KR910007384B1 - 초전도 산화물 형성방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1도는 본 발명에서 사용하는 초전도 산호물의 결정구조의 일례를 보이는 사시도.
제 2도는 본 발명에서 사용되는 자기 인가 마이크로 웨이브 플라즈마 반응장치를 보이는 도시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판 10' : 기판 호울더
11 : 게이트 밸브 14 : 마이크로 웨이브 발진기
15 : 원통형 자석 16, 17 : 가스 시스템
19 : 압력 조절 밸브 24 : 회전 펌프
26 : 진공 펌프 27, 27', 28, 28' :수냉 시스템
31 : 플라즈마 발생 챔버 33 : 버블러
35 : 동력원 39 : 마이크로 웨이브 유입 윈도우
본 발명은 초전도 산화물 세라믹 물질 및 상기 초전도 산화물 제조방법에 관한 것이다.
최근 들어 초전도 세라믹 물질이 상당한 관심을 끌고 있다. 상기 물질은 Ba-La-Cu-O(BALACUO)타입 고온 초전도 산화물 형태로 IBM의 쥬리히 연구소에서 먼저 보고되었다. 또한 YBCO(YBa2CuO6-8)타입도 역시 알려져 있다.
그런데, 상기 타입들은 여러 가지 타입의 산화물 분말을 혼합하여 구워내서 정재의 형태로만 준비될 수 있기 때문에 90K의 Tc개시온도가 얻어진다 해도 충분히 얇은 필름은 실현 불가능하다. 게다가, 얇은 필름이 그위에 형성되는 표면부는 비-초전도 특성을 가지며 얇은 필름과 똑같은 결정구조를 갖는다는 것은 완전히 알려지지 않았다.
다결정 산화물 구조를 갖는 상기 초전도 물질의 임계 전류밀도는 작은편이다. 이러한 문제점을 바로 잡기위해, 결정 알갱이의 모든 ab표면은(c표면을 참조, 표면은 c축방향에 직각이다) 공통으로 방향을 잡는다. 게다가, 초전도 물질과 기판의 온도 팽창계수의 차이가 크기 때문에, 초전도 물질이 650℃보다 높은 온도, 특히 900 내지 950℃의 고온에서 만들어질 때, 액체 질소의 온도에서의 냉각은 균열을 유발하여 전기콘덕턴스가 억제되는 결점이 있다. 상기한 이유 때문에, 기판의 타입을 선택하는데 어느 정도 여유가 있도록, 500℃ 또는 더 낮은 온도에서 필름 형성을 하는 것이 강력히 요구된다. 또한 초전도 산화물의 TCO(저항이 0일 때의 온도)가 높아지는 것이 아주 바람직하다. 액체 질소의 온도 (77K) 또는 더 높은 온도에서 활동이 가능한 것이 바람직하며, 90K 또는 더높은 TCO온도가 얇은 필름의 구조에서 유효한 것이 바람직하다.
상기 목적을 가지고, 본 발명의 발명자는 가열공정중에 자기장을 가함으로서 초전도 물질을 제조하는 방법인 "초전도 물질 제조 방법"이란 제목의 일본국 특허출원 제62-75205호를 1987년 3월 27일 출원하였다. 본 발명은 앞서 언급한 발명을 좀더 발전시킨 것이다.
본 발명의 목적은, 상기한 종래의 장치들의 결점을 고려하여, 초전도 산화물의 TCO(저항이 0일 때의 온도)가 고온이며, 액체 질소의 온도 또는 더 높은 온도에서 활동이 가능하고, 얇은 필름의 구조로부터 TCO온도가 90K 또는 그 이상이 되는 초전도 산화물을 제공하려는 것이다.
본 발명의 또한 목적은 액체 질소의 온도에서의 냉각이 균열을 유발하지 않으며 전기 콘덕턴스가 억제되지 않는 초전도 산화물을 제공함에 있다.
자기장이 사용되며 동시에 상기 자기장은 얇은 필름이 그위에 형성되는 표면부에 가해지며, 그러므로 필름의 형성중에 결정의 방향이 얻어지는 반응 가스 또는 플라즈마내의 반응 미소입자 사이의 반응에 의하여 준비되는 초전도 산화물의 얇은 필름을 준비함으로서 상기한 목적들이 본 발명에서 성취된다.
본 발명의 상기한 또는 다른 목적, 특징, 이점 등은 하기되는 부수 도면과 함께 채택된 적절한 실시예를 통하여 더욱 분명해질 것이다.
본 발명에 있어서, 초전도 산화물의 얇은 필름은, 자기장이 사용되고, 동시에 상기 자기장은 얇은 필름이 그위에 형성되는 표면부(이제부터 "필름 형성 표면부"로 인용한다)에 가해지며, 그러므로 필름의 형성중에 결정의 방향이 얻어지는 반응 가스 또는 플라즈마내의 반응 미소입자의 반응에 의해 준비된다.
본발명에 있어서, 활성(동작) 온도에서 냉각이 지속되어도 열팽창 계수의 차이는 균열이나 그 유사한 것을 유발하지 않는다. 그 이유는 얇은 필름의 형성온도가 200 내지 500℃ 범위로 낮기 때문이다. 상기 온도에서도 지시된 방향으로 균일하게 향한 결정축을 가진 단결정 또는 다결정이 생성된다. 이제 더 높은 임계 전류밀도를 얻기 위해, 마이크로 웨이브 플라즈마에서 아주 능률적으로 생산되는 O, O3등등과 같은 활성산소가 얇은 필름을 제조하기 위한 반응 가스로 사용된다. 또한 표면부에서 스퍼터링(손상)을 피하기 위해서, 플라즈마 CVD방법이 스퍼터링 방법 대신에 필름 형성방법으로 사용되며, 여기서 고주파수 (500MHz 내지 10GHz) 통상적으로 2.5GHz의 주파수를 갖는 마이크로 웨이브가 이용된다. 플라즈마 CVD방법에서 플라즈마가 생성될 때 에너지는 반응 가스 또는 입자에 운동에너지를 주지 않는다. 게다가 제1도에 도시된 것처럼, 초전도 산화물의 얇은 필름이 만들어질 때, 플라즈마 발생에 이용되는 자기장은 수정된 페로브스카이트(perovskeit)구조를 갖는 결정의 a, b 또는 c축에 평행하게 또는 대충 평행하게 사용된다. 동시에, 상기 자기장을 이용하여 결정의 필름 형성 표면부는 균일한 방향으로 위치하며, 자기 축상 성장이 일어난다. 또한 단결정이 성장되는 경우에는, 자기 에피택셜 성장이 일어난다.
