JP3971749B2 - 凸型スパイラルコンタクタおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品に関し、中でも半導体のパッケージの高密度実装に対応するための凸型スパイラルコンタクタおよびその製造方法に関する。

半導体デバイス（ＩＣ）の多機能化、高性能化に伴い、ＩＣを搭載するパッケージ（以下、電子部品と称する）は、さまざまなニーズにより変遷し、進化してきた。ＩＣの裏面にピンの代わりにボールを配置し、より薄く、より狭ピッチ化に対応が可能なタイプであるＢＧＡ（Ball Grid Array）がパッケージ分野を牽引している。ピンをボールに代えることによって、電子部品は薄くでき、省スペースに貢献できた。さらに、ＩＣチップサイズのパッケージである、ＣＳＰ（Chip Scale Package）の登場により、さらにそのスペースを激減させ、ボールを配置するその面積を縮小させた。このため、一段と小さなボールへの対応が可能な接続端子が、今求められている。

このように、電子部品の裏面には、ピンに代わって球状接続端子（以下、ボールという）が碁盤の目状に配列され、ＢＧＡのピッチ間隔は０．５ｍｍから０．３ｍｍへと狭ピッチ化が進んでおり、ボールの高密度化が進んでいる。また、電子部品は、実装密度と電送特性を高めることからも、軽薄短小化の傾向にある。そのため、当然のことながら、ボールの相手となるコネクタ（以下、電子部品という）の接触子（コンタクタ）も同様に高密度化への対応が求められている。そこで、本発明者は、高密度化に対応した接触子（スパイラルコンタクタ）を開示している。
特開２００２−１７５８５９号公報（段落００２７〜００５３、図１〜図５０）

しかしながら、本出願人が出願した前記特開２００２−１７５８５９号公報においては、スパイラル状接触子と基板との接着は導電接着剤で行っている。導電接着剤の電気抵抗値は３．０×１０^−２ オーム／ｍと高いため、導電接着剤によって、電流の流れが阻害されるという問題があった。
また、ＢＧＡパッケージの端子は、従来、球状の鉛入りハンダであったが、環境問題への対応により、鉛を含まない合金（錫銀銅合金）に換えており、鉛フリー化が進められている。この錫銀銅合金のボールは、従来のボールより硬度が高くなるため、より強い付勢力を有するスパイラルコンタクタの開発が要望されていた。

そこで、本発明は、導電接着剤に代わる極小の電気抵抗値を有するものを開発し、スパイラルコンタクタの信頼性を高め、さらに、超小型、超薄型に対応可能な接続端子の接続相手とする凸型スパイラルコンタクタを提供することを課題とする。また、新たな製造方法を提供することを課題とする。

請求項１に記載の凸型スパイラルコンタクタ１ａの発明は、渦巻き状の接触子を有し、先端をフリーとした１条の螺旋体からなり、幅が先端に行くほど狭くなるように形成され、半導体デバイス又は電子部品の接続端子との接触の際には、この接続端子の形状に対応して中央部から外側に接触を広げてたわみ変形する凸型スパイラル状接触子（２ａ）と、前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）が上面に載置され、第１金属メッキ（５′）によって形成された島（３ｂ）と、を備え、ランド（９ｂ）を有するプリント基板（９）上に前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）および前記島（３ｂ）が複数配列された凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）であって、前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）と前記島（３ｂ）とは、第２金属メッキ（５）により接続され、さらに、前記島（３ｂ）は、前記ランド（９ｂ）にハンダ（９ｃ）を介して接続されていることを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の凸型スパイラルコンタクタ１ａであって、前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）と、半導体デバイス又は電子部品に設けられた平面が平坦なフラット状接続端子（１５ａ）とが、接触することを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）であって、前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）および前記島（３ｂ）を有する凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）が、ハンダ（９ｃ）を介して背中合わせに配設されていることを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）であって、前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）および前記島（３ｂ）を有する凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）が両面に設けられたプリント基板（９）には、スルーホール（９ｄ）が設けられ、このスルーホール（９ｄ）には導電性ゴムとするエラストマー（７）が充填されていることを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の凸型スパイラルコンタクタ１ａの製造方法であって、金属板３を用意して、前記金属板３の表面にフォトレジスト４を塗布する第１工程と、複数のスパイラル状接触子２のフォトマスク４ａを重ね、露光して現像する第２工程と、前記金属板３の表面にスパイラル状金属メッキ５″を施す第３工程と、前記フォトレジスト４を除去する第４工程と、前記カバーレー６を貼付する第５工程と、前記金属板にカバーレー６を押圧する第６工程と、前記カバーレー６の表面にフォトレジスト４を塗布する第７工程と、前記フォトレジスト４を露光して現像する第８工程と、前記金属板３を除去し、フラット型のスパイラルコンタクタ１を形成する第９工程と、前記フラット型のスパイラルコンタクタ１の上面側にエラストマー７を配置して、下面側へ円錐状の凸型を複数有する凸型治具８を配置する第１０工程と、前記エラストマー７と凸型治具８とを押圧した状態で、前記フラット型スパイラルコンタクタ１を加熱する第１１工程と、前記エラストマー７と凸型治具８とを取り外して凸型に形成した凸型スパイラルコンタクタ１ａを取り出す第１２工程と、金属板３の表面に第１金属メッキ５′を施し、複数の島３ｂを形成する第１３工程と、前記金属板３の表面のそれぞれの島３ｂに、前記凸型スパイラルコンタクタ１ａのそれぞれの凸型スパイラル状接蝕子２ａを重ね、プレスして加熱する第１４工程と、前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）と前記島（３ｂ）に、第２金属メッキ（５）を施し、前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）と前記島（３ｂ）とを接続する第１５工程と、前記金属板３を除去する第１６工程と、を含むことを特徴とする。

