CN104508177B - 气体分离器 - Google Patents

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Abstract

公开了一种用于在真空涂覆设备中的气体运动的装置(1)，该装置将在涂覆室中没有沉积到待涂覆的基底(3)上的气态的涂覆材料抽走。在此，用于抽走涂覆材料的至少一个泵以抽走装置的轴向延长部(112)的形式与该抽走装置联接，其中，抽走装置具有一个或多个抽吸开口(121)并且被划分成至少两个轴向区域，这两个区域的抽走特征能很大程度地彼此分开地进行调整。

Description

气体分离器
技术领域
本发明的主题是一种针对在用于在基底上进行涂覆的设备中的气体环境的用于气体运动、尤其是气体抽走的装置。
背景技术
在太阳能和半导体工业中，利用一种元素或具有化合物的薄层对基底进行涂覆通常利用PECVD法(plasma enhanced chemical vapourdeposition等离子增强化学汽相沉积)或利用PVD法(physical vapourdeposition物理气相沉积)来实现。在此，使用了喷涂、热蒸发、激光蒸发和离子束蒸发、等离子涂覆以及其他由现有技术公知的方法。这些方法通常在具有构造为真空室的加工室的连续操作设备(Durchlaufanlage)中执行，待涂覆的基底连续或间断(逐步)地运动穿过该连续操作设备并且在其中进行涂覆。
涂覆材料或其他加工材料通常是气态的。因此，未沉淀在基底上的部分会在处理室中不受控制地扩散。因此，值得期待的是，在可能的流动轮廓不干扰涂覆或者加工过程的情况下，将这些气体以可控的方式抽走。
通常直接将不同材料的多个层依次施加到基底上。在这种情况下有利的是，没有必要进行耗费的到不同处理室中的引入和排出过程，而是可以在同一处理室中进行依次涂覆。在此，可能出现的问题是，不同的涂覆材料彼此不相容或者说彼此不期望地彼此发生了反应，或者涂覆材料的组成部分在另一材料的层中作为杂质起作用。
存在有一系列解决该问题的技术方案。除了较小的中间闸室以外，尤其还采用了能运动的限界装置来防止气态的材料从一个室区域溢流到另一个室区域中。为此，优选在处理区域的边界处抽吸气体流，并且因此实现区域分隔。
WO2007/059749描述了一种具有小的中间闸室的系统，基底经由传输系统运动穿过该系统，该系统具有活门(Klappe)，这些活门交替地覆盖中间闸室的输入开口或者输出开口。在闸室区域中实现抽走，以便去除夹带的气体残留。
在DD214865A1中描述了如何在两个其中具有等离子体的涂覆区域之间进行分隔，其中，第一涂覆区域具有高反应性的工作气体，而第二涂覆区域具有低反应性的工作气体，分隔以如下方式实现，即，提高低反应性气体的压力。此外，在两个区域之间设置抽走器。以该方式防止了高反应性气体侵入第二区域中。
在DE4303462A1中公开了一种针对玻璃基底的涂覆设备，在该涂覆设备中，玻璃基底连续地从上方被涂覆。在此，以如下方式也实现了对涂覆区域的分隔，即，在这些区域之间设置有抽走器。在所描述的解决方案中，一次性地从基底底侧向下抽走，而在其他实施方式中，在涂覆区域之间同时在涂覆材料被从其剥除的标靶的侧向抽走。为此使用了中间壁，该中间壁与涂覆室的其他结构元件一起构成管状的、在横截面中是矩形的空腔。该空腔具有作为气体入口的缝隙，该缝隙指向标靶所处的侧。空腔在其端部上、在涂覆室的侧壁上借助真空泵抽气。
根据DD214865A1和DE4303462A1的两个装置的共同点是，从涂覆室中实现将气体的抽走，而不考虑出现的流动状况。因此，由此可以想到的是，在泵开口附近会出现比较远处强得多的气体流。因为泵典型地布置在处理室的侧壁中或基底的上方或者下方，所以不能指望在整个基底上会出现均匀的气体流，其避免会稍微影响正在进行的涂覆过程。
DE102010028734A1规定以如下方式在两个涂覆区域之间实现气体分离，即，通过如下开口直接在基底表面上方进行抽走，这些开口被置于平行于基底表面取向的且应形成流动阻力器的板的两侧。因为在该流动阻力器的周围的压力损耗远大于在该流动阻力器后面出现的压力损耗，所以该发明人认为在抽走装置整个长度上实现了流动型廓的均匀。在此，可以看到抽走装置的长度是垂直于基底的传输方向并且平行于基底的表面的。抽走通过布置在基底上方的真空泵进行。
DE 10 2008 026 001要求保护一种用于在连续涂覆设备中建立过程环境的方法。尤其规定，在涂覆设备中存在有至少两个涂覆区域，它们可以具有不同的气体环境。以如下方式实现对气体环境的分隔，即，在每个涂覆区域中都存在有气体导入部和气体抽走部。此外，还描述了气体抽走部作为“气体通道(16)，其垂直于基底(1)的传输方向(3)地在基底宽度上延伸并且具有至少一个开口(20)，从而在基底(1)与气体通道(16)之间且在基底宽度上分布地产生气体流(22)”存在。规定了用于气体导入的气体通道处于涂覆源的一侧上，而用于气体抽走的气体通道处于另一侧上。