결론적으로 0.1 또는 그 이상을 사용하여 자기장을 가함으로서 얇은 필름을 형성하며 동시에 표면부에 플라즈마를 생성하는 동안에, 저온에서 적절하게는 200 내지 500℃에서 표면부의 방향을 맞추는 것이 실현가능하다. 동시에 반응가스 또는 반응 입자들은 마이크로 웨이브에 의해 만들어진 활성가스 또는 가스 함유활성산소내에서 상호적으로 플라즈마 반응을 하기가 쉬워지며, 필름 형성 표면부 위에 초전도 산화물 반응 생성물은 상호 일치한 결정축을 갖는 필름을 형성한다.
상기 방법에 의해, 예컨대, c표면(표면은 ab축에, 특히 ab표면에 평행하다)의 방향에서 임계 전류 밀도는 1×10A/㎠ 또는 더 큰 값으로 개선된다. (상기 경우에 있어서, ab표면은 기판의 표면에 평행한 방향으로 될 수 있다. )
본 발명에서 사용되는 대표적인 초전도 산화물은 주기율표에서 Ⅱa족 및 Ⅲa족 원소 및 구리를 포함하는 산화물이다.
본 발명의 초전도 물질은 일반적으로(A1-XBX)YCuZOW의 식으로 표현될 수 있는데, 여기서 x=0.1 내지1,y=2.0 내지 4.0, 되도록이면 2.5내지 3.5, Z=1.0 내지 4.0, 되도록 1.5 내지 3.5, W=4.0 내지 10.0 되도록이면 6 내지 8이다.
대표적인 한예로는 AB2Cu3O6-8의 식으로 표현되는 수정된 페로브스카이트 구조를 갖는 물질이 있다. A는 이트륨족에서 선택된 원소 및 다른 란탄족에서 선택된 원소들중 한 종류 또는 여러 종류의 원소이다. 이트륨족은 Y(이트륨), Gb(가돌리늄), Yb(이테르븀), Eu(유로퓸) Tb(테르븀), Dg(디스프로슘), Ho(홀뮴), Er(에르븀), Tm(툴륨), Lu(투테륨), Sc(스칸듐) 및 다븐 란탄족으로 구성되는 그룹으로 규정된다-물리 및 화학 사전(이와나미 쇼멘,1963년 4월 1일 간행)
B는 Ba(바륨), Sr(스트론튬), Ca(칼슘)중에서 선택되는 한 종류 또는 여러 종류의 원소이다.
본 발명에서 설명되는 초전도 산화물은 제1도에 도시된 결정구조를 가지며, 이는 수정된 페로브스카이트 구조이다. 상기 구조는 구리 (2) 및 그 옆에 산소(5)를 포함하는 평면과 다음에 위치한 구리(3) 및 산소 (6)를 포함하는 또 다른 평면, 산소공백(7), 구리(2'), 산소(5')를 갖는다. 상기 구조는 주기율표의 Ⅲa족에서 원소(1), 예컨데 Y, 및 주기율표의 Ⅱa족에서 원소(4), 예컨데 Ba를 갖는다.
본 발명의 발명자는, 초전도성을 발생하는 메카니즘으로서, 층구조를 갖는 산소(5), (5')와 상기 층의 중심에 위치한 구리(2), (2')의 상호작용에 의하여 쌍을 이루는 전자들(전자쌍)은 표면(ab축에 형성된 표면, 특히 c표면에 평행한 표면)을 전위한다는 것을 제안하였다. 현재까지 BCS 이론에 근거하여 음향양자의 상호작용히 전자쌍 형성의 원인이 되는 것으로 생각되었다.
그런데, 본 발명의 발명자는 상기 얇은 판자모양의 구조사이의 상부 및 하부 산소 공백(7)(도시도의 상부측 또는 하부측에 위치한 또 다른 공백이 원자 시스템에서 존재한다)이 서로간에 또 스크루 자성체인 희토류 원소(1)와 결합할 때 마그논으로 알려진 유사입자가 발생되며, 이 유사입자는 반대 방향으로 회전하는 한쌍의 전자를 형성하는데 매개물로 작용한다는 이론을 가정하였다. 특히, 마그논은 도면의 c축방향으로 파동하며(ab표면에 직각 방향으로 마그논의 파동은 전자쌍에서 가장 잘 반사된다) 상기 마그논은 상호 반대 방향으로 회전하는 전자쌍중 하나의 전자를 끌어들여 다른 전자에 의해 반발된다. 마그논은 완전히 분명한 것이 아니라 내면적으로 움직이며, 전자쌍은 얇은 판자 모양의 구조를 갖는 표면에서 ((2),(5)로부터 만들어진 표면 및 (2'), (5')로부터 만들어진 표면) 각각의 a-b축에 평행한 방향으로 전위한다.
또한, 산소 공백의 파동은 음향 양자의 파동이라고 여겨지며 따라서 음향 양자가 마그논의 매개를 통하여, 간접적으로 전자쌍의 형성을 야기한다고 생각되는 BCS 이론을 보충하는 패턴을 구비하는 것이 가능하다.
상기 작용의 원리에 있어서 자기장이 주요 효과를 야기하기 때문에, 필름 형성 기간중 외부소오스로부터의 프라즈마 대기를 통하여 인가되는 자기장 및 전기장 사이에 상호반응이 행해져서 상호 작용을 위한 반응 가스로부터의 또는 미소 반응 입자의 플라즈마를 생산한다. 더욱이 ,플라즈마 발생에 이용되는 자기장이 활용되어 필름 형성 표면부는 유효 영역에서 상기 자기장에 평행으로 또는 직각으로 위치되며, 그것에 의해 모든 결정은 필름 형성 기간중에 지정된 방향으로 균일하게 위치한다.
게다가, 상기 자기장에 직각 방향으로 특히 초전도성을 갖는 동안 전류가 흐르는 ab표면의 방향으로 마이크로 웨이브 전기장을 가함으로서, 상기 방향 설정의 용이성이 촉진될 수 있다. 특히, 전기 및 자기장의 활성적 상호 이용을 통하여, 상기 반응 압력은 일반적으로 알려진 플라즈마 CVD방법 및 ECR(전자 사이클로브론 공명) 방법에서 사용되는 10-3내지 0.1torr의 저압력이 아니라, 가능한 하이브리드 공명 영역에서 플라즈마 발생이 함께하는 1 내지 800torr의 고 플라즈마 밀도의 아주 높은 압력이다. 여기서, 반응 가스, 반응 입자 및 활성 산소를 상호 사용하여 성취하려는 반응을 수행함으로서, 반응 생성물은 자기장을 따라서 c축으로 방향으로 잡는다.
