KR100456190B1 - 스파이럴 콘택터와 그 제조 방법, 및 이를 이용한 반도체검사 장치와 전자 부품 - Google Patents

스파이럴 콘택터와 그 제조 방법, 및 이를 이용한 반도체검사 장치와 전자 부품 Download PDF

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Abstract

소형의 반도체 디바이스로부터 패키지, 초소형의 베어칩, 또한 웨이퍼상의 것에도 대응 가능하고, 연질재의 구상 접속 단자에 변형이나 상처를 주는 일 없이 통전 회로를 형성하며, 구상 접속 단자의 고밀도화에 대응 가능하고, 또한 저렴한 고신뢰성의 검사를 실현할 수 있는 스파이럴 콘택터와 반도체 검사 장치(테스트 소켓, 테스트 보드, 프로브 카드) 및 전자 부품(실장용 소켓, 실장용 커넥터)를 제공하는 것을 과제로 한다.
구상 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 행하는 콘택터로서, 상기 콘택터는, 상기 구상 접속 단자와 접촉하는 평면에서 보아 스파이럴 형상을 갖는 스파이럴상 접촉자(2)를, 절연 기판상에 상기 구상 접속단자와의 접촉시, 해당 구상 접속 단자의 형상에 대응하여 변형 가능하게 구비하며, 상기 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 행하는 구성으로 된 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터(1)이다.

Description

스파이럴 콘택터와 그 제조 방법, 및 이를 이용한 반도체 검사 장치와 전자 부품{Spiral contactor and method of fabricating the same, semiconductor probing apparatus and electronic device using the same}
구상의 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스의 전기적 접속을 수행하는 콘택터, 반도체 검사 장치 및 전자 부품에 관한 것이다.
반도체 집적 회로(IC)의 다기능화, 고성능화에 따라, IC칩(이하 반도체 디바이스라 함)을 탑재하는 IC 패키지(이하 '패키지'라함)도 다양하게 변천, 진화되어 왔다. 그 흐름의 하나로 소형화·박형화에 따른 다핀화가 있다. 다기능화가 진행됨에 따라 입출력 단자수나 각종 신호용 단자가 증가하여, 패키지에 필요한 핀수는 1000 핀을 넘는 것도 나와 있다. 그 때문에, 패키지의 양 사이드나 4 변으로부터 리드를 취출하는 방식에서, 스페이스를 취하지 않는 패키지의 저면 전체로부터 취출하는 방식으로 바뀌었다.
BGA(Ball Grid Array)나 칩 사이즈와 같거나, 혹은 약간 큰 사이즈의 패키지CSP(Chip Size Package)로 불리는 반도체 디바이스의 저면 전체에는, 핀 대신에 구상의 접속 단자가 격자 모양·바둑판의 눈금모양으로 배열되고, 그 피치 간격은 0.8 mm로부터 0.5 mm로 축소화가 진행되고 있고, 구상 접속 단자의 고밀도화가 진행되고 있다. 또한 구상 접속 단자는 반도체 디바이스 실장 밀도와 전기적 전송 특성을 높이는 것으로부터도, 경박단소화의 경향이 있고, 또한 검사 장치의 접촉자도 마찬가지로 고밀도화에 대한 대응이 요구되고 있다.
현재의 반도체 검사 장치에서의 접촉자(프로브, 검침, 탐침이라고도 함)는,바늘모양 또는 판상의 접촉자를 구상 접속 단자에 접촉시키고, 전류를 통하게 함으로써 전기적 특성의 검사를 행하며, 규격대로 기능·품질이 만들어져 있는지의 여부를 검사한다. 또한 웨이퍼 단계에서의 검사는, 통상 웨이퍼 프로빙으로 불리며, 웨이퍼면에 격자·바둑판 모양으로 배열되고, 만들어져 있는 반도체 디바이스에 대하여 프로브 카드를 이용하여, 반도체 디바이스의 외부 인출 전극에 접촉자를 접촉시켜 통전 회로를 형성하여 전기적 검사를 행하고 있다. 웨이퍼면에는 다수의 디바이스가 있는데, 하나 또는 복수개의 디바이스를 동시에 프로빙하고, 검사가 끝나면 다음 장소로 스테이지를 이동하여, 검사를 반복하는 방법으로 웨이퍼 전면의 반도체 디바이스의 검사를 행하고 있다.
그러나, 반도체 디바이스의 초소형, 박형, 구상 접속 단자 피치의 축소화에 수반하여 반도체 디바이스 검사 장치의 소형화도 진행됨으로써, 신뢰성에 문제가 있었다. 그 이유는 많은 부품수로 구성하는 기구를 그대로 소형화하는데 기인하고 있고, 종래의 기술에 의한 소형화, 축소화만으로는 한계가 있었다. 또한 구상 접속 단자의 고밀도화에 대한 대응으로서, 종래의 기술에 의한 침상(針狀) 접촉자를 부딪치게하는 방식으로는, 연질 재료인 땜납, 금 등으로 이루어지는 구상 접속 단자에 상처나 변형 등의 손상을 가한다고 하는 문제와, 구상 접속 단자와의 접촉은 점접촉이기 때문에 이물질의 부착에 의한 접촉 불량을 일으키기 쉬우므로 신뢰성에 문제가 있었다.
따라서, 본 발명은, 소형의 반도체 디바이스로부터 패키지, 초소형의 베어칩, 나아가 웨이퍼 형태의 것에도 대응 가능하고, 연질재의 구상 접속 단자에 변형이나 상처를 주는 일 없이 통전 회로를 형성하고, 구상 접속 단자의 고밀도화에 대응 가능하며, 또한 저렴하고 고신뢰성 검사를 실현할 수 있는 스파이럴 콘택터와, 반도체 검사 장치(소켓, 테스트 보드, 프로브 카드) 및 전자 부품(실장용 소켓, 실장용 커넥터)를 제공하는 것을 과제로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태인 스파이럴 콘택터의 평면도이다.
도 2는 제1, 2, 3 실시 형태인 도 1의 A-A 단면도이다.
도 3은 동 A-A 단면도에서, 반도체 디바이스와 콘택트한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시 형태인 스파이럴 콘택터의 근방에 콘덴서를 배치한 평면도이다.
도 5는 동 제4 실시 형태인 스파이럴 콘택터의 도 4에 있어서의 B-B 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제5 실시 형태인 스파이럴 콘택터의 단면도이다.
도 7은 동 제5 실시 형태에서, 반도체 디바이스와 콘택트한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제6 실시 형태인 스파이럴상 접촉자의 평면도의 확대도이다.
도 9는 본 발명의 제7 실시 형태인 스파이럴 콘택터의 단면도이다.
도 10은 동 제7 실시 형태인 스파이럴 콘택터의 사시도이다.
도 11a는 본 발명의 제8 실시 형태인 스파이럴 콘택터의 단면도이고, 도 11b는 또 하나의 수단을 설명하기 위한 분해도이며, 도 11c는 조립후의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제9 실시 형태인 스파이럴 콘택터를 갖는 반도체 검사 장치의 단면도이다.
도 l3은 본 발명의 제10 실시 형태인 스파이럴 콘택터를 갖는 반도체 검사 장치의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제10 실시 형태인 스파이럴 콘택터를 갖는 반도체 검사 장치의 단면도의 확대도이다.
도 15는 본 발명의 제10 실시 형태인 스파이럴 콘택터를 갖는 반도체 검사 장치의 사시도이다.
도 16a 및 도 16b는 본 발명의 제10 실시 형태인 스파이럴 콘택터를 갖는 반도체 검사 장치의 단면도이다.
도 17은 본 발명의 동 제10 실시 형태에서, 반도체 검사 장치의 플랜져의 위치를 나타낸 평면도이다.
도 18a 및 도 18b는 본 발명의 제11 실시 형태인 스파이럴 콘택터를 갖는 반도체 검사 장치의 공압회로도이다.
도 19a 및 도 19b는 본 발명의 제12 실시 형태에서, 반도체 검사 장치를 나타내는 단면도이다.
도 20a 및 도 20b는 본 발명의 제12 실시 형태의 설명용으로, 현상의공정도(a)와 본 발명의 공정도 (b)를 비교한 플로우챠트이다.
도 21은 본 발명의 제13 실시 형태에서, 스파이럴 콘택터가 양면에 갖는 반도체 검사 장치의 단면도이다.
도 22는 본 발명의 제13 실시 형태에서, 양면의 스파이럴 콘택터에 반도체 디바이스와 커넥터를 콘택트한 상태의 반도체 검사 장치의 단면도이다.
도 23a 및 도 23b는 본 발명의 제14 실시 형태로서, 도 23a는 양면의 스파이럴 콘택터에 접속하기 전의 모식도이고, 도 23b는 접속한 상태를 나타내는 전자 부품의 단면도이다.
도 24a 및 도 24b는 본 발명의 제15 실시 형태로서, 도 24a는 커넥터 케이블의 일방에는 스파이럴 콘택터가 배치된 전자 부품과 접속한 단면도이고, 도 24b는 접속하기 전의 단면도이다.
도 25는 스파이럴 콘택터(1)의 제조 공정에 대하여 설명한 단면도로서, 그 제1 공정으로 동도금 공정이다.
도 26은 제2, 제3 공정으로, 천공 공정과 동도금 공정이다.
도 27은 제4, 제5 공정으로, 탄성체 충전 공정과 표면 가공 공정이다.
도 28은 제6 공정으로, 동도금 공정이다.
도 29는 제7 공정으로, 식각용 마스크 공정이다.
도 30은 제8 공정으로, 식각 공정이다.
도 31은 제9 공정으로, 도금 공정이다.
도 32는 제10 공정으로, 커버 레이 처리 공정이다.
도 33a는 전자 부품을 소켓에 장착하는 상태를 나타내는 모식도로서, 도 33b는 전자 부품이 소켓에 장착된 상태의 모식도이다.
