KR20080005428A - 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 - Google Patents

투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080005428A
KR20080005428A KR1020077026699A KR20077026699A KR20080005428A KR 20080005428 A KR20080005428 A KR 20080005428A KR 1020077026699 A KR1020077026699 A KR 1020077026699A KR 20077026699 A KR20077026699 A KR 20077026699A KR 20080005428 A KR20080005428 A KR 20080005428A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical
liquid
optical element
optical system
holding
Prior art date
Application number
KR1020077026699A
Other languages
English (en)
Inventor
야스히로 오무라
Original Assignee
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 가부시키가이샤 니콘
Publication of KR20080005428A publication Critical patent/KR20080005428A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/06Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of fluids in transparent cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • G02B17/0892Catadioptric systems specially adapted for the UV
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00Microscopes
    • G02B21/33Immersion oils, or microscope systems or objectives for use with immersion fluids
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/02Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors

Abstract

본 발명은 광학계의 내부에의 액체(침액)의 침입을 막아 양호한 결상 성능을 유지할 수 있는 액침형의 투영 광학계에 관한 것이다. 본 발명의 투영 광학계는, 제1면의 축소상을 액체를 통해 제2면에 투영하는 투영 광학계로서, 투영 광학계는 제1면측이 기체와 접하고 또한 제2면측이 액체와 접하는 경계 광학 소자(Lb)를 구비하고, 경계 광학 소자의 입사면(Lba)은 제1면을 향해 볼록면 형상을 가지고, 경계 광학 소자의 출사면(Lbc)의 유효 영역을 둘러싸도록 홈부(Gr)가 형성되어 있다.

Description

투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법{PROJECTION 0PTICAL SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD}
본 발명은 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법에 관하여, 특히 반도체 소자나 액정 표시 소자 등의 마이크로 디바이스를 포토리소그래피 공정에서 제조할 때에 사용되는 노광 장치에 적합한 투영 광학계에 관한 것이다.
반도체 소자 등을 제조하기 위한 포토리소그래피 공정에 있어서, 마스크(또는 레티클)의 패턴상을, 투영 광학계를 통해, 감광성 기판(포토레지스트가 도포된 웨이퍼, 유리 플레이트 등) 상에 투영 노광하는 노광 장치가 사용되고 있다. 노광 장치에서는, 반도체 소자 등의 집적도가 향상함에 따라, 투영 광학계에 요구되는 해상력(해상도)이 점점 높아지고 있다.
그래서, 투영 광학계의 해상력에 대한 요구를 만족하기 위해, 조명광(노광광)의 파장(λ)을 짧게 하는 동시에, 투영 광학계의 상측 개구수(NA)를 크게할 필요가 있다. 구체적으로는, 투영 광학계의 해상도는 kㆍλ/NA(k는 프로세스 계수)로 나타낸다. 또한, 상측 개구수(NA)는 투영 광학계와 감광성 기판 사이의 매질(통상은 공기 등의 기체)의 굴절율을 n으로 하고, 감광성 기판에의 최대 입사각을 θ이라고 하면, nㆍsinθ으로 나타낸다.
이 경우, 최대 입사각(θ)을 크게 함으로써 상측 개구수의 증대를 도모하고자 하면, 감광성 기판에의 입사각 및 투영 광학계부터의 사출각이 커져, 광학면에서의 반사 손실이 증대하고, 크고 실효적인 상측 개구수를 확보할 수 없다. 그래서, 투영 광학계와 감광성 기판 사이의 광로 중에 굴절율이 높은 액체와 같은 매질을 채움으로써 상측 개구수의 증대를 도모하는 액침 기술이 알려져 있다(예컨대 특허 문헌 1)
특허 문헌 1: 국제 공개 제WO 2004/019128호 팜플렛
그러나, 액침형의 투영 광학계의 상측 개구수를 예컨대 1.2보다도 크게 설정하는 경우, 입사면측이 기체와 접하고 출사면측이 액체와 접하는 경계 렌즈(경계 광학 소자)의 입사면을, 입사 광선의 반사를 피하기 위해서 입사면측을 향해 큰 곡율을 갖는 볼록면 형상으로 할 필요가 있다. 이 경우, 필연적으로, 경계 렌즈를 유지하기 위한 유지용 터브가 출사면측의 액체 근처에 위치하게 되고, 투영 광학계의 내부에 액체(침액)가 침입하기 쉽게 된다. 투영 광학계의 내부에 액체가 침입하면, 광학면의 반사 방지막의 열화를 초래하고, 나아가서는 투영 광학계의 결상 성능(일반적으로 광학 성능)을 손상하는 위험성이 높게 된다.
본 발명은, 전술의 과제에 감안하여 이루어진 것으로, 광학계의 내부에의 액체(침액)의 침입을 막아 양호한 결상 성능을 유지할 수 있는 액침형의 투영 광학계를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 광학계의 내부에의 액체의 침입을 막아 양호한 결상 성능을 유지할 수 있는 고해상인 액침 투영 광학계를 이용하여, 미세한 패턴을 고정 밀도로 또한 안정적으로 투영 노광할 수 있는 노광 장치 및 노광 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 형태에서는, 제1면의 상(像)을 액체를 통해 제2면에 투영하는 투영 광학계에 있어서,
상기 투영 광학계는, 상기 제1면측이 기체와 접하고 또한 상기 제2면측이 상기 액체와 접하는 경계 광학 소자를 구비하며,
상기 경계 광학 소자의 입사면은 상기 제1면을 향해 볼록면 형상을 가지고, 상기 경계 광학 소자의 출사면의 유효 영역을 둘러싸도록 홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계를 제공한다.
본 발명의 제2 형태에서는, 제1면의 상을 액체를 통해 제2면에 투영하는 투영 광학계에 있어서,
상기 투영 광학계는, 상기 제1면측이 기체와 접하고 또한 상기 제2면측이 상기 액체와 접하는 경계 광학 소자를 구비하며,
상기 경계 광학 소자는, 상기 제1면에 볼록면을 향한 형상의 입사면과, 광축에 수직인 유지면에 설치된 유지용 터브를 구비하고,
상기 유지용 터브와 상기 광축 사이에는 공간이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계를 제공한다.
본 발명의 제3 형태에서는, 상기 제1면에 설정된 패턴을 조명하기 위한 조명계와, 상기 패턴의 상(像)을 상기 제2면으로 설정된 감광성 기판에 투영하기 위한 제1 형태 또는 제2 형태의 투영 광학계를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치를 제공한다.
본 발명의 제4 형태에서는, 상기 제1면에 설정된 패턴을 조명하는 조명 공정과, 제1 형태 또는 제2 형태의 투영 광학계를 통해 상기 패턴의 상을 상기 제2면에 설정된 감광성 기판 상에 투영 노광하는 노광 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법을 제공한다.
본 발명의 제5 형태에서는, 제1 형태 또는 제2 형태의 투영 광학계를 통해 상기 제1면에 설정된 패턴의 상을 상기 제2면에 설정된 감광성 기판 상에 투영 노광하는 노광 공정과,
상기 노광 공정을 거친 상기 감광성 기판을 현상하는 현상 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 제6 형태에서는, 액침 대물 광학계에 이용되어, 한쪽의 광학면이 액체에 접하는 광학 소자에 있어서,
상기 광학 소자의 다른쪽의 광학면은 볼록면 형상을 가지고,
상기 한쪽의 광학면의 유효 영역을 둘러싸도록 홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자를 제공한다.
본 발명의 제7형태에서는, 액침 대물 광학계에 이용되어, 한쪽의 광학면이 액체에 접하고, 또한 다른쪽의 광학면이 볼록면 형상을 갖는 광학 소자에 있어서,
상기 광학 소자의 광축과 수직인 유지면에 설치되어 상기 광학 소자를 유지하기 위한 유지용 터브를 구비하며,
상기 유지용 터브와 상기 광축 사이에는 공간이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자를 제공한다.
본 발명의 제8 형태에서는, 제6 형태 또는 제7 형태의 광학 소자를 구비하는 액침 대물 광학계로서,
상기 광학 소자는 가장 액체측에 배치되는 것을 특징으로 하는 액침 대물 광학계를 제공한다.
발명의 효과
본 발명의 전형적인 형태에 따르는 액침형의 투영 광학계에서는, 경계 광학 소자(경계 렌즈)의 유지용 터브가 출사면측의 액체의 근처에 위치하는 것이 되지만, 경계 광학 소자의 출사면의 유효 영역을 둘러싸도록 홈부가 형성되어 있으므로, 이 홈부의 작용에 의해 유지용 터브와 렌즈실의 홀드 사이에 액체가 침입하기 어렵게 되고, 투영 광학계의 내부에 액체가 침입하기 어렵게 된다.
바꾸어 말하면, 본 발명의 투영 광학계에서는, 광학계의 내부에의 액체(침액)의 침입을 막아 양호한 결상 성능을 유지할 수 있다. 본 발명의 노광 장치 및 노광 방법에서는, 광학계의 내부에의 액체의 침입을 막아 양호한 결상 성능을 유지할 수 있는 고해상인 액침 투영 광학계를 이용하고 있으므로, 미세한 패턴을 고정 밀도이면서 안정적으로 투영 노광할 수 있고, 나아가서는 양호한 마이크로 디바이스를 고정 밀도이면서 안정적으로 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 노광 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 실시형태에 있어서 웨이퍼 상에 형성되는 직사각형의 정지 노광 영역과 기준 광축의 위치 관계를 도시한 도면이다.
도 3은 본 실시형태의 각 실시예에 있어서의 경계 렌즈와 웨이퍼 사이의 구성을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 실시형태의 제1 실시예에 따른 투영 광학계의 렌즈 구성을 도시한 도면이다.
도 5는 제1 실시예의 투영 광학계에 있어서의 횡수차(橫收差)를 도시한 도면이다
도 6은 본 실시형태의 제2 실시예에 따른 투영 광학계의 렌즈 구성을 도시한 도면이다.
도 7은 제2 실시예의 투영 광학계에 있어서의 횡수차를 도시한 도면이다.
도 8은 액침형의 투영 광학계의 상측 개구수를 크게 설정했을 때의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 실시형태에 따른 투영 광학계의 특징적인 주요부 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 10은 마이크로 디바이스로서의 반도체 디바이스를 얻을 때의 수법의 흐름도이다.
도 11은 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 얻을 때의 수법의 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
R: 레티클 RST: 레티클 스테이지
PL: 투영 광학계 Lb: 경계 렌즈
Lp: 액중 평행 평면판 Lm1, Lm2: 순수(액체)
W :웨이퍼 1: 조명 광학계
9: Z 스테이지 10: XY 스테이지
12: 이동 거울 13: 웨이퍼 레이저 간섭계
14: 주제어계 15: 웨이퍼 스테이지 구동계
21: 제1 급배수 기구 22: 제2 급배수 기구
본 발명의 실시형태를 첨부 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 노광 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1에서는, X축 및 Y축이 웨이퍼(W)에 대해 평행한 방향으로 설정되고, Z축이 웨이퍼(W)에 대해 직교하는 방향으로 설정되어 있다. 더욱 구체적으로는, XY 평면이 수평면에 평행하게 설정되고, + Z축이 수직 방향을 따라 상향으로 설정되어 있다.
본 실시형태의 노광 장치는, 도 1에 도시한 바와 같이, 예컨대 노광 광원인 ArF 엑시마 레이저 광원을 포함하여, 옵티컬 인터그레이터(호모게나이저), 시야 조리개, 콘덴서 렌즈 등으로 구성되는 조명 광학계(1)를 구비하고 있다. 광원으로부터 사출된 파장 193 ㎚의 자외 펄스광으로 이루어지는 노광광(노광빔)(IL)은 조명 광학계(1)를 통과하여, 레티클(마스크)(R)을 조명한다. 레티클(R)에는 전사하여야 할 패턴이 형성되어 있고, 패턴 영역 전체 중 X 방향을 따라 긴변을 가지고 또한 Y 방향을 따라 짧은 변을 갖는 직사각형(슬릿형)의 패턴 영역이 조명된다.
레티클(R)을 통과한 광은, 액침형의 투영 광학계(PL)를 통해, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼(감광성 기판)(W) 상의 노광 영역에 소정의 축소 투영 배율로 레티클 패턴을 형성한다. 즉, 레티클(R) 상에서의 직사각형의 조명 영역에 광학적으로 대응하도록, 웨이퍼(W) 상에서는 X 방향을 따라 긴변을 가지고 또한 Y 방향을 따라 짧은 변을 갖는 직사각형의 정지 노광 영역(실효 노광 영역)에 패턴상이 형성된다.
도 2는 본 실시형태에 있어서 웨이퍼 상에 형성되는 직사각형의 정지 노광 영역(즉 실효 노광 영역)과 기준 광축의 위치 관계를 도시한 도면이다. 본 실시형태에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 기준 광축(AX)을 중심으로 한 반경 B를 갖는 원형의 영역(이미지 서클)(IF) 내에 있어서, 기준 광축(AX)으로부터 Y 방향으로 축에서 벗어난 양 A만큼 떨어진 위치에 원하는 크기를 갖는 직사각형의 실효 노광 영역(ER)이 설정되어 있다.
여기서, 실효 노광 영역(ER)의 X 방향의 길이는 LX이며, 그 Y 방향의 길이는 LY이다. 따라서, 도시를 생략했지만, 레티클(R) 상에서는, 직사각형의 실효 노광 영역(ER)에 대응하여, 기준 광축(AX)으로부터 Y 방향으로 축에서 벗어난 양 A에 대응하는 거리만큼 떨어진 위치에 실효 노광 영역(ER)에 대응한 크기 및 형상을 갖는 직사각형의 조명 영역(즉 실효 조명 영역)이 형성되게 된다.
레티클(R)은 레티클 스테이지(RST) 상에 있어서 XY 평면에 평행하게 유지되고, 레티클 스테이지(RST)에는 레티클(R)을 X 방향, Y 방향 및 회전 방향으로 미동 시키는 기구가 삽입되어 있다. 레티클 스테이지(RST)는 레티클 레이저 간섭계(도시되지 않음)에 의해 X 방향, Y 방향 및 회전 방향의 위치가 리얼 타임으로 계측되고, 제어된다. 웨이퍼(W)는 웨이퍼 홀더(도시되지 않음)를 통해 Z 스테이지(9) 상에 있어서 XY 평면에 평행하게 고정되어 있다.
또한, Z 스테이지(9)는 투영 광학계(PL)의 상면과 실질적으로 평행한 XY 평면을 따라 이동하는 XY 스테이지(10) 상에 고정되어 있고, 웨이퍼(W)의 포커스 위치(Z 방향의 위치) 및 경사각을 제어한다. Z 스테이지(9)는 Z 스테이지(9) 상에 설치된 이동 거울(12)을 이용하는 웨이퍼 레이저 간섭계(13)에 의해 X 방향, Y 방향 및 회전 방향의 위치가 리얼 타임으로 계측되고, 제어된다.
또한, XY 스테이지(10)는 베이스(11) 상에 적재되어 있고, 웨이퍼(W)의 X 방향, Y 방향 및 회전 방향을 제어한다. 한편, 본 실시형태의 노광 장치에 설치된 주제어계(14)는 레티클 레이저 간섭계에 의해 계측된 계측치에 기초하여 레티클(R)의 X 방향, Y 방향 및 회전 방향의 위치의 조정을 행한다. 즉, 주제어계(14)는 레티클 스테이지(RST)에 삽입되어 있는 기구에 제어 신호를 송신하여, 레티클 스테이지(RST)를 미동시킴으로써 레티클(R)의 위치 조정을 행한다.
또한, 주제어계(14)는 오토포커스 방식 및 오토레벨링 방식에 의해 웨이퍼(W) 상의 표면을 투영 광학계(PL)의 상면에 맞춰 넣으므로, 웨이퍼(W)의 포커스 위치(Z 방향의 위치) 및 경사각의 조정을 행한다. 즉, 주제어계(14)는 웨이퍼 스테이지 구동계(15)에 제어 신호를 송신하여, 웨이퍼 스테이지 구동계(15)에 의해 Z 스테이지(9)를 구동시킴으로써 웨이퍼(W)의 포커스 위치 및 경사각의 조정을 행한 다.
또한, 주제어계(14)는 웨이퍼 레이저 간섭계(13)에 의해 계측된 계측치에 기초하여 웨이퍼(W)의 X 방향, Y 방향 및 회전 방향의 위치의 조정을 행한다. 즉, 주제어계(14)는 웨이퍼 스테이지 구동계(15)에 제어 신호를 송신하고, 웨이퍼 스테이지 구동계(15)에 의해 XY 스테이지(10)를 구동시킴으로써 웨이퍼(W)의 X 방향, Y 방향 및 회전 방향의 위치 조정을 행한다.
노광시에는, 주제어계(14)는 레티클 스테이지(RST)에 삽입되어 있는 기구에 제어 신호를 송신하는 동시에, 웨이퍼 스테이지 구동계(15)에 제어 신호를 송신하여, 투영 광학계(PL)의 투영 배율에 따른 속도비로 레티클 스테이지(RST) 및 XY 스테이지(10)를 구동시키면서, 레티클(R)의 패턴상을 웨이퍼(W) 상의 소정의 쇼트 영역 내에 투영 노광한다. 그 후, 주제어계(14)는 웨이퍼 스테이지 구동계(15)에 제어 신호를 송신하고, 웨이퍼 스테이지 구동계(15)에 의해 XY 스테이지(10)를 구동시킴으로써 웨이퍼(W) 상의 별도의 쇼트 영역을 노광 위치에 단계 이동시킨다.
이와 같이, 스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식에 의해 레티클(R)의 패턴상을 웨이퍼(W) 상에 주사 노광하는 동작을 반복한다. 즉, 본 실시형태에서는, 웨이퍼 스테이지 구동계(15) 및 웨이퍼 레이저 간섭계(13) 등을 이용하여 레티클(R) 및 웨이퍼(W)의 위치 제어를 행하면서, 직사각형의 정지 노광 영역 및 정지 조명 영역의 짧은 변 방향 즉 Y 방향을 따라 레티클 스테이지(RST)와 XY 스테이지(10)를, 나아가서는 레티클(R)과 웨이퍼(W)를 동기적으로 이동(주사)시킴으로써, 웨이퍼(W) 상에는 정지 노광 영역의 긴변(LX)과 동등한 폭을 가지고 또한 웨이퍼(W)의 주사량(이동량)에 따른 길이를 갖는 영역에 대해 레티클 패턴이 주사 노광된다.
도 3은 본 실시형태의 각 실시예에 있어서의 경계 렌즈와 웨이퍼 사이의 구성을 모식적으로 도시한 도면이다. 도 3을 참조하면, 본 실시형태의 각 실시예에 따른 투영 광학계(PL)에서는, 레티클(R)측(물체측)의 면이 제2 액체(Lm2)에 접하고 웨이퍼(W)측(상측)의 면이 제1액체(Lm1)에 접하는 액중 평행 평면판(Lp)이 가장 웨이퍼측에 배치되어 있다. 그리고, 이 액중 평행 평면판(Lp)에 인접하여, 레티클(R) 측의 면이 기체에 접하고 웨이퍼(W)측의 면이 제2 액체(Lm2)에 접하는 경계 렌즈(경계 광학 소자)(Lb)가 배치되어 있다.
본 실시형태의 각 실시예에 있어서, 1.1보다도 큰 굴절율을 갖는 제1 액체(Lm1) 및 제2 액체(Lm2)로서, 반도체 제조 공장 등에서 용이하게 대량으로 입수할 수 있는 순수(탈이온물)를 이용하고 있다. 또한, 경계 렌즈(Lb)는 레티클(R) 측에 볼록면을 향하고 웨이퍼(W)측에 평면을 향한 플러스 렌즈이다. 또한, 경계 렌즈(Lb) 및 액중 평행 평면판(Lp)은 함께, 석영에 의해 형성되어 있다. 이것은, 경계 렌즈(Lb)나 액중 평행 평면판(Lp)을 형석에 의해 형성하면, 형석은 물에 녹는 성질(가용성)이 있으므로, 투영 광학계의 결상 성능을 안정적으로 유지하기에 곤란하기 때문이다.
또한, 형석에서는 내부의 굴절율 분포가 고주파 성분을 갖는 것이 알려져 있고, 이 고주파 성분을 포함하는 굴절율의 변동이 플레어의 발생을 초래하는 우려가 있어, 투영 광학계의 결상 성능을 저하시키기 쉽다. 또한, 형석은 고유 복굴절성을 갖는 것이 알려져 있고, 투영 광학계의 결상 성능을 양호하게 유지하기 위해서는, 이 고유 복굴절성의 영향을 보정해야 한다. 따라서, 형석의 가용성, 굴절율분포의 고주파 성분 및 고유 복굴절성의 관점에서, 경계 렌즈(Lb)나 액중 평행 평면판(Lp)을 석영에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 투영 광학계(PL)에 대해 웨이퍼(W)를 상대 이동시키면서 주사 노광을 하는 스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식의 노광 장치에 있어서, 주사 노광의 개시로부터 종료까지 투영 광학계(PL)의 경계 렌즈(Lb)와 웨이퍼(W) 사이의 광로 중에 액체(Lm1, Lm2)를 계속해서 채우기 위해서는, 예컨대 국제 공개 번호 WO 99/49504호 공보에 개시된 기술이나, 일본 특허 공개 평10-303114호 공보에 개시된 기술 등을 이용할 수 있다.
국제 공개 번호 WO 99/49504호 공보에 개시된 기술에서는, 액체 공급 장치로부터 공급관 및 배출 노즐을 통해 소정의 온도로 조정된 액체를 경계 렌즈(Lb)와 웨이퍼(W) 사이의 광로를 채우도록 공급하고, 액체 공급 장치에 의해 회수관 및 유입 노즐을 통해 웨이퍼(W) 상에서 액체를 회수한다. 한편, 일본 특허 공개 평10-303114호 공보에 개시된 기술에서는, 액체를 수용할 수 있도록 웨이퍼 홀더테이블을 용기형으로 구성하고, 그 내저부(內低部)의 중앙에 있어서(액체중에 있어) 웨이퍼(W)를 진공 흡착에 의해 위치 결정 유지한다. 또한, 투영 광학계(PL)의 경통 선단부가 액체 중에 달하고, 나아가서는 경계 렌즈(Lb)의 웨이퍼측의 광학면이 액체중에 달하도록 구성한다.
본 실시형태에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 제1급 배물 기구(21)를 이용하여, 액중 평행 평면판(Lp)과 웨이퍼(W) 사이의 광로 중에 있어서 제1 액체(Lm1) 로서의 순수를 순환시키고 있다. 또한, 제2급 배물 기구(22)를 이용하여, 경계 렌즈(Lb)와 액중 평행 평면판(Lp) 사이의 광로 중에 있어서 제2 액체(Lm2)로서의 순수를 순환시키고 있다. 이와 같이, 침액으로서의 순수를 미소 유량으로 순환시킴으로써, 방부, 방곰팡이 등의 효과에 의해 액체의 변질을 막을 수 있다.
