JP6803917B2 - 真空処理システム及び真空処理を行う方法 - Google Patents

Description

［０００１］本開示の実施形態は、真空処理システム、及び真空堆積システムを作動させる方法に関する。本開示の実施形態は特に、真空堆積システム、及びフレキシブル基板を処理するための方法に関する。詳細には、本開示の実施形態は、ロールツーロール真空堆積システム、及びフレキシブル基板に少なくとも２つの層を堆積させる方法に関する。

［０００２］プラスチック膜又はプラスチック箔などのフレキシブル基板の処理は、パッケージング業界、半導体業界、及びその他の業界で需要が高い。処理は、フレキシブル基板を好ましい材料、例えば金属、詳細にはアルミニウム、半導体及び誘電体材料でコーティングすることと、エッチングすることと、所望の用途のために基板に行われる他の処理ステップとで構成されうる。この作業を実施するシステムは概して、基板を搬送し、基板の少なくとも一部を処理するための処理システムに連結された例えば円筒ローラ等の処理ドラムを含む。したがって、ロールツーロール（Ｒ２Ｒ）コーティングシステムは、高スループットシステムを提供しうる。

［０００３］通常、フレキシブル基板上にコーティングされうる金属の薄層を堆積させるため、ある処理、例えば、物理的気相堆積（ＰＶＤ）処理、化学気相堆積（ＣＶＤ）処理、及びプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）処理を利用してもよい。しかし、ディスプレイ業界及び光電池（ＰＶ）業界におけるロールツーロール堆積システムの需要も、著しい高まりを見せつつある。例えば、タッチパネル要素、フレキシブルディスプレイ、及びフレキシブルＰＶモジュールを使用することにより、ロールツーロールコータ内で特に低製造コストで好適な層を堆積させる需要が高まる。しかしながら、上記デバイスは通常、ＣＶＤ処理、特にＰＥＣＶＤ処理によっても通常製造される幾つかの層を有する。

［０００４］一又は複数の処理チャンバにおける幾つかのＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、及び／又はＰＶＤソースの構成には、卓越した効率的な処理が必要とされる。一般に、複合薄膜層構造の堆積は、異なるＲ２Ｒコータで連続的に実施される。それぞれのＲ２Ｒコータは、特別な堆積技法の必要に対応するように設計されている。しかしながら、このコンセプトによって、製造装置の高い所有コスト（ＣｏＯ）がもたらされる。

［０００５］コーティングされた基板から製作された製品の例としては、ＯＬＥＤディスプレイがある。ＯＬＥＤディスプレイは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と比較して、より高速な応答時間、より大きな視野角、高コントラスト、軽量、低電力、及びフレキシブル基板への対応という観点で、ディスプレイ用途において最近著しい関心を獲得している。ＯＬＥＤで使用される有機材料に加え、多くのポリマー材料が、更に小分子フレキシブル有機発光ダイオード（ＦＯＬＥＤ）、及びポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）ディスプレイ用に開発されている。これらの有機材料及びポリマー材料の多くは、ある範囲の基板用の複合多層デバイスの製造に対して柔軟性があるために、薄型フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、電気的に励起された有機レーザー、及び有機光増幅器などの種々の透明多色ディスプレイの用途において理想的なものとなっている。

［０００６］長年にわたり、例えば、ディスプレイデバイス内の層は、各層が異なる機能を果たす複数の層に発展している。複数の層を複数の基板上に堆積させることは、複数の処理チャンバを必要とすることがある。したがって、当該技術分野において、フレキシブルツールプラットフォーム（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｔｏｏｌ ｐｌａｔｆｏｒｍ）で基板を処理するための効率の良い方法及び装置が必要とされている。

［０００７］以上のことを考慮して、当該技術分野の課題のうちの少なくとも幾つかの課題を解決するような、真空処理システム及び真空処理システムを取り付ける方法を提供することが要望される。

［０００８］このため、フレキシブル基板のための真空処理システム、及びフレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法が提供される。本開示の更なる態様、利点、及び特徴は、従属請求項、明細書、及び添付の図面から明らかである。

［０００９］本開示の一態様によれば、フレキシブル基板のための真空処理システムが提供される。真空処理システムは、フレキシブル基板を提供するための供給ロールを収容するように適合された第１のチャンバと、処理後にフレキシブル基板を収めるための巻き取りロールを収容するように適合された第２のチャンバと、フレキシブル基板を第１のチャンバから第２のチャンバへガイドするための一または複数のガイドローラを含む基板搬送装置と、第１のチャンバと第２のチャンバとの間のメンテナンスゾーンであって、第１のチャンバ及び第２のチャンバのうちの少なくとも１つへのメンテナンスアクセス、又は第１のチャンバ及び第２のチャンバのうちの少なくとも１つのメンテナンスアクセスを可能にする、メメンテナンスゾーンと、フレキシブル基板を処理するための第１の処理チャンバとを含む。

［００１０］本開示の別の態様によれば、フレキシブル基板を処理するため、特にフレキシブル基板に層のスタック（積み重ねられた層）を堆積させるための本書に記載の処理システムの使用が提供される。

［００１１］本開示の別の態様によれば、特に本書に記載の真空処理システムを使用して、フレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法が提供される。フレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法は、処理ドラムの外面の上にフレキシブル基板をガイドすることと、少なくとも第１の堆積源の反対側の側面の少なくとも２つの位置において分離ガスを供給することと、少なくとも２つの位置の間で処理ガスを供給し処理ガスを排気することと、第１の堆積源と少なくとも１つの第２の堆積源との間の少なくとも１つの真空排気口においてポンプ操作を行うこととを含む。

［００１２］本開示はまた、本開示に記載の方法を実施するための装置を対象とし、記載された各方法ステップを実施するための装置部分を含む。これらの方法ステップは、ハードウェア構成要素、適当なソフトウェアによってプログラムされたコンピュータを手段として、又はこれらの２つの任意の組合せによって、あるいは任意の他の方式で実施することができる。更に、本開示は、記載の装置を作動させる方法も対象とする。それは、装置のあらゆる機能を実施するための方法ステップを含む。

［００１３］本開示の上述の特徴を細部まで理解しうるように、実施形態を参照することによって、上記に簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が得られる。添付の図面は、例示的な実施形態を示すのみであり、したがって、本開示の範囲を限定するものと見なすべきではないことに留意されたい。

本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを示す概略斜視図である。 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを示す概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを示す概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを示す概略上面図を示す。 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを示す概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの処理チャンバを示す概略断面図である。 本書に記載の実施形態にしたがって使用されるスプレッダローラデバイスを示す概略図である。 本書に記載の実施形態にしたがって使用されるスプレッダローラデバイスを示す概略図である。 本書に記載の実施形態に係る基板ガイド制御ユニットを示す概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係る基板ガイド制御ユニットを示す概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係るガス分離ユニットを有する真空処理システムの処理チャンバを示す概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係るガス分離ユニットを有する真空処理システムの処理チャンバを示す概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係る処理ドラムに接続されたガス分離ユニットと、真空処理システムとを示す側面図である。 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの堆積源を示す概略図である。 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの堆積源及びガス分離ユニットを示す概略図である。 本書に記載の実施形態に係るガス分離ユニットのガス分離の概念を示す概略図である。 本書に記載の実施形態に係るガス分離ユニットのガス分離の概念を示す概略図である。 本書に記載の実施形態に係るガス分離ユニットのガス分離の概念を示す概略図である。 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの堆積源を示す概略斜視図である。 本書に記載の実施形態に係る堆積源のためのマイクロ波アンテナを示す概略図である。 本書に記載の実施形態に係る堆積源のためのマイクロ波アンテナを示す概略図である。 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの処理チャンバの一部を示す概略斜視図である。 本書に記載の実施形態に係るシャッターデバイスを含む真空処理システムの処理ドラムを示す概略側面図である。 本書に記載の実施形態に係るシャッターデバイスの構成要素を示す概略斜視図である。 本書に記載の実施形態に係る異なる位置にあるシャッターデバイスの詳細斜視図である。 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの一セクションを示す平面図である。 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの処理チャンバを洗浄するための方法を示すブロック図である。 フレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法を示すブロック図である。

［００１４］本開示の様々な実施形態をこれより詳細に参照していく。これらの実施形態の一又は複数の例が図中に示されている。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。下記において、個々の実施形態に関する違いのみが説明される。各実施例は、本開示の説明のために提供されているが、本開示を限定することが意図されているわけではない。更に、１つの実施形態の一部として図示又は説明されている特徴は、更なる実施形態を創出するために、他の実施形態で使用されることも、他の実施形態と併用されることも可能である。説明には、このような修正例及び変形例が含まれるように意図されている。

［００１５］図１Ａに、本書に記載の実施形態に係る、基板を処理するための真空処理システム１００の概略斜視図を示す。詳細には、真空処理システム１００は、フレキシブル基板をガイドし処理するように適合されうる。例えば、真空処理システム１００は、プラズマ相から、移動している基板、特にフレキシブル基板上に薄膜を堆積させるように構成されうる。

［００１６］図１Ａ及び図１Ｂに例示するように、本書に記載の他の実施形態と組合せうる実施形態によれば、真空処理システム１００は、第１のチャンバ１１０と、第２のチャンバ１２０と、メンテナンスゾーン１３０と、少なくとも１つの処理チャンバ、例えば図１Ａ及び図１Ｂの処理チャンバ１４０と、通路１５０とを含みうる。例えば、第１のチャンバ１１０は、基板、特にフレキシブル基板１０を提供するための供給ロール１１１を収容するための巻き出しチャンバであってよい。第２のチャンバ１２０は、処理後にフレキシブル基板１０を収めるための巻き取りロール１２１を収容するための巻き付けチャンバであってよい。

［００１７］本開示において、「供給ロール」は、処理される基板、例えばフレキシブル基板が収められるロールと理解するべきである。したがって、本開示において、本書に記載の「巻き取りロール」は、処理された基板を受け入れるように適合されたロールと理解すべきである。更に、「供給ロール」は「再巻き付け器」とも称され得、「巻き取りロール」は「巻き出し器」とも称されうることに留意すべきである。

［００１８］本開示において、「フレキシブル基板」は、曲げることができる基板として特徴づけられうる。例えば、フレキシブル基板は箔であってよい。詳細には、本書に記載の処理システムの実施形態をいずれかの種類のフレキシブル基板を処理するために、例えばフレキシブル基板にコーティング又は電子デバイスを製造するために用いることができることを理解すべきである。例えば、本書に記載の基板は、ＰＥＴ、ＨＣ−ＰＥＴ、ＰＥ、ＰＩ、ＰＵ、ＴａＣのような材料、一又は複数の金属、紙、それらの組み合わせ、及びハードコートＰＥＴ（例えば、ＨＣ−ＰＥＴ、ＨＣ−ＴＡＣ）など既にコーティングされている基板を含み得る。

［００１９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる、ある実施形態によれば、真空処理システムは、５００ｍ以上、例えば９００ｍ以上、例えば１０００ｍの基板長さに対応するように構成されうる。基板の幅は、３００ｍｍ以上、例えば４００ｍｍ以上、特に１４００ｍｍ以上であってよい。通常、基板の厚さは、５０μｍから２００μｍとすることができる。

［００２０］本書に記載の実施形態は、第１のチャンバを巻き出しチャンバとして言及し、第２のチャンバを巻き付けチャンバとして言及するが、本書で言及する第１のチャンバは、巻き取りロールを有する巻き付けチャンバとして使用されてもよく、第２のチャンバは、供給ロールを有する巻き出しチャンバとして使用されてもよいことを理解するべきである。

［００２１］実施形態によれば、真空処理システム１００の幾つかのチャンバ、又はすべてのチャンバは、真空処理のために適合され得る。例えば、第１のチャンバ、例えば巻き出しチャンバ、少なくとも１つの処理チャンバ、及び第２のチャンバ、例えば巻き付けチャンバ等の処理システムの少なくとも一部において、真空を生成又は維持することを可能にする構成要素又は機器を含みうる。幾つかの実施形態によれば、堆積システムは、堆積システムの少なくとも一部において真空を生成又は維持するため、真空ポンプ、排気ダクト、真空シールなどを含み得る。ある実施形態では、少なくとも１つの処理チャンバ、巻き付けチャンバ、及び巻き出しチャンバは、それぞれ、他のチャンバから独立した個々のチャンバ内で真空を生成且つ維持するための真空生成デバイス及び真空維持デバイスを含み得る。例えば、各チャンバは、それぞれのエリアを排気するための対応する個々の真空ポンプ又はポンピングステーションを有しうる。

［００２２］ある実施形態によれば、真空条件下で作動するように適合されている処理システムのチャンバは、真空気密筐体（ｖａｃｕｕｍ ｔｉｇｈｔ ｅｎｃｌｏｓｕｒｅ）を形成する、この真空気密筐体は、すなわち、約０．２から１０ｍｂａｒの圧力を有する真空、又は更に１＊１０^−４から１＊１０^−２ｍｂａｒの圧力を有する真空にまで排気され得る。特に、異なる圧力形態で行われるＰＶＤプロセスに対しては１０^−３ｍｂａｒの範囲、ＣＶＤに対してはｍｂａｒの範囲の異なる圧力範囲が考えられる。更に、一又は複数のチャンバは、１＊１０^−６ｍｂａｒ以下の圧力で背景真空（ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ ｖａｃｕｕｍ）まで排気され得る。背景圧力とは、いずれかのガスのいずれの吸気口も使わずにチャンバを排気させることによって到達する圧力を意味する。これとは逆に、本書に記載の実施形態によれば、第１のチャンバ１１０と第２のチャンバ１２０との間に設けられたメンテナンスゾーンは、操作員がメンテナンスアクセスを使用することができるように大気（すなわち周囲空気）条件下にある。

［００２３］図１Ａ及び１Ｂに例示するように、メンテナンスゾーン１３０と第１の処理チャンバ１４０Ａとの間に第１のチャンバ１１０が設けられうる。第１のチャンバ１１０、例えば巻き出しチャンバと、第２のチャンバ１２０、例えば巻き付けチャンバとの間にメンテナンスゾーン１３０が配置されうる。したがって、第１のチャンバ１１０と第２のチャンバ１２０との間にメンテナンスゾーンが配置されていることにより、真空処理システムの作動の、例えば、前、後、又は途中に、第１のチャンバ及び／又は第２のチャンバのメンテナンスアクセス、或いは第１のチャンバ及び／又は第２のチャンバへのメンテナンスアクセスが可能になる。

［００２４］本開示において、本書で言及する「メンテナンスゾーン」は、処理システムの一又は複数のチャンバのメンテナンスを可能にするゾーンとして理解するべきである。したがって、「メンテナンスゾーン」は、サービスゾーンでありうることが理解される。例えば、メンテナンスゾーンは、処理システムのチャンバのうちの一又は複数の中に存在する構成要素を監視、制御、維持、洗浄、又は交換することを可能にし得る。更に、「メンテナンスゾーン」という用語は、操作員によって実施されるメンテナンスを可能にするゾーンとして理解してもよい。したがって、本書に記載のメンテナンスゾーンは、チャンバの、又はチャンバへのメンテナンスアクセスを可能にしうる。例えば、メンテナンスゾーンは、本書に記載のように、巻き出しチャンバ又は巻き付けチャンバにアクセスすることを可能にし得る。メンテナンスアクセスは、視覚的メンテナンス、信号制御又は信号受信のための電子ユニットへのアクセス、又は物理的な立ち入りを含み得る。ある実施形態によれば、メンテナンスゾーンでは、大気条件が提供される。ある実施形態では、メンテナンスゾーンは、メンテナンスゾーンによってアクセスが可能である処理システムのチャンバのうちの一又は複数の中に存在する構成要素を制御、洗浄、又は交換することを可能にし得る。幾つかの実施形態では、メンテナンスゾーンは、処理システムのチャンバ内の処理に影響を与えるためのスイッチ、ボタン、制御ダイヤル、モニター、アクチュエータ、モジュレータなどの制御要素へのアクセスを提供し得る。一実施例では、メンテナンスゾーンは、巻き付け又は巻き出し処理を終了させるスイッチを有してもよい。他の実施形態又は更なる実施形態では、メンテナンスゾーンは、温度、圧力、湿度などの環境条件を第１及び／又は第２のチャンバにおいて制御するための制御要素を有してもよい。実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、大気条件を提供する。

［００２５］図１Ｂを例示として参照する、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、少なくとも１つの処理チャンバ（例：図１Ｂの処理チャンバ１４０）、特に第１の処理チャンバ１４０Ａは、第１のチャンバ１１０、例えば巻き出しチャンバに隣接するように配置されうる。少なくとも１つの処理チャンバには、処理チャンバ内で処理が実施されている間に基板をガイドするための処理ドラム１４２が設けられうる。処理ドラム１４２は、一または複数の堆積源などの、処理チャンバ内に存在する一又は複数の処理構成要素を通り越して、フレキシブル基板１０をガイドするように適合され得る。ある実施形態によれば、処理ドラム１４２は、摂氏約−２０度〜４００度の温度に加熱及び／又は冷却されるように構成されうる。したがって、処理ドラムは加熱及び／又は冷却チャネルを含みうる。

［００２６］本開示において、本書に記載の「処理チャンバ」は、処理が行われるチャンバと理解するべきである。例えば、処理チャンバの中では、基板上に材料を堆積させるために堆積処理が行われ得る。しかしながら、処理チャンバは、以下に詳細に説明するように、代替的又は追加的な処理に対しても適合されうる。

［００２７］ある実施形態によれば、少なくとも１つの処理チャンバは、処理構成要素を収容し得る。本開示において、「処理構成要素」は、基板上に材料を堆積させるための構成要素、及び／又は基板を加熱するための構成要素、及び／又は基板を冷却させるための構成要素、及び／又は基板に前処理を施すための構成要素、及び／又は基板、あるいは基板上に配置された層をエッチングするための構成要素、及び／又は基板を洗浄するための構成要素等であることを理解すべきである。したがって、ある実施形態では、処理チャンバは、基板上に材料を堆積させるための堆積源、加熱デバイス（加熱ランプ（例えば赤外線ランプ）など）、処理ドラム内の冷却チャネル、洗浄装置、例えば、プラズマ前処理によって、後段階で実施される処理のために基板を準備する装置のような前処理装置、エッチング装置などを含みうる。幾つかの実施形態によれば、基板をプラズマで処理するため、前処理プラズマ源（例えば、ＲＦプラズマ源）を提供し得る。例えば、プラズマでの前処理は、基板表面に堆積された膜の膜接着性を向上させるために基板表面の表面改質をもたらすことがあり、或いは、その処理を改善するために別の方法で基板形態を改善することがある。したがって、当然ながら、本書に記載の処理チャンバは、ＣＶＤチャンバ、ＰＶＤチャンバ、ＰＥＣＶＤチャンバ、エッチングチャンバ、又は他のいずれかの好ましい処理チャンバであってよい。

［００２８］図１Ｂを例示として参照すると、本書に記載の処理システムの実施形態によれば、第１のチャンバ１１０、例えば巻き出しチャンバの供給ロール１１１から第１の処理チャンバ１４０Ａの処理ドラム１４２まで、さらに通路１５０を通って第２のチャンバ１２０、例えば巻き付けチャンバの巻き取りロール１２１まで基板搬送方向１０８に沿って基板、例えばフレキシブル基板１０をガイドすることができる。図１Ｂに例示するように、フレキシブル基板の前面を接触させずに、巻き出しチャンバの供給ロール１１１から巻き付けチャンバの巻き取りロール１２１まで処理チャンバ１４０内の少なくとも１つの処理領域を通ってフレキシブル基板をガイドするためのガイドローラ１０４の装置が設けられうる。操作中、フレキシブル基板は、少なくとも１つの処理領域の中に基板搬送方向に移動され得、処理領域には例えば、プラズマ堆積源が、例えばプラズマ相から移動している基板上に薄膜が堆積されうるように、堆積ガスをプラズマ相内に移動させるように配置されうる。本書に記載の他の実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、搬送装置の一又は複数のガイドローラは加熱されうる。具体的には、処理ドラムによって一または複数の処理領域を通して基板がガイドされる位置の前に設置されるガイドローラは、加熱されるように構成されうる。したがって、基板からの湿気の軽減は、処理ゾーンの前に設置された加熱されたガイドローラを使用することを通して達成されうる。更に、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理システムには、例えば加熱されたガイドローラを使用することによって基板からガス放出された蒸気を集めるためのトラップ（図示せず）、例えば低温トラップが設けられうる。具体的には、基板からのガス抜きされた蒸気を集めるためのトラップは、本書に記載の加熱されたローラによって基板が加熱されたことに起因して湿気が蒸発しうる基板の表面に対向する位置に配置されうる。

