CN103993291A - 多层式掩模 - Google Patents

Abstract

本发明首先涉及到一种在CVD反应器(1)的处理室(2)中的能放置在基材(13)上的掩模(3)，在处理室中在支承至少一个基材(13)的基座(14)的上方形成竖直的温度梯度，所述掩模具有掩模体(4)，其高度维度(H)比其平面维度延伸小很多，并具有至少一个窗口(5)，所述窗口的边缘(6)决定了沉积在基材(13)上的层(15)的边缘(16)。为了改善特别是在边缘区域内的层生长的质量，建议掩模体(4)在高度维度方向(H)上具有互相重叠的层(7、8、9、10)并且在高度维度方向(H)上具有比在平面维度方向上更小的导热性。此外本发明还涉及该掩模的应用。

Description

多层式掩模

技术领域

本发明涉及到一种在CVD(化学气相沉积)反应器的处理室中可以放置在基材上的掩模，在所述处理室中，在支承至少一个基材的基座的上方形成竖直的温度梯度，所述掩模具有掩模体，该掩模体的高度维度明显小于其平面维度并具有至少一个窗口，该掩模体的边缘限定了沉淀在所述基材上的层的边缘，其中，所述掩模体在高度维度方向上具有互相重叠的层并且在高度维度方向上具有比在平面维度方向上更小的导热性，其中，在直接互相重叠的层之间布置有自由空间，所述自由空间避免了直接互相重叠的层之间的热传递。

背景技术

从文献US2004/0086639A1中可知一种由多个层构成的掩模，其中，各层由布置在掩模边缘上的间隔部件互相保持间距地支承。每一层形成窗口，其中，相应的窗口被竖直地重叠布置。

文献US2005/0037136A1阐述了一种多层式的掩模，其中，放置在基材上的层通过冷却剂被冷却，而朝向处理室的层可以被加热并通过隔热元件与掩模的下部区段相连。

文献US2004/0142625A1阐述了一种具有圆环形开口的掩模。从文献US2003/0087471A1中可知一种掩模，在这种掩模中，点阵结构形成窗口。文献US2012/0190183A1阐述了一种涂覆装置和一种涂覆方法，其中使用两种互相不同的带有不同窗口的掩模。

在文献US2013/0015444中阐述了掩模在用于层结构沉积的沉积过程的应用情况。文献US5,744,214和文献US3,574,012阐述了通过照相平板印刷的构造法和蚀刻法制成的多层式掩模。

掩模被用于在基材上的层沉积。所述掩模具有窗口，所述窗口定义出待沉积在基材上的层的面积。掩模体的包围窗口的区域平整地位于基材上。如同由文献US7,802,537B2或者文献US2007/0184745A1所描述的那样，现有技术中的掩模具有通常由低膨胀钢制成的掩模体。为了对层进行沉积，在被布置在所设基材上方的处理室中导入处理气体。所述处理气体可以由多种组分组成。基材位于基座上，所述基座具有与被布置在基座上方的进气机构不同的温度，通过所述进气机构将处理气体导入处理室中。

这种掩模被用于析出OLED(有机发光二级管)层。所述掩模尤其被应用在沉积过程中，在这个过程中由一种或者多种组分组成的处理气体通过被加热的进气机构导入处理室中。支承基材的基座在此过程中被冷却。位于基座上的基材同样被冷却，从而使所述基材具有这样的表面温度，在该温度下可以使以气相形式中被导入的处理气体的组分冷凝。位于基材上的掩模体同样被冷却，从而在该掩模体的表面上、特别是在边缘部位上产生生长。这里观察到在窗口内侧的边缘向内指向地生长，从而使层的边缘“发毛模糊”(“ausfransen”)。

为了使金属有机物层、例如GaN层发生沉积，通过被冷却的、可以具有喷头形式的进气机构将处理气体导入处理室中。所述处理气体由TMGa(三甲基镓)和氨气组成。这两种成分与载体气、例如氢气或者氮气一起被导入处理室中。所述基座被加热到反应温度，在这个温度上金属有机物成分和氢化物互相反应。由于所述基材平面地放置在基座上，使得基材表面也被加热，从而可以在基材表面上发生表面反应。放置基材上的掩模同样被加热。所述掩模的表面同样达到这样的温度，在该温度下气体组分互相反应，从而使层生长不仅仅在基材的表面，而且也在掩模的表面、特别是在掩模的边缘区域内发生。

