CN108603291B - 真空处理系统和其方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种用于柔性基板的真空处理系统(100)。真空处理系统(100)包括：第一腔室(110)，适于容纳供应卷(111)以用于提供柔性基板；第二腔室(120)，适于容纳收紧卷(121)以用于在处理之后存储柔性基板(160)；基板运输布置，包括用于将柔性基板从第一腔室(110)引导到第二腔室(120)的一个或多个引导辊(104)；维护区(130)，在第一腔室(110)与第二腔室(120)之间，其中维护区(130)允许通向或属于第一腔室(110)和第二腔室(120)中的至少一个腔室的维护通道；和第一处理腔室(140)，用于处理柔性基板(10)。

Description

真空处理系统和其方法
技术领域
本公开内容的实施方式涉及一种真空处理系统和操作真空沉积系统的方法。本公开内容的实施方式特别涉及用于处理柔性基板的真空沉积系统和方法。特别地，本公开内容的实施方式涉及卷对卷(roll-to-roll)真空沉积系统和在柔性基板上沉积至少两个层的方法。
背景技术
柔性基板(诸如塑料膜或箔)的处理在封装行业、半导体行业和其他行业中是处于高需求的。处理可包括用期望材料(诸如金属特别是铝、半导体和介电材料)涂覆柔性基板、蚀刻、以及在基板上进行用于期望应用的其它处理步骤。执行此任务的系统一般包括处理滚筒(例如，圆柱辊(rooler))，处理滚筒耦接到处理系统以用于运输基板，并且基板的至少一部分在处理滚筒上进行处理。因此，卷对卷(R2R)涂覆系统可以提供高产量系统。
典型地，工艺(例如，物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)工艺、化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)工艺和等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhanced chemical vapor deposition,PECVD)工艺)可以用于沉积可涂覆到柔性基板上的金属薄层。然而，在显示器行业和光伏(photovoltaic,PV)行业中，对卷对卷沉积系统的需求也经历了强烈增长。例如，对触摸面板元件、柔性显示器和柔性PV模块的使用导致对在卷对卷涂覆机中沉积合适的层(特别是以低的制造成本)的需求逐渐增长。然而，此类装置典型地具有若干层，这些层通常使用CVD工艺、特别是PECVD工艺制造。
在一个或多个处理腔室中布置若干CVD、PECVD和/或PVD源需要优异且有效的工艺。通常，复杂薄膜层结构的沉积依次在不同R2R涂覆机中执行，每一个涂覆机经设计以用于特殊沉积技术需要。然而，这一概念导致制造设备的拥有成本(costs of ownership,CoO)高。
由涂覆基板制成的产品的示例是OLED显示器，OLED显示器鉴于它们相较液晶显示器(LCD)来说更快的响应时间、更大的视角、更高的对比度、更轻的重量、更低的功率和对柔性基板的适应性而近来在显示器应用中接收到大量关注。除了OLED中使用的有机材料之外，还开发了许多聚合物材料用于小分子、柔性有机发光二极管(flexible organic lightemitting diode,FOLED)和聚合物发光二极管(polymer light emitting diode,PLED)显示器。这些有机和聚合物材料中的许多在一系列的基板上制造复杂、多层器件是灵活的，从而使这些有机和聚合物材料对各种透明多色显示应用(诸如平板显示器(flat paneldisplays,FPD)、电泵浦有机激光器(electrically pumped organic lasers)和有机光学放大器)是理想的。
多年以来，在例如显示装置中的层已演变成多个层，其中每一个层用作不同功能。将多个层沉积到多个基板上可能需要多个处理腔室。因此，本领域中需要一种用于在柔性工具平台中处理基板的有效的方法和设备。
鉴于上文，存在对提供克服本领域的问题中的至少一些的一种真空处理系统和一种用于安装真空处理系统方法的需求。
发明内容
鉴于上文，提供一种用于柔性基板的真空处理系统和一种在柔性基板上沉积至少两个层的方法。本公开内容的另外方面、优点和特征可从从属权利要求、说明书和随附附图中显而易见。
根据本公开内容的一个方面，提供一种用于柔性基板的真空处理系统。真空处理系统包括：第一腔室，适于容纳供应卷以用于提供柔性基板；第二腔室，适于容纳收紧卷以用于在处理之后存储柔性基板；基板运输布置，包括用于将柔性基板从第一腔室引导到第二腔室的一个或多个引导辊；维护区，在第一腔室与第二腔室之间，其中维护区允许通向或属于第一腔室和第二腔室中的至少一个的维护通道(maintenance access)；和第一处理腔室，用于处理柔性基板。
根据本公开内容的另一方面，提供一种如本文所述的用于处理柔性基板、特别地是用于在柔性基板上沉积层堆叠的处理系统的用途。
根据本公开内容的又一方面，提供一种在柔性基板上沉积至少两个层、特别地是使用如本文所述的真空处理系统进行沉积的方法。在柔性基板上沉积至少两个层的方法包括：在处理滚筒的外表面上方引导柔性基板；在至少第一沉积源的相对侧处的至少两个位置处提供分离气体；在至少两个位置之间提供处理气体并排出处理气体；和在第一沉积源和至少一个第二沉积源之间的至少一个真空出口处进行泵吸。
本公开内容还涉及一种用于执行所公开的方法的设备并且包括用于执行每个所述方法步骤的设备部件。这些方法步骤可借助于硬件组件、通过适当的软件编程的计算机、这两者的任何组合或以任何其它方式执行。此外，本公开内容还涉及操作所描述的设备的方法。这个方法包括用于执行所述设备的每个功能的方法步骤。
附图说明
为了可详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，上文简要地概述的本公开内容的更特定的描述可以参考实施方式而获得。应注意，随附附图仅示出了示例性实施方式，并且因此不应视为本公开内容的限制。在附图中：
图1A示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的示意性透视图；
图1B和图1C示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的示意性剖视图；
图1D示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的示意性俯视图；
图2示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的示意性剖视图；
图3示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的处理腔室的示意性剖视图；
图4A和图4B示出了根据本文所述的实施方式的使用的延展器辊装置的示意图；
图5A和图5B示出了根据本文所述的实施方式的基板引导控制单元的横截面示意图；
图6示出了根据本文所述的实施方式的具有气体分离单元的真空处理系统的处理腔室的示意性剖视图；
图7A示出了根据本文所述的实施方式的具有气体分离单元的真空处理系统的处理腔室的示意性剖视图；
图7B示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的、并连接到处理滚筒的气体分离单元的侧视图；
图8示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的沉积源的示意图；
图9示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的沉积源和气体分离单元的示意图；
图10A-10C示出了根据本文所述的实施方式的气体分离单元的气体分离概念的示意图；
图11示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的沉积源的示意性透视图；
图12A和图12B示出了根据本文所述的实施方式的用于沉积源的微波天线的示意图；
图13示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的处理腔室的一部分的示意性透视图；
图14示出了根据本文所述的实施方式的包括开闭装置(shutter device)的真空处理系统的处理滚筒的示意性侧视图；
图15示出了根据本文所述的实施方式的开闭装置的各个部件的示意性透视图；
图16示出了根据本文所述的实施方式的处于不同位置中的开闭装置的详细的透视图；
图17示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的区段的平面图；
图18示出了说明根据本文所述的实施方式的用于清洁真空处理系统的处理腔室的方法的方框图；和
图19示出了说明在柔性基板上沉积至少两个层的方法的方框图。
具体实施方式
现将详细地参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例示出于附图中。在下文对附图的描述内，相同的附图标记指示相同的部件。在下文中，仅描述相对于个别实施方式的差异。每个示例是以解释公开内容的方式而提供，而不意味对本公开内容的限制。另外，被示出或描述为一个实施方式的部分的特征可以在其它实施方式上使用或与其它实施方式结合地使用以产生又一实施方式。描述旨在包括这样的修改和变化。
图1A示出了根据本文所述的实施方式的用于处理基板的真空处理系统100的示意性透视图。特别地，真空处理系统100可适于引导和处理柔性基板。例如，真空处理系统100可以经构造以用于从等离子体相将薄膜沉积到移动的基板上、特别是柔性基板上。
如图1A和图1B示例性地示出，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，真空处理系统100可以包括第一腔室110、第二腔室120、维护区130、至少一个处理腔室(例如，图1A和图1B中的处理腔室140)、以及通道150。例如，第一腔室110可以是退绕腔室，以用于容纳用于提供基板、特别是柔性基板10的供应卷111。第二腔室120可以是卷绕腔室，以用于容纳用于在处理之后存储柔性基板10的收紧卷121。
在本公开内容中，“供应卷”应理解为其上存储有要处理的基板(例如，柔性基板)的卷。据此，在本公开内容中，如本文所述的“收紧卷”可理解为适于接收经处理的基板的卷。此外，应注意到，“供应卷”也可以被称为“退绕机(un-winder)”，并且“收紧卷”也可以被称为“重绕机(re-winder)”。
在本公开内容中，“柔性基板”可表征为基板是可弯曲的。例如，柔性基板可以是箔。特别地，将理解，如本文所述的处理系统的实施方式可以用于处理任何种类的柔性基板，例如，用于在柔性基板上制造涂层或电子器件。例如，如本文所述的基板可以包括如下材料，如PET、HC-PET、PE、PI、PU、TaC、一种或多种金属、纸张、上述的组合和已涂覆的基板(如硬涂覆的PET(例如，HC-PET、HC-TAC)和类似基板)。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，真空处理系统可以经构造以用于500m或以上(例如，900m或以上，例如1000m)的基板长度。基板宽度可以是300mm或以上，例如，400mm或以上，特别是1400mm或以上。典型地，基板厚度可以是在50μm到200μm之间。
虽然本文所述的实施方式将第一腔室称为退绕腔室并且将第二腔室称为卷绕腔室，但应理解，本文提到的第一腔室可以用作具有收紧卷的卷绕腔室，并且第二腔室可以用作具有供应卷的退绕腔室。
根据实施方式，真空处理系统100的一些腔室或所有腔室可以适于真空处理。例如，处理系统可以包括允许在处理系统的至少一部分(诸如第一腔室(例如退绕腔室)、至少一个处理腔室和第二腔室(例如，卷绕腔室))中产生或维持真空的部件和设备。根据一些实施方式，沉积系统可以包括真空泵、抽空管道、真空密封件和类似部件以用于至少在沉积系统的部分中产生或维持真空。在一些实施方式中，至少一个处理腔室、卷绕腔室和退绕腔室中的每个腔室可以包括真空产生装置和真空维持装置，以用于在于其它腔室端口，独立的单独腔室中产生和维持真空。例如，每个腔室可以具有单独对应的真空泵或泵站以用于抽空相应区域。
根据一些实施方式，处理系统的腔室适于在真空条件下操作形成真空密封罩壳，即，可以被抽空为约0.2mbar到10mbar的压力的真空或甚至是1*10-4到1*10-2mbar的压力的真空。将特定地考虑不同的压力范围，对于PVD工艺是在10-3mbar范围中，并且对于CVD工艺是在mbar范围中，这些工艺在不同的压力范围中进行。此外，可以将(多个)腔室抽空为具有1*10-6mbar或以下的压力的背景真空。背景压力是指在没有任何气体的任何入口的情况下通过抽空腔室而达到的压力。与此相反，根据本文所述的实施方式，设置在第一腔室110与第二腔室120之间的维护区处在大气(即，环境空气)条件下，使得操作人员可以使用维护通道。
如图1A和图1B示例性地所示的，第一腔室110可以设置在维护区130与第一处理腔室140A之间。维护区130可以布置在第一腔室110(例如，退绕腔室)与第二腔室120(例如，卷绕腔室)之间。据此，布置在第一腔室110与第二腔室120之间的维护区130允许属于或通向第一腔室和/或第二腔室的维护通道(例如，在真空处理系统100的操作之前、之后或期间)。
在本公开内容中，本文提到的“维护区”应理解为允许处理系统的一个或多个腔室的维护的区。据此，应理解，“维护区”可以是服务区。例如，维护区可以允许监视、控制、维护、清洁或更换处理系统的腔室中的一个或多个中存在的部件。此外，术语“维护区”可理解为允许由操作人员执行维护的区。据此，如本文所述的维护区可以允许属于或通向腔室的维护通道。例如，维护区可以允许接取(access)如本文所述的退绕腔室或卷绕腔室。维护通道可以包括视觉维护、用于控制信号或接收信号的电子单元的访问，或物理入口。根据一些实施方案，维护区提供大气条件。在一些实施方式中，维护区可以允许控制、清洁或更换处理系统的腔室中的一个或多个中存在的部件，维护区允许通向它们的通道。在一些实施方式中，维护区可以提供对用于影响处理系统的腔室中的工艺的控制元件的访问，所述控制元件诸如开关、按钮、控制拨盘、监视器、致动器、调制器和类似器件。在一个示例中，维护区可以具有用于终止卷绕或退绕工艺的开关。在其它或进一步实施方式中，维护区可以具有用于控制第一腔室和/或第二腔室中的环境条件(诸如温度、压力、湿度和类似条件)的控制元件。根据实施方式，维护区提供大气条件。
参考图1B，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，至少一个处理腔室(例如，图1B中的处理腔室140)、特别是第一处理腔室140A，可以与第一腔室110(例如，退绕腔室)相邻地布置。至少一个处理腔室可以设有处理滚筒142以用于在处理腔室中执行的处理期间引导基板。处理滚筒142可以适于引导柔性基板10通过处理腔室中存在的一个或多个处理部件，诸如一个或多个沉积源。根据一些实施方式，处理滚筒142可以经构造而被加热和/或冷却至约-20℃到400℃的温度。据此，处理滚筒可以包括加热通道和/或冷却通道。
在本公开内容中，如本文所述的“处理腔室”应理解为在其中进行处理的腔室。例如，在处理腔室中，可以进行沉积处理以将材料沉积在基板上。然而，处理腔室也可适于替代或附加处理，如下文将详细地解释的。
根据一些实施方式，至少一个处理腔室可以容纳处理部件。在本公开内容中，“处理部件”可理解为用于在基板上沉积材料和/或用于加热基板和/或用于冷却基板和/或用于预处理基板和/或用于蚀刻基板或设置在基板上的层和/或用于清洁基板和类似处理的部件。据此，在一些实施方式中，处理腔室可以包括用于在基板上沉积材料的沉积源、加热装置(诸如加热灯，例如红外灯)、处理滚筒中的冷却通道、清洁装置、预处理装置(诸如用于例如通过等离子体预处理、蚀刻装置和类似装置来准备基板以用于在稍后阶段上执行的处理的装置)。根据一些实施方案，预处理等离子体源(例如，RF等离子体源)可被提供以使用等离子体处理基板。例如，用等离子体的预处理可以提供对基板表面的表面改性以增强沉积在其上的膜的膜粘附性，或可以以另一方式来改进基板形态以改进其处理。据此，将理解，如本文所述的处理腔室可以是CVD腔室、PVD腔室、PECVD腔室、蚀刻腔室、或任何其它所期望的处理腔室。