［００２９］本開示において、「ロール」、又は「ローラ」は、処理システム内に基板が存在する間、基板（又は基板の一部）が接触し得る表面を提供する装置と理解してもよい。本書で言及されている「ロール」又は「ローラ」の少なくとも一部は、処理される基板又は既に処理された基板に接触するための円形のような形状を含み得る。幾つかの実施形態では、「ロール」又は「ローラ」は、実質的に円筒形状を有し得る。実質的な円筒形状は、真っすぐな長手方向軸の周りに形成されてもよく、又は湾曲した長手方向軸の周りに形成されてもよい。幾つかの実施形態によれば、本書に記載の「ロール」又は「ローラ」は、フレキシブル基板と接触するように適合され得る。例えば、本書で言及される「ロール」又は「ローラ」は、基板が処理される間（堆積処理の間など）又は基板が処理システム内に存在する間に基板をガイドするように適合されたガイドローラ、コーティングされる基板に規定された張力を付与するように適合されたスプレッダローラ（拡張ローラ）、規定された移動経路に従って基板を偏向するための偏向ローラ、処理ドラム（例えばコーティングローラ又はコーティングドラム等）の処理の間に基板を支持するための処理ローラ、調整ローラ、供給ロール、巻き取りロール等であってよい。本書に記載の「ロール」又は「ローラ」は、金属を含み得る。一実施形態では、基板と接触するべきローラ装置の表面は、コーティングされるべきそれぞれの基板に適合され得る。更に、幾つかの実行形態によれば、本書に記載のローラは、特に両軸受ローラ構造を有する低摩擦ローラ軸受に装着されうると理解されたい。したがって、本書に記載の搬送装置のローラの平行度が達成され得、基板の搬送中に横方向に「動いてしまう」基板がなくなりうる。

［００３０］幾つかの実施形態では、本書に記載の処理システム１００のチャンバ間でフレキシブル基板１０をガイドするガイドローラ１０４は、張力測定のために更に構成されうる。本書に記載の実施形態の典型的な実行形態によれば、処理システムに少なくとも１つの張力測定ローラが設けられうる。処理ドラム１４２の両側に２つの張力測定ローラが設けられうることが有益であり、これにより処理ドラムの巻き付け側と巻き出し側での張力測定が可能になる。特に、張力測定ローラは、フレキシブル基板の張力を測定するように構成されうる。これによって、基板搬送をより好ましく制御することができ、処理ドラム上の基板の圧力を制御することができ、及び／又は基板に対する損傷を低減又は回避することができる。

［００３１］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、供給ロール及び巻き取りロール、基板をガイドするためのガイドローラ、処理ドラム及びフレキシブル基板と接触している処理システム内の他のローラ又は要素は、フレキシブル基板の裏面、すなわち、処理システム内で処理されない（又は処理されるべきではない）側だけが接触するように、処理チャンバ内に位置付け且つ／又は配置される。このため、基板を巻き出しする、処理する、再巻き付けする、引っ張る又はガイドするときは、ローラによる基板前面との接触は起こらない。これにより、処理された基板の表面上、更に処理されるべき基板の表面上の汚染が低減する。したがって、特に処理された表面上の基板損傷のリスクが低減する。

［００３２］本書に記載の他の実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、フレキシブル基板をガイドするためのガイドローラ１０４の最低巻き付け角度は１３度、具体的には１５度以上であってよい。したがって、最低巻き付け角度は、供給ロール１１１及び巻き取りロール１２１がそれぞれ空の時、又は完全に基板で一杯の時の２つの作動条件によって、又は２つの作動条件間で巻きつき方が変わるという事実に関連する。

［００３３］本書に記載の他の実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、処理ドラム１４２は、図１Ｃに例示するように、長手軸、特に処理ドラム１４２の回転軸１４３に対して回転可能である。処理ドラムは、湾曲した外面に沿って基板をガイドするための湾曲した外面を有しうる。したがって、フレキシブル基板１０は、回転している処理ドラム１４２の上を移動することによって搬送され、処理されうる。実施形態によれば、フレキシブル基板１０の処理は、例えば、これらに限定されないが、処理ドラム１４２上に配置されうるフレキシブル基板１０の一部でコーティング、メッキ又は積層処理を実施することによって達成されうる。幾つかの実施形態によれば、処理ドラム１４２の周りでの基板の巻き付け角度は、１８０度未満、具体的には１７０度未満、及びより具体的には１５０度未満であってもよい。

［００３４］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理システム内に存在するすべてのロールの巻き付け角度の合計は、１８０度と５４０度の間、例えば、１８０度と３６０度の間であってよい。幾つかの実施形態では、例えば、図２に例示するように第２の処理ドラムが提供される場合、堆積システム内に存在しているすべてのロール（供給ロール及び巻き取りロールを除いて）の巻き付け角度の合計は、５４０度以下であり得る。幾つかの実施形態では、堆積システム内に存在しているすべてのロール（供給ロール及び巻き取りロールを除いて）の巻き付け角度の合計は、３６０度未満であり得る。典型的に、特に少ない巻き付け角度の合計（３６０度未満の巻き付け角度など）が望まれる場合、ガイドローラの数は、２以上１０以下である。

［００３５］当然ながら、例えばガイドロール、供給ロール、巻き取りロール、処理ドラム等の単一の構成要素、及び例えば堆積源又はエッチング装置等の処理構成要素を、例えばウェブ又は箔、あるいはガラス基板等のフレキシブル基板用に適合させることができる。例えば、ガイドロール及び／又は供給ロール及び／又は巻き取りロール及び／又は処理ドラムはそれぞれ、フレキシブル基板をガイドする、巻き出す、又は巻き付けるための面と形状寸法を有しうる。

［００３６］図１Ａ及び１Ｂを例示として参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、通路１５０は、第１の処理チャンバ１４０Ａと、処理された基板が巻き取りロール１２１上に巻かれうる例えば巻き付けチャンバ等の第２のチャンバ１２０とを接続させるように構成されうる。例えば、通路１５０は、第１のチャンバ１１０及び／又は第２のチャンバ１２０の上に配置されうる。他の実施形態では、通路は、第１のチャンバ１１０及び／又は第２のチャンバ１２０の下方に位置付けされたトンネルとして形成されてもよい。通路１５０（又はトンネル）を使用して、第１の処理チャンバ１４０Ａから第２のチャンバ１２０、例えば巻き付けチャンバまで基板をガイドすることができる。幾つかの実施形態によれば、通路又はトンネルは、例えば、それぞれのシール、ポンプ、スルースなどを設けることによって、真空条件下で基板をガイドするように適合され得る。幾つかの実施形態では、通路は、堆積システムの作動中は、大気条件下にありうる。大気条件下で通路を作動させることにより、コストと労力を節約することができる。幾つかの実施形態によれば、基板が処理チャンバから通路に入る位置に１つの間隙スルース１８０、そして基板が巻き付けチャンバに向けて通路を出るところに１つの間隙スルース１８０を設けるなど、通路にスルースを設けてもよい。

［００３７］更に追加的に又は代替的に、トンネル又は通路は、その中に真空を生成且つ／又は維持するように適合され得る。しかしながら、幾つかの実施形態によれば、通路又はトンネルは、処理チャンバの一部であると理解してもよい。例えば、トンネルは、スルースによって処理チャンバから分離されない場合がある。したがって、トンネルには、例えば、片方又は両方の処理チャンバ内に存在する真空と同じ真空が供給され得る。一実施例では、トンネルは、片方又は両方の処理チャンバと同じ真空生成手段によって生成且つ維持される真空条件を提供し得る。

［００３８］幾つかの実施形態では、トンネル又は通路は、真空条件及び／又は任意選択的に制御された不活性雰囲気下で作動するように適合され得る。代替的に、トンネル又は通路は、大気条件、又は周囲条件下で作動可能である。

［００３９］幾つかの実施形態では、堆積システムの１つのチャンバから別のチャンバまで基板をガイドするために設けられた通路又はトンネルには、例えば基板、視覚的制御装置、基板制御装置等のための温度センサ、圧力センサ、張力センサ等の測定装置を提供するための適応装置が設けられうる。

［００４０］幾つかの実施形態では、通路（又はトンネル）、第１のチャンバ、及び第２のチャンバは、メンテナンスゾーンを取り囲む。一実施例では、通路は、メンテナンスゾーンの上方で延在する上側蓋内に、上側蓋内によって、又は上側蓋として、設けられ得る。別の実施例では、上述のように、通路は、メンテナンスゾーンの下方で延在する底部側トンネル内に、底部側トンネルによって、又は底部側トンネルとして、設けられ得る。

［００４１］幾つかの実施形態によれば、少なくとも１つの処理チャンバは、ボトムアップ（ｂｏｔｔｏｍ−ｕｐ）方向又は水平方向で基板上に材料の堆積を可能にするように適合され得る。例えば、本書に記載の処理システムは、基板上の粒子発生が回避されるように、ボトムアップ式堆積源（ｂｏｔｔｏｍ−ｕｐ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｓｏｕｒｃｅｓ）が設けられ得る堆積システムとして使用可能である。本開示において、「ボトムアップ式堆積源」とは、図１Ｃに例示するように、堆積源が処理ドラム１４２の回転軸１４３の高さ以下に配置された構成として理解することができる。

［００４２］図１Ｂ及び１Ｃを例示的に参照すると、本書に記載の他の実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、処理チャンバ１４０は、傾斜フランジ１４５を含みうる。幾つかの実施形態では、処理チャンバ１４０は、傾斜フランジ１４５によって接続される少なくとも２つの部分に分割され、この少なくとも２つの部分は、組み立てられたときに処理チャンバ１４０を形成しうる。図１Ｂに例示するように、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６は、傾斜フランジ１４５によって、特に垂直方向に対して処理チャンバ１４０の第２の部分１４７に接続されていてよい。処理チャンバ１４０の第１の部分１４６は、処理ドラム１４２の周りに配置されている複数の処理構成要素を（少なくとも部分的に）収容しうる。例えば、図１Ｃに、堆積源等の一または複数の処理構成要素１４１のうちの１つの処理構成要素を、点線によって示される２つの別の堆積源とともに示す。幾つかの実施形態によれば、処理チャンバ内の処理構成要素の位置を制御し調整するために、処理チャンバの大気側のドライバに、例えば堆積源等の処理構成要素を装着することが可能である。例えば、ドライバは、最大３０ｍｍの工程を提供するように構成された線形アクチュエータであってよい。

［００４３］しかし、本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、２つ以上の処理構成要素、例えば、堆積源を設け得ることを理解されたい。例えば、４つ、５つ、６つ、或いは、８つ、１０個、又は１２個など更に多くの処理構成要素、例えば、堆積源を設けることも可能である。処理構成要素は、それぞれの処理領域内に設けられてもよく、処理ドラム１４２によって支持されている基板は、それぞれの処理領域内で処理されうる。

［００４４］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６は、処理構成要素（堆積源又はツールなど）を第１の部分１４６に外部的に取り付けられるように適合され得る。処理チャンバ１４０の第２の部分１４７は、例えば、通路１５０と連通することにより、又は（例えば図１Ｃに示すように）通路の一部になることにより、通路１５０に接続可能に構成されうる。

［００４５］本書に記載の幾つかの実施形態によれば、処理チャンバ１４０の傾斜フランジ１４５は、処理チャンバ内で処理領域を分離させるための処理チャンバ内の分離壁を提供し得る。例えば、図面に示す傾斜フランジ１４５は、処理チャンバ１４０内の真空気密分離壁を示し得る。一実施例では、第１の処理チャンバ１４０Ａ内の真空気密分離壁は、基板を通過させるためのスルースなどを提供し得る。処理チャンバ１４０内に分離壁を設けることにより、特に、堆積が行われる処理チャンバ内の領域を、基板のガイドのみが行われる処理チャンバ内の領域又は前処理あるいは後処理が行われる処理チャンバ内の領域から分離させたとき、汚染リスクが低減し得る。

［００４６］処理チャンバ１４０の傾斜フランジ１４５は、処理される基板の下方に例えば堆積源などの処理構成要素１４１を配置すること可能にし得る。したがって、堆積処理が処理チャンバ内で実施される場合、堆積は、基板の上方ではなく、基板の下方から行なわれ得る。幾つかの実施形態では、図１Ｃに例示するように、堆積は、基板に対して水平方向から実施され得る。幾つかの実施形態によれば、堆積源は、処理ドラム１４２の下半分に設けられうる。本書に記載の実施形態に係る堆積システムにおいては、下に向かっての堆積、すなわち、源の配向が処理ドラム１４２の水平中心線又は処理ドラム１４２の回転軸１４３の上である堆積は使用されないところが有益である。特に、本書に記載の実施形態によれば、堆積源の配置は、処理ドラム１４２の回転軸１４３の高さ以下に設けられうる。したがって、基板及び処理を汚染しうる発生粒子は、重力のせいで堆積源に残るため、基板上及び／又は堆積された層内での好ましくない粒子の発生を回避することができる。

［００４７］したがって、図１Ｂ及び１Ｃに例示するように、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理チャンバ１４０の外形は、処理構成要素、例えば堆積源のボトムアップ配置に対して適合されうる。例えば、処理チャンバ１４０の外形は、処理チャンバ１４０内に配置された各処理構成要素の位置を考慮して、セグメント化された形状を有してもよい。幾つかの実施形態では、チャンバの外形は、図１Ｂ及び１Ｃに例示するように、曲折した形又は多角形状を有してもよい。

［００４８］幾つかの実施形態によれば、処理チャンバは、処理チャンバ内で処理構成要素を支持又は保持するための一又は複数の支持装置を含んでもよい。幾つかの実施形態では、支持装置は、所定の時間間隔において所定の公差内で、処理構成要素を固定位置に保持するのに適し得る。一実施例では、処理チャンバは、基板上に材料を堆積させるための堆積源、加熱デバイス（加熱ランプ、例えば、赤外線ランプなど）、洗浄装置、及び後段階で実施される処理のために基板を準備する装置のような前処理装置などの上述の処理構成要素を支持又は保持するための支持装置を含んでもよい。幾つかの実施形態では、支持装置は、締め付け装置、把持装置、テーブル、取り付け具、キャリア、留め具、取付装置、アダプタ装置などを含んでもよい。

［００４９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更に別の実施形態によれば、図６を参照しながら後に更に詳細に例示として説明するように、堆積システムの処理チャンバは、区画部又は開口部を有してもよく、堆積源又は堆積源を有する堆積ステーションなどの処理構成要素は、異なる種類の堆積源が処理チャンバ内で分離されるように、それぞれの開口部又はそれぞれの区画部の中に位置付けされ得る。

［００５０］図１Ｃに、図１Ｂに概略的に示す処理システム１００の更なる詳細図を示す。図１Ｃに例示するように、幾つかの実施形態では、フレキシブル基板１０は、処理システムのチャンバを分離している壁のスリット又は開口部を通って、例えば第１のチャンバ１１０と処理チャンバ１４０との間の分離壁１２２のスリット又は開口部を通ってガイドされうる。例えば、スリットは、ある真空チャンバから別の真空チャンバへと基板をガイドするように適合されてもよい。他の実施形態では、スリット又は開口部は、スリットによって連結された２つのチャンバの圧力条件を少なくとも実質的に分離するための密封要素を含み得る。例えば、スリット又は開口部によって連結されている複数のチャンバが異なる圧力条件を提供する場合、壁のスリット又は開口部は、それぞれのチャンバ内の圧力を維持するように設計される。

［００５１］本書に記載の実施形態によれば、図１Ｃに例示するように、第１のチャンバ１１０又は巻き出しチャンバを処理チャンバ１４０から分離するために、少なくとも１つの、例えば間隙スルース１８０等の間隙スルース（ｇａｐ ｓｌｕｉｃｅ）又はロードロックバルブが分離壁１２２に設けられる。少なくとも１つの間隙スルースは、フレキシブル基板が通過しうるように、また開閉して真空密封を提供し得るように構成されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、間隙スルース１８０は、基板をガイドするため、例えば基板の動きを角度１０度以上方向づけし直すためのローラを含みうる。更に、間隙スルースのローラに対して押圧されうる膨張式シールが設けられうる。したがって、間隙スルースは、シールを膨張させることによって閉じることができ、第１のチャンバ１１０と処理チャンバ１４０とは真空気密された状態で互いから分離される。このため、例えば第１のチャンバ１１０を排気することができ、その一方で処理チャンバ１４０を実用的真空下に維持することができる。

［００５２］更なる代替的な実行形態によれば、間隙スルース又はロードロックバルブには、ローラを設けなくてもよい。膨張式シールは、基板を平坦なシール面に対して押圧しうる。また、基板が挿入されている間に開閉を行うことができる、すなわち開かれた基板経路及び真空シールを有する、間隙スルースを選択的に開閉するための他の手段も用いることができる。基板が挿入されている間に真空シールを閉じるための間隙スルースにより、新たなロールからの基板を前のロールからの基板に付着させることができるため、特に基板を簡単に交換することができるようになる。

［００５３］間隙、開口部、又は間隙スルースは、フレキシブル基板を第１のチャンバから処理チャンバへとガイドすることに関して説明されるが、本書に記載の間隙、開口部、又は間隙スルースは、処理チャンバ１４０と通路１５０との間、通路１５０と第２のチャンバ１２０との間、及び／又は例えば図２に示す第２の処理チャンバ２４０等の別の処理チャンバと第２のチャンバ１２０との間など、処理システムの他の部分の間でも使用され得る。

［００５４］幾つかの実施形態によれば、図１Ｃの第１のチャンバ１１０と第２のチャンバ１２０の点線によって例示するように、真空処理システム１００は、例えば処理されるフレキシブル基板１０が間紙１１とともに供給ロール１１１上に提供される場合に、間紙モジュールを含みうる。したがって、間紙は、供給ロール１１１上でフレキシブル基板の１つの層がフレキシブル基板の隣接する層と直接接触することが回避されうるように、フレキシブル基板の隣接する層の間に設けることができる。例えば、巻き出しチャンバは、供給ロール１１１上の基板の保護のために設けられた間紙を巻き取るための第１の間紙モジュールを備え得る。間紙モジュールは、供給ロール１１１から間紙とともにフレキシブル基板を巻き出す際に、間紙を間紙巻き取りロール１１７にガイドするための幾つかの間紙ガイドロール１０７を含みうる。したがって、巻き付けチャンバは、間紙供給ロール１２７から供給された間紙１１を巻き取りロール１２１へガイドするための間紙ガイドロール１０７を含む間紙モジュールも含みうる。したがって、第２の間紙モジュールは、巻き取りロール１２１上の処理された基板を保護するために、処理された基板と共に巻き取りロール１２１上に巻き付けられる間紙を供給し得る。当然ながら、第１のチャンバ１１０と第２のチャンバ１２０には、それぞれ間紙巻き取りロール１１７と間紙供給ロール１２７を装着するための保持部及び／又は受容部、及びそれぞれの間紙ガイドロールを装着するための保持部及び／又は受容部が設けられうる。

［００５５］図１Ｄに、図１Ｃに示す堆積システム１００の概略上面図を示す。図１Ｃ及び１Ｄの実施例では、操作員１７０が、メンテナンスゾーン１３０を通して第２のチャンバ１２０の巻き取りロール１２１を交換中である。巻き取りロール１２１が、種々の位置で破線で示されていることに留意すべきである。幾つかの実施形態によれば、制御信号が、操作員１７０に対して、第２のチャンバ１２０内の巻き取りロール１２１を取り換える必要性について知らせることができる。図１Ｃ及び１Ｄで見られるように、メンテナンスゾーン１３０は、巻き取りロール１２１の交換のために、優れたアクセス性を提供する。

［００５６］幾つかの実施形態によれば、本書に記載の処理システムは、図１Ｄからわかるように、容易且つ簡単な方法で、処理システム内の構成要素を交換することを可能にし得る。図１Ｄの右側には、処理ドラム１４２（点線）を有する処理チャンバ１４０が例示されている。図１Ｄにおいて参照番号１７５で示される操作員は、例えば堆積源等の処理構成要素１４１へのアクセスを有しうる。幾つかの実施形態によれば、一又は複数の処理構成要素１４１は、共にグループ化されてもよい。それにより、一又は複数の処理構成要素は、１つのユニット又は１つのグループ（例えば、上記で傾斜フランジに関連して説明したように、処理チャンバの第１の部分と共に形成されているグループ）としてアクセスされ得る。他の実施形態によれば、個々の処理構成要素は、ひとつずつアクセスされうる。例えば、処理構成要素が摩耗しているか、消費されている場合、或いは、処理を変更しなければならない場合、処理構成要素１４１を交換することができる。例えば、本書に記載の実施形態に係る処理システムは、基板の幅を変更させるオプションを提供し得る。処理構成要素の容易なアクセス及び容易な交換は、種々の処理の種類又は種々の基板のために処理システムを効率良く使用するために役立ち得る。

