範囲を
示しである。
冷されたルツボで、15は電子ビームにより加熱される
蒸発源ソースである。16は金属蒸気が飛行する範囲を
示しである。
尚、第1薗の実施例では、蒸発源保護カバー9を銅製に
て製作しているが、第2図の断面図の如く、耐熱金属、
W、Mo、T a、T i等、又はそレラノ合金、その
他セラミックスを蒸発源保護カバーの材料として用いれ
は、水冷をしな(ても可能である。機能としては、第1
図の蒸発源保護カバーとほぼ同じであるが、他に、水冷
しない゛効果として金属蒸気の励起に対する効果、蒸発
物質の付着が少ない等の効果もある。これは蒸発源保護
カバーが高温になるためである。
て製作しているが、第2図の断面図の如く、耐熱金属、
W、Mo、T a、T i等、又はそレラノ合金、その
他セラミックスを蒸発源保護カバーの材料として用いれ
は、水冷をしな(ても可能である。機能としては、第1
図の蒸発源保護カバーとほぼ同じであるが、他に、水冷
しない゛効果として金属蒸気の励起に対する効果、蒸発
物質の付着が少ない等の効果もある。これは蒸発源保護
カバーが高温になるためである。
17は円筒状蒸発課保内力ご(−で、材質はTa、W、
セラミックス等、18は、第1図の説明で前述した機能
を有するステンレス製の不活性ガス導入パイプ、19は
、電子ビームの通過孔である。
セラミックス等、18は、第1図の説明で前述した機能
を有するステンレス製の不活性ガス導入パイプ、19は
、電子ビームの通過孔である。
以下第1図に示した本発明の装置による実施例について
述べる。
述べる。
装h’x内の蒸発源ソース15には、予め、高純度チタ
ンを充填し、本装置を] X ] 0”−’i、’ o
r r迄排気後、不活性ガス専大孔21より、アルゴ
ンガスを導入し、アルゴンガスの流・1:と排気系を調
整して、lXl0−2Torrに保ち、電縣6により基
板ホルダー2に取り付けられた時開用外装部品に−5(
10Vを印加し、グロー放電、を発生させ維持し、10
分間の表面清浄化処理を行った。次にアルゴンガス導入
、及び電源乙による電力の一供給を中止後、再びlXl
0−’TOrr迄排気を行った。
ンを充填し、本装置を] X ] 0”−’i、’ o
r r迄排気後、不活性ガス専大孔21より、アルゴ
ンガスを導入し、アルゴンガスの流・1:と排気系を調
整して、lXl0−2Torrに保ち、電縣6により基
板ホルダー2に取り付けられた時開用外装部品に−5(
10Vを印加し、グロー放電、を発生させ維持し、10
分間の表面清浄化処理を行った。次にアルゴンガス導入
、及び電源乙による電力の一供給を中止後、再びlXl
0−’TOrr迄排気を行った。
さらに電源7により、電子ビーム20を発生させ高純度
チタンの加熱を開始すると同時に、再度、不活性ガス導
入孔21によりアルゴンガスを導入し、前記同様に9X
10−’Torrに保った。高純度チタンの金属蒸気が
発生するまで高純度チタンの温度を上昇させ、その時点
で、篭諒6により、イオン化電極5に、−1−100V
の17f、圧を印加、プラズマを発生させた。徐々に活
性カス導入ノズル8より窒素ガスを導入し、最終的に5
0cc/mmの流量を保った。
チタンの加熱を開始すると同時に、再度、不活性ガス導
入孔21によりアルゴンガスを導入し、前記同様に9X
10−’Torrに保った。高純度チタンの金属蒸気が
発生するまで高純度チタンの温度を上昇させ、その時点
で、篭諒6により、イオン化電極5に、−1−100V
の17f、圧を印加、プラズマを発生させた。徐々に活
性カス導入ノズル8より窒素ガスを導入し、最終的に5
0cc/mmの流量を保った。
この状態で基板ホルダーに取り付けた部品に一200V
を印加し、シャッター(図省略)を開け、この状態を保
ちながら30分間の、窒化チタン被膜生成の反応性イオ
ンブレーティングを行った。
を印加し、シャッター(図省略)を開け、この状態を保
ちながら30分間の、窒化チタン被膜生成の反応性イオ
ンブレーティングを行った。
この条件を繰返l−ながら、反復生産実験を80回実施
したが、80回共、反応性イオンブレーティング条件は
安定した。さらに処理した時計用外装部品は、その目的
の装飾効果を充分満足する結果であり、且つ、処理した
80回のバッチ間での色調差も見られなかった。
したが、80回共、反応性イオンブレーティング条件は
安定した。さらに処理した時計用外装部品は、その目的
の装飾効果を充分満足する結果であり、且つ、処理した
80回のバッチ間での色調差も見られなかった。
ところで、本発明の蒸発源保護カバ〜を具備しない装か
1′での、前述同様の繰返し反復生産実験の結果では、
30回以上になると処理条件のコントロールが不安定に
なり、又、処理した時計用外装部品は、バッチ間での色
調査も大きく品質的にも不安定であった。
1′での、前述同様の繰返し反復生産実験の結果では、
30回以上になると処理条件のコントロールが不安定に
なり、又、処理した時計用外装部品は、バッチ間での色
調査も大きく品質的にも不安定であった。
この様に本発明は今後展開される反応性イオングレーテ
ィングを用いた量産に於いて、すばらしく安定した生産
を提供するもので、実施例では窒化チタンの反応性イオ
ンブレーティングについて説明したが、自然、活性金恥
ルのT i 、 Z r 、 I−1f、Cr、の反応
性イオンブレーティングにも応用可能で、この場合の使
用するガ、ス種類については、N3.0□、NlI4、
CH4、C2H2、等、何れも可能である。
ィングを用いた量産に於いて、すばらしく安定した生産
を提供するもので、実施例では窒化チタンの反応性イオ
ンブレーティングについて説明したが、自然、活性金恥
ルのT i 、 Z r 、 I−1f、Cr、の反応
性イオンブレーティングにも応用可能で、この場合の使
用するガ、ス種類については、N3.0□、NlI4、
CH4、C2H2、等、何れも可能である。
第1図は本発明のイオンブレーティング装置の断面図、
第2図は本発明による蒸発源保設カバーの他の実施例の
断面図である。 1・・・・・・ペルジャー、 9.17・・・・・・蒸発源保護カバー、10.19・
・・・・・通過孔、 11.18・・・・・・パイプ、 15z・・・・・蒸発源ソース、 21・・・・・・不活性ガス導入孔。
第2図は本発明による蒸発源保設カバーの他の実施例の
断面図である。 1・・・・・・ペルジャー、 9.17・・・・・・蒸発源保護カバー、10.19・