이러한 이유로, 축의 반응 생성물은 자기장의 방향에 따라 방향이 설정되며 표면부에 저장된다. 따라서, 필름을 손쉽게 만느는 것이 가능하며 기판의 타입에 대한 제한이 완화된다. 또한 가열하는 중에 자기장을 인가하여 다결정의 각각의 결정축이 일치되거나 대체로 일치되는 다결정 필름을 형성 가능한 것이 바람직하다. 저온에서 자기 에피택셜 성장이 일어나는 것이 바람직하며, 특히 방향축이 성장표면과 일치되는 결정방향을 갖는 기판을 사용하여 단결정 박막이 형성되는 것이 바람직하다.
상기 경우에 있어, 본 발명에서 사용되는 초전도 산화물은 저온에서 단결정 필름으로부터 얻어진다. 게다가, c평면을 따라 임계 전류 밀도는 2 또는 더 높은 차수의 크기로 c평면에 정상적인 것보다 크다. 이러한 이유로, 다결정을 사용할 때, 분산된 결정 방향을 갖는 다결정은 높은 임계 전류 밀도를 얻기 위하여 한 방향으로 위치한 결정축을 갖도록 배열되는 것이 특히 중요하다.
본 발명은 초전도 산화물을 형성하는 박막 형성방법에 관한 것인데, 여기서 초기 물질 원소의 유기 반응 가스, 예비적으로 초기 물질을 구어내어 생성되는 초전도 산화물의 잘게 분할된 미소 입자 또는 초기 물질의 영류의 미소 입자들은 대기 압력하에서 또는 풍부한 활성가스가 존재하는 감소된 대기하에서 플라즈마로 유입 또는 흩뿌려진다.
본 발명에 있어서, 필름을 형성한 후 요구되는 같은 반응롱서의 가열 어니일링을 하는 중에, 결정의 많은 부분 또는 전부는, 특히 다결정이론 배열된 결정은, 자기장을, 0.1 테스라(T) 또는 더 큰 값이 적절하며 통상 0.3 내지 5T로 상기 자기장과 같은 방향으로 또는 그것과 근접한 재배열된 방향으로, 인가함으로서 성장도리 수 있음이 발견되었다. 그리고 자기장의 c축 방향에서 결정이 손쉽게 제공됨이 발견되었다.
상기한 방법에 따라 결정 입자는 다결정으로 발전하여 좀더 크게 한다. 이번에는, 인접한 결정이 똑같은 결정축을 공통으로 소유하기 때문에, 결정 경제면에서의 장벽은 제거되려는 경향이 농후해지며, 단결정 구조가 얻어질 수 있다. 이제, 각각의 결정은 ab표면에서 모두 조절될 수 있다(표면은 c축에 직각), 결론적으로, 본 발명의 방법에 의하면, 무작위 결정방향의 경우에 있어서 현재 102A/cm2(77K)에 가지 이르는 임계 전류 밀도는, ab표면에 평행하게 흐르는 전류에서 104내지 102A/cm2(77K에서 측정)까지 증가하여, 밀도에 있어서 단결정과 동일하게 되거나 또는 약 1/5 수준으로 접근할 수 있다. 이제, 넓은 영역의 단결정 구조 박막을 만드는 것이 좀더 쉬어지며, 상기한 바는 초전도 산화물에 대해 이상적이다.
본 발명에 있어서, 상기한 축 배열을 한 초전도 박막을 준비함에 있어, 자기장은 박막 표면이 그위에 생성되는 표면부에 직각 또는 수평으로 인가되며, 자기장에 직각으로 활성 산소를 발생하기 위한 마이크로 웨이브 전기장을 인가함으로서, 필름이 형성되는 온도는 효과적으로 낮아진다.
또한, 필름 형성 표면부를 구성하는 기판의 결정축이 자기장에 의해 조절된 결정의 배열 방향을 따르도록 하는 것이 효과적이다. 예를 들어, (100)방향을 갖는 MgO(산화 마그네슘), SrTiO3(스트론튬 산화 티타늄), YSZ(니트륨 안정화 지르콘)의 결정 기판이 이용될 수 있으며, 자기장은 필름 형성 표면부에 직각방향으로 인가되어, 여기서 필름 형성 표면부에 평행한 ab표면 형성이 가능하다. 또한, (110)방향을 갖는 상기 결정 기판을 사용하여, 자기장이 필름 형성 표면부에 평행하게 인가될 때, 필름이 형성된 후 가열 및 자기장 어니일링에 의해 필름 형성 표면부에 직각 방향으로 형성되는 ab표면을 얻는 것이 가능하다. 이제 단결정 박막 또는 단결정과 유사한 모양의 다결정을 포함하는 박막을 얻는 것이 실현 가능하다.
[제 1실시예]
이제 제2도를 참고로 하면, 상기 도면은 본 발명에서 사용되는 자기 인가 마이크로 웨이브 플라즈마 CVD장치를 도시한다.
상기 도면의 장치는 하기된 것을 구비한다. 대기압 또는 감소된 압력에서 유지될 수 있는 플라즈마 발생챔버(31), 예비 공간(12), 자기장을 발생하는 원통형 전자석(15), 전자석(15)을 위한 동력원(35), 마이크로 웨이브 발진기(14), 배기가스 시스템용 진공 펌프(26), 회전펌프(24), 압력조절밸브(19),기판 호울더(10'), 필름 형성을위한 기판(10), 마이크로 웨이브 유입 윈도우(39)다수의 가스 시스템(16)(17), 다수의 수냉 시스템(28)(28'), 기판(10) 및 호울더(10')를 움직이기 위한 봉(29), 봉(29)의 내부를 통하여 필름이 형성될 표면부를 적당한 온도로 냉각하고 유지하기 위한 다수의 수냉 시스템(27)(27'), 기판 호울더 (10')에는, 플라즈마 발생 챔버(31)내에서 플라즈마로부터 과열되는 기관표면을 적절한 온도로 전환하며 기판을 특유한 온도 예컨대 200내지 500℃로 유지하기 위해 완충층(21)(21') 및 냉각층(22)이 제공된다. 냉각층(22)은 모두 강자성체인 철, 니켈 또는 코발트로 형성되며, 시스템(27)(27')의 냉각수가 순환하도록 일부분에 구멍이 나있다. 완충층(21)(21')은 세라믹, 스테인레스 스틸, 유리와 같은 비-자성, 열저항 물질로 구성된다. 강자성체로 구성된 냉각층(22)은 기판의 표면에서 자기장을 강하게 하여, 과열에 의해 상자성으로 감소하는 피하기 위해 완충층(21,21')에 의해 열로부터 차단된다.
