TW511197B - A spiral contactor and manufacturing method for this apparatus, and a semiconductor inspecting equipment and electronical parts using this apparatus - Google Patents

A spiral contactor and manufacturing method for this apparatus, and a semiconductor inspecting equipment and electronical parts using this apparatus Download PDF

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Chihiro Ueda
Kouichi Yoshida
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Yukihiro Hirai
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Description

:>my/ 五、發明說明（1) 發明領域： 一惶本I月包含一電子蜗旋概念，需要半導體檢測裝置及 壯:球ί觸（solder—ball_contact)半導體或其他電子 、以L作出一球面式（spher ica l-bal 1 )電性連接。 相關技術說明： =於較大密度的需求增加及高性能半導體積體電路 裝備有一個以上之晶片（以下稱作「半導體裝 二封裝（以下簡稱作「封裝」）的改善需求，在 夕’ 、/中此創新構思提供一更先進發展階段。上述方 法包含增加管腳（Din〕盤Γ 〜、 丄逆方 ⑼料刑备r = (較大密度），由於實際接觸 ^ ^ (溥化）。利用此新技術增加輸入及輸出之端 獲得具1 00 0管腳數的封裝。因此，此新方法 i ΐ: 寸）亦將改變電流導線（⑹d line)連 接，其從頂部及底部或全方位牵入一單一底部式 (bottom-only )導線連接更降低封裝之始尺° "。 因此，若半導體裝置的整個底部以球柵 gnd array，BGA)接觸子排列，使其不會大/ ( 1 身，或利用稍微不同的方法··稍大 挪、裝本 的晶片尺寸封裝（chip size = f體：置本身 (替代管腳）排成栅狀配置，其使用這m:球 從0.8爱米（mm)降低至0.5 _而增加密二度卜球了使間距可 再者，焊接探針較傳統探針來得輕^ 微小化及緻密化以改善電性傳導：及紐而合許更 哥但疋要確定具備上述特 第5頁 2036-4248-PF;Spin.ptd 五、發明說明（2) 性，也需要一用 體檢測褒置實行=^述新方法之特定檢測裝置。現今半導 )探針或4;:: =係係利用一針狀“一_ 導體裝置上的外部= 來物理式接觸半 置以量測其電特性。/道W通過一電流至每一半導體裝 探測且為現今用 、’導體檢測方法係對照於一般晶圓 許多的裳置全嵌入於一曰：：體裝置是否依據規格。 -探測卡，其可二;曰：表面的柵狀圖案中且-般使用 測量單-或多數裝】：二：：：探測針，用以同時 )量測，此測量需一再地重複 (all at once 整個晶圓上所有裝 j動放置曰曰圓的平台以提供 微小間距焊接探二夺，：於二：技:=，當使用薄化的超 性及-般檢測裝置可靠度的問，之緻密化而引發精確 因此，習知檢測裝置技術受 類型的檢測震置，此新技術需；用於半導體技術 的技術無法支援焊球緻密化的需长而2测裝置’因為舊 今量測方法需直接 不適用。同樣地，現 損害，有時則會損毁或降低：2而造成半導體裝置的 ，金屬材料製成時，利用探針的：：接2)h當焊球由軟性 )將會刮傷焊球及/或接觸 (hard contact 面造成電特性的損失因而脫 4 =球本身的球表 外。 原先6又计所符合的規格之 因此，本發明之目的在於提供一種蜗旋接觸子、半導 2036-4248-PF;Spin.ptd 五、發明說明^一'" —-- 體檢丨則狀g γ 戎杯概 （插槽、測試板及探測卡）及電子元件（嵌入 裝置、k入式連接器），這些能夠應用於微塑的半導體 一載产封裝、超微載晶（bear chip )及晶圓’用以形成 及梦路（current-carry circuit),其具有無毀損 理i k A軟性焊球、用以應用於焊球的緻密化及用以在合 里仏袼中實行高可靠度檢測。 發明概述·· 為達上述 明蝸旋接觸子 性連接之接觸 底上的焊接探 件時，裝配一 探針形 如 載入的 件的焊 向外擴 相較於 形成長 焊接探 一穩定 度ο 狀來變 申請專 情下為 球施壓 展，因 習知探 且精轉 針外圍 的載流 之目的，如申請專利範圍第丨項所述之本發 係一與具有焊球之半導體裝置或電子部件電 子，且该接觸子之特徵在於包括當與絕緣基 針連接而電性連接至該半導體裝置或電子元 具有上視為蝸旋外型的蝸旋探針以對應焊 利範圍第1項所述之本發明螞旋探針 =坦外型H當半導體I置或電子部 、蜗紋探針時，接觸區域係從半導體 此蝸旋部分係f成凹狀*㈣成環繞一= 針之點接觸，蝸旋探針 ' 的接觸，即使有外來物質球而 的滑移動作來去除外來物質，因著 (cUrrent-carrying)接觸而具有高可=保 蝸旋探針可獲得一精確的載流由 於螞旋探針
此外， U197
膜角又壓滑移至焊球7的外圍並削減焊球7外圍的含氧 薄 有彈Ξ: ^ ί旋探針對不同直徑且因盤繞而T陷的焊球具 垂直谷彳。另外，彈性的蝸旋探針容許焊接探針改變 玉直及水平方向的定位。 1又复 根據本發明之申請專利範圍第2項，其中申請專利範 旋接觸子’特徵包括該絕緣基底藉由在該蜗 疋k針下方裝設凹陷部或通孔而具有該變形結構。 疏凹陷部或通孔確保在以該焊球向下施壓時，有充 的空間而不影響到該螞旋探針彎曲。 根據本發明之申請專利範圍第3項，其中申請專利範 圍第2項之蝸旋接觸子，特徵包括使内部的通孔作為一垂 直配線法之載流電路。 在申請專利範圍第3項所述之發明中，施加一電鍍銅 於該内部孔洞，一般稱作通孔，穿設於一絕緣基底中，以 藉由此電鍍銅來形成載流電路而造成絕緣基底之配線中不 必要的元件。再者，於洞口配置一蝸旋探針可形成小空間 且有效的連接電路。 由於習知平行配線法（parallel wiring meth〇(j)中 的載流電路需一空間用於連接部、配線部等等，所以難以 應用於緻密的焊球，然而，垂直配線法而言，由於最小化 的空間而易應用於緻密的焊球。 根據本發明之申請專利範圍第4項，其中申請專利範 圍第1到3項之一項之蜗旋接觸子，特徵包括一個或複數電