・・・・・通過孔、 11.18・・・・・・パイプ、 15z・・・・・蒸発源ソース、 21・・・・・・不活性ガス導入孔。
Claims (1)
- 活性ガスと不活性ガスの混合ガス零囲気中で、蒸発源か
ら活性金属を蒸発させ、反応性イオンブレーティング法
により該活性ガスと、活性金属との化合物膜を形成する
装置において、前記蒸発源の金属蒸気発生部に円筒状の
蒸発源保護カバーを設け、さらに該蒸発源保護″カバー
の内部に開口する不活性ガス導入孔を設けたことを特徴
とするイオンブレーティング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11083282A JPS591676A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | イオンブレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11083282A JPS591676A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | イオンブレ−テイング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS591676A true JPS591676A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14545790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11083282A Pending JPS591676A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | イオンブレ−テイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS591676A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1436441A2 (en) * | 2001-09-10 | 2004-07-14 | University Of Virginia Patent Foundation | Method and apparatus application of metallic alloy coatings |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11083282A patent/JPS591676A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1436441A2 (en) * | 2001-09-10 | 2004-07-14 | University Of Virginia Patent Foundation | Method and apparatus application of metallic alloy coatings |
EP1436441A4 (en) * | 2001-09-10 | 2004-11-24 | Univ Virginia | METHOD AND APPARATUS FOR APPLYING METAL ALLOY COATINGS |
US10260143B2 (en) | 2001-09-10 | 2019-04-16 | University Of Virginia Patent Foundation | Method and apparatus for application of metallic alloy coatings |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS61295377A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP6696991B2 (ja) | 金属部片の表面を熱化学処理するためのプラズマプロセスおよびリアクタ | |
JPS6154869B2 (ja) | ||
JPS591676A (ja) | イオンブレ−テイング装置 | |
US3391071A (en) | Method of sputtering highly pure refractory metals in an anodically biased chamber | |
JPS5457477A (en) | Throw away tip of coated tool steel | |
JPH0225986B2 (ja) | ||
GB1574677A (en) | Method of coating electrically conductive components | |
JPH04228566A (ja) | スパッターイオンめっきによる導電性繊維被覆方法および装置 | |
JP3775851B2 (ja) | 蒸着装置、保護膜製造方法 | |
JP2603919B2 (ja) | 立方晶系窒化ホウ素の結晶粒を含む窒化ホウ素膜の作製方法 | |
JPH02156066A (ja) | 基材のクリーニング方法 | |
JPS59153880A (ja) | 帯状金属体の連続蒸着法 | |
JPS60100661A (ja) | スパツタ蒸着方法 | |
JP3279744B2 (ja) | 高周波プラズマ処理装置 | |
JPS57123968A (en) | Formation of zinc oxide film by plasma vapor phase method | |
JP2872773B2 (ja) | 化合物の高速蒸着方法及び装置 | |
JPH0372069A (ja) | 化合物の金属帯への連続蒸着法 | |
JP2874436B2 (ja) | 真空蒸着方法 | |
JP2600092B2 (ja) | 金属系材料の表面改質方法 | |
JPH05190309A (ja) | 抵抗体膜の製造方法 | |
JPH05147908A (ja) | 立方晶窒化ホウ素粉末の製造方法 | |
JPS61119669A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
JPS5538936A (en) | Forming method of coating on metal | |
JPH0723531B2 (ja) | アルミニウム材の表面処理方法 |