在现有技术中通常将真空泵直接布置在基底上方阻止了多个处理区域上下叠置的构造。此外，通过出现在基底与流动导板之间的间隙进行抽走造成了极不均一的流动，这导致对基底表面的不均匀的涂覆。特别是在等离子过程的情况下，像例如在等离子蚀刻或PECVD过程的情况下，在等离子中产生的分解物或者气体微粒部分地具有如下特性，即，在限定的加工区之外较远的区域中也会引起与基底表面的反应。这会导致表面特性的不利的改变，像例如均一性或者钝化质量或光学特性等的改变。
发明内容
因此，本发明的任务在于提出一种气体抽走装置，该气体抽走装置可以在涂覆室中实现限定的气体运动，并且不会由于在涂覆室中强烈的流动差别而阻止具有均匀厚度的均一的层的构成，或者该气体运动通过有针对性的流动差别以可控的方式影响层形成。
根据本发明，该任务利用根据一种用于在真空涂覆设备中的气体运动的装置来解决，其中，该装置具有
至少一个涂覆室，该涂覆室具有至少一个涂覆区域，
传输装置，该传输装置用于在传输方向上将平面的基底传输到涂覆室中，并且用于在涂覆室中保持基底，
针对每个涂覆区域至少一个涂覆装置，该涂覆装置放出气态的涂覆材料，其中，涂覆装置的长度至少相应于基底的宽度，
针对每个涂覆区域至少一个抽走装置，其中，该抽走装置
基本上平行于涂覆装置延伸并且至少具有涂覆装置的长度，
至少与泵联接，泵适合用于在抽走装置内部相对于涂覆室的内部压力生成低压，
其中，
至少一个泵以抽走装置的轴向延长部的形式与抽走装置联接，
抽走装置具有一个或多个抽吸开口，
抽走装置具有至少两个轴向的区域，该区域的抽走特征能彼此分开地进行调整。
用于基底的涂覆机构大多近似直线地扩展，并且平行于基底表面地且垂直于基底的传输方向地布置。基底优选以连续的速度在涂覆机构下方或者上方进行传输。涂覆材料的沉积在传输运动期间进行。为了使涂覆是均匀的，涂覆装置的长度至少相应于基底的或者说在其中传输基底的基底载体的宽度。因此，在涂覆装置的整个长度上也产生了并没有完全沉淀的且必须被抽走的气态的材料。
根据本发明的装置具有至少一个涂覆室，该涂覆室具有至少一个涂覆区域。此外，装置还具有传输装置，用以在传输方向上将平面的基底传输到涂覆室中并且用以在该涂覆室中保持基底。在涂覆室中，每个涂覆区域都存在有至少一个涂覆装置。涂覆装置放出气态的涂覆材料。在此，涂覆装置的长度至少相应于基底的宽度。每个涂覆区域都存在有至少一个抽走装置，其中，抽走装置基本上平行于涂覆装置地延伸并且至少具有涂覆装置的长度。至少一个泵与抽走装置联接，该泵在抽走装置内部相对于涂覆室的内部压力生成低压。尤其地，至少一个泵以抽走装置的轴向延长部的形式与该抽走装置联接。抽走装置具有一个或多个抽吸开口，并且被划分成至少两个轴向区域，这些轴向区域的抽走特征(Absaugcharakteristika)能很大程度地彼此分开地进行调整。抽吸开口优选以如下方式布置，即，使被抽吸的气体的流动平行于基底表面分布，而并不垂直于该基底表面分布。为此，抽吸开口特别优选位于垂直于基底表面伸展的平面中。
抽走装置优选构造为管套管结构(Rohr-in-Rohr-Konstruktion)。因此，抽走装置具有内管和外管。在此，管横截面可以是相同或不同的。优选地，内管和外管都具有圆形的横截面。在另一优选的实施方式中，横截面是矩形的或是具有倒角的近似矩形的。在此，管的制造也可以通过将各个部分成形件，例如半壳体、U形板材或者其他板材成形件进行组装来实现。
内管具有比外管的内直径要小的外直径。所述泵与内管联接，优选与内管的端面联接。内管具有一个或多个吸入开口，通过这些吸入开口从内管外侧与外管内侧之间的中间空间中吸入气体。在一个优选的实施方式中，吸入开口在其开口宽度上是能变化的。这通过遮蔽物，例如通过至少一个另外的管(Blendenrohr遮蔽管)来实现，其紧密地贴靠在内管的内壁或外壁上并且能相对于该内管扭转和/或移动，并且其在此还具有如下开口，这些开口部分地封闭吸入开口。在采用了多个(至少两个)这种遮蔽管的情况下可以有利地依赖于吸入开口的轴向位置来确定吸入开口的抽吸特征(Ansaugcharakteristika)。
在另一优选的实施方式中，内管具有如下分隔壁，该分隔壁将内管划分成分别两个针对各至少一个在端面上进行抽走的泵的抽吸区域。此外优选的是，该分隔壁设置成能移动的。
在另一优选的实施方式中，内管是能扭曲的，也就是说，内管可以绕其纵向轴线在周向上扭曲。为此，内管在一个端部上固定，而在另一端部上扭转。由此，改变了吸入开口的位置以及在中间空间中生成的流动轮廓。在另一优选的实施方式中，内管居中地保持，并且两个端部都可以扭转。居中的保持优选通过将内管与外管连接起来的刚性的分隔壁来实现。
在另一优选的实施方式中，内管经由一个或多个分隔壁与外管连接。这样产生的内管区段能单个地在它们的取向上发生变化(能轴向扭转)。
外管具有抽吸开口，通过抽吸开口从涂覆室中将气体吸入到内管外侧与外管内侧之间的中间空间中。优选的是，内管的吸入开口远离外管的抽吸开口。该措施已经导致，由于内管中的压力损耗造成的且会在中间空间中造成不均匀的抽吸压力的流动不均匀性已经可以部分地在中间空间中进行平衡并且可以对在外管的抽吸开口上的抽走压力进行均衡。