2036-4248-PF；Spin.ptd 第8頁 511197 五、發明說明（5) 接 在申請專利範圍第4項所述之本發明中，如一冤雜供 應電路，配置一電容器（pa scon )於該蝸旋探針周圍有助 測（trOllhl。4士 cm e *. ^ 一 … 容器裝配於該蝸旋探針周圍，且該電容器與該蝸旋探針連 接。 電源供 W % π I —罨答器（pasc〇n )於該蝸旋探針周圍有助 ί m徐測（tr〇uMe sh〇〇ting)。特別是在電源供應 冤甲题理一快速信號而因瞬間耗散，發生電源下降時， ΐ ί d Ϊ無法正確傳送，然而’本發明成為-有效方 二遷降。己詈ί可瞬間於快速信號的處理電路中施加 針周圍的通孔於絕=外…貫穿螞旋探 -電容器以固定於：；；：；Γ同内放置-電容器或配置 圍第1到以第5項’其中申請專利範 彈性薄膜分佈於該蜗；特徵包括-彈性體或- 该彈性體或彈性 體或彈性薄臈，亦可為膊體:，膠、矽及塑膠系列的彈性 助蜗旋探針，以維：；：；；：彈；些用途在於從下方辅 ;第，之4:工=第6項，其中申請專利範 的寬度從根部 ：徵包括該蝸旋探針的 釣羊’越接近頂部，寬^。越來越小。舉例而言，如 ==裂。蝎旋探針ς樣：由二導致—f曲應力的消 根據力而“破：過使接近頂部的寬度 〜_，專利範圍第7項，其中申請專利範 2〇36.4248-PF;Spin ptd $ 9頁 511197 五、發明說明（6) - 圍第1到6項之一項之媧旋接觸子，特徵包 緣基底的周圍設立一導架，在利用半導體=在配置於該絕 或探測卡的情形中，精確定位焊球對於蜗^ $之一的插槽 的。由於引導功能可獲得精確定位調整，°疋板針是必需 不僅減少定位調整時間且可扮演一制+ 土所以施加一導架 球凹陷。 者的角色以限制焊 根據本發明之申請專利範圍第8項，复 圍第1到7項之一項之蝸旋接觸子，特徵包括申凊專利範 基底的該蝸旋探針的外型為凸狀。 舌配置於該絕緣 在該蜗旋探針的下方的穿設孔填入彈 基底背側連接部上添加一凹部而样彳I 卩在该絕緣 型。由此凸狀的蜗旋探針所構成十外 有不同於焊接探針之平坦探針（接合墊）之半網具 根據本發明之申請專利範圍第9 盆直。 圍第_項之一項之使用㈣接觸子之半導中體申檢^專利範 特徵包括載入具有焊球之半導體事於、、 適當位置並裝設一感測器以Πΐ 檢測… 4， M猎由適當壓力作偵測接觸。 匕感測器埋設於半導體檢測裝置之插槽的動作，可 ==導體裝置是否藉由適當壓力而正確地載=接了 增加工作效率。此外」 精由適备壓力而達到接觸， nr · · 丰此外雖以光學鄰近開關（optical SW1 tch)作為感測器，亦可利用其替代物。 圍第9項之且發申請專利範圍第10項，其中申請專利範 、-蜗凝接觸子之半導體檢測裝置，特徵包括 2036-4248-PF；Spin.ptd 第10頁 具有一密封物貼附於一半導體檢測裝 半導體裝置。 # —藉由半導體檢测裝置之絕緣基底 氣欲性及藉由排除該絕緣基底與該半 以減少壓力之真空吸附法來保持接觸 附及脫附之操作。 根據本發明之申請專利範圍第i 〇 包括載入一半導體裝置一檢測裝置， 插槽或探測卡，在定位結束之後，降 探針之間的壓力導致半導體裝置吸附 半導體裝置的焊球施壓並使螞旋探針 以盤繞焊球，因此，可形成一優良接 路0 此真空吸附法需少許的降低壓力 吸附以藉由一輕微力量來達成整體看 (wel ι-balanced )的接觸。 可形成一外型結構上簡單且可靠 再者’除了蝸旋探針的輔助，一 14圖）的結構亦具有用於氣密的捲狀 根據本發明之申請專利範圍第i i 圍第10項之使用蜗旋接觸子之半導體 k供一氣壓偵测法以藉由偵測因排除 絕緣基底與該半導體裝置之間所產生 號。 置之絕緣基底中的該 中的該密封物來確保 導體裝置之間的氣體 ，所以能輕易完成吸 項之半導體檢測裝置 例如具有蝸旋探針之 低半導體裝置與蜗旋 於蜗旋探針，再者， 對應焊球外型而變形 觸可靠度之載流電' 並造成兩侧瞬間相互 來徹底平衡 的接觸子。 彈性薄膜（繪示於第 密封物。 項’其中申請專利範 檢測裝置’特徵包括 該半導體檢測裝置< 的氣壓下降而發出#
M1197 五、發明說明（8) 壓力感測器是適用於本發明之氣壓偵測法。由於如申 請專利範圍第9項所述之光學鄰近開關之感測器可藉由壓 力感測器來偵測而不再需要，所以埋設感測器及配線也不 需要，可簡化絕緣基底上的配置。 根據本發明之申請專利範圍第丨2項，其中申請專利範 圍第9到11項之一項之使用蝸旋接觸子之半導體檢測裝 置，特徵包括具有一方法，其中每一半導體裝置及探測卡 的定位係在以切割器切割晶圓之後完成。 根據本發明之申請專利範園第12項所述，當使用習知 探測卡之檢測程序，在完成晶圓階段的檢測及切割成各個 f片以儲存於托盤中之後，藉由操作員（handler )再一 次貫施檢測。此方法需要兩次檢測的原因在於切割程序中 ^有缺陷發生。因此本發明藉由省略晶圓階段檢測以將兩 次的檢測減為一次，而只在切割晶圓之後實施檢測。本發 明的探測卡係取代習知探測卡。 x 根據本發明之申請專利範圍第丨3項，其中申請專利範 圍第9到1 2項之一項之具有該蝸旋接觸子之半導體檢測裝 置，特徵包括配置一媧旋接觸子於一絕緣基底的兩側。 具有「插入式（ma 1 e )連接器」功能之金屬球或凸出 球面接頭，其為電子元件之一，總是設置於兩接觸側之一 側上來作連接。在另一側上，半等體裝置等，在檢測時輪 流載入以檢測電特性。 网 根據本發明之申請專利範圍第丨4項，其中申請專利範 圍第1到8項之一項之使用該蝸旋接觸子之電子元件，特= 2036-4248-PF;Spin.ptd 第12頁 511197
im:蝸旋接觸子於一絕緣基底的-侧或兩侧。本發 ”申知專利範圍第13項之該檢測裝置之結構相同。鈇 :丄嵌ίϊ:槽及嵌入式連接器之電子元件係用法不同。 ，積體電⑬、電容、電阻等等係密集嵌入於電子產品 的電路板中，例如行動電話（cellar phone)，其必需是 小型的、質輕的、鍍錫及優良的高頻電特性。心缺， | Jy 田 #、、、 电* I 工 連接於兩電路板之間的電子元件需密集且安全，以及 電特性也是。 紅 為改善兩頻電特性，傳輸長度要短，且插槽琿及連接 邛縮小尺寸式有效做法。藉由採用十分不同於習知管腳 (pin)式之螞旋接觸子，可以變小、變輕及變薄至1/5 倍’且高頻電特性可大幅改善、連接簡單容易及構成的元 件少。 根據本發明之申請專利範圍第丨5項，其中申請專利範 圍第1到8項之一項之使用該蝸旋接觸子之電子元件，特徵 包括在一連接器鐵線的至少一側邊中裝設一螞旋接觸子。 本發明係將使用媧旋接觸子之電子元件連接至一至少一側 連接至連接器纜線的電子元件。 根據本發明之申請專利範圍第1 6項所述之製造方法， 其中一蜗旋接觸子由在印刷線路板的表面上排置複數蝸旋 探針以電性連接一具有焊球的半導體裝置或電子元件所構 成’其特徵在於具有以下步驟。 藉由穿設孔洞以在該絕緣基底的整個表面上形成一金 屬薄膜的步驟。
