TW200525309A - Microlithographic projection exposure apparatus and measuring device for a projection lens - Google Patents

Description

.200525309 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 —本發明乃關於用來製造高度整合電路和其他微形結構 二件的微钱印投影曝光設備。本發明尤其關於建構成浸沒 ‘作的ϋ曝光設備。本發明進—步提供決定投影透鏡之 成像性質的測量裝置。 【先前技術】 積體電路和其他微形結構元件通常是把多個結構層施 加於適當的基板（例如可以是矽晶圓）所製造。為了使諸層 結構化，首先覆蓋對給定波長範圍光線（例如在深紫外線 (deep ultFavi〇;[et，DUV)光譜範圍的光·線）敏感的光阻。披 覆的晶圓然後於投影曝光設備中加以曝光。由位在遮罩上 諸結構所組成的圖案則藉由投影透鏡而成像於光阻上。因 為成像比例一般小於1 : 1，所以此種投影透鏡經常稱為縮 小透鏡。 光阻顯景》之後’晶圓便接受蝕刻或沉積過程，藉此根 據遮罩上的圖案而將最上層加以結構化。然後從該層的剩 餘部份移除剩下的光阻。重覆此過程，直到諸層都已施加 於晶圓為止。 發展投景> 曝光設備的一個主要設計目的在於能夠以微 蝕印方式界定出尺度逐漸縮小的結構。小的結構導出高整 合密度，此一般對於使用此種設備製造微形結構元件的效 率乃造成有利的效應。 6 ^ 200525309 結構可以界定的尺寸尤其視所用投影透鏡的解析度而 定。因為投影透鏡的解析度隨著投影光線的波長變短而改 進：所以改善解析度的-種做法是使用波長愈來愈短的投 影光線。目前所用的最短波長是193奈米和157奈米，也 就是在深紫外線（DUV)光譜範圍。 改善解析度的另一種做法是依據以下概念：把高折射 率的浸沒液體引入位在投影透鏡成像側的最後透鏡與要曝 光的光阻或另一光敏層之間的空間裡。設計成浸沒操作的 投影透鏡因此也稱為浸沒透鏡，其可以達到大於丨（例如1.3 或1.4)的數值孔徑。然而，浸沒不僅可以達到高數值孔徑 與因而改善的解析度，同時也對聚焦深度造成有利的效 應。聚焦深度愈大，則對於晶圓精確定位於投影透鏡之成 像平面的要求也就比較不高。

從美國專利第4,346,164號便知道設計成浸沒操作的 投影曝光設備。為了容納晶圓，此已知的投影曝光設備具 有向上打開的容器，其上緣位置要比投影透鏡成像側之最 後透鏡的下邊界面來得高。用於浸沒液體的入口和出口管 線則連通於容器。這些管線則連接於幫浦、溫度穩定裝置 和淨化浸沒液體的過濾器。於投影曝光設備的操作期間， 浸沒液體乃以迴圈做循環。位在投影透鏡成像側之最後透 鏡的下邊界面與要曝光的半導體切片之間的浸沒空間，則 保持充滿了浸沒液體。 從WO 99/49504也知道具有浸沒安排的投影曝光設 備。在此投影曝光設備中，用於浸沒液體的供應和排放管 7 -200525309 線則直接連通於投影透鏡成像側之最後透鏡的下邊界面 上。其特別使用多個此種供應和排放管線，例如可以排列 圍繞成成像側之最後透鏡的環上，而可以省掉周圍的容 器。這是因為當浸沒液體側向流走時就被吸走，並且回饋 的方式是讓成像側的最後透鏡與光敏表面之間的浸沒空間 總是保持充滿了浸沒液體。 浸沒操作投影曝光設備的一項困難在於保持浸沒液體 • 7光學特性固定不變’至少在液體暴露於投影光線的地方 疋要如此。必須特別注意浸沒液體的吸收和折射率。吸收 率的局部擾動（例如可能由雜質所造成）會導致成像平面有 不想要的強度擾動。結果’即使成像沒有實質的像差，還 是可能發生線寬的擾動。 浸沒液體的折射率局部擾動具有特別不利的效應，這 是因為此種擾動直接損害了投影曝光設備的成像特性。如 ^浸沒液體的折射率在浸沒液體暴露於投影光線的體積中 I ^不均質的’則會造成通過浸沒空間的波前扭曲。舉例而 言’投影透鏡之物體平面上的點可能不再鮮明地成像於成 —液體的折射率與其密度有關。因為液體實質上不可屬 縮’所以其密度實際上與靜壓力無關，而幾乎專門盥液體 溫度㈣°因為這個緣故’暴露於投影光線之浸沒空間裡 :浸沒液體只有當其溫度固定不變時才能有均質的折射 率。再者，浸沒液體裡的溫度擾動不僅造成折射率的擾動， 问時也可使鄰近的光學元件（尤其是投影透鏡成像側的最後 8 .200525309 光學兀件）不均勻地加熱，因此元件變形的方式幾乎無法竭 正。 造成浸沒空間裡的溫度不均有很多原因。加熱浸沒液 體的主要原因是浸沒液體吸收投影光線。即使只有很小比 例的投影光線被浸沒液體所吸收，因為短波與因而是高能 投影光線遂造成比較高的熱量輸入。導致浸沒液體冷卻的 一種效應是浸沒液體於邊界表面處蒸發至周圍氣體。此 外，浸沒液體的溫度受到進出周圍固體之熱轉移的影響。 這些固體例如可能是投影透鏡之加熱的最後透鏡、其殼罩 或是要曝光的晶圓。 為了使溫度均勻，迄今已提議使浸沒液體循環於迴 路，亚且藉由溫度穩定裝置來建立想要的參考溫度。然而， 此種方式所旎達到的溫度分布均勻度經常不足。通常需要 比較高的流速，此可能導致擾流振動。另夕卜，高流速會促 進氣泡形成，此亦不利地影響成像性質。 者可以决疋此種投景夕透鏡之成像特性的測量裝置 也有類似的困難。如果要測量數值孔徑大於1的浸沒透鏡， 則亦必須把浸沒液體引入位在投影透鏡成像側的最後光學 7L件與測量裝置的測試光