［００５７］幾つかの実施形態によれば、供給ロール又は巻き取りロールを取り外す、交換する、又は供給する形でのメンテナンス、すなわち、巻き付けチャンバのうちの１つ又は複数が排気され且つ／又は開かれるメンテナンス作業は、基板が一又は複数の処理チャンバ内に留まっている間に実施されてもよい。幾つかの実施形態によれば、処理システムの処理動作が停止し、基板搬送ローラが停止される。処理チャンバと巻き付け／巻き出しチャンバの間の膨張式シールによって基板を締め付けることなどによって、基板は、次いで、処理チャンバと巻き付け／巻き出しチャンバの間の真空気密バルブ又は間隙スルースによって締め付けられてもよい。幾つかの実施形態では、基板は、処理チャンバと巻き付け／巻き出しチャンバとの間で締め付けられた後、巻き付け／巻き出しチャンバ内で切断される。供給ロール及び／又は巻き取りロールは取り外される、及び／又は交換される。供給ロールによって提供される新たに追加された基板は、巻き出しチャンバ内の基板の切断端に固定（付着又は接着など）され得る。この場合、一又は複数の処理チャンバが真空下に保たれている間に、巻き付けチャンバのうちの１つ又は複数が排気され且つ／又は開かれ、処理システムの他の部分で真空が保たれている間に、巻き付け／巻き出しチャンバでメンテナンスが実施される。

［００５８］幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーン１３０は、第１のチャンバ、第２のチャンバ、並びに／或いは更に第１及び／又は第２のチャンバの上方のトンネルの典型的なメンテナンスステップのために適合され得る。例えば、メンテナンスゾーン１３０のサイズは、図１Ｃに例示するように、操作員１７０のサイズに適合され得る。更に、メンテナンスゾーン１３０のサイズは、操作員が第１及び第２のチャンバから供給ロール及び／又は巻き取りロールを取り外すことができるように、選択され得る。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、１ｍを上回る長さ１７１（図１Ｄに示すように）を有しうる。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、典型的に、約１ｍと約３ｍの間、より典型的には、約１．５ｍと約２．５ｍの間、更により典型的には、約１．５ｍと約２ｍの間の長さ１７１を有しうる。さらに、メンテナンスゾーンは、１．７ｍを上回る長さ１７２（図１Ｃに示すように）を有しうる。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、典型的には、約１．７ｍと約３ｍの間、より典型的には、約２ｍと約３ｍの間、更により典型的には、約２ｍと２．５ｍの間の高さ１７２を有しうる。更に、メンテナンスゾーン１３０は、基板の幅によって変わる深さ１７３（図１Ｄに示すように）を有しうる。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーン１３０の深さ１７３は０．７ｍを上回ってもよい。メンテナンスゾーンの深さ１７３は、典型的には、約１．０ｍと約４．０ｍの間、より典型的には、約２ｍと約３．５ｍの間、更により典型的には、約２ｍと約３ｍの間であり得る。

［００５９］図１Ｄの破線の位置１２１−１の巻き取りロールによって示すように、メンテナンスゾーンは、操作員１７０が第２のチャンバ１２０から取り外された巻き取りロールを取り扱うことを可能にする。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーン１３０のサイズは、メンテナンスを目的としたチャンバへの容易なアクセスと、堆積システムのために利用可能なスペースとの間の妥協の産物であり得る。幾つかの実施形態では、本書に記載の堆積システム内のガイドローラシステム、並びに特にガイドローラの数は、メンテナンスゾーンのサイズに適合される。

［００６０］幾つかの実施形態では、メンテナンスゾーン１３０は、作動中、例えば、処理チャンバ１４０が１０ｍｂａｒ以下の圧力まで排気される間、第１のチャンバ１１０及び第２のチャンバ１２０のうちの少なくとも１つへのメンテナンスアクセス又はその少なくとも１つのメンテナンスアクセスを可能にする。例えば、メンテナンスアクセスは、作動中、制御要素を取り扱う又は駆動させる形態又は視覚的制御の形態などで提供され得る。しかしながら、供給ロール１１１又は巻き取りロール１２１の取り外し、交換、又は提供の形態の供給ロール１１１及び巻き取りロール１２１のメンテナンス、すなわち一または複数の巻き付け／巻き出しチャンバが排気される及び／又は開かれるメンテナンス作業は、処理システムの作動中、すなわち処理動作中は実施することができないことを理解すべきである。しかしながら、供給ロール又は巻き取りロールの取り外し、交換、又は提供の形態の供給ロール１１１及び巻き取りロール１２１のメンテナンス、及び／又はメンテナンスゾーン１３０に隣接する一または複数の真空チャンバの内部の洗浄のためのメンテナンスアクセスを可能にするメンテナンスゾーンは、メンテナンスアクセスのために換気されうる及び／又は開かれうる一または複数の処理チャンバが例えば１０ｍｂａｒ以下の圧力に排気されるときにも大気圧に維持される。

［００６１］幾つかの実施形態では、第１のチャンバ１１０及び／又は第２のチャンバ１２０が、それぞれ、第１のチャンバ１１０の径方向から及び第２のチャンバ１２０の径方向からアクセスされ得るように、メンテナンスゾーン１３０は、設けられ且つ構成される。メンテナンスゾーン１３０により、供給ロール１１１及び巻き取りロール１２１のそれぞれの径方向から第１のチャンバ１１０及び／又は第２のチャンバ１２０にアクセスすることが可能になる。一実施形態では、チャンバの径方向は、供給ロール又は巻き取りロールのうちの１つの径方向に対応し得る。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーンにより、それぞれ、供給ロール及び巻き取りロールの巻き付けシャフトの径方向から第１のチャンバ及び／又は第２のチャンバへアクセスすることが可能になる。特に、メンテナンスゾーンにより、それぞれの第１の径方向側及びそれぞれの第２の径方向側から、例えば供給ロールを有する真空チャンバ等の第１のチャンバ（例：図１Ｂの１１０参照）にアクセスすること、及び例えば巻き取りロールを有する真空チャンバ等の第２のチャンバ（例：図１Ｂの１２０参照）にアクセスすることが可能になり、第１の半径方向側及び第２の半径方向側は互いに向き合っている。例えば、供給ロールは、巻き取りスプールに向かって径方向に取り外すことができ、その逆もまた可能である。

［００６２］本書に記載の実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、メンテナンスアクセスを可能にする。メンテナンスアクセスは、視覚的メンテナンス（視覚制御など）、信号制御又は信号受信のための電子ユニットへのアクセス、又は物理的な立ち入りを含み得る。一実施例では、メンテナンスアクセスは、例えばリッドなどによって閉じられ得るドア、窓、又は開口部によって提供されてもよい。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスアクセスは、巻き付け又は巻き出しチャンバの壁の中の窓のように、チャンバ壁によって提供されてもよい。

［００６３］幾つかの実施形態では、メンテナンスゾーンは、図１に２つの水平線で表される点検窓１３４として示すチャンバ壁内の窓を通して、メンテナンスアクセスを提供し得る。第２のチャンバ１２０の壁で例示的に示される点検窓は、例えば、基板が巻き取りスプール上に巻き付けられたとき又は供給スプールから巻き出されたとき、基板を確認することができるような高さに配置され得る。幾つかの実施形態によれば、点検窓は、典型的には、通常約１ｍと約３ｍの間、より典型的には、約１．２ｍと約２．５ｍの間、更により典型的には、約１．４ｍと約２．４ｍの間の幅等のフレキシブル基板の幅など、フレキシブル基板の完全な幅を確認するためのサイズを有し得る。更に別の実施形態によれば、点検窓は、例えば、供給ロール全体及び／又は巻き取りロール全体の確認を可能にすることによって、巻き付け及び／又は巻き出し処理全体を確認するサイズを有し得る。幾つかの実施形態では、メンテナンスゾーンの点検窓は全体として、操作員がチャンバ内の処理に対して何らかの印象をもつことを可能にする幾つかの点検ポートから構成され得る。

［００６４］幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、チャンバ壁内のドアという形態で、第１及び／又は第２のチャンバへのアクセスを提供し得る。一又は複数のドアは、第１及び／又は第２のチャンバ内の構成要素に届くように、例えば、供給ロール又は巻き取りロールに届くように適合され得る。幾つかの実施形態では、ドアは、チャンバの点検窓を含み得る。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、ドアは、操作員が第１及び／又は第２のチャンバに入ることを可能にし得る。

［００６５］幾つかの実施形態では、照明装置が第１のチャンバ及び／又は第２のチャンバ内に設けられ得る。具体的には、照明装置は、処理される基板又は処理された基板が、片側、例えば処理された側又は処理されなかった側のいずれか（又は処理される側又は処理されない側）から照射されるように、第１及び／又は第２のチャンバ内に配置され得る。例えば、照明装置は、基板の点検及び視覚的制御を促進することができ、これは、上述のように、メンテナンスゾーンを通して、具体的には、点検窓１３４のようなチャンバ壁内の窓によって実施され得る。幾つかの実施形態では、照明装置はランプである。

［００６６］図１Ｄに、供給ロール１１１及び巻き取りロール１２１用のローディング及びアンローディングシステム１６０の概略図を示す。幾つかの実施形態によれば、統合されたローディング及びアンローディングシステムは、本書に記載の処理システム用に設けられてもよい。幾つかの実施形態では、ローディング及びアンローディングシステムは、巻き取りロール１２１及び／又は供給ロール１１１のためのテーブル１９０及び搬入出装置を含み得る。図１Ｄの実施例に、巻き取りロール１２１の搬出を示す。例えば、搬入出装置は、交換又は取り外し対象の巻き取りロール１２１を把持するために操作員１７０によって第１のチャンバ１１０内に挿入されてもよい。巻き取りスプールを把持している搬出装置は、第１のチャンバ１１０から引き出され得る。該搬出装置は、第２のチャンバ１２０から巻き取りロール１２１を取り除き得る。一実施例では、搬出装置は、巻き取りロールをその両端で把持し、ロール支持体から取り外すための把持装置を含んでもよい。ロール支持体は、例えば、回転軸であってもよい。幾つかの実施形態によれば、搬入出装置は、巻き取りロールに巻き付けられた基板に接触することなく、巻き取りロールを第２のチャンバから取り除くことができるように適合され得る。

［００６７］図１Ｄからも分かるように、巻き取りロール１２１が第２のチャンバ１２０から取り除かれるとき、巻き取りロール１２１は、メンテナンスゾーン１３０内の位置１２１−１における基板ハンドリングシステムのテーブル１９０上にローディングされる。テーブル１９０は、リフティング（昇降式）テーブルであってもよく、具体的には、センターリフティングテーブルであってもよい。操作員１７０は、巻き取りロールが備え付けられたテーブル１９０を、例えば位置１２１−１に移動させるように、メンテナンスゾーン１３０の中で移動し得る。テーブル１９０は、次いで、メンテナンスゾーン１３０から取り除かれ、巻き取りロールがメンテナンスゾーン１３０から取り出されて位置１２１−２に置かれ得る。したがって、操作員１７０は、容易で複雑でない方法で巻き取りロールを移動させることができる。

［００６８］幾つかの実施形態によれば、基板ハンドリングシステムは、テーブルに代わるものを含みうる。例えば、巻き取りロールをメンテナンスゾーン外に移動させるために、把持ツールが使用されうる。更なる実施形態では、巻き取りロールは、操作員が巻き取りロールを取り扱うことを可能にするようなシャフトや支持体などによって運ばれてもよい。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーン１３０の上方で延在する通路１５０の代わりにメンテナンスゾーン１３０の下方で延在するトンネルが使用される場合、リフティングテーブルに代わるものが使用されてもよい。

［００６９］概して、巻き取りスプールの交換処理のみが説明されているが、メンテナンスゾーンは、コーティング処理間の基板の送入出のためにも優れたアクセス可能性を提供する。したがって、供給ロール１１１も、図１Ｄで示されている方法で交換することができる。

［００７０］幾つかの実施形態では、リフティングテーブルは、基板を、堆積システムにローディング及び堆積システムからアンローディングするためのセンターリフティングテーブルを形成し得る。テーブルは、基板と共に巻き取りロール又は供給ロールを保持するための基板支持体を含み得る。幾つかの実施形態によれば、リフティングテーブルは、少なくとも上方位置と下方位置との間で移動可能であってもよい。支持体内又は支持体の上に配置された巻き取りロール上の基板は、リフティングテーブルの下方位置でメンテナンスゾーンから搬出され得る。基板及びリフティングテーブルがメンテナンスゾーンから搬出されるとき（巻き取りロールの位置１２１−２で示されているように）、巻き取りロールと基板は、屋内クレーン又は天井クレーンなどのクレーンによって更に移送されてもよく、或いは、例えば、処理システムの一部であるガントリークレーンなどのクレーンによって持ち上げられ、運搬車両に置かれてもよい。

［００７１］本書に記載のローディング及びアンローディングシステムを使用することによって、移動可能な巻出し器及び再巻き付け器（処理中に第１及び第２のチャンバ内に存在している巻出し器及び再巻き付け器など）は、本書に記載の実施形態に係る堆積システム内では使用されない。ロールを移動及び把持するためのツールは、メンテナンスゾーンから第１及び第２のチャンバ内に導入され得る。更なる実施形態によれば、基板ハンドリングシステムは、例えば、処理システムが、処理システム内で基板を移送するためにトンネルを使用する場合、チャンバから取り除かれるロールを持ち上げるための統合された門型クレーンを含み得る。

［００７２］しかしながら、本書に記載の実施形態に係る、メンテナンスゾーンの上方に通路がある設計の処理システムを用いることにより、堆積システムから基板を取り除くために天井クレーンは使用されず、これにより、堆積システムの使用者にとってコストとスペースの節約となる。したがって、本書に記載の実施形態に係る処理システムはまた、当該技術分野の周知のシステムよりも小さい（又は低い）工場の建物で使用することもできる。また、堆積システムは、天井クレーンを使用しないので、環境に対する要求が高くない。

［００７３］チャンバに新しい供給ロール又は巻き取りロールを供給するとき、上述のチャンバからロールを取り除く処理を逆の順序で行なってもよいことを理解するべきである。

［００７４］幾つかの実施形態によれば、処理システムは、真空処理システム内のパラメータを制御するための制御ユニットを含み得る。例えば、制御ユニットは、処理システムのチャンバの外に設けられるコントローラ又は制御インターフェースであってもよい。幾つかの実施形態では、制御ユニットは、処理システムの個々のチャンバ内のセンサ、及び／又は堆積源、供給ロール、巻き取りロールなどに接続されうる。したがって、制御ユニットは、処理システム内の所望の測定値を計算することが可能でありうる。例えば、制御ユニットは、例えばメンテナンスゾーンを介して、供給ロール又は巻き取りロールの交換を実施すべき時を示しうる。制御ユニットは、更に、堆積システム内で構成要素が故障した場合、警報を発することも可能でありうる。

［００７５］幾つかの実施形態によれば、本書に記載の処理システムは、モジュール設計を有し得る。例えば、図１Ａ〜図１Ｄに例示する処理システムは、第２の処理チャンバが、例えば第１のチャンバに隣接して接続され得るように適合され得る。したがって、処理システムには、別のチャンバを処理システムに接続することによって処理システムの拡大を可能にするフランジ又は接続ベースが設けられ得る。例えば、図２に例示するように、第２のチャンバ１２０又は巻き付けチャンバは、第２のチャンバ又は巻き付けチャンバに隣接するように第２の処理チャンバ２４０を装着するための接続部などを含み得る。したがって、処理システムの作動範囲拡張のために別のチャンバを設けてもよいことを理解すべきである。したがって、本書に記載の処理システムのモジュラー設計は、ユーザの必要及び要件、例えば工場の空間要件と合致する概形のサイズへの適合を可能にする。

［００７６］処理システムの幾つかの実施形態によれば、第１の処理チャンバ１４０Ａは第１のチャンバ１１０又は巻き出しチャンバに隣接して配置されていてよく、第２の処理チャンバ２４０は、第２のチャンバ１２０又は巻き付けチャンバに隣接して配置されうる。具体的には、第２の処理チャンバ２４０は、図２に例示するように、第２のチャンバ１２０がメンテナンスゾーン１３０と第２の処理チャンバ２４０との間に設けられるように、位置付けされ得る。

［００７７］図２に示す実施形態では、処理されるフレキシブル基板１０は、巻き出しチャンバ又は第１のチャンバ１１０で巻き出される。フレキシブル基板１０は、ガイドローラ（例：ガイドローラ１０４）を介して処理システムの第１の処理チャンバ１４０Ａにガイドされる。フレキシブル基板１０を第１の処理チャンバ１４０Ａ内で処理するため、基板は、処理ドラム１４２によってガイドされ得る。処理ドラム１４２は、回転可能であり得る。第１の処理チャンバ１４０Ａは、処理構成要素１４１を含み得る。基板は、処理ドラム１４２によってガイドされている間、この処理構成要素を通り過ぎるようにガイドされる。例えば、処理構成要素１４１は、少なくとも１つの堆積源を含みうる。図２に示す実施形態では、第１の処理チャンバ１４０Ａ内の堆積源は１つしか示されていないが、第１の処理チャンバの他の堆積源は破線で示されている。

［００７８］図２に示す実施形態では、第１のチャンバ１１０は巻き出しチャンバであるように説明され、第２のチャンバ１２０は巻き付けチャンバであるように説明されるが、本書に記載の実施形態に係る堆積システムは、この構成に限定されるものではない。代替的な実施形態では、第１のチャンバ１１０は巻き付けチャンバであってもよく、第２のチャンバは巻き出しチャンバであってもよい。

［００７９］幾つかの実施形態によれば、第２の処理チャンバ２４０は、本書に記載の第１の処理チャンバ１４０と同様に構成されうる。したがって、第２の処理チャンバ２４０は、図２に例示するように、第２の回転軸２４３と、一または複数の第２の処理構成要素２４１を有する第２の処理ドラム２４２とを含みうる。第２の処理チャンバは、本書に記載の第１の処理チャンバに関連して説明した幾つかの、あるいはすべての構成要素を含みうると理解すべきである。したがって、第２の処理チャンバ２４０は、第１の処理チャンバ１４０Ａに関連して説明したすべてのこれらの特徴及び利点を有する、傾斜フランジ、第１の部分及び第２の部分を含みうる。

［００８０］図２で見ることができるように、本書に記載の実施形態に係る処理システムは、モジュラーの態様で処理システムを組み立てる可能性を提供する。例えば、処理システムは、図１Ａ〜１Ｄに関連して上述したように、例えば追加の第２の処理チャンバ、例えば第２の処理チャンバ２４０を処理システム１００に装着することによって、実施される処理の特殊要件に適合させることができる。したがって、第２の処理チャンバを追加することによって、或いは、処理システムの一又は複数の処理チャンバ内の処理構成要素を変えることによって、より多くの異なる処理を処理システム内で組み合わせることができる。これにより、本書に記載の処理システムによって実施可能な処理に関して高い可鍛性と可変性が得られる。

［００８１］基板が処理された後、フレキシブル基板１０は、通路１５０を通してガイドされる。通路１５０は、巻き付けチャンバ、例えば第２のチャンバ１２０、メンテナンスゾーン１３０、及び巻き出しチャンバ、例えば第１のチャンバ１１０の上方に配置され得る。幾つかの実施形態では、通路１５０は、上蓋の一部であってもよく、或いは、メンテナンスゾーンと第１及び第２のチャンバの下方のトンネルとして設けられてもよい。幾つかの実施形態によれば、トンネルは、真空処理システム１００の第２の処理チャンバ２４０から第１の処理チャンバ１４０Ａの圧力条件を分離させることができうる一または複数のスルースを含みうる。幾つかの実施形態では、例えば巻き出しチャンバと第１の処理チャンバとの間の通路、第１の処理チャンバと通路との間、通路と第２の処理チャンバとの間、及び第２の処理チャンバと巻き付けチャンバとの間等の、真空処理システム１００内の１つのチャンバから別のチャンバへの各通路に間隙スルース１８０が設けられている。具体的には、一または複数の間隙スルース１８０は、図１Ｃに関して詳しく例示的に説明したように構成されうる。通路１５０を通過した後、フレキシブル基板１０は、（例えば、一又は複数のガイドローラ１０４によって）第２の処理チャンバ２４０へとガイドされる。幾つかの実施形態によれば、第２の処理チャンバ２４０は、第１の処理チャンバ１４０Ａ又は図１Ａ〜１Ｄに関連して上記で説明した処理チャンバのように設計されてもよい。例えば、第２の処理チャンバは、処理ドラム１４２、及び堆積源などの一又は複数の処理構成要素１４１を含み得る。一実施例では、第２の処理チャンバ２４０の堆積源は、処理ドラム１４２の中心線又は回転軸１４３の高さ以下に配置され得る。基板は、処理ドラム１４２によって、処理構成要素１４１を過ぎるようにガイドされ得る。第２の処理チャンバ２４０内の処理構成要素１４１が堆積源である場合、堆積された材料の一又は複数の追加の層が基板上にコーティングされ得る。幾つかの実施形態によれば、第２の処理チャンバは、第１の処理チャンバ内で基板上に堆積された層のための追加的又は補足的な構成要素を提供する。

