JPS63111175A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
- Publication number
- JPS63111175A JPS63111175A JP25622986A JP25622986A JPS63111175A JP S63111175 A JPS63111175 A JP S63111175A JP 25622986 A JP25622986 A JP 25622986A JP 25622986 A JP25622986 A JP 25622986A JP S63111175 A JPS63111175 A JP S63111175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- shaped tube
- vacuum chamber
- chamber
- liquid substance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 8
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 7
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は材料を連続的に大気中から真空中に導入し、又
真空中から大気中へ導出することが可能な真空装置に関
するものである。
真空中から大気中へ導出することが可能な真空装置に関
するものである。
近年エレクトロニクス産業等の発展に伴ない、金属、プ
ラスチック等の基板材料表面に蒸着、スパッタ、イオン
ブレーティング等のＰＶＤ法により薄膜を作製する技術
が注目されている。
ラスチック等の基板材料表面に蒸着、スパッタ、イオン
ブレーティング等のＰＶＤ法により薄膜を作製する技術
が注目されている。
前記薄膜作製は一般に真空室内で行なわれるが、量産化
のためには材料を連続的に処理することが必要である。
のためには材料を連続的に処理することが必要である。
従来こ）の様に真空室内で材料を連続的に処理するため
には、始めから該真空室内に材料及び材料の繰出し、巻
取り装置をセットしておき、該真空室内で材料を繰出し
ながら連続的に薄膜を作製する方法が一般に用いられて
いる。
には、始めから該真空室内に材料及び材料の繰出し、巻
取り装置をセットしておき、該真空室内で材料を繰出し
ながら連続的に薄膜を作製する方法が一般に用いられて
いる。
然しなから前記方法においては、非常に大きい真空室が
必要であると共に、所定の真空度を得るためには大きな
排気設備が必要であって、しかも排気時間が長くなシ、
従って製造コストが高くなる欠点が有る。又材料の繰出
し、巻取り等を真空室内で行なうため、駆動部の潤滑に
油系統の潤滑剤を使用出来ない等の問題もある。
必要であると共に、所定の真空度を得るためには大きな
排気設備が必要であって、しかも排気時間が長くなシ、
従って製造コストが高くなる欠点が有る。又材料の繰出
し、巻取り等を真空室内で行なうため、駆動部の潤滑に
油系統の潤滑剤を使用出来ない等の問題もある。
一方真空室の外部で材料の繰出し、巻取りを行なう方法
としては、通常下記の方法が行なわれている。即ち、大
気中よりスリットを通して材料を真空室中に導入して粗
引排気し、次に又スリットを通して個別に排気されてい
る次の真空室中に導入し、斯様にして順次高真空側の真
空室中に導入して所定の真空度で真空処理を施しだ後、
導入側と同じ様に個別に排気されている真空室のスリッ
トを通して、高真空側から低真空側へと段階的に移動さ
せ、最後に低真空側の真空室のスリットを通して大気中
に導出する方法がとられている。
としては、通常下記の方法が行なわれている。即ち、大
気中よりスリットを通して材料を真空室中に導入して粗
引排気し、次に又スリットを通して個別に排気されてい
る次の真空室中に導入し、斯様にして順次高真空側の真
空室中に導入して所定の真空度で真空処理を施しだ後、
導入側と同じ様に個別に排気されている真空室のスリッ
トを通して、高真空側から低真空側へと段階的に移動さ
せ、最後に低真空側の真空室のスリットを通して大気中
に導出する方法がとられている。
前記方法においては、所定の真空度を得るために個別に
排気されている一連の真空室が必要であって、装置全体
としてはかなり大掛かりになり、高価な装置になってし
まう。又材料も長手方向に変化がある形状、例えば孔あ
き条、段付き条の様なものは、真空度を落さずにスリッ
トを通すことが極めて困難である。
排気されている一連の真空室が必要であって、装置全体
としてはかなり大掛かりになり、高価な装置になってし
まう。又材料も長手方向に変化がある形状、例えば孔あ
き条、段付き条の様なものは、真空度を落さずにスリッ
トを通すことが極めて困難である。
本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、その目的
とするところは、材料の大気中から真空中への導入及び
真空中から大気中への導出が連続的にかつ簡便に行なえ
る比較的安価な真空装置を提供することである。
とするところは、材料の大気中から真空中への導入及び
真空中から大気中への導出が連続的にかつ簡便に行なえ
る比較的安価な真空装置を提供することである。
即ち本発明による真空装置は、真空室内で材料を加工す
る真空装置において、真空室の材料導入部及び導出部に
