DE3752208T2 - Durch Mikrowellen gesteigertes CVD-Verfahren und -Gerät - Google Patents

Durch Mikrowellen gesteigertes CVD-Verfahren und -Gerät

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Description

  • Die Erfindung betriffi ein mikrowellengestütztes plasmachemisches Abscheideverfahren und eine Vorrichtung nach Ansprüchen 1 und 13.
  • Aus der US 4401054 ist bereits eine solche herkömmliche ECR-Anlage bekannt, wobei eine Kammer zur Erzeugung eines Plasmas und eine Probenkammer getrennt voneinander angeordnet sind. Gasförmiges Material und Mikrowellenleistung werden in die Plasmaerzeugungskammer eingeführt um Plasma über eine Mikrowellenentladung durch Elektronenzyklotronresonanz zu erzeugen. Das Plasma wird dann in die Probenkammer gezogen.
  • Die Dmckschrift US-A-4559100 zeigt ein CVD-Gerät, das einen Mikrowellengenerator, eine Magneteinrichtung und einen Substrathalter aufweist, der in der Entladungsregion angeordnet ist. Die Aufgabe des aus dem Stand der Technik bekannten Gerätes ist die Ätzgeschwindigkeit zu erhöhen, indem der Spalt zwischen dem Abschnitt 14 und der Entladungsröhre vermindert wird. Folglich vermindert sich die effektive Pumpgeschwindigkeit der Partikel, wodurch die Verweilzeit der reaktiven Partikel erhöht wird.
  • In letzter Zeit hat ECR CVD das Interesse der Forscher als eine neue Methode zur Herstellung von dünnen Filmen geweckt, insbesondere amorphen dünnen Filmen. Wie bereits erklärt, zeigen Matsuo et al in der USP 4,401,054 einen Typen eines solchen ECR CVD Gerätes. Diese neuartige Technik verwendet Mikrowellen, um reaktives Gas in den Plasmazustand über Energiezufuhr zu bringen und zwar mit Hilfe eines magnetischen Feldes, das dazu dient, das Plasmagas in dem Anregungsraum zu halten. Dieser Aufbau ermöglicht, daß das reaktive Gas die Energie der Mikrowellen absorbieren kann. Ein Substrat, das beschichtet werden soll, ist beabstandet von dem Anregungsraum (Resonanzraum) angeordnet, um ihn vor Sputtereffekten zu schützen. Das angeregte Gas wird von dem Resonanzraum auf das Substrat aufgebracht. Um Elektronenzyklotronenresonanz herzustellen, wird der Druck im Resonanzraum zwischen 0,13 bis 0,13 × 10&supmin;² Pa (1 × 10&supmin;³ bis 1 × 10&supmin;&sup5; Torr) gehalten, bei welchem die Elektronen als unabhängige Partikel betrachtet werden können und so mit einer Mikrowelle in einer Elektronenzyklotronresonanz auf einer bestimmten Fläche schwingen auf der das Magnetfeld eine bestimmte Stärke aufweist, die für die ECR-Bedingung nötig ist. Das angeregte Plasma wird mit Hilfe von einem divergierenden magnetischen Feld aus dem Resonanzraum in einen Abscheideraum extrahiert, der wiederum beabstandet von dem Resonanzraum angeordnet ist und in dem ein zu beschichtendes Substrat angeordnet ist.
  • Bei dieser aus dem Stand der Technik bekannten Methode ist es sehr schwierig, eine dünne Schicht mit einer polykristallinen oder einkristallinen Struktur zu bilden, so daß derzeit gängige Verfahren fast ausschließlich auf Prozesse zur Herstellung von amorphen Schichten beschränkt sind. Bei diesem Stand der Technik ist es auch schwierig, eine hochenergetische chemische Dampfreaktion zu erhalten, was wiederum mit sich bringt, daß Diamantschichten oder andere Schichten mit hohen Schmelzpunkten oder gleichmäßige Filme auf glatten Oberflächen mit Vertiefungen und Hohlräumen nicht gebildet werden können.
  • Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein mikrowellengestütztes CVD Verfahren und eine Vorrichtung dazu bereitzustellen, die es ermöglichen, einen Film auszubilden, der bislang nicht gebildet werden konnte, wie etwa einen Diamantfilm, oder einen Film aus einem Material mit hohem Schmelzpunkt und darüberhinaus ein Verfahren mit einem hochverdichtetem Plasma auf der Oberfläche des Substrats bereitzustellen.
  • Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale der Ansprüche 1 und 13 gelöst.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist die Oberfläche eines Objekts, das prozessiert werden soll, in einer Region eines Resonanzraums angeordnet, in dem das elektrische Feld der Mikrowelle seinen maximalen Wert annimmt. Durch diese Konfiguration kann die Deposition ausgeführt werden während der abgeschiedene Film zum Teil gesputtert wird, wodurch es möglich wird, z.B. einen Diamantfilm herzustellen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein neuer CVD-Prozess auf seinem Höhepunkt. Der neue Prozess verwendet eine gemischte Zyklotronresonanz (mixed cyclotron resonance)&sub1; die zuerst von den Erfindern hergeleitet wurde. Bei dem neuen Anregungsprozess muß neben magnetischem Feld und Mikrowelle auch die Aktion des reaktiven Gases selbst als nicht vernachlässigbare Perturbation in Betracht gezogen werden. Deshalb können geladene Partikel des reaktiven Gases in einem relativ weiten Resonanzraum absorbiert werden. Bei der gemischten Resonanz wird der Druck in der Reaktionskammer 10² bis 10&sup5; mal höher im Vergleich zum Stand der Technik angehoben.
  • Fig. 1 ist ein Querschnitt der einen CVD Apparat gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Fig. 2(A) ist eine graphische Darstellung, die das Profil der Equipotentialflächen des magnetischen Feldes im Querschnitt zeigt.
  • Fig. 2(b) ist eine graphische Darstellung, die die Stärke des elektrischen Feldes zeigt.
  • Fig. 3(A) und 3(b) sind graphische Darstellungen, die die Equipotentialflächen jeweils über das magnetische und das elektrische Feld zeigen.
  • Fig. 4 ist ein Querschnitt, der ein weiteres Ausführungsbeispiel gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • In Fig. 1 ist ein mikrowellengestützter Plasma CVD Apparat gemäß der vorliegenden Erfindung gezeigt. In der Fig. umfaßt der Apparat eine Reaktionskammer, in der ein Plasmaerzeugungsraum 1 und ein Hilfsraum 2 angeordnet sind, die unter einem geeigneten Druck gehalten werden können, ein Mikrowellengenerator 4, Elektromagneten 5 und 5' in Form von Magnetspulen, die den Raum 1 umgeben, eine Spannungsversorgung 25 zum Versorgen der Elektromagneten 5 und 5' mit elektrischer Energie, und ein Wasserkühlsystem 18. Der Plasmaerzeugungsraum 1 hat einen kreisförmigen Querschnitt. In dem Plasmaerzeugungsraum list ein Substrathalter 10' aus einer thermisch hoch leitenden Keramik, wie etwa Aluminiumnitrid vorgesehen, auf welchem das Substrat 10 gelagert ist. Der Substrathalter 10' wird von Infrarotlicht 24 angestrahlt und auf 150 bis 1000ºC aufgeheizt, wobei das Infrarotlicht von einer IR-Heizung 20 emittiert wird, von einem IR-Reflektionsparaboloidspiegel 21 reflektiert und auf die Rückseite des Halters 10' durch eine Linse 22 fokussiert wird. Das Bezugszeichen 23 zeigt eine Spannungsquelle für die IR Heizung 20. Zum Evakuieren der Reaktionskammer ist ein Evakuierungssystem vorgesehen, das eine Turbomolekularpumpe 8 und eine Rotationspumpe 14 umfaßt, die mit der Reaktionskammer über drucksteuernde Ventile 11, 12 und 13 verbunden sind. Die Substrattemperatur kann nur dann einen ausreichenden Wert erreichen, wenn das Plasmagas in der Reaktionskammer erzeugt wird. In diesem Fall kann auf die Heizung verzichtet werden. In Abhängigkeit der Plasmabedingungen kann die Substrattemperatur zu hoch ansteigen, so daß keine geeignete Reaktion stattfinden kann. In solch einem Fall müssen Kühlmittel vorgesehen werden. Der Prozess mit diesem Apparat wird wie folgt durchgeführt.