在一个优选的实施方式中，外管在其外侧具有流动导板，该流动导板可以通过移动或者扭转改变位置和取向。
在另一优选的实施方式中，外管类似于在内管的情况下所描述的实施方式具有遮蔽管。
此外，优选的是，将外管划分成至少两个能彼此独立在周向上扭转的区段。这些区段通过将它们与内管连接的中间壁来支撑，或者布置在保持结构上，该保持结构在外管外部容纳该外管并且与涂覆室的壁连接且支撑在那里。此外，优选的是，外管设置成能在其整个长度上或以区段形式扭曲的。为此，外管在一个端部上夹紧，而在另一端部上相对于第一端部扭转。在另一优选的实施方式中，设置有居中的保持部(借助在内管上的分隔片或借助保持结构)，于是由此能够有利地使两个端部彼此独立地进行扭转。在另一优选的实施方式中，能扭曲的外管在两个端部上夹紧，而在这两个端部之间进行扭转。在此，扭转可以居中作用或者也可以偏离中心地作用，从而得到了产生的扭转区段是不对称的。有利地，这借助如下装置来实现，该装置在其作用点方面能在轴向方向上移动地作用在外管的外侧上。为此，在外管上例如设置有平行于轴线的隆起部，夹具或类似物作用在这些隆起部上。
内管或外管的材料可以是相同或不同的。它们尤其依赖于流动设计方案所力求的变化可能性。因此，仅在其定位上被改变的内管和外管(也以区段的形式)优选由不锈钢或铝合金制成。能扭曲地实施的管优选由纺织材料或复合材料制成。在此，尤其使用了碳纤维纺织物或碳纤维复合材料。此外，钢纤维编织(stahlfasergeflochten)的管也是适合的。原则上，由现有技术公知的已经用在涂覆设备中的物质都是适合的。
为了改善附着特性或也为了保护材料表面以防侵蚀性的气体微粒，这些材料表面也可以通过表面调质(例如改变粗糙度、附加涂覆)或者也可以通过附加的覆盖件或者衬里件来匹配不同的加工过程。覆盖件或者衬里件优选是板材、膜或者由合适的物质或者复合材料制成的带状物。在此，这些部件可以网状、纺织物状、孔板状或以其他形式设计。由此，可以延长装置的使用寿命或者可以明显简化维修。
在一个优选的实施方式中，抽走装置具有至少一个扩散器，该扩散器导致被抽吸的气体流的进一步均衡。扩散器可以在抽走装置的区域上或者整个抽走装置上延伸。优选的是，扩散器在抽走装置中，在此是在内管外侧与外管内侧之间的中间空间中构造为迷宫结构。在此，迷宫以如下方式设计，即，使其在抽走装置的轴向方向上具有远小于周向上的压力损耗的压力损耗。在此，扩散器可以构造为多个平行于轴线的短的流动导板设施。其他优选的实施方式设置了穿孔或网状的平行于轴线的结构，该结构提高了在周向上的压力损耗，由此导致了吸入开口与扩散器结构之间的中间空间中的压力均衡。
在一个优选的实施方式中，多个内管布置在一个外管中。
优选地，通过流量计算将上述措施相结合以构造出符合需求的流动轮廓。
因此，优选通过轴向相对于导板设施扭转内管来限定地调整两个开口的共同的重叠的开口几何结构。由此，例如可以实现对气体流阻力的并且进而也是对气体流轮廓的极为有效的细微修正。如果不使用内管和遮蔽管的全等的开口，那么通过扭转内管和/或遮蔽管也能调节出可局部变化的气体吸入轮廓。在另一设计变型方案中，附加的吸入开口例如也可以分布地布置在内管周侧面上的其他轴向位置以及还有其他角度位置。于是通过内管的轴向扭转，甚至可以影响对不同流动阻力以及他们对气体流轮廓的作用的更复杂的调整。如果内管配设有转动驱动器，那么还能实现对该气体抽走的气体流轮廓的在时间上可变的调整。
抽走装置优选相邻于涂覆装置地布置在涂覆室中。以该方式有利地确保了尽可能完全地对没有到达基底的涂覆气体进行抽走并且涂覆气体不会不受控制地沉淀。以该方式能够有利地提高设备在两次清洁周期之间的使用寿命。
在一个优选的实施方式中，气体抽走器以如下方式使用，即，使气体抽走器直接相邻于涂覆装置地布置，其中，在涂覆装置与基底之间布置有具有遮蔽开口的遮蔽物。该遮蔽物确保涂覆装置的气体仅能直接达到基底的为此设置的区域。因此，例如基底载体(如果有使用)的一部分可以避开直接的涂覆。因此，有利的是，在多余的气体可以穿过遮蔽开口之前，其大部分就已经被气体抽走器从处理室中去除了。
优选地，至少一个磁控管作为涂覆装置来使用，该磁控管以棍状的结构形式在基底的整个宽度上延伸。其他优选的实施方式以串联布置方式设置有多个构造出棍状的结构形式的磁控管。
应用根据本发明的气体抽走装置的另外的重点优选在于其他等离子加工设备。在此，这可以涉及表面处理方法，例如清洁、活化、功能化、等离子蚀刻和涂覆。主要使用了可伸缩的等离子源。这些等离子源要么能直线地伸缩，要么能面状地伸缩。工作压力范围在大约10-2mbar至几个mbar。待导出的总气体流量可以在几个sccm(标准立方厘米每分钟)到几千sccm之间。
在此，等离子加工设备中的加工区也可以采用不同的加工方法。也就是例如预清洁或者涂覆。有利地，可以将起反应的过程与不起反应的过程分开。对不同的杂质区域进行分隔等等也是可行的。应该与加工源一起整体地提供限定的过程环境。同时在优选实施方式中，限定的气体流影响也应该能实现气体分离。
