CN104968831A - 通过可调整的分离墙进行的气体分离 - Google Patents

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Abstract

描述了一种用于涂布薄膜于柔性基板上的设备。此设备包括涂布鼓轮及气体分离单元，涂布鼓轮具有外表面，用于导引柔性基板通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域，气体分离单元用于分离第一真空处理区域与至少一第二真空处理区域，且适用于形成狭缝，柔性基板可通过涂布鼓轮的外表面与气体分离单元之间的所述狭缝，其中气体分离单元适用于通过调整气体分离单元的位置来控制在第一处理区域与第二处理区域之间的流体连通。

Description

通过可调整的分离墙进行的气体分离
发明技术领域
本发明的实施例是有关于一种薄膜处理设备，特别是有关于沉积系统，且更特别是有关于卷对卷(roll-to-roll，R2R)沉积系统与用于操作所述系统的方法。本发明的实施例特别是有关于在卷对卷系统中的气体分离与在卷对卷系统中气体分离的方法，特别是用于涂布薄膜于柔性的基板上的设备与提供在沉积设备的两个沉积源间的气体分离的方法。
发明背景
处理例如是塑料膜或箔的柔性的基板在封装工业、半导体工业及其他工业中有高度的需求。处理可由以所需材料涂布柔性的基板组成，所需材料例如是金属，特别是铝。执行此项工作的系统一般包括处理鼓轮(processing drum)，所述处理鼓轮耦接于处理系统以传输基板，且至少部分的基板于所述处理鼓轮上进行处理，处理鼓轮例如是圆柱滚轮。卷对卷涂布系统可藉此提供高产量系统。
一般来说，例如是热蒸镀工艺的蒸镀工艺可利用来沉积金属的薄层，而可在柔性的基板上进行金属化。然而，卷对卷沉积系统也在显示器工业及光伏(photovoltaic，PV)工业面临需求大量增加的情况。举例来说，触控面板元件、柔性显示器，以及柔性PV模块致使对卷对卷涂布机中进行沉积合适层的需求增加，特别是以低制造成本的情况来说。然而，此种装置一般具有数层，此些层一般以化学气相沉积(CVD)工艺制造并特别也以等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)工艺制造。
以不同混合气体及/或不同工作压力作用的数种CVD、PECVD及/或物理气相沉积(PVD)源的结合面临对优越的处理气体分离的需求，以在接续的工艺步骤中避免交叉污染效用(cross contamination effects)且确保长期工艺的稳定性。因此，就与此技术领域的状态相较，气体分离水平应通过至少数个数量级来有利地改善。一般来说，沉积复杂的薄膜层结构是接续地在不同R2R涂布机中进行，各R2R涂布机针对特殊沉积技术的需求来进行设计。然而，此概念导致了用于制造设备的高持有成本(costs of ownership，CoO)。
在一些卷对卷涂布机器中，例如是溅镀隔间(compartments)的隔间可通过狭缝来分离，狭缝依循涂布鼓轮的曲率。气体分离强烈地取决于涂布鼓轮与气体分离单元间的狭缝的宽度，且取决于狭缝的长度。当狭缝的宽度尽可能的小时，达到最佳的气体分离因子(gas separation factor)。狭缝的宽度决定于气体分离单元的调整、塑料膜的厚度及涂布鼓轮的温度。由于涂布鼓轮的直径因温度而增加，气体分离的狭缝被调整而用于最大的特定涂布鼓轮温度(例如是80℃)及最大的塑料膜厚度(例如是高达500微米)。如果较薄的膜及较低的鼓轮温度要以此安排进行处理，对于已给定的工艺条件来说，唯一改善此情况的方式是对气体分离墙进行新的几何调整。若此举完成，机械的操作者必需知道，在不同的工艺条件下，例如是较高的涂布鼓轮温度的情况中，涂布鼓轮的直径将膨胀，且分离墙将有机会物理上地触碰到转动的涂布鼓轮。此对操作者来说是极大的失误，因为涂布鼓轮被刮伤且涂布鼓轮长时间且昂贵的重工无法避免。因此，用于低涂布温度的气体分离调整在现实生活中几乎无法完成。
相较于液晶显示器(liquid crystal displays，LCD)，有机发光二极管(OLED)显示器基于较快的反应时间、较大的视角、较高的对比、较轻的重量、较低的功率，及对柔性的基板的适应性(amenability)而在近期的显示器应用中得到大量的关注。除了用于OLEDs中的有机材料之外，许多用于小分子、柔性有机发光二极管(flexible organic light emitting diode，FOLED)及高分子发光二极管(polymer lightemitting diode，PLED)显示器的聚合物材料也发展出来。许多有机及聚合物材料是柔性的，以用于在各种基板上制造复杂、多层装置，这使得它们在用于各种透明多色显示应用是相当理想的，透明多色显示应用例如是薄的平面显示器(flatpanel displays，FPD)、电激发有机激光(electrically pumped organic lasers)，及有机光放大器。
多年来，在显示装置内的数层逐渐发展成数层中的各层提供不同的功能。沉积数层于数个基板上可能需要数种处理腔体。传输数个基板通过数个处理腔体可能减少基板的产能。因此，在此领域中，用于处理此种OLED结构及其他现代化更精密装置的有效方法及设备是有需求的，以确保最大的基板产量且减少基板传输。
发明概要
有鉴于上述，根据独立权利要求的用于涂布薄膜于柔性的基板上的设备，以及根据独立权利要求的在沉积设备的两个沉积源间提供气体分离的方法被提供。本发明的其他方面、优点，及特性通过从属权利要求、说明书，以及所附图式而更为清楚。
根据一实施例，提供了一种用于涂布薄膜于基板上的设备。此设备包括：基板支撑件，具有外表面，用于导引基板通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域；气体分离单元，用于分离第一真空处理区域与至少一第二真空处理区域，且适用于形成狭缝，基板可通过基板支撑件的外表面与气体分离单元之间的狭缝；其中气体分离单元适用于控制在第一处理区域与第二处理区域之间的流体连通，其中流体连通通过调整气体分离单元的位置来控制。
根据另一实施例，提供了一种在沉积设备的两个沉积源之间提供气体分离的方法。此方法包括于基板支撑件的上方导引基板通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域；以及通过调整气体分离单元的位置来控制于第一处理区域及第二处理区域间的流体连通，特别是其中所述位置根据基板支撑件的温度及/或位置来变化。
附图说明
为了可详细地了解本发明上述的特性，简要摘录于上的本发明更具体的说明可参照实施例。附图有关于本发明的实施例且说明于下：
图1绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的卷对卷沉积设备的示意图；
图2绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的其他卷对卷沉积设备的示意图；
图3A及图3B绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的其他卷对卷沉积设备的不同示意图；
图4绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的其他卷对卷沉积设备的示意图；
图5绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的其他卷对卷沉积设备的示意图；
图6绘示根据此处所述实施例的在卷对卷沉积系统及设备中使用的沉积源的示意图；
图7绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜于柔性的基板上的其他卷对卷沉积设备的示意图；
图8绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的其他卷对卷沉积设备的示意图；
图9绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜的卷对卷沉积设备的真空腔体的内部的示意图；
图10绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的其他卷对卷沉积设备的示意图；
图11A至图11C绘示根据此处所述实施例的卷对卷沉积设备中的气体分离单元的气体分离概念的示意图；
图12绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且在三维视角中显示气体分离单元概念的卷对卷沉积设备的沉积源的示意图；
图13A及图13B绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有等离子体沉积源的其他卷对卷沉积设备的不同示意图；
图14A及图14B绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有等离子体沉积源的其他卷对卷沉积设备的不同示意图；
图15绘示根据此处所述实施例的用于气体分离及/或基板处理的方法的流程图，其中改变源元件的位置以调整源元件与基板的距离；以及
图16绘示根据此处所述实施例的用于沉积薄膜于基板上的方法的流程图，所述方法包括分离气体入口。
实施方式详述
有关本发明的多种实施例将详细地说明，一或多个本发明的多种实施例的例子绘示于图中。在下述附图的说明中，相同的参考编号意指相同的元件。一般来说，仅有有关于个别实施例的不同之处进行说明。各例子是以对本发明进行解释的方式来提供，且并非意指为本发明的限制。再者，作为一实施例的一部分所说明或描述的特性可用于其他实施例或与其他实施例结合，以取得再其他的实施例。可预想的是，说明书包括此种调整与变化。
值得注意的是，在此处所述实施例中使用的柔性的基板或软板(web)可代表性的以可弯折做为特性。名称“软板”可与名称“条状物(strip)”和名称“柔性的基板”以同义的方式使用。举例来说，此处所述实施例中的软板可为箔(foil)或另一柔性的基板。然而，如同下述更详细的说明，此处所述实施例的优点也可提供用于其他连续式沉积系统(inline-deposition systems)的非柔性的基板或载体。然而，可理解的是，特定的优点可用于柔性的基板及用于在柔性的基板上制造装置的应用。
图1绘示沉积设备100。沉积设备100包括腔体102，腔体102一般可提供成使得真空可在腔体中产生。藉此，数种真空处理技术，且特别是真空沉积技术，可用于处理基板或沉积薄膜于基板上。如图1所示，且参照此处，沉积设备100为卷对卷沉积设备，支承受导引且处理的柔性的基板106。然而，根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，此处所述的气体分离的数个方面、细节，与特性可也应用于其他沉积设备，其中玻璃基板、晶圆，或另一可为非柔性或提供于非柔性的载体中的基板被进行处理。
柔性的基板106于图1中导引至腔体102中，如箭头108所示。举例来说，柔性的基板106可从放卷站(unwinding station)导引至腔体102内。柔性的基板通过滚轮104导引至基板支撑件110，基板支撑件110配置用以在处理及/或沉积期间支撑基板。如图1中所示，特别是对于卷对卷沉积设备来说，基板支撑件可为涂布鼓轮。基板106从涂布鼓轮110导引至其他滚轮104且至腔体102外，如第二个箭头108所示。
图1中所绘示的实施例包括两个沉积源130。沉积源130提供于处理区域中，其中通过涂布鼓轮所支撑的基板在对应的区域内进行处理。然而，可理解的是，根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，可提供两个或更多个沉积源130。举例来说，可提供四个、五个、六个，或甚至更多的沉积源，更多的沉积源例如是8、10或12个。通过气体分离单元120，处理区域与相邻的处理区域或腔体102中的其他区域分离。
根据此处所述实施例，气体分离单元120被配置以具有可变化的位置，如箭头126所示。气体分离单元120一般包括墙122，墙122避免在一处理区域中的气体进入相邻区域，例如是相邻的处理区域。气体分离单元120的元件124提供气体分离单元120与基板106间的狭缝。藉此，元件124定义狭缝的长度且元件124的位置定义气体分离单元120与基板106间的狭缝的宽度。
根据此处所述实施例，提供了用于涂布薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑件及气体分离单元，基板支撑件具有外表面，外表面用于自至少一第二真空处理区域导引基板通过第一真空处理区域，气体分离单元用于分离第一真空处理区域与至少第二真空处理区域，且适用于形成狭缝，基板可通过基板支撑件的外表面与气体分离单元间的狭缝，其中气体分离单元适用于控制在第一真空处理区域与第二真空处理区域之间的流体连通(fluid communication)，且其中流体连通通过调整气体分离单元的位置来控制。
图2绘示另一沉积设备100，且用以说明本发明的再其他实施例。绘示于图2中的沉积设备100包括滚轮104及处理鼓轮或涂布鼓轮110。类似有关于图1所说明的例子，当基板106传输通过沉积设备100时，涂布鼓轮110绕着轴111转动。在绘示于图2中的腔体102中，狭缝宽度监控装置以光学测量装置342的形式绘示。相机或其他类似的装置可用以测量在气体分离单元120与基板106之间的狭缝的宽度。狭缝宽度监控装置通过信号线343连接于控制器340。控制器340以信号线341连接于各气体分离单元120的致动器226。致动器226可改变气体分离单元120的位置，且特别是元件124的位置，如箭头126所示。
根据可与此处所述其他实施例结合的不同实施例，气体分离单元120的致动器226可选自由电动马达(electrical motor)、气压致动器、线性驱动器、液压致动器，及支撑件所组成的群组，气压致动器例如是气压缸，液压致动器例如是液压缸，当支撑件暴露于预设的加热或冷却的状态下时，支撑件具有预设的热膨胀系数，如有关于图3A及图3B的更详细的说明。
有鉴于上述，当腔体102关闭且当沉积设备100进行操作时，气体分离单元的狭缝的宽度可调整。因此，由于例如是涂布鼓轮110的基板支撑件的热膨胀，狭缝的宽度的变化可进行补偿，且气体分离单元的狭缝的宽度可依照各别的操作条件调整。
这在需要高度气体分离的应用中特别有用，例如PECVD工艺。因此，此处所述的且具有用于各种沉积源的隔间的设备允许于单一沉积设备中结合数种CVD、PECVD及/或PVD工艺的模块，单一沉积设备例如是R2R涂布机。其中包括需要非常良好的气体分离的所有种类的沉积源可用于根据此处所述的沉积设备中的模块化概念有助于降低用于沉积复杂的层堆叠的成本，沉积复杂的层堆叠必需应用不同沉积技术或复杂的工艺参数的结合。
一般来说，根据可与此处所述其他实施例结合的不同实施例，等离子体沉积源可适用于沉积薄膜于柔性的基板、玻璃基板或硅基板上，柔性的基板例如是软板或箔。一般来说，等离子体沉积源可适用于且可应用于沉积薄膜于柔性的基板上，以例如形成柔性的薄膜晶体管(TFT)、触控屏幕装置元件，或柔性的PV模块。
再者，此处所述实施例就下述方面可具有优点：许多工艺进行需要低涂布鼓轮温度，大约是0℃。在低温时，如果使用薄塑料膜(例如50微米)时，已调整成用于较高的涂布鼓轮温度的固定狭缝的宽度在1.5至2.0mm等级。在此情况中，气体分离因子通常低于用于机械的特定的气体分离因子(1:100)。此对于工艺进行相当关键，其中诸层材料是以不同反应气体成分在相邻处理区域中进行沉积的，处理区域例如是溅镀腔体。此条件举例来说可能适用于沉积Nb2O5及ITO的期间。例如对于制造触控面板可能就是这种情况。因此，此处所述实施例可特别是用于制造此装置的应用。
此处所述实施例提供在沉积系统中调整的气体分离单元，且特别是在R2R溅镀涂布机中。气体分离单元的位置可例如是通过电动马达或替换的机械装置(alternative mechanical device)调整。用于调整及/或变化气体分离单元的元件124的位置的致动器可远程控制。此可为提供于机械腔体的外部的控制器或控制接口。如果范例性绘示于图2中的感测单元被提供以测量涂布鼓轮与气体分离单元间的距离，狭缝的宽度可自动化调整。因此，改良或优化的气体分离因子可随时提供。当涂布鼓轮的温度增加时，此举还可避免刮伤涂布鼓轮的风险。
如同上述，实施例说明在机械操作期间调整气体分离单元，特别是自动调整或“自我(self)”可调整的气体分离墙。此可也应用于连续式显示机械，其中玻璃基板或用于一或数个任何种类基板的载体从沉积隔间传输至相邻隔间。此可应用于溅镀沉积，以及CVD及PECVD沉积，且特别应用于处理气体包括反应气体成分的沉积，其中反应气体成分部分或完全含括至将进行沉积的层中。类似于溅镀软板涂布机(R2R涂布机)，对于在反应气体中进行层沉积来说，气体分离是重要的。通过使用自我可调整或自动可调整的气体分离单元，狭缝的宽度可根据玻璃基板的不同厚度值改变。改善的气体分离因子也可影响涂布机械的设计。在两个隔间之间的气体分离单元的长度可减少，换言之，狭缝的长度及/或例如是绘示于图1及图2中的元件124的长度可减少。此对减少机器的长度、成本，及占有空间有所影响。
根据用于操作及使用此处所述的沉积设备的再其他实施例，可提供用于超高阻隔堆叠(ultra high barrier stacks)或柔性的TFT装置的层沉积或层堆叠沉积。超高阻隔堆叠或柔性的TFT装置一般包含一系列以PECVD或PVD工艺或其组合进行沉积的层。因为对不同膜有高质量的需求，在用于各单一膜的特定设计系统中沉积单一层是常见使用的方式。为了降低成本且让应用是商业上可使用的，于单一涂布机中结合至少数个部分或组合的膜的沉积是一种改进。根据此处所述实施例，提供了允许数种工艺模块的组合的模块概念。藉此，根据此处所述实施例，气体或工艺分离可通过一或数个不同技术的结合来实现，一或数个不同技术的结合让气体分离以较先前系统高出许多的分离因子进行，且特别甚至用于在相同设备进行不同工艺的变化。有鉴于上述，根据此处所述的一些实施例，提供了用于OLED显示器及/或照明、弯曲太阳能电池(flex solar)，或其他需要保护免受相邻环境影响的电子装置的柔性超高阻隔。举例来说，此可包括用于柔性的TFT的蚀刻停止(etch stop)、栅介电、通道、源栅与漏极的沉积。
另一沉积设备100参照图3A及图3B做说明。类似于先前说明的设备，基板106如同箭头108所示导引于滚轮104及涂布鼓轮110的上方。沉积源130提供于数个处理区域中。此些处理区域通过气体分离单元120分隔。根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，气体分离单元120与基板106间的狭缝的宽度可通过气体分离单元的支撑件的配置来调整，狭缝的宽度通过气体分离单元120的元件124决定。图3A及图3B绘示数个碟件310，此些碟件310具有实质上相同于涂布鼓轮110的直径。虽然涂布鼓轮110在图3A中绘示成略为较大，此主要用于说明的目的，而涂布鼓轮110与碟件310可具有相同的直径。碟件310固定于轴111。藉此，在涂布鼓轮110转动期间，碟件310保持静止，也就是说，碟件310并不会与涂布鼓轮110一起转动。
气体分离单元或相应的墙元件322通过连接元件312连接于碟件310。因此，根据一些实施例，连接元件312决定狭缝20的宽度。根据可与此处所述其他实施例结合的选择性的实施例，碟件310、连接元件312及墙元件322可也提供做为一个一体单元(integral unit)，或者碟件310及连接元件312或者墙元件322及连接元件312可提供做为一体成型的单元。
如果涂布鼓轮110的温度变化，涂布鼓轮110的直径改变。因此，狭缝20的宽度受到涂布鼓轮的直径的变化影响，且根据此处所述实施例可提供对狭缝的宽度的调整。具有碟件310及连接元件312的气体分离单元120的支撑件提供对狭缝20的宽度的调整，如箭头326所示，连接元件312可选择性与碟件310一体成型。藉此，根据一些实施例，碟件310可通过涂布鼓轮110被动加热或被动冷却。因此，碟件310可以一温度提供，此温度本质上相同于涂布鼓轮110的温度，举例来说，碟件310的温度可从涂布鼓轮110的温度变化+-10℃。因此，碟件310也历经热膨胀，使得碟件310的热膨胀跟随涂布鼓轮110的热膨胀。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，碟件310或用于气体分离单元120的类似支撑件可额外地或选择性地提供有冷却通道或加热元件。藉此，碟件310的温度可单独地控制。因此，碟件310的热膨胀的控制可独立于涂布鼓轮的温度之外。藉此，可调整狭缝20的宽度。
有关涂布鼓轮或处理鼓轮的温度可考虑下列的方面。
l＝l0·(1+α·θ)    l0＝在θ＝0℃时的长度
在不锈钢的热膨胀系数为αss＝0.000016K-1以及铝的热膨胀系数为αAl＝0.0000238K-1，则可得出α鼓轮/α碟件＝0.6723。藉此，举例来说，268.91℃的碟件温度可提供以对应于400℃的鼓轮温度，且补偿在400℃的鼓轮的热膨胀。
对于一些实施例来说，当碟件310由具有相同于涂布鼓轮110的热膨胀系数的材料组成或由相同于涂布鼓轮110的材料组成，且如果碟件310的温度可控制成本质上相同于涂布鼓轮110的温度时，热膨胀(见例如箭头326)本质上相同。因此，狭缝20的宽度仅通过连接元件312的热膨胀而变化。首先，连接元件312的长度短于涂布鼓轮的半径。因此，狭缝的宽度的变化相对于热膨胀来说大量地减少。第二，根据一些实施例，选择具有低热膨胀系数的连接元件312的材料，使得温度对连接元件312的热膨胀的影响可更进一步减少。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，碟件310的材料可选择为不同于涂布鼓轮的材料，且可选择具有不同于涂布鼓轮的热膨胀系数。藉此，对应于涂布鼓轮110的热膨胀的碟件310的热膨胀可通过不同温度来提供，使得无需在碟件310提供相同于涂布鼓轮110的温度。再者，特别是如果碟件310和连接元件312是一体成型时，不同的热膨胀系数可也对结合连接元件312的较大径向尺寸的碟件310进行补偿。一般来说，如上所述，通过独立于碟件310的径向尺寸或碟件制成的材料来调整或适配碟件310的温度，狭缝20的宽度有可能进行调整。
图3A及图3B所探讨的碟件310为圆形，类似于涂布鼓轮110的形状。然而，根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，用于支撑气体分离单元120的支撑元件也可为碟件、杆件，或其他形状的一部分。一般来说，气体分离单元120的支撑件连接于轴111，使得由箭头326所表示的热膨胀导致温度增加且在与涂布鼓轮110相较相同的方向中伸长。
虽然上述方面及细节有关于热膨胀，收缩可也于操作期间提供，举例来说，如果在较高温度的第一工艺后，处理鼓轮或涂布鼓轮冷却至较低的温度。因此，可理解的是，名称“膨胀”意指源自一元件的热膨胀系数的行为，换言之，热膨胀可具有正向或反向含意。
图4绘示再其他的沉积设备100的示意图。类似于此处所述其他沉积设备，基板106经由滚轮104及涂布鼓轮110导引通过两个或多个处理区域。藉此，涂布鼓轮110绕着轴111转动。图4绘示三个气体分离单元120，其中致动器226移动元件124，如箭头126所示。气体分离单元120在腔体102中形成两个或多个处理区域以及其他区域。根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，各处理区域及其他区域可彼此独立排气。举例来说，如图4中所示，各区域具有真空法兰(vacuum flange)402。沉积设备100配置成使得一或数个真空泵浦或真空泵浦布置可连接于各对应的真空法兰402。因此，各处理区域及/或各其他区域可独立地排气且根据所需的处理条件进行排气。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，此或此些沉积源130具有连接件432。连接件432可为电性连接件及/或用于输入及输出处理气体的连接件。根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，一或数个监控装置434可提供用于沉积源130。
一般来说，监控装置可为例如是在匹配电路后测量在沉积源的电极电压、电极电流，及等离子体阻抗的装置。气体流入沉积源的处理区域或流出沉积源的处理区域也可额外地或选择性地监控。举例来说，可分析在各别导管(conduit)及/或甚至混合气体的压力。如果狭缝的宽度增加，气体分离因子减少且相邻处理区域的处理气体可进入，藉此改变气体压力及混合气体，且等离子体条件因而改变。例如是测量在沉积源的电极电压、电极电流，及等离子体阻抗的监控装置434可利用来确定等离子体条件。有鉴于等离子体条件在涂布鼓轮110的直径增加时变化，举例来说涂布鼓轮110的直径由于热膨胀而增加，等离子体监控可利用来确定在源与涂布鼓轮之间的狭缝的宽度，以及一或数个气体分离单元的狭缝的宽度，涂布鼓轮也就是基板支撑件。
一或数个有关于狭缝的宽度及/或等离子体条件的对应信号可通过信号线343提供至控制器340。控制器340通过信号线341连接于致动器226，如图4中所示。因此，气体分离单元的狭缝的宽度可对应地调整。致动器226可为有关此处所述其他实施例所说明的任何形式的致动器。举例来说，此包括用于气体分离单元的支撑件的温度控制，其中支撑件连接于涂布鼓轮的轴111，使得支撑件的热膨胀可通过调整支撑件的温度来控制。
根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，监控装置可为CVD工艺监控器。举例来说，监控装置可测量由沉积源的电压、电流、相位、谐波、阻抗，或通过算法的等离子体密度所组成的群组的至少一个。对应的等离子体监控装置可用于清洁工艺的终点侦测、硅烷粉尘(silane dust)形成的通知，以及用于实时非侵入性工艺回馈，例如是用于系统控制算法的等离子体密度的形式的反馈。然而，根据此处所述一些实施例，额外的监控装置可用于确定PECVD源的电极与基板及/或对应的对电极(counter electrode)的距离，对电极位于基板后，举例是涂布鼓轮后。再者，监控装置可也测量其他因气体分离单元的狭缝宽度变化的处理气体变化。
因此，非侵略性等离子体特性方法(non-invasive plasma characterizationmethod)可通过阻抗传感器测量提供。根据不同实施例，阻抗传感器可为预先匹配(pre-match)或后匹配(post-match)传感器，也就是说，用于匹配电路或用于匹配电路后。藉此，监控传感器的后匹配架设提供电极的RF电压以及实际等离子体阻抗的直接信息。一般来说，可提供等离子体的电子“足迹(fingerprint)”，其中电极与基板的距离或者来自相邻区域的处理气体污染可确定。在相角及/或谐波信号振幅的差异可显示出处理条件中的些许改变，例如是工艺飘移(process drifts)的起始。因此，可提供入射于已供电的电极表面上的离子通量(ion flux)及等离子体密度的非直接信息，特别是通过测量供电沉积源的系统中的谐波来提供。
根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，等离子体辅助沉积源可于2MHz至90MHz的频率操作，举例为40.68MHz的频率，且集成阻抗传感器(integrated impedance sensor)可提供用于实时连续式工艺的监控并控制各别的工艺参数，例如是气体分离单元的狭缝的宽度及/或沉积源的电极与基板的距离。
图5绘示再其他沉积设备100的示意图。藉此，绘示于图5中的沉积设备主要对应于绘示在图3A中的沉积设备。有关图3A的细节、方面、特性，及实施例可也应用于图5中的沉积设备100且省略以避免重复。此外，根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，此些沉积源130或至少一沉积源130可提供有支撑元件512。藉此，支撑元件512机械式连接于碟件310或另一对应的支撑件，如同有关于图3A及图3B的说明。有鉴于支撑元件512连接于碟件310，沉积源130跟随碟件310热膨胀或收缩。因此，根据一些实施例，沉积源的位置可变化。一般来说，沉积源130的位置变化与涂布鼓轮的温度相关。因此，在沉积源和基板间的距离的调整可根据此处所述实施例提供。
有关图13A及图13B说明了其他沉积设备100。类似于先前说明的设备，基板106导引于滚轮104及涂布鼓轮110的上方，如箭头108所示。沉积源130提供于处理区域内。处理区域可通过气体分离单元120分隔。一般来说，沉积源包括电极531，电极531分别面对基板支撑件或基板。因此，沉积源或电极531以及基板106分别位于真空的处理区域的相对侧，等离子体于薄膜沉积期间在真空的处理区域中点燃。
根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，位于电极531与基板106之间的狭缝的宽度可通过气体分离单元的支撑件的配置来调整，位于电极531与基板106之间的狭缝的宽度也就是真空的处理区域的宽度。图13A及图13B绘示碟件310，碟件310具有本质上与涂布鼓轮110相同的直径。虽然在图13A中的涂布鼓轮110绘示为略为较大，此主要是为说明的目的，而涂布鼓轮110与碟件310可具有相同的直径。碟件310固定于轴111。藉此，碟件310在涂布鼓轮110转动期间保持静止，也就是说，碟件310并不会与涂布鼓轮一起转动。
沉积源、沉积源的电极或沉积源130的各别元件通过支撑元件512连接于碟件310，支撑元件512例如是连接元件。藉此，根据一些实施例，连接元件决定处理区域520的宽度。根据可与此处所述其他实施例结合的选择性的实施例，碟件310及连接元件可也提供作为一个一体单元。
如果涂布鼓轮110的温度在例如是薄膜沉积于基板上的基板处理期间变化，涂布鼓轮110的直径改变。因此，真空的处理区域520的宽度受到涂布鼓轮的直径的变化影响，且根据此处所述实施例可提供对电极与基板间的距离的调整，也就是说，提供对真空的处理区域的宽度的调整。具有碟件310及支撑元件512的等离子体沉积源130或相应电极531的支撑件提供对处理区域520的宽度的调整，如箭头526所示，支撑元件512例如是连接元件，可选择性与碟件310一体成型。藉此，根据一些实施例，碟件310可通过涂布鼓轮110被动加热或被动冷却。因此，碟件310可以一温度提供，此温度本质上相同于涂布鼓轮110的温度，举例来说，碟件310的温度可从涂布鼓轮110的温度变化+-10℃。因此，碟件310也历经热膨胀，使得碟件310的热膨胀跟随涂布鼓轮110的热膨胀。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，用于等离子体沉积源130的碟件310或类似的支撑件额外地或选择性地提供有冷却通道或加热元件。藉此，碟件310的温度可单独地控制。因此，碟件310的热膨胀的控制可独立于涂布鼓轮的温度。藉此，在电极与基板或基板支撑件表面间的距离的宽度可分别地调整。
对于一些实施例来说，当碟件310由具有相同于涂布鼓轮110的热膨胀系数的材料组成或由相同于涂布鼓轮110的材料组成，且如果碟件310的温度可控制成本质上相同于涂布鼓轮110的温度时，热膨胀(见例如箭头326)本质上相同。因此，狭缝20的宽度仅通过支撑元件512的热膨胀而变化，支撑元件512例如是连接元件。首先，连接元件的长度短于涂布鼓轮的半径。因此，狭缝的宽度的变化相对于热膨胀来说大量地减少。第二，根据一些实施例，选择具有低热膨胀系数的连接元件的材料，使得温度对连接元件的热膨胀的影响可更进一步减少。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，碟件310的材料可选择为不同于涂布鼓轮的材料，且可选择具有不同于涂布鼓轮的热膨胀系数。藉此，对应于涂布鼓轮110的热膨胀的碟件310的热膨胀可通过不同温度来提供，使得无需在碟件310提供相同于涂布鼓轮110的温度。再者，特别是如果碟件310和例如是连接元件的支撑元件512是一体成型时，不同的热膨胀系数可也对结合连接元件的较大径向尺寸的碟件310进行补偿。
图13A及图13B所探讨的碟件310为圆形，类似于涂布鼓轮110的形状。然而，根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，用于支撑沉积源或沉积源的电极的支撑元件可分别地也为碟件、杆件，或其他形状的一部分。一般来说，支撑件连接于轴111，使得由箭头526所表示的热膨胀导致温度增加且在与涂布鼓轮110相较相同的方向中伸长。
虽然上述方面及细节有关于热膨胀，收缩可也于操作期间提供，举例来说，如果在较高温度的第一工艺后，处理鼓轮或涂布鼓轮冷却至较低的温度。因此，可理解的是，名称“膨胀”意指源自一元件的热膨胀系数的行为，换言之，热膨胀可具有正向或反向含意。
如同前述有关于图5的说明，至少一沉积源130可提供具有支撑元件512且气体分离单元120可提供具有支撑件312。藉此，支撑件312机械式连接于碟件310或其他有关于图13A及图13B说明的对应的支撑件。有鉴于支撑件312连接于碟件310，气体分离单元120跟随碟件310而热膨胀或收缩。因此，根据一些实施例，气体分离单元的位置可也如此处所述的变化。
图6绘示沉积源630且用以说明根据此处所述实施例的沉积源的再其他实施例。沉积源630包括主体603。电极602通过主体支撑。电极602连接于匹配电路680，用以于沉积源630的处理区域内产生等离子体。藉此，等离子体可于操作期间产生在电极602及基板间。沉积源更包括气体入口612及排气出口614，气体入口612用以提供处理混合气体至处理区域内，排气出口614用以从处理区域去除处理混合气体。因此，处理气体从气体入口612流向排气出口614。图6绘示沉积源630的示意性的剖面图。一般来说，处理气体的入口及处理气体的出口可在垂直于图6的纸张平面的方向延伸。藉此，可提供数个开口或狭缝开口。一般来说，处理气体的入口及出口被提供以至少沿着将进行处理的基板的宽度延伸及/或至少沿着处理区域的所需长度延伸。一般来说，入口及出口将延伸至少略超过基板的最大宽度，以在将进行涂布的区域内提供均匀条件。
根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，沉积源及气体分离单元可做为一设备(arrangement)。举例来说，图6绘示固定于沉积源的主体603的气体分离单元620。藉此，气体分离单元的狭缝宽度的调整，以及电极602与基板之间的距离的调整可以一结合的方式提供。
如图6中所示，沉积源可连接于墙部分102，使得主体603与墙102的距离可变化。此以波纹管(bellows)632及634绘示。因此，主体603、电极602，及/或气体分离单元620可通过支撑件支撑，支撑件机械式接触于涂布鼓轮的轴。藉此，气体分离单元的狭缝的宽度以及电极602与基板之间的距离可调整。此例如是与图5的说明相关且是根据此处所述的数个实施例。再者，致动器可选择性提供于沉积源630的主体603与墙102之间，使得主体的位置且由此气体分离单元及电极的位置可变化，以调整与基板的距离。
图7绘示其他沉积设备700。柔性的基板106提供于第一滚轮764上，第一滚轮764例如是具有收卷轴。根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，将进行处理的柔性的基板可与隔离件(interleaf)706一同提供于第一滚轮764上。藉此，隔离件可提供于柔性的基板的相邻层之间，使得在第一滚轮764上柔性的基板的一层与柔性的基板的相邻层的直接接触可避免。柔性的基板106从第一滚轮764放卷，如由箭头108所示的基板移动方向。在柔性的基板106从第一滚轮764放卷时，隔离件706收卷于隔离件滚轮766上。
基板106接着移动通过沉积区域，沉积区域提供于涂布鼓轮110且对应沉积源730的位置。在操作期间，涂布鼓轮110绕着轴111转动，使得基板在箭头108的方向中移动。根据典型实施例，基板从第一滚轮764经由一个、两个或更多个滚轮104导引至涂布鼓轮，且从涂布鼓轮导引至例如具有收卷轴的第二滚轮764’，基板于处理后收卷于第二滚轮764’上。在处理之后，其他隔离件可从隔离件滚轮766’提供于柔性的基板106的层间，此处的柔性的基板106收卷于第二滚轮764’上。
基板106涂布有一或数层薄膜，换言之一或数层通过沉积源730沉积于基板106上。沉积发生于基板导引于涂布鼓轮110上时。绘示于图7中且可提供于此处所述实施例中的沉积源730包括两个电极702，电极702电性连接于匹配电路680，匹配电路680用以提供功率至电极。根据此处所述实施例的沉积源730可包括两个气体入口712以及一气体出口714，两个气体入口712位于沉积源的相对侧，气体出口714位于两个电极702之间。因此，处理气体的气体流可从沉积源730的外部流入沉积源的内部。如图7中所示且根据此处所述一些实施例，基板传输方向108平行于气体流动方向。
根据可与此处所述其他实施例结合的不同实施例，气体入口或气体出口可提供作为气烧孔机(gas lances)、气体通道(gas channels)、气体管道(gas ducts)、气体通路(gass passages)、气体管件(gas tubes)、导管(conduits)等。再者，气体出口可设置成泵浦的一部分，此泵浦从等离子体容积(plasma volume)中取出气体。
气体分离单元120提供于沉积源的至少一侧上，一般于沉积源的两侧上。藉此，气体分离单元的狭缝的宽度可根据此处所述任何实施例调整，气体分离单元的狭缝的宽度也就是元件与基板间的距离，所述元件例如是气体分离单元的绘示于图1至图5中的元件124。此外，可调整电极702相对于基板的距离。藉此，气体分离单元的支撑件可提供来调整与基板的距离，且具有电极于其中的沉积源可选择性提供来调整与基板的距离。
如尤其有关于图6及图7的说明，此处所述实施例尤其是有关于等离子体沉积系统，用于自等离子体相(plasma phase)沉积薄膜于移动的基板上。基板可在真空腔体中于基板传输方向中移动，其中等离子体沉积源设置在真空腔体，用于转换沉积气体至等离子体相中，且用于自等离子体相沉积薄膜于移动的基板上。
如图7中所示，且根据此处所述实施例，等离子体沉积源730可提供作为具有多区域电极装置的等离子体辅助化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapordeposition，PECVD)源，多区域电极装置包括两个、三个，或甚至更多个对着移动的基板布置的射频(RF)电极702。
各别的电极702各具有一电极宽度及一电极长度，其中电极宽度在平行于基板传输方向108中测量，且其中电极长度在垂直于移动的基板106的基板传输方向108中测量。
电极区域对应于等离子体区域，使得至少两个电极702的等离子体区域形成一结合的等离子体区域，结合的等离子体区域位于一个真空处理区域中。电极宽度可基于等离子体参数决定，等离子体参数例如是沉积气体流、等离子体压力、提供于相应RF电极的RF功率及RF频率，以及沉积气体消耗形态(depletionprofile)。根据再其他实施例，多区域等离子体沉积源可也提供而用于中频(MF)沉积。
各别电极702的电极长度可调整，使得电极长度超过移动的基板的横向长度，移动的基板的横向长度垂直于基板传输方向。虽然于本揭露中主要说明等离子体沉积工艺，可理解的是，根据此处所述实施例中的等离子体沉积源可也用于等离子体增强蚀刻工艺(plasma enhanced etching processes)、等离子体增强表面调整工艺(plasma-enhanced surface modification processes)、等离子体增强表面活化或去活化工艺(plasma-enhanced surface activation or deactivation processes)，以及本领域技术人员已知的其他等离子体增强工艺。
值得注意的是，名称“气体入口”表示气体供应至沉积区域(等离子体容积或处理区域)内，而名称“气体出口”表示沉积气体的气体释放或排出到沉积区域外。根据典型的实施例，气体入口712及气体出口714布置成本质上垂直于基板传输方向。
根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，绘示于图7中的沉积源730可于40.68MHz的频率操作。藉此，可达到耦接于等离子体电极的有效率功率(efficient power)，且离子轰击能量可减少，而产生较少的膜损害。此对于敏感的柔性基板会特别有用，敏感的柔性基板例如是箔或类似的结构。具有电极702的双电极源在没有喷头(showerhead)的情况中进行操作，且处理气体可从电极侧进行导引，而抽取电极侧的气体导致处理混合气体沿着移动的基板流动。根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，两个电极可以一个功率供应器以及一个匹配网络并联驱动，匹配网络也就是匹配电路。提供额外电极以扩大(scale up)沉积源也可行。
一般来说，此处所述实施例在不同工艺于相邻的处理区域或腔体中进行处理时特别有用，不同工艺例如是使用不同处理气体，例如是H2以及SiH4。藉此，需避免从一处理区域到其他处理区域的不需要的流动，反之亦然。对于例如是柔性的TFT、柔性的PV等有关于此处的一些应用及此处所述实施例有利的是需提供10000或以上的分离因子，这是一般的气体分离单元不可能达到的。根据一些实施例，气体分离单元的狭缝的宽度可如此处所述的变化。净化气体配置可额外地或选择性地提供。藉此，净化气体也可意指分离气体。净化气体的典型例子可为H2、例如是氩的惰性气体，或氮气。净化或分离气体在狭缝中的一方向中流动，此方向是指向与处理气体的不需要的气体流相反的方向。因此，根据一些实施例，气体分离可通过在两个处理电极之间的中间空间或中间区域提供，其中提供了净化或分离气体的入口以及排气或吸取出口。
根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，如果吸取或排气管道提供于相邻真空处理区域之间，在吸取或排气管道所提供的区域中的压力低于任何周围的处理区域中的压力。藉此，可避免来自吸取或排气管道的区域的污染气体进入任何处理区域。然而，此导致高流速的处理气体流向吸取或排气管道。因此，处理气体的损失，以及特别是未使用的处理气体的损失增加。此反而导致CoO增加。
为了避免此处所述沉积设备的不必要的处理气体的耗费，提供了用于净化气体的一或数个中间气体入口区域。一般来说，这一或数个中间气体入口区域可提供以环绕处理区域。一般来说，净化气体或分离气体可为氢，或用于在处理区域中作为处理气体的其他气体。根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，净化气体的流速调整成使得在中间气体入口区域的总压力仅略低于在处理区域中的压力。因此，可提供在处理区域外的受控的气体流动且气体的损失受到限制。藉此，在中间气体入口区域中的典型的总压力介于处理区域中的总压力的50％至99％之间，例如是75％至99％。
如图8中所示，提供了沉积源，沉积源例如是等离子体沉积源830。沉积源包括电极602。电极连接于匹配电路680，用于提供功率至电极。藉此，等离子体可在处理区域中点燃并维持。沉积源更包括气体入口612及排气出口614，气体入口612用以提供处理混合气体至处理区域中，排气出口614用以从处理区域去除处理混合气体。因此，处理气体从气体入口612流至排气出口614，如箭头801所示。图8绘示入口及出口的通道，而本质上垂直于以箭头801表示的气体流动方向的各别狭缝开口无法轻易地自图8中看见。根据典型的应用，可提供数个开口或狭缝开口。
在提供于电极602及基板之间的处理区域附近，可提供一或数个气体分离单元620。绘示于图8中的局部示意图显示出气体分离单元在电极602的三侧。根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，可提供一或数个分离气体入口842。如图8中所示，可提供两个分离气体入口。藉此，分离或净化气体提供于在分离气体入口842及气体分离单元620之间的中间气体入口区域中，如箭头843所示。其他的气体分离单元834被设置，以提供气体流动阻障。因此，如上所述的对应的压力可提供于此些区域中。虽然图8中并未绘示出来，如箭头843所示的分离或净化气体可也提供于为相邻等离子体沉积源所提供的净化气体的相反方向中。
一般来说，各沉积源及例如是真空处理区域的对应处理区域具有自身各自对应的真空泵浦或泵浦站，用以各区域的排气。再者，设备的壳体的腔体102包括共同的真空泵浦或泵浦站，也就是说，腔体包括各自的法兰。在操作期间，此泵浦站或真空泵浦用于提供整个腔体的压力，此压力低于其中一个中间气体入口区域中的最低压力。因此，可避免来自腔体的气体流入中间气体入口区域。再者，如上所述，可避免来自中间气体入口区域的气体流入处理区域。在此些边界条件下，压力及气体流速可调整以提供所需的气体分离因子。
根据此处所述一些实施例且如图8中所示，电极602可为弯曲电极。藉此，弯曲电极成形为具有与涂布鼓轮本质上固定的距离，涂布鼓轮用于在处理期间支撑基板。处理区域提供于涂布鼓轮的不同角位置。根据典型实施例，处理鼓轮或涂布鼓轮可配置以加热及/或冷却至20℃至400℃的温度。可用于不同处理应用的温度差异可产生处理鼓轮的热膨胀。热膨胀(正或负，负也就是如果鼓轮从较高的温度冷却至较低的温度而收缩)可在数个毫米的范围中。
如此处所述且根据一些实施例，气体分离单元、沉积源的电极，或包括沉积源、气体分离单元及分离气体入口的整个处理站中的至少一个以可移动的方式装配，使得在基板支撑件表面及相应元件之间的距离可变化。以圆柱涂布鼓轮的实施例来说，相应元件可以径向可移动的方式装配。
根据可与此处所述其他实施例结合的不同实施例，气体分离单元及沉积源的电极，或者是包括沉积源、气体分离单元及分离气体入口的整个处理站中的至少一个可用相应的波纹管来装配。气体分离提供于处理站及基板支撑件表面之间。因此，基板支撑件表面于垂直于基板移动方向的方向中延伸，至少沿着包括气体分离单元、中间气体入口区域、分离气体入口，以及若有，分离气体入口附近的其他气体分离单元(见例如图12)的各处理站的整个长度延伸。通过此处所述的致动器或支撑件可提供相应元件的一或数个位置的变化，从而提供至基板支撑件表面的基本固定或预定的距离，基板支撑件表面例如是涂布鼓轮的弯曲表面。
例如是有关于图3A及图3B说明，有鉴于转动的处理鼓轮或涂布鼓轮以及静止的支撑件的结合更为复杂，用于沉积薄膜于基板106上的其他设备900可包括气体缓冲装置(gas cushion device，GCD)来取代转动的涂布鼓轮。相应设备绘示于图9中。此设备包括腔体902、第一滚轮764及第二滚轮764’，第一滚轮764用于提供基板，第二滚轮764’用于接收基板106。然而，基板移动方向可也颠倒。沉积源提供以形成具有气体缓冲装置910的处理区域。
根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，气体缓冲装置为凸状元件，例如是为圆柱部分或为其他凸状截面形状的形式。GCD是静止的且具有基板支撑件表面，例如是以金属、陶瓷或类似的材质制成。GCD可提供有冷却通道及盘旋气体导管配置(hovering gas conduit arrangement)。导入例如是氢的悬浮气体于基板支撑件表面及基板之间导致气体缓冲的产生，使得基板悬浮(hovers)在基板支撑件表面上。藉此，气体缓冲可供基板以实质上无磨擦移动的方式来通过一或数个处理区域及/或可供基板及GCD的表面间的热传导。
GCD可固定地连接于处理站或处理站的部分，例如是沉积源的一或数个电极、一或数个气体分离单元，及/或一或数个分离气体入口。如果GCD固定地连接于处理站或处理站的部分，热膨胀仅影响连接之处。如上所述，既然相较于涂布鼓轮的整个范围，连接之处具有较小的尺寸，则热膨胀影响较少。再者，相较于设置来在操作期间旋转的涂布鼓轮，用于流体及电性信号以及功率的连通可更简易地提供。
根据可与此处所述典型实施例结合的不同应用，GCD或处理/涂布鼓轮的温度控制或调整可通过热转移流体(heat transfer fluid)提供，热转移流体例如是热传导油。再者，可提供用于冷却流体的冷却通道与电性加热的结合，冷却流体例如是水冷却。温度受到由基板处理所引入的热、因辐射的热损失及至冷却流体的热传导的影响。一或数个温度传感器可监控热及一或数个位置。再者，一或数个热元件可被控制，以分别提供用于基板或基板支撑件表面的所需温度。藉此，值得注意的是，对于一些应用来说，基板支撑件表面的温度受到控制，而不是基板的温度，或者除了基板的温度之外，基板支撑件表面的温度受到控制。此避免基板的温度的测量更为复杂。
图10绘示其他沉积设备1000。柔性的基板106提供于第一滚轮764上。根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，将进行处理的柔性的基板可与隔离件706一起提供于第一滚轮764上。藉此，隔离件可提供于柔性的基板的相邻层间，使得在第一滚轮764上的柔性的基板的一层与柔性的基板的相邻层的直接接触可避免。柔性的基板106从第一滚轮764放卷，如箭头108所示的基板移动方向。在柔性的基板106从第一滚轮764放卷时，隔离件706收卷于隔离件滚轮766上。
基板106接着移动通过沉积区域，沉积区域提供于涂布鼓轮110及对应于沉积源130的位置。在操作期间，涂布鼓轮110绕着轴111转动，使得基板在箭头108的方向中移动。根据典型实施例，基板从第一滚轮764经由一个、两个或更多个滚轮104导引至涂布鼓轮，且从涂布鼓轮导引至第二滚轮764’，基板于处理后收卷于第二滚轮764’。在处理之后，其他隔离件可从隔离件滚轮766’提供于柔性的基板106的层间，柔性的基板106收卷于第二滚轮764’上。
基板106涂布有一或数层薄膜，也就是说一或数层通过沉积源130沉积于基板106上。沉积发生在基板导引于涂布鼓轮110上时。绘示于图10中以及可提供于此处实施例中的沉积源130包括一个电极602，电极602电性连接于匹配电路680，匹配电路680用以提供功率至电极。根据此处所述一些实施例的沉积源130可包括气体入口与气体出口，气体入口位于沉积源的一侧，气体出口位于沉积源的相对侧，也就是沉积源各自的电极。因此，处理气体的气体流可沿着沉积源的上方的电极提供。如图10所示且根据此处所述一些实施例，基板传输方向108平行于气体流动方向。此处值得注意的是，名称“气体入口”表示气体提供至沉积区域(等离子体容积或处理区域)内，而名称“气体出口”表示沉积气体的气体释放或排出至沉积区域外。根据典型实施例，气体入口及气体出口布置成实质上垂直于基板传输方向。
根据可与此处所述其他实施例结合的不同实施例，气体入口或气体出口可提供作为气烧孔机、气体通道、气体管道、气体通路、气体管件、导管等。再者，气体出口可配置作为泵浦的一部分，此泵浦从等离子体容积取出气体。
气体分离单元620提供于沉积源的至少一侧上，一般来说沉积源的两侧上。藉此，气体分离单元的狭缝的宽度可根据此处所述任何实施例调整，气体分离单元的狭缝的宽度也就是元件与基板间的距离，所述元件例如是气体分离单元的绘示于图1至图5中的元件124。再者，电极602相对于基板的距离也可额外地或选择性地调整。藉此，气体分离单元的支撑件可提供来调整与基板的距离，且具有电极于其中的沉积源可选择性提供来调整与基板的距离。
如尤其有关于图6及图7的说明，此处所述的实施例尤其有关于等离子体沉积系统，用以从等离子体相沉积薄膜于移动的基板上。基板可在真空腔体内的基板传输方向中移动，用于转换沉积气体成等离子体相且用于从等离子体相沉积薄膜于移动的基板上的等离子体沉积源位于真空腔体。
如图10中所示且根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，可提供一或数个分离气体入口842。一般来说，分离气体入口可分别提供于相邻处理区域间及/或沉积源间。藉此，分离或净化气体提供于中间气体入口区域中，中间气体入口区域位于分离气体入口842与气体分离单元620之间。
滚轮104设置用于张力测量，滚轮104从第一滚轮764引导基板106至第二滚轮764’或反之亦然。根据此处所述实施例的典型应用，至少一张力测量滚轮提供于设备中。再者，在涂布鼓轮的两侧上的两个张力测量滚轮允许对涂布鼓轮的收卷侧及放卷侧上的张力测量。一般来说，张力测量滚轮设置用以测量柔性的基板的张力。藉此，基板传输可有较佳地控制，在涂布鼓轮上的基板的压力可受到控制，以及/或对基板的损害可以减少或避免。根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，额外的张力测量滚轮或额外一组的张力测量滚轮(也就是在涂布鼓轮的收卷侧及放卷侧上)可提供用于隔离件导引。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，进一步用于导引柔性的基板的滚轮104可具有13°的最小包覆角(wrapping angle)，一般是15°或以上。藉此，最小包覆角与缠绕(enlacement)变化决定于且介于第一滚轮764及第二滚轮764’分别为空的或完全装满基板时的这两个操作状态之间的事实相关。根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，间隙闸(gap sluices)1004提供真空密封形式的阀，使得当柔性的基板进料通过间隙闸1004且夹持于间隙闸1004中时，收卷及放卷区域的气体可与设备的处理区域的气体分离。
如图10中所示，沉积设备配置成使得沉积源提供于涂布鼓轮的较低半部处。也就是说，全部沉积源的整体配置或至少中间三个沉积源的配置提供在涂布鼓轮110的轴的下方。藉此，所产生的可能污染基板及工艺的粒子因重力之故而保持在沉积站中。因此，可避免不需要的粒子产生在基板上。
此处所述实施例尤其有关于沉积设备及其操作方法。藉此，隔间提供于一腔体或壳体，沉积源可装配于此腔体或壳体。根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，可提供两个或更多个隔间。举例来说，可提供四个、五个、六个、八个或十二个隔间。沉积源可选自由CVD源、PECVD源及PVD源所组成的群组。利用隔间的概念让沉积源可进行交换，使得沉积设备可弹性地使用于不同的应用或一应用的不同工艺步骤。根据典型的应用，此设备可用于制造柔性的TFT显示器，且特别是用于柔性的TFT显示器的阻障层堆叠。
如上已经说明，根据此处所述实施例的设备及方法可包括数个任选的特性、方面及细节，这些特性、方面及细节可选择性地或结合的应用。举例来说，用于收卷及放卷隔离件的滚轮。因此，方法可包括提供隔离件于滚轮上的基板的层间，或在收卷侧接收隔离件。再者，基板的温度或涂布鼓轮的温度可从20℃至250℃，或甚至高达400℃。一般来说，设备配置成用于为500m或更长的长度的基板，例如是900m或更长，例如是1000m。基板的宽度可为300mm或更宽，例如是400mm。一般来说，基板的厚度可为50μm至125μm。
根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，且例如是如图7、图9及图10所示，涂布鼓轮(或各自GCD)以及滚轮104及1004(若存在)，以及滚轮764及滚轮764’设置成使得基板仅由滚轮接触基板背侧，也就是基板的与将在处理区域中进行处理的侧相反的那一侧。
图11A至图11C绘示根据此处所述实施例的处理气体的流动、净化或分离气体的流动，以及吸取或泵浦区域的不同实施例的示意图。图11A绘示两个彼此于各自处理区域的相邻沉积站的示意图。处理区域提供于涂布鼓轮110。涂布鼓轮110形成弯曲的基板支撑件表面。然而，根据可与此处所述其他实施例结合的可选择的实施例，提供平坦基板支撑件表面的不同基板支撑件可也提供。在此情况中，处理站及相应电极将不会成形为对应弯曲的表面，而是将成形且定位为对应于平坦表面。
各处理站1130具有电极602。在电极的一侧提供气体入口612。根据典型的实施例，气体入口可为狭缝或数个开口，沿着涂布鼓轮110的轴方向延伸。形成气体分离单元620的墙部分提供在相邻于气体入口612处。沉积站1130具有匹配电路680，匹配电路680可连接于电极602，使得用于在处理区域中点燃及保持等离子体的功率可提供至电极。
在沉积站或相应处理区域之间，提供了用于例如是氢的分离气体的分离气体入口1842。再者，抽取或吸取通道提供于处理站或相应处理区域之间。例如是泵浦端口的真空通道1142位于图11A中的分离气体入口1842的两侧上。
根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，分离气体入口1842可更包括墙部分，墙部分提供其他的气体分离单元1620。根据可与此处所述的其他实施例结合的典型实施例，此些沉积站1130或此些沉积站1130的至少一个包括致动器，以改变沉积站与涂布鼓轮110的距离。藉此，改变距离可通过有关于图1及图2说明的致动器来提供，或改变距离可通过有关于图3A及图3B以及图5、图13A及图13B说明的支撑件来提供。藉此，电极602、第一气体分离单元620及第二气体分离单元1620的相对于涂布鼓轮110的轴的径向位置可变化及调整。举例来说，基于涂布鼓轮的温度变化，所述变化及调整可用以补偿涂布鼓轮110的热膨胀或收缩。
此处所述一些实施例提供气体分离单元的元件或墙部分、泵浦或排气管道，及分离气体入口的结合，以提供用于增加在相邻处理区域之间的分离因子。如图11A中所示，分离气体入口1842提供于沉积站之间，且例如是排气管道的真空通道1142提供于分离气体入口1842的两侧。藉此，可理解的是，处理鼓轮或涂布鼓轮110在垂直于图11A的纸张平面的方向中延伸。再者，电极及气体入口、气体出口及排气管道在垂直于图11A中的纸张平面的方向中延伸。因此，元件的相对位置就基板传输方向及/或对应的剖面进行说明，例如如图11A及图11B中所示。
图11B也绘示两个沉积站，两个沉积站各具有电极602。在图11B中，仅绘示了用于一个沉积源的匹配电路680。图11B绘示另一个实施例，其中相较于图11A，在两个沉积站之间提供处理气体入口以用于相应两个沉积站，使得处理气体的流动方向设置成与基板传输方向对于沉积源的其中一个是在相同的方向上，而对于沉积源的另一个是在相反的方向。
图11C绘示用于相邻沉积源的各种气体入口及排气或吸取通道的示意概念图。图11绘示两个相邻电极602，两个相邻电极602作为在各自位置的沉积源的一部分。根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，电极602可为用于等离子体辅助沉积工艺的电极，例如是PECVD源的电极。
如图11C中所示，处理气体的气体入口612及处理气体的气体出口614提供在电极602的相对侧以用于相邻沉积源的每一者。再者，提供了分离气体入口1842，其中分离气体入口1842提供于电极602的两侧，使得气体入口612及气体出口614分别位于电极及各自的分离气体入口之间。提供了真空通道1142，真空通道1142也就是吸取通道或排气管道。藉此，排气管道提供于电极602的相应相对侧，使得分离气体入口1842及气体入口612及气体出口614提供于电极602的排气管道之间。
图11C绘示电极602及相应气体入口及气体出口以及位于沿着平坦表面的排气管道的示意图。此处所述的气体分离的原则可提供用于提供平坦基板支撑件表面的沉积设备。然而，根据其他实施例，也可提供弯曲的基板支撑件表面，弯曲的基板支撑件表面例如是处理鼓轮或涂布鼓轮的表面。可理解的是，电极602及气体入口、气体出口，及排气管道可接着成形及/或定位，以对应于弯曲的基板支撑件表面。
图11C绘示以箭头示意的气体入口、气体出口，及排气管道。可理解的是，根据此处所述任何实施例，可提供相应的通道及管道。
此处所述实施例对不同工艺提供在邻接或相邻沉积站的应用特别有用处。举例来说，通过在图11C中的左侧的电极602说明的沉积源可处理第一沉积工艺，其中通过在图11C中的右侧的电极602说明的沉积源可处理第二、不同沉积工艺。如果例如是在左侧的处理区域中的压力为0.3mbar且在右侧的处理区域中的压力为1.7mbar，在中间的真空通道1142的区域中的压力一般低于这两个处理区域的较低压力，真空通道1142例如是排气管道。在上述例子中，所述压力可为0.2mbar。根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，在提供多于两个沉积源的情况中，排气管道的区域中的压力被提供为低于任何处理区域中的最小压力。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，气体分离单元的墙部分及元件可以图11C所述的方式配置。藉此，气体分离单元的墙部分或元件可提供于处理气体入口与分离气体入口，以及处理气体出口及分离气体入口之间，且气体分离单元的墙部分或元件可进一步提供于分离气体入口及排气管道之间。此可通过下方的图12更好了解且将更详细做说明。根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，墙部分的至少一个及/或电极的至少一个可提供，使得自基板支撑件表面的距离可调整或变化，以例如补偿基板支撑件表面的位置的热膨胀或对应的变化。再者，可理解的是，根据可与此处所述其他实施例结合的此处所述实施例，至少一沉积源或沉积站如此处所述实施例说明的方式提供。
图12绘示沉积站1230。沉积站1230包括电极602。电极可连接于匹配电路680，使得电极602具有电力。如图12中所示，电极602可具有弯曲表面，使得电极对应于处理鼓轮或涂布鼓轮，也就是电极602具有本质上平行于鼓轮表面的表面。箭头801表示沿着电极602的处理区域中的处理气体的气体流动。处理气体入口612及处理气体出口614的各自的狭缝在图12中以线强调。藉此，根据可与此处所述其他实施例结合的一些应用，特别是针对PECVD工艺来说，处理气体流是非对称的，也就是说，无论是在基板移动的方向中或相反于基板移动的方向。
一般来说，可与此处所述其他实施例结合的实施例可包括基板支撑件、第一沉积站及至少一第二沉积源，所述基板支撑件具有外表面，用于导引基板沿着基板支撑件的表面通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域，所述第一沉积站对应于所述第一真空处理区域，所述至少一第二沉积源对应于所述至少一第二真空处理区域，其中至少第一沉积站包括电极、处理气体入口及处理气体出口、第一分离墙、至少一分离气体入口及至少一第二分离墙，所述电极具有表面，其中所述电极的所述表面相对于基板支撑件的表面，其中所述处理气体入口及所述处理气体出口配置于电极的表面的相对侧，第一分离墙围绕电极的表面以及处理气体入口和处理气体出口，所述至少一分离气体入口围绕第一分离墙，所述至少一第二分离墙围绕所述至少一分离气体入口。用于沉积的此设备更包括一或数个真空法兰，提供至少一其他气体出口于第一沉积站与至少一第二沉积源之间。
气体分离单元620被提供环绕电极602。藉此，气体分离单元620具有第一部分620A及第二部分620B，第一部分620A于电极602的一侧上，第二部分620B于电极602的一相对侧上。提供了气体分离单元620的其他侧部分620C。根据选择性的实施例，气体分离单元可以分离方式提供，使得第一部分620A及第二部分620B各通过分离的气体分离单元形成。然而，环绕电极602的气体分离单元620提供改善的分离因子。藉此，可理解的是，根据本说明书与权利要求的一些段落，提供于电极602的一侧上以及电极602的相对侧上的气体分离单元做为参照。可理解的是，可提供与图12相关的环绕电极602的一个单一气体分离单元，使得此单一气体分离单元提供于相同的电极的两个相对侧上。
分离气体入口842的一或数个开口提供于电极602的第一侧以及电极602的相对侧。环绕电极602的分离气体入口842由在图12中的虚线所绘示。一般来说，分离气体入口842提供于电极602的相对侧，或均匀环绕于电极602，使得气体分离单元620位于分离气体入口842与电极之间。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，可提供其他气体分离单元1620。藉此，第一部分1620A及第二部分1620B可提供于电极602的相对侧。或者，可提供两个气体分离单元而取代绘示于图12中的其他气体分离单元1620的第一及第二部分。绘示于图12中的其他气体分离单元1620更具有侧部分1620C，使得其他气体分离单元1620环绕电极602、第一气体分离单元620及分离气体入口842。
如图12中所示，如上所述的沉积站1230的元件装配于沉积源或沉积站的主体603。所述主体可具有框部，框部可装配于沉积设备的腔体及/或框部可提供在根据此处所述实施例的沉积设备的相应隔间内。藉此，提供其他气体分离单元1620外的真空区域，换言之，环绕其他气体分离单元1620的真空区域。此真空区域通过排气管道排气，举例来说，排气管道对应于绘示于图11A至图11C中的排气管道1142。
根据可与此处所述其他实施例结合的不同实施例，选自由气体分离单元620、其他气体分离单元1620，及电极所组成的群组的至少一元件可被支撑及/或连接于主体603、致动器，或连接于处理鼓轮或涂布鼓轮的轴的支撑元件，使得至基板支撑件表面的距离可变化。藉此，决定于狭缝的宽度的气体分离可大大地改善。举例来说，可补偿涂布鼓轮的热膨胀，涂布鼓轮可加热及/或冷却至-20℃至400℃的温度，-20℃至400℃的温度例如是0℃至200℃或-20℃至80℃。藉此，可补偿在气体分离单元与鼓轮间的狭缝阀的狭缝的宽度变化，狭缝的宽度根据温度改变。根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，举例来说，对于PVD来说，可提供1:100或甚至更多的气体分离因子，或者，对于CVD来说，可甚至提供1:10,000或甚至更多的气体分离因子，例如是1:100,000的气体分离因子。
根据额外或选择性的应用，可提供气体分离单元的狭缝的宽度或位置的自动调整。藉此，可利用例如是相机、距离传感器，或其他类似的设备的测量装置。再者，如果热膨胀将进行补偿，气体分离单元的位置的变化可通过用于气体分离单元的支撑元件来提供，气体分离单元具有一热膨胀，对应于基板支撑件表面的热膨胀变化位置。藉此，需考虑的是，在气体分离单元与基板支撑件表面间的狭缝的宽度应尽可能的小(以具有较佳的分离因子)而没有损害、刮伤或损毁基板的风险。有鉴于上述，此处所述实施例对于这样一些沉积工艺特别有用处，在这样一些沉积工艺中，不同压力在相邻处理区域中被用于不同沉积工艺，例如CVD工艺或PECVD工艺，以及/或者不同处理气体被使用于相邻处理区域中以用于不同沉积工艺，特别是如果一处理气体对于相邻处理区域中的工艺具有毒性。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，沉积设备的腔体或壳体可具有隔间或开口，其中沉积源或具有沉积源的沉积站可定位在开口或隔间，以提供与腔体或壳体的连接，使得腔体或壳体形成真空密封封罩(enclosure)，也就是可排气至具有约0.2到10mbar的压力的真空，或甚至是1*10-4到1*10-2mbar的压力的真空。考虑不同压力范围，特别对于PVD工艺中的10-3mbar的范围以及CVD工艺中的mbar的范围，这两者于不同的压力体系(pressure regimes)中进行。再者，腔体或壳体可排气至具有1*10-6mbar的压力或甚至较低压力的背景真空(background vacuum)。背景真空意指在没有任何气体的任何入口而通过腔体或壳体的排气来达到的压力。
因此，沉积设备形成通用平台，用于数种工艺及例如是蒸镀或溅镀的PVD工艺，或例如是PECVD工艺的CVD工艺，这些工艺可在基板移动通过沉积设备中的两个或更多个处理区域时结合。特别是，不同PECVD工艺可结合，且例如用于TFT或柔性的TFT制造，更特别用于超高阻隔。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，用于对柔性的基板进行收卷或放卷的滚轮、用于导引基板的滚轮、处理或涂布鼓轮，以及与柔性的基板接触的其他元件定位及/或配置于沉积腔体中，使得只有柔性的基板的背侧被接触，也就是在处理区域中没有进行处理的侧。根据再其他实施例，此种沉积设备可提供有由下往上沉积源(bottom-up deposition sources)，以避免粒子产生于基板上。藉此，特别是对于处理或涂布鼓轮的应用，由下往上沉积源可理解为设置于涂布鼓轮的转动轴的下方的沉积源。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，具有一或数个相应电极、一或数个气体分离单元，以及选择性提供的用于分离或净化气体的入口的沉积源可被提供作为沉积站，沉积站可作为一个组件被放入沉积设备的壳体或腔体内的开口或隔间中或从中去除。
根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，插入分离或净化气体一般通过在分离气体入口所定义的相应区域中插入例如是H2的处理气体、例如是氩的惰性气体，或氮气来进行。因此，分离气体入口可为提供于气体分离单元(即，气体分离单元的相应墙元件)之间的狭缝开口。根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，沉积源、气体入口区域，及气体分离单元由连接于排气或吸取管道的区域所环绕，使得可在腔体内提供背景真空，所述背景真空的压力低于任何沉积源中的任何压力，或者至少比各沉积源低至少50％。根据典型的应用，如果至少一第一真空泵浦或第一泵浦站分别关联于各处理区域或沉积站，且至少一第二真空泵浦或第二泵浦站关联于腔体以控制总体腔体压力，此概念可最简易地提供。
有关图14A及图14B说明了其他沉积设备100。类似于先前说明的设备，基板106导引于滚轮104及涂布鼓轮110的上方，如箭头108所示。沉积源130提供于处理区域内。各处理区域可通过气体分离单元120分离。一般来说，沉积源包括电极531，电极531分别面对基板支撑件或基板。因此，各自沉积源或电极531以及基板106位于真空处理区域的相对侧，等离子体在薄膜沉积期间于真空处理区域中点燃。
根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，在电极531及基板106之间的狭缝的宽度可通过气体分离单元的支撑配置来调整，在电极531及基板106之间的狭缝的宽度也就是真空处理区域的宽度。图14A及图14B绘示碟件310的示意图，碟件310具有本质上相同于涂布鼓轮110的直径。虽然涂布鼓轮110在图14A中绘示成略为较大，此主要为了说明的目的，而涂布鼓轮110及碟件310可具有相同的直径。碟件310装配于轴111。根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，碟件可随着涂布鼓轮转动。或者，若涂布鼓轮在轴方向中的长度设置来支撑气体分离单元及/或沉积源，如下所述，则碟件可省略。
沉积源、沉积源的电极或沉积源130的各别元件通过滚轮1412由碟件310支撑。藉此，根据一些实施例，滚轮1412决定处理区域520的宽度及/或气体分离单元的狭缝的宽度。滚轮可在碟件或部分的涂布鼓轮上滚动。因此，碟件的转动或转动的鼓轮并不会影响对沉积源130及/或气体分离单元120的支撑。
如果涂布鼓轮110的温度变化，涂布鼓轮110的直径变化。因此，真空的处理区域520的宽度受到涂布鼓轮的直径的变化影响，且根据此处所述实施例，可提供电极和基板之间的距离的调整，电极和基板之间的距离也就是真空的处理区域的宽度。气体分离单元120、等离子体沉积源130，或相应电极531的支撑件经由滚轮1412提供处理区域520的宽度的调整，如箭头526所示。图14B绘示滚轮1412的各自转动轴的示意图，以表示滚轮可在滚动的碟件或涂布鼓轮的上方转动来提供静态转动位置。在使用碟件310的情况中，根据一些实施例，碟件310可通过涂布鼓轮110被动地加热或被动地冷却。碟件310或用于等离子体沉积源130及/或气体分离单元120的类似的支撑件可额外地或选择性地提供有冷却通道或加热元件。藉此，碟件310的温度可各别地控制。因此，碟件310的热膨胀可独立于涂布鼓轮的温度来做控制。藉此，在电极与基板或基板支撑件表面间的距离的宽度可分别地调整，且主要由滚轮1412定义。可理解的是，滚轮1412为气体分离单元、沉积源及/或沉积源的电极提供连接元件或支撑件，特别是与涂布鼓轮或涂布鼓轮的轴的机械式连接。再者，通过上述所述的其他类似的支撑件可得出数个实施例。
根据此处所述不同实施例，提供了用于涂布薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑件及气体分离单元，基板支撑件具有外表面，用于导引基板通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域，气体分离单元用于分离第一真空处理区域与至少一第二真空处理区域，且适用于形成狭缝，基板可通过基板支撑件的外表面与气体分离单元之间的所述狭缝，其中气体分离单元适用于控制在第一真空处理区域与第二真空处理区域之间的流体连通，且其中流体连通通过调整气体分离单元的位置来控制。根据所述设备典型的调整，可提供下列特性、细节、方面的至少一个：至少一气体分离单元可包括致动器，设置以调整狭缝的宽度；基板支撑件可为涂布鼓轮且其中至少一气体分离单元包括支撑元件，机械式连接于气体分离单元及涂布鼓轮的轴；其他支撑元件可例如是碟件或碟件的一部分，其中碟件或碟件的所述部分具有本质上相同于涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于涂布鼓轮加狭缝的宽度的直径，其中碟件或碟件的所述部分由一材料所组成，此材料与具有不同的热膨胀系数的涂布鼓轮的材料不同，其中碟件或碟件的所述部分保持于相同于鼓轮的温度或不同于鼓轮的一合适的温度，以调整碟件或碟件的所述部分的直径成为涂布鼓轮或支撑元件的直径；或其中碟件或碟件的所述部分具有本质上相同于涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于涂布鼓轮加狭缝的宽度的直径，其中碟件或碟件的所述部分由一材料所组成，此材料相同于涂布鼓轮的材料，且其中碟件保持于相同的温度或者碟件或碟件的所述部分保持于合适的温度水平，以调整碟件或碟件的所述部分的直径成为涂布鼓轮的直径。根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，此设备可更包括监控装置，用于监控狭缝的宽度及/或至少两个等离子体沉积源，其中做为一其他选择式或额外调整，监控装置包括光学或电力监控器，用以光学地或电力地监控狭缝的宽度；以及/或其中监控装置为等离子体监控器，连接于至少两个等离子体式的沉积源的至少一个，用以监控一或数个等离子体条件。更进一步的细节、方面及特性可额外地或选择性地包括至少一气体入口及/或一真空通道，至少一气体入口用以提供分离气体于气体分离单元与基板间的狭缝中，真空通道用以连接真空泵浦。
根据再其他实施例，提供于沉积设备的两个沉积源之间的气体分离的方法被提供。此方法包括导引基板于基板支撑件的上方(见例如图15中的步骤1502)，以及变化气体分离单元与基板支撑件的距离，气体分离单元设置用于气体分离(见例如是图15中的步骤1504)，特别是其中距离根据基板支撑件的温度及/或位置变化。根据其再其他额外或选择性的调整，距离可通过致动器改变；径向距离可通过用于分离单元的支承件的热膨胀改变；及/或基板支撑件可为涂布鼓轮。根据甚至更其他实施例，提供了于沉积设备中沉积薄膜于基板上的方法。此方法包括导引基板于基板支撑件的上方(见例如图15中的步骤1502)；以及变化等离子体沉积源的电极与基板支撑件的距离(见例如图15中的步骤1506)，特别是其中距离根据基板支撑件的温度及/位置变化。根据其再其他额外或选择性的调整，距离可通过致动器改变及/或基板支撑件可为涂布鼓轮，且其中距离为径向距离，径向距离通过用于等离子体沉积源的支承件的热膨胀来变化。如上所述，除了在步骤1506中的电极的距离的变化，气体分离单元与基板支撑件的距离可在步骤1504中变化，气体分离单元设置用于气体分离。虽然图15绘示步骤1504及1506，可理解的是，根据此处所述实施例，或者是步骤1504，或者是步骤1506，或者是步骤1504以及步骤106两者可根据此处所述实施例提供。再者，作为此处所述的沉积站的位置的另一选择性实现，沉积站包括一或数个气体分离单元，电极及其他元件可以作为一体的方式做变化。
根据再其他实施例，提供了用于沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑件、第一沉积源及至少一第二沉积源，基板支撑件具有外表面，用于导引基板沿着基板支撑件的表面通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域，第一沉积源对应于第一真空处理区域，且至少一第二沉积源对应于至少一第二真空处理区域，其中至少第一沉积源包括电极、处理气体入口及处理气体出口，以及至少一分离气体入口，电极具有一表面，其中电极的表面相对于基板支撑件的表面，其中处理气体入口及处理气体出口配置于电极的表面的相对侧，至少一分离气体入口具有一或数个分离气体入口开口，其中一或数个分离气体入口开口至少提供于电极的表面的相对侧的其中一侧，使得处理气体入口及/或处理气体出口提供于一或数个分离气体入口开口及电极的表面间。此设备更包括一或数个真空法兰，提供至少一其他气体出口于第一沉积源与至少一第二沉积源之间。根据所述设备典型的调整，可提供下列特性、细节、方面的至少一个：此一或数个真空法兰可提供于第一沉积源的至少一分离气体入口的第一分离气体入口与第二沉积源的至少一分离气体入口的第二分离气体入口之间；至少第一沉积源的分离气体入口包括此一或数个分离气体入口开口，使得此一或数个分离气体入口开口环绕电极的表面或分布于电极的表面的附近；至少第一沉积源可更包括：至少一第一分离墙，其中所述至少一第一分离墙提供于电极的表面的相对侧，使得处理气体入口及处理气体出口提供于所述至少一第一分离墙及电极的表面之间；特别是其中所述至少一第一分离墙环绕电极的表面；其中处理气体入口及处理气体出口提供于第一分离墙的周边内；以及/或至少第一沉积源可更包括：至少一第二分离墙，其中所述至少一第二分离墙提供于电极的表面的相对侧，使得所述至少一分离气体入口提供于所述至少一第二分离墙及所述至少一第一分离墙之间，特别是其中所述至少一第二分离墙环绕电极的表面，其中所述至少一分离气体入口提供于第二分离墙的周边内。根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，基板支撑件的表面是涂布鼓轮的弯曲表面，且电极的表面为弯曲表面，且特别是其中涂布鼓轮的弯曲表面以及至少第一沉积源的电极的弯曲表面具有一距离，且其中此距离可通过至少第一沉积源的定位来调整；至少第一沉积源可被包括于沉积站中，且其中沉积站包括沉积源、对应的处理气体入口、对应的处理气体出口，以及所述至少一分离气体入口，沉积源、对应的处理气体入口、对应的处理气体出口，以及所述至少一分离气体入口形成一个单元，特别是其中所述至少一分离墙形成气体分离单元，气体分离单元包括致动器，致动器设置以调整气体分离单元的位置，特别是其中气体分离单元包括支撑元件，所述支撑元件机械式连接于气体分离单元及基板支撑件；及/或基板可为柔性的基板，且其中柔性的基板自放卷滚轮经由涂布鼓轮及数个配置的滚轮导引至收卷滚轮，且其中数个滚轮的配置使得仅柔性的基板的背侧被接触。
根据再其他实施例，提供了以第一沉积源及至少一第二沉积源沉积至少两层于基板上的再其他的方法。此方法包括沿着一表面于基板支撑件的上方导引基板(见例如图16中的步骤1602)、提供分离气体于至少第一沉积源的相对侧的至少两个位置(见例如图16中的步骤1606)、在所述至少两个位置间提供处理气体且排出处理气体(见例如图16中的步骤1604)，以及抽取在第一沉积源及所述至少一第二沉积源间的至少一真空出口(见例如图16中的步骤1608)。根据所述方法的典型的应用，分离气体可为氢、氮或惰性气体；及/或在至少一真空出口的压力可小于在第一沉积源及所述至少一第二沉积源的任何区域内的压力。
根据再其他实施例，提供了用于沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑件、等离子体沉积源及致动器，基板支撑件具有外表面，用于导引基板通过真空处理区域，等离子体沉积源用以于真空处理区域中沉积薄膜于基板上，其中等离子体沉积源包括电极，致动器设置用以调整电极与外表面间的距离。此设备可包括一或数个下述的方面、细节及特性：基板支撑件可为涂布鼓轮及基板为柔性的基板；等离子体沉积源可包括支撑元件，所述支撑元件机械式连接于电极及涂布鼓轮的轴；支撑元件可为碟件或碟件的一部分，其中碟件或碟件的所述部分具有本质上相同于涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于涂布鼓轮加真空处理区域的宽度的直径，其中碟件或碟件的所述部分由一材料所组成，此材料与具有不同的热膨胀系数的涂布鼓轮的材料不同，其中碟件或碟件的所述部分保持于一合适的温度水平，以调整碟件或碟件的所述部分的直径成为涂布鼓轮或支撑元件的直径；其中碟件或碟件的所述部分具有本质上相同于涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于涂布鼓轮加狭缝的宽度的直径，其中碟件或碟件的所述部分由一材料所组成，此材料相同于涂布鼓轮的材料，且其中碟件保持于相同的温度或者碟件或碟件的所述部分保持于合适的一温度水平，以调整碟件或碟件的所述部分的直径成为涂布鼓轮的直径；此设备可更包括监控装置，用于监控真空处理区域的宽度；特别是其中监控装置可包括光学或电力监控器，用以光学地或电力地监控真空处理区域的宽度；举例来说，监控装置可为等离子体监控器，连接于等离子体沉积源，用以监控一或数个等离子体条件。根据可与此处所述其他实施例结合的再其他实施例，此设备更可包括气体分离单元，用以分离真空处理区域与其他第二真空处理区域，且适用于形成狭缝，基板可通过基板支撑件的外表面与气体分离单元间的狭缝，其中气体分离单元适用于控制在真空处理区域与其他真空处理区域之间的流体连通，其中流体连通通过调整气体分离单元的位置来控制；特别是其中至少一气体分离单元包括致动器，所述致动器设置以调整狭缝的宽度及/或其中基板支撑件为涂布滚轮且其中所述至少一气体分离单元包括支撑元件，所述支撑元件机械式连接于气体分离单元及涂布鼓轮的轴。
综上所述，虽然本发明的实施例揭露如上，然而在不脱离本发明的基本范围内，当可设计本发明的其他和进一步实施例，因此，本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定內容为准。

Claims (15)

1.一种设备，用于涂布薄膜于基板上，包括：
基板支撑件，具有外表面，用于导引所述基板通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域；以及
气体分离单元，用于分离所述第一真空处理区域与所述至少一第二真空处理区域，且适用于形成狭缝，所述基板可通过所述基板支撑件的所述外表面与所述气体分离单元之间的所述狭缝；
其中所述气体分离单元适用于控制在所述第一处理区域与所述第二处理区域之间的流体连通，其中所述流体连通通过调整所述气体分离单元的位置来控制。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个气体分离单元包括致动器，所述致动器配置以调整所述狭缝的宽度。
3.如权利要求1至2中任一项所述的设备，其中所述基板支撑件为涂布鼓轮且其中所述至少一个气体分离单元包括支撑元件，所述支撑元件机械式连接于所述气体分离单元及所述涂布鼓轮的轴。
4.如权利要求3所述的设备，其中所述支撑元件为碟件或碟件的一部分，其中所述碟件或所述碟件的所述部分具有本质上相同于所述涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于所述涂布鼓轮加所述狭缝的宽度的直径，其中所述碟件或所述碟件的所述部分由一材料所组成，所述材料与具有不同的热膨胀系数的所述涂布鼓轮的材料不同，其中所述碟件或所述碟件的所述部分配置成保持于合适的温度水平，以调整所述碟件或所述碟件的所述部分的直径成为所述涂布鼓轮的直径。
5.如权利要求3所述的设备，其中所述支撑元件为碟件或碟件的一部分，其中所述碟件或所述碟件的所述部分具有本质上相同于所述涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于所述涂布鼓轮加所述狭缝的宽度的直径，其中所述碟件或所述碟件的所述部分由一材料所组成，所述材料相同于所述涂布鼓轮的材料，且其中所述碟件配置成保持于相同的温度或者所述碟件或所述碟件的所述部分配置成保持于合适的温度水平，以调整所述碟件或所述碟件的所述部分的直径成为所述涂布鼓轮的直径。
6.如权利要求1至5中任一项所述的设备，更包括以下至少一个：
监控装置，用于监控所述狭缝的宽度；
至少两个等离子体沉积源。
7.如权利要求6所述的设备，其中所述监控装置包括光学或电力监控器，用以光学地或电力地监控所述狭缝的宽度。
8.如权利要求6至7中任一项所述的设备，其中所述监控装置为等离子体监控器，连接于所述至少两个等离子体沉积源的至少一个，用以监控一或多个等离子体条件。
9.如权利要求1至7中任一项所述的设备，其中所述沉积设备更包括至少一气体入口，用以提供分离气体于所述气体分离单元与所述基板间的所述狭缝中。
10.如权利要求1至9中任一项所述的设备，其中所述沉积设备更包括真空通道，用以连接真空泵浦。
11.一种于沉积设备的两个沉积源之间提供气体分离的方法，包括：
在基板支撑件的上方导引基板通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域；以及
通过调整气体分离单元的位置来控制在所述第一处理区域与所述第二处理区域间的流体连通。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述气体分离单元的位置通过致动器调整。
13.如权利要求11及12中任一项所述的方法，其中所述气体分离单元在径向方向中的位置通过用于所述分离单元的支承件的热膨胀来调整。
14.如权利要求11至13中任一项所述的方法，其中所述基板支撑件为涂布鼓轮。
15.如权利要求11所述的方法，其中所述气体分离单元的位置根据所述基板支撑件的温度及/或位置来调整。
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