JP2954583B1 - 絶縁層表面に延在せるリード端の接触構造 - Google Patents
絶縁層表面に延在せるリード端の接触構造Info
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Abstract
【要約】
【課題】絶縁層として配線パターンの形成に適した剛性
の高い樹脂を選択しつつ、リード端に適度な弾性接触力
を与えることができると共に、弾性材の熱膨張による伸
縮を有効に阻止できる。即ちリード及びリード端に形成
された接触部の微細化、微少ピッチ化を達成しながら該
リード端に適度な弾性を付与でき、そして熱による伸び
を有効に阻止できる、絶縁層表面に延在せるリード端の
接触構造を提供する。 【解決手段】絶縁層の１表面に延在するリード端３に接
触部４を形成し、該接触部４を他の電子部品５に対する
加圧接触手段として供するリード端３の接触構造におい
て、上記リード端３直下の絶縁層１部分に孔６を設け、
該孔６内に弾性材７を充填し、リード端３即ち接触部４
を該孔６内に充填された弾性材７でバックアップし上記
加圧接触時における弾性を付与する絶縁層表面に延在せ
るリード端の接触構造。
の高い樹脂を選択しつつ、リード端に適度な弾性接触力
を与えることができると共に、弾性材の熱膨張による伸
縮を有効に阻止できる。即ちリード及びリード端に形成
された接触部の微細化、微少ピッチ化を達成しながら該
リード端に適度な弾性を付与でき、そして熱による伸び
を有効に阻止できる、絶縁層表面に延在せるリード端の
接触構造を提供する。 【解決手段】絶縁層の１表面に延在するリード端３に接
触部４を形成し、該接触部４を他の電子部品５に対する
加圧接触手段として供するリード端３の接触構造におい
て、上記リード端３直下の絶縁層１部分に孔６を設け、
該孔６内に弾性材７を充填し、リード端３即ち接触部４
を該孔６内に充填された弾性材７でバックアップし上記
加圧接触時における弾性を付与する絶縁層表面に延在せ
るリード端の接触構造。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は絶縁層の表面に延在
せるリード端の加圧接触構造に関する。
せるリード端の加圧接触構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】特願平９−５１９５１号はその図２及び
図３において、絶縁層をポリイミド樹脂の如き弾性に欠
ける基材にて形成し、該絶縁層の表面に延在せるリード
端を外方へ向け突出してバンプを形成し、該バンプの内
面側に形成された凹所に絶縁層の一部を充填して該バン
プ形接触部を補強し、これを他の電子部品へ加圧接触せ
しめるリード端の接触構造を開示している。
図３において、絶縁層をポリイミド樹脂の如き弾性に欠
ける基材にて形成し、該絶縁層の表面に延在せるリード
端を外方へ向け突出してバンプを形成し、該バンプの内
面側に形成された凹所に絶縁層の一部を充填して該バン
プ形接触部を補強し、これを他の電子部品へ加圧接触せ
しめるリード端の接触構造を開示している。
【０００３】然しながら、この接触構造はバンプの強度
付与、剛性付加手段としては有効であるが、逆に弾性を
損ない、上記バンプ形接触部を他の電子部品へ加圧接触
する際に求められる弾性接触力を欠く問題点を有してい
る。
付与、剛性付加手段としては有効であるが、逆に弾性を
損ない、上記バンプ形接触部を他の電子部品へ加圧接触
する際に求められる弾性接触力を欠く問題点を有してい
る。
【０００４】この従来例における絶縁層を弾性を富有せ
るゴム等で形成し上記バンプ形接触部の弾性接触力を得
ることも考えられるが、絶縁層をゴム等で形成すると、
熱膨張による過度の伸縮を来たし、接触部の精度を保ち
難い問題を生ずるばかりか、ゴムの絶縁層ではメッキ等
による配線パターンの形成並びに配線パターンの層間接
続が困難なる致命的問題を招来する。
るゴム等で形成し上記バンプ形接触部の弾性接触力を得
ることも考えられるが、絶縁層をゴム等で形成すると、
熱膨張による過度の伸縮を来たし、接触部の精度を保ち
難い問題を生ずるばかりか、ゴムの絶縁層ではメッキ等
による配線パターンの形成並びに配線パターンの層間接
続が困難なる致命的問題を招来する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】而して、本発明は上記
リード端を補強しつつ適度の弾性接触力も与え、加えて
熱膨張による伸縮も抑制し得る、絶縁層表面に延在せる
リード端の接触構造を提供する。
リード端を補強しつつ適度の弾性接触力も与え、加えて
熱膨張による伸縮も抑制し得る、絶縁層表面に延在せる
リード端の接触構造を提供する。
【０００６】よって上記バンプによる他の電子部品との
適正な接触圧を得て接触の信頼性を確保するようにした
ものである。
適正な接触圧を得て接触の信頼性を確保するようにした
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるリード端
の接触構造は、上記絶縁層の表面に延在するリード端に
接触部を形成し、該接触部を他の電子部品に対する加圧
接触手段として供するリード端の接触構造において、上
記リード端直下の絶縁層部分に孔が設けられ、該孔内に
シリコンゴム、ウレタンゴム等の弾性材が充填され、リ
ード端即ち接触部を該孔内に充填された弾性材でバック
アップし上記加圧接触時における弾性を付与するリード
端の接触構造を提供する。
の接触構造は、上記絶縁層の表面に延在するリード端に
接触部を形成し、該接触部を他の電子部品に対する加圧
接触手段として供するリード端の接触構造において、上
記リード端直下の絶縁層部分に孔が設けられ、該孔内に
シリコンゴム、ウレタンゴム等の弾性材が充填され、リ
ード端即ち接触部を該孔内に充填された弾性材でバック
アップし上記加圧接触時における弾性を付与するリード
端の接触構造を提供する。
【０００８】上記絶縁層として配線パターンの形成に適
した剛性の高い樹脂を選択しつつ、孔内に充填した弾性
材によりリード端に適度な弾性接触力を与えることがで
きると共に、孔内壁により弾性材の熱膨張による伸縮を
有効に阻止できる。
した剛性の高い樹脂を選択しつつ、孔内に充填した弾性
材によりリード端に適度な弾性接触力を与えることがで
きると共に、孔内壁により弾性材の熱膨張による伸縮を
有効に阻止できる。
【０００９】又上記絶縁層は該絶縁層より熱膨張係数の
小さなリジット板に層着し、絶縁層の熱膨張による伸縮
を抑止する。
小さなリジット板に層着し、絶縁層の熱膨張による伸縮
を抑止する。
【００１０】又上記絶縁層を半導体ウェハに層着して半
導体ウェハの接点変換構造を形成する。本発明はリード
及びリード端に形成された接触部の微細化、微小ピッチ
化を達成しながら該リード端に適度な弾性を付与でき、
そして熱による伸びを有効に阻止でき、半導体ウェハの
接点変換構造として適切に実施できる。
導体ウェハの接点変換構造を形成する。本発明はリード
及びリード端に形成された接触部の微細化、微小ピッチ
化を達成しながら該リード端に適度な弾性を付与でき、
そして熱による伸びを有効に阻止でき、半導体ウェハの
接点変換構造として適切に実施できる。
【００１１】上記接触部はリード端を外方へ向け山形に
付形して成るバンプにより形成する。又は上記リード端
の外表面に導電ペーストを盛り上げてバンプを形成し、
該バンプを上記接触部とする。
付形して成るバンプにより形成する。又は上記リード端
の外表面に導電ペーストを盛り上げてバンプを形成し、
該バンプを上記接触部とする。
【００１２】上記接触部を形成するリード端は上記孔を
画成する壁に片持ち支持し、弾性を富有せしめる。又は
上記接触部を形成するリード端を孔形成壁に両持ち支持
し、該両持ち支持されたリード端の孔を横断せる部分に
上記弾性を付与する。
画成する壁に片持ち支持し、弾性を富有せしめる。又は
上記接触部を形成するリード端を孔形成壁に両持ち支持
し、該両持ち支持されたリード端の孔を横断せる部分に
上記弾性を付与する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態例を図１乃至図
７に基づいて詳述する。
７に基づいて詳述する。
【００１４】絶縁層１の表面にはメッキ等により形成し
た多数のリード２が密着して延在し、該リード端３に接
触部４を形成し、該接触部４を他の検査用配線回路基板
等の電子部品５に対する加圧接触手段として供する。
た多数のリード２が密着して延在し、該リード端３に接
触部４を形成し、該接触部４を他の検査用配線回路基板
等の電子部品５に対する加圧接触手段として供する。
【００１５】上記絶縁層１には多数の孔６を設け、該孔
６を上記リード端３の直下に配置し、該孔６内にシリコ
ンゴム、ウレタンゴム等の弾性材７を充填し、リード端
３即ち接触部４を該孔６内に充填された弾性材７でバッ
クアップし、上記電子部品５に対する加圧接触時におけ
る弾性を付与する。
６を上記リード端３の直下に配置し、該孔６内にシリコ
ンゴム、ウレタンゴム等の弾性材７を充填し、リード端
３即ち接触部４を該孔６内に充填された弾性材７でバッ
クアップし、上記電子部品５に対する加圧接触時におけ
る弾性を付与する。
【００１６】上記孔６は図１，図３に示すように、絶縁
層１の対向する表面において開放された貫通孔にて形成
し、該貫通孔内に上記弾性材７を充填しリード端３をバ
ックアップする。
層１の対向する表面において開放された貫通孔にて形成
し、該貫通孔内に上記弾性材７を充填しリード端３をバ
ックアップする。
【００１７】又上記孔６は図６，図７に示すように、絶
縁層１の外表面において開放された有底孔にて形成し、
該有底孔内に上記弾性材７を充填しリード端３をバック
アップする。
縁層１の外表面において開放された有底孔にて形成し、
該有底孔内に上記弾性材７を充填しリード端３をバック
アップする。
【００１８】又上記弾性材充填孔６は図５に示すよう
に、複数のリード端３を内包せる溝孔で形成するか、又
は各リード端３毎に独立せる丸孔等で形成する。
に、複数のリード端３を内包せる溝孔で形成するか、又
は各リード端３毎に独立せる丸孔等で形成する。
【００１９】又図３に示すように、絶縁層１の内表面に
ゴム等の弾性材７を塗布して弾性層８を形成しつつ、該
弾性層８の一部を孔６内に充填しリード端３のバックア
ップ構造を形成する。従って各孔６内の弾性材７は弾性
層８によって相互に連結されている。又は図１に示すよ
うに、上記弾性層８を形成せずに各孔６に弾性材７を充
填する。
ゴム等の弾性材７を塗布して弾性層８を形成しつつ、該
弾性層８の一部を孔６内に充填しリード端３のバックア
ップ構造を形成する。従って各孔６内の弾性材７は弾性
層８によって相互に連結されている。又は図１に示すよ
うに、上記弾性層８を形成せずに各孔６に弾性材７を充
填する。
【００２０】上記絶縁層１としては配線パターンの形成
に適した剛性の高い樹脂を選択でき、他方孔６内に充填
した弾性材７はリード端３に適度な弾性接触力を与える
ゴム等を選択でき、孔６内壁により弾性材７の熱膨張に
よる伸縮を有効に阻止できる。
に適した剛性の高い樹脂を選択でき、他方孔６内に充填
した弾性材７はリード端３に適度な弾性接触力を与える
ゴム等を選択でき、孔６内壁により弾性材７の熱膨張に
よる伸縮を有効に阻止できる。
【００２１】上記絶縁層１としては吸湿性と誘電率に優
れた液晶ポリマーが適性である。又この液晶ポリマーは
自己接着性に優れ、接着剤を介さずにリジット板９や半
導体ウェハ１０に強固に層着できる。
れた液晶ポリマーが適性である。又この液晶ポリマーは
自己接着性に優れ、接着剤を介さずにリジット板９や半
導体ウェハ１０に強固に層着できる。
【００２２】上記接触部４は図１，図２に示すように、
リード端３のリード母材を外方へ向け山形に付形して成
るバンプ４′により形成する。
リード端３のリード母材を外方へ向け山形に付形して成
るバンプ４′により形成する。
【００２３】又は図３，図４に示すように、上記リード
端３の外表面に導電ペーストを盛り上げてバンプ４″を
形成し、該バンプ４″を上記接触部４とする。
端３の外表面に導電ペーストを盛り上げてバンプ４″を
形成し、該バンプ４″を上記接触部４とする。
【００２４】図１，図３に示すように、上記絶縁層１は
上記加圧接触部４を形成した側とは反対側の表面を以て
該絶縁層１より熱膨張係数の小さなリジット板９に層着
し、絶縁層１の熱膨張による伸縮を抑止する。このリジ
ット板９の代表例としては石英ガラス又はセラミック等
が挙げられる。
上記加圧接触部４を形成した側とは反対側の表面を以て
該絶縁層１より熱膨張係数の小さなリジット板９に層着
し、絶縁層１の熱膨張による伸縮を抑止する。このリジ
ット板９の代表例としては石英ガラス又はセラミック等
が挙げられる。
【００２５】又は上記絶縁層１を上記加圧接触部４を形
成した側とは反対側の表面を以て多数のＩＣチップ群を
形成せる半導体ウェハ１０に層着して半導体ウェハ１０
の接点変換構造を形成する。
成した側とは反対側の表面を以て多数のＩＣチップ群を
形成せる半導体ウェハ１０に層着して半導体ウェハ１０
の接点変換構造を形成する。
【００２６】上記絶縁層１をリジット板９又は半導体ウ
ェハ１０に層着するに当たり、リジット板９及び半導体
ウェハ１０と絶縁層１間に複層の配線回路層１１を介在
することができる。
ェハ１０に層着するに当たり、リジット板９及び半導体
ウェハ１０と絶縁層１間に複層の配線回路層１１を介在
することができる。
【００２７】上記絶縁層１はその外表面に他の電子部品
５に対する加圧接触部４を持つリード２が形成され、該
加圧接触部４を形成した側とは反対側の内表面に密着し
て延在せる配線パターン１２を有し、該配線パターン１
２と上記リード２とは絶縁層１を貫通する接続部１３を
介して互いに電気的に接続されている。
５に対する加圧接触部４を持つリード２が形成され、該
加圧接触部４を形成した側とは反対側の内表面に密着し
て延在せる配線パターン１２を有し、該配線パターン１
２と上記リード２とは絶縁層１を貫通する接続部１３を
介して互いに電気的に接続されている。
【００２８】又上記リード２は配線パターン１２を介し
て配線回路層１１の配線パターンと電気的に接続する。
半導体ウェハ１０の外部接点は該配線回路層１１の配線
パターンを介し配線パターン１２と接続され、且つリー
ド２と接続される。
て配線回路層１１の配線パターンと電気的に接続する。
半導体ウェハ１０の外部接点は該配線回路層１１の配線
パターンを介し配線パターン１２と接続され、且つリー
ド２と接続される。
【００２９】本発明はリード２及びリード端３に形成さ
れた接触部４の微細化、微小ピッチ化を達成しながら、
該リード端３に適度な弾性を付与でき、そして熱による
伸びを有効に阻止でき、半導体ウェハの接点変換構造と
して適切に実施できる。
れた接触部４の微細化、微小ピッチ化を達成しながら、
該リード端３に適度な弾性を付与でき、そして熱による
伸びを有効に阻止でき、半導体ウェハの接点変換構造と
して適切に実施できる。
【００３０】図１乃至図３に示すように、上記接触部４
を形成するリード端３は上記孔６を画成する壁に片持ち
支持する。リード端３即ち接触部４は該片持ち支持部を
支点として良好に弾性変位可能である。
を形成するリード端３は上記孔６を画成する壁に片持ち
支持する。リード端３即ち接触部４は該片持ち支持部を
支点として良好に弾性変位可能である。
【００３１】又は上記接触部４を形成するリード端３を
孔６の画成壁に両持ち支持する。該両持ち支持されたリ
ード端３は孔６を横断せる部分において弾性変位が可能
である。
孔６の画成壁に両持ち支持する。該両持ち支持されたリ
ード端３は孔６を横断せる部分において弾性変位が可能
である。
【００３２】好ましくは図２又は図４に示すように、上
記リード端３の内面は孔６内に充填された弾性材７と一
体に結合する。この時、リード端３に形成したバンプ
４′，４″の周囲にバンプの基部から張り出すフランジ
部１４を形成し、該フランジ部１４を上記弾性材７内に
埋め込みし、該弾性材７と一体とする。
記リード端３の内面は孔６内に充填された弾性材７と一
体に結合する。この時、リード端３に形成したバンプ
４′，４″の周囲にバンプの基部から張り出すフランジ
部１４を形成し、該フランジ部１４を上記弾性材７内に
埋め込みし、該弾性材７と一体とする。
【００３３】次に図６，図７に示すように、複数枚の石
英ガラス又はセラミック等から成る単位リジット板を積
層してリジット板１′を形成し、各層のリジット板１′
の表面に配線パターン１５を形成し、各配線パターン１
５を上記接触部４を有するリード端３に接続することが
できる。
英ガラス又はセラミック等から成る単位リジット板を積
層してリジット板１′を形成し、各層のリジット板１′
の表面に配線パターン１５を形成し、各配線パターン１
５を上記接触部４を有するリード端３に接続することが
できる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁層として配線パタ
ーンの形成に適した剛性の高い樹脂を選択しつつ、孔内
に充填した弾性材によりリード端に適度な弾性接触力を
与えることができると共に、孔内壁により弾性材の熱膨
張による伸縮を有効に阻止できる。
ーンの形成に適した剛性の高い樹脂を選択しつつ、孔内
に充填した弾性材によりリード端に適度な弾性接触力を
与えることができると共に、孔内壁により弾性材の熱膨
張による伸縮を有効に阻止できる。
【００３５】又上記絶縁層は該絶縁層より熱膨張係数の
小さなリジット板に層着し、絶縁層の熱膨張による伸縮
を良好に抑止することができる。
小さなリジット板に層着し、絶縁層の熱膨張による伸縮
を良好に抑止することができる。
【００３６】又本発明はリード及びリード端に形成され
た接触部の微細化、微小ピッチ化を達成しながら該リー
ド端に適度な弾性を付与でき、そして熱による伸びを有
効に阻止できるので、半導体ウェハの接点変換構造とし
て適切に実施できる。
た接触部の微細化、微小ピッチ化を達成しながら該リー
ド端に適度な弾性を付与でき、そして熱による伸びを有
効に阻止できるので、半導体ウェハの接点変換構造とし
て適切に実施できる。
【図１】本発明に係わる絶縁層表面に延在せるリード端
を片持ち支持構造にしつつ、貫通孔内に充填した弾性材
により該リード端をバックアップし接触構造を形成した
一例を示す断面図。
を片持ち支持構造にしつつ、貫通孔内に充填した弾性材
により該リード端をバックアップし接触構造を形成した
一例を示す断面図。
【図２】上記図１におけるリード端の接触構造部を拡大
して示す断面図。
して示す断面図。
【図３】本発明に係わる絶縁層表面に延在せるリード端
を片持ち支持構造にしつつ、貫通孔内に充填した弾性材
により該リード端をバックアップし接触構造を形成した
他例を示す断面図。
を片持ち支持構造にしつつ、貫通孔内に充填した弾性材
により該リード端をバックアップし接触構造を形成した
他例を示す断面図。
【図４】上記図３におけるリード端の接触構造部を拡大
して示す断面図。
して示す断面図。
【図５】上記図１乃至図４におけるリード端の接触構造
部の平面図。
部の平面図。
【図６】複層配線層を形成する絶縁層表面に延在せるリ
ード端を片持ち構造にし、該リード端を有底孔に充填し
た弾性材にてバックアップした接触構造を示す断面図。
ード端を片持ち構造にし、該リード端を有底孔に充填し
た弾性材にてバックアップした接触構造を示す断面図。
【図７】複層配線層を形成する絶縁層表面に延在せるリ
ード端を両持ち構造にし、該リード端を有底孔に充填し
た弾性材にてバックアップした接触構造を示す断面図。
ード端を両持ち構造にし、該リード端を有底孔に充填し
た弾性材にてバックアップした接触構造を示す断面図。
１ 絶縁層 １′ リジット板 ２ リード ３ リード端 ４ 接触部 ４′，４″ バンプ ５ 電子部品 ６ 孔 ７ 弾性材 ８ 弾性層 ９ リジット板 １０ 半導体ウェハ １１ 配線回路層 １２ 配線パターン １３ 接続部 １４ フランジ部 １５ 配線パターン
Claims (7)
- 【請求項１】絶縁層の表面に延在するリード端に接触部
を形成し、該接触部を他の電子部品に対する加圧接触手
段として供するリード端の接触構造において、上記リー
ド端直下の絶縁層部分に孔が設けられ、該孔内に弾性材
が充填され、リード端即ち接触部を該孔内に充填された
弾性材でバックアップし上記加圧接触時における弾性を
付与する構成としたことを特徴とする絶縁層表面に延在
せるリード端の接触構造。 - 【請求項２】上記絶縁層が該絶縁層より熱膨張係数の小
さなリジット板に層着されていることを特徴とする請求
項１記載の絶縁層表面に延在せるリード端の接触構造。 - 【請求項３】上記絶縁層が半導体ウェハに層着されてい
ることを特徴とする請求項１記載の絶縁層表面に延在せ
るリード端の接触構造。 - 【請求項４】上記リード端を外方へ向け山形に付形して
バンプを形成し、該バンプを上記接触部としたことを特
徴とする請求項１記載の絶縁層表面に延在せるリード端
の接触構造。 - 【請求項５】上記リード端の外表面に導電ペーストを盛
り上げてバンプを形成し、該バンプを上記接触部とした
ことを特徴とする請求項１記載の絶縁層表面に延在せる
リード端の接触構造。 - 【請求項６】上記接触部を形成するリード端が孔形成壁
に片持ち支持されていることを特徴とする請求項１又は
２又は３又は４又は５記載の絶縁層表面に延在せるリー
ド端の接触構造。 - 【請求項７】上記接触部を形成するリード端が孔形成壁
に両持ち支持されていることを特徴とする請求項１又は
２又は３又は４又は５記載の絶縁層表面に延在せるリー
ド端の接触構造。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP28608798A JP2954583B1 (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 絶縁層表面に延在せるリード端の接触構造 |
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