子70仵之間的次沒空間裡。因為 、子於此種裝置的測量正確度有 A 刃 隹度有者極南的要未，戶斤以無法容 心π /又液體裡的不均質折射率。 容 内 明 發 此 本發明的目的是改進投影曝光設備和用於》 9 • 200525309 測1投影透鏡的測量裝置，以降低由浸沒液體裡之不均質 折射率所造成的成像缺陷。 此目的達到之處在於投影曝光設備和測量裝置包括熱 傳兀件’藉此則浸沒空間區域的溫度可以特定的方式來改 Μ 〇 本發明乃基於以下發現··如果以空間上特定方式把熱 里供應至或抽出自浸沒液體，則可以於浸沒空間裡達到想 要的/皿度刀布。一般而言，已知熱量轉移至浸沒液體或從 之逸散到周圍介質的位置和程度。如果仔細分析這些溫度 擾動的原因，則可能決定浸沒空間體積（其為投影光線所= 過）裡的浸沒液體預期會有的溫度分布（如果沒有採取額外 指轭來改雙溫度分布的話）。依據預期的溫度分布，然後可 、夬疋那裡必須供應或抽出熱量，如此建立想要的溫度分 布：一般來說，目標是要達成均勾的溫度分布。然而，也 可:考慮建立的溫度分布雖不均勻但有一定的對稱。舉例 I ’具有旋轉對稱之溫度分布的浸沒液體不會沒有折射 能力，卻可能具有折射透鏡的效果。 因為根據本發明對浸沒液體做局部加熱或冷卻，所以 ::果想要的話，可以省掉讓浸沒液體在包括溫度穩定安排 做連續循環。以此方式，避免了浸沒液體循㈣ 、力、6振，量裝置的情形下是特別有利。如果浸 連續的循環。此意言'::: 奐，則可以考慮不 沒液體才藉由幫浦加以循環，同時加以淨化以：視;要； 10 •200525309 甚至可以與根據本 用此種不連續的循 選擇額外冷卻或加熱。關於避免振動， 發明的熱傳元件毫無關聯地來有利使

Tffi. 如果想要有均勻的溫度分布，則通常會使熱傳元件排 列的對稱性對應於浸沒空間的對稱性。熱傳元件因此偏好 旋轉對稱的排列。在狭縫形光場的情況下（例如以設計為掃 描操作的投影曝光裝置來投影至晶圓上），熱傳元件也可以 ^ 做不同的排列，譬如對應於光場的幾何形態。 關於熱傳元件，任何適合藉由熱傳導或熱輻射而盥产 沒液體做熱交換的物體原則上都有可能。視熱量從献傳2 件通往浸沒液體或反之而定，浸沒液體遂發生局部加熱或 冷卻。

熱傳元件例如可以安排於浸沒空間裡，如此於浸沒操 作期間與浸沒液體接觸。在最簡單的例子中，熱傳元件則 是可以電加熱的加熱線，其最好覆以電絕緣的化學保護 層。此種加熱線的優點在於可以賦予實際上任何的形狀。 結果’熱量可以於浸沒空間裡而於投影光線通過的體積以 外的任何想要地方供應至浸沒液體。 因為投影光線一般由於吸收的緣故而產生比較大的孰 量輸入，戶斤以加熱線例如可以排列成圍繞著投影光線通過 之體積的環形組態。然後最好選擇熱量輸出，以使投影光 線通過之體積裡的溫度梯度降到最小。 如果線的直徑（做為額外的參數）是可變㈤，則可能更 精確地限定熱量輸人。以此方式，熱量輸出沿著加熱線的 * 200525309 縱向延伸也可以是可變的。 除了可以迅加熱的加熱線，也可以改成使用導管做為 熱傳元件’其中有流體加熱介質（例如加熱的或冷卻的水） 流過。在此情形下，也可以藉由變化流動截面來改變導管 縱向上的加熱或冷卻功率。 如果浸沒液體藉由側向圍住浸沒空間的壁而保存避免 逃逸’則熱傳元件也可以安排於此壁。於此情形下，也想 到可以電加熱之加熱線或者當中可以流過加熱介質之導管 的熱傳元件組態。以此方式，壁本身可以說形成了單一、 大的熱傳元件。 為了局部冷卻浸沒液體，可以使用Peltier元件做為埶 傳元件。 於特別有利的具體態樣中，熱傳元件與浸沒空間是以 達到下述效果的方式隔開：㉟量可以在熱傳元件與某區域 之間以熱輻射（例如紅外線或微波幅射）做交換。在此情形 下，熱傳凡件例如最好可以呈可以電加熱或冷卻之平面輻 射器的形式。輻射式熱傳優於傳導式熱傳的地方在於熱傳 凡件與浸沒液體之間不需要直接的實體接觸。熱傳元件因 此可以安排得離浸沒液體比較遠。在此具體態樣中，避免 了因安裝熱傳元件於狹窄之浸沒空間或相鄰空間所可能造 成的困難。 此具體態樣為了將熱輻射更選擇性地從熱傳元件導向 於浸沒液體，例如可以在熱傳元件與浸沒空間之間安排一 或更多個光學元件，例如反射鏡或透鏡，其改變熱輻射的 12 • 200525309 方向。藉由使用具有正折射倍率的光學元件，熱輻射可以 特定的方式聚焦於投影透鏡和晶圓之間的狹窄間隙哩，以 及可以聚焦於浸沒空間的所要區域上。 原則上’甚至可以安排一或更多個這類光學元件於投 影透鏡裡，以便將熱輻射導向於浸沒空間的所要區域上。 在此情形下，也可能把熱輻射龢合於投影透鏡的光束路徑 中，其|式使得該熱輻射與投影光線分別從投影透鏡成像 f侧的最後透鏡離開。若適當選擇光束路徑，則熱輕射專門 加熱圍繞著投影光線通過的體積之浸沒液體的一部分體 積’因此降低此體積邊緣的溫度梯度。那麼只必須確認光 阻對於熱輻射的波長不敏感。 為了以不接觸的方式測量浸沒液體裡的溫度，可以決 疋熱傳7L件的溫度’其中熱傳元件的溫度只會因為熱輻射 與浸沒液體做交換而改變。在這些條件下，給定已知的熱 量輸出和熱傳元件的溫度，則可以得到有關浸沒液體溫度 j的結淪。為了測量此種熱傳元件的溫度，它可以連接至熱 感測器。後者轉而可以於訊號上連接於控制裝置，該控制 裝置調節熱傳元件的加熱或冷卻輸出。 在投影曝光設備並非操作於掃描模式而是步進的情形 下，晶圓台座（其上可以固定光敏層的載具）可以考慮為安 ’根據本發明之熱傳元件的位置。以此方式，載具可以從 底下做局部加熱或冷卻。因此，位在载具之上的浸沒液體 、溫度也可以藉由熱傳導而改變。此組態也能提供冷卻浸沒 液體暴露於投影光線的體積。其他的冷卻措施一般都有困 13 .200525309 難’這疋因為此體積不論從上方或從側面都不容易接近。 根據本發明的另一方面，前述目的達到之處在於蒸發 阻障（其至少部份圍繞著浸沒空間）乃安排於投影透鏡面向 光敏層的底面上。 根據本發明此第二方面，導致浸沒空間裡形成溫度梯 度的主要原因之一已大大地消除。蒸發阻障避免浸沒液體 大程度地蒸發到周遭的氣體體積。 ^ 為此緣故，蒸發阻障例如可以包括一或更多個至少大 約同心的環，其譬如呈圓形或多邊形，而彼此排列成有段 距離。以此方式，則減少了對周遭氣體的邊界表面，如此 車父少浸沒液體會蒸發。 根據本發明的再一方面，浸沒液體是由外腔室所完全 地或至少部分地避免蒸發，該外腔室圍繞著浸沒空間且與 之流體相連，並且其可以富含浸沒液體的氣相。 藉由使此外腔室富含浸沒液體的氣相，可以增加外腔 ΐ 1裡的蒸氣壓，直到幾乎沒有任何浸沒液體可以從液相通 4氣相為止。在理想的情況下，調整外腔室裡的氣相壓力， 使得匕至少大約等於氣相在外腔室盛行溫度下的飽和蒸氣 壓。在此情形下，在浸沒液體與氣相之間邊界表面處所蒸 發的浸沒液體量恰等於其同時從氣相凝結的量。由於此平 衡的、、Ό果’鄰近於邊界表面的浸沒液體溫度則保持不變。 為了於外腔室中產生浸沒液體的氣相，可以提供用於 將浸沒液體氣相引入外腔室的供應裝置。 以下解說的諸具體態樣可以有利地用於本發明以上的 14 .200525309 所有方面，甚至可以獨立地運用。 =浸沒液體的進給管線正常而言係穩固地連接（例如 央嫌裝)於側向且向下限制浸沒空間的壁。這樣可能會 動從外面傳遞到浸沒液體。為了避免此種振動（特別是 測量裝置的振動)’可以於此種壁中提供管線導入浸沒空間 的孔洞。1洞的尺寸要比管線的外尺寸來得夠大，如此浸 可以進入管線和壁之間殘餘的間隙，但由於附著力 域裡可以縱向位雖㈣線在壁的孔洞區 傳以壁以及從壁傳遞到浸沒液體的振動乃藉由填充 /夜體的間隙而相當程度地降低了。 、 的。==?、、用於谓測浸沒液雜㈣測器則是有利 载光：備戈/又液肢並未由環或容器所側向限制的投影 曝光δ又備或測量裝詈中夺 存在於所提供的區域裡 而已經離開此區域。 在偵測器的幫助下， 了預先界定的封閉表面。 鏡底下之光敏層上的表面 此種偵測器例如可以實現 -以貝見如下.兩個實質上平行的導 月豆（其取好以迴圈的方式置 口口上旦、；h 表面周圍）形成了電容 為：如果、…夜體進入導體之間的空仏，，則 A 數增加，因而增加了電容器的電容 日;丨“吊 單的方式使用㈣容的適當測量電二的：加可以簡 路（其本身即已知者） 置中㈣必須確認浸沒液體是否仍然