真空室内圧力と大気圧とのヘッド差以上の高さを有する
液状物質が充填されているＵ字管部が設けられているこ
とを特徴とするものである。
る真空装置において、真空室の材料導入部及び導出部に
真空室内圧力と大気圧とのヘッド差以上の高さを有する
液状物質が充填されているＵ字管部が設けられているこ
とを特徴とするものである。
本発明による真空装置は、Ｕ字管部に封入された液状物
質中を通して、材料の真空室への導入及び該真空室から
の導出を行なうので、前記材料の導入及び導出を連続的
にかつ簡便に行なうことが出来る。
質中を通して、材料の真空室への導入及び該真空室から
の導出を行なうので、前記材料の導入及び導出を連続的
にかつ簡便に行なうことが出来る。
本発明におけるＵ字管部は、真空室側が真空に引かれる
ことによって、真空側及び大気側における液状物質の間
に真空、大気間のヘッド差を生じるので、該ヘッド差以
上の高さが必要である。
ことによって、真空側及び大気側における液状物質の間
に真空、大気間のヘッド差を生じるので、該ヘッド差以
上の高さが必要である。
Ｕ字管部に封入される液状物質については特に限定はな
いが、該液状物質の比重が小さいと真空、大気間のヘッ
ド差が大きくなり、又該液状物質の蒸気圧が高いと真空
室内の真空度が低下するので、例えば水銀、ガリウム等
なるべく比重が小さくてかつ蒸気圧が低く、しかも低融
点である物質が好ましい。
いが、該液状物質の比重が小さいと真空、大気間のヘッ
ド差が大きくなり、又該液状物質の蒸気圧が高いと真空
室内の真空度が低下するので、例えば水銀、ガリウム等
なるべく比重が小さくてかつ蒸気圧が低く、しかも低融
点である物質が好ましい。
同前記液状物質としてガリウム等融点が室温よりも高い
物質を使用する際は、Ｕ字管部を加熱する装置を設置し
て上記物質を溶融させる必要がある。
物質を使用する際は、Ｕ字管部を加熱する装置を設置し
て上記物質を溶融させる必要がある。
又真空室内を高真空に維持するため、Ｕ字管部の真空室
側に液体窒素等で冷却されたコールド・トラップを設け
、Ｕ字管部に封入される液状物質の蒸気を固化凝縮させ
ることが望ましい。
側に液体窒素等で冷却されたコールド・トラップを設け
、Ｕ字管部に封入される液状物質の蒸気を固化凝縮させ
ることが望ましい。
伺前記コールド・トラップで液状物質の蒸気の一部が材
料上に固化凝縮するのを防止するだめ、材料を覆う管状
の凝縮防止板を設けることが望ましい。而して該凝縮防
止板はＵ字管部に挿入されている液状物質の直上からコ
ールド・トラップの部分連設けることが好ましい。
料上に固化凝縮するのを防止するだめ、材料を覆う管状
の凝縮防止板を設けることが望ましい。而して該凝縮防
止板はＵ字管部に挿入されている液状物質の直上からコ
ールド・トラップの部分連設けることが好ましい。
更に材料の真空室への導入部に設けられたＵ字管部の出
口側に材料の研磨設備を設け、材料の凹部等に付着した
液状物質を除去すると共に、酸化皮膜の除去等表面の清
浄化をはかることが好ましい。前記研磨設備の種類は特
に限定されるものではないが、例えばスチール・ウール
等で機械研磨した後、電子シャワー等の物理的方法で表
面を清浄化する方法等が考えられる。
口側に材料の研磨設備を設け、材料の凹部等に付着した
液状物質を除去すると共に、酸化皮膜の除去等表面の清
浄化をはかることが好ましい。前記研磨設備の種類は特
に限定されるものではないが、例えばスチール・ウール
等で機械研磨した後、電子シャワー等の物理的方法で表
面を清浄化する方法等が考えられる。
同本発明においては、大気と真空との遮断を液状物質に
より行なっているので、材料の形状には何等制約を要し
なく、長手方向に変化がある形状（例えば孔あき条、段
付き条等）であっても差支えない。
より行なっているので、材料の形状には何等制約を要し
なく、長手方向に変化がある形状（例えば孔あき条、段
付き条等）であっても差支えない。
又本発明による真空装置内での処理は前述のＰＶＤ法に
よる薄膜作製に限定されるものではなく、その他の真空
処理例えば熱処理等にも利用することが可能である。
よる薄膜作製に限定されるものではなく、その他の真空
処理例えば熱処理等にも利用することが可能である。
以下に本発明を図によって更に具体的に説明する。まず
本発明による真空装置の構成の一例を第１図に示す。
本発明による真空装置の構成の一例を第１図に示す。
１は材料、２はＵ字管部、３は液状物質、４は真空室、
５は研磨設備、６は蒸発源、ＩはＵ字管部、８はコール
ド・トラップ、９は凝縮防止板、１０は加熱装置、１１
は真空ポンプである。
５は研磨設備、６は蒸発源、ＩはＵ字管部、８はコール
ド・トラップ、９は凝縮防止板、１０は加熱装置、１１
は真空ポンプである。
材料１はＵ字管部２に封入されている液状物質う中を通
して真空室４に導入され、研磨設備５より発生させた電
子シャワーによって表面の清浄化が行なわれる。しかる
後電子銃、ルツボ、蒸着金属からなる蒸発源６よシ発生
させた金属蒸気が前記材料１の片面（下面）に蒸着され
る。以上の様にして真空中で処理された材料１ばＵ字管
部７に封入されている液状物質う中を通して大気中へ導
出される。尚Ｕ字管部２．７の真空室側にはコールド・
トラップ８が水平方向に設けられており、更に′液状物
質５の直上からコールド・トラップ８の部分迄凝縮防止
板９が設けられている。前記コールド・トラップ８及び
凝縮防止板っけ第２図に示す様にＵ字管部２（或いは７
）の鉛直部に設けられていても差し支えないが、この場
合はＵ字管部２に充填されている液状物質うが固化しな
い様に、コールド・トラップ８は液状物質５の真空側表
面からある距離（１，）だけ離す必要があり、Ｕ字管部
の高さＨとしては、液状物質うのヘッド差をり、コール
ド・トラップ８の長さを１１とする時、ｈ ＋ １＋
＋Ｉｔ以上の高さが必要である。又凝縮防止板９の上端
部は、コールド・トラップで固化凝縮しきれなかった液
状物質の蒸気が入りこまない様に、らっは状にすること
が望ましい。
して真空室４に導入され、研磨設備５より発生させた電
子シャワーによって表面の清浄化が行なわれる。しかる
後電子銃、ルツボ、蒸着金属からなる蒸発源６よシ発生
させた金属蒸気が前記材料１の片面（下面）に蒸着され
る。以上の様にして真空中で処理された材料１ばＵ字管
部７に封入されている液状物質う中を通して大気中へ導
出される。尚Ｕ字管部２．７の真空室側にはコールド・
トラップ８が水平方向に設けられており、更に′液状物
質５の直上からコールド・トラップ８の部分迄凝縮防止
板９が設けられている。前記コールド・トラップ８及び
凝縮防止板っけ第２図に示す様にＵ字管部２（或いは７
）の鉛直部に設けられていても差し支えないが、この場
合はＵ字管部２に充填されている液状物質うが固化しな
い様に、コールド・トラップ８は液状物質５の真空側表
面からある距離（１，）だけ離す必要があり、Ｕ字管部
の高さＨとしては、液状物質うのヘッド差をり、コール
ド・トラップ８の長さを１１とする時、ｈ ＋ １＋
＋Ｉｔ以上の高さが必要である。又凝縮防止板９の上端
部は、コールド・トラップで固化凝縮しきれなかった液
状物質の蒸気が入りこまない様に、らっは状にすること
が望ましい。
又Ｕ字管部２．７には加熱装置１０が設けられている。
次に本発明の具体釣力実施例について説明する。
第１図において材料の導入部及び導出部に高さ１ｍのＵ
字管部２、γを設け、液状物質５として水銀を封入した
。又Ｕ字管部２．７の真空室側には４０ｍの長さに渡っ
て液体窒素冷却のコールド・トラップ８を設けると共に
、液状物質５の直上からコールド・トラップ８の部分迄
材料１を覆う銅から成る管状の凝縮防止板９を設けた。
字管部２、γを設け、液状物質５として水銀を封入した
。又Ｕ字管部２．７の真空室側には４０ｍの長さに渡っ
て液体窒素冷却のコールド・トラップ８を設けると共に
、液状物質５の直上からコールド・トラップ８の部分迄
材料１を覆う銅から成る管状の凝縮防止板９を設けた。
コールド・トラップ８を充分に効く状態にした後真空排
気を始めたが、水銀はＵ字管部におけるヘッド差即ち大
気側表面と真空側表面との高さの差が７６０瓢になった
時点で安定した状態になった。同水銀の２０℃での蒸気
圧はＯ，ＯＯ１２ｔｏｒｒであるが、水銀蒸気は前記コ
ールド・トラップ８で固化凝縮するため、真空室内は必
要とする真空度１０−’ ｔｏｒｒを得ることが出来た
。斯様な状態にして、材料１として厚さ０．５ ｍｍ、
巾１００．の銅シートをＵ字管部２に封入された水銀中
を通して連続的に真空室４内に導入し、電子シャワーに
よって表面を清浄化した後、蒸発源６にて間を電子ビー
ムで溶解蒸発させ、該Ｎｂを前記銅シートの片面（下面
）に蒸着させた。しかる後該銅シートをＵ字管部７に封
入された水銀中を通して大気中へ導出し、巻取り装置で
連続的に巻取った。
気を始めたが、水銀はＵ字管部におけるヘッド差即ち大
気側表面と真空側表面との高さの差が７６０瓢になった
時点で安定した状態になった。同水銀の２０℃での蒸気
圧はＯ，ＯＯ１２ｔｏｒｒであるが、水銀蒸気は前記コ
ールド・トラップ８で固化凝縮するため、真空室内は必
要とする真空度１０−’ ｔｏｒｒを得ることが出来た
。斯様な状態にして、材料１として厚さ０．５ ｍｍ、
巾１００．の銅シートをＵ字管部２に封入された水銀中
を通して連続的に真空室４内に導入し、電子シャワーに
よって表面を清浄化した後、蒸発源６にて間を電子ビー
ムで溶解蒸発させ、該Ｎｂを前記銅シートの片面（下面
）に蒸着させた。しかる後該銅シートをＵ字管部７に封
入された水銀中を通して大気中へ導出し、巻取り装置で
連続的に巻取った。
本発明の真空装置は、材料の真空室への導入及び該真空
室からの導出を連続的にかつ簡便に行なうことが出来、
しかも比較的安価であり、かつ材料の形状に何等制約を
要しない等工業上顕著な効果を奏するものである。
室からの導出を連続的にかつ簡便に行なうことが出来、
しかも比較的安価であり、かつ材料の形状に何等制約を
要しない等工業上顕著な効果を奏するものである。
第１図は本発明による真空装置の構成の一例を示す説明
図、第２図は本発明による真空装置におけるＵ字管部の
構成の一例を示す拡大説明図である。
図、第２図は本発明による真空装置におけるＵ字管部の
構成の一例を示す拡大説明図である。
Claims (6)
- （１）真空室内で材料を加工する真空装置において、真
空室の材料導入部及び導出部に真空室内圧力と大気圧と
のヘッド差以上の高さを有する液状物質が充填されてい
るＵ字管部が設けられていることを特徴とする真空装置
。 - （２）Ｕ字管部の真空室側にコールド・トラップが設置
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の真空装置。 - （３）導入部に設けられたＵ字管部の出口側に材料の研