도 34a는 전자 부품을 소켓에 장착하는 상태를 나타내는 모식도로서, 도 34b는 전자 부품이 소켓에 장착된 상태의 모식도이다.
도 35a 내지 도 35c는 스파이럴상 접촉자(2)를 소켓에 채용한 실시예를 나타내는 모식도로서, 도 35a가 평면도, 도 35b가 정단면도, 도 35c가 우측단면도이다.
도 36a 내지 도 36c는 전자 부품이 소켓에 장착된 상태를 나타내는 모식도로서, 도 36a가 평면도, 도 36b가 정단면도, 도 36c가 우측단면도이다.
도 37a 내지 도 37h는 프린트 기판의 상면에, 알루미늄판으로 형성한 스파이럴상 접촉자를 전사하여 형성하는 실시예를 나타내는 공정도이다.
도 38a 내지 도 38g는 프린트 기판의 양면에, 스파이럴 콘택터가 배치된 제조 방법에 대하여 설명하는 공정도이다.
도 39a 내지 도 39e는 도전 접착제를 사용하지 않고 스파이럴 콘택터를 제작하는 실시예로서, 절연 기판상에 스파이럴 콘택터가 제작되는 순서를 나타내는 공정도이다.
도 40a 및 도 40b는 프린트 기판의 상면에 형성된 마이크로 비아의 개구부에, 스파이럴상 접촉자를 설치한 실시예를 나타내는 공정도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 ; 스파이럴 콘택터 2 ; 스파이럴상 접촉자
3 ; 관통홀 4 ; 동도금
4' ; 동박 5 ; 접속부
6 ; 절연 기판 7 ; 구상 접속 단자
7a ; 메탈 볼 8 ; 반도체 디바이스
9 ; 콘덴서가 장착된 스파이럴 콘택터
10 ; 콘덴서 11 ; 탄성체(탄성막)
12 ; 가이드 프레임 13 ; 본딩 패드
14 ; 센서 15 ; 소켓
16 ; 커버 17 ; 플랜져
18 ; 홈 19 ; 씨일
20 ; 기밀실 21 ; 공기 배기구
24 ; 웨이퍼 레벨 칩 25 ; 웨이퍼 마운트용 UV 테이프
26 ; 커넥터 27 ; 프로브 카드
28 ; 식각 마스크 29 ; 니켈 도금
31 ; 전기 부품 32 ; 케이블
33 ; PWB(프린트 기판)
상기 과제를 해결하는 수단으로서, 청구항 1에 기재된 발명에 따른 스파이럴 콘택터는, 구상의 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품의 전기적 접속을 행하는 콘택터로서, 상기 콘택터는, 상기 구상 접속 단자와 접촉하는 평면에서 보아 스파이럴 형상을 갖는 스파이럴상 접촉자를, 절연 기판상에 상기 구상의 접속 단자와의 접촉시, 해당 구상의 접속 단자의 형상에 대응하여 변형 가능하게 구비하고, 상기 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 행하는 구성으로 한 것을 특징으로 한다.
청구항 1에 기재된 발명에 따른 스파이럴상 접촉자는, 자연 상태에서는 평탄한 모양의 스파이럴이지만, 반도체 디바이스 또는 전기 부품의 구상 접속 단자가 스파이럴상 접촉자를 가압하면, 스파이럴상 접촉자의 중앙부로부터 외측으로 접촉을 넓히고, 나선부는 오목하게 플렉서블 볼을 끌어 안도록 변형한다. 종래의 접촉자는 점 접촉인데 반해, 스파이럴상 접촉자는 구상 접속 단자에 나선상으로 권취되므로, 접촉 길이가 길고 확실히 접촉됨과 동시에, 이물질의 부착이 있어도 구상 접속 단자의 구면을 따르는 슬라이딩 작용에 의해 이물질을 제거하고, 안정된 통전 접촉이 가능하므로 신뢰성이 높다.
또한 스파이럴상 접촉자는, 구상 접속 단자의 구면에 스파이럴상 접촉자의 뿔이 압압되면서 슬라이딩되며, 구상 접속 단자의 구면상의 산화막에 홈을 내어, 확실한 통전을 행할 수 있다.
또한, 스파이럴상 접촉자는 나선상이므로, 구상 접속 단자의 구경(球徑)의불일치나 구상 접속 단자의 출입의 얕고 깊음에도 유연한 적합성을 가지고 있다. 또한 스파이럴상 접촉자는, 구상 접속 단자의 전후좌우의 위치 일탈, 불일치가 있는 구상 접속 단자에 대해서도 유연하게 영합할 수 있다.
청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 스파이럴 콘택터로서, 상기 절연 기판은 상기 스파이럴상 접촉자의 하부의 오목부 또는 관통홀에 의해 상기 변형 가능하게 하는 구성을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 오목부 또는 관통홀은, 상기 구상 접속 단자의 가압력에 의해 밀려들어감이 상기 스파이럴상 접촉자의 휨에 지장을 초래하는 일 없이, 충분한 공간을 확보하고 있다.
청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 2에 기재된 스파이럴 콘택터로서, 제 2 항에 있어서, 상기 관통홀 내를 수직 배선 방식의 통전 회로로 하는 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 기재된 발명에 있어서, 절연 기판에 설치한 통칭 관통홀이라 불리는 상기 구멍의 내면에 동 도금을 실시하고, 이를 이용하여 통전 회로를 형성함으로써 절연 기판 상에 배선용 부품이 불필요하게 된다. 또한 개구부에 스파이럴상 접촉자를 배치함으로써, 공간을 줄일 수 있고 효율적인 접속 회로를 형성할 수 있다.
종래의 수평 배선 방식에 의한 통전 회로에서는, 접속부, 배선부 등의 스페이스를 필요로 하므로, 구상 접속 단자의 고밀도화에의 대응은 곤란하였지만, 상기 수직 배선 방식에 의한 통전 회로에서는 스페이스를 최소로 할 수 있으므로, 구상접속 단자의 고밀도화에의 대응이 용이하다.
청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 3 중 어느 하나에 기재된 스파이럴 콘택터로서, 상기 스파이럴상 접촉자의 근방에 하나 또는 복수개의 콘덴서를 배치하고, 상기 콘덴서는 스파이럴상 접촉자에 접속하는 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 기재된 발명에 있어서, 전원 공급 회로로서는, 상기 스파이럴상 접촉자의 근방에 콘덴서(파스콘)를 설치하는 것이, 트러블의 회피에 유효한 방도가 된다. 특히 고속 신호를 처리하는 회로의 전원에 있어서는, 순간적으로 소비가 일어나 전력 저하가 발생하는 경우, 전기 신호가 정확하게 전달될 수 없는 사태가 발생하는데, 이 사태를 회피하는 유효한 수단이 되는 것이다. 이에 따라, 고속 신호의 처리 회로에서의 전압 강하에, 순간적으로 대응하는 것이 가능해진다.
또한, 콘덴서의 설치 방법은, 스파이럴상 접촉자의 근방에 절연 기판을 관통하는 관통홀을 설치하고, 상기 관통홀에 콘덴서를 매설해도 되며, 근방에 배치하여 고정해도 된다.
청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 4 중 어느 하나에 기재된 스파이럴 콘택터로서, 상기 스파이럴상 접촉자의 하부에 탄성체 또는 탄성막을 배치하는 것을 특징으로 한다.
상기 탄성체 또는 탄성막은, 고무계, 실리콘계, 플라스틱계의 탄성체 또는 탄성막이고, 또한 겔상의 탄성체이어도 되며, 그 목적은 스파이럴상 접촉자를 하면으로부터 보조하는 것이고, 스파이럴상 접촉자의 탄성력을 유지함과, 기밀성을 확보함에 있다.
청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 5 중 어느 하나에 기재된 스파이럴 콘택터로서, 상기 스파이럴상 접촉자의 나선부는, 근원으로부터 선단으로 나아감에 따라 폭이 좁아지는 것을 특징으로 한다. 예컨대, 낚싯대의 경우, 선단으로 갈수록 가늘게 하는 것으로, 굽힘 응력을 분산시켜 파괴를 방지하고 있는 것과 마찬가지로, 스파이럴상 접촉자도 선단으로 갈수록 폭을 좁게 함으로써, 굽힘 응력의 집중을 방지하고, 굽힘 응력의 분산을 꾀하는 것이다.
청구항 7에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 6 중 어느 하나에 기재된 스파이럴 콘택터로서, 상기 절연 기판상에 배치한 상기 스파이럴상 접촉자의 주위에 가이드 프레임을 설치하는 것을 특징으로 한다. 반도체 검사 장치의 하나인 소켓 또는프로브 카드로서 이용하는 경우, 스파이럴상 접촉자에 대해 구상 접속 단자의 정확한 위치 정합이 필요하게 된다. 이 정확한 위치 정합을 행하기 위한 가이드 기능으로서, 가이드 프레임을 설치함으로써, 단시간에 위치 정합 작업이 가능한 외에, 가이드 프레임은 구상 접속 단자의 압입량을 제한하는 스토퍼의 역할을 함께 가진다.
청구항 8에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 7 중 어느 하나에 기재된 스파이럴 콘택터로서, 상기 절연 기판상에 배치한 상기 스파이럴상 접촉자의 형상을 볼록형으로 하는 것을 특징으로 한다. 상기 스파이럴상 접촉자의 하부에 설치한 관통홀에 탄성체를 충전하고, 상기 절연 기판의 뒷면의 접속부에 오목부를 부가함으로써 스파이럴상 접촉자의 형상은 볼록형이 된다. 이 볼록형의 스파이럴상 접촉자로 구성하는 스파이럴 콘택터는, 구상 접속 단자와 다른 플랫형 접속 단자(본딩 패드)를 갖는 반도체 디바이스와의 접촉에 유효하다.