在使用具有喷涂磁控管或离子束源的根据本发明的气体抽走装置的情况下，压力范围在几个10-4mbar至大约10-2mbar。总气体流量在此通常明显比在等离子加工设备中要低。
于是，以本领域技术人员惯用的方式(流量计算)，利用不同的工作压力和总气体流量也得出气体分离装置的不同的规格确定。在技术实现的过程中使用了相应的匹配的泵送技术。
尤其地，根据本发明的气体抽走器可以与可选的将涂覆室内部的涂覆区域彼此分开的流动阻力元件组合地使用，以便在不使用机械的分隔装置、像例如中间壁或者闸门的情况下操作不同的涂覆区域。
具体实施方式
本实施例涉及到图1中所示的实施方式。
内管(11)的横截面是呈矩形的且具有8cm×14cm的尺寸。外管在中间空间(21)中离内管大约15mm。外管的抽吸开口(121)的开口宽度为12mm。抽吸开口(121)在外管(12)的整个长度上延伸。内管通过由不锈钢板构成的标准矩形管制成。其壁厚度大约为2mm。外管(12)由不锈钢板制成(板厚度大约1mm)。相对于内管(11)长度大致居中地存在有两个并排布置的抽吸开口(111)。未示出的中间板将内管(11)径向地、在其整个长度的中间分隔成两个独立泵吸的管区段。抽吸开口彼此间的间隔大约为60mm。每个吸入开口(111)的开口宽度在此大约为30mm并且其长度大约为250mm。装置的整个长度大约为100cm。经由真空泵的联接开口(112)，在内管(11)的内部空间中产生0.1mbar至0.5mbar的低压。所抽走的体积流量为1000sccm至2000sccm(sccm：标准立方厘米)。通过对吸入开口(111)的特别的设计和布置实现了更易于朝中间增强的气体流(2)。
图1示意性地示出了根据本发明的气体抽走器(1)的实施方式。气体抽走装置(1)布置在基底(3)上方。气体流(2)通过在外管(12)与内管(11)之间的中间空间内的低压被引入该中间空间中。其特征在于，抽吸开口(121)以如下方式取向，即，使得气体流(2)平行于基底表面而不是垂直于该基底表面分布。中间空间(21)在周向上迷宫状地实施。气体流(2)必须克服多个转向以到达内管的吸入开口(111)。通过这些转向获得了在中间空间(21)中沿径向方向提到的流动阻力。与此不同，在抽走装置的(垂直于附图平面的)轴向方向上不存在迷宫。由此，在轴向方向上，在中间空间(21)中产生压力平衡，该压力平衡导致了在抽吸开口(121)的整个长度上均匀的抽吸低压。在经过内管(11)的吸入开口(111)之后，气体流(21)在内管(11)的两个端部上通过联接开口(112)被泵抽走。所示的吸入开口(111)和抽吸开口(121)由多个缝隙状或孔状的开口构成，这些开口的布置和几何结构由流量计算和/或技术优化得出。
图2示意性地示出了根据本发明的气体抽走器的另一实施方式。在外管(12)与内管(11)之间的中间空间(21)内的迷宫由于气体流(21)的进一步的转向而设计得更复杂。这提高了在最狭窄的空间上的可能的流动阻力，并且进一步改善了中间空间(21)中的轴向压力平衡。
图3示意性地示出了如下结构，该结构借助共同的内管(11)能够实现将来自两个方向的气体抽走的气体抽走器(1)。因此，气体抽走器可以作为气体分离器起作用，这是因为防止了气体从气体抽走器(1)的一侧转移到另一侧。内管(11)中的低压生成借助真空泵来实现，该真空泵对内管的通过中间壁(113)分开的两个部分进行抽气。在特别的情况下，也可以去掉中间壁(113)。这样一来尽管稍微降低了与相邻的加工机构的气体分离，但是此外却使气体抽走非常高效。
图4示意性地示出了在基底表面的方向上的视图。基底沿传输方向(32)在气体抽走器(1)下方穿过。在此示出为矩形的晶片的基底(3)布置在基底载体(31)中。涂覆装置(4)包括至少一个在此未示出的自己的气体导入装置。没有通过涂覆装置沉淀到基底表面上的多余的气体通过根据本发明的气体抽走装置(1)从涂覆室中引出。内管被分成两个管区段，它们分别通过中间壁(114)彼此分开地封闭。内管(11)的每个区段分别具有吸入开口(111)。抽走流(1121)在离涂覆室的壁最近的端部上从内管(11)的每个区段中引出。
图5同样示意性地示出了在基底表面的方向上的视图。基底沿传输方向(32)在气体抽走器(1)下方穿过。在此示出为矩形的晶片的基底(3)布置在基底载体(31)中。经由气体导入装置(5)将气体流(511)注入基底表面与涂覆装置(4)之间的空间中。没有通过涂覆装置沉淀到基底表面上的多余的气体通过根据本发明的气体抽走装置(1)从涂覆室中引出。为此，外管12具有抽吸开口(121)，这些吸入开口彼此通过流动导板(124)分隔。由此，实现了对气体流的附加的强制引导以及作用到抽吸开口(121)的各区域上的泵作用的分离。中间壁(114)不仅将外管(12)而且也将内管(11)分成两个具有分开的抽走特征的管区段。内管(11)的每个区段分别具有吸入开口(111)。抽走流(1121)在离涂覆室的壁最近的端部上从内管(11)的每个区段中引出。