먼저, 박막 형성을 위한 기판(10)은 기판 호울더(10')은 기판 호울더(10')에 설치되며, 상기 시스템은 게이트 밸브(11)를 통하여 플라즈마 발생 챔버(31)에 위치한다. 본 발명의 상기 실시예에 있어서 실리콘 웨이퍼가 기판으로 시용되어 그 상층 표면의 한 부분위에 IC를 위해 형성되는 절연필름을 구비하며, (100)또는 (110)표면을 갖는 MgO, SiTiO3, YSZ타입도 역시 기판으로 사용될 수 있다.
대기압에서 동작할 때, 밸브(19)는 닫히고 밸브(23)는 열린다. 또한, 감소 압력에서 동작할 때, 밸브(19) 및 (25)는 열리고 밸브(23)는 닫히며, 진공펌프(26) 및 회전 펌프(24)가 동작된다.
반응 가스 또는 미소 입자가 섞여있는 액체(32)는 혼합되어 버블러(33)에 넣어진다. 화학 증기반응법이 사용되는 경우에, 산소(17)는 팁(34)을 통하여 산소와 함께 플라즈마 발생 챔버(31)로 방출되는 액체(32)로 넘쳐흐른다.
분무법이 사용되는 경우, 팁(34)은 분무 노즐로 사용될 수 있다. 산소 또는 공기는 압력이 가해질 수 있으며 가스 시스템(16)에서 유입되고 액체(32)를 사용하는 용액은 압력하에서 팁(34)을 통하여 방출된다.
제조공정에 있어서, 1×10-4또는 더 낮은 진공이 기계 보존장치(진공) 펌프(26) 및 회전 펌프(24)를 사용하여 전체 시스템에 우선 가해진다. 다음으로 비-생선가스 (이것은 분해 반응후에 그 스스로 고체를 형성하지 않는 산화가스다. ), N2O, NO, N2O, 공기 또는 산소 예컨대, 산소(6)는 2000SCCM 가스 시스템 (16)을 통과하여 30torr로 압력이 가해지는 플라즈마 발생 챔버(31)로 유입된다. 500MHz의 또는 더 큰 외부 마이크로 웨이브, 예컨대 2.45GHz의 주파수를 가진 마이크로 웨이브(30-2)는 0.5 내지 5KW, 예컨대 1.5KW의 강도로 마이크로 웨이브 발진기(14)에서 인가된다. 또한, (28,28')로 도시된 수냉식의 자석(15)을 사용하여 자기장(30-1)이 인가되며, 여기서 전기 전류가 자석(15)을 통해 흘러서 기판(10)의 표면에서 약 1T의 임계값을 얻으며 하이브리드 공명을 하는 고밀도 플라즈마가 플라즈마 발생챔버(31)에서 발생된다. 이때 자기장(30-1)과 전기장(30-2)은 서로 직각으로 있는다. 도면상에서, 자기장(30-1)은 필름이 형성되는 표면부에 직각으로 인가된다. 상기 고밀도 플라즈마를 이용하여 거의 100% 이온화한 활성 산소가 생성될 수 있다.
다음으로, 용액은 상기 반응 시스템에서 초전도 산화물을 형성하는 유기 원소들로 구성는데, 상기 유기 원소는 예컨대, Y(OC2H5)3(트리에톡시 이트륨), Ba(OC2H5)3(트리에톡시 바륨), CuBr3(브롬화구리) 등등과 같은 알킬화 또는 할로겐화 화합물로서, 필림을 형성한후 벤젠 또는 알콜 등등과 같은 유기용액에서 또는 1 : 2 : 3 비율의 Y : Ba : Cu 수용액에서 용해된다. 예를 들어, 상기 혼합 용액을 통해 산소가 넘쳐흘러 상기 용액은 플라즈마를 통과하여 산소와 함께 유입된다.
덧붙여서, 다른 방법으로서 YBr3, BaBr2, CuBr2또는 Y(NO3)3, Ba(NO3)2, Cu(N03)2등등과 같은 암모니아 -중화염 생성물이 수용액 또는 유기용액에 용해되며, 고 압력하에서 산소 또는 공기가 상기 용액으로 붙어들어오는 분무법을 사용하여 자기장이 인가 되는 반응실로 유입된다. 운성가스로서의 산소의 반응가스에 대한 비율은 3000에서 1의범위에 있다. (본 경우에 100)
또한 다른 방법으로서, 주기율표의 Ⅱa족 및 Ⅲa족 중의 원소와 구리를 함유한 전도성 산화물의 합성물을 미리 준비하여 잘게 가루로 만들어 용액으로 혼합되며, 이 혼합용액은 분무기 또는 버블러 (33)에 의해 분무되고 플라즈마 발생챔버(31)로 방출되어서 자기장 공간에서 산화 반응이 수행되어 완성된다.
상기 방법에서 , 마이크로 웨이브 에너지 및 자기장을 상호 이용하여 하이브리드 공명이 얻어질 때, 플라즈마 온도는 1150℃(전도성 산화물의 용융온도 )보다 훨씬 높으며, 3000 내지 10,000℃ 범위로 높아져서, 그런 고 에너지에서 여기되는 반응원자는 충분히 활성화되고 고유한 결정구조로 필름 형성 표면부위에 형성된다. 상기 초전도 산화물의 박막이 기판 호울더(10')위의 기판의 필름-형성 표면부위에 축적될 수 있으며, 상기 기판의 표면부는 냉각층(22)에 의해 저온으로 냉각되어 기판자체의 온도는 200 내지 500℃의 낮은 범위내에 있는다.
그러면, 필름이 형성된 후 400℃에서 어니일링을 하여 제1도에 도시된 것처럼, 1㎛ 내지 1mm의 두께를 갖는 사방형 결정의 수정된 페로브스카이트 구조를 갖는 초전도 산화물 박막을 형성하는 것이 가능하다.
제2도에서, 고리모양의 자석(15)이 자기장(30-1)을 발생하는데 사용된다.
결론적으로, 플라즈마 발생 챔버(31)내에는 전기 및 자기장이 상호 작용을 하는 영역(875 가우스 t 185 가우스이내)이 있으며 좀더 센 자기장 강도를 갖는 많은 다른 영역들이 있다.
이제, 기판(10)은 최대 자기장을 갖는 영역 (여기서는 자석(15) 둘레로 중심을 둔 단면이다)에 위치한다. 그러므로, 제1도에 도시된 배열상이 경우에서, 자기장(30-1)은 기판의 필름 형성 표면부에 직각으로 인가되며, 전기장(30-2)은 상기 표면에 평행하게 인가 된다. 자석의 강도로부터, 하이브리드 공명 조건을 만족시키는 875 가우스의 영역이 플라즈마 발생 챔버(31)내의 필름 형성 표면과 가스를 유입하는 노즐(34) 사이의 공간에서 생성될 수 있다.
산화 초전도성 필름을 생성하기 위한 물질은 하이브리드 공명 영역에서 활성화된 분해 반응을 통하여 c축을 따라 자기장의 방향으로 기판이 필름 형성 표면부위에 필름으로 형성된다.
