CN102460744B - 具有反射结构的半导体发光二极管及其制造方法 - Google Patents

具有反射结构的半导体发光二极管及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102460744B
CN102460744B CN201080026730.9A CN201080026730A CN102460744B CN 102460744 B CN102460744 B CN 102460744B CN 201080026730 A CN201080026730 A CN 201080026730A CN 102460744 B CN102460744 B CN 102460744B
Authority
CN
China
Prior art keywords
contact
light
negative electrode
layer
anode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201080026730.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102460744A (zh
Inventor
M·多诺弗里欧
J·艾贝森
Z·J·姚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kerui Led Co
Original Assignee
Cree Research Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Research Inc filed Critical Cree Research Inc
Publication of CN102460744A publication Critical patent/CN102460744A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102460744B publication Critical patent/CN102460744B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Abstract

发光二极管包括二极管区域，二极管区域具有相对的第一面(110a)和第二面(110b)，并且在其中包括n型层(112)和p型层(116)，发光二极管还包括电阻性地接触p型层(114)并且在第一面上延伸的阳极接触件(130)，以及电阻性地接触n型层(112)并且也在第一面上延伸的阴极接触件(150)。阳极接触件和/或阴极接触件可以进一步在第一面上提供混合反射结构，混合反射结构被设置用于将从第一面发出的基本上所有的光都反射回第一面。还介绍了相关的制造方法。

