RU2549335C1 - Светоизлучающий диод - Google Patents
Светоизлучающий диод Download PDFInfo
- Publication number
- RU2549335C1 RU2549335C1 RU2013156425/28A RU2013156425A RU2549335C1 RU 2549335 C1 RU2549335 C1 RU 2549335C1 RU 2013156425/28 A RU2013156425/28 A RU 2013156425/28A RU 2013156425 A RU2013156425 A RU 2013156425A RU 2549335 C1 RU2549335 C1 RU 2549335C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- type conductivity
- metal
- light
- contact
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к светоизлучающим диодам, содержащим эпитаксиальные структуры на основе нитридных соединений металлов III группы. Светоизлучающий диод содержит эпитаксиальную структуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы, включающую расположенные последовательно в направлении эпитаксиального роста слой n-типа проводимости, активный слой с p-n-переходом, слой p-типа проводимости, а также металлические контактные площадки к слою n-типа проводимости, размещенные в углублениях, сформированных в эпитаксиальной структуре на уровне слоя n-типа проводимости, при этом светоизлучающий диод содержит металлический p-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве положительного электрода, нанесенный поверх слоя p-типа проводимости, изоляционный слой, покрывающий металлический p-контактный слой и внутреннюю боковую поверхность углублений, сформированных в эпитаксиальной структуре, и металлический p-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве отрицательного электрода, покрывающий изоляционный слой и контактирующий с каждой металлической контактной площадкой к слою p-типа проводимости, согласно изобретению металлические контактные площадки к слою n-типа проводимости в горизонтальной плоскости сечения светоизлучающего диода имеют вид двух узких протяженных полос, каждая из которых расположена на периферии одной из половин указанного сечения и проходит вдоль большей части ее границы с отступом от нее, первый и второй концевые участки одной полосы расположены с зазором соответственно относительно первого и второго концевого участка второй полосы, при этом указанные полосы образуют фигуру, конфигурация которой соответствует конфигурации периметра светоизлучающего диода, имеющую разрыв в серединной ее части. Изобретение обеспечивает повышение однородности плотности тока в активной области светодиода и уменьшение последовательного электрического сопротивления. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а именно к светоизлучающим диодам, содержащим эпитаксиальные структуры на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (AIIIN).
Оптические характеристики светоизлучающего диода и его выходная мощность в значительной степени определяются допустимой величиной питающего тока и условиями его протекания через светодиод, на которые оказывают влияние конфигурация и место расположения положительного и отрицательного электродов - металлических p- и n-контактных площадок к слоям соответственно p- и n-типа проводимости, с помощью которых осуществляется соединение светодиода с источником тока.
В светодиодных эпитаксиальных структурах (светоизлучающих кристаллов) на основе нитрида галлия слой p-типа проводимости характеризуется низкой электропроводностью, так что подводимый к светодиоду ток практически не растекается по указанному слою, а протекает в непосредственной близости от металлических p-контактных площадок (площадки) вертикально вниз через активную область с p-n-переходом, растекается по слою n-типа проводимости, имеющему относительно большую, электропроводность, и течет к n-контактным площадкам (площадке). При этом в проекции на горизонтальную плоскость сечения светодиода область, в которой осуществляется генерация света (площадь p-n-перехода), геометрически повторяет область, занимаемую p-контактными площадками (площадкой), и не включает область, занимаемую n-контактными площадками (площадкой).
Средняя плотность тока в активной области определяется соотношением тока питания и площади, занимаемой p-контактными площадками (площадкой). Помимо средней плотности тока важной характеристикой тока, влияющей на равномерность инжекции носителей и, соответственно, на равномерность интенсивности излучения, является однородность плотности тока в активной области, характеризующая равномерность его распределении. Следует отметить, что неравномерность распределения тока в активной области приводит к снижению общей эффективности светодиода и уменьшению срока его эксплуатации.