  • Ein Substrat 10 wird auf dem Substrathalter 10' befestigt und mit Hilfe des Infrarotlichts 24 auf 500ºC aufgeheizt. Dann wird Wasserstoffgas von einer Gaszuleitung 6 mit 10 SCCM zugeführt und eine Mikrowelle von 1 GHz oder stärker, z.B. 2,45 GHz von dem Mikrowellengenerator durch ein Mikrowellenfenster 15 in den Plasmaerzeugungsraum 1 emittiert, der wiederum einem Magnetfeld von ungefähr 2 × 10&supmin;¹ T (2 K Gauss) ausgesetzt ist, das durch die Magneten 5 und 5, induziert wird. Der Wasserstoff wird in einen Plasmazustand hoher Dichte in dem Raum 1 über die Energie der Mikrowelle angeregt. Die Oberfläche des Substrates wird durch die hochenergetischen Elektronen und Wasserstoffatome gereinigt. Zusätzlich zu dem Wasserstoffgas werden C&sub2;H&sub2; und CH&sub4; durch die Gaszuleitung 7 eingeführt und durch die Mikrowellenenergie bei 133,3 bis 106,7 × 10³ Pa (1 bis 800 Torr) in gleicher Weise wie der Wasserstoff angeregt, wie zuvor beschrieben. Infolge einer chemischen Dampfreaktion wird Kohlenstoff in Form von Diamantfilm oder i-Kohlenstoff (isolierter Kohlenstoff) abgeschieden. Der i-Kohlenstoff umfaßt eine Mischung aus diamantförmigem und amorphem Kohlenstoff.
  • Fig. 2(A) ist eine graphische Darstellung der Verteilung des Magnetfelds in dem Bereich 30 der Fig. 1. Die Kurven in der Darstellung verlaufen entlang der Equipotentialflächen und sind mit der Stärke des magnetischen Feldes, das über den Magnet 5 mit einer Stärke von 2 × 10&supmin;¹ T (2000 Gauss) induziert wird, markiert. Wenn die Leistung der Magneten 5 und 5, eingestellt wird, kann die Stärke des Magnetfeldes so gesteuert werden, daß das Magnetfeld über eine große Fläche, die beschichtet werden soll gleichmäßig wird und die im Bereich 100 angeordnet ist, wo das magnetische Feld von 8,75 × 10&supmin;² T (875±185 Gauss) und das elektrische Feld zusammenspielen. in der Darstellung bezeichnet das Bezugszeichen 26 die Equipotentlalfläche von 8,75 × 10&supmin;² T (875 Gauss) an der die ECR Bedingung zwischen dem magnetischen Feld und der Mikrowellenfrequenz erfüllt ist. Natürlich kann gemaß der vorliegenden Erfindung ECR nicht erfolgen, und zwar in Folge des hohen Drucks in der Reaktionskammer von 133,3 bis 106,7 × 10³ Pa (1 bis 800 Torr). Stattdessen findet eine gemischte Zyklotronresonanz (MCR) in einer weiteren Region statt, die die Equipotentialfläche der ECR Bedingung einschließt. Fig. 2(B) ist eine graphische Darstellung, die der Fig. 2(A) entspricht, und zeigt die Stärke des elektrischen Feldes der Mikrowelle in dem Plasmaerzeugungsraum 1. Die Stärke des elektrischen Feldes nimmt seinen höchsten Wert in den Regionen 100 und 100' an. Jedoch ist es in der Region 100' schwierig, das Substrat 10' aufzuheizen, ohne das Fortschreiten der Mikrowelle zu stören. In anderen Regionen kann kein gleichmäßiger Film abgeschieden werden, sondern nimmt die Form einer Walnuß an. Aus diesem Grund wird das Substrat in der Region 100 angeordnet. Das Plasma fließt in lateraler Richtung. Experimente haben ergeben, daß ein gleichmäßiger Film auf einem runden Substrat mit einem Durchmesser von weniger als 100 mm ausgebildet werden kann. Vorzugsweise wird ein Film in der Kammer auf einem runden Substrat mit einem Durchmesser von weniger als 50 mm mit einer gleichmäßigen Dicke und einer gleichmäßigen Qualität erzeugt. Wenn ein größeres Substrat beschichtet werden soll, kann der Durchmesser des Raums 1 verdoppelt werden, indem 1,225 GHz als Mikrowellenfrequenz verwendet wird. Fig. 3(A) und 3(B) sind graphische Darstellungen, die die Verteilung des magnetischen Feldes und des elektrischen Feldes im Querschnitt des Plasmaerzeugungsraums 1 zeigen. Die Kurven in den Kreisen der Figuren entsprechen Equipotentialflächen. Wie in Fig. 3(B) gezeigt, erreicht das elektrische Feld seinen Maximalwert bei 25 KV/m.