这造成以下后果，即层的边缘由于在掩模边缘的朝窗口内指向的生长发生“发毛模糊。”

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，对所述掩模进行进一步改进，从而改善特别是在边缘区域内的层生长的质量。

所述技术问题是通过一种在化学气相沉积反应器的处理室中能放置在基材上的掩模解决的，在所述处理室中，在支承至少一个基材的基座的上方形成竖直的温度梯度，所述掩模具有掩模体，所述掩模体的高度维度比其平面维度小很多，并具有至少一个窗口，所述窗口的边缘决定了沉积在所述基材上的层的边缘，其中，所述掩模体在高度维度方向上具有互相重叠的层，并且在高度维度方向上具有比在平面维度方向上更小的导热性，其中，在所述直接互相重叠放置的层之间设有自由空间，所述自由空间减少所述直接互相重叠放置的层之间的热传递，其中，所述直接互相重叠放置的层仅仅部分地在岛状的接触区上接触，并且在所述接触区之间形成自由空间。

其中，所述接触区所要求的面积大约相当于所述掩模的总面积的5％。

其中，所述自由空间的体积、特别是在高度维度方向上测得的夹缝高度是通过层的互相邻接的表面的粗糙度决定的。

其中，所述层的互相相邻放置的表面其中至少一个的平均粗糙高度为50μm。

其中，所述窗口的边缘由放置在基材上的密封部件构成。

其中，所述密封部件是有弹性的密封型材件，所述密封部件借助区段贴靠在基材表面上，与位于最上方的层相邻，并且在窗口的整个轮廓上延伸。

其中，所述窗口的边缘由放置在所述基材上并且与位于最上方的层邻接的密封部件构成。

其中，两个直接互相重叠放置的层通过所述间隔部件互相分隔，所述间隔部件尤其被直接与密封部件相邻布置。

其中，所述层具有互相不同的材料或者相同的材料。

其中，所述掩模体的朝向处理室的一侧被涂黑。

其中，所述掩模体的朝向基材的一侧被抛光。

其中，内部的所述层的表面被抛光。

其中，远离所述窗口布置有使所述层互相夹紧的夹紧装置，其中，所述夹紧装置距窗口的距离尤其约为60mm至70mm。

其中，所述掩模体借助固定部件被固定在掩模架上，从而使所述层可以发生侧面的热膨胀。

所要解决的技术问题通过根据本发明的掩模对于在基材上沉积出层的应用被解决，其中，在小于1mbar的气体总压下、优选的在处于0.1mbar至0.2mbar之间的范围内的气体总压下实施涂覆。