Плотность тока достигает максимума вблизи n-контактных площадок (площадки) и экспоненциально спадает по мере удаления от них (от нее). При этом однородность плотности тока зависит не только от площади и положения, но и от формы n-контактных площадок (площадки).
Таким образом, геометрия, размеры и расположение n-контактных площадок (площадки) должны, по возможности, обеспечивать однородность плотности тока в активной области (равномерность его распределения по площади p-n-перехода), а также малое значение контактного сопротивления к n-слою проводимости при относительно небольшой площади, чтобы занимать как можно меньше площади активной области светодиода.
Известен светодиод на основе нитридных соединений AlInGaN [US 6518598], в котором p- и n-контактным площадкам, расположенным, соответственно, на уровне слоев p- и n-типа проводимости, придана форма "расширяющейся спирали". Указанная конфигурация контактных площадок способствует обеспечению однородности плотности тока в активной области. Однако данная конструкция светодиода имеет сложную топологию, что снижает технологичность его изготовления и надежность работы. Кроме того, при указанной конфигурации контактных площадок не удается достигнуть относительно большой площади p-n-перехода.
Известен светоизлучающий диод на основе нитридных соединений AlInGaN [US 6521914], который содержит расположенные на уровне нижнего эпитаксиального слоя n-типа проводимости металлические n-контактные площадки и расположенные на уровне верхнего эпитаксиального слоя p-типа проводимости металлические p-контактные площадки, при этом в проекции на горизонтальную плоскость сечения светодиода области, занимаемые указанными площадками, расположены чередующимися полосами, образуя встречно-штыревую (гребенчатую) конфигурацию.
Рассматриваемый светодиод обеспечивает возможность пропускания значительного по величине тока питания и имеет относительно низкое электрическое сопротивление. Однако в данной конструкции светодиода также не удается достигнуть относительно большой площади p-n-перехода.
Известен светоизлучающий диод на основе нитридных соединений AlInGaN [RU 2247444], который содержит металлические n-контактные площадки к слою n-типа проводимости, размещенные в углублениях, сформированных в эпитаксиальной структуре на уровне слоя n-типа проводимости, а также металлический p-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве положительного электрода, нанесенный поверх слоя p-типа проводимости. При этом n-контактные площадки электрически соединены с помощью металлических шин, проходящих поверх p-контактного слоя по изоляционным полосам, нанесенным на участки p-контактного слоя, над которыми проходят металлические шины.
Используемые в данном светодиоде n-контактные площадки могут быть выполнены в виде фрагментов, в горизонтальном сечении светодиода имеющих форму кругов, расположенных в указанном сечении рядами, или имеющих Г-образную форму, расположенных в центральной части указанного сечения и образующих углы квадрата.
В данном светодиоде p-контактный слой образует p-контактную площадку, площадь которой в проекции на горизонтальную площадь сечения светодиода занимает значительную часть его площади, что способствует увеличению площади p-n-перехода. При этом металлический p-контактный слой, выполняющий роль положительного электрода, дополнительно служит в качестве отражающего слоя, что способствует снижению световых потерь.
Однако, как показали исследования авторов, в данном светодиоде не обеспечивается однородность плотности тока в активной области. При круговой форме n-контактных площадок максимальная плотность тока достигается по их периметру, а в прочих зонах плотность тока меньше. При использовании Г-образных фрагментов, расположенных указанным выше образом, в проекции на горизонтальное сечение светодиода в центральной зоне активной области плотность тока значительно больше, чем в ее прочих зонах.
Кроме того, наличие комбинации из сформированных поверх p-контактного слоя изоляционных полос и проходящих поверх них металлических шин усложняет технологию изготовления светодиода и снижает его эксплуатационную надежность.
Известен светоизлучающий диод на основе нитридных соединений AlInGaN [US 8368100], выбранный в качестве ближайшего аналога.
Рассматриваемый светодиод содержит эпитаксиальную структуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы, включающую расположенные последовательно в направлении эпитаксиального роста слой n-типа проводимости, активный слой с p-n-переходом, слой p-типа проводимости, а также металлические n-контактные площадки, размещенные в углублениях, сформированных в эпитаксиальной структуре на уровне слоя n-типа проводимости, имеющие в проекции на горизонтальную плоскость сечения светодиода круглую форму и расположенные в указанной плоскости рядами.
Кроме того, светодиод содержит металлический p-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве положительного электрода, нанесенный поверх слоя p-типа проводимости, изоляционный слой, покрывающий металлический p-контактный слой и внутреннюю боковую поверхность углублений, сформированных в эпитаксиальной структуре, и металлический n-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве отрицательного электрода, покрывающий изоляционный слой и контактирующий с каждой металлической n-контактной площадкой.
Особенностью данного светодиода является наличие p- и n-контактных слоев, выполняющих роль положительного и отрицательного электродов, а также являющихся отражающими слоями, обеспечивающими снижение световых потерь. При этом p-контактный слой образует p-контактную площадку, площадь которой в проекции на горизонтальную плоскость сечения светодиода занимает большую часть его площади, что способствует достижению относительно большой площади p-n-перехода.
За счет наличия n-контактного слоя в рассматриваемом светодиоде нет необходимости организовывать специальные межсоединения между n-контактными площадками, что упрощает конструкцию светодиода.
Однако указанные форма и расположение n-контактных площадок не обеспечивают высокой однородности плотности тока в активной области и относительно малого последовательного электрического сопротивления току при протекании его по n-контактному слою к n-контактным площадкам.
Задачей заявляемого изобретения является повышение однородности плотности тока в активной области светодиода и уменьшение последовательного электрического сопротивления.
Сущность изобретения заключается в том, что в светоизлучающем диоде, содержащем эпитаксиальную структуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы, включающую расположенные последовательно в направлении эпитаксиального роста слой n-типа проводимости, активный слой с p-n-переходом, слой p-типа проводимости, а также металлические контактные площадки к слою n-типа проводимости, размещенные в углублениях, сформированных в эпитаксиальной структуре на уровне слоя n-типа проводимости, при этом светоизлучающий диод содержит металлический p-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве положительного электрода, нанесенный поверх слоя p-типа проводимости, изоляционный слой, покрывающий металлический p-контактный слой и внутреннюю боковую поверхность углублений, сформированных в эпитаксиальной структуре, и металлический n-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве отрицательного электрода, покрывающий изоляционный слой и контактирующий с каждой металлической контактной площадкой к слою n-типа проводимости, согласно изобретению металлические контактные площадки к слою n-типа проводимости в горизонтальной плоскости сечения светоизлучающего диода имеют вид двух узких протяженных полос, каждая из которых расположена на периферии одной из половин указанного сечения и проходит вдоль большей части ее границы с отступом от нее, первый и второй концевые участки одной полосы расположены с зазором соответственно относительно первого и второго концевого участка второй полосы, при этом указанные полосы образуют фигуру, конфигурация которой соответствует конфигурации периметра светоизлучающего диода, имеющую разрыв в серединной ее части.
В частном случае выполнения изобретения светоизлучающий диод содержит дополнительную металлическую контактную площадку к слою n- типа проводимости, имеющую в горизонтальной плоскости сечения светоизлучающего диода вид узкой протяженной полосы, расположенной в центральной части указанного сечения и ориентированной вдоль линии разрыва, имеющегося в фигуре, образованной двумя расположенными на периферии протяженными полосами.
В заявляемом светодиоде p-контактный слой образует p-контактную площадку, площадь которой в проекции на горизонтальную плоскость сечения светодиода занимает большую часть его площади. При этом суммарная площадь n-контактных площадок, выполненных в виде двух узких полос, занимает очень малую часть площади светодиода. Указанные факторы способствует увеличению площади p-n-перехода заявляемого светодиода и, соответственно, величины генерируемого светового потока.
Используемые в заявляемом светодиоде металлические p- и n-контактные слои выполняют роль положительного и отрицательного электродов, с помощью которых светодиод подключается к источнику тока. При этом отсутствует необходимость использования специальных межсоединений между n-контактными площадками, что упрощает конструкцию светодиода.
Указанные слои выполняют также функцию отражения генерируемого в активной области светодиода излучения, что способствует снижению световых потерь. Для изготовления данных слоев преимущественно используют металлы с высоким коэффициентом отражения света в диапазоне длин волн собственного излучения светодиода. При этом рассматриваемые p- и n-контактные слои могут представлять собой многослойные системы и содержать элементы, предназначенные для последующего монтажа кристаллов в светоизлучающем приборе.
Указанные конфигурация и место расположения n-контактных площадок, имеющих в горизонтальном сечении светодиода вид двух периферийных узких полос, проходящих вдоль границ периметра горизонтального сечения светодиода с отступом от них, были выбраны авторами расчетно-экспериментальным путем и, как показали исследования авторов, являются оптимальными с точки зрения обеспечения относительно высокой однородности плотности тока в активной области и достижения относительно малого последовательном сопротивлении току, протекающему по n-контактному слою к n-контактным площадкам.
Благодаря наличию зазоров между концевыми участками n-контактных площадок обеспечивается электрическая связанность p-контактной площадки.
Конкретные значения геометрических параметров, характеризующих конфигурацию и месторасположения n-контактных площадок, такие как ширина n-контактных площадок, величина удаления n-контактных площадок от границ (краев) горизонтального сечения светодиода, определяются в процессе компьютерного моделирования с учетом таких величин, как площадь светодиода, ток питания (рабочий ток), допустимое контактное сопротивление n-контактных площадок, характеристика однородности плотности тока в активной области, например, средняя плотность тока и/или допустимая величина среднего квадратичного отклонения плотности тока в активной области.
Таким образом, техническим результатом, достигаемым при реализации заявляемого изобретения, является повышение однородности плотности тока в активной области светодиода и уменьшение последовательного электрического сопротивления току при протекании его по n-контактному слою к n-контактным площадкам.
В случае, когда площадь светодиода в горизонтальном сечении имеет относительно большую величину, целесообразным с точки зрения достижения более высокой однородности плотности тока в активной области является формирование дополнительной описанной выше узкой n-контактной площадки в центральной части указанной площади сечения.
Как показывает практика, формирование такой дополнительной n-контактной площадки следует осуществлять, если размеры сечения светодиода превышает 650×650 мкм.
На фиг.1 представлен общий вид заявляемого светодиода (вид спереди в разрезе); на фиг.2 представлен вид горизонтального сечения светодиода на уровне расположения p-контактного слоя; на фиг.3 представлена характеристика распределения интенсивности излучения (I) светодиода, в относительных единицах, в зависимости от расстояния (d) до края активной области светодиода в мкм (в сечении активной области по плоскости А-А, показанной на фиг.2); на фиг.4 представлена характеристика распределения интенсивности излучения (I) светодиода, в относительных единицах, в зависимости от расстояния (d) до края активной области светодиода в мкм (в сечении активной области по плоскости В-В, показанной на фиг.2).
Светоизлучающий диод содержит расположенную на подложке 1 эпитаксиальную структуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы. Указанная структура включает расположенные последовательно в направлении эпитаксиального роста слой 2 n-типа проводимости, активный слой 3 с p-n-переходом, слой 4 p-типа проводимости, металлический p-контактный слой 5, изоляционный слой 6 и металлический n-контактный слой 7. В эпитаксиальной структуре сформированы углубления (позицией не обозначены) до уровня слоя 2 n-типа проводимости, в которых размещены металлические n-контактные площадки 8. Металлический n-контактный слой 7 контактирует с каждой n-контактной площадкой 8, в частности, роль n-контакных площадок выполняют участки указанного слоя 7, находящиеся в непосредственном контакте с открытыми участками слоя n-типа проводимости.
Для подвода тока к p-контактному слою 5 светодиод содержит расположенные на краевых участках поверхности светодиода металлические p-контакты 9, контактирующие с p-контактным слоем 5 и со средством подвода тока (на чертеже не показано). В частности, указанные p-контакты 9 охватывают боковую поверхность эпитаксиальной структуры, выполняя функцию отражения света и способствуя тем самым снижению потерь света.
Металлические n-контактные площадки 8 (фиг.2) в горизонтальной плоскости сечения (в проекции на активную область) имеют вид двух узких протяженных полос 10 и 11. Каждая полоса 10, 11 расположена на периферии одной из половин горизонтального сечения светодиода (горизонтального сечения активной области) и проходит вдоль большей части внешней границы указанной половины сечения с отступом от указанной границы. Первый и второй концевые участки полосы 10 расположены с зазором (на чертеже позицией не обозначен) соответственно относительно первого и второго концевого участка полосы 11. При этом указанные полосы 10 и 11 образуют фигуру, конфигурация которой соответствует конфигурации периметра светоизлучающего диода (его активной области) в горизонтальной плоскости, имеющую разрыв а-а в серединной части указанной фигуры.
В частности, для светодиода (фиг.2) общей площадью 1.3 мм2, имеющего площадь активной области 1 мм2, расчетно-экспериментальным путем были выбраны ширина и величина указанного выше отступа, в частности, в пересчете на отступ от границ активной области, которые составили соответственно 18 и 140 мкм.
Поскольку рассматриваемый светодиод имеет относительно большую площадь в горизонтальном сечении (относительно большую площадь активной области), он содержит дополнительную металлическую n-контактную площадку 8, имеющую в горизонтальной плоскости сечения светоизлучающего диода вид узкой протяженной полосы 12, расположенной в центральной части указанного сечения и ориентированной вдоль линии разрыва а-а. Расчетно-экспериментальным путем были выбраны ширина полосы и ее протяженность, которые составили соответственно 18 и 350 мкм.
Устройство работает следующим образом.
При подключении p-контактного слоя 5 с помощью средства токоподвода, в частности, с помощью p-контакта 9, к положительному полюсу источника тока, а n-контактного слоя 7 с помощью средства токоподвода (на чертеже не показано) к отрицательному полюсу источника тока, через светодиод течет ток. Подводимый к светодиоду ток растекается по p-контактному слою 5 и протекает вертикально вниз через слой 4 p-типа проводимости, активный слой 3 с p-n-переходом, растекается по слою 2 n-типа проводимости и течет к n-контактным площадкам 8. При этом в активной области светодиода генерируется световое излучение.
Как показывают эксперименты (см. фиг.3 и фиг.4), интенсивность излучения, генерируемого в активной области светодиода, как в сечении А-А, так и в сечении В-В является достаточно равномерной («провалы» характеристики интенсивности излучения на фиг.1 и фиг.2 соответствуют участкам, занятым n-контактными площадками 8).
Поскольку характеристики интенсивности излучения светодиода определяются характеристиками распределения тока в активной области, можно сделать вывод, что заявляемый светодиод обладает относительно высокой однородностью плотности тока в активной области.
Claims (2)
1. Светоизлучающий диод, содержащий эпитаксиальную структуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы, включающую расположенные последовательно в направлении эпитаксиального роста слой p-типа проводимости, активный слой с p-n-переходом, слой p-типа проводимости, а также металлические контактные площадки к слою p-типа проводимости, размещенные в углублениях, сформированных в эпитаксиальной структуре на уровне слоя n-типа проводимости, при этом светоизлучающий диод содержит металлический p-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве положительного электрода, нанесенный поверх слоя p-типа проводимости, изоляционный слой, покрывающий металлический p-контактный слой и внутреннюю боковую поверхность углублений, сформированных в эпитаксиальной структуре, и металлический n-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве отрицательного электрода, покрывающий изоляционный слой и контактирующий с каждой металлической контактной площадкой к слою n-типа проводимости, отличающийся тем, что металлические контактные площадки к слою n-типа проводимости в горизонтальной плоскости сечения светоизлучающего диода имеют вид двух узких протяженных полос, каждая из которых расположена на периферии одной из половин указанного сечения и проходит вдоль большей части ее внешней границы с отступом от нее, первый и второй концевые участки одной полосы расположены с зазором соответственно относительно первого и второго концевого участка второй полосы, при этом указанные полосы образуют фигуру, конфигурация которой соответствует конфигурации периметра светоизлучающего диода, имеющую разрыв в серединной ее части.