或者已經例如由於慣性力的結果 則有可能決定浸沒液體是否離開 此封閉表面最好是緊接於投影透 15 200525309 來偵測。 本發明上面解說的具體態樣已經主要參考投影曝光設 備來加以說明。然而，其亦可同樣有利地用於決定成像特 性的測量裝置，此乃因為測量投影透鏡的測量組件只猶微 不同於投影曝光設備。舉例而言，測量裝置也包括一種照 明系統’其產生測量光線並將它輕合於投影透鏡裡。如果 測量期間沒有光敏測試層做曝光’則浸沒空間係由測試光 ^ 學元件所向下限制。例如以丁wyman_Green或Fize⑽干涉 儀而言，此測試光學元件可以是反射鏡；以M〇id或 Sheanng干涉儀而言，此測試光學元件可以是繞射光柵； 以Hartmann-Shack感測器而言，此測試光學元件可以是點 格遮罩。 ^ % % μ吟閃旧取俊光學元件與 此種測試光學元件之間的間隙裡，則也需要穩定此浸沒液

體的溫度。因為測試光學元件不像設計成掃描操作之投影 曝光設備裡的晶圓’測試光學元件—般不會在成像平面裡 私動’所以浸沒空間裡的浸沒液體不會由於此種移動結果 而發生混合’以致可能發展出更高的溫度梯度。另—方面， =的某些措施係㈣適合此種測量裝置，這以於掃描 私動所造成的設計困難並不會發生於其情形下。 .乂 浸沒空間的靜態測試光學元件，能夠使 Π 由測試光學元件而逸散。♦例而言， ==::包括對光線為至少部份透明的區域，並 且“域至少部分地由另—區域所圍 16 -200525309 構成材料可以具有 熱傳導性。一個；？成光線透明區域的材料還來得高的 璃巴域的入尸 破璃/金屬材料的組合。圍繞著玻 祸（he域的金屬乃確保 凡有敬 逸散。 、、/、上的浸沒液體能做有效率的熱 麥考底下配合所附圖式的詳細 解本發明各式各樣的特色和優點。 更“理