［００８２］第２の処理チャンバ２４０内でフレキシブル基板１０が処理された後、基板は、第２のチャンバ１２０又は巻き付けチャンバにガイドされうる。そこで、処理された基板を収めるために、処理された基板が巻き取りロール１２１に巻き付けられる。図２に示す例示の実施形態では、第１のチャンバ１１０及び／又は第２のチャンバ１２０は、図１Ｃ及び１Ｄに関連して上記に詳細に記載したように、第１及び／又は第２のチャンバのメンテナンスのためのメンテナンスゾーン１３０を通してアクセス可能であることを理解すべきである。

［００８３］幾つかの実施形態によれば、２つの処理チャンバを有する堆積システムの巻き付け角度は、５４０度未満であり得る。上記で説明したように、本書に記載の実施形態に係る２つの処理チャンバを有する堆積システム内のロール（ガイドローラを含むが、供給ロール及び巻き取りロールを含まない）は、ローラが、処理された基板表面に接触しないように配置され得る。

［００８４］図２に例示するように、幾つかの実施形態によれば、本書に記載の真空処理システムの一又は複数の処理チャンバは、処理チャンバから巻き付けチャンバ又は別の処理チャンバなどの隣接するチャンバまで基板用通路を設けるように形成され得る。例えば、第１の処理チャンバ１４０Ａ及び／又は第２の処理チャンバ２４０は、真空処理システムにおける基板用の通路を提供する、第１の腕状延長部１４０Ｅ及び／又は第２の腕状延長部２４０Ｅを提供しうる。本書に記載の幾つかの実施形態によれば、通路は、したがって、一又は複数の処理チャンバ及びその一又は複数の延長部によって設けられる。他の実施形態では、１つの処理チャンバのみが通路用の延長部を備え得る。本書に記載の幾つかの実施形態によれば、通路は、このように第１の（真空）チャンバ及び第２の（真空）チャンバの上方に設けられる。

［００８５］本書に記載の処理システムは、基板が処理システムを通過する間、組み合わせることが可能である、蒸発又はスパッタリングなどの多様な処理及びＰＶＤ処理、或いはＰＥＣＶＤ処理などのＣＶＤ処理、又はタングステン（ウォルフラム）化学気相堆積処理（ＷＣＶＤ）のための共通プラットフォームを形成することを理解すべきである。例えば、本書に記載の処理システムは、シラン堆積処理を行うために用いることが可能である。種々のＰＥＣＶＤ処理を組み合わせて、例えばＴＦＴ、あるいは可鍛性ＴＦＴ製造、薄膜バリア、より具体的には薄膜極超バリアの堆積のために用いることができることに留意すべきである。

［００８６］したがって、本書に記載の堆積システムは、高い可鍛性をもつために、「シングルドラム（ＳＤ）」（図１Ａから１Ｄに記載された実施形態）及び「ダブルドラム（ＤＤ）」（図２に記載された実施形態）のオプションを有するモジュラーメインフレーム設計で提供され得る。モジュラー設計によって、幾つかの源において可鍛性ももたらされる。例えば、複数のボトムアップ堆積源が設けられる場合があり、汚染のリスクが減少する。堆積源並びに処理チャンバは、用途の種類及び層スタックなどの処理パラメータに応じて使用又は提供され得る。

［００８７］幾つかの実施形態では、堆積システムの設計は、それぞれの用途に応じて、第２の処理チャンバをオンとオフに切り替えるように適合され得る。例えば、第１の処理チャンバを通過した基板は、所望の処理に応じて、第２の処理チャンバ又は任意選択的に巻き付けチャンバにガイドされうる。一実施例では、制御ユニットは、基板を所望のチャンバに方向付けるために、それぞれのガイドローラを始動させ得る。幾つかの実施形態によれば、第１の処理の直後に基板が再巻き付けチャンバにガイドされる際の、第２の処理チャンバへの通路などの代替的な基板通路は、閉じられてもよい。

［００８８］したがって、種々の堆積源のための柔軟性及び空間を有する本書に記載のシステムは、単一の堆積装置、例えば、Ｒ２Ｒコータにおける幾つかのＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、及び／又はＰＶＤ処理のモジュールの組み合わせを可能にする。モジュールのコンセプトでは、非常に優れたガス分離を必要とする堆積源を含むあらゆる種類の堆積源を本書に記載の実施形態に係る堆積システムで使用することができるが、このコンセプトは、種々の堆積技術又は複雑な組み合わせの処理パラメータを適用して堆積させなければならない複合層スタックの堆積のコスト削減に役立つ。

［００８９］図３に、本書に記載の真空処理システムの一部の概略断面図を示す。具体的には、図３に、本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの第１のチャンバ１１０と通路１５０に接続されうる、少なくとも１つの処理チャンバ、例えば図３の処理チャンバ１４０の構成の一例を示す。

［００９０］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理チャンバ１４０は、図３に例示するように、垂直配向又は水平配向に対して傾斜した分離壁１２２を含みうる。例えば、分離壁１２２の傾斜角は、垂直線に対して２０度から７０度とすることができる。したがって、壁の傾斜により、付加的な処理構成要素の軸（図３に示す線３３１参照）、堆積源の対称軸が処理ドラム１４２の回転軸１４３以下の高さになるように、付加的な処理構成要素、例えば堆積源を配設することが可能になる。図３において、設けられた４つの堆積源を示し、１つの堆積源は処理ドラム１４２の回転軸１４３の高さに配置され、別の３つの堆積源は処理ドラム１４２の回転軸１４３の高さより下に設けられている。前述のように、発生した粒子の基板上への剥離（ｆｌａｋｉｎｇ）及び落下が、この構成によって低減又は回避されうる。図３に示す５つ目の処理ステーションは例えば、処理ドラム１４２の回転軸１４３の上に設けられうるエッチングステーション６４０であってよい。しかしながら、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６の凸状壁部分の他の部分のいずれかに、一または複数のエッチングステーションを配設することもできることを理解すべきである。例えば、一または複数のエッチングステーションは、プラズマエッチング用に構成されうる。したがって、本書に記載の実施形態は、例えば一または複数のエッチング処理を実施することによって、Ｒ２Ｒパターニング用に構成することも可能である。

［００９１］図３を例示として参照すると、幾つかの実施形態によれば、基板は、例えば図３の最下部の処理構成要素の第１の真空処理領域、及び少なくとも１つの第２の真空処理領域、例えば図３に示す最下部の処理構成要素の右側にある別の処理構成要素を通してガイドされうる。本書ではたびたび、堆積源を処理構成要素として指し示しているが、処理ドラムの曲面に沿って他の処理構成要素、例えばエッチングステーション、加熱ステーション等も設けられうる。従って、様々な堆積源用の区画を有する本書に記載のシステムは、例えば、Ｒ２Ｒコータ構成の幾つかのＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ及び／又はＰＶＤプロセスのモジュールの組み合わせを可能にする。モジュールのコンセプトでは、非常に優れたガス分離を必要とする堆積源を含むあらゆる種類の堆積源を本書に記載の実施形態に係る処理システムで使用することができることが有益であるが、このコンセプトは、種々の堆積技術又は複雑な組み合わせの処理パラメータを適用して堆積させなければならない複合層スタックの堆積のコスト削減に役立つ。

［００９２］したがって、本書に記載の実施形態によれば、堆積源、例えばプラズマ堆積源は、薄膜をフレキシブル基板、例えば、ウェブ又は箔、ガラス基板又はシリコン基板などの上に堆積させるように適合することができることを理解すべきである。特に、堆積源は、例えば、フレキシブルＴＦＴ、タッチスクリーンデバイスの構成要素、又は他の電子又は光学装置を形成するために、薄膜をフレキシブル基板上に堆積させるように適合及び使用することができる。

［００９３］幾つかの実施形態によれば、処理ドラム１４２の湾曲した外面とフランジ又はチャンバの凸形状の距離は１０ｍｍから５００ｍｍであってよい。具体的には、距離は処理ドラムの面から内壁又はフランジ部分までの寸法を指し、処理チャンバ１４０の真空エリアの境界を定めるものである。上述した凸形状および寸法を付与することにより、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６のチャンバ容積を縮小することが可能になる。処理チャンバの第１の部分１４６のチャンバ容積を縮小することによって、ガス分離が容易になり、処理領域の排気が簡単になりうる。例えば、処理チャンバ１４０の第２の部分１４７は、ある容積の排気可能な領域を有していてよく、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６は、別の容積の別の排気可能な領域を有していてよく、容積と別の容積との比率は少なくとも２：１、例えば３：１から６：１である。

［００９４］また別の実行形態によれば、固体材料で満たされていない第１の部分１４６のエリアは、排気すべきエリアを縮小するために、材料のブロック（ｂｌｏｃｋ）で満たすことができる。例えば、第２の部分１４７は、ある容積の排気可能な領域を有し、第１のチャンバ部分１４６は、別の容積の別の排気可能な領域を有し、容積と別の容積との比率は、容積縮小ブロック（ｖｏｌｕｍｅ ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｂｌｏｃｋｓ）によって、少なくとも７：１まで増加する。

［００９５］図３を例示として参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、基板処理の結果を評価するための、光学的測定ユニット４９４等の検査システム、特に層測定システム（ＬＭＳ）が提供されうる。したがって、本書に記載の実施形態は、例えば、光の反射システム及び／又は例えば透明な基板に使用するための透過システムの使用を通して、層の厚さを評価するための計測能力を提供することを理解すべきである。

［００９６］更に、図３に例示するように、幾つかの実施形態によれば、基板上の電荷に適応するための、少なくとも１つの放電アセンブリ、例えば図３の放電アセンブリ４９２が設けられうる。例えば、基板が処理チャンバ１４０にガイドされる前の第１のチャンバ１１０内に１つの放電アセンブリ４９２を配置することができ、オプションとして、基板が処理チャンバを通過した後の位置、例えば通路１５０に別の放電アセンブリ４９２を配置することができる。例えば、巻き出しチャンバにおいて、基板上に正電荷及び／又は負電荷が蓄積しうるため、放電アセンブリを配設することは、処理結果の質を上げるのに有益でありうる。具体的には、電荷は、供給ロールからフレキシブル基板が巻き出しされる間に発生しうる。その後、静電荷はウェブが処理チャンバ内に移動するときも基板上に残る可能性があり、このため、基板の表面に浮遊粒子が引き付けられうる。したがって、本書に記載の放電アセンブリを配設することによって、基板の表面に移動して電荷を中性化する、反対の極性のイオンが供給されうる。したがって、フレキシブル基板のクリーンな放電された表面を処理領域に提供することができ、基板の処理、例えばコーティングの品質が改善されうる。

［００９７］本開示における「放電アセンブリ」という語は、電場を通してガスをイオン化することができるいずれかのデバイスを表すように意図される。放電アセンブリは、パッシブユニットあるいはアクティブユニット、又はこの両方でありうる。更に、放電アセンブリは、電源及び制御ユニットに接続されうる一または複数の中性化デバイスを含みうる。一または複数の中性化デバイスは、一または複数のスパイク（ｓｐｉｋｅ）を有する中性化ランス（ｌａｎｃｅ）又はイオン化ランスとして設けられうる。更に、一または複数のスパイクに高電圧を供給して処理ガスの電気破壊を起こして、フレキシブル基板上の電荷を中性化するためにフレキシブル基板の表面に向かって電場内を移動しうるイオンを生成することができるように、電源、特に高電圧電源を中性化デバイスに接続させることができる。制御ユニットは、基板の表面に流れることにより、基板の表面上の電荷とは反対の極性のイオンが基板の表面に移動して基板の表面の電荷を中性化しうる、負に帯電した、あるいは正に帯電したイオンの流れが中性化デバイスによって生成されるように、コマンドを起動しうる又は予めプログラミングされた放電プロファイルを実行しうる。

［００９８］したがって、本書に記載の実施形態によれば、帯電軽減デバイス、例えば本書に記載の放電アセンブリを使用して、巻き出しの最中に、基板の搬送のために採用されたロールによって生じる基板の帯電に起因して巻き出しチャンバからの粒子状物質が基板の表面に引き付けられないようにすることによって、歩留まりに対する粒子の影響を減らすことができることを理解すべきである。これは、基板表面における外因性の汚染レベルを範囲内に収める助けとなる。

［００９９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、真空処理システム１００は、図３に例示するように、処理する前にフレキシブル基板１０を加熱する予熱ユニット１９４を含みうる。例えば、予熱ユニット１９４は、電熱デバイス、放射ヒータ、電子ビームヒータ、又は基板を処理する前に基板を加熱する他のいずれかの要素であってよい。具体的には、予熱ユニット１９４は、フレキシブル基板に対して非接触の加熱デバイスとなるように構成されうる、すなわち予熱ユニットは、基板に接触せずに、基板を規定温度に加熱することが可能でありうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、図３に例示するように、第１のチャンバ１１０に、フレキシブル基板を加熱する予熱ユニット１９４を配設することができる。

［００１００］更に、加えて又は代替的に、基板を処理する前にプラズマで基板を処理するために、例えばＲＦプラズマ源又はイオン源などの前処理プラズマ源１９２を配設することができる。例えば、前処理プラズマ源１９２は、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６に入る前に基板に前処理が施されるように、処理チャンバ１４０内、特に処理チャンバ１４０の第２の部分１４７内に配置されうる。例えば、プラズマでの前処理は、基板表面に堆積された膜の膜接着性を向上させるために基板表面の表面改質をもたらすことができ、或いは、その処理を改善するために別の方法で基板形態を改善することができる。

［００１０１］図３を例示的に参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態によれば、基板を拡張させうる加熱デバイス１３１が提供されうる。例えば、加熱デバイス１３１は、フレキシブル基板１０を基板の搬送方向１０８に垂直の方向に拡張させるように、あるいは基板の拡張を基板の搬送方向１０８に垂直の方向に維持するように構成されうる。幾つかの実行形態によれば、加熱デバイス１３１は、フレキシブル基板１０の前面の反対側に位置づけされうる。具体的には、加熱デバイスは、前面と接触せずに、またフレキシブル基板に熱を付与することによって、基板の横方向の伸びをもたらすように構成されうる。図３に示すように、いくつかの実施形態によれば、オプションとして、加熱デバイス１３１の前面の反対側に位置づけされた熱調整ユニット１３３が設けられうる。具体的には、熱調整ユニット１３３と加熱デバイス１３１は、間隙又はトンネルを形成するように配置され、間隙又はトンネルは、フレキシブル基板１０の進路を形成しうる。例えば、熱調整ユニット１３３は、別の加熱デバイス、加熱リフレクタプレート、又はこれらの組合せであってよい。加熱デバイス１３１と熱調整ユニット１３３の配置によって形成された間隙又はトンネルは、少なくとも２０ｍｍ、例えば３０ｍｍ以上の、基板の搬送方向に平行な方向の寸法を有しうる。図３に例示するように、熱調整ユニット１３３及び／又は加熱デバイス１３１は、処理ドラム１４２に隣接するように配置されうる。例えば、基板の反対の平坦な加熱デバイスの表面については、図３に例示するように、加熱デバイスの表面が、加熱デバイスの表面の反対の基板部分に基本的に平行であってよい。しかしながら、加熱デバイスの表面は必ずしも平坦あるいは平行であるわけではないことを理解すべきである。

［００１０２］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、加熱デバイス１３１は、少なくとも５ｃｍ、通常２０ｃｍ〜８０ｃｍ等の少なくとも１０ｃｍの基板の搬送方向に沿った長さを有しうる。加熱デバイスの幅、すなわちその回転軸１４３の方向の寸法は、基板の幅の少なくとも５０％、又は処理ドラム１４２の幅の少なくとも５０％であってよい。一実施例によれば、例えば幅は、フレキシブル基板及び／又は処理ドラムの幅をそれぞれ上回りうる、例えばフレキシブル基板の幅の約１１０％であってよい。

［００１０３］加熱デバイス１３１の例示的な実行形態によれば、加熱デバイス１３１には、個々に制御されうる２つ以上のセグメントが設けられていてよい。したがって、個々のセグメントを異なる温度に加熱することができる、及び／又は各セグメントによって放出される熱放射が異なるものとなる可能性がある。特に、中心セグメントと、一または複数の外側セグメントを有する加熱デバイスを有する実施形態においては、中心セグメントの熱放射又は加熱は、一または複数の外側セグメントとは独立して制御されうる。例えば、基板の中心部分の温度を上げることによって、基板の拡張を生じさせるために、基板の中心を更に加熱しうる。

［００１０４］更に、例えば２００μｍ以下、又は１００μｍ以下、又は５０μｍ以下、例えば約２５μｍの厚さを有する基板等の特に薄い基板については、しわができない基板処理及び／又は基板の巻き付けが好ましく、また問題である。したがって、スプレッダローラを使って基板の拡張を生じさせることができ、拡張は、前面との接触なしに、熱的に支持されうる。したがって、幾つかの実施形態によれば、図３に例示するように、スプレッダローラ１４４によって、しわができない基板の巻き付け及び／又は搬送（あるいはしわの発生が少ない基板の巻き付け及び／又は搬送）が提供されうる。

［００１０５］幾つかの構成において、基板の前面が接触していないスプレッダローラ１４４の位置により、スプレッダローラ１４４と処理ドラム１４２との間がフリースパン長となり得、これは有効性のあるスプレッダ効果のためには長すぎる場合がある。したがって、加熱デバイス１３１が、スプレッダローラ１４４のスプレッダ効果を処理ドラム１４２へ「伝達」しうることは有益である。具体的には、加熱デバイスは、基板が処理ドラムへの経路上で基板の初期の長さに縮まないように基板を加熱しうる。更に、あるいは代替的に、加熱デバイス１３１は、前に生じた基板の拡張よりも更に拡張を生じさせうる。したがって、加熱デバイスは、スプレッダローラなしで、あるいはスプレッダローラに加えて、拡張を提供しうることを理解すべきである。オプションとして、処理ドラム１４２は加熱されるように更に構成されうる、例えば処理ドラムは加熱要素を含むことができる。

［００１０６］例えば、基板の搬送中に基板のしわを減らす、あるいは失くすために、加熱デバイス１３１がスプレッダローラ１４４と処理ドラム１４２との間に設けられうる。したがって、加熱デバイス１３１は、スプレッダローラ１４４によってもたらされた拡張がなくならないように、フレキシブル基板１０に熱を供給する、すなわち拡張された基板は、基板がスプレッダローラ１４４から処理ドラム１４２までの経路上で基板の初期の幅に縮まないように、加熱デバイス１３１によって加熱される。したがって、加熱デバイス１３１は、スプレッダローラ１４４の後のフレキシブル基板の縮小を低減しうる、あるいはフレキシブル基板の拡張を増加さえもさせうる。幾つかの実行形態によれば、加熱デバイス１３１と処理ドラム１４２との距離は、２０ｃｍ以下、具体的には１０ｃｍ以下であってよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる別の実施形態によれば、スプレッダローラ１４４から処理ドラム１４２までのフレキシブル基板の搬送路に沿った距離は、１１０ｃｍ以下、具体的には５０ｃｍ以下であってよい。

［００１０７］本書の実施形態によれば、スプレッダローラ１４４は、フレキシブル基板１０を伸ばすように適合されうる。詳細には、スプレッダローラは、ローラの長さ方向に沿って曲面を有しうる。したがって、スプレッダローラの曲面は、基板の幅方向にテンショニング効果を有することができ、これによりフレキシブル基板１０が基板の幅に沿って伸ばされうる。例えば、フレキシブル基板１０は、処理ドラム１４２の回転軸１４３に平行な方向に伸ばされうる。曲がったローラ、金属を拡張可能なローラ、湾曲した棒状ローラ、溝付きローラ等の様々な種類のスプレッダローラが設けられうることを理解すべきであり、このうちの幾つかを、図４Ａ及び４Ｂに関連してより詳細に説明する。幾つかの実行形態によれば、スプレッダローラは、スプレッダローラによってフレキシブル基板に導入される機械的な伸長を支持する又は増進するための電気加熱を含みうる。

［００１０８］図４Ａ及び４Ｂに、スプレッダローラ１４４の例示的な実施形態を示す。図４Ａに例示するように、スプレッダローラ１４４は、曲がったあるいは湾曲した中心シャフト（図４Ａの中心シャフト２１１を参照）を含みうる。中心シャフトの両端は、支持体を装着することによって支持されうる。更に、湾曲したロール２１３が中心シャフト２１１に設けられうる。例えば、湾曲したロール２１３は、例えばゴムなどでできていてよいフレキシブル表面シースによって提供されうる。したがって、凸状側２１３Ａがフレキシブル基板の反対を向くように湾曲したロール２１３が配置されたときに、湾曲したロールはフレキシブル基板の横方向の膨張に影響を及ぼしうる。