이때 만들어진 초전도 산화물 필림의 임계 전류 밀도는 8.8×104A/cm2으로 기판 표면에 평행하게 측정된다.
특히, 제1도에 도시된 결정구조는 필름이 형성되고, 그뒤에 어니일링하는 시간에 충분히 만들어 진다. 또한, x-선 분석의 결과에 의하면 c축은 자기장에 평행한 방향으로, 특히 필름 형성표면부에 직각 방향으로 형성된다는 것을 알 수 있다.
[제2실시예]
성분요소로서 Y0.5Yb0.5BaSrCu3O6-8의 식으로 표현되는 물질이 사용된다. 특히 기판(10)과 호울더 (10')는 도면상 평면에 대해 직각으로 위치하며 (도면상에서 축방향) 기판은 500℃로 유지된다. 상기 방법에 있어, c축은 직각방향으로 초전도 산화물 박막의 ab표면을 가지며 필름 형성 표면부를 따라 만들어 질 수 있다. 다른 조건들은 제1실시예와 사실상 동일하다. 결론적으로, 예컨대 유리, 알루미나 ZrO2등등과 같은 다결정 또는 비결정 구조 기판의 필름 형성 표면부위에 형성되는 초전도 산화물 박막에 대하여 3.6×104A/cm2의 임계 전류 밀도 및 93K 의 TCO가 얻어진다.
[제3실시예]
제1실시예의 기판이 MgO(100) 또는 SrTiO3(100)의 단결정으로 바꿔진다. 필름 형성표면부위에 필름을 형성하는데 2T의 자기장이 인가되며, 기판 온도는 450℃로 유지된다. 3.5㎛ 두께의 1cm2또는 좀더 큰 단결정 박막이 기판상에 얻어진다. 2.3 ×106A/cm2(77K)임계 전류 밀도 및 97K의 Tco가 얻어진다.
[제4실시예]
제2실시예의 기판은 MgO(100) 또는 SrTiO3(100)의 단결정으로 바꿔진다. 2T의 자기장이 필름형성 표면부에 인가되며, 기판온도는 450℃로 유지된다. 약5mm2, 3㎛ 두께의 단결정 박막이 기판상에 얻어진다. ab 표면과 평행한 표면상에서 1.7 ×106A/cm2의 임계 전류 밀도 및 95K의 Tco가 얻어진다.
[제5실시예]
이번 실시예에서, 제1실시예에서 만들어진 초전도 산화물을 갖는 기판은 마이크로웨이브 플라즈마의 활성화된 산소 대기에서 300 내지 500℃의 온도를 15시간 동안 가열 어니일링된다. 이때, 자기장(30-1)은 제2도에 도시된 장치에 의해서 미리 준비된 결정 표면에 대응하는 c축 방향으로 인가된다. 또한, 전기장 (30-2)은 자기장과 직각 방향으로 103내지 5×104V/cm2값으로 인가된다. 결론적으로, Tco를 약 100K보다 높게 증가시키는 것이 가능하며, 230 내지 280K가 얻어진다.
본 발명에 있어서, 얻어진 물질은 박막의 형태로 된다. 그런데, 시장에서의 요구에 따라, 3내지 30 두께의 필름 구조, 띠구조, 와이어 구조와 같은 다른 형태도 역시 얻어질 수 있다.
앞서 언급된 본 발명의 장치를 사용하여, 결정축에 순응하는 박막 초전도 산화물을 생성하는 것이 가능하며, 상기 초전도 산화물은 액체 질소의 온도 또는 더 높은 온도에서 동작하는데 상기 조건은 현재까지 실현불가능했다. 또한 비결정유리, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등등과 같은 기판의 표면상에 방향설정이 된 다결정 초전도 산화물 박막을 제조하는 것도 가능하다. 결정 구조의 성장이 기판 결정축과 방향이 일치하는 경우에 있어서, 상기물질은 반도체와 직접적인 산화반응을 수행하지 않고도 반도체 집적회로의 전극부에서 전기적 접촉이 가능한 단자선으로 이용하는 것이 처음으로 가능해지는데, 왜냐하면 방향 설정된 필름이 200 내지 500℃범위의 기판온도에서 얻어질 수 있기 때문이다.
덧붙여서, 상기 방법에 따라 얻어진 화합물질의 다결정 구조를 갖는 얇은 판자모양의 구조를 형성하기 위하여, 다양한 주기율표 Ⅱa족 및 Ⅲa족중의 여러가지 원소들의 혼합물이 얻어질 수 있다. 본 발명에서 설명한 바와 같이 가열하는 중에 자기장을 인가함으로서 더 균일한 분자 배열이 얻어질 수 있으므로, 최종 화합물에서 빈공간을 제거하여 결정 알갱이 경제면에서 장벽의 높이를 줄이는 것이 가능하여 더 높은 Tco및 개시Tc가 달성될 수 있음이 추측된다.
다음으로, 다른 형태의 실시예들은 참고로 본 발명의 설명하겠다. 상기 실시예들에서는, 또다른 단계가 포함되는데, 특히, 초전도 특성에 손상을 주는 반응가스 또는 반응 미소 입자가 동시에 첨가되며 ,자기장을 사용하여 플라즈마에서 상호 반응이 행해지고, 상기 자기장은 동시에 필름 형성 표면부에 인가되어, 그것에 의해 필름 형성을 하는 동안 결정의 방향설정을 달성한다. 상기 비-초전도 물질이 기판의 상층부위에 제공된다. 상기 비-초전도 물질에 결정축에 순응하는 같은 결정 구조를 갖는 초전도 산화물을 얇게 씌움으로서, 두층이 같은 열팽창 계수를 갖는 2-층구조가 얻어진다. 그러므로, 2-층구조가 기판 사이의 열팽창 계수의 차이 때문에 균열이나 그 유사한 것이 발생하지 않으며, 활성온도로 물질을 유지하기 위해 냉각이 가해질 때에도, 특유한 결정축의 방향으로 방향 설정된 단결정 또는 다결정이 생성된다. 그러면, 비-초전도 물질위에 얇은 층으로 만들어진 초전도 박막에서 높은 임계 전류 밀도를 달성하기 위하여, 상기 박막을 제조함에 있어서 아주 고 효율로 마이크로웨이브 플라즈마를 가지고 만들어진 O, O3등등과 같은 반응 산소가 반응 가스로서 사용된다. 필름 형성 표면부위에 스퍼터링을 할 때 초전도 산화물 및 필름 형성 표면부의 물질에서 혼합된 위상이 발생하는 것을 방지하기 위하여, 스퍼터링 방법 또는 1KHz 내지 1MHz의 저주파수 플라즈마 CVD방법은 사용되지 않는다. 대신에 고주파수 (500MHz 내지 10GHz) 마이크로웨이브, 통상적으로 2.45GHz가 사용되며, 플라즈마가 형성될 때 에너지는 반응 가스 또는 입자에 운동 에너지로서 주어지지 않는다. 초전도 산화물의 박막이 생성될 때 플라즈마를 발생시키는 자기장이 동시에 사용되어서, 제1도에 도시된 것과 같은 수정된 페로브스카이트 구조를 갖는 결정의 a, b, c 축은 인가된 것에 순응하는 원하는 방향에 대해 평행하게 또는 대체로 평행하게 된다.