首先且主要建议，所述掩模体由多个互相重叠布置的层组成。所述层可以由金属板制成。可以重叠布置三至十层板。所述板可以由金属制成。例如可以使用与应用在传统的掩模上的相同的金属，例如低膨胀钢。使用低膨胀钢的原因在于，它在20℃至100℃的温度范围内具有很小的热膨胀系数。但是作为用于掩模的层的材料也可以考虑铝或者不锈钢。互相重叠布置的板可以具有厚至1mm的材料厚度。所述板可以具有不同的材料厚度，则可以例如有三层板互相重叠，所述板的材料厚度为0.8mm/0.5mm/0.8mm。掩模的层式结构造成掩模的导热性能的变化。在平面维度方向上，所述掩模由大体不中断的金属层、例如薄的金属层构成。因此掩模体在掩模的平面维度方向上具有与金属的导热性相应的导热性。所述层可以直接互相重叠地布置。所述层可以平面地、例如仅仅局部接触地互相重叠。所述板的夹紧远远地在窗口面的外部实现。因此一方面尤其在窗口面的边缘区域内限制所述板彼此间的形状配合连接，这带来所述板之间很小的热传递。另一方面，夹紧装置到窗口面的几何距离阻止通过板的热传导将热量输入到所述夹紧装置上。在本发明的这种变形方式中，在各个板之间例如由于层的不可避免的表面粗糙度而存在自由空间，所述自由空间起到隔热的作用。所述表面粗糙度(支承面内部的粒径)通常大约为50μm。由此得到尺寸等级相同的板距离。直接互相重叠的面之间的接触面所占的比例大约为总面积的5％。平均粗糙高度优选位于10μm至100μm之间的范围内。所述处理室内部的气体压力优选低于1mbar。所述气体压力通常为0.1mbar至0.2mbar。在这个总压力下通过位于板之间的气体所进行的热传递减小。因此在掩模的高度维度方向上的导热性比掩模的平面维度方向小。所述掩模在高度维度方向上具有不均匀的结构，从而使导热性是在整体高度维度方向上取平均的单位导热性。该单位导热性比在平面维度方向上的单位导热性小。掩模体的各个层可以不仅仅由金属制成，也可以由其他的材料、例如由陶瓷材料制成。可以将具有互相不同的材料的层重叠布置。所述层仅仅松散地互相连接，并可以在平面维度方向上发生发生有限的相对运动，从而避免由掩模体中的竖直温度梯度造成的变形。在使用掩模时基于所述层式结构而在掩模上产生位于基材温度与进气机构温度之间的表面温度。所述掩模朝向处理室的表面的表面温度优选具有高于或者低于输入处理室中的处理气体的表面反应温度的值。由于所述掩模体沿处理室中的温度梯度方向导热性降低，至少减小、优选完全阻断了掩模上侧上的层生长。这样，根据本发明的掩模不仅具有遮盖的功能，利用所述掩模还阻止窗口区域外部的气相的贫化。为了保证最优的气流(所述气流也可以实现对边缘区域的涂覆)，掩模的高度在2mm的范围内。当在已被冷却的基材上使用所述掩模，则掩模的表面温度比层生长时的温度高，从而使在窗口边缘范围内的寄生生长被明显减小。当在析出过程中使用所述掩模被(在这个过程中基材被加热，而进气机构被冷却)，则在掩模表面上产生比层生长所需温度更低的温度，从而使在这种使用情况中在窗口的边缘范围内的寄生生长也被减小。层之间的各个间隙中间区域允许相邻层的两个重叠对置表面之间的温度差达到60℃。但是垂直高度以及各个自由空间的体积是通过表面粗糙度定义的。通过粗糙度的结构同样确定了两个互相重叠的层的部分接触区的面积大小、特别是岛状的接触区域的面积的大小。所述层也可以由板状的部件构成。

此外，本发明还涉及对窗口的侧棱的改进。根据本发明窗口的边缘具有密封部件，所述密封件利用区段放置在基材上侧上，并一直邻接到最上一层。这里可以是有弹性的密封部件，特别优选的是例如呈密封唇或者密封软管形式的密封型材件。所述密封部件构成窗口邻接在基材表面上的边缘。所述密封部件具有这样的区段，密封部件借助所述区段放置在基材表面上。互相重叠的层可以仅仅局部地在岛状的接触区上接触或者通过间隔部件互相间隔，从而在所述层之间形成自由空间。所述间隔部件可以被直接与密封部件相邻布置，其中，所述密封部件大体在掩模的整个材料厚度上延伸。所述掩模体的上侧可以被涂黑，但是它也可以被抛光。所述掩模的背面可以被抛光，但是它也可以被涂黑。

在一种优选的设计方式中，位于最上面的层的背面被抛光。内部的层的表面同样可以被抛光。当所述掩模由多个直接互相重叠的层组成时，则基于所述层的自然的表面粗糙度(该表面粗糙度是由或者说是通过与公差有关的相对于表面平整度的误差造成的)形成了层间隙。夹缝间隙具有微米级别的缝隙宽度。这里涉及微小夹缝。所述夹缝的高度在50μm的平均表面粗糙度的范围内。在本发明的一种优选的设计方式中，被涂黑的表面具有大约为0.95的发射率。所述板优选由铝制成。抛光的中间板可以具有大约0.05的发射率。所述抛光的中间板可以由抛光的铝制成，但是也可以由未经处理的钢板制成，所述钢板的表面具有0.25的发射率。

在本发明的一种改进方式中规定，各个层通过间隔部件互相间隔。借助所述间隔部件可以调整层宽度。所述间隔部件尤其可以被设计在窗口的边缘上。但是所述间隔部件也可以被布置在掩模体的平面维度方向上的x轴的任意位置上。通过所述间隔部件形成具有特定的夹缝宽度的夹缝间隙。所述间隔部件可以以常规的布置方式被布置在由薄板形成的层之间。