［００１０９］図４Ｂに、スプレッダローラ１４４の別の例を示す。この実施例では、スプレッダローラ１４４は、それぞれの軸２１４の周りを回転する２つの回転要素２１５を含みうる。図４Ｂに例示するように、２つの軸は互いに傾斜していてよい。回転要素２１５は円錐台の形態を有していてよく、内径Ｄ１は外径Ｄ２よりも小さい。フレキシブル基板１０が接触する図４Ｂの回転要素の上面は、２つの回転要素が基本的に直線に沿って位置合わせされるように配置される。しかしながら、図４Ｂに示す断面図に対して垂直の方向の断面図において、フレキシブル基板１０はフレキシブル基板１０の外側部分においてのみ回転要素２１５と接触する。フレキシブル基板１０をスプレッダローラ１４４の上でガイドすることによって、例えば２つの回転要素を回転させることによって、フレキシブル基板の拡張を達成することができる。拡張は、スプレッダローラ１４４の周りのフレキシブル基板１０の巻き付き角度を広げることによって増加させることができる。

［００１１０］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、真空処理システムには、図５Ａに例示するように、基板ガイド制御ユニット３００が設けられ得る。基板ガイド制御ユニット３００は、単一のガイドローラ、例えば図５Ａのガイドローラ１０４を含みうる。例えば、ガイドローラ１０４の直径は、６５ｍｍと３００ｍｍとの間の範囲から選択されうる。ガイドローラ１０４は、例えば、シャフト１１５に装着されうる。本書で使用される「シャフト」という用語は、回転可能である（すなわち、厳密な意味でのシャフト）か、周囲でガイドローラが回転する静止軸を構成するかのいずれかでありうる、ガイドローラ１０４の任意の支持体を含むこととする。特に、基板ガイド制御ユニットと組合せて説明した単一のガイドローラは、基板ガイド制御ユニットが、他のガイドローラにおいて、例えば基板処理システムの他のガイドローラにおいて測定された更なるデータからの入力なしで、基板をガイドするための調整を提供するという意味で、「単一」である。つまり、本書に記載の調整は、単一のガイドローラにおいて測定された張力のデータだけに基づく。本書に記載の基板ガイド制御ユニットは、測定データを提供するため、又は基板を調整するために使用される第２のガイドローラがなしでも作動しうる。

［００１１１］幾つかの実施形態によれば、ガイドローラ１０４には、図５Ａ及び５Ｂに例示するように、例えば第１の基板張力測定ユニット３０１及び第２の基板張力測定ユニット３０２等の２つの基板張力測定ユニットが備えられうる。例えば、基板張力測定ユニットは、例えばピエゾ抵抗又は圧電張力センサ等の張力センサを含みうる。代替的には、張力測定ユニットは、張力を決定するために、ホール素子又はコンデンサを備えうる。いくつかの実施形態によれば、基板張力制御ユニットには、３つ以上に達する基板張力測定ユニットが、ゆえに、任意には３つ以上のセンサも、設けられる。幾つかの実行形態によれば、本書に記載の基板張力測定ユニットは、０Ｎ／ｍと１０００Ｎ／ｍとの間の張力を測定するように適合されうる。

［００１１２］幾つかの実行形態によれば、第１の基板張力測定ユニット３０１はガイドローラ１０４の第１の端にあり、第２の基板張力測定ユニット３０２はガイドローラ１０４の反対側の第２の端に設けられていてよい。これについて、ローラの「端」という用語は、軸方向において、すなわち、ガイドローラ又はガイドローラのシャフトの端の位置、又は端に近接する位置として、理解されるべきである。明確にするために、第１の端１０４Ａと第２の端１０４Ｂは、図５Ａ及び５Ｂの参照番号によって明示的に表される。したがって、基板張力測定ユニットは、ガイドローラ１０４のシャフト１１５上に、共軸に位置付けられうる。代わりに、一又は複数の基板張力測定ユニットは、ガイドローラ１０４内に埋設されうる。

［００１１３］本書に記載の基板張力測定ユニットは、ガイドされる基板によって生じたガイドローラ上に作用する張力を測定するように構成されることを理解すべきである。ガイドローラの両側、ひいては基板の両側で張力を測定することによって、張力の相違が測定されうる。測定されたデータに基づいて、適切な調整が行われうる。

［００１１４］幾つかの実行形態によれば、基板張力測定ユニットは、トランスデューサ及び／又はストレインゲージを含む。具体的には、トランスデューサは、張力の変動に応答して伸び縮みする棹部を含みうる。ストレインゲージは、対応する電気抵抗の変化を測定する。ストレインゲージによって実施された測定は、更なる処理のために増幅され且つ電圧又は電流に変換される。

［００１１５］図示の目的で、図５Ａ及び５Ｂには、ガイドローラ１０４は、フレーム３２０に装着されているものとして示されている。フレーム３２０は、基板ガイド制御ユニット３００を支持することが可能な任意のユニットでありうる。詳細には、基板ガイド制御ユニットには、一又は複数の軸受が設けられていてよい。例えば、軸受は、フレームからシャフト１１５の回転運動を分離するために、基板ガイド制御ユニット３００とフレーム３２０との間に位置付けられる。特に、ガイドローラの両側のフレーム３２０が一体型のフレームに属することは可能であるが、それが必要である訳ではない。

［００１１６］図５Ａ及び５Ｂを例示として参照すると、基板ガイド制御ユニット３００は、ガイドローラのアライメントを調整するための調整ユニット３１０を含みうる。調整ユニットは、ガイドローラ１０４の第１の端１０４Ａ、又は第２の端１０４Ｂに配置されうる。例えば、 図５Ａに例示するように、調整ユニット３１０は、第２の基板張力測定ユニット３０２に隣接して配置されうる。２つの調整ユニット（図示せず）、例えばガイドローラ１０４の各端に１つの調整ユニット３１０を設けることも可能である。

［００１１７］詳細には、基板に作用する横断的張力を回避するために、ガイドローラ１０４のアラインメントに調整ユニット３１０が適用されうる。例えば、ガイドローラ１０４において、そして結果的には、ガイドローラ１０４に後続する全ての機器において、種々のコイリング強度を補償するために、本主題の基板ガイド制御ユニット３００が特に有用である。例えば、種々のコイリング強度により、基板の幅に沿って基板の厚さが変化する。この結果、材料供給に傾きが生じ、続いて、ガイドローラとガイドされる基板との間の接触が変化して、熱的問題につながりうる。

［００１１８］したがって、本書に記載の張力測定ユニットによって測定された張力データは、ガイドローラの一方の端を移動させることでガイドローラのアラインメントを調整するために使用されうることを理解すべきである。それにより、ガイドローラのアラインメントは、水平方向と鉛直方向のうちの一又は複数と比較して調整されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、ガイドローラは、典型的には、基板の張力によって引き起こされた力がガイドローラのシャフトに作用する次元に対応する次元に移動しうる。図示の目的で、ガイドローラ１０４の例示的な移動を、図５Ｂの両矢印３５０によって示す。

［００１１９］図５Ａに例示するように、幾つかの実施形態によれば、基板ガイド制御ユニット３００を制御するために、コントローラ５０１が設けられうる。例えば、第１の基板張力測定ユニット３０１によって測定されたガイドローラ１０４の一方の端での張力データ、及び、第２の基板張力測定ユニット３０２によって測定されたガイドローラ１０４の反対側の端での張力データは、直接データライン（「ピアツーピア」）、又はデータバスといったデータ接続部を経由して、コントローラ５０１に供給されうる。代替的に、データは無線技術を介しての供給も可能である。詳細には、コントローラは、測定された張力データを受信することと、測定された張力データを評価することと、ガイドローラをどのように位置合わせすべきかの計算を行うことと、データをメモリに保存し、メモリから読み取ることと、ガイドローラの一方の端を移動させるためにモータを制御すること等によって調整ユニットを制御することとのうちの一または複数を行うために提供されうる。

［００１２０］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な実施形態によれば、コントローラ５０１は、例えば、特にパーソナルコンピュータ内の、ＣＰＵ及び場合によってはデータメモリを含む、（図５Ａに示すような）分離したデバイスでありうる。代替的には、コントローラは、張力測定ユニットの一方あるいは両方の中に組み込まれうるか、又は、調整ユニット内に組み込まれうる。あるいは、コントローラは、例えば主制御内で実行されるそれぞれのプログラム又はソフトウェアによって、真空処理システムの主制御内で実装されうる。

［００１２１］したがって、データ接続部３１１は、張力測定ユニット及び／又は調整ユニットからコントローラ及び／又は外部のインターフェースへと情報を伝送するために使用されうることを理解すべきである。例えば、このインターフェースは、測定ユニット及び／又は一又は複数の調整ユニットからのデータを処理するパーソナルコンピュータを含みうる。また、インターフェースは、調整ユニット３１０を整調するための種々の要素を含む、すなわち、種々のポテンショメータ、ダイヤル、スイッチ、及びディスプレイを使用する、アナログフロントパネルを含みうる。更に、インターフェースはまた、テンキーパッド、グラフィカルディスプレイ、テキストコマンド、又はグラフィカルユーザインターフェースを含むデジタルデバイスを含むことも可能である。通常、これらのインターフェースは全て、コントローラ機能、システムの校正、周囲条件の補償、又は、張力測定ユニット又は調整ユニットからの波形の取得及び記録といった、種々の特徴を含む。

［００１２２］データ接続部３１１は通常、測定ユニットから、例えばコントローラ５０１を経由して、調整ユニット３１０へと情報を伝送するために使用される。調整ユニット３１０は、ガイドローラ１０４がどのように調整されるべきかに関する情報を受信する。最も単純な実行形態では、情報は、そもそも調整が行われるべきか否か、そして行われるとすれば、どの方向に行われるべきかに関する信号に限定されうる。調整ユニットは、ガイドローラのそれぞれの端を、信号が「移動禁止」信号に変化するか、又は、信号が調整ユニットに、ガイドローラを再び反対方向に移動させるように示すまで、この方向に移動させうる。しかしながら、調整ユニットは更に高機能であってよく、例えば調整ユニットはガイドローラの２つの側部の間の張力差についての情報を受信することが可能であり、かつ、張力が均等化されるまでのガイドローラのそれぞれの移動を開始することができる。

［００１２３］幾つかの実行形態によれば、データ接続部３１１を接続するために、色々な種類のポートが使用される。例えば、シリアル通信が使用される場合、ポートは、ＲＳ２３２、ＲＳ４２２、ＲＳ４８５、又はユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）ポートである。具体的には、データ接続部３１１とコンピュータとの間の通信が所望される場合は、並列通信デバイスが使用されうる。最もよく使用される並列通信デバイスは、ＤＢ−２５、セントロニクス３６、ＳＰＰ、ＥＰＰ又はＥＣＰ並列ポートである。データ接続部３１１は、調整ユニット３１０を、トランジスタ−トランジスタロジック（ＴＴＬ）、又はプログラム可能な論理制御装置（ＰＬＣ）と互換可能にするために使用されうる。加えて、データ接続部３１１は、張力測定ユニット及び／又は調整ユニットのうちの一又は複数をネットワークに接続するために使用されうる。

［００１２４］図５Ｂに、本主題の基板ガイド制御ユニット３００の別の実施形態の概略断面図を示す。本書の開示全体を通じて、同一の対象物には同一の参照番号が使用されている。調整ユニット３１０は、ガイドローラの一方の端を移動させるための、モータ等の調整アクチュエータ３１３を含むものとして示されている。特に、これは図５Ｂの実施形態に限定されないが、本書に記載の全ての実施形態の一又は複数の調整ユニットには、モータ等のアクチュエータが設けられうる。例えば、モータは線形モータでありうる。両矢印３５０で示すように、モータは、このページに示された見方では、ガイドローラの端を上下に移動させることが可能である。

［００１２５］幾つかの実施形態によれば、調整ユニットの移動方向は、張力測定ユニットの測定方向に対応する。つまり、図５Ｂに示すように、第１の基板張力測定ユニット３０１及び第２の基板張力測定ユニット３０２は、調整ユニット３１０がガイドローラ１０４を移動させるよう構成されるのと同じ方向に、ガイドローラ１０４における張力を測定するよう構成されうる。例えば、図５Ｂの実施形態では、両矢印３５０で示された方向は、調整ユニットの移動方向と、張力測定ユニットの測定方向の両方に対応しうる。

［００１２６］本書に記載の調整ユニットにおいて、様々な種類のアクチュエータを使用しうることを理解すべきである。例えば、調整のためのアクチュエータは電動モータ又は油圧モータであってよい。更に、明示していないが、フレーム３２０に軌道（図示せず）などを配設し、調整ユニットがそれに沿ってガイドローラ１０４のそれぞれの端（１０４Ａ、１０４Ｂ）を移動させることができる。

［００１２７］図６に、本書に記載の真空処理システムの一部の概略断面図を示す。図６を例示として参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、少なくとも１つの処理チャンバ、例えば第１の処理チャンバ１４０Ａ及び／又は第２の処理チャンバ２４０は、ガス分離ユニット３７０を含みうる。図６に示すように、フレキシブル基板１０は、ガイドローラ（例：ガイドローラ１０４）及び処理ドラム１４２を介して２つ以上の処理領域、例えば第１の処理領域３８１及び第２の処理領域３８２を通ってガイドされる。図６の例示的な実施形態では、５つのガス分離ユニット３７０が示されている。図６からも分かるように、幾つかの実施形態によれば、２つの隣接するガス分離ユニットは、それらの間に処理領域を形成しうる。言い換えれば、個々の処理領域はガス分離ユニットによって分離されうる。したがって、図６では、４つの処理領域が識別可能である。処理領域の数は、選択された実施されるべき処理に適応しうることを理解すべきである。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、各処理領域は、所望の処理条件にしたがって相互に独立して排気されうる。例えば、図６に示すように、各処理領域は真空フランジ４０２を含みうる。したがって、処理システムは、一または複数の真空ポンプ又は真空ポンプ装置が、それぞれの真空フランジのうちの各フランジに接続されうるように構成されうる。

［００１２８］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理区画内、例えば第１の処理領域３８１内及び第２の処理領域３８２内のガス流を制御するために、内部ポンプシールド部が用いられうる。詳細には、内部ポンプシールド部は、流体速度の流線を制御するために用いられるシールド形状寸法を含みうる。より具体的には、内部ポンプシールド部は、処理区画内の微粒子の核形成及び成長のリスクを減らすために再循環／デッドゾーンが抑制されうるよう、層状ガス流を促進するように構成されうる。更に、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理区画は、処理ゾーン内の圧力分布が均一になるように構成されうる。詳細には、処理区画は、ガス注入ノズルのすぐ近くで、例えば堆積又はコーティングゾーン内の圧力差が０．１％未満等、最小の圧力差が得られうるように構成されうる。

［００１２９］幾つかの実施形態によれば、ガス分離ユニット３７０は、１つの処理領域のガスが、近接する処理領域などの近接エリアに侵入するのを防止するガス分離壁３７２を含みうる。更に、ガス分離ユニット３７０は、矢印３７１によって示すように、ガス分離ユニット３７０と処理ドラム１４２との間のスリット２０の幅を調整するように構成されうる。幾つかの実施形態によれば、ガス分離ユニット３７０は、矢印３７１によって示すように、アクチュエータ３７４に結合された要素３７３を移動させるように構成されたアクチュエータ３７４を含みうる。ガス分離ユニット３７０の要素３７３は、ガス分離ユニット３７０と、処理ドラム１４２の表面に沿ってガイドされるフレキシブル基板１０との間にスリットを提供しうる。したがって、要素３７３はスリットの長さを画定していてよく、要素３７３の位置はガス分離ユニット３７０とフレキシブル基板１０との間のスリットの幅を画定していてよい。したがって、ガス分離ユニット３７０は、近接する真空処理領域を分離してスリットを形成するように適合され、スリットを通して基板が処理ドラムの外面とガス分離ユニットとの間を通過することができる。更に、ガス分離ユニットは、近接する処理領域の間、例えば第１の処理領域３８１と第２の処理領域３８２との間の流体連結を制御するように適合されうる。第１の処理領域３８１は第１の真空処理領域であってよく、第２の処理領域３８２は第２の真空処理領域であってよいことを理解すべきである。詳細には、近接する処理領域間の流体連結は、矢印３７１によって示すように、ガス分離ユニットの位置を調整することによって制御されうる。

［００１３０］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、図７Ａ及び７Ｂに関連してより詳細に説明するように、ガス分離ユニット３７０のアクチュエータ３７４は、電気モータ、空気圧シリンダなどの空気圧アクチュエータ、線形ドライバ、油圧シリンダなどの油圧アクチュエータ、及び所定の加熱又は冷却に曝されると所定の熱膨張係数を有する支持体から成る群から選択することができる。

［００１３１］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、図６に例示するように、例えばカメラなどの光学測定装置等のスリット幅モニタリングデバイス３４２を配設することができる。スリット幅モニタリングデバイス３４２を使用して、ガス分離ユニット３７０とフレキシブル基板１０との間のスリット２０の幅を測定することができる。スリット幅モニタリングデバイス３４２は、例えば信号線３４３によってモニタリングコントローラ４５０に接続されうる。モニタリングコントローラ４５０は、信号線でぞれぞれのガス分離ユニットのアクチュエータ３７４に接続されうる。これにより、モニタリングコントローラ４５０は、矢印３７１によって示すように、ガス分離ユニット３７０の位置、特に要素３７３の位置を調整するために、アクチュエータ３７４を制御するための信号を発信しうる。

［００１３２］図６を例示として参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、一または複数の堆積源６３０には、接続部６３１を設けることができる。接続部６３１は、処理ガスの入力および出力用の電気的接続部及び／又は接続部であってよい。更に、堆積源６３０用に、一または複数のモニタリングデバイス６３３を設けることができる。例えば、モニタリングデバイス６３３は、例えば整合回路の後などの堆積源において電極電圧、及び／又は電極電流及び／又はプラズマインピーダンスを測定するデバイスとすることができる。更に又は代替的に、堆積源の処理領域へのガス流、及び堆積源の処理領域からのガス流もまた、モニタリングすることができる。例えば、それぞれの導管での圧力及び／又は混合ガスでさえも、分析することが可能である。スリット２０の幅が増加すると、ガス分離係数が減少し、隣接する処理領域の処理ガスが侵入しうることを理解すべきである。したがって、本書に記載の実施形態は、処理領域内のプラズマ条件が変化しうるように、ガス圧力と混合ガスとを変化させるように構成されうる。したがって、モニタリングデバイス６３３は、プラズマ条件を決定するために用いることができる。プラズマ条件が変化するという事実を踏まえて、処理ドラムの直径が例えば熱膨張に起因して増加すると、源と処理ドラムとの間のスリット幅を決定するためにモニタリングデバイス６３３を用いることができる。例えば信号線３４３によって、スリット幅及び／又はプラズマ条件に関する一または複数の信号がモニタリングコントローラ４５０に送られうる。上記に概略を説明したように、モニタリングコントローラ４５０はアクチュエータ３７４に接続されうるため、ガス分離ユニットのスリット幅を必要に応じて調整することができる。したがって、スリット幅の調整を制御するためにモニタリングコントローラ４５０を用いることができることを理解すべきである。具体的には、スリット幅の調整を自動化することができる。したがって、本書に記載の真空処理システムの作動全体で、改善されたあるいは最適化されたガス分離係数を得ることができる。これはまた、処理ドラムの温度が上昇する際に、処理ドラムが傷つく危険を防止することができる。

［００１３３］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、モニタリングデバイスは、ＣＶＤ処理モニタであってよい。例えば、モニタリングデバイスは、堆積源の電圧、電流、位相、調波、インピーダンス、又は、アルゴリズムを使用することによって、プラズマ密度から成るグループのうちの少なくとも１つを測定することができる。対応するプラズマモニタリングデバイスは、例えば、システム制御されたアルゴリズム用のプラズマ密度の形態などで、洗浄プロセスの終点検出、シラン粉末形成の通知、及びリアルタイムの無侵襲処理フィードバック（ｒｅａｌ−ｔｉｍｅ ｎｏｎ−ｉｎｖａｓｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｅｅｄｂａｃｋ）に使用することができる。しかしながら、本書に記載のいくつかの実施形態によれば、更にモニタリングデバイスを、基板及び／又は基板の後ろに設けられる対応する対電極、例えば、処理ドラムからのＰＥＣＶＤ源の電極の距離を決定するために利用することができる。追加として、又は代替的に、ガス分離ユニットのスリット幅の変化に起因する処理ガスの変化もモニタリングデバイスで測定することができる。

［００１３４］したがって、幾つかの実施形態によれば、例えばインピーダンスセンサなどのモニタリングデバイスによって、非侵襲的プラズマ解析方法が提供されうることを理解すべきである。例えば、インピーダンスセンサを事前整合センサ又は事後整合センサのどちらかとして、即ち、整合回路において又は整合回路の後に使用することができる。これによって、モニタリングデバイスの事後整合装着は、電極のＲＦ電圧及び実際のプラズマインピーダンスについての直接的情報を提供しうる。幾つかの実施形態によれば、プラズマの電子「指紋」を提供することができ、また基板からの電極の距離又は隣接する領域からの処理ガス汚染を決定することができる。位相角及び／又は調波信号振幅の差は、例えば、処理のずれ（ｐｒｏｃｅｓｓ ｄｒｉｆｔｓ）の兆候など、処理条件の微妙な変化を示すことができる。従って、特に堆積源に電力供給するシステム内の調波を測定することによって、電力供給される電極表面に入射したイオンフラックス、したがってプラズマ密度に関する間接的情報が得られうる。