  • Es wurden Beugungsbilder der Filme, die gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt wurden, erzeugt. Es wurden Halomuster zusammen mit Punkten beobachtet, die die Existenz von Diamant anzeigen. Die Halomuster, die einem amorphen Zustand entsprechen, verschwanden mit Zunahme der Substrattemperatur Beim Ansteigen der Temperatur über 650ºC wurde der Film diamantförmig. Bei weniger als 150ºC konnte kein i-Kohlenstoff gebildet werden. Als Referenz wurde ein Filmherstellungsprozess in gleicher Weise wie zuvor aber ohne Verwendung eines Magnetfelds durchgeführt. Als Ergebnis wurde ein Graphitfilm abgeschieden.
  • In gleicher Weise können polykristalline Siliciumcarbidfilme und Aluminiumnitridfilme unter Verwendung von Methylsilan und einem Aluminiumverbindungsgas und Ammoniak als reaktive Gase hergestellt werden.
  • Fig. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung. In der Fig. umfaßt der Apparat eine Reaktionskammer, in der ein Plasmaerzeugungsraum 1 und ein Hilfsraum 2 angeordnet sind, die unter einem angemessenen Druck gehalten werden können, ein Mikrowellengenerator 4, Elektromagneten 5 und 5', die mit elektrischer Leistung von einer Leistungsversorgung 25 versorgt werden und ein Wasserkühlsystem 18. Der Plasmaerzeugungsraum 1 weist einen kreisförmigen Querschnitt auf. Im Plasmaerzeugungsraum 1 wird ein hohler Zylinder 10' mit nach innen gerichteten Rändern drehbar in dem Raum gehalten, so daß eine Mikrowelle, die von dem Mikrowellengenerator 4 emittiert wird, durch den Zylinder entlang seiner Achse durchgeht. Der Zylinder 10' ist aus Edelstahl oder Quarz und wird mit Hilfe eines Motors 16 über ein Getriebe gedreht. Zum Evakuieren der Reaktionskammer ist ein Evakuierungssystem vorgesehen, das eine Turbomolekularpumpe 8 und eine Rotationspumpe 14 umfaßt, die mit der Reaktionskammer durch drucksteuernde Ventile 11, 12 und 13 verbunden sind. Der Prozess wird mit diesem Apparat wie folgt ausgeführt.
  • Zu beschichtende Objekte 10, z.B. Metall, Plastik oder Keramikteile (wie Getriebe, Schrauben, Ornamenthalter oder Mikropartikel zum Schleifen) werden in den Zylinder 10' gegeben und bei 0,1 bis 10 rpm während des Prozesses gedreht. Der Zylinder 10' wird obwohl in der Figur nicht dargestellt, durch Mikrovibrationen von 100 Hz-1 0 KHz geschüttelt. Durch das Drehen und das Vibrieren werden die Oberflächen der Objekte, die der Umgebung ausgesetzt sind, während des Prozesses immer geändert. Die Reaktionskammer wird durch die Turbomolekularpumpe 8 und die Rotationspumpe auf ≤ 0,13 × 10&supmin;³ Pa (1 × 10&supmin;&sup6; Torr) evakuiert. Dann wird Argon, Hehum oder Wasserstoff als nichtproduktives Gas in die Reaktionskammer von einer Gaszuleitung 6 mit 30 SCCM eingeleitet und eine Mikrowelle von 2,45 GHz von dem Mikrowellengenerator bei 500 W durch ein Mikrowellenfenster 15 in den Plasmaerzeugungsraum 1 geleitet, der einem Magnetfeld von 2 × 10&supmin;¹ T (2 K Gauss) ausgesetzt ist&sub3; das durch die Magneten 5 und 5' induziert wird. Der Druck des nichtproduktiven Gases ist 0,013 Pa (1 × 10&supmin;&sup4; Torr). Ein Plasma mit einer hohen Dichte wird in dem Raum 1 durch die Energie der Mikrowelle erzeugt. Die Oberflächen der Objekte 10 werden durch hochenergetische Elektronen und nichtproduktive Atome gereinigt. Zuzüglich zum Einleiten von nichtproduktivem Gas werden C&sub2;H&sub2;&sub3; C&sub2;H&sub4; und/oder CH&sub4; durch eine Gaszuleitung 7 bei 133,3 bis 106,7 × 10³ Pa (1 bis 800 Torr) vorzugsweise 400 bis 4000 Pa (3 bis 30 Torr) z.B. 1333,2 Pa (10 Torr) eingeleitet und durch Mikrowellenenergie in gleicher Weise wie im Zusammenhang mit dem nichtproduktiven Gas beschrieben, angeregt. Als Resultat einer gemischten Resonanz wird Kohlenstoff in Form eines Diamantfilms oder eines i-Kohlenstofffilms auf dem Objekt 10 abgeschieden. in diesem Ausführungsbeispiel kann eine Heizung, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist, wie in Fig. 1 verwendet werden.