請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の凸型スパイラルコンタクタ１ａの製造方法であって、前記フラット型スパイラルコンタクタ１の上面側にエラストマー７を配置して、下面側へ円錐状の凸型を複数有する凸型ピン１０ａと、基板１０ｂとにより構成された凸型治具１０とを配置する第１０′工程と、前記エラストマー７と凸型治具１０とを圧接した状態で、前記フラット型のスパイラルコンタクタ１を加熱する第１１′工程と、前記エラストマー７と凸型治具１０とを取り外して凸型に形成した凸型スパイラルコンタクタ１ａを取り出す第１２′工程と、を含むことを特徴とする。

請求項７に記載の発明は、請求項５に記載の凸型スパイラルコンタクタ１ａの製造方法であって、フラット型スパイラルコンタクタ１の上面側に円錐状の凹型を複数有する凹型治具８ａを配置して、下面側へ円錐状の凸型を複数有する凸型治具８を配置する第１０″工程と、スパイラルコンタクタ１を挟んで凹型治具８ａと、凸型治具８を押圧し加熱する第１１″工程と、凹型治具８ａと凸型治具８を離間し、凸型スパイラルコンタクタ１ａを取り出す第１２″工程と、を含むことを特徴とする。

請求項１に係る発明によれば、導電接着剤の代わりに金属メッキおよびハンダを使用したことにより、電気抵抗値が小さくなり、電流の流れを阻害する要因を取り除くことができるので、超小型、超薄型の性能のよい凸型スパイラルコンタクタを提供することができる。

請求項２に係る発明によれば、導電接着剤の代わりに金属メッキおよびハンダを使用した凸型スパイラル状接触子と、半導体デバイス又は電子部品に設けられた平面が平坦なフラット状接続端子とを接触することにより、電気抵抗値が小さく、電流の流れを阻害する要因を取り除くことができたので、超小型、超薄型の性能のよい凸型スパイラルコンタクタを提供することができる。

請求項３に係る発明によれば、背中合わせに、凸型スパイラル状接触子および島を有する凸型スパイラルコンタクタが配設されたことにより、電気抵抗値が小さくなり、電流の流れを阻害する要因を取り除くことができたので、超小型、超薄型の性能のよい凸型スパイラルコンタクタを提供することができる。

請求項４に係る発明によれば、スルーホールに導電性ゴムのエラストマーが充填されたことにより、ＩＣデバイスの半田ボ−ル側の信号は、スルーホールの側面からの経路と並列にエラストマーを経由してダイレクトの信号が流れるため、導通距離が半減でき、かつ、導電抵抗が小さくなり、かつ、電流容量も大きくなる。したがって、大電流の活路が広がり、かつ、高周波電気特性がさらに向上する。

