WO2006126522A1 - 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2006126522A1
WO2006126522A1 PCT/JP2006/310218 JP2006310218W WO2006126522A1 WO 2006126522 A1 WO2006126522 A1 WO 2006126522A1 JP 2006310218 W JP2006310218 W JP 2006310218W WO 2006126522 A1 WO2006126522 A1 WO 2006126522A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
liquid
exposure
optical system
exposure apparatus
energy
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/310218
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yusaku Uehara
Kousuke Suzuki
Katsushi Nakano
Yasuhiro Omura
Original Assignee
Nikon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corporation filed Critical Nikon Corporation
Priority to US11/919,669 priority Critical patent/US8253924B2/en
Priority to JP2007517829A priority patent/JP4596191B2/ja
Priority to EP06756474A priority patent/EP1895570A4/en
Publication of WO2006126522A1 publication Critical patent/WO2006126522A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose

Definitions

  • Exposure method Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
  • the present invention relates to an exposure method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method. More specifically, the present invention relates to an exposure method and an exposure method used in a lithosphere process for manufacturing electronic devices such as semiconductor elements (integrated circuits) and liquid crystal display elements. The present invention relates to an exposure apparatus and a device manufacturing method using them.
  • a mask (or reticle) pattern image is transferred to a resist (sensitive material) via a projection optical system.
  • a resist sensitive material
  • stepper and the step “and” scan type projection exposure apparatus (the so-called “scanning” stepper) are mainly used.
  • the optical characteristics (for example, aberration) of the entire optical system including the projection optical system and the liquid may vary due to the change in the refractive index of the liquid due to exposure light exposure.
  • the liquid permeability to the exposure light may fluctuate when the liquid touches the atmosphere.
  • the TOC (Total Organic Carbon) and Z in the liquid and Z or the increase in the amount of dissolved oxygen in the liquid decreases the liquid permeability. There is a possibility.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 6-252022
  • exposure is performed by irradiating an object with an energy beam through an optical system containing liquid and exposing the object.
  • a method for predicting a change in optical characteristics of an optical system including the liquid caused by energy absorption of the liquid based on energy information of the energy beam incident on the liquid; And a step of performing an exposure operation on the object based on the result.
  • an exposure method for irradiating an object with an energy beam through a liquid and exposing the object wherein the exposure method relates to a transmittance of the liquid with respect to the energy beam.
  • the object pattern is formed on the object by exposing the object and forming a device pattern on the object by either the first or second exposure method of the present invention. It becomes possible to form with high accuracy. Therefore, from the third viewpoint, the present invention can be said to be a device manufacturing method using either the first or second exposure method of the present invention.
  • an exposure apparatus for irradiating an object with an energy beam through a liquid and exposing the object, the optical system including the liquid; and entering the liquid
  • a sensor system for obtaining energy information of the energy beam; Based on the energy information acquired using the system, the fluctuation of the optical characteristics of the optical system including the liquid due to the energy absorption of the liquid is predicted, and the object is detected based on the prediction result.
  • a control device that controls the exposure operation.
  • an exposure apparatus that irradiates an object with an energy beam via a liquid and exposes the object, the beam source for emitting the energy beam; And a controller for controlling an integrated exposure amount for the object based on a change in a physical quantity related to the transmittance of the liquid with respect to the emitted energy beam when the beam source power is exposed.
  • the object pattern is exposed on the object by either the first exposure apparatus or the second exposure apparatus of the present invention, and a device pattern is formed on the object. It becomes possible to form with high accuracy. Therefore, from the sixth viewpoint, the present invention can be said to be a device manufacturing method using either the first or second exposure apparatus of the present invention.
  • a lithographic process is performed in which an object is exposed by irradiating the object with an energy beam via an optical system including a liquid, and a device pattern is formed on the object.
  • an object is irradiated with an energy beam through a liquid.
  • a device manufacturing method comprising: exposing the object to form a device pattern on the object; and irradiating the energy beam with a beam source force; and transmitting the liquid to the energy beam. And an exposure process of controlling the object while controlling an integrated exposure amount for the object based on a change in physical quantity related to the rate.
  • the lithographic process of exposing an object by irradiating the object with an energy beam through an optical system including a liquid to form a device pattern on the object comprising: obtaining energy information of the energy beam incident on the liquid using a sensor system; and based on energy information obtained using the sensor system, A device manufacturing method comprising: predicting a change in optical characteristics of an optical system including the liquid due to energy absorption of the liquid; and executing an exposure operation on the object based on the prediction result. It is.
  • a device manufacturing method including a lithographic process for exposing an object by irradiating the object with an energy beam through a liquid and forming a device pattern on the object.
  • FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view showing the image plane side of the projection optical system and the vicinity of the nozzle member.
  • FIG. 3 A view of the nozzle member with a downward force.
  • IV-4 A diagram showing the configuration of the projection optical system.
  • FIG. 5 is a block diagram showing a main part of a control system of the apparatus of FIG.
  • FIG. 6 (A) to FIG. 6 (D) are views for explaining the effect of the exposure apparatus of one embodiment.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exposure apparatus 100 according to an embodiment.
  • the exposure apparatus 100 is a step-and-scan type scanning exposure apparatus, that is, a so-called scanner.
  • the exposure apparatus 100 holds an illumination system including a light source 16 and an illumination optical system 12, and a reticle R illuminated by illumination light IL as an exposure energy beam emitted from the illumination system, and performs predetermined scanning.
  • Reticle stage RST that moves in the direction (here, the Y-axis direction that is the left-right direction in the drawing in FIG. 1)
  • projection unit PU that includes projection optical system PL that projects the pattern of reticle R onto wafer W
  • wafer It is equipped with a wafer stage WST that moves the horizontal plane (within the XY plane) while holding W, an immersion mechanism, and a control system that controls these.
  • the light source 16 has a wavelength of 200 ⁇ !
  • An ArF excimer laser (output wavelength: 193 nm), which is a pulsed light source that emits light in the vacuum ultraviolet region of ⁇ 170 nm, is used.
  • the illumination optical system 12 includes a beam shaping optical system 18, an energy coarse adjuster 20, an optical integrator (unifomizer or homogenizer) 22, an illumination system aperture stop plate 24, which are arranged in a predetermined positional relationship. It includes a beam splitter 26, a first relay lens 28A, a second relay lens 28B, a fixed reticle blind 30A, a movable reticle blind 30B, an optical path bending mirror M, a condenser lens 32, and the like.
  • Optical 'integrator As 22 a fly-eye lens, an internal reflection type integrator, or a diffractive optical element is used. However, since a fly-eye lens is used in FIG. 1, it is also referred to as a “fly eye lens” below.
  • the energy coarse adjuster 20 is disposed on the optical path of the laser beam LB behind the beam shaping optical system 18 that shapes the cross-sectional shape of the laser beam LB incident from the light source 16, and is arranged on the rotating plate (revolver) 34.
  • the drive motor 38 is controlled by the main controller 50.
  • the energy coarse adjuster 20 may be composed of a two-stage revolver having a plurality of ND filters, or a one-stage or a plurality of stages of filter replacement members having a plurality of mesh filters having different transmittances. .
  • an illumination system aperture stop plate 24 which is also a disk-shaped member, is disposed via a fly-eye lens 22.
  • an aperture stop (normal stop) made up of, for example, a normal circular opening, and an aperture stop (in order to reduce the coherence factor ⁇ value) at almost equal angular intervals.
  • Small sigma aperture an annular aperture stop for annular illumination, and a modified aperture stop with multiple eccentric apertures for the modified light source method (Fig. 1 shows only two of these aperture stops) Is shown).
  • the illumination system aperture stop plate 24 is rotated by a drive unit 40 such as a motor controlled by the main control unit 50, whereby one of the aperture stops is selectively set on the optical path of the illumination light IL.
  • the illumination condition is changed using the illumination system aperture stop plate 24.
  • the optical element (optical system) for changing the illumination condition is not limited to this.
  • the illumination conditions may be changed using an optical system as disclosed in US Pat. No. 6,563,567.
  • the disclosure of the above US patent is incorporated and made a part of this description.
  • a beam splitter 26 having a small reflectance and a large transmittance is disposed on the optical path of the illumination light IL behind the illumination system aperture stop plate 24, and a fixed reticle brace is further disposed on the rear optical path.
  • a relay optical system including a first relay lens 28A and a second relay lens 28B is disposed with an India (fixed field stop) 30A and a movable reticle blind (movable field stop) 30B interposed therebetween.
  • Fixed reticle blind 30A is disposed on a surface slightly defocused from the conjugate plane with respect to the pattern surface of reticle R, and a rectangular opening that defines illumination area IAR on reticle R is formed.
  • a movable reticle blind 30B having a variable opening is disposed in the vicinity of the fixed reticle blind 30A, and the illumination area IAR is further limited by using the movable reticle blind 30B at the start and end of scanning exposure. Unnecessary exposure is prevented.
  • a bending mirror M that reflects the illumination light IL that has passed through the second relay lens 28B toward the reticle R is disposed.
  • a condenser lens 32 is arranged on the optical path of the rear illumination light IL.
  • the illumination light IL reflected by one surface (front surface) of the beam splitter 26 is received by the integrator sensor 46 including a photoelectric conversion element via the condenser lens 44, and the photoelectric conversion signal of the integrator sensor 46 is received.
  • the integrator sensor 46 for example, a PIN type photodiode having sensitivity in the far ultraviolet region or vacuum ultraviolet region and having a high response frequency for detecting pulsed light from the light source 16 can be used.
  • a reflection amount monitor 47 made of a photoelectric conversion element is arranged at a position conjugate with the pupil plane of the illumination optical system 12.
  • the illumination light IL (reflected light) reflected by the wafer W returns to the beam splitter 26 via the projection optical system PL, the condenser lens 32, the mirror M, and the relay optical system, and is reflected by the beam splitter 26.
  • the reflected light is received by the reflection amount monitor 47, and the detection signal of the reflection amount monitor 47 is supplied to the main controller 50.
  • the reflection amount monitor 47 is used to measure the wafer reflectivity, which is the basis for calculating fluctuations in imaging characteristics (various aberrations) due to illumination light absorption of the optical system, which will be described later, so-called irradiation fluctuations.
  • the light is output via the reticle R from the output signal of the integrator sensor 46.
  • the amount of illumination light IL passing through the shadow optical system PL and the liquid Lql filled between the projection optical system PL and the wafer W (the first amount of light) is monitored. Since the amount of reflected light reflected by Ueno and W and passing again through the liquid Lql and the projection optical system PL (the second amount of light) can be monitored, the projection opticals are based on the first and second amounts of light. The total amount of light passing through the system PL and liquid Lql can be monitored more accurately. As will be described later, in this embodiment, the liquid Lq2 (see FIG.
  • the liquid Lq2 is regarded as a part of the optical elements constituting the projection optical system PL, and here, only the liquid Lql is described separately from the projection optical system PL.
  • Reticle stage RST On reticle stage RST, reticle R is mounted and held by suction using a vacuum chuck (not shown) or the like.
  • Reticle stage RST can be driven minutely in the horizontal plane (XY plane) by, for example, a linear motor type reticle stage drive system 48, and has a scanning direction (here, the Y-axis direction that is the left-right direction in FIG. 1). ) Is scanned within the specified stroke range.
  • the position of reticle stage RST is measured by an external reticle laser interferometer 53 using the mirror-coated side surface (reflecting surface) of reticle stage R ST, and the measurement value of reticle laser interferometer 53 is measured. Supplied to main controller 50.
  • the projection unit PU is arranged below the reticle stage RST as shown in FIG.
  • the projection unit PU includes a lens barrel 140 and a projection optical system PL having a plurality of optical elements held in the lens barrel 140 in a predetermined positional relationship.
  • a catadioptric system (catadioptric system) is used as the projection optical system PL.
  • FIG. 4 shows a configuration example of the projection optical system PL together with the reticle R (reticle stage RST) and wafer W (wafer stage WST).
  • This projection optical system PL It includes three imaging optical systems Gl, G2, G3, etc. arranged in a predetermined positional relationship inside the lens barrel 140, and as a whole, a reduction optical system (projection magnification is, for example, 1Z4 times, 1Z5 times or 1Z8 times) It is.
  • the projection optical system PL includes a refractive first imaging optical system G1 that forms a primary image of the pattern formed on the reticle R, and a reflection that re-images the primary image to form a secondary image.
  • optical axis AX1 of the first imaging optical system G1 and the optical axis AX3 of the third imaging optical system G3 are coaxial, and these optical axes AX1, AX3 and the optical axis AX2 of the second imaging optical system G2 Intersect at one point. At this intersection, the virtual vertexes (ridges) of the two reflecting surfaces of the optical path bending mirror FM are located.
  • the concave reflecting mirror Ml constituting a part of the second imaging optical system G2 has a positive refractive power, the contribution to the Petzval sum is the same as that of the negative lens.
  • the Petzval sum can be easily corrected by the combination of the reflector Ml and the positive lens, and the field curvature can be corrected well. This makes it possible to satisfactorily correct spherical aberration and Z or coma aberration over the entire effective imaging area (effective exposure area) even with a large image-side numerical aperture NA.
  • One or more negative lenses are arranged in the second imaging optical system G2, and the first imaging optical system G1 and the third imaging lens are cooperated by the negative lens and the concave reflecting mirror Ml. Compensates for chromatic aberration caused by optical system G3.
  • the projection optical system PL of the present embodiment has an effective exposure area (effective imaging area) IA decentered by a distance A on the Y side with respect to the optical axis AX (that is, the optical axes A XI and AX3). It forms two intermediate images in the optical path.
  • the exposure area that is, the effective exposure area
  • the distance A from X that is, the off-axis amount can be set small. This is advantageous not only in terms of aberration correction, but also in terms of downsizing of projection optical system PL, optical adjustment, mechanical design, manufacturing cost, and the like.
  • the off-axis amount can be set further smaller.
  • a rectangular illumination area (that is, an effective illumination area) IAR having a size and shape corresponding to the effective exposure area IA is formed at a position separated by a predetermined distance corresponding to the off-axis amount A in the Y direction (FIG. 5). 4).
  • a boundary lens 192 (hereinafter referred to as "optical element 192" as appropriate), which is an optical element disposed closest to the wafer excluding the terminal optical element 191 ) Has a convex surface on the reticle side.
  • the reticle side surface of the boundary lens 192 has a positive refractive power.
  • a terminal optical element 191 having parallel plane plate force is disposed in the optical path between the boundary lens 192 and the wafer W.
  • the optical path between the boundary lens 192 and the terminal optical element 191 and the optical path between the terminal optical element 191 and the wafer W are filled with a liquid having a refractive index greater than 1.1.
  • each optical path is filled with pure water having a refractive index of 1.44 to ArF excimer laser light, that is, illumination light IL having a wavelength of 193 nm.
  • Pure water is not only ArF excimer laser light, but also ultraviolet light (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength: 248 nm) emitted from mercury lamps. DUV light) can also be transmitted.
  • a plurality of specific lenses among the plurality of lenses of the projection optical system PL for example, a part (for example, five) of the plurality of lenses included in the first imaging optical system G1 1 (hereinafter referred to as a “movable lens”) is driven by the imaging characteristic correction controller 52 shown in FIG. 1 based on a command from the main controller 50, and is an optical system including the projection optical system PL.
  • Properties including imaging properties, such as magnification, distortion, coma, and field curvature (including image tilt) can be adjusted!
  • the wafer stage WST is disposed below the projection optical system PL and above a base (not shown), and is XY by a wafer stage drive system 56 including a linear motor and the like. It can be moved freely in the plane (including ⁇ z rotation). Wafer stage WST In the Z-axis direction and the tilt direction with respect to the XY plane (rotation direction around the X axis ( ⁇ X direction) and rotation direction around the Y axis ( ⁇ y direction)) by the actuator that is part of the wafer stage drive system 56 It is moved slightly.
  • the wafer stage drive system 56 may include an actuator that minutely moves the wafer stage WST in the XY plane in addition to the Z axis direction and the inclination direction with respect to the XY plane.
  • Position and rotation of wafer stage WST in XY plane (showing ( ⁇ z rotation that is rotation around Z axis)), pitching ( ⁇ X rotation that is rotation around X axis), rolling (around Y axis) ⁇ y rotation))) is constantly detected by the wafer laser interferometer 54 using the reflecting surface provided on the wafer stage WST.
  • Position information (or velocity information) of wafer stage WST is supplied to main controller 50.
  • Main controller 50 controls wafer stage WST via wafer stage drive system 56 based on the position information (or speed information) of wafer stage WST.
  • a reference member (not shown) having a plurality of reference marks is provided. Further, in the vicinity of the wafer W on the wafer stage WST, there is an uneven illuminance sensor 21P as disclosed in, for example, JP-A-57-117238 and US Pat. No. 4,465,368 corresponding thereto. Is provided.
  • the light receiving surface of the uneven illuminance sensor 21P is set to the same height as the surface of the wafer W, and a pinhole-shaped light receiving portion (not shown) is formed. Further, a light receiving portion (not shown) wider than the exposure area IA is formed on the wafer stage WST, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • a dose monitor 58 as disclosed is provided with its light receiving surface positioned substantially flush with the surface of the wafer W.
  • the illumination light IL that has passed through the projection optical system PL can be received on the image plane of the projection optical system PL or in the vicinity thereof by the dose monitor 58 and the illuminance unevenness sensor 21P.
  • national legislation in the designated country (or selected selected country) designated in this international application the disclosure in each of the above gazettes and corresponding US patents or published US patent application specifications is incorporated herein. Part.
  • the irradiation amount monitor 58 and the illuminance unevenness sensor 21P are sensitive to the same wavelength region as the illumination light IL (for example, a wavelength of about 300 ⁇ ! To lOOnm) and detect the illumination light IL.
  • a photoelectric conversion element such as a photodiode having a high response frequency or a photomultiplier tube can be used.
  • the detection signal (photoelectric conversion signal) of the dose monitor 58 and the illuminance unevenness sensor 21P is supplied to the main controller 50 via a hold circuit (not shown) and an analog Z digital (A / D) converter. .
  • an off-axis alignment system (hereinafter, “alignment system”) that optically detects detection marks such as alignment marks on Ueno and W.
  • ALG (not shown in Fig. 1, see Fig. 5) is provided.
  • the alignment system ALG can use various types of sensors.
  • an image processing type sensor is used.
  • An image processing type sensor is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-65603 and US Pat. No. 5,493,403 corresponding thereto, and detailed description thereof is omitted here.
  • the image signal of the alignment ALG force is supplied to the main controller 50 (see FIG. 5).
  • a pair of reticle alignment marks on the reticle R and the above-described wafer stage WST corresponding thereto are provided above the reticle R via the projection optical system PL.
  • a pair of TTR (Through The Reticle) alignment systems RAa and RAb that detect the positional relationship with the pair of fiducial marks provided on the upper fiducial member using light of the exposure wavelength is predetermined in the X-axis direction. It is provided at a distance.
  • reticle alignment RAa and RAb for example, those having the same structure as those disclosed in JP-A-7-176468 and US Pat. No. 5,646,413 corresponding thereto are used. Yes.
  • national legislation in the designated country (or selected country of choice) designated in this international application the disclosure in the above publication and corresponding US patent specifications are incorporated herein by reference.
  • the liquid immersion mechanism includes the first liquid supply unit 68, the second liquid supply unit 72, the first liquid recovery unit 69, the second liquid recovery unit 73, the nozzle member 70, and the respective parts. It has a connected piping system.
  • the nozzle member 70 is disposed above the wafer W (wafer stage WST). It is the annular member provided so that the circumference
  • the nozzle member 70 is supported by a main column (not shown) that holds the projection unit PU via a vibration isolator (not shown) via a support member (not shown).
  • the first liquid supply unit 68 is connected to the nozzle member 70 via the supply pipe 66.
  • the first liquid supply unit 68 supplies the liquid Lql via the supply pipe 66 to the first optical element 191 (see FIG. 2) closest to the image plane of the projection optical system PL and the wafer W (wafer stage WST). Supply to 1 space K1 (see Fig. 2).
  • the first liquid supply unit 68 includes a tank for storing the liquid Lql, a temperature adjusting device for adjusting the temperature of the supplied liquid Lql, a filter device for removing foreign matter in the liquid Lql, a pressure pump, and the supplied liquid Lql.
  • the first liquid supply unit 68 includes a flow control valve that controls the flow rate of The first liquid supply unit 68 is controlled by the main controller 50 and supplies the liquid Lql onto the wafer W when the immersion area AR (see FIG. 2) is formed on the wafer W.
  • the first liquid supply unit 68 of the exposure apparatus 100 is not provided with all of the tank, temperature adjustment device, filter device, and pressure pump, and at least a part of them is installed in a factory where the exposure device 100 is installed. Equipment may be substituted.
  • the first liquid recovery unit 69 is connected to the nozzle member 70 via a recovery pipe 67.
  • the first liquid recovery unit 69 recovers the liquid Lql supplied to the first space K1.
  • the first liquid recovery unit 69 includes, for example, a vacuum system (a suction device) such as a vacuum pump, a gas-liquid separator that separates the recovered liquid Lql and gas, and a tank that stores the recovered liquid Lql. It includes a flow rate control valve for controlling the flow rate of the liquid.
  • the exposure apparatus 100 may not be provided with all of the vacuum system, gas-liquid separator, tank, and flow rate control valve, but at least a part of them may be replaced with the equipment of the factory where the exposure apparatus 100 is disposed. .
  • the first liquid recovery unit 69 is controlled by the main controller 50, and forms a predetermined amount of liquid Lql on the wafer W supplied from the first liquid supply unit 68 in order to form the immersion area AR on the wafer W. to recover.
  • the second liquid supply unit 72 is connected to the + Y side surface of the lens barrel 140 at a position slightly above the nozzle member 70 via the supply pipe 74.
  • the second liquid supply unit 72 supplies the liquid Lq2 to the second space K2 (see FIG. 2) formed on the upper surface side of the terminal optical element 191 of the projection optical system PL.
  • the second liquid supply unit 72 is a tank that stores the liquid Lq2.
  • the second liquid supply unit 72 of the exposure apparatus 100 is not equipped with all of the tank, temperature adjustment device, filter device, and pressure pump, but at least a part of them is installed in facilities such as a factory where the exposure apparatus 100 is installed. May be used instead.
  • the second liquid recovery unit 73 is connected to the side surface on the ⁇ Y side of the lens barrel 140 at a position slightly above the nozzle member 70 via the recovery pipe 75.
