WO2012060410A1

WO2012060410A1 - 液体供給装置、液体供給方法、管理装置、管理方法、露光装置、露光方法、デバイス製造システム、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体

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Publication number: WO2012060410A1
Application number: PCT/JP2011/075295
Authority: WO
Inventors: 健一白石
Original assignee: 株式会社ニコン
Priority date: 2010-11-02
Filing date: 2011-11-02
Publication date: 2012-05-10
Also published as: TW201227178A

Abstract

　露光装置は、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する。露光装置は、射出面から射出される露光光の光路に液体を供給可能な供給口と、供給口を介して光路に供給される液体の露光光に対する透過率を調整して、光学的な近接効果特性を調整する調整装置と、を備える。

Description

液体供給装置、液体供給方法、管理装置、管理方法、露光装置、露光方法、デバイス製造システム、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体

　本発明は、液体供給装置、液体供給方法、管理装置、管理方法、露光装置、露光方法、デバイス製造システム、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体に関する。
　本願は、２０１０年１１月２日に出願された米国特許仮出願６１／４０９，２２２号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が使用される。

米国特許公開第２００７／０２５２９６０号

　液浸露光装置において、例えば液体の特性に応じて、基板に対する露光光の照射条件が変化する可能性がある。所望の照射条件が得られない場合、例えば基板に所望のパターンが形成されず、不良デバイスが発生する可能性がある。

　本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できる液体供給装置、液体供給方法、管理装置、管理方法、露光装置、露光方法、デバイス製造システム、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。

　本発明の第１の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置であって、射出面から射出される露光光の光路に液体を供給可能な供給口と、供給口を介して光路に供給される液体の露光光に対する透過率を調整して、光学的な近接効果特性を調整する調整装置と、を備える露光装置が提供される。

　本発明の第２の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置に使用される液体供給装置であって、射出面から射出される露光光の光路に液体を供給可能な供給口と、供給口を介して光路に供給される液体の全有機炭素濃度を調整する調整装置と、を備える液体供給装置が提供される。

　本発明の第３の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置に使用される液体供給装置であって、射出面から射出される露光光の光路に液体を供給可能な供給口と、供給口を介して光路に供給される液体の露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を調整する調整装置と、を備える液体供給装置が提供される。

　本発明の第４の態様に従えば、露光光が射出される射出面を有する光学部材をそれぞれ有し、射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する複数の露光装置を管理する管理装置であって、複数の露光装置のそれぞれで使用可能であり、複数の露光装置それぞれの光路に供給される液体の所定物質濃度を計測する基準計測装置を備え、基準計測装置の計測結果を用いて、複数の露光装置のそれぞれに配置された、射出面から射出される露光光の光路に供給される液体の露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を計測する計測装置それぞれのキャリブレーションが行われる管理装置が提供される。

　本発明の第５の態様に従えば、液体を介して基板を露光する露光装置であって、上記態様の液体供給装置を備える露光装置が提供される。

　本発明の第６の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置を複数有するデバイス製造システムであって、上記態様の管理装置を用いて、複数の露光装置のそれぞれに配置された、露光光の光路に供給される液体の露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を計測する計測装置それぞれのキャリブレーションを行うデバイス製造システムが提供される。

　本発明の第７の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

　本発明の第８の態様に従えば、上記態様のデバイス製造システムが有する複数の露光装置のうちの第１露光装置で基板を露光することと、第１露光装置で露光された基板を、複数の露光装置のうちの第２露光装置で露光することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

　本発明の第９の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光方法であって、光路に供給される液体の露光光に対する透過率を調整することと、透過率の調整により光学的な近接効果特性を調整して、液体を介して基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。

　本発明の第１０の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置に使用される液体供給方法であって、液体の全有機炭素濃度を調整することと、全有機炭素濃度が調整された液体を、射出面から射出される露光光の光路に供給することと、を含む液体供給方法が提供される。