請求項５に係る発明によれば、前記した手順の工程に従えば、凸型スパイラルコンタクタを容易に製作することができる。

請求項６に係る発明によれば、前記した手順の工程に従えば、凸型スパイラルコンタクタを容易に製作することができる。

請求項７に係る発明によれば、前記した手順の工程を従えば、凸型スパイラルコンタクタを容易に製作することができる。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の凸型スパイラルコンタクタの製造方法を示す工程図である。図１は、請求項１に係り、電子部品の電気的接続を行う凸型スパイラルコンタクタの製造工程を示し、全て断面図になっている。
図１（ａ）は、第１工程の段取りを示す工程図であり、金属板３を用意する。金属板３は銅板３ａが好適であるので、以下、金属板３は銅板３ａで説明する。
図１（ｂ）は、同じ第１工程であり、銅板３ａの表面にフォトレジスト４を塗布する。ドライフィルムを貼付してもよい。
図１（ｃ）は、第２工程であり、複数のスパイラル状接触子のフォトマスク４ａを重ね、露光して現像する。そうすると、スパイラル状接触子の部分がむき出しになる。
図１（ｄ）は、第３工程であり、銅板３ａの表面にスパイラル状金属メッキ５″を施す。ここでのスパイラル状金属メッキ５″は、ニッケルメッキ５ｂが好適である。ニッケルメッキ５ｂでスパイラル状接触子の部分ができる。
図１（ｅ）は、第４工程であり、フォトレジスト４を除去すると、ニッケルメッキ５ｂによってスパイラル形状のスパイラルコンタクタが形成する。
図１（ｆ）は、第５工程であり、カバーレー６を貼付する。材質はポリイミド６ａである。
図１（ｇ）は、第６工程であり、前記カバーレー６を上から押圧する。
図１（ｈ）は、第７工程であり、カバーレー６の表面にフォトレジスト４を塗布する。
図１（ｉ）は、第８工程であり、フォトレジスト４を露光して現像する。そうすると、スパイラル状接触子のエリアを除く回りの部分のカバーレー６が残る。
図１（ｊ）は、第９工程であり、銅板３ａを除去する。銅板３ａをエッチングで除去すると、フラット型のスパイラルコンタクタ１ができ上がる。
なお、第１工程の金属板３は銅板３ａの他に、例えばＳＵＳ板としてもよい。ＳＵＳ板にした場合は、この第１０工程でＳＵＳ板をはがし取るとよい。金属板３のＳＵＳ板をはがし取ることにより、同様に、フラット型のスパイラルコンタクタ１を形成することができる（図（ｊ）参照）。

図２はスパイラルコンタクタ１を凸型に形成する製造方法を示す工程図である。
図２（ａ）は、第１０工程であり、フラット型スパイラルコンタクタの上面側にエラストマー７を配置して、下面側へ円錐状の凸型を複数有する凸型治具８を配置する。
図２（ｂ）は、第１１工程であり、エラストマー７と凸型治具８を押圧した状態で、フラット型のスパイラルコンタクタ１のスパイラル状接触子２を変形させて加熱する。エラストマー７は柔らかいため、図２（ｂ）に示すように容易に窪みが形成し、凸型スパイラル状接触子２ａの状態で維持することができる。加熱温度は２００〜２５０℃が好適である。２００〜２５０℃の加熱によって、最外殻の電子が飛び出し、材料の特性が変化する。また組織変化による結果、内部歪み応力が消滅し、凸型治具８に倣って凸型が形成する。図２（ｃ）は、第１２工程であり、エラストマー７と凸型治具８を取り出すと、凸型スパイラル状接触子２ａから構成する凸型スパイラルコンタクタ１ａが形成する。

ここで、また、図１に戻り、後工程の説明を続けると、
図１（ｋ）は、第１３工程での段取りを示し、前記した図２（ｃ）に示す凸型スパイラルコンタクタ１ａを用意する。
図１（ｌ）は、第１３工程であり、新たに金属板３の銅板３ａを１枚用意し、銅板３ａの表面に第１金属メッキ５′を施して複数の島３ｂを形成する。詳細は、最初に金メッキ５ｃを施し、つづいてニッケルメッキ５ｂと、銅メッキ５ａの順に第１金属メッキ５′を施し、島３ｂを複数形成する。
図１（ｍ）は、第１４工程であり、銅板３ａの表面に形成した島３ｂの上に、凸型スパイラルコンタクタ１ａのそれぞれの凸型スパイラル状接蝕子２ａを重ね、凸部を除いてプレスして加熱する。
図１（ｎ）は、第１５工程であり、凸型スパイラル状接触子２ａと島３ｂに、第２金属メッキ５を施し、凸型スパイラル状接触子（２ａ）と島（３ｂ）とを接続する。この第２金属メッキ５は、銅メッキ５ａとニッケルメッキ５ｂであるが、この銅メッキ５ａの電気抵抗値は、導電接着剤と比べて桁違いによく、電気抵抗値が５．０×１０^−６ オーム／ｍと極めて低いので、電流の流れを阻害する問題が解消できる。ここでは、凸型スパイラルコンタクタ１ａの下部にはスルーホールはない。
図１（ｏ）は、第１６工程であり、銅板３ａをエッチングにより除去する。その結果、請求項１に記載された第２金属メッキ５によって、凸型スパイラル状接蝕子２ａと島３ｂとが接続され、凸型スパイラルコンタクタ１ａができ上がる。

図３は、スパイラルコンタクタ１を凸型スパイラルコンタクタ１ａに形成するもう一つの製造方法を示す工程図である。図３（ａ）は、第１０′工程であり、前記フラット型スパイラルコンタクタ１の上面側にエラストマー７を配置して、下面側へ円錐状の凸型を有する複数の凸型ピン１０ａと、基板１０ｂとにより構成された凸型治具１０を配置する。
図３（ｂ）は、第１１′工程であり、エラストマー７と凸型治具１０を押圧した状態で、フラット型のスパイラルコンタクタ１のスパイラル状接触子２を変形させて加熱する。エラストマー７は柔らかいため、容易に窪みが形成し、凸型スパイラル状接触子２ａの状態で維持することができる。加熱温度は２００〜２５０℃程度がよい。その結果、内部歪み応力が消滅し、凸型治具１０の凸型ピン１０ａに倣って凸型に形成することができる。
図３（ｃ）は、第１２′工程であり、エラストマー７と凸型治具１０を取り出すと、凸型スパイラル状接触子２ａから構成する凸型スパイラルコンタクタ１ａが形成される。

図４は、さらに、スパイラルコンタクタ１を凸型スパイラルコンタクタ１ａに形成するもう一つの製造方法を示す第１０″〜１２″工程の工程図である。
図４（ａ）は第１０″工程であり、フラット型のスパイラルコンタクタ１の上面側に円錐状の凹型を複数有する凹型治具８ａを配置して、下面側へ円錐状の凸型を複数有する凸型治具８を配置する。
図４（ｂ）は第１１″工程であり、スパイラルコンタクタ１を挟んで凹型治具８ａと凸型治具８を押圧し加熱する。スパイラルコンタクタ１は柔らかいため、円錐状の凸型に変形する。そして、その状態で加熱する。加熱温度は前記同様に２００〜２５０℃程度がよい。その結果、内部歪み応力が消滅し凸型治具８に倣って凸型に形成することができる。
図４（ｃ）は第１２″工程であり、凹型治具８ａと凸型治具８を離間させて取り出すと、凸型スパイラル状接触子２ａから構成する凸型スパイラルコンタクタ１ａが形成される。

図５は、凸型スパイラルコンタクタが、片面のコネクタのように配置した拡大図であり、図５（ａ）は、凸型スパイラルコンタクタを示す平面図である。図５（ａ）に示すように、この凸型スパイラル状接蝕子２ａ、２ａ同士の間隔は、ピッチ０．３ｍｍで配列したものである。この凸型スパイラル状接触子２ａは、１条の螺旋体（渦巻き体ともいう）であるが、２条、３条と多条にしても構わない。
例えば、碁盤の目状に配置した複数の凸型スパイラル状接触子２ａ、２ａ…から構成する凸型スパイラルコンタクタ１ａを形成する。凸型スパイラル状接触子２ａは円錐（コーン）状のスパイラル（渦巻き）であり、かつ幅が先端に行くほど狭くなるようになっている（ａ＞ｂ＞ｃ）。なお、幅を一定にして、厚みをだんだん薄くなるように形成しても構わない。その結果、半導体デバイス１５（図７参照）の球状接続端子（以下、ボールともいう）１５ｂが凸型スパイラル状接触子２ａを押圧すると、凸型スパイラル状接触子２ａは、中央部から外側に接触を広げ、スパイラル（渦巻き）は凹状にたわみ、ボール１５ｂを抱き込むように変形する。そして、凸型スパイラル状接触子２ａはボール１５ｂに螺旋状に巻き付くことから、接触する長さが長くなり、確実に接触すると共に、異物付着があってもボール１５ｂの球面に沿った摺動作用により異物を除去され、ボール１５ｂの表面の酸化膜を切り込んで、安定した信頼性の高い通電接触ができる。

図５（ｂ）は、（ａ）に示すＡ−Ａ線の断面図である。図５（ｂ）に示すように、プリント基板（ＰＷＢ）９を用意する。プリント基板９の上面はランド９ｂが形成されている。凸型スパイラル状接触子２ａと島３ｂとは、第２金属メッキ５により接続（図１（ｎ）参照）され、さらに、島３ｂは、ランド９ｂにハンダ９ｃを介して一体に接続されている。したがって、従来、スパイラル状接触子２とプリント基板９との接着は導電接着剤で行っていたが、導電接着剤の代わりに、島３ｂの第１金属メッキ５′と、この第２金属メッキ５と、ハンダ９ｃ（図５（ｂ）参照）によってプリント基板９に接着できるため、極小の電気抵抗値となり、スパイラル状接触子２の信頼性を高め、さらに、超小型、超薄型に対応可能なフラット状接続端子９ａを接続相手とする凸型スパイラルコンタクタ１ａを提供することができる。
図５（ｃ）は、凸型スパイラルコンタクタ１ａの上に、半導体デバイス１５を配置した断面図である。図５（ｃ）に示すように、凸型スパイラル状接触子２ａ、２ａ…による片面のコネクタ１３の凸型スパイラルコンタクタ１ａの上方には、平面が平坦なフラット状接続端子１５ａを有する半導体デバイス１５を配置している。
図５（ｄ）は、接続状態を示す断面図である。図５（ｄ）に示すように、凸型スパイラルコンタクタ１ａの接続相手の形状が、フラット状接続端子１５ａであっても、凸型スパイラル状接触子２ａに付勢力を持たせたことにより、スパイラル状接触子２（図４（ａ）参照）の信頼性を高め、確実に電気的に接触をすることができる。

図６は、凸型スパイラルコンタクタを用いて背中合わせに配置した両面のコネクタの製造方法と使用方法を示す説明図であり、図６（ａ）は、両面のコネクタにする前の状態を示す断面図である。図６（ａ）に示すように、前記した図１（ｏ）に示す凸型スパイラルコンタクタ１ａの片面のコネクタ１３を２セット用意する。
図６（ｂ）は、両面のコネクタを示す断面図である。両面のコネクタ１４の凸型スパイラルコンタクタ１ａはシート状に形成され、ハンダ９ｃによって背中合わせに接続されている。また、上方にはフラット状接続端子１５ａを有する半導体デバイス１５が配置され、下方にフラット状接続端子９ａを有するプリント基板（ＰＷＢ）９が配置されている。

図６（ｃ）は、両面のコネクタの使用例を示す断面図である。図６（ｃ）に示すように、フラット状接続端子１５ａが配設された半導体デバイス１５と、フラット状接続端子９ａが配設されたプリント基板９とを押圧して接続する。これにより、相手がフラットタイプの接続端子を有する半導体デバイス１５、または、プリント基板９であっても、確実に電気接続をすることができる。

図７は、両面のコネクタの変形例を示し、図７（ａ）は、凸型スパイラルコンタクタを用いた両面のコネクタと、その上部には球状接続端子を有する半導体デバイスを配置し、下部にはフラット状接続端子を有するプリント基板（ＰＷＢ）を配置した断面図である。
図７（ａ）に示すように、両面のコネクタ１４の基体となるプリント基板（ＰＷＢ）９には、スルーホール９ｄが設けられ、そのスルーホール９ｄには、導電性の弾性体のゴムであるエラストマー７が充填されている。また、エラストマー７の表裏面に凸型スパイラル状接触子２ａが配置されている。さらに、球状接続端子１５ｂを有する半導体デバイス１５側には、ガイドフレーム１２が形成されており、このガイドフレーム１２は、球状接続端子１５ｂを落とし込む際のガイドとなる。
さらに、球状接続端子１５ｂを有する半導体デバイス側には、ガイドフレーム１２が形成されており、このガイドフレーム１２は、球状接続端子１５ｂを落とし込む際のガイドとなる。

図７（ｂ）は、両面のコネクタに半導体デバイスとプリント基板を押圧した状態を示す断面図である。図７（ｂ）に示すように、凸型スパイラル状接触子２ａの各断面は、金属メッキ５による特性として、角が鋭角に形成されている。そして、凸型スパイラル状接触子２ａの付勢力に加えて、さらに、上部においては、エラストマー７の付勢力により、凸型スパイラル状接触子２ａ、２ａ…は、中央部から外側に接触を広げ、凹状にたわみ、ボール１５ｂを抱き込むように変形する。そして、凸型スパイラル状接触子２ａはボール１５ｂに螺旋状に巻き付くことから、接触する長さが長くなり、確実に接触すると共に、異物付着があってもボール７の球面に沿った摺動作用により異物を除去し、ボール１５ｂの表面の酸化膜を切り裂いて、安定した信頼性の高い通電接触をする。

なお、本発明はその技術思想の範囲内で種々の改造、変更が可能である。例えば、半導体デバイス（ＤＵＴ）１５は、フラット状接続端子１５ａを配置したもので説明したが、球状接続端子（ボール）を用いてもよい。

本発明の凸型スパイラルコンタクタの製造方法を示す工程図であり、（ａ）は第１工程図、（ｂ）は第２工程図、（ｃ）は第３工程図、（ｄ）は第４工程図、（ｅ）は第５工程図、（ｆ）は第６工程図、（ｇ）は第７工程図、（ｈ）は第８工程図、（ｉ）は第９工程図、（ｊ）は第１０工程図、（ｋ）は第１４工程図、（ｌ）は第１５工程図、（ｍ）は第１６工程図、（ｎ）は第１７工程図、（ｏ）は第１８工程図である。 スパイラルコンタクタを凸型に形成する製造方法を示す工程図であり、（ａ）は第１１工程を示す工程図、（ｂ）は第１２工程を示す工程図、（ｃ）は第１３工程を示す工程図である。 スパイラルコンタクタを凸型に形成するもう一つの製造方法を示す工程図であり、（ａ）は第１１′工程を示す工程図、（ｂ）は第１２′工程を示す工程図、（ｃ）は第１３′工程を示す工程図である。 スパイラルコンタクタを凸型に形成するもう一つの製造方法を示す工程図であり、（ａ）は第１１″工程を示す工程図、（ｂ）は第１２″工程を示す工程図、（ｃ）は第１３″工程を示す工程図である。 凸型スパイラルコンタクタが、片面のコネクタのように配置した拡大図であり、（ａ）は、凸型スパイラルコンタクタを示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線の断面図、（ｃ）は凸型スパイラルコンタクタの上に半導体デバイスを配置した断面図、（ｄ）は接続状態を示す断面図である。 凸型スパイラルコンタクタを用いて背中合わせに配置した両面のコネクタの製造方法と使用方法を示す説明図であり、（ａ）は両面のコネクタにする前の状態を示す断面図、（ｂ）は両面のコネクタを示す断面図、（ｃ）は両面のコネクタの使用例を示す断面図である。

符号の説明

１ スパイラルコンタクタ（電子部品用接続端子）
１ａ 凸型スパイラルコンタクタ（電子部品用接続端子）
２ スパイラル状接触子
２ａ 凸型スパイラル状接触子
３ 金属板
３ａ 銅板
３ｂ 島
４ フォトレジスト
４ａ フォトマスク
５ 第２金属メッキ
５′ 第１金属メッキ
５″ スパイラル状金属メッキ
５ａ 銅メッキ
５ｂ ニッケルメッキ
５ｃ 金メッキ
６ カバーレー（絶縁体）
６ａ ポリイミド
７ エラストマー
８ 凸型治具
８ａ 凹型治具
９ プリント基板（ＰＷＢ）
９ａ フラット状接続端子
９ｂ ランド
９ｃ ハンダ
１０ 凸型治具
１０ａ 凸型ピン
１０ｂ プリント基板
１２ ガイドフレーム
１３ コネクタ（片面のコネクタ）
１４ コネクタ
１５ 半導体デバイス（ＤＵＴ）
１５ａ フラット状接続端子
１５ｂ 球状接続端子（ボール）

Claims (7)

1. 渦巻き状の接触子を有し、先端をフリーとした１条の螺旋体からなり、幅が先端に行くほど狭くなるように形成され、半導体デバイス又は電子部品の接続端子との接触の際には、この接続端子の形状に対応して中央部から外側に接触を広げてたわみ変形する凸型スパイラル状接触子（２ａ）と、
   前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）が上面に載置され、第１金属メッキ（５′）によって形成された島（３ｂ）と、を備え、
   ランド（９ｂ）を有するプリント基板（９）上に前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）および前記島（３ｂ）が複数配列された凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）であって、
   前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）と前記島（３ｂ）とは、第２金属メッキ（５）により接続され、さらに、前記島（３ｂ）は、前記ランド（９ｂ）にハンダ（９ｃ）を介して接続されていることを特徴とする凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）。
2. 前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）と、半導体デバイス又は電子部品に設けられた平面が平坦なフラット状接続端子（１５ａ）とが、
   接触することを特徴とする請求項１に記載の凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）。
3. 前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）および前記島（３ｂ）を有する凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）が、ハンダ（９ｃ）を介して背中合わせに配設されていることを特徴とする請求項１に記載の凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）。
4. 前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）および前記島（３ｂ）を有する凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）が両面に設けられたプリント基板（９）には、スルーホール（９ｄ）が設けられ、このスルーホール（９ｄ）には導電性ゴムとするエラストマー（７）が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）。
5. 金属板（３）を用意して、前記金属板（３）の表面にフォトレジスト（４）を塗布する第１工程と、
   複数のスパイラル状接触子（２）のフォトマスク（４ａ）を重ね、露光して現像する第２工程と、
   前記金属板（３）の表面にスパイラル状金属メッキ（５″）を施す第３工程と、
   前記フォトレジスト（４）を除去する第４工程と、
   前記カバーレー（６）を貼付する第５工程と、
   前記金属板にカバーレー（６）を押圧する第６工程と、
   前記カバーレー（６）の表面にフォトレジスト（４）を塗布する第７工程と、
   前記フォトレジスト（４）を露光して現像する第８工程と、
   前記金属板（３）を除去し、フラット型のスパイラルコンタクタ（１）を形成する第９工程と、
   前記フラット型のスパイラルコンタクタ（１）の上面側にエラストマー（７）を配置して、下面側へ円錐状の凸型を複数有する凸型治具（８）を配置する第１０工程と、
   前記エラストマー（７）と凸型治具（８）とを押圧した状態で、前記フラット型スパイラルコンタクタ（１）を加熱する第１１工程と、
   前記エラストマー（７）と凸型治具（８）とを取り外して凸型に形成した凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）を取り出す第１２工程と、
   金属板（３）の表面に第１金属メッキ（５′）を施し、複数の島（３ｂ）を形成する第１３工程と、
   前記金属板（３）の表面のそれぞれの島（３ｂ）に、前記凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）のそれぞれの凸型スパイラル状接蝕子（２ａ）を重ね、プレスして加熱する第１４工程と、
   前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）と前記島（３ｂ）に、第２金属メッキ（５）を施し、前記凸型スパイラル状接触子（２ａ）と前記島（３ｂ）とを接続する第１５工程と、
   前記金属板（３）を除去する第１６工程と、
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）の製造方法。
6. 前記フラット型スパイラルコンタクタ（１）の上面側にエラストマー（７）を配置して、下面側へ円錐状の凸型を複数有する凸型ピン（１０ａ）と、基板（１０ｂ）とにより構成された凸型治具（１０）とを配置する第１０′工程と、
   前記エラストマー（７）と凸型治具（１０）とを圧接した状態で、前記フラット型のスパイラルコンタクタ（１）を加熱する第１１′工程と、
   前記エラストマー（７）と凸型治具（１０）とを取り外して凸型に形成した凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）を取り出す第１２′工程と、
   を含むことを特徴とする請求項５に記載の凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）の製造方法。
7. フラット型スパイラルコンタクタ（１）の上面側に円錐状の凹型を複数有する凹型治具（８ａ）を配置して、下面側へ円錐状の凸型を複数有する凸型治具（８）を配置する第１０″工程と、
   スパイラルコンタクタ（１）を挟んで凹型治具（８ａ）と、凸型治具（８）を押圧し加熱する第１１″工程と、
   凹型治具（８ａ）と凸型治具（８）を離間し、凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）を取り出す第１２″工程と、
   を含むことを特徴とする請求項５に記載の凸型スパイラルコンタクタ（１ａ）の製造方法。

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