본 실시형태의 각 실시예에 있어서, 비구면은, 광축에 수직인 방향의 높이를 y로 하고, 비구면의 정점에서의 접평면으로부터 높이(y)에서의 비구면 상의 위치까지의 광축에 따른 거리(새그량)를 z로 하고, 정점 곡율 반경을 r로 하며, 원추 계수를 κ로 하고, n 다음의 비구면 계수를 Cn로 했을 때, 이하의 수식(a)으로 나타낸다. 후술의 표 (1) 및 (2)에 있어서, 비구면 형상으로 형성된 렌즈면에는 면번호의 우측에 *표를 붙이고 있다.
z=(y2/r)/[1+{1-(1+κ)ㆍy2/r2}1/2]
+ C4ㆍy4+ C6ㆍy6+ C8ㆍy8+ C10ㆍy10+ C12ㆍy12+ C14ㆍy14+… (a)
또한, 본 실시형태의 각 실시예에 있어서, 투영 광학계(PL)는 물체면(제1면)에 배치된 레티클(R)의 패턴의 제1 중간상을 형성하기 위한 제1 결상 광학계(G1)와, 제1 중간상에서의 광에 기초하여 레티클 패턴의 제2 중간상(제1 중간상의 상으로서 레티클 패턴의 2차상)을 형성하기 위한 제2 결상 광학계(G2)와, 제2 중간상에서의 광에 기초하여 상면(제2면)에 배치된 웨이퍼(W) 상에 레티클 패턴의 최종상(레티클 패턴의 축소상)을 형성하기 위한 제3 결상 광학계(G3)를 구비하고 있다. 여기서, 제1 결상 광학계(G1) 및 제3 결상 광학계(G3)는 함께 굴절 광학계이며, 제2 결상 광학계(G2)는 오목면 반사경(CM)을 포함하는 반사 굴절 광학계이다.
또한, 제1 결상 광학계(G1)와 제2 결상 광학계(G2) 사이의 광로 중에는 제1 평면 반사경(제1 편향 거울)(M1)이 배치되고, 제2 결상 광학계(G2)와 제3 결상 광학계(G3) 사이의 광로 중에는 제2 평면 반사경(제2 편향 거울)(M2)이 배치되어 있다. 이렇게 해서, 각 실시예의 투영 광학계(PL)에서는, 레티클(R)로부터의 광이, 제1 결상 광학계(G1)를 통해, 제1 평면 반사경(M1)의 근방에 레티클 패턴의 제1 중간상을 형성한다. 계속해서, 제1 중간상으로부터의 광이, 제2 결상 광학계(G2)를 통해, 제2 평면 반사경(M2)의 근방에 레티클 패턴의 제2 중간상을 형성한다. 또한, 제2 중간상으로부터의 광이, 제3 결상 광학계(G3)를 통해, 레티클 패턴의 최종상을 웨이퍼(W) 상에 형성한다.
또한, 각 실시예의 투영 광학계(PL)에서는, 제1 결상 광학계(G1) 및 제3 결상 광학계(G3)가 수직 방향을 따라 직선형으로 연장되는 광축(AX1) 및 광축(AX3)을 가지고, 광축(AX1) 및 광축(AX3)은 기준 광축(AX)과 일치하고 있다. 한편, 제2 결상 광학계(G2)는 수평 방향을 따라 직선형으로 연장되는[기준 광축(AX)에 수직인] 광축(AX2)을 갖는다. 이렇게 해서, 레티클(R), 웨이퍼(W), 제1 결상 광학계(G1)를 구성하는 모든 광학 부재 및 제3 결상 광학계(G3)를 구성하는 모든 광학 부재는, 중력 방향과 직교하는 면 즉 수평면을 따라 서로 평행하게 배치되어 있다. 또한, 제1 평면 반사경(M1) 및 제2 평면 반사경(M2)은 레티클면에 대해 45°의 각도를 이루도록 설정된 반사면을 각각 가지고, 제1 평면 반사경(M1)과 제2 평면 반사경(M2) 과는 하나의 광학 부재로서 일체적으로 구성되어 있다. 또한, 각 실시예에 있어서, 투영 광학계(PL)는 물체측 및 상측의 양쪽에 거의 텔리센트릭으로 구성되어 있다.
[제1 실시예]
도 4는 본 실시형태의 제1 실시예에 따른 투영 광학계의 렌즈 구성을 도시한 도면이다. 도 4를 참조하면, 제1 실시예에 따른 투영 광학계(PL)에 있어서 제1 결상 광학계(G1)는 레티클측에서 순서대로, 평행 평면판(P1)과, 양볼록 렌즈(L11)와, 레티클측에 볼록면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L12)과, 양볼록 렌즈(L13)와, 레티클측에 비구면 형상의 오목면을 향한 양오목 렌즈(L14)와, 레티클측에 볼록면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L15)와, 레티클측에 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L16)와, 레티클측에 오목면을 향한 마이너스 메니스커스 렌즈(L17)와, 레티클측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L18)와, 레티클측에 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L19)와, 양볼록 렌즈(L110)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L111)에 의해 구성되어 있다.
또한, 제2 결상 광학계(G2)는 광의 진행 왕로를 따라 레티클측(즉 입사측)으로부터 순서대로, 레티클측에 오목면을 향한 마이너스 메니스커스 렌즈(L21)와, 레티클측에 오목면을 향한 마이너스 메니스커스 렌즈(L22)와, 레티클측에 오목면을 향한 오목면 반사경(CM)으로 구성되어 있다. 또한, 제3 결상 광학계(G3)는 레티클측(즉 입사측)으로부터 순서대로, 레티클측에 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L31)와, 양볼록 렌즈(L32)와, 레티클측에 볼록면을 향한 플러스 메니스커스 렌 즈(L33)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L34)와, 양오목 렌즈(L35)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 양오목 렌즈(L36)와, 레티클측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L37)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L38)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 마이너스 메니스커스 렌즈(L39)와, 레티클측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L310)와, 양볼록 렌즈(L311)와, 개구 조리개(AS)와, 웨이퍼측에 평면을 향한 평볼록 렌즈(L312)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L313)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L314)와, 웨이퍼측에 평면을 향한 평볼록 렌즈[L315(경계 렌즈(Lb)]와, 평행 평면판(Lp)으로 구성되어 있다.
제1 실시예에서는, 경계 렌즈(경계 광학 소자)(Lb)와 평행 평면판(액중 평행 평면판)(Lp) 사이의 광로 및 평행 평면판(Lp)과 웨이퍼(W) 사이의 광로에, 사용광(노광광)인 ArF 엑시마 레이저광(중심 파장 λ= 193.306 ㎚)에 대해 1.435876의 굴절율을 갖는 순수(Lm1, Lm2)가 채워지고 있다. 또한, 경계 렌즈(Lb) 및 평행 평면판(Lp)을 포함하는 모든 광투과 부재가 사용광의 중심 파장에 대해 1.5603261의 굴절율을 갖는 석영(SiO2)에 의해 형성되어 있다.
다음 표(1)에, 제1 실시예에 따른 투영 광학계(PL)의 제원의 값을 게재한다. 표(1)에 있어서, λ는 노광광의 중심 파장을, β은 투영 배율(전계의 결상 배율)의 크기를, NA는 상측(웨이퍼측) 개구수를, B는 웨이퍼(W) 상에서의 이미지 서클(IF)의 반경을, A는 실효 노광 영역(ER)의 축에서 떨어진 양을, LX는 실효 노광 영역(ER)의 X 방향에 따른 치수(긴변의 치수)를, LY는 실효 노광 영역(ER)의 Y 방향에 따른 치수(짧은 변의 치수)를 각각 나타내고 있다.
또한, 면 번호는 물체면(제1면)인 레티클면에서 상면(제2면)인 웨이퍼면에의 광선의 진행하는 경로에 따른 레티클측으로부터의 면의 순서를, r은 각 면의 곡율 반경(비구면의 경우에는 정점 곡율 반경: ㎜)을, d는 각 면의 축상 간격 즉 면간격(mm)을, n은 중심 파장에 대한 굴절율을 각각 나타내고 있다. 또한, 면간격(d)은 반사될 때마다 그 부호를 바꾸는 것으로 한다. 따라서, 면간격(d)의 부호는, 제1 평면 반사경(M1)의 반사면으로부터 오목면 반사경(CM)까지의 광로 중 및 제2 평면 반사경(M2)으로부터 상면까지의 광로속에서는 마이너스로 하고, 그 외의 광로 중에서는 플러스로 하고 있다.
그리고, 제1 결상 광학계(G1)에서는, 레티클측을 향해 볼록면의 곡율 반경을 플러스로 하고, 레티클측을 향해 오목면의 곡율 반경을 마이너스로 하고있다. 제2 결상 광학계(G2)에서는, 광의 진행 왕로를 따라 입사측(레티클측)을 향해 오목면의 곡율 반경을 플러스로 하고, 입사측을 향해 볼록면의 곡율 반경을 마이너스로 하고 있다. 제3 결상 광학계(G3)로서는, 레티클측을 향해 오목면의 곡율 반경을 플러스로 하고, 레티클측을 향해 볼록면의 곡율 반경을 마이너스로 하고 있다. 또한, 표(1)에 있어서의 표기는, 이후의 표(2)에 있어서도 동일하다.