  • Die Verteilung des Magnetfelds und des elektrischen Felds sind die gleichen wie in Fig. 2(A), 2(B), 3(A) und 3(B), die im Zusammenhang mit dem vorherigen Ausführungsbeispiel beschrieben wurden: deshalb wird auf überflüssige Beschreibung verzichtet.
  • Es wurden Beugungsbilder der Filme, die gemäß der vorliegenden Erfindung erzeugt wurden, erhalten. Als Ergebnis wurden Halomuster zusammen mit Punkten, die die Existenz von Diamant anzeigen beobachtet. Die Halomuster verschwanden allmählich mit Zunahme der Temperatur und wenn die Temperatur über 650ºC gestiegen ist, wurde der Film diamantförmig. Bei weniger als 150ºC konnte kein i-Kohlenstofffilm gebildet werden. Zum Vergleich wurde ein Filmherstellungsprozess in gleicher Weise wie zuvor beschrieben durchgeführt, aber ohne Verwendung eines Magnetfelds. Als Ergebnis wurde ein Graphitfilm abgeschieden.
  • In gleicher Weise können polykristalline Siliciumcarbidfilme und Aluminiumnitridfilme gebildet werden, indem Methylsilan und Aluminiumverbindungsgas und Ammoniak jeweils als reaktive Gase verwendet werden. Weiter können andere Filme mit hohen Schmelzpunkten aus Wolfram, Titan, Molybdän oder ihren Siliciumverbindungen in gleicher Weise ausgebildet werden. Zum Beispiel könnten BN oder BP-Filme gemäß der vorliegenden Erfindung gebildet werden.
  • Der Druck in der Reaktionskammer wird so gewählt, daß er dem für die ECR-Bedingung erforderlichen entspricht, so daß eine vorläufige Plasmaentladung stattfindet. Während der Entladung wird der Druck auf 133,32 Pa bis 4 × 10&sup5; Pa (1 Torr bis 3 × 10³ Torr) geändert, wobei eine gemischte Resonanz im Plasma stattfindet, dessen Partikel eine mittlere freie Weglänge von 0,05 mm bis einigen mm, normalerweise nicht mehr als 1 mm, aufweisen.
  • Der Prozess, der durch diese Erfindung vorgeschlagen wird, ist geeignet, um superleitende Keramiken, die ein oder mehr Seltenerdelemente einschließen, ein oder mehr Alkalielemente (einschließlich Be und Mg) und Cu. In diesem Fall wird ein Prozessgas durch "Bubbeln" von Sauerstoff durch eine Lösung der Elementenzusammensetzung hergestellt. Z.B. eine organische Lösung (Benzol, oder Alkohollösung) oder eine wässrige Lösung von Alkylenen oder Halogeniden von Y(OC&sub2;H&sub5;)&sub3;, Ba(OC&sub2;H&sub5;)&sub3; und CuBr&sub3; so daß das stöchiometrische Verhältnis unter Y, Ba und Cu 1:2:3 ist. Die stöchiometrische Formel des abgeschiedenen Produkts ist YBa&sub2;Cu&sub3;O&sub6;&submin;&sub8;. Anstatt der Bubblermethode, können die Elementkomponenten auch in die Reaktionskammer durch Einblasen der Komponenten in Form von feinem Pulver mit Hochdrucksauerstoffgas eingebracht werden, der sogenannten Spraymethode. Die Erfindung sollte nicht auf die vorherigen Ausführungsbeispiele beschränkt sein. Z.B. kann anstelle des hohlen Zylinders jedes Hohlteil mit einem polygonförmigen Querschnitt verwendet werden.