Description

具有反射结构的半导体发光二极管及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请是2007年11月14日提交、申请号为11/985,410、发明名称为“Wire Bond Free Wafer Level LED”的美国专利申请以及2008年12月8日提交、申请号为12/329,713、发明名称为“LightEmitting Diode With ImprovedLight Extraction”的美国专利申请的部分继续申请，因此通过引用将以上两篇文献的公开内容并入本文，就像已将它们的全部内容列入本文一样。
关于联邦资助研究或开发的声明
本发明是商务部合同号为70NANB4H3037的政府支持研发项目。政府对本发明拥有一定的权利。
技术领域
本发明涉及半导体发光设备及其制造方法，并且更具体地涉及半导体发光二极管(LED)及其制造方法。
背景技术
半导体发光二极管是在向其施加电压后能够发光的公知的固态发光元件。LED通常包括二极管区域，二极管区域具有相对的第一面和第二面，并且在其中包括n型层、p型层和p-n结。阳极接触件电阻性接触p型层并且阴极接触件电阻性接触n型层。二极管区域可以被外延地形成在基板例如蓝宝石、硅、碳化硅、砷化镓、氮化镓等的生长基板上，但是完成的设备也可以不包括基板。二极管区域可以例如由基于碳化硅、氮化镓、磷化镓、氮化铝和/或基于砷化镓的材料制成和/或由基于有机半导体的材料制成。最后，由LED放射的光可以在可见光或紫外线(UV)区域内，并且LED可以包括波长转换材料例如磷光体。
LED正日益广泛地用于发光/照明应用中，其中一个最终目标是替代普遍存在的白炽灯泡。
发明内容
根据不同实施例的发光二极管包括二极管区域，二极管区域具有相对的第一面和第二面并且在其中包括n型层和p型层，电阻性接触p型层并且在第一面上延伸的阳极接触件以及电阻性接触n型层并且也在第一面上延伸的阴极接触件。阳极接触件和/或阴极接触件进一步包括第一面上的反射构件，被设置用于将从第一面发出的基本上所有的光都反射回第一面。在某些实施例中，反射构件将从第一面区域发出的至少90％的光反射回第一面。而且，反射构件自身可以被设置用于反射至少90％投射在其上的光。因此，本发明的实施例可以提供在其指定面和整体反射构件上都有接触件的横向发光二极管。横向发光二极管可以在倒装芯片结构中使用，以使接触件可以被用于将LED安装在封装基板上并且光从发光二极管中不同于第一面的面发出。
在某些实施例中，反射构件包括电阻性接触p型层的阳极接触件的反射面、阴极接触件的反射面以及阴极接触件延长段的反射面。反射构件进一步包括在阴极接触件及其延长段下方的透明绝缘层。在这些实施例的一部分当中，隔离层可以被设置在阳极接触件包括其侧壁上，并且反射构件能够将从第一面发出的所有的光都反射回第一面，由阳极接触件侧壁上的隔离层吸收的光除外。在其他的实施例中，阳极接触件是透明的，并且反射构件进一步包括延伸到透明阳极接触件上的阴极接触件延长段的反射面。透明绝缘层也可以延伸在透明阳极接触件上的阴极接触件延长段下方。在这些实施例的一部分当中，电流扩展层可以被设置在透明阳极接触件上并且反射构件能够将从第一面发出的所有的光都反射回第一面，由电流扩展层吸收的光除外。
在任意的这些实施例中，透明基板均可被设置在第二面上，以使光从透明基板发出。透明基板可以包括远离二极管区域的外表面，并且外表面可以在其第一部分进行与其第二部分不同的纹理化以便提供用于发光二极管的方向指示标志。
在其他的实施例中，阳极垫片被电连接至阳极接触件并且阴极垫片被电连接至反射性阴极接触件。阳极垫片和阴极垫片以彼此接近地间隔开的关系在第一面上延伸从而界定出其间的间隙。而且，在某些实施例中，发光二极管被倒装安装在安装基板上以使阳极垫片和阴极垫片靠近安装基板，并且二极管区域远离安装基板。
根据其他实施例的发光二极管包括其中包含n型层和p型层的二极管区域，以及用于n型层或p型层之一的接触件。接触件在n型层或p型层之一上包括透明绝缘层，透明绝缘层具有比n型层或p型层之一更小的折射率。反射层电接触n型层或p型层之一并在透明绝缘层上延伸。在某些实施例中，反射层通过延伸穿过透明绝缘层并在透明绝缘层上延伸而电接触n型层或p型层之一。在其他的实施例中，反射层电阻性接触n型层或p型层之一。透明绝缘层和反射层可以提供混合反射构件或“混合镜面”，其中下层透明绝缘层提供折射率失配或折射率阶变，与缺少下层透明绝缘层相比，用于增强来自二极管区域的全内反射(TIR)。
在另一些实施例中，接触件是第一接触件且反射层是第一反射层，并且发光二极管进一步包括用于n型层或p型层中另一者的第二接触件。第二接触件包括电阻性接触n型层或p型层中另一者的第二反射层。在另一些实施例中，用于n型层或p型层中另一者的第二接触件包括电阻性接触n型层或p型层中另一者的透明导电层，并且透明绝缘层和反射层都延伸到透明导电层上。在某些实施例中，透明导电层具有介于n型层或p型层中另一者和透明绝缘层之间的折射率。而且，在任意的这些实施例中，第一和第二接触件均可从二极管区域的第一面上伸出并且透明基板可以设置在第二面上，其具有与二极管区域大致相同的折射率。基板由此就能够增强光提取。
根据另一些实施例的发光二极管包括二极管区域，二极管区域具有相对的第一面和第二面并且包括n型层和p型层。反射性阳极接触件电阻性接触p型层并且在第一面上延伸。反射性阴极接触件也电阻性接触n型层并且在第一面上延伸。反射性阳极接触件和反射性阴极接触件被设置用于将从第一面发出的基本上所有的光都集中反射回第一面。反射性阳极接触件可以包括如上所述的反射层和隔离层。在其他的实施例中，反射性阴极接触件可以包括如上所述的透明绝缘层和反射层。
根据又一些实施例的发光二极管包括二极管区域，二极管区域具有相对的第一面和第二面并且在其中包括n型层和p型层。阳极接触件电阻性接触p型层并且在第一面上延伸。透明绝缘层在阳极接触件外侧的第一面上延伸。反射性阴极接触件电阻性接触n型层并且延伸穿过透明绝缘层再延伸到阳极接触件外侧的透明绝缘层上以用反射性阴极接触件基本上覆盖阳极接触件外侧所有的第一面并且也用反射性阴极接触件覆盖至少一部分阳极接触件。而且，某些实施例包括伸入第一面内以露出n型层的通孔并且透明绝缘层伸入通孔内。反射性阴极接触件也在透明绝缘层上伸入通孔内以电接触在通孔内露出的n型层。透明绝缘层和反射层可以提供混合反射构件或“混合镜面”，其中下层透明绝缘层提供折射率失配或折射率阶变，与缺少下层透明绝缘层相比，用于增强来自二极管区域的全内反射(TIR)。
在某些实施例中，反射性阴极接触件直接电阻性接触n型层。但是，在其他的实施例中，电阻性接触件被设置为直接电阻性接触n型层并且反射性阴极接触件位于电阻性接触件上。而且，在某些实施例中，透明绝缘层可以包括多个透明子层以提供例如分布式布拉格(Bragg)反射器和/或反射层可以包括多个子层。
某些实施例包括反射性阳极接触件，而其他的实施例包括透明的阳极接触件。因此，在某些实施例中，阳极接触件包括电阻性接触p型层并且在第一面上延伸的反射性阳极接触件。反射性阳极接触件可以包括侧壁，并且发光二极管可以进一步在反射性阳极接触件包括其侧壁上包括隔离层。
在其他的实施例中，阳极接触件包括电阻性接触p型层并且在第一面上延伸的透明阳极接触件。电流扩展层也可以被设置在一部分透明阳极接触件上。透明绝缘层可以延伸到透明阳极接触件上并且反射性阴极接触件也可以延伸到透明阳极接触件上的透明绝缘层上以用反射性阴极接触件覆盖至少一部分透明阳极接触件。而且，由于电流扩展层是在一部分透明阳极接触件上存在，因此透明绝缘层可以延伸到位于所述部分外侧的透明阳极接触件上并且反射性阴极接触件也可以延伸到位于所述部分外侧的透明阳极接触件上的透明绝缘层上以用反射性阴极接触件覆盖位于所述部分外侧的透明阳极接触件。
上述的任何实施例均可包括被电连接至阳极接触件的阳极垫片以及被电连接至反射性阴极接触件的阴极垫片。阳极垫片和阴极垫片可以用彼此接近地间隔开的关系在第一面上延伸从而界定出其间的间隙。在某些实施例中，阳极垫片和阴极垫片均在反射性阳极接触件上延伸并且反射性阳极接触件在其中包括与间隙相对应的断点，从而允许阴极垫片和阳极垫片彼此电绝缘。在这些实施例中，发光二极管可以进一步包括与阳极垫片和/或阴极垫片绝缘并且延伸跨越断点的反射层。而且，在某些实施例中，反射性阴极接触件也提供了电镀籽晶层，并且阳极和阴极垫片是籽晶层上的电镀阳极和阴极垫片。在其他的实施例中，可以设置单独的电镀籽晶层。在另一些实施例中，发光二极管被倒装安装在安装基板上以使阳极垫片和阴极垫片靠近安装基板，并且二极管区域远离安装基板。
在其他的实施例中，可以在第二面上包括透明基板。透明基板可以包括远离二极管区域的外表面。透明基板能够增强光提取。外表面可以在其第一部分进行与其第二部分不同的纹理化以便提供用于发光二极管的方向指示标志。在另一些实施例中，可以不包括基板，并且二极管区域中相对的第二面可以被纹理化为具有或不具有方向指示标志。
根据另一些实施例的发光二极管包括二极管区域，二极管区域具有相对的第一面和第二面并且在其中包括n型层和p型层。透明阳极接触件电阻性接触p型层并且在第一面上延伸。透明阴极接触件电阻性接触n型层并且也在第一面上延伸。透明绝缘层在第一面上包括在透明阳极接触件和透明阴极接触件上延伸。反射层被设置在基本覆盖第一面的透明绝缘层上。透明绝缘层和反射层可以提供混合反射构件或“混合镜面”，其中下层透明绝缘层提供折射率失配或折射率阶变，与缺少下层透明绝缘层相比，用于增强来自二极管区域的全内反射(TIR)。
在某些实施例中，电流扩展层可以被设置在透明阳极接触件和反射层之间以及透明阴极接触件和反射层之间。在某些实施例中，反射层包括第一和第二部分，并且电流扩展层将透明阳极接触件电连接至第一部分以及将透明阴极接触件电连接至第二部分。而且，在某些实施例中，透明阳极接触件和透明阴极接触件均包括透明导电的金属氧化物例如铟锡氧化物。反射层包括与第一面间隔开的单质金属层以避免第一面与单质金属直接接触。
至于其他材料，在某些实施例中，二极管区域包括III族氮化物例如基于氮化镓的材料。透明绝缘材料包括二氧化硅，并且反射性阴极接触件包括铝。反射性阳极接触件包括镍和银。透明阳极接触件包括铟锡氧化物。而且，透明基板包括碳化硅。其他的实施例中也可以使用另外的材料。
根据其他的实施例还可以提供制造发光二极管的方法。在某些实施例中，通孔在二极管区域的第一面被蚀刻穿过p型层以露出其中的n型层。阳极接触件被形成在电阻性接触p型层的第一面上。透明绝缘层被形成在通孔的侧壁上并且延伸到通孔外侧的第一面上。反射性阴极接触件被形成为在通孔的底部电阻性接触n型层并且在位于通孔侧壁上的透明层上延伸以及在位于通孔外侧的第一面上的透明层上延伸。
更具体地，阳极接触件可以通过形成电阻性接触p型层并且在第一面上延伸的透明阳极接触件而形成。电流扩展层可以随后被形成在一部分透明阳极接触件上。而且，透明绝缘层可以被形成为在透明阳极接触件上延伸，并且反射性阴极接触件也可以在位于透明阳极接触件上的透明绝缘层上延伸。在其他的实施例中，阳极接触件可以通过形成电阻性接触p型层的反射层以及在反射层包括其侧壁上形成隔离层而制得。而且，透明绝缘层可以通过使绝缘板形成透明绝缘层并在透明绝缘层内开出延伸至n型层和p型层的通孔而构成。可以提供类似的方法用于制造本文中介绍的其他实施例。
附图说明
图1-4是根据各种实施例的发光二极管的截面图。
图5A-5B是根据各种实施例的发光二极管的顶视图。
图6是根据各种实施例可以被执行用于制造发光二极管的操作流程图。
图7A是根据各种其他实施例的发光二极管的顶视图，而图7B是沿图7A中7B-7B′线的截面图。
图8A-8C是图7A和7B中根据其他实施例的发光二极管在中间制造步骤期间的截面图。
图9是根据另一些实施例的发光二极管的截面图。
图10A-10D以及10A′-10D′分别是根据各种实施例的发光二极管在根据各种实施例制造期间的截面图和顶部俯视图。
图11是图10D′中可选实施例的俯视图。
图12是根据图3中实施例的发光二极管的截面图，根据各种实施例以倒装芯片的结构安装在安装基板上。
具体实施方式
现参照附图更加完整地介绍本发明，在附图中示出了各种实施例。但是，本发明可以用多种不同的方式实施并且不应被解读为受限于本文中列举的实施例。而且，提供这些实施例是为了使本公开的内容详尽和完整，并且可以向本领域技术人员充分地表达本发明的保护范围。在附图中，各层和区域的尺寸和相对尺寸可以为了清楚而加以放大。类似的标记始终表示类似的元件。
应该理解当某一个元件例如一层、一个区域或一块基板被称为在另一个元件“上”时，它可以是直接在另一个元件上或者也可以存在中间元件。而且，相对术语例如“下面”或“上面”在本文中可以被用于描述一层或一个区域与另一层或另一个区域如图中所示相对于基板或底层的关系。应该理解这些术语的目的是除了图中所示取向以外也要涵盖设备的不同取向。最后，术语“直接”是指不存在中间元件。如本文中所用，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和全部组合并且可以被缩写为“/”。
应该理解尽管术语第一、第二等可以在本文中被用于描述不同的元件、部件、区域、层和/或分段，但是这些元件、部件、区域、层和/或分段不应受到这些术语的限制。这些术语仅仅是用于将一个元件、部件、区域、层和/或分段与另一个区域、层和/或分段区分开。因此，下文中讨论的第一元件、部件、区域、层和/或分段也可以被称为第二元件、部件、区域、层和/或分段而并不背离本发明的教导。
在本文中参照截面图和/或其他示图对本发明的实施例进行介绍，这些示图是本发明理想实施例的示意图。因此，例如由于制造技术和/或公差造成的示图中的形状变化是可以预见的。所以，本发明的实施例不应被解读为受限于本文中所示区域的具体形状而是应该包括例如由于制造而造成的形状偏差。例如，图示或描述为矩形的区域通常都会由于正常的制造公差而具有圆化或弧形特征。因此，除非在本文中另有定义，否则图中所示区域在本质上是示意性的，并且其形状不应被认为是示出了设备中区域的精确形状而且不应被认为是限制了本发明的保护范围。
除非在本文中另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科技术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员的通常理解相同的含义。进一步应该理解的是各种术语例如常用词典中定义的那些术语应该被解读为具有与其在相关领域和本说明书背景下的含义相一致的含义并且不应以理想化或过于正式的含义解读，除非在本文中明确定义了这样的含义。
如本文中所用，当来自LED的投射在透明层或透明区域上的辐射中至少有90％通过透明区域出射时，LED中的该层或区域就被认为是“透明的”。例如，在由基于氮化镓的材料制成的蓝色和/或绿色LED的背景下，通过考虑蓝宝石基板上的透射和反射分量进行量度，二氧化硅可以提供透明绝缘层(例如至少90％透明)，而铟锡氧化物(ITO)可以提供透明导电层(例如至少90％透明)。而且，如本文中所用，当来自LED的投射在反射层或反射区域上的角度平均的辐照中至少有90％被反射回LED内时，LED中的该层或区域就被认为是“反射性的”。例如，在由基于氮化镓的蓝色和/或绿色LED的背景下，铝(例如至少有90％的反射性)可以被认为是反射性材料。在紫外(UV)LED的情况下，可以选择适当的材料用于在某些实施例中提供所需的高反射性和/或在某些实施例中提供所需的低吸收性。
为了便于理解本文中的说明内容，现在主要参照基于碳化硅(SiC)的安装基板上的基于氮化镓(GaN)的发光二极管来进行介绍。但是，本领域技术人员应该理解本发明的其他实施例可以基于各种不同的安装基板和外延层的组合。例如，组合可以包括Gap安装基板上的AlGaInP二极管；GaAs安装基板上的InGaAs二极管；GaAs安装基板上的AlGaAs二极管；SiC或蓝宝石(Al2O3)安装基板上的SiC二极管和/或氮化镓、碳化硅、氮化铝、蓝宝石、氧化锌和/或其他安装基板上的基于III族氮化物的二极管。而且，在其他的实施例中，安装基板在成品中可能并不存在。在某些实施例中，发光二极管可以是由北卡罗来纳州Durham市的Cree有限公司制造并销售的基于氮化镓的LED装置。
图1是根据各种实施例的发光二极管的截面图。参照图1，这些发光二极管包括二极管区域110，二极管区域110分别具有相对的第一面110a和第二面110b，并且在其中包括n型层112和p型层114。可以设置其他的层或区域116，其中可以包括量子阱、缓冲层等，这无需在本文中进行介绍。二极管区域110在本文中也可以被称为“LED外延区域”，原因在于它通常被外延地形成在基板120上。例如，基于III族氮化物的LED外延110可以被形成在碳化硅的生长基板120上。在某些实施例中，正如以下要介绍的那样，生长基板120可以存在于成品中。在其他的实施例中，生长基板120可以被去除。
继续介绍图1，也被称作“p型接触件”的阳极接触件130电阻性地接触p型层114并且在二极管区域110的第一面110a上延伸。阳极接触件130与图1中所示相比可以在p型层114上更大或更小程度地延伸。透明绝缘层140也在阳极接触件130之外的第一面110a上延伸。也被称作“n型接触件”的反射性阴极接触件150电接触n型层112并且延伸穿过透明绝缘层140并延伸到阳极接触件130之外的透明绝缘层140上。在某些实施例中，反射性阴极接触件150可以直接地且电阻性地接触n型层112。但是在其他的实施例中，薄的电阻性接触层例如钛层可以提供到n型层112的实际的电阻性接触。透明绝缘层140和反射性阴极接触件150可以提供混合反射结构或“混合镜”，与缺少下层透明绝缘层140的情形相比，下层透明绝缘层140提供折射率失配或折射率阶变，用于增强来自反射层150的全内反射(TIR)。应该理解在其他的实施例中，透明绝缘层140可以包括多个子层例如氧化物和氮化物子层以提供例如分布式布拉格反射器。而且，反射性阴极接触件150也可以包括多个子层。
如图1中所示，在某些实施例中，通孔118伸入第一面110a内以露出n型层112，并且透明绝缘层140伸入通孔118内。而且，反射性阴极接触件150也在透明绝缘层140上伸入通孔118内，以电接触并且在某些实施例中电阻性地接触在通孔118内露出的n型层112。