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511197 五、發明說明（10) 填入一彈性體於該孔洞以藉由一表面加工來去除陷入 及凸出的部分的步驟。 在該孔洞中至少露出彈性體之區域形成一金屬薄膜的 步驟。 、在形成有該金屬薄膜之一絕緣基底表面上藉由蝕刻形 成一蝸旋探針外型之薄膜，且藉由蝕刻在下表面形成一環 形薄膜的步驟。 在該絕緣基底表面上藉由蝕刻形成一蝸旋探針的步 驟。 在该絕緣基底表面上形成一不同種類的金屬薄膜的步 驟。 在該絕緣基底表面上形成一阻劑薄膜且藉由一覆敷處 理（cover-lay processing)來形成一導架。 在此方法中，藉由採用微影之製造方法，可在印刷線 路，上製造出複數螞旋探針排置複雜、密集且間距小之蝸 此夕卜 劑薄膜的方；=::Cprinting off)及顯影-阻 .. 且覆敷處理及#刻係稱作微影技術。 的製2方法發^之申請專利範圍第1 7項所述之蝸旋接觸子 排置Ϊ數蜗旋：：： =觸子由在印刷線路板的表面上 電子元件連接一具有焊球的半導體裝置或 在一 其特徵在於具有以下步驟。 一阻劑薄臈的^驟面上形成—金屬薄膜以在該表面上形成
2036-4248-PF;Spin.ptd 第14頁 511197 五、發明說明（11) 在該阻劑薄膜上曝光、印刷及顯影該蜗旋探針圖案的 遮罩步驟。 在該步驟中露出之金屬部分施加一金屬薄膜的步驟。 去除δ亥阻劑薄膜的步驟。 重新形成該阻劑薄骐的步驟。 藉由曝光該蝸旋探針以印刷與顯影該阻劑薄膜而形成 一導架的步驟。 藉由在剝離及去除該金屬板之後蝕刻去除一金屬薄膜 的步驟。 在，佈一導電黏著劑或架座膏之後，在裝設於該印刷 板中的每一通孔的洞口中配置每一蜗旋探針成捲曲的組裝 步驟。 當 仍 藉 刷線路 之蜗旋 根 的製造 排置複 電子元 在 薄膜， 藉 離 可藉由一 可維持外 由採用微 板上製造 接觸子。 據本發明 方法，其 數蝸旋探 件所構成 表面形成 並印刷及 由該遮罩 阻劑薄膜形成導架時，即使一 型而不會變成片狀而改善品質 影技術之製造方法，可在具微 出複數蝸旋探針排置複雜、密 之申請專利範圍第1 8項所述之 中一蝸旋接觸子由在印刷線路 針以電性連接一具有焊球的半 ’其特徵在於具有以下步驟。 有一金屬薄臈的絕緣基底表面 顯影一蝸旋探針之外型的遮罩 步驟以在露出的金屬部分形成 金屬板剝 〇 小通孔的印 集且間距小 蝸旋接觸子 板的表面上 導體裝置或 上形成阻劑 步驟。 一不同種類
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的金屬薄膜的步驟。 ^除該阻劑薄骐的步驟。 ，由钱刻去除該金屬薄膜的步驟。 矣而：t:&㈣旋探針外型中形成該絕緣基底以在哕 表面重新形成一阻劑薄膜的步驟。 在4 成不tm抵表面形成一金屬薄膜以藉由在該表面形 "、金屬薄膜而去除阻劑薄膜的步驟。 ，，有通孔之該印刷板表面上塗佈一導電黏著劑 ^ ^通孔/同口中配置及捲曲一蝸旋接觸子的組裝步 利用雷射照射由聚醯 部分改變現狀並形成一蜗 微影技術之製造方法，可 造出複數蝸旋探針排置複 子。 胺所構成之絕緣基底，容許金屬 旋探真的外型。再者，藉由採用 在具通孔的印刷線路板兩側上製 雜、密集且間距小之蝸旋接觸 的製：=發圍第19項所述之堝旋接觸子 M W if M w ^ 4- 蝸疋接觸子由在印刷線路板的表面上 排置稷數螞旋探斜LV Φ 、▲ 工 電子元件所Μ β十電連接一具有焊球的半導體裝置或 電子=所構成，其特徵在於具有以下步驟。 飞 、、、邑、、彖基底表面上形成有一 金屬薄膜的步驟，真去鱼屬溥膜的表面形成一 ^ , „ 再者在形成一阻劑薄膜之後，在該阻 拉^: 專膜以形成-蝸旋探針的外型。 的步驟。 除 4屬溥膜而留下該蝸旋探針之外型
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藉由 在該 一金屬薄 在去 步驟。 在此 造方法， 出複數蝸 根據 的製造方 板的表面 導體裝置 在 ^"*·* 形成一阻 在該 遮罩步驟 在該 驟。 雷射以去除該絕緣基底的步驟 絕緣基底的表面上重新形成一 膜之後重新形成一不同種類的 除該阻劑薄膜之後藉由蝕刻以 方法中，即 採用微影技 旋探針排置 本發明之申 法，其中一 上排置複數 或電子元件 金屬板表面 劑薄膜的步 阻劑薄膜上 使是不使用 術，可在具 複雜、密集 請專利範圍 蝸旋接觸子 媧旋探針以 所構成，其 上形成一金 阻劑薄膜以在形成 金屬薄膜的步驟。 去除一金屬薄膜的 導電黏著劑或架座膏的製 通孔的印刷線路板上製造 且間距小之蝸旋接觸子。 第2 0項所述之螞旋接觸子 由在具有微洞的印刷線路 電性連接一具有焊球的半 特徵在於具有以下步驟。 屬薄膜以在該金屬薄膜上 驟。 曝光、印刷及顯影一媧旋探針圖案的 步驟中露出之金屬部分上施加一金屬薄膜的步 去除該阻劑薄膜的步驟。 重新形成該阻劑薄膜的步驟。 :出该蜗旋探針及印刷與顯影該阻劑薄膜的步驟。 藉由在剝離及去除該金屬板之後蝕刻去除一金屬薄膜 在4印刷線路板表面上的微洞洞口周圍塗佈一導電黏
第17頁 511197 五、發明說明（14) 著劑或架座膏以在微洞洞口的位置上配置及捲曲一蝸旋接 觸子的組裝步驟。 在此方法中，藉由採用微影技術的製造方法，即使是 具微洞的印刷線路板，仍可製造出複數蝸旋探針排置複 雜、德、集且間距小之蜗旋接觸子。 圖式之簡單說明： 第1圖係繪示出根據本發明實第一實施例之蜗旋接觸 子之上視圖。 第2圖係繪示出根據本發明第一、第二及第三實施例 在第1圖中A-A線之剖面圖。 第3圖係緣示出與一半導體裝置接觸時A-A線之剖面 圖。 第4圖係緣示出根據本發明第四實施例之配置一電容 器於媧旋接觸子周圍之上視圖。 第5圖係緣示出根據本發明第四實施例之蝸旋接觸子 在第4圖中B ~ B線之剖面圖。 第6圖係繪示出根據本發明第五實施例之蝸旋接觸子 剖面圖。 第7圖係繪示出與本發明第五實施例相同之與一半導 體裝置接觸時之剖面圖。 第8圖係繪示出根據本發明第六實施例之媧旋探針剖 面放大圖。 第9圖係繪示出根據本發明第七實施例之媧旋接觸子
五 發明說明（15) 之剖面圖。 第10圖係繪示出根攄銘^ ^ 之立體圖。 很據乾例的第七實施例之媧旋接觸子 第11 ( a)圖係繪示中拍祕丄 觸子之剖面圖。 &據本發明第八實施例之蝸旋接 第11(b)圖係緣示出另—方 =(c)圖係繪示出完成之後之；=。 觸子之半明第九實施例之具有螞旋接 第1 3圖係綠示出根 名 觸子之半導體檢測劈罢立丨本發明第十實施例之具有蝸旋接 第“圖係^置剖面圖。 觸子之半導體撿例^ 1康本發明第十實施例之具有蝸旋接 第15圖係繪示f置』面放大圖。 觸子之半導體本發明第十實施例之具有蜗旋接 第1 6圖係給置立體圖。 觸子之半導體;本發明第十實施例之具有蜗旋接 第17圖係给亍〗=置剖面圖。 裝置的活塞位$據本發明第十實施例之半導體檢測 第18圖係繪示：圖° 接觸子之半導體檢：J:,明第十一實施例之具有蝸旋 第1 9圖係給示 置之氣壓式電路圖。 測裝置剖面圖。9不出根據本發明第十二實施例之半導體檢 第20圖係繪示出習^广 之 _ 〇王序圖與本發明程序圖
2036-4248-PF;Spin.ptd 第19頁 J丄丄丄7 / 五、發明說明（16) 流程圖比較以說明本發明第十二實施例。 第2 1圖係繪示出根據本發明第=每 蜗旋接觸子之半導體檢測震置剖面圖了以例之兩側具有 第2 2圖係緣示出根擔士 _ 置及連接器與蝎旋接觸子的‘側接觸： = = =裝 面圖。 』心千導體檢測裝置剖 第2 3圖係根據本發明给 蝸旋接觸子兩側之前^ 貝e例所繪，（a)為連接 件剖面圖。…核式圖’且⑻為連接時之電子元 第24圖係根據本發 在接觸子繞線之一側^例所纟會，（a)為連接 圖，且（b)為在連接& /疋接觸子之電子元件之剖面 巧牡迷接之前的剖面圖。 第託圖係繪示出蝸旋接觸子1 步驟之銅電鍍步驟剖面圖。 /驟之作為第一 第2 6圖係緣示出篦一一 驟。 出第一及第二步驟中穿孔及銅電鍍的步 第2 7圖係！會示出望 表面之步驟。4第四及4五步驟中填人彈性體及完成 第2 8圖係綠示出篦山牛 繁9q m # I出第，、步驟之銅電鍍步驟。 第30 ^係I不出第七步驟之用於蝕刻之遮罩步驟。 ΐ =糸纷示出第八步驟之钕刻步驟。 糸繪示出第九步驟之電鍍步驟。 自彳續^不出第時步驟之覆敷處理步驟。 a圖係繪示出電子元件嵌入插槽時之模式圖，
511197 五、發明說明（π) 且（b)為電子元件嵌入於插槽時之模式圖。 第34(a)圖係繪示出電子元件嵌入插槽時之模式 且（b)為電子元件嵌入於插槽時之模式圖。 回 第35圖係繪示出在插槽中採用蝸旋探針2之實施〜 模式圖，U)為上視圖、（b)為前視圖及（c)為右:=例 圖。 训面 第36圖係繪示出電子元件嵌入於插槽之模式 為上視圖、（b)為前視圖及（c)為右側剖面圖。' 工回’（a) 第37圖係繪示出形成於一銘板上的蝎旋探針 於一印刷線路板的表面上之實施範例之步驟圖。秒形成 第38圖係繪示出蜗旋接觸子配置於w二° 製造方法步驟圖。 置於因刷線路板兩側之 第39圖係繪示出在絕緣基底上製作_ a 劑之蝸旋接觸子之實施範例程序步驟圖。使用導電黏著 第4 0圖係繪示出在印刷線露板的^ 洞口中製造蝸旋接觸子之實施範例步^ =上所形成的微洞 符號說明] 蜗旋探針； 電鍍鋼； 連接邹； 焊球； 8a半導體裝置 1〜蜗旋接觸子； 3〜下方洞口； 4’〜銅箔； 6、6 3〜絕緣基底； 7 a〜金屬球； 1 0〜電容器；
2036-4248-PF;Spin.ptd 第21頁 511197 五、發明說明（18) 11、11 a〜彈性體（彈性薄膜）； 12〜導架； 1 3〜接合墊； 1 4〜感測器； 1 5、4 0〜插槽； 16〜蓋子； 17、17a、17b、17c、17d 1 8〜環形溝槽； 20〜密封室； 2 4〜接頭； 2 6〜連接器； 29〜電鍍鎳； 3 3、4 5〜印刷線路板， 42〜鉗子； 47〜上表面； 51〜微洞； 58〜突出部； e〜間隙。 、1 7 e、1 7 f〜活塞； 1 9〜密封物； 2 1〜排氣口； 25〜UV捲帶； 2 7〜探測卡； 3 2〜纜線； 31、41、43〜電子元件 46〜SUS薄板； 48〜導電黏著劑； 56、57〜插槽導架； 6 1〜阻劑薄膜； 較佳實施例之詳細說明： 以下配合圖式說明本發明之實施例。 第1圖係繪示出蜗旋接觸子上視圖以說明本發明第一 實施例:且第2圖係繪示出第1圖中A —A剖面圖。 在第1圖中’焊球的間隔以0 · 4 mm的間距排列。根據 配置於柵狀排置的焊接探針，一蜗旋接觸子丨係由配置於 一半導體I置背側之複數蝸旋探針2所組成，雖然各個蝸
2036-424B-PF;Spin.pt d " '〜 -- 第22頁 五、發明說明（19) 旋探奶的外圍為圓型，但其内側則為一蜗旋型探針。 距的本發明的蜗旋接觸子1，即使是具較小間
的焊球間隔亦可相容。 J =2一圖中，蜗旋探針2係處於未承載（n〇n_i〇ading) 在^ P堝％。第3圖係繪示出一半導體裝置8的焊球7 铋測狀悲下與蝸旋探針2接觸的剖面圖。 面積置8的焊球7下壓於螞旋探針2上時，接觸 心擴展至外側，因此蜗旋部弯成凹 焊接觸’即使有外來物質貼…藉由沿ΐ 保一穩定的載流（current_carrying)接觸。 確 針纟+ & 9 蝸旋探針2可獲得一精確的載流由於蜗旋探 2角2以壓滑移至焊球7的外圍並削減焊球？外圍的含氧 士 2 ’相較於習知單-探針5〜15克（g)的壓力而 Γ/UH立一探針的壓力為〇.8〜i.5 §，可由近似 1/1〇倍的習知壓力來獲得穩定的載流接觸。 懕* ΐΐΓη言，在一習知裝置具有1 000個探針的情形下， 僅而i、kg:其重量較輕的結構設計來說是實用的。 萨由：m番：ΐ例說明堝旋探針2的製造方法，為7 ^ 5 =束的微影技術，微機械加工較實用，然 而雷射加工或其他微機械加工也可利用。
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第2及3圖係說明本發 探針2的下方洞口 3係一 一貫e例之圖式。由於蝸旋 造成蝸旋探針2的變妒 1及空間’焊接探針7的壓力可 探針2可設置於貫^孔^之，如第2及3圖所示，蜗旋 h〇le)。 穿的孔洞，一般稱作通孔（through 第2圖係用以說明本發 第2圖中’位於蝸旋探币Λ 1j舉例而5 ，在 _的洞口3。施予一電二/的、，"緣基底6具有内徑〇，3 形成一導電邱η 予一電鑛銅4於内侧洞口3並 & A t κ ί $ t許旋探針2與連接部5直接相互連接並 成為直立式導線系統載流電路。 丧立 置有Ϊ4容說明本發明第四實施例。第4圖係配 闻 旋探針2之上視圖，第5圖係其圖係其 2之周圍以丄Ϊ;;。圖。中’四個洞設置於特定蜗旋探針 在第5圖中’不是每個蝸旋探針2都需要電容器丨〇， 是充分配置於幾個區域以展示出效果。 此外’電容器1 〇不僅可藉由市販物品來組裝運作，並 且可使用在填入介電材料於絕緣基材之後兩側附有電極的 電容器。 第 7及14圖係用以說明本發明第五實施例之各自的 蜗旋接觸子1剖面圖。 第6圖係繪示出設置電鍍銅4於一内側洞口 3且在將彈 性體11填入洞口後，在洞口 3的上下部置入蝸旋探針2及連 接一 5 °此彈性體係石夕系的彈性體（e 1 ast〇mer )。然而，
511197 五、發明說明（21) -- 聚醢胺系樹脂、環氧樹脂系樹脂亦可利用。 第7圖係缘示出半導體裝置8的焊球？與堝旋探針2接觸 情形之剖面圖。第14圖係-剖面圖，繪示出將彈性膜⑴見 作彈性體的方法。第8圖係用以說明本發明第六實施例。 第8圖係-蝸旋探針2的上視放大圖，根據本發明第六 實施例，a m的每一寬度係形成a >b >c >d >e >f關係的 形狀，越接近上方，寬度越小。 第9及10圖係用以說明本發明第七實施例。 第9圖係一堝旋探針2的剖面圖。第丨〇圖係一蝸旋接觸 子1之立體圖。
在第9圖中，斜入洞口的導架（guide frame ) 12 ,高 度為高度為40到180微米（#m)，其易於陷入並支撐焊球 7。此外，導架1 2扮演制止者的角色以限制每一焊接探針7 的凹陷。 在第10圖中，具有錐形洞的導架導架12設置於每一 蝎旋探針2。導架12係一引導，使得容易調整放置半導體 裝置的焊球7或具有蝸旋探針2的封裝，並配置於一絕緣美 底上。 、、、土 第11 (a)圖係用以說明本發明第八實施例。
第11 U)圖係繪示出凸型的蝸旋探針2外型剖面圖。 形成凸型螞旋探針2係藉由施予一彈性變形於連接部5的銅 板而成凸狀，使彈性體1 1的中心部分向外壓出。 此凸型蝸旋探針2係最佳化，以配合不同於具有焊 接頭形狀的接合墊（b〇nding pad) 13。再者，第u(b)'
2036-4248-PF;Spin.ptd 第25頁 五、發明說明（22) " ------— 3 : 以况明另一方法的分解圖，第1 1 ( C ) 係、完成後之 ° J Sj 圖。 f第11(b)圖中，蝸旋探針2係形成於具有通孔3的絕 、、土底以插入成球型的彈性體l la於此孔洞並接著以一 ，，路板3 3堵住。因此’如第11 (a)目所示，蜗旋探針蜗 方疋楝針2受壓於球型彈性體Ua並獲得一凸型蝸旋探針2。 此外，凸型蝸旋探針2並未受限於第11(a)到11(〇)圖 中所不之方法，藉由使用線圈彈簧形成凸型亦可。 第1 2圖係用以說明本發明第九實施例。 、 第12圖係繪示出半導體裝置8或BGA、CSP封裝載入半 導體檢測裝置的插槽1 5的剖面圖。 插槽1 5洞口具有一斜面引導部作為初步的引導，並具 有一襄置以易於載入半導體裝置8或封裝。並且在檢測中 的焊球7被導架1 2托住並停止於蜗旋探針2。 其次，裝設一蓋子16以容許一活塞17壓向一檢測物的 中心部份進而完成裝設。 本發明之感測器1 4係埋設於插槽1 5中以偵測檢測物之 陷入。 換言之，在載入半導體裝置8於插槽15及裝設蓋子16 的情形中，感測器1 4的功能在於偵測其間隙e以預先破認 裝設於適當位置。此外，舉例而言，此感測器1 4係一電子 式鄰近（proximi ty )開關。然而，並無限制於此。 第1 3、1 4、1 5圖係用以說明本發明第十實施例，其為 載入插槽狀態之剖面圖、此剖面圖之局部放大圖及一立體
511197 五、發明說明（23) 圖。在第13圖中’本發明之特徵在於具有一密封物lg。此 密封物1 9係具一環狀外型並填入一環形溝槽填入一環形溝 槽1 8。雖然第1 3圖中的密封物1 9係以係以0型環作為範 例，然其並未受限於〇型環，其他檢測物及方法只要能確 定如墊圈或膠體般達到氣密就可接受。插槽15及半導體伊 置8由於被密封物1 9圍繞而可達到氣密，因而形成一密封、 室20。 ⑷ 第1 4圖係包含第1 3圖之排氣口 2 1之區域剖面放大圖。 彈性體11係一彈性薄膜，能確保氣密。複數個排氣口 21配 置於蜗旋探針2周圍，藉由從排氣口 21排出密封室2〇的空 氣，插槽1 5與半導體裝置8之間的壓力在檢測時，變成$ 者之等效吸附力而相互接觸。換言之，此為真空吸附法， 用以替代習知之機械式加壓法。因此，第1 2圖中的蓋子i 6 及對應於活塞1 7的加壓部鍵就不需要了。此外，在相反的 情形下’该排氣口 21變成供氣口以提供空氣來解除兩者之 吸附。 第15圖係一立體圖以繪示出配置的排氣口21裝入導加 1 2中。 第1 6、1 7圖同樣用以說明本發明第十實施例。第 ma)圖係繪示出-插槽15以載入複數半導體裝置8或晶圓 級的端頭24之剖面圖，且第16(b)圖係綠示出載入插槽15 ==圖：使兩者之加壓法係-真空式吸附法。 第1 7圖係、，，曰不出活塞1 7之配置上满闰 工优圖。在第1 7圖中，舉例 ^ 、组的活塞17a、17b及17c 而言，半導體裝置8a中，3個為一細从土…
511197 五、發明說明（24) 依水平方向放置，且3個為一組的活塞I7d、17e及17f依垂 直方向放置。第1 8圖係用以說明本發明第時一實施例。 第1 8圖係一與申請專利範圍第丨丨項相關之真空吸附之 氣壓式電路圖’第1 8 ( a )圖係繪示出在檢測時脫附半導體 裝置8的情形’第1 8 ( b )圖則繪示出在檢測時吸附半導體裝 置8的情升>。在第1 8 ( b )圖中，在載入一檢測物的情形中， 當開啟一電磁閥時，由於電磁閥被勵磁而切換通道以連接 P」與「A」，所以形成於氣密室的空氣與檢測物在一 起，且檢測物被真空泵吸附，藉此吸附開啟一壓力减測 器。 〜 在第18(a)圖中，係脫附檢測物的情形，關閉電磁閥 使通道藉由彈力回到初始位置。#由將空氣吸人真空區域 :解：吸:寸。&外，雖此壓力感測器係一電子式壓力感測 态，然而其他感測器亦可接受。 第1 9圖係用以說明本發明第十二實施例。 第19⑷圖係繪示出在黏貼晶圓於評捲帶25用以嵌入 探測卡27之刚的剖面圖，第19⑴圖係 剖面圖。兩者之加壓法係真空吸 出戰入之後之 檢測法受限於切割前之晶圓，然而'丄朱卡之習知 與切割之後的晶圓相容。其原因俜 二明之探測卡27能 的非契合（incoherence)情形，^ΡΛ使因切割而發生極小 由導架12托住焊球。 寸加之定位功能仍可藉 第20圖係繪示出晶圓級之習知步驟序U)與本發明
2036-4248-PF;Spin.ptd 五、發明說明（25) 之步驟（b) t流程圖比較’習知檢測程序利用到兩 探測卡’ -次為稱作晶圓探測3a之檢測程序，苴 作檢測’另一次則在包裝出貨前藉由操作員（h_ei：) 測9:。S因！在晶圓切割程序5a時有可能產生缺陷 產:。另-方=，本發明之步驟（b)僅需在晶圓切服 之後，做一次稱作晶片探測61)的檢測程序。 第21、22圖係用以說明本發明第13實施例。 在第21圖中，螞旋探針2配置於絕緣基底的兩侧。 在第22圖中，與上表面接觸的是半導體裝置8，且| 下表面接觸的是連接器26之具「插入式（male)」功能之 金屬球7a。固定下表面之連接器26以延續所處之狀態，只 有替換上表面的半導體裝置8。 此外，配置蜗旋探針2於兩側之方法係配置於絕緣基 底6之一侧如第21圖所示，或利用導電的黏著劑作疊置 並彼此黏著成具兩側之配置，如第2 2圖之一體的型式。 第2 3圖係用以說本發明第十四實施例。 第23(a)圖係繪示出未與蜗旋接觸子兩侧接觸前之模 式圖，在上下用作接觸的是一印刷線路板（print wire board’ PffB)33。f23(b)圖係繪示出電子元件3i (例如 連接，）連接於PWB 33 —之剖面放大圖。此提供一小型化 =1最^厚度的及輕量的電子元件，且具有優良的高頻電 特性及南密度之嵌入。 於^知之管腳（pin )法中的連接器最小厚度為厚度為5 屋乂隨）’另一方面，在本發明螞旋在本發明蜗旋連接
五、發明說明（26) 器中的連接器最小厚声 所以大幅改盖古相φ又為mm，因此，由於薄化了 1 /5， 第"頻電特性及具高密度。 i24(b)V以說明本發明第十五實施例。 (^ it ^ 1 ^ ^ t ^ it #31 述，可_由援田）圖係、、曰不出連接前之模式圖。如以上所 電子：Γ;由::蜗二以提供大幅改善高頻電特性之 子元件，且兩^亦ΐ 裳配排置有蜗旋接觸子之電 範例 #，J ^ 16 # i ^ ^ ^ ，25到32圖係！會示出螞旋接觸子J之 圖。然而，此為彈性體丨丨填 序σ]面 以下依序說明。 、、、、巴緣基底6的洞口 3的情形。 第25圖中，絕緣基底6係一 i 樹脂（FR-4)，且厚产為〇·3 _之玻璃環氧 加於其兩側。尽度為5到18 _的電錢銅的電鑛銅4施 …第2=二，藉由鑽頭來穿設孔洞（-般稱作通孔” 並，加電鍍銅4於整個表面，可在 配線法的載流電路。 旧T捉仏笙直 第27圖中’將彈性體（矽系彈性體）u填入洞3中， 並猎藉由表面加工去除凸出及凹陷的部分。 第30頁 ⑩ 2036-4248-PF;Spin.ptd 511197 五、發明說明（27) 第28圖中’施加一電鍍銅4於整個表面。 ，29圖中，藉由蝕刻以在上表面形成一媧旋外型之薄 、 在下表面形成一環狀外型之薄膜。 型 第30圖中，藉由蝕刻整個表面以形成蝸旋探針2的外 第31圖中在上下兩個表面施加一電鑛鎳29。 架12 第32圖中，藉由覆敷（c〇ver 一 iay)處理以形成一導 按照上述之製程順序可製造出蝸旋接觸子。 p ^第33圖係繪示出採用插槽4〇於蜗旋接觸子2中的之實 知範例。第3 3 (a)圖係繪示出在插槽4 〇中嵌入電子元件41 的模式圖。複數焊球7配置於電子元件41的表面下，且複 數蝸旋探針2配置於對應插槽配置於對應插槽4〇的上 面。 第33(b)圖係繪示出電子元件41嵌入插槽4〇中的模式 圖、。第33(b)圖中，電子元件的41的焊接探針7被插槽4〇上 的導架1 2托住來定位，且接著藉由一钳子42的鉤扣部分對 蝸旋探針2施壓以接觸固定住。 第34圖係繪示出採用蜗旋接觸子2於電子元件43中的 之實施範例。 第34(a)圖係繪示出嵌入電子元件43於插槽4〇内之模 式圖，複數蜗旋探針2排置於電子元件43表面以下，且複 數焊球7排置於對應插槽4〇中。第34(b)圖係繪示出電子元 件43嵌入於插槽40内之模式圖。在第34(b)圖中，電子元
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511197 五、發明說明（28) 件4 3的蝸旋探針2被導架1 2托住來定位，且接著蝸旋探針2 對焊球7施壓以藉由一鉗子4 2的鉤扣部分接觸固定住。 第35圖係繪示出採用插槽40於蜗旋接觸子2中的之實 施範例之模式圖，如先前所述。（a )為上視圖，（b )為前視 圖，C c )為右側圖。如（b)所示，插槽4 0埋設於印刷線路板 33。如（a)所示，蝸旋探針2有系統地排置於插槽4〇内部， 插槽導架56、56、57、57圍繞於四周，且插槽導架56、56 係由彈性薄SUS板所製成以自由地打開或關閉。突出部 58、58形成於插槽導架56、56的兩側，且藉由一特殊夾具 (未繪示）使其容易附著或分離。 第36圖係繪示出電子元件41嵌入於插槽4〇之模式圖， (a)為上視圖，（b)為前視圖，（c)為右側圖。當嵌入時， 插入電=元件造成插槽導架56向外傾斜而打開，如兩點線 鎖線所不。其間，電子元件41的焊球7被拖住並藉由插槽 40上的導架12來定位，且接著由蝸旋探 出部58、58來接觸固定住，其突出部58、58可^由大 恢復原狀 ®推77木 子1製以造下Λ以。說明與f請專利範圍第17項相關之蜗旋接觸 第37圖係緣示出在印刷線路板33上 成於SUS薄板46的蜗旋探針2之步驟圖。肖由稷“ (a)為施加一電鍍銅4於SUS薄板46表面以在# # Η|_ (resist fflembrane film) 薄膜61係-乾膜’且感光劑亦可接受 ^驟。此阻劑
川197 、發明說明（29) 、.（b)為藉由印刷及顯影以將阻劑薄膜61形成凹狀以作 為製作蝸旋探針2外型的凹洞之步驟。 (c) 為施加一電鍍鎳29於程序（b)的表面之步驟。 (d) 為藉由藥劑（溶劑）去除阻劑薄膜61之步驟。 (e) 為塗上厚度為50#m的阻劑薄膜61之步驟。 (f )為藉由印刷及顯影阻劑薄膜6 1而形成導架丨2之步
(S)為藉由在剝離及去除SUS 電鍛銅4之步驟。 (2)為塗佈組裝一導電黏著劑48於印刷線路板33上。 按照上述程序順序可製造出蝸旋接觸子。 子1製以造下Λ以說明與申請專利範圍第18項相關之蜗旋接觸 之製繪示出蜗旋接觸子排置於印刷線路板33兩側 H梃耘序圖。以下依照程序順序說明。 :a)為黏貼厚度為18_的銅荡4,於上表 0.5 mm之聚醯胺絕緣基底63 KB t 為 並藉由印刷及顯影以將阻劑薄上面阻劑薄膜61， 旋探針2外型的凹洞之步驟。、/成凹狀以作為製作蝸 (b)為藉由電鍍法施加一電鍍鎳29之步驟 由藥劑（溶劑）去除阻劑薄膜以之 (d) 為猎由鍅刻去除銅箔4，之步驟。 v驟 (e) 為藉由雷射將聚醯胺 以再一次黏貼阻劑薄膜61於所f 成蜗方走探針2，
J丄丄丄7 / --------- 五、發明說明（3〇) < 〇為&加一無電 施加-電鍍鎳29之步驟解二鋼個表面，以在此表面 劑薄膜61，以完 旋$針错由藥劑（溶劑）去 (g)為在作Α妨有疋彳木針2之蝸旋接觸子。 ㈣，以黏貼固\核由;^刷床線路制⑽兩侧塗佈導電黏著 蜗旋接觸子之步驟 二王『製造之排置有旋探針2之 旋探針2的位置二，=，Λ=ν?33每-側的μ 據本實施例來製造。 ；表面以下的型式可依 48。 卜，錫月可使用以取代導電黏著劑 之蜗Ξ = Ϊ程序順序可製造出排置於印刷線路板⑸兩側 刊製以造下方用法以說明與申請專利範圍第19項相關之蝸旋接觸 第39圖係繪示出製作無導電黏著劑之 範例，及在絕緣基底63上製造蜗旋接觸子之步== 按照程序順序說明。 (a)為黏貼厚度為38 /zm的銅片於聚醯胺絕緣基底63的 表面上之乂驟其中厚18/ζπι的銅猪4黏貼於兩侧表面， 再者’在藉由熱壓法黏貼阻劑薄膜6丨之後，藉由印刷及顯 影以在阻劑薄膜61表面上製造蝸旋探針2之外型。 (b )為藉由蝕刻除去除了蝎旋探針2外型之外的區域之 步 〇 )為從表面以下藉由雷射去除聚醯胺絕緣基底63之
(C 步驟
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施加無電鍵銅4之 刻去除電鍍銅4之 (d )為在所需區域黏貼阻劑薄膜6丨及 後堆積一電鍍鎳29之步驟。 (e)為在去除阻劑薄膜61之後藉由蝕 步驟。 按照上述程序順序可製造出在通孔上排置有蜗旋探針 2之蝸旋接觸子。 以下用以說明與申請專利範圍第20項相關之蝸旋接觸 于1製造方法。 第40圖繪示出在形成於印刷線路板“上表面〇的微洞