Claims (23)

1. PECVD Verfahren, das die Schritte umfaßt:
Einbringen eines reaktiven Gases in eine Reaktionskammer (1);
Emittieren einer Mikrowelle in die Reaktionskammer mit einer bestimmten Frequenz;
Erzeugen eines Magnetfeldes in der Reaktionskammer (1), wobei die Stärke des Magnetfelds so ist, daß sie die ECR Bedingung fcycl=(qe x B)/me an einer Position in der Reaktionskammer erfüllt, wo die Richtung des Magnetfelds im wesentlichen parallel zur Richtung der fortschreitenden Mikrowelle ist;
Überführen des reaktiven Gases in ein Plasma gekennzeichnet durch Halten eines Substrats an dieser Position in der Reaktionskammer und
Durchführen einer chemischen Dampfreaktion mit dem Plasma auf dem Substrat das prozessiert werden soll.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Anregungsfrequenz 2,45 GHz ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Stärke des Magnetfelds an der Position wo das Substrat angeordnet ist, 8,75 × 10&supmin;² T ± 1,85 × 10&supmin;² T beträgt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das reaktive Gas zumindest einen Kohlenwasserstoff umfaßt.
5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Temperatur des Substrats zum Abscheiden einer Diamantschicht höher als 650ºC ist.
6. Verfahren nach Anspruch 4, wobei das reaktive Gas C&sub2;H&sub6;, C&sub2;H&sub4; und/oder C&sub2;H&sub2; ist.
7. Verfahren nach Anspruch 4, wobei das reaktive Gas CH&sub4; ist.
8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Druck des reaktiven Gases zwischen 133 bis 106,6 × 10³ Pa während des Prozess gehalten wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Druck zwischen 400 und 4000 Pa gewählt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Stärke des Magnetfelds 0,1 T oder stärker ist.
11. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das reaktive Gas durch "Bubbeln" von Sauerstoff durch eine organische Lösung von Komponenten, die einen Precursor für superleitfähiges Material darstellen, hergestellt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Lösung eine organische Lösung von Y(OC&sub2;H&sub5;)&sub3;, Ba(OC&sub2;H&sub5;)&sub3; und CuBr&sub3; ist.
13. PECVD Apparat zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, umfassend:
eine Reaktionskammer (1);
eine Gaszuleitung (6,7) zum Einbringen eines reaktiven Gases in die Reaktionskammer 1;
einen Mikrowellengenerator (4) zum Emittieren einer Mikrowelle in die Reaktionskammer bei einer bestimmten Frequenz durch ein Fenster;
eine Einrichtung 5,5' zur Erzeugung eines Magnetfelds in der Reaktionskammer, wobei die Richtung des Magnetfelds im wesentlichen parallel zur Fortschreitrichtung der Mikrowelle ist und die Stärke des Magnetfelds so ist, daß sie die ECR- Bedingung fcycl = (qe x B)/me an einer Position in der Reaktionskammer erfüllt, eine Einrichtung zum Auspumpen (8,14) der Reakuonskammer um einen bestimmten Druckbereich in der Kammer herzustellen;
gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Lagern eines Substrats (10) im wesentlichen an dieser Position in der Reaktionskammer.
14. Apparat nach Anspruch 1, der weiter eine Einrichtung (20) zum Steuern der Temperatur des Objekts einschließt.
15. Apparat nach Anspruch 14, wobei die Steuereinrichtung eine Infrarotheizung (20) ist.
16. Apparat nach Anspruch 15, wobei die Heizung den Halter (10') mit Infrarotlicht bestrahlt.
17. Apparat nach Anspruch 16, wobei das Infrarotlicht auf den Halter fokussiert wird.
18. Apparat nach Anspruch 17, wobei der Resonanzraum (1) durch eine zylindrische Wand umgeben ist.
19. Apparat nach Anspruch 18, wobei der Magnet (5,5') eine Magnetspule ist, die die äußere Seite der zylindrischen Wand umrundet.
20. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Temperatur des Substrats höher als 150ºC ist.
21. Apparat nach Anspruch 13, wobei die Stärke des Magnetfelds entlang einer Linie abnimmt, die sich durch das Substrat in Fortschreitrichtung der Mikrowelle erstreckt.
22. Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei die Abpumpeinrichtung eine Turbomolekularpumpe (8) umfaßt.
23. Apparat nach Anspruch 21, wobei das Substrat von einem Substrathalter gehalten wird.
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