표 (1)
(주요 제원)
λ= 193.306 ㎚
β= 1/4
NA= 1.32
B= 15.3 ㎜
A= 2.8 ㎜
LX= 26 ㎜
LY= 5 ㎜
(광학 부재 제원)
면번호 r d n 광학 부재
(레티클면) 113.7542
1 ∞ 8.0000 1.5603261 (P1)
2 ∞ 6.0000
3 961.49971 52.0000 1.5603261 (L11)
4 -260.97642 1.0000
5 165.65618 35.7731 1.5603261 (L12)
6 329.41285 15.7479
7 144.73700 56.4880 1.5603261 (L13)
8 -651.17229 4.1450
9* -678.61021 18.2979 1.5603261 (L14)
10 173.73534 1.0000
11 82.85141 28.4319 1.5603261 (L15)
12 122.17403 24.6508
13 -632.23083 15.8135 1.5603261 (L16)
14 -283.76586 22.9854
15 -95.83749 44.8780 1.5603261 (L17)
16 -480.25701 49.9532
17* -327.24655 37.6724 1.5603261 (L18)
18 -152.74838 1.0000
19 -645.51205 47.0083 1.5603261 (L19)
20 -172.70890 1.0000
21 1482.42136 32.7478 1.5603261 (L11O)
22 -361.68453 1.0000
23 185.06735 36.2895 1.5603261 (L111)
24* 1499.92500 72.0000
25 ∞ -204.3065 (M1)
26 115.50235 -15.0000 1.5603261 (L21)
27 181.35110 -28.1819
28 107.57500 -18.0000 1.5603261 (L22)
29 327.79447 -34.9832
30 165.18700 34.9832 (CM)
31 327.79446 18.0000 1.5603261 (L22)
32 107.57500 28.1819
33 181.35110 15.0000 1.5603261 (L21)
34 115.50235 204.3065
35 ∞ -72.0000 (M2)
36 552.89298 -24.4934 1.5603261 (L31)
37 211.40931 -1.0000
38 -964.15750 -27.5799 1.5603261 (L32)
39 451.41200 -1.0000
40 -239.74429 -35.7714 1.5603261 (L33)
41 -171769.23040 -1.0000
42 -206.94777 -50.0000 1.5603261 (L34)
43* -698.47035 -43.1987
44 560.33453 -10.0000 1.5603261 (L35)
45 -116.92245 -46.5360
46 209.32811 -10.0000 1.5603261 (L36)
47* -189.99848 -23.6644
48* 1878.63986 -31.5066 1.5603261 (L37)
49 211.85278 -1.0000
50 -322.20466 -33.1856 1.5603261 (L38)
51* -1160.22740 -10.0172
52 -2715.10365 -22.0000 1.5603261 (L39)
53* -959.87714 -42.0799
54* 727.37853 -62.0255 1.5603261 (L310)
55 240.59248 -1.0000
56 -16276.86134 -62.1328 1.5603261 (L311)
57 333.64919 -1.0000
58 ∞ -1.0000 (AS)
59 -303.09919 -68.2244 1.5603261 (L312)
60 ∞ -1.0000
61 -182.25869 -77.6122 1.5603261 (L313)
62* -472.72383 -1.0000
63 -131.14200 -49.9999 1.5603261 (L314)
64* -414.78286 -1.0000
65 -75.90800 -43.3351 1.5603261 (L315:Lb)
66 ∞ -1.0000 1.435876 (Lm2)
67 ∞ -13.0000 1.5603261 (Lp)
68 ∞ -2.9999 1.435876 (Lm1)
(웨이퍼면)
(비구면데이터)
9면
κ = 0
C4 = -7.9031× 10-8 C6= 8.6709× 10-12
C8= -6.5472× 10-16 C10= 1.5504× 10-20
C12= 2.6800 × 10-24 C14= -2.6032× 10-28
C16= 7.3308× 10-33 C18= 0
17면
κ = 0
C4= 4.7672× 10-9 C6= -8.7145× 10-13
C8= -2.8591× 10-17 C10= 3.9981× 10-21
C12= -1.9927× 10-25 C14= 2.8410× 10-30
C16= 6.5538× 10-35 C18= 0
24면
κ = 0
C4= 2.7118× 10-8 C6= -4.0362× 10-13
C8= 8.5346× 10-18 C10= -1.7653× 10-22
C12= -1.1856× 10-27 C14= 5.2597× 10-31
C16= -2.0897× 10-35 C18= 0
43면
κ= 0
C4= -1.8839× 10-8 C6= 5.6009× 10-13
C8= -1.8306× 10-17 C10= 2.2177× 10-21
C12= -2.3512× 10-25 C14= 1.7766× 10-29
C16= -6.5390× 10-34 C18= 0
47면
κ= 0
C4= 9.0773× 10-8 C6= -5.4651× 10-12
C8= 4.4000× 10-16 C10= -2.7426× 10-20
C12= 3.2149× 10-25 C14= 2.3641× 10-28
C16= -1.3953× 10-32 C18= 0
48면
κ= 0
C4= 3.0443× 10-8 C6= -1.6528× 10-12
C8= 2.3949× 10-17 C10= -4.4953× 10-21
C12= 3.0165× 10-25 C14= -1.2463× 10-28
C16= 1.0783× 10-32 C18= 0
51면
κ= 0
C4= 1.8357× 10-8 C6= -4.3103× 10-13
C8= -9.4499× 10-17 C10= 4.3247× 10-21
C12= -1.6979× 10-25 C14= 8.6892× 10-30
C16= -1.5935× 10-34 C18= 0
53면
κ= 0
C4 = -3.9000× 10-8 C6 = -7.2737× 10-13
C8= 1.1921× 10-16 C10= -2.6393× 10-21
C12= -3.1544× 10-26 C14= 1.8774× 10-30
C16= -2.3545× 10-35 C18= 0
54면
κ= 0
C4= 1.9116× 10-8 C6= -6.7783× 10-13
C8= 1.5688× 10-17 C10= -6.0850× 10-22
C12= 1.8575× 10-26 C14= -4.2147× 10-31
C16= 7.3240× 10-36 C18= 0
62면
κ= 0
C4= 3.0649× 10-8 C6= -2.3613× 10-12
C8= 1.5604× 10-16 C10= -7.3591× 10-21
C12= 2.1593× 10-25 C14= -3.5918× 10-30
C16= 2.5879× 10-35 C18= 0
64면
κ= 0
C4= -6.0849× 10-8 C6= -8.7021× 10-13
C8= -1.5623× 10-16 C10= 1.5681× 10-20
C12= -1.6989× 10-24 C14= 7.9711× 10-29
C16= -2.7075× 10-33 C18= 0
도 5는 제1 실시예의 투영 광학계에 있어서의 횡수차를 도시한 도면이다. 수 차도에 있어서, Y는 상(像)의 높이를, 실선은 중심 파장 193.3060 ㎚을, 파선은 193.306 ㎚ + 0.2 pm = 193.3062 ㎚을, 일점 쇄선은 193.306 ㎚ - 0.2 pm = 193.3058 ㎚를 각각 나타내고 있다. 또한, 도 5에 있어서의 표기는, 이후의 도 7에 있어서도 동일하다. 도 5의 수차도면으로부터 명확해진 바와 같이, 제1 실시예에서는, 매우 큰 상측 개구수(NA= 132) 및 비교적 큰 실효 노광 영역(ER)(26 ㎜ × 5 ㎜)을 확보하고 있음에도 불구하고, 파장폭이 193.306 ㎚ ± 0.2 pm의 노광광에 대해 수차가 양호하게 보정되어 있는 것을 알 수 있다.
[제2 실시예]
도 6은 본 실시형태의 제2 실시예에 따른 투영 광학계의 렌즈 구성을 도시한 도면이다. 도 6을 참조하면, 제2 실시예에 따른 투영 광학계(PL)에 있어서 제1 결상 광학계(G1)는 레티클측에서 순서대로, 평행 평면판(P1)과, 양볼록 렌즈(L11)와, 레티클측에 볼록면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L12)와, 레티클측에 볼록면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L13)와, 레티클측에 비구면 형상의 오목면을 향한 양오목 렌즈(L14)와, 레티클측에 볼록면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L15)와, 레티클측에 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L16)와, 레티클측에 오목면을 향한 마이너스 메니스커스 렌즈(L17)와, 레티클측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L18)와, 레티클측에 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L19)와, 양볼록 렌즈(L110)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L111)에 의해 구성되어 있다.
또한, 제2 결상 광학계(G2)는 광의 진행 왕로를 따라 레티클측(즉 입사측)으 로부터 순서대로, 레티클측에 오목면을 향한 마이너스 메니스커스 렌즈(L21)와, 레티클측에 오목면을 향한 마이너스 메니스커스 렌즈(L22)와, 레티클측에 오목면을 향한 오목면 반사경(CM)으로 구성되어 있다. 또한, 제3 결상 광학계(G3)는 레티클측(즉 입사측)으로부터 순서대로, 레티클측에 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L31)와, 양볼록 렌즈(L32)와, 레티클측에 볼록면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L33)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L34)와, 양오목 렌즈(L35)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 양오목 렌즈(L36)와, 레티클측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L37)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L38)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 평오목 렌즈(L39)와, 레티클측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L310)와, 레티클측에 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L311)와, 개구 조임(AS)와, 웨이퍼측에 평면을 향한 평볼록 렌즈(L312)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L313)와, 웨이퍼측에 비구면 형상의 오목면을 향한 플러스 메니스커스 렌즈(L314)와, 웨이퍼측에 평면을 향한 평볼록 렌즈(L315)[경계 렌즈(Lb)]와, 평행 평면판(Lp)에 의해 구성되어 있다.
제2 실시예에 있어서도 제1 실시예와 동일하게, 경계 렌즈(Lb)와 평행 평면판(Lp) 사이의 광로 및 평행 평면판(Lp)과 웨이퍼(W) 사이의 광로에, 사용광(노광광)인 ArF 엑시마 레이저광(중심 파장 λ= 193.306 ㎚)에 대해 1.435876의 굴절율을 갖는 순수(Lm1, Lm2)가 채워져 있다. 또한, 경계 렌즈(Lb) 및 평행 평면판(Lp) 을 포함하는 모든 광투과 부재가 사용광의 중심 파장에 대해 1.5603261의 굴절율을 갖는 석영에 의해 형성되어 있다. 다음 표(2)에, 제2 실시예에 따른 투영 광학계(PL)의 제원의 값을 게재한다.
표(2)
(주요제원)
λ= 193.306 ㎚
β= 1/4
NA= 1.3
B= 15.4 ㎜
A= 3 ㎜
LX= 26 ㎜
LY= 5 ㎜
(광학 부재 제원)
면번호 r d n 광학 부재
(레티클면) 128.0298
1 ∞ 8.0000 1.5603261 (P1)
2 ∞ 3.0000
3 708.58305 50.0000 1.5603261 (L11)
4 -240.96139 1.0000
5 159.28256 55.0000 1.5603261 (L12)
6 1030.42583 15.3309
7 175.91680 33.4262 1.5603261 (L13)
8 1901.42936 13.4484
9* -313.76486 11.8818 1.5603261 (L14)
10 235.56199 1.0000
11 90.40801 53.3442 1.5603261 (L15)
12 109.36394 12.8872
13 -1337.13410 20.2385 1.5603261 (L16)
14 -314.47144 10.2263
15 -106.13528 42.5002 1.5603261 (L17)
16 -334.97792 56.0608
17* -1619.43320 46.3634 1.5603261 (L18)
18 -167.00000 1.0000
19 -568.04127 48.4966 1.5603261 (L19)
20 -172.67366 1.0000
21 637.03167 27.8478 1.5603261 (L11O)
22 -838.93167 1.0000
23 264.56403 30.7549 1.5603261 (L111)
24* 3443.52617 72.0000
25 ∞ -237.1956 (M1)
26 134.07939 -15.0000 1.5603261 (L21)
27 218.66017 -33.2263
28 111.51192 -18.0000 1.5603261 (L22)
29 334.92606 -28.5215
30 170.92067 28.5215 (CM)
31 334.92606 18.0000 1.5603261 (L22)
32 111.51192 33.2263
33 218.66017 15.0000 1.5603261 (L21)
34 134.07939 237.1956
35 ∞ -72.0000 (M2)
36 1133.17643 -25.2553 1.5603261 (L31)
37 247.47802 -1.0000
38 -480.60890 -29.6988 1.5603261 (L32)
39 626.43077 -1.0000
40 -208.29831 -36.2604 1.5603261 (L33)
41 -2556.24930 -1.0000
42 -173.46230 -50.0000 1.5603261 (L34)
43* -294.18687 -26.4318
44 699.54032 -11.5000 1.5603261 (L35)
45 -106.38847 -47.9520
46 158.19938 -11.5000 1.5603261 (L36)
47* -189.99848 -27.6024
48* 487.32943 -34.3282 1.5603261 (L37)
49 153.21216 -1.0000
50 -280.33475 -39.4036 1.5603261 (L38)
51* -1666.66667 -17.3862
52 ∞ -22.0000 1.5603261 (L39)
53* -1511.71580 -40.3150
54* 655.86673 -62.2198 1.5603261 (L31O)
55 242.88510 -1.0000
56 843.73059 -49.2538 1.5603261 (L311)
57 280.00000 -1.0000
58 ∞ -1.0000 (AS)
59 -291.92686 -61.1038 1.5603261 (L312)
60 ∞ -1.0000
61 -179.32463 -67.4474 1.5603261 (L313)
62* -438.34656 -1.0000
63 -128.42402 -52.4156 1.5603261 (L314)
64* -401.88080 -1.0000
65 -75.86112 -41.5893 1.5603261 (L315:Lb)
66 ∞ -1.0000 1.435876 (Lm2)
67 ∞ -16.5000 1.5603261 (Lp)
68 ∞ -3.0000 1.435876 (Lm1)
(웨이퍼면)
(비구면 데이터)
9면
κ= 0
C4= -3.1753× 10-8 C6= 9.0461× 10-12
C8= -1.0355× 10-15 C10= 1.2398× 10-19
C12= -1.1221× 10-23 C14= 5.7476× 10-28
C16= -1.1800× 10-32 C18= 0
17면
κ= 0
C4= -2.8399× 10-8 C6= -3.0401× 10-13
C8= 1.1462× 10-17 C10= 4.0639× 10-22
C12= -8.6125× 10-26 C14= 4.4202× 10-30
C16= -9.9158× 10-35 C18= 0
24면
κ= 0
C4= 2.1499× 10-8 C6= -3.8861× 10-13
C8= 5.4812× 10-18 C10= -2.1623× 10-23
C12= -2.5636× 10-26 C14= 2.1879× 10-30
C16= -6.5039× 10-35 C18= 0
43면
κ= 0
C4= -2.0533× 10-8 C6= 7.8051× 10-13
C8= 9.4002× 10-18 C10= -2.1043× 10-21
C12= 7.8182× 10-25 C14= -9.2007× 10-29
C16= 3.6742× 10-33 C18= 0
47면
κ= 0
C4= 9.8639× 10-8 C6= -6.7359× 10-12
C8= 6.8579× 10-16 C10= -6.1604× 10-20
C12= 5.1722× 10-24 C14= -2.9412× 10-28
C16= 8.6688× 10-33 C18= 0
48면
κ= 0
C4= 4.3101× 10-8 C6= -3.2805× 10-12
C8= 5.6432× 10-17 C10= -9.2345× 10-22
C12= 1.0713× 10-25 C14= -9.9944× 10-30
C16= 1.8148× 10-33 C18= 0
51면
κ= 0
C4= 2.5839× 10-8 C6= -1.8848× 10-12
C8= -4.9271× 10-17 C10= 4.4946× 10-21
C12= -7.2550× 10-26 C14= 4.9237× 10-31
C16= -2.4260× 10-35 C18= 6.2565× 10-40
53면
κ= 0
C4= -4.7449× 10-8 C6= -2.3075× 10-13
C8= 1.0475× 10-16 C10= -2.1805× 10-21
C12= -9.0530× 10-26 C14= 4.6274× 10-30
C16= -6.4961× 10-35 C18= 3.4402× 10-41
54면
κ= 0
C4= 2.0328× 10-8 C6= -7.7439× 10-13
C8= 1.6217× 10-17 C10= -3.5531× 10-22
C12= 8.2634× 10-27 C14= 2.6232× 10-31
C16= -2.0989× 10-35 C18= 4.0888× 10-40
62면
κ= 0
C4= 2.5121× 10-8 C6= -2.0342× 10-12
C8= 1.2906× 10-16 C10= -5.4455× 10-21
C12= 1.2885× 10-25 C14= -1.4600× 10-30
C16= 3.2850× 10-36 C18= 0
64면
κ= 0
C4= -2.8098× 108 C6= -3.9565× 10-12
C8= 3.1966× 10-16 C10= -2.7246× 10-20
C12= 1.8266× 10-24 C14= -8.6244× 10-29
C16= 2.1570× 10-33 C18= 0
도 7은 제2 실시예의 투영 광학계에 있어서의 횡수차를 도시한 도면이다. 도 7의 수차도로부터 명확해진 바와 같이, 제2 실시예에 있어서도 제1 실시예와 동일하게, 매우 큰 상측 개구수(NA= 1.3) 및 비교적 큰 실효 노광 영역(ER)(26 ㎜× 5 ㎜)을 확보하고 있음에도 불구하고, 파장폭이 193.306 ㎚± 0.2 pm의 노광광에 대해 수차가 양호하게 보정되어 있는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태의 투영 광학계(PL)에서는, 경계 렌즈(Lb)와 웨이퍼(W) 사이의 광로 중에 큰 굴절율을 갖는 순수(Lm1, Lm2)를 개재시킴으로써, 크고 실효적인 상측 개구수를 확보하면서, 비교적 큰 유효 결상 영역을 확보할 수 있다. 즉, 각 실시예로서는, 중심 파장이 193.306 ㎚의 ArF 엑시마 레이저광에 대해, 약 1.3의 높은 상측 개구수를 확보하는 동시에, 26 ㎜× 5 ㎜의 직사각형 형상의 실효 노광 영역(정지 노광 영역)(ER)을 확보할 수 있고, 예컨대 26 ㎜× 33 ㎜의 직사각형의 노광 영역 내에 회로 패턴을 고해상도로 주사 노광할 수 있다.
그런데, 액침형의 투영 광학계의 상측 개구수가 예컨대 1.2보다도 작은 경우, 도 8(a)에 도시한 바와 같이, 경계 렌즈(Lb)의 볼록면 형상의 입사면(Lba)의 곡율을 그만큼 크게하지 않더라도, 입사면(Lba)에서의 입사 광선의 반사를 피할 수 있다. 그 결과, 경계 렌즈(Lb)를 유지하기 위한 유지용 터브(Lbb)를 출사면(Lbc) 측의 액체(침액: 도시되지 않음)로부터 충분히 떨어뜨려 위치시킬 수 있으므로, 유지용 터브(Lbb)와 렌즈실의 홀드(Hd) 사이에 액체가 침입하거나, 또한 투영 광학계의 내부에 액체가 침입하거나 하는 위험성은 낮다.
그러나, 액침형의 투영 광학계의 상측 개구수를 예컨대 1.2보다도 크게 설정하는 경우, 도 8(b)에 도시한 바와 같이, 경계 렌즈(Lb)의 입사면(Lba)에의 입사 광선의 반사를 피하기 위해, 입사면(Lba)을 꽤 큰 곡율의 볼록면 형상으로 할 필요가 있다. 이 경우, 필연적으로, 경계 렌즈(Lb)의 유지용 터브(Lbb)가 출사면(Lbc) 측의 액체의 근처에 위치하게 되고, 유지용 터브(Lbb)와 홀드(Hd) 사이에 액체가 침입하기 쉽게 되며, 또한 투영 광학계의 내부에 액체가 침입하기 쉽게 된다.
유지용 터브(Lbb)와 홀드(Hd) 사이에 액체가 침입하면, 침입한 액체의 작용에 의해 유지용 터브(Lbb)와 홀드(Hd) 사이에 서로 끌어당기는 힘이 작동하여, 경계 렌즈(Lb)의 이동이나 변형을 초래하고, 나아가서는 투영 광학계의 결상 성능(일반적으로 광학 성능)을 손상시킬 위험성이 높게 된다. 또한, 유지용 터브(Lbb)와 홀드(Hd) 사이를 통과하여 투영 광학계의 내부에 액체가 침입하면, 경계 렌즈(Lb)를 포함하는 광투과 부재의 광학면에 형성된 반사 방지막의 열화를 초래하고, 나아가서는 투영 광학계의 결상 성능을 손상시킬 위험성이 높게 된다.
도 9는 본 실시형태에 따른 투영 광학계의 특징적인 주요부 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 9(a)를 참조하면, 본 실시형태의 투영 광학계(PL)에서는, 경계 렌즈(경계 광학 소자)(Lb)의 출사면(Lbc)의 유효 영역(유효한 결상 광속이 통과하는 영역)을 둘러싸도록 홈부(Gr)(다시 말해서 공간)가 형성되어 있다. 구체적 으로, 홈부(Gr)는 예컨대 출사면(Lbc)의 유효 영역을 전체 둘레에 걸쳐 둘러싸도록 연속적으로 형성되고, 입사면(Lba)의 유효 영역의 외주와 출사면(Lbc)의 유효 영역의 외주를 연결하는 유효 외주면(Lbd)에 따른[예컨대 유효 외주면(Lbd)에 거의 평행한] 경사면(Gra)을 갖는다.
본 실시형태의 투영 광학계(PL)에서는, 상측 개구수가 1.2보다도 실질적으로 큰 값(1.32 또는 1.3)으로 설정되어 있으므로, 경계 렌즈(Lb)의 입사면(Lba)의 곡율이 크고, 필연적으로 유지용 터브(Lbb)가 출사면(Lbc)측의 액체(Lm2)(도시되지 않음)의 근처에 위치하고 있지만, 홈부(Gr)는 유지용 터브(Lbb)보다도 입사면(Lba) 측까지 깊게 연장되어 있다. 다시 말해서, 유지용 터브(Lbb)는 광축(AX)에 수직인 유지면(도면 중 이점 쇄선으로 도시하는 가상적인 면)(Lbbs)에 설치되고, 홈부(Gr)의 내부로서의 공간이 유지용 터브(Lbb)와 광축(AX) 사이에 형성되어 있다. 또한, 본원 명세서에 있어서「홈부」란, 오목부나 도려낸 형상부 등을 포함하는 넓은 개념이며, 예컨대 홈부(Gr)의 내측의 면[즉 출사면(Lbc)]의 레벨과 외측의 면(Lbe)의 레벨 사이에 단차가 있는 것과 같은 구성도 가능하다.
또한, 본 실시형태의 투영 광학계(PL)에서는, 경계 렌즈(Lb)의 출사면(Lbc)의 유효 영역과 액중 평행 평면판(Lp) 사이의 광로 중에 액체(Lm2)를 유지하기 위한 액체 유지 기구(LH)가 설치된다. 액체 유지 기구(LH)는, 예컨대 티탄이나 스테인리스강 등에 의해 형성되고, 그 일부는 홈부(Gr)의 내부(다시 말해서 공간)로 돌출되어 있다. 또한 상세하게는, 액체 유지 기구(LH)는 홈부(Gr)의 경사면(Gra)과 간격을 이격하여 대향하는 대향면(LHa)을 가지고, 경사면(Gra) 및 대향면(LHa) 중 의 적어도 한쪽의 면은 발수 처리 가공되어 있거나, 혹은 경사면(Gra) 및 대향면(LHa) 중의 적어도 한쪽의 면에는 발수막이 형성되어 있다.
이상과 같이, 본 실시형태의 투영 광학계(PL)에서는, 경계 렌즈(Lb)의 입사면(Lba)의 곡율이 크므로, 유지용 터브(Lbb)가 출사면(Lbc) 측의 액체(Lm2)의 근처에 위치하는 것이 되지만, 출사면(Lbc)의 유효 영역을 둘러싸도록 홈부(Gr)가 형성되어 있으므로, 액체 유지 기구(LH)를 설치하지 않더라도, 홈부(Gr)의 작용에 의해 유지용 터브(Lbb)와 렌즈실의 홀드(Hd) 사이에 액체(Lm2)가 침입하기 어렵게 되고, 또한 투영 광학계(PL)의 내부에 액체(Lm2)가 침입하기 어렵게 된다.
즉, 본 실시형태의 투영 광학계(PL)에서는, 광학계의 내부에의 액체(침액)의 침입을 막아 양호한 결상 성능을 유지할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 노광 장치에서는, 광학계의 내부에의 액체의 침입을 막아 양호한 결상 성능을 유지할 수 있는 고해상인 액침 투영 광학계(PL)을 이용하고 있으므로, 미세한 패턴을 고정 밀도로 또한 안정적으로 투영 노광할 수 있다.
또한, 예컨대 경계 렌즈(Lb)의 출사면(Lbc)의 유효 영역을 둘러싸도록 복수의 홈부(Gr)를 단속적으로 설치하더라도 좋지만, 액체(Lm2)가 유지용 터브(Lbb)에 도달하는 것을 유효하게 방지하기 위해서는, 전술한 바와 같이, 출사면(Lbc)의 유효 영역을 전체 둘레에 걸쳐 둘러싸도록 홈부(Gr)를 연속적으로 형성하고, 또한 홈부(Gr)가 유지용 터브(Lbb)보다도 입사면(Lba)측까지 깊게 연장되도록 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태의 투영 광학계(PL)에서는, 경계 렌즈(Lb)와 웨이퍼(W) 사 이의 광로 중에 평행 평면판(일반적으로는 거의 무굴절력의 광학 부재)(Lp)이 배치되어 있으므로, 침액으로서의 순수가 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트로부터의 아웃 가스 등에 의한 오염을 받더라도, 경계 렌즈(Lb)와 웨이퍼(W) 사이에 개재하는 평행 평면판(Lp)의 작용에 의해, 오염된 순수에 의한 경계 렌즈(Lb)의 상측 광학면의 오염을 유효하게 막을 수 있다. 또한, 액체(순수: Lm1, Lm2)와 평행 평면판(Lp)의 굴절율차가 작으므로, 평행 평면판(Lp)에 요구되는 자세나 위치 정밀도가 대폭 완화되므로, 평행 평면판(Lp)이 오염되더라도 부재 교환을 수시로 행함으로써 광학 성능을 용이하게 복원할 수 있다. 또한, 평행 평면판(Lp)의 작용에 의해, 경계 렌즈(Lb)에 접하는 액체(Lm2)의 스캔 노광 시의 압력 변동이나 단계 이동시의 압력 변동이 작게 억제되므로, 비교적 작은 공간에서 액체를 유지하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시형태의 투영 광학계(PL)에서는, 경계 렌즈(Lb)에 접하는 것이 없도록, 즉 경계 렌즈(Lb)에 외력이 작용하는 것이 없도록, 액체 유지 기구(LH)의 일부가 홈부(Gr)의 내부에 돌출하는 것과 같은 형태로 설치되므로, 경계 렌즈(Lb)의 출사면(Lbc)의 유효 영역과 평행 평면판(Lp) 사이의 광로 중에 액체(Lm2)를 확실하게 유지할 수 있다. 다만, 경계 렌즈(Lb)에 접하는 액체(Lm2)에 상정(想定) 이상의 압력 변화가 발생하면, 홈부(Gr)의 경사면(Gra)과 액체 유지 기구(LH)의 대향면(LHa) 사이를 타 액체(Lm2)가 유지용 터브(Lbb)에 달하는 우려가 있다.
그래서, 경계 렌즈(Lb)에 접하는 액체(Lm2)에 상정 이상의 압력 변화가 발생하는 경우가 있더라도, 액체(Lm2)가 경사면(Gra)과 대향면(LHa) 사이를 타 유지용 터브(Lbb)에 도달하는 일이 없도록, 친수성의 경사면(Gra) 및 대향면(LHa) 중의 적어도 한쪽의 면에 발수 처리 가공을 실시하거나, 혹은 경사면(Gra) 및 대향면(LHa) 중의 적어도 한쪽의 면에 발수막을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 액체 유지 기구(LH)의 설치를 위한 공간을 확보하기 위해서는, 홈부(Gr)가 입사면(Lba)의 유효 영역의 외주와 출사면(Lbc)의 유효 영역의 외주를 연결하는 유효 외주면(Lbd)에 따른 [유효 외주면(Lbd)에 대응한 기울기를 가짐] 경사면(Gra)을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태의 투영 광학계(PL)에서는, 경계 렌즈(Lb)의 출사면(Lbc)의 유효 영역이 평면형으로 형성되어 있으므로, 경계 렌즈(Lb)와 평행 평면판(Lp) 사이의 액체층(Lm2)의 두께가 일정하게 되어 있다. 그 결과, 액체(Lm2)의 투과율이 노광광에 대해 충분하지 않더라도, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 노광 영역 내의 광량 불균일의 발생을 막을 수 있다.
또한, 전술의 실시형태에서는, 경계 렌즈(Lb)와 웨이퍼(W) 사이의 광로 중에 평행 평면판(Lp)을 배치하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 도 9(b)의 변형예에 도시한 바와 같이 평행 평면판(Lp)의 설치를 생략한 구성도 가능하다. 도 9(b)의 변형예에 있어서도, 경계 렌즈(Lb)의 출사면(Lbc)의 유효 영역을 둘러싸도록 홈부(Gr)(다시 말해서 공간)를 형성함으로써, 본 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
전술의 실시형태에서는, 경계 렌즈(Lb)와 웨이퍼(W) 사이의 광로 중에 충전되는 액체로서 순수(Lm1, Lm2)를 이용했지만, 그 대신에, 그보다도 굴절율이 높은 액체(예컨대 굴절율이 1.6 이상의 액체)를 이용하더라도 좋다. 이러한 고굴절율액체로서는, 예컨대 글리세놀(CH2[OH]CH[OH]CH2[OH])나 헵탄(C7H16) 등을 이용할 수 있다. 또한, H+, Cs-, K+, Cl-, SO4 2-, PO4 2-를 넣은 물, 알루미늄산화물의 미립자를 섞은 물, 이소프로판올, 헥산, 데칸 등을 이용할 수도 있다.
이러한 고굴절율 액체를 이용하는 경우에는, 투영 광학계(PL)의 크기, 특히 직경 방향의 크기를 억제하기 위해, 투영 광학계(PL)의 일부의 렌즈, 특히 상면[웨이퍼(W)]에 가까운 렌즈를 고굴절율의 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 고굴절율 재료로서는, 예컨대 산화칼슘 또는 산화마그네슘, 불화바륨, 산화스트론튬, 산화바륨, 혹은 이들을 주성분으로 하는 혼합 결정을 이용하는 것이 바람직하다.
이에 따라, 실현 가능한 사이즈를 기초로, 높은 개구수를 실현할 수 있다. 예컨대 ArF 엑시마 레이저(파장 193 ㎚)를 이용한 경우에도, 1.5 정도, 혹은 그 이상의 높은 개구수를 실현하는 것이 가능해진다. 또한, 노광광(IL)으로서 파장 157 ㎚의 F2 레이저를 이용하는 경우에는, 액체로서, F2 레이저광을 투과 가능한 액체, 예컨대 과불화폴리에테르(PFPE)나 불소계 오일 등의 불소계 유체를 이용하는 것이 바람직하다.
전술의 실시형태의 노광 장치에서는, 조명 장치에 의해 레티클(마스크)을 조명하고(조명 공정), 투영 광학계를 이용하여 마스크에 형성된 전사용의 패턴을 감광성 기판에 노광함으로서(노광 공정), 마이크로 디바이스(반도체 소자, 촬상 소 자, 액정 표시 소자, 박막 자기 헤드 등)를 제조할 수 있다. 이하, 본 실시형태의 노광 장치를 이용하여 감광성 기판으로서의 웨이퍼 등에 소정의 회로 패턴을 형성함으로써, 마이크로 디바이스로서의 반도체 디바이스를 얻을 때의 수법의 일례에 대해 도 10의 흐름도를 참조하여 설명한다.
우선, 도 10의 단계 301에 있어서, 1로트의 웨이퍼 상에 금속막이 증착된다. 다음 단계 302에 있어서, 그 1로트의 웨이퍼 상의 금속막 상에 포토레지스트가 도포된다. 그 후, 단계 303에 있어서, 본 실시형태의 노광 장치를 이용하여, 마스크상의 패턴의 상(像)이 그 투영 광학계를 통해, 그 1로트의 웨이퍼 상의 각 쇼트 영역에 순차 노광 전사된다. 그 후, 단계 304에 있어서, 그 1로트의 웨이퍼 상의 포토레지스트의 현상이 행해진 후, 단계 305에 있어서, 그 1로트의 웨이퍼 상에서 레지스트패턴을 마스크로서 에칭을 행함으로써, 마스크 상의 패턴에 대응하는 회로 패턴이, 각 웨이퍼 상의 각 쇼트 영역에 형성된다.
그 후, 더 위의 레이어의 회로 패턴의 형성 등을 행함으로써, 반도체 소자 등의 디바이스가 제조된다. 전술의 반도체 디바이스 제조 방법에 따르면, 매우 미세한 회로 패턴을 갖는 반도체 디바이스를 양호한 스루풋으로 얻을 수 있다. 또한, 단계 301∼단계 305에서는, 웨이퍼 상에 금속을 증착하여, 그 금속막 상에 레지스트를 도포, 그리고 노광, 현상, 에칭의 각 공정을 행하고 있지만, 이들의 공정에 앞서, 웨이퍼 상에 실리콘의 산화막을 형성한 후, 그 실리콘의 산화막 상에 레지스트를 도포, 그리고 노광, 현상, 에칭 등의 각 공정을 행하여도 좋은 것은 물론이다.
또한, 본 실시형태의 노광 장치에서는, 플레이트(유리 기판) 상에 소정의 패턴(회로 패턴, 전극 패턴 등)을 형성함으로써, 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 얻을 수도 있다. 이하, 도 11의 흐름도를 참조하여, 이 때의 수법의 일례에대하여 설명한다. 도 11에 있어서, 패턴 형성 공정 401에서는, 본 실시형태의 노광 장치를 이용하여 마스크의 패턴을 감광성 기판(레지스트가 도포된 유리 기판 등)에 전사 노광하는, 소위 광리소그래피 공정이 실행된다. 이 광리소그래피 공정에 의해, 감광성 기판 상에는 다수의 전극 등을 포함하는 소정 패턴이 형성된다. 그 후, 노광된 기판은 현상 공정, 에칭 공정, 레지스트 박리 공정 등의 각 공정을 거침으로써, 기판 상에 소정의 패턴이 형성되고, 다음 컬러필터 형성 공정 402으로 이행한다.
다음으로, 컬러필터 형성 공정 402에서는, R(Red), G(Green), B(Blue)에 대응한 3개의 도트의 조가 매트릭스형으로 다수 배열되거나, 또는 R, G, B의 3개의 스트라이프의 필터의 조를 복수 수평 주사선 방향으로 배열되거나 한 컬러필터를 형성한다. 그리고, 컬러필터 형성 공정 402 후에, 셀 조립 공정 403이 실행된다. 셀 조립 공정 403에서는, 패턴 형성 공정 401에서 얻어진 소정 패턴을 갖는 기판 및 컬러필터 형성 공정 402에서 얻어진 컬러필터 등을 이용하여 액정 패널(액정 셀)을 조립한다.
셀 조립 공정 403에서는, 예컨대, 패턴 형성 공정 401에서 얻어진 소정 패턴을 갖는 기판과 컬러필터 형성 공정 402에서 얻어진 컬러필터 사이에 액정을 주입하여, 액정 패널(액정 셀)을 제조한다. 그 후, 모듈 조립하여 공정 404에서, 조립 할 수 있었던 액정 패널(액정셀)의 표시 동작을 행하게 하는 전기 회로, 배면 광 등의 각 부품을 부착하여 액정 표시 소자로서 완성시킨다. 전술의 액정 표시 소자의 제조 방법에 따르면, 매우 미세한 회로 패턴을 갖는 액정 표시 소자를 양호한 스루풋으로 얻을 수 있다.
또한, 전술의 실시형태에서는, ArF 엑시마 레이저 광원을 이용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 예컨대 F2 레이저 광원과 같은 다른 적당한 광원을 이용할 수도 있다. 다만, 노광광으로서 F2 레이저광을 이용하는 경우는, 액체로서는 F2 레이저광을 투과 가능한 예컨대 불소계 오일이나 과불화폴리에테르(PFPE) 등의 불소계의 액체를 이용하게 된다.
또한, 전술의 실시형태에서는, 노광 장치에 탑재되는 액침형의 투영 광학계에 대해 본 발명을 적용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 다른 일반적인 액침형의 투영 광학계에 대해 본 발명을 적용할 수도 있다. 또한, 전술의 실시형태에서는, 유효 시야가 광축을 포함하지 않는 축외 시야형의 반사 굴절 광학계에 대해 본 발명을 적용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 다른 일반적인 투영 광학계에 대해 본 발명을 적용할 수도 있다. 또한, 전술의 실시형태에서는, 액침형의 투영 광학계에 대해 본 발명을 적용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 액침형의 대물광학계에 대해도 본 발명을 적용할 수도 있다.
또한, 전술의 실시형태에서는, 경계 렌즈(Lb) 및 액중 평행 평면판(Lp)을 비정질 재료인 석영으로 형성했지만, 경계 렌즈(Lb) 및 액중 평행 평면판(Lp)을 형성 하는 재료로서는 석영에는 한정되지 않고, 예컨대 산화마그네슘, 산화칼슘, 산화스트론튬, 산화바륨, 불화바륨, 바륨ㆍ리튬ㆍ플로라이드(BaLiF3), 루테튬ㆍ알루미늄ㆍ가넷([Lutetium Aluminum Garnet] LuAG)나, 스피넬([crystalline magnesium aluminum spinel] MgAl2O4) 등의 결정 재료를 이용하더라도 좋다.
또한, 전술의 실시형태에서는, 제1 액체 및 제2 액체로서 순수를 이용했지만, 제1 및 제2 액체로서는 순수에는 한정되지 않고, 예컨대 H+, Cs+, K+, Cl-, SO4 2-, PO4 2 -를 넣은 물, 이소프로판올, 글리세롤, 헥산, 헵탄, 데칸이나, 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤에 의한 델파이(환상탄화수소골격을 기본으로 하는 화합물), JSR 가부시키가이샤에 의한 HIF-001, 듀퐁(EI du Pont de Nemours and Company)에 의한 IF 131이나 IF 132, IF 175 등을 이용할 수 있다.

Claims (71)

  1. 제1면의 상을 액체를 통해 제2면에 투영하는 투영 광학계에 있어서,
    상기 투영 광학계는, 상기 제1면측이 기체와 접하고 상기 제2면측이 상기 액체와 접하는 경계 광학 소자를 구비하고,
    상기 경계 광학 소자는, 상기 제1면을 향한 입사면과, 상기 제2면을 향한 출사면과, 상기 출사면의 유효 영역을 둘러싸도록 형성된 홈부를 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  2. 제1항에 있어서, 상기 홈부는, 상기 유효 영역을 전체 둘레에 걸쳐 둘러싸도록 연속적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 홈부는, 상기 입사면의 유효 영역의 외주와 상기 출사면의 유효 영역의 외주를 연결하는 유효 외주면에 따른 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 홈부는, 상기 경계 광학 소자를 유지하기 위한 피유지부보다도 상기 입사면측까지 연장되고 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경계 광학 소자와 상기 제2면 사이의 광로 중에 배치되고, 거의 무굴절력을 갖는 광학 부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  6. 제5항에 있어서, 상기 경계 광학 소자의 상기 출사면의 유효 영역과 상기 거의 무굴절력의 광학 부재 사이의 광로 중에 상기 액체를 유지하기 위한 액체 유지 기구를 더 구비하고, 상기 액체 유지 기구의 일부는 상기 홈부의 내부로 돌출하고 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경계 광학 소자의 상기 출사면의 유효 영역과 상기 제2면 사이의 광로 중에 상기 액체를 유지하기 위한 액체 유지 기구를 더 구비하고, 상기 액체 유지 기구의 일부는 상기 홈부의 내부로 돌출하고 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 액체 유지 기구는 상기 홈부의 상기 경사면과 간격을 두고 대향하는 대향면을 가지고, 상기 경사면과 상기 대향면 중의 적어도 어느 한쪽의 면은 발수 처리 가공되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 액체 유지 기구는 상기 홈부의 상기 경사면과 간격을 두고 대향하는 대향면을 가지고, 상기 경사면과 상기 대향면 중 적어 도 어느 한쪽의 면에는 발수막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  10. 제1면의 상을 액체를 통해 제2면에 투영하는 투영 광학계에 있어서,
    상기 투영 광학계는, 상기 제1면측이 기체와 접하고 상기 제2면측이 상기 액체와 접하는 경계 광학 소자를 구비하고,
    상기 경계 광학 소자는, 상기 제1면을 향한 입사면과, 광축에 수직인 유지면에 설치되고, 상기 경계 광학 소자를 유지하기 위한 유지 부재와 접촉 가능한 피유지부를 구비하며,
    상기 피유지부와 상기 광축 사이에는 공간이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  11. 제10항에 있어서, 상기 공간은, 상기 경계 광학 소자의 출사면의 외주 전체에 걸쳐 둘러싸도록 연속적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 공간은, 상기 입사면의 유효 영역의 외주와 상기 경계 광학 소자의 출사면의 유효 영역의 외주를 연결하는 유효 외주면에 따른 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경계 광학 소자와 상기 제2면 사이의 광로 중에 배치되고, 거의 무굴절력을 갖는 광학 부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  14. 제13항에 있어서, 상기 경계 광학 소자의 상기 출사면과 상기 거의 무굴절력의 광학 부재 사이의 광로 중에 상기 액체를 유지하기 위한 액체 유지 기구를 더 구비하고, 상기 액체 유지 기구의 일부는 상기 공간에 돌출하고 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  15. 제11항 내지 제13항에 있어서, 상기 경계 광학 소자의 상기 출사면과 상기 제2면 사이의 광로 중에 상기 액체를 유지하기 위한 액체 유지 기구를 더 구비하고, 상기 액체 유지 기구의 일부는 상기 공간에 돌출하고 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 공간은, 상기 입사면의 유효 영역의 외주와 상기 출사면의 유효 영역의 외주를 연결하는 유효 외주면을 따른 경사면을 가지며,
    상기 액체 유지 기구는 상기 공간의 상기 경사면과 간격을 두고 대향하는 대향면을 가지며,
    상기 경사면 및 상기 대향면 중 적어도 한쪽의 면은 발수 처리 가공되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  17. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 공간은, 상기 입사면의 유효 영역의 외주와 상기 출사면의 유효 영역의 외주를 연결하는 유효 외주면을 따른 경사면을 가지며,
    상기 액체 유지 기구는 상기 공간의 상기 경사면과 간격을 두고 대향하는 대향면을 가지며,
    상기 경사면과 상기 대향면 중 적어도 한쪽의 면은 발수막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경계 광학 소자의 상기 출사면의 유효 영역은 평면형으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 입사면은, 상기 제1면측을 향해 볼록면을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투영 광학계는, 상기 제1면에서의 광에 기초하여 상기 제1면의 축소상을 상기 제2면 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  21. 제20항에 있어서, 상기 투영 광학계는,
    상기 제1면에서의 광에 기초하여 제1 중간상을 형성하기 위한 굴절형의 제1 결상 광학계와,
    적어도 하나의 오목면 반사경을 포함하고, 상기 제1 중간상에서의 광에 기초하여 제2 중간상을 형성하기 위한 제2 결상 광학계와,
    상기 제2 중간상에서의 광에 기초하여 상기 축소상을 상기 제2면상에 형성하기 위한 굴절형의 제3 결상 광학계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  22. 제21항에 있어서, 상기 투영 광학계는,
    상기 제1 결상 광학계와 상기 제2 결상 광학계 사이의 광로 중에 배치된 제1 편향 거울과,
    상기 제2 결상 광학계와 상기 제3 결상 광학계 사이의 광로 중에 배치된 제2편향 거울을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  23. 제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경계 광학 소자는 결정 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  24. 제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경계 광학 소자는 비정질 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 광학계.
  25. 상기 제1면에 설정된 패턴을 조명하기 위한 조명계와, 상기 패턴의 상을 상 기 제2면에 설정된 감광성 기판에 투영하기 위해 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 기재한 투영 광학계를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  26. 상기 제1면에 설정된 패턴을 조명하는 조명 공정과, 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 기재한 투영 광학계를 통해 상기 패턴의 상을 상기 제2면에 설정된 감광성 기판 상에 투영 노광하는 노광 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  27. 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 기재한 투영 광학계를 통해 상기 제1면에 설정된 패턴의 상을 상기 제2면에 설정된 감광성 기판 상에 투영 노광하는 노광 공정과,
    상기 노광 공정을 거친 상기 감광성 기판을 현상하는 현상 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  28. 액침 대물 광학계에 이용되고, 한쪽의 광학면이 액체에 접하는 광학 소자에 있어서,
    광축 방향으로 향한 면에 마련된 홈부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  29. 제28항에 있어서, 상기 홈부는, 상기 한쪽의 광학면의 상기 유효 영역을 전 체 둘레에 걸쳐 둘러싸도록 연속적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  30. 제28항 또는 제29항에 있어서, 상기 홈부는, 상기 광학 소자의 상기 다른쪽의 광학면의 유효 영역의 외주와 상기 광학 소자의 상기 한쪽의 광학면의 유효 영역의 외주를 연결하는 유효 외주면을 따른 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  31. 제28항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 홈부는, 상기 광학 소자를 유지하기 위한 피유지부보다도 상기 광학 소자의 상기 다른쪽의 광학면측까지 연장되고 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  32. 액침 대물 광학계에 이용되고, 한쪽의 광학면이 액체에 접하는 광학 소자에 있어서,
    상기 광학 소자의 광축과 수직인 유지면에 설치되고, 상기 광학 소자를 유지하기 위한 유지 부재에 접촉 가능한 피유지부를 구비하고,
    상기 피유지부와 상기 광축 사이에는 공간이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  33. 제 32항에 있어서, 상기 공간은, 상기 광학 소자의 상기 한쪽의 광학면의 외 주 전체에 걸쳐 둘러싸도록 연속적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  34. 제32항 또는 제33항에 있어서, 상기 공간은, 상기 광학 소자의 상기 다른쪽의 광학면의 유효 영역의 외주와 상기 광학 소자의 상기 한쪽의 광학면의 유효 영역의 외주를 연결하는 유효 외주면에 대한 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  35. 액침 대물 광학계에 이용되어, 액체에 접촉 가능한 한쪽의 광학면과, 기체에 접하는 다른쪽의 광학면을 갖는 광학 소자에 있어서,
    상기 다른쪽의 광학면의 외주로부터 상기 액체측을 향해 돌출한 형상을 갖는 돌출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  36. 제35항에 있어서, 상기 돌출부는, 상기 광학 소자를 유지하기 위한 유지 부재에 접촉 가능한 피유지부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  37. 제35항 또는 제36항에 있어서, 상기 한쪽의 광학면의 외주로부터 상기 다른쪽의 광학면의 외주를 향해 연장된 측면을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  38. 제37항에 있어서, 상기 한쪽의 광학면은 평면이고,
    상기 측면은 상기 한쪽의 광학면에 대해 경사져 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  39. 제37항 또는 제38항에 있어서, 상기 광학 소자는 광축을 더 포함하고,
    상기 광축과 수직인 방향에 있어서 상기 피유지부와 상기 측면 사이에는 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  40. 제39항에 있어서, 상기 공간은 상기 한쪽의 광학면의 외주 전체에 걸쳐 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  41. 액침 대물 광학계에 이용되어, 한쪽의 광학면이 액체에 접하는 광학 소자에 있어서,
    광축과,
    상기 한쪽의 광학면의 외주에 형성된 경사면과,
    상기 광학 소자를 유지하기 위한 유지 부재와 접촉 가능한 피유지부를 포함하며,
    상기 피유지부의 상기 광축을 따른 방향에 있어서의 위치는, 상기 경사면의 최외주의 광축 방향의 위치보다도 상기 액체측인 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  42. 제41항에 있어서, 다른쪽의 광학면과,
    상기 다른쪽의 광학면의 외주에 인접하여, 상기 피유지부가 형성되는 측벽을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  43. 제42항에 있어서, 상기 측벽과 상기 경사면 사이에는 공간이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  44. 제43항에 있어서, 상기 공간은 상기 한쪽의 광학면의 외주 전체에 걸쳐 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  45. 제35항 내지 제44항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다른쪽의 광학면측에는 돌출부를 갖지 않는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  46. 액침 대물 광학계에 이용되어, 한쪽의 광학면이 액체에 접하는 광학 소자에 있어서,
    상기 한쪽의 광학면의 외주에 형성된 제1측면과,
    상기 제1측면보다도 외측에 형성된 제2측면과,
    상기 광학 소자를 유지하기 위한 유지 부재와 접촉 가능한 피유지부가 설치되고, 상기 제2측면보다도 외측에 형성되는 제3측면을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  47. 제46항에 있어서, 상기 제1측면과 상기 제2측면 사이에는 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  48. 제47항에 있어서, 상기 공간은 상기 한쪽의 광학면의 외주 전체에 걸쳐 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  49. 제46항 내지 제48항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2측면과 상기 제3측면은 측벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  50. 제46항 내지 제49항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1측면은, 상기 피유지부의 광축 방향 위치보다도 입사측까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  51. 제28항 내지 제50항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 소자는 결정 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  52. 제28항 내지 제50항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 소자는 비정질 재료로부터 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  53. 제28항 내지 제52항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 소자의 다른쪽의 광학면은, 볼록면을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  54. 액침 대물 광학계에 이용되어, 한쪽의 광학면이 액체에 접하는 광학 소자에 있어서,
    상기 광학 소자를 유지하기 위한 유지 부재에 접촉 가능한 피유지부와,
    상기 한쪽의 광학면의 액침 영역으로부터 상기 피유지부를 향한 액체의 침입을 저지하기 위한 액체 침입 저지 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  55. 제54항에 있어서, 상기 액체 침입 저지 수단은, 상기 한쪽의 광학면과 상기 피유지부 사이에 위치하고, 경사진 면을 갖는 액체 유지 부재와 대향하는 경사면을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  56. 제55항에 있어서, 상기 액체 침입 저지 수단은, 상기 경사면에 설치된 발수 처리 가공을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  57. 제55항에 있어서, 상기 액체 침입 저지 수단은, 상기 경사면에 형성된 발수막을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  58. 제28항 내지 제57항 중 어느 한 항에 기재한 광학 소자를 구비한 액침 대물 광학계로서,
    상기 광학 소자는 가장 액체측에 배치되는 것을 특징으로 하는 액침 대물 광학계.
  59. 제58항에 있어서, 상기 액침 대물 광학계는, 물체의 상을 상기 액체를 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 액침 대물 광학계.
  60. 액체 유지 장치와 광학 소자를 구비하는 광학 조품으로서,
    상기 광학 소자는,
    상기 액체 유지 장치에 의해 유지되는 액체에 접촉 가능한 한쪽의 광학면과,
    기체에 접하는 다른쪽의 광학면과,
    상기 한쪽의 광학면의 외주로부터 상기 다른쪽의 광학면의 외주를 향해 연장된 측면과,
    상기 측면의 주연부에 있어서 상기 액체측을 향해 돌출한 형상을 갖는 피유지부와,
    광축과,
    상기 광축과 수직인 방향에 있어서 상기 피유지부와 상기 측면 사이에 형성된 공간을 구비하고,
    상기 액체 유지 장치의 적어도 일부가 상기 공간에 위치하는 것을 특징으로 하는 광학 조품.
  61. 제60항에 있어서, 상기 한쪽의 광학면은 평면이고,
    상기 측면은 상기 한쪽의 광학면에 대해 경사져 있는 것을 특징으로 하는 광학 조품.
  62. 제60항 또는 제61항에 있어서, 상기 공간은 상기 한쪽의 광학면의 외주 전체에 걸쳐 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 조품.
  63. 액체 유지 장치와 광학 소자를 구비하는 광학 조품으로서,
    상기 광학 소자는,
    상기 액체 유지 장치에 의해 유지되는 액체에 접촉 가능한 한쪽의 광학면과,
    기체에 접하는 다른쪽의 광학면과,
    상기 광학 소자의 주연부에 형성된 피유지부를 구비하고,
    상기 액체 유지 장치는, 상기 피유지부의 내측에 액침 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 광학 조품.
  64. 제63항에 있어서, 상기 광학 소자의 주연부는, 상기 주연부로부터 상기 한쪽의 광학면측을 향해 광축 방향을 따라 연장된 형상으로 형성된 측벽을 가지며,
    상기 피유지부는, 상기 측벽에 설치되는 것을 특징으로 하는 광학 조품.
  65. 제64항에 있어서, 상기 측벽과 상기 한쪽의 광학면 사이에는, 공간이 형성되고,
    상기 액체 유지 장치의 적어도 일부는, 상기 공간 내에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 조품.
  66. 제65항에 있어서, 상기 공간은 상기 한쪽의 광학면의 외주에 걸쳐 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 조품.
  67. 제60항 내지 제66항 중 어느 한 항에 기재한 광학 조품을 구비하는 액침 대물 광학계로서,
    상기 광학 소자는 가장 액체측에 배치되는 것을 특징으로 하는 액침 대물 광학계.
  68. 제67항에 있어서, 상기 액침 대물 광학계는, 물체의 상을 상기 액체를 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 액침 대물 광학계.
  69. 제58항, 제59항, 제67항 또는 제68항에 있어서, 제1면에 설정된 패턴을 조명하기 위한 조명계와, 상기 패턴의 상을 제2면에 설정된 감광성 기판에 투영하기 위한 액침 대물 광학계를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  70. 제1면에 설정된 패턴을 조명하는 조명 공정과, 제58항, 제59항, 제67항 또는 제68항에 기재된 액침 대물 광학계를 통해 상기 패턴의 상을 제2면에 설정된 감광성 기판 상에 투영 노광하는 노광 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  71. 제58항, 제59항, 제67항 또는 제68항에 기재한 액침 대물 광학계를 통해 제1면에 설정된 패턴의 상을 제2면에 설정된 감광성 기판 상에 투영 노광하는 노광 공정과, 상기 노광 공정을 거친 상기 감광성 기판을 현상하는 현상 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
KR1020077026699A 2005-05-12 2006-05-08 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 KR20080005428A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005139343 2005-05-12
JPJP-P-2005-00139343 2005-05-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080005428A true KR20080005428A (ko) 2008-01-11

Family

ID=37396517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077026699A KR20080005428A (ko) 2005-05-12 2006-05-08 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7936441B2 (ko)
EP (1) EP1881520A4 (ko)
JP (2) JP5055566B2 (ko)
KR (1) KR20080005428A (ko)
CN (1) CN100539020C (ko)
HK (1) HK1111813A1 (ko)
WO (1) WO2006121008A1 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US20080151364A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
WO2005071491A2 (en) 2004-01-20 2005-08-04 Carl Zeiss Smt Ag Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
EP1751601B1 (en) 2004-05-17 2007-12-05 Carl Zeiss SMT AG Catadioptric projection objective with intermediate images
JP2007005777A (ja) * 2005-05-25 2007-01-11 Tokuyama Corp 液浸式露光装置のラストレンズ
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US8027023B2 (en) 2006-05-19 2011-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference
EP1998223A2 (de) 2007-01-23 2008-12-03 Carl Zeiss SMT AG Projektionsobjektiv für die Lithographie
DE102007062894A1 (de) 2007-01-23 2008-07-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für die Lithographie
NL1035757A1 (nl) 2007-08-02 2009-02-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
DE102009037077B3 (de) 2009-08-13 2011-02-17 Carl Zeiss Smt Ag Katadioptrisches Projektionsobjektiv
DE102011077784A1 (de) 2011-06-20 2012-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsanordnung
US20140192337A1 (en) * 2011-08-30 2014-07-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of setting up a lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6261357B2 (ja) * 2014-01-30 2018-01-17 オリンパス株式会社 顕微鏡および観察方法
JP2016001633A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子装置
DE102016205618A1 (de) 2016-04-05 2017-03-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator, Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage
DE102016224400A1 (de) 2016-12-07 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Katadioptrisches Projektionsobjektiv und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102017209440A1 (de) 2017-06-02 2018-12-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60230604A (ja) * 1984-04-30 1985-11-16 Olympus Optical Co Ltd レンズ
JPS63141011A (ja) * 1986-12-03 1988-06-13 Minolta Camera Co Ltd レンズの保持装置
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
US5995304A (en) * 1997-07-02 1999-11-30 Fuji Photo Optical Co., Ltd. Plastic lens
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
US6671246B1 (en) * 1999-04-28 2003-12-30 Olympus Optical Co., Ltd. Optical pickup
JP2001356263A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Pioneer Electronic Corp 組み合わせ対物レンズ、光ピックアップ装置、光学式記録再生装置及び組み合わせ対物レンズ製造方法
US6829107B2 (en) * 2000-06-17 2004-12-07 Carl-Zeiss-Stiftung Device for mounting an optical element, for example a lens element in a lens
JP2003075703A (ja) 2001-08-31 2003-03-12 Konica Corp 光学ユニット及び光学装置
EP1532489A2 (en) 2002-08-23 2005-05-25 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
WO2004053955A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004205698A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
JP2005005395A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Nikon Corp ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法
KR101211451B1 (ko) * 2003-07-09 2012-12-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20180120816A (ko) * 2003-08-21 2018-11-06 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US8149381B2 (en) * 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
SG133589A1 (en) 2003-08-26 2007-07-30 Nikon Corp Optical element and exposure device
TW200513809A (en) * 2003-09-29 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Liquid-soaked lens system and projecting exposure apparatus as well as component manufacturing method
JP4470433B2 (ja) * 2003-10-02 2010-06-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP4577023B2 (ja) * 2004-03-15 2010-11-10 ソニー株式会社 ソリッドイマージョンレンズ、集光レンズ、光学ピックアップ装置、光記録再生装置及びソリッドイマージョンレンズの形成方法
JP4655763B2 (ja) * 2004-06-04 2011-03-23 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US20070216889A1 (en) 2004-06-04 2007-09-20 Yasufumi Nishii Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
US20070103661A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP2006114195A (ja) * 2004-09-14 2006-04-27 Sony Corp レンズ保持体とこれを用いた集光レンズ、光学ピックアップ装置及び光記録再生装置
JP2006114196A (ja) * 2004-09-14 2006-04-27 Sony Corp ソリッドイマージョンレンズとこれを用いた集光レンズ、光学ピックアップ装置、光記録再生装置及びソリッドイマージョンレンズの形成方法
JP2006128192A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7782440B2 (en) * 2004-11-18 2010-08-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection lens system of a microlithographic projection exposure installation
JP2006268741A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Nec Corp コンタクトセンターシステムおよびエージェント端末装置ならびにエージェントへの情報提供方法
WO2007132862A1 (ja) * 2006-05-16 2007-11-22 Nikon Corporation 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
NL1035908A1 (nl) * 2007-09-25 2009-03-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.

Also Published As

Publication number Publication date
EP1881520A1 (en) 2008-01-23
JP2012164991A (ja) 2012-08-30
JPWO2006121008A1 (ja) 2008-12-18
HK1111813A1 (ko) 2008-08-15
CN101171667A (zh) 2008-04-30
CN100539020C (zh) 2009-09-09
JP5561563B2 (ja) 2014-07-30
WO2006121008A1 (ja) 2006-11-16
JP5055566B2 (ja) 2012-10-24
US7936441B2 (en) 2011-05-03
EP1881520A4 (en) 2010-06-02
US20090092925A1 (en) 2009-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5055566B2 (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP6399121B2 (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2007059556A (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2006317753A (ja) 反射屈折結像光学系、露光装置、および露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application