　本発明の第１１の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置に使用される液体供給方法であって、露光光に対する液体の透過率を調整可能な、液体の所定物質濃度を調整することと、所定物質濃度が調整された液体を、射出面から射出される露光光の光路に供給することと、を含む液体供給方法が提供される。

　本発明の第１２の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、上記態様の液体供給方法を用いて露光光の光路に液体を供給することと、液体を介して基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。

　本発明の第１３の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第１露光装置と、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第２露光装置との管理方法であって、第１露光装置の露光光の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を基準計測装置を用いて計測することと、第２露光装置の露光光の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を基準計測装置を用いて計測することと、基準計測装置の計測結果を用いて、第１露光装置の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を計測可能な第１計測装置と、第２露光装置の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を計測可能な第２計測装置とをキャリブレーションすることと、を含む管理方法が提供される。

　本発明の第１４の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第１露光装置と、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第２露光装置との管理方法であって、第１露光装置の露光光の光路に供給される液体の露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を基準計測装置を用いて計測することと、第２露光装置の露光光の光路に供給される液体の露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を基準計測装置を用いて計測することと、基準計測装置の計測結果を用いて、第１露光装置の光路に供給される液体の所定物質濃度を計測可能な第１計測装置と、第２露光装置の光路に供給される液体の所定物質濃度を計測可能な第２計測装置とをキャリブレーションすることと、を含む管理方法が提供される。

　本発明の第１５の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

　本発明の第１６の態様に従えば、上記態様の管理方法で管理される第１露光装置で基板を露光することと、第１露光装置で露光された基板を第２露光装置で露光することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

　本発明の第１７の態様に従えば、コンピュータに、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、液体の全有機炭素濃度を調整することと、全有機炭素濃度が調整された液体を、射出面から射出される露光光の光路に供給することと、を実行させるプログラムが提供される。

　本発明の第１８の態様に従えば、コンピュータに、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光光に対する液体の透過率を調整可能な、液体の所定物質濃度を調整することと、所定物質濃度が調整された液体を、射出面から射出される露光光の光路に供給することと、を実行させるプログラムが提供される。

　本発明の第１９の態様に従えば、コンピュータに、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第１露光装置と、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第２露光装置との管理を実行させるプログラムであって、第１露光装置の露光光の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を基準計測装置を用いて計測することと、第２露光装置の露光光の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を基準計測装置を用いて計測することと、基準計測装置の計測結果を用いて、第１露光装置の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を計測可能な第１計測装置と、第２露光装置の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を計測可能な第２計測装置とをキャリブレーションすることと、を実行させるプログラムが提供される。

　本発明の第２０の態様に従えば、コンピュータに、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第１露光装置と、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第２露光装置との管理を実行させるプログラムであって、第１露光装置の露光光の光路に供給される液体の露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を基準計測装置を用いて計測することと、第２露光装置の露光光の光路に供給される液体の露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を基準計測装置を用いて計測することと、基準計測装置の計測結果を用いて、第１露光装置の光路に供給される液体の所定物質濃度を計測可能な第１計測装置と、第２露光装置の光路に供給される液体の所定物質濃度を計測可能な第２計測装置とをキャリブレーションすることと、を実行させるプログラムが提供される。

　本発明の第２１の態様に従えば、上記態様のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

　本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。第１実施形態に係る液浸部材及び液体供給装置の一例を示す図である。第１実施形態に係る露光装置を模式的に示す図である。第１実施形態に係るマスクの一例を示す平面図である。露光光の照射によってマスクのパターンで生成される回折光の一例を示す模式図である。第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。第２実施形態に係る液体供給装置の一例を示す図である。第３実施形態に係るデバイス製造システムの一例を示す模式図である。第３実施形態に係る液体供給装置の一例を示す図である。デバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。

　以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
　第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

　また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。

　図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２Ｐと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃ（計測器）を搭載して移動可能な計測ステージ２Ｃと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬを射出する光源装置３と、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する液浸部材４と、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部に液体ＬＱを供給可能な液体供給装置５と、液体ＬＱを回収可能な液体回収装置６と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７と、制御装置７に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置８とを備えている。記憶装置８は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ－ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置８には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