  • the second liquid recovery unit 73 recovers the liquid Lq2 supplied to the second space K2.
  • the second liquid recovery unit includes, for example, a vacuum system (suction device) such as a vacuum pump, a gas-liquid separator that separates the recovered liquid Lq2 and gas, and a tank that stores the recovered liquid Lq2. Yes.
  • the exposure apparatus 100 may be replaced with equipment such as a factory in which the exposure apparatus 100 is disposed without providing all of the vacuum system, gas-liquid separator, and tank.
  • FIG. 2 shows a cross-sectional view of the image plane side of the projection optical system PL and the vicinity of the nozzle member 70
  • FIG. 3 shows a view of the nozzle member 70 viewed from below.
  • the terminal optical element 191 and the boundary lens 192 disposed above the terminal optical element 191 are supported by the lens barrel 140.
  • the terminal optical element 191 is a plane parallel plate, and the lower surface 191a of the terminal optical element 191 is substantially flush with the lower surface 140a of the lens barrel 140.
  • the upper surface 191b and the lower surface 191a of the last optical element 191 supported by the lens barrel 140 are substantially parallel to the XY plane.
  • the terminal optical element (parallel flat plate) 191 is supported substantially horizontally and has no refractive power. Further, the gap between the lens barrel 140 and the last optical element 191 is sealed.
  • the first space K1 below the terminal optical element 191 and the second space K2 above the terminal optical element 191 are independent from each other, and the liquid between the first space K1 and the second space K2 Is blocked.
  • the first space K1 is a space between the terminal optical element 191 and the wafer W (or wafer stage WST), and the liquid immersion region AR is formed by the liquid Lql in the first space K1.
  • the second space K2 is a part of the inner space of the lens barrel 140, and is a space between the upper surface 191b of the terminal optical element 191 and the lower surface 192a of the boundary lens 192 disposed above it. .
  • the area of the upper surface 191b of the terminal optical element 191 is substantially the same as the area of the lower surface 192a of the boundary lens 192 facing the upper surface 191b, or smaller than the area of the lower surface 192a.
  • the area of the upper surface 19 lb of the terminal optical element 191 may be larger than the area of the lower surface 192a of the boundary lens 192. In this case, only a part of the upper surface 191b of the last optical element 191 may be covered with the liquid Lq2.
  • the terminal optical element 191 can be easily attached to and detached from the lens barrel 140. That is, a configuration in which the terminal optical element 191 can be replaced is adopted.
  • the nozzle member 70 is disposed so as to surround the lower end portion of the lens barrel 140 above the wafer W (wafer stage WST).
  • the nozzle member 70 has a hole portion 70h at the center portion thereof where the lower end portion of the projection unit PU (lens barrel 140) can be disposed through a predetermined gap.
  • the projection area of the projection optical system PL that is, the effective exposure area IA is set in a rectangular shape whose longitudinal direction is the X-axis direction (non-scanning direction), as shown in FIG. .
  • a concave portion 78 having a longitudinal direction in the X-axis direction is formed at the center thereof.
  • the open end of the hole 70h is formed at the center of the inner bottom surface 78a of the recess 78.
  • An inner bottom surface 78a of the recess 78 is substantially parallel to the XY plane and is a cavity surface facing the wafer W supported by the wafer stage WST.
  • the side wall inner surface 78b of the recess 78 is provided so as to be substantially orthogonal to the XY plane.
  • the side wall inner surface 78b of the recess 78 formed on the lower surface 70a of the nozzle member 70 has a first optical element 191 (projection area IA) of the projection optical system PL sandwiched between one side and the other side in the Y-axis direction.
  • 1 Supply port 80a, 80b force is formed respectively!
  • the first supply ports 80a and 80bi are connected to one end portion of the first supply flow path 82 formed inside the nodule rod 70, respectively.
  • the first supply flow path 82 is branched in the middle so that the other end can be connected to each of the plurality (two) of first supply ports 80a and 80b.
  • the other end of the first supply channel 82 is connected to one end of the supply pipe 66 described above.
  • the liquid supply operation of the first liquid supply unit 68 is controlled by the main controller 50.
  • the main controller 50 delivers the liquid Lql from the first liquid supply unit 68.
  • the liquid Lql delivered from the first liquid supply unit 68 flows through the supply pipe 66 and then flows into one end portion of the first supply channel 82 formed inside the nozzle member 70.
  • the liquid Lql that has flowed into one end of the first supply flow path 82 passes between the plurality of (two) first supply ports 80a and 80b formed in the nozzle member 70, and is connected between the terminal optical element 191 and the wafer W. Is supplied to the first space K1.
  • the liquid Lql supplied from the first supply ports 80a, 80b is the first supply port so that the liquid Lql is supplied downwardly in the force blown substantially parallel to the surface of Ueno and W. Can be formed.
  • first supply port may be provided on both sides in the X-axis direction of the last optical element 191, and the first supply port may be provided at one place.
  • a first recovery port 81 is provided outside the recess 78 with reference to the projection area IA of the projection optical system PL.
  • the first recovery port 81 is provided outside the first supply ports 80a and 80b with respect to the projection region IA of the projection optical system PL on the lower surface 70a of the nozzle member 70 facing the wafer W. And it is formed in an annular shape so as to surround the first supply ports 80a, 80b.
  • the first recovery port 81 is provided with a porous body 81P.
  • one end portion of the recovery pipe 67 described above is one end of a hold channel 83M that constitutes a part of the first recovery channel 83 formed inside the nozzle member 70.
  • the other end of the hold channel 83M is connected to the first recovery port 81 and is connected to a part of the annular channel 83K that constitutes a part of the first recovery channel 83.
  • the liquid recovery operation of the first liquid recovery unit 69 is controlled by the main controller 50.
  • Main controller 50 drives first liquid recovery unit 69 to recover liquid Lql.
  • the liquid Lql on the wafer W flows through the flow path 83 via the first recovery port 81 provided above the wafer W. Thereafter, the liquid is sucked and collected by the first liquid recovery unit 69 through the recovery pipe 67.
  • a second supply port 86 is formed in the side wall inner surface 140 c of the lens barrel 140.
  • the second supply port 86 is formed near the second space K2, and is provided on the + Y side with respect to the optical axis AX of the projection optical system PL.
  • the second supply port 86 is formed inside the side wall of the lens barrel 140.
  • One end of the second supply channel 84 is connected, and one end of the aforementioned supply pipe 74 is connected to the other end of the second supply channel 84.
  • a second collection rod 87 is formed at a position substantially opposite to the second supply port 86 of the side wall inner surface 140c of the lens barrel 140.
  • the second recovery port 87 is formed in the vicinity of the second space K2, and is provided on the Y side with respect to the optical axis AX of the projection optical system PL.
  • This second recovery port 87 is connected to one end of a second recovery flow path 85 formed on the side wall of the lens barrel 140, and one end of the aforementioned recovery pipe 75 is connected to the other end of the second recovery flow path 85.
  • the liquid supply operation of the second liquid supply unit 72 is controlled by the main controller 50.
  • the main control device 50 delivers the liquid Lq2 from the second liquid supply unit 72
  • the delivered liquid Lq2 flows through the supply pipe 74 and then the second supply flow formed inside the lens barrel 140. Flows into one end of channel 84.
  • the liquid Lq2 that has flowed into one end of the second supply channel 84 passes through the second supply port 86 formed in the side wall inner surface 140c of the lens barrel 140, so that the second liquid Lq2 flows between the optical element 192 and the terminal optical element 191. 2 space supplied to K2.
  • the liquid Lq 2 is blown out from the second supply port 86 substantially parallel to the upper surface 191b of the terminal optical element 191, that is, substantially parallel to the XY plane (laterally).
  • the liquid recovery operation of the second liquid recovery unit 73 is controlled by the main controller 50.
  • Main controller 50 drives second liquid recovery unit 73 to recover liquid Lq2.
  • the liquid Lq2 in the second space K2 flows into the second recovery flow path 85 through the second recovery port 87, and then, the second liquid recovery through the recovery pipe 75. Suction collected by unit 73.
  • the flow paths 84 and 85 are formed inside the side wall of the lens barrel 140, but a through hole is provided in a part of the lens barrel 140, and the flow path is provided there. You may make it pass the piping which becomes.
  • the supply pipe 74 and the recovery pipe 75 are provided with a supply path and a recovery path inside the nozzle member 70 instead of the force supply pipe 74 and the recovery pipe 75 provided separately from the nozzle member 70. It may be provided and connected to each of the flow paths 84 and 85 formed in the lens barrel 140.
  • liquid immersion mechanism nozzle member 70, liquid supply units 68 and 72, liquid recovery units 69 and 73, etc.
  • nozzle member 70, liquid supply units 68 and 72, liquid recovery units 69 and 73, etc. are not limited to those described above, and are predetermined in the optical path of the illumination light IL.
  • the gap can be filled with a liquid, an immersion mechanism of V, filter, or filter can be applied.
  • the lower surface 192a of the boundary lens 192 and the upper surface 191b of the terminal optical element 191 are in contact with the liquid Lq2 filled in the second space K2, and the lower surface 191a of the terminal optical element 191 is in contact with the liquid Lql of the first space K1.
  • at least the optical elements 191 and 192 are formed by Seihide. Since quartz has a high affinity with liquid Lql and Lq2, that is, pure water, liquid Lql and Lq2 are applied to almost the entire surface of the bottom surface 192a of the boundary lens 192 and the upper surface 19 lb and the lower surface 191a of the last optical element 191. It can be adhered.
  • the liquid contact surfaces 192a, 191b and 191a of the optical elements 192 and 191 are brought into close contact with the liquids Lq2 and Lql, so that the optical path between the optical element 192 and the terminal optical element 191 and the terminal optical element 191 and The optical path between wafer W can be filled with liquid Lq2 and Lql.
  • At least one of the optical elements 192 and 191 may be fluorite having a high affinity for water. Further, for example, the remaining optical elements may be formed of fluorite, the optical elements 192 and 191 may be formed of quartz, or all the optical elements may be formed of quartz (or fluorite). .
  • liquid contact surfaces 192a, 191b, 191a of the optical elements 192, 191 may be subjected to a hydrophilic treatment (lyophilic treatment) to further increase the affinity with the liquids Lq2, Lql.
  • each of the side wall inner surface 140c of the lens barrel 140 and the side surface 192b of the boundary lens 192 is liquid repellent and has liquid repellency.
  • the liquid Lq2 in the second space K2 is formed in the gap formed between the side wall inner surface 140c and the side surface 192b. Intrusion is prevented.
  • liquid repellent treatment for example, a fluorine repellent material such as polytetrafluoroethylene, a liquid repellent material such as an acrylic resin material, or a silicon resin material is applied, or the repellent material is applied.
  • a fluorine repellent material such as polytetrafluoroethylene
  • a liquid repellent material such as an acrylic resin material, or a silicon resin material
  • the repellent material is applied. Examples of the treatment include sticking a thin film having a liquid material strength.
  • a liquid repellent treatment may be applied to each of the outer side wall 140b of the lens barrel 140 and the inner side wall 70k of the hole 70h of the nozzle member 70.
  • the sidewall outer surface 140b and the sidewall inner surface 70k liquid repellent, the first space is formed in the gap formed between the sidewall outer surface 140b and the sidewall inner surface 70k. 1 liquid Lql is prevented from entering.
  • the first temperature sensor 62 and the second temperature that detect the temperature of the liquid Lq2 in the vicinity of the + Y side end portion and the Y side end portion of the second space K2, respectively.
  • Sensors 63 are provided. The detected values of these temperature sensors 62 and 63 are supplied to the main controller 50.
  • exposure apparatus 100 is provided with oxygen concentration meter 64 (see FIGS. 2 and 5) for detecting the dissolved oxygen concentration in liquid Lq2 in second space K2, and the detected value of oxygen concentration sensor 64 is provided. Is supplied to the main controller 50.
  • a temperature sensor that detects the temperature of the liquid Lql in the first space K1 and an oxygen concentration sensor that detects the dissolved oxygen concentration in the liquid Lql may be provided. Install a sensor!
  • the exposure apparatus 100 of the present embodiment includes a force irradiation system 110a and a light receiving system 110b (see FIG. 5) not shown in FIG. 1, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-283403 and the like.
  • An oblique incidence type multipoint focal position detection system similar to that disclosed in the corresponding US Pat. No. 5,448,332 is provided.
  • national legislation in the designated country (or selected selected country) designated in this international application the disclosure in the above publication and the corresponding US patent specification will be incorporated as a part of this description.
  • the multi-point focus position detection system may detect the position information on the surface of the wafer W during the exposure of the wafer W or start the exposure of the wafer W in order to adjust the position of the surface of the wafer W. Prior to this, position information on the surface of the wafer W may be detected, and the position of the wafer W surface may be adjusted without using the multipoint focus position detection system during exposure of the wafer W. In this case, the position information on the surface of the wafer W may be detected by the multipoint focal position detection system in a state where the wafer W is disposed immediately below the projection unit PU.
  • the control system includes a main control unit 50 in FIG. 1, and the main control unit 50 includes a CPU (Central Processing Unit), ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory). Including the so-called microcomputer (or minicomputer) consisting of etc., the entire device is controlled centrally.
  • a memory 51 is connected to the main controller 50.
  • the projection optical system PL (including the second liquid Lq2) is caused by the absorption of the illumination light IL.
  • Estimation calculation of irradiation fluctuation of imaging characteristics of shadow optical system PL (including second liquid Lq2) and optical system including first liquid Lql (hereinafter referred to as “optical PLL” as appropriate (see Fig. 4)) I will explain it.
  • the reticle R used for the exposure is mounted on the reticle stage RST, and illumination conditions suitable for the exposure using the reticle R are set.
  • This illumination condition is set by, for example, selecting the aperture stop on the illumination system aperture stop plate 24 provided in the vicinity of the exit end of the fly-eye lens 22 by the main control device 50 according to the reticle R. Is called.
  • main controller 50 drives the user stage WST so that dose monitor 58 is directly below projection optical system PL.
  • the first liquid supply unit 68 and the first liquid recovery unit 69 the first space K1 is filled with the liquid Lql, and the liquid Lql is constantly replaced.
  • the second space K 2 in the projection unit PU is filled with the liquid Lq2.
  • main controller 50 starts light emission of light source 16, and outputs P and integration of dose monitor 58 while moving reticle stage RST under the same conditions as the actual exposure.
  • Such a preparatory work is performed by main controller 50 prior to exposure. Then, during actual exposure, it is stored according to the scanning position of the reticle R, and integrated with the irradiation dose P.
  • the output ratio of the integrator sensor 46 is used in the calculation. Even when the power of the light source 16 fluctuates, the dose can be calculated without error. Further, since the function corresponds to the scanning position of the reticle R, for example, even when the reticle pattern is offset in the plane, the irradiation amount can be accurately calculated.
  • a force that captures the output of the dose monitor 58 under the illumination conditions at the time of actual exposure may be saturated due to the characteristics of the dose monitor 58.
  • the above preparatory work is performed under illumination conditions where the illumination light quantity is consciously reduced by selectively placing one of the ND filters of the energy coarse adjuster 20 on the illumination light path, etc. good.
  • it is sufficient to calculate the above dose P during actual exposure in consideration of the attenuation rate of the ND filter.
  • the main controller 50 sets the exposure conditions (reticle R, reticle blind, illumination conditions) in the same way as the actual exposure, and drives the wafer and stage WST to reflect the reflectance. Move R reflector directly under PL
  • the first space K1 is filled with the liquid Lql, and the liquid Lql is constantly replaced. Further, the second space K2 in the projection unit PU is filled with the liquid Lq2.
  • main controller 50 starts light emission of light source 16, and outputs VH and integral of reflection amount monitor 47 while moving reticle stage RST under the same conditions as the actual exposure.
  • main controller 50 projects the reflecting plate with reflectivity R installed by driving wafer stage WST.
  • the output IL of the tegrator sensor 46 is stored in the internal memory as a function according to the scanning position of the reticle R Remember me.
  • Such a preparatory work is performed by main controller 50 prior to exposure. Then, at the actual exposure, the output of the reflection amount monitor 47 and the output of the integrator sensor 46 stored according to the scanning position of the reticle R, and the output V and the output of the reflection amount monitor 47 at the time of exposure are stored.
  • the wafer reflectivity R is calculated based on the following equation (2).
  • F (t) is a focus fluctuation due to irradiation of the optical system PLL at time t, ie,
  • F (t) is the second space K2 at time t This is the focus shift [m] of the optical system PLL due to the illumination light absorption of the projection optical system PL excluding the liquid Lq2.
  • F (t) is the illumination light absorption of the liquid Lq in the second space K2 at time t.
  • F (t) and F (t) in the above equation (3) are functions represented by the following equations (4) and (5), respectively.
  • At is the calculation interval of the fluctuation of the imaging characteristics of the optical system due to absorption of illumination light, that is, the sampling interval described above, and T is the liquid Lq in the second space K2. Except projection light
  • F (t-A t) is the liquid in the second space K2 at time (t-A t).
  • At is the sampling interval described above (imaging characteristics of optical system PLL by absorption of illumination light)
  • T is the light absorption of the liquid Lq2 in the second space K2.
  • T component [m] (k A, B, C) of the irradiation fluctuation of the force of the optical system PLL due to the absorption of the illumination light of the liquid Lq2 at time (t-A t) C is the illumination light of liquid Lq2
  • a is the irradiation fluctuation of the focus of the optical system PLL due to the illumination light absorption of the liquid Lq2.
  • the amount of illumination light absorbed by the projection optical system PL and the liquid Lq2 and the required accuracy may be changed. For example, if the amount of illumination light absorption is relatively small, the sum of two first-order lag systems or one first-order lag system may be used. If the projection optical system PL and the liquid Lq2 absorb illumination light and it takes time for heat conduction to appear as a change in imaging characteristics, a waste time system model function may be employed. Note that the time constant of the focus irradiation fluctuation, the saturation value of the focus irradiation fluctuation, and the wafer reflectivity dependence are all determined by experiments. Alternatively, it may be calculated by a highly accurate thermal analysis simulation. Alternatively, it may be obtained from both.
  • the above-mentioned focus requires a model function of the sum of three first-order lag systems.
  • one first-order lag system may be sufficient for calculating the field curvature.
  • the illumination light absorption model function may be changed for each imaging characteristic according to the required accuracy.
  • Primary When two or one model function is used for the delay system, the calculation time can be shortened.
  • the model functions such as the above formulas (3), (4), (5) are calculated by the main controller 50 by calculating the dose for each illumination condition described above stored in the memory 51. It is set for each lighting condition using the measurement results of basic data necessary for reflectance calculation.
  • the changes in the six types of imaging characteristics of focus, curvature of field, magnification, distortion, coma, and spherical aberration are the first matrix of 6 rows and 1 column with these changes as each element ( A)), but each of the six types of imaging characteristics change coefficients of each movable lens is a 6-row, 5-column second matrix (B) and the amount of movement of the five movable lenses is each element. It can be expressed as a product with a third matrix of 5 rows and 1 column (C). That is, the following equation (6) is established.
  • the main controller 50 drives the above-mentioned five movable lenses one by one via the imaging characteristic correction controller 52, while focusing, field curvature, magnification, distortion, Measure the six types of imaging characteristics of coma and spherical aberration, and calculate the six types of imaging characteristics variation coefficients (C to C) for each movable lens that is an element of the second matrix. .
  • These imaging characteristic change coefficients C to C are high.
  • each of the movable characteristics is determined using the five types of imaging characteristic change coefficients C to C excluding the focus and the movement amount (drive amount) of the five movable lenses.
  • Lens movement is determined using the five types of imaging characteristic change coefficients C to C excluding the focus and the movement amount (drive amount) of the five movable lenses.
  • a five-element simultaneous equation of the above equation (7) is created in advance and stored in the memory 51.
  • the focus equation is excluded in the above simultaneous equations because when the movable lens is driven to correct other imaging characteristics such as magnification, the focus fluctuates accordingly. This is because it is necessary to consider this effect.
  • the focus change FL of the optical system itself is expressed by the following equation (8) by combining the illumination light absorption change and the lens movement change.
  • main controller 50 controls second liquid supply unit 72 to supply liquid Lq2 to second space K2.
  • the main controller 50 While optimally controlling the supply amount of liquid Lq2 per unit time by the supply unit 72 and the recovery amount of liquid Lq2 per unit time by the second liquid recovery unit 73, the second liquid supply unit 72 and the second liquid recovery unit
  • the liquid Lq2 is supplied and recovered by 73, and at least the light path of the illumination light IL in the second space K2 is filled with the liquid Lq2.
  • the main controller 50 moves the wafer stage WST holding the wafer W under the projection optical system PL, that is, Move to exposure position. Then, in a state where wafer stage WST and terminal optical element 191 of projection optical system PL are opposed to each other, main controller 50 performs supply amount of liquid Lq 1 per unit time by first liquid supply unit 68 and the first liquid. While the amount of liquid Lql recovered per unit time by the recovery unit 69 is optimally controlled, the liquid Lql is supplied and recovered by the first liquid supply unit 68 and the first liquid recovery unit 69. Then, an immersion area AR of the liquid Lql is formed at least on the optical path of the illumination light IL, and the optical path of the illumination light IL is filled with the liquid Lql.
  • main controller 50 before performing exposure processing of wafer W, main controller 50 performs mark measurement on a reference member provided on wafer stage WST, illuminance unevenness sensor 21P or irradiation amount monitor 58 described above. Etc. (including at least the above-mentioned pre-preparation for measurement of irradiation dose and pre-preparation for measurement of wafer reflectivity), and wafer W alignment processing based on the measurement results And calibration processing such as adjusting the imaging characteristics of the projection optical system PL.
  • the main controller 50 moves the wafer stage WST in the XY direction to move the wafer to the liquid immersion area AR of the liquid Lql.
  • the stage WST is moved relative to each other to form the liquid Lql immersion area AR on the light receiving surface of these sensors, and in this state, the measurement operation is performed via the liquid Lql and the liquid Lq2.
  • the main controller 50 executes the wafer by the first liquid recovery unit 69 in parallel with the supply of the liquid Lql onto the wafer W by the first liquid supply unit 68. While collecting liquid Lql on W, moving wafer stage WST supporting wafer W in the Y-axis direction (scanning direction), the pattern image of reticle R is projected onto projection optical system PL (including liquid Lq2). ) And liquid Lql in the first space K1 (i.e. Projected onto the wafer W with the resist coated on the surface via the liquid immersion area AR).
  • the liquid supply operation by the second liquid supply unit 72 and the liquid recovery operation by the second liquid recovery unit 73 are stopped by the main controller 50 at the time of starting the exposure at the latest, and the second space K2 Of these, at least the light path of the illumination light IL is filled with the liquid Lq2.
  • the exposure apparatus 100 of the present embodiment projects an image of the pattern of the reticle R onto the wafer W while moving the reticle R and the wafer W in the Y-axis direction (scanning direction).