示例性地参考图1B，根据如本文所述的处理系统的实施方式，基板(例如，柔性基板10)可以沿着基板运输方向108从第一腔室110(例如，退绕腔室)中的供应卷111引导到第一处理腔室140A的处理滚筒142，进一步通过通道150并到达第二腔室120(例如，卷绕腔室)中的收紧卷121。如图1B示例性地所示的，引导辊104的布置可以被提供以用于从退绕腔室中的供应卷111引导柔性基板通过处理腔室140中的至少一个处理区域而到达卷绕腔室中的收紧卷121，而不接触柔性基板的前表面。在操作期间，柔性基板可以在基板运输方向上移动到至少一个处理区域中，在至少一个处理区域中，例如，等离子体沉积源可以经布置以用于将沉积气体传送到等离子体相中，使得(例如)薄膜可以从等离子体相沉积到移动基板上。根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，运输布置的一个或多个引导辊可被加热。特别地，在基板由处理滚筒引导通过一个或多个处理区域的位置之前被安装的引导辊可以经构造以进行加热。据此，可以通过使用在处理区之前安装的加热引导辊来实现从基板中减少水分。此外，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，处理系统可以设有阱(未示出)(例如，冷阱)以用于例如通过使用加热引导辊而从基板中收集脱气蒸气。特别地，用于从基板中收集脱气蒸气的阱可以布置在与基板表面相对的位置处，水分可能例如因如本文所述的由加热的辊对基板的加热而从基板表面中蒸发。
在本公开内容中，“卷”或“辊”可理解为提供表面的装置，在处理系统中存在基板的期间，基板(或基板的部分)可以与之接触。本文提及的“卷”或“辊”的至少一部分可以包括圆形形状，以用于接触要处理或已处理的基板。在一些实施方式中，“卷”或“辊”可以具有实质上圆柱形的形状。实质上圆柱形的形状可以围绕笔直的纵向轴线而形成，或可以围绕弯曲的纵向轴线而形成。根据一些实施方式，如本文所述的“卷”或“辊”可以适于与柔性基板接触。例如，本文提及的“卷”或“辊”可以是：适于在处理基板时(诸如在沉积工艺期间)或在基板存在于处理系统中时引导基板的引导辊；适于为要涂覆的基板提供限定张力的延展器辊；用于根据限定的行进路径而偏转基板的偏转辊；用于在处理期间支撑基板的处理辊，诸如处理滚筒，例如，涂覆辊或涂覆滚筒；调整辊；供应卷；收紧卷和类似卷或辊。如本文所述的“卷”或“辊”可以包括金属。在一个实施方式中，要与基板接触的辊装置的表面可以适于要涂覆的相应基板。此外，将理解，根据一些实现方式，如本文所述的辊可安装到低摩擦滚子轴承，特别是以双轴承滚子结构。据此，可实现如本文所述的运输布置的辊平行度，并且在基板运输期间的横向基板“漂移(wandering)”可被消除。
在一些实施方式中，如本文所述的在处理系统100的腔室之间引导柔性基板10的引导辊104也可经构造以用于张力测量。根据本文所述的实施方式的典型实施方式，至少一个张力测量辊可以设置在处理系统中。有益地，在处理滚筒142的两侧可以设有两个张力测量辊，这允许了在处理滚筒的卷绕侧和退绕侧上的张力测量。特别地，张力测量辊可以经构造以用于测量柔性基板的张力。据此，基板运输可以被更好地控制，在处理滚筒上的基板的压力可被控制，和/或对基板的损坏可以被减少或避免。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，供应卷和收紧卷、用于引导基板的引导辊、处理滚筒和处理系统中的与柔性基板接触的其它卷或元件被定位和/或布置在处理系统中，使得仅接触柔性基板的背侧，即，在处理系统中未处理(或不处理)的那侧。据此，当退绕、处理、重绕、拉紧或引导基板时，并不存在基于辊的基板前表面接触。这减少了在经处理的基板表面上的污染，也减少了要处理的基板表面上的污染。据此，基板损坏的风险(尤其是在处理过的表面上)被降低。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，用于引导柔性基板的引导辊104可以具有13°、特别是15°或以上的最小包角。据此，最小包角是与如下事实有关：当供应卷111和收紧卷121分别为空的或填满基板时，取决于两个操作条件且在两个操作条件之间的缠绕(enlacement)变化。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，处理滚筒142可相对于纵向轴线、特别是处理滚筒142的旋转轴线143(如图1C示例性地所示)旋转。处理滚筒可以具有弯曲的外表面以用于沿着弯曲的外表面引导基板。据此，柔性基板10可以通过在旋转的处理滚筒142上方移动来运输和处理。根据实施方式，柔性基板10的处理可以在柔性基板10的可定位到处理滚筒142上的部分上实现，例如但不限于通过执行涂覆、涂镀或层压处理实现。根据一些实施方式，围绕处理滚筒142的基板的包角可以小于180°，特别是小于170°，更特别地小于150°。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，处理系统中存在的所有卷的包角的总和可以是在180°与540°之间，例如在180°与360°之间。在一些实施方式中，例如，如果提供第二处理滚筒(如图2示例性地所示)，那么沉积系统中存在的所有卷(除供应卷和收紧卷外)的包角的总和可以等于或小于540°。在一些实施方式中，沉积系统中存在的所有卷(除供应卷和收紧卷外)的包角的总和可以低于360°。典型地，引导辊的数量为2或以上且10或以下，尤其是当期望具有低的总包角(诸如低于360°的包角)时。
将理解，处理系统中的单个部件(诸如引导辊、供应卷、收紧卷、处理滚筒和处理部件(例如，沉积源或蚀刻装置)可以适于柔性基板(例如幅材或箔)或玻璃基板。例如，引导辊和/或供应卷和/或收紧卷和/或处理滚筒可以具有相应表面和几何形状以用于引导、退绕或卷绕柔性基板。
示例性地参考图1A和图1B，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，通道150可以经构造以用于将第一处理腔室140A与第二腔室120(例如，卷绕腔室)连接，其中经处理的基板可以卷绕在收紧卷121上。例如，通道150可以布置在第一腔室110和/或第二腔室120上方。在其它实施方式中，通道可形成为位于第一腔室110和/或第二腔室120下方的隧道。通道150(或隧道)可以用于将基板从第一处理腔室140A引导至第二腔室120(例如，卷绕腔室)。根据一些实施方式，通道或隧道可以适于在真空条件下引导基板，例如通过提供相应的密封件、泵、闸门和类似部件进行引导。在一些实施方式中，通道可在沉积系统的操作期间处在大气条件下。在大气条件下操作通道可以节省成本和劳力。根据一些实施方式，闸门可以设置在通道中，诸如在基板从处理腔室进入通道的位置处的一个间隙闸门180和基板从通道离开到达卷绕腔室的位置处的一个间隙闸门180。
另外或替代地，隧道或通道可以适于在其中产生和/或维持真空。然而，根据一些实施方式，通道或隧道可理解为处理腔室的一部分。例如，隧道可不通过闸门来与处理腔室分离。据此，隧道可以例如提供有与处理腔室中的一个或两个腔室中存在的相同的真空。在一个示例中，隧道可以提供由与一个处理腔室或两个处理腔室相同的真空发生装置产生和维持的真空条件。
在一些实施方式中，隧道或通道可以适于在真空条件和/或任选的受控惰性气氛下操作。或者，隧道或通道可以在大气条件或环境条件下操作。
在一些实施方式中，提供用于将基板从一个腔室引导到沉积系统的另一腔室的通道或隧道可配备有适配装置，用于提供测量装置(诸如用于基板的温度传感器、压力传感器、张力传感器)、视觉控制装置、基板控制装置和类似装置。
在一些实施方式中，通道(或隧道)、第一腔室和第二腔室包围维护区。在一个示例中，通道可以提供在顶侧盖子中、由顶侧盖子提供，或提供为顶侧盖子，所述顶侧盖子延伸到维护区上方。在另一示例中，如上提及，通道可以提供在底侧隧道中、由底侧隧道提供，或提供为底侧隧道，所述底侧隧道延伸到维护区下方。
根据一些实施方式，至少一个处理腔室可以适于允许材料在自底向上(bottom-up)的方向上或水平地沉积在基板上。例如，如本文所述的处理系统可以用作沉积系统，其可设有自底向上的沉积源，使得在基板上产生颗粒被避免。在本公开内容中，“自底向上的沉积源”可理解为如下构造，其中沉积源布置在处理滚筒142的旋转轴线143的高度处或旋转轴线143下方，如图1C示例性地所示。
示例性地参考图1B和图1C，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，处理腔室140可以包括倾斜凸缘145。在一些实施方式中，处理腔室140可划分成至少两个部分，所述至少两个部分通过倾斜凸缘145连接并且当被组装时形成处理腔室140。如图1B示例性地所示，处理腔室140的第一部分146可通过倾斜凸缘145连接到处理腔室140的第二部分147，特别是相对于竖直方向进行连接。处理腔室140的第一部分146可以(至少部分地)容纳围绕处理滚筒142布置的多个处理部件。例如，图1C示出了一个或多个处理部件141中的一个处理部件，诸如具有由虚线指示的两个额外沉积源的沉积源。根据一些实施方式，处理部件(例如，沉积源)可安装到位于处理腔室的大气侧上的驱动器上，以便控制和调整处理部件在处理腔室中的位置。例如，驱动器可以是经构造以提供高达30mm的位移(strike)的线性致动器。
将理解，根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，可以提供两个或更多个处理部件(例如，沉积源)。例如，可以提供四个、五个、六个或甚至是更多个(诸如8、10或12个)处理部件(例如，沉积源)。处理部件可以设置在相应的处理区域中，并且由处理滚筒142支撑的基板可以在相应的处理区域中处理。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，处理腔室140的第一部分146可以适于使得处理部件(诸如沉积源或工具)可以从外部附接到第一部分146。处理腔室140的第二部分147可以经构造为是可连接到通道150的，例如通过与通道150连通、或甚至通过作为通道的一部分(例如，如图1C所示)。
根据本文所述的一些实施方式，处理腔室140的倾斜凸缘145可以在处理腔室内提供分离壁以用于分离处理腔室中的处理区域。例如，附图中所示的倾斜凸缘145可以指示处理腔室140内的真空密封分离壁。在一个示例中，第一处理腔室140A内的真空密封分离壁可以提供闸门和类似部件以供基板从中穿过。通过在处理腔室140内提供分离壁，可降低污染的风险，特别是当将处理腔室的正进行沉积的区域与处理腔室的仅引导基板或进行预处理或后处理的区域进行分离时。
处理腔室140的倾斜凸缘145可以允许将处理部件141(例如，沉积源)布置在要处理的基板下方。因此，在沉积工艺在处理腔室中被执行的情况下，沉积可以从基板下方而非从基板上方进行。在一些实施方式中，沉积可以从水平方向向基板执行，如图1C示例性地所示。根据一些实施方式，沉积源可以设置在处理滚筒142的下半部分处。据此，有益地，向下沉积(即，使用在处理滚筒142的水平中心线或处理滚筒142的旋转轴线143上方的源取向)不被用于根据本文所述的实施方式的处理系统。特别地，根据本文所述的实施方式，沉积源的布置可以设置在处理滚筒142的旋转轴线143的高度处或旋转轴线143的高度下方。据此，可能污染基板和处理的产生颗粒因重力而保留在沉积源中，使得可以避免在基板上和/或在沉积层内产生不期望的颗粒。
据此，示例性地参考图1B和图1C，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，处理腔室140的外形可以适于处理部件(例如，沉积源)的自底向上布置。例如，考虑到布置在处理腔室140中的每个处理部件的位置，处理腔室140的外形可以具有分段的形状。在一些实施方式中，腔室的外形可以具有弯曲或多边形形状，如图1B和图1C示例性地所示。
根据一些实施方式，处理腔室可以包括一个或多个支撑装置以用于在处理腔室中支撑或保持处理部件。在一些实施方式中，支撑装置可适合于将处理部件保持在固定位置以用于预定时间间隔并在预定公差内。在一个示例中，处理腔室可以包括支撑装置以用于支撑或保持上述处理部件，诸如用于在基板上沉积材料的沉积源、加热装置(诸如加热灯，例如，红外灯)、清洁装置和预处理装置(诸如用于准备基板以用于在稍后阶段上执行的处理的装置)。在一些实施方式中，支撑装置可以包括夹紧装置、夹持装置、工作台、固定装置、载体、紧固件、附接装置、接头设备和类似设备。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的另外一些实施方式，沉积系统的处理腔室可以具有隔室或开口，其中处理部件(诸如沉积源或具有沉积源的沉积站)可定位在相应开口或相应隔室中，使得不同种类的沉积源在处理腔室内被分离，如稍后示例性地参考图6更详细的描述。
图1C示出了如图1B中示意性地示出的处理系统100的更详细的视图。如图1C示例性地所示，在一些实施方式中，柔性基板10可以被引导而通过分离处理系统的腔室的壁中的狭缝或开口，例如，被引导通过第一腔室110与处理腔室140之间的分离壁122中的狭缝或开口。例如，狭缝可以适于将基板从一个真空腔室引导到另一真空腔室。在其它实施方式中，狭缝或开口可以包括密封元件，以便至少实质上分离由狭缝连结的两个腔室的压力条件。例如，如果由狭缝或开口连结的腔室提供不同的压力条件，那么壁中的狭缝或开口经设计以便维持腔室中的各自的压力。
根据本文所述的实施方式，用于将第一腔室110或退绕腔室与处理腔室140分离的至少一个间隙闸门(例如，间隙闸门180)或负载锁定阀设置在分离壁122处，如图1C示例性地所示。至少一个间隙闸门可以经构造以使得柔性基板可以从中移动通过，并且间隙闸门可以打开和关闭以提供真空密封。根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，间隙闸门180可以包括用于引导基板(例如，以10°或更大的角度将基板移动重新定向)的辊。此外，可以提供可充气密封件，所述可充气密封件可以压靠在间隙闸门的辊上。据此，间隙闸门可以通过向密封件充气而关闭，并且第一腔室110和处理腔室140以真空密封的方式彼此分离。据此，例如，第一腔室110可被通气，而处理腔室140可以维持在技术真空下。
根据另一替代实施方式，间隙闸门或负载锁定阀也可以不设有辊。可充气密封件可以将基板压靠在平坦的密封表面上。然而，也可利用用于选择性地打开和关闭间隙闸门的其它装置，其中打开和关闭(即，具有打开的基板路径和真空密封)可以在基板插入的同时进行。用于在基板插入时关闭真空密封的间隙闸门允许特别容易地更换基板，因为来自新的辊的基板可以附接到来自先前的辊的基板。
虽然相对于将柔性基板从第一腔室引导到处理腔室描述了间隙、开口或间隙闸门，但是如本文所述的间隙、开口或间隙闸门也可在处理系统的其它部分之间使用，诸如在处理腔室140与通道150之间、在通道150与第二腔室120之间、和/或在另一处理腔室(例如，第二处理腔室240，如图2所示)与第二腔室120之间。
如图1C中的第一腔室110和第二腔室120中的虚线示例性地指示，根据一些实施方式，真空处理系统100可以包括插层(interleaf)模块，例如在要处理的柔性基板10与插层11一起被提供在供应卷111上的情况下。据此，插层可以提供在柔性基板的相邻层之间，使得可以避免柔性基板的一个层与柔性基板的相邻层在供应卷111上的直接接触。例如，退绕腔室可配备有第一插层模块以用于收紧被提供用于保护供应卷111上的基板的插层。插层模块可以包括一些插层引导辊107以用于当将具有插层的柔性基板从供应卷111退绕时将插层引导到插层收紧卷117。据此，卷绕腔室也可包括插层模块，所述插层模块包括插层引导辊107以用于将从插层供应卷127供应的插层11引导到收紧卷121。据此，第二插层模块可以提供插层，所述插层与经处理的基板一起卷绕在收紧卷121上以用于保护收紧卷121上的经处理的基板。将理解，第一腔室110和第二腔室120可以分别设有用于安装插层收紧卷117和插层供应卷127的保持和/或接收装置，以及用于安装相应插层引导辊的保持和/或接收装置。
图1D示出了如图1C中所示的处理系统100的示意性俯视图。在图1C和图1D的示例中，操作人员170正在通过维护区130替换第二腔室120的收紧卷121。将注意，收紧卷121在不同位置处以虚线所示。根据一些实施方式，控制信号可以通知操作人员170需要替换第二腔室120中的收紧卷121。如图1C和图1D中可见，维护区130提供了用于更换收紧卷121的良好的可接取性(accessibility)。