还设有电连接至阳极接触件130的阳极垫片160。还设有电连接至反射性阴极接触件150的阴极垫片170。如图所示，阳极垫片160和阴极垫片170以彼此接近地间隔开的关系在第一面110a上延伸从而界定出其间的间隙172。间隙可以如下所示用绝缘体填充。在本文介绍的任何实施例中，间隙172均可出现在任意的期望位置并且不受限于本文中所述的位置。在某些实施例中，阴极垫片170可以被制作得尽量大，以使它能够直接耦合至接地的热沉用于增强倒装安装结构内的散热，而无需可能会降低热效率的中间电绝缘层。
还是如图1所示，透明基板例如透明的碳化硅生长基板120可以被包括在二极管区域110的第二面110b上。透明基板120可以包括倾斜的侧壁120a并且还可以包括远离二极管区域110的外表面120b。如图所示，外表面120b可以被纹理化。基板120的厚度、基板的电阻率、侧壁120a的几何形状和/或远端表面120b的纹理可以被设置用于增强来自二极管区域110的辐照通过基板120的远场辐射。来自二极管区域110的辐射可以从二极管区域110直接经过基板120发生，并且也可以通过从反射性阴极接触件150反射返回经过二极管区域110以及经过基板120发生。在某些实施例中，反射也可以从阳极接触件130开始方式，正如以下将要详细介绍的那样。
还是如图1所示，在某些实施例中，当透明基板120是蓝宝石时，图案化蓝宝石基板(PSS)技术可被用于将蓝宝石基板120和二极管区域110之间的接口纹理化，如通过基板120和二极管区域110的第二面110b之间的锯齿状接口所示的。众所周知，PSS技术可以提供例如可以是尺寸约为3μm、齿距约为5μm的纹理化特征。PSS技术的使用能够提高基于氮化镓的二极管区域110和折射率失配的蓝宝石基板120之间的提取效率。
因此，本发明的某些实施例能够提供适用于倒装安装(也就是与图1中取向相反的安装)的LED，其中阳极垫片160和阴极垫片170被安装在支撑基板上，例如印刷电路板或其他的接线板，并且光辐射通过远离阳极垫片160和阴极垫片170的基板120发生。因此，可以提供横向LED，其中阳极接触件130和阴极接触件150都在二极管区域中的指定表面(也就是第一面110a)上延伸，并且辐射分别远离阳极接触件130和阴极接触件150通过二极管区域中的第二面110b并且通过基板120来进行。在其他的实施例中，基板可以被去除以使辐射直接从二极管区域110中的第二面110b开始进行。
如上所述，基板120的几何形状可以被设置用于提供期望的远场辐射图案，例如朗伯(Lambertian)辐射。而且，纹理化可以在基板120的侧壁120a和/或表面120b上进行。可以使用多种不同的纹理化结构，包括随机纹理、微透镜、微阵列、散射区域和/或其他的光学区域。根据某些实施例，外表面120b可以在其第一部分120c进行与其第二部分120d不同的纹理化，以便提供用于发光二极管的方向指示。因此，如图1所示，除了靠近透明阴极接触件的指定区域以外均可设置微透镜阵列120d，其中可以设置小条带120c或其他指示例如“+”标记。基板远端表面120b上的不同纹理能够提供方向指示，即使LED的结构对于拾取和放置设备来说是通过纹理化基板“不可见”的，但是方向指示也可以允许拾取和放置设备准确地定向用于封装的LED。
在某些实施例中，阳极接触件和/或阴极接触件能够在第一面110a上提供反射结构，反射结构被设置用于将从第一面110a发出的基本上所有的光都反射回第一面110a内。反射结构进一步包括在阴极接触件150及其延长段150a下方的透明绝缘层140。具体地，在某些实施例中，反射结构反射从第一面110a的至少90％的面积中发出的光。反射结构可以包括反射性材料，反射性材料自身反射至少90％投射在其上的光。在某些实施例中，阳极接触件130可以是电阻性地接触p型层114的反射性阳极接触件。在这些实施例中，反射结构可以由阳极接触件130电阻性地接触p型层114的反射面、阴极接触件150电阻性地接触n型层112的反射面以及在图1中标为150a的阴极接触件延长段的反射面提供，反射面150a与透明绝缘层140相结合延伸到通孔118和阳极接触件130之间的第一面110a上。在其他的实施例中，阳极接触件130可以是透明的，并且反射性阴极接触件150，具体地说是反射性阴极接触件150的延长段150a可以延伸到透明阳极接触件130上以与透明绝缘层140相结合提供反射结构。因此，在某些实施例中，反射性阴极接触件可以延伸为用反射性阴极接触件基本上覆盖阳极接触件外侧所有的第一面。在某些实施例中，反射性阴极接触件可以用反射性阴极接触件基本上覆盖阳极接触件外侧所有的第一面，并且还可以用反射性阴极接触件覆盖至少一部分阳极接触件。以下将介绍更为详细的实施例。
因此，某些实施例可以提供具有横向倒装芯片结构的LED。某些实施例可以在p型层和n型层上提供双镜面。而且，n型镜可以是能够与LED外延的至少一个n型层形成电接触并且还能够在LED外延片的至少一个p型接触件上延伸的集成n型接触镜。集成n型接触镜可以包括对于由LED外延生成的波长来说是光学反射性的材料，例如铝。透明绝缘层和反射层可以提供混合反射结构或“混合镜”，其中与缺少下层透明绝缘层相比，下层透明绝缘层提供了折射率失配或折射率阶变，用于增强来自二极管区域的T1R。而且，LED芯片的与镜(多个)相对的发光表面可以包括生长基板。生长基板可以进一步包括用于光提取用途的定型的表面，例如倾斜侧壁和/或纹理。倾斜和/或纹理化的程度可以与LED包括生长基板在内的总厚度相关。基板的几何形状(例如厚度/侧壁斜度)和/或其纹理可以被调节以实现所需的远场辐射图案。而且，由于基板不需要传导电流，因此它可以具有高电阻率以使其可以是透明的。
根据各种实施例的LED芯片可以比常规的LED芯片更加凹凸不平或坚固。具体地，LED芯片中仅有的暴露面可以是在一侧上的固体p型或n型接触部分，而生长基板则在另一侧。相比之下，常规LED芯片可能需要脆弱的线接合并且可能包括LED外延中暴露的顶部和/或底部。
而且，也已经发现，根据不同的实施例，在二极管区域和反射性阴极接触件之间设置透明绝缘层实际上可以通过提供折射率失配或折射率阶变来增强来自二极管区域的反射率。因此，例如像图1中所示，透明绝缘层140除了提供用于LED的期望电绝缘以外还可以提供用于反射性阴极接触件150的集成光学元件。而且，透明绝缘层140和反射性阴极接触件150可以提供混合镜。
现在将提供作为混合反射器一部分的透明绝缘层140的操作说明。具体地，LED通常包括不同材料构成的多个层。因此，从有效区域发射的光通常在离开LED之前必须要经过或穿越一个或多个这样的层。斯涅耳(Snell)定律指出，光子在从一种材料传递到下一种材料时会被折射。光子的折射角将取决于两种材料的折射率之间的差异以及光线射向分界面的入射角。
在LED中，尽管部分反射光仍然会在某些其他的位置从LED选出，但是一定比例的光将会全内反射永不从LED选出，并且因此会功能性地降低LED的外部效率。尽管在光子选出百分比方面的个体下降可能表现为相对较小，但是累积效应可能会很显著，并且在其他方面非常类似的LED可能会由于即使是很小的这些百分比损失而具有明显不同的性能效率。
斯涅耳定律指出，当光穿越分界面进入具有较高折射率的介质内时，光会趋向于弯折靠近法线。类似地，当光从具有较高折射率的介质行进穿越分界面进入具有较低折射率的介质时，光弯折远离法线。在定义为临界角的角度，从具有较高折射率的介质行进至具有较低折射率的介质的光将以90度角折射，也就是平行于分界线。在大于临界角的任意角度，入射光线都会经历全内反射(TIR)。因此临界角是折射率比值的函数。如果光线以大于该临界角的任何角度击中分界面，那么光线就根本不会穿越进入第二介质。相反，分界面会将光线反射会第一介质内，这就是被称为全内反射的过程。由于这种全内反射而造成的光损失被称为临界角损失，这是另一种降低LED外部效率的因素。
本文中介绍的混合镜实施例使用折射率失配以基于斯涅耳定律来增强全内反射(TIR)。为了增强TIR，需要对较低折射率材料提供相对于基于GaN的二极管区域的大的折射率改变。由此，在由斯涅耳定律给出的选出锥角以外的任何光线就都被内反射回二极管区域内并且可以基本上没有损失。因此反射性阴极接触件150和/或反射性阳极接触件就能够被用于反射从全向光源投射在其上的部分光线。因此，透明绝缘层150和反射性阴极接触件150根据不同的实施例均可用作混合反射器以增强从二极管区域发出的光回到二极管区域内的反射。
本发明的其他实施例可以提供用于垂直LED的反射层。因此，根据各种实施例的发光二极管也可以包括在其中包含n型层和p型层的二极管区域以及用于n型层或p型层之一的接触件。接触件在n型层或p型层之一上包括透明绝缘层140，透明绝缘层140具有比n型层或p型层之一更小的折射率。提供反射层150电接触n型层或p型层之一并在透明绝缘层上延伸。因此，透明绝缘层140能够提供用于反射层150的集成光学元件从而提供混合镜，与缺少透明绝缘层140相比，混合镜能够提高反射层150的反射率，原因在于透明绝缘层为二极管区域110提供了折射率失配或折射率阶变。在其他的实施例中，反射层150也可以电接触或者在某些实施例中电阻性地接触n型层或p型层之一，并且可以延伸穿过透明绝缘层140以形成该接触。在另一些实施例中，第二接触件可以被设置用于n型层或p型层中的另一者。第二接触件可以包括电阻性地接触n型层或p型层中另一者的第二反射层。在其他的实施例中，第二接触件可以包括电阻性地接触n型层或p型层中另一者的透明导电层，并且透明绝缘层140和反射层150都可以延伸到透明导电层上。以下将会例如结合图2和图3来详细介绍这些另外的实施例。
而且，本文中所述的各种实施例还可以提供二极管区域110，二极管区域110具有相对的第一面110a和第二面110b，并且在其中包括n型层112和p型层114。反射性阳极接触件130电阻性地接触p型层并且在第一面110a上延伸。反射性阴极接触件150电阻性地接触n型层并且在第一面上延伸。反射性阳极接触件130和反射性阴极接触件150被设置用于将从第一面110a发出的基本上所有的光都基本上反射回第一面。换句话说，反射性阴极接触件150能够基本上覆盖阳极接触件130外侧所有的第一面110a。而且，在其他的实施例中，反射性阴极接触件150还可以覆盖至少一部分阳极接触件130。
图2是根据其他实施例的LED的截面图。在这些实施例中，除了反射性阴极接触件以外还设有反射性阳极接触件。
更具体地，在图2中设有如结合图1所述的二极管区域110。还设有基板120，不过在其他的实施例中可不必设置基板120。基板120相对于生长基板的厚度可以较薄。反射性阳极接触件130′被设置为电阻性地接触p型层114并且在第一面110a上延伸。反射性阳极接触件130′可以包括双层结构，其中包括直接在p型层114上的约的镍(Ni)以及在镍上的约的银(Ag)以由此提供“镍银镜”130′。镍银镜130′能够反射来自二极管区域110的投射在其上的至少90％的可见光。在其他的实施例中也可以使用同样为p型氮化镓提供电阻性接触的其他反射层。应该理解的是，镍银镜的反射率主要由银决定，原因在于仅仅使用了非常薄的镍层(在某些实施例中小于约而且，在退火时，该镍可以转化为氧化镍以增强用于银到p型氮化镓的电阻性接触。因此，镍银镜130′能够具有与只有银时大致相同的反射率，但是可以为p型层提供更好的接触和更低的电压。在其他的实施例中也可以使用纯银。
镍银镜130′周围是阻挡层210，阻挡层210可以包括子层，子层包括约为的钛钨(TiW)、约为的铂(Pt)和约为的钛钨(TiW)。钛钨/铂子层可以重复循环多次以提供所需的扩散阻挡层。扩散阻挡层210通常不是反射性的。因此，直接位于p型层114上的镍银镜130′的表面提供了反射结构，但是位于镍银镜130′侧壁上的阻挡层210可以不提供反射结构。
继续介绍图2，透明绝缘层140被设置在通孔118的侧壁上以及通孔118外侧的第一面110a上。在某些实施例中，如图所示，透明绝缘层140也可以延伸到至少一部分镍银镜130′上。在某些实施例中，透明绝缘层140可以包括约0.5μm的二氧化硅(SiO2)。SiO2的厚度可以被设置为基于LED的工作波长和/或绝缘层的折射率利用本领域技术人员已知的技术来增强来自反射性阴极接触件150的反射率。具体地，二氧化硅可以具有约为1.5的折射率，该折射率小于氮化镓的折射率(约为2.5)，由此，由透明绝缘层140提供折射率失配或折射率阶变，这样实际上就能够增强来自二极管区域110的TIR。
还是如图2中所示，反射性阴极接触件150能够例如在通孔118的底部电阻性地接触n型层112并且能够在通孔118侧壁上的透明绝缘层140上延伸，并且还可以如150a所标注的那样延伸到通孔118外的透明绝缘层140上。在某些实施例中，反射性阴极接触件150可以包括约为的铝。也可以使用更厚的反射性阴极接触件。包括透明绝缘层140和铝制反射性阴极接触件150的混合反射器能够反射至少90％来自二极管区域110的投射在其上的可见光。在其他的实施例中，独立的电阻性接触层250可以被设置在反射性阴极接触件150和n型层112之间以提供与n型层112的电阻性接触。在某些实施例中，电阻性接触层250可以包括钛，例如经过退火处理的钛，或铝/钛合金。应该理解电阻性接触层250可以在本文介绍的任意和全部实施例中被用于反射性接触件150和n型层或p型层之间。
最后，设有阳极垫片160和阴极垫片170。阳极垫片160和阴极垫片170可以包括约为的钛(Ti)、约为的镍(Ni)以及约为1-3μm的80/20金-锡(AuSn)合金的叠层，以提供“TiNiAuSn垫片”。也可以使用其他材料，并且可以不使用全部的这些材料。例如，可以使用纯锡，因为纯锡具有较低的熔点。而且，在其他的实施例中，电镀籽晶层可以被设置在阳极接触件和反射性阴极接触件上，并且至少一部分阳极和/或阴极垫片被电镀在籽晶层上。在另一些实施例中，反射性阴极接触件150和/或阻挡层140可以提供用于在其上电镀垫片160/170的电镀籽晶层。电镀的阳极和阴极垫片也可以提供机械支撑和增强的热效率。
因此，图2中的实施例可以在第一面110a上提供反射结构，反射结构被设置用于将基本上全部的光例如至少90％从第一面110a发出的光反射回第一面110a内。在图2的实施例中，反射结构包括两个不同的反射器。更具体地，反射结构包括电阻性地接触p型层114的阳极接触件130′的反射面、电阻性地接触n型层118的阴极接触件150的反射面、以及延伸在电阻性地接触p型层114的阳极接触件130′的反射面和电阻性地接触n型层118的阴极接触件150的反射面之间的与透明绝缘层140相结合的阴极接触件150延长段150a。在从二极管区域110的透视图中观看时，从二极管区域110发出的所有进入阳极和阴极接触件内的光均可被反射回二极管区域内，由阳极接触件130侧壁上的阻挡层210吸收的光除外。由于阻挡层210通常不会形成与p型层114的电阻性接触，因此在该区域中只会生成很少的光或者不会产生光。由此，与阻挡层210相关联的光损失就会很少或者根本没有。因此，从面积的角度看，图2中的反射结构能够反射从第一面至少85％的面积发出的光，并且在其他的实施例中是至少90％。换句话说，至少90％的二极管表面能够被镜面覆盖。而且，由于反射结构可以包括镍-银(阳极接触件130′)和铝(阴极接触件150)，因此至少90％投射在反射结构上的光均可被反射。换句话说，镜面可以具有至少90％的效率。由此，在某些实施例中，p型层114上的有效发光区域内仅有的未被高反射率结构覆盖的区域或者是具有电介质接触件和/或是电导率降低的区域。
图3是使用透明阳极接触件的另一些实施例的截面图。具体地，参照图3，阳极接触件是电阻性地接触p型层并且在第一面110a上延伸的透明阳极接触件130″。应该理解透明阳极接触件130″与图示相比可以延伸至更大或更小的程度。在某些实施例中，用于p型III族氮化物层的透明电阻性地接触件114可以是透明的导电氧化物例如铟锡氧化物(ITO)，并且在某些实施例中可以约为厚。ITO可以对感兴趣的波长至少90％透明。应该理解ITO可以在其中包括其他材料例如镍或铝。也被称作“电流扩展指”的电流扩展层330可以被设置在一部分透明阳极接触件130″上。电流扩展层330可以包括例如约为厚的铂(Pt)子层、约为厚的钛(Ti)子层以及约为0.5μm厚的金(Au)子层以提供“Pt/Ti/Au”电流扩展层330。
在图3的实施例中，透明绝缘层140延伸到透明阳极接触件130″上并且反射性阴极接触件150也延伸到如150a所示的透明阳极接触件130″上的透明绝缘层140上。在某些实施例中，如图3所示，透明绝缘层140延伸到其上设有电流扩展层330的部分外的透明阳极接触件130″上，并且反射性阴极接触件150也延伸到该部分外的透明阳极接触件130″上的透明绝缘层140上。因此可提供集成的n型接触混合镜将穿过透明阳极接触件130″的光反射回二极管区域110内。还应该理解在图3的实施例中，电阻性接触层250已被省略，以使反射性阴极接触件150与n型层112形成直接的电阻性接触。
因此，图3中的实施例能够提供的反射结构包括电阻性地接触n型层112的阴极接触件150的反射面以及延伸到透明阳极接触件130″上的与透明绝缘层140相结合的阴极接触件150延长段150a的反射面。从全内反射的角度看，由于透明阳极接触件130″也具有比二极管区域(对于ITO来说折射率约为1.94)更低的折射率，因此反射率失配就基于斯涅耳定律增强了TIR。透明阳极接触件130″上的透明绝缘层140能够通过提供进一步降低的约为1.5的折射率来进一步增强TIR。
因此，从由二极管区域110反射的角度看，只有电流扩展层330可以吸收光。由于电流扩展层只是第一面表面积的一小部分，因此图3的实施例也可以提供反射从第一面至少90％的面积发出的光的反射结构，并且在某些实施例中是反射从第一面至少93％的面积发出的光。换句话说，至少90％的二极管表面被镜面覆盖。而且，镜面可以具有至少90％的效率。还应该理解的是透明阳极接触件130″上的电流扩展层330可以比仅有电流扩展层330吸收光更少。具体地，由于在ITO/GaN分界面处的折射率改变，在角度平均的基础上，电流扩展层330与仅有电流扩展层330相比可以吸收更少的光。这就提供了额外的好处以将ITO用作N-GaN接触件从而使金属层不直接位于半导体上。
还可以通过淬火电流扩展层330下方的p型GaN来减少击中金属电流扩展层的光而降低电流扩展层潜在的负面影响，以使击中该区域的光绝大部分都来源于电流扩展层330正下方区域以外的角度。由此，某些实施例也可以在p型层内加入与周围更加不透明的部件(例如电流扩展层)等同的电导率降低的区域，正如在公开号为2008/0217635的美国专利申请中介绍的那样，通过引用其全文将该文献的公开内容并入本文，就像已将其全部内容列入本文一样。