상기 자기장에 의하여, 결정의 성장표면의 균일한 방향으로 위치하며, 자기 에피택셜 성장이 일어난다. 또한, 단결정이 성장하는 경우에도 자기 에픽택셜 성장이 일어난다. 결과적으로, 박막이 형성하는 동안에 필름 형성 동안 플라즈마를 생성하는데 이용되는 0.1T 또는 그 이상의 자기장을 인가함으로서, 필름형성표면부에서 필름의 방향 설정을 하는 것이 가능해진다. 동시에 반응가스 또는 반응 입자들은 마이크로웨이브에 의해 만들어진 활성 산소 또는 가스 함유 활성 산소내에서 플라즈마 반응을 하며, 초전도 산화물 반응 생성물이 필름 형성 표면부위에 상호 일치된 결정축을 갖는 필름을 형성한다. 상기 방법에 의해, 예컨대 c표면(ab축 특히 ab표면에 평행한 표면)의 방향에서 임계 전류 밀도는 1×106A/cm2또는 더 큰 값으로 개선된다. (이번 경우에, ab표면은 기판의 표면과 평행한 방향으로 있을 수 있다. )
상기 실시예들에서, 초전도 산화물 및 그 제조방법은 전술한 실시예들과 동일하므로, 자세한 설명은 생략하겠다.
상기 실시예에서 사용되는 첨가물들은 구리(Cu), 희토류 원소, 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 브롬(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인(P), 티타늄(Ti), 탄타륨(Ta), 마그네슘(Mg)을 포함하는 그룹중에서 선택되며, 1 내지 30원자%의 양이 사용된다. 특별히 바람직한 원소는 알루미늄 또는 마그네슘이다. 필름이 형성될 때 상기 원소들이 2 내지 10원자%로 첨가되면, 비-초전도 특성을 갖는 필름이 얻어진다. 그러면 첨가물이 더해지지 않은 필름, 특히 똑같은 결정구조 및 결정축을 갖는 초전도 필름이 비-초전도 필름의 상부 또는 하부에 얇은층으로 씌워져서 열팽이계수의 차이가 존재치 않으며 따라서 실제 사용상 온도에서 균열이 발생하지 않는다.
상기 실시예에서, 먼저 기존 실시예와 똑같은 원리를 이용하여 비-초전도 필름이 형성되며, 다음으로 초전도 필름이 형성되어 비-초전도 필름에 얇은 층으로 씌워진다.
상기 방법에 있어서, 다결정 구조내의 결정 알갱이는 점점 커질 수 있으며, 인접한 결정들이 동일한 결정축을 공통으로 가지기 때문에, 결정 경계면에서의 장벽은 제거되려는 성향을 더욱 많이 가져서 단결정 구조가 얻어질 수 있다. 이제 각각의 결정들은 모두 ab표면(c표면에 직각인표면)에 배열될 수 있다. 결론적으로, 본 발명의 방법에 의하면, 비-초전도물질과 동일한 구조의 초전도 산화물이 어떤 첨가물이 없이도 만들어지며 비-초전도 물질의 필름 위에 형성되어, 랜덤 결정 방향 설정의 경우에 현재까지 102A/cm2(77K)인 임계 전류 밀도는, ab표면에 평행하게 흐르는 전류에서 104내지 106A/cm2(77K에서 측정)까지 증가하며, 단결정과 전기 밀도가 동일하게 되거나 약 1/5 수준으로 접근할 수 있다.
본 발명에서, 상기한 결정 배열을 가진 초전도 박막을 생성함에 있어서, 자기장은 필름 형성표면부에 대해 직각 또는 수평 관계로 인가되며, 활성 산소를 발생시키기 위해 자기장과 직각으로 마이크로웨이브 전기장을 인가함으로서, 필름이 형성되는 온도는 효과적으로 낮춰진다.
이제 특유한 실시예에 대해 설명하겠는데 상기 실시예를 실행하는 방법은 기본적으로 제1 내지 제5실시예와 동일하다. 여기에서, 초전도 필름을 형성하기 이전에는 완전히 똑같은 방법이 비-초전도 필름을 생성 하는데에 사용된다(초전도성을 파괴하는 첨가물이 초전도 물질을 형성 하는원소의 유기 용액에 첨가된다는 점이 예외다). 비-초전도 필름의 형성에 관한 설명만을 하겠고 초전도 필름 형성에 관한 설명은 생략하겠다.
[제6실시예]
초전도 특성을 파괴하는 첨가물을 사용하여 비-초전도 필름이 먼저 형성된다는 점을 제외하면, 본 실시예에서 사용되는 방법은 제1실시예에서 사용되는 방법에 따른다. 사용되는 첨가물은 예컨데 Al(C2H5)3, Mg(C2H5)3등등과 같은 반응 가스 및 AlBr3, MgBr2, AlCl3, MgCl3등등과 같은 할로겐화 물질들이었다. 상기 첨가물은 초전도성을 발생하기 위한 용액에 규정된 양으로, 예로서, 10원자%로 첨가된다. 산소는 버블링에 의해 혼합 용액에 첨가되며 상기 용액은 산소와 함께 플라즈마로 유입된다.
비-초전도 산화물 박막을 제조하기 위한 물질은 하이브리드 공명의 영역에서 활성화된 분해 반응이 행해지며, 필름은 c축 및 자기장에 평행하게 형성된다(자기장과 직각인 방향은 자기장을 받아서 활성화되는 기판(10)의 필름 형성 표면 부위로 나온다).
이때 형성되는 비-초전도 산화물 필름은 Ⅲa1-xXxⅡa2-yYyCu3O6-8X의 일반식으로 표현되는데, 여기서 X와 Y는 첨가물이며, x=0.01 내지 0.3, y=0.01 내지 0.3 이다. 상기 표현식에서, X=Al, Y=Mg, x=0.02, y=0.03이다. 상기 물질은 3×104Ωcm2의 특유한 저항을 가지며 액체질소 온도에서 전혀 초전도성을 보이지 않는다. X-선 분석의 결과에 의하면 상기필름이 자기장과 동일한 방향으로 c축을 갖는 수정된 페로브스카이트 구조를 갖는 것을 분명히 알 수 있다.