[貫施方式】 圖1顯示微钮印投影曝光設備的子 整個以1 〇杳冲主D 〆又丨用 、以大為簡化的方式來呈現。投影曝光 :又、包括用於產生投影光線13的照明系統12，其包括 光源1 4、標不為1 6的日g日日止風— 刀一 — 0的妝明先學兀件以及光圈18。在所圖 解不範的具體態樣中’投影光線13的波長為193奈米。 投影曝光設備10纟包括投影透鏡20,其包含多個透鏡， 而為了清楚起見’ ® !只標示幾個透鏡做為範例，它們是 L1 到 L5 〇 又心透鏡2 0用來把安排在投影透鏡2 〇之物體平面2 2 处9 “罩24以縮小比例的方式成像於光敏層26上。層％ 例如可以由光阻所構成，其係安排在投影透鏡2〇的^像 平面28處’並且施加於載具3〇。 载具3 0乃固定於類似盆子的向上開啟之容器3 2的底 ^谷為32則可以藉由橫越裝置而平行於成像平面28來 移動（其移動方式並未詳細圖解示範）。容器32乃填充以浸 沒液體34，其水平高度則使投影透鏡2〇成像側的最後透 17 _ 200525309 鏡L5於印投影曝光設備1〇的操作期間係浸沒在浸沒液體 34裡。除了透鏡，投影透鏡2〇成像側的最後光學元件例 如也可以改為平面平行的終端板。浸沒液體34的折射率 大約與光敏層26的折射率一致。在投影光線波長為193 奈米或248奈米的情形下，例如高純度的去離子水可以做 為浸沒液體34。若使用更短的波長（例如157奈米），則例 如聚全氟乙烯（PFPE)會比較適合，其係市售可得於包括 Demnum®* Fomblin⑧的商品名。 容器32經由入口管線36和出口管線38而連接到調 整單元40，其中含有循環幫浦和淨化浸沒液體34的過濾 器等元件。調整單元40、入口管線36、出口管線38和容 器32 一起形成了標示為42的浸沒裝置，其中浸沒液體34 循環的同時還會被淨化並維持在固定不變的溫度。浸沒液 體34的絕對溫度應該盡可能地正確設定，這是因為在與 參考溫度有所偏差的情形下，投影透鏡2〇的成像會受損 灰聚焦誤差和影像殼缺陷。此類成像缺陷轉而可能導致曝 光可用的製程窗尺寸縮減。 圖2放大顯示圖1所示之投影曝光設備1 〇的一部份， 其中可以看到更多細節。在圖2中，保持在投影透鏡20 成像側的最後透鏡L5與光敏層26之間的間隙乃標示為 44 ’之後稱為浸沒空間。為了清楚起見，浸沒空間44的 兩度h (也就是投影透鏡2 0成像側的最後光學元件和光敏 層26之間的軸向距離）在圖2和其他圖中已被誇大呈現； 事貝上’南度h只是在一個或幾個公厘的數量級。在所圖 18 • 200525309 解示範的具體態樣中，浸沒空間44 %完全填充以浸沒液 體34 ’其以46所標示的循環方向流過投影透鏡20。 以13所標示的投影光線經由成像側的最後透鏡^而 進入浸沒液體34,並且通過該浸沒液體34某區域的體積 48(圖2中的灰色陰影區）。妒媸 ’篮積48的形狀視投影透鏡20 的數值孔徑（numerical aDertiire χτ Α χ ^ apmme，ΝΑ)而定，也視投影透鏡 2 〇投射於光敏層2 6上的光揚铿/ 曰J尤％戎何形態而定。因為浸沒液 體34對於給定波長的投影光線13具有吸收性（雖然是小）， 所以一部分的投影光線13被 饭及收於體積48。除非採取適 當的反制措施，否則以此方式 乃八所釋放的熱量便流入浸沒空 門44圍、著體積48的區域（因為該區域的溫度比較低）。 向外逸散的熱量也在體藉 牡篮積48裡形成溫度梯度。因為 浸沒液體34的折射率盥溫厣古 、， 千一，里度有關，所以體積裡的溫度 梯度造成對應的折射率梯度。此籀 此禋梯度引發折射倍率，其

表現於成像缺陷，而此缺陷如果超過一定 忍。如果浸沒空間44中的浸沒 … 又’又/夜體3 4並未移動吱僅锾愕 移動，則體積48吸收的埶#^^ # # 一 ' 熱里不會（或僅稍微）藉由對流而帶 離，那麼上述效應便會特別顯著。 兵言馮此緣故，浸沒裝置當 中的浸沒液體若沒有以高户梓诚戸+ ^丄 η机速循％或沒有永久以高流速循 環’則特μ受到這些熱感應的效應所影響。 此外，浸沒液體34與周圍氣體或氣體混合物(例如空 氣或者像是氦或氮的惰性氣體）之間的邊界表面，也合促成 溫度梯度的形成。在這些邊界表面(圖1和2中標示為47)， ^又液體34會热發而消耗蒸發熱。以此方式，浸沒液體34 19 •200525309 持續於邊界表面47處冷卻，同時體積 所加熱。 4 8由投影光線 13 為了減少或甚至完全避&少 王避免伴隨者溫度梯度而來的成像 缺陷，遂提供熱傳元件。在 在圖1和2的具體態樣中，此熱 傳元件乃以可加熱的環5〇 甘n山> 所焉現，其凹嵌在投影透鏡2〇 浸沒於浸沒液體34的底側49。環5()所發出的熱㈣由熱 傳導而傳送到浸沒液體34，如圖2中以箭頭52所標示。

以此方式，浸沒空間44囹婊益碰# 圍、、％者體積4 8的區域便額外地加 熱，以抵抗消除溫度梯度的形成。環5〇@幾何形態可以 適應於體積48的形狀。舉例而言’在矩形光場的情況下， 熱傳元件50也可以建構成矩形環。當然，也可以多個個 別的熱傳元件來取代連續的環，多個個別的熱傳元件於投 影透鏡20的底側49上乃分佈成對應的幾何形態。 圖3彳4刀別以部份立體代表圖和軸向截面圖來顯示 根據另-具體態樣的投影曝光設備。纟此具體態樣中，浸 /又液體34並非位於容器32中，而是單純藉由附著力而維 持在浸沒空間44 4里。在圖解示範的具體態樣中，投影透 鏡20成像側的最後光學元件不是透鏡，而是平面平行的 終端板54。終端板54上以％標示的是投影光束，其具有 大約呈矩形的截面。通過終端板54以及位在終端板54下 之浸沒空間44的浸沒液體34以後，投影光束％便在光 敏層26上產生矩形光場58。 在此具體態樣中，溫度梯度甚至要比圖丨和2所示的 還來得陡峭，這是由於邊界表面47由於蒸發的結果而比 20 200525309 較冷，在此的邊界表面47位置又更靠近體積4δ。此外， 在此具體態樣中，浸沒液體34並未循環，而於浸沒空間 裡維持較長的時間。在此情形下，僅由光敏層％二光 期間移動經過投影透鏡20所造成的橫向運動(由箭頭6:所 標示）來混合浸沒液體34,而提供—定均句度的溫度分布。 為了抵抗消除主要溫度梯度的形成，在圖3和4所圖 解示範的具體態樣中，熱量經由環狀加熱線5〇1供應於浸 沒液體34,該加熱線501係由化學惰性且電絕緣的鞠套: 圍繞。加熱線501連接於控制單元62，後者之中整合了供 f電流的電池和控制裝置。控制單元62具有依據預先界 :的數值來調整加熱線501之熱量輸出的功能。除了控制 衣置，也可以改為提供溫度控制系統，其包括測量浸沒液 體34溫度的溫度感測器。 、在圖解示範的具體態樣中，加熱線501是呈迴圈的形 式其置於投影光束56所通過的體積48周圍，如此位在 ^積48以外的浸沒液體34可以由加熱線5〇ι所均勻地加 …加熱線50 1也可以安排得更緊繞於體積48。再者，在 本發明的背景下，加熱線5〇1當然可以設想出不是圓形的 形狀。 、圖5顯不基於圖3代表圖的又一具體態樣，其指出可 =何建構熱傳元件以減少溫度梯纟。在此具體態樣中， ^ ’又二間44是由固定於投影透鏡2〇底側49的環63所側 L° ^ 63於轴向朝下延伸的程度仍可以讓光敏層26 毛、向運動60期間移動通過環63底下。環63的效果在 21 -200525309 於·若以比較快的橫向運動6〇，浸沒液體34也不會逃離 浸沒空間44。此外，鄰接圍繞之氣體或氣體混合物的邊界 表面47也相當程度地減少，此乃由於浸沒液體34現在只 能經由維持於環63底下高度d的狹窄間隙來蒸發。 為了使溫度分布均勻，環63是可加熱的。為此目的， 於壤63的下部安排環形管道502，當中可以循環加熱介質， 例如加熱的水或熱空氣。 圖6頭不根據又一具體態樣之投影曝光設備的部分轴 向截面代表圖。在此情形下，熱傳元件乃實現為平面的輻 射器503，其可以電加熱並且分布於投影透鏡2〇的周圍。 平面輻射為503在其面向浸沒液體34的那一側具有黑表 面而在相反側則具有鏡反射表面，如此熱輻射實質上僅 導向於浸沒液體34。當加熱到大約4(rc到8〇。〇的溫度時， 平面輻射為503主要發出波長在微波範圍的熱輻射，此對 於用來田作次沒液體34的水而言是可以高度吸收的。然 而…傳元件可以另外選擇是發出電磁輕射的其他元件， 例如半導體二極體或半導體雷射。標示為65的是溫度感 測杰’其可以測量平面輻射器5〇3的溫度。 與每個平面輻射器5〇3相關的是匯聚透鏡66，其將平 面輻射為503所產生的熱輻射加以聚焦並導向於浸沒空間 44。次沒液體34主要是在邊界表面〇的區域裡吸收熱輻 射=局部加熱°以此方式，熱量乃精確產生於浸沒液體34 因瘵發而喪失的地方。熱輻射波長範圍的吸收係數愈大， 則集中在邊界表面47區域上的加熱就愈強。 22 200525309 在上述操作模式的實際逆轉情形下，圖6所示的安排 也可以用於冷卻浸沒液體34。於此情況中，只需要確認平 面輻射器503例如藉由peltier元件而冷卻即可。在此情形 下，熱傳的進行方式是從浸沒液體34的較暖區域熱輻射 到冷卻的平面輻射器503。 可以進一步修改圖6所圖解示範的安排，如此使平面 輻射器503安排在投影透鏡2〇裡的方式是讓發出的熱輻 ^射經由適當的出口窗而於軸向上通過浸沒液體34。在測量 裝置的情況T，特別可以考慮此種安排，此係由於任何存 在的熱輻射短波光譜成分不會有對光敏層26造成曝光的 危險。 圖7顯示根據另一具體態樣之投影曝光設備的類似部 分。不像圖4和6，圖7顯示晶圓台座7〇，其上附著了光 敏層26的載具30。併入晶圓台座7〇的是熱傳元件，其在 圖解示範的具體態樣中乃實現為管道5〇4，它們彼此平行 ^ 地配置。當熱流體（例如水）流經管道504時，位在管道5〇4 之上的載具30和光敏層26區域便被加熱。從那裡，熱量 便通往位在該區域上方的浸沒液體34。因為管道5〇4乃側 向偏離於體積48的軸向位置，所以熱傳乃實質限於浸沒 空間44圍繞著體積48的區域。以此方式，浸沒空間44 裡的浸沒液體34幾乎均勻地加熱，而避免了主要溫度梯 度的形成。 圖8以軸向截面來顯示投影曝光設備的一部分，其中 沒有熱傳元件。在此情形下，浸沒液體34的均勻溫度分 23 -200525309 布乃達成於：整個& 72所標示的蒸發阻障係固定於投影 f鏡20的底側49。蒸發阻障72總共包括四個同心排列的 衣741 742、743和744，它們側向地（亦即垂直於光轴

限制了浸沒空間44。璟74〗说丨士入A 衣741到744於軸向上具有寬度，其 使環741到744的自A姑扣& a a 1 由螭與先敏層26隔開，此亦類似於 圖5所示之具體態樣的悟 ^ . 像〇 &形。以此方式，光敏層20不會 文損於蒸發阻障72。位於芦、、々*門、 彳於/又，又空間44裡的浸沒液體34藉 =著力而避免„741與光敏層26之間保持的間隙％ 經由,裒741到744的交疊排列，也避免了周圍氣體或 “混合物在間隙76旁流動(此會促進蒸發)。相對地，蒸 广沒液體34主要維持在環741至”44之間的間隙裡， u而增加了浸沒液體34在那裡的蒗鴒阿 社丨禋的蒸乳壓。因為蒸發現象 乃k著周圍氣體蒸氣壓的增加而減少， $lt 所以此方式額外達

，制蒸發的效果。此轉而造成只有比較小的溫度梯度 J以形成於浸沒空間44中。 圖9顯示投影曝光設備10，的一部分，其類似於圖1 :者。然而’在投影曝光設備10,的情形下，浸沒液體34 處的容器32乃由腔室78以整個氣密的方式所包含。腔 f 的蓋套8()所形成，蓋套8〇具有 開D 82，投影透鏡20由此開口 82而通過蓋套8〇。 此外，投影曝光設備ίο,包括供應單元84，其中裝有 包含浸沒液體34的儲庫86和蒸發器88等元件。供應單 凡84具有把氣相的浸沒液體34引入腔室78的功能，以 24 200525309 便增加當中的瘵氣壓。為此目的，從儲庫8 6所抽出的浸 沒液體34於蒸發器88裡蒸發，並且經由管道9〇饋入腔 室78。浸沒液體34的氣相可以閥控方式經由出口 92而從 腔室78排出。

因為腔室78裡的蒸氣壓增加了，所以只有少量的浸 沒液體34會於浸沒液體34液相和氣相之間的邊界表面47 處蒸發。當於腔室78的盛行溫度達到飽和蒸氣壓時，恰 從周圍氣相相反地凝結與邊界表面47處蒸發一樣多的浸 沒液體34。因此，當腔室78達到飽和蒸氣壓時，就沒有 消耗會冷卻位在容32之浸沒液體34的蒸發熱。以此方 式，得到了類似圖8所示具體態樣的效果，不過不必準備 蒸發阻障72。投影曝光設備10，因而能夠以封閉循環的方 式來導引浸沒液體34經過浸沒空間44。 圖10放大顯示圖9所圖解示範之投影曝光設傷的 部分A。圖10.中可以看到容器μ的壁94，浸沒液體w 的入口管線36則通過之。為此目的，壁94中接 丑 τ捉t、了開口 96，入口管線36經由此通入容器32的内部。開口 尺寸有所選擇，以使浸沒液體34可以穿過的周圍間=^ 維持於入口管線36和壁94之間。另一方面，間隙％ 夠狹窄，以致浸沒液體34無法從容器32細 β又 、、二由間隙98而 逃逸。以此方式，安裝著由支持物99所握持的入口黑 官線36， 使之「浮動」（float)於容器32壁94之流， 处 且Y。、*、〇果，例 如可能由入口管線36的擾流或處理單元4〇 封 <奉浦所產生 的管線36振動就不會傳遞到容器32。對於、、則旦姑里 、里衷置來說， 25 -200525309 述隔離振動地安裝入口和出口管線3 6、1。 u Μ會是特別 的 圖11不意地圖解示範投影曝光設備 α χ 另一具體態樣 的一部分，該設備整個以i 〇，，所標示。於4 又衫曝光設備10，， 中，為了避免振動，浸沒液體34並非藉由 阳赛浦來導引進 入和通過容器32,而是僅藉由重力來為之。 、、 馮此目的，浸 沒液體34的儲庫1 〇〇係安排於浸沒空間

^ 0 4之上。浸沒液 體34由閥404所控制，可以從儲庫1〇〇導弓 叩 土谷為' 32中。 :般使用幫浦所無法完全避免引發之流速的週期性擾動和 震動，則不會發生於投影曝光設備1 〇，，。 在此具體態樣中，來自容器32的出口管線38乃連接 到攔載槽106，而浸沒液體34在通過第二閥1〇8之後便收 集於其中。從那裡，浸沒液體34藉由幫浦11〇經過調整 單元40而返回儲庫1〇〇。因為幫浦11〇透過儲庫1〇〇和攔 截槽106而與容器32裡的浸沒液體34解除耦合，所以幫 浦1 1 0所產生的流速擾動乃限制於攔截槽丨和儲庫i⑻ 之間的管線系統。 避免幫浦產生振動的另一種可能做法是只於投影暫停 期間才循壞容器32裡的浸沒液體34。則圖丨丨所示的容器 100和106亦可省略。 圖12和1 3分別以立體代表圖和軸向截面圖來顯示根 據又一具體態樣的投影曝光設備1〇，，，。投影曝光設備1〇，，， 括"ί貞則二其整個以12 0所標示，而可以彳貞測浸沒液體 34攸浸沒空間44所不想要的逃逸。為此目的，偵測器1 20 26 -200525309 具有兩個導電迴圈122、124’其彼此平行地排列於軸向上， 並且連接到測量電路126。

兩個導：迴圈122、124形成了電容器，其電容乃視 夕個因素而疋，包括位在導電迴圈122、124之間的介電 材料。舉例來說，如果浸沒液體34 {去離子水而周圍氣 體是空氣’則介電常數的差異大約是8〇。如果來自浸沒空 間44的浸沒液體34進入導電迴圈122、124之間的間隙（如 128所示）’則導電迴圈122、m之間存在介質的介電常 數會於該處局部地增加。導電迴圈122、U4所形成之電 合益的电合便隨之增加，此由測量電路i %所侦測到。如 果超過預先界定的門檻’則測量電路126例如可以產生訊 號’以指示浸沒液體34已經跑到導電迴圈122、124所界 定的區域外。 以上諸具體態樣已針對投影曝光設備加以討論。缺 而、，若適合做些次要的修改，它們也可以轉移至能決定投 影透鏡之光學成像特性的測量裝置。此種測量裝置一般包 括測試光學元件，其取代光敏層26的支持物30,而安排 於投影透鏡20的成像側上。此測試光學元件例如可以是 反射鏡、繞射光栅、CCD感測器或光敏測試層。此種測量 裝置也經常包括分離的光源，其取代投影曝光設備的照明 系統。 本發明上述某些具體態樣和方面可以特別有利地用於 特定的測量裝置。以Shearing干涉儀來說就是個例子，例 如可以採用圖3到5所示的變化態樣以及圖1〇所示的管 27 -200525309 線浮動安裝；對％ . 、Molre干涉儀來說，利用圖π所圖解示 範的重力循環是特別有利的。 圖 14 以查占a與 σ截面圖示意地圖解示範點繞射干涉儀 (point diffracti ; umerfer〇meter，pDI)的針孔遮罩 14〇。此 種點繞射干涉儀和 ^ w而的針孔遮罩本身係此技藝所已知 的’故其進一步的 乂的細即况明可以省略。針孔遮罩14〇由玻 璃主體14 2所播士 〇+ 、 冓成，其鞑加了半透明層144。大約位在針 孔遮罩丨：中央的是半透明層丨44裡的小針孔開口 146。 =此夠加熱位在該半透明I 144上的浸沒空間料 里九線之體積4δ的浸沒液體；34,當中有 流體加熱介質（例如加熱的 歸 扒）/;,L過的官道148乃併入玻璃 :體142 + °以此方式，破璃載體⑷的周邊被均勻地加 …’因而局部地增加位在其上的浸沒液體34溫度。 圖15以對應於圖14的代声pj办3 J1乂表圖來顯不針孔遮罩的另一 具體態樣，其以140,所俨-+ 所彳示不。在此具體態樣中，針孔遮罩

M0,由金屬載體142，所描士 ^ T 以…/ 所構成，在其中央併入玻璃插入物 5 〇。此玻㈤插入物1 5 〇例如可 巧如可以具有截頭圓錐的形式， 而，、尺寸使得測量光線可以诵τ*话4 礎過破璃插入物1 5 0，但不會 抵達金屬載體142,圍繞的金屬。 曰 因為測量光線通過的體積48 、 主要經由金屬載體142， 而鄰接半透明層144，只有—小却八^ 小部份鄰接玻璃插入物150， 所以體積48吸收測量光線所釋 入m7釋放的熱量乃有效率地經由 金屬載體142,而逸散。以此方彳 a印 式’金屬載體142,的高埶傳 導性有助於在浸沒空間44裡只分i， … 允許小的溫度梯度。 28 200525309 L W八間早說明】 圖1以大為簡化的方式 八（並未按照比例）央- 發明之投影曝光設備的子午線截面· 例顯不根據本 圖2放大顯示圖1 份，其中可以看到熱傳元；:二之投影曝光設備的-部 於投影透鏡成像側的殼罩； …，其凹嵌 圖3是根據本發明另一且 勃德-放曰— 一體恶樣的立體代表圖，1 士 熱傳-件疋安排於浸沒空間裡的加熱線； 其中 圖4顯示圖3所圖艇 圖5 浸沒空間的軸向截面； 圖 i中Γ值發明又一具體態樣之對應於圖3的代表 ......傳兀件是整合於側向限制浸沒空間的壁.、 圖 :6是根據本發明又一具體態樣之對應於圖4 其中熱傳元件是熱輻射器； 1 圖7疋根據本發明再^ _呈㈣能接·