属于现有技术的掩模可以被使用于最多大约20个工艺周期，借助根据本发明的掩模可以显著提高工艺周期的数量，最多可以达到2000个工艺周期。由此不只直接带来关于掩模自身的优点，更可以简化整体的系统结构，因为可以简化层沉积法的自动化。

附图说明

本发明的实施例将在下文中借助所附的附图进行阐述。在附图中：

图1示意性示出了沿图2中的剖切线I-I所得的CVD反应器的纵截面；

图2示出了放置在基材13上的掩模3的俯视图；

图3示出了第一实施例的图1中的III-III截面的放大图；

图4示出了图1中的IV-IV截面的放大图；

图5示出了第二实施例的根据图3的示图；

图6示出了第三实施例的根据图3的示图。

具体实施方式

图1示意性地示出了CVD反应器1的结构。但是这也可以是PVD(物理蒸汽沉积)反应器。所述反应器1具有相对于外部环境密封的反应器壳体，从而可以在所述壳体的内部、特别是在处理室2中形成低压。所述处理室2的上侧由进气机构17构成，所述进气机构具有多个喷头状的出气口18。在所述出气口18的上方布置气体分配空腔，通过气体输入管路19为所述气体分配空腔供给具有一种或者多种组分的处理气体。调温部件21位于具有出气口18的进气板中。该调温部件21可以是调温液体所流经的管路，用以对所述进气机构17的出气面进行冷却或者加热。但是为了加热进气机构17，调温部件21也可以由加热螺旋管构成。

基座14构成所述处理室2的底面。所述基座14同样具有调温部件20。所述调温部件20可以是调温液体所流经的管路。所述基座14根据调温液体温度的不同而被冷却或者加热。这里，所述调温部件20也可以由加热螺旋管构成。

根据在处理室2的内部所要进行的沉积工艺的不同，或者基座14被冷却而进气机构17被加热，或者进气机构17被冷却而基座14被加热。无论如何在进气机构17与基座14之间都产生竖直的温度梯度。

放置基座14的上侧上的基材13的表面温度升高到一定水平或者下降到一定水平，从而能通过表面反应使层能沉积在所述基材13朝向处理室2的一侧上，其中，所述层的组成成分由导入处理室2的处理气体提供。该反应可以是冷凝作用，但是也可以是化学的表面反应。

在基材13的上侧布置一个掩模3。所述掩模3具有扁平的掩模体4，所述掩模体具有至少一个窗口5，所述窗口的轮廓形状决定了沉积在基材13上的层15的轮廓形状。这样，所述窗口5的边缘6决定了层15的边缘16。

所述掩模体4的边缘与掩模架11相连。所述掩模架11支承在支座27上。在该实施例中，所述掩模架11环形地包围圆盘形的基座14。

利用附图标记24标注高度调节元件。利用附图标记28标注固定部件，借助所述固定部件将掩模体4固定在掩模架11上。

从图4可以看出，所述调节元件24带有侧面间隙地穿过掩模体4的孔25。所述固定部件28同样带有侧面间隙地穿过掩模体4的孔，从而使掩模可以发生热膨胀。

图3示出了根据本发明的掩模的第一实施例。所述掩模由四个互相重叠的层7、8、9、10组成。为清楚起见，各个层的表面粗糙度被特别放大示出。在各直接互相重叠的层7、8；8、9；9、10之间形成微小夹缝22，所述微小夹缝形成竖直方向上的传热屏障。各个层7、8、9、10可以由低膨胀钢、铝或者不锈钢制成，但是也可以由互相不同的材料制成。位于最下方的层10平面地位于基材13的表面上。所述各个层7、8、9、10可以具有小于1毫米的层厚度。由层厚为0.8mm/0.5mm/0.8mm的不锈钢板制成的三个层可以构成层组。但是所述层厚也可以稍大于1厘米。位于最上方的层7构成窗口5的边缘6的区段。在最上方的层7的下方布置密封型材件12，所述密封型材件由有弹性的材料制成并且借助固定区段23嵌入两个不直接相互重叠的层7、9之间的夹缝中。所述密封型材件12借助下表面支承在基材13的表面上。所述密封件12在窗口5的整个轮廓上延伸。