[제7실시예]
일반식 Y0.5Yb0.5-xAlxBaSrCu3O6-8으로 표현되는 물질이 구성요소로 사용되는데, 여기서, x=0.01 내지 0.3이며 예로서 x=0.1일 때 Y0.5Yb0.4Al0.1BaSrCu3O6-8으로 주어진다. 특히, 제2도의 장치에서, 기판(10) 및 기판 호울더(10')는 제2도에 직각으로 위치하며(표면은 도면상에서 오른쪽에서 왼쪽방향으로 향한다). 기판의 온도는 500℃로 유지된다. 상기 방법으로 필름 형성 표면부에 평행한 c축과 직각방향으로 비-초전도 산화물 박막의 ab표면을 형성하는 것이 가능하다. 결론적으로, 수정된 페로브스카이트 구조를 갖는 비-초전도 물질의 박막이 예컨대 유리, 알루미나, ZrO2등등과 같은 다결정 또는 비결정 구조 기판의 필름 형성표면위에서 얻어지며, 10Ωcm의 특유한 저항이 얻어진다.
[제8실시예]
제6실시예에서의 기판은 MgO(100)또는 SrTiO3(100)의 단결정으로 바꿔진다. 2T의 자기장이 필름 형성 표면 부위의 필름으로 인가되며 기판의 온도는 450℃로 유지된다. Y0.9Al0.1Ba2Cu3O6-8의 일반식으로 표현되는 비-초전도 산화물의 박막이 기판위에 3㎛두께로 형성된다. 이제 YBa2Cu3O6-8의 일반식으로 표현되는 초전도 산화물의 박막이 비-초전도 필름위에 2㎛두께로 형성된다. 상기 방법으로 기판위에 1cm2또는 더 큰 단결정 박막이 얻어 질 수 있다.
3.3×106A/cm2의 임계 전류밀도 및 99K의 Tco가 얻어진다. 기판의 근저에서 열 뒤틀림이 존재하지 않으므로 상기 물질은 개선된 것임을 추측할 수 있다.
[제9실시예]
제6실시예에서의 기판은 MgO(110) 또는 SrTiO3(110)의 단결정으로 바꿔진다. 2T의 자기장이 필름 형성 표면부위의 필름에 인가되며 기판의 온도는 450℃로 유지된다. YBa2Cu3O6-8의 일반식으로 표현되는 약5mm2크기의 단결정 박막이 기판위에 3㎛ 두께로 형성된다. 그 다음에, 일반식 Y1Ba2-xMgxCu3O6-8으로 표현되는 물질이 여기에서 x=0.01 내지 0.3이며 예로서 Y1Ba1.9Mg0.1Cu3O6-8이 비-초전도 산화물의 박막에 대해 보호막으로서 0.2㎛ 두께로 형성된다. 2.2×106A/cm2의 임계 전류 밀도가 ab 표면에 평행한 방향으로 초전도 물질에 대해 얻어지며 97K의 Tco가 달성된다. 또한, 104 
cm의 특유한 저항이 비-초전도 물질의 박막에서 얻어진다.
본 발명에 의하면 균일하게 방향 설정된 결정축을 가지며, 액체 질소의 온도와 동등한 또는 더 높은 온도에서 사용할 수 있는 비-초전도 산화물의 박막을 구비하는 것이 가능하다. 상기된 바는 이전에는 불가능하였다. 또한 비-초전도 산화물과 같은 결정축 및 같은 구조를 가지며 같은 방법으로 마련되는 초전도 산화물의 박막을 구비하며, 상기 초전도 산화물의 비-초전도 산화물의 위, 아래 또는 양측면에 얇은축으로 만드는 것이 실현 가능하다. 상기한 이유 때문에 온도 변화가 있을 때에도, 상기 초전도 산화물은 그것이 절연물과 맞닿는 주변에서 열팽창 뒤틀림을 받지 않으며 고 신뢰성을 보인다. 유리, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등등으로 만들어진 비결정 구조의 기판 표면위에 방향 설정된 다결정 산화물 비-초전도 박막을 형성하는 것도 또한 가능하다.
본 발명에 따라 사용되는 초전도 세라믹은 (A1-xBx)yCuzOw의 화학량 구조식에 일치하여 준비되는데 여기서는 A주기율표의 Ⅲa족중 하나 또는 다수의 원소로, 예컨대 희토류 원소이며, B는 주기율표의 Ⅱa족중 하나 또는 다수의 원소로, 예컨대, 베릴륨 및 마그네슘을 포함하는 알카리 토류 금속이며, x=0 내지 1; y=2.0 내지 4.0 되도록 2.5 내지 3.5; 1.0 내지 4.0 되도록 1.5 내지 3.5; w=4.0 내지 10.0되도록 6.0 내지 8.0이다. 또한, 본 발명에 따라 사용되는 초전도 세라믹은 (A1-xBx)yCuzOw의 화학량적 구조식에 일치하여 준비되는데 여기서 A는 Bi, Sb, As와 같은 주기율표 Ⅴb족의 하나 또는 다수의 원소이며, B는 주기율표 Ⅱa족중 하나 또는 다수의 원소로서 예컨대 베릴륨 및 마그네슘을 포함하는 알카리 토류 금속이며, x=0.3 내지 1; y = 2.0 내지 4.0 되도록 2.5 내지 3.5; z = 1.0 내지 4.0 되도록 1.5 내지 3.5; w=4.0 내지 10.0되도록 9.0 내지 8.0이다. 상기 일반 구조식의 예로는 BiSrCaCaCu2Ox및 Bi4Sr3Ca3Ca3Cu4Ox가 있다. 구조식 Bi4SryCa3Cu4Ox(y는 1.5근처)에 일치하는 것으로 확인된 개시 Tc및 Tco샘플은40 내지 60K로 측정되며, 이는 그리 높은 값이 아니다. 화학량적 구조식 Bi4Sr4Ca2Cu4Ox및 Bi2Sr3Ca2Cu2Ox에 따르는 샘플에서 상대적으로 높은 임계 온도가 얻어진다. 산소의 비율을 지정하는 숫자는 6 내지 10으로 예컨대 8.1근처에 있다.
Claims (13)
- 산소 또는 산화 가스 및 반응 가스 또는 반응 미소 입자를 플라즈마 발생 챔버에 유입하며; 자기장 발생장치를 사용하여 플라즈마 발생 챔버에 자기장을 인가하며; 마이크로웨이브 공급 장치를 사용하여 자기장의 방향 및 마이크로웨이브의 전파방향이 평행하게 마이크로웨이브를 플라즈마 발생챔버에 공급하며; 산소 또는 산화 가스 및 반응 가스 또는 반응 미소 입자의 상호 반응으로 이들을 플라즈마로 변환하며; 자기장을 인가하는 동안에 플라즈마 발생 챔버내에 위치한 필름 형성 표면 부위에 초전도 산화물을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성방법.