图6示意性地示出了在基底表面的方向上的视图。基底沿传输方向(32)在气体抽走器(1)下方穿过。在此示出为矩形的晶片的基底(3)布置在基底载体(31)中。经由涂覆装置(4)的气体导入装置将气体流(511)注入基底表面与涂覆装置(4)之间的空间中。没有通过涂覆装置沉淀到基底表面上的多余的气体通过根据本发明的气体抽走装置(1)从涂覆室中引出。在外管(12)内部存在有两个在传输方向(32)上相继地放置的分开的内管(11)。内管(11)的每个区段分别具有吸入开口(111)。抽走流(1121)在离涂覆室的壁最近的端部上从内管(11)的每个区段中引出。通过内管(11)和抽吸开口(111)的相匹配的位置的错开的布置可以实现关于基底(3)的相互重叠的抽吸流。
图7示意性地示出了根据本发明的气体抽走器如何与涂覆装置(4)相结合地使用。基底(3)在涂覆装置(4)下方水平地运动经过。从涂覆装置(4)逸出的涂覆材料是气态的并且沉淀到基底(3)上。多余的涂覆材料通过两个在传输方向(32)上看位于涂覆装置(4)之前和之后的气体抽走器(1)平行于基底表面地被抽走。在此，气体抽走器(1)以如下方式设计，即，外管(12)具有朝向两个相邻的涂覆装置(4)的开口。当相邻的涂覆装置的气体是相同的或者至少彼此不起反应时，这是特别有利的。
图8示意性地示出了如下实施方式，在该实施方式中，每个涂覆装置(4)都配属有气体抽走器(1)。在涂覆装置(4)与基底(3)的表面之间布置有遮蔽物(62)，该遮蔽物具有开口(621)。以该方式确保了涂覆材料的大部分沉积在基底(3)上，而不会沉积在基底载体(31)的边沿区域上。此外，遮蔽物(62)的开口几何结构可以以如下方式进行匹配，即，不仅在层厚度均一性方面而且在层组成方面都实现了特别均一的层沉积。
图9示意性地示出了根据本发明的气体抽走器的设计方案，该气体抽走器具有内管(11)，该内管具有圆形的横截面。在此，内管(11)被矩形的导板设施(115)包裹。在图示中，内管(11)的吸入开口(111)和导板设施(115)的开口(1151)是全等的。通过内管(11)相对导板设施(115)的轴向扭转可以限定地调整出两个开口(111和1151)共同的、重叠的开口几何形状。因此，例如可以实现对气体流阻力的并且进而也是对气体流轮廓的极为有效的细微修正。导板设施(115)也可以按如下形式实施，即，例如从基底侧来看，导板设施大约仅达到内管(11)的半径。因此，导板设施具有近似U形板的形状，该U形板例如可以侧向紧固在内管(11)上，并且该U形板相对基底侧具有闭合的底部。于是，导板设施不具有开口(1151)。
图10以相邻的呈镜像对称的设计方案示出了根据图9的结构。以该方式产生了不仅沿着传输方向而且还有逆着传输方向抽走气体的气体抽走器，但在此却适用于不同的气体类型。
图11示意性地示出了管套管的结构形式，该结构形式具有如下的管，这些管具有圆形的横截面。在此，用于气体流(2)的迷宫形成以如下方式实现，即，使内管(11)的吸入开口(111)离外管(12)的抽吸开口(121)尽可能远。
图12示意性地示出了根据本发明的气体抽走器的设计方案，该气体抽走器具有如下的管，这些管具有圆形的横截面，该横截面与根据图11的横截面是对等的。但在该情况下，气体抽走器(1)以如下方式设计，即，外管(12)具有被划分开朝向两个相邻的涂覆装置(4)的吸入开口(121)。当相邻的涂覆装置的气体是相同的或者至少彼此不起反应时，这是特别有利的。
图13相应于图12的图示，其中，在此没有将吸入开口(121)划分开，而是在朝相邻的涂覆装置的每个方向上都实现了一个自己的抽吸开口(121)。
图14示意性地示出了根据本发明的气体抽走器如何可以在用于对基底(3)的前侧和背侧进行依次涂覆的涂覆室(6)中使用。基底(3)支承在基底载体(31)中并且在该基底载体上沿传输方向(32)进入涂覆室(6)中。通过具有遮蔽开口(621)的遮蔽物将涂覆装置(4)与基底表面分隔开。遮蔽开口(621)释放了待涂覆的区域(基底)，并且遮盖住了基底载体的例如不期望被涂覆的大部分(例如外部框架)。此外，遮蔽物还导致了基底上侧与遮蔽物之间的流动阻力的提高。由此，多余的气体更易于被根据本发明的气体抽走器捕获，并且在可能侵入基底(3)下侧的涂覆区域中以前，就从涂覆室(6)中去除掉。现在基底载体(31)与基底(3)一起继续运动到涂覆室(6)的对基底(3)背侧进行涂覆的部分中。原则上，该部分与用于涂覆上侧的部分是相同的，但却是从下方进行涂覆。在此，通过遮蔽物而提高的流动阻力也负责使用于下侧的涂覆气体不会或几乎不会侵入用于上侧的涂覆区域中。在所示的结构形式中，用于涂覆上侧和下侧的涂覆区域彼此分开地经由自己的真空生成器(61)进行抽气。涂覆区域在涂覆室(6)中通过中间壁(9)分隔开。为了对基底(3)和基底载体(31)进行调温设置有加热板(7)。辐射护罩(8)用于在基底载体(31)的方向上的高效的加热作用，并且减少了朝室壁的辐射损耗。
图15示意性地示出了涂覆装置的特别节省安置位置的实施方式。两个处理室(6)上下叠置地布置。在此，基底(3)也是通过遮蔽物(62)与涂覆装置(4)分开的。在此，示例性地示出了气体抽走器的根据本发明的设计方案的优点：具有泵出装置相对处理室(6)室壁的轴向布置。
原则上，所描述的附图的最主要的特征也可以彼此组合。在加工室内部也可以使用多个相同的或者不同的根据本发明的气体抽走装置。也可以将多个加工室相继地组装成更复杂的加工系统。根据本发明的抽走装置的不同的可以实现的功能，例如限定的气体抽走、气体流动轮廓匹配或者气体分离都可以单独实现或也可以组合地实现。
附图标记列表
1 气体抽走装置
11 内管
111 内管的吸入开口
112 真空泵的联接开口
1121 来自内管的真空泵抽走流
113 内管中的轴向中间壁
1131 在内管中的轴向中间壁中的开口
114 内管中的径向中间壁
115 导板设施
1151 在导板设施上的开口
12 外管
121 外管的抽吸开口
123 外管中的轴向的中间壁
124 流动导板
2 气体流
21 在外管和内管之间的中间空间
3 基底
31 基底载体
32 传输方向
4 涂覆装置
41 涂覆气体
42 等离子体
5 气体导入装置
51 流入的气体
511 在涂覆室中的气体流入
6 涂覆室
61 涂覆室的真空生成器
62 遮蔽物
621 遮蔽物的开口
7 加热板
8 辐射护罩
9 涂覆室中的中间壁

Claims (17)

1.一种用于在真空涂覆设备中的气体运动的装置，所述装置具有
-至少一个涂覆室，所述涂覆室具有至少一个涂覆区域，
-传输装置，所述传输装置用于在传输方向上将平面的基底传输到所述涂覆室中，并且用于在所述涂覆室中保持所述基底，
-针对每个涂覆区域至少一个涂覆装置，所述涂覆装置放出气态的涂覆材料，其中，所述涂覆装置的长度至少相应于所述基底的宽度，
-针对每个涂覆区域至少一个抽走装置，其中，所述抽走装置
基本上平行于所述涂覆装置延伸并且至少具有所述涂覆装置的长度，
至少与泵联接，所述泵适合用于在所述抽走装置内部相对于所述涂覆室的内部压力生成低压，
其特征在于，
-所述至少一个泵以所述抽走装置的轴向延长部的形式与所述抽走装置联接，
-所述抽走装置具有一个或多个抽吸开口，
-所述抽走装置具有至少两个轴向的区域，所述区域的抽走特征能彼此分开地进行调整。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述抽走装置内部设置有至少一个扩散器机构。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述扩散器机构是迷宫，所述迷宫以如下方式设计，即，使所述迷宫在所述抽走装置的直线方向上具有远小于周向上的压力损耗的压力损耗。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述迷宫以如下方式形成，即，在所述抽走装置内部布置有内管，所述至少一个泵与所述内管联接，并且所述内管沿着其纵向延伸部具有一个或多个吸入开口，所述吸入开口远离所述抽吸开口。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述吸入开口能在其开口宽度上进行变化。
6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述内管能沿着其整个长度扭曲。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述内管在至少一个部位上借助中间壁与所述抽走装置的外管刚性连接，并且所述内管的在此产生的内管区段能够彼此独立地在周向上扭曲。
8.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述迷宫以如下方式形成，即，在所述抽走装置内部布置有内管，所述内管通过分隔壁划分开，并且通过分别布置在所述内管的端部上的泵实现抽走。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述分隔壁近似居中地布置并且/或者能轴向移动。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述分隔壁轴向固定地布置，并且由此将所述内管划分成两个内管区段。
11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述内管区段能够彼此分开地绕其纵向轴线转动。
12.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述内管区段是能扭曲的，并且能够彼此分开地在周向上扭转。
13.根据上述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述抽走装置在其外侧上具有流动导板。
14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述流动导板在所述抽走装置上能轴向移动。
15.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述内管在其外侧上承载有流动导板，所述流动导板影响流过所述吸入开口的流动。
16.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，所述流动导板能轴向在所述内管上移动。
17.根据权利要求4-12、15和16中任一项所述的装置，其特征在于，所述内管配设有至少一个转动驱动器，所述转动驱动器使所述内管完全地或以区段形式在所述基底的处理过程中绕所述内管的纵向轴线扭转。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012213095A1 (de) * 2012-07-25 2014-01-30 Roth & Rau Ag Gasseparation
CN108728795B (zh) * 2017-04-13 2021-06-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种工艺设备
US20190330734A1 (en) * 2018-04-25 2019-10-31 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Method of coating heat transfer components to impart superhydrophobicity
CN112391597B (zh) * 2020-10-30 2022-12-30 北京七星华创集成电路装备有限公司 半导体工艺设备
US11469072B2 (en) * 2021-02-17 2022-10-11 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam apparatus, scanning electron microscope, and method of operating a charged particle beam apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1411516A (zh) * 2000-03-06 2003-04-16 Lg电子株式会社 等离子聚合装置中的供气和排气系统
CN1636079A (zh) * 2000-11-16 2005-07-06 液体空气乔治洛德方法利用和研究的具有监督和管理委员会的有限公司 在其中实现一种需要控制一个腔室内气体环境的作业的设施
US7537662B2 (en) * 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
CN101443473A (zh) * 2006-05-08 2009-05-27 应用材料股份有限公司 利用近似处理隔离来涂覆基板的装置和方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD214865A1 (de) 1983-05-04 1984-10-24 Fi M V Ardenne Dresden Verfahren und einrichtung zur herstellung von schichtsystemen auf flachglas
US4949669A (en) * 1988-12-20 1990-08-21 Texas Instruments Incorporated Gas flow systems in CCVD reactors
DE4303462C2 (de) 1992-03-30 1994-03-31 Leybold Ag Mehrkammerbeschichtungsanlage
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
US7515264B2 (en) * 1999-06-15 2009-04-07 Tokyo Electron Limited Particle-measuring system and particle-measuring method
US6626997B2 (en) * 2001-05-17 2003-09-30 Nathan P. Shapiro Continuous processing chamber
JP3913646B2 (ja) * 2002-08-30 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
DE102005045582B3 (de) * 2005-09-23 2007-03-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen Gasphasenabscheidung unter Atmosphärendruck und deren Verwendung
WO2007059749A1 (de) 2005-11-21 2007-05-31 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Trenneinrichtung für prozesskammern von vakuumbeschichtungsanlagen und vakuumbeschichtungsanlage
US20090304924A1 (en) * 2006-03-03 2009-12-10 Prasad Gadgil Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films
DE102008026001B4 (de) * 2007-09-04 2012-02-16 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Bearbeitung von Schichten auf Substraten unter definierter Prozessatmosphäre und Heizelement
CN101981668A (zh) * 2008-03-26 2011-02-23 东京毅力科创株式会社 处理腔室的排气流量的控制方法以及处理装置
DE102010028734B4 (de) 2009-05-08 2021-07-22 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Gasseparationsanordnung einer Vakuumbeschichtungsanlage
EP2281921A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for atomic layer deposition.
EP2481830A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus for atomic layer deposition.
EP2481833A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus for atomic layer deposition
EP2481832A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus for atomic layer deposition
DE102012213095A1 (de) * 2012-07-25 2014-01-30 Roth & Rau Ag Gasseparation
JP6334880B2 (ja) * 2013-10-03 2018-05-30 Ｊｓｗアフティ株式会社 原子層堆積装置および原子層堆積方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1411516A (zh) * 2000-03-06 2003-04-16 Lg电子株式会社 等离子聚合装置中的供气和排气系统
CN1636079A (zh) * 2000-11-16 2005-07-06 液体空气乔治洛德方法利用和研究的具有监督和管理委员会的有限公司 在其中实现一种需要控制一个腔室内气体环境的作业的设施
US7537662B2 (en) * 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
CN101443473A (zh) * 2006-05-08 2009-05-27 应用材料股份有限公司 利用近似处理隔离来涂覆基板的装置和方法

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Publication number Publication date
DE102012213095A9 (de) 2014-04-10
US20150225847A1 (en) 2015-08-13
DE102012213095A1 (de) 2014-01-30
KR20150036764A (ko) 2015-04-07
MY170266A (en) 2019-07-15
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CN104508177A (zh) 2015-04-08
US9556517B2 (en) 2017-01-31
WO2014016297A1 (de) 2014-01-30
EP2877610B1 (de) 2016-05-11
KR102164423B1 (ko) 2020-10-12

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