在图3所示的实施例中，所述层7、8、9、10直接接触地互相重叠，相较而言，在图5所示的第二实施例中，层7、8、9通过间隔部件26互相分隔，从而在直接互相重叠的层7、8以及8、9之间形成夹缝自由空间，所述夹缝自由空间的夹缝高度由间隔部件26的材料厚度决定。所述密封型材件12在这里也具有呈环形封闭室形式的内部自由空间和位于两个层7、8之间的固定区段23。所述固定区段23的材料强度这里与间隔部件26的材料强度相当。

所述掩模体4的层式结构的作用在于，掩模在竖直方向上具有比在平面维度方向上更小的导热性。

图6中所示的第三实施例示出了一种大体也已在图3中示出过的掩模结构。但是所述密封型材件12在这里具有更大的高度，从而使所述掩模仅仅通过密封型材件12支承在基材13上。因此使位于最下方的层10具有相对于基材13的表面的夹缝30。

根据本发明掩模被应用在0.1mbar至0.2mbar之间的压力范围内。所述夹紧装置28、24至窗口5的距离大约为60mm至70mm。

借助根据本发明的掩模可以实施层生长工艺，还避免了在该工艺中的气相贫化。这尤其体现在掩模被应用在CVD反应器中的情况下，处理气体从水平方向穿流过所述CVD反应器。由于在掩模朝向处理室的表面上的生长减少，与现有技术的情况相比，气相在流入方向上的贫化现象更少。

上述的实施方式用于阐述由本申请总体得到的发明，该发明至少通过以下特征组合分别实质性地对现有技术进行改进，即：

掩模，其中，直接互相重叠放置的层7、8、9、10仅仅局部地在岛状的接触区上接触，并在所述接触区之间形成自由空间22。

掩模，其中，所述接触区所要求的面积大约等于掩模的总面积的5％。

掩模，其中，所述自由空间22的体积、特别是在高度维度方向H上测量的夹缝高度是通过层7、8、9、10的互相邻接的表面的粗糙度决定的。

掩模，其中，所述层7、8、9、10的互相邻接的表面中至少一个的平均粗糙高度为50μm。

掩模，其中，所述窗口5的边缘6是由放置在基材13上的密封部件12构成的。

掩模，其中，所述密封部件12是有弹性的密封型材件，所述密封部件利用区段贴靠在基材表面上，与位于最上方的层7邻接，并且在窗口5的整个轮廓上延伸。

掩模，其中，所述窗口5的边缘6由放置在基材13上并且与位于最下方的层7邻接的密封部件12构成。

掩模，其中，两个直接互相重叠的层7、8、9、10通过间隔部件26互相分隔，所述间隔部件尤其被直接与密封部件12相邻布置。

掩模，其中，所述层具有互相不同的材料或者相同的材料。

掩模，其中，所述掩模体4的朝向处理室2的一侧被涂黑。

掩模，其中，所述掩模体4的朝向基材13的一侧被抛光。

掩模，其中，内部的层8、9的表面被抛光。

掩模，其中，远离所述窗口5布置有夹紧装置，层7、8、9、10借助所述夹紧装置被互相夹紧，其中，所述夹紧装置距离窗口的距离尤其约为60至70毫米。

掩模，其中，所述掩模体4借助固定部件28被固定在掩模架11上，从而使层7、8、9、10可以发生侧面的热膨胀。

掩模的应用，其中，在小于1毫巴的气体总压下、优选在处于0.1mbar至0.2mbar之间的范围内的气体总压下进行涂覆。

所有公开的特征(本身)都是具有发明意义的。为此也将所属/所附的优先文件(在先申请文件的副本)的完整公开内容一起包括在本发明的公开内容内，出于此目的，也将所述文件的特征一起包含进在上述申请的权利要求中。从属权利要求以其特征阐述对现有技术的实质性和具有独创性的改进，特别可以基于这些权利要求进行分案申请。

附图标记清单

1   CVD(化学气相沉积)反应器

2   处理室

3   掩模

4   掩模体

5   窗口

6   边缘

7   层

8   层

9   层

10  层

11  掩模架

12  密封型材件

13  基材

14  基座

15  层

16  层边缘

17  喷头或进气机构

18  出气孔

19  输入管路

20  调温部件

21  调温部件

22  微小夹缝

23  固定区段

24  调节部件

25  孔

26  间隔部件

27  支座

28  固定部件

30  夹缝

H   高度维度

Claims (15)