Si=CrCLVla ) 51的洞口裝配蝸旋探針2之實施範例。微洞 、接電路以連接改良多層結構之中間層印刷線路板 π 4+9 1、。在此實施範例中，在微洞51的洞口裝配螞旋 铋針2可共用微洞51及通孔而使得板子更薄。 以下說明此製造程序。 (f) 除去SUS板46，且接著在實施第37圖（a)到 λ 1藉由餘刻去除銅箱4,之步驟。 洞口並將:暮\由#卩刷將蜗旋探針2裝配至如圖所示之微洞51 们口 電黏著賴固定於微洞51之表面[之步驟。 效。根據申ί Ϊ，Ϊ據本發明，可實現以下所述各種功 功效為：明利犯圍第1項所述之發明，蝸旋接觸子的 觸點，且由於為有蜗午疑，針’相較於習知法，具有較長的接 難以發生接觸失因件，：以貼附外來物質時幸 可元成一高可靠度之檢測裝置e
五、發明說明（32) (2)能夠隨對應之焊球外型 此不會造成損害，例如焊球 k形，以捲繞接觸，因 ⑻由於焊球的直徑及位皮置裂不或^ 準的接觸。 θ影響捲繞而能確保精 (4) 由於能縮短半導體裝置到封 於高頻信號的優點。 瑕的長度而具有適用 (5) 優良的空間利用效率 -般稱作通孔的洞口而與高c由配置蜗旋探針於 ⑷以-插槽作為檢測Λ之接相 ,^ , L χ ~似列衮置之一來增加嵌入之密度。 以下為上述功效之整理。 a.可將晶片大小的插槽應用於載晶（以盯chip) 上0 b·可使插槽密度與晶片托盤（tray)相同。 c·增加插槽密度至與托盤相同等級而容許一插槽變成 複數個’因此有效降低成本。 d·可有南逾、度的預燒板（burn in board)及高空間 利用效率。 e·晶片直接從托盤（tray )頂端傳送至預燒板（burn in board )因此工作效率增加。 根據申請專利範圍第2項所述之發明，藉由蝸旋探針 或牙5又孔之空間下方陷入可達到充分變形。 根據申請專利範圍第3項所述之發明，由於藉由形成 垂直配線系統之載流電路可將線路空間減到最小，所以可 相應於焊接探針之密度。
2036-4248-PF;Spin.ptd 第36頁 五、發明說明（33) 口 ί艮據申請專利範圍第4項所述之發明 子了，由放置單一或複數電容器於一蝸$ 蝸，探針而回應快速信號處理電路中電ί 以可，先防止電子信號的傳輸問題，因il 的可罪度。 根據申請專利範圍第5項所述之發明 凹處，洞内或是施加一彈性薄膜於祠口尚 ^下卩曰’且在焊球的施壓解除之後，可幫 復以增加耐久性及氣密。 立 根據申請專利範圍第6項所述之發明 J至接近頂部，藉由製作較薄的寬度可分 耐久性及長久的使用壽命。 f據申請專利範圍第7項所述之發明， 幫助坏球陷入導架之洞口並幫助每一蜗旋 可縮短载入的時間。 根據申請專利範圍第8項所述之發明， 外型的蜗旋探針由於結合了平面與球面， 例如接合墊（bonding pad),町作最佳# 根據申請專利範圍第9項所述之發明， 預先知道獲得錯誤資訊的情形，是否半導 入適當的位置，此增加自動化的玎靠度。 根據申請專利範圍第1 〇項所述之發明 於檢測裝置（插槽）及檢測裝置下方的裝 以排除兩者内部之空氣，可成為/真空吸 由於蝸旋接觸 匕探針周園以連接 ^的瞬間壓降，所 y 了 4加檢測裝置 ’填入彈性體於 可防止蝸旋接觸 助蝸旋接觸子恢 ，蝸旋探針從根 散f應力以保持 ’裝設一導架以 捸針定位，因此 本發明之凹狀 對於具有平面， J接觸。 採用感測器可 體裝置的封裝栽 ，配置一密封物 置（例如封裝） 附製程，此製程 丄U97 ’如同免去組裝部件之操作以減少載入時 利範圍 除絕緣 少（變 利範圍 切片完 一次， 利範圍 觸子破 對於作 利範圍 糸統， 優良的 簡單且 利範圍 ’可製 高頻電 簡單且 利範圍 方法， 密集且 密集且 第11項 基底與 動）， 第12項 成後檢 可將檢 第13項 損或須 適度維 第1 4項所述之發明 可提供 高頻電 容易， 第15項 造一小 特性及 容易， 第16項 可在印 間距小 間距小 壓力感 氣所造 度。 晶片的 知檢測 —半 〇 擇性之 接觸子 容易拆 5對於 薄及輕 度之嵌 少而價 ’如上 輕量化 入° 少而價 ’由於 製造出 子，所 子。 五、發明說明（34) 可免去加壓部件 間。 根據申請專 測器來偵測因排 成空氣壓力之減 根據申請專 檢測中，容許在 時間從兩次減為 根據申請專 接觸，當蝸旋接 的部分即可，其 除。 根據申請專 子之選擇性接觸 子元件，使其具 再者，連接 根據申請專 由一蝸旋接觸子 件’其具優良的 再者，連接 根據申請專 微影技術之製造 探針排置複雜、 做出排置複雜、 所述之發曰月 半導體裝置^ 此增加自動 所述之發曰月 測（探測） 測之人力〜 所述之發明 更新時，僅 修而言，為 小型、極 特性及高密 且由於部件 所述之發明 型、極薄及 高密度之嵌 且由於部件 所述之發明 刷線路板上 之蜗旋接觸 之蜗旋接觸 ，透過一 之間的空 化之可靠 ，在晶圓 ，可將習 時數減為 ，由於選 替換蜗旋 局部性且 蝸旋接觸 量化之電 入0 格低。 所述，經 之電子元 格低。 藉由採用 複數蝸旋 以今後可
511197 五、發明說明（35)
再者’由於輕、薄及小，所以製造成本可降低。 根據申請專利範圍第1 7項所述之發明，由於導架可藉 由阻劑薄膜來形成，所以即使金屬板剝落也無須藉溶劑來 形成片狀以維持外型，因此可改善品質。且藉由採用微影 技術之製造方法，可在具有通孔的印刷線路板上製造出複 數蜗旋探針排置複雜、密集且間距小之蝸旋接觸子，所以 今後可做出排置複雜、密集且間距小之蝸旋接觸子。再 者’由於輕、薄及小，所以製造成本可降低。 #根據申請專利範圍第丨8項所述之發明，由於金屬部分 可藉由照射雷射於由聚醯胺所組成之絕緣基底而留下，所 =可形成，旋探針的外型。再者，藉由採用微影技術之製 w方法’可在具有通孔的印刷線路板上製造出複數蜗旋探 針排置，雜、密集且間距小之蝸旋接觸子，所以今後可做 出排置複雜、密集且間距小之媧旋接觸子。此外，由於 輕、薄及小，所以製造成本可降低。
根據申請專利範圍 用導電黏著劑或架座膏 在具有通孔的印刷線路 之蜗旋接觸子，且藉由 出複數蝸旋探針排置複 所以今後可做出排置複 此外，由於輕、薄及小 根據申請專利範圍 造方法，可在具微洞的 第1 9項所 (hander 基板上製 採用微影 雜、密集 雜、密集 ，所以製 第2 0項所 印刷線路 述之發明，由於藉由不使 paste )之製造方法，可 造出排置有複數蝸旋探針 技術之製造方法，可製造 且間距小之蜗旋接觸子， 且間距小之媧旋接觸子。 造成本可降低。 述之發明，由於藉由此製 基板上製造出排置有複數
511197 五、發明說明（36) 蝸旋探針之蝸旋接觸子，且藉由採用微影技術之製造方 法，可製造出複數蜗旋探針排置複雜、密集且間距小之蝸 旋接觸子，所以今後可做出排置複雜、密集且間距小之蝸 旋接觸子。此外，由於輕、薄及小，所以製造成本可降 低0
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Claims (1)

  1. 六、 與 具 探 上 在 孔 在 其 以 在 膜 在 細 在 獲 -塞號 90118984_f / 年 申睛專利範圍 本1道二ΐ蝸旋接觸子，特徵在於使用烊球作為一接觸子 +導體裝置或電子元件之電性連接，且= ί = 探針以連接凸起的焊球，對應焊接 ，且其桃浐:，、中上述蝎旋探針係配置於印刷電路板 2 ΐ:Ϊ⑷的寬度從根部到接近頂部越來越小。 於利範圍第1項所述之螞旋接觸子，其特徵 ^略基底具有對應該等蝸旋 而變形的結構。 1 r万凹處或穿设 於3以第2項所述之蜗旋接觸子，其特徵 j ^由ί線法在穿設孔内部製造出一載流電路。 特徵η;範圍第1、2或3項所述之蜗旋接觸子， ϊ今ΐ容；：電容器排置於該堝旋探針之周圍， 電t i與一蝸旋探針作機械性及電性連接。 於5在：焊圍第4項所述之蜗旋接觸子，其特徵 。、 施加一線圈彈簧狀的彈性體或一彈性薄 於6該圍第1項所述之堝旋接觸子，其特徵 薄的寬度。、”旋部具有從線圈内部核心向外逐漸變 t月專利範圍第1項所述之蜗旋接觸子，里特料 彳 接觸子周圍的導架來提二二 於形成凸形項所述之蝸旋接觸子’其特徵 。卜型之配置於凸起的絕緣基底的該蝸旋探
    511197
    案號 90118984 、申請專利範圍 _ 9· 一種半導體檢測裝置，使用如 所述之蝸旋接觸子，其特徵在於檢測靖2利範圍第1項 體裝置係載入半導體檢測裝置之適當位〃有坏球之半導 以藉由適當壓力來偵測接觸。 胃 且具有一感測器 10· -種半導體檢測裝置，冑用 所述之蝸旋接觸子，其特徵在於具有一六寻W軏圍第1項 體檢測裝置之絕緣基底中的該半導體筆1封物貼附於半導 11 · 一種半導體檢測裝置，使用如t申 所述之蜗旋接觸子，其特徵在於裝設_°j範圍第1項 由排出該半導體檢測裝置之絕緣兮器以藉 的空氣來發出一信號以偵測減少的氣體料導體裝置之間 12. -種半導體檢測裝置，使的用：體申 所述之蜗旋接觸子，其特徵在於且有藉由圍第1項 之後完成每-半導體裝置及探測卡之i置之切割晶圓 所述:螞一旋種接半觸導子體 緣基底的兩Ϊ 其特徵在於—蜗旋接觸子配置於該絕 蝸旋公館：種電甘子元件，具有如申請專利範圍第1項所述之 的一侧❶，八特徵在於一蝸旋接觸子配置於該絕緣基底 堝旋：觸一子種電/特:件在= 的兩侧。 /、特徵在於一蝸旋接觸子配置於該絕緣基底 蝸旋^觸—子種電/元件，使用如申請專利範圍第1項所述之 一 徵在於一連接器纜線之一側中裝設/蜗
    511197 JE_η 曰 案號 90118984 六、申請專利範圍 · 旋接觸子。 17· —種電子元件，使用如申請專利範圍第1項所述之 蜗旋接觸子，其特徵在於一連接器纜線之兩侧中裝設一 旋接觸子。 ^» 18· —種形成蝸旋接觸子的製造方法，其中在印刷線 路板的表面上排置複數蜗旋探針以電性連接一具有焊球的 半導體裝置或電子元件，其特徵在於： 、 在絕緣基底上穿設孔洞以在該絕緣基底的整個表面上 形成一金屬薄膜的步驟； 填入一彈性體於該孔洞以藉由一表面加工來去除陷入 及凸出的部分的步驟； 在該等孔洞中露出彈性體處之的至少一 屬薄膜的步驟； ^ ^金 藉由蝕刻形成有該金屬薄膜之一絕緣基底表面以 一蜗旋探針外型之薄膜’且藉由蝕刻下表面以 $ 薄膜的步驟； ^風衣开/ 藉由餘刻該絕緣基底表面以形成一μ旋探# 驟；==絕緣基底表面上形成一不同種類的金屬薄膜的步 在該絕緣基底表面上形成一阻劑薄臈以 理來形成一導架。 稭由一覆敷處 19· 一種形成蝸旋接觸子的製造方法，复 路板的表面上排置複數蝸旋探針以電性接、一中在印刷線 半導體裝置或電子元件，其特徵在於：钱一具有焊球的 gj:板义在該表面上形成
    第43頁 羞正 —90118984 年月日 、申請專利範圍 + 〜随劑薄膜的步驟； 罩步J該阻劑薄膜上曝光印刷及顯影該螞旋探針圖案的遮 ==中：出之金屬部分施加—金屬薄膜的步驟； 去除該阻劑薄膜的步驟； 重新形成該阻劑薄膜的步驟； 旋探：旋探針及印刷與顯影該阻劑薄膜以形成該蝸 的4由=離及去除該金屬板之後钱刻去除-金屬薄膜 在塗佈一導電黏著劑或架座奮 線路基底中的每一通孔的洞口中 °又於該ρ屌’ 的組裝步驟。 中配置母一蝸旋探針成捲曲 2〇. —種形成蝸旋接觸子的製造方法，里中 複Γ;探針以電性連接-具有焊球的 牛等體裝置或電子兀件，其特徵在於： 在形成有二金屬薄膜的絕緣基底表 薄膜二並印刷及顯影-蜗旋探針之外型的遮罩步驟； :由該遮罩步驟以在露出的金屬 的金屬薄膜的步驟； 』但火貝 去除該阻劑薄膜的步驟； 藉由蝕刻去除該金屬薄骐的步驟·， 會新2雷針中形成該絕緣基底以在該表面 重新形成一阻劑薄膜的步驟； 1該絕緣基抵表^薄膜以在該表面重新形 511197
    在具有通孔之該印刷線路板表面上_ π 成春η, *了丨η ^ + 傲衣囬上塗佈一導電黏著劑 座膏以在通孔洞口中配置及捲曲— 成不 或架 步驟 同種類的金屬薄膜並去除阻劑薄膜的步驟丨以及 1次捲曲蝸旋接觸子的組裝 21· —種形成蝸旋接觸子的製造方法，其中 路板的表面上排置複數蝸旋探針以電性接、一 跋 半導體裝置或電子元件，其特徵在於：連接…球的 ^一絕緣基底表面上形成有一金屬薄膜的表面形成一 =薄膜的步冑，再者，在形成—阻劑薄膜之後，在該阻 劑溥膜上印刷及顯影該薄膜以形成一蝸旋探針的外型； 藉由蝕刻以去除一金屬薄膜而留下該蜗旋 的步驟； I < a 土 藉由雷射以去除該絕緣基底的步驟； f該絕緣基底的表面上重新形成一阻劑薄膜以在形成 金屬薄膜之後重新形成一不同種類的金屬薄膜的步驟； 在去除4阻劑，專膜之後藉由触刻以去除一金屬薄膜的 步驟。 、 、22· 種形成螞旋接觸子的製造方法，其中在具有微 洞印刷線路板的表面上排置複數蝸旋探針以電性連接一真 有焊球的半導體裝置或電子元件，其特徵在於： / 在一金屬板表面上形成一金屬薄膜以在該表面上形成 一阻劑薄膜的步驟； 在該阻劑薄膜上曝光印刷及顯影一蝸旋探針圖案的遮 罩步驟； - "" 511197 _案號 90118984_年月日_修正 _ 六、申請專利範圍 在該步驟中露出之金屬部分上施加一金屬薄膜的步 驟， 去除該阻劑薄膜的步驟； 重新形成該阻劑薄膜的步驟； 露出該媧旋探針及印刷與顯影該阻劑薄膜以重新形成 一導架的步驟； 藉由在剝離及去除該金屬薄膜之後#刻去除一金屬薄 膜的步驟；以及
    在該印刷線路板表面上的微洞洞口周圍塗佈一導電黏 著劑或架座膏以在微洞洞口的位置上配置及捲曲一蜗旋接 觸子的組裝步驟。
    第46頁
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