  • a pattern image of a part of the reticle R is projected into the projection area IA through the projection optical system PL (including the liquid Lq2) and the liquid Lql in the first space, and the reticle R is in one Y direction (or + Y
  • the wafer W moves in the + Y direction (or Y direction) with respect to the projection area IA at the velocity ⁇ ⁇ ⁇ ( ⁇ is the projection magnification) in synchronization with the movement at the velocity V in the direction).
  • a plurality of shot areas are set on the wafer W, and after the exposure to one shot area is completed, the next shot area is moved to the scanning start position by the stepping movement of the wafer W.
  • the scanning exposure process for each shot area is sequentially performed while moving the wafer W in the “and-scan” method.
  • the main controller 50 controls the imaging characteristics (various aberrations (including focus)) of the optical system PLL caused by the illumination light absorption of the projection optical system PL (including the liquid Lq2) described above.
  • Irradiation fluctuation estimation calculation (equation (3) and equivalent calculation) is executed every time ⁇ t, and the exposure operation is controlled based on the result of the imaging characteristic estimation calculation!
  • main controller 50 performs calculation of equation (3) at every time At, for example, and performs estimation calculation similar to equation (3) at every time At to perform curvature of field other than focus. , Magnification, distortion, coma, and spherical aberration are estimated and calculated. Using the results of the estimation and the above-mentioned simultaneous equations, the change in the imaging characteristics is corrected as described above. The driving amount of each movable lens is calculated, and each movable lens is driven in accordance with this driving amount, so that at least one of the curvature of field, magnification, distortion, coma aberration, and spherical aberration of the optical system is obtained. The irradiation variation of the imaging characteristics is corrected sequentially.
  • the main controller 50 uses the above equation (6) to calculate the optical system itself every time the irradiation fluctuation of the imaging characteristics excluding the focus is corrected through the imaging characteristic correction controller 52.
  • Four forces Change FL and substitute this FL into a predetermined focus correction formula (this correction formula includes the defocus amount measured by the multipoint focus position detection system (110a, 110b) as a term)
  • Auto focus control of wafer W is executed by driving the wafer and stage WST in the Z-axis direction so that the focus error becomes zero.
  • the main control device 50 performs the second liquid supply unit 72 and the second liquid supply unit 72 and the second liquid supply unit every time immediately before the start of exposure of the first wafer in each lot (or every time exposure of a predetermined number of wafers is completed). Using the liquid recovery unit 73, the liquid Lq2 in the second space K2 is exchanged.
  • the model expression of the irradiation fluctuation of the imaging characteristics of the optical system PLL caused by the illumination light absorption of the projection optical system PL excluding the liquid Lq2, and the illumination light of the liquid Lq2 Since there is a separate model formula for the irradiation variation of the imaging characteristics of the optical system PLL caused by absorption, the projection optical system PL (including liquid Lq2) and the liquid Lql can be used even when the liquid Lq2 is replaced. It is possible to accurately estimate and calculate irradiation fluctuations in the imaging characteristics such as the focus of the entire optical system PLL, including the optical system.
  • the wafer is exposed from time t to time t,
  • Optical system PLL caused by illumination light absorption of projection optical system PL (excluding liquid Lq2) in this case
  • the variation AB of the imaging characteristics of the model is the model formula force of the above equation (4), for example, as shown in Fig. 6 (B).
  • the liquid Lq2 after use irradiated with the illumination light IL is replaced with the liquid Lq2 before use that is not irradiated with the illumination light IL.
  • the fluctuation AB of the imaging characteristics of the optical system PLL caused by is a thick solid line after time t.
  • the total irradiation fluctuation AB of the optical system PLL obtained is shown by the thick solid line in Fig. 6 (D).
  • the model expression for the illumination variation of the imaging characteristics of the optical system PLL caused by the illumination light absorption of the projection optical system PL excluding the liquid Lq2, and the illumination light of the liquid Lq2 Since there is a separate model formula for the irradiation fluctuation of the imaging characteristics of the optical system PLL caused by absorption, estimation of the irradiation fluctuation of the imaging characteristics of the optical system PLL even when the liquid Lq2 is replaced. The above error does not occur in the calculation result. Therefore, it is possible to estimate the irradiation variation of the imaging characteristics of the optical system PLL with high accuracy and to adjust the imaging characteristics of the optical system PLL based on this with high accuracy.
  • the liquid Lql in the first space K1 is constantly replaced in order to reduce the influence of the dissolution of the resist into the liquid, etc. Variations in the imaging characteristics of the optical system due to the absorption of illumination light due to are not a problem.
  • main controller 50 determines the liquid based on the measurement result of oximeter 64.
  • the amount of change in the transmittance of liquid Lq2 with respect to illumination light IL due to the change in dissolved oxygen concentration in body Lq2 is obtained, and based on the amount of change in transmittance, integrated exposure amount control (dose control) for wafer W is performed.
  • the liquid Lq2 is in contact with, for example, the gas (oxygen) in the gap between the boundary lens 192 and the lens barrel 140, the supply operation of the second liquid supply unit 72 and the second liquid recovery unit 73 While the collection operation is stopped, oxygen may be dissolved in the liquid Lq2, and the transmittance of the liquid Lq2 to the illumination light IL may change (decrease).
  • the gas oxygen
  • main controller 50 stores in advance transmittance data indicating the relationship between the amount of change in dissolved oxygen concentration in liquid Lq2 and the amount of change in transmittance of liquid Lq2 with respect to illumination light IL. .
  • the main controller 50 also acquires and stores the dissolved oxygen concentration of the liquid Lq2 immediately after the replacement using the oximeter 64, and after the replacement of the liquid Lq2, the second liquid supply unit 72 and the second liquid While the operation of the recovery unit 73 is stopped, the dissolved oxygen concentration of the liquid Lq2 is constantly monitored using the oxygen concentration meter 64.
  • the main controller 50 obtains the variation amount of the transmittance of the liquid Lq2 based on the measurement result of the oximeter 64 and the transmittance data stored therein, and the variation amount with respect to Weno and W This is reflected in dose control. More specifically, based on the fluctuation amount of the transmittance of the liquid Lq2, the amount of illumination light IL (pulse intensity), the scanning speed of wafer W, the width of the exposure area IA in the scanning direction (Y-axis direction), And finely adjust at least one of the pulsed light emission periods of the light source 16. As a result, even when the transmittance change of the liquid L q2 with respect to the illumination light IL occurs, the dose control for the wafer W can be executed with high accuracy.
  • the amount of illumination light IL pulse intensity
  • the scanning speed of wafer W the width of the exposure area IA in the scanning direction (Y-axis direction)
  • the dose control for the wafer W can be executed with high accuracy.
  • the projection unit PU based on the irradiation amount (energy information) acquired by the main controller 50 using the integrator sensor 46 and the like.
  • Variations in imaging characteristics, which are a type of academic characteristics, are predicted, and the exposure operation for the wafer W is controlled based on the prediction results.
  • main controller 50 uses the equation (5) including the irradiation amount (energy information) as a parameter, and changes the imaging characteristics of optical system PLL due to the energy absorption of liquid Lq2. Predict.
  • main controller 50 uses illumination light IL from projection optical system PL (excluding liquid Lq2) using equation (4) different from equation (5) that includes the amount of irradiation (the energy information) as a parameter.
  • the fluctuation of the optical characteristics (imaging characteristics) of the optical PLL caused by the energy absorption of the optical system is also predicted.
  • main controller 50 obtains the irradiation fluctuation of the imaging characteristics of the optical system by estimation calculation based on Expression (3), which is the sum of Expression (5) and Expression (4). Based on this, the exposure operation is controlled. Therefore, it is possible to predict the fluctuation of the optical characteristics (imaging characteristics) of the optical system PLL by taking into account the energy absorption of the illumination light of each of the liquid Lq2 and the projection optical system PL (excluding the liquid Lq2). It becomes possible.
  • the main controller 50 controls the liquid immersion mechanism described above to replace the liquid Lq2 irradiated with the illumination light IL with the liquid Lq2 not irradiated with the illumination light IL.
  • the exposure operation can be executed without taking into account the fluctuation of the optical characteristics of the optical PLL caused by the energy absorption of the liquid Lq2.
  • the illumination light IL emitted from the light source 16 is exposed to the second space inside the projection optical system PL. Based on the fluctuation of the transmittance of the liquid Lq2, the integrated exposure amount for the wafer W is controlled.
  • the oxygen concentration meter 64 indirectly monitors the change in transmittance based on the change in the dissolved oxygen concentration in the liquid Lq2. That is, in the present embodiment, the main controller 50 causes the dissolved oxygen in the liquid Lq2 measured by the oxygen concentration meter 64 when the wafer W is exposed by irradiating the illumination light IL from the light source 16 to the wafer W.
  • liquid The transmittance of the liquid Lq2 fluctuates due to the change in the dissolved oxygen concentration of q2, and the amount of illumination light IL (pulse intensity) calculated based on the output of the integrator sensor 46 and the wafer W actually Even when there is a difference between the amount of light (pulse intensity) of the illumination light IL that arrives, the dose control for the wafer W can be performed with high accuracy.
  • the terminal optical element 191 made of a plane-parallel plate is disposed under the boundary lens 192 having a lens action, but the lower surface 191a side and the upper surface 191c of the terminal optical element 191 are arranged.
  • the reflection loss on the lower surface 192a of the boundary lens 192 and the upper surface 191b of the terminal optical element 191 is reduced, and a large image-side numerical aperture In this state, it is possible to expose well and W well.
  • the terminal optical element 191 is a parallel plane plate having no refractive power, for example, even when a contaminant in the liquid Lql adheres to the lower surface 191a of the terminal optical element 191, it can be easily replaced.
  • the terminal optical element 191 may be a lens having refractive power.
  • the wafer W is exposed with high accuracy and good line width controllability, and the pattern of the reticle R is transferred to each shot area on the wafer W with high accuracy.
  • the pattern of the reticle R can be transferred onto the wafer with high accuracy by performing exposure at a high depth of focus as compared to the air by immersion exposure. For example, with ArF excimer laser light, it is possible to realize transfer of a fine pattern of about 45 to: LOOnm as a device rule.
  • main controller 50 uses liquid equation Lq2 using equation (5) including the irradiation amount (energy information) of illumination light IL obtained using integrator sensor 46 and the like as a parameter.
  • equation (5) including the irradiation amount (energy information) of illumination light IL obtained using integrator sensor 46 and the like.
  • the present invention is not limited to this.
  • the expressions (4) and (5) the right side of each of the expressions (4) and (5) may be replaced with the parameters on the temperature of the liquid Lq2 and the illumination light IL.
  • a model equation including a term including at least one of the parameters related to the transmittance of the liquid Lq2 with respect to may be used.
  • As a parameter related to the transmittance of the liquid Lq2 with respect to the illumination light IL it affects the transmittance of the liquid Lq2.
  • the dissolved oxygen concentration in the resonating liquid Lq2 may be used.
  • the detection values of the temperature sensors 62 and 63 can be employed, for example.
  • the measured value of the oximeter 64 can be adopted as a parameter related to the transmittance of the liquid Lq2.
  • the parameters related to the permeability of liquid Lq2 are not limited to the dissolved oxygen concentration of liquid Lq2, but other parameters that may affect the permeability of liquid Lq2 (such as TOC) may be included in the model equation.
  • the temperature sensors 62 and 63 are installed in the second space K2.
  • the illumination light IL obtained using the integrator sensor 46 or the like is used.
  • the temperature sensors 62 and 63 located in the second space K2 can be omitted.
  • the main controller 50 monitors the temperature difference between the left and right sides of the liquid Lq2 (one side and the other side in the Y-axis direction) based on the detection values of the temperature sensors 62 and 63, and determines the temperature difference.
  • the resulting 10 component of the wavefront aberration of the optical system PLL may be corrected as necessary.
  • a catadioptric system is used as the projection optical system PL, and the position where the illumination light IL is biased in the Y direction with respect to the optical axis AX3 in the second space K2.
  • the transmittance of liquid Lql (dissolved oxygen concentration) is taken into consideration and the optical system PLL At least one of adjustment of optical characteristics and dose control for the wafer W may be performed.
  • a temperature sensor that measures the temperature of the liquid Lql and an oxygen concentration meter that detects the dissolved oxygen concentration of the liquid Lql At least one of them may be arranged near the first space K1.
  • the wafer W is arranged on the beam exit side of the terminal optical element 191 constituting at least a part of the optical system, and at least illumination is performed in the second space K2 on the beam incident side of the terminal optical element.
  • the optical path (beam path) of the light IL is filled with the liquid Lq2 and the first space K1 between the terminal optical element 191 and the wafer W is filled with the liquid Lql has been described.
  • the present invention is not limited to this.
  • only the first space K1 between the terminal optical element 191 and the wafer W may be filled with a liquid, for example, pure water.
  • main controller 50 uses a model equation different from equation (5) that includes energy information as a parameter, and uses the optical illumination of the optical system PLL caused by absorption (energy absorption) of the illumination light of the liquid. It is good also as predicting the change of a characteristic.
  • At least one of the adjustment of the optical characteristics of the optical system PLL and the dose control with respect to the wafer W may be performed.
  • at least a temperature sensor that measures the temperature of liquid Lql and an oxygen concentration meter that detects the dissolved oxygen concentration of liquid Lql may be arranged near the first space K1.
  • the energy intensity of the illumination light IL that has passed through the optical system PLL is measured at a predetermined timing, and the above-described measurement is performed based on the measurement result.
  • formula (5) included in formula (3) irradiation dose per unit time P
  • the same pure water is supplied as the liquids Lql and Lq2.
  • the pure water supplied to the first space (liquid Lql) and the pure water supplied to the second space (liquid The quality may be different from Lq2).
  • Examples of the quality of pure water include temperature uniformity, temperature stability, specific resistance value, and TOC (total organic carbon) value.
  • the quality of pure water supplied to the first space K1 close to the image plane of the projection optical system PL may be made higher than that of pure water supplied to the second space K2.
  • different types of liquid may be supplied to the first space and the second space, and the liquid Lql filling the first space K1 and the liquid Lq2 filling the second space K2 may be different types.
  • the second space K2 can be filled with a predetermined liquid other than pure water including fluorinated oil. Since oil is a liquid with a low probability of bacteria such as nocteria growing, the cleanliness of the flow path through which the second space K2 and liquid Lq2 (fluorinated oil) flow can be maintained.
  • both of the liquids Lql and Lq2 may be liquids other than water.
  • the light source of the illumination light IL is an F laser
  • the F laser light does not pass through water, so the liquids Lql and Lq2
  • PFPE perfluorinated polyether
  • fluorine fluorine
  • Fluorine-based fluids such as in this case, a lyophilic treatment is performed by forming a thin film with a substance having a small polar molecular structure including fluorine, for example, in a portion in contact with the liquids Lql and Lq2.
  • the liquids Lql and Lq2 are stable to the projection optical system PL that is transparent to the illumination light IL and has the highest possible refractive index, and to the photoresist applied to the surface of the wafer W (for example, cedar oil) can be used.
  • the surface treatment is performed according to the polarity of the liquids Lql and Lq2.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system may be 0.9 to 1.3.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system is increased in this way, the imaging performance may be deteriorated due to the polarization effect in the case of random polarized light that has been conventionally used as exposure light. It is desirable to use it.
  • linearly polarized light is applied in line with the longitudinal direction of the line pattern of the mask (reticle) line 'and' space pattern, and from the mask (reticle) pattern, the S polarization component (TE polarization component), that is, the line A lot of diffracted light of polarization direction component is emitted along the longitudinal direction of the pattern. Then Ryogo.
  • the space between the projection optical system PL and the resist coated on the wafer W surface is filled with liquid
  • the space between the projection optical system PL and the resist coated on the wafer W surface is filled with air (gas).
  • the numerical aperture NA of the projection optical system exceeds 1.0. Even in such a case, high imaging performance can be obtained. Further, it is more effective to appropriately combine a phase shift mask with an oblique incidence illumination method (particularly a die ball illumination method) adapted to the longitudinal direction of the line pattern as disclosed in JP-A-6-188169.
  • a catadioptric system is used as the projection optical system PL, but a refractive system that does not include a reflecting element may be used.
  • the projection optical system PL for example, the type disclosed in US Pat. No. 6,636,350, US Pat. No. 6,873,476, and US Patent Application Publication No. 2004Z0160666. It is also possible to use a reflection bending system. As long as the national laws of the designated country (or selected selected country) designated in this international application permit, a part of the description of this specification is incorporated with the disclosure in each of the above U.S. patent specifications or U.S. patent application publications. And
  • the optical characteristics of the optical system PLL not only the focus, but also the power that predicts and adjusts the irradiation fluctuations such as the magnification and the distortion.
  • One may be selected to perform prediction and adjustment.
  • the force described when the present invention is applied to a scanner is not limited to this, and a static exposure type exposure apparatus such as a step-and-repeat exposure apparatus (stepper), Further, even if a step-and-stitch type exposure apparatus or a proximity type exposure apparatus is used, if exposure is performed through the immersion area, the present invention Ming is applicable. Also in this case, it is only necessary to perform the irradiation fluctuation calculation and adjustment of the imaging characteristics of the optical system similar to the above embodiment. However, in the case of a proximity type exposure apparatus that does not have a projection optical system, the liquid that forms the immersion area corresponds to the optical system.
  • the present invention relates to JP-A-10-163099 and JP-A-10-214783 (corresponding to US Pat. Nos. 6,341,007, 6,400,441, and 6 No. 5,549,269 and No. 6,590,634), Special Table 2000-505958 (corresponding US Pat. No. 5,969,441) or US Pat. No. 6,208,407
  • the present invention can also be applied to a multi-stage type exposure apparatus provided with a plurality of wafer stages for holding a wafer as disclosed in the specification of the application. Further, the present invention relates to an exposure apparatus provided with a measurement stage separately from wafer stage WST, as disclosed in JP-A-2000-164504 (corresponding to US Pat. No. 6,897,963).
  • a dose monitor 58 or illuminance unevenness sensor 21P may be provided on the measurement stage, as long as national laws of the designated country (or selected selected country) specified in this international application allow,
  • an exposure apparatus that locally fills the liquid between the projection optical system PL and the wafer W is employed.
  • the present invention is disclosed in JP-A-6-124873.
  • the entire surface of a wafer to be exposed as described in JP-A-10-303114, US Pat. No. 5,825,043, etc. is immersed in the liquid, and the exposure is performed.
  • the present invention can also be applied to a liquid immersion exposure apparatus.
  • national legislation in the designated country (or selected country of choice) designated in this international application the disclosure in each of the above-mentioned publications and US patent specifications is incorporated as a part of this description.
  • force using a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern 'dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used instead of this mask.
  • a predetermined light-shielding pattern or phase pattern 'dimming pattern
  • an electronic mask that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed may be used.
  • national legislation in the designated country (or selected country of choice) designated in this international application the disclosure in the above US patent specification is incorporated as a part of this description.
  • an exposure apparatus (lithography system) that forms a line 'and' space pattern on a wafer W by forming interference fringes on the wafer W.
  • the present invention can also be applied to.
  • the disclosure in the above international pamphlet will be used as a part of this description.
  • the use of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for semiconductor manufacturing.
  • an exposure apparatus for liquid crystal that transfers a liquid crystal display element pattern to a square glass plate, an organic EL, and a thin film magnetic head
  • exposure devices for manufacturing image sensors (CCDs, etc.), micromachines, and DNA chips can also be widely applied to exposure devices for manufacturing image sensors (CCDs, etc.), micromachines, and DNA chips.
  • glass substrates, silicon wafers, etc. are used to manufacture reticles or masks used in light exposure equipment, EUV exposure equipment, X-ray exposure equipment, electron beam exposure equipment, etc. that can be used only with micro devices such as semiconductor devices.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern.
  • the light source of the exposure apparatus of the above embodiment is not limited to the ArF excimer laser, but is a KrF excimer laser (output wavelength 248 nm), F laser (output wavelength 157 nm), Ar laser (output)
  • Pulse laser light source such as 126nm wavelength, Kr laser (output wavelength 146nm), g-line (wave
  • an ultra-high pressure mercury lamp that emits bright lines such as 436 nm long and i-line (wavelength 365 nm).
  • a harmonic generator of a YAG laser can also be used.
  • DFB semiconductor laser or fiber laser power single-wavelength laser light oscillated in the infrared or visible range is amplified by, for example, an erbium (or both erbium and ytterbium) force S-doped fiber amplifier and nonlinear Harmonics that have been wavelength-converted to ultraviolet light using an optical crystal may be used.
  • the projection optical system may be not only a reduction system but also an equal magnification and an enlargement system.
  • the illumination optical system and projection optical system composed of a plurality of lenses are incorporated in the exposure apparatus main body, optical adjustment is performed, and a reticle stage wafer stage consisting of a large number of mechanical parts is exposed.
  • the exposure apparatus of each of the above embodiments can be manufactured by attaching to the main body, connecting wiring and piping, and further performing general adjustment (electrical adjustment, operation check, etc.). It is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled.
  • the step of designing the function and performance of the device the step of manufacturing a reticle based on this design step, the step of manufacturing a wafer from a silicon material, and an object such as a wafer
  • a coating process for applying a sensitive material such as a resist on the surface an exposure process for exposing an object such as a wafer coated with a sensitive material by the above-described immersion exposure in the exposure apparatus of the above embodiment, and a wafer after exposure It is manufactured through lithographic steps including development processing, developing device assembly steps (including dicing, bonding, and packaging), and inspection steps.
  • the above-described immersion exposure method is executed using the exposure apparatus of the above-described embodiment, and a device pattern is formed on the object. Therefore, a highly integrated device can be manufactured with a high yield. . Industrial applicability
  • the exposure method and exposure apparatus of the present invention are suitable for exposing an object.
  • the device manufacturing method of the present invention is suitable for manufacturing a microdevice.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