- 제1항에 있어서, 플라즈마를 발생하기 위한 자기장은 필름 형성 표면부에 직각으로 또는 평행하게 인가되는 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성방법.
- 제1항에 있어서, 초전도 물질은 (A1-xBx)yCuzOw의 식으로 일반적으로 표현될 수 있는데, 여기서 x=0.1 내지 1, y=2.0 내지 4.0 z=1.0 내지 4.0, w=4.0 내지 10.0 이며; A는 Y(이트륨), Gb(가돌리늄), Yb(이테르븀), Eu(유로퓸), Tb(테르븀), Dy(디스프로슘), Ho(홀뮴), Er(에르퓸), Tm(툴륨), Lu(루테륨), Sc(스칸듐) 및 다른 란탄족의 그룹중에서 선택되는 원소의 한가지 종류 또는 여러가지 종류이고; B는 Ba(바륨), Sr(스트론튬), Ca(칼슘)의 그룹중에서 선택되는 원소의 한 종류 또는 여러가지 종류인 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성방법.
- 플라즈마 발생챔버; 플라즈마 발생 챔버 둘레에 제공되는 자기장 발생장치; 마이크로웨이브 에너지를 플라즈마 발생 챔버에 공급하는 장치; 초전도 산화물을 형성하기 위해 반응가스 또는 반응 미소 입자 및 산소 또는 산화가스를 플라즈마 발생 챔버에 공급하는 장치; 자기장 또는 전기장이 인가되는 동안, 플라즈마 발생 챔버내에서 또는 플라즈마 발생 챔버에서 떨어진 지역에서 필름-형성 표면 부위에 초전도 산화물을 형성하기 위한 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 초전도 산화물장치.
- 제4항에 있어서, 강력한 자기장이 걸리는 영역내에 필름-형성 표면부를 위치하기 위한 장치가 제공되는 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성장치.
- 제4항에 있어서, 초전도 산화물은 (A1-xBx)yCuzOw의 식으로 일반적으로 표현되는데 여기서 x=0.1 내지 1, y=2.0 내지 4.0, z=1.0 내지 4.0, w=4.0 내지 10.0 이며; A는 Y(이트륨), Gb(가돌리늄), Yb(이테르븀), Eu(유로퓸), Tb(테르븀), Dy(디스프로슘), Ho(홀뮴), Er(에르븀), Tm(툴륨), Lu(루테륨), Sc(스칸듐) 및 다른 란탄족의 그룹중에서 선택되는 원소의 한 종류 또는 여러가지 종류이고; B는 Ba(바륨), Sr(스트론튬), Ca(칼슘)의 그룹중에서 선택되는 원소의 한 종류 또는 여러가지 종류인 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성장치.
- 반응실의 내부에 자기장을 인가하며; 자기장과 거의 같은 방향으로 마이크로웨이브를 반응실안으로 향하게 하며; 마이크로웨이브 여기 반응이 발생하며 그 안에서 초전도 물질은 자기장내에서 반응 가스 또는 반응 미소 입자를 가하여 마이크로웨이브의 공명에 의해 공명 공간에 형성되고; 자기장에 의해 일정하게 된 원자 배열을 갖는 초전도 산화물의 결정을 성장하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성방법.
- 제7항에 있어서, 공명은 하이브리드 공명인 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성방법.
- 제7항에 있어서, 결정 성장은 자기장에 거의 직각으로 위치한 표면위에서 실행되는 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성방법.
- 초전도 산화물을 형성하기 위해 산소 또는 산화가스 및 반응 가스 또는 반응 미소 입자를 플라즈마 발생 챔버로 유입하며; 초전도 특성을 파괴하기 위하여 반응 가스 또는 반응 미소 입자를 첨가물로서 플라즈마 발생챔버로 유입하며; 자기장 발생장치를 사용하여 플라즈마 발생챔버에 자기장을 인가하고; 마이크로웨이브 공급장치를 사용하여 플라즈마 발생 챔버에 마이크로웨이브를 공급하며; 산소 또는 산화 가스 및 반응 가스 또는 반응 미소 입자, 초전도 특성을 파괴하기 위한 첨가물로서 반응가스 또는 반응 미소 입자, 초전도 상호 반응으로 이들을 플라즈마로 변환하며; 자기장을 인가하는 동안에 플라즈마 발생 챔버내에 위치한 필름-형성표면부위에 비-초전도 특성을 가진 필름을 형성하며, 상기 필름은 초전도 산화물과 동일한 주요 구성성분 및 초전도 특성을 파괴하는 첨가물을 포함하고; 초전도 특성을 파괴하는 첨가물을 빼놓고 앞서 언급한 공정을 통하여 비-초전도 특성을 가진 필름에 맞붙는 초전도 산화물을 형성하는 단계를 구비하는 공정에 의해 먼저 비-초전도 특성을 갖는 필름이 초전도 산화물과 동일한 주요 구성성분으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성방법.
- 제10항에 있어서, 첨가물 구리(Cu), 희토류 원소, 철(Fe), 니켈(Ni), 코발(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 브롬(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인(P), 티타늄(Ti), 탄타륨(Ta), 마그네슘(Mg)을 포함하는 원소의 그룹중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성방법.
- 제10항에 있어서, 초전도 물질은 (A1-xBx)yCuzOw의 식으로 일반적으로 표현되는데, 여기서 x=0.1 내지 1, y=2.0 내지 4.0, z=1.0 내지 4.0, w=4.0 내지 10.0 이며 A는 Y(이트륨), Gb(가돌리늄), Yb(이테르), Eu(유로퓸), Tb(테르븀), Dy(디스프로슘), Ho(홀뮴), Er(에르븀), Tm(툴륨), Lu(루테륨), Sc(스칸듐) 및 다른 란탄족의 그룹중에서 선택되는 한 종류 또는 여러가지 종류이며; B는 Ba(바륨), Sr(스트론튬), Ca(칼슘)의 그룹중에서 선택되는 한 종류 또는 여러 종류의 원소인 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성방법.
- 제10항에 있어서, 비-초전도 특성을 갖는 필름의 상부 또는 하부면위에 균일하게 방향 설정된 결정축 및 초전도 산화물과 동일한 결정 구조를 갖는 필름 형성하도록 하기 위해, 첨가물로 활동하는 반응 가스 또는 반응 미소 입자를 유입하지 않고 필름이 형성되는 것을 특징으로 하는 초전도 산화물 형성방법.
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