［００１３５］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、堆積源、例えばプラズマ強化堆積源は、２ＭＨｚから９０ＭＨｚの周波数、例えば、４０．６８Ｍｈｚの周波数で作動可能であり、統合されたインピーダンスセンサ等のモニタリングデバイスは、例えば、ガス分離ユニットのスリットの幅及び／又は基板からの堆積源の電極の距離など、それぞれの処理パラメータのリアルタイムのインライン処理監視及び制御を提供することができる。

［００１３６］このため、本書に記載の実施形態によれば、真空処理システムの作動中に、ガス分離ユニットのスリット幅を調整することが可能であると理解すべきである。したがって、例えば処理ドラムなどの基板支持体の熱膨張に起因するスリット幅の変化を補償することができ、ガス分離ユニットのスリット幅は、個々の作動条件に対して調整可能である。これは、高いガス分離（度）が必要とされる用途、例えば、ＰＥＣＶＤ処理において、特に有益であり得る。したがって、様々な堆積源用の区画を有する、本書に記載の真空処理システムにより、いくつかのＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ及び／又はＰＶＤのモジュール式組合せが可能になる。上記のようなモジュールのコンセプトでは、非常に優れたガス分離を必要とする堆積源を含むあらゆる種類の堆積源を使用することができるが、このコンセプトは、種々の堆積技術又は複雑な組み合わせの処理パラメータを適用して堆積させなければならない複合層スタックの堆積のコスト削減に役立つ。

［００１３７］更に、本書に記載の実施形態は、多くの処理の実行が、およそ０℃の低い処理ドラム温度を必要とする態様に対して有益であり得る。低温では、高い処理ドラム温度用に調整された固定スリット幅は、薄いプラスチック膜（例えば、５０ミクロン）が使用される場合、ほぼ１．５〜２．０ｍｍ程度であることに留意すべきである。この場合、ガス分離係数は、特定のガス分離係数（１：１００）未満であることが多い。これは、層材料が異なる反応性ガス組成物で、近接する処理領域、例えば、スパッタチャンバなどで堆積される処理の実施に重要である。このような条件が適用され得るのは、例えば、Ｎｂ_２Ｏ_５及びＩＴＯの堆積中である。これは、例えばタッチパネルの製造の場合でありうる。したがって、本書に記載の真空処理システムの実施形態は、例えばタッチパネル等のディスプレイデバイスの多層の製造用途に有益である。

［００１３８］上述したように、実施形態は、機械の作動中のガス分離ユニットの調整、特に自動調整、あるいは「自己」調整可能ガス分離壁を指すものである。これは、スパッタ堆積に適用されうるが、ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤ堆積、特に処理ガスが反応性ガス構成要素を含む堆積にも適用され、反応性ガス構成要素は、堆積される層に部分的に又は完全に組み込まれる。スパッタウェブコータ（Ｒ２Ｒコータ）と同様に、ガス分離は反応性雰囲気で堆積される層にとって有益である。自己調整可能な、あるいは自動的に調整可能なガス分離ユニットを使用することによって、基板の種々の厚さの値にしたがってスリット幅を変更することができる。改良されたガス分離係数はまた、真空処理システムの設計に影響を与えることができることを理解すべきである。特に、２つの区画間のガス分離ユニットの長さを短縮することができる、即ち、例えば、図６に示すスリット２０及び／又は要素３７３の長さを短縮することができる。これは、真空処理システムのサイズ、コスト及び設置面積の削減につながりうる影響を有する。

［００１３９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、ガス分離ユニット３７０の要素３７３によって画定される、ガス分離ユニット３７０とフレキシブル基板１０との間のスリット２０の幅は、図７Ａ及び７Ｂに例示するように、例えばディスク３１４を含む支持装置によって調整されうる。例えば、ディスク３１４は基本的に、処理ドラム１４２と同じ直径を有しうる。図示した処理ドラム１４２は図７Ａのディスク３１４よりも少し大きいが、これは主に例示のためであり、処理ドラム１４２とディスクは同じ直径を有しうる。ディスク３１４は、回転軸１４３に装着されうる。幾つかの実施形態によれば、処理ドラム１４２の回転中はディスク３１４は静止したままである、すなわち、ディスクは処理ドラムとともに回転しない。

［００１４０］ガス分離ユニット３７０の実施例では、図７Ａ及び７Ｂに例示するように、接続要素３１２によって壁要素３２２がディスク３１４に接続されている。したがって、幾つかの実施形態によれば、接続要素３１２によりスリット２０の幅が決定しうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる代替的な実施形態によれば、ディスク３１４、接続要素３１２及び壁要素３２２を１つの一体化したユニットとして配設することも可能である、あるいはディスク３１４と接続要素３１２、又は壁要素３２２と接続要素３１２を１つの一体的に形成されたユニットとして配設することができる。

［００１４１］処理ドラム１４２の温度が変化すると、処理ドラム１４２の直径も変化しうることを理解すべきである。したがって、スリット２０の幅は、処理ドラムの直径の変化に影響される可能性があり、本書に記載の幾つかの実施形態によれば、スリットの幅の調整が提供されうる。ディスク３１４と接続要素３１２を含むガス分離ユニット３７０の支持装置により、図７Ｂの矢印３２６によって示すように、スリット２０の幅の調整が得られる。いくつかの実施形態によれば、ディスク３１４は、処理ドラム１４２によって受動的に加熱又は受動的に冷却することができる。これによって、ディスク３１４は、例えば、処理ドラム１４２の温度と基本的に同一の温度で提供することができ、ディスク３１４の温度は、処理ドラム１４２の温度から±１０℃ほど変わり得る。したがって、処理ドラム１４２の熱膨張の後にディスク３１４の熱膨張が起こるように、ディスク３１４にもまた熱膨張が起こる。

［００１４２］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるまた別の実施形態によれば、追加として又は代替的に、ディスク３１４又はガス分離ユニット３７０用の類似の支持体に、冷却チャネル又は加熱要素を配設することができる。これによって、ディスク３１４の温度を独立して制御することができる。このため、ディスク３１４の熱膨張は、スリット２０の幅が調整されうるように、処理ドラム１４２の温度とは無関係に制御されうる。

［００１４３］処理ドラム及びディスクの温度の影響に関しては、以下の態様に留意すべきである。以下の例において、処理ドラムはステンレス鋼でできていてよく、ディスクはアルミニウムでできていてよい。したがって、ステンレス鋼の熱膨張係数αｓｓ＝０．００００１６Ｋ−１、及びアルミニウムの熱膨張係数αＡｌ＝０．００００２３８Ｋ−１、αドラム／αディスク＝０．６７２３が得られうる。このため、例えば、４００°Ｃのドラム温度に対応して、２６８．９１°Ｃのディスク温度が付与されうる、したがって、４００°Ｃにおける処理ドラムの熱膨張が補償されうる。ディスク３１４が、処理ドラム１４２と同一の熱膨張係数を有する材料から成る、又は処理ドラム１４２と同一の材料から成るとき、且つディスク３１４の温度がプロセス、処理ドラム１４２の温度と基本的に同一になるように制御できる場合、熱膨張は基本的に同一である（例：矢印３２６を参照）。したがって、スリット２０の幅は、接続要素３１２の熱膨張分だけ変動する。これに関しては、接続要素３１２の長さが処理ドラム１４２の半径と比較して短いことに留意すべきである。したがって、熱膨張に対するスリット幅の変動が大幅に削減される。更に、低い熱膨張係数を有する材料を接続要素３１２に選択することが可能であり、これにより、接続要素３１２の熱膨張に対する温度の影響が更に軽減されうる。

［００１４４］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、処理ドラム１４２の材料とは異なるようにディスク３１４の材料を選択することができ、処理ドラムと比較して異なる熱膨張係数を有するように選択することができる。これによって、処理ドラム１４２の熱膨張に対応するディスク３１４の熱膨張が異なる温度でもたらされうるため、処理ドラム１４２と比較して同一の温度をディスク３１４において付与する必要がない。具体的には、ディスク３１４と接続要素３１２が一体的に形成されている場合、異なる熱膨張係数により、ディスク３１４の半径方向の寸法が大きい分を接続要素３１２と組み合わせて補償することも可能である。

［００１４５］図７Ａ及び７Ｂには処理ドラム１４２と同様に円形のディスクを示したが、他の実施形態によれば、ガス分離ユニット３７０を支持するための支持装置は、ディスク、棒（ｒｏｄ）、又は別のいずれかの適切な形状の一部であってもよい。更に、上述した態様及び詳細には熱膨張を示したが、例えば作動中、高温での第１の処理後に、処理ドラムが低温に冷却された場合には収縮ももたらされる場合があることに留意すべきである。したがって、「膨張」という語は、要素の熱膨張係数から生じた状態を指す、すなわち熱膨張は肯定的な兆候あるいは否定的な兆候を有しうると理解される。

［００１４６］上記を踏まえ、本書に記載の幾つかの実施形態によれば、ガス分離ユニット用の間隙調整デバイスが（例えば、本書に記載されたように構成された、ディスクを含む支持装置によって、あるいはアクチュエータによって）設けられうることが理解される。具体的には、間隙調整デバイスは、処理ドラムとガス分離ユニット及び／又は堆積源本体との間のスリット幅を調整するように構成されうる。したがって、間隙調整デバイスにより、一定で高レベルのガスが確保される。更に、本書に記載のガス分離ユニットの実施形態は、加熱又は冷却段階において、例えばサーモオイル回路によってガス分離ユニットを同時加熱あるいは同時冷却することによって、均一な熱膨張をもたらすように構成されうることを理解すべきである。具体的には、本書に記載のガス分離ユニットの実施形態は、非均一性が±２．５％未満の温度均一性をもたらすように構成されうる。

［００１４７］図８に、本書に記載の真空処理システム用の処理構成要素として用いられうる堆積源６３０の概略断面図を示す。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、堆積源６３０は、本体６０３と、本体によって支持されうる電極６０２とを含む。例えば、堆積源６３０は、プラズマ堆積源であってよい。電極６０２は、堆積源６３０の処理領域内にプラズマが発生しうるように、電極へ電力を供給するための整合回路６８０に接続されうる。したがって、堆積源６３０は、作動中に、電極６０２と、処理されるフレキシブル基板１０との間にプラズマを発生させるように構成されうる。したがって、堆積源は、処理領域内のプラズマが点火され維持されうるように構成されうる。

［００１４８］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、堆積源６３０はさらに、処理ガス混合物を処理領域内へ供給するための処理ガス注入口６１２と、処理ガス混合物を処理領域から除去するための、例えば排気口等の処理ガス排気口６１４とを含みうる。具体的には、複数の開口部又はスリット開口部をそれぞれ、ガス注入口及び／又はガス排気口として設けることができる。したがって、処理ガスは、処理ガス注入口６１２から処理ガス排気口６１４へ流れうる。実施形態によれば、処理ガス注入口及び処理ガス排気口は、図８の紙面に垂直な方向に延長することができる。具体的には、処理ガス注入口及び処理ガス排気口は、少なくとも処理される基板の幅、及び／又は少なくとも処理領域の好ましい長さに沿って延びるように設けられうる。処理ガス注入口及び処理ガス排気口は、コーティングされる基板のエリア内に均一の条件を付与するために、基板の最大幅を少なくともわずかに超えて延びるように有益に構成されうる。

［００１４９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、堆積源６３０及びガス分離ユニット３７０は１つの設備として形成することができる。例えば、図８に、堆積源６３０の本体６０３に装着されたガス分離ユニット３７０に示す。これによって、ガス分離ユニットのスリット幅の調整、及び電極６０２と基板との間の距離の調整を一体化した方法で提供することができる。

［００１５０］図８を例示として参照すると、本体６０３と壁１０２との距離が変化しうるように、堆積源６３０が壁１０２に接続されうる（図８のベローズ６３２によって示す）。図８に示すように、本体６０３、電極６０２、及び／又はガス分離ユニット３７０を、支持体がプロセス、処理ドラムの軸に機械的に接触した状態で支持することができる。したがって、ガス分離ユニットのスリット幅、及び電極６０２と基板との間の距離は、図７Ａ及び７Ｂに関連して例示的に上記で説明したように、調整することができることを理解すべきである。代替的に、本体、ガス分離ユニット、及び電極の位置を、基板までの距離の調整のために変更することができるように、アクチュエータを堆積源６３０の本体６０３と壁１０２との間に設けることができる。

［００１５１］図９に、本書に記載の実施形態に係る、処理チャンバの壁に装着された堆積源６３０の概略的な斜視断面図を示す。図９に例示するように、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、電極６０２と、処理される基板との間に設けられた処理領域の周りに、一または複数のガス分離ユニット３７０が設けられうる。詳細には、図９の斜視断面図に、電極６０２の３つの面に配置されたガス分離ユニット３７０を示す。更に、図９に、処理領域内の処理ガス流を示す。具体的には、矢印８１１によって示すように、処理ガスは、処理ガス注入口６１２から処理ガス排気口６１４へ流れる。

［００１５２］更に、図９に示すように、幾つかの実施形態によれば、例えば図９に示す２つの分離ガス注入口などの、一または複数の分離ガス注入口１８４２が設けられうる。したがって、矢印８４３によって示すように、分離ガス注入口１８４２とガス分離ユニット３７０との間の中間領域に、分離ガス又はパージガスが供給されうる。更に、幾つかの実施形態によれば、ガス流バリアを設けるために、別のガス分離ユニット１３７０が設けられうる。図８に示していないが、矢印８４３によって示される分離ガス又はパージガスは、近接するプラズマ堆積源用のパージガスを供給するために、反対方向にも供給されうる。

［００１５３］図１０Ａ〜１０Ｃに、本書に記載の実施形態による処理ガス流、パージガス流又は分離ガス流、並びに吸引領域又はポンピング領域の異なる実施形態を示す。図１０Ａに、それぞれの処理領域において互いに隣接して設けられた２つの堆積源を示す（例：図１０Ａの堆積源６３０参照）処理領域は、湾曲した基板支持面を形成する処理ドラム１４２に設けられる。図１０Ａに例示するように、各堆積源は電極６０２を有しうる。電極６０２の一方には、処理ガス注入口６１２が設けられる。例えば、ガス注入口は、スリット又は処理ドラム１４２の軸方向に延びる複数の開口部とすることができる。処理ガス注入口６１２に隣接して、ガス分離ユニット３７０を形成する壁部分が設けられる。図１０Ａに示す堆積源６３０は、処理領域内のプラズマを点火し維持するための電力が電極に供給されうるように、電極６０２に接続可能な整合回路６８０を含む。更に、図１０Ａに示すように、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、堆積源又はそれぞれの処理領域の間に、水素などの分離ガス用の分離ガス注入口１８４２が設けられうる。更に、ポンピングチャネル又は吸引チャネルが、堆積源又はそれぞれの処理領域の間に設けられうる。更に、ポンピングポートなどの真空チャネル１１４２は、図１０Ａに例示するように、分離ガス注入口１８４２の両側に位置決めされる。

［００１５４］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、分離ガス注入口１８４２は更に、別のガス分離ユニット１３７０を提供する壁部分を含むことができる。本書に記載の他の実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、少なくとも１つの堆積源６３０は、処理ドラム１４２からの堆積源の距離を変更するアクチュエータを含みうる。したがって、例えば図６に関連して説明したように、アクチュエータによって、あるいは、図７Ａ及び７Ｂに関連して説明したように、支持装置によって距離の変更がもたらされうる。これによって、処理ドラム１４２の軸、電極６０２、第１のガス分離ユニット、例えば図６〜８のガス分離ユニット３７０、及び別のガス分離ユニット１３７０に対する半径方向の位置を変更及び調整することができる。例えば、変更及び調整は、図６、７Ａ及び７Ｂに関連して例示的に説明したように、処理ドラムの温度が変化した際に、処理ドラムの熱膨張又は収縮を補償するために使用することができる。

［００１５５］図１０Ａを例示として参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、分離ガス注入口１８４２が、堆積源６３０と真空チャネル１１４２、例えば分離ガス注入口１８４２の両側に設けられた排気ダクトとの間に設けられうる。図１０Ａから、処理ドラムが、図１０Ａの紙面に垂直な方向に延びると理解される。更に、電極、ガス注入口、ガス排気口及び排気ダクトが、図１０Ａの紙面に垂直な方向に延びる。

［００１５６］図１０Ｂに、例示的な実施形態を示す。この実施形態では、図１０Ａに示す実施形態とは逆に、処理ガス注入口６１２が、両方の堆積源６３０のためにそれぞれの堆積源の間に設けられている。これにより、処理ガス流の方向が、堆積源のうちの一方の基板搬送方向と同じ方向に、また堆積源のうちのそれぞれ他方の反対方向に向けられる。

［００１５７］図１０Ｃに、隣接する堆積源の種々のガス注入口及び排気チャネル又は吸引チャネルの概略的コンセプトを示す。具体的には、図１０Ｃは、ガス注入口、ガス排気口、及び排気ダクトを矢印として示す。それぞれのチャネル及びダクトは、本書に記載の実施形態のうちの任意の実施形態に従って配設することができると理解されたい。図１０Ｃに、それぞれの位置で堆積源の一部と見なされる２つの近接する電極を示す。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、電極６０２は、ＰＥＣＶＤ源の電極などのプラズマ支援堆積処理のための電極とすることができる。図１０Ｃに示すように、処理ガス注入口６１２及び処理ガス排気口６１４は、近接する各堆積源の電極６０２の対向する側面に設けられうる。更に、処理ガス注入口６１２及び処理ガス排気口６１４がそれぞれ、電極６０２とそれぞれの分離ガス注入口との間に位置づけされるように、電極６０２の両側に分離ガス注入口１８４２が設けられうる（例：分離ガス注入口１８４２参照）。更に、図１０Ｃに例示するように、真空チャネル１１４２、すなわち吸引チャネル又は排気ダクトが設けられうる。具体的には、排気ダクトは、分離ガス注入口１８４２並びに処理ガス注入口６１２及び処理ガス排気口６１４が排気ダクトと電極６０２との間に設けられるように、電極６０２のそれぞれの対向する側面に設けられうる。

［００１５８］本書に記載の実施形態は、特に、隣接又は近接する処理領域に異なる処理が提供される用途に役立つ。例えば、図１０Ｃの左側に電極６０２によって示される堆積源は、第１の堆積処理を実行することができ、図１０Ｃの右側に電極６０２によって示される堆積源は、第２の異なる堆積処理を実行することができる。例えば、左の処理領域の圧力が０．３ミリバールで、右の処理領域の圧力が１．７ミリバールである場合、中央の真空チャネルの領域の圧力は例えば、２つの処理エリアの低い圧力を下回るように設定される。先ほどの例では、圧力は、０．２ミリバールとすることができる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、３つ以上の堆積源が設けられる場合には、排気ダクトの領域の圧力は、すべての処理領域の最小圧力を下回るように設定される。

［００１５９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる別の実施形態によれば、ガス分離ユニットの壁部分又は要素を、図１０Ｃに関して説明した配置に配設することができる。これによって、図８、９及び１１に関連して例示するように、ガス分離ユニットの壁部分又は要素を、処理ガス注入口と分離ガス注入口との間だけでなく、処理ガス排気口と分離ガス注入口との間にも配設することができ、分離ガス注入口と排気ダクトとの間に更に配設することができる。

［００１６０］図１１に、本書に記載の実施形態に係る堆積源の概略斜視図を示す。上述したように、堆積源６３０は、電極６０２に電力が供給されるように整合回路６８０へ接続されうる電極６０２を含む。図１１に示すように、電極６０２には曲面が設けられていてよく、電極は処理ドラムに対応する、即ち、電極は処理ドラムの表面に対して基本的に平行な面を有する。矢印８１１は、電極６０２に沿った処理領域の処理ガスのガス流を概略的に示す。処理ガス注入口６１２と処理ガス排気口６１４のそれぞれのスリットは、図１１の太線によって強調されている。したがって、いくつかの実行形態によれば、特にＰＥＣＶＤ処理において、処理ガス流は非対称でありうる、すなわち、基板の移動方向、あるいは基板の移動方向とは反対でありうる。

［００１６１］図１１に例示するように、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、ガス分離ユニット３７０は電極６０２の周りに設けられうる。これによって、ガス分離ユニット３７０は、電極６０２の一方の側面に第１のガス分離ユニット部分３７０Ａを、電極６０２の反対の側面に第２のガス分離ユニット部分３７０Ｂを含みうる。ガス分離ユニット３７０の更なる側面部分３７０Ｃが設けられうる。したがって、電極６０２を取り囲むガス分離ユニット３７０は、改善された分離係数を提供する。