　露光装置（１００）は、液体（Ｌｑ１）を含む光学系と、液体に入射するエネルギビーム（ＩＬ）のエネルギ情報を取得するためのセンサシステム（４６）と、該センサシステムを用いて取得されたエネルギ情報に基づいて、液体のエネルギ吸収に起因する、液体を含む光学系の光学特性の変動を予測し、該予測結果に基づき、物体（Ｗ）に対する露光動作を制御する制御装置５０とを備えている。この露光装置によれば、液体のエネルギ吸収に起因するその液体を含む光学系の光学特性の変動に影響されることのない露光動作が可能になる。

Description

明 細 書
露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法に係り、更に詳しく は、半導体素子 (集積回路）、液晶表示素子などの電子デバイスを製造するリソダラ フイエ程で用いられる露光方法及び露光装置、並びにこれらを利用するデバイス製 造方法に関する。
背景技術
[0002] 従来より、半導体素子 (集積回路等)、液晶表示素子等の電子デバイスを製造する リソグラフイエ程では、マスク (又はレチクル)のパターンの像を投影光学系を介して、 レジスト (感応材）が塗布されたウェハ又はガラスプレート等の感応性の物体 (以下、「 ウェハ」と総称する）上の複数のショット領域の各々に投影するステップ 'アンド 'リビー ト方式の縮小投影露光装置 ( 、わゆるステツパ）や、ステップ 'アンド'スキャン方式の 投影露光装置 ( 、わゆるスキャニング'ステツパ)などが、主として用いられて 、る。
[0003] この種の投影露光装置では、集積回路の高集積ィヒによるパターンの微細化に伴つ て、より高い解像力（解像度）が年々要求されるようになり、最近では、液浸法を利用 した露光装置が、注目されるようになってきた。この液浸法を利用した露光装置として 、投影光学系の下面とウェハ表面との間を水又は有機溶媒等の液体で局所的に満 たした状態で露光を行うものが知られている（例えば、下記特許文献 1参照)。この特 許文献 1に記載の露光装置では、液体中での露光光の波長が、空気中の lZn倍 (n は液体の屈折率で通常 1. 2〜1. 6程度）になることを利用して解像度を向上すると 共に、空気中に比べて焦点深度を実質的に n倍に拡大することができる。
[0004] ところで、液浸露光装置では、露光光の照射による液体の屈折率変化により投影光 学系及び液体 (例えば、水）を含む全体の光学系の光学特性 (例えば収差)が変動 する可能性がある。また、液体が大気に触れることによって露光光に対する液体の透 過率が変動する可能性もある。例えば、液体中の TOC (Total Organic Carbon :全有 機体炭素)及び Z又は液体中の溶存酸素量の増加によって液体の透過率が低下す る可能性がある。
[0005] この結果、露光装置で許容される収差、要求される各種精度などを維持又は確保 することが困難になるおそれがある。
[0006] 特許文献 1 :特開平 6— 252022号公報
発明の開示
課題を解決するための手段
[0007] 本発明は、上述のような事情の下でなされたもので、第 1の観点力もすると、ェネル ギビームを、液体を含む光学系を介して物体に照射し、該物体を露光する露光方法 であって、前記液体に入射する前記エネルギビームのエネルギ情報に基づいて、前 記液体のエネルギ吸収に起因する、前記液体を含む光学系の光学特性の変動を予 測する工程と;該予測結果に基づき、前記物体に対する露光動作を行う工程と;を含 む第 1の露光方法である。
[0008] これによれば、液体のエネルギ吸収に起因するその液体を含む光学系の光学特性 の変動の影響を抑えて露光動作を実行することが可能になる。
[0009] 本発明は、第 2の観点力 すると、エネルギビームを液体を介して物体に照射し、 該物体を露光する露光方法であって、前記エネルギビームに対する前記液体の透 過率に関連する物理量の変動に基づいて前記物体に対する積算露光量を制御しつ つ、前記物体を露光する第 2の露光方法である。
[0010] これによれば、液体の透過率が変動しても、この透過率変動の影響を抑えて物体を 露光することが可能となる。
[0011] リソグラフイエ程において、本発明の第 1、第 2の露光方法のいずれかにより、物体 を露光して、該物体上にデバイスパターンを形成することで、物体上にデバイスバタ ーンを精度良く形成することが可能になる。従って、本発明は、第 3の観点からすると 、本発明の第 1、第 2の露光方法のいずれかを用いるデバイス製造方法であるとも言 える。
[0012] 本発明は、第 4の観点力もすると、エネルギビームを液体を介して物体に照射し、 該物体を露光する露光装置であって、前記液体を含む光学系と;前記液体に入射す る前記エネルギビームのエネルギ情報を取得するためのセンサシステムと；該センサ システムを用いて取得されたエネルギ情報に基づ 、て、前記液体のエネルギ吸収に 起因する、前記液体を含む光学系の光学特性の変動を予測し、該予測結果に基づ き、前記物体に対する露光動作を制御する制御装置と;を備える第 1の露光装置で ある。
[0013] これによれば、液体のエネルギ吸収に起因するその液体を含む光学系の光学特性 の変動の影響を抑えて露光動作を実行することが可能になる。
[0014] 本発明は、第 5の観点力もすると、エネルギビームを液体を介して物体に照射し、 該物体を露光する露光装置であって、前記エネルギビームを射出するビーム源と；前 記物体を露光するときに、前記ビーム源力 射出されたエネルギビームに対する前 記液体の透過率に関連する物理量の変動に基づいて前記物体に対する積算露光 量を制御する制御装置と；を備える第 2の露光装置である。
[0015] これによれば、液体の透過率が変動しても、この透過率変動の影響を抑えて物体を 露光することが可能となる。
[0016] リソグラフイエ程において、本発明の第 1、第 2の露光装置のいずれかにより、物体 を露光して、該物体上にデバイスパターンを形成することで、物体上にデバイスバタ ーンを精度良く形成することが可能になる。従って、本発明は、第 6の観点からすると 、本発明の第 1、第 2の露光装置のいずれかを用いるデバイス製造方法であるとも言 える。
[0017] 本発明は、第 7の観点力 すると、エネルギビームを、液体を含む光学系を介して 物体に照射することによって該物体を露光し、該物体上にデバイスパターンを形成 するリソグラフイエ程を含むデバイス製造方法であって、前記液体に入射する前記ェ ネルギビームのエネルギ情報に基づいて、前記液体のエネルギ吸収に起因する、前 記光学系の光学特性の変動を予測する工程と;該予測結果に基づき、前記物体に 対する露光動作を行う工程と；を含むデバイス製造方法である。
[0018] これによれば、液体のエネルギ吸収に起因するその液体を含む光学系の光学特性 の変動の影響を抑えて物体に対する露光動作を実行することが可能になり、物体上 にデバイスパターンを精度良く形成することが可能になる。
[0019] 本発明は、第 8の観点力 すると、エネルギビームを液体を介して物体に照射する ことにより該物体を露光し、該物体上にデバイスパターンを形成するリソグラフイエ程 を含むデバイス製造方法であって、前記エネルギビームをビーム源力 発射するェ 程と；前記エネルギビームに対する前記液体の透過率に関連する物理量の変動に 基づ!/、て前記物体に対する積算露光量を制御しつつ、前記物体を露光処理するェ 程と；を含む露光方法である。
[0020] これによれば、液体の透過率が変動しても、この透過率変動の影響を抑えて物体を 露光することが可能となり、物体上にデバイスパターンを精度良く形成することが可能 になる。
[0021] 本発明は、第 9の観点力 すると、エネルギビームを、液体を含む光学系を介して 物体に照射することによって該物体を露光し、該物体上にデバイスパターンを形成 するリソグラフイエ程を含むデバイス製造方法であって、センサシステムを使って、前 記液体に入射する前記エネルギビームのエネルギ情報を取得する工程と;該センサ システムを用いて取得されたエネルギ情報に基づ 、て、前記液体のエネルギ吸収に 起因する、前記液体を含む光学系の光学特性の変動を予測する工程と;該予測結 果に基づき、前記物体に対する露光動作を実行する工程と；を含むデバイス製造方 法である。
[0022] これによれば、液体のエネルギ吸収に起因するその液体を含む光学系の光学特性 の変動の影響を抑えて物体に対する露光動作を実行することが可能になり、物体上 にデバイスパターンを精度良く形成することが可能になる。
[0023] 本発明は、第 10の観点力もすると、エネルギビームを液体を介して物体に照射する ことにより該物体を露光し、該物体上にデバイスパターンを形成するリソグラフイエ程 を含むデバイス製造方法であって、ビーム源カゝら前記エネルギビームを射出するェ 程と；前記ビーム源力 射出されたエネルギビームに対する前記液体の透過率に関 連する物理量の変動に基づいて前記物体に対する積算露光量を制御しつつ、前記 ビーム源カゝら前記エネルギビームで前記物体を露光する工程と；を含むデバイス製 造方法である。
[0024] これによれば、液体の透過率が変動しても、この透過率変動の影響を抑えて物体を 露光することが可能となり、物体上にデバイスパターンを精度良く形成することが可能 になる。
図面の簡単な説明
[0025] [図 1]一実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。
[図 2]投影光学系の像面側及びノズル部材近傍を示す断面図である。
[図 3]ノズル部材を下力 見た図である。
圆 4]投影光学系の構成を示す図である。
[図 5]図 1の装置の制御系の主要部を示すブロック図である。
[図 6]図 6 (A)〜図 6 (D)は、一実施形態の露光装置の効果を説明するための図であ る。
発明を実施するための最良の形態
[0026] 以下、本発明の一実施形態を図 1〜図 6 (D)に基づいて説明する。
[0027] 図 1には、一実施形態に係る露光装置 100の構成が概略的に示されている。この 露光装置 100は、ステップ ·アンド'スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわゆ るスキャナである。
[0028] 露光装置 100は、光源 16及び照明光学系 12を含む照明系、該照明系から射出さ れる露光用のエネルギビームとしての照明光 ILにより照明されるレチクル Rを保持し て所定の走査方向（ここでは、図 1における紙面内左右方向である Y軸方向とする） に移動するレチクルステージ RST、レチクル Rのパターンをウェハ W上に投影する投 影光学系 PLを含む投影ユニット PU、ウェハ Wを保持して水平面 (XY平面内）を移 動するウェハステージ WST及び液浸機構、並びにこれらを制御する制御系等を備 えている。
[0029] 光源 16としては、一例として波長 200ηπ！〜 170nmの真空紫外域の光を発するパ ルス光源である ArFエキシマレーザ（出力波長 193nm)が用いられている。
[0030] 前記照明光学系 12は、所定の位置関係で配置された、ビーム整形光学系 18、ェ ネルギ粗調器 20、オプティカル 'インテグレータ（ュニフォマイザ、又はホモジナイザ） 22、照明系開口絞り板 24、ビームスプリッタ 26、第 1リレーレンズ 28A、第 2リレーレ ンズ 28B、固定レチクルブラインド 30A、可動レチクルブラインド 30B、光路折り曲げ 用のミラー M及びコンデンサレンズ 32等を含む。なお、オプティカル 'インテグレータ 22としては、フライアイレンズ、内面反射型インテグレータ、又は回折光学素子などが 用いられるが、図 1ではフライアイレンズを用いているので、以下では「フライアイレン ズ」とも呼ぶ。
[0031] 前記エネルギ粗調器 20は、光源 16から入射したレーザビーム LBの断面形状を整 形するビーム整形光学系 18後方のレーザビーム LBの光路上に配置され、回転板（ レボルバ） 34の周囲に透過率（= 1—減光率)の異なる複数個（例えば 6個）の NDフ ィルタ（図 1ではそのうちの 2個の NDフィルタが示されている）を配置し、その回転板 3 4を駆動モータ 38で回転することにより、入射するレーザビーム LBに対する透過率を 100%から複数段階で切り換えることができる。駆動モータ 38は、主制御装置 50に よって制御される。なお、エネルギ粗調器 20を、複数個の NDフィルタを備えた 2段の レボルバ、又は透過率の異なる複数のメッシュフィルタ等を備えた 1段若しくは複数 段のフィルタ交換部材により構成しても良い。
[0032] エネルギ粗調器 20の後方では、円板状部材カも成る照明系開口絞り板 24がフライ アイレンズ 22を介して配置されている。この照明系開口絞り板 24には、ほぼ等角度 間隔で、例えば通常の円形開口より成る開口絞り（通常絞り）、小さな円形開口より成 りコヒーレンスファクタである σ値を小さくするための開口絞り（小 σ絞り）、輪帯照明 用の輪帯状の開口絞り、及び変形光源法用に複数の開口を偏心させて配置して成 る変形開口絞り（図 1ではこのうちの 2種類の開口絞りのみが図示されている）等が配 置されている。この照明系開口絞り板 24は、主制御装置 50により制御されるモータ 等の駆動装置 40により回転され、これによりいずれかの開口絞りが照明光 ILの光路 上に選択的に設定される。
[0033] なお、本実施形態においては、照明系開口絞り板 24を用いて照明条件を変更して いるが、照明条件を変更する光学素子 (光学系）はこれに限らない。例えば米国特許 6, 563, 567号明細書に開示されているような光学系を用いて照明条件を変更して もよい。なお、本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国）の国内法令が許 す限りにおいて、上記米国特許の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
[0034] 前記照明系開口絞り板 24後方の照明光 ILの光路上に、反射率が小さく透過率の 大きなビームスプリッタ 26が配置され、更にこの後方の光路上に、固定レチクルブラ インド（固定視野絞り） 30A及び可動レチクルブラインド（可動視野絞り） 30Bを介在さ せて第 1リレーレンズ 28A及び第 2リレーレンズ 28Bを含むリレー光学系が配置され ている。
[0035] 固定レチクルブラインド 30Aは、レチクル Rのパターン面に対する共役面から僅か にデフォーカスした面に配置され、レチクル R上の照明領域 IARを規定する矩形開 口が形成されている。また、この固定レチクルブラインド 30Aの近傍に可変の開口部 を有する可動レチクルブラインド 30Bが配置され、走査露光の開始時及び終了時に その可動レチクルブラインド 30Bを用いて照明領域 IARを更に制限することによって 、不要な露光が防止される。
[0036] 第 2リレーレンズ 28B後方の照明光 ILの光路上には、当該第 2リレーレンズ 28Bを 通過した照明光 ILをレチクル Rに向けて反射する折り曲げミラー Mが配置され、この ミラー Mの後方の照明光 ILの光路上にコンデンサレンズ 32が配置されている。
[0037] 一方、ビームスプリッタ 26の一方の面 (表面)で反射された照明光 ILは、集光レンズ 44を介して光電変換素子より成るインテグレータセンサ 46で受光され、インテグレー タセンサ 46の光電変換信号が、不図示のホールド回路及び AZD変翻などを介し て出力 DS (digit/pulse)として主制御装置 50に供給される。インテグレータセンサ 46 としては、例えば遠紫外域や真空紫外域で感度があり、且つ光源 16からのパルス光 を検出するために高!、応答周波数を有する PIN型のフォトダイオード等が使用できる
[0038] また、ビームスプリッタ 26の他方の面 (裏面)で反射した光を受光するために、照明 光学系 12の瞳面と共役な位置に光電変換素子よりなる反射量モニタ 47が配置され ている。本実施形態では、ウェハ Wで反射された照明光 IL (反射光）は、投影光学系 PL、コンデンサレンズ 32、ミラー M、リレー光学系を介してビームスプリッタ 26に戻り 、ビームスプリッタ 26で反射された光が反射量モニタ 47で受光され、反射量モニタ 4 7の検出信号が主制御装置 50に供給される。反射量モニタ 47は、後述する光学系 の照明光吸収による結像特性 (諸収差)の変動、いわゆる照射変動を算出するため の基礎となるウェハ反射率の測定に用いられる。
[0039] 従って、露光中には、インテグレータセンサ 46の出力信号よりレチクル Rを介して投 影光学系 PL及び該投影光学系 PLとウェハ Wとの間に満たされた液体 Lqlを通過 する照明光 ILの光量 (第 1光量とする）がモニタされ、反射量モニタ 47の検出信号よ りウエノ、 Wで反射されて液体 Lql及び投影光学系 PLを再び通過する反射光の光量 (第 2光量とする）がモニタできるため、その第 1光量と第 2光量とに基づいて、投影光 学系 PL及び液体 Lqlを通過する光の全光量がより正確にモニタできるようになって いる。後述するように、本実施形態では、投影光学系 PLの一部を構成する最も像面 に近い光学素子とこれに隣接する光学素子との間の空間にも液体 Lq2 (図 2参照）が 満たされるが、液体 Lq2は、投影光学系 PLを構成する光学素子の一部であるとみな し、ここでは、液体 Lqlのみを投影光学系 PLとは別に説明したものである。
[0040] 前記レチクルステージ RST上には、レチクル Rが載置され、不図示のバキュームチ ャック等を使って吸着保持されている。レチクルステージ RSTは、例えばリニアモータ 方式のレチクルステージ駆動系 48によって、水平面 (XY平面）内で微小駆動可能で あるとともに、走査方向（ここでは図 1の紙面内左右方向である Y軸方向とする）に所 定ストローク範囲で走査される。レチクルステージ RSTの位置は、レチクルステージ R STの鏡面カ卩ェされた側面 (反射面）を使って外部のレチクルレーザ干渉計 53によつ て計測され、このレチクルレーザ干渉計 53の計測値が主制御装置 50に供給される。
[0041] 本実施形態では、前記投影ユニット PUは、図 1に示されるように、レチクルステージ RSTの下方に配置されている。投影ユニット PUは、鏡筒 140と、該鏡筒 140内に所 定の位置関係で保持された複数の光学素子を有する投影光学系 PLとを含む。また 、本実施形態では、前記投影光学系 PLとしては、反射屈折系（カタディ *ォプトリック 系）が用いられている。
[0042] 本実施形態の露光装置 100では、後述するように液浸法を適用した露光が行われ るため、開口数 NAが実質的に増大することに伴いレチクル側の開口が大きくなる。 このため、レンズのみで構成する屈折光学系においては、ペッツヴァルの条件を満足 することが困難となり、投影光学系が大型化する傾向にある。かかる投影光学系の大 型化を避けるために、投影光学系 PLとして反射屈折系を採用したものである。
[0043] 図 4には、投影光学系 PLの構成例が、レチクル R (レチクルステージ RST)及びゥ ェハ W (ウェハステージ WST)とともに示されている。この投影光学系 PLは、前述の 鏡筒 140の内部に、所定の位置関係で配置された 3つの結像光学系 Gl、 G2、 G3 等を含み、全体として縮小光学系（投影倍率は、例えば 1Z4倍、 1Z5倍又は 1Z8 倍)である。
[0044] 投影光学系 PLは、レチクル Rに形成されたパターンの一次像を形成する屈折型の 第 1結像光学系 G1と、当該一次像を再結像して二次像を形成する反射屈折型の第 2結像光学系 G2と、当該二次像をウェハ上に再結像して最終像を形成する第 3結像 光学系 G3とを備える。第 1結像光学系 G1と第 2結像光学系 G2との間の光路中及び 第 2結像光学系 G2と第 3結像光学系 G3との間の光路中には、光路折曲げ鏡 FMが 配置される。第 1結像光学系 G1の光軸 AX1と第 3結像光学系 G3の光軸 AX3とは共 軸であり、これらの光軸 AX1, AX3と第 2結像光学系 G2の光軸 AX2とは一点で交 差する。この交差点には、光路折曲げ鏡 FMが有する 2つの反射面の仮想的な頂点 (稜線)が位置する。
[0045] この投影光学系 PLでは、第 2結像光学系 G2の一部を構成する凹面反射鏡 Mlが 正の屈折力を持ちつつペッツヴァル和への寄与は負レンズと同様であるため、凹面 反射鏡 Mlと正レンズとの組み合わせによりペッツヴァル和の補正が容易に可能であ り、像面湾曲を良好に補正できる。これにより、大きな像側開口数 NAであっても、有 効結像領域 (実効露光領域)の全体に亘つて球面収差及び Z又はコマ収差を良好 に補正できる。そして、第 2結像光学系 G2中には 1以上の負レンズが配置されており 、これらの負レンズと凹面反射鏡 Mlとの協働によって、第 1結像光学系 G1および第 3結像光学系 G3で生じる色収差を補償して ヽる。
[0046] この投影光学系 PLのような反射屈折系を用いる場合には、凹面反射鏡 Mlに向か つて進む光と凹面反射鏡 Mlで反射されて戻る光とを如何に分離するかが課題にな る。本実施形態の投影光学系 PLは、図 3に示されるように光軸 AX (すなわち光軸 A XI, AX3)に対して Y側に距離 Aだけ偏心した実効露光領域 (有効結像領域) IA を有しており、光路中に 2つの中間像を形成している。そして、 2つの中間像の近傍 に光路分離用の平面反射鏡、すなわち光路折曲げ鏡 FMの 2つの反射面を配置し て、凹面反射鏡 Mlに向かって進む光と凹面反射鏡 Mlで反射されて戻る光とを容 易に分離している。この構成により、露光領域 (すなわち実効露光領域) IAの光軸 A Xからの距離 A、すなわち軸外し量を小さく設定できる。これは、収差補正の点で有 利となるだけでなぐ投影光学系 PLの小型化、光学調整、機械設計、製造コストなど の点でも有利となる。そして、 2つの中間像を光路折曲げ鏡 FMよりも凹面反射鏡 Ml 側に形成することにより、さらに軸はずし量を小さく設定できる。
[0047] また、レチクル R上では、上記の実効露光領域 IAの偏心に対応して、光軸 AXから
Y方向に軸外し量 Aに対応する所定距離だけ離れた位置に、実効露光領域 IAに 対応した大きさおよび形状を有する矩形状の照明領域 (すなわち実効照明領域) IA Rが形成される（図 4参照)。
[0048] 投影光学系 PLの複数の光学素子のうち、終端光学素子 191を除ぐ最もウェハに 近い位置に配置された光学素子である境界レンズ 192 (以下、適宜、「光学素子 192 」とも記述する）は、レチクル側に凸面を有する。換言すれば、境界レンズ 192のレチ クル側の面は、正の屈折力を有する。そして、境界レンズ 192とウェハ Wとの間の光 路中には、平行平面板力も成る終端光学素子 191が配置されている。さらに、境界レ ンズ 192と終端光学素子 191との間の光路および終端光学素子 191とウェハ Wとの 間の光路は、 1. 1よりも大きい屈折率を有する液体で満たされている。本実施形態で は、 ArFエキシマレーザ光すなわち波長 193nmの照明光 ILに対する屈折率が 1. 4 4の純水でそれぞれの光路が満たされて!/、る。純水は ArFエキシマレーザ光のみな らず、例えば水銀ランプカゝら射出される紫外域の輝線 (g線、 h線、 i線)及び KrFェキ シマレーザ光 (波長 248nm)等の遠紫外光 (DUV光)も透過可能である。
[0049] 本実施形態では、投影光学系 PLの複数のレンズのうちの特定の複数のレンズ、例 えば第 1結像光学系 G1に含まれる複数のレンズのうちの一部（例えば 5枚)のレンズ (以下、「可動レンズ」と呼ぶ）は、主制御装置 50からの指令に基づいて、図 1に示さ れる結像特性補正コントローラ 52によって駆動され、投影光学系 PLを含む光学系の 光学特性 (結像特性を含む）、例えば倍率、ディストーション、コマ収差、及び像面湾 曲（像面傾斜を含む)などを調整できるようになって!/、る。
[0050] 図 1に示されるように、前記ウェハステージ WSTは、投影光学系 PLの下方で不図 示のベースの上方に配置され、リニアモータ等を含むウェハステージ駆動系 56によ つて、 XY面内（ Θ z回転を含む）で自在に移動される。また、ウェハステージ WSTは 、ウェハステージ駆動系 56の一部であるァクチユエータによって、 Z軸方向、及び XY 面に対する傾斜方向（X軸回りの回転方向（ θ X方向）及び Y軸回りの回転方向（ Θ y 方向））へ微小移動される。なお、ウェハステージ駆動系 56は Z軸方向及び XY平面 に対する傾斜方向に加えて、ウェハステージ WSTを XY面内で微小移動させるァク チユエータを備えて 、ても良 、。
[0051] ウェハステージ WSTの XY平面内での位置、及び回転（ョーイング（Z軸回りの回転 である Θ z回転）、ピッチング (X軸回りの回転である θ X回転）、ローリング (Y軸回りの 回転である Θ y回転)）は、ウェハステージ WSTに設けられた反射面を使って、ゥェ ハレーザ干渉計 54によって常時検出されている。
[0052] ウェハステージ WSTの位置情報 (又は速度情報）は主制御装置 50に供給される。
主制御装置 50は、ウェハステージ WSTの上記位置情報 (又は速度情報）に基づき、 ウェハステージ駆動系 56を介してウェハステージ WSTを制御する。