1.一种在化学气相沉积反应器(1)的处理室(2)中能放置在基材(13)上的掩模(3)，在所述处理室中，在支承至少一个基材(13)的基座(14)的上方形成竖直的温度梯度，所述掩模具有掩模体(4)，所述掩模体的高度维度(H)比其平面维度小很多，并具有至少一个窗口(5)，所述窗口的边缘(6)决定了沉积在所述基材(13)上的层(15)的边缘(16)，其中，所述掩模体(4)在高度维度方向(H)上具有互相重叠的层(7、8、9、10)，并且在高度维度方向(H)上具有比在平面维度方向上更小的导热性，其中，在所述直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)之间设有自由空间(22)，所述自由空间减少所述直接互相重叠放置的层之间的热传递，其特征在于，所述直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)仅仅部分地在岛状的接触区上接触，并且在所述接触区之间形成自由空间(22)。

2.根据权利要求1的掩模，其特征在于，所述接触区所要求的面积大约相当于所述掩模的总面积的5％。

3.根据上述任一项权利要求所述的掩模，其特征在于，所述自由空间(22)的体积、特别是在高度维度方向(H)上测得的夹缝高度是通过层(7、8、9、10)的互相邻接的表面的粗糙度决定的。

4.根据权利要求3所述的掩模，其特征在于，所述层(7、8、9、10)的互相相邻放置的表面中至少一个的平均粗糙高度为50μm。

5.根据上述任一项权利要求所述的掩模，其特征在于，所述窗口(5)的边缘(6)由放置在基材(13)上的密封部件(12)构成。

6.根据权利要求5所述的掩模，其特征在于，所述密封部件(12)是有弹性的密封型材件，所述密封部件借助区段贴靠在基材表面上，与位于最上方的层(7)相邻，并且在窗口(5)的整个轮廓上延伸。

7.一种在化学气相沉积反应器(1)的处理室(2)中能放置在基材(13)上的掩模(3)，在所述处理室中，在支承至少一个基材(13)的基座(14)的上方形成竖直的温度梯度，所述掩模具有掩模体(4)，所述掩模体的高度维度(H)比其平面维度小很多，并具有至少一个窗口(5)，所述窗口的边缘(6)决定了沉积在所述基材(13)上的层(15)的边缘(16)，其中，所述掩模体(4)在高度维度方向(H)上具有互相重叠放置的层(7、8、9、10)，并且在高度维度方向(H)上具有比在平面维度延伸方向上更小的导热性，其中，在直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)之间设有自由空间(22)，所述自由空间减少直接互相重叠放置的层之间的热传递，其特征在于，所述窗口(5)的边缘(6)由放置在所述基材(13)上并且与位于最上方的层(7)邻接的密封部件(12)构成。

8.根据权利要求7所述的掩模，其特征在于，两个直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)通过所述间隔部件(26)互相分隔，所述间隔部件尤其被直接与密封部件(12)相邻布置。

9.根据上述任一项权利要求所述的掩模，其特征在于，所述层具有互相不同的材料或者相同的材料。

10.根据上述任一项权利要求所述的掩模，其特征在于，所述掩模体(4)的朝向处理室(2)的一侧被涂黑。

11.根据上述任一项权利要求所述的掩模，其特征在于，所述掩模体(4)的朝向基材(13)的一侧被抛光。

12.根据上述任一项权利要求所述的掩模，其特征在于，内部的所述层(8、9)的表面被抛光。

13.根据上述任一项权利要求所述的掩模，其特征在于，远离所述窗口(5)布置有使所述层(7、8、9、10)互相夹紧的夹紧装置，其中，所述夹紧装置距窗口的距离尤其约为60mm至70mm。

14.根据上述任一项权利要求所述的掩模，其特征在于，所述掩模体(4)借助固定部件(28)被固定在掩模架(11)上，从而使所述层(7、8、9、10)可以发生侧面的热膨胀。

15.根据上述任一项权利要求所述的掩模被应用于在基材上沉积出层，其特征在于，在小于1mbar的气体总压下、优选的在处于0.1mbar至0.2mbar之间的范围内的气体总压下实施涂覆。