청구항 9에 기재된 발명에 따른 반도체 검사 장치는, 청구항 1 내지 8 중 어느 하나에 기재된 스파이럴 콘택터를 이용한 반도체 검사 장치로서, 반도체 검사 장치에 피검사체인 구상의 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스가 정상 위치에서 장전되고, 정상적인 누름 압력에 의해 접촉되었음을 검지하는 센서를 갖는 것을 특징으로 한다.
반도체 검사 장치의 소켓등에 매설된 센서의 작용에 의해, 반도체 디바이스가 확실히 장전되고, 정상적인 누름 압력에 의해 접촉되었는지의 여부의 검출 기능을 가질 수 있으므로, 최적인 가압으로 콘택이 얻어지는 간격의 설정이 가능해지며, 작업 효율이 높아진다. 또한, 센서는 광학식 근접 스위치를 사용하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
청구항 10에 기재된 발명에 따른 반도체 검사 장치는, 청구항 9에 기재된 스파이럴 콘택터를 갖는 반도체 검사 장치로서, 반도체 검사 장치의 절연 기판에는 상기 반도체 디바이스에 밀착하는 씨일을 갖는 것을 특징으로 한다.
반도체 검사 장치의 절연 기판에는, 상기 씨일에 의해 기밀성이 확보되고, 상기 절연 기판과 상기 반도체 디바이스의 양자간의 공기를 발취 감압하는 진공식 흡착법으로 접촉을 유지할 수 있으므로, 간단한 조작으로 용이하게 착탈할 수 있다.
청구항 10에 기재된 발명에 따른 반도체 검사 장치는, 스파이럴상 접촉자를 갖는 소켓이나 프로브 카드의 검사 장치에 반도체 디바이스를 장전하고, 위치 결정한 후, 반도체 디바이스와 스파이럴상 접촉자간의 공간을 감압함으로써 반도체 디바이스는 스파이럴상 접촉자측으로 끌려 들어가고, 또한 반도체 디바이스의 구상 접속 단자는 스파이럴상 접촉자를 압압하며, 구상 접속 단자의 형상에 대응하여 변형시키고, 단단히 접촉시키므로, 접촉 신뢰성이 우수한 통전 회로가 형성된다.
이 진공식 흡착법에서는, 감압도는 미량이어도 되고, 순간적으로 쌍방이 상호 끌어 당겨서, 전체적으로는 작은 힘으로 밸런스를 취하는 접촉을 꾀할 수 있다.
구조적으로는 심플한 형상으로 신뢰성이 높은 콘택터가 가능하다. 또한 (도 14에 도시한)탄성막의 기능은, 스파이럴상 접촉자의 보조 이외에, 기밀성을 유지하는 씨일의 역할도 있다.
청구항 11에 기재된 발명에 따른 반도체 검사 장치는, 청구항 10에 기재된 스파이럴 콘택터를 이용한 반도체 검사 장치로서, 상기 반도체 검사 장치의 절연 기판과 상기 반도체 디바이스의 양자간의 공기를 발취함으로써 발생하는 공기압의 저하를 검지하여 신호를 발생하는 공기압 검지 수단을 설치한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 공기압 검지 수단으로는, 압력 센서가 적당하다. 압력 센서에 의해 검지를 행하므로, 상기 청구항 9에 기재된 광학식 근접 스위치의 센서가 불필요하게 되므로, 센서의 매설, 전기배선이 불필요해지고, 절연기판상이 간소화된다.
청구항 12에 기재된 발명에 따른 반도체 검사 장치는, 청구항 9 내지 11 중 어느 하나에 기재된 스파이럴 콘택터를 이용한 반도체 검사 장치로서, 웨이퍼를 다이서에서 다이싱한 후의 각 반도체 디바이스와 프로브 카드와의 위치 정합을 상기 다이싱한 상태 그대로 행하는 수단을 갖는 것을 특징으로 한다.
청구항 12에 기재된 발명에 있어서, 종래의 프로브 카드를 사용한 검사 공정은, 웨이퍼상에서 검사하고, 다이싱에 의해 분할하고, 트레이에 격납한 후, 핸들러에서 또 검사를 행하고 있다. 이와 같이 2회의 검사를 필요로 하는 이유는, 다이싱가공에 의한 불량품이 발생하기 때문이다. 따라서, 본 발명은, 웨이퍼 단계에서 검사를 행하지 않고 다이싱한 후에 검사를 행함으로써, 2회의 검사를 1회의 검사로 줄이는 것이다.
본 발명은 종래의 방식의 프로브 카드를 대체하는 프로브 카드이다.
청구항 13에 기재된 발명에 따른 반도체 검사 장치는, 청구항 9 내지 12 중 어느 하나에 기재된 스파이럴 콘택터를 이용한 반도체 검사 장치로서, 스파이럴 콘택터를 절연 기판의 양면에 배치하는 것을 특징으로 한다.
더블 콘택의 일면에는, 전자 부품의 하나인 커넥터의 「웅(雄)」의 기능을 갖는 메탈 볼 또는 돌기상의 단자가 항상 셋트되어 콘택한다. 다른 일면에는, 피검사체인 반도체 디바이스 등이 교체 장전되고, 전기적 특성의 검사가 행해진다.
청구항 14에 기재된 발명에 따른 전자 부품은, 청구항 1 내지 8 중 어느 하나에 기재된 스파이럴 콘택터를 이용한 전자 부품으로서, 스파이럴 콘택터를 절연 기판의 일면 또는 양면에 배치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 청구항 13에 기재된 검사 장치와 같은 구조이지만, 다른 하나의 용도인 전자 부품으로서의 실장용 소켓이나 실장용 커넥터의 경우이다.
휴대 전화로 대표하는 전자 기기의 전기회로 기판에는, 고밀도로 IC, 콘덴서, 저항기 등을 실장하고, 소형·경량·박형이며 고주파 전기 특성이 뛰어난 것이 필수로 되어 있다. 또한, 회로 기판간을 전기적으로 접속하는 전자 부품에 대해서도, 마찬가지로 고밀도에서 고주파 전기적 특성을 만족한 것이 요구되고 있다. 고주파 전기적 특성을 개선하기 위해서는, 전송 거리를 짧게 할 필요가 있고, 소켓부 및 커넥터부의 사이즈를 작게하는 것이 유효하다. 종래의 핀 방식과 전혀 다르게 한 스파이럴 콘택터의 채용에 의해, 1/5로 소형·경량·박형으로 할 수 있고, 고주파 전기적 특성을 크게 개선할 수 있다. 또한 접속이 간단, 용이하며, 적은 부품으로 구성할 수 있다.
청구항 15에 기재된 발명에 따른 전자 부품은, 청구항 1 내지 8 중 어느 하나에 기재된 스파이럴 콘택터를 이용한 전자 부품으로서, 스파이럴 콘택터를 커넥터 케이블의 적어도 일측 단부에 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 커넥터 케이블에 접속된 전기 부품의 적어도 일방에는, 스파이럴 콘택터를 이용한 전기 부품이 접속되어 있다.
스파이럴 콘택터의 채용에 의해, 소형·경량·박형으로 할 수 있고, 접속이 간단, 용이하며, 부품수가 적기 때문에, 원가를 절감할 수 있다.
청구항 16에 기재된 발명에 따른 스파이럴 콘택터의 제조 방법은, 구상 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 행하는 스파이럴상 접촉자가 복수개 배치된 스파이럴 콘택터를 프린트 기판의 표면에 형성하는 제조 방법으로서, 절연 기판에 관통홀을 형성하고, 상기 절연 기판의 전면에 금속막을 형성하는 공정과, 상기 관통홀에 탄성체인 탄성중합체를 충전하고, 표면 가공으로 탄성중합체의 요철을 제거하는 공정과, 상기 관통홀의 적어도 탄성중합체가 노출된 부분에 금속막을 형성하는 공정과, 상기 금속막을 형성한 절연 기판의 표면에는 스파이럴상 접촉자의 형상으로 식각 마스크를 씌우고, 하면에는 원형의 식각 마스크를 씌우는 공정과, 상기 절연기판의 표면을 식각하여 스파이럴상 접촉자를 형성하는 공정과, 상기 절연 기판의 표면에 이종의 금속박막을 형성하는 공정과, 상기 절연 기판의 표면에 레지스트막을 형성하고, 커버 레이 처리에 의해 가이드 프레임을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 포토리소그래피 기술을 채용한 제조 방법에 의해, 프린트 기판상에, 스파이럴상 접촉자를 복수개 배치한 스파이럴 콘택터를, 고정밀도, 고밀도, 협피치로 제조할 수 있다.
또한, 커버 레이 처리란, 레지스트막에 인화, 현상하는 것을 말하고, 커버 레이 처리나 식각 등을 포토리소그래피 기술이라 한다.
청구항 17에 기재된 발명에 따른 스파이럴 콘택터의 제조 방법은, 구상 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 하는 스파이럴상 접촉자가 복수개 배치된 스파이럴 콘택터를, 프린트 기판의 표면에 형성하는 제조 방법으로서, 금속판의 표면에 금속막을 형성하고, 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막에 스파이럴상 접촉자의 패턴을 노광 인화하여 현상하는 마스크 공정과, 상기 공정에서 노출되 금속 부분에 금속막을 실시하는 공정과, 상기 레지스트막을 제거하는 공정과, 상기 레지스트막을 다시 형성하는 공정과, 상기 스파이럴상 접촉자를 노출시키고, 상기 레지스트막을 인화하여 현상하고, 가이드 프레임을 성형하는 공정과, 상기 금속판을 박리하여 제거한 후 식각하여 금속막을 제거하는 공정과, 상기 프린트 기판에 설치된 각 관통홀의 개구부에 각 스파이럴접촉자를 배치하여 도전 접착제, 또는, 솔더링 페이스트를 도포하고 나서 압착하는 접착 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
가이드 프레임을 레지스트막에 의해 성형할 수 있으므로, 금속판을 박리하여도 조각 조각으로 분해되는 일이 없고, 형태를 유지할 수 있으므로, 품질의 향상을 꾀할 수 있다. 또한, 포토리소그래피 기술을 채용한 제조 방법에 의해 미소한 관통홀을 갖는 프린트 기판에, 스파이럴상 접촉자를 복수개 배치한 스파이럴 콘택터를 고정밀도, 고밀도, 협피치로 제조할 수 있다.
청구항 18에 기재된 발명에 따른 스파이럴 콘택터의 제조 방법은, 구상 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 행하는 스파이럴상 접촉자가 복수개 배치된 스파이럴 콘택터를 프린트 기판의 표면에 형성하는 제조 방법으로서, 표면에 금속막이 형성된 절연 기판의 상면에, 레지스트막을 형성하고, 또한, 스파이럴상 접촉자의 형상을 인화, 현상하는 마스크 공정과, 상기 마스크 공정에 의해 노출된 금속 부분에 이종의 금속막을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막을 제거하는 공정과, 상기 금속막을 식각에 의해 제거하는 공정과, 상기 절연 기판을 레이저로 스파이럴상 접촉자로 형성하고, 다시 표면에 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 절연 기판의 표면에 금속막을 형성하고, 그 위에 이종의 금속막을 형성하여 레지스트막을 제거하는 공정과, 상기 프린트 기판의 관통홀을 갖는 표면에 도전 접착제, 또는 솔더링 페이스트를 도포하며, 관통홀의 개구부에 스파이럴 콘택터를 배치하여 압착하는 접착 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
폴리이미드로 이루어지는 절연 기판에 레이저를 조사함으로써 금속부를 그대로 남길 수 있으므로, 스파이럴상 접촉자를 형성할 수 있다. 또한 포토리소그래피 기술을 채용한 제조 방법에 의해, 관통홀을 갖는 프린트 기판의 양면에, 스파이럴상 접촉자를 복수개 배치한 스파이럴 콘택터를, 고정밀도, 고밀도, 협피치로 제조할 수 있다.
청구항 19에 기재된 발명에 따른 스파이럴 콘택터의 제조 방법은, 구상 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 행하는 스파이럴상 접촉자가 복수개 배치된 스파이럴 콘택터를, 프린트 기판의 표면에 형성하는 제조 방법으로서, 절연 기판의 표면에 금속막이 형성된 그 상면에 금속막을 형성하고, 또한 레지스트막을 형성한 후, 인화, 현상하여 상기 레지스트막에 스파이럴상 접촉자의 형상을 형성하는 공정과, 상기 스파이럴상 접촉자의 형상을 남겨 식각에 의해 금속막을 제거하는 공정과, 상기 절연 기판을 레이저로 제거하는 공정과, 상기 절연 기판의 표면에 다시 레지스트막을 형성하고, 금속막을 형성한 후, 이종의 금속막을 다시 형성하는 공정과, 상기 레지스트막을 제거한 후, 금속막을 식각에 의해 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
이와 같이 도전 접착제, 또는 솔더링 페이스트를 사용하지 않는 제조 방법으로도, 포토리소그래피 기술을 채용함으로써 관통홀을 갖는 절연 기판에 스파이럴상 접촉자를 복수개 배치한 스파이럴 콘택터를 고정밀도, 고밀도, 협피치로 제조할 수 있다.
청구항 20에 기재된 발명에 따른 스파이럴 콘택터의 제조 방법은, 구상 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 행하는 스파이럴상 접촉자가 복수개 배치된 스파이럴 콘택터를 마이크로 비아홀을 갖는 프린트 기판의 표면에 형성하는 제조 방법으로서, 금속판의 표면에 금속막을 형성하고, 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막에 스파이럴상 접촉자의 패턴을 노광 인화하여 현상하는 마스크 공정과, 상기 공정에서 노출된 금속 부분에 금속막을 실시하는 공정과, 상기 레지스트막을 제거하는 공정과, 상기 레지스트막을 인화하여 현상하고, 가이드 프레임을 성형하는 공정과, 상기 금속판을 박리하여 제거한 후 식각하여 금속막을 제거하는 공정과, 상기 프린트 기판 표면의 마이크로 비아홀의 개구부 주위면에 도전 접착제, 또는 솔더링 페이스트를 도포하고, 마이크로 비아홀의 개구 위치에 스파이럴상 접촉자를 배치하여, 압착하는 접착 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
이와 같이 포토리소그래피 기술을 채용한 제조 방법에 의해, 마이크로 비아홀을 갖는 프린트 기판이더라도, 스파이럴상 접척자를 복수개 배치한 스파이럴상 콘택터를 고정밀도, 고밀도, 협피치로 제조할 수 있다.
이어서, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명하기로 한다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태를 설명하기 위한 스파이럴 콘택터(1)의 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A 단면도이다.
도 1에 있어서, 본 도면의 구상 접속 단자의 간격은, 피치 0.4mm로 배열한 것이다. 스파이럴 콘택터(1)는, 반도체 디바이스의 배면에 격자 모양·바둑판 모양으로 배치된 구상 접속 단자에 맞추어 배치한 복수개의 스파이럴상 접촉자(2)로 이루어지며, 개개의 스파이럴상 접촉자(2)의 외주는 원형으로 하지만, 내면에는 나선상의 접촉자를 가지고 있다. 또한, 본 발명의 스파이럴 콘택터(1)에 의하면, 구상 접속 단자의 간격은, 보다 작은 피치에서도 대응 가능하다.
도 2에 있어서, 스파이럴상 접촉자(2)는, 자연상태에서는 평탄상의 스파이럴이다. 도 3은, 피검사체인 반도체 디바이스(8)의 구상 접속 단자(7)을 스파이럴상 접촉자(2)에 콘택시킨 상태를 나타내는 단면도이다. 반도체 디바이스(8)의 구상 접속 단자(7)가 스파이럴상 접촉자(2)를 가압하면, 스파이럴상 접촉자(2)의 중앙부로부터 외측으로 접촉을 넓히고, 나선부는 오목하게 플렉서블 볼을 끌어안도록 변형된다. 스파이럴상 접촉자(2)는 구상 접속 단자(7)에 나선상으로 권취되므로, 접촉 길이가 길고 확실하게 접촉됨과 동시에, 이물질의 부착이 있어도 구상 접속 단자(7)의 구면을 따른 슬라이딩 작용에 의해 이물질을 제거하고, 안정된 통전 접촉이 가능하다.
또한 스파이럴상 접촉자(2)는, 구상 접속 단자(7)의 구면에 스파이럴상 접촉자의 모서리(2a)가 가압되면서 슬라이딩되고, 구상 접속 단자(7)의 구면상의 산화막에 홈을 형성하여, 확실한 통전을 행할 수 있다.
또한, 종래의 접촉자 하나에 대한 가압력은, 5∼15g인 것에 비해, 본 발명의 스파이럴상 접촉자 하나에 의한 가압력은, 0.8∼1.5g이고, 약 1/10의 가압력으로 안정된 통전 접촉이 가능하다.
예컨대, 1000 개의 접촉자를 갖는 종래의 디바이스의 경우, 가압력은 1Okg이 필요한 데 비하여, 본 발명의 스파이럴상 접촉자를 채용한 디바이스의 가압력은 1 kg이면 되고, 보다 경량인 구성에서의 설계도 가능하다.
스파이럴상 접촉자(2)의 제조 방법은, 실시예에서 설명하겠지만, 광이나 전자 빔을 사용한 사진 인쇄 기술(리소그래피)에 의해 행하기 때문에, 미세 가공이 가능하지만, 레이저 가공이나 기타의 미세 가공으로 행하여도 된다.
도 2, 도 3은 본 발명의 제2 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.
스파이럴상 접촉자(2)의 하부공(3)은 공동이고, 공간이기 때문에, 구상 접속 단자(7)의 가압으로 스파이럴상 접촉자(2)의 변형을 가능하게 하고 있다.
다시 말하면, 도 2, 도 3과 같이, 통칭 관통홀이라 불리는 구멍을 설치하고, 그 개구부에 스파이럴상 접촉자(2)를 배치하면 된다.
도 2는 본 발명의 제3의 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 2에 있어서, 스파이럴상 접촉자(2)의 하부의 절연 기판(6)에는, 예컨데 내경φ 0.3mm의 관통홀(3)이 있다. 관통홀(3)의 내면에 동 도금(4)를 실시하고, 도전부를 형성함으로써 스파이럴상 접촉자(2)와 접속부(5)는 직접 접속이 가능하게 되고, 수직 배선 방식의 통전 회로가 된다.
도 4, 도 5는 본 발명의 제4 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는, 스파이럴상 접촉자(2)의 근방에 콘덴서(10)를 배치한 평면도이고, 도 5는 그 B-B 단면도이다. 도 4에 있어서, 특정한 스파이럴상 접촉자(2)의 근방에 4개의 관통홀을 설치하고, 콘덴서(10)를 매설하고 있다.
도 5에 있어서, 콘덴서(10)는, 모든 스파이럴상 접촉자(2)에는 필요없고, 몇군데의 배치로 효과를 발휘한다.
또한, 콘덴서(10)는 시판물을 이용하여도 되며, 절연 기판 내에 유전체를 충전하여 양단에 전극을 붙인 콘덴서에서도 기능한다.
도 6, 도 7, 도 14는 본 발명의 제5 실시 형태를 설명하기 위한 도면으로, 스파이럴 콘택터(1)의 각 단면도이다.
도 6은 관통홀(3)의 내면에 동도금(4)를 실시하고, 관통홀에 탄성체(11)를 충전한 후, 스파이럴상 접촉자(2)와 접속부(5)에 의해 상하 양단의 관통홀(3)을 막은 도면이다. 여기서의 탄성체는, 실리콘계 탄성체(탄성중합체)이지만, 폴리이미드계 수지, 에폭시계 수지 또는 이 이외의 것이어도 된다.
도 7은 스파이럴상 접촉자(2) 상에 반도체 디바이스(8)의 구상 접속 단자(7)가 접촉된 상태를 나타내는 단면도이다 .도 14는 탄성체를 탄성막(11)으로 한 방법을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제6 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 스파이럴상 접촉자(2)의 평면도를 확대한 것이고, 이 제6실시 형태에서는, a∼f의 각 폭 치수는, a>b>c>d>e>f의 관계가 성립하는 형상으로 하고, 선단으로 갈수록 폭이 좁아져 있다.
도 9, 도 10은 본 발명의 제7 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 스파이럴상 접촉자(2)의 단면도이고, 도 l0은 스파이럴 콘택터(1)의 사시도이다.
도 9에 있어서, 가이드 프레임(12)의 높이는, 40∼180 ㎛이고 개구부에 테이퍼를 설치하고, 구상 접속 단자(7)가 삽입되기 쉽도록 가이드하고 있다. 가이드 프레임(12)은 이 밖에, 각 구상 접속 단자(7)에 의한 눌려서 들어오는 량을 제한하는스토퍼의 역할도 한다.
도 10에 있어서, 각 스파이럴상 접촉자(2) 상에는 테이퍼의 개구부를 갖는 가이드 프레임(12)이 배치되어 있다. 가이드 프레임(12)은, 반도체 디바이스나 패키지의 구상 접속 단자(7)를 스파이럴상 접촉자(2)에 위치 정합하기 쉽게 하기 위한 가이드이고, 절연 기판 상에 설치되어 있다.
도 11a는 본 발명의 제8 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 11a는 스파이럴상 접촉자(2)를 볼록형으로 한 형상을 나타내는 단면도이다. 스파이럴상 접촉자(2)의 볼록 형상은, 접속부(5)의 동판을 볼록형으로 소성 변형시킴으로써 탄성체(11)의 중앙부가 밀려나오면서 형성된다.
이 볼록형 스파이럴상 접촉자(2)는, 단자 형상이 구상 접속 단자(7)와는 다른 본딩패드(13)에 최적이다.
또한, 도 11b는 또 하나의 수단을 설명하기 위한 분해도이고, 도 11c는 조립후의 단면도이다.
도 11b에 있어서, 관통홀(3)을 설치한 절연 기판상에 스파이럴상 접촉자(2)를 형성하고, 구상으로 성형한 탄성체(11a)를 삽입하여, 프린트 기판(33)으로 봉인한다.
그러면, 도 11c에 도시한 바와 같이, 스파이럴상 접촉자(2)는 구상의 탄성체(11a)에 의해 가압되어 볼록 형상을 갖는 스파이럴상 접촉자(2)를 얻을 수 있다.
또한, 볼록형의 스파이럴상 접촉자(2)는 도 11a 내지 도 11c에 도시한 수단에 의한 것에 한정되는 것은 아니며, 코일 스프링에 의해 볼록형으로 하여도 된다.
도 12는, 본 발명의 제9 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는, 반도체 검사 장치인 소켓(15)에 BGA, CSP의 반도체 디바이스(8) 또는 패키지를 장전한 상태의 단면도이다. 소켓(15)의 개구부에는 러프 가이드로서 경사가 있는 가이드부를 가지며, 반도체 디바이스(8) 또는 패키지를 장전하기 쉽도록 연구되어 있다. 또한 피검사체의 구상 접속 단자(7)는, 가이드 프레임(12)에 의해 가이드되어, 스파이럴상 접촉자(2) 상에 떨어뜨려 넣어진다. 이어서, 커버(16)를 셋트함으로써 플랜져(17)는, 피검사체의 중앙부를 가압하여 셋트가 완료된다.
본 발명에서의 센서(14)는, 소켓(15)에 매설되어 있고, 피검사체의 압입량을 검지한다. 즉, 센서(14)의 기능은, 소켓(15)에 반도체 디바이스(8)를 장전하고, 커버(16)을 셋트한 경우, 그 간극(e)을 검지하는 것으로, 정상 위치에서의 셋트인 것을 사전에 확인하는 것이다. 또한, 이 센서(14)는, 예컨데 광학식 근접 스위치이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 13, 도 14, 도 15는, 본 발명의 제10 실시 형태를 설명하기 위한 도면이고, 소켓에 장전한 상태의 단면도와 그 단면도의 일부 확대도와 사시도이다. 도 13에 있어서, 본 발명은, 씨일(19)을 갖는 것을 특징이라고 한다. 씨일(19)은, 환상의 홈(18)에 삽입된 환상의 형상이다. 도 13의 씨일(19)은, 예컨데 0-링으로 하지만, 0-링에 한정되는 것은 아니며, 가스켓과 같은 씨일재나 겔상의 씨일제 등 기밀성이 확보된다면 다른 것, 다른 방법으로 해도 된다. 소켓(15)과 반도체 디바이스(8)는, 둘레가 씨일(19)에 의해 기밀성이 확보되므로, 기밀실(20)이 형성된다.
도 14는, 도 13의 공기 배기구(21)를 포함하는 부분을 확대한 단면도이다. 탄성체(11)는 탄성막으로 하고, 기밀성이 확보되어 있다. 공기 배기구(21)는, 스파이럴상 접촉자(2)의 주변에 복수개 배치되어 있고, 소켓(15)과 피검사체인 반도체 디바이스(8)의 가압은, 공기 배기구(21)로부터 기밀실(20)의 공기를 뺌으로서, 양자가 균등한 흡착력에 의해 접촉한다. 즉, 종래의 기계식 가압법을 대신하는 진공식 흡착법이다. 따라서, 상기 도 12에서의 커버(16)와 플랜져(17)에 해당하는 가압부품은 불필요하게 된다. 또한, 상기 공기 배기구(21)는 양자의 밀착을 해제할 때, 반대로 공기를 공급하는 공기 공급구가 된다.
도 15는, 가이드 프레임(12)에 설치한 공기 배기구(21)의 배치를 나타내는 사시도이다. 가이드 프레임(12)에는 복수개의 공기 배기구(21)가 설치되어 있다.
또한, 도 16a 및 도 16b, 도 17도 본 발명의 제10 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.도 16a는, 복수개의 반도체 디바이스(8) 또는 웨이퍼 레벨의 칩(24)을 장전하는 소켓(15)의 단면도이고, 도 16b는 장전한 후의 소켓(15)의 단면도이다. 양자의 가압법은 진공식 흡착법이다. 도 17은, 그 평면도에서 플랜져(17)의 배치를 나타낸다. 도 17에 있어서, 예컨데, 반도체 디바이스(8a)의 경우에서는, 3개의 플랜져(17a, 17b, 17c)가 셋트되어 횡방향의 위치 결정을 행하고, 3개의 플랜져(17d, 17e, 17f)가 셋트되어 종방향의 위치 결정을 행한다.
도 l8은, 본 발명의 제11 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 18a 및 도 18b는, 청구항 11에 따른 진공식 흡착법의 공압회로도이고, 도18a는, 피검사체인 반도체 디바이스(8)가 이탈된 경우, 도 18b는 피검사체인 반도체 디바이스(8)의 흡착의 경우이다.
도 18b에 있어서, 피검사체가 장전된 경우, 솔레노이드 진공관(전자 밸브)을 온(ON)하면 전자 밸브는, 여자되어 포트가 절환되고, 「P」와「A」가 연결되어, 진공 펌프에 의해 피검사체와의 기밀실의 공기가 흡인되고, 피검사체는 흡착되어, 압력 센서가 온(ON) 된다.
도 18a에 있어서, 피검사체를 이탈시키는 경우는, 전자 밸브를 오프(OFF)하면, 탄성력에 의해 포트가 되돌아오고, 진공부에 에어가 들어가 흡착이 해제된다. 또한, 이 압력 센서는, 전자식 압력 스위치이지만, 다른 방식의 센서로 하여도 된다.
도 19a 및 도 19b는, 본 발명의 제12 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 19a는, 웨이퍼를 웨이퍼 마운트용 UV 테이프(25)에 부착하고, 다이싱(컷트)한 후, 그 상태로, 반도체 검사 장치인 프로브 카드(27)을 장전하기 전을 나타내는 단면도이고, 도 19b는, 장전 후를 나타내는 단면도이다. 양자의 가압법은 진공식 흡착법이다. 종래의 프로브 카드에 의한 검사는, 다이싱 전의 웨이퍼에 한정되고 있는데, 본 발명의 프로브 카드(27)에서는 다이싱한 후인 것에 대응 가능하다. 그 이유는, 다이싱에 의해 미소한 위치 일탈이 발생하여도 가이드 프레임(12)에 의해 구상 접속 단자를 가이드하는 위치 결정 기능이 부가되었기 때문이다.
도 20a 및 도 20 b는, 웨이퍼 레벨에서의 종래의 공정(a)와 본 발명의 공정(b)을 비교한 플로우차트이다. 도 20a에 있어서, 프로브 카드를 사용한 경우의검사 공정은, 다이싱 전의 검사인 웨이퍼 프로빙(3a)이라 불리는 검사 공정과, 팩킹·출하 전의 핸들러(9a)에 의한 검사가 2회 필요하다. 이 이유는, 웨이퍼 다이싱(5a)의 공정에 의해 불량품이 나올 가능성이 있기 때문이다. 이에 대하여, 본 발명의 공정인 도 20b는, 웨이퍼 다이싱(5a) 후의 칩 프로빙(6b)이라 하는 검사 공정에 의한 1회의 검사로 종료가 된다.
도 21, 도 22는, 본 발명의 제13 실시 형태를 설명하기 위한 단면도이다. 도 21에 있어서, 스파이럴상 접촉자(2)는, 절연 기판(6)의 양면에 배치되어 있다. 도 22에 있어서, 더블 콘택의 상면에 접촉하는 것은 반도체 디바이스(8)이고, 하면에 접촉하는 것은 커넥터(26)의「웅(雄)」의 기능을 갖는 메탈 볼(7a)이다. 하면의 커넥터(26)는 셋트된 상태에서 계속 고정되고, 상면의 반도체 디바이스(8)만을 교환하는 것이다.
또한, 스파이럴상 접촉자(2)의 양면 배치는, 도 21과 같이, 절연 기판(6)의 일면에 배치하고, 그것들을 중합하여 도전 접착제로 접착하고, 양면 배치로 해도 되며, 도 22와 같이 일체형으로 해도 된다.
도 23a 및 도 23b는 본 발명의 제14 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 23a는, 양면의 스파이럴 콘택터에 접속하기 전의 모식도이고, 접속하는 상하의 상대는, PWB(Printed Wire Board)(33)의 프린트 기판이다. 도 23b는, PWB(33)와 접속한 상태를 나타내는 전자 부품(31)(예컨데 커넥터)의 확대한 단면도이다. 이에 따라, 소형, 극박, 경량인 전자 부품을 실현할 수 있고, 고주파 전기 특성이 뛰어나며, 고밀도 실장이 가능해진다.
종래의 핀 방식에 의한 커넥터의 최소 두께가 5 mm임에 반하여, 본 발명의 스파이럴 콘택터에 의한 커넥터의 두께는 1 mm이고, 1/5의 박형이 가능하므로, 고주파 전기 특성은 크게 개선될 수 있고, 또한 고밀도 실장을 가능하게 한다.
도 24a 및 도 24b는 본 발명의 제15 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 24b는, 커넥터 케이블(32)의 적어도 일방의 단부에는 스파이럴 콘택터가 배치된 전자 부품(31)(예컨데 커넥터)와 접속한 확대 단면도이고, 도 24a는,접속하기 전의 상태를 나타내는 모식도이다. 스파이럴 콘택터 채용에 의해, 상기와 같이 고주파 전기 특성을 대폭적으로 개선한 전자 부품을 제공할 수 있다. 또한, 스파이럴 콘택터가 배치된 전자 부품(31)은, 일단부에 구비되는 것에 한정되지 않고 양단에 있어도 된다.
청구항 16에 따른 스파이럴 콘택터(1)의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 25∼32는, 스파이럴 콘택터(1)의 제조 공정에 대하여 설명한 단면도이다.단, 절연 기판(6)의 관통홀(3)에는 탄성체(11)를 충전한 경우를 나타낸다. 이후 공정순으로 설명하기로 한다.
도 25에서는, 절연 기판(6)은 두께 0.3t의 글래스 에폭시(FR-4)이고, 그 양면에 두께5∼18 ㎛의 동도금(4)을 행한다.
도 26에서는, 드릴로 구멍(통칭 관통홀)(3)을 뚫고, 전면에 동도금(4)을 행함으로써, 관통홀(3)의 내면에 수직 배선 방식의 통전 회로를 설치한다.
도 27에서는 관통홀(3)에 탄성체(실리콘계 탄성중합체)(11)를 충전하고, 표면 가공으로 요철을 제거한다.
도 28에서는, 전면에 동도금(4)을 행한다.
도 29에서는, 상면에는 스파이럴상 접촉자의 형상, 하면에는 원형의 식각 마스크를 씌운다.
도 30에서는, 전면을 식각하고, 스파이럴상 접촉자(2)를 형성한다.
도 31에서는, 상면과 하면에 니켈 도금(29)을 행한다.
도 32에서는, 커버 레이 처리에 의해 가이드 프레임(12)을 형성한다.
이상의 가공 순서에 따르면, 스파이럴 콘택터의 제작이 가능하다.
도 33a 및 도 33b는, 스파이럴상 접촉자(2)를 소켓(40)에 채용한 실시예를 나타낸다. 도 33a는, 전자 부품(41)을 소켓(40)에 장착하는 상태를 나타내는 모식도이고, 전자 부품(41)의 하면에는 구상 접속 단자(7)가 복수개 배치되어 있고, 대향하는 소켓(40)의 상면에는 스파이럴상 접촉자(2)가 복수개 배치되어 있다.
도 33b는, 전자 부품(41)이 소켓(40)에 장착된 상태의 모식도이다. 도 33b는, 전자 부품(41)의 구상 접속 단자(7)가 소켓(40) 상의 가이드 프레임(12)에 의해 가이드되고, 위치 결정되고, 스파이럴상 접촉자(2)가 가압되어 접촉하고, 클램퍼(42)의 선단의 후크부에 고정된다.
도 34a 및 도 34b는, 스파이럴상 접촉자(2)를 전자 부품(43)에 채용한 실시예를 나타낸다.
도 34a는, 전자 부품(43)을 소켓(40)에 장착하는 상태를 나타내는 모식도이고, 전자 부품(43)의 하면에는 스파이럴상 접촉자(2)가 복수개 배치되어 있고, 대향하는 소켓(40)의 상면에는 구상 접속 단자(7)가 복수개 배치되어 있다.
도 34b는, 전자 부품(43)이 소켓(40)에 장착된 상태의 모식도이다. 도 34b는, 전자 부품(43)의 스파이럴상 접촉자(2)가 가이드 프레임(12)에 의해 가이드되고, 위치 결정되며, 구상 접속 단자(7)가 스파이럴상 접촉자(2)에 가압되어 접촉하고, 클램퍼(42)의 선단의 후크부에 고정된다.
도 35a 내지 도 35c는, 상기와 같이 스파이럴상 접촉자(2)를 소켓(40)에 채용한 실시례를 나타내는 모식도이고, 도 35a가 평면도, 도 35b가 정면도, 도 35c가 우측면도이다. 도 35b에 도시한 바와 같이, 프린트 기판(33)에 소켓(40)이 만들어져 실장되어 있다. 도 35a에 도시한 바와 같이, 소켓(40)의 내부에는 스파이럴상 접촉자(2)가 정연하게 배치되고, 주위가 소켓 가이드(56, 56, 57, 57)로 둘러 싸여 있고, 소켓 가이드(56, 56)는 개폐 자유 가능하게 되도록 탄성체의 얇은 SUS판으로 형성되어 있다. 소켓 가이드(56, 56)의 양 싸이드에는 돌기부(58, 58)가 형성되어 있고, 탈착의 경우는, 전용 도구(미도시)로 간단히 탈착 가능하게 되어 있다.
도 36a 내지 도 36c는, 전자 부품(41)이 소켓(40)에 장착된 상태를 나타내는 모식도이고, 도 36a가 평면도, 도 36b가 정면도, 도 36c가 우측면도이다. 장착시, 전자 부품을 그대로 밀어 넣음으로써 소켓 가이드(56)가 2점 쇄선으로 도시한 바와 같이 외측으로 기울어져서 개구되고, 전자 부품(41)의 구상 접속 단자(7)는, 소켓(40)상의 가이드 프레임(12)에 의해 가이드, 위치 결정되며, 스파이럴상 접촉자(2)에 가압되어 접촉하고, 탄성가압력에 의해 원래대로 되돌아오는 돌기부(58, 58)에서 고정된다.
청구항 17에 따른 스파이럴 콘택터(1)의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 37a 내지 도 37h는, 프린트 기판(33)의 상면에, SUS 박판(46)에 형성한 스파이럴상 접촉자(2)를 전사하여 형성하는 실시예를 나타내는 공정도이다.
그 제작 공정을 설명하기로 한다.
도 37a에서는, SUS 박판(46)에 동도금(4)을 형성하고, 그 위에 레지스트막 필름(61)을 붙힌다. 여기서의 레지스트막 필름(61)은 드라이 필름이고, 감광제여도 된다.
도 37b에서는, 인화, 현상하여, 레지스트막 필름(61)을 스파이럴상 접촉자(2)의 형상을 공동으로 하도록 오목하게 형성한다.
도 37c에서는,그 위에 니켈 도금(29)을 행한다.
도 37d에서는, 레지스트막 필름(61)을 약품(용제)으로 제거한다.
도 37e에서는, 레지스트막 필름(61)을 두께 50 ㎛로 도포한다.
도 37f에서는, 레지스트막 필름(61)을 인화하고, 현상하여 가이드 프레임(12)을 성형한다.
도 37g에서는, SUS 박판(46)을 박리하고, 제거한 후, 식각하여 동도금(4)을 제거한다.
도 37h에서는, 프린트 기판(33)의 상부에 도전 접착제(48)를 도포하여 붙힌다.
이상의 가공 순서에 따르면, 스파이럴 콘택터의 제작이 가능하다.
청구항 18에 따른 스파이럴 콘택터(1)의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다
도 38a 내지 도 38g는, 프린트 기판(33)의 양면에 스파이럴 콘택터가 배치된 제조 공정에 대하여 설명하는 공정도이다. 공정순에 따라 설명하기로 한다.
도 38a에서는, 표면에 두께 18 ㎛의 동박(4')이 부착되어 두께 0.05 mm의 폴리이미드인 절연 기판(63)의 표면에, 레지스트막 필름(61)을 첩부한다. 또한, 인화, 현상하여 레지스트막 필름(61)을 스파이럴상 접촉자(2)의 형상을 공동으로 하도록 오목하게 형성한다.
도 38b에서는, 도금법으로 니켈 도금(29)을 실시한다.
도 38c에서는, 레지스트막 필름(61)을 약품(용제)으로 제거한다.
도 38d에서는, 동박(4')을 식각에 의해 제거한다.
도 38e에서는, 레이저로 폴리이미드인 절연 기판(63)을 스파이럴상 접촉자(2)에 형성하고, 한 번 더 요부에만, 레지스트막 필름(61)을 첩부한다.
도 38f에서는, 전면을 동의 무전해 도금(4)을 실시하고, 그 위에 니켈 도금(29)을 실시한다. 그리고, 레지스트막 필름(61)을 약품(용제)으로 제거하여, 스파이럴상 접촉자(2)를 배치한 스파이럴 콘택터가 완성된다.
도 38g에서는, 코어가 되는 프린트 기판(33)의 양면에 도전 접착제(48)를 도포하고, 전(前) 공정에서 만들어진 스파이럴상 접촉자(2)를 배치한 스파이럴 콘택터를 첩부하여 고착시킨다. 또한, 프린트 기판(33)의 양면의 스파이럴상 접촉자(2)의 배치가 다른 경우는, 본 실시예를 본 따 하면용을 제작해도 무방하다. 또한 도전 접착제(48) 대신에 솔더 페이스트를 사용해도 된다.