[0053] ウェハステージ WST上の所定位置には、複数の基準マークを有する基準部材 (不 図示）が設けられている。また、ウェハステージ WST上のウェハ Wの近傍に例えば 特開昭 57— 117238号公報及びこれに対応する米国特許第 4, 465, 368号明細 書などに開示されているような照度むらセンサ 21Pが設けられている。照度むらセン サ 21Pの受光面はウェハ Wの表面と同じ高さに設定されて、ピンホール状の受光部（ 不図示）が形成されている。更に、ウェハステージ WST上には、露光領域 IAよりも広 ぃ受光部（不図示）が形成された例えば特開平 11— 16816号公報及びこれに対応 する米国特許出願公開第 2002Z0061469号明細書などに開示されているような 照射量モニタ 58がその受光面がウェハ Wの表面とほぼ同一面に位置する状態で設 けられている。照射量モニタ 58及び照度むらセンサ 21Pにより、投影光学系 PLを通 過した照明光 ILを投影光学系 PLの像面又はその近傍の面上で受光できる。本国際 出願で指定した指定国 (又は選択した選択国）の国内法令が許す限りにおいて、上 記各公報及び対応米国特許又は米国特許出願公開明細書における開示を援用し て本明細書の記載の一部とする。
[0054] 照射量モニタ 58及び照度むらセンサ 21Pとしては、照明光 ILと同じ波長域 (例えば 波長 300ηπ！〜 lOOnm程度）に対して感度があり、且つ照明光 ILを検出するために 高 、応答周波数を有するフォトダイオード、又はフォトマルチプライアチューブ等の光 電変換素子が使用できる。照射量モニタ 58及び照度むらセンサ 21Pの検出信号 (光 電変換信号)が不図示のホールド回路、及びアナログ Zデジタル (A/D)変換器な どを介して主制御装置 50に供給されている。
[0055] 前記投影ユニット PUの近傍 (例えば + Y側）には、ウエノ、 W上のァライメントマーク などの検出対象マークを光学的に検出するオファクシス'ァライメント系（以下、「ァラ ィメント系」と略述する) ALG (図 1では不図示、図 5参照）が設けられている。なお、ァ ライメント系 ALGとしては、各種方式のセンサを用いることができる力 本実施形態に おいては、画像処理方式のセンサが用いられている。なお、画像処理方式のセンサ は、例えば特開平 4— 65603号公報及びこれに対応する米国特許第 5, 493, 403 号明細書などに開示されており、ここでは詳細説明を省略する。ァライメント系 ALG 力 の撮像信号は、主制御装置 50に供給される（図 5参照)。本国際出願で指定した 指定国 (又は選択した選択国）の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及び対応 米国特許明細書における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
[0056] また、図 1では不図示であるが、レチクル Rの上方には、投影光学系 PLを介してレ チクル R上の一対のレチクルァライメントマークとこれらに対応する前述のウェハステ ージ WST上の基準部材に設けられた一対の基準マークとの位置関係を露光波長の 光を用いて検出する一対の TTR (Through The Reticle)ァライメント系 RAa, RAb ( 図 5参照）が X軸方向に所定距離隔てて設けられている。レチクルァライメント系 RAa , RAbとしては、例えば特開平 7— 176468号公報及びこれに対応する米国特許第 5, 646, 413号明細書などに開示されるものと同様の構成のものが用いられている。 本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおい て、上記公報及び対応米国特許明細書における開示を援用して本明細書の記載の 一部とする。
[0057] 図 1に戻り、前記液浸機構は、第 1液体供給ユニット 68、第 2液体供給ユニット 72、 第 1液体回収ユニット 69、第 2液体回収ユニット 73及びノズル部材 70、並びにこれら 各部に接続された配管系等を備えている。
[0058] 前記ノズル部材 70は、ウェハ W (ウェハステージ WST)の上方において鏡筒 140 の下端部の周りを囲むように設けられた環状部材である。このノズル部材 70は、投影 ユニット PUを防振装置 (不図示)を介して保持する不図示のメインコラムに不図示の 支持部材を介して支持されて 、る。
[0059] 前記第 1液体供給ユニット 68は、供給管 66を介してノズル部材 70に接続されてい る。この第 1液体供給ユニット 68は、供給管 66を介して液体 Lqlを投影光学系 PLの 最も像面に近い終端光学素子 191 (図 2参照）とウェハ W (ウェハステージ WST)との 間の第 1空間 K1 (図 2参照）に供給する。この第 1液体供給ユニット 68は、液体 Lql を収容するタンク、供給する液体 Lqlの温度を調整する温度調整装置、液体 Lql中 の異物を除去するフィルタ装置、及び加圧ポンプ、並びに供給する液体 Lqlの流量 を制御する流量制御弁等を含む。この第 1液体供給ユニット 68は、主制御装置 50に 制御され、ウェハ W上に液浸領域 AR (図 2参照）を形成する際、液体 Lqlをウェハ W 上に供給する。なお、露光装置 100の第 1液体供給ユニット 68に、タンク、温度調整 装置、フィルタ装置、加圧ポンプのすべてを設けずに、それらの少なくとも一部を露 光装置 100が設置される工場などの設備で代用しても良い。
[0060] 前記第 1液体回収ユニット 69は、回収管 67を介してノズル部材 70に接続されてい る。この第 1液体回収ユニット 69は、上記第 1空間 K1に供給された液体 Lqlを回収 する。この第 1液体回収ユニット 69は、例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、 回収された液体 Lqlと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体 Lqlを収容 するタンク、回収される液体の流量を制御するための流量制御弁等を含む。なお、露 光装置 100に真空系、気液分離器、タンク、流量制御弁のすべてを設けずに、それ らの少なくとも一部を露光装置 100が配置される工場の設備で代用しても良い。第 1 液体回収ユニット 69は、主制御装置 50に制御され、ウェハ W上に液浸領域 ARを形 成するために、第 1液体供給ユニット 68より供給されたウェハ W上の液体 Lqlを所定 量回収する。
[0061] 前記第 2液体供給ユニット 72は、供給管 74を介してノズル部材 70より僅かに上方 の位置で鏡筒 140の +Y側の側面に接続されて 、る。この第 2液体供給ユニット 72 は、液体 Lq2を投影光学系 PLの終端光学素子 191の上面側に形成された第 2空間 K2 (図 2参照）に供給する。この第 2液体供給ユニット 72は、液体 Lq2を収容するタ ンク、供給する液体 Lq2の温度を調整する温度調整装置、液体 Lq2中の異物を除去 するフィルタ装置、及び加圧ポンプ等を備えている。なお、露光装置 100の第 2液体 供給ユニット 72に、タンク、温度調整装置、フィルタ装置、加圧ポンプのすべてを設 けずに、それらの少なくとも一部を露光装置 100が設置される工場などの設備で代 用しても良い。
[0062] 前記第 2液体回収ユニット 73は、回収管 75を介してノズル部材 70より僅かに上方 の位置で鏡筒 140の— Y側の側面に接続されている。この第 2液体回収ユニット 73 は、上記第 2空間 K2に供給された液体 Lq2を回収する。この第 2液体回収ユニットは 、例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体 Lq2と気体とを分離す る気液分離器、及び回収した液体 Lq2を収容するタンク等を備えている。なお、露光 装置 100に真空系、気液分離器、タンクのすべてを設けずに、露光装置 100が配置 される工場などの設備を代用しても良い。
[0063] 図 2には、投影光学系 PLの像面側及びノズル部材 70近傍の断面図が示され、図 3 にはノズル部材 70を下から見た図が示されている。ここで、これら図 2及び図 3に基 づ 、て、ノズル部材 70近傍の構成等にっ 、て説明する。
[0064] 図 2及び図 3において、終端光学素子 191及びその上方に配置された境界レンズ 1 92は、鏡筒 140に支持されている。終端光学素子 191は平行平面板であって、該終 端光学素子 191の下面 191aは鏡筒 140の下面 140aとほぼ面一となつている。鏡筒 140に支持された終端光学素子 191の上面 191b及び下面 191aは XY平面とほぼ 平行となっている。また、終端光学素子 (平行平面板） 191はほぼ水平に支持されて おり、無屈折力である。また、鏡筒 140と終端光学素子 191とのギャップはシールさ れている。すなわち、終端光学素子 191の下側の第 1空間 K1と終端光学素子 191 の上側の第 2空間 K2とは互いに独立した空間であり、第 1空間 K1と第 2空間 K2との 間での液体の流通が阻止されている。上述したように、第 1空間 K1は、終端光学素 子 191とウェハ W (又はウェハステージ WST)との間の空間であって、その第 1空間 K1の液体 Lqlで液浸領域 ARが形成される。一方、第 2空間 K2は、鏡筒 140の内 部空間の一部であって、終端光学素子 191の上面 191bとその上方に配置された境 界レンズ 192の下面 192aとの間の空間である。 [0065] なお、図 2においては、終端光学素子 191の上面 191bの面積は、その上面 191b と対向する境界レンズ 192の下面 192aの面積とほぼ同一、もしくは下面 192aの面 積よりも小さぐ第 2空間 K2を液体 Lq2で満たした場合、終端光学素子 191の上面 1 91bのほぼ全面が液体 Lq2で覆われる。しかしながら、終端光学素子 191の上面 19 lbの面積を、境界レンズ 192の下面 192aの面積よりも大きくしても良い。この場合、 終端光学素子 191の上面 191bの一部のみを液体 Lq2で覆うようにしても良い。
[0066] また、終端光学素子 191は、鏡筒 140に対して容易に取り付け '外しが可能となつ ている。すなわち、終端光学素子 191が交換可能な構成が採用されている。
[0067] ノズル部材 70は、図 2に示されるように、ウェハ W (ウェハステージ WST)の上方で 鏡筒 140の下端部を囲むように配置されている。このノズル部材 70は、その中央部 に投影ユニット PU (鏡筒 140)の下端部を所定の隙間を介して配置可能な穴部 70h を有している。本実施形態では、投影光学系 PLの投影領域、すなわち実効露光領 域 IAは、図 3に示されるように、 X軸方向（非走査方向）を長手方向とする矩形状に設 定されている。
[0068] ウェハ Wに対向するノズル部材 70の下面 70aには、その中央部に X軸方向を長手 方向とする凹部 78が形成されている。この凹部 78の内部底面 78aの中央部に前述 の穴部 70hの開口端が形成されている。凹部 78の内部底面 78aは、 XY平面と略平 行であり、ウェハステージ WSTに支持されたウェハ Wと対向するキヤビティ面とされ ている。また、凹部 78の側壁内面 78bは、 XY平面に対してほぼ直交するように設け られている。
[0069] ノズル部材 70の下面 70aに形成された凹部 78の側壁内面 78bには、投影光学系 PLの終端光学素子 191 (投影領域 IA)を挟んで Y軸方向の一側と他側に第 1供給 口 80a、 80b力それぞれ形成されて!ヽる。第 1供給口 80a, 80biま、ノズノレ咅材 70の 内部に形成された第 1供給流路 82の一端部にそれぞれ接続されている。この第 1供 給流路 82は、複数 (2つ）の第 1供給口 80a, 80bのそれぞれにその他端部を接続可 能なように途中力 分岐している。また、前記第 1供給流路 82の他端部は、前述の供 給管 66の一端に接続されて 、る。
[0070] 第 1液体供給ユニット 68の液体供給動作は主制御装置 50により制御される。液浸 領域 ARを形成するために、主制御装置 50は、第 1液体供給ユニット 68より液体 Lql を送出する。第 1液体供給ユニット 68より送出された液体 Lqlは、供給管 66を流れた 後、ノズル部材 70の内部に形成された第 1供給流路 82の一端部に流入する。そして 、第 1供給流路 82の一端部に流入した液体 Lqlは、ノズル部材 70に形成された複 数（2つ）の第 1供給口 80a, 80bから、終端光学素子 191とウェハ Wとの間の第 1空 間 K1に供給される。なお、本実施形態においては、第 1供給口 80a, 80bから供給さ れる液体 Lqlは、ウエノ、 W表面とほぼ平行に吹き出されている力 下向きに液体 Lql が供給されるように第 1供給口を形成しても良 ヽ。
[0071] また、第 1供給口を、終端光学素子 191の X軸方向の両側に設けても良いし、第 1 供給口は 1箇所であっても良い。
[0072] ノズル部材 70の下面 70aにおいて、投影光学系 PLの投影領域 IAを基準として凹 部 78の外側には第 1回収口 81が設けられている。この第 1回収口 81は、ウェハ Wに 対向するノズル部材 70の下面 70aにおいて投影光学系 PLの投影領域 IAに対して 第 1供給口 80a、 80bの外側に設けられており、投影領域 IA、及び第 1供給口 80a、 80bを囲むように環状に形成されている。また、第 1回収口 81には多孔体 81Pが設 けられている。
[0073] 前述の回収管 67の一端部は、図 2に示されるように、ノズル部材 70の内部に形成 された第 1回収流路 83の一部を構成するマ-ホールド流路 83Mの一端部に接続さ れている。一方、マ-ホールド流路 83Mの他端部は、第 1回収口 81に接続され、第 1回収流路 83の一部を構成する環状流路 83Kの一部に接続されている。
[0074] 第 1液体回収ユニット 69の液体回収動作は主制御装置 50に制御される。主制御 装置 50は、液体 Lqlを回収するために、第 1液体回収ユニット 69を駆動する。第 1液 体回収ユニット 69の駆動により、ウェハ W上の液体 Lqlは、そのウェハ Wの上方に 設けられている第 1回収口 81を介して流路 83を流れる。その後、回収管 67を介して 第 1液体回収ユニット 69に吸引回収される。
[0075] 鏡筒 140の側壁内面 140cには、第 2供給口 86が形成されている。第 2供給口 86 は、第 2空間 K2の近傍位置に形成されており、投影光学系 PLの光軸 AXに対して +Y側に設けられている。この第 2供給口 86は、鏡筒 140の側壁内部に形成された 第 2供給流路 84の一端に接続され、第 2供給流路 84の他端部に前述の供給管 74 の一端が接続されている。
[0076] また、鏡筒 140の側壁内面 140cの第 2供給口 86にほぼ対向する位置には、第 2回 収ロ 87が形成されている。第 2回収口 87は、第 2空間 K2の近傍位置に形成されて おり、投影光学系 PLの光軸 AXに対して Y側に設けられている。この第 2回収口 8 7は、鏡筒 140の側壁に形成された第 2回収流路 85の一端に接続され、第 2回収流 路 85の他端部に前述の回収管 75の一端が接続されている。
[0077] 第 2液体供給ユニット 72の液体供給動作は主制御装置 50により制御される。主制 御装置 50が、第 2液体供給ユニット 72より液体 Lq2を送出すると、その送出された液 体 Lq2は、供給管 74を流れた後、鏡筒 140の内部に形成された第 2供給流路 84の 一端部に流入する。そして、第 2供給流路 84の一端部に流入した液体 Lq2は、鏡筒 140の側壁内面 140cに形成された第 2供給口 86から、光学素子 192と終端光学素 子 191との間の第 2空間 K2に供給される。この場合、第 2供給口 86からは、終端光 学素子 191の上面 191bと略平行、すなわち XY平面と略平行に (横方向に）液体 Lq 2が吹きだされる。
[0078] 第 2液体回収ユニット 73の液体回収動作は主制御装置 50に制御される。主制御 装置 50は、液体 Lq2を回収するために、第 2液体回収ユニット 73を駆動する。第 2液 体回収ユニット 73の駆動により、第 2空間 K2の液体 Lq2は、第 2回収口 87を介して 第 2回収流路 85に流入し、その後、回収管 75を介して第 2液体回収ユニット 73に吸 引回収される。
[0079] なお、本実施形態では、鏡筒 140の側壁の内部に流路 84, 85がそれぞれ形成さ れているが、鏡筒 140の一部に貫通孔を設けておき、そこに流路となる配管を通すよ うにしても良い。また、本実施形態においては、供給管 74及び回収管 75は、ノズル 部材 70とは別に設けられている力 供給管 74及び回収管 75の代わりにノズル部材 70の内部に供給路及び回収路を設けて、鏡筒 140内部に形成された流路 84, 85 のそれぞれと接続するようにしても良い。
[0080] なお、液浸機構 (ノズル部材 70、液体供給ユニット 68, 72、液体回収ユニット 69, 7 3など）の構造および配置は、上述のものに限られず、照明光 ILの光路中の所定空 間を液体で満たすことができれば、 V、ろ 、ろな形態の液浸機構を適用することができ る。
[0081] 境界レンズ 192の下面 192a及び終端光学素子 191の上面 191bには第 2空間 K2 に満たされた液体 Lq2が接触し、終端光学素子 191の下面 191aには第 1空間 K1の 液体 Lqlが接触する。本実施形態においては、少なくとも光学素子 191、 192は石 英によって形成されている。石英は、液体 Lql、 Lq2すなわち純水との親和性が高い ので、液体接触面である境界レンズ 192の下面 192a、終端光学素子 191の上面 19 lb及び下面 191aのほぼ全面に液体 Lql、 Lq2を密着させることができる。したがつ て、光学素子 192、 191の液体接触面 192a、 191b及び 191aに液体 Lq2、 Lqlを 密着させることによって、光学素子 192と終端光学素子 191との間の光路、及び終端 光学素子 191とウェハ Wとの間の光路を液体 Lq2、 Lqlで確実に満たすことができる
[0082] なお、光学素子 192、 191の少なくとも一方は、水との親和性が高い蛍石であって も良い。また、例えば残りの光学素子を蛍石で形成し、光学素子 192、 191を石英で 形成しても良 、し、すべての光学素子を石英 (ある 、は蛍石)で形成しても良 、。
[0083] また、光学素子 192、 191の液体接触面 192a、 191b, 191aに、親水化（親液化） 処理を施して、液体 Lq2、 Lqlとの親和性をより高めるようにしても良い。
[0084] また、本実施形態においては、鏡筒 140の側壁内面 140c、及び境界レンズ 192の 側面 192bのそれぞれは、撥液ィ匕処理されて撥液性を有している。鏡筒 140の側壁 内面 140c、及び境界レンズ 192の側面 192bのそれぞれを撥液性にすることで、側 壁内面 140cと側面 192bとの間に形成される間隙に第 2空間 K2の液体 Lq2が浸入 することが防止される。
[0085] 上記撥液ィ匕処理としては、例えば、ポリ四フッ化工チレン等のフッ素系榭脂材料、 アクリル系榭脂材料、シリコン系榭脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥 液性材料力 なる薄膜を貼付する等の処理が挙げられる。
[0086] また、鏡筒 140の側壁外面 140bとノズル部材 70の穴部 70hの側壁内面 70kとの それぞれに撥液処理を施しても良 ヽ。側壁外面 140bと側壁内面 70kとを撥液性に することにより、側壁外面 140bと側壁内面 70kとの間に形成される間隙に第 1空間 1の液体 Lqlが浸入することが防止される。
[0087] 本実施形態の露光装置 100では、第 2空間 K2の +Y側の端部近傍、 Y側の端 部近傍に、液体 Lq2の温度をそれぞれ検出する第 1温度センサ 62及び第 2温度セン サ 63 (図 2、図 5参照）がそれぞれ設けられている。これらの温度センサ 62、 63の検 出値は、主制御装置 50に供給される。
[0088] また、露光装置 100では、第 2空間 K2内部の液体 Lq2中の溶存酸素濃度を検出 する酸素濃度計 64 (図 2、図 5参照）が設けられ、この酸素濃度センサ 64の検出値は 、主制御装置 50に供給される。
[0089] なお、第 1空間 K1の液体 Lqlの温度を検出する温度センサ及び Z又は、液体 Lql 中の溶存酸素濃度を検出する酸素濃度センサを設けても良いが、本実施形態では、 これらのセンサを設けて!/ヽな!、。
[0090] 更に、本実施形態の露光装置 100では、図 1では不図示である力 照射系 110a及 び受光系 110b (図 5参照）を含み、例えば特開平 6— 283403号公報及びこれに対 応する米国特許第 5, 448, 332号明細書等に開示されるものと同様の斜入射方式 の多点焦点位置検出系が設けられている。本国際出願で指定した指定国 (又は選 択した選択国）の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及び対応米国特許明細 書における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。なお、多点焦点位置検出 系は、ウェハ W表面の位置調整を行うために、ウェハ Wの露光中に、ウェハ W表面 の位置情報の検出を行っても良いし、ウェハ Wの露光を開始する前に、ウェハ W表 面の位置情報を検出し、ウェハ Wの露光中に多点焦点位置検出系を使わずにゥェ ハ W表面の位置調整を行うようにしても良い。この場合、ウェハ Wが投影ユニット PU の直下に配置されて ヽな 、状態で、多点焦点位置検出系によるウェハ W表面の位 置情報の検出を行っても良い。
[0091] 制御系は、図 1中、主制御装置 50を含み、主制御装置 50は、 CPU (中央演算処 理装置）、 ROM (リード ·オンリ'メモリ）、 RAM (ランダム ·アクセス 'メモリ）等から成る いわゆるマイクロコンピュータ (又はミニコンピュータ）を含み、装置全体を統括的に制 御する。主制御装置 50には、メモリ 51が接続されている。
[0092] 次に、投影光学系 PL (第 2液体 Lq2を含む）の照明光 ILの吸収に起因にする、投 影光学系 PL (第 2液体 Lq2を含む)及び第 1液体 Lqlを含む光学系（以下、適宜「光 学系 PLL」と記述する（図 4参照) )の結像特性の照射変動の推定演算にっ 、て説明 する。
[0093] 〈照射量の測定〉
まず、前提となる照明光 ILの照射量 Pの測定方法について説明する。
[0094] 露光に使用するレチクル Rをレチクルステージ RSTに搭載するとともに、レチクル R を用いた露光に適切な照明条件を設定する。この照明条件の設定は、例えば、主制 御装置 50により、フライアイレンズ 22の射出端の近傍に設けられた照明系開口絞り 板 24上の開口絞りをレチクル Rに応じて選択することにより行われる。
[0095] 次に、主制御装置 50は、照射量モニタ 58が投影光学系 PLの真下に来るようにゥ エノ、ステージ WSTを駆動する。このとき、第 1液体供給ユニット 68と第 1液体回収ュ ニット 69とを動作させることによって、前述の第 1空間 K1が液体 Lqlで満たされ、力 つ液体 Lqlの入れ替えが常時行われている。また、投影ユニット PU内の第 2空間 K 2は、液体 Lq2で満たされている。
[0096] 次に、主制御装置 50は光源 16の発光を開始するとともに、レチクルステージ RST を実際の露光と同じ条件で移動しながら照射量モニタ 58の出力 P及びインテグレー
0
タセンサ 46の出力 Iを所定のサンプリング間隔 A tで同時に取り込むことにより、レチ
0
クルステージ RSTの移動位置（走査位置）に応じた照射量モニタ 58の出力 P (照射
0 量 P )、及びこれに対応するインテグレータセンサ 46の出力 Iを内部メモリ内に記憶
0 0
する。すなわち、照射量 P、及びインテグレータセンサ出力 I力 レチクル Rの走査位
0 0
置に応じた関数として、内部メモリ内に記憶される。
[0097] このような準備作業を、主制御装置 50は露光に先立って実行しておく。そして、実 際の露光時にはレチクル Rの走査位置に応じて記憶してぉ 、た照射量 Pとインテグ
0 レータセンサ 46の出力 I、及び露光時のインテグレータセンサ 46の出力 Iに基づい
0 1 て、その時の照射量 (単位時間当たりの照射量) P を次式（1)に基づいて算出し、
EXP
照明光吸収の計算に使用する。
P =P X I /\…… (1)
EXP 0 1 0
この式（1)によると、インテグレータセンサ 46の出力比を計算に使用しているので、 光源 16のパワーが変動した場合にも照射量が誤差無く算出できる。また、レチクル R の走査位置に応じた関数となっているので、例えばレチクルパターンが面内で片寄 つていた場合にも正確に照射量を算出できる。
[0098] なお、上の説明では、準備作業として実際の露光時の照明条件下で照射量モニタ 58の出力を取り込むものとした力 例えば照射量モニタ 58の特性により信号が飽和 してしまうような場合には、エネルギ粗調器 20の NDフィルタの一つを照明光路上に 選択的に入れるなどして照明光量を意識的に減光した照明条件下で、上記の準備 作業を実行しても良い。この場合には、 NDフィルタの減光率を考慮して実際の露光 時における上記照射量 P の計算を行えば良 、。
EXP
[0099] 〈ウェハ反射率の測定〉
次に、同じく前提となるウェハ反射率 R の測定方法について説明する。ウェハステ
W
ージ WST上には、既知の反射率 R、反射率 Rをそれぞれ有する 2枚の反射板 (不
H L
図示)が設置されている。まず、上述した照射光量測定と同様に、主制御装置 50は、 実際の露光時と同一に露光条件 (レチクル R、レチクルブラインド、照明条件)を設定 し、ウエノ、ステージ WSTを駆動して反射率 Rの反射板を投影光学系 PL直下に移動
H
する。このときも、前述の第 1空間 K1は液体 Lqlで満たされ、かつ常時液体 Lqlの入 れ替えが行われている。また、投影ユニット PU内の第 2空間 K2は、液体 Lq2で満た されている。
[0100] 次に、主制御装置 50は光源 16の発光を開始するとともに、レチクルステージ RST を実際の露光と同じ条件で移動しながら反射量モニタ 47の出力 VH及びインテグレ
0
ータセンサ 46の出力 IHを所定のサンプリング間隔で同時に取り込むことにより、レチ
0
クルステージ RSTの移動位置（走査位置）に応じた反射量モニタ 47の出力 VH、及
0 びこれに対応するインテグレータセンサ 46の出力 IHを内部メモリ内に記憶する。こ
0
れにより、反射量モニタ 47の出力 VH、及びインテグレータセンサ 46の出力 IHが、
0 0 レチクル Rの走査位置に応じた関数として、内部メモリ内に記憶される。次に、主制御 装置 50は、ウェハステージ WSTを駆動して設置された反射率 Rの反射板を投影光 し
学系 PL直下に移動して、上記と同様にして、反射量モニタ 47の出力 VL、及びイン
0
テグレータセンサ 46の出力 ILを、レチクル Rの走査位置に応じた関数として内部メモ リ内に記憶する。
[0101] このような準備作業を、主制御装置 50は露光に先立って実行しておく。そして、実 際の露光時にはレチクル Rの走査位置に応じて記憶しておいた反射量モニタ 47の 出力とインテグレータセンサ 46の出力、及び露光時の反射量モニタ 47の出力 Vとィ
1 ンテグレータセンサ 46の出力 Iに基づ 、て、ウェハ反射率 R を、次式（2)に基づ
1 EXPW
いて算出し、照明光吸収の計算に使用する。
[0102] [数 1]
( 2 )
Figure imgf000024_0001
[0103] この式（2)によると、インテグレータセンサ 46の出力比を計算に使用しているので、 光源 16のパワーが変動した場合にもウェハ反射率を正確に算出できる。
[0104] なお、上述したような照射量計算及び反射率計算に必要な基礎データの計測をレ チクル上のパターンに対する照明条件毎に行って、その計測結果を予めメモリ 51内 に照明条件毎に記憶してぉ 、ても良 、。
[0105] 〈照明光吸収による結像特性の変化量の算出〉
次に、投影光学系 PL (第 2空間 K2内の液体 Lq2を含む）の照明光吸収による光学 系 PLLの結像特性の変動の算出方法について、一例としてフォーカスの変動を採り あげて説明する。
[0106] 上述のようにして求められた照射量 P 、ウェハ反射率 R 力 次式（3)で表され
EXP EXPW
るモデル関数を使用して投影光学系 PL (第 2空間 K2内の液体 Lq2を含む）の照明 光吸収による光学系 PLLのフォーカス変動 F を算出する。
HEAT
[0107] F (t) =F (t) +F (t) …… (3)
HEAT EXP W
ここで、 F (t)は、時刻 tにおける光学系 PLLの照射によるフォーカス変動、すな
HEAT
わちフォーカスの照射変動〔m〕である。また、 F (t)は、時刻 tにおける第 2空間 K2 内の液体 Lq2を除く投影光学系 PLの照明光吸収による光学系 PLLのフォーカス変 動〔m〕である。また、 F (t)は、時刻 tにおける第 2空間 K2内の液体 Lqの照明光吸
W
収による光学系 PLLのフォーカス変動〔m〕である。ここで、上式（3)に、第 1空間 K1 内の液体 Lqlの照明光吸収による光学系 PLLのフォーカス変動の関数項が含まれ ないのは、第 1空間内の液体 Lqlは、常時入れ替えられているので、液体 Lqlの照 明光吸収による光学系の結像特性の変動量は、非常に小さぐ無視できる程度とな るカゝらである。
[0108] また、上式（3)中の F (t)、F (t)は、それぞれ次の式 (4)、式（5)で表される関数
EXP W
である。
[0109] [数 2] W -(4 )
Figure imgf000025_0001
[0110] 二こで、 A tは、照明光吸収による上記光学系の結像特性の変動の計算間隔、すな わち前述のサンプリング間隔であり、 T は、第 2空間 K2内の液体 Lqを除く投影光
FEXPk
学系 PLの照明光吸収による光学系 PLLのフォーカス変動（以下、「投影光学系 PL の照明光吸収による光学系のフォーカスの照射変動」と略述する）の時定 ^数〔sec〕（k =A,B,C)である。また、 F (t- A t)は、時刻 (t- A t)における第 2空間 K2内の液
EXPk
体 Lqを除く投影光学系 PLの照明光吸収による光学系のフォーカスの照射変動の時 定数 T 成分〔m〕（k=A,B,C)であり、 C は、第 2空間 K2内の液体 Lqを除く投影
FEXPk FEXPk
光学系 PLの照明光吸収による光学系のフォーカスの照射変動の飽和値〔mZW〕（k =A,B,C)であり、 a は、第 2空間 K2内の液体 Lqを除く投影光学系 PLの照明光吸
FEXP
収による光学系のフォーカスの照射変動のウェハ反射率依存性である。なお、 A, B , C=X, Y, Zである。
[0111] [数 3]
Δί
^( = ∑ Fm (t - At) x exp
J Xひ + X P X Ί 1 ~ eXp| - (5 )
[0112] ：で、 A tは、前述のサンプリング間隔（照明光吸収による光学系 PLLの結像特性 の変動の計算間隔)であり、 T は、第 2空間 K2内の液体 Lq2の照明光吸収による
FWk
光学系 PLLのフォーカス変動（以下、「液体 Lq2の照明光吸収による光学系 PLLの フォーカスの照射変動」と略述する）の時定数〔sec〕（k=A,B,C)である。また、 F (t—
Wk
A t)は、時刻 (t- A t)における液体 Lq2の照明光吸収による光学系 PLLのフォー力 スの照射変動の時定数 T 成分〔m〕（k=A,B,C)であり、 C は、液体 Lq2の照明光
FWk FWk
吸収による光学系 PLLのフォーカスの照射変動の飽和値〔mZW〕 (k=A,B,C)である 。また、 R は、ウェハ反射率であり、前述のウェハ反射率 R がそのまま用いられ
WW EXPW
る。また、 a は、液体 Lq2の照明光吸収による光学系 PLLのフォーカスの照射変動
FW
のウェハ反射率依存性である。
[0113] 上記式 (4)、式（5)のモデル関数は、ともに、照射量 P を入力、フォーカス変動を
EXP
出力と見た時に、 1次遅れ系 3個の和の形になっている。なお、モデル関数に関して は投影光学系 PL、液体 Lq2の照明光吸収量と必要とされる精度力 変更しても良い 。例えば、照明光吸収量が比較的小さければ、 1次遅れ系 2個の和でも良いし、 1次 遅れ系 1個でも良い。また、投影光学系 PL、液体 Lq2が照明光を吸収して力も結像 特性変化として現れるまでに熱伝導により時間が掛かるようならば、ムダ時間系のモ デル関数を採用しても良い。なお、フォーカスの照射変動の時定数、フォーカスの照 射変動の飽和値、及びウェハ反射率依存性はいずれも実験により求める。あるいは 、高精度な熱解析シミュレーションにより計算で求めても良い。あるいは、その両方か ら求めても良い。
[0114] 上記フォーカスと同様の手法により、他の結像特性、すなわち像面湾曲、倍率、デ イストーシヨン、コマ収差、球面収差についても、照明光吸収による変動を計算するこ とができる。すなわち、照明光吸収による像面湾曲変化 CU 、照明光吸収による
HEAT
倍率変化 M 、照明光吸収によるディストーション変化 D 、照明光吸収によるコ
HEAT HEAT
マ収差変化 CO 、及び照明光吸収による球面収差変化 SA を、上記式 (3) (並
HEAT HEAT
びに式 (4)及び式（5) )と同様のモデル関数に基づ 、て算出すれば良！、。
[0115] なお、上述したフォーカスでは 1次遅れ系 3個の和のモデル関数が必要であつたが 、例えば像面湾曲の計算には 1次遅れ系 1個で十分なことも考えられるので、要求さ れる精度に応じて各結像特性毎に照明光吸収のモデル関数を変更しても良い。 1次 遅れ系が 2個又は 1個のモデル関数を用いる場合には、計算時間の短縮の効果があ る。
[0116] 本実施形態では、上記式（3)、（4)、（5)等のモデル関数は、主制御装置 50により 、メモリ 51内に記憶されている前述の照明条件毎の照射量計算および反射率計算 に必要な基礎データの計測結果を用いて、照明条件毎に設定される。
[0117] 次に、投影光学系 PLの回転対称な 6種類の結像特性、具体的にはフォーカス、像 面湾曲、倍率、ディストーション、コマ収差、球面収差の補正方法について説明する
[0118] まず、フォーカス、像面湾曲、倍率、ディストーション、コマ収差、球面収差の 6種類 の結像特性の変化量は、それらの変化量を各要素とする 6行 1列の第 1マトリックス（ Aとする）が、各可動レンズにおける上記 6種類の結像特性変化係数を各要素とする 6行 5列の第 2マトリックス（Bとする）と 5つの可動レンズの移動量を各要素とする 5行 1 列の第 3マトリックス (Cとする）との積として表すことができる。すなわち、次式 (6)が成 立する。
[0119] A=B-C ……（6)
そこで、まず、初期調整の段階で、主制御装置 50は、結像特性補正コントローラ 52 を介して前述の 5つの可動レンズを 1個ずつ駆動しながら、フォーカス、像面湾曲、倍 率、ディストーション、コマ収差、球面収差の 6種類の結像特性について測定を行い、 上記第 2マトリックスの各要素である各可動レンズにおける上記 6種類の結像特性変 ィ匕係数 (C 〜C とする）を求める。なお、これらの結像特性変化係数 C 〜C は、高
11 65 11 65 精度な光学シミュレーションにより計算で求めても良い。
[0120] そして、上記の結像特性変化係数の内、フォーカスを除く 5種類の結像特性変化係 数 C 〜C と 5個の可動レンズの移動量 (駆動量）とを用いて、各可動レンズの移動
21 65
量 (駆動量)を要素とする 5行 1列のマトリックス C力 フォーカスを除く 5種類の結像特 性変化係数 C 〜C を各要素とする 5行 5列の行列 (Β'とする）の逆行列と、像面湾
21 65
曲、倍率、ディストーション、コマ収差、球面収差の 5種類の結像特性の変動量を各 要素とする 5行 1列のマトリックス (Α'とする）との積で表されるとする、次の 5元 1次連 立方程式を立てる。 [0121] C= [B' ]_1 -A' …… (7)
上式（7)の 5元 1次の連立方程式が予め作成され、メモリ 51の内部に格納されてい る。
[0122] そして、上の連立方程式を用いることにより、例えば、所定の倍率に変化させたい 場合は、その式中の倍率の結像特性変化係数に所定量を入れ、他の 4種類の結像 特性変化係数に「0」を入れた新たな連立方程式を立て、この連立方程式を解！ヽて各 可動レンズの駆動量を求め、この駆動量に応じて各可動レンズを駆動することにより 、像面湾曲、ディストーション、コマ収差、球面収差に影響を与えることなぐ倍率のみ を所定の値に制御することが可能となる。ここでは、倍率を変化させる場合について 説明したが、像面湾曲、ディストーション、コマ収差、及び球面収差についても上記と 同様であって、他に影響を与えずに個別に値を変化させることができる。
[0123] ところで、上の連立方程式でフォーカスを除くのは、倍率等の他の結像特性を補正 するため可動レンズを駆動すると、それに付随してフォーカスが変動するので、フォ 一カスの補正にはこの影響も考慮する必要があるからである。
[0124] 上記 5種類の結像特性を補正するために、 5個のレンズ群を移動したことにより副作 用的に発生するフォーカス変化を FGとすると、 FGは、フォーカスの変ィ匕係数 C
11〜C を各要素とする 1行 5列のマトリックスと、上で求めた各可動レンズの駆動量を要素と
15
する 5行 1列のマトリックスとの積として求めることができる。
[0125] 結局、光学系自身のフォーカス変化 FLは、照明光吸収変化、レンズ移動変化を合 せて次式（8)のようになる。
[0126] FL=F +FG …… (8)
HEAT
となる。
[0127] この FLを、ウェハステージ WSTの駆動による所定のフォーカス補正の式に代入し てフォーカス誤差が 0となるようにウェハステージ WSTを Z軸方向に駆動することで、 レチクル Rとウェハ Wの共役関係 (光学的距離)が保たれる。
[0128] 次に、本実施形態の露光装置 100における露光の際の動作について説明する。
[0129] ウェハ Wに対する露光を行うに際し、主制御装置 50は、第 2液体供給ユニット 72を 制御して第 2空間 K2に液体 Lq2を供給する。このとき、主制御装置 50は、第 2液体 供給ユニット 72による単位時間あたりの液体 Lq2の供給量及び第 2液体回収ユニット 73による単位時間あたりの液体 Lq2の回収量を最適に制御しつつ、第 2液体供給ュ ニット 72及び第 2液体回収ユニット 73による液体 Lq2の供給及び回収を行い、第 2空 間 K2のうち、少なくとも照明光 ILの光路上を液体 Lq2で満たす。
[0130] また、ローデイングポジション（ウェハ交換位置）でウェハステージ WST上にウェハ Wがロードされた後、主制御装置 50は、ウェハ Wを保持したウェハステージ WSTを 投影光学系 PLの下、すなわち露光位置に移動する。そして、ウェハステージ WSTと 投影光学系 PLの終端光学素子 191とを対向させた状態で、主制御装置 50は、第 1 液体供給ユニット 68による単位時間あたりの液体 Lq 1の供給量及び第 1液体回収ュ ニット 69による単位時間あたりの液体 Lqlの回収量を最適に制御しつつ、第 1液体 供給ユニット 68及び第 1液体回収ユニット 69による液体 Lqlの供給及び回収を行い 、第 1空間 K1のうち、少なくとも照明光 ILの光路上に液体 Lqlの液浸領域 ARを形 成し、その照明光 ILの光路を液体 Lqlで満たす。
[0131] ここで、主制御装置 50は、ウェハ Wの露光処理を行う前に、ウェハステージ WST 上に設けられた基準部材上のマーク計測や、前述の照度むらセンサ 21Pあるいは照 射量モニタ 58等を使った各種計測動作 (前述の照射量の測定のための事前準備及 びウェハ反射率の測定のための事前準備を少なくとも含む)を行い、その計測結果 に基づいて、ウェハ Wのァライメント処理や、投影光学系 PLの結像特性調整などの キャリブレーション処理を行う。例えば照度むらセンサ 21Pあるいは照射量モニタ 58 等を使った計測動作を行う場合には、主制御装置 50は、ウェハステージ WSTを XY 方向に移動することで液体 Lqlの液浸領域 ARに対してウェハステージ WSTを相対 的に移動し、それらのセンサの受光面上に液体 Lqlの液浸領域 ARを形成し、その 状態で液体 Lql及び液体 Lq2を介した計測動作を行う。
[0132] 上記ァライメント処理及びキャリブレーション処理を行った後、主制御装置 50は、第 1液体供給ユニット 68によるウェハ W上に対する液体 Lqlの供給と並行して、第 1液 体回収ユニット 69によるウェハ W上の液体 Lqlの回収を行いつつ、ウェハ Wを支持 するウェハステージ WSTを Y軸方向（走査方向）に移動しながら、レチクル Rのパタ ーン像を、投影光学系 PL (液体 Lq2を含む)及び第 1空間 K1の液体 Lql (すなわち 液浸領域 ARの液体）を介して表面にレジストが塗布されたウェハ W上に投影する。 ここで、第 2液体供給ユニット 72による液体の供給動作及び第 2液体回収ユニット 73 による液体の回収動作は遅くとも露光が開始される時点では主制御装置 50によって 停止されており、第 2空間 K2のうち、少なくとも照明光 ILの光路上を液体 Lq2で満た された状態となっている。
[0133] 本実施形態の露光装置 100は、レチクル Rとウェハ Wとを Y軸方向（走査方向）に 移動しながらレチクル Rのパターンの像をウェハ Wに投影するものであって、走査露 光中、投影光学系 PL (液体 Lq2を含む）、及び第 1空間の液体 Lqlを介してレチクル Rの一部のパターン像が投影領域 IA内に投影され、レチクル Rが一 Y方向（又は +Y 方向）に速度 Vで移動するのに同期して、ウェハ Wが投影領域 IAに対して +Y方向（ 又は Y方向）に速度 β ·Υ ( βは投影倍率)で移動する。ウェハ W上には複数のショ ット領域が設定されており、 1つのショット領域への露光終了後に、ウェハ Wのステツ ビング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ 'アン ド 'スキャン方式でウェハ Wを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順 次行われる。
[0134] 本実施形態では、主制御装置 50により、前述した投影光学系 PL (液体 Lq2を含む )の照明光吸収に起因する光学系 PLLの結像特性 (諸収差 (フォーカスを含む) )の 照射変動の推定演算 (式 (3)及び同等の演算)が時間 Δ t毎に実行され、その結像 特性の推定演算の結果に基づき、露光動作が制御されて!、る。
[0135] 例えば、主制御装置 50は、例えば時間 A t毎に式（3)の演算を行うとともに、式（3) と同様の推定演算を時間 A t毎に行ってフォーカス以外の像面湾曲、倍率、ディスト ーシヨン、コマ収差、球面収差の照射変動の推定演算を行い、この推定演算の結果 と前述の連立方程式とを用いて、前述の如くして、その結像特性の変化を補正する ための各可動レンズの駆動量を求め、この駆動量に応じて各可動レンズを駆動する ことで、光学系の像面湾曲、倍率、ディストーション、コマ収差、球面収差のうちの少 なくとも 1つの結像特性の照射変動を逐次補正している。
[0136] また、主制御装置 50は、フォーカスを除く結像特性の照射変動が結像特性補正コ ントローラ 52を介して補正される度に、前述の式 (6)を用いて光学系自身のフォー力 ス変化 FLを算出し、この FLを所定のフォーカス補正式 (この補正式には、多点焦点 位置検出系（110a, 110b)によって計測されるデフォーカス量が項として含まれる） に代入してフォーカス誤差が 0となるようにウエノ、ステージ WSTを Z軸方向に駆動す る、ウェハ Wのオートフォーカス制御を実行する。
[0137] ところで、本実施形態の露光装置 100のような液浸露光装置では、液体の使用を 続けていると、液体 (純水）の純度が低下し、バクテリアが発生する可能性がある。そ こで、本実施形態では、このような事態が極力生じないように、第 2空間 K2内の液体 Lq2を定期的に交換するようにしている。但し、液体 Lq2の交換は、スループット低下 の要因となるので、あまり頻繁に行うこともできない。そこで、本実施形態では、主制 御装置 50が、各ロットの先頭のウェハの露光の開始直前毎 (あるいは、所定枚数の ウェハの露光終了毎）に第 2の液体供給ユニット 72及び第 2の液体回収ユニット 73を 用いて、第 2空間 K2内の液体 Lq2を交換する。
[0138] そして、主制御装置 50は、この液体 Lq2を交換する度に、その交換直後に前述の 式（5)中の F (t- A t) =0として、前述の式（3)の演算を実行することとしている。こ
Wk
の場合、露光中でないので、照射量 P =0であるから、 F (t) =0であり、その結果
EXP W
、液体 Lq2の交換直後には、 F (t) =F (t)となって、式 (3)は式 (4)と同じ演算
HEAT EXP
となる。
[0139] このように、本実施形態においては、液体 Lq2を除いた投影光学系 PLの照明光吸 収に起因する光学系 PLLの結像特性の照射変動のモデル式と、液体 Lq2の照明光 吸収に起因する光学系 PLLの結像特性の照射変動のモデル式が別々に用意され ているので、液体 Lq2を交換した際にも、投影光学系 PL (液体 Lq2を含む)及び液 体 Lqlを含む全体の光学系 PLLのフォーカス等の結像特性の照射変動を、正確に 推定演算することが可能となり、その光学系の結像特性の高精度な調整が可能とな る。
[0140] 例えば、図 6 (A)に示されるように、時刻 tから時刻 tの間、ウェハの露光を行い、
0 1
時刻 t以降は露光を停止する場合を考える。この図 6 (A)において、縦軸は光学系 P
1
LLに照射される照明光のエネルギ強度 Powerである。
[0141] この場合の投影光学系 PL (液体 Lq2を除く）の照明光吸収に起因する光学系 PLL の結像特性の変動 AB は、前述の式 (4)のモデル式力 例えば図 6 (B)のようにな
LEN
り、液体 Lq2の照明光吸収に起因する光学系 PLLの結像特性の変動 AB は、前述
W
の式（5)のモデル式から図 6 (C)中の細い実線のようになる。また、時刻 tで液体 Lq
1
2の交換が行われた場合には、照明光 ILが照射された使用後の液体 Lq2が、照明 光 ILが照射されていない使用前の液体 Lq2に交換されるため、液体 Lq2の照明光 吸収に起因する光学系 PLLの結像特性の変動 AB は、時刻 t以降は、太い実線で
W 1
示されるように零になる。
[0142] 従って、時刻 tで液体 Lq2の交換が行われた場合に、液体 Lq2を除 ヽた投影光学
1
系 PLの照明光吸収に起因する光学系 PLLの結像特性の照射変動のモデル式と、 液体 Lq2の照明光吸収に起因する光学系 PLLの結像特性の照射変動のモデル式 とを使って求めた光学系 PLLの全体の照射変動 ABは、図 6 (D)中の太い実線のよう になる。一方、モデル式として、投影光学系 PLの全体 (液体 Lq2を含む）の照明光吸 収に起因する光学系 PLLの結像特性の変動のモデル式のみし力持たない場合には 、液体 Lq2の交換があった場合にも、それを考慮することができないので、時刻 tで 液体 Lq2の交換が行われた場合であっても、交換が行われない場合と同様に、図 6 ( D)中の細い実線のようになる。従って、結像特性の照射変動の推定演算の結果に 細 ヽ実線と太 、実線との差に相当する誤差が生じることとなる。
[0143] 上述したように、本実施形態によると、液体 Lq2を除いた投影光学系 PLの照明光 吸収に起因する光学系 PLLの結像特性の照射変動のモデル式と、液体 Lq2の照明 光吸収に起因する光学系 PLLの結像特性の照射変動のモデル式が別々に用意さ れているので、液体 Lq2の交換を実行した場合にも、光学系 PLLの結像特性の照射 変動の推定演算の結果に上記の誤差が生じない。従って、高精度な光学系 PLLの 結像特性の照射変動の推定演算、及びこれに基づぐ光学系 PLLの結像特性の高 精度な調整が可能となる。
[0144] なお、上述したように、本実施形態においては、第 1空間 K1内の液体 Lqlは、液体 中へのレジストの溶け込み等による影響を小さくするため常時交換しているので、液 体 Lqlによる照明光吸収に起因する光学系の結像特性の変動は問題としていない。
[0145] また、主制御装置 50は、前述したように、酸素濃度計 64の計測結果に基づいて液 体 Lq2中の溶存酸素濃度の変化に起因する、照明光 ILに対する液体 Lq2の透過率 の変動量を求め、その透過率の変動量に基づいて、ウェハ Wに対する積算露光量 制御（ドーズ制御）を行って!/ヽる。
[0146] 液体 Lq2は、例えば境界レンズ 192と鏡筒 140との間のギャップの気体 (酸素）と接 触しているため、第 2液体供給ユニット 72の供給動作と第 2液体回収ユニット 73の回 収動作を停止している間に、液体 Lq2中に酸素が溶け込こみ、照明光 ILに対する液 体 Lq2の透過率が変化 (低下)する可能性がある。
[0147] 照明光 ILに対する液体 Lq2の透過率が変化 (低下）した場合、インテグレータセン サ 46の出力に基づいて算出される照明光 ILの光量 (パルス強度）と、実際にウェハ Wに到達する照明光 ILの光量 (パルス強度）との間に差が生じ、ウェハ Wに対するド ーズ制御誤差が生じる虞がある。
[0148] そこで、主制御装置 50は、液体 Lq2中の溶存酸素濃度の変化量と照明光 ILに対 する液体 Lq2の透過率の変化量との関係を示す透過率データを予め記憶している。 また主制御装置 50は、交換直後の液体 Lq2の溶存酸素濃度を、酸素濃度計 64を 使って取得し、記憶するとともに、液体 Lq2の交換後、第 2液体供給ユニット 72およ び第 2液体回収ユニット 73の動作を停止して 、る間、液体 Lq2の溶存酸素濃度を酸 素濃度計 64を使って常時モニタする。そして、主制御装置 50は、酸素濃度計 64の 計測結果と記憶されて 、る透過率データとに基づ 、て、液体 Lq2の透過率の変動量 を求め、その変動量をウエノ、 Wに対するドーズ制御に反映させている。より具体的に は、液体 Lq2の透過率の変動量に基づいて、照明光 ILの光量 (パルス強度）、ゥェ ハ Wの走査速度、露光領域 IAの走査方向（Y軸方向）の幅、及び光源 16のパルス 光の発射周期の少なくとも一つを微調整する。これにより、照明光 ILに対する液体 L q2の透過率変化が生じた場合にも、ウェハ Wに対するドーズ制御を高精度に実行 することが可能となる。
[0149] 以上説明したように、本実施形態の露光装置 100によると、主制御装置 50により、 インテグレータセンサ 46等を用いて取得された照射量 (エネルギ情報）に基づ 、て、 投影ユニット PU内部の第 2空間 K2内の液体 Lq2のエネルギ吸収に起因する、その 液体 Lq2を含む投影光学系及び第 1空間 K1内の液体 Lqlを含む光学系 PLLの光 学特性の一種である結像特性の変動が予測され、その予測結果に基づき、ウェハ W に対する露光動作が制御される。
[0150] 本実施形態では、主制御装置 50は、照射量 (エネルギ情報)をパラメータとして含 む式（5)を用いて、液体 Lq2のエネルギ吸収に起因する光学系 PLLの結像特性の 変動を予測する。また、主制御装置 50は、照射量 (前記エネルギ情報)をパラメータ として含む、式（5)とは別の式 (4)を用いて、投影光学系 PL (液体 Lq2を除く）による 照明光 ILのエネルギ吸収収に起因する光学系 PLLの光学特性 (結像特性)の変動 も予測する。そして、主制御装置 50は、式（5)と式 (4)との和である、式（3)に基づい て、光学系の結像特性の照射変動を推定演算により求め、この演算結果に基づいて 、露光動作を制御する。従って、液体 Lq2と投影光学系 PL (液体 Lq2を除く）とのそ れぞれの照明光のエネルギ吸収をそれぞれ考慮して光学系 PLLの光学特性 (結像 特性)の変動を予測することが可能になる。
[0151] また、主制御装置 50は、前述の液浸機構を制御して、照明光 ILが照射された液体 Lq2を、照明光 ILが照射されていない液体 Lq2と交換するとともに、液浸機構による 液体 Lq2の交換を行ったときに、その液体 Lq2のエネルギ吸収に起因する光学系 P LLの光学特性の変動はなくなつたものとする。すなわち、前述の如く F (t— A t) =
Wk
0、ひいては F (t) =0とする。
w
[0152] 従って、液体 Lq2の交換直後などにおいて、液体 Lq2のエネルギ吸収に起因する 光学系 PLLの光学特性の変動を考慮せずに露光動作を実行することが可能になる
[0153] また、本実施形態の露光装置 100によると、主制御装置 50により、ウェハ Wを露光 するときに、光源 16から射出された照明光 ILに対する投影光学系 PL内部の第 2空 間内の液体 Lq2の透過率の変動に基づいて、ウェハ Wに対する積算露光量が制御 される。本実施形態では、酸素濃度計 64によって液体 Lq2中の溶存酸素濃度の変 化に基づいて透過率の変動を間接的にモニタしている。すなわち、本実施形態では 、主制御装置 50により、光源 16からの照明光 ILをウェハ Wに照射してウェハ Wを露 光するときに、酸素濃度計 64によって計測される液体 Lq2中の溶存酸素濃度の変化 に基づいてウェハ Wに対する積算露光量が制御されていると言える。従って、液体し q2の溶存酸素濃度の変化に起因して液体 Lq2の透過率が変動し、インテグレータセ ンサ 46の出力に基づいて算出される照明光 ILの光量 (パルス強度）と、実際にゥェ ハ Wに到達する照明光 ILの光量 (パルス強度）との間に差が生じる場合にも、ウェハ Wに対するドーズ制御を高精度に実行することが可能となる。
[0154] また、本実施形態では、レンズ作用を有する境界レンズ 192の下に、平行平面板か らなる終端光学素子 191が配置されているが、終端光学素子 191の下面 191a側及 び上面 191c側の第 1、第 2空間 Kl、 Κ2のそれぞれに液体 Lql、 Lq2を満たすこと で、境界レンズ 192の下面 192aや終端光学素子 191の上面 191bでの反射損失が 低減され、大きな像側開口数を確保した状態で、ウエノ、 Wを良好に露光することがで きる。また終端光学素子 191は、無屈折力の平行平面板なので、例えば、液体 Lql 中の汚染物質が終端光学素子 191の下面 191aに付着した場合にも、容易に交換 することが可能である。
[0155] なお、終端光学素子 191の交換などを考慮しない場合には、終端光学素子 191は 屈折力を有するレンズでも良 、。
[0156] 本実施形態の露光装置 100によると、ウェハ Wに対する高精度かつ線幅制御性の 良好な露光が行われ、ウェハ W上の各ショット領域にレチクル Rのパターンが精度良 く転写される。また、本実施形態の露光装置 100では、液浸露光により、高解像度か つ空気中と比べて大焦点深度の露光を行うことで、レチクル Rのパターンを精度良く ウェハ上に転写することができ、例えば ArFエキシマレーザ光で、デバイスルールと して 45〜： LOOnm程度の微細パターンの転写を実現することができる。
[0157] なお、上記実施形態では、主制御装置 50は、インテグレータセンサ 46などを使つ て求められる照明光 ILの照射量 (エネルギ情報)をパラメータとして含む式 (5)を用 いて、液体 Lq2のエネルギ吸収に起因する光学系 PLLの光学特性の変動を予測す る場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。例えば、式 (4 )、式（5)に代えて、それぞれの右辺に、式 (4)、式（5)の右辺にカ卩ぇあるいは代えて 、液体 Lq2の温度に関するパラメータ、及び照明光 ILに対する液体 Lq2の透過率に 関するパラメータの少なくとも一方を含む項を含むモデル式を用いても良い。照明光 ILに対する液体 Lq2の透過率に関するパラメータとしては、液体 Lq2の透過率に影 響する液体 Lq2中の溶存酸素濃度を使つても良い。
[0158] 上記の液体 Lq2の温度に関するパラメータとしては、例えば温度センサ 62, 63の 検出値を採用することができる。また、液体 Lq2の透過率に関するパラメータとして、 酸素濃度計 64の計測値を採用することができる。また液体 Lq2の透過率に関するパ ラメータは、液体 Lq2の溶存酸素濃度に限らず、液体 Lq2の透過率に影響を及ぼす 可能性のある他のパラメータ (TOCなど）をモデル式に含めても良い。
[0159] なお、本実施形態の露光装置 100は、第 2空間 K2に温度センサ 62, 63が設置さ れているが、上述のように、インテグレータセンサ 46などを使って求められる照明光 I Lの照射量に基づ 、て光学系 PLLの光学特性の変動を予測する場合には、第 2空 間 K2に配置された温度センサ 62, 63を省!ヽても良!、。
[0160] また、液体 Lq2の透過率の変動を考慮しな 、場合 (例えば、第 2の液体供給ュ-ッ ト 72及び第 2の液体回収ユニット 73を使って液体 Lq2の常時入れ替えを行う場合） には、第 2空間 K2に配置された酸素濃度計 64を省 ヽても良 ヽ。
[0161] なお、主制御装置 50は、温度センサ 62, 63の検出値に基づいて、液体 Lq2の左 右 (Y軸方向の一側と他側）の温度差を監視し、その温度差に起因する光学系 PLL の波面収差の 1 0成分を必要に応じて補正することとしても良い。図 4に示されるよう に、本実施形態では、投影光学系 PLとして反射屈折系を用いており、第 2空間 K2に おいて照明光 ILが光軸 AX3に対して Y方向に偏った位置を通過するため、第 2空 間 K2内において光軸 AX3の— Y側の液体 Lq2と +Y側の液体 Lq2とに温度差が生 じる可能性があるが、主制御装置 50は、温度センサ 62、 63を使って、この温度差を 検知することができるので、その温度差に起因する光学系 PLLの収差を補正するこ とがでさる。
[0162] なお、上述の実施形態においては、第 1空間 K1内の液体 Lqlは常時入れ替えを 行っているので、液体 Lqlの照明光吸収 (エネルギ吸収）に起因する光学系 PLLの 光学特性の照射変動を考慮せずにウェハ Wの露光を行っている力 例えば、第 1空 間 K1の液体 Lqlの交換を定期的に行う場合、及び Z又は液体 Lqlの照明光の吸 収が大きい場合には、液体 Lqlの照明光吸収に起因する光学系 PLLの光学特性の 照射変動を考慮しても良い。この場合、液体 Lq2と同様に、液体 Lqlの照明光吸収 に起因する光学系 PLLの光学特性を変動を予測するためのモデル式をさらに用意 しても良い。
[0163] また、液体 Lqlの溶存酸素濃度が変動し、照明光 ILに対する液体 Lqlの透過率が 変動する場合には、液体 Lqlの透過率 (溶存酸素濃度)を考慮して、光学系 PLLの 光学特性の調整とウェハ Wに対するドーズ制御の少なくとも一方を行うようにしても良 い。
[0164] また、液体 Lqlの照明光吸収及び液体 Lqlの透過率の少なくとも一方を考慮する 場合には、液体 Lqlの温度を計測する温度センサ及び液体 Lqlの溶存酸素濃度を 検出する酸素濃度計の少なくとも一方を第 1空間 K1の近傍などに配置しても良い。
[0165] また、上記実施形態では、光学系の少なくとも一部を構成する終端光学素子 191 のビーム射出側にウェハ Wを配置し、終端光学素子のビーム入射側の第 2空間 K2 のうち少なくとも照明光 ILの光路 (ビーム路)を液体 Lq2で満たし、かつ終端光学素 子 191とウェハ Wとの間の第 1空間 K1を、液体 Lqlで満たす場合について説明した 。し力しながら、本発明がこれに限定されないことは勿論である。例えば、終端光学素 子 191とウェハ Wとの間の第 1空間 K1のみを、液体、例えば純水で満たすこととして も良い。この場合に、主制御装置 50は、エネルギ情報をパラメータとして含む、式（5 )とは別のモデル式を用いて、その液体の照明光の吸収 (エネルギ吸収）に起因する 光学系 PLLの光学特性の変動を予測することとしても良い。
[0166] また、この場合も、液体 Lqlの透過率 (溶存酸素濃度)を考慮して、光学系 PLLの 光学特性の調整とウェハ Wに対するドーズ制御の少なくとも一方を行うようにしても良 いし、液体 Lq 1の照明光吸収及び液体 Lq 1の透過率の少なくとも一方を考慮する場 合には、液体 Lqlの温度を計測する温度センサ及び液体 Lqlの溶存酸素濃度を検 出する酸素濃度計の少なくとも一方を第 1空間 K1の近傍などに配置しても良い。
[0167] また、上記実施形態において、前述の照射量計測の準備作業と同様に、光学系 P LLを通過した照明光 ILのエネルギ強度を所定のタイミングで計測し、該計測結果に 基づいて前述の式（3)に含まれる部分のうち少なくとも式（5)部分のうち、単位時間 当たりの照射量 P
EXPの算出の基礎となる I
0 /\ 1 (すなわち光学系の透過率）、ひいて はそれを用いた式（5)を更新することとしても良い。力かる場合には、結像特性の照 射変動の演算に、光学系透過率の経時的な変化を反映させることが可能になる。
[0168] なお、上記実施形態では、液体 Lql、 Lq2として同じ純水を供給している力 第 1空 間に供給される純水 (液体 Lql)と第 2空間に供給される純水 (液体 Lq2)との品質を 異ならせても良い。純水の品質としては、例えば温度均一性、温度安定性、比抵抗 値、あるいは TOC(total organic carbon)値などが挙げられる。
[0169] 例えば、第 2空間 K2に供給される純水よりも、投影光学系 PLの像面に近い第 1空 間 K1へ供給される純水の品質を高くしても良い。また、第 1空間と第 2空間に互いに 異なる種類の液体を供給し、第 1空間 K1に満たす液体 Lqlと第 2空間 K2に満たす 液体 Lq2とを互いに異なる種類にしても良い。例えば、第 2空間 K2にフッ素系オイル をはじめとする純水以外の所定の液体を満たすことができる。オイルは、ノ クテリアな どの細菌の繁殖する確率が低 、液体であるため、第 2空間 K2や液体 Lq2 (フッ素系 オイル)の流れる流路の清浄度を維持することができる。
[0170] また、液体 Lql、 Lq2の双方を水以外の液体にしても良い。例えば、照明光 ILの光 源が Fレーザである場合、 Fレーザ光は水を透過しないので、液体 Lql、 Lq2として
2 2
は Fレーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル (PFPE)やフッ素系オイ
2
ル等のフッ素系流体であっても良い。この場合、液体 Lql、 Lq2と接触する部分には 、例えばフッ素を含む極性の小さ!ヽ分子構造の物質で薄膜を形成することで親液ィ匕 処理する。また、液体 Lql、 Lq2としては、その他にも、照明光 ILに対する透過性が あってできるだけ屈折率が高ぐ投影光学系 PLやウェハ W表面に塗布されているフ オトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。この場 合も表面処理は用いる液体 Lql、 Lq2の極性に応じて行われる。
[0171] なお、上述したような液浸法においては、投影光学系の開口数 NAが 0. 9〜1. 3に なることもある。このように投影光学系の開口数 NAが大きくなる場合には、従来から 露光光として用いられて 、るランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪ィ匕 することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク（レチクル)の ライン 'アンド'スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照 明を行い、マスク（レチクル)のパターンからは、 S偏光成分 (TE偏光成分）、すなわち ラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるように すると良 ヽ。投影光学系 PLとウェハ W表面に塗布されたレジストとの間が液体で満 たされている場合、投影光学系 PLとウェハ W表面に塗布されたレジストとの間が空 気 (気体)で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与する S偏光成分 (TE偏光成分)の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光学系の 開口数 NAが 1. 0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。また、位 相シフトマスクゃ特開平 6— 188169号公報に開示されているようなラインパターンの 長手方向に合わせた斜入射照明法 (特にダイボール照明法)等を適宜組み合わせる と更に効果的である。
[0172] 更に、マスク（レチクル)のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明（S 偏光照明）だけでなぐ特開平 6— 53120号公報などに開示されているように、光軸 を中心とした円の接線 (周)方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組 み合わせも効果的である。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国）の 国内法令が許す限りにおいて、上記公報における開示を援用して本明細書の記載 の一部とする。
[0173] なお、上述の実施形態では、投影光学系 PLとして反射屈折系を採用しているが、 反射素子を含まない屈折系を採用することもできる。また、投影光学系 PLとして、例 えば米国特許第 6, 636, 350号明細書，米国特許第 6, 873, 476号明細書，及び 米国特許出願公開第 2004Z0160666号明細書に開示されているタイプの反射屈 折系を用いることもできる。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国)の 国内法令が許す限りにおいて、上記各米国特許明細書又は米国特許出願公開明 細書における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
[0174] また、上述の実施形態では、光学系 PLLの光学特性として、フォーカスだけでなく 、倍率、ディストーションなどの照射変動を予測し、調整するようにしている力 必要に 応じて、それらの少なくとも一つを選択して予測及び調整を実行しても良い。
[0175] なお、上記実施形態では、本発明がスキャナに適用された場合について説明した 力 これに限らず、ステップ'アンド'リピート方式の露光装置 (ステツパ)などの静止露 光型の露光装置、さらに、ステップ ·アンド'スティツチ方式の露光装置、又はプロキシ ミティ方式の露光装置などであっても液浸領域を介して露光を行うのであれば、本発 明は適用が可能である。この場合も、上記実施形態と同様の光学系の結像特性の照 射変動演算、及び調整を行うようにすれば良い。但し、投影光学系を持たないプロキ シミティ方式の露光装置の場合、液浸領域を形成する液体が光学系に相当する。
[0176] また、本発明は、特開平 10— 163099号公報、特開平 10— 214783号公報 (対応 米国特許第 6, 341, 007号明細書、第 6, 400, 441号明細書、第 6, 549, 269号 明細書及び第 6, 590, 634号明細書）、特表 2000— 505958号公報 (対応米国特 許第 5, 969, 441号明細書)あるいは米国特許第 6, 208, 407号明細書などに開 示されているようなウェハを保持するウェハステージを複数備えたマルチステージ型 の露光装置にも適用できる。また、本発明は、特開 2000— 164504号公報 (対応米 国特許第 6, 897, 963号明細書などに開示されているように、ウェハステージ WST とは別に計測ステージを備えた露光装置にも適用できる。この場合、照射量モニタ 5 8や照度むらセンサ 21Pを計測ステージに設けても良い。本国際出願で指定した指 定国 (又は選択した選択国）の国内法令が許す限りにおいて、上記各公報及び対応 米国特許明細書における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
[0177] また、上述の実施形態においては、投影光学系 PLとウェハ Wとの間に局所的に液 体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平 6— 124873号公報、特 開平 10— 303114号公報、米国特許第 5, 825, 043号明細書などに開示されてい るような露光対象のウェハなどの表面全体が液体中に浸力つて 、る状態で露光を行 う液浸露光装置にも適用可能である。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した 選択国）の国内法令が許す限りにおいて、上記各公報及び米国特許明細書におけ る開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
[0178] なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン (又 は位相パターン '減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いた力 このマスクに 代えて、例えば米国特許第 6, 778, 257号明細書に開示されているように、露光す べきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは 発光パターンを形成する電子マスクを用いても良い。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国）の国内法令が許す限りにおいて、上記米国特許明細書にお ける開示を援用して本明細書の記載の一部とする。 [0179] また、国際公開第 2001Z035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞 をウェハ W上に形成することによって、ウェハ W上にライン 'アンド'スペースパターン を形成する露光装置 (リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。本国 際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国）の国内法令が許す限りにおいて、 上記国際公開パンフレットにおける開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
[0180] 露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなぐ例えば、 角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有 機 EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子 (CCD等）、マイクロマシン及び DNAチップなどを 製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバ イスだけでなぐ光露光装置、 EUV露光装置、 X線露光装置、及び電子線露光装置 などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンゥェ ハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。
[0181] なお、上記実施形態の露光装置の光源は、 ArFエキシマレーザに限らず、 KrFェ キシマレーザ（出力波長 248nm)、 Fレーザ（出力波長 157nm)、 Arレーザ（出力
2 2
波長 126nm)、 Krレーザ（出力波長 146nm)などのパルスレーザ光源や、 g線 (波
2
長 436nm)、 i線 (波長 365nm)などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いる ことも可能である。また、 YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。こ の他、 DFB半導体レーザ又はファイバーレーザ力 発振される赤外域、又は可視域 の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方） 力 Sドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長 変換した高調波を用いても良い。また、投影光学系は縮小系のみならず等倍および 拡大系のいずれでも良い。
[0182] なお、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組 み込み、光学調整をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステージゃゥェ ハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整 (電気 調整、動作確認等)をすることにより、上記各実施形態の露光装置を製造することが できる。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルーム で行うことが望ましい。 [0183] なお、半導体デバイスは、デバイスの機能 ·性能設計を行うステップ、この設計ステ ップに基づ 、たレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウェハを製作するステ ップ、ウェハ等の物体上にレジストなどの感応材を塗布するコート処理、上記実施形 態の露光装置で、前述の液浸露光により感応材が塗布されたウェハ等の物体を露 光する露光処理、及び露光後のウェハを現像する現像処理を含むリソグラフイステツ プ、デバイス組み立てステップ (ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程 を含む）、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記 実施形態の露光装置を用いて前述の液浸露光方法が実行され、物体上にデバイス パターンが形成されるので、高集積度のデバイスを歩留り良く製造することができる。 産業上の利用可能性
[0184] 以上説明したように、本発明の露光方法及び露光装置は、物体を露光するのに適 している。本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの製造に適している。

Claims

請求の範囲
[1] エネルギビームを、液体を含む光学系を介して物体に照射し、該物体を露光する 露光方法であって、
前記液体に入射する前記エネルギビームのエネルギ情報に基づ 、て、前記液体 のエネルギ吸収に起因する、前記光学系の光学特性の変動を予測する工程と； 該予測結果に基づき、前記物体に対する露光動作を行う工程と;を含む露光方法
[2] 請求項 1に記載の露光方法において、
前記光学系の光学特性の変動を予測する工程では、前記エネルギ情報をパラメ一 タとして含む算出式を用いて、前記液体のエネルギ吸収に起因する前記光学系の光 学特性の変動を予測する露光方法。
[3] 請求項 2に記載の露光方法において、
前記算出式は、前記液体の温度に関するパラメータを含む露光方法。
[4] 請求項 2に記載の露光方法において、
前記算出式は、前記エネルギビームに対する前記液体の透過率に関するパラメ一 タを含む露光方法。
[5] 請求項 4に記載の露光方法において、
前記液体の透過率に関するパラメータは、前記液体中の溶存酸素濃度の変化に 起因する前記液体の透過率の変動に関するパラメータを含む露光方法。
[6] 請求項 4に記載の露光方法において、
前記液体の透過率に基づ 、て、前記物体に対する積算露光量を制御する露光方 法。
[7] 請求項 2に記載の露光方法において、
前記光学系を通過した前記エネルギビームのエネルギ強度を所定のタイミングで 計測し、該計測結果に基づいて前記算出式を更新する露光方法。
[8] 請求項 2に記載の露光方法において、
前記光学系は、前記エネルギビームが通過する光学素子を含み、
前記光学系の光学特性の変動を予測する工程では、前記エネルギ情報をパラメ一 タとして含む、前記算出式とは別の算出式を用いて、前記光学素子のエネルギ吸収 に起因する前記光学系の光学特性の変動も予測する露光方法。
[9] 請求項 1に記載の露光方法において、
前記光学系の光学特性の変動を予測する工程では、前記光学系の光学特性の変 動を、前記エネルギビームに対する前記液体の透過率と前記液体の温度との少なく とも一方に基づいて予測する露光方法。
[10] 請求項 1に記載の露光方法において、
前記光学系は、前記エネルギビームが通過する光学素子を含み、
前記光学系の光学特¾の変動予測は、前記光学素子のエネルギ吸収をも考慮し て行われる露光方法。
[11] 請求項 1に記載の露光方法において、
前記光学系の少なくとも一部を構成する光学素子のビーム射出側に前記物体を配 置し、
前記光学素子のビーム入射側のビーム路を前記液体で満たす露光方法。
[12] 請求項 11に記載の露光方法において、
前記光学素子と前記物体との間を、前記液体とは異なる種類若しくは同一種類の 別液体で満たす露光方法。
[13] 請求項 12に記載の露光方法において、
前記光学系の光学特性の変動を予測する工程では、前記エネルギ情報をパラメ一 タとして含む、前記算出式とは別の算出式を用いて、前記別液体のエネルギ吸収に 起因する前記光学系の光学特性の変動をも予測する露光方法。
[14] 請求項 1に記載の露光方法において、
前記エネルギビームが照射された液体を、前記エネルギビームが照射されて ヽな い液体と交換したときには、前記液体のエネルギ吸収に起因する前記光学系の光学 特性の変動はな!/、ものとする露光方法。
[15] エネルギビームを液体を介して物体に照射し、該物体を露光する露光方法であつ て、
前記エネルギビームに対する前記液体の透過率に関連する物理量の変動に基づ V、て前記物体に対する積算露光量を制御しつつ、前記物体を露光する露光方法。
[16] 請求項 15に記載の露光方法において、
前記物理量は、前記エネルギビームに対する前記液体の透過率を含む露光方法
[17] 請求項 15に記載の露光方法において、
前記液体の前記物理量の変動は、前記液体中の溶存酸素濃度の変化を含む露光 方法。
[18] 請求項 17に記載の露光方法において、
前記液体中の溶存酸素濃度を計測し、
該計測結果に基づいて前記物体に対する積算露光量を制御する露光方法。
[19] 請求項 15に記載の露光方法において、
前記物理量は、前記液体中の溶存酸素濃度を含む露光方法。
[20] 請求項 19に記載の露光方法において、
前記液体中の溶存酸素濃度を計測し、
該計測結果に基づいて前記物体に対する積算露光量を制御する露光方法。
[21] 請求項 1〜20のいずれか一項に記載の露光方法により物体を露光して、該物体上 にデバイスパターンを形成するリソグラフイエ程を含むデバイス製造方法。
[22] エネルギビームを液体を介して物体に照射し、該物体を露光する露光装置であつ て、
前記液体を含む光学系と；
前記液体に入射する前記エネルギビームのエネルギ情報を取得するためのセンサ システムと；
該センサシステムを用いて取得されたエネルギ情報に基づ 、て、前記液体のエネ ルギ吸収に起因する、前記液体を含む光学系の光学特性の変動を予測し、該予測 結果に基づき、前記物体に対する露光動作を制御する制御装置と；を備える露光装 置。
[23] 請求項 22に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記エネルギ情報をパラメータとして含む算出式を用いて、前記 液体のエネルギ吸収に起因する前記光学系の光学特性の変動を予測する露光装 置。
[24] 請求項 23に記載の露光装置において、
前記算出式は、前記液体の温度に関するパラメータを含む露光装置。
[25] 請求項 23に記載の露光装置において、
前記算出式は、前記エネルギビームに対する前記液体の透過率に関するパラメ一 タを含む露光装置。
[26] 請求項 25に記載の露光装置において、
前記液体の透過率に関するパラメータは、前記液体中の溶存酸素濃度の変化に 起因する前記液体の透過率の変動に関するパラメータを含む露光装置。
[27] 請求項 26に記載の露光装置において、
前記液体中の溶存酸素濃度を計測する酸素計をさらに備える露光装置。
[28] 請求項 25に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記液体の透過率に基づいて、前記物体に対する積算露光量 を制御する露光装置。
[29] 請求項 23に記載の露光装置において、
所定パターンの像を前記光学系を介して前記物体上に投影するために、前記所定 ノターンを前記エネルギビームを使って照明する照明系をさらに備え、
前記制御装置は、前記算出式を、前記所定パターンに対する照明条件毎に設定 する露光装置。
[30] 請求項 23に記載の露光装置において、
前記光学系は、前記エネルギビームが通過する光学素子を含み、
前記制御装置は、前記エネルギ情報をパラメータとして含む、前記算出式とは別の 算出式を用いて、前記光学素子のエネルギ吸収に起因する前記光学系の光学特性 の変動も予測する露光装置。
[31] 請求項 22に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記光学系の光学特性の変動を、前記エネルギビームに対する 前記液体の透過率と前記液体の温度との少なくとも一方に基づいて予測する露光装 置。
[32] 請求項 22に記載の露光装置において、
前記光学系は、前記エネルギビームが通過する光学素子を含み、
前記制御装置は、前記光学素子のエネルギ吸収をも考慮して前記光学系の光学 特性の変動予測を行う露光装置。
[33] 請求項 22に記載の露光装置において、
前記光学系の少なくとも一部を構成する光学素子のビーム射出側に前記物体が配 置され、
前記光学素子のビーム入射側のビーム路が前記液体で満たされる露光装置。
[34] 請求項 33に記載の露光装置において、
前記光学素子と前記物体との間が、前記液体とは異なる種類若しくは同一種類の 別液体で満たされる露光装置。
[35] 請求項 34に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記エネルギ情報をパラメータとして含む、前記算出式とは別の 算出式を用いて、前記別液体のエネルギ吸収に起因する前記光学系の光学特性の 変動も予測する露光装置。
[36] 請求項 22に記載の露光装置において、
前記液体を供給可能な液浸機構をさらに備える露光装置。
[37] 請求項 22に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記液浸機構を制御して、前記エネルギビームが照射された液 体を、前記エネルギビームが照射されていない液体と交換するとともに、前記液浸機 構による液体の交換を行ったときに、前記液体のエネルギ吸収に起因する前記光学 系の光学特性の変動はな 、ものとする露光装置。
[38] 請求項 22に記載の露光装置において、
前記エネノレギビームを射出するビーム源をさらに備え、
前記センサシステムは、前記ビーム源と前記光学系との間で前記エネノレギビームの 一部を分岐する分岐素子と、該分岐素子で分岐されたエネルギビームが入射するセ ンサ素子とを有する露光装置。
[39] エネルギビームを液体を介して物体に照射し、該物体を露光する露光装置であつ て、
前記エネルギビームを射出するビーム源と；
前記物体を露光するときに、前記ビーム源力 射出されたエネルギビームに対する 前記液体の透過率に関連する物理量の変動に基づいて前記物体に対する積算露 光量を制御する制御装置と；を備える露光装置。
[40] 請求項 39に記載の露光装置において、
前記物理量は、前記エネルギビームに対する前記液体の透過率を含む露光装置
[41] 請求項 39に記載の露光装置において、
前記液体の前記物理量の変動は、前記液体中の溶存酸素濃度の変化を含む露光 装置。
[42] 請求項 41に記載の露光装置において、
前記液体中の溶存酸素濃度を計測する計測器をさらに備え、
前記制御装置は、前記計測器の計測結果に基づ!、て前記物体に対する積算露光 量を制御する露光装置。
[43] 請求項 39に記載の露光装置において、
前記物理量は、前記液体中の溶存酸素濃度を含む露光装置。
[44] 請求項 43に記載の露光装置において、
前記液体中の溶存酸素濃度を計測する計測器をさらに備え、
前記制御装置は、前記計測器の計測結果に基づ!、て前記物体に対する積算露光 量を制御する露光装置。
[45] 請求項 22〜44の 、ずれか一項に記載の露光装置を用いて物体を露光し、該物体 上にデバイスパターンを形成するリソグラフイエ程を含むデバイス製造方法。
[46] エネルギビームを、液体を含む光学系を介して物体に照射することによって該物体 を露光し、該物体上にデバイスパターンを形成するリソグラフイエ程を含むデバイス 製造方法であって、
前記液体に入射する前記エネルギビームのエネルギ情報に基づ 、て、前記液体 のエネルギ吸収に起因する、前記光学系の光学特性の変動を予測する工程と； 該予測結果に基づき、前記物体に対する露光動作を行う工程と;を含むデバイス製 造方法。
[47] エネルギビームを液体を介して物体に照射することにより該物体を露光し、該物体 上にデバイスパターンを形成するリソグラフイエ程を含むデバイス製造方法であって 前記エネルギビームをビーム源力 発射する工程と；
前記エネルギビームに対する前記液体の透過率に関連する物理量の変動に基づい て前記物体に対する積算露光量を制御しつつ、前記物体を露光処理する工程と；を 含むデバイス製造方法。
[48] エネルギビームを、液体を含む光学系を介して物体に照射することによって該物体 を露光し、該物体上にデバイスパターンを形成するリソグラフイエ程を含むデバイス 製造方法であって、
センサシステムを使って、前記液体に入射する前記エネルギビームのエネルギ情 報を取得する工程と；
該センサシステムを用いて取得されたエネルギ情報に基づ 、て、前記液体のエネ ルギ吸収に起因する、前記液体を含む光学系の光学特性の変動を予測する工程と； 該予測結果に基づき、前記物体に対する露光動作を実行する工程と；を含むデバィ ス製造方法。
[49] エネルギビームを液体を介して物体に照射することにより該物体を露光し、該物体 上にデバイスパターンを形成するリソグラフイエ程を含むデバイス製造方法であって ビーム源力も前記エネルギビームを射出する工程と；
前記ビーム源から射出されたエネルギビームに対する前記液体の透過率に関連す る物理量の変動に基づいて前記物体に対する積算露光量を制御しつつ、前記ビー ム源力 前記エネルギビームで前記物体を露光する工程と；を含むデバイス製造方 法。
PCT/JP2006/310218 2005-05-24 2006-05-23 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 WO2006126522A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/919,669 US8253924B2 (en) 2005-05-24 2006-05-23 Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2007517829A JP4596191B2 (ja) 2005-05-24 2006-05-23 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP06756474A EP1895570A4 (en) 2005-05-24 2006-05-23 EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005-151562 2005-05-24
JP2005151562 2005-05-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006126522A1 true WO2006126522A1 (ja) 2006-11-30

Family

ID=37451947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/310218 WO2006126522A1 (ja) 2005-05-24 2006-05-23 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8253924B2 (ja)
EP (1) EP1895570A4 (ja)
JP (1) JP4596191B2 (ja)
KR (1) KR20080007383A (ja)
WO (1) WO2006126522A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008003442A1 (en) 2006-07-03 2008-01-10 Carl Zeiss Smt Ag Method for revising/repairing a lithographic projection objective
US8027023B2 (en) 2006-05-19 2011-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference
WO2012060410A1 (ja) * 2010-11-02 2012-05-10 株式会社ニコン 液体供給装置、液体供給方法、管理装置、管理方法、露光装置、露光方法、デバイス製造システム、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体
US8542346B2 (en) 2006-12-01 2013-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations
US8902401B2 (en) 2006-05-09 2014-12-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
US10345710B2 (en) 2004-01-20 2019-07-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic projection exposure apparatus and measuring device for a projection lens

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9188974B1 (en) * 2004-02-13 2015-11-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for improved monitor and control of lithography processes
NL1035757A1 (nl) 2007-08-02 2009-02-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2009071193A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Canon Inc 露光装置及びデバイスの製造方法
US8953143B2 (en) * 2009-04-24 2015-02-10 Nikon Corporation Liquid immersion member
JP5469527B2 (ja) * 2010-05-10 2014-04-16 パナソニック株式会社 撮像装置
CN103915318A (zh) * 2014-03-17 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 激光退火设备、多晶硅薄膜及其制作方法
JP7301695B2 (ja) * 2019-09-19 2023-07-03 キヤノン株式会社 制御装置、制御方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
US11270950B2 (en) * 2019-09-27 2022-03-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for forming alignment marks
WO2021139889A1 (en) * 2020-01-09 2021-07-15 Leica Microsystems Cms Gmbh Oblique plane microscope and method for correcting an aberration in an oblique plane microscope

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JPH10340846A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Nikon Corp 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JP2004193252A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP2005012201A (ja) * 2003-05-28 2005-01-13 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2005051147A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2005093997A (ja) * 2003-08-29 2005-04-07 Asml Netherlands Bv リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2005116570A (ja) * 2003-10-02 2005-04-28 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006210858A (ja) * 2004-12-28 2006-08-10 Nikon Corp 位置調整装置の制御方法、位置調整装置、及び露光装置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JP3235078B2 (ja) 1993-02-24 2001-12-04 株式会社ニコン 走査露光方法、露光制御装置、走査型露光装置、及びデバイス製造方法
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
US5883704A (en) 1995-08-07 1999-03-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
AU5067898A (en) 1996-11-28 1998-06-22 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
EP0890136B9 (en) 1996-12-24 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
US6563567B1 (en) 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
US6850313B2 (en) * 1999-10-01 2005-02-01 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and its making method, device manufacturing method, and device
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
TW538256B (en) 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
JP2004514943A (ja) 2000-11-28 2004-05-20 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー １５７ｎｍリソグラフィ用の反射屈折投影系
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US6897962B2 (en) * 2002-04-18 2005-05-24 Agilent Technologies, Inc. Interferometer using beam re-tracing to eliminate beam walk-off
EP1571697A4 (en) 2002-12-10 2007-07-04 Nikon Corp EXPOSURE SYSTEM AND DEVICE PRODUCTION METHOD
KR101728664B1 (ko) 2003-05-28 2017-05-02 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
EP2264534B1 (en) * 2003-07-28 2013-07-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1860585B (zh) * 2003-09-29 2010-04-28 株式会社尼康 液浸型透镜系统和投影曝光装置
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006041086A1 (ja) * 2004-10-13 2006-04-20 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7262831B2 (en) * 2004-12-01 2007-08-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
JP2006303193A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Canon Inc 露光装置、較正方法、およびデバイス製造方法
US8045134B2 (en) * 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US20090280439A1 (en) * 2008-04-30 2009-11-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JPH10340846A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Nikon Corp 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JP2004193252A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP2005012201A (ja) * 2003-05-28 2005-01-13 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2005051147A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2005093997A (ja) * 2003-08-29 2005-04-07 Asml Netherlands Bv リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2005116570A (ja) * 2003-10-02 2005-04-28 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006210858A (ja) * 2004-12-28 2006-08-10 Nikon Corp 位置調整装置の制御方法、位置調整装置、及び露光装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1895570A4 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10345710B2 (en) 2004-01-20 2019-07-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic projection exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US8902401B2 (en) 2006-05-09 2014-12-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
US9810996B2 (en) 2006-05-09 2017-11-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
US8027023B2 (en) 2006-05-19 2011-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference
US9817322B2 (en) 2006-05-19 2017-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference
WO2008003442A1 (en) 2006-07-03 2008-01-10 Carl Zeiss Smt Ag Method for revising/repairing a lithographic projection objective
US8605253B2 (en) 2006-07-03 2013-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic projection objective
US9494868B2 (en) 2006-07-03 2016-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic projection objective
US10042265B2 (en) 2006-07-03 2018-08-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic projection objective
US8542346B2 (en) 2006-12-01 2013-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations
WO2012060410A1 (ja) * 2010-11-02 2012-05-10 株式会社ニコン 液体供給装置、液体供給方法、管理装置、管理方法、露光装置、露光方法、デバイス製造システム、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
EP1895570A1 (en) 2008-03-05
JPWO2006126522A1 (ja) 2008-12-25
US8253924B2 (en) 2012-08-28
US20080218714A1 (en) 2008-09-11
EP1895570A4 (en) 2011-03-09
JP4596191B2 (ja) 2010-12-08
KR20080007383A (ko) 2008-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4596191B2 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2007000984A1 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP5218517B2 (ja) 露光装置、制御方法、及びデバイス製造方法
JP4345098B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4978641B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP4888388B2 (ja) 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US20060256308A1 (en) Exposure apparatus and method
JP4515209B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4720747B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2009105414A (ja) 露光方法、及びデバイス製造方法
JP2004301825A (ja) 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2005031799A2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005012201A (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4470433B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2002043123A1 (fr) Dispositif et procede d&#39;alignement et procede de fabrication de dispositif
TWI408504B (zh) A correction method, a prediction method, an exposure method, a reflectance correction method, a reflectivity measurement method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
KR20090034736A (ko) 노광장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법
JP2007242784A (ja) 照明装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2007005571A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2010087532A (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2006332206A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11919669

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007517829

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077027412

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006756474

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU