JP2975661B2 - 汚染防止材、及びその製造方法 - Google Patents

汚染防止材、及びその製造方法

Info

Publication number
JP2975661B2
JP2975661B2 JP2255382A JP25538290A JP2975661B2 JP 2975661 B2 JP2975661 B2 JP 2975661B2 JP 2255382 A JP2255382 A JP 2255382A JP 25538290 A JP25538290 A JP 25538290A JP 2975661 B2 JP2975661 B2 JP 2975661B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum
foil
aluminum foil
producing
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2255382A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04136158A (ja
Inventor
和 三笠
剛彦 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MA Aluminum Corp
Original Assignee
Mitsubishi Aluminum Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Aluminum Co Ltd filed Critical Mitsubishi Aluminum Co Ltd
Priority to JP2255382A priority Critical patent/JP2975661B2/ja
Publication of JPH04136158A publication Critical patent/JPH04136158A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2975661B2 publication Critical patent/JP2975661B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
本発明は、例えば薄膜製造等に際して利用される汚染
防止材に関するものである。
【発明の背景】
磁気記録媒体、光磁気記録媒体、ファインセラミック
ス、透明導電膜、半導体など各種の分野、いわゆるハイ
テクと言われている分野において、蒸着やスパッタリン
グ等の薄膜製造技術が用いられていること周知の通りで
ある。そして、このような技術においては、薄膜形成に
際してチャンバー内には微細な粒子やイオンが飛び散っ
ていることから、同一組成のもので薄膜を形成する場合
には余り問題ないが、異なる組成の薄膜を形成する場合
にあっては、その前段階で行なわれ、周囲に付着した粒
子による汚染が問題になる場合がある。 すなわち、周囲に付着した粒子が、今、形成しようと
している薄膜中に侵入し、薄膜の組成が所定のものから
外れたものとなり、所望の特性のものが得られなくなる
のである。この問題は、特に、その技術が一段と高精度
なハイテク部門のものとなればなる程、格段に大きなも
のとなる。
【発明の開示】
このような問題点に対処する為、例えば薄膜製造に際
してのチャンバー内をアルミニウム箔でカバー(マスキ
ング)し、このアルミニウム箔が蒸発粒子で汚染された
時点でこれを取り外し、使い捨てすることが考えられ
た。 しかしながら、上記アルミニウム箔でマスキングされ
たチャンバー内を真空ないしは超高真空にした状態でス
パッタリング等の作業をするに際して、今までは認めら
れなかった問題の起きることが見出だされた。 すなわち、真空度の低下や真空雰囲気の汚染が認めら
れたのである。 かかる問題点に対して、本発明者によって研究開発が
鋭意押し進められて行った結果、これはチャンバー内を
マスキングしたアルミニウム箔にあることが究明され
た。そこで、この点についての研究が更に押し進められ
て行った結果、本発明が達成されたのである。 すなわち、本発明の目的は、例えば薄膜形成に際し
て、この薄膜に汚染が起きない技術を提供することであ
る。 この本発明の目的は、アルミニウム又はアルミニウム
合金箔からなる汚染防止材であって、 前記箔表面に滴下された5μの水滴が直径10mm以上
となる表面特性を有するように構成されてなる ことを特徴とする汚染防止材によって達成される。 又、アルミニウム又はアルミニウム合金箔からなる汚
染防止材の製造方法であって、 アルミニウム又はアルミニウム合金箔を、焼鈍温度20
0〜350℃、焼鈍時間15〜100時間の条件下で焼鈍する ことを特徴とする汚染防止材の製造方法によって達成さ
れる。 尚、このアルミニウム又はアルミニウム合金製の汚染
防止材が箔の形態であると、使捨てタイプとしての、例
えばチャンバー内面のマスキング用シート(汚染防止シ
ート)としての使用が極めて簡単なものとなり、使用に
際しての対応が容易なものとなる。 尚、このようなアルミニウム又はアルミニウム合金
(以下アルミニウム合金という)の箔は、所定の組成の
アルミニウム合金溶湯から鋳塊を鋳造し、熱間圧延、冷
間圧延(適宜、焼鈍処理を含む)を施して、厚さ0.2〜
0.006mmの箔となし、この箔を焼鈍温度200〜350℃、焼
鈍時間15〜100時間かけて充分に焼鈍することにより、
箔表面に付着した圧延油がほぼ完全に除去され、表面に
滴下された5μの水滴が直径10mm以上となる表面特性