根据一些实施方式，从图1D中可以看出，如本文所述的处理系统可以允许以容易且简单的方式更换处理系统中的组件。在图1D的右侧上，示出了具有处理滚筒142(虚线)的处理腔室140。由图1D中的附图标记175指示的操作人员可以接取处理部件141，诸如接取沉积源。根据一些实施方式，一个或多个处理部件141可以被组合在一起，使得一个或多个处理部件可以作为一个单元或一个群组(例如，一个群组由处理腔室的第一部分形成，如上文相对于倾斜凸缘所解释的)被接取。根据其它实施方式，可以逐个接取单独的处理部件。处理部件141可以更换，例如，在处理部件被磨损或消耗的情况下，或在如果处理应当发生变化的情况下。例如，根据本文所述的实施方式的处理系统可提供选择以改变基板宽度。处理部件的容易接取和容易更换可有助于有效地将处理系统用于不同的处理类型或不同的基板。
根据一些实施方式，供应卷和收紧卷的以移除、更换或提供供应卷或收紧卷的形式的维护(即，卷绕腔室中的一个或多个被通气和/或打开的维护任务)可以在基板被保留在一个或多个处理腔室中的同时被执行。根据一些实施方式，处理系统的处理动作停止并且基板运输辊停止活动。然后，基板可以通过处理腔室与卷绕/退绕腔室之间的真空密封阀或间隙闸门被夹紧于其中，例如通过处理腔室与卷绕/退绕腔室之间的可充气密封件将基板夹紧于其中。在一些实施方式中，在基板被夹紧在处理腔室与卷绕/退绕腔室之间之后，基板在卷绕/退绕腔室中被切割。供应卷和/或收紧卷被移除和/或更换。由供应卷提供的新添加的基板可以固定(诸如粘附或胶合)到在退绕腔室中的基板的切割端部。在此情况下，在一个或多个处理腔室在真空下被保持的同时，卷绕腔室中的一个或多个被通气和/或打开，并且当真空被保持在处理系统的其它部分中的同时，在卷绕/退绕腔室中执行维护。
根据一些实施方式，维护区130可以适于第一腔室、第二腔室和/或甚至是在第一腔室和/或第二腔室上方的隧道的典型维护步骤。例如，维护区130的大小可以适于操作人员170的体型，如图1C示例性地所示。此外，维护区130的大小可经选择而使得操作人员可以从第一腔室和第二腔室移除供应卷和/或收紧卷。根据一些实施方式，维护区可以具有多于1m的长度171(如可从图1D中看出)。根据一些实施方式，维护区可具有的长度171典型地在约1m与约3m之间、更典型地在约1.5m与约2.5m之间，并且甚至更典型地在约1.5m与约2m之间。此外，维护区可以具有多于1.7m的高度172(如可从图1C中看出)。根据一些实施方式，维护区可具有的高度172典型地在为约1.7m与约3m之间、更典型地在约2m与约3m之间，并且甚至更典型地约2m与2.5m之间。此外，维护区130可以具有取决于基板宽度的深度173(如可从图1D中看出)。在一些实施方式中，维护区130的深度173可以大于0.7m。根据一些实施方式，维护区可具有的深度173典型地在约1.0m与约4.0m之间、更典型地在约2m与约3.5m之间，并且甚至更典型地在约2m与约3m之间。
如图1D中在位置121-1中的具有虚线的收紧卷所指示，维护区允许操作人员170处理从第二腔室120移除的收紧卷。根据一些实施方式，维护区130的大小可以是在出于维护目的而容易接取腔室与沉积系统的可用空间之间的折衷。在一些实施方式中，如本文所述的沉积系统中的引导辊系统，并尤其是引导辊数量，适合于维护区的大小。
在一些实施方式中，维护区130允许例如在处理腔室140被抽空为10mbar或以下的压力时，在操作期间通向或属于第一腔室110和第二腔室120中的至少一个腔室的维护通道。例如，维护通道可以在操作期间以服务或激活控制元件的形式、或以视觉控制的形式或类似而被提供。然而，将理解，供应卷111和收紧卷121的以移除、更换或提供供应卷111或收紧卷121的形式的维护(即，卷绕/退绕腔室中的一个或多个被通气和/或打开的维护任务)无法在处理系统的操作(即，处理动作)期间执行。然而，当可被通气和/或打开以用于维护通道的一个或多个处理腔室被抽空到例如10mbar或以下的压力时，维护区也保持在大气压力下，所述维护区允许用于以移除、更换或提供供应卷和收紧卷的形式维护供应卷111或收紧卷121和/或用于清洁与维护区130相邻的真空腔室的一个或多个的内部的维护通道。
在一些实施方式中，维护区130被提供并被构造为使得第一腔室110和/或第二腔室120可以分别从第一腔室110的径向方向和从第二腔室120的径向方向接取。维护区130允许分别从供应卷111和收紧卷121的径向方向接取第一腔室110和/或第二腔室120。在一个实施方式中，腔室的径向方向可对应于供应卷或收紧卷中的一个的径向方向。根据一些实施方式，维护区允许分别从供应卷和收紧卷的卷绕轴的径向方向接取第一腔室和/或第二腔室。特别地，维护区可以允许从相应的第一径向侧和相应的第二径向侧接取第一腔室(例如，具有供应卷的真空腔室)(参见例如图1B中的110)和接取第二腔室((例如，具有收紧卷的真空腔室)参见例如图1B中的120)，其中第一径向侧和第二径向侧彼此面对。例如，供应卷可径向地朝向收紧卷轴移除，反之亦然。
根据本文所述的实施方式，维护区允许维护通道。维护通道可以包括视觉维护(诸如视觉控制)、对用于控制信号或接收信号的电子单元的访问，或物理入口。在一个示例中，维护通道可以由门、窗或可通过例如盖子关闭的开口提供。根据一些实施方式，维护通道可由腔室壁提供，诸如在卷绕或退绕腔室的壁中的窗口。
在一些实施方式中，维护区可以通过腔室壁中的窗口提供维护通道，所述窗口如图1C中由两条水平线表示的检查窗口134所指示。在第二腔室120的壁中示例性地示出的检查窗口可以布置在允许基板被观察到的高度处(例如当基板被卷绕在收紧卷轴上时或在基板从供应卷轴上退绕时)。根据一些实施方式，检查窗口可以具有用于观察柔性基板的整个宽度的大小，诸如典型地在约1m与约3m之间、更典型地在约1.2m与约2.5m之间，并且至更典型地在约1.4m与约2.4m之间的宽度。根据另外一些实施方式，检查窗口可以具有用于观察整个卷绕和/或退绕处理的大小，例如，通过允许看到完整的供应卷和/或完整的收紧卷。在一些实施方式中，维护区的检查窗口可由若干检查端口组成，这些检查端口一起使得操作人员能够对腔室中的处理留下印象。
根据一些实施方式，维护区可以提供通向第一腔室和/或第二腔室的通道，例如，以腔室壁中的门的形式。一个或多个门可以适于接近第一腔室和/或第二腔室中的部件，例如，用于接近供应卷或收紧卷。在一些实施方式中，门可以包括腔室的检查窗口。根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，门可以允许操作人员进入第一腔室和/或第二腔室。
在一些实施方式中，照明装置可以设置在第一腔室和/或第二腔室中。特别地，照明装置可以布置在第一腔室和/或第二腔室中，使得要处理的基板或经处理的基板可以从一侧被照亮，诸如处理侧或未处理侧(或要处理的那侧或未处理的那侧)。例如，照明装置可以促进基板的检查和视觉控制，这可以如上所述的方式通过维护区被执行，并特别是通过腔室壁中的窗口(诸如检查窗口134)执行。在一个实施方式中，照明装置是灯。
在图1D中，示出用于供应卷111和收紧卷121的装载和卸载系统160的示意图。根据一些实施方式，集成装载和卸载系统可以被提供以用于如本文所述的处理系统。在一些实施方式中，装载和卸载系统可以包括工作台190和用于收紧卷121和/或供应卷111的移入/移出装置。在图1D中所示的示例中，示出收紧卷121的移出。例如，移入/移出装置可以由操作人员170插入第一腔室110中，以便夹持待被更换或移除的收紧卷121。夹持收紧卷的移出装置可以从第一腔室110中缩回并且可以将收紧卷121从第二腔室120移除。在一个示例中，移出装置可以包括夹持装置以用于在收紧卷的两端夹持收紧卷来将收紧卷从卷支撑件(例如，卷支撑件可以是可旋转轴)上移除。根据一些实施方式，移入/移出装置可以适于使得收紧卷可以从第二腔室中移除而不接触卷绕在收紧卷上的基板。
从图1D中可以看出，当收紧卷121从第二腔室120中移除时，收紧卷121被装载在维护区130中的位置121-1处的基板处理系统的工作台190上。工作台190可以是升降台，并特别是中心升降台。操作人员170可以在维护区130内移动，以便移动(例如，在位置121-1处的)工作台190与其上的收紧卷。然后，工作台190可以从维护区130中移除，以将收紧卷在位置121-2处从维护区130中带出。因此，操作人员170可以以容易且简单的方式移动收紧卷。
根据一些实施方式，基板处理系统可以包括工作台的替代方案。例如，夹持工具可以用于将收紧卷移出维护区。在另外实施方式中，收紧卷可以由轴、支撑件或类似构件承载，从而允许操作人员处理收紧卷。根据一些实施方式，当使用在维护区130下方延伸的隧道来替代在维护区130上方延伸的通道150的情况下，可以使用升降台的替代方案。
一般，虽然仅描述了更换收紧卷轴的过程，但是维护区还提供了良好的可接取性以用于在涂覆处理之间的基板馈入和馈出。因此，供应卷111也可以图1D所示的方式更换。
在一些实施方式中，升降台可以形成中心升降台以用于将基板装载到沉积系统中和从沉积系统中卸载基板。工作台可以包括基板支撑件以用于将收紧卷或供应卷与基板保持在一起。根据一些实施方式，升降台可以在至少上部位置与下部位置之间移动。布置在基板支撑件中或基板支撑件上的收紧卷上的基板可以在升降台的下部位置中移出维护区。当基板和升降台移出维护区时(如位置121-2处的收紧卷所指示)，收紧卷与基板一起可进一步通过起重机(诸如室内起重机或高架起重机)运输，或可以例如通过起重机(诸如作为处理系统的一部分的龙门起重机或类似起重机)被提升到运输车辆。
通过使用如本文所述的装载和卸载系统，可移动退绕器和重绕器(诸如在处理期间存在于第一腔室和第二腔室内的卷绕装置和退绕装置)未被用于根据本文所述的实施方式的沉积系统。用于移动和夹持辊的工具可以从维护区被引入第一腔室和第二腔室中。根据另外实施方式，基板处理系统可以包括集成的门式起重机以用于提升要从腔室移除的辊，例如，在处理系统使用隧道来在处理系统内运输基板的情况下。
然而，通过使用在维护区上方具有通道的设计的处理系统，根据本文所述的实施方式，高架起重机未被用于从沉积系统中移除基板，这为沉积系统的用户节省了成本和空间。因此，根据本文所述的实施方式的处理系统也可用于比本领域已知的系统更小(或更低)的工厂建筑物。而且，沉积系统在不使用高架起重机的情况就不会对环境有高需求。
应理解，当向腔室递送新供应卷或收紧卷时，如上所述的从腔室中移除卷的处理也可以以相反的顺序执行。
根据一些实施方式，处理系统可以包括控制单元以用于控制真空处理系统中的参数。例如，控制单元可以是设置在处理系统的腔室外的控制器或控制接口。在一些实施方式中，控制单元可连接到处理系统的单独腔室中的传感器和/或可连接到沉积源、供应卷、收紧卷和类似部件。据此，控制单元可能能够在处理系统中计算期望测量。例如，控制单元可以指示何时需要执行供应卷或收紧卷的更换(例如，经由维护区)。控制单元也能够在沉积系统中的部件故障的情况下产生警报。
根据一些实施方式，如本文所述的处理系统可以具有模块化设计。例如，如图1A到图1D中示例性地示出的处理系统可以适于使得第二处理腔室可以被连接，例如与第一腔室相邻地进行连接。据此，处理系统可以设有凸缘或连接基座，从而允许通过将另外腔室连接到处理系统来扩展处理系统。例如，第二腔室120或卷绕腔室可以包括用于将第二处理腔室240相邻地安装至第二腔室或卷绕腔室的连接件和类似构件，如图2示例性地所示。据此，将理解，另外腔室可以被提供以用于扩展处理系统的操作范围。据此，如本文所述的处理系统的模块化设计允许调适基座形状的大小，使得其与用户的需要和要求(例如，工厂中的空间要求)相适应。
根据处理系统的一些实施方式，第一处理腔室140A可以与第一腔室110或退绕腔室相邻地布置，而第二处理腔室240可以与第二腔室120或卷绕腔室相邻地布置。特别地，第二处理腔室240可经定位使得第二腔室120设置在维护区130与第二处理腔室240之间，如图2示例性所示。
在图2中所示的实施方式中，要处理的柔性基板10在退绕腔室或第一腔室110中退绕。经由引导辊(例如，引导辊104)，柔性基板10被引导到处理系统的第一处理腔室140A。为了在第一处理腔室140A中处理柔性基板10，基板可由处理滚筒142引导。处理滚筒142可以是可旋转的。第一处理腔室140A可以包括处理部件141，基板在通过处理滚筒142引导时被引导而通过处理部件。例如，处理部件141可以包括至少一个沉积源。在图2中所示的实施方式中，在第一处理腔室140A中仅示出了一个沉积源，而以虚线示了第一处理腔室的其它沉积源。
虽然在图2中所示的实施方式中，第一腔室110被描述为退绕腔室并且第二腔室120被描述为卷绕腔室，但是根据本文所述的实施方式的沉积系统不限于此布置。在替代实施方式中，第一腔室110可以是卷绕腔室，并且第二腔室可以是退绕腔室。
根据一些实施方式，第二处理腔室240可以与如本文所述的第一处理腔室140类似地配置。据此，第二处理腔室240可以包括具有第二旋转轴线243的第二处理滚筒242和一个或多个第二处理部件241，如图2示例性地所示。将理解，第二处理腔室可以包括如关于如本文所述的第一处理腔室描述的一些或全部部件。据此，第二处理腔室240可以包括倾斜凸缘、第一部分和第二部分，它们具有如关于第一处理腔室140A所描述的全部的特征和优点。
从图2中可以看出，根据本文所述的实施方式的处理系统提供以模块化的方式组装处理系统的可能性。例如，处理系统可以例如通过将额外的第二处理腔室(例如，第二处理腔室240)安装到如上文参考图1A到图1D所述的处理系统100来适应要执行的处理的特殊要求。据此，更多不同的处理可以在处理系统内组合，例如，通过添加第二处理腔室、或通过改变处理系统的处理腔室中的处理部件(这相对于如本文所述的处理系统可执行的处理提供了高灵活性和可变化性)。
在处理基板之后，柔性基板10被引导而通过通道150，通道150可以布置在卷绕腔室(例如，第二腔室120)、维护区130和退绕腔室(例如，第一腔室110)上方。在一些实施方式中，通道150可以是顶侧盖子的部分，或可以被设置为在维护区以及第一腔室和第二腔室下方的隧道。根据一些实施方式，隧道可以包括一个或多个闸门，所述一个或多个闸门可能够将第一处理腔室140A中的压力条件与真空处理系统100的第二处理腔室240分离。在一些实施方式中，间隙闸门180设置在真空处理系统100中的从一个腔室到另一腔室的每个通路处，诸如在退绕腔室与第一处理腔室之间、在第一处理腔室与通道之间、在通道与第二处理腔室之间和在第二处理腔室与卷绕腔室之间。特别地，一个或多个间隙闸门180可以如示例性地关于图1C详细地描述的那样构造。在柔性基板10已经通过通道150之后，柔性基板10被引导(例如，通过一个或多个引导辊104)到第二处理腔室240。根据一些实施方式，第二处理腔室240可以被设计为第一处理腔室140A，或上文参考图1A到图1D所述的处理腔室。例如，第二处理腔室可以包括处理滚筒242和一个或多个处理部件241(诸如沉积源)。在一个示例中，第二处理腔室240的沉积源可以布置在处理滚筒242的中心线或旋转轴线243的高度处或中心线或旋转轴线243的高度下方。基板可由处理滚筒242引导通过处理部件241。在第二处理腔室240中的处理部件241是沉积源的情况下，一个或多个附加沉积材料层可以涂覆在基板上。根据一些实施方式，第二处理腔室为在第一处理腔室中沉积在基板上的层提供了附加或互补成分。
在第二处理腔室240中处理柔性基板10之后，基板可以被引导到第二腔室120或卷绕腔室，其中经处理的基板卷绕在收紧卷121上以存储经处理的基板。将理解，在如图2所示的示例性实施方式中也是如此，第一腔室110和/或第二腔室120可以通过维护区130接取以维护第一腔室和/或第二腔室，如上文参考图1C和图1D详细地描述的。
根据一些实施方式，具有两个处理腔室的沉积系统的包角可以小于540°。如上解释，根据本文所述的实施方式的具有两个处理腔室的沉积系统中的卷(包括引导辊，但不包括供应卷和收紧卷)可以经布置以使得经处理的基板表面不被辊触碰。
示例性地参考图2，根据一些实施方式，如本文所述的真空处理系统的(多个)处理腔室可经形成以便于为基板提供从处理腔室到相邻腔室(诸如卷绕腔室)或另一处理腔室的通道。例如，第一处理腔室140A和/或第二处理腔室240可以提供第一臂状延伸部140E和/或第二臂状延伸部240E，以为真空处理系统中的基板提供通道。根据本文所述的一些实施方式，因此通道是由(多个)处理腔室和(多个)其延伸部提供的。在其它实施方式中，仅一个处理腔室可配备有用于通道的延伸部。根据本文所述的一些实施方式，通道由此设置在第一(真空)腔室和第二(真空)腔室上方。
将理解，如本文所述的处理系统经形成以用于各种工艺和PVD工艺(诸如蒸发或溅射)或CVD工艺(诸如PECVD工艺或钨(Wolfram)化学蒸气沉积工艺(Wolfram ChemicalVapor Deposition process,WCVD))的共用平台，这些工艺可以在基板移动通过处理系统时组合。例如，如本文所述的处理系统可以用于进行硅烷沉积工艺。应当注意，不同的PECVD工艺可以组合，并且例如用于TFT或柔性TFT制造、薄膜阻挡层沉积，更特别地用于薄膜超高阻挡层。
据此，如本文所述的沉积系统据此可以被提供有具有“单滚筒(single drum,SD)”(图1A到图1D中描述的实施方式)和“双滚筒(double drum,DD)”(图2中描述的实施方式)选项的模块化主机设计，以实现高灵活性。模块化设计还提供了在多种源上的灵活性。例如，可以提供多个自底向上沉积源，从而降低污染风险。沉积源并且甚至处理腔室可依据处理参数(诸如应用类型和层堆叠)而被使用或提供。
在一些实施方式中，沉积系统的设计可以适于根据相应应用来打开和关闭第二处理腔室。例如，已经通过第一处理腔室的基板可依据期望处理而被引导到第二处理腔室，或任选地，被引导到卷绕腔室。在一个示例中，控制单元可以激活相应引导辊以将基板引导到期望腔室。根据一些实施方式，可以关闭基板的替代路径，诸如当在第一处理之后将基板直接地引导到重绕腔室时的将基板引导到第二处理腔室的路径。
据此，具有用于各种沉积源的灵活性和空间的本文所述的系统允许若干CVD、PECVD和/或PVD工艺在单个沉积设备(例如，R2R涂覆机)中的模块化组合。模块化概念(其中包括要求非常良好的气体分离的那些沉积源的全部种类的沉积源可以用于根据本文所述的实施方式的沉积系统)帮助降低复杂层堆叠的沉积成本，所述复杂层堆叠必须应用不同沉积技术或处理参数的复杂组合来沉积。
图3示出了如本文所述的实施方式的真空处理系统的部分的示意性剖视图。特别地，图3示出了至少一个处理腔室(例如，图3中的处理腔室140)的构造的示例，至少一个处理腔室可连接到根据本文所述的实施方式的真空处理系统的第一腔室110和通道150。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，处理腔室140可以包括相对于竖直取向或水平取向倾斜的分离壁122，如图3示例性地所示。例如，分离壁122的倾斜角度可以相对于竖直方向为20°到70°。据此，壁的倾斜允许提供待被提供的额外的处理部件(例如，沉积源)，使得附加处理部件的轴(参见图3中所示的线331)(例如，沉积源的对称轴线)位于与处理滚筒142的旋转轴线143相同的高度处或旋转轴线143的高度下方。在图3中，示出了被提供的四个沉积源，其中一个沉积源布置在处理滚筒142的旋转轴线143的高度处，并且另三个沉积源设置在处理滚筒142的旋转轴线143的高度下方。如上所述，在这种构造下，在基板上的产生颗粒的剥落和落下可减少或避免。图3中所示的第五处理站可以例如是蚀刻站640，蚀刻站640可以例如设置在处理滚筒142的旋转轴线143上方。然而，应该理解，也可以在处理腔室140的第一部分146的凸壁部分的任何其它位置处设置一个或多个蚀刻站。例如，一个或多个蚀刻站可以经构造以用于等离子体蚀刻。据此，如本文所述的实施方式也可经构造以用于R2R图案化，例如通过应用一个或多个蚀刻处理。
示例性地参考图3，根据一些实施方式，基板可以被引导而通过第一真空处理区域(例如，图3中的最下部的处理部件的第一真空处理区域)和至少一个第二真空处理区域(例如，图3中所示的最下部的处理部件的右侧上的另一处理部件)。即使在本文中通常提及沉积源作为处理部件，但是也可沿着处理滚筒306的弯曲表面设有其它处理部件，如蚀刻站、加热站等。据此，具有用于各种沉积源的隔室的本文所述的系统允许若干CVD、PECVD和/或PVD处理例如在R2R涂覆机构造中的模块化组合。有益地，模块化概念(其中包括要求非常良好的气体分离的那些沉积源的全部种类的沉积源可以用于根据本文所述的实施方式的处理系统)帮助降低复杂层堆叠的沉积成本，所述复杂层堆叠必须应用不同沉积技术或处理参数的复杂组合来沉积。
据此，将理解，根据本文所述的实施方式，沉积源(例如，等离子体沉积源)可以适于在柔性基板(例如，腹板或箔)、玻璃基板或硅基板上沉积薄膜。特别地，沉积源可以适于并且可以用于在柔性基板上沉积薄膜，例如，以形成柔性TFT、触摸屏装置部件或其它电子或光学装置。
根据一些实施方式，处理滚筒142的弯曲外表面与腔室的凸缘或凸起形状的距离可以是10mm到500mm。特别地，所述距离是指从处理滚筒表面到内壁或凸缘部分的尺寸，其界定了处理腔室140的真空区域。提供上文提及的凸起形状和尺寸允许处理腔室140的第一部分146中的减小的腔室容积。处理腔室的第一部分146中的减小的腔室容积允许更容易的气体分离和处理区域的更容易的排空。例如，处理腔室140的第二部分147可以具有一定容积的可抽空的区域，并且处理腔室140的第一部分146可以具有另一容积的另一可抽空的区域，其中所述一定容积与所述另一容积的比率为至少为2:1，诸如3:1到6:1
根据另外一些实施方式，第一部分146中未填充有固体材料的区域可填充有材料块以减小要抽空的区域。例如，第二部分147具有一定容积的可抽空的区域，并且第一腔室部分146具有另一容积的另一可抽空的区域，并且所述一定容积与所述另一容积的比率通过容积减小块而增大到至少7:1。
参考图3，根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，可以提供检查系统、特别是层测量系统(layer measurement system,LMS)，诸如用于估计基板处理的结果的光学测量单元494。据此，将理解，如本文所述的实施方式提供计量能力，例如，用于通过使用例如用于与透明基板一起使用的光学反射和/或透射系统来估计层厚度。
此外，如图3示例性地所示，根据一些实施方式，可以提供至少一个放电组件(例如，图3中的放电组件492)以用于调适基板上的电荷。例如，一个放电组件492可以布置在基板被引导到处理腔室140之前的第一腔室110中，并任选地，另一放电组件492可以布置在基板已经通过处理腔室之后的位置处，例如，布置在通道150中。提供放电组件能够有益于改进处理结果的质量，这是因为，例如，正电荷和/或负电荷可能在退绕腔室中积聚在基板上。特别地，电荷可以在柔性基板从供应卷上退绕的同时产生。然后，即使当腹板移动到处理腔室中时，静电荷也可保留在基板上并且因此可以将杂散颗粒吸引到基板表面。据此，通过提供如本文所述的放电组件，就可提供相反极性的离子，相反极性的离子移动到基板表面以中和电荷。据此，柔性基板的经清洁和放电的表面被提供到处理区域，使得基板(例如，涂层)的处理质量可被提高。
在本公开内容中，术语“放电组件”旨在表示能够通过电场电离气体的任何装置。放电组件可以是被动单元或主动单元或是两者。此外，放电组件可以包括一个或多个中和装置，所述一个或多个中和装置可连接到电源和控制单元。所述一个或多个中和装置可提供为具有一个或多个尖峰(spike)的中和喷枪或电离喷枪。此外，电源、特别是高压电源可连接到中和装置，以便将高电压提供到一个或多个尖峰，使得处理气体能够被电击穿以产生可在电场中朝向柔性基板的表面移动的离子，以便中和在柔性基板的表面上的电荷。控制单元可以发起命令或执行预编程的放电曲线，使得带负电荷或带正电荷的离子流由中和装置产生，带负电荷或带正电荷的离子流将流动到基板表面，使得与基板表面上的电荷极性相反的离子可移动到基板表面并且中和在那里的电荷。
据此，将理解，根据本文所述的实施方式，颗粒对生产率的影响可以通过使用静电电荷减轻装置(例如，如本文所述的放电组件)而被减少，以防止从退绕腔室到基板表面的颗粒材料可能由于用于在退绕期间用于基板运输装料的辊导致的基板带电而受到吸引。这有助于在基板表面处限制外在污染的水平。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，真空处理系统100可以包括预热单元194以在处理之前加热柔性基板10，如图3示例性地所示。例如，预热单元194可以是电加热装置、辐射加热器、电子束加热器或在处理基板之前加热基板的任何其它元件。特别地，预热单元194可以经构造以用于柔性基板的非接触式加热装置，即，预热单元可能能够将基板加热到限定温度而不与基板接触。根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，用于加热柔性基板的预热单元194可以设置在第一腔室110中，如图3示例性地所示。
此外，另外或替代地，预处理等离子体源192(例如，RF等离子体源或离子源)可被提供以在处理基板之前用等离子体处理基板。例如，预处理等离子体源192可以布置在处理腔室140中，特别是在处理腔室140的第二部分147中，使得基板可以在进入处理腔室140的第一部分146之前进行预处理。例如，用等离子体进行预处理可以提供基板表面的表面改性以增强沉积在其上的膜的膜粘附性，或可以以另一方式改进基板形态来改进基板处理。
示例性地参考图3，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式可以提供加热装置131，加热装置131可以延展基板。例如，加热装置131可以经构造以用于在垂直于基板运输方向108的方向上延展柔性基板10或用于在垂直于基板运输方向108的方向上维持基板的延展。根据一些实现方式，加热装置131可定位成与柔性基板10的前侧相对。特别地，加热装置可以经构造以用于在没有前表面接触的情况下并且通过将热量提供到柔性基板来提供基板的横向拉伸。如图3所示，根据一些实施方式，任选地，可以提供定位在与加热装置131的第一侧相对的热量调整单元133。特别地，热量调整单元133和加热装置131可以经布置以间隙或隧道，所述间隙或隧道形成用于柔性基板10的路径。例如，热量调整单元133可以是另一加热装置、热反射板或它们的组合。由加热装置131和热量调整单元133的布置形成的间隙或隧道可以在平行于基板运输方向的方向上具有至少20mm(例如，30mm或更长)的尺寸。如图3示例性地所示，热量调整单元133和/或加热装置131可以与处理滚筒142相邻地布置。例如，对于与基板相对的平坦的加热装置表面，加热装置表面可以基本上平行于与加热装置表面相对的基板部分，如图3示例性地所示。然而，将理解，加热装置表面可以不一定是平坦或平行的。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，加热装置131可以沿着基板的运输方向具有至少5cm、典型地至少10cm(诸如20cm到80cm)的长度。加热装置的宽度可以是基板宽度的至少50％或处理滚筒142的宽度(即，在其旋转轴线143的方向上的尺寸)的至少50％。根据一个示例，所述宽度可以例如分别超过柔性基板和/或处理滚筒的宽度，例如柔性基板的宽度的约110％。
根据加热装置131的示例性实现方式，加热装置131可以设有可单独地控制的两个或更多个分段。据此，可以将单独分段加热到不同温度和/或由每个分段发出的热辐射可以是不同的。特别地，对于具有含有中心分段和一个或多个外部分段的加热装置的实施方式，中心分段的热辐射或加热可独立于一个或多个外部分段而被控制。例如，基板可更多地在基板的中心中进行加热，以便通过其中心部分处的升高温度产生基板延展。
此外，特别地，对于薄基板，例如具有200μm或以下、或100μm或以下、或50μm或以下(例如，约25μm)的厚度的基板，无皱基板处理和/或基板卷绕是期望的，并且是有挑战性的。据此，基板延展可以用延展器辊产生，并且延展可以在没有前表面接触的情况下受到热支撑。据此，根据一些实施方式，无皱基板卷绕和/或运输(或具有减少的皱纹产生的基板卷绕和/或运输)可以通过延展器辊144提供，如图3示例性地所示。
在一些构造中，在没有基板前表面接触的情况下的延展器辊144的位置可能造成延展器辊144和处理滚筒142之间的自由跨度长度，对于有效的延展器效果来说，所述自由跨度长度可能太长了。据此，有益地，加热装置131可以将延展器辊144的延展效果“传递”到处理滚筒142。特别地，加热装置可以以这样的方式加热基板，使得基板不会在到处理滚筒的路径上收缩到基板的初始长度。另外或替代地，加热装置131可以产生先前产生的基板延展的进一步的延展。据此，将理解，加热装置可以在没有延展器辊的情况下或在延展器辊之外提供延展。任选地，处理滚筒142还进一步可以经构造以用于进行加热，例如，处理滚筒可以包括加热元件。
例如，为了在基板运输期间减少或甚至消除基板中的褶皱，加热装置131可以设置在延展器辊144与处理滚筒142之间。据此，加热装置131可以将热量提供到柔性基板10，以便避免损失由延展器辊144引入的延展，即，延展基板被加热装置131加热，使得基板不会在从延展器辊144到处理滚筒142的路径上在基板的初始宽度中收缩。据此，加热装置131可以减小在延展器辊144之后的柔性基板的逆延展(de-spreading)，或甚至可以增大柔性基板的延展。根据一些实施方式，加热装置131距处理滚筒142的距离可以是20cm或以下，特别是10cm或以下。根据可与本文所述的其它实施方式结合的另外实施方式，沿着柔性基板从延展器辊144到处理滚筒142的运输路径的距离可以是110cm或以下，特别是50cm或以下。
根据本文的实施方式，延展器辊144可以适于拉伸柔性基板10。特别地，延展器辊可以具有沿着辊的长度方向的弯曲表面。据此，延展器辊的弯曲表面可以在基板的宽度方向上具有拉紧效果，使得柔性基板10可以沿着基板宽度拉伸。例如，柔性基板10可以在平行于处理滚筒142的旋转轴线143的方向上拉伸。将理解，可以提供各种类型的延展器辊，诸如弓形辊、金属可膨胀辊、弯曲条形辊、带槽辊或类似辊，这些辊中的一些将参照图4A和图4B进行更详细地说明。根据一些实施方式，延展器辊可以包括电加热件以用于支持或增强由延展器辊引入柔性基板中的机械拉伸。
延展器辊144的示例性实施方式在图4A和图4B中示出。如图4A示例性地示出，延展器辊144可以包括弓形或弯曲中心轴(参见例如图4A中的中心轴211)。中心轴的相对两端可提供安装支撑件而支撑。此外，弯曲辊213可以设置在中心轴211上。例如，弯曲辊213可由柔性表面护鞘提供，柔性表面护鞘例如可由橡胶或类似材料制成。据此，当弯曲辊被设置成凸面213A背向柔性基板时，弯曲辊213可以影响柔性基板的横向扩展。
图4B中示出了延展器辊144的另一示例。在此示例中，延展器辊144可以包括两个旋转元件215，两个旋转元件215围绕相应轴线214旋转。如图4B示例性地示出，两个轴线可相对于彼此倾斜。旋转元件215可以具有截头椎体(truncated cone)的形式，其中内径D1小于外径D2。图4B中的旋转元件的与柔性基板10接触的上侧经布置以使得两个旋转元件基本上沿着直线对准。然而，在垂直于图4B中所示的横截面图的方向上的横截面图中，柔性基板10仅在柔性基板10的外部部分处接触旋转元件215。通过在延展器辊144上方引导柔性基板10(例如，通过旋转两个旋转元件进行)，就可实现柔性基板的延展。延展可以通过增大柔性基板10围绕延展器辊144的交织角度来增加。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，真空处理系统可以设有基板引导控制单元300，如图5A示例性地所示。基板引导控制单元300可以包括单个引导辊，例如，图5A中的引导辊104。例如，引导辊104的直径可以选自65mm与300mm之间的范围。引导辊104可以例如被安装到轴115。如本文所使用，术语“轴”应包括引导辊104的任何支撑件，其可以是可旋转的(即，严格意义上的轴)，或可以构成为使得引导辊围绕其旋转的静态轴。值得注意，结合基板引导控制单元描述的单个引导辊是“单个”的，其是指基板引导控制单元提供对基板引导的调整而没有来自在基板处理系统的其它引导辊处测量到的其它数据输入。也就是说，如本文所述的调整仅是基于在单个引导辊处测量到的张力数据。如本文所述的基板引导控制单元可以在没有用于提供测量数据或调整基板的第二引导辊的情况下操作。
根据一些实施方式，引导辊104可配备有两个基板张力测量单元，例如，第一基板张力测量单元301和第二基板张力测量单元302，如图5A和图5B示例性地所示。例如，基板张力测量单元可以包括张力传感器，诸如压阻或压电张力传感器。或者，张力测量单元可配备有霍尔元件或电容器，以便确定张力。根据一些实施方式，基板张力控制单元设有甚至多于两个的基板张力测量单元，并且因此任选地，还具有多于两个传感器。根据一些实施方式，如本文所述的基板张力测量单元可以适于测量0N/m与1000N/m之间的张力。
根据一些实施方式，第一基板张力测量单元301在引导辊104的第一端部处，而第二基板张力测量单元302可以设置在引导辊104的相对的第二端部。在此方面，将理解，辊的术语“端部”应理解为在轴向方向上，即理解为在引导辊的端部或引导辊的轴处或附近的位置。为了清楚起见，第一端部104A和第二端部104B在图5A和图5B中用附图标记清楚指示。据此，基板张力测量单元可同轴地定位在引导辊104的轴115上。或者，基板张力测量单元可以嵌入在引导辊104中。
将理解，如本文所述的基板张力测量单元经构造以测量由被引导的基板导致的作用在引导辊上的张力。通过测量在引导辊两侧上的张力并且由此测量在基板两侧上的张力，就可测量张力差异。基于测量数据，可以进行适当调整。
根据一些实施方式，基板张力测量单元包括换能器和/或应变仪(strain gauge)。特别地，换能器可以包括响应于变化张力而伸展或压缩的梁。应变仪测量电阻的相应变化。由应变仪执行的测量可以被放大并转换为电压或电流以用于进一步处理。
出于说明目的，在图5A和图5B中，引导辊104被示出为安装在框架320上。框架320可以是能够支撑基板引导控制单元300的任何单元。特别地，基板引导控制单元可以设有一个或多个轴承。例如，轴承可以定位在基板引导控制单元300与框架320之间，以便将轴115的旋转移动与框架分离。值得注意，在引导辊两侧上的框架320可能但不一定属于一体框架。
示例性地参考图5A和图5B，基板引导控制单元300可以包括用于调整引导辊的对准的调整单元310。调整单元可以放置在引导辊104的第一端部104A或第二端部104B处。例如，如图5A中示例性地示出，调整单元310可以与第二基板张力测量单元302相邻地放置。提供两个调整单元(未示出)也是可能的，例如，在引导辊104的每个端部处的一个调整单元310。
特别地，调整单元310可应用于引导辊104的对准，以便避免作用在基板上的横向张力。例如，基板引导控制单元300可特别地用于补偿引导辊104处的不同的盘绕强度(coiling strengths)并因此而补偿引导辊104之后的所有设备。不同的盘绕强度可以例如造成基板的沿着基板宽度的不同厚度。这会导致倾斜进料，并且随后造成引导辊和要引导的基板之间的接触变化，这可能伴随着热复杂化。
据此，将理解，由如本文所述的张力测量单元测量的张力数据可以用于通过移动引导辊的一端来调整引导辊的对准。以此方式，就可调整引导辊的相较于水平方向和竖直方向中的一个或多个方向的对准。根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，引导辊可以在与由基板张力导致的力作用在引导辊的轴上时的维度对应的维度上移动。出于说明目的，引导辊104的示例性移动由图5B中的双头箭头350指示。
根据如图5A中示例性地示出的一些实施方式，控制器501可以提供用于控制基板引导控制单元300。例如，由第一基板张力测量单元301测量的在引导辊104的一端上的张力数据和由第二基板张力测量单元302测量的在引导辊104的相对端上的张力数据可以经由数据连接(诸如直连数据线(“对等(peer-to-peer)”)或数据总线)而供应到控制器501。或者，也可经由无线技术供应数据。特别地，控制器可以提供用于执行以下任务中的一个或多个：接收测量到的张力数据；估计测量到的张力数据；进行关于引导辊应如何被对准的计算；在存储器中存储和从存储器中检索数据；控制调整单元器，诸如通过控制用于移动引导辊一端的电机进行。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，控制器501可以是单独的装置(如图5A所示)，例如，包括CPU和可能的数据存储器，特别是个人计算机。或者，控制器可以集成在张力测量单元中的一个或两个中，或控制器可以集成在调整单元中。或者，控制器也可实施在真空处理系统的主控中，例如，通过主控中运行的相应程序或软件实现。
据此，将理解，数据连接311可以用于将信息从张力测量单元和/或调整单元传输到控制器和/或外部接口。例如，这种接口可以包括处理来自测量单元和/或一个或多个调整单元的数据的个人计算机。另外，接口可以包括模拟前面板，所述模拟前面板包括用于调谐调整单元310的不同元件，即，使用不同的电位计、表盘、开关和显示器调谐。此外，接口还可包括数字装置，所述数字装置包括数字键盘、图形显示、文本命令或图形用户界面。典型地，所有这些接口包括不同特征，诸如控制器功能、系统校准、环境条件补偿或从张力测量单元或调整单元的波形获取和记录。
数据连接311典型地用于将来自测量单元的信息(例如，经由控制器501)传输到调整单元310。调整单元310接收关于引导辊104应如何被调整的信息。在最简单的实现方式中，信息可仅限于关于是否应进行调整的信号，并且如果是的，那么在哪个方向上进行。调整单元可以将引导辊的相应端部移动到此方向上，直到信号变为“无移动”信号或指示调整单元再次在相反方向上移动引导辊的信号。然而，调整单元可以是更复杂的，例如，调整单元可以接收关于在引导辊两侧之间的张力差值的信息，并且调整单元可以发起引导辊的相应移动，直到张力均衡。
根据一些实施方式，为了连接数据连接311，使用不同的端口类型。例如，当使用串行通信时，端口是RS232、RS422、RS485或通用串行总线(USB)端口。特别地，当期望数据连接311与计算机之间的通信时，就可使用并行通信装置。最常用的并行通信装置是DB-25、Centronics 36、SPP、EPP或ECP并行端口。数据连接311可以用于使调整单元310与晶体管-晶体管逻辑电路(transistor-transistor logic,TTL)或可编程逻辑控制器(programmable logic controllers,PLC)兼容。另外，数据连接311可以用于将张力测量单元中的一个或多个和/或调整单元与网络连接。
图5B示出了本主题的基板引导控制单元300的另一实施方式的示意性剖视图。在本文的整个公开内容中，相同的附图标记用于相同的对象。调整单元310被示出为包括用于移动引导辊的一端的调整致动器313，诸如电机。值得注意，这不限于图5B的实施方式，本文所述的所有实施方式的一个或多个调整单元可以设有致动器，诸如电机。例如，电机可以是线性电机。如双头箭头350指示，电机能够在此页所示的透视图中上下移动引导辊的端部。
根据一些实施方式，调整单元的移动方向对应于张力测量单元的测量方向。也就是说，如图5B所示，第一基板张力测量单元301和第二基板张力测量单元302可以经构造以在与调整单元310经构造以移动引导辊104的方向相同的方向上测量在引导辊104处的张力。例如，在图5B的实施方式中，由双头箭头350指示的方向可对应于调整单元的移动方向和张力测量单元的测量方向两者。
将理解，可以在如本文所述的调整单元中使用各种致动器。例如，用于调整的致动器可以是电动电机或液压电机。此外，虽然未明确地示出，但是可以在框架320处设有轨道或类似部件，调整单元可以沿着轨道移动引导辊104的相应端部(104A、104B)。
图6示出了如本文所述的真空处理系统的一部分的示意性剖视图。示例性地参考图6，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，至少一个处理腔室(例如，第一处理腔室140A和/或第二处理腔室240)可以包括气体分离单元370。如图6所示，柔性基板10经由引导辊(例如，引导辊104)和处理滚筒142被引导而通过两个或多个处理区域，例如，第一处理区域381和第二处理区域382。在图6的示例性实施方式中，示出五个气体分离单元370。从图6中可以看出，根据一些实施方式，两个相邻气体分离单元可在其间形成处理区域。换句话说，单独处理区域可由气体分离单元分离。据此，在图6中，可识别出四个处理区域。将理解，可以根据要进行的选定处理来调整处理区域的数量。根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，处理区域中的每个可以根据期望处理条件而彼此独立地被抽空。例如，如图6所示，处理区域中的每个可以包括真空凸缘402。据此，处理系统可以经构造以使得一个或多个真空泵或真空泵布置可连接到各个真空凸缘中的每个。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，内部泵遮蔽件可以用于控制处理隔室内(例如，在第一处理区域381和第二处理区域382内)的气流。特别地，内部泵遮蔽件可以包括用于控制流体速度流线(fluid velocity streamlines)的遮蔽件几何形状。更特别地，内部泵遮蔽件可以经构造以促进层流气流，使得再循环区/盲区可以被抑制以降低处理隔室内的颗粒成核和生长的风险。此外，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，处理隔室可以经构造以用于在处理区内的均匀压力分布。特别地，处理隔室可以经构造以使得可以获得直接靠近气体注入喷嘴的最小压差，例如，在沉积或涂覆区内的小于0.1％的压差。
根据一些实施方式，气体分离单元370可以包括气体分离壁372，气体分离壁372防止一个处理区域中的气体进入相邻区域，诸如相邻处理区域。此外，气体分离单元370可以经构造以用于调整气体分离单元370与处理滚筒142之间的狭缝20的宽度，如箭头371指示。根据一些实施方式，气体分离单元370可以包括致动器374，致动器374经构造以如箭头371指示的那样移动耦接到致动器374的元件373。气体分离单元370的元件373可以在气体分离单元370与沿着处理滚筒142的表面引导的柔性基板10之间提供狭缝。据此，元件373可以限定狭缝长度，并且元件373的位置可以限定气体分离单元370与柔性基板10之间的狭缝的宽度。据此，气体分离单元370适于分离相邻真空处理区域并且形成狭缝，基板可以通过狭缝在处理滚筒的外表面与气体分离单元之间通过。此外，气体分离单元可以适于控制相邻处理区域(例如，第一处理区域381和第二处理区域382)之间的流体连通。将理解，第一处理区域381可以是第一真空处理区域，并且第二处理区域382可以是第二真空处理区域。特别地，在相邻处理区域之间的流体连通可以通过调整气体分离单元的位置来控制，如箭头371指示。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，气体分离单元370的致动器374可以从由以下组成的群组中选择：电机、气动致动器(诸如气缸)、线性驱动器、液压致动器(诸如液压缸)和当被暴露于预定加热或冷却时具有预定热膨胀系数的支撑件，如关于图7A和图7B更详细地描述的。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，可以提供狭缝宽度监视装置342(例如，光学测量装置，诸如相机)，如图6示例性地所示。狭缝宽度监视装置342可以用于测量气体分离单元370与柔性基板10之间的狭缝20的宽度。狭缝宽度监视装置342可连接到监视控制器450，例如，通过信号线343连接。监视控制器450可以用信号线连接到相应气体分离单元的致动器374。据此，监视控制器450可以发起用于控制致动器374的信号以调整气体分离单元370的位置，特别是元件373的位置，如箭头371指示。
示例性地参考图6，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，一个或多个沉积源630可以设有连接631。连接631可以是用于处理气体的输入和输出的电连接和/或连接。此外，一个或多个监视装置633可以被提供以用于沉积源630。例如，监视装置633可以是用于测量沉积源处的电极电压和/或电极电流和/或等离子体阻抗的装置(例如，在匹配电路之后的)。另外或替代地，也可监视流入沉积源的处理区域和流出沉积源的处理区域的气体。例如，可以分析相应导管处的压力和/或甚至是气体混合物。将理解，如果狭缝20的宽度增大，那么气体分离系数降低并且相邻处理区域的处理气体可以进入。据此，如本文所述的实施方式可以经构造以用于改变气体压力和气体混合物，使得处理区域中的等离子体条件可以变化。据此，监视装置633可以用于确定等离子体条件。鉴于等离子体条件变化这一事实，例如，如果处理滚筒的直径(例如，因热膨胀)增大，那么监视装置633可以用于确定源与处理滚筒之间的狭缝宽度。例如，与狭缝宽度和/或等离子体条件有关的一个或多个信号可提供到监视控制器450，例如，通过信号线343提供。由于监视控制器450可连接到致动器374，如上概述，气体分离单元的狭缝宽度可相应地进行调整。据此，将理解，监视控制器450可以用于控制狭缝宽度的调整。特别地，狭缝宽度的调整可被自动化。据此，可以在如本文所述的真空处理系统的整个操作中提供改进或优化的气体分离系数。这也可以防止在处理滚筒的温度升高时刮擦处理滚筒的风险。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，监视装置可以是CVD处理监视器。例如，监视装置可以测量由以下组成的群组中的至少一个：沉积源的电压、电流、相位、谐波、阻抗、或(在使用算法的情况下)等离子体密度。对应等离子体监视装置可以用于清洁处理的终点检测、硅烷粉尘形成通知，以及用于实时非侵入性处理反馈，例如通过用于系统控制的算法的等离子体密度的形式。然而，根据本文所述的一些实施方式，另外，监视装置可以用于确定PECVD源的电极距基板和/或设置在基板后面(例如，处理滚筒)的相应的对电极(counter electrode)的距离。另外或替代地，也可用监视装置测量因气体分离单元的狭缝宽度变化而引起的处理气体变化。
据此，将理解，根据一些实施方式，非侵入性等离子体表征方法可由监视装置(例如，阻抗传感器)提供。例如，阻抗传感器可以用作匹配前或匹配后传感器，即，用于匹配电路或在匹配电路之后。据此，监视装置的匹配后安装可以提供关于电极上的RF电压和实际等离子体阻抗的直接信息。根据一些实施方式，可以提供等离子体的电子“指纹”，其中还可确定电极距基板的距离或来自相邻区域的处理气体污染。相角和/或谐波信号的幅度差异可以表示处理条件的细微变化，例如，处理漂移的开始。据此，可以提供关于入射在被供电的电极表面处的离子通量以及由此的等离子体密度的间接信息，特别是通过测量向沉积源供电的系统中的谐波来提供。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，沉积源(例如，等离子体增强沉积源)可以在2MHz到90MHz的频率(例如，40.68MHz的频率)下操作，并且监视装置(例如，集成阻抗传感器)可以提供对相应处理参数(例如，气体分离单元的狭缝的宽度和/或沉积源的电极距基板的距离)的实时在线处理监视和控制。
鉴于上文，将理解，根据本文所述的一些实施方式，气体分离单元的狭缝宽度可以在真空处理系统操作时进行调整。据此，狭缝宽度的变化(例如，由于基板支撑件(例如，处理滚筒)的热膨胀而导致的狭缝宽度的变化)可被补偿并且气体分离单元的狭缝宽度可以针对单独操作条件而进行调整。这在需要高度气体分离的应用(例如，PECVD处理)中特别有用。据此，具有用于各种沉积源的隔室的如本文所述的真空处理系统允许若干CVD、PECVD和/或PVD。这种模块化概念(其中可以使用包括需要非常良好的气体分离的那些沉积源的全部种类的沉积源)帮助降低复杂层堆叠的沉积成本，所述复杂层堆叠必须应用不同沉积技术或处理参数的复杂组合来沉积。
此外，将注意，本文所述的实施方式关于以下方面是有益的：许多处理运行需要低的处理滚筒温度，约0℃。在低温下，如果使用薄塑料膜(例如，50微米)，那么已针对较高处理滚筒温度进行调整的固定狭缝宽度为约1.5mm到2.0mm。在这种情况下，气体分离系数通常低于特定的气体分离系数(1:100)。这对于其中层材料使用不同的反应气体组合物沉积在相邻处理区域(例如，溅射腔室)中的处理运行是关键的。例如，此类条件可能适用的情况是在Nb2O5和ITO的沉积期间。例如，触摸面板制造可能就是这种情况。据此，本文描述的真空处理系统的实施方式对于制造多层应用(例如，在显示装置(诸如触摸面板)中)特别有用。
如上所述，实施方式涉及在机器操作期间对气体分离单元进行调整，尤其是自动调整或“自”调整气体分离壁。这可以适用于溅射沉积，但是也适用于CVD和PECVD沉积，并特别适用于其中处理气体包括反应气体组分的沉积，其中反应气体组分部分地或完全地结合至待沉积层中。类似于溅射腹板涂覆机(R2R涂覆机)，气体分离有益于在反应气氛中沉积的层。通过使用可自调整或可自动地调整的气体分离单元，狭缝宽度可以根据基板的不同的厚度值发生变化。将理解，改进的气体分离系数也会影响真空处理系统设计。特别地，两个隔室之间的气体分离单元的长度可以减小，即，例如图6中所示的狭缝20和/或元件373的长度可以减少。这具有可能造成真空处理系统的大小、成本和占地面积减小的影响。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，气体分离单元370与柔性基板10之间的狭缝20的宽度(其由气体分离单元370的元件373限定)可以通过支撑布置进行调整，例如，所述支撑布置包括盘314，如图7A和图7B中示例性地所示。例如，盘314可以具有与处理滚筒142基本上相同的直径。即使处理滚筒142被绘制成略微大于图7A中的盘314，也主要是出于说明目的，因为处理滚筒142和盘可以具有相同直径。盘314可安装到旋转轴线143。根据一些实施方式，盘314在处理滚筒142的旋转期间保持静止，即，盘不与处理滚筒一起旋转。
在气体分离单元370的示例中，如图7A和图7B示例性地所示，壁元件322通过连接元件312来连接到盘314。据此，根据一些实施方式，连接元件312可以确定狭缝20的宽度。根据可与本文所述的其它实施方式结合的替代实施方式，盘314、连接元件312和壁元件322也可被提供为一个整体单元，或盘314和连接元件312、或壁元件322和连接元件312可以被提供为一个整体形成的单元。
将理解，如果处理滚筒142的温度变化，那么处理滚筒142的直径就会变化。据此，狭缝20的宽度可能受到处理滚筒直径变化的影响，并且根据本文所述的一些实施方式，可以提供狭缝宽度的调整。包括盘314和连接元件312的气体分离单元370的支撑布置被提供以用于对狭缝20的宽度的调整，如图7B中的箭头326指示。根据一些实施方式，盘314可通过处理滚筒142而被动地被加热或被动地被冷却。据此，盘314可以在与处理滚筒142的温度基本上相同的温度下提供，例如，盘314的温度可以从处理滚筒142的温度变化±10℃。据此，盘314也经历了热膨胀，使得在处理滚筒142的热膨胀之后是盘314的热膨胀。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的另外的实施方式，另外或替代地，盘314或用于气体分离单元370的类似的支撑件可以设有冷却通道或加热元件。据此，盘314的温度可被单独地控制。据此，盘314的热膨胀可独立于处理滚筒142的温度而被控制，使得狭缝20的宽度可以调整。
关于温度对处理滚筒和盘的影响，将注意以下方面。在以下示例中，处理滚筒可由不锈钢制成，并且盘可由铝制成。据此，在不锈钢的热膨胀系数αss＝0.000016K-l和铝的热膨胀系数αAl＝0.0000238K-l的情况下，可以获得αdrum/αdisk＝0.6723。据此，例如，可以提供268.91℃的盘温度以对应于400℃的滚筒温度。据此，处理滚筒在400℃下的热膨胀可被补偿。在盘314由具有与处理滚筒142的热膨胀系数相同的热膨胀系数的材料制成或由与处理滚筒142的材料相同的材料组成的情况下，并且如果盘314的温度可以被控制为基本上与处理滚筒142的温度相同，那么热膨胀(参见例如箭头326)是基本上相同的。因此，狭缝20的宽度仅通过连接元件312的热膨胀而变化。在这方面，应注意，相较处理滚筒142的半径来说，连接元件312的长度更短。据此，狭缝宽度随热膨胀的变化显著减小。此外，选择具有低热膨胀系数的连接元件312的材料是可能的，使得可进一步减小温度对连接元件312的热膨胀的影响。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，盘314的材料可经选择而与处理滚筒142的材料不同，并且可被选择为具有相较于处理滚筒142来说不同的热膨胀系数。据此，盘314的热膨胀(其对应于处理滚筒142的热膨胀)可由不同温度提供，使得相较于处理滚筒142来说，没有必要在盘314处提供相同温度。特别地，如果盘314和连接元件312一体形成，那么不同的热膨胀系数也可补偿与盘314结合的连接元件312的更大的径向尺寸。
虽然图7A和图7B指示了与处理滚筒142类似的圆形的盘，但是根据其它实施方式，用于支撑气体分离单元370的支撑布置也可以是盘的一部分、杆或任何其它合适形状。此外，应注意，即使上述方面和细节涉及热膨胀，也可在操作期间提供收缩，例如，如果在较高温度下进行第一处理之后，处理滚筒被冷却到较低温度。据此，将理解，术语“膨胀”是指因元件的热膨胀系数造成的行为，即，热膨胀可具有正符号或负符号。
鉴于上文，将理解，根据本文所述的一些实施方式，可以提供用于气体分离单元的间隙调整装置(例如，借助于包括盘的支撑布置或借助于如本文所述的那样配置的致动器)。特别地，间隙调整装置可以经构造以用于调整处理滚筒与气体分离单元和/或沉积源主体之间的狭缝的宽度。据此，间隙调整装置确保恒定且高水平的气体。此外，将理解，如本文所述的气体分离单元的实施方式可以经构造以用于提供均匀的热膨胀，例如，通过在加热阶段或冷却阶段期间通过热油回路(thermo-oil circuit)共加热或共冷却气体分离单元。特别地，如本文所述的气体分离单元的实施方式可以经构造以用于提供小于±2.5％的不均匀性的温度均匀性。
图8示出了可用作如本文所述的真空处理系统的处理部件的沉积源630的示意性剖视图。根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，沉积源630包括主体603和可由主体支撑的电极602。例如，沉积源630可以是等离子体沉积源。电极602可连接到匹配电路680以用于将功率提供到电极，使得可以在沉积源630的处理区域中产生等离子体。据此，沉积源630可以经构造以用于在操作期间在电极602与要被处理的柔性基板10之间产生等离子体。据此，沉积源可以经构造以使得可激发和维持处理区域中的等离子体。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，沉积源630还可包括处理气体入口612，用于将处理气体混合物提供到处理区域中的，和处理气体出口614(例如，抽空出口)，用于将处理气体混合物从处理区域中移除。特别地，多个开口或狭缝开口可以分别提供作为气体入口和/或气体出口。据此，处理气体可以从处理气体入口612流动到处理气体出口614。根据实施方式，处理气体入口和处理气体出口可以在垂直于图8的纸面平面的方向上延伸。特别地，处理气体入口和处理气体出口可以经设置以至少沿着要处理的基板的宽度和/或至少沿着处理区域的期望长度延伸。有益地，处理气体入口和处理气体出口可以经构造以至少略微延伸超过最大基板宽度，以便在要涂覆的基板区域中提供均匀条件。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，沉积源630和气体分离单元370可形成为一种布置。例如，图8示出了安装到沉积源630的主体603的气体分离单元370。据此，可以以组合的方式提供气体分离单元的狭缝宽度的调整和电极602与基板之间的距离的调整。
参考图8，沉积源630可连接到壁102，使得主体603与壁102的距离可以变化(由图8中的波纹632指示)。如图8所示，主体603、电极602和/或气体分离单元370可由支撑件支撑，所述支撑件与处理滚筒的轴线机械接触。据此，将理解，气体分离单元的狭缝宽度以及电极602与基板之间的距离可以如上文关于图7A和图7B示例性地描述的那样进行调整。或者，致动器可以设置在沉积源630的主体603与壁102之间，使得主体、气体分离单元和电极的位置可变化以调整距基板的距离。
图9示出了根据本文所述的实施方式的安装到处理腔室的壁的沉积源630的示意性透视剖视图。如图9中示例性地示出，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，可以围绕电极602与要处理的基板之间设置的处理区域来设置一个或多个气体分离单元370。特别地，图9的透视剖视图示出了布置在电极602的三侧处的气体分离单元370。此外，在图9中，示出了处理区域中的处理气流。特别地，如箭头811指示，所述处理气体从处理气体入口612流动到处理气体出口614。
此外，如图9所示，根据一些实施方式，可以设有一个或多个分离气体入口1842，例如，如图9所示的两个分离气体入口。据此，如箭头843指示，可以在分离气体入口1842与气体分离单元370之间的中间区域中提供分离气体或净化气体。另外，根据一些实施方式，可以设有另一气体分离单元1370以提供气流屏障。据此，可以在这些区域中提供如上所述的相应压力。虽然未示出于图8，但是也可在相反方向上提供如箭头843指示的分离气体或净化气体，以向相邻等离子体沉积源提供净化气体。
图10A到图10C示出了根据本文所述的实施方式的处理气体流、净化气体或分离气体流以及抽吸或泵吸区域的不同实施方式。图10A示出了在相应处理区域处彼此相邻地设置的两个沉积源(参见例如图10A中的沉积源630)。处理区域设置在处理滚筒142处，处理滚筒142形成弯曲基板支撑表面。如图10A示例性地所示，每个沉积源可以具有电极602。在电极602的一侧处，设有处理气体入口612。例如，气体入口可以是狭缝或沿着处理滚筒142的轴向方向延伸的多个开口。处理气体入口612附近设有形成气体分离单元370的壁部分。图10A中所示的沉积源630包括匹配电路680，匹配电路680可连接到电极602，使得用于激发和维持处理区域中的等离子体的功率可提供到电极。此外，如图10A所示，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，在沉积源或相应处理区域之间，可以设有用于分离气体(诸如氢)的分离气体入口1842。此外，可以在沉积源或相应处理区域之间设有泵吸或抽吸通道。另外，真空通道1142(例如泵吸端口)可定位在分离气体入口1842两侧，如图10A示例性地所示。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，分离气体入口1842还可包括提供另一气体分离单元1370的壁部分。根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，沉积源630中的至少一个可以包括致动器以改变沉积源距处理滚筒142的距离。据此，距离变化可由致动器提供，例如参考图6所述，或可由支撑布置提供，如图7A和图7B所示。据此，相对于处理滚筒142的轴线，电极602、第一气体分离单元(例如，图6到图8中的气体分离单元370)和另一气体分离单元1370的径向位置可变化和调整。例如，变化和调整可以用于补偿在处理滚筒的温度变化时处理滚筒的热膨胀或收缩，如关于图6、图7A和图7B示例性地所述。
示例性地参考图10A，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，分离气体入口1842可以设置在沉积源630与真空通道1142(例如，设置在分离气体入口1842两侧上的真空通道)之间。从图10A中，将理解，处理滚筒在垂直于图10A的纸面平面的方向上延伸。此外，电极、气体入口、气体出口和抽空管道在垂直于图10A中的纸面平面的方向上延伸。
图10B示出了示例性实施方式，其中与图10A中所示的实施方式相反，处理气体入口612在相应沉积源之间被提供以用于两个沉积源630，使得处理气体流动方向被提供在与基板运输方向相同的方向以用于沉积源中的一个，且被提供在相反方向以用于沉积源中相应的另一个。
图10C示出了用于相邻沉积源的各种气体入口以及抽空或抽吸通道的示意性概念。特别地，图10C以箭头的形式示出气体入口、气体出口和抽空管道。将理解，可以根据本文所述的任何实施方式提供相应的通道和管道。图10C示出了两个相邻电极，它们被视为在相应位置处的沉积源的一部分。根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，电极602可以是用于等离子体辅助沉积工艺的电极，诸如PECVD源的电极。如图10C所示，处理气体入口612和处理气体出口614可以设置在电极602的相对侧处以用于相邻沉积源中的每一个。此外，分离气体入口1842可以设置在电极602两侧，使得处理气体入口612和处理气体出口614分别定位在电极602与相应分离气体入口之间(参见例如分离气体入口1842)之间。此外，如图10C所示，可以提供真空通道1142，即，抽吸通道或抽空管道。特别地，抽空管道可以设置在电极602的相应的相对侧处，使得分离气体入口1842以及处理气体入口612和处理气体出口614设置在抽空管道与电极602之间。
本文所述的实施方式对于其中在相邻或邻近处理区域中提供不同处理的应用特别有用。例如，由在图10C的左侧的电极602所示的沉积源可以进行第一沉积工艺，其中由在图10C的右侧的电极602示出的沉积源可以进行不同的第二沉积工艺。例如，如果左侧处理区域中的压力是0.3mbar并且右侧处理区域中的压力是1.7mbar，那么中间真空通道区域中的压力可以例如被提供为低于两个处理区域的较低压力。在以上示例中，压力可以是0.2mbar。根据可与本文所述的其它实施方式结合的另外实施方式，在提供多于两个的沉积源的情况下，抽空管道的区域中的压力可提供为低于处理区域中的任一个中的最小压力。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的其它实施方式，气体分离单元的壁部分或元件可以被提供以用于关于图10C所述的布置。据此，气体分离单元的壁部分或元件可以设置在处理气体入口与分离气体入口之间以及处理气体出口与分离气体入口之间，并且可进一步设置在分离气体入口与抽空管道之间，如关于图8、图9和图11示例性地所述。
图11示出了根据本文所述的实施方式的沉积源的示意性透视图。如上所述，沉积源630包括电极602，电极602可连接到匹配电路680，使得电极602被供电。如图11所示，电极602可以设有弯曲表面，使得电极对应于处理滚筒，即，电极具有相对于处理滚筒的表面基本上平行的表面。箭头811示意性地示出处理气体在处理区域中沿着电极602的气流。处理气体入口612和处理气体出口614的各个狭缝由图11中的粗线突出显示。据此，根据一些实施方式，特别是对于PECVD处理，处理气流可以是不对称的，即,在基板移动的方向上或与基板移动的方向相反的方向上。
如图11示例性地所示，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，气体分离单元370可以设置在电极602周围。据此，气体分离单元370可以包括在电极602的一侧上的第一气体分离单元部分370A和在电极602的相对侧上的第二气体分离单元部分370B。可以提供气体分离单元370的额外侧部部分370C。据此，环绕电极602的气体分离单元370可以提供改良的分离系数。
此外，根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，分离气体入口1842的一个或多个开口可以设置在电极602的第一侧和电极602的相对侧处。分离气体入口1842的一个或多个开口也可称为一个或多个分离气体入口开口。如图11示例性地所示，根据一些实施方式，分离气体入口1842可以经构造以环绕电极602，使得气体分离单元370布置在分离气体入口1842与电极602之间。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，可以提供另一气体分离单元1370。例如，另一气体分离单元1370可以包括设置在电极602的相对侧处的另外的第一气体分离部分1370A和第二气体分离部分1370B。或者，可以设有两个气体分离单元来代替图11中所示的另一气体分离单元1370的第一部分和第二部分。例如，图11中所示的另一气体分离单元1370进一步包括另外侧部部分1370C，使得另一气体分离单元1370环绕电极602、第一气体分离单元(例如，图11中的第一气体分离单元370)和分离气体入口1842。
鉴于上文，将理解，本文所述的实施方式可以提供相邻处理区域之间的增大且优化的分离系数。
如图11示例性地所示，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，沉积源630(例如，PECVD沉积源)可以包括微波天线700。据此，将理解，如本文所述的沉积源可以是微波源并且经构造以提供微波等离子体。图12中示出了微波天线700的示例性实施方式的详细示意图。根据一些实施方式，微波天线700可以呈细长套管720的形式，并且包括多个狭槽710，多个狭槽710沿着微波天线700的长度提供。特别地，多个狭槽710可均匀地分布在微波天线的长度的一部分上，如图12A中示例性地所示。据此，开槽天线可以经构造以用于到处理区域中的等离子体的受控功率输送。此外，微波天线700的套管720中的狭槽开口可以确保例如可由金属制成的套管对于微波是半透明的。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，微波天线700可以设有第一组狭槽711和第二组狭槽712，其中第一组狭槽相较于第二组狭槽沿着天线长度布置在不同的径向位置上，如图12B中微波天线的放大的剖视图中示例性地所示。这可以有益于提高功率耦合效率。
鉴于上文，将理解，狭槽布置可以提供沿着天线长度的控制轴向功率吸收的能力。特别地，狭槽间距和/或形状可以提供对功率吸收曲线的精细控制。据此，可以提供用于受控微波功率输送的开槽天线。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，沉积源可以是线性微波PECVD源。例如，沉积源可附接到轨道安装处理小车(rail mounted process trolley)。此外，沉积源可以包括用以确保间隙距离的几何浮动等离子体源、完全集成源气体分离件、用于在线等离子体密度监视的任选多极共振传感器、为高层均匀性、低维护成本且易于清洁而专门设计的处理气体歧管中的至少一个。例如，处理气体歧管可以是可替换的。此外，根据一些实施方式，沉积源(例如，线性微波PECVD源)可以经构造为与液体前驱物相容。根据可与本文所述的其它实施方式结合的其它实施方式，沉积源可以包括氟基原位(in-situ)等离子体清洁能力。此外，应注意，沉积源、特别是线性微波PECVD源可以经构造以用于优异等离子体限制，以用于在处理期间使粉尘最少化。
此外，将理解，如本文所述的沉积源的实施方式具有稳健且优化的设计。特别地，沉积源的稳健且优化的设计可以通过提供可替换的气体歧管、任选同轴管线气体冷却系统、可调适的内部源泵遮蔽件和可更换的下部源外壳单元(例如，包括可用于涂层宽度修改的气体分离件)中的一个或多个而获得。
图13示出了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的处理腔室的一部分的示意性透视图，包括开闭装置200，开闭装置200经构造以在处理滚筒142与一个或多个沉积源之间移动遮蔽箔250。如关于图6示例性地所述，一个或多个真空处理系统的处理部件(例如，沉积源)可定位成在处理滚筒142与一个或多个处理部件之间存在间隙。例如，间隙可以具有约0.5mm到50mm的宽度。根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，开闭装置200可以包括至少一个第一部分(例如，图15中所示的第一部分231)和至少一个第二部分(例如，图15中所示的第二部分232)，如关于图15和图16更详细地描述的。第一部分可以提供开闭装置200的旋转轴线。遮蔽箔250可连接到第二部分，例如通过夹紧、夹持、胶合、磁力、钎焊和焊接中的至少一种连接。遮蔽箔250也可以被称为“遮窗(jalousie)”。开闭装置200还可以被称为“开闭遮窗(jalousie shutter)”。
通过围绕旋转轴线旋转，附接到第二部分的遮蔽箔250可以在处理滚筒142与一个或多个沉积源之间移动。为了更好地理解，在图14中，示出沉积源630的简化表示。当遮蔽箔250覆盖在沉积源下方的区域时，可以进行等离子体清洁方法。遮蔽箔250可以通过自动致动进行移动，例如，在所发起的清洁序列开始时。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，开闭装置200可定位在处理滚筒142下方(以下)。遮蔽箔250可以从处理滚筒142下方在朝上方向上移动，而定位在处理滚筒142与一个或多个沉积源之间。通过将开闭装置200定位在处理滚筒142下方，可以使在处理滚筒142上方的设备部件、特别是正在移动的设备部件的数量最小化。此外，从开闭装置200和/或遮蔽箔250释放的颗粒落到例如处理腔室的底部而不到达或穿过沉积区。据此，可以防止沉积工艺并特别是涂覆的层被杂质所污染。根据一些实施方式，遮蔽箔耐受清洁物质，使得遮蔽箔可被重复使用，即，在清洁处理之后无需更换遮蔽箔。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，设备可以包括例如设置在处理滚筒142的一侧处的至少一个间隔装置(参见例如图13和图14中的间隔装置225)。在一些实施方式中，可以在处理滚筒142的每侧处提供一个间隔装置225。间隔装置225可以是圆形的，或可以是圆形的一部分，其中间隔装置的直径可以大于处理滚筒142的直径。间隔装置225可以经构造以支撑遮蔽箔250，特别是当遮蔽箔250在处理滚筒142与一个或多个沉积源之间移动时。间隔装置225可以在处理滚筒142或设置在其上的柔性基板与遮蔽箔250之间提供间隙。据此，可最小化处理滚筒142或柔性基板的损坏风险，因为当遮蔽箔250在处理滚筒142与一个或多个沉积源之间移动时，遮蔽箔250不触碰处理滚筒142或柔性基板。
在一些其它实现方式中，开闭装置200可不包括间隔装置225，并且当遮蔽箔250在处理滚筒142与一个或多个沉积源之间移动时，遮蔽箔250可以触碰或接触处理滚筒142或设置在其上的柔性基板。在这种情况下，遮蔽箔250和承载柔性基板的处理滚筒142以相同的速度移动。换句话说，实质上不存在遮蔽箔250相对于处理滚筒142的相对移动。
图14示出了根据本文所述的实施方式的包括开闭装置的真空处理系统的处理滚筒的示意性侧视图。根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，开闭装置200可以包括至少一个臂，例如，臂230，至少一个臂具有至少一个第一部分(例如，第一部分231)和至少一个第二部分(例如，第二部分232)。第一部分231可以提供臂230的旋转轴线。设备可以具有设置在处理滚筒142的一侧的一个第一部分231，或可以具有两个第一部分231，处理滚筒142的每侧上各有一个第一部分231。遮蔽箔250可连接到第二部分232，例如通过夹紧、夹持、胶合、磁力、钎焊和焊接中的至少一种连接。
通过围绕由第一部分231限定的旋转轴线旋转臂230，附接到第二部分232的遮蔽箔250可以在处理滚筒142与沉积源630之间移动，并且可特别地在上文提及的处理滚筒142与沉积源630之间的间隙内移动。例如，在可以发起蚀刻处理的情况下，臂230可以围绕处理滚筒142的旋转轴线143移动并且围绕处理滚筒142运输所附接的遮蔽箔250。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，臂230的旋转轴线基本上平行于处理滚筒142的旋转轴线143。特别地，臂230的旋转轴线可对应于处理滚筒142的旋转轴线143。在一些实现方式中，第一部分231可附接到处理滚筒142的旋转轴线143以可围绕所述旋转轴线143而旋转。在一些实施方式中，可以提供诸如衬套轴承或滚子轴承的轴承，使臂230可旋转。例如，臂230，并特别是第一部分231，可以经由诸如衬套轴承或滚子轴承的轴承而附接到处理滚筒142的旋转轴线143。
在一些实现方式中，第一部分231可以实质上垂直于旋转轴线143延伸，并且可特别地能够从处理滚筒142的旋转轴线143至少延伸到其圆周表面。第一部分的长度可以至少等于或大于处理滚筒142的直径。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，第二部分232可以实质上平行于处理滚筒142的旋转轴线143延伸，并且可特别地沿着处理滚筒142的圆周表面的至少一部分延伸。在一些实现方式中，第二部分232可实质上沿着处理滚筒142的圆周表面的整个长度延伸。在一些实现方式中，第二部分232可以从第一部分231延伸。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，第一部分231可以沿第一方向延伸，并且第二部分232可以沿第二方向延伸，第二方向可能实质上垂直于第一方向。在一些实现方式中，第一方向可以实质上垂直于处理滚筒142的旋转轴线143，和/或第二方向可以实质上平行于处理滚筒142的旋转轴线143。
虽然在原则上可以使遮蔽装置垂直于柔性基板运输方向来移动以在清洁过程期间覆盖和保护处理滚筒，但是在这种情况下，处理滚筒的曲率和遮蔽箔的曲率在运输方向上不是平行的。遮蔽箔将不得不在遮蔽箔的宽度方向上弯曲。然而，当将遮蔽箔被卷起到辊状卷接收件220上时，遮蔽箔将会在遮蔽箔的长度方向上弯曲。据此，可能破坏像由金属制成的遮蔽箔的硬质材料。
在图15中，示出具有臂230的开闭装置200，臂230具有两个第一部分231和连接两个第一部分231的一个第二部分232。第一部分231可以设置在处理滚筒142的相对侧上。换句话说，在处理滚筒142的每侧上可以设有一个第一部分231。第一部分231可以包括孔或中心孔233，孔或中心孔233经构造以用于提供与轴线或轴的连接，例如与处理滚筒142的旋转轴线143的连接。与中心孔233相关联的可以是轴承(未示出)，诸如衬套轴承或滚子轴承，使得第一部分231是可旋转的。作为示例，轴承可以设置在中心孔233内，或可设置为环绕围绕中心孔233。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，开闭装置200可以包括驱动器，所述驱动器经构造以在处理滚筒142与一个或多个沉积源630之间移动遮蔽箔250。在一些实施方式中，驱动器可以经构造以使臂230围绕由第一部分231提供的旋转轴线旋转。根据一些实施方式，驱动器可以包括电机，例如电动电机和/或气动电机。
在一些实现方式中，驱动器可以经由齿轮组件而连接到第一部分231。齿轮组件可以包括设置在第一部分231处的第一齿轮234。作为示例，第一齿轮234可以被设置为至少部分地环绕由第一部分231、特别是中心孔233限定的旋转轴线。齿轮组件还可包括第二齿轮235，第二齿轮直接地或间接地连接到驱动机构(诸如电机，例如，电动电机和/或气动电机)。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，开闭装置200可以包括一个或多个卷接收件220，一个或多个卷接收件220经构造以用于卷绕和/或退绕遮蔽箔250。一个或多个卷接收件220经构造以用于接收遮蔽箔250，并特别是用于接收或保持具有遮蔽箔250缠绕其上的卷。据此，在必要时可容易地替换具有遮蔽箔250的卷。在一些实施方式中，遮蔽箔250的第一端部可连接到卷接收件。作为示例，遮蔽箔250的第一端部可连接到卷接收件220，并且遮蔽箔250的第二端部可连接到臂230的第二部分232。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，可以在处理腔室内设有一个或多个卷接收件220。此外，遮蔽箔250可以(例如，完全)设置在处理腔室内，而不设置在其外。鉴于此，就不需要将遮蔽箔从外部引导到处理腔室中(例如通过真空锁)。这有利于清洁处理腔室而不破坏处理腔室中的真空。
然而，在其它实施方式中，可以在处理腔室外设有至少一个卷接收件。在这种情况下，遮蔽箔250可以从外部供应到处理腔室中(例如，通过空气锁)。在此构造中，遮蔽箔250的第一端部仍然可连接到卷接收件220，并且遮蔽箔250的第二端部可连接到开闭装置，特别是臂230的第二部分232。
在一些实现方式中，可以在处理滚筒142下方提供一个或多个卷接收件220中的至少一个。通过将一个或多个卷接收件220定位在处理滚筒142下方，从一个或多个卷接收件220和/或遮蔽箔250释放的颗粒落到例如处理腔室的底部而不到达或穿过沉积区。鉴于此，可以防止沉积工艺并特别是涂层的层被杂质所污染。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，卷接收件220可以包括接收部分222，接收部分222经构造以用于接收遮蔽箔250或具有遮蔽箔250的卷，并特别地用于接收具有遮蔽箔250缠绕在其上的卷。
在典型实现方式中，卷接收件220可以具有至少一个附接部分，例如，图15中的附接部分221。附接部分221可以经构造以在接收部分222或具有遮蔽箔250的卷与处理腔室之间提供可旋转的连接。接收部分222可特别地经由至少一个附接部分安装在处理腔室内。作为示例，附接部分221可以包括轴承或可连接到轴承(例如衬套轴承和/或滚子轴承)，以提供可旋转的连接。在一些实施方式中，附接部分221可以经构造以使得至少接收部分222可围绕旋转轴线旋转。接收部分222的旋转轴线可以基本上平行于处理滚筒的旋转轴线。在典型实现方式中，接收部分222可以具有两个附接部分221，在接收部分222的每侧上各有一个附接部分221。
在其它实施方式中，卷接收件可以包括附接部分，并且可不包括卷接收件。卷接收件可以包括至少两个独立(例如，非连接的)附接部分。卷接收件可以特别包括两个附接部分。附接部分可以经构造以可连接到具有遮蔽箔250缠绕在其上的卷，并且可特别地经构造为可连接到具有遮蔽箔250缠绕在其上的辊的一侧。附接部分可以经构造以在具有遮蔽箔250的卷与处理腔室之间提供可旋转的连接。为此，附接部分可以包括轴承或可连接到轴承，诸如衬套轴承和/或滚子轴承。
在一些实现方式中，遮蔽箔250设置在卷接收件220上，并且遮蔽箔250的第一端部被连接到开闭臂210的第二部分232。当开闭臂210围绕旋转轴线143旋转时，遮蔽箔250从卷接收件220退绕或展开并且在处理滚筒142与一个或多个沉积源630之间移动，并特别地在处理滚筒142与一个或多个沉积源630之间的间隙内移动，如关于图16更详细地所示。
图16示出了包括开闭装置的如本文所述的真空处理系统的处理部分的详细的透视图。特别地，在图16中，示出了开闭装置的两个示例性不同位置。例如，在沉积工艺期间，开闭装置200的臂230可以在第一位置230A中。在第一位置230A中，遮蔽箔250未设置在处理滚筒142与沉积源630之间。作为示例，在第一位置230A中，遮蔽箔250可以处于缠绕或卷起状态。为了在处理滚筒142与沉积源630之间移动遮蔽箔250，臂230可以从第一位置230A移动或旋转(以箭头260指示)到第二位置230B中。特别地，通过移动臂230，遮蔽箔250从卷接收件220退绕、展开或解绕。
在一些实现方式中，卷接收件220可以包括回缩机构，例如，基于弹簧的回缩机构，其提供与遮蔽箔250和/或臂230的移动相反的力，并特别是与遮蔽箔250和/或臂230从第一位置230A进入第二位置230B的移动相反的力。据此，遮蔽箔250可以承受张力，使得遮蔽箔可以被引导在处理滚筒142与沉积源630之间，特别是在没有褶皱的情况下和/或例如在处理滚筒142与沉积源630之间没有缠结的情况下被引导。
当臂230从第二位置230B移动返回第一位置230A时，例如在清洁处理已经完成之后，遮蔽箔250可以重新缠绕或重新盘绕在卷接收件220上。在一些实现方式中，卷接收件220可以包括上文提及的回缩机构。据此，遮蔽箔250可被盘绕起来，特别是在拉紧状态下，使得不会出现褶皱和/或发生缠结。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，卷接收件220可不包括回缩机构，但是可以包括用于将遮蔽箔250重新卷绕在卷接收件220上的驱动器，诸如电机。
根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，臂230可以经构造以旋转至少约90°，特别是130°、140°、143°、150°或180°。换句话说，第一位置230A与第二位置230B之间的角度或旋转角度可以是至少约90°，并且可特别是130°、140°、143°、150°或180°。
鉴于上文，遮蔽箔250可以覆盖在沉积源630下方的区域，并且可以在不影响柔性基板和/或处理滚筒142的情况下进行等离子体清洁。据此，不需要在清洁之前破坏真空，因为即使在处理腔室被密封和抽空时，开闭装置200也可在清洁处理期间移动遮蔽箔250以保护处理滚筒142。此外，本文所述的实施方式允许执行清洁处理，诸如NF3清洁处理，而不需要移除柔性基板，例如，从等离子清洁区域中移除。据此，可以提供原位腔室清洁，使得就不需要净化腔室和使腔室通气来移除柔性基板。
图17示出了根据本文所述的实施方式的用于处理柔性基板的设备的处理部分的平面图。根据可与本文所述的其它实施方式结合的一些实施方式，遮蔽箔250的第一端部可连接到卷接收件，特别是可连接到接收部分222，并且遮蔽箔250的第二端部可连接到臂的第二部分232。在一些实现方式中，用于引导或偏转遮蔽箔250的一个或多个引导辊或偏转辊223可以设置在卷接收件的位置与第二部分232之间。偏转辊223可以经构造以提供在处理滚筒142的圆周表面的切线与遮蔽箔250的表面之间的限定角度。作为示例，限定角度可以是平角。如图17所示，柔性基板10可以设置在处理滚筒142上。开闭装置可以经构造以在沉积源630与柔性基板10之间移动遮蔽箔250，并且可特别地经构造以在沉积源630与柔性基板10之间的间隙内移动遮蔽箔250。据此，在开始清洁处理(诸如等离子体清洁处理)之前不需要从处理腔室中移除柔性基板10，因为柔性基板10受保护而不受诸如NF3和SF6的清洁物质影响。
鉴上文，将理解，可以通过如本文所述的真空处理系统的实施方式执行各种方法。特别地，将理解，如本文所述的真空处理系统的实施方式提供关于以下的各种可能的方法：操作真空处理系统、处理基板(例如，沉积多层结构)、清洁处理腔室等。
例如，图18示出了说明根据本文所述的实施方式的用于清洁真空处理系统100的处理腔室140的方法800的方框图。特别地，根据实施方式，用于清洁处理腔室140的方法适于清洁处理腔室而不破坏处理腔室中的真空。特别地，用于清洁处理腔室的方法800可以包括：通过开闭装置200在处理滚筒与一个或多个沉积源630之间引导801遮蔽箔；在处理腔室140中发起802第一泵吸和净化处理；将清洁或蚀刻气体提供803到处理腔室140；等离子体清洁804处理腔室；和在处理腔室中发起805第二泵吸和净化处理。
此外，根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，在处理滚筒142与一个或多个沉积源630之间引导801遮蔽箔250可以包括：在设置在处理滚筒142或设置在其上的柔性基板10与一个或多个沉积源630之间的间隙内引导遮蔽箔，特别是在不接触处理滚筒142或设置在其上的柔性基板10的情况下引导。
图19示出了说明在柔性基板上沉积至少两个层的方法的方框图。根据实施方式，在柔性基板上沉积至少两个层、特别是使用根据本文所述的实施方式的真空处理系统沉积的方法900可以包括：在柔性基板上沉积至少两个层的方法包括：在处理滚筒的外表面上方引导901柔性基板；在至少第一沉积源的相对侧处的至少两个位置处提供902分离气体；提供903处理气体并且在至少两个位置之间排出处理气体；和在第一沉积源和至少一个第二沉积源之间的至少一个真空出口处进行泵吸904。根据一些实施方式，分离气体可以是氢、氮或惰性气体。另外或替代地，至少一个真空出口处的压力可以小于第一沉积源和至少一个第二沉积源的任何区域(例如，第一处理区域和第二处理区域)中的压力。
鉴于上文，将理解，在相同生产工具内卷绕不同类型和厚度的基板方面存在大量需求。在卷绕(运输)期间施加到基板的张力可取决于拉伸屈服(tensile yield)、基板温度和基板厚度而显著地不同。据此，本公开内容的实施方式配备有在线张力测量和控制系统以确保基板稳定运输通过如本文所述的处理系统(例如，沉积系统)。此外，应注意，运输辊(例如，如本文所述的引导辊)和拉紧辊(例如，如本文所述的张力测量辊和延展器)两者与涂覆基板(例如，在如本文所述的基板的前表面处)之间的机械接触被有意地消除，以降低形成刮痕和颗粒夹杂这两者的风险。如本文所述，本公开内容的实施方式提供经优化的卷绕路径(也被称为基板运输路径)以确保最小水平的背面接触，这可有益于降低因基板传送产生的缺陷产生率。
此外，将理解，所述实施方式可以用于多层沉积。特别是，多层沉积能力是通过采用主动气体分离系统(例如，如本文所述的气体分离单元)而提供的，以用于诸如沉积源(例如，CVD、PVD或PECVD)或蚀刻装置的处理部件。根据可与本文所述的其它实施方式结合的实施方式，可以实现高密度等离子体源技术，例如具有大于2MHz的激励频率的高密度等离子体源技术。据此，将理解，如本文所述的实施方式经构造以确保在低热预算下到等离子体的有效的功率耦合。此外，技术人员理解的是，如本文所述的实施方式特别经构造以用于高质量无机层处理。特别地，应注意，本文所述的实施方式经构造以用于液体前驱物处理，这允许利用各种不同的前驱物沉积多层结构以有效地调整所得的层性质。此外，本文所述的实施方式提供正常运行时间优点(uptime advantages)，例如，通过使用氟化气体进行原位等离子体清洁以去除侧壁沉积物，从而消除在每个处理运行结束时将工具开放至大气以进行清洁和维护的需要。
从本公开内容中可以理解，本文所述的实施方式尤其提供用于动态涂覆的多区域、高速率沉积源(例如，PECVD源)、用于原位清洁(例如，PECVD源)的处理和装置、可集成到沉积源(例如，PECVD源)中以实现两个相邻沉积源之间的最小距离的可调整气体分离件、用于各种涂层宽度的平台缩放、具有模块化部件的系统架构、将单滚筒(SD)配置形成为双滚筒(DD)配置的可能性、用于颗粒管理的向上沉积架构的源取向、对接取涂层滚筒的基板的优异可接取性，以及集成装载/卸载系统。
另外，从本公开内容中可以理解，本文所述的实施方式提供经改进的绕组系统，在本文中也被称为基板运输布置。特别地，如本文所述的实施方式尤其提供与要处理的基板的前侧/有层侧的无辊接触、具有高辊平行度和卷绕准确度的固定(永久安装)卷绕系统、使得能够单独泵吸和通气以降低颗粒污染风险的退绕器/重绕器(在本文中也被称为供应卷和收紧卷)的分离，以及仅具有用于张力测量和对准的两个辊的腹板引导控制(在本文中也被称为基板引导控制单元)。
此外，应注意，如本文所述的真空处理系统的实施方式以及真空处理系统可执行的方法提供包括薄膜(特别是在柔性基板上)的各种装置的改良制造。例如，真空处理系统提供用于薄膜阻挡层的层或层堆叠的沉积，所述薄膜阻挡层特别是超高阻挡层堆叠或柔性TFT器件。超高阻挡层堆叠或柔性TFT器件典型地由一系列层组成，这些层典型地用PECVD或PVD处理或它们的组合进行沉积。由于对不同的膜的质量的高需求，通常在特殊设计的系统中沉积单个膜以用于每个单个膜。为了降低成本并且使应用可被商购，如本文所述的真空处理系统通过将至少成组的膜或膜的组合的沉积组合在一个单一涂覆机中以提供改进。此外，真空处理系统的模块化概念允许若干处理模块的组合(例如，包括第一处理腔室的第一处理模块、包括第二处理腔室的第二处理模块、退绕模块、卷绕模块和插层模块)。此外，本文所述的实施方式提供相较现有系统来说分离系数显著更高的改进的处理气体分离，并特别是甚至提供在相同装置上进行的不同处理的变化。鉴于上文，根据本文所述的一些实施方式，可以提供用于OLED显示器和/或照明、柔性太阳能装置或需要保护以免受相邻环境影响的其它电子装置的柔性的超高阻挡层。例如，这可包括用于柔性TFT的蚀刻停止层、栅极电介质、沟道、源极栅极和漏极电极的沉积。
此外，将理解，本文所述的实施方式可有益地用于和经构造以用于由形状因数(诸如形状、大小、重量、不易碎性等)驱动的新的显示应用(例如，用于移动装置的显示器)。此外，本文所述的实施方式提供高产量、低制造沉稳，特别是通过提供如本文所述的R2R处理系统提供。鉴于上文，本领域的技术人员理解的是，本文所述的实施方式经构造以用于各种应用，诸如覆盖透镜应用(例如，硬涂层，AR层堆叠等)、触摸屏应用(例如，ITO膜TP、金属网等)、显示应用(例如，用于量子点、OLED显示器等的阻挡膜)和电子应用(例如，TFT背板，特别是<200ppi的TFT背板)。
特别地，将理解，本文所述的实施方式提供用于“覆盖玻璃”替代物上的耐刮涂层的R2R CVD应用、用于PT硬涂层以及光学涂层和触摸面板的R2R CVD应用、用于显示器前面板封装的R2R CVD应用和用于TFT背板和基板超高阻挡层(UHB)的R2R CVD应用。
例如，本文所述的实施方式可以用于制造包括SiOx(例如，用于硬涂层、低折射率光学层等)和/或SiNx(例如，用于高折射率光学层)的触摸面板。此外，本文所述的实施方式可以用于制造超高阻挡层，其包括SiOx(例如，用于基板阻挡层、器件阻挡层等)和/或SiNx(例如，用于基板阻挡层、器件阻挡层等)。此外，本文所述的实施方式可以用于制造柔性TFT显示器阻挡层，其包括a-Si:H(例如，用于沟道层a-Si、LTPS的ELA前驱物等)和/或μ-Si:H(例如，用于a-Si TFT的N+接触层和/或SiOx(例如，用于蚀刻停止层、IGZO的栅极电介质等)和/或SiNx(例如，用于栅极电介质)。

Claims (19)

1.一种用于柔性基板(10)的真空处理系统(100)，所述真空处理系统包括：
第一腔室(110)，适于容纳供应卷(111)以用于提供所述柔性基板(10)；
第二腔室(120)，适于容纳收紧卷(121)以用于在处理之后存储所述柔性基板(10)；
基板运输布置，包括用于将所述柔性基板(10)从所述第一腔室(110)引导到所述第二腔室(120)的一个或多个引导辊(104)；
维护区(130)，在所述第一腔室(110)与所述第二腔室(120)之间，其中所述维护区(130)允许通向或属于所述第一腔室(110)和所述第二腔室(120)中的至少一个腔室的维护通道；
第一处理腔室(140)，用于处理所述柔性基板(10)，其中所述第一处理腔室(140)包括：
至少一个沉积源(630)，其中所述至少一个沉积源(630)包括微波天线(700)，所述微波天线(700)呈细长套管(720)的形式，所述细长套管(720)包括沿着所述微波天线(700)的长度设置的多个狭槽(710)，其中所述多个狭槽(710)包括第一组狭槽(711)和第二组狭槽(712)，并且其中所述第一组狭槽(711)相较于所述第二组狭槽(712)沿着所述微波天线(700)的长度布置在不同的径向位置上；
处理滚筒(142)，具有用于引导所述基板(10)通过第一真空处理区域和至少一个第二真空处理区域的外表面，其中所述处理滚筒(142)具有在第一方向上延伸的旋转轴线(143)；和
开闭装置(200)，经构造以在所述处理滚筒(142)与所述至少一个沉积源(630)之间移动遮蔽箔(250)，其中所述开闭装置具有臂(230)，所述臂(230)具有设置在所述处理滚筒(142)的每侧上的两个第一部分(231)和连接所述两个第一部分(231)的第二部分(232)，所述两个第一部分(231)提供所述臂(230)的旋转轴线，并且所述遮蔽箔(250)能够连接到所述第二部分(232)，所述开闭装置进一步包括经构造以用于卷绕和/或退绕所述遮蔽箔(250)的一个或多个卷接收件(220)。
2.根据权利要求1所述的真空处理系统(100)，进一步包括通道(150)，所述通道(150)将所述第一处理腔室(140)连接到所述第二腔室(120)或连接到第二处理腔室(240)，其中所述通道(150)设置在所述维护区(130)上方或下方。
3.根据权利要求1所述的真空处理系统(100)，进一步包括通道(150)，所述通道(150)将所述第一处理腔室(140)连接到所述第二腔室(120)或连接到第二处理腔室(240)，其中所述通道、所述第一腔室(110)和所述第二腔室(120)包围所述维护区(130)。
4.根据权利要求2所述的真空处理系统(100)，其中所述第二处理腔室(240)经定位以使得所述第二腔室(120)设置在所述维护区(130)与所述第二处理腔室(240)之间。
5.根据权利要求2或3所述的真空处理系统(100)，其中所述第二处理腔室(240)包括：
处理滚筒(142)，具有用于引导所述基板(10)通过第一真空处理区域和至少一个第二真空处理区域的外表面，其中所述处理滚筒(142)具有在第一方向上延伸的旋转轴线(143)；并且
其中所述第一处理腔室(140)或所述第二处理腔室(240)的所述至少一个沉积源(630)分别布置在所述第一处理腔室(140)或所述第二处理腔室(240)的水平中心线的高度或下方的高度。
6.根据权利要求2或3所述的真空处理系统(100)，其中所述第二处理腔室(240)包括：
处理滚筒(142)，具有用于引导所述基板(10)通过第一真空处理区域和至少一个第二真空处理区域的外表面，其中所述处理滚筒(142)具有在第一方向上延伸的旋转轴线(143)；和
至少一个沉积源(630)，其中所述第一处理腔室(140)或所述第二处理腔室(240)的所述至少一个沉积源(630)布置在所述第一处理腔室(140)或所述第二处理腔室(240)的所述处理滚筒(142)的所述旋转轴线(143)的高度或下方的高度。
7.根据权利要求2或3所述的真空处理系统(100)，其中所述第一处理腔室(140)和所述第二处理腔室(240)中的至少一个腔室包括：第一部分(146)，提供一个或多个沉积源；和第二部分(147)，允许与所述真空处理系统的所述通道(150)连通，其中所述第一部分(146)和所述第二部分(147)沿着相对于竖直方向倾斜的线连接。
8.根据权利要求5所述的真空处理系统(100)，其中提供有与所述处理滚筒(142)相邻的加热装置(131)，其中所述加热装置(131)经构造以用于延展所述基板(10)，或用于维持所述基板的延展，并且其中所述加热装置在平行于所述基板运输方向(108)的方向上具有至少20mm的尺寸。
9.根据权利要求5所述的真空处理系统(100)，其中提供有与所述处理滚筒(142)相邻的加热装置(131)，其中所述加热装置(131)经构造以用于在垂直于基板运输方向(108)的方向上延展所述基板(10)，或用于在垂直于所述基板运输方向(108)的方向上维持所述基板的延展，并且其中所述加热装置在平行于所述基板运输方向(108)的方向上具有至少20mm的尺寸。
10.根据权利要求8所述的真空处理系统(100)，其中所述加热装置(131)定位在所述处理滚筒(142)与延展器辊(144)之间，其中所述延展器辊(144)是第一辊以触碰在所述处理滚筒(142)上游或下游的基板。
11.根据权利要求8所述的真空处理系统(100)，进一步包括热量调整单元，其中所述热量调整单元(133)经定位以与所述加热装置(131)的第一侧相对，并且其中所述热量调整单元(133)和所述加热装置形成向所述柔性基板(10)提供路径的间隙或隧道。
12.根据权利要求5所述的真空处理系统(100)，其中所述至少一个沉积源(630)具有弯曲表面，其中所述至少一个沉积源的所述弯曲表面经成形以使得所述至少一个沉积源具有相对于所述处理滚筒(142)的所述表面基本上平行的表面。
13.根据权利要求5所述的真空处理系统(100)，其中所述至少一个沉积源(630)包括：
具有表面的电极(602)，其中所述电极的所述表面与所述处理滚筒(142)的所述外表面相对；
处理气体入口(612)和处理气体出口(614)，其中所述处理气体入口和所述处理气体出口布置在所述电极的所述表面的相对侧处；和
至少一个分离气体入口(1842)，具有一个或多个分离气体入口开口，其中所述一个或多个分离气体入口开口至少设置在所述电极(602)的所述表面的相对侧中的一侧处，使得所述处理气体入口(612)和/或所述处理气体出口(614)设置在所述一个或多个分离气体入口开口与所述电极的所述表面之间。
14.根据权利要求5所述的真空处理系统(100)，进一步包括致动器(374)，所述致动器(374)经构造以用于调整所述至少一个沉积源(630)与所述处理滚筒(142)的所述外表面之间的距离。
15.根据权利要求5所述的真空处理系统(100)，进一步包括致动器(374)，所述致动器(374)经构造以用于调整所述至少一个沉积源(630)的电极与所述处理滚筒(142)的所述外表面之间的距离。
16.根据权利要求5所述的真空处理系统(100)，进一步包括气体分离单元(370)，用于将所述第一真空处理区域与所述至少一个第二真空处理区域分离，并适于形成狭缝(20)，通过所述狭缝(20)所述基板(10)能够通过所述处理滚筒(142)的所述外表面与所述气体分离单元(370)之间，其中所述气体分离单元(370)适于控制所述第一真空处理区域与所述第二真空处理区域之间的流体连通，并且其中通过调整所述气体分离单元(370)的位置来控制所述流体连通。
17.根据权利要求1所述的真空处理系统(100)，进一步包括用于引导基板的基板引导控制单元(300)，所述基板引导控制单元(300)包括单个引导辊(104)，其中所述单个引导辊(104)包括：
第一基板张力测量单元(301)和第二基板张力测量单元(302)，用于在所述引导辊(104)的第一端部和第二端部处测量所述基板(10)的张力，其中所述第二端部与所述第一端部相对；
调整单元(310)，所述调整单元(310)放置在所述引导辊(104)的所述第一端部或所述第二端部处，所述调整单元(310)是用于移动所述引导辊(104)的一端的调整致动器(313)；和
数据连接(311)，用于将来自所述引导辊(104)的所述第一端部的经测量的所述张力和来自所述引导辊的所述第二端部上的经测量的所述张力供应给用于控制所述调整单元(310)的控制器(501)。
18.根据权利要求1到17中任一项所述的用于处理柔性基板的真空处理系统(100)的用途。
19.一种使用根据权利要求1到17中任一项所述的真空处理系统在柔性基板上沉积至少两个层的方法(900)，包括：
在处理滚筒的外表面上方引导所述柔性基板；
在至少第一沉积源的相对侧的至少两个位置处提供分离气体；
在所述至少两个位置之间提供处理气体并排放所述处理气体；和
在所述第一沉积源与至少一个第二沉积源之间的至少一个真空出口处进行泵吸。
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