圖 X月丹具體怨樣之對應於圖4的代矣 其中，傳元件是凹嵌於用來^晶圓的晶圓台座；、 圖8疋根據本發明另一方面之對應於圖4的代表圖， 八瘵發阻障側向圍繞著浸沒空間以減少蒸發； 圖9顯示根據本發明又一方面之投影'曝光設備的部分 子午線截面’其中浸沒液體的飽和氣相係位於浸沒液體 上以減少蒸發； 圖10顯示圖9所圖解示範之投影曝光設備的一部份， 其中顯示浮動地固定入口管線； 圖11是根據本發明再一方面之基於圖9的投影曝光 29 200525309 設備代表圖，其中淳、、乃、、点 / 叹液肢党到重力的影響而循環； 圖12是本發明對應 ， 甘士# ^ 之另具體恶樣的代表圖， /、中#疋供偵測器以用於占 於 <貞測側向逃逸的浸沒液體； 圖13顯示圖12所初一— 所圖解不範之浸沒空間的軸向截面； 圖14顯示抱储楚 办門 據弟一具體態樣的點繞射干涉儀之浸沒 二θ的轴向截面；以及 |·ξτ^ Μ . ^ 5 "員不根據本發明之點繞射干涉儀的第二具體態 樣之對應於圖14的轴向截面。 主要元件符號說明】 1〇 12 13 14 16 18 2〇 22 24 26 28 3〇 32

10 10 ’ ’、1 〇 ’ ’ ’ 微蝕印投影曝光設備 照明系統 投影光線 光源 知、明光學元件 光圈 投影透鏡 物體平面 遮罩 光敏層 成像平面 載具（支持物） 容器 浸沒液體 30 34 200525309

36 入口管線 38 出口管線 40 調整（處理）單元 42 浸沒裝置 44 浸沒空間 46 循環方向 47 邊界表面 48 投影光線通過的浸沒液體體積 49 投影透鏡的底側 50 熱傳元件（可加熱的環） 52 熱傳導方向 54 終端板 56 投影光束 58 光場 60 橫向運動 62 控制單元 63 環 65 溫度感測器 66 匯聚透鏡 70 晶圓台座 72 蒸發阻障 76 間隙 78 腔室 80 蓋套 31 -200525309

82 開口 84 供應單元 86 儲庫 88 蒸發器 90 管道 92 出口 94 壁 96 開口 98 周圍間隙 99 支持物 100 儲庫 104 閥 106 攔截槽 108 第二閥 110 幫浦 120 偵測器 122 導電迴圈 124 導電迴圈 126 測量電路 128 浸沒液體進入導電迴圈之間的間隙 140 、 140’ 針孔遮罩 142 玻璃主體（載體） 142? 金屬載體 144 半透明層 32 200525309

146 針孔開口 148 管道 150 玻璃插入物 501 熱傳元件（加熱線） 502 熱傳元件（環形管道） 503 熱傳元件（平面輻射器） 504 熱傳元件（管道） 741〜744 環 A 放大於圖1 0的部份 d 間隙的高度 h 浸沒空間的高度 LI 〜L5 透鏡

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Claims (1)

1. •200525309 * 十、申請專利範圍： 1 · 一種微蝕印投影曝光設備，其包括： _妝明系統（1 2)，其產生投影光線（1 3); -投影透鏡（20)，#將遮罩（24)成像於光敏層（26)上， 該投影透鏡（20)包括多個光學元件（L1到L5、54); —浸沒空間（44)，其係： _ _形成於投影透鏡（20)成像側的最後光學元件仏5、 54)與光敏層（26)之間，以及 --可以填充以浸沒液體（34);以及 _熱傳元件（50、501、502、5〇3、5〇4)，其選擇性地 雙:化浸沒空間（44)某區域的溫度。 2·根據申請專利範圍第丨項的投影曝光設備，其中熱 傳凡件（50、501)安排於浸沒空間（44)裡，其安排方式使得 匕灰/文/又插作期間與浸沒液體（34)接觸。 3·根據申請專利範圍第2項的投影曝光設備，其中熱 g 傳元件是加熱線（5〇丨）。 4·根據申請專利範圍第丨項的投影曝光設備，其中浸 /又工間（44)係由壁（63)所側向限制，而熱傳元件（5()2)安排 於此壁（63)中。 5 ·根據申睛專利範圍第1項的投影曝光設備，其中熱 傳元件是Peltier元件（5〇3)。 6·根據申請專利範圍第1項的投影曝光設備，其中熱 傳兀件（503)安排成與浸沒空間（44)有距離，如此熱量可以 在熱傳元件（503)與該區域之間以熱輻射做交換。 34 200525309 7 ·根據申請專利範圍筮 、_ 靶圆昂6項的投影曝光設備，其包括 ^光予兀斋（66)，該方向性光學元器（66)改變熱輻射的 °二且安排方；熱傳元件（5Q3)與浸沒空間（州之間。 8·根據申請專利範圍第7項的投影曝光設備，其中方 向性先學元器(66)具有正折射倍率。 根據申4專利範圍帛6 j員的投影曝光設備，其中熱 傳元件是平面輕射器（503)，其可以加熱或冷卻。 ^ 、1〇·根據申睛專利範圍第6項的投影曝光設備，其包括 熱感測器(65)，以測量熱傳元件(5〇3)的溫度。 11 ·根據申請專利範圍第10項的投影曝光設備，其中 &感測态(65)連接至控制裝置，其調節熱傳元件的加熱或 冷卻輸出。 12.根據申請專利範圍第丨項的投影曝光設備，其中熱 傳凡件（504)安排於晶圓台座（7〇)，該晶圓台座（7〇)用於將 上面施加光敏層（26)的載具（3〇)加以定位。 | 1 3 ·根據申請專利範圍第丨2項的投影曝光設備，其中 熱傳兀件（504)的對稱性與照射於光敏層（26)上之光場（58) 的對稱性實質上相同。 14. 根據申請專利範圍第12項的投影曝光設備，其中 熱傳兀件包括多個管道（5〇4)，其係包含於晶圓台座（7〇)中， 用以傳導加熱或冷卻介質經過該晶圓台座（7〇)。 15. —種微蝕印投影曝光設備，其包括： —照明系統（12)，其產生投影光線（13); 一投影透鏡（20)，其將遮罩（24)成像於光敏層（26)上， 35 -200525309 該投影透鏡（20)包括多個光學元件（L1到L5、54); -浸沒空間（44)，其係： _ _形成於投影透鏡（20)成像側的最後光學元件（L5、 54)與光敏層（26)之間，以及 --可以填充以浸沒液體（34);以及 一蒸發阻障（72)，其係： -_至少部份圍繞著浸沒空間（44)， __安排於投影透鏡（20)的底側（49)上，以及 —一朝向光敏層（26)而延伸。 1 6.根據申請專利範圍第1 5項的投影曝光設備，其中 蒸發阻障（72)包括多個至少大約同心的環（741到744)，其 彼此排列成有段距離。 17.—種微蝕印投影曝光設備，其包括： _照明系統（12)，其產生投影光線（13); 一投影透鏡（20)，其將遮罩（24)成像於光敏層（26)上， 該投影透鏡（20)包括多個光學元件（L1到L5、54); 一浸沒空間（44)，其係： --形成於投影透鏡（20)成像側的最後光學元件（L5、 54)與光敏層（26)之間，以及 一一可以填充以浸沒液體（34);以及 -外腔室（78)，其圍繞著浸沒空間（44)且與之流體相 連，並且其建構成變得富含浸沒液體（34)的氣相。 1 8.根據申請專利範圍第1 7項的投影曝光設備，其包 括供應裝置（84)，其將浸沒液體（34)的氣相饋入外腔室 36 200525309 (78)。 1 9 ·根據申請專利範圍第1 7或1 8項的投影曝光設備， 其中調整浸沒液體（34)於外腔室（78)裡的氣相壓力，使得它 至少大約等於浸沒液體（34)之氣相在外腔室（78)盛行溫度下 的飽和蒸氣壓。 20·根據申請專利範圍第1、μ、17項中任一項的投影 曝光設備’其中浸沒空間（44)由壁（94)所限制，而於壁（94) ^ 中提供官線（36)導入浸沒空間（44)的孔洞（96)，該孔洞（94) 的尺寸要比管線（36)的外尺寸來得大，所大出的量使得浸 沒液體（34)可以進入管線6)和壁句之間殘餘的間隙 (98) ’但由於附著力的緣故而不會流出該間隙（98)。 21·根據申請專利範圍第1、15、I?項中任一項的投影 曝光設備’其中浸沒液體（34)的容器（1〇〇)係安排於浸沒空 間（44)之上且與之流體相連，如此浸沒液體〇4)可以單純由 於重力的緣故而從容器（1〇〇)流入浸沒空間（44)中。 Ψ) 22·根據申請專利範圍第1、15、17項中任-項的投影 曝光5又備，其包括偵測器（120)，用於偵測浸沒液體（34)。 23·根據申請專利範圍第22項的投影曝光設備，其中 偵測(120)乃建構成可以決定浸沒液體（34)是否離開預先 界定的封閉區域。 24.根據申請專利範圍第23項的投影曝光設備，其中 4封閉區域疋安排於投影透鏡（2〇)底下的光敏層（2幻上。 25 ·根據申請專利範圍第23項的投影曝光設備，其中 H (m)包括兩個導體（122、124) ’其實質上彼此平行 37 .200525309 地配置。 26·根據申請專利範圍第25項的投影曝光設備，其中 偵測杰（12〇)包括測量電路（126)，其測量導體（122、124)之 間的電容。 2?，種決定微敍印投影曝光設備的投影透鏡（20)之成 像特性的測量裝置，其包括·· _測试光學元件（14〇、14〇。，其安排於投影透鏡（2〇) 辦的成像側上’纟中浸沒液體（34)可以引入投影透鏡㈣成像 側的最後光學兀件（54)與測試光學元件4〇、140，）之間所 形成的浸沒空間（44);以及 •熱傳το件（148)，其選擇性地改變浸沒空間（44)某區 域的溫度。 28·根據申請專利範圍第27項的測量裝置，其中測試 光學兀件（140、140’）包括對光線為至少部份透明的區域 (150)，並且此光線透明區域〇5〇)至少部分地由另一區域 A (142’)所圍繞，此另一區域〇42，)的構成材料具有比構成光 線透明區域（150)的材料還來得高的熱傳導性。 29.根據申請專利範圍第28項的測量裝置，其中測試 光學元件是點繞射干涉儀的針孔遮罩（14〇、1 4〇，）。 30· —種製造微蝕印投影曝光設備（1〇)之投影透鏡（2〇) 的方法，其包括以下步驟： (a) 從多個光學元件組合出投影透鏡（2〇); (b) 將投影透鏡（20)安裝於測量裝置中，該測量裝置包 括測試光學το件（140、140’），其安排於投影透鏡（2〇)的成 38 .200525309 像側上； …⑷將以支液體(34)引*投影透鏡(2〇)成像側的最後光 學凡件（54)與測試光學元件（14()、14{)，）之間維持 間（44); ⑷藉由熱傳元件（50、501、5〇2、5〇3、5〇4)選擇性地 改變浸沒空間（44)某區域的浸沒液體（34)溫度； (〇決定投影透鏡（20)的成像特性；以及 _ ⑴調整投影透鏡（叫之至少―個光學元件的位置。 3!· —種使用根據申請專利範圍第3〇項之方法所製造 的投影透鏡。 32·—種微蝕印製造微形結構元件的方法，其包括以下 步驟： (a) 提供投影透鏡（2〇); (b) 將遮罩（24)安排於投影透鏡（2〇)的物體平面（22); (C)將浸沒液體（34)引入浸沒空間（44)，該浸沒空間（44) 乃形成於投影透鏡（2〇)成像側的最後光學元件（Μ、$句與 女排在投影透鏡（20)成像平面（28)的光敏層（26)之間； (d) 藉由熱傳元件（50、5〇1、5〇2、5〇3、5〇4)選擇性地 改變浸沒空間（44)某區域的浸沒液體（34)溫度；以及 (e) 將遮罩（24)投影於光敏層（26)上。 33_根據申請專利範圍第32項的方法，其中僅於根據 步驟（e)之投影不發生的期間，浸沒液體（34)才藉由幫浦而 循環於浸沒空間（44)。 34.種根據申请專利範圍第32項之方法所製造的微 39 200525309 形結構元件。 十一、圖式·· 如次頁

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