이상의 가공 순서에 따르면, 프린트 기판(33)의 양면에 배치한 스파이럴 콘택터의 제작이 가능하다.
청구항 19에 따른 스파이럴 콘택터(1)의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다
이어서 도 39a 내지 도 39e는, 도전 접착제를 사용하지 않고 스파이럴 콘택터를 장착한 실시예이고, 절연 기판(63) 상에 스파이럴 콘택터가 만들어지는 순서를 나타내는 공정도이다. 공정순으로 설명하기로 한다.
도 39a에서는, 양면에 두께 18 ㎛의 동박(4')이 첩부된 폴리이미드인 절연 기판(63)의 상면에, 그 상면에 두께 38 ㎛의 동판을 첩부하고, 또한, 레지스트막 필름(61)을 가열 압착하여 첩부한 후, 인화, 현상하고, 레지스트막 필름(61)에 스파이럴상 접촉자(2)의 형상을 만든다.
도 39b에서는, 식각에 의해 스파이럴상 접촉자(2)의 형상을 남겨 제거한다.
도 39c에서는, 레이저로 하면으로부터 폴리이미드인 절연 기판(63)을 제거한다.
도 39d에서는, 요부에 레지스트막 필름(61)을 첩부하고, 무전해 동도금(4)를 행한 후, 니켈 도금(29)을 거듭한다.
도 39e에서는, 레지스트막 필름(61)을 제거한 후, 동도금(4)를 식각에 의해 제거한다.
이상의 가공 순서에 따르면, 관통홀 상에 스파이럴상 접촉자(2)를 배치한 스파이럴 콘택터의 제작이 가능하다.
청구항 20에 따른 스파이럴 콘택터(1)의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 40a 및 도 40b는, 프린트 기판(45)의 표면(47)에 형성된 마이크로 비어(51)의 개구부에, 스파이럴상 접촉자(2)를 설치한 실시예를 나타내는 공정도이다. 마이크로 비어(51)란, 빌드업된 다층 구조의 프린트 기판(45, 45, 45)의 층간을 접속하기 위한 접속 회로이다. 본 실시예는 마이크로 비어(51)의 개구부에 스파이럴상 접촉자(2)를 설치함으로써 마이크로 비어(51)과 관통홀을 겸용할 수 있고, 보다 얇게 할 수 있다.
그 제작 공정을 설명하기로 한다.
도 40a에서는, 상기 도 37a 내지 도 37f까지 같은 공정으로 제작한 후, SUS판(46)을 박리하고, 제거한 후, 식각에 의해 동박(4')을 제거한다.
도 40b에서는, 마이크로 비어(51)의 표면(47)에 도전 접착제(48)를 도포하여 고착시킴으로써, 도면과 같이 마이크로 비어(51)의 개구부에, 스파이럴상 접촉자(2)를 설치할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 다음의 여러 효과를 실현할 수 있다.
청구항1에 기재된 발명에 의하면, 스파이럴 콘택터의 효과는,
1. 스파이럴상 접촉자이므로, 종래의 방식에 비해 접촉점이 길고, 또한 접촉 위치가 많기 때문에 이물질의 부착에 의한 접촉 불량의 영향을 받기 어렵고, 높은신뢰성의 검사 장치의 실현이 가능하다.
2. 구상 접속 단자의 형상에 대응하여 변형하고, 구상 접속 단자에 감기는 형태로 접촉하기 때문에, 구상 접속 단자에 상처나 변형 등의 데미지를 미치게 하지 않는다.
3. 구상 접속 단자의 직경, 위치에 불균일이 있더라도 권취에 영향을 받지 않으므로, 확실한 접촉이 확보된다.
4. 반도체 디바이스, 패키지까지의 거리가 짧아지므로, 고주파 신호에 유리하다.
5. 관통홀의 개구부에 스파이럴상 접촉자를 배치함으로써, 스페이스 효율이 뛰어나고, 고밀도의 구상 접속 단자의 배치에 대응할 수 있다.
6. 검사 장치의 하나인 소켓에 대해서도 소켓 실장 밀도를 올릴 수 있다. 이하 효과를 정리하면,
a. 칩 사이즈인 베어칩 대응 소켓이 가능하다.
b. 칩 트레이의 밀도와 동등한 소켓이 가능하다.
c. 소켓의 밀도가 트레이 레벨로 높게 됨으로써, 복수의 소켓화가 가능해지고, 코스트 저감 효과에 연결된다.
d. 고밀도로 스페이스 효율이 높은 번인 보드가 가능하다.
e. 칩 트레이로부터 직접 번인 보드로 칩의 이동이 가능해지며, 작업 효율이 비약적으로 향상한다.
청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 스파이럴 접촉자의 하부의 오목부 또는관통홀에 의한 공간에 의해 충분한 변형이 가능하다.
청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 수직 배선 방식에 의한 통전 회로의 형성에 의해 배선 스페이스를 최소화할 수 있으므로 구상 접속 단자의 고밀도화로의 대응이 가능하다.
청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 스파이럴 콘택터는, 스파이럴상 접촉자의 근방에 1개 또는 복수개의 콘덴서를 설치하고, 스파이럴상 접촉자에 접속함으로써, 고속 신호 처리 회로에서의 전원의 순간적인 전압 강하에 대응할 수 있으므로, 전기 신호의 전달 트러블을 미연에 방지할 수 있고, 검사 장치의 신뢰성이 향상된다.
청구항 5에 기재된 발명에 의하면, 오목부 또는 관통홀에 탄성체를 충전, 또는 관통홀의 개구부에 탄성막을 배합함으로써, 스파이럴상 접촉자의 하강을 보조하고, 구상 접속 단자에 의한 가압의 해제 후, 스파이럴상 접촉자의 복원을 보조할 수 있고, 내구성을 향상시킬 수 있다. 또한 기밀성을 확보할 수 있다.
청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 스파이럴상 접촉자는, 근원으로부터 선단으로 갈수록 폭을 가늘게 함으로써 굽힘 응력을 분산할 수 있고, 내구성이 있는, 고수명의 접촉자가 가능하다.
청구항 7에 기재된 발명에 의하면, 가이드 프레임의 설치에 의해, 구상 접속 단자는 가이드 프레임의 개구부로 하강 결합하기 쉽고, 각 스파이럴상 접촉자에 위치 정합하기 쉬워지므로, 장전 시간의 단축이 가능하다. 또한 가이드 프레임의 상면이 스토퍼의 역할을 하게 되고, 볼의 압입량을 제한함으로써, 스파이럴상 접촉자의 고수명화가 가능하다.
청구항 8에 기재된 발명에 의하면, 본 발명의 볼록형의 스파이럴상 접촉자에 의해 본딩 패드형상과 같은 플랫면을 갖는 접속 단자에는, 플랫면과 구면의 조합에 의해 양호한 접촉이 가능하다.
청구항 9에 기재된 발명에 의하면, 센서의 채용에 의해 소켓에 반도체 디바이스의 패키지가 정상 위치에 장전되었는지의 여부가 사전에 에러 정보로서 취출가능하므로 신뢰성이 향상되고, 자동화가 가능해진다.
청구항 10에 기재된 발명에 의하면, 검사 장치(소켓)와 피검사 장치(패키지 등)과의 사이에 씨일을 가지며, 양자 사이의 공기를 빼내는 진공식 흡착법으로 함으로써 가압 부품이 불필요하게 되므로, 가압 부품의 장착 작업이 불필요하게 되고, 장전 시간이 단축된다. 또한 이 기술에 의해 자동화가 가능하게 된다.
청구항 11에 기재된 발명에 의하면, 절연 기판과 반도체 디바이스의 양자간의 공기를 빼냄으로써 공기압의 저하(변동)를 압력 센서에 의해 검지함으로써 신뢰성이 향상되고, 자동화가 가능해진다.
청구항 12에 기재된 발명에 의하면, 웨이퍼상의 칩의 검사에 있어서, 다이싱후의 검사(프로빙)를 가능하게 함으로써 종래의 2회의 검사를 1회로 줄일 수 있고, 검사 공정수의 반감이 가능하다.
청구항 13에 기재된 발명에 의하면, 더블 콘택에 의해, 스파이럴 콘택터가 파손된 경우나 교환이 필요할 때, 스파이럴 콘택터 부분만을 교환하면 되고, 국소적으로, 또한 간단히 착탈할 수 있으므로, 유지보수성이 뛰어나다.
청구항 14에 기재된 발명에 의하면, 스파이럴 콘택터의 더블 콘택 방식에 의해, 소형, 극박, 경량인 전자 부품이 가능해지고, 고주파 전기 특성이 뛰어나며, 고밀도 실장이 가능해진다.
또한 접속이 간단하고 용이하며, 부품수가 적기 때문에 원가 절감을 이룰 수 있다.
청구항 15에 기재된 발명에 의하면, 상기와 마찬가지로, 스파이럴 콘택터에 의해, 소형, 극박, 경량인 전자 부품이 가능해지고, 고주파 전기 특성이 뛰어나며, 고밀도 실장이 가능하다.
또한 접속이 간단하고 용이하며, 부품수가 적기 때문에 원가 절감을 이룰 수 있다.
청구항 16에 기재된 발명에 의하면, 포토리소그래피 기술을 채용한 제조 방법에 의해, 프린트 기판상에 스파이럴상 접촉자를 복수개 배치한 스파이럴 콘택터를 고정밀도, 고밀도, 협피치로 제조할 수 있으므로, 금후의 고정밀도화, 고밀도화, 협피치화에 대응 가능하다. 또한 경박, 극소이므로 원가를 절감할 수 있다.
청구항 17에 기재된 발명에 의하면, 가이드 프레임을 레지스트막에 의해 성형 가능하므로, 품질의 향상을 꾀할 수 있다. 또한 포토리소그래피 기술을 채용한 제조 방법에 의해, 관통홀을 갖는 프린트 기판에, 스파이럴상 접촉자를 복수개 배치한 스파이럴 콘택터를, 고정밀도, 고밀도, 협피치로 제조할 수 있으므로, 금후의 고정밀도화, 고밀도화, 협피치화에 대응 가능하다. 또한 경박, 극소이므로 원가를 절감할 수 있다.
청구항 18에 기재된 발명에 의하면, 폴리이미드로 이루어지는 절연 기판에레이저를 조사함으로써 금속부를 그대로 남길 수 있으므로, 스파이럴상 접촉자를 형성할 수 있다. 또한 포토리소그래피 기술을 채용한 제조 방법에 의해, 관통홀을 갖는 프린트 기판의 양면에, 스파이럴상 접촉자를 복수개 배치한 스파이럴 콘택터를, 고정밀도, 고밀도, 협피치로 제조할 수 있으므로, 금후의 고정밀도화, 고밀도화, 협피치화에 대응 가능하다. 또한 경박, 극소이므로, 원가를 절감할 수 있다.
청구항 19에 기재된 발명에 의하면, 도전 접착제, 또는 솔더링 페이스트를 사용하지 않는 제조 방법에 의해, 관통홀을 갖는 프린트 기판이더라도, 스파이럴상 접촉자를 복수개 배치한 스파이럴 콘택터를 포토리소그래피 기술을 채용한 제조 방법에 의해, 고정밀도, 고밀도, 협피치로 제조할 수 있으므로, 금후의 고정밀도화, 고밀도화, 협피치화에 대응 가능하다. 또한 경박, 극소이므로, 원가를 절감할 수 있다.
청구항 20에 기재된 발명에 의하면, 마이크로 비아홀을 갖는 프린트기판의 상면이더라도, 이 제조 방법에 의해, 스파이럴상 접촉자를 복수개 배치한 스파이럴 콘택터를 포토리소그래피 기술을 채용한 제조 방법에 의해, 고정밀도, 고밀도, 협피치로 제조할 수 있으므로, 금후의 고정밀도화, 고밀도화, 협피치화에 대응 가능하다. 또한 경박, 극소이므로, 원가를 절감할 수 있다.

Claims (20)

  1. 구상의 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과 전기적으로 접속하는 콘택터으로서, 상기 구상 접속 단자와 접촉하는 상기 콘택터의 평면형상이 스파이럴상 접촉자를 절연 기판상에 상기 구상의 접속단자와 접촉시, 해당 구상의 접속 단자의 형상에 대응하여 변형 가능하게 구비하고, 상기 반도체 디바이스 또는 전자 부품과 전기적 접속하도록 구성한 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 절연 기판은 상기 스파이럴상 접촉자의 하부의 오목부 또는 관통홀에 의해 상기 변형 가능하게 하는 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 관통홀 내를 수직 배선 방식의 통전 회로로 하는 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 스파이럴상 접촉자의 근방에 하나 또는 복수개의 콘덴서를 배치하고, 상기 콘덴서는 스파이럴상 접촉자에 접속하는 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 스파이럴상 접촉자의 하부에 탄성체 또는 탄성막을 배치하는 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 스파이럴상 접촉자의 나선부는, 근원으로부터 선단으로 나아감에 따라 폭이 좁아지는 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 절연 기판상에 배치한 상기 스파이럴상 접촉자의 주위에 가이드 프레임을 설치하는 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 절연 기판상에 배치한 상기 스파이럴상 접촉자의 형상을 볼록형으로 하는 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 스파이럴 콘택터를 이용한 반도체 검사 장치로서, 반도체 검사 장치에 피검사체인 구상의 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스가 정상 위치에서 장전되고, 정상적인 가압에 의해 접촉되었음을 검지하는 센서를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 반도체 검사 장치의 절연 기판에는 상기 반도체 디바이스에 밀착하는 씨일을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 반도체 검사 장치의 절연 기판과 상기 반도체 디바이스의 양자간의 공기를 발취함으로써 발생하는 공기압의 저하를 검지하여 신호를 발생시키는 공기압 검지 수단을 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  12. 제 9 항에 있어서, 웨이퍼를 다이서에서 다이싱한 후의 각 반도체 디바이스와 프로브 카드와의 위치 정합을 상기 다이싱한 상태 그대로 행하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  13. 제 9 항에 있어서, 스파이럴 콘택터를 절연 기판의 양면에 배치하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 스파이럴 콘택터를 이용한 전자 부품으로서, 스파이럴 콘택터를 절연 기판의 일면 또는 양면에 배치하는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
  15. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 스파이럴 콘택터를 이용한 전자 부품으로서, 스파이럴 콘택터를 커넥터 케이블의 적어도 일방의 단부에 구비한것을 특징으로 하는 전자 부품.
  16. 구상 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 행하는 스파이럴상 접촉자가 복수개 배치된 스파이럴 콘택터를 프린트 기판의 표면에 형성하는 제조방법으로서,
    절연 기판에 관통홀을 형성하고, 상기 절연 기판의 전면에 금속막을 형성하는 공정과,
    상기 관통홀에 탄성체인 탄성중합체를 충전하고, 표면 가공으로 탄성중합체의 요철을 제거하는 공정과,
    상기 관통홀의 적어도 탄성중합체가 노출된 부분에 금속막을 형성하는 공정과,
    상기 금속막을 형성한 절연 기판의 표면에는 스파이럴상 접촉자의 형상으로 식각 마스크를 씌우고, 하면에는 원형의 식각 마스크를 씌우는 공정과,
    상기 절연기판의 표면을 식각하여 스파이럴상 접촉자를 형성하는 공정과,
    상기 절연 기판의 표면에 이종의 금속박막을 형성하는 공정과,
    상기 절연 기판의 표면에 레지스트막을 형성하고, 커버 레이 처리에 의해 가이드 프레임을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터의 제조방법
  17. 구상 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을하는 스파이럴상 접촉자가 복수개 배치된 스파이럴 콘택터를, 프린트 기판의 표면에 형성하는 제조방법으로서,
    금속판의 표면에 금속막을 형성하고, 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막에 스파이럴상 접촉자의 패턴을 노광 인화하여 현상하는 마스크 공정과,
    상기 공정에서 노출된 금속 부분에 금속막을 실시하는 공정과,
    상기 레지스트막을 제거하는 공정과,
    상기 레지스트막을 다시 형성하는 공정과,
    상기 스파이럴상 접촉자를 노출시키고, 상기 레지스트막을 인화하여 현상하고, 가이드 프레임을 성형하는 공정과,
    상기 금속판을 박리하여 제거한 후 식각하여 금속막을 제거하는 공정과,
    상기 프린트 기판에 설치된 각 관통홀의 개구부에 각 스파이럴 접촉자를 배치하여 도전 접착제, 또는 솔더링 페이스트를 도포하고 나서 압착하는 접착 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터의 제조방법.
  18. 구상 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 행하는 스파이럴상 접촉자가 복수개 배치된 스파이럴 콘택터를 프린트 기판의 표면에 형성하는 제조방법으로서,
    표면에 금속막이 형성된 절연 기판의 상면에, 레지스트막을 형성하고, 또한,스파이럴상 접촉자의 형상을 인화, 현상하는 마스크 공정과,
    상기 마스크 공정에 의해 노출된 금속 부분에 이종의 금속막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막을 제거하는 공정과,
    상기 금속막을 식각에 의해 제거하는 공정과,
    상기 절연 기판을 레이저로 스파이럴상 접촉자로 형성하고, 다시 표면에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 절연 기판의 표면에 금속막을 형성하고, 그 위에 이종의 금속막을 형성하여 레지스트막을 제거하는 공정과,
    상기 프린트 기판의 관통홀을 갖는 표면에 도전 접착제, 또는 솔더링 페이스트를 도포하며, 관통홀의 개구부에 스파이럴 콘택터를 배치하여 압착하는 접착 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터의 제조방법.
  19. 구상 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 행하는 스파이럴상 접촉자가 복수개 배치된 스파이럴 콘택터를, 프린트 기판의 표면에 형성하는 제조방법으로서,
    절연 기판의 표면에 금속막이 형성된 그 상면에 금속막을 형성하고, 또한 레지스트막을 형성한 후, 인화, 현상하여 상기 레지스트막에 스파이럴상 접촉자의 형상을 형성하는 공정과,
    상기 스파이럴상 접촉자의 형상을 남기고 식각에 의해 금속막을 제거하는 공정과,
    상기 절연 기판을 레이저로 제거하는 공정과,
    상기 절연 기판의 표면에 다시 레지스트막을 형성하고, 금속막을 형성한 후, 이종의 금속막을 다시 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막을 제거한 후, 금속막을 식각에 의해 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터의 제조방법
  20. 구상 접속 단자를 갖는 반도체 디바이스 또는 전자 부품과의 전기적 접속을 행하는 스파이럴상 접촉자가 복수개 배치된 스파이럴 콘택터를 마이크로 비아홀을 갖는 프린트 기판의 표면에 형성하는 제조방법으로서,
    금속판의 표면에 금속막을 형성하고, 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막에 스파이럴상 접촉자의 패턴을 노광 인화하여 현상하는 마스크 공정과,
    상기 공정에서 노출된 금속 부분에 금속막을 실시하는 공정과,
    상기 레지스트막을 제거하는 공정과,
    상기 레지스트막을 인화하여 현상하고, 가이드 프레임을 성형하는 공정과,
    상기 금속판을 박리하여 제거한 후 식각하여 금속막을 제거하는 공정과,
    상기 프린트 기판 표면의 마이크로 비아홀의 개구부 주위면에 도전 접착제, 또는 솔더링 페이스트를 도포하고, 마이크로 비아홀의 개구 위치에 스파이럴상 접촉자를 배치하여, 압착하는 접착 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 스파이럴 콘택터의 제조방법.
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