还是参照图3，绝缘层340，例如约为0.5μm厚的第二层二氧化硅，可以被设置在反射性阴极接触件150上。阳极垫片160和阴极垫片170可以被设置为分别电连接至电流扩展层330和反射性阴极接触件150。在图3的实施例中，绝缘层340可以避免阳极和阴极接触垫片160和170彼此短路。但是在其他的实施例中，阳极垫片160和阴极垫片170可以被直接形成在电流扩展层330以及反射性阴极接触件150上，并且可以间隔开以在其间提供间隙172，正如图2中所示以及以下将在图10的实施例中介绍的那样。在其他实施例中可以提供阳极垫片160和阴极垫片170的多种其他结构。
图4是根据其他实施例的LED的截面图。具体地，如上所述，阳极垫片160和阴极垫片170的不同结构可以根据不同的实施例来提供。在这些结构的一部分中，如图4中所示可能需要在反射性阴极接触件150中有断点以避免阳极垫片到接触垫片170的短路并在其间留有间隙172。不幸的是，由于在间隙中缺少反射性阴极接触件150，间隙内的光可能无法被反射回二极管区域110内。图4的实施例能够通过提供与阳极垫片160和/或阴极垫片170绝缘并且延伸跨越间隙172的反射层450来减少或消除该问题。如果需要，附加的(第二)绝缘层440也可以被设置用于使该反射层450与二极管区域110绝缘。因此，即使是反射性阴极接触件150具有跨越间隙172的断点，反射层450也可以被设置在间隙172内。
图5A和5B是根据各种实施例的阳极垫片160和阴极垫片170的顶视图。但是应该理解的是根据用于横向LED的期望外部连接，可以提供阳极垫片160和阴极垫片170的多种不同结构。
图6是根据各种实施例可以被执行用于制造发光二极管的操作流程图。具体地，在方块610，通孔例如通孔118在二极管区域(例如二极管区域110)的第一面处被蚀刻穿过p型层(例如p型层114)，以露出其中的n型层，例如n型层112。在方块620，阳极接触件(例如阳极接触件130,130′和/或130″)被形成在电阻性地接触p型层的第一面上。在方块630，透明绝缘层例如层140被形成在通孔的侧壁上并且延伸到在通孔外的第一面上。在方块640，反射性阴极接触件，例如反射性阴极接触件150，被形成为电阻性地接触通孔底部上的n型层并且在位于通孔侧壁上的透明层上以及在位于通孔外的第一面上的透明层上延伸。垫片(例如阳极垫片160和阴极垫片170)可以在方块650处形成。最后，如果需要，可以在方块660处移除基板或使基板变薄。基板和/或第二面可以被纹理化。
图6中的实施例通常可以被用于制造本文中所述的各种实施例。专用技术也可以被提供用于制造特定实施例。例如，图3中的实施例可以通过在方块610处蚀刻通孔118以露出n型层112来制造。铟锡氧化物层130′和电流扩展层330可以随后在方块620处形成。二氧化硅层(例如0.5μm厚的二氧化硅)可以在方块630处被覆盖沉积(blanket deposit)以提供透明绝缘层140。在方块640处，可以蚀刻通孔以露出n型层112并且可以覆盖沉积铝以提供反射性阴极接触件150，在1TO层130″上保留间隙。TiNiAuSn垫片160和170可以在方块650处沉积。根据不同的实施例也可以使用其他技术来制造其他的结构。
应该注意的是在某些可选实施方式中，方块内说明的功能/动作可以脱离流程图中所述的顺序进行。例如，根据涉及的功能/动作，顺序示出的两个方块实际上可以基本同时执行或者有时可以按相反的顺序来执行各个方块。而且，流程图中给定方块和/或方块框图的功能可以被分离为多个方块和/或流程图中两个或多个方块和/或方块框图的功能可以被至少部分地集成在一起。最后，也可以在示出的方块之间加入/插入其他的方块。
图7A和7B分别是根据各种其他实施例的发光二极管的顶视图和侧部截面图。这些实施例可以类似于图2中的实施例，只是反射性籽晶层750被设置在阻挡层210上并且被用作在其上电镀阳极垫片160和阴极垫片170的电镀籽晶。而且，电阻性阴极接触件可以根据任意的上述实施例由直接接触二极管区域110的一部分籽晶层提供。在这些实施例中，反射性籽晶层750可以包括连续的铝层、钛层和铜层，同时垫片160和170可以包括电镀的铜。
更具体地，图7A和7B中的实施例可以通过将镍银镜130′加工为提供p型阳极接触件以及通过在镍银镜130′上加工阻挡区域210而制得，正如结合图2介绍的那样。随后二极管区域110被蚀刻到达n型层112(在图7A或7B中未示出)并且还界定出通孔。钝化层140随后可以被沉积和蚀刻以露出通孔118底部上的n型区域和一部分阻挡层210。籽晶层750随后可以被沉积，接触n型区域和阻挡层。阳极垫片160和阴极垫片170随后通过在阳极和阴极垫片之间光刻界定出的间隙172(例如约为75μm宽)被电镀在籽晶层750上。籽晶层750在间隙172内的部分可以随后被蚀刻到使其余的籽晶层与阳极垫片和阴极垫片基本相同的程度。间隙172随后可以被例如包括聚酰亚胺的间隙填充层760填充。随后移除碳化硅基板以形成图7B中的最终结构。
因此，图7A和7B中的实施例可以提供具有反射性阳极接触件130′的LED，以使除了其上有阻挡层210的区域以外的整个表面都直接位于二极管区域110上。由此，在图7A的实施例中，整个结构除了恰好在16个通孔118周围的区域以外都具有镜面。而且，在其他的实施例中，由于光线只在16个通孔118所在的位置才会遇到籽晶层，因此籽晶层750可以包括对整体镜面反射率只有很小影响的非反射性金属(例如用于提供到n型层112的改进电阻性接触)。
图8A-8C是根据各种实施例可以被执行用于移除基板120的操作截面图。如图8A中所示，如上结合图7B所述的用于制造LED的操作可以在位于生长基板120上的LED外延110上执行。如图8B中所示，可以是半导体、玻璃和/或其他常规载体晶片的载体晶片810利用粘合剂820或其他粘结材料/技术被接合至电镀阳极垫片160和阴极垫片170。在图8C中，基板820被移除，并且二极管区域110的外表面被纹理化以提供图7B中的结构。
图9是根据另一些实施例的发光二极管的截面图。在图9中，如结合图3所述的那样设有第一透明阳极接触件130″和电流扩展层330。但是在图9的实施例中，还设有透明阴极接触件930和电流扩展层940。透明阴极接触件930电阻性地接触n型层112并且在第一面110a上延伸。透明阳极接触件130′和透明阴极接触件930的范围与图9中所示相比可以更大或更小。而且，透明阴极接触件930可以包括与透明阳极接触件130″相同的材料。例如可以使用铟锡氧化物。但是在其他的实施例中，可以使用不同的透明材料用于接触件130″和930。在另一些实施例中，可以使用相同的材料但是可以利用不同的技术和/或操作参数进行沉积。类似地，两个电流扩展层330，940可以是相同或不同的材料并且可以采用相同或不同的工艺制造。
还是参照图9，透明绝缘层140被设置为在第一面上延伸，包括在透明阳极接触件130″和透明阴极接触件930上延伸。反射层150被设置在基本覆盖第一面110的透明绝缘层上。电流扩展层330可以被设置在透明阳极接触件130″和反射层150之间，并且电流扩展层940可以被设置在透明阴极接触件930和反射层150之间。正如已经介绍的那样，电流扩展层330,940可以是同一层中的不同部分。还是如图9中所示，反射层150可以包括一层中被连接至相应电流扩展层330,940的第一和第二部分。
图9中的实施例可以提供基本覆盖第一面的反射层150。而且，因为透明阳极接触件130″和透明阴极接触件930均可以包括折射率约为1.9的ITO并且透明绝缘层140可以包括折射率低于ITO的材料(例如折射率约为1.5的二氧化硅)，所以可以提供高效的光提取。而且，当二极管区域110是由III族氮化物例如折射率约为2.5的氮化镓构成时，透明的ITO层130″,940和透明绝缘层140可对氮化镓提供折射率失配或折射率阶变。因此与缺少绝缘层140和透明的ITO层130″,940相比，可以通过阶变折射率的混合反射器来提供增强的全内反射。此外，透明基板120可以包括折射率约为2.6的透明碳化硅。由于碳化硅基板120无需导电，因此它可以是高电阻率且透明的。而且，由于碳化硅基板120的折射率与氮化镓的二极管区域110相匹配(也就是折射率大致相同)，因此可通过碳化硅基板的倾斜侧壁120a来提供增强的光提取。由此，透明的碳化硅基板120可用作光提取器以及用于LED的机械和/或传热基板。
最后，参照图9，当透明阳极接触件和透明阴极接触件均包括透明导电的金属氧化物例如ITO并且反射层150包括单质金属层例如铝时，第一面110可不与单质金属直接接触，而单质金属反射器150可基本覆盖第一面。
图10A-10D以及10A′-10D′分别是根据其他实施例的发光二极管在根据其他实施例的中间制造步骤期间的截面图和顶部俯视图。这些实施例与图3中的实施例相比可以只使用一个绝缘层。
参照图10A和10A′，包括n型层112和p型层114的二极管区域110被形成在基板120上。p型电阻性接触件被随后形成。在图10A和10A′中，形成包括ITO130″的透明p型电阻性接触件。在其他的实施例中，可以形成有金属镜面/电阻性接触件例如NiAg。在此情况下，也可以形成有如上所述的阻挡层以减少或避免银迁移。
现参照图10B和10B′，随后在使用ITO型接触件时形成p型电流扩展层330。
现参照图10C和10C′，二氧化硅或另一种透明绝缘层或组合层140被覆盖沉积，并且随后通孔被开至n型层112和电流扩展层330。
最后，参照图10D和10D′，Al/Ti/Ni/AuSn层被沉积以分别形成阳极和阴极接触件160和170。应该理解的是可能希望钛层和镍层的厚度适当以减少或避免在回流期间混合。在某些实施例中可以使用适当厚度为的钛和的镍。而且，可能不需要使用金锡。此外，接触叠层可以由金终止以有助于其他的焊料连接。
还应该理解的是，尽管图10D,10D′中示出了接触件几何形状的一个实施例，但是也可以提供其他的例如图11中所示的接触件几何形状。可以根据所需的外部连接提供另外的接触件几何形状。
图12是图3中的发光二极管根据各种实施例以倒装结构安装在安装基板上的截面图。也应该理解本文中介绍和/或图示的任意其他实施例均可以倒装结构安装在安装基板上。
现参照图12，安装基板1210(例如绝缘安装基板譬如包括氮化铝(AlN)的绝缘安装基板)可以被用于在其上以倒装结构安装图3中的LED，以使阳极和阴极接触件160和170靠近安装基板1210并且使二极管区域110远离安装基板1210。导电迹线1216和1218可以被用于给二极管提供外部连接。导电迹线1216,1218可以利用焊料或其他的管芯连接材料1220被电连接和热连接至接触件160,170。而且，由阴极接触件170占据的区域可以被放大，并且在某些实施例中被最大化，而由阳极接触件160占据的区域可以被缩小，并且在某些实施例中被最小化。通过提供用于阴极接触件170的大面积，阴极接触件170可直接电耦合至接地的铜插片1214或其他热沉材料，从而为封装提供增强的热效率。不再需要可能会降低热效率的中间电绝缘层。
在如图12中所示倒装安装LED时，提供基本上覆盖二极管的整个第一面并且被设置用于将从第一面发出的基本所有的光都反射回第一面的反射结构(例如反射性阴极接触件150)可能会非常有利。具体地，在倒装结构中，没有向第一面反射返回的光可能会由于安装基板1210可以充分吸收而被基本损失掉。因此，为了在倒装结构中增强和/或最大化通过基板120的光辐射，可能需要通过使用本文中所述各种实施例的镜面来增加或最大化由镜面覆盖的第一面的面积。
还应该理解的是其他形式的安装基板例如金属核心的基板、印刷电路板、引线框和/或其他的常规安装基板均可被用于安装本文中所述的倒装结构的多种实施例。
现在对本发明的各种实施例进行进一步的讨论。具体地，根据某些实施例的发光二极管可以提供横向倒装设计。基板120可以构成二极管的发射面并且可以包括光提取增强的表面120d，其包括双凸透镜(lenticular lenses)或其他的增强部件。而且，基板120包括倾斜的侧边缘120a。反射性接触件150可以基本上覆盖p型层。反射器150可以包括多个金属层以增大反射的频率范围。
与常规的垂直LED相比，本文中介绍的横向实施例能够在可以与金属(例如铝)匹配的提供更强反射率的外延层上设置接触件。而且，当透明的碳化硅被用作设备基板时，其透明度可以由碳化硅的电阻率范围确定。具体地，在大多数情况下，包含较少掺杂剂原子并因此具有较高电阻率的碳化硅晶体与具有较多掺杂剂原子和较高电导率的碳化硅晶体相比将表现出更高的透明度。垂直设备通常使用较高电导率的基板。在垂直设计方案中，所需较高电导率的基板倾向于吸收更多的光，并且因此能够降低LED的外部效率。因此，多种垂直设计方案均可移除全部或部分的碳化硅基板。
与之形成鲜明对比的是，根据各种实施例的横向设计方案不需要有导电基板。因此，这些横向设计方案能够包括更加透明(也就是高电阻率)的碳化硅基板，同时仍然表现出良好的正向电压特性。例如，可以提供大于0.5Ω-cm的电阻率，并且在某些实施例中可以提供大于1Ω-cm的电阻率。这就与可以使用的电阻率在约0.08Ω-cm到约0.2Ω-cm之间的垂直设计方案形成了对比。
本文中介绍的各种实施例可以提供被设置用于将从二极管区域发出的基本所有的光都反射回二极管区域内的反射结构。这样的反射结构对于倒装设备可能是非常期望的，其可以减少或者避免吸收由安装基板释放的辐射。具体地，已知有多种技术用于减少吸收到接合垫片内的光。例如，已知在接合垫片下设置电导率降低的区域来减少进入接合垫片内的光辐射。还已知通过在一部分透明导电的接合垫片下方包括绝缘层来减少进入接合垫片内的光辐射。还已知使用反射性接合垫片以反射击中接合垫片的光，正如在例如公开号为2007/0145380的美国专利申请中所述的那样。
本文中介绍的实施例能够提供比反射性接合垫片好得多的效果或者减少进入接合垫片内的辐射。而且，本文中介绍的实施例可以在二极管区域的第一面上提供可以被设置用于将从第一面发出的基本所有的光都反射回第一面的反射结构。因此，通过安装基板的吸收可以被减少或最小化。实际上，在某些实施例中，接合垫片的自身损失可能并不明显，原因在于LED自身可以通过减少因全内反射的多次传递而具有高的提取效率。因此，本文中介绍的各种实施例与仅仅减少来自接合垫片的不明显光损失相比还可以做到更多。
横向设计方案还可以提供用于定位所需镜面层的更多选择并且横向设计的芯片可以通过使外延层向上或向下来进行安装。具体地，外延层可以被安装为相对于基板最靠近安装结构或者相对于基板远离安装结构。在外延层被安置在安装结构上的情况下(向下)，镜可以被定位在整个设备的外延侧。而且，被广泛用于大规模集成电路设备的硅通孔(TSV)技术能够在本文的各种实施例中使用以根据需要将晶片与发光二极管接合为硅晶片。硅晶片可以在接地的碳化硅基板非常薄(例如碳化硅小于约50μm)时或者在碳化硅生长基板被完全移除时提供支撑结构。接合垫片可以随后被设置在TSV硅晶片的背面，基本上与LED中的接触垫片对齐以提供安装接口。TSV可以将LED上的垫片与硅晶片背面上的垫片相连。
而且，本文中介绍的某些实施例可以提供包括Al/Ti/Ni/AuSn的集成接触叠层，其中已经根据某些实施例在前文中介绍了这些层的厚度。还是如本文中所述，Al反射层可以与Ti/Ni/AuSn分离。而且，实际的接合金属例如AuSn可能只需要足够厚以提供与任何安装LED的基板的良好接合。因此，对于金属沉积过程，AuSn合金可以被溅射，或者溅射和/或电子束沉积可以被用于溅射单独的AuSn层。某些实施例可以使用的厚度在约1μm到约3μm之间，但是在其他的实施例中也可以使用更厚的层。而且，在上述的某些实施例中，铜可以被加厚地电镀，例如在约20μm到约30μm之间或者更厚，以用于提供机械支撑。
因此，某些实施例可以提供接合垫片金属集成以由此允许用垫片之间相对较小的间隙进行大面积接合。例如，AuSn阳极和阴极层之间可以使用小至约30μm或更小的间隙而无需过度担心短路。如果端子使用Au而不是AuSn，那么还可以使用焊料、胶水、预成形等，在此情形下可能需要在接触件之间提供较大的间隙或者减小要接合的垫片面积。但是，在本文介绍的某些实施例中可以只需要焊剂，并且用于配送的对齐可能并不关键。
因此，在本文介绍的某些实施例中，连接面之间的间隙可以将尺寸减小为阳极接触件和阴极接触件之间的间隙尺寸。在某些实施例中，可以提供小于约75μm的间隙，并且在其他实施例中可以提供小于约50μm的间隙，这就能够提供极佳的机械集成度和高效的散热。因此，本文中介绍的某些实施例可以提供集成的反射性接触件和热沉，同时允许模具连接面之间的小间隙。LED随后可倒装安装至具有迹线(基于引线框的封装)的基板，例如硅、铜、铝和/或氮化铝基板，直接安装到引线框或引线框块上或陶瓷基板上。这样的安装方案能够提供远离工作层的有效热传导路径。
尽管某些实施例能够提供关于横向LED的优点，但是其他的实施例也可以提高垂直LED的外部效率。而且，各种实施例中的光增强设计方案能够基于碳化硅的反射体提供更多的优点。具体地，碳化硅和空气之间的折射率差异以及碳化硅和最常用密封剂之间的折射率差异通常都大于其他基板材料(例如蓝宝石)和空气或密封剂之间的折射率差异。因此，碳化硅与某些其他的基板材料相比更多地倾向于折射或内部反射光。为此，增强基于碳化硅的二极管表面的光输出特性就能够在这些设备的量子效率方面成比例地获得更大的正面效果。
因此，某些实施例可以使用透明的碳化硅(折射率约为2.6)以从基于GaN的二极管区域(折射率约为2.5)提取光。而且，某些实施例可以使用ITO(折射率约为1.9)和二氧化硅(折射率约为1.5)以在GaN(折射率约为2.5)和反射层(例如铝)之间耦合。因此就可以提供加强的电性质、热性质和光学性质。
本文中已经结合以上的说明内容和附图公开了多种不同的实施例。应该理解以文字描述和介绍这些实施例的每一种组合和次组合将是不必要的重复并且会令人困惑。因此，本说明书包括附图应该被解读为构成了对本文中介绍实施例的所有组合和次组合以及实现和使用它们的方式和过程的书面说明，并且应该使权利要求支持任何这样的组合或次组合。
已经在附图和说明书中公开了本发明的实施例，并且尽管使用了一些特定术语，但是这些术语仅仅是以一般性和说明性的含义使用而并不是为了限制本发明由以下权利要求所述的保护范围。

Claims (47)

1.一种发光二极管，包括：
二极管区域，包括相对的第一面和第二面并且在其中包括n型层和p型层；
电阻性地接触p型层并且在第一面上延伸的阳极接触件；
在阳极接触件外的第一面上延伸的透明绝缘层，所述透明绝缘层透射至少90％的投射在所述透明绝缘层的辐射；以及
反射性阴极接触件，电接触n型层并且延伸穿过透明绝缘层且延伸到阳极接触件外的透明绝缘层上；
电连接至阳极接触件的阳极垫片；和
电连接至反射性阴极接触件的阴极垫片；
阳极垫片和阴极垫片彼此接近，并且在第一面上延伸从而界定出其间的间隙。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中透明绝缘层还延伸到阳极接触件上，并且其中反射性阴极接触件还延伸到位于阳极接触件上的透明绝缘层上，以用反射性阴极接触件覆盖至少一部分阳极接触件。
3.如权利要求1所述的发光二极管，进一步包括延伸进入第一面内以露出n型层的通孔，其中透明绝缘层延伸进入通孔内，并且其中反射性阴极接触件也在透明绝缘层上延伸进入通孔内以电接触在通孔内露出的n型层。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其中阳极接触件包括电阻性地接触p型层并且在第一面上延伸的反射性阳极接触件。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其中反射性阳极接触件包括侧壁，发光二极管进一步在反射性阳极接触件包括其侧壁上包括阻挡层。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其中阳极接触件包括电阻性地接触p型层并且在第一面上延伸的透明阳极接触件。
7.如权利要求6所述的发光二极管，进一步在一部分透明阳极接触件上包括电流扩展层。
8.如权利要求6所述的发光二极管，其中透明绝缘层延伸到透明阳极接触件上，并且其中反射性阴极接触件也延伸到位于透明阳极接触件上的透明绝缘层上，以用反射性阴极接触件覆盖至少一部分透明阳极接触件。
9.如权利要求7所述的发光二极管，其中透明绝缘层延伸到位于所述部分外的透明阳极接触件上，并且其中反射性阴极接触件也延伸到位于所述部分外的透明阳极接触件上的透明绝缘层上，以用反射性阴极接触件覆盖位于所述部分外的透明阳极接触件。
10.如权利要求1所述的发光二极管，其中阳极垫片和阴极垫片均在反射性阳极接触件上延伸，并且其中反射性阳极接触件在其中包括与间隙相对应的断点；
发光二极管进一步包括与阳极垫片和/或阴极垫片绝缘并且延伸跨越所述断点的反射层。
11.如权利要求1所述的发光二极管，进一步包括安装基板，并且其中发光二极管被倒装安装在安装基板上以使阳极垫片和阴极垫片靠近安装基板，并且二极管区域远离安装基板。
12.如权利要求1所述的发光二极管，进一步包括第二面上的透明基板。
13.如权利要求12所述的发光二极管，其中透明基板包括远离二极管区域的外表面，外表面在其第一部分进行与其第二部分不同的纹理化，以便提供用于发光二极管的方向指示标志。
14.如权利要求1所述的发光二极管：
其中二极管区域包括III族氮化物；
其中透明绝缘层包括二氧化硅；并且
其中反射性阴极接触件包括铝。
15.如权利要求4所述的发光二极管：
其中二极管区域包括III族氮化物；
其中透明绝缘层包括二氧化硅；
其中反射性阴极接触件包括铝；并且
其中反射性阳极接触件包括镍和银。
16.如权利要求6所述的发光二极管：
其中二极管区域包括III族氮化物；
其中透明绝缘层包括二氧化硅；
其中反射性阴极接触件包括铝；并且
其中透明阳极接触件包括铟锡氧化物。
17.如权利要求11所述的发光二极管：
其中二极管区域包括III族氮化物；
其中透明绝缘层包括二氧化硅；
其中反射性阴极接触件包括铝；并且
其中透明基板包括碳化硅。
18.如权利要求1所述的发光二极管，其中反射性阴极接触件还提供了用于阳极垫片和阴极垫片的电镀籽晶层，并且其中阳极垫片和阴极垫片是籽晶层上的电镀阳极垫片和电镀阴极垫片。
19.如权利要求1所述的发光二极管，其中反射性阴极接触件直接电阻性地接触n型层。
20.如权利要求1所述的发光二极管，进一步包括直接电阻性地接触n型层的电阻性接触件，其中反射性阴极接触件位于电阻性接触件上。
21.如权利要求20所述的发光二极管：
其中二极管区域包括III族氮化物；
其中透明绝缘层包括二氧化硅；
其中电阻性接触件包括钛；并且
其中反射性阳极接触件包括镍和银。
22.如权利要求15所述的发光二极管，进一步包括透明基板，透明基板包括第二面上的碳化硅。
23.如权利要求1所述的发光二极管，其中透明绝缘层包括多个透明子层。
24.一种发光二极管，包括：
二极管区域，包括相对的第一面和第二面并且在其中包括n型层和p型层；
电阻性地接触p型层并且在第一面上延伸的阳极接触件；以及
电阻性地接触n型层并且也在第一面上延伸的阴极接触件；
其中阳极接触件和/或阴极接触件进一步包括第一面上的反射结构，反射结构被设置用于将从第一面发出的光反射回第一面，使得所述反射结构将从第一面的至少90％的面积发出的光反射回第一面；
电连接至阳极接触件的阳极垫片；和
电连接至反射性阴极接触件的阴极垫片；
阳极垫片和阴极垫片彼此接近，并且在第一面上延伸从而界定出其间的间隙。
25.如权利要求24所述的发光二极管，其中反射结构被设置用于将至少90％的投射在其上的光反射回第一面。
26.如权利要求24所述的发光二极管，其中反射结构包括电阻性地接触p型层的阳极接触件的反射面、阴极接触件的反射面以及阴极接触件延长段的反射面，阴极接触件延长段的反射面在电阻性地接触p型层的阳极接触件的反射面和阴极接触件的反射面之间延伸。
27.如权利要求26所述的发光二极管，进一步包括在阳极接触件包括其侧壁上的阻挡层，其中反射结构将从第一面发出的光反射回第一面，由阳极接触件侧壁上的阻挡层吸收的光除外。
28.如权利要求24所述的发光二极管，其中阳极接触件是透明的，并且其中反射结构包括电阻性地接触n型层的阴极接触件的反射面以及延伸到透明阳极接触件上的阴极接触件延长段的反射面。
29.如权利要求28所述的发光二极管，进一步包括透明阳极接触件上的电流扩展层，其中反射结构将从第一面发出的所有的光都反射回第一面，由透明阳极接触件上的电流扩展层吸收的光除外。
30.如权利要求24所述的发光二极管，进一步包括安装基板，并且其中发光二极管被倒装安装在安装基板上以使阳极垫片和阴极垫片靠近安装基板，并且二极管区域远离安装基板。
31.一种发光二极管，包括：
二极管区域，包括相对的第一面和第二面并且在其中包括n型层和p型层；
电阻性地接触p型层并且在第一面上延伸的反射性阳极接触件；以及
电阻性地接触n型层并且在第一面上延伸的反射性阴极接触件，其中反射性阳极接触件和反射性阴极接触件被设置用于共同将从第一面发出的所有的光的至少90％反射回第一面；
电连接至阳极接触件的阳极垫片；和
电连接至反射性阴极接触件的阴极垫片；
阳极垫片和阴极垫片彼此接近，并且在第一面上延伸从而界定出其间的间隙。
32.如权利要求31所述的发光二极管，其中反射性阳极接触件包括电阻性地接触p型层并且在第一面上延伸的反射层以及在反射层包括其侧壁上的阻挡层。
33.如权利要求31所述的发光二极管，其中反射性阴极接触件包括：
在阳极接触件外的第一面上延伸的透明绝缘层；以及
电接触n型层并且延伸穿过透明绝缘层且延伸到位于阳极接触件外的透明绝缘层上的反射层。
34.如权利要求33所述的发光二极管，其中透明绝缘层也延伸到阳极接触件上，并且其中反射层也延伸到位于阳极接触件上的透明绝缘层上。
35.如权利要求33所述的发光二极管，进一步包括延伸进入第一面内以露出n型层的通孔，其中透明绝缘层延伸进入通孔内，并且其中反射层也在透明绝缘层上延伸进入通孔内以电接触在通孔内露出的n型层。
36.一种发光二极管，包括：
二极管区域，包括相对的第一面和第二面并且在其中包括n型层和p型层；
电阻性地接触p型层并且在第一面上延伸的透明阳极接触件；
电阻性地接触n型层并且在第一面上延伸的透明阴极接触件；
在第一面上包括在透明阳极接触件和透明阴极接触件上延伸的透明绝缘层；以及
位于透明绝缘层上的反射层；
其中所述透明接触件和所述透明层的每一个透射至少90％的投射在其上的辐射；
电连接至阳极接触件的阳极垫片；和
电连接至反射性阴极接触件的阴极垫片；
阳极垫片和阴极垫片彼此接近，并且在第一面上延伸从而界定出其间的间隙。
37.如权利要求36所述的发光二极管，进一步在透明阳极接触件和反射层之间以及在透明阴极接触件和反射层之间包括电流扩展层。
38.如权利要求37所述的发光二极管，其中反射层包括第一和第二部分，其中在透明阳极接触件和反射层之间的电流扩展层将透明阳极接触件电连接至第一部分，并且其中在透明阴极接触件和反射层之间的电流扩展层将透明阴极接触件电连接至第二部分。
39.如权利要求36所述的发光二极管，其中透明阳极接触件和透明阴极接触件均包括铟锡氧化物，并且其中透明绝缘层包括折射率低于铟锡氧化物的材料。
40.如权利要求36所述的发光二极管，进一步包括第二面上的透明基板，其具有与二极管区域大致相同的折射率。
41.如权利要求36所述的发光二极管，其中透明阳极接触件和透明阴极接触件均包括透明导电的金属氧化物并且其中反射层包括与第一面间隔开的单质金属层以避免第一面与单质金属直接接触。
42.一种制造发光二极管的方法，包括：
蚀刻穿过二极管区域的第一面处的p型层的通孔，以在其中露出n型层；
在第一面上形成电阻性地接触p型层的阳极接触件；
在通孔的侧壁上形成透明绝缘层并且透明绝缘层延伸到通孔外的第一面上，所述透明绝缘层透射至少90％的投射在所述透明绝缘层上的辐射；以及
形成反射性阴极接触件，反射性阴极接触件在通孔的底部上电阻性地接触n型层并且在位于通孔侧壁上的透明层上延伸以及在位于通孔外的第一面上的透明层上延伸；
形成电连接至阳极接触件的阳极垫片；和
形成电连接至反射性阴极接触件的阴极垫片，所述阳极垫片和阴极垫片彼此接近，并且在第一面上延伸从而界定出其间的间隙。
43.如权利要求42所述的方法，其中形成阳极接触件包括形成电阻性地接触p型层并且在第一面上延伸的透明阳极接触件。
44.如权利要求43所述的方法，其中形成透明阳极接触件之后，在一部分透明阳极接触件上形成电流扩展层。
45.如权利要求43所述的方法，其中形成透明绝缘层进一步包括将透明绝缘层形成为在透明阳极接触件上延伸，并且其中形成反射性接触件包括将反射性接触件形成为在位于透明阳极接触件上的透明绝缘层上延伸。
46.如权利要求42所述的方法，其中形成阳极接触件包括形成电阻性地接触p型层并且在第一面上延伸的反射层以及在反射层包括其侧壁上形成阻挡层。
47.如权利要求42所述的方法，其中形成透明绝缘层包括覆盖形成透明绝缘层，并且在透明绝缘层内开出延伸至n型层和p型层的通孔。
CN201080026730.9A 2009-05-11 2010-02-23 具有反射结构的半导体发光二极管及其制造方法 Active CN102460744B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/463,709 2009-05-11
US12/463,709 US8368100B2 (en) 2007-11-14 2009-05-11 Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
PCT/US2010/024980 WO2010132139A1 (en) 2009-05-11 2010-02-23 Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102460744A CN102460744A (zh) 2012-05-16
CN102460744B true CN102460744B (zh) 2014-11-12

Family

ID=42184078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080026730.9A Active CN102460744B (zh) 2009-05-11 2010-02-23 具有反射结构的半导体发光二极管及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US8368100B2 (zh)
EP (2) EP2430673B1 (zh)
JP (5) JP5797640B2 (zh)
KR (1) KR20120027318A (zh)
CN (1) CN102460744B (zh)
WO (1) WO2010132139A1 (zh)

Families Citing this family (239)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9000461B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US10686106B2 (en) 2003-07-04 2020-06-16 Epistar Corporation Optoelectronic element
US9142740B2 (en) 2003-07-04 2015-09-22 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9443903B2 (en) 2006-06-30 2016-09-13 Cree, Inc. Low temperature high strength metal stack for die attachment
US8698184B2 (en) * 2011-01-21 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting diodes with low junction temperature and solid state backlight components including light emitting diodes with low junction temperature
US8878245B2 (en) * 2006-11-30 2014-11-04 Cree, Inc. Transistors and method for making ohmic contact to transistors
JP2008166782A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
US9484499B2 (en) * 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
US9172012B2 (en) 2007-10-31 2015-10-27 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US9082921B2 (en) 2007-10-31 2015-07-14 Cree, Inc. Multi-die LED package
US9666762B2 (en) 2007-10-31 2017-05-30 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US9754926B2 (en) * 2011-01-31 2017-09-05 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US8575633B2 (en) * 2008-12-08 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting diode with improved light extraction
US7915629B2 (en) 2008-12-08 2011-03-29 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
US9660153B2 (en) * 2007-11-14 2017-05-23 Cree, Inc. Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8536584B2 (en) * 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US9640737B2 (en) 2011-01-31 2017-05-02 Cree, Inc. Horizontal light emitting diodes including phosphor particles
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
US8384115B2 (en) * 2008-08-01 2013-02-26 Cree, Inc. Bond pad design for enhancing light extraction from LED chips
KR101020910B1 (ko) * 2008-12-24 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101017395B1 (ko) * 2008-12-24 2011-02-28 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101557362B1 (ko) 2008-12-31 2015-10-08 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
TWI470823B (zh) 2009-02-11 2015-01-21 Epistar Corp 發光元件及其製造方法
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US8529102B2 (en) * 2009-04-06 2013-09-10 Cree, Inc. Reflector system for lighting device
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8741715B2 (en) * 2009-04-29 2014-06-03 Cree, Inc. Gate electrodes for millimeter-wave operation and methods of fabrication
US9255686B2 (en) 2009-05-29 2016-02-09 Cree, Inc. Multi-lens LED-array optic system
US20100327300A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
US9362459B2 (en) * 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
US9502612B2 (en) 2009-09-20 2016-11-22 Viagan Ltd. Light emitting diode package with enhanced heat conduction
US9435493B2 (en) * 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
KR101712543B1 (ko) * 2010-02-12 2017-03-07 서울바이오시스 주식회사 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 칩 및 그 제조방법
US8963178B2 (en) * 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
JP5414579B2 (ja) 2009-11-19 2014-02-12 株式会社東芝 半導体発光装置
KR101654340B1 (ko) * 2009-12-28 2016-09-06 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드
DE102009060749B4 (de) * 2009-12-30 2021-12-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
JP5793292B2 (ja) * 2010-02-17 2015-10-14 豊田合成株式会社 半導体発光素子
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US8562161B2 (en) 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US9105824B2 (en) 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
CN102237473B (zh) 2010-05-07 2015-03-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
TWI483419B (zh) * 2010-05-10 2015-05-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體及其製造方法
JP5356312B2 (ja) 2010-05-24 2013-12-04 株式会社東芝 半導体発光装置
DE102010024079A1 (de) * 2010-06-17 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
KR101252032B1 (ko) 2010-07-08 2013-04-10 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
US8764224B2 (en) 2010-08-12 2014-07-01 Cree, Inc. Luminaire with distributed LED sources
KR101138951B1 (ko) * 2010-08-23 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 발광다이오드
KR101114191B1 (ko) * 2010-09-17 2012-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US8696159B2 (en) 2010-09-20 2014-04-15 Cree, Inc. Multi-chip LED devices
US9070851B2 (en) * 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101142965B1 (ko) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
US9012948B2 (en) * 2010-10-04 2015-04-21 Epistar Corporation Light-emitting element having a plurality of contact parts
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
KR101746004B1 (ko) 2010-10-29 2017-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자
CN103222074B (zh) * 2010-11-18 2016-06-01 首尔伟傲世有限公司 具有电极焊盘的发光二极管芯片
KR102399278B1 (ko) * 2014-12-31 2022-05-19 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드
US9520536B2 (en) * 2010-11-18 2016-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having electrode pad
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
US8916883B2 (en) * 2010-12-20 2014-12-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating the same
TWI435477B (zh) * 2010-12-29 2014-04-21 Lextar Electronics Corp 高亮度發光二極體
KR101762324B1 (ko) 2011-01-27 2017-07-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US9673363B2 (en) * 2011-01-31 2017-06-06 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
US9831220B2 (en) 2011-01-31 2017-11-28 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9053958B2 (en) 2011-01-31 2015-06-09 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9401103B2 (en) 2011-02-04 2016-07-26 Cree, Inc. LED-array light source with aspect ratio greater than 1
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US8952405B2 (en) 2011-03-06 2015-02-10 Mordehai MARGALIT Light emitting diode package and method of manufacture
US10074778B2 (en) * 2011-03-22 2018-09-11 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode package and method for manufacturing the same
JP5541261B2 (ja) 2011-03-23 2014-07-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
US8680556B2 (en) 2011-03-24 2014-03-25 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
KR101781051B1 (ko) * 2011-03-28 2017-09-25 엘지이노텍 주식회사 발광소자
USD676001S1 (en) 2011-04-07 2013-02-12 Epistar Corporation Light emitting diode
KR101860973B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-24 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 반도체 칩
US9269878B2 (en) * 2011-05-27 2016-02-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting apparatus
US8686429B2 (en) * 2011-06-24 2014-04-01 Cree, Inc. LED structure with enhanced mirror reflectivity
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
US9653643B2 (en) 2012-04-09 2017-05-16 Cree, Inc. Wafer level packaging of light emitting diodes (LEDs)
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
US9666764B2 (en) * 2012-04-09 2017-05-30 Cree, Inc. Wafer level packaging of multiple light emitting diodes (LEDs) on a single carrier die
WO2013011415A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of bonding a semiconductor device to a support substrate
US8952395B2 (en) 2011-07-26 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Wafer-level solid state transducer packaging transducers including separators and associated systems and methods
US8497146B2 (en) * 2011-08-25 2013-07-30 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods
KR20130024089A (ko) 2011-08-30 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP5949294B2 (ja) * 2011-08-31 2016-07-06 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
TWI437737B (zh) * 2011-09-14 2014-05-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體結構及其製造方法
KR101691589B1 (ko) * 2011-09-16 2017-01-02 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
EP4243094A3 (en) * 2011-09-16 2023-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
KR101888604B1 (ko) * 2011-10-28 2018-08-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
WO2013084103A1 (en) * 2011-12-08 2013-06-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting device with thick metal layers
US9172001B2 (en) * 2011-12-08 2015-10-27 Koninklijke Philips N.V. Semiconductor light emitting device with thick metal layers
KR101883842B1 (ko) * 2011-12-26 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
US9419182B2 (en) 2012-01-05 2016-08-16 Micron Technology, Inc. Solid-state radiation transducer devices having at least partially transparent buried-contact elements, and associated systems and methods
WO2013105834A1 (ko) * 2012-01-13 2013-07-18 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
EP2816621A4 (en) * 2012-02-15 2015-10-21 Panasonic Ip Man Co Ltd LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
JP5710532B2 (ja) * 2012-03-26 2015-04-30 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
TWI473298B (zh) * 2012-04-20 2015-02-11 Genesis Photonics Inc 半導體發光元件及覆晶式封裝元件
US9437783B2 (en) * 2012-05-08 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) contact structures and process for fabricating the same
CN103426987B (zh) * 2012-05-14 2016-04-06 新世纪光电股份有限公司 半导体发光元件及覆晶式封装元件
US9450152B2 (en) 2012-05-29 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods
US9496458B2 (en) * 2012-06-08 2016-11-15 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes with crack-tolerant barrier structures and methods of fabricating the same
JP5989420B2 (ja) * 2012-06-28 2016-09-07 株式会社東芝 半導体発光装置
KR101669641B1 (ko) * 2012-06-28 2016-10-26 서울바이오시스 주식회사 표면 실장용 발광 다이오드, 그 형성방법 및 발광 다이오드 모듈의 제조방법
US8816383B2 (en) * 2012-07-06 2014-08-26 Invensas Corporation High performance light emitting diode with vias
CN108550672A (zh) * 2012-07-18 2018-09-18 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
CN103988322B (zh) 2012-07-18 2016-10-12 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
US9236524B2 (en) * 2012-07-18 2016-01-12 Semicon Light Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor light emitting device
JP2014022607A (ja) * 2012-07-19 2014-02-03 Rohm Co Ltd 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
JP6041341B2 (ja) * 2012-07-19 2016-12-07 ローム株式会社 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
CN104521012B (zh) * 2012-08-07 2018-04-24 首尔伟傲世有限公司 晶圆级发光二极管阵列及其制造方法
DE102012107921A1 (de) 2012-08-28 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102012108879B4 (de) * 2012-09-20 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip mit mehreren nebeneinander angeordneten aktiven Bereichen
DE102012108883A1 (de) 2012-09-20 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
US10788176B2 (en) 2013-02-08 2020-09-29 Ideal Industries Lighting Llc Modular LED lighting system
KR102013364B1 (ko) * 2012-12-06 2019-10-21 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것의 어플리케이션
JP2014127565A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
TWI570955B (zh) 2013-01-10 2017-02-11 晶元光電股份有限公司 發光元件
JP6218386B2 (ja) * 2013-02-01 2017-10-25 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 発光素子
US10439107B2 (en) 2013-02-05 2019-10-08 Cree, Inc. Chip with integrated phosphor
US9318674B2 (en) 2013-02-05 2016-04-19 Cree, Inc. Submount-free light emitting diode (LED) components and methods of fabricating same
DE102013103079A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
JP6094345B2 (ja) * 2013-04-11 2017-03-15 日亜化学工業株式会社 発光素子及びそれを用いた発光装置
US8896008B2 (en) 2013-04-23 2014-11-25 Cree, Inc. Light emitting diodes having group III nitride surface features defined by a mask and crystal planes
CN105122478B (zh) * 2013-04-23 2018-01-23 皇家飞利浦有限公司 用于发光器件的侧面互连
KR20140130618A (ko) * 2013-05-01 2014-11-11 서울바이오시스 주식회사 솔더 페이스트를 통해 접착된 발광 다이오드를 갖는 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드
JP6106522B2 (ja) * 2013-05-17 2017-04-05 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイ
CN110246946B (zh) * 2013-06-04 2023-04-21 科锐Led公司 发光二极管介质镜
US9082926B2 (en) 2013-06-18 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor optical emitting device with metallized sidewalls
KR102053408B1 (ko) * 2013-07-11 2019-12-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
DE102013107531A1 (de) * 2013-07-16 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
JP2016528728A (ja) * 2013-07-18 2016-09-15 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 高反射フリップチップｌｅｄダイ
KR102103882B1 (ko) * 2013-07-29 2020-04-24 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 모듈
KR102091842B1 (ko) * 2013-07-29 2020-03-20 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
US9847457B2 (en) 2013-07-29 2017-12-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode, method of fabricating the same and LED module having the same
KR102478524B1 (ko) * 2014-12-31 2022-12-19 서울바이오시스 주식회사 고효율 발광 다이오드
US20150069444A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
KR101546929B1 (ko) 2013-09-24 2015-08-25 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 모듈
JP5553292B1 (ja) * 2013-12-03 2014-07-16 エルシード株式会社 Ｌｅｄ素子
RU2549335C1 (ru) * 2013-12-18 2015-04-27 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр НТС Инновации" Светоизлучающий диод
DE102014101896A1 (de) * 2014-02-14 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
JP6299336B2 (ja) 2014-03-28 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光素子及びそれを用いた発光装置
DE102014105999A1 (de) * 2014-04-29 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US10910350B2 (en) * 2014-05-24 2021-02-02 Hiphoton Co., Ltd. Structure of a semiconductor array
KR102019914B1 (ko) * 2014-06-11 2019-11-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102407827B1 (ko) * 2015-01-27 2022-06-13 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
US9978724B2 (en) * 2014-06-27 2018-05-22 Bridgelux, Inc. Red flip chip light emitting diode, package, and method of making the same
WO2016003205A1 (ko) * 2014-07-01 2016-01-07 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
KR102357289B1 (ko) 2014-07-01 2022-02-03 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
US9660161B2 (en) * 2014-07-07 2017-05-23 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components including contact expansion frame
JP5991348B2 (ja) * 2014-07-28 2016-09-14 豊田合成株式会社 半導体発光素子
KR20160025455A (ko) * 2014-08-27 2016-03-08 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20160027875A (ko) * 2014-08-28 2016-03-10 서울바이오시스 주식회사 발광소자
US9214607B1 (en) 2014-09-05 2015-12-15 Cree, Inc. Wire bonded light emitting diode (LED) components including reflective layer
US10622522B2 (en) * 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
KR102323686B1 (ko) * 2014-10-21 2021-11-11 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
DE102014115740A1 (de) * 2014-10-29 2016-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR102237148B1 (ko) * 2014-11-07 2021-04-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 제조방법
DE112015005124T5 (de) * 2014-11-12 2017-08-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Lichtemittierende Diode
DE102014116935A1 (de) * 2014-11-19 2016-05-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
US9601673B2 (en) 2014-11-21 2017-03-21 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components including LED dies that are directly attached to lead frames
KR102282137B1 (ko) * 2014-11-25 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
DE102015100578A1 (de) * 2015-01-15 2016-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
US10658546B2 (en) * 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
US20160329461A1 (en) 2015-02-17 2016-11-10 Genesis Photonics Inc. Light emitting diode
TWI583019B (zh) * 2015-02-17 2017-05-11 新世紀光電股份有限公司 Light emitting diode and manufacturing method thereof
US20180130926A1 (en) * 2015-02-17 2018-05-10 Genesis Photonics Inc. Light emitting diode
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
KR102347487B1 (ko) * 2015-03-16 2022-01-07 서울바이오시스 주식회사 금속 벌크를 포함하는 발광 소자
KR102347480B1 (ko) * 2015-03-18 2022-01-07 서울바이오시스 주식회사 금속 벌크를 포함하는 발광 소자
KR102434778B1 (ko) * 2015-03-26 2022-08-23 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
KR102038443B1 (ko) 2015-03-26 2019-10-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
US9905729B2 (en) * 2015-03-27 2018-02-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
JP6468057B2 (ja) * 2015-04-28 2019-02-13 日亜化学工業株式会社 発光素子
KR102002618B1 (ko) * 2015-04-28 2019-07-22 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드
SG11201708087YA (en) * 2015-05-14 2017-10-30 Halliburton Energy Services Inc Ball and seat valve for high temperature and pressure applications
US10217914B2 (en) * 2015-05-27 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
JP6009041B2 (ja) * 2015-06-05 2016-10-19 ローム株式会社 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
TWI583020B (zh) * 2015-07-06 2017-05-11 隆達電子股份有限公司 發光元件及發光裝置
DE102015114587A1 (de) * 2015-09-01 2017-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP6665466B2 (ja) * 2015-09-26 2020-03-13 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
CN108369977B (zh) 2015-10-01 2021-06-15 克利公司 低光学损失倒装芯片固态照明设备
DE102015119353B4 (de) * 2015-11-10 2024-01-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
JP6651843B2 (ja) * 2015-12-25 2020-02-19 日亜化学工業株式会社 発光素子
KR101679395B1 (ko) * 2016-01-11 2016-11-25 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
WO2017222341A1 (ko) * 2016-06-24 2017-12-28 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
DE102016112587A1 (de) * 2016-07-08 2018-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
KR102550005B1 (ko) * 2016-07-15 2023-07-03 서울바이오시스 주식회사 자외선 발광 다이오드
KR102137750B1 (ko) * 2016-07-28 2020-07-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101826950B1 (ko) 2016-07-29 2018-02-07 서울바이오시스 주식회사 솔더 페이스트를 통해 접착된 발광 다이오드를 갖는 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드
KR101723201B1 (ko) * 2016-08-01 2017-04-05 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR102476139B1 (ko) 2016-08-03 2022-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102571788B1 (ko) * 2016-08-30 2023-09-04 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자, 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR101894047B1 (ko) * 2016-08-31 2018-09-04 서울바이오시스 주식회사 표면 실장용 발광 다이오드, 그 형성방법 및 발광 다이오드 모듈의 제조방법
KR102656859B1 (ko) * 2016-10-21 2024-04-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
KR102598043B1 (ko) 2017-01-12 2023-11-06 삼성전자주식회사 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자
JP6824501B2 (ja) * 2017-02-08 2021-02-03 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
DE102017104742A1 (de) 2017-03-07 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102017106410A1 (de) 2017-03-24 2018-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
KR101826949B1 (ko) * 2017-04-06 2018-02-07 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드
US10707374B2 (en) * 2017-09-15 2020-07-07 Glo Ab Etendue enhancement for light emitting diode subpixels
US11024770B2 (en) * 2017-09-25 2021-06-01 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting device
KR20190061147A (ko) * 2017-11-27 2019-06-05 주식회사 루멘스 엘이디 칩 및 그 엘이디 칩이 적용된 엘이디 모듈
DE102017130757A1 (de) * 2017-12-20 2019-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil
CN110071134B (zh) * 2018-01-23 2023-09-12 晶元光电股份有限公司 发光元件、其制造方法及显示模块
KR102427642B1 (ko) 2018-01-25 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US11031527B2 (en) 2018-01-29 2021-06-08 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11387389B2 (en) 2018-01-29 2022-07-12 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11923481B2 (en) 2018-01-29 2024-03-05 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
CN111670488B (zh) * 2018-02-01 2021-08-17 新唐科技日本株式会社 半导体装置
JP2019149480A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 豊田合成株式会社 半導体素子、発光装置、および発光装置の製造方法
CN108807612A (zh) * 2018-06-26 2018-11-13 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种发光二极管制备方法
DE102018119688A1 (de) 2018-08-14 2020-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem ersten Kontaktelement, welches einen ersten und einen zweiten Abschnitt aufweist sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements
US10879441B2 (en) 2018-12-17 2020-12-29 Cree, Inc. Interconnects for light emitting diode chips
JP7154429B2 (ja) * 2018-12-24 2022-10-17 泉州三安半導体科技有限公司 発光ダイオード及びその製作方法
DE102019107030A1 (de) * 2019-03-19 2020-09-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einer vielzahl von bildelementen und trennelementen und verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung
US10985294B2 (en) 2019-03-19 2021-04-20 Creeled, Inc. Contact structures for light emitting diode chips
DE102019106938A1 (de) * 2019-03-19 2020-09-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit isolierender Schicht und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements
CN112470297B (zh) * 2019-06-06 2022-09-06 新唐科技日本株式会社 半导体发光元件以及半导体发光装置
US11094848B2 (en) 2019-08-16 2021-08-17 Creeled, Inc. Light-emitting diode chip structures
KR102170219B1 (ko) * 2019-09-03 2020-10-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
TWI733226B (zh) * 2019-10-25 2021-07-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 發光二極體晶圓以及發光二極體晶圓檢測裝置與方法
US11837684B2 (en) * 2019-11-21 2023-12-05 Creeled, Inc. Submount structures for light emitting diode packages
KR102149911B1 (ko) * 2019-11-25 2020-08-31 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 모듈
WO2021114550A1 (zh) * 2019-12-10 2021-06-17 厦门三安光电有限公司 一种发光装置
KR102612253B1 (ko) * 2020-03-06 2023-12-08 티엔진 산안 옵토일렉트로닉스 컴퍼니 리미티드 플립칩 발광다이오드
TWD219684S (zh) * 2021-07-09 2022-07-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體之部分
US11935987B2 (en) * 2021-11-03 2024-03-19 Lumileds Llc Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area
CN114300603A (zh) * 2021-12-29 2022-04-08 惠州视维新技术有限公司 发光器件及其制备方法、灯板、背光模块以及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6197609B1 (en) * 1998-09-07 2001-03-06 Rohm Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor light emitting device
US6869812B1 (en) * 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
DE102007046743A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung

Family Cites Families (222)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US622746A (en) * 1899-04-11 Manufacture of pottery
US812502A (en) * 1905-05-01 1906-02-13 Fred E Knight Traction-wheel.
US1880399A (en) 1930-03-17 1932-10-04 Benjamin Electric Mfg Co Floodlight
DE2755433C2 (de) * 1977-12-13 1986-09-25 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Strahlungsemittierende Halbleiterdiode
JPS5742179Y2 (zh) 1978-01-06 1982-09-17
JPS5742179A (en) * 1980-08-27 1982-03-09 Nec Corp Semiconductor device with recognition pattern
DE3128187A1 (de) 1981-07-16 1983-02-03 Joachim 8068 Pfaffenhofen Sieg Opto-elektronisches bauelement
EP0232508B1 (en) 1986-01-09 1992-03-11 International Business Machines Corporation Dual glass reflow process for forming contacts
EP0391380B1 (en) 1989-04-04 1997-12-17 Siemens Aktiengesellschaft HEMT Structure
JPH02299699A (ja) 1989-05-15 1990-12-11 Toshiba Corp 洗濯機
JPH03124522A (ja) 1989-10-02 1991-05-28 Nissan Motor Co Ltd 自動車の包装用シート
JPH03124522U (zh) 1990-03-30 1991-12-17
JPH04284620A (ja) 1991-03-13 1992-10-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US5192987A (en) 1991-05-17 1993-03-09 Apa Optics, Inc. High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions
US5334865A (en) 1991-07-31 1994-08-02 Allied-Signal Inc. MODFET structure for threshold control
KR0130963B1 (ko) 1992-06-09 1998-04-14 구자홍 T형 단면구조의 게이트 금속전극을 갖는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
JP2725592B2 (ja) 1994-03-30 1998-03-11 日本電気株式会社 電界効果トランジスタの製造方法
JPH07283140A (ja) 1994-04-05 1995-10-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 活性原子の供給制御方法
JP3077524B2 (ja) 1994-09-12 2000-08-14 株式会社村田製作所 半導体装置の製造方法
JP3027095B2 (ja) 1994-10-07 2000-03-27 シャープ株式会社 半導体発光素子
US5670798A (en) 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3259811B2 (ja) 1995-06-15 2002-02-25 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
JPH09153646A (ja) 1995-09-27 1997-06-10 Toshiba Corp 光半導体装置およびその製造方法
JP2827992B2 (ja) 1995-11-02 1998-11-25 日本電気株式会社 微細パターンの形成方法
US5915164A (en) 1995-12-28 1999-06-22 U.S. Philips Corporation Methods of making high voltage GaN-A1N based semiconductor devices
US5920105A (en) 1996-09-19 1999-07-06 Fujitsu Limited Compound semiconductor field effect transistor having an amorphous gas gate insulation layer
JPH10223901A (ja) 1996-12-04 1998-08-21 Sony Corp 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JPH10189649A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Sharp Corp 化合物半導体素子及びその電極形成方法
US6004881A (en) 1997-04-24 1999-12-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Digital wet etching of semiconductor materials
US6784463B2 (en) 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
JP3462720B2 (ja) * 1997-07-16 2003-11-05 三洋電機株式会社 ｎ型窒化物半導体の電極及び前記電極を有する半導体素子並びにその製造方法
US6316820B1 (en) 1997-07-25 2001-11-13 Hughes Electronics Corporation Passivation layer and process for semiconductor devices
JP4141549B2 (ja) * 1997-11-07 2008-08-27 シャープ株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP3322300B2 (ja) * 1997-11-14 2002-09-09 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子と受光素子
JP3372470B2 (ja) 1998-01-20 2003-02-04 シャープ株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置
JP3439111B2 (ja) 1998-03-09 2003-08-25 古河電気工業株式会社 高移動度トランジスタ
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP4182376B2 (ja) 1998-12-02 2008-11-19 富士通株式会社 半導体装置
US6149283A (en) 1998-12-09 2000-11-21 Rensselaer Polytechnic Institute (Rpi) LED lamp with reflector and multicolor adjuster
JP3469484B2 (ja) * 1998-12-24 2003-11-25 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
KR100277135B1 (ko) 1998-12-31 2001-01-15 윤종용 액티브 클램프 전원장치 및 방법
JP3881472B2 (ja) 1999-04-15 2007-02-14 ローム株式会社 半導体発光素子の製法
JP2000311704A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 Toshiba Battery Co Ltd 密閉型ニッケル水素二次電池
US6489637B1 (en) 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
EP1065734B1 (en) 1999-06-09 2009-05-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof.
JP2001007325A (ja) 1999-06-18 2001-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 電界効果型トランジスタ
DE19931689A1 (de) 1999-07-08 2001-01-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Optoelektronische Bauteilgruppe
JP3710339B2 (ja) 1999-08-31 2005-10-26 シャープ株式会社 ＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造方法
JP3414678B2 (ja) 1999-09-29 2003-06-09 三容真空工業株式会社 スパッタによる成膜方法とその装置
US6812502B1 (en) 1999-11-04 2004-11-02 Uni Light Technology Incorporation Flip-chip light-emitting device
US6614056B1 (en) 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
CA2393081C (en) 1999-12-03 2011-10-11 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6573537B1 (en) * 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
US6646292B2 (en) 1999-12-22 2003-11-11 Lumileds Lighting, U.S., Llc Semiconductor light emitting device and method
TW465123B (en) 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
JP3505643B2 (ja) 2000-04-19 2004-03-08 星和電機株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子
US6686616B1 (en) 2000-05-10 2004-02-03 Cree, Inc. Silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors
JP4186032B2 (ja) 2000-06-29 2008-11-26 日本電気株式会社 半導体装置
JP2002015947A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Kyocera Corp コンデンサの製造方法
TWI257179B (en) 2000-07-17 2006-06-21 Fujitsu Quantum Devices Ltd High-speed compound semiconductor device operable at large output power with minimum leakage current
US6380564B1 (en) 2000-08-16 2002-04-30 United Epitaxy Company, Ltd. Semiconductor light emitting device
JP2002077353A (ja) 2000-08-25 2002-03-15 Moriguchi:Kk 通信機器用発光装置の通信機器への取付構造
US6888171B2 (en) 2000-12-22 2005-05-03 Dallan Luming Science & Technology Group Co., Ltd. Light emitting diode
MY131962A (en) 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
JP2002299699A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
US6686676B2 (en) 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6630689B2 (en) * 2001-05-09 2003-10-07 Lumileds Lighting, U.S. Llc Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa
JP3697609B2 (ja) 2001-05-23 2005-09-21 日立電線株式会社 半導体発光素子
US6642652B2 (en) 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
TW564584B (en) 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
JP2003017757A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanken Electric Co Ltd フリップチップ形半導体発光素子
JP3633595B2 (ja) 2001-08-10 2005-03-30 富士通株式会社 レジストパターン膨潤化材料およびそれを用いた微小パターンの形成方法および半導体装置の製造方法
TW518771B (en) * 2001-09-13 2003-01-21 United Epitaxy Co Ltd LED and the manufacturing method thereof
JP3905343B2 (ja) 2001-10-09 2007-04-18 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US6833564B2 (en) 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
US7470941B2 (en) 2001-12-06 2008-12-30 Hrl Laboratories, Llc High power-low noise microwave GaN heterojunction field effect transistor
US6784462B2 (en) 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
TW520616B (en) 2001-12-31 2003-02-11 Ritdisplay Corp Manufacturing method of organic surface light emitting device
US6480389B1 (en) 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
DE60329576D1 (de) 2002-01-28 2009-11-19 Nichia Corp Nitrid-halbleiterbauelement mit einem trägersubstrat und verfahren zu seiner herstellung
KR200277135Y1 (ko) 2002-03-04 2002-05-30 주식회사 토우그린 레이저 안개등
JP4233268B2 (ja) 2002-04-23 2009-03-04 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
EP1501671A4 (en) 2002-05-08 2007-03-21 Target Technology Co Llc SILVER ALLOY THIN FILM REFLECTOR AND TRANSPARENT ELECTRICAL CONDUCTOR
JP4123830B2 (ja) * 2002-05-28 2008-07-23 松下電工株式会社 Ｌｅｄチップ
US6870311B2 (en) 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
US6828596B2 (en) * 2002-06-13 2004-12-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
US6878969B2 (en) 2002-07-29 2005-04-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device
US7923198B2 (en) 2002-08-14 2011-04-12 Fujitsu Limited Method of manufacturing fine T-shaped electrode
US7419894B2 (en) 2002-08-28 2008-09-02 Fujitsu Limited Gate electrode and manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP2004296772A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Denshi Seiki:Kk 積層型圧電素子の電気的駆動方法
US7087936B2 (en) 2003-04-30 2006-08-08 Cree, Inc. Methods of forming light-emitting devices having an antireflective layer that has a graded index of refraction
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP2006128727A (ja) * 2003-05-27 2006-05-18 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
JP4351585B2 (ja) 2003-06-06 2009-10-28 矢崎総業株式会社 スイッチング回路及び電圧計測回路
KR100568269B1 (ko) 2003-06-23 2006-04-05 삼성전기주식회사 플립-칩 본딩용 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조방법
WO2005004247A1 (en) 2003-07-03 2005-01-13 Epivalley Co., Ltd. Iii-nitride compound semiconductor light emitting device
US6972438B2 (en) 2003-09-30 2005-12-06 Cree, Inc. Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating
KR20050034936A (ko) 2003-10-10 2005-04-15 삼성전기주식회사 형광체를 이용한 파장변환형 발광 다이오드 패키지 및제조방법
US20050082562A1 (en) 2003-10-15 2005-04-21 Epistar Corporation High efficiency nitride based light emitting device
JP4449405B2 (ja) 2003-10-20 2010-04-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
WO2005043631A2 (en) 2003-11-04 2005-05-12 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP4124102B2 (ja) 2003-11-12 2008-07-23 松下電工株式会社 多重反射防止構造を備えた発光素子とその製造方法
CN100459189C (zh) 2003-11-19 2009-02-04 日亚化学工业株式会社 半导体元件
DE10360946A1 (de) 2003-12-23 2005-07-21 Engel, Hartmut S. Einbauleuchte
JP4604488B2 (ja) * 2003-12-26 2011-01-05 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP4530739B2 (ja) * 2004-01-29 2010-08-25 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板および発光装置
US7170111B2 (en) 2004-02-05 2007-01-30 Cree, Inc. Nitride heterojunction transistors having charge-transfer induced energy barriers and methods of fabricating the same
WO2005078338A1 (en) 2004-02-17 2005-08-25 Kelly William M A utility lamp
US7179670B2 (en) * 2004-03-05 2007-02-20 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode device without sub-mount
GB2412009B (en) 2004-03-11 2006-01-25 Toshiba Research Europ Limited A semiconductor device and method of its manufacture
JP4330476B2 (ja) * 2004-03-29 2009-09-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
US7777241B2 (en) 2004-04-15 2010-08-17 The Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
TWM255518U (en) 2004-04-23 2005-01-11 Super Nova Optoelectronics Cor Vertical electrode structure of Gallium Nitride based LED
TWI234297B (en) 2004-04-29 2005-06-11 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and method of the same
US7332365B2 (en) 2004-05-18 2008-02-19 Cree, Inc. Method for fabricating group-III nitride devices and devices fabricated using method
US7084441B2 (en) 2004-05-20 2006-08-01 Cree, Inc. Semiconductor devices having a hybrid channel layer, current aperture transistors and methods of fabricating same
US7432142B2 (en) 2004-05-20 2008-10-07 Cree, Inc. Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions
DE102004025150B4 (de) 2004-05-21 2019-05-09 Mattson Technology, Inc. Lagebestimmung eines Halbleitersubstrats auf einer Rotationsvorrichtung
US7332795B2 (en) 2004-05-22 2008-02-19 Cree, Inc. Dielectric passivation for semiconductor devices
US7049639B2 (en) 2004-05-28 2006-05-23 Harvatek Corporation LED packaging structure
DE102004040680A1 (de) * 2004-06-11 2005-12-29 Ciret Holdings Ag Farbroller
US20060002442A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Kevin Haberern Light emitting devices having current blocking structures and methods of fabricating light emitting devices having current blocking structures
US7547928B2 (en) 2004-06-30 2009-06-16 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices
US7795623B2 (en) 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
US7375380B2 (en) 2004-07-12 2008-05-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR100576870B1 (ko) * 2004-08-11 2006-05-10 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
TWM265766U (en) 2004-09-16 2005-05-21 Super Nova Optoelectronics Cor Structure of GaN light emitting device
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7554126B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting element, manufacturing method and mounting method of the same and light-emitting device
FR2876497B1 (fr) 2004-10-13 2007-03-23 Commissariat Energie Atomique Revetement a base de mgo pour l'isolation electrique de substrats semi-conducteurs et procede de fabrication
TWI257714B (en) 2004-10-20 2006-07-01 Arima Optoelectronics Corp Light-emitting device using multilayer composite metal plated layer as flip-chip electrode
KR100682870B1 (ko) * 2004-10-29 2007-02-15 삼성전기주식회사 다층전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자
US7456443B2 (en) 2004-11-23 2008-11-25 Cree, Inc. Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region
JP4284620B2 (ja) 2004-12-27 2009-06-24 ソニー株式会社 情報処理装置および方法、並びにプログラム
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7335920B2 (en) 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
TWI244228B (en) 2005-02-03 2005-11-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting device and manufacture method thereof
US8097897B2 (en) 2005-06-21 2012-01-17 Epistar Corporation High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof
AU2006219649B2 (en) 2005-03-01 2011-03-03 Hd Developments (Proprietary) Limited A lamp using a light emitting diode (LED) as a light source
US11791385B2 (en) 2005-03-11 2023-10-17 Wolfspeed, Inc. Wide bandgap transistors with gate-source field plates
US7365374B2 (en) 2005-05-03 2008-04-29 Nitronex Corporation Gallium nitride material structures including substrates and methods associated with the same
KR100609117B1 (ko) * 2005-05-03 2006-08-08 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TWI248691B (en) 2005-06-03 2006-02-01 Formosa Epitaxy Inc Light emitting diode and method of fabricating thereof
US7348212B2 (en) 2005-09-13 2008-03-25 Philips Lumileds Lighting Company Llc Interconnects for semiconductor light emitting devices
WO2006132418A1 (ja) 2005-06-10 2006-12-14 Nec Corporation 電界効果トランジスタ
CN101238560B (zh) 2005-06-10 2011-08-31 日本电气株式会社 场效应晶体管
US7439166B1 (en) 2005-06-11 2008-10-21 Hrl Laboratories, Llc Method for producing tiered gate structure devices
TWI294694B (en) 2005-06-14 2008-03-11 Ind Tech Res Inst Led wafer-level chip scale packaging
JP5274754B2 (ja) 2005-06-22 2013-08-28 住友化学株式会社 高分子材料及び高分子発光素子
US20070018182A1 (en) 2005-07-20 2007-01-25 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity
EP2495212A3 (en) 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
DE102005036572A1 (de) * 2005-08-01 2007-02-08 Scheidt & Bachmann Gmbh Verfahren zum automatischen Ermitteln der Anzahl von sich in einem Gate aufhaltenden Personen und/oder Objekten
KR100703091B1 (ko) 2005-09-08 2007-04-06 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2007087973A (ja) 2005-09-16 2007-04-05 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子の製法およびその方法により得られる窒化物半導体発光素子
SG130975A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-26 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of semiconductor devices for light emission
TW200717843A (en) 2005-10-19 2007-05-01 Epistar Corp Light-emitting element with high-light-extracting-efficiency
KR100620393B1 (ko) 2005-11-03 2006-09-06 한국전자통신연구원 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법
KR100665284B1 (ko) 2005-11-07 2007-01-09 삼성전기주식회사 반도체 발광 소자
CN101460779A (zh) 2005-12-21 2009-06-17 科锐Led照明技术公司 照明装置
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100896576B1 (ko) 2006-02-24 2009-05-07 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2007099855A1 (ja) 2006-02-28 2007-09-07 Rohm Co., Ltd. 半導体発光素子
TWI294023B (en) 2006-03-17 2008-03-01 Ind Tech Res Inst Reflective illumination device
US7622746B1 (en) 2006-03-17 2009-11-24 Bridgelux, Inc. Highly reflective mounting arrangement for LEDs
JP2007258323A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
JP5231719B2 (ja) 2006-03-30 2013-07-10 富士通株式会社 電界効果トランジスタの製造方法
US7722220B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
US7737455B2 (en) 2006-05-19 2010-06-15 Bridgelux, Inc. Electrode structures for LEDs with increased active area
US7573074B2 (en) 2006-05-19 2009-08-11 Bridgelux, Inc. LED electrode
US7626210B2 (en) * 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
US7608497B1 (en) 2006-09-08 2009-10-27 Ivan Milosavljevic Passivated tiered gate structure transistor and fabrication method
JP2008112957A (ja) * 2006-10-06 2008-05-15 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系ＬＥＤチップ
JP2008205005A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系ＬＥＤ素子
JP4899825B2 (ja) * 2006-11-28 2012-03-21 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子、発光装置
US8878245B2 (en) 2006-11-30 2014-11-04 Cree, Inc. Transistors and method for making ohmic contact to transistors
JP4886488B2 (ja) 2006-12-02 2012-02-29 インフォビジョン オプトエレクトロニクス ホールデングズ リミティッド 液晶表示装置用の液晶パネル
TWI460881B (zh) 2006-12-11 2014-11-11 Univ California 透明發光二極體
KR100853166B1 (ko) 2007-01-30 2008-08-20 포항공과대학교 산학협력단 전계효과형 화합물 반도체 소자의 제조 방법
US8021904B2 (en) 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
JP2008192782A (ja) 2007-02-05 2008-08-21 Toyota Central R&D Labs Inc 電極及びそれを有するｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP5186776B2 (ja) 2007-02-22 2013-04-24 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7943286B2 (en) 2007-03-27 2011-05-17 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Reproducible, high yield method for fabricating ultra-short T-gates on HFETs
JP5045336B2 (ja) * 2007-04-16 2012-10-10 豊田合成株式会社 半導体発光素子
US9484499B2 (en) 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
DE102007019776A1 (de) 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente
JP2008294188A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
TWI344709B (en) * 2007-06-14 2011-07-01 Epistar Corp Light emitting device
WO2009010762A1 (en) 2007-07-19 2009-01-22 Photonstar Led Limited Vertical led with conductive vias
KR100838197B1 (ko) * 2007-08-10 2008-06-16 서울옵토디바이스주식회사 개선된 전류분산 성능을 갖는 발광 다이오드
JP5251038B2 (ja) * 2007-08-23 2013-07-31 豊田合成株式会社 発光装置
JP5634003B2 (ja) 2007-09-29 2014-12-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE202007015112U1 (de) 2007-10-29 2008-01-03 Ansorg Gmbh Leuchte mit einer Kombination von Reflektoren
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US9634191B2 (en) * 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US20090140279A1 (en) 2007-12-03 2009-06-04 Goldeneye, Inc. Substrate-free light emitting diode chip
EP2265861B1 (en) 2008-03-13 2014-10-22 Fraen Corporation Reflective variable spot size lighting devices and systems
JP5426124B2 (ja) 2008-08-28 2014-02-26 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
TW201011936A (en) 2008-09-05 2010-03-16 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting device and fabrication thereof
US7939839B2 (en) * 2008-09-11 2011-05-10 Bridgelux, Inc. Series connected segmented LED
WO2010029475A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminaire and illumination system
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
USD631020S1 (en) 2010-04-29 2011-01-18 Edison Opto Corporation LED package
USD680504S1 (en) 2010-07-30 2013-04-23 Nichia Corporation Light emitting diode
USD646643S1 (en) 2010-11-02 2011-10-11 Silitek Electronic (Guangzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
USD658139S1 (en) 2011-01-31 2012-04-24 Cree, Inc. High-density emitter package
USD691973S1 (en) 2011-07-08 2013-10-22 Cree, Inc. Lamp packages
CN103094264B (zh) 2011-10-31 2016-03-02 光宝电子(广州)有限公司 高功率发光二极管
USD675169S1 (en) 2011-12-13 2013-01-29 Lextar Electronics Corp. Multi-chip LED
USD694201S1 (en) 2012-03-30 2013-11-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
USD713804S1 (en) 2012-05-14 2014-09-23 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package with multiple anodes and cathodes
USD709464S1 (en) 2012-05-31 2014-07-22 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US20130328074A1 (en) 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Led package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
USD693781S1 (en) 2012-08-22 2013-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Light-emitting diode
USD718725S1 (en) 2013-08-01 2014-12-02 Cree, Inc. LED package with encapsulant
USD746240S1 (en) 2013-12-30 2015-12-29 Cree, Inc. LED package
USD741821S1 (en) 2014-04-10 2015-10-27 Kingbright Electronics Co., Ltd. LED component

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6197609B1 (en) * 1998-09-07 2001-03-06 Rohm Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor light emitting device
US6869812B1 (en) * 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
DE102007046743A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
EP3751627A2 (en) 2020-12-16
US20090283787A1 (en) 2009-11-19
JP7007350B2 (ja) 2022-01-24
US20140151735A1 (en) 2014-06-05
EP2430673A1 (en) 2012-03-21
WO2010132139A1 (en) 2010-11-18
EP2430673B1 (en) 2020-05-27
US8643039B2 (en) 2014-02-04
JP2012527116A (ja) 2012-11-01
US8368100B2 (en) 2013-02-05
JP5797640B2 (ja) 2015-10-21
US9397266B2 (en) 2016-07-19
JP2015216389A (ja) 2015-12-03
JP2017163154A (ja) 2017-09-14
JP2018160683A (ja) 2018-10-11
CN102460744A (zh) 2012-05-16
US20110127568A1 (en) 2011-06-02
KR20120027318A (ko) 2012-03-21
JP6530442B2 (ja) 2019-06-12
JP2020065073A (ja) 2020-04-23
EP3751627A3 (en) 2021-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102460744B (zh) 具有反射结构的半导体发光二极管及其制造方法
US11843083B2 (en) High voltage monolithic LED chip with improved reliability
CN100362671C (zh) 固态元件和固态元件装置
US8686429B2 (en) LED structure with enhanced mirror reflectivity
CN102272951B (zh) 多芯片发光二极管模块
JP2004006893A (ja) 改善された光抽出のためのフリップチップ発光ダイオードの量子井戸の選択配置
CN105103313A (zh) 发光元件封装
US20160141459A1 (en) Light-emitting device
CN100454587C (zh) 发光装置及其制作方法
CN100544046C (zh) 固态元件装置
KR20160028681A (ko) 광원 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20221129

Address after: North Carolina

Patentee after: Kerui led Co.

Address before: North Carolina USA

Patentee before: CREE, Inc.

TR01 Transfer of patent right