［００１６２］更に、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、電極６０２の第１の側面、及び電極６０２の対向する側面に分離ガス注入口１８４２の一または複数の開口部が設けられうる。分離ガス注入口１８４２の一または複数の開口部は、一または複数の分離ガス注入開口部とも称されうる。図１１に例示するように、幾つかの実行形態によれば、分離ガス注入口１８４２は、ガス分離ユニット３７０が分離ガス注入口１８４２と電極６０２との間に配置されるように、電極６０２を囲むように構成されうる。

［００１６３］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、別のガス分離ユニット１３７０を配設することが可能である。例えば、別のガス分離ユニット１３７０は、電極６０２の対向する側面に設けられた第１の別のガス分離部１３７０Ａ及び第２のガス分離部１３７０Ｂを含みうる。代替的には、図１１に示す別のガス分離ユニット１３７０の第１及び第２の部分の代わりに、２つのガス分離ユニットを配設することができる。例えば、図１１に示す別のガス分離ユニット１３７０は、別のガス分離ユニット１３７０が電極６０２、第１のガス分離ユニット、例えば図１１のガス分離ユニット３７０を取り囲むように、別の側面部分１６２０Ｃを含む。

［００１６４］上記観点から、本書に記載の実施形態は、隣接する処理領域の間にさらなる最適化された分離係数を提供しうることを理解すべきである。

［００１６５］図１１に例示するように、本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積源６３０、例えばＰＥＣＶＤ堆積源は、マイクロ波アンテナ７００を含みうる。したがって、本書に記載の堆積源はマイクロ波源であってよく、マイクロ波プラズマを提供するように構成されうることを理解すべきである。マイクロ波アンテナ７００の例示の実施形態の詳細図を図１２に示す。幾つかの実施形態によれば、マイクロ波アンテナ７００は細長いスリーブ７２０の形態であってよく、マイクロ波アンテナ７００の長さに沿って設けられた複数のスロット７１０を含む。詳細には、複数のスロット７１０は、図１２Ａに例示するように、マイクロ波アンテナの長さの一部の上に均等に分布していてよい。したがって、スロット付きアンテナは、処理領域内のプラズマへの電力供給の制御のために構成されうる。更に、マイクロ波アンテナ７００のスリーブ７２０内のスロット開口部により、例えば金属でできていてよいスリーブがマイクロ波に対して半透明となるようにすることができる。

［００１６６］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、マイクロ波アンテナ７００には、第１の群のスロット７１１と第２の群のスロット７１２とを設けることができ、図１２Ｂのマイクロ波アンテナの拡大断面図に例示するように、第１の群のスロットは、第２の群のスロットに比較してアンテナの長さに沿った異なる半径方向の位置に配置される。これは、電力カップリング効率を改善するのに有益でありうる。

［００１６７］上記観点から、スロットの配置により、アンテナの長さに沿った軸方向の電力吸収を制御する能力が提供されうることを理解すべきである。具体的には、スロットの間隔及び／又は形状により、電力吸収プロファイルの微調整が提供されうる。したがって、制御されたマイクロ波電力供給のためのスロット付きアンテナが提供されうる。

［００１６８］本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態によれば、堆積源は線形マイクロ波ＰＥＣＶＤ源であってよい。例えば、堆積源を、軌道が装着された処理トロリーに取り付けることができる。更に、堆積源は、間隙の距離を確保する幾何学的に浮遊しているプラズマ源、完全に一体化された種ガス分離部、オプションのオンラインプラズマ密度モニタリングのための多極共振センサ、高い層均一性の、維持に手がかからず洗浄が容易な、特殊設計された処理ガスマニホールドのうちの少なくとも１つを含みうる。例えば、処理ガスマニホールドは交換可能であってよい。更に、幾つかの実施形態によれば、堆積源、例えば線形マイクロ波ＰＥＣＶＤ源は、液体前駆体と適合可能であるように構成されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる別の実施形態によれば、堆積源は、フッ素ベースのインシトゥプラズマ洗浄能力を含みうる。更に、堆積源、特に線形マイクロ波ＰＥＣＶＤ源は、処理中の埃を最小限に抑えるために優れたプラズマ閉じ込め性能を有するように構成されうることに留意すべきである。

［００１６９］更に、本書に記載の堆積源の実施形態は、堅牢で最適化された設計を有することを理解すべきである。詳細には、堆積源の堅牢で最適化された設計は、交換可能なガスマニホールド、オプションの同軸線ガス冷却システム、適応可能な内部電源ポンプシールド及び例えばコーティング幅の変更に使用可能なガス分離を含む、交換可能な下部電源収納ユニットのうちの一または複数を配設することによって得ることができる。

［００１７０］図１３に、処理ドラム１４２と一または複数の堆積源との間でシールド箔２５０を移動させるように構成されたシャッターデバイス２００を含む、本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの処理チャンバの一部の概略斜視図を示す。図６に関連して例示的に説明したように、真空処理システムの一または複数の処理構成要素、例えば堆積源を、処理ドラム１４２と一または複数の処理構成要素との間に間隙ができるように位置づけすることができる。例えば、間隙は、約０．５ｍｍ〜５０ｍｍの幅を有しうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、シャッターデバイス２００は、図１５及び図１６に関連して更に詳細に説明するように、少なくとも１つの第１の部分、例えば図１５に示す第１の部分２３１と、少なくとも１つの第２の部分、例えば図１５に示す第２の部分２３２とを含みうる。第１の部分は、シャッターデバイス２００の回転軸を提供しうる。シールド箔２５０は、例えば、クランピング、グリッピング、糊付け、磁力、はんだ付け及び溶接のうちの少なくとも１つによって、第２の部分に連結可能でありうる。シールド箔２５０は、「ジャロジー」とも称されうる。シャッターデバイス２００は、「ジャロジーシャッター」とも称されうる。

［００１７１］回転軸の周りで回転させることによって、第２の部分に取り付けられたシールド箔２５０を、処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源との間で移動させることができる。わかりやすいように、図１４に、堆積源６３０の簡略図を示す。プラズマ洗浄方法は、シールド箔２５０が堆積源の下のエリアを覆ったときに実施することができる。シールド箔２５０は、例えば開始された洗浄シーケンスの始めに、自動作動によって移動させることができる。

［００１７２］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、シャッターデバイス２００は、処理ドラム１４２の下に（下方に）位置付けられうる。シールド箔２５０は、処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源との間に位置付けられるように、処理ドラム１４２の下から上方向に移動させることができる。処理ドラム１４２の下にシャッターデバイス２００を位置付けることによって、処理ドラム１４２の上の、任意の数の装置部品、特に移動する装置部品を最小限に抑えることができる。更に、シャッターデバイス２００及び／又はシールド箔２５０から放出された粒子は、堆積ゾーンに到達せずに又は堆積ゾーンを横切らずに、例えば処理チャンバの底に落下する。したがって、不純物による堆積処理の汚染、特にコーティング層の汚染を防止することができる。いくつかの実行形態によれば、シールド箔は洗浄物質に対して耐性があるため再利用可能である、すなわちシールド箔は洗浄処理後に交換する必要がない。

［００１７３］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、装置は、例えば、処理ドラム１４２の側面などに設けられた少なくとも１つのスペーサデバイス（例：図１３及び１４のスペーサデバイス２２５参照）を含みうる。いくつかの実施形態では、処理ドラム１４２の各側面に１つのスペーサデバイス２２５が設けられうる。スペーサデバイス２２５は、円形であってもよく、又は円の一部であってもよく、その直径は、処理ドラム１４２の直径より大きくてもよい。スペーサデバイス２２５は、特にシールド箔２５０が処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源との間を移動するときに、シールド箔２５０を支持するように構成されうる。スペーサデバイス２２５により、処理ドラム１４２又はその上に配置されたフレキシブル基板とシールド箔２５０との間に間隙ができうる。これにより、シールド箔２５０が処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源との間を移動するときに処理ドラム１４２又はフレキシブル基板と接触しないため、処理ドラム１４２又はフレキシブル基板の損傷リスクを最小限に抑えることができる。

［００１７４］いくつかの他の実行形態では、シャッターデバイス２００はスペーサデバイス２２５を含まなくてもよく、シールド箔２５０は処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源との間を移動するときに処理ドラム１４２又はその上に配置されたフレキシブル基板と接触又はコンタクトしうる。この場合、シールド箔２５０及びフレキシブル基板を担持する処理ドラム１４２は、同じ速度で移動する。要するに、処理ドラム１４２に対するシールド箔２５０の相対運動は、実質的に存在し得ない。

［００１７５］図１４に、本書に記載の実施形態に係るシャッターデバイスを含む真空処理システムの処理ドラムの概略側面図を示す。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、シャッターデバイス２００は、少なくとも１つの第１の部分、例えば第１の部分２３１、及び少なくとも１つの第２の部分、例えば第２の部分２３２を有する少なくとも１つのアーム、例えばアーム２３０を含むことができる。第１の部分２３１は、アーム２３０の回転軸を提供しうる。装置は、処理ドラム１４２の側面の１つに設けられた１つの第１の部分２３１を有していてもよく、又は２つの第１の部分２３１、即ち、処理ドラム１４２の各側面に１つを有していてもよい。シールド箔２５０は、例えば、クランピング、グリッピング、糊付け、磁力、はんだ付け及び溶接のうちの少なくとも１つによって、第２の部分２３２に連結可能でありうる。

［００１７６］第１の部分２３１によって画定された回転軸の周りでアーム２３０を回転させることによって、第２の部分２３２に取り付けられるシールド箔２５０を処理ドラム１４２と堆積源６３０との間で移動させることができ、特に、処理ドラム１４２と堆積源６３０との間にできた上述の間隙内部で移動させることができる。例えば、エッチング処理が開始された場合、アーム２３０は、処理ドラム１４２の回転軸１４３の周りを移動して処理ドラム１４２周囲の取り付けられたシールド箔２５０を搬送することができる。

［００１７７］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、アーム２３０の回転軸は、処理ドラム１４２の回転軸１４３に実質的に平行である。特に、アーム２３０の回転軸は、処理ドラム１４２の回転軸１４３に対応しうる。いくつかの実行形態では、第１の部分２３１は、回転軸１４３の周りで回転可能である処理ドラム１４２の回転軸１４３に取付可能でありうる。いくつかの実施形態では、アーム２３０を回転可能にするために、ブッシュ軸受又はローラ軸受などの軸受を設けることができる。例えば、アーム２３０、特に第１の部分２３１は、ブッシュ軸受又はローラ軸受などの軸受を介して、処理ドラム１４２の回転軸１４３に取り付けることができる。

［００１７８］いくつかの実行形態では、第１の部分２３１は、回転軸１４３に実質的に垂直に延びていてよく、特に、処理ドラム１４２の回転軸１４３から少なくともその外周面まで延びていてよい。第１の部分の長さは、少なくとも処理ドラム１４２の直径以上とすることができる。

［００１７９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、第２の部分２３２は処理ドラム１４２の回転軸１４３に実質的に平行に延びていてよく、特に、処理ドラム１４２の外周面の少なくとも一部に沿って延びていてよい。いくつかの実行形態では、第２の部分２３２は、実質的に処理ドラム１４２の外周面の長さ全体に沿って延びていてよい。いくつかの実行形態では、第２の部分２３２は、第１の部分２３１から延びていてよい。

［００１８０］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、第１の部分２３１は第１の方向に沿って延びていてよく、第２の部分２３２は第２の方向に沿って延びていてよく、第２の方向は第１の方向に実質的に垂直でありうる。いくつかの実行形態では、第１の方向は処理ドラム１４２の回転軸１４３に実質的に垂直であってよく、及び／又は第２の方向は処理ドラム１４２の回転軸１４３に実質的に平行であってよい。

［００１８１］原理として、シールド手段をフレキシブル基板の搬送方向に垂直に移動させることにより、洗浄手順中に処理ドラムを覆い保護することが可能であるかもしれないが、この場合、処理ドラムの曲率及びシールド箔の曲率は、搬送方向に平行ではない。シールド箔を、シールド箔の幅方向に屈曲させなければならなくなるであろう。しかしながら、シールド箔がローラ受容部２２０のようなローラ上にロールアップされるとき、シールド箔はシールド箔の長さ方向に屈曲することになる。したがって、金属から作られたシールド箔のような硬い材料は破壊される可能性がある。

［００１８２］図１５に、２つの第１の部分２３１と、２つの第１の部分２３１を連結している１つの第２の部分２３２とを有するアーム２３０を有するシャッターデバイス２００を示す。第１の部分２３１は、処理ドラム１４２の対向する側面に配置されうる。要するに、１つの第１の部分２３１は、処理ドラム１４２の各側面に配設することができるということである。第１の部分２３１は、例えば、処理ドラム１４２の回転軸１４３などの軸又はシャフトとの連結を提供するように構成されたボア又は中心ボア２３３を含みうる。ブッシュ軸受又はローラ軸受などの軸受（図示せず）が、中心ボア２３３と関連付けられうるため、これにより第１の部分２３１が回転可能になる。一例として、軸受を中心ボア２３３内部に配置することができる、又は中心ボア２３３を取り囲むように配設することができる。

［００１８３］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、シャッターデバイス２００は、処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源６３０との間でシールド箔２５０を移動させるように構成されたドライバを含みうる。いくつかの実行形態では、ドライバは、第１の部分２３１によって提供された回転軸の周りでアーム２３０を回転させるように構成することができる。いくつかの実施形態によれば、ドライバは、電気モータ及び／又は空気圧モータなどのモータを含みうる。

［００１８４］いくつかの実行形態では、ドライバは、ギアアセンブリを介して、第１の部分２３１に接続させることができる。ギアアセンブリは、第１の部分２３１に設けられた第１のギアホイール２３４を含みうる。一例として、第１のギアホイール２３４は、第１の部分２３１、特に中心ボア２３３によって画定された回転軸を少なくとも部分的に取り囲むように配設することができる。ギアアセンブリはまた、例えば、電気モータ及び／又は空気圧モータのようなモータなどの駆動機構に直接的又は間接的に連結された第２のギアホイール２３５を含みうる。

［００１８５］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、シャッターデバイス２００は、シールド箔２５０を巻き付ける及び／又は巻き出すように構成された一又は複数のロール受容部２２０を含みうる。一又は複数のロール受容部２２０は、シールド箔２５０を受容するように、特にシールド箔２５０がその上に巻かれるロールを受容又は保持するように構成される。これにより、シールド箔２５０を有するロールは、必要なときに簡単に取り換えることができる。いくつかの実施形態では、シールド箔２５０の第１の端部は、ロール受容部に連結可能である。一例として、シールド箔２５０の第１の端部はロール受容部２２０に連結可能であり、シールド箔２５０の第２の端はアーム２３０の第２の部分２３２に連結可能でありうる。

［００１８６］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、一又は複数のロール受容部２２０を処理チャンバ内部に配設することができる。また、シールド箔２５０は処理チャンバ内部に（例えば、完全に）供給することができ、処理チャンバ外部に供給されることはない。この観点から、外部から処理チャンバ内に、例えば、真空ロックを通して、シールド箔をガイドする必要がない。このため、処理チャンバ内の真空を破ることなく、処理チャンバが洗浄しやすくなる。

［００１８７］しかしながら、他の実行形態では、少なくとも１つのロール受容部を処理チャンバの外部に配設することができる。そのような場合、シールド箔２５０は、外部から処理チャンバ内に、例えばエアロックを通して供給することができる。この構成において、シールド箔２５０の第１の端部はなおもロール受容部２２０に連結可能であり、シールド箔２５０の第２の端はシャッターデバイス、特にアーム２３０の第２の部分２３２に連結可能でありうる。

［００１８８］いくつかの実行形態では、一又は複数のロール受容部２２０の少なくとも１つを処理ドラム１４２の下に配設することができる。一又は複数のロール受容部２２０を処理ドラム１４２の下に位置付けることによって、一又は複数のロール受容部２２０及び／又はシールド箔２５０から放出された粒子が堆積ゾーンに到達せずに又は堆積ゾーンを横切らずに、例えば処理チャンバの底に落下する。これにより、堆積処理の汚染、特にコーティング層の不純物による汚染を防止することができる。

［００１８９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、ロール受容部２２０は、シールド箔２５０又はシールド箔２５０を有するロールを受容するように、特にシールド箔２５０がその上に巻かれたロールを受容するように構成された受容部分２２２を含みうる。

［００１９０］通常の実行形態では、ロール受容部２２０は、少なくとも１つの取付け部分、例えば図１５の取付け部分２２１を有しうる。取付け部分２２１は、受容部２２２又はシールド箔２５０を有するロールと処理チャンバとの間に回転可能な連結を付与するように構成されうる。受容部２２２は、特に、少なくとも１つの取付け部分を介して処理チャンバ内部に装着されうる。一例として、取付け部分２２１は、回転可能な連結を付与するためのブッシュ軸受及び／又はローラ軸受などの軸受を含みうる、又はそのような軸受に連結可能でありうる。いくつかの実施形態では、取付け部分２２１は、少なくとも受容部分２２２が回転軸の周りで回転可能であるように構成されうる。受容部分２２２の回転軸は、処理ドラムの回転軸に実質的に平行であり得る。通常の実行形態では、受容部分２２２は２つの取付け部分２２１を有しうる、即ち、受容部分２２２の各側面に１つの取付け部分２２１を有しうる。

［００１９１］他の実施形態では、ロール受容部は取付け部分を含んでいてもよく、ロール受容部を含んでいなくてもよい。ロール受容部は、少なくとも２つの独立した、例えば、非連結式の取付け部分を含みうる。ロール受容部は特に、２つの取付け部分を含みうる。取付け部分は、シールド箔２５０がその上に巻かれたロールに連結可能に構成され、特にシールド箔２５０がその上に巻かれたロールの側面に連結可能に構成されうる。取付け部分は、シールド箔２５０を含むロールと処理チャンバとの間に回転可能な連結を付与するように構成されうる。このような目的で、取付け部分は、ブッシュ軸受及び／又はローラ軸受などの軸受を含みうる、又はそのような軸受に連結可能でありうる。

［００１９２］いくつかの実行形態では、シールド箔２５０はロール受容部２２０上に供給され、シールド箔２５０の第１の端はシャッターアーム２１０の第２の部分２３２に連結される。シャッターアーム２１０が回転軸１４３の周りを回転すると、図１６に関連してさらに詳細に説明するように、シールド箔２５０はロール受容部２２０から巻き出され又は展開され、処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源６３０との間を移動し、特に、処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源６３０との間の間隙内部を移動する。

［００１９３］図１６に、シャッターデバイスを含む、本書に記載の真空処理システムの処理部分の詳細斜視図を示す。具体的には、図１６に、シャッターデバイスの２つの例示の異なる位置を示す。例えば、堆積処理中に、シャッターデバイス２００のアーム２３０は、第１の位置２３０Ａにありうる。第１の位置２３０Ａにおいて、シールド箔２５０は、処理ドラム１４２と堆積源６３０との間に配置されていない。一例として、第１の位置２３０Ａでは、シールド箔２５０は、巻かれた状態又はロールアップされた状態でありうる。アーム２３０は、処理ドラム１４２と堆積源６３０との間でシールド箔２５０を移動させるために、第１の位置２３０Ａから第２の位置２３０Ｂ内に移動又は回転しうる（矢印２６０で示す）。特に、アーム２３０を移動させることによって、シールド箔２５０は、ロール受容部２２０から巻き出され、展開され、又は伸ばされる。

［００１９４］いくつかの実行形態では、ロール受容部２２０は、シールド箔２５０及び／又はアーム２３０の移動と反対の力、特に第１の位置２３０Ａから第２の位置２３０Ｂ内へのシールド箔２５０及び／又はアーム２３０の移動と反対の力を提供する、例えばねじベースの引込機構などの引込機構を含みうる。これにより、シールド箔２５０が引張られ、例えば処理ドラム１４２と堆積源６３０との間などで特にしわ及び／又は絡みが起こることなく、シールド箔を処理ドラム１４２と堆積源６３０との間でガイドすることができる。

［００１９５］例えば洗浄処理の完了後などに、アーム２３０が第２の位置２３０Ｂから第１の位置２３０Ａ内に戻ると、シールド箔２５０はロール受容部２２０に再巻き付けする又は再び巻くことができる。幾つかの実行形態では、ロール受容部２２０は、上述した引込機構を含みうる。したがって、シールド箔２５０は、特にしわ及び／又は絡みが起こらないように引張られた状態で巻かれることが可能である。

［００１９６］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、ロール受容部２２０は引込機構を含まなくてもよいが、ロール受容部２２０にシールド箔２５０を再巻き付けするためのモータなどのドライバが含まれうる。

［００１９７］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、アーム２３０は、少なくとも約９０度、特に、１３０度、１４０度、１４３度、１５０度又は１８０度回転するように構成されうる。要するに、第１の位置２３０Ａと第２の位置２３０Ｂとの間の角度又は回転角度は、少なくとも約９０度であってよく、特に１３０度、１４０度、１４３度、１５０度又は１８０度であってよい。