を有するよう構成されたアルミニウム合金箔が得られ
る。 そして、このようなアルミニウム合金箔を容器に入れ
て真空排気し、さらに加熱しても、放出される汚染物質
は従来の市販アルミニウム箔(クッキング用アルミニウ
ム箔)に比べて大幅に少ないものであり、これを真空チ
ャンバー内面のマスキング用シート(汚染防止シート)
として使用した場合、真空チャンバーの壁面の汚染が防
止され、かつ、形成される薄膜の汚染も防止されるに至
った。
【実施例】
純度99.60%以上の純アルミニウムを用い、この純ア
ルミニウムの溶湯から鋳塊を鋳造し、熱間圧延、冷間圧
延及び中間焼鈍を施して厚さ0.05mmの箔とし、この箔を
焼鈍温度330℃、焼鈍時間45時間かけて充分に焼鈍し
た。 このようにして得られたアルミニウム箔の表面に滴下
された5μの水(純水)滴1の直径を、第1図に示す
ように測定した処、これは11mmのものであった。 又、比較の為に、市販のクッキング用アルミニウム箔
の表面に滴下された5μの水(純水)滴の直径を測定
した処、これは3.5mmのものであった。 そして、これら本発明になる2m2のアルミニウム箔と
比較例になる2m2の市販アルミニウム箔とを各々充分に
ベーキングした70の真空容器内に装着し、拡散ポンプ
で真空排気すると共に加熱し、真空度を測定したので、
その結果を第2図に示す。 これによれば、本発明になるアルミニウム箔を装入し
た場合の方が高い真空度が得られており、比較例になる
市販アルミニウム箔からは種々の物質が多量放出されて
いるのに対して、本発明になるアルミニウム箔からの放
出物質は極めて少ないことが判る。 すなわち、真空中で加熱した際の真空度が10-3Pa程度
の場合、本発明のアルミニウム箔は市販のアルミニウム
箔のものより、アルミニウム箔を装着したことによる放
出ガスの量は7〜9割少ないのである。ここで、放出ガ
ス量の差は、ブランクとの圧力差の比を採り、比較し
た。従って、真空容器の汚染はそれだけ少ない。 又、本発明になる0.6m2のアルミニウム箔と比較例に
なる0.6m2の市販アルミニウム箔とを各々5の充分ベ
ーキングし、脱ガス処理した真空容器内に入れ、ターボ
分子ポンプで真空排気すると共に加熱し、放出されて来
るガスを四重極質量分析計にて分析した。 四重極質量分析計による放出ガスの質量分析結果を第
3図に示すが、本発明のアルミニウム箔は市販のアルミ
ニウム箔の場合よりCO2の放出で約97%少なく、COの放
出で約76%少なく、又、H2Oの放出では97%以上少な
い。従って、本発明になるアルミニウム箔が用いられた
場合には、真空容器内の汚染が極めて少ないことが判
る。 そして、このような本発明のアルミニウム箔で真空容
器内壁をマスキングしておき、このマスキングに用いた
アルミニウム箔が作業に用いられた蒸発粒子などで汚染
された場合には、これを取り替えることによって常に真
空容器内の環境を新しいものにでき、それ故薄膜製造に
用いられると、形成される薄膜の汚染も防止でき、高品
質な薄膜が得られるようになる。 尚、上記においては、本発明の汚染防止材が真空チャ
ンバーの内壁汚染防止に用いられた場合で説明したが、
この他にも真空部品の包装、医療機器の包装、食料品の
包装等に利用でき、このような用途に用いても汚染防止
効果は高い。すなわち、真空技術分野を始めとして、高
度な清浄表面が要求される各種の分野で使用することが
できるのである。
【効果】 本発明になる汚染防止材は、放出物質が極めて少な
く、従って汚染防止に用いた場合にはこの素材自身によ
る汚染は極めて少なく、そしてこの素材自身が作業に用
いられた粒子等で汚染された場合には交換することによ
りクリーンな環境が提供でき、いわゆるハイテク分野に
おける貢献が著しいものである特長を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図はマイクロシリンジ法の説明図、第2図は真空度
のグラフ、第3図は四重極質量分析計によるチャートで
ある。 1……水滴。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アルミニウム又はアルミニウム合金箔から
    なる汚染防止材であって、 前記箔表面に滴下された5μの水滴が直径10mm以上と
    なる表面特性を有するように構成されてなる ことを特徴とする汚染防止材。
  2. 【請求項2】アルミニウム又はアルミニウム合金箔から
    なる汚染防止材の製造方法であって、 アルミニウム又はアルミニウム合金箔を、焼鈍温度200
    〜350℃、焼鈍時間15〜100時間の条件下で焼鈍する ことを特徴とする汚染防止材の製造方法。
JP2255382A 1990-09-27 1990-09-27 汚染防止材、及びその製造方法 Expired - Fee Related JP2975661B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2255382A JP2975661B2 (ja) 1990-09-27 1990-09-27 汚染防止材、及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2255382A JP2975661B2 (ja) 1990-09-27 1990-09-27 汚染防止材、及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04136158A JPH04136158A (ja) 1992-05-11
JP2975661B2 true JP2975661B2 (ja) 1999-11-10

Family

ID=17277989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2255382A Expired - Fee Related JP2975661B2 (ja) 1990-09-27 1990-09-27 汚染防止材、及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2975661B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04136158A (ja) 1992-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Abe et al. The deposition rate of metallic thin films in the reactive sputtering process
US5087297A (en) Aluminum target for magnetron sputtering and method of making same
KR920006533A (ko) 증착된 박막의 장벽성을 개선하기 위한 플라즈마 어닐링 방법
JP2975661B2 (ja) 汚染防止材、及びその製造方法
Perrone et al. Al–Sn thin films deposited by pulsed laser ablation
US6780295B2 (en) Method for making Ni-Si magnetron sputtering targets and targets made thereby
Teghil et al. Pulsed laser ablation of Al–Cu–Fe quasicrystals
Schmidt et al. Superconducting ion beam sputtered chromium metal thin films
EP1184484A4 (en) METHOD FOR PRODUCING THIN POLYCRYSTALLINE MgO FILMS
JPH06340965A (ja) 電子ビーム蒸着装置及び減圧方法、真空装置
Kay Magnetic thin films prepared by sputtering
CN113088902B (zh) 一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法
CN111206213B (zh) 一种AlN非晶薄膜及其制备方法
JPS6211896B2 (ja)
JPS6362862A (ja) Ti及びTi合金のTiN被覆品の製造方法
JPS59224116A (ja) 非晶質シリコン膜の製造装置
ISHIHARA et al. Structure of MgO films prepared by ion beam sputtering
RU1814665C (ru) Способ получени аморфных металлических пленок
JPH0242897B2 (ja)
IE980592A1 (en) Coating of filters
JPS63140509A (ja) 軟磁性膜の製造法
SU576598A1 (ru) Способ изготовлени носител дл термомагнитной записи
Ahmad et al. Structural properties and surface topography of MgO films prepared on Si (100) by pulsed DC magnetron sputtering
JPH0539571A (ja) 高透磁率アモルフアス軟質磁性膜用薄膜の製造法
JPH033613B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080903

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100903

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees