WO2014088131A1 - 반도체 검사용 소켓 - Google Patents

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WO2014088131A1
WO2014088131A1 PCT/KR2012/010488 KR2012010488W WO2014088131A1 WO 2014088131 A1 WO2014088131 A1 WO 2014088131A1 KR 2012010488 W KR2012010488 W KR 2012010488W WO 2014088131 A1 WO2014088131 A1 WO 2014088131A1
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conductive pattern
pattern portion
semiconductor
socket
conductive
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PCT/KR2012/010488
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Inventor
문해중
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에이케이이노텍주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0483—Sockets for un-leaded IC's having matrix type contact fields, e.g. BGA or PGA devices; Sockets for unpackaged, naked chips

Definitions

  • the present invention relates to a socket for semiconductor inspection, and more particularly, semiconductor solder balls can be accurately contacted, there is no height limitation, and the provision of elastic force and electrical conduction are possible by forming holes and filling conductive mixtures. Therefore, the present invention can be easily applied to a semiconductor device having a fine process, and the present invention relates to a socket for semiconductor inspection in which an error does not occur even if the semiconductor is repeatedly inspected in a short cycle.
  • the semiconductor device After the semiconductor device is manufactured, the semiconductor device performs a test to determine whether the electrical performance is poor.
  • the positive inspection of the semiconductor device is performed in a state in which a socket for semiconductor inspection formed to be in electrical contact with a terminal of the semiconductor element is inserted between the semiconductor element and the inspection circuit board.
  • a conventional semiconductor inspection socket using pogo pins has a conductive spring on the outside of the pogo pins to prevent damage to the pogo pins and semiconductors when the semiconductor is placed on the socket and pressurized to energize the lower inspection circuit board. Insertion method has been mainly used.
  • PCR Pressure Conductive Robber
  • the PCR type socket for semiconductor inspection uses a feature that has conductivity due to pressure when the conductive powder is pressed by the solder balls of the semiconductor, and has an advantage that it can be easily applied to the solder ball spacing of the semiconductor device to be integrated.
  • the thickness is increased, the pressure by the semiconductor is not transmitted to the inside, so that the conductivity does not occur. Therefore, the PCR type cannot be applied to the socket for semiconductor inspection having a predetermined thickness or more.
  • the conductive powder may be damaged or dislodged, and the damaged semiconductor test socket loses its conductivity and its life is relatively short. There was a problem losing.
  • An object of the present invention is to provide a socket for semiconductor inspection in which solder balls and probe protrusions can be accurately contacted by guide sizes corresponding to solder ball sizes.
  • an object of the present invention is to provide a socket for semiconductor inspection without a limitation on the height of the socket for semiconductor inspection by being configured to include a movable contact in the form of pogo pins.
  • the present invention comprises a conductive pattern portion that can be formed by forming a hole and filling a conductive mixture, thereby providing elastic force to the moving contact portion, and electrically shorting or opening according to the pressurizing or depressurizing action of the moving contact portion, It is an object of the present invention to provide a socket for semiconductor inspection that can be easily applied to a semiconductor inspection of a minute process because a separate process for electrical conduction is not required.
  • an object of the present invention is to provide a socket for semiconductor inspection in which an error does not occur even if the semiconductor is repeatedly inspected in a short cycle by the radius of formation of the conductive pattern portion corresponding to the spacing of the semiconductor solder balls.
  • the upper insulating body is formed through the sliding hole up and down; A moving contact part inserted into the sliding hole of the upper insulating body and being moved up and down; A lower insulating body coupled to a lower portion of the upper insulating body and having a pattern hole penetrating up and down at a position corresponding to the sliding hole of the upper insulating body; And a conductive pattern part provided in the pattern hole of the lower insulating main body and electrically opened or shorted according to the elevation of the movable contact part, wherein the upper insulating main body has an upper end of the sliding hole concentrically.
  • a guide part extending and formed, wherein the conductive pattern part has a size that can cover an upper surface of the first conductive pattern part and the first conductive pattern part filled in the pattern hole of the lower insulating body. And a second conductive pattern portion coupled to the upper surface of the conductive pattern portion.
  • the present invention is characterized in that the distance between the top end of the guide portion and the top end of the movable contact portion is 30um to 120um when the distance between the center point of the semiconductor solder ball is 0.4mm, the second conductive pattern portion, the adjacent first 2, when the distance between the outer periphery of the conductive pattern portion is a and the distance from the outer periphery of the first conductive pattern portion to the outer periphery of the second conductive pattern portion b is 1/6 ⁇ b / a ⁇ 1/3. It is done.
  • the solder ball 11 of the semiconductor 10 is guided to the probe protrusion 220 of the movable contact part 200 by the guide part 110, and the guide part corresponding to the size of the solder ball 11 ( There is an effect that the solder ball 11 and the probe protrusion 220 can be exactly contacted by the size of 110.
  • the present invention is configured to include a mobile contact portion 200 in the form of pogo pin, there is an effect that there is no restriction on the height of the socket for semiconductor inspection.
  • the present invention comprises a conductive pattern portion 400 that can be formed by forming a hole and filling a conductive mixture, thereby providing an elastic force to the mobile contact portion 200, and pressurized or reduced pressure of the mobile contact portion 200
  • a conductive pattern portion 400 that can be formed by forming a hole and filling a conductive mixture, thereby providing an elastic force to the mobile contact portion 200, and pressurized or reduced pressure of the mobile contact portion 200
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a socket for semiconductor inspection according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a graph showing an error generation amount according to the size of the second conductive pattern portion of the socket for a semiconductor test according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 3 is a graph showing the recovery rate according to the size of the second conductive pattern portion of the socket for semiconductor inspection according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor inspection socket according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a graph showing an error generation amount according to the size of a second conductive pattern portion of a semiconductor inspection socket according to an embodiment of the present invention
  • 3 is a graph showing the recovery rate according to the size of the second conductive pattern portion of the socket for semiconductor inspection according to the embodiment of the present invention.
  • the lower insulating main body 300 coupled to the lower portion of the upper insulating main body 100 and having a pattern hole 320 vertically penetrated at a position corresponding to the sliding hole 120 of the upper insulating main body 100.
  • the upper insulating body 100 has a sliding hole 120 penetrates up and down so that the movable contact portion 200 can be lifted therein, and the lower insulating body 300 is coupled to the lower portion thereof.
  • the sliding hole 120 is formed to penetrate the upper and lower surfaces of the upper insulating body 100 to allow the moving contact portion 200 to move up and down.
  • the upper end portion and the lower end portion of the sliding hole 120 extend concentrically to form the guide portion 110 and the locking step portion 130, respectively.
  • Guide portion 110 is formed by extending the upper end of the sliding hole 120 concentrically, the cross-sectional shape is stepped as a stepped shape.
  • the guide unit 110 guides the solder ball 11 of the semiconductor 10 to the probe protrusion 220 of the mobile contact unit 200 when the solder ball 11 of the semiconductor 10 is not positioned when the semiconductor 10 is lowered. It serves to be easily contacted, and at this time may further include a round portion 111 rounded the shape of the upper end to facilitate the guide of the solder ball (11).
  • the guide part 110 typically forms a protective film on the upper surface of the upper insulating body 100 except for the part where the guide part 110 is to be formed, and then forms the guide part 110 through the etching process to step through the guide part.
  • the round part 111 of the 110 may be polished and formed, but the present invention is not limited thereto.
  • the guide portion 110 should be formed to a size that can easily guide the solder ball 11 of the semiconductor 10, the solder ball 11 to fully press the probe protrusion 220 of the mobile contact portion 200.
  • the size of the guide portion 110 corresponds to the formation size of the solder ball (11).
  • the size of the solder balls 11 formed in the semiconductor 10 is determined according to the distance between the center points of the solder balls 11, and the distance between the center points of the solder balls 11 is typically 0.4 mm ( 0.4 pitch), the height of the solder ball 11 is about 190um. At this time, the tolerance of the solder ball 11 of 0.4 pitch is 20um, has a height of 170um to 210um. In this case, when c is a distance between an upper surface of the upper insulating body 100, that is, the uppermost end of the guide part 110 and the uppermost end of the probe protrusion 220 of the mobile contact part 200, c is preferably 30 ⁇ m to 120 ⁇ m.
  • the solder ball 11 is sandwiched between the side of the guide part 110 and the probe protrusion 220. This is because the case that the guide can not be guided to the top of 220).
  • the semiconductor 10 inspection apparatus cannot be used commercially when the error occurrence amount is more than one time in 10,000 experiments, and the repeated experiment is performed on the minimum distance between the top of the guide 110 and the top of the probe protrusion 220.
  • the results of the procedure are shown in Table 1.
  • the solder ball 11 is the probe protrusion 220.
  • the mobile contact part 200 In order for the mobile contact part 200 to press the lower conductive pattern part 400 so that the conductive pattern part 400 is electrically shorted, the mobile contact part 200 must be lowered by at least 50 ⁇ m or more, and the guide part 110 described above is required.
  • the moving distance of the moving contact part 200 by the solder ball 11 is the conductive pattern part ( This is because the case where the minimum distance for electrically shorting 400) may not be satisfied.
  • the locking jaw portion 130 is formed by extending the lower end of the sliding hole 120 concentrically, the cross-sectional shape is stepped as a stepped shape. That is, the guide portion 110, the sliding hole 120, the locking jaw portion 130 of the upper insulating body 100 is formed in communication with each other, the cross-sectional shape is to form a shape such as the letter 'I'.
  • the locking jaw 130 restricts the movement of the stopper 230 extending outwardly at the lower end of the movable contact portion 200 when the movable contact portion 200 is moved upward, whereby the movable contact portion 200 is separated outward. Serves to prevent this from happening.
  • the upper insulating body 100 is preferably formed of an inelastic material such as plastic, which is when the upper insulating body 100 has a shape that is elastically variable by an external force, the inner movable contact portion 200 is not easily lifted. This is because it is not possible, as long as the movable contact portion 200 is any inelastic material that is easily elevated.
  • the moving contact portion 200 is pressed or decompressed by the solder ball 11 of the semiconductor 10 as the semiconductor 10 is lowered or raised up and down, thereby being lowered or raised up and down, and pressurizes the conductive pattern portion 400.
  • the solder balls 11 and the substrate 500 may be shorted or opened.
  • the movable contact portion 200 is formed of a circular rod-shaped contact body 210, a contact protrusion 220 formed at an upper end of the contact body 210 to contact the solder ball 11 of the semiconductor 10, and a contact body ( 210 is formed to include a stopper 230 extending concentrically on the lower end.
  • Probe projection 220 is in contact with the solder ball 11 of the semiconductor 10, in order to improve the contact efficiency is a sawtooth formed radially protruding from the center of the upper end of the contact body 210, a flat pattern end or grid pattern Either end portion or the like may be used, and the present invention does not limit the shape of the probe protrusion 220.
  • the stopper 230 is formed to protrude concentrically with the contact body 210 at the outer periphery of the lower end of the contact body 210, the upper movement is limited by the locking step 130 of the upper insulating body 100, the moving contact ( 200) serves to prevent the departure from the outside.
  • the lower insulating body 300 has a pattern hole 320 penetrating up and down so that the first conductive pattern part 410 is filled therein, and is bonded to an lower end of the upper insulating body 100 by an adhesive or the like.
  • the main body of the inspection socket is formed.
  • the pattern hole 320 of the lower insulating main body 300 is formed in a vertical direction with the sliding hole 120 of the upper insulating main body 100, and the forming radius of the locking step 130 is larger than the forming radius of the pattern hole 320.
  • the pressure dispersing part 310 is formed by exposing the upper surface of the lower insulating main body 300 in which the pattern hole 320 is not formed in the hollow formed by the locking step portion 130.
  • the pressure distribution unit 310 refers to the upper surface of the lower insulating main body 300 exposed between the lower end of the inner circumference of the locking projection 130 and the upper end of the inner circumference of the pattern hole 320, and the second conductive pattern part 420.
  • the moving contact portion 200 is pressed against the solder ball 11 of the semiconductor 10 to support the second conductive pattern portion 420 when descending downward, thereby supporting the first conductive pattern portion 410. To distribute the pressure applied to it.
  • the lower insulating body 300 is preferably formed of a material having elasticity such as silicone rubber, but is not limited to the material of the lower insulating body 300 in the present invention.
  • the conductive pattern portion 400 is made of a conductive material and becomes conductive when pressurized by the moving contact portion 200.
  • the conductive pattern portion 400 is formed between the upper semiconductor 10 solder ball 11 and the contact portion 510 of the lower circuit board 500 for inspection. It serves to form a line for energizing.
  • the conductive pattern portion 400 since the conductive pattern portion 400 has an elastic force, the conductive pattern portion 400 elastically acts when the movable contact portion 200 is raised and lowered to prevent the movable contact portion 200 from being deformed when pressed by the semiconductor 10 solder ball 11. It plays a role.
  • the conductive pattern portion 400 including the first conductive pattern portion 410 and the second conductive pattern portion 420 to be described below is a conductive mixture containing conductive powder and silicon powder.
  • the conductive mixture may further include a curing material. That is, when the pressure is applied, the distance between the conductive powders is shortened when the pressure is applied, so that electricity can flow through the direction in which the pressure is applied, and when the pressure is released, the distance between the conductive powders is far and the electricity is cut off.
  • the first conductive pattern portion 410 is filled in the pattern hole 320 of the lower insulating body 300, and the upper end portion is exposed to the upper surface of the lower insulating body 300 and covered by the second conductive pattern portion 420. The lower end portion is in contact with the contact portion 510 of the inspection circuit board 500 in the lower portion. Since the first conductive pattern portion 410 is filled in the lower insulating main body 300 having elasticity, the first conductive pattern portion 410 is convexly spread in the outer circumferential direction when pressed by the moving contact portion 200 in the up and down direction, and the moving contact portion 200. When the pressure is released, it returns to its original state and pushes the movable contact part 200 upward.
  • the second conductive pattern portion 420 is formed in a disc shape to cover the upper end of the first conductive pattern portion 410.
  • the second conductive pattern portion 420 has a higher ratio of the conductive powder to the silicon powder of the first conductive pattern portion 410 and is formed to be harder than the first conductive pattern portion 410.
  • the part 410 is provided between the first conductive pattern part 410 and the moving contact part 200.
  • the upper surface of the first conductive pattern portion 410 is in contact with the center portion of the lower surface of the second conductive pattern portion 420, and the upper surface of the lower insulating body 300, that is, the pressure, is on the outer side of the lower surface of the second conductive pattern portion 420.
  • the dispersion unit 310 is in contact. Therefore, when the movable contact portion 200 descends to press the second conductive pattern portion 420, the first conductive pattern portion 410 in contact with the bottom surface of the second conductive pattern portion 420 is pressed, and each conductive pattern is pressed.
  • the unit 400 is energized in the vertical direction to form a line through which electricity can pass.
  • the second conductive pattern portion 420 has a lower outer surface supported by the pressure dispersing portion 310 so that the pressure is dispersed, and is formed in a harder form than the first conductive pattern portion 410 so that the pressure dispersing portion ( Since it is elastically supported by 310, the mechanical stress applied to the first conductive pattern portion 410 may be reduced to prevent breakage of the first conductive pattern portion 410.
  • the first conductive pattern portion 410 is formed to a diameter of 200 ⁇ m, and the conductive powder constituting the first conductive pattern portion 410 is formed to 60 ⁇ m. do.
  • the hardness of the first conductive pattern portion 410 is 20, which is a time from the current test to the end of the next test in the semiconductor 10 test cycle repeated at intervals of 0.5 seconds to 2 seconds. This is because a shortage or opening due to the pressure of the solder ball 11 may be confirmed by having a recovery rate of 80% or more during the index time so that the correct test can be performed.
  • the second conductive pattern portion 420 has a rectangular cross section so as to buffer the above-described mechanical stress of the first conductive pattern portion 410 to increase the restoring force and extend the life, and to reduce the contact resistance with the mobile contact portion 200. It is formed in a disk shape of about 260um diameter having a shape and is coupled to the upper surface of the first conductive pattern portion 410, the diameter of the conductive powder constituting the second conductive pattern portion 420 is the first conductive pattern portion 410 It is preferable to form densely as 30 um, which is half of the diameter of the conductive powder to form a so that the hardness of the second conductive pattern portion 420 achieves 160. At this time, the height of the second conductive pattern portion 420 is preferably 100um to 130um.
  • the first conductive pattern is excessively bent due to the pressing of the moving contact portion 200.
  • the mechanical stress of the portion 410 is not buffered and the height of the second conductive pattern portion 420 exceeds 130 um, the deformation in the lateral side is severe, and an electrical short phenomenon occurs with another adjacent second conductive pattern portion 420. Because it can.
  • the diameter of the second conductive pattern portion 420 is about 260 ⁇ m in the above description, the diameter of the second conductive pattern portion 420 between two adjacent second conductive pattern portions 420 is a, first, and the like.
  • the distance from the outer circumference of the conductive pattern portion 410 to the outer circumference of the second conductive pattern portion 420 is b,
  • the moving contact portion 200 May be deformed laterally due to the pressurization), and a second conductivity protrudes outward from the first conductive pattern portion 410 compared to the distance between the outer circumferences of two adjacent second conductive pattern portions 420.
  • the mechanical pattern of the first conductive pattern portion 410 may not be sufficiently buffered from the pressurization of the moving contact portion 200, so that the conductive pattern portion 400 is 80% or more during the index time. This is because there is a possibility of not recovering.
  • the distance between the center points of two adjacent first conductive pattern portions 410 is 400 um which is the same as the spacing of the solder balls 11, and the diameter of the first conductive pattern portion 410 is 200 um.
  • the distance between two adjacent first conductive pattern portions 410 is 200 ⁇ m, and when the diameter of the second conductive pattern portion 420 is derived by substituting Equation 1 above, it is preferable to have a diameter of 250 ⁇ m to 280 ⁇ m.
  • the solder ball 11 of the semiconductor 10 is guided to the probe protrusion 220 of the movable contact part 200 by the guide part 110, and furthermore, the size of the solder ball 11.
  • the solder ball 11 and the probe protrusion 220 may be accurately contacted by the size of the corresponding guide part 110.
  • the present invention is configured to include a mobile contact portion 200 in the form of pogo pin, there is an effect that there is no restriction on the height of the socket for semiconductor inspection.
  • the present invention comprises a conductive pattern portion 400 that can be formed by forming a hole and filling a conductive mixture, thereby providing an elastic force to the mobile contact portion 200, and pressurized or reduced pressure of the mobile contact portion 200
  • a conductive pattern portion 400 that can be formed by forming a hole and filling a conductive mixture, thereby providing an elastic force to the mobile contact portion 200, and pressurized or reduced pressure of the mobile contact portion 200
  • solder ball 100 upper insulating body
  • conductive pattern portion 410 first conductive pattern portion

Abstract

본 발명은, 솔더볼이 정확히 접촉될 수 있고, 높이에 대한 제약이 없으며, 홀을 형성하고 도전성 혼합제를 충진하는 것으로 탄성력의 제공 및 전기적 도통이 가능하여 미세한 공정의 반도체 소자에도 용이하게 적용할 수 있으며, 짧은 사이클로 반복적으로 반도체를 검사하여도 오류가 발생하지 않는 반도체 검사용 소켓에 관한 것이다.

Description

반도체 검사용 소켓
본 발명은, 반도체 검사용 소켓에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 솔더볼이 정확히 접촉될 수 있고, 높이에 대한 제약이 없으며, 홀을 형성하고 도전성 혼합제를 충진하는 것으로 탄성력의 제공 및 전기적 도통이 가능하여 미세한 공정의 반도체 소자에도 용이하게 적용할 수 있으며, 짧은 사이클로 반복적으로 반도체를 검사하여도 오류가 발생하지 않는 반도체 검사용 소켓에 관한 것이다.
반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 양불을 판단하기 위한 검사를 수행하게 된다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 반도체 검사용 소켓을 반도체 소자와 검사 회로 기판 사이에 삽입한 상태에서 수행된다.
반도체 소자의 집적화 기술이 발달하고, 반도체 소자가 소형화됨에 따라 반도체 소자의 단자, 즉, 솔더볼의 크기 및 간격도 미세화되는 추세이고, 그에 따라 반도체 검사용 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세화하는 방법이 요구되고 있다.
기존의 포고핀(Pogo-pin)을 사용한 반도체 검사용 소켓은, 반도체를 소켓에 올려놓고 가압하여 하부의 검사 회로 기판과 통전시킬 때 포고핀 및 반도체의 파손을 막기 위하여 포고핀 외측에 도전성 스프링을 삽입하는 방식이 주로 사용되어 왔다.
그러나, 이러한 기존의 포고핀 타입은 반도체 검사용 소켓 하우징에 홀을 형성하고, 하우징에 형성된 홀에 스프링이 구비된 포고핀을 삽입하여야 하는데, 솔더볼 사이의 간격이 마이크로미터 단위로 좁아지고, 또한, 이러한 솔더볼의 간격에 의해 발생되는 전기적 단락 현상을 방지하기 위하여 포고핀 및 스프링의 크기도 수십 내지 수백 마이크로미터 단위로 작아져야 하므로, 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 반도체 검사용 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.
이와 같은 반도체 소자의 집적화에 부합되도록 탄성 재질의 실리콘 본체 내부에 도전성을 갖는 도전성 분말을 상하 방향으로 배열시켜 다수의 도전성 패턴을 형성하는 PCR(Pressure Conductive Robber) 타입의 반도체 검사용 소켓이 제안되었다.
PCR 타입의 반도체 검사용 소켓은, 도전성 분말이 반도체의 솔더볼에 의해 가압될 때 압력에 의해 도전성을 갖는 특징을 이용하는 것으로서, 집적화되는 반도체 소자의 솔더볼 간격에 용이하게 적용 가능한 장점이 있으나, 상하방향의 두께가 증가하게 되면 반도체에 의한 압력이 내부까지 전달되지 않게 되어 도전성이 발생하지 않게 되고, 따라서 일정 두께 이상의 반도체 검사용 소켓에는 PCR 타입을 적용하지 못하였다.
또한, PCR 타입의 반도체 검사용 소켓은 반복적으로 테스트가 진행됨에 따라 도전성 분말이 파손, 이탈 등 손상이 발생하게 되었고, 손상이 발생된 반도체 검사용 소켓은 도전성을 상실하게 되어 그 수명이 상대적으로 짧아지는 문제가 있었다.
따라서, 반도체 검사용 소켓의 상하방향 길이에 상관없이 적용 가능하고, 집적화되는 반도체 소자에 용이하게 대응할 수 있는 반도체 검사용 소켓이 필요로 하게 되었다.
본 발명은, 솔더볼의 크기에 대응되는 가이드부의 크기에 의하여 솔더볼과 탐침 돌기가 정확히 접촉될 수 있는 반도체 검사용 소켓을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은, 포고핀의 형태를 갖는 이동 접촉부를 포함하여 구성됨으로써, 반도체 검사용 소켓의 높이에 대한 제약이 없는 반도체 검사용 소켓을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은, 홀을 형성하고 도전성 혼합제를 충진하는 것으로 형성가능한 도전성 패턴부를 포함하여 구성어서, 이동 접촉부에 탄성력을 제공하고, 이동 접촉부의 가압 또는 감압 작용에 따라 전기적으로 단락 또는 개방됨으로써, 별도의 전기적 도통을 위한 공정이 필요치 않아 미세한 공정의 반도체 검사에도 용이하게 적용할 수 있는 반도체 검사용 소켓을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은, 반도체 솔더볼의 간격에 대응되는 도전성 패턴부의 형성 반경에 의하여 짧은 사이클로 반복적으로 반도체를 검사하여도 오류가 발생하지 않는 반도체 검사용 소켓을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은, 슬라이딩 홀이 상하로 관통 형성된 상부 절연성 본체와; 상기 상부 절연성 본체의 상기 슬라이딩 홀에 삽입되어 상하로 승강되는 이동 접촉부와; 상기 상부 절연성 본체의 하부에 결합되되, 상기 상부 절연성 본체의 상기 슬라이딩 홀에 대응되는 위치에 패턴홀이 상하로 관통 형성된 하부 절연성 본체; 및 상기 하부 절연성 본체의 상기 패턴홀에 구비되어 상기 이동 접촉부의 승강에 따라 전기적으로 개방 또는 단락되는 도전성 패턴부;를 포함하여 구성되되, 상기 상부 절연성 본체는, 상기 슬라이딩 홀의 상측 단부가 동심원상으로 확장되어 형성되는 가이드부를 더 포함하여 구성되고, 상기 도전성 패턴부는, 상기 하부 절연성 본체의 상기 패턴홀에 충진되는 제 1 도전성 패턴부 및 상기 제 1 도전성 패턴부의 상면을 덮을 수 있는 크기로 상기 제 1 도전성 패턴부의 상면에 결합되는 제 2 도전성 패턴부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 반도체 솔더볼 중심점간 거리가 0.4mm일 때, 상기 가이드부의 최상단과 상기 이동 접촉부의 최상단 사이의 거리가 30um 내지 120um 인 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 도전성 패턴부는, 인접한 상기 제 2 도전성 패턴부의 외주연간 거리를 a, 상기 제 1 도전성 패턴부의 외주연으로부터 상기 제 2 도전성 패턴부의 외주연까지의 거리를 b 라 할 때, 1/6≤b/a≤1/3 인 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 반도체(10)의 솔더볼(11)이 가이드부(110)에 의해 이동 접촉부(200)의 탐침 돌기(220)에 안내되며, 또한, 솔더볼(11)의 크기에 대응되는 가이드부(110)의 크기에 의하여 솔더볼(11)과 탐침 돌기(220)가 정확히 접촉될 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 포고핀의 형태를 갖는 이동 접촉부(200)를 포함하여 구성됨으로써, 반도체 검사용 소켓의 높이에 대한 제약이 없는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 홀을 형성하고 도전성 혼합제를 충진하는 것으로 형성가능한 도전성 패턴부(400)를 포함하여 구성어서, 이동 접촉부(200)에 탄성력을 제공하고, 이동 접촉부(200)의 가압 또는 감압 작용에 따라 전기적으로 단락 또는 개방됨으로써, 별도의 전기적 도통을 위한 공정이 필요치 않아 미세한 공정의 반도체(10) 검사에도 용이하게 적용할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 반도체(10) 솔더볼(11)의 간격에 대응되는 도전성 패턴부(400)의 형성 반경에 의하여 짧은 사이클로 반복적으로 반도체(10)를 검사하여도 오류가 발생하지 않는 효과가 있다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 검사용 소켓의 단면도.
도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 검사용 소켓의 제 2 도전성 패턴부의 크기에 따른 오류 발생량을 도시한 그래프.
도 3 은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 검사용 소켓의 제 2 도전성 패턴부의 크기에 따른 복원율을 도시한 그래프.
이하에서, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 검사용 소켓에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 검사용 소켓의 단면도이고, 도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 검사용 소켓의 제 2 도전성 패턴부의 크기에 따른 오류 발생량을 도시한 그래프이고, 도 3 은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 검사용 소켓의 제 2 도전성 패턴부의 크기에 따른 복원율을 도시한 그래프이다.
본 발명은 도 1 에 도시된 바와 같이, 슬라이딩 홀(120)이 상하로 관통 형성된 상부 절연성 본체(100)와, 상부 절연성 본체(100)의 슬라이딩 홀(120)에 삽입되어 상하로 승강되는 이동 접촉부(200)와, 상부 절연성 본체(100)의 하부에 결합되되, 상부 절연성 본체(100)의 슬라이딩 홀(120)에 대응되는 위치에 패턴홀(320)이 상하로 관통 형성된 하부 절연성 본체(300) 및 하부 절연성 본체(300)의 패턴홀(320)에 구비되어 이동 접촉부(200)의 승강에 따라 전기적으로 개방 또는 단락되는 도전성 패턴부(400)를 포함하여 구성된다.
상부 절연성 본체(100)는, 내부에 이동 접촉부(200)가 승강할 수 있도록 상하로 슬라이딩 홀(120)이 관통 형성되며, 하부에 하부 절연성 본체(300)가 결합된다.
슬라이딩 홀(120)은 상부 절연성 본체(100)의 상면과 하면을 관통하여 형성되며, 내측으로 이동 접촉부(200)가 승강할 수 있도록 한다. 이러한 슬라이딩 홀(120)의 상측 단부와 하측 단부는 동심원상으로 확장되어 각각 가이드부(110)와 걸림턱부(130)가 형성된다.
가이드부(110)는 슬라이딩 홀(120)의 상측 단부가 동심원상으로 확장되어 형성되며, 단면 형상은 계단형으로서 단턱지게 형성된다. 이러한 가이드부(110)는 반도체(10)가 하강할 때 반도체(10)의 솔더볼(11)이 정위치가 아닌 경우 이를 안내하여 솔더볼(11)이 이동 접촉부(200)의 탐침 돌기(220)에 용이하게 접촉될 수 있도록 하는 역할을 하며, 이때 솔더볼(11)의 안내가 용이하도록 상측 단부의 형상을 둥글게 형성한 라운드부(111)를 더 포함할 수 있다. 가이드부(110)는 통상 상부 절연성 본체(100)의 가이드부(110)가 형성될 부분을 제외한 상면에 보호막을 형성한 후 에칭 공정 등을 통하여 가이드부(110)를 단턱지게 형성한 후 가이드부(110)의 라운드부(111) 부분을 연마하여 형성할 수 있으나, 본 발명에서 이러한 형성 방법을 한정하는 것은 아니다.
한편, 가이드부(110)는 반도체(10)의 솔더볼(11)이 용이하게 안내되고, 또한 솔더볼(11)이 이동 접촉부(200)의 탐침 돌기(220)를 완전히 가압할 수 있는 크기로 형성되어야 하는데, 이때 가이드부(110)의 크기는 솔더볼(11)의 형성 크기에 대응된다.
이를 좀 더 상세히 설명하면, 반도체(10)에 형성되는 솔더볼(11)은 각 솔더볼(11)의 중심점간 거리에 따라 그 크기가 결정되는데, 통상적으로 솔더볼(11)의 중심점간 거리가 0.4mm(이하 0.4피치) 일 때, 솔더볼(11)의 높이는 약 190um 가 된다. 이때, 0.4피치의 솔더볼(11)의 허용 오차는 20um 로서, 170um 내지 210um 의 높이를 갖게 된다. 이 경우 상부 절연성 본체(100)의 상면, 즉 가이드부(110)의 최상단과 이동 접촉부(200)의 탐침 돌기(220)의 최상단 사이의 거리를 c 라 할 때, c는 30um 내지 120um 인 것이 바람직한데, 이는 가이드부(110)의 최상단과 탐침 돌기(220)의 최상단 사이의 거리 c가 30um 미만인 경우 솔더볼(11)이 가이드부(110) 측면과 탐침 돌기(220)의 사이에 끼어 탐침 돌기(220)의 상단에 안내되지 못하는 경우가 발생할 수 있기 때문이다.
반도체(10) 검사 장치는 통상 1만번의 실험에서 오류 발생량이 1회 이상인 경우 상용으로 사용할 수 없으며, 이러한 가이드부(110)의 최상단과 탐침 돌기(220)의 최상단 사이의 최소 거리에 대하여 반복 실험을 시행한 결과를 표 1 에 기재하였다.
표 1
가이드부(110)의 최상단과탐침 돌기(220)의 최상단 사이의 거리 (um) 오류 횟수(1만회 대비)
33 0
32 0
31 0
30 0
29 2
28 4
27 7
한편, 가이드부(110)의 최상단과 탐침 돌기(220)의 최상단 사이의 거리 c 가 120um 를 초과하고, 솔더볼(11)이 오차 하한선인 170um 높이인 경우, 솔더볼(11)이 탐침 돌기(220)를 가압하여 이동시킬 때 상부 절연성 본체(100)의 상면과 반도체(10)의 하면이 접촉되어 더이상 이동되지 않는 상태에서의 솔더볼(11)의 이동 거리는 50um 미만이 된다. 이때, 이동 접촉부(200)가 하부의 도전성 패턴부(400)를 가압하여 도전성 패턴부(400)가 전기적으로 단락되기 위해서는 최소 50um 이상 이동 접촉부(200)가 하강하여야 하는데, 상술한 가이드부(110)의 최상단과 탐침 돌기(220)의 최상단 사이의 거리 c 가 120um 를 초과하고 솔더볼(11)의 높이가 170um 인 경우, 솔더볼(11)에 의한 이동 접촉부(200)의 이동 거리가 도전성 패턴부(400)를 전기적으로 단락시키기 위한 최소 거리를 만족하지 못하는 경우가 발생할 수 있기 때문이다.
걸림턱부(130)는 슬라이딩 홀(120)의 하측 단부가 동심원상으로 확장되어 형성되며, 단면 형상은 계단형으로서 단턱지게 형성된다. 즉, 상부 절연성 본체(100)의 가이드부(110), 슬라이딩 홀(120), 걸림턱부(130)는 상호 연통 형성되며, 단면 형상은 알파벳 'I' 자와 같은 형태를 형성하게 된다. 이러한 걸림턱부(130)는 이동 접촉부(200)가 상부로 이동될 때 이동 접촉부(200)의 하단부에 외측으로 연장 형성된 스토퍼(230)의 이동을 제한함으로써, 이동 접촉부(200)가 외부로 이탈되는 것을 방지하는 역할을 한다.
이러한 상부 절연성 본체(100)는 플라스틱 등의 비탄성 재질로 형성되는 것이 바람직한데, 이는 상부 절연성 본체(100)가 외력에 의하여 탄력적으로 가변되는 형상일 경우 내측의 이동 접촉부(200)가 용이하게 승강되지 못하기 때문이며, 이동 접촉부(200)가 용이하게 승강되는 비탄성 재질이면 어느 것이든 가능함은 물론이다.
이동 접촉부(200)는, 반도체(10)가 상하로 하강 또는 상승됨에 따라 반도체(10)의 솔더볼(11)에 의해 가압 또는 감압되어 상하로 하강 또는 상승되며, 도전성 패턴부(400)를 가압하거나 감압함으로써 반도체(10) 솔더볼(11)과 기판(500)이 단락되거나 개방되도록 하는 역할을 한다. 이를 위하여 이동 접촉부(200)는 원형 막대 형상의 접촉부 몸체(210)와, 접촉부 몸체(210) 상단부에 형성되어 반도체(10)의 솔더볼(11)에 접촉되는 탐침 돌기(220)와, 접촉부 몸체(210) 하단부에 동심원상으로 연장 형성되는 스토퍼(230)를 포함하여 형성된다.
탐침 돌기(220)는 반도체(10)의 솔더볼(11)과 접촉되며, 접촉 효율을 높이기 위해 접촉부 몸체(210) 상단부의 중심으로부터 방사상으로 돌출 형성된 톱니 형태가 바람직하나, 민무늬형 단부 또는 격자형 무늬 단부 등 어느 것이든 가능하며, 본 발명에서 탐침 돌기(220)의 형상을 한정하는 것은 아니다.
스토퍼(230)는 접촉부 몸체(210)의 하단부 외주연에 접촉부 몸체(210)와 동심원상으로 돌출 형성되며, 상부 절연성 본체(100)의 걸림턱부(130)에 의해 상측 이동이 제한됨으로써 이동 접촉부(200)가 외부로 이탈되는 것을 방지하는 역할을 한다.
하부 절연성 본체(300)는, 내부에 제 1 도전성 패턴부(410)가 충진될 수 있도록 상하로 패턴홀(320)이 관통 형성되며, 상부 절연성 본체(100)의 하단부에 접착제 등으로 결합되어 반도체 검사용 소켓의 본체를 형성한다.
이러한 하부 절연성 본체(300)의 패턴홀(320)은 상부 절연성 본체(100)의 슬라이딩 홀(120)과 연직 방향에 형성되며, 패턴홀(320)의 형성 반경보다 걸림턱부(130)의 형성 반경이 더 크게 형성됨으로써, 걸림턱부(130)가 형성하는 중공부에 패턴홀(320)이 형성되지 않은 하부 절연성 본체(300)의 상면이 노출되어 압력 분산부(310)가 형성된다.
압력 분산부(310)는 걸림턱부(130)의 내주연 하단부와 패턴홀(320)의 내주연 상단부 사이에 노출되는 하부 절연성 본체(300)의 상면을 지칭하며, 제 2 도전성 패턴부(420) 외측 하단부가 밀착되도록 함으로써, 이동 접촉부(200)가 반도체(10)의 솔더볼(11)에 가압되어 하부 방향으로 하강할 때 제 2 도전성 패턴부(420)를 지지하여 제 1 도전성 패턴부(410)에 가해지는 압력을 분산시킬 수 있도록 한다.
이러한 하부 절연성 본체(300)는 실리콘 고무 등의 탄성을 갖는 재질로 형성되는 것이 바람직하나, 본 발명에서 하부 절연성 본체(300)의 재질을 한정하는 것은 아니다.
도전성 패턴부(400)는 도전성 재질로 마련되어 이동 접촉부(200)에 의해 가압되면 전도성을 띄게 되어 상부의 반도체(10) 솔더볼(11)과 하부의 검사용 회로 기판(500)의 접촉부(510) 사이를 통전시키는 라인을 형성하는 역할을 한다.
또한, 도전성 패턴부(400)는 탄성력을 가지므로, 이동 접촉부(200)가 승강할 때 탄력적으로 작용하여 이동 접촉부(200)가 반도체(10) 솔더볼(11)에 의해 가압될 때 변형되는 것을 방지하는 역할을 병행한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제 1 도전성 패턴부(410) 및 하술할 제 2 도전성 패턴부(420)로 이루어지는 도전성 패턴부(400)는 도전성을 갖는 도전성 분말과 실리콘 분말을 포함하는 도전성 혼합제로 구성되며, 이때, 도전성 혼합제에는 도전성 분말과 실리콘 분말 외에 경화재 등이 더 포함될 수 있다. 즉, 도전성 패턴부(400)는 압력이 가해질 경우 도전성 분말 사이의 거리가 짧아져 압력이 가해진 방향으로 전기를 통할 수 있게 되고, 압력이 해제되면 도전성 분말 사이의 거리가 멀어져 전기가 끊어지게 된다.
제 1 도전성 패턴부(410)는 하부 절연성 본체(300)의 패턴홀(320)에 충진되며, 상단부는 하부 절연성 본체(300)의 상면에 노출되어 제 2 도전성 패턴부(420)에 의해 덮여지고, 하단부는 하부의 검사용 회로 기판(500)의 접촉부(510)에 접촉된다. 이러한 제 1 도전성 패턴부(410)는 탄성을 갖는 하부 절연성 본체(300) 내에 충진되므로, 이동 접촉부(200)에 의해 상하 방향으로 가압될 때 외주연 방향으로 볼록하게 퍼지게 되며, 이동 접촉부(200)의 압력이 해제되면 다시 원상태로 복귀하며 이동 접촉부(200)를 상부로 밀어내게 된다.
제 2 도전성 패턴부(420)는 원판형으로 형성되어 제 1 도전성 패턴부(410)의 상단부를 덮는 형태로 구비된다. 이러한 제 2 도전성 패턴부(420)는 제 1 도전성 패턴부(410)의 실리콘 분말 대비 도전성 분말의 비율이 더 높게 형성되어 제 1 도전성 패턴부(410)보다 딱딱한 형태로 형성되며, 제 1 도전성 패턴부(410)가 이동 접촉부(200)에 의해 가압될 때 파손되는 것을 방지하기 위하여 제 1 도전성 패턴부(410)와 이동 접촉부(200) 사이에 구비되도록 한다.
이러한 제 2 도전성 패턴부(420)의 하면 중앙부에는 제 1 도전성 패턴부(410)의 상면이 접촉되고, 제 2 도전성 패턴부(420)의 하면 외측부에는 하부 절연성 본체(300)의 상면, 즉 압력 분산부(310)가 접촉된다. 따라서, 이동 접촉부(200)가 하강하여 제 2 도전성 패턴부(420)를 가압하게 되면 제 2 도전성 패턴부(420)의 하면에 접촉된 제 1 도전성 패턴부(410)가 가압되고, 각 도전성 패턴부(400)는 상하방향으로 통전되어 전기가 통할 수 있는 라인을 형성하게 된다. 이때, 제 2 도전성 패턴부(420)는 하부 외측면이 압력 분산부(310)에 의해 지지되어 압력이 분산되고, 또한 제 1 도전성 패턴부(410)에 비해 딱딱한 형태로 형성되어 압력 분산부(310)에 의해 탄력적으로 지지되므로, 제 1 도전성 패턴부(410)에 가해지는 기계적 스트레스를 감소시켜 제 1 도전성 패턴부(410)의 파손을 방지할 수 있게 된다.
한편, 반도체(10) 솔더볼(11)의 간격이 0.4 피치일 때 제 1 도전성 패턴부(410)는 200um 의 직경으로 형성되고, 제 1 도전성 패턴부(410)를 구성하는 도전성 분말은 60um 로 형성된다. 이때 제 1 도전성 패턴부(410)의 경도는 20 인 것이 바람직한데, 이는 0.5초 내지 2초 간격으로 반복되는 반도체(10) 테스트 주기에 있어서, 현행 테스트가 끝나고 다음 테스트가 시작되기 직전까지의 시간인 인덱스 타임(Index time)동안 80퍼센트 이상의 회복율을 가져야 솔더볼(11)의 압력에 의한 단락 또는 개방이 확인되어 올바른 테스트가 진행될 수 있기 때문이다.
제 2 도전성 패턴부(420)는 상술한 제 1 도전성 패턴부(410)의 기계적 스트레스를 완충하여 복원력을 높이고 수명을 연장시키며, 이동 접촉부(200)와의 접촉 저항을 감소시킬 수 있도록, 직사각형의 단면 형상을 갖는 약 260um 직경의 원판형으로 형성되어 제 1 도전성 패턴부(410)의 상면에 결합되며, 제 2 도전성 패턴부(420)를 구성하는 도전성 분말의 직경은 제 1 도전성 패턴부(410)를 형성하는 도전성 분말의 직경의 절반인 30um 로서 조밀하게 형성하여 제 2 도전성 패턴부(420)의 경도가 160 을 달성하도록 하는 것이 바람직하다. 이때, 제 2 도전성 패턴부(420)의 높이는 100um 내지 130um 인 것이 바람직한데, 이는 제 2 도전성 패턴부(420)의 높이가 100um 미만인 경우 이동 접촉부(200)의 가압에 의해 지나치게 휘어 제 1 도전성 패턴부(410)의 기계적 스트레스를 완충시키지 못하고, 제 2 도전성 패턴부(420)의 높이가 130um 를 초과하는 경우 횡측으로의 변형이 심하여 인접한 다른 제 2 도전성 패턴부(420)와 전기적 쇼트 현상이 일어날 수 있기 때문이다.
이러한 제 2 도전성 패턴부(420)의 직경은 상술한 기재에서 약 260um 로 형성되는 것을 언급하였으나, 더욱 상세하게는, 인접한 두 제 2 도전성 패턴부(420)의 외주연 간 거리를 a, 제 1 도전성 패턴부(410)의 외주연으로부터 제 2 도전성 패턴부(420)의 외주연까지의 거리를 b 라 하였을때,
수학식 1
Figure PCTKR2012010488-appb-M000001
인 것이 바람직하다. 이는 인접한 두 제 2 도전성 패턴부(420)의 외주연 간 거리에 비해 제 1 도전성 패턴부(410) 외측으로 돌출되는 제 2 도전성 패턴부(420)의 길이가 일정 비율 이상인 경우, 이동 접촉부(200)의 가압에 의해 횡측으로 변형되어 전기적 쇼트 현상이 일어날 가능성이 있고, 인접한 두 제 2 도전성 패턴부(420)의 외주연 간 거리에 비해 제 1 도전성 패턴부(410) 외측으로 돌출되는 제 2 도전성 패턴부(420)의 길이가 일정 비율 이하인 경우, 이동 접촉부(200)의 가압으로부터 제 1 도전성 패턴부(410)의 기계적 스트레스를 충분히 완충하지 못하여 인덱스 타임동안 도전성 패턴부(400)가 80퍼센트 이상 회복되지 못할 가능성이 있기 때문이다.
이러한 제 2 도전성 패턴부(420)의 직경에 대하여 반복 실험을 시행한 결과를 표 2 및 표 3 에 기재하고 도 2 및 도 3 에 도시하였다.
표 2
b/a 오류횟수 (1만회 대비)
1/5 0
2/9 0
1/4 0
2/7 0
1/3 0
2/5 5
1/2 20
표 3
b/a 회복율 (%, 자유상태 대비 회복율 1만회 평균, 소수점이하 절삭)
0.5초 1초 2초
1/8 72 73 76
2/15 74 76 79
1/7 75 78 82
2/13 78 81 85
1/6 81 83 90
2/11 82 85 92
1/5 83 86 93
2/9 86 89 95
1/4 87 90 99
표 2 및 도 2 에 따르면, b/a 가 1/3 보다 작거나 같을 경우 오류가 전혀 없는데 비해, e/d 가 1/3보다 클 경우 오류 횟수가 증가하였으며, 표 3 및 도 3 에 따르면, 50um의 상하방향 압력을 가한 후 각 인덱스 타임에서의 자유 상태 대비 회복율이 b/a 가 1/6 보다 크거나 같을 경우 0.5초의 인덱스 타임에서 80퍼센트 이상의 회복율을 보인데 비해, b/a 가 1/6보다 작을 경우 0.5초의 인덱스 타임에서 80퍼센트 미만의 회복율을 보였다.
따라서, 솔더볼(11) 간격이 0.4 피치인 경우, 인접한 두 제 1 도전성 패턴부(410)의 중심점 간 거리는 솔더볼(11)의 간격과 동일한 400um, 제 1 도전성 패턴부(410)의 직경은 200um 이므로, 인접한 두 제 1 도전성 패턴부(410) 사이의 거리는 200um 이며, 위의 수학식 1 을 대입하여 제 2 도전성 패턴부(420)의 직경을 도출해보면, 250um 내지 280um 의 직경을 갖는 것이 바람직하다.
상술한 구성으로 이루어진 본 발명은, 반도체(10)의 솔더볼(11)이 가이드부(110)에 의해 이동 접촉부(200)의 탐침 돌기(220)에 안내되며, 또한, 솔더볼(11)의 크기에 대응되는 가이드부(110)의 크기에 의하여 솔더볼(11)과 탐침 돌기(220)가 정확히 접촉될 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 포고핀의 형태를 갖는 이동 접촉부(200)를 포함하여 구성됨으로써, 반도체 검사용 소켓의 높이에 대한 제약이 없는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 홀을 형성하고 도전성 혼합제를 충진하는 것으로 형성가능한 도전성 패턴부(400)를 포함하여 구성어서, 이동 접촉부(200)에 탄성력을 제공하고, 이동 접촉부(200)의 가압 또는 감압 작용에 따라 전기적으로 단락 또는 개방됨으로써, 별도의 전기적 도통을 위한 공정이 필요치 않아 미세한 공정의 반도체(10) 검사에도 용이하게 적용할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 반도체(10) 솔더볼(11)의 간격에 대응되는 도전성 패턴부(400)의 형성 반경에 의하여 짧은 사이클로 반복적으로 반도체(10)를 검사하여도 오류가 발생하지 않는 효과가 있다.
[부호의 설명]
11: 솔더볼 100 : 상부 절연성 본체
200 : 이동 접촉부 300 : 하부 절연성 본체
400 : 도전성 패턴부 410 : 제 1 도전성 패턴부
420 : 제 2 도전성 패턴부

Claims (6)

  1. 슬라이딩 홀이 상하로 관통 형성된 상부 절연성 본체와;
    상기 상부 절연성 본체의 상기 슬라이딩 홀에 삽입되어 상하로 승강되는 이동 접촉부와;
    상기 상부 절연성 본체의 하부에 결합되되, 상기 상부 절연성 본체의 상기 슬라이딩 홀에 대응되는 위치에 패턴홀이 상하로 관통 형성된 하부 절연성 본체; 및
    상기 하부 절연성 본체의 상기 패턴홀에 구비되어 상기 이동 접촉부의 승강에 따라 전기적으로 개방 또는 단락되는 도전성 패턴부;
    를 포함하여 구성되되,
    상기 상부 절연성 본체는, 상기 슬라이딩 홀의 상측 단부가 동심원상으로 확장되어 형성되는 가이드부를 더 포함하여 구성되고,
    상기 도전성 패턴부는, 상기 하부 절연성 본체의 상기 패턴홀에 충진되는 제 1 도전성 패턴부 및 상기 제 1 도전성 패턴부의 상면을 덮을 수 있는 크기로 상기 제 1 도전성 패턴부의 상면에 결합되는 제 2 도전성 패턴부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 소켓.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가이드부는, 계단형 단면 형상을 갖도록 단턱지게 형성되며,
    반도체 솔더볼 중심점간 거리가 0.4mm일 때, 상기 가이드부의 최상단과 상기 이동 접촉부의 최상단 사이의 거리를 c 라 할 때,
    30um≤c≤120um
    인 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 소켓.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 도전성 패턴부는, 직사각형의 단면 형상을 갖는 원판형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 소켓.
  4. 제 3 항에 있어서,
    반도체 솔더볼 중심점간 거리가 0.4mm일 때,
    상기 제 2 도전성 패턴부는, 인접한 상기 제 2 도전성 패턴부의 외주연간 거리를 a, 상기 제 1 도전성 패턴부의 외주연으로부터 상기 제 2 도전성 패턴부의 외주연까지의 거리를 b 라 할 때,
    1/6≤b/a≤1/3
    인 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 소켓.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 도전성 패턴부는, 100um 내지 130um 의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 소켓.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 도전성 패턴부의 도전성 분말의 직경은 상기 제 1 도전성 패턴부의 도전성 분말의 직경의 절반인 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 소켓.
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