［００１９８］上記を踏まえると、シールド箔２５０で堆積源６３０の下のエリアを覆うことができ、フレキシブル基板及び／又は処理ドラム１４２に影響を与えずにプラズマ洗浄を行うことができる。したがって、処理チャンバが密閉及び排気されるときでさえ、シャッターデバイス２００がシールド箔２５０を移動させて洗浄処理中に処理ドラム１４２を保護することができるので、洗浄前に真空を破る必要がない。更に、本書に記載の実施形態は、例えばプラズマ洗浄領域などからフレキシブル基板を除去せずに、ＮＦ３洗浄処理などの洗浄処理を実施することを可能にする。したがって、フレキシブル基板を除去するためのチャンバのパージ及び通気を必要としない、インシトゥチャンバ洗浄が提供されうる。

［００１９９］図１７に、本書に記載の実施形態に係るフレキシブル基板を処理するための装置の処理部分の平面図を示す。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、シールド箔２５０の第１の端部はロール受容部、特に受容部分２２２に連結可能であり、シールド箔２５０の第２の端はアームの第２の部分２３２に連結可能でありうる。いくつかの実行形態では、シールド箔２５０をガイドする又は偏向させるための一又は複数のガイドローラ又は偏向ローラ２２３をロール受容部の位置と第２の位置２３２との間に配設することができる。偏向ローラ２２３は、処理ドラム１４２の外周面の接面とシールド箔２５０の面との間に画定された角度を付与するように構成することができる。一例として、画定された角度は平坦な角度でありうる。図１７に示すように、フレキシブル基板１０は処理ドラム１４２上に配置することができる。シャッターデバイスは、堆積源６３０とフレキシブル基板１０との間でシールド箔２５０を移動させるように構成することができ、特に、堆積源６３０とフレキシブル基板１０との間の間隙内部でシールド箔２５０を移動させるように構成することができる。これにより、フレキシブル基板１０がＮＦ３及びＳＦ６などの洗浄物質から保護されるため、プラズマ洗浄処理などの洗浄処理を開始する前に処理チャンバからフレキシブル基板１０を除去する必要がない。

［００２００］上記を踏まえると、本書に記載の真空処理システムの実施形態によって様々な方法が実施されうることが理解される。具体的には、本書に記載の真空処理システムの実施形態は、真空処理システムの操作、基板の処理（例：多層構造の堆積）、処理チャンバの洗浄などに関連する様々な可能性のある方法を提供するものであることが理解される。

［００２０１］例えば、図１８に、本書に記載の実施形態に係る真空処理システム１００の処理チャンバ１４０を洗浄するための方法８００を示すブロック図を示す。具体的には、実施形態によれば、処理チャンバ１４０を洗浄するための方法は、処理チャンバ内の真空を破ることなく処理チャンバを洗浄するのに適している。具体的には、処理チャンバを洗浄するための方法８００は、シャッターデバイス２００によって処理ドラムと一または複数の堆積源６３０との間でシールド箔をガイドすること８０１と、処理チャンバ１４０内で第１のポンプ及びパージ処理を開始すること８０２と、処理チャンバ１４０に洗浄ガス又はエッチングガスを供給すること８０３と、処理チャンバをプラズマ洗浄すること８０４と、処理チャンバ内で第２のポンプ及びパージ処理を開始すること８０５とを含みうる。

［００２０２］更に、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理ドラム１４２と一または複数の堆積源６３０との間でシールド箔２５０をガイドすること８０１は、処理ドラム１４２又は処理ドラム１４２上に配置されたフレキシブル基板１０と一または複数の堆積源６３０との間にできた間隙内で、特に処理ドラム１４２又は処理ドラム１４２上に配置されたフレキシブル基板１０と接触させずにシールド箔をガイドすることを含みうる。

［００２０３］図１９に、フレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法を示すブロック図を示す。実施形態によれば、特に本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを使用してフレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法９００は、処理ドラムの外面の上にフレキシブル基板をガイドすること９０１と、少なくとも第１の堆積源の反対側の側面の少なくとも２つの位置において分離ガスを供給すること９０２と、少なくとも２つの位置の間で処理ガスを供給し処理ガスを排気すること９０３と、第１の堆積源と少なくとも１つの第２の堆積源との間の少なくとも１つの真空排気口でポンプ操作を行うこと９０４とを含みうる。いくつかの実行形態によれば、分離ガスは水素、窒素、又は希ガスであってよい。追加、あるいは代わりとして、少なくとも１つの真空排気口の圧力は、第１の堆積源及び少なくとも１つの第２の堆積源、例えば第１の処理領域及び第２の処理領域の任意のエリアの圧力よりも小さくてよい。

［００２０４］上記を踏まえると、同じ製造ツール内で異なる種類と厚さの基板を巻き付けることに関して莫大な需要があることが理解される。巻き付け（搬送）の最中に基板にかかる張力は、引張降伏、基板の温度及び基板の厚さによって著しく異なりうる。このため、本開示の実施形態には、本書に記載の処理システム、例えば堆積システムを通して安定した基板の搬送を確保するために、オンライン張力測定及び制御システムが備えられる。更に、搬送ローラ（例：本書に記載のガイドローラ）及び引張ローラ（例：本書に記載の張力測定ローラ及びスプレッダ）の両方と、コーティング基板（例：本書に記載の基板の前面）との間の機械的コンタクトが意図的に阻まれ、擦傷形成及び微粒子取込みの両方のリスクが軽減することに留意すべきである。本書に記載するように、本開示の実施形態は、基板の輸送から発生する欠陥形成率を削減するのに有益でありうる最小限レベルの裏面コンタクトを確保するために、最適化された巻き付け経路（基板搬送路とも称される）を提供する。

［００２０５］更に、記載の実施形態を多層堆積に使用可能であることが理解される。具体的には、活性ガス分離システム、例えば本書に記載のガス分離ユニットを用いることによって、堆積源（例：ＣＶＤ、ＰＶＤ、又はＰＥＣＶＤ）又はエッチングデバイスなどの処理構成要素に多層堆積能力が付与される。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、例えば２ＭＨｚを上回る励起周波数で高密度プラズマ源技術を実行することが可能である。したがって、本書に記載の実施形態が、低い熱収支において効率的なプラズマとの電力結合を確保するように構成されることが理解される。更に、当業者には、本書に記載の実施形態が、特に高品質の無機物層の処理用に構成されることが理解される。具体的には、本書に記載の実施形態が液体前駆体のハンドリング用に構成され、これにより、様々な異なる前駆体を用いた多層構造の堆積が可能になり、結果的に得られた層の特性が効率的に調整されることに留意すべきである。更に、本書に記載の実施形態は、例えば側壁への堆積を除去するためのインシトゥプラズマ洗浄にフッ素化ガスを使用することにより、各処理の実行の終わりに洗浄及びメンテナンスのためにツールを大気に対して開放する必要をなくすことによって、アップタイムの利点を提供する。

［００２０６］本開示内容から、本書に記載の実施形態が、とりわけ動的コーティング用の多重領域高速堆積源（例：ＰＥＣＶＤ源）、（例：ＰＥＣＶＤ源の）インシトゥ洗浄用の処理及びデバイス、２つの隣接する堆積源間の距離を最小化するために堆積源（例：ＰＥＣＶＤ源）内に統合されうる調整可能なガス分離、様々なコーティング幅用のプラットフォームスケーリング、モジュラー構成要素を有するシステムアーキテクチャ、単一ドラム（ＳＤ）構成から二重ドラム（ＤＤ）構成までを形成する可能性、粒子管理のための堆積アップアーキテクチャを有する源配向、コーティングドラム間で基板を供給するための優れたアクセス可能性、及び一体化したロード／アンロードシステムを提供することが理解されるだろう。

［００２０７］加えて、本開示内容から、本書に記載の実施形態が、本書で基板搬送装置としても称される改良型巻き付けシステムを提供することが理解されるだろう。具体的には、本書に記載の実施形態は、とりわけ、処理される基板の前側／層側とローラとの非接触、高いローラ平行性及び巻き付け精度を有する固定（常設）巻き付けシステム、粒子汚染のリスクを軽減するために独立したポンピング及び通気を可能にする（本書において供給ロール及び巻き取りロールとも称される）巻き出し器／再巻き付け器の分離、張力測定及びアライメントのためにローラを２つのみ使用する（本書において基板ガイド制御ユニットとも称される）ウェブガイド制御を提供する。

［００２０８］更に、本書に記載の真空処理システムの実施形態、及び真空処理システムによって実施可能な方法により、特にフレキシブル基板上の薄膜を含む様々なデバイスの製造が改善されることに留意すべきである。例えば、真空処理システムは、薄膜バリア、特に超高バリアスタック又はフレキシブルＴＦＴデバイスの堆積層あるいは層のスタックを提供する。超高バリアスタック又はフレキシブルＴＦＴデバイスは通常、ＰＥＣＶＤ又はＰＶＤ処理あるいはそれらの組合せで堆積される一連の層からできている。様々な膜の品質に対する要求が高いため、単一の膜毎に特別に設計されるシステムで単一の膜を堆積させることが一般用法である。コストを削減し、その応用を商業化可能にするために、本書に記載の真空処理システムは、単一のコータにおいて少なくとも数組の膜あるいは膜の組み合わせの堆積を組み合わせることで改良を行う。更に、真空処理システムのモジュールのコンセプトでは、幾つかの処理モジュールを組み合わせることが可能である（例えば、第１の処理チャンバを含む第１の処理モジュール、第２の処理チャンバを含む第２の処理モジュール、巻き出しモジュール、巻き付けモジュール、及び間紙モジュール）。また、本書に記載の実施形態は、特に同じ装置で様々な異なる処理が行われたとしても、以前のシステムと比べて大幅に高い分離係数を有する改善された処理ガス分離を提供する。以上を考慮すると、本書に記載のいくつかの実施形態によれば、ＯＬＥＤディスプレイ及び／又は照明、フレックスソーラー、又は隣接する環境からの保護を必要とする他の電子デバイスのためのフレキシブル超高バリアを提供することができる。例えば、これには、フレキシブルＴＦＴにおけるエッチング停止、ゲート誘電体、チャネル、ソースゲート及びドレイン電極の堆積が含まれうる。

［００２０９］更に、本書に記載の実施形態は、形状、サイズ、重量、破損しづらさ等の形状因子によって制される新たなディスプレイ用途（例：モバイル機器用ディスプレイ）のために有益に使用され、また構成されうることが理解される。更に、本書に記載の実施形態は、特に本書に記載のＲ２Ｒ処理システムを提供することによって、高スループット及び低コストの製造を提供する。したがって、当業者には、本書に記載の実行形態が、カバーレンズ用途（例：ハードコート、ＡＲ層スタック等）、タッチスクリーン用途（例：ＩＴＯ膜ＴＰ、金属メッシュ等）、ディスプレイ用途（例：量子ドット用バリア膜、ＯＬＥＤディスプレイ等）及び電子機器用途（例：特に２００ｐｐｉ未満のＴＦＴバックプレーン）などの様々な用途のために構成されることが理解される。

［００２１０］具体的には、本書に記載の実施形態は、「カバーガラス」交換品への傷防止コーティング用のＲ２ＲＣＶＤ用途、ＰＴハードコート及び光学コーティング及びタッチパネル用のＲ２ＲＣＶＤ用途、ディスプレイ前面封入用のＲ２ＲＣＶＤ用途、及びＴＦＴバックプレーン及び基板の超高バリア（ＵＨＢ）用のＲ２ＲＣＶＤ用途を提供することが理解される。

［００２１１］例えば、本書に記載の実施形態を、ＳｉＯ_ｘ（例：ハードコート、低屈折率光学層用等）、及び／又はＳｉＮ_ｘ（例：高屈折率光学層用等）を含むタッチパネルの製造用に用いることができる。更に、本書に記載の実施形態を、ＳｉＯ_ｘ（例：基板バリア、デバイスバリア用等）、及び／又はＳｉＮ_ｘ（例：基板バリア、デバイスバリア用等）を含む、超高バリアの製造用に用いることができる。また、本書に記載の実施形態を、ａ−Ｓｉ：Ｈ（例：チャネル層ａ−Ｓｉ用、ＬＴＰＳ用のＥＬＡ−前駆体等）、及び／又はμ−Ｓｉ：Ｈ（例：ａ−Ｓｉ ＴＦＴのＮ＋接触層用等）、及び／又はＳｉＯ_ｘ（例：エッチング停止層用、ＩＧＺＯ用ゲート誘電体等）及び／又はＳｉＮ_ｘ（例：ゲート誘電体用等）を含むフレキシブルＴＦＴディスプレイバリアの製造用に用いることができる。

Claims (15)

1. フレキシブル基板（１０）用の真空処理システム（１００）であって、
   前記フレキシブル基板（１０）を提供するための供給ロール（１１１）を収容するように適合された第１のチャンバ（１１０）と、
   処理後の前記フレキシブル基板（１０）を収めるための巻き取りロール（１２１）を収容するように適合された第２のチャンバ（１２０）と、
   前記フレキシブル基板（１０）を前記第１のチャンバ（１１０）から前記第２のチャンバ（１２０）へガイドするための一または複数のガイドローラ（１０４）を含む基板搬送装置と、
   前記第１のチャンバ（１１０）と前記第２のチャンバ（１２０）との間のメンテナンスゾーン（１３０）であって、前記第１のチャンバ（１１０）及び前記第２のチャンバ（１２０）のうちの少なくとも１つへのメンテナンスアクセス、又は前記第１のチャンバ（１１０）及び前記第２のチャンバ（１２０）のうちの少なくとも１つのメンテナンスアクセスを可能にする、メンテナンスゾーン（１３０）と、
   前記フレキシブル基板（１０）を処理するための第１の処理チャンバ（１４０）と
   を備え、
   前記第１の処理チャンバ（１４０）は少なくとも１つの堆積源（６３０）を備え、
   前記少なくとも１つの堆積源（６３０）は、第１の群のスロット（７１１）及び第２の群のスロット（７１２）を備えるマイクロ波アンテナ（７００）を含み、
   前記第１の群のスロット（７１１）は、前記第２の群のスロット（７１２）と比較して、前記マイクロ波アンテナ（７００）の長さに沿って異なる径方向位置に配置される、
   真空処理システム（１００）。
2. 前記第１の処理チャンバ（１４０）を前記第２のチャンバ（１２０）又は第２の処理チャンバ（２４０）に連結する通路（１５０）を更に備え、前記通路（１５０）は、前記メンテナンスゾーン（１３０）の上又は下に設けられる、請求項１に記載の真空処理システム（１００）。
3. 前記第２の処理チャンバ（２４０）は、前記第２のチャンバ（１２０）が前記メンテナンスゾーン（１３０）と前記第２の処理チャンバ（２４０）との間に設けられるように位置付けされる、請求項２に記載の真空処理システム（１００）。
4. 前記少なくとも１つの堆積源（６３０）は、前記第２の処理チャンバ（２４０）にも設けられており、
   前記第１の処理チャンバ（１４０）及び前記第２の処理チャンバ（２４０）のうちの少なくとも１つは、
   第１の真空処理領域及び少なくとも１つの第２の真空処理領域を通して前記基板（１０）をガイドするための外面を有し、且つ第１の方向に延びる回転軸（１４３）を有する処理ドラム（１４２）を備え、
   前記処理ドラム（１４２）を備える前記第１の処理チャンバ（１４０）及び前記第２の処理チャンバ（２４０）のうちの前記少なくとも１つの内部において、前記少なくとも１つの堆積源（６３０）は、前記処理ドラム（１４２）の水平中心線の高さ又はその下方に配置される、
   請求項２又は３に記載の真空処理システム（１００）。
5. 前記第１の処理チャンバ（１４０）及び前記第２の処理チャンバ（２４０）のうちの少なくとも１つが、前記少なくとも１つの堆積源（６３０）を設ける第１の部分（１４６）と、前記真空処理システムの前記通路（１５０）との連通を可能にする第２の部分（１４７）とを備え、前記第１の部分（１４６）及び前記第２の部分（１４７）が、垂直方向に対して傾斜した線に沿って連結される、請求項４に記載の真空処理システム（１００）。
6. 前記処理ドラム（１４２）に隣接するように加熱デバイス（１３１）が設けられ、前記加熱デバイス（１３１）は、前記フレキシブル基板（１０）を基板の搬送方向（１０８）に垂直の方向に拡張させるように、又は前記基板の拡張を維持するように構成され、且つ、前記加熱デバイスは、前記基板の搬送方向（１０８）に平行の方向に少なくとも２０ｍｍの寸法を有する、請求項４又は５に記載の真空処理システム（１００）。
7. 前記加熱デバイス（１３１）が前記処理ドラム（１４２）とスプレッダローラ（１４４）との間に位置づけされ、前記スプレッダローラ（１４４）は、前記処理ドラム（１４２）の上流又は下流で前記基板に接触する第１のローラである、請求項６に記載の真空処理システム（１００）。
8. 熱調整ユニットを更に備え、前記熱調整ユニット（１３３）は、前記加熱デバイス（１３１）の第１の側面の反対側に位置づけされ、前記熱調整ユニット（１３３）と前記加熱デバイスとは、前記フレキシブル基板（１０）の経路を提供する間隙又はトンネルを形成する、請求項６又は７に記載の真空処理システム（１００）。
9. 前記少なくとも１つの堆積源（６３０）は曲面を有し、前記少なくとも１つの堆積源の前記曲面は、前記少なくとも１つの堆積源が前記処理ドラム（１４２）の表面に対して基本的に平行な面を有するように成形されている、請求項４から８のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。
10. 前記マイクロ波アンテナ（７００）は、前記マイクロ波アンテナ（７００）の長さに沿って設けられた複数のスロット（７１０）を有する細長いスリーブ（７２０）を備え、前記複数のスロット（７１０）は前記第１の群のスロット（７１１）と前記第２の群のスロット（７１２）を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。
11. 基板をガイドするための基板ガイド制御ユニット（３００）を更に備え、前記基板ガイド制御ユニット（３００）は単一のガイドローラ（１０４）を備え、前記単一のガイドローラ（１０４）は、
    調整ユニット（３１０）と、
    前記ガイドローラ（１０４）の第１の端、及び前記第１の端の反対である第２の端において前記基板（１０）の張力を測定するための第１の基板張力測定ユニット（３０１）及び第２の基板張力測定ユニット（３０２）と、
    前記ガイドローラ（１０４）の前記第１の端から測定された張力、及び前記ガイドローラ（１０４）の第２の端で測定された張力を、前記調整ユニット（３１０）を制御するためのコントローラ（５０１）に供給するためのデータ接続部（３１１）と
    を備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。
12. 前記少なくとも１つの堆積源（６３０）が、
    前記処理ドラム（１４２）の外面に対向する表面を有する電極（６０２）と、
    前記電極の表面の対向する側面に配置された処理ガス注入口（６１２）及び処理ガス排気口（６１４）と、
    一または複数の分離ガス注入開口部を有する少なくとも１つの分離ガス注入口（１８４２）であって、前記処理ガス注入口（６１２）及び／又は前記処理ガス排気口（６１４）が前記一または複数の分離ガス注入開口部及び前記電極の表面との間に設けられるように、前記一または複数の分離ガス注入開口部が少なくとも前記電極（６０２）の表面の対向する側面のうちの１つに設けられる、少なくとも１つの分離ガス注入口（１８４２）と
    を備える、請求項４から９のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。
13. 前記少なくとも１つの堆積源（６３０）と前記処理ドラム（１４２）の外面との間の距離を調整するように構成されたアクチュエータ（３７４）を更に備える、請求項４から９及び１２のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。
14. 前記処理ドラム（１４２）の外面とガス分離ユニット（３７０）との間で前記基板（１０）が通過することができるスリット（２０）を形成するように適合された前記少なくとも１つの第２の真空処理領域から前記第１の真空処理領域を分離させるためのガス分離ユニット（３７０）を更に備え、前記ガス分離ユニット（３７０）は、前記第１の真空処理領域と前記第２の真空処理領域との間の流体連結を制御するように適合され、前記流体連結は、前記ガス分離ユニット（３７０）の位置を調整することによって制御される、請求項４から９、１２及び１３のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。
15. 請求項１から１４のいずれか一項に記載の真空処理システムを使用してフレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法（９００）であって、
    処理ドラムの外面の上で前記フレキシブル基板をガイドすること（９０１）と、
    少なくとも第１の堆積源の反対側の側面の少なくとも２つの位置において分離ガスを供給すること（９０２）と、
    前記少なくとも２つの位置の間で処理ガスを供給し前記処理ガスを排気すること（９０３）と、
    前記第１の堆積源と少なくとも１つの第２の堆積源との間の少なくとも１つの真空排気口においてポンプ操作を行うこと（９０４）と
    を含む方法（９００）。

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