2. Светоизлучающий диод по п.1, отличающийся тем, что он содержит дополнительную металлическую контактную площадку к слою n-типа проводимости, имеющую в горизонтальной плоскости сечения светоизлучающего диода вид узкой протяженной полосы, расположенной в центральной части указанного сечения и ориентированной вдоль линии разрыва, имеющегося в фигуре, образованной двумя расположенными на периферии протяженными полосами.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013156425/28A RU2549335C1 (ru) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | Светоизлучающий диод |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013156425/28A RU2549335C1 (ru) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | Светоизлучающий диод |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2549335C1 true RU2549335C1 (ru) | 2015-04-27 |
Family
ID=53289705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013156425/28A RU2549335C1 (ru) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | Светоизлучающий диод |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2549335C1 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2247444C1 (ru) * | 2004-03-15 | 2005-02-27 | Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ТЕТИС" | Высокомощный светоизлучающий диод |
RU2303833C2 (ru) * | 2005-07-26 | 2007-07-27 | Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. | Осветительное устройство |
JP2011101054A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-05-19 | Sharp Corp | 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置 |
RU2449422C1 (ru) * | 2010-12-28 | 2012-04-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Светодиодный источник излучения |
US8368100B2 (en) * | 2007-11-14 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same |
-
2013
- 2013-12-18 RU RU2013156425/28A patent/RU2549335C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2247444C1 (ru) * | 2004-03-15 | 2005-02-27 | Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ТЕТИС" | Высокомощный светоизлучающий диод |
RU2303833C2 (ru) * | 2005-07-26 | 2007-07-27 | Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. | Осветительное устройство |
US8368100B2 (en) * | 2007-11-14 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same |
JP2011101054A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-05-19 | Sharp Corp | 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置 |
RU2449422C1 (ru) * | 2010-12-28 | 2012-04-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Светодиодный источник излучения |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102529625B1 (ko) | 발광 디바이스 | |
US6614056B1 (en) | Scalable led with improved current spreading structures | |
US11430916B2 (en) | Light-emitting device | |
US20130002139A1 (en) | Semiconductor light emitting device package | |
EP2590234A1 (en) | Solid state light emitting semiconductor device | |
RU139055U1 (ru) | Светоизлучающий диод | |
RU2549335C1 (ru) | Светоизлучающий диод | |
CN112993113B (zh) | 一种发光二极管 | |
US9312449B2 (en) | Light-emitting device with reflecting electrode | |
RU2570060C1 (ru) | Высоковольтное светоизлучающее устройство | |
RU2247444C1 (ru) | Высокомощный светоизлучающий диод | |
KR101280221B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
RU152350U1 (ru) | Высоковольтное светоизлучающее устройство | |
KR20160091214A (ko) | 반도체 발광소자 | |
CN216902991U (zh) | 一种发光二极管和发光装置 | |
CN112993110B (zh) | 一种发光二极管 | |
CN112993109B (zh) | 一种发光二极管 | |
CN221427762U (zh) | 发光二极管 | |
CN111525009B (zh) | 半导体发光器件 | |
US20230238480A1 (en) | Radiation emitting semiconductor chip | |
KR20230030151A (ko) | 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 | |
KR20130133375A (ko) | 백라이트 유닛에 적합한 수직형 발광 다이오드 소자 및 제조 방법 | |
CN113036014A (zh) | 一种垂直集成单元发光二极管 | |
JP2015072988A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151219 |