磨設備が設置されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の真空装置。 - （４）Ｕ字管部に充填されている液状物質が水銀又はガ
リウムであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の真空装置。 - （５）Ｕ字管部を加熱する装置が設置されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空装置。 - （６）導入部Ｕ字管部の真空室側及び導出部Ｕ字管部の
真空室側に凝縮防止板が設置されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25622986A JPS63111175A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25622986A JPS63111175A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63111175A true JPS63111175A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17289725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25622986A Pending JPS63111175A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63111175A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019151882A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 株式会社豊田中央研究所 | 気密処理装置 |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP25622986A patent/JPS63111175A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019151882A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 株式会社豊田中央研究所 | 気密処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10168559A (ja) | 有機薄膜形成装置及び有機材料の再利用方法 | |
| JP2007513754A (ja) | プロセスチャンバーのクリーニング方法およびクリーニング装置 | |
| JPH07309614A (ja) | シリコンの精製方法 | |
| JP2904723B2 (ja) | クリーニングガス | |
| JPS63111175A (ja) | 真空装置 | |
| JPS63282305A (ja) | 金属部材の付着樹脂除去方法 | |
| JPS63179067A (ja) | 真空装置 | |
| JP3393998B2 (ja) | 未反応ガス浄化装置におけるガス成分堆積電極構造 | |
| JP3428057B2 (ja) | 連続真空蒸着装置 | |
| JP3261504B2 (ja) | 水晶振動子用電極膜形成装置 | |
| JP2005161251A (ja) | 有機材料の精製装置 | |
| JPS61104070A (ja) | 薄膜形成法 | |
| KR20120106964A (ko) | Ｃｕ（ｉｎ，ｇａ）ｘ₂박막을 증착시키는 캐소드 스퍼터 | |
| RU2071985C1 (ru) | Способ сбора ртути в технологической камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии и установка для его осуществления | |
| JP4651854B2 (ja) | マグネシウム、マグネシウム合金製品の製造方法 | |
| JP3979518B2 (ja) | 高純度金属の製造方法 | |
| RU2194087C2 (ru) | Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги и устройство для его осуществления | |
| JPS60204810A (ja) | 金属超微粒子の製造方法とその装置 | |
| JPH02232369A (ja) | 金属ストリップ等の長尺物の連続ドライプレーティング装置 | |
| JP2975661B2 (ja) | 汚染防止材、及びその製造方法 | |
| JPH06158274A (ja) | 表面波素子とその製造方法 | |
| WO1987005637A1 (en) | Continuous ion plating device for rapidly moving film | |
| JPS6324063A (ja) | 物理的蒸着処理設備における非蒸着面への蒸発物付着防止装置 | |
| US6733678B2 (en) | Liquid substrate collector | |
| JPS6347362A (ja) | イオンプレ−テイング装置 |