　マスクＭは、基板Ｐに投影されるパターン（デバイスパターン）ＭＰが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

　基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

　照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

　マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材９に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システムの作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

　投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

　投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１０を有する。射出面１０は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１１に配置されている。投影領域ＰＲは、射出面１０から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１０は、－Ｚ方向を向いており、ＸＹ平面と平行である。なお、－Ｚ方向を向いている射出面１０は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。終端光学素子１１の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１０から射出される露光光ＥＬは、－Ｚ方向に進行する。

　基板ステージ２Ｐは、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１２のガイド面１２Ｇ上を移動可能である。計測ステージ２Ｃは、計測部材Ｃ（計測器）を搭載した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１２のガイド面１２Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃは、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれに配置された可動子と、ベース部材１２に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれは、駆動システムの作動により、ガイド面１２Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃを移動させる駆動システムは、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システムが、リニアモータを含んでもよい。

　基板ステージ２Ｐは、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部１３を有する。本実施形態において、基板保持部１３に保持された基板Ｐの表面（上面）と、その基板Ｐの周囲に配置される基板ステージ２Ｐの上面２ＰＦとは、同一平面内に配置される（面一である）。上面２ＰＦは、平坦である。本実施形態において、基板保持部１３に保持された基板Ｐの表面（上面）、及び基板ステージ２Ｐの上面２ＰＦは、ＸＹ平面とほぼ平行である。

　なお、基板保持部１３に保持された基板Ｐの表面（上面）と基板ステージ２Ｐの上面２ＰＦとが同一平面内に配置されてなくてもよいし、基板Ｐの表面及び上面２ＰＦの少なくとも一方がＸＹ平面と非平行でもよい。また、上面２ＰＦは平坦でなくてもよい。例えば、上面２ＰＦが曲面を含んでもよい。

　本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、例えば米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号、及び米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号等に開示されているような、カバー部材Ｔをリリース可能に保持するカバー部材保持部１４を有する。本実施形態において、基板ステージ２Ｐの上面２ＰＦは、カバー部材保持部１４に保持されたカバー部材Ｔの上面を含む。

　なお、カバー部材Ｔがリリース可能でなくてもよい。その場合、カバー部材保持部１４は省略可能である。また、基板ステージ２Ｐの上面２ＰＦが、基板ステージ２Ｐに搭載されているセンサ、計測部材等の表面を含んでもよい。

　計測ステージ２Ｃは、計測部材Ｃをリリース可能に保持する計測部材保持部１５を有する。本実施形態において、計測部材保持部１５に保持された計測部材Ｃの表面（上面）と、その計測部材Ｃの周囲に配置される計測ステージ２Ｃの上面２ＣＦとは、同一平面内に配置される（面一である）。上面２ＣＦは、平坦である。本実施形態において、計測部材保持部１５に保持された計測部材Ｃの表面（上面）、及び計測ステージ２Ｃの上面２ＣＦは、ＸＹ平面とほぼ平行である。

　本実施形態において、計測ステージ２Ｃに搭載される計測部材Ｃは、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号等に開示されているような空間像計測システム７０の一部を構成する部材である。なお、計測ステージ２Ｃに、例えば米国特許第４４６５３６８号等に開示されているような照度むら計測システムの一部を構成する部材（計測部材）が搭載されてよいし、米国特許第５４９３４０３号等に開示されているような基準部材が搭載されてもよいし、米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号等に開示されているような照射量計測システムの一部を構成する部材（計測部材）が搭載されてもよいし、欧州特許第１０７９２２３号等に開示されているような波面収差計測システムの一部を構成する部材（計測部材）が搭載されてもよい。

　なお、計測部材保持部１５に保持された計測部材Ｃの表面（上面）と計測ステージ２Ｃの上面２ＣＦとが同一平面内に配置されてなくてもよいし、計測部材Ｃの表面及び上面２ＣＦの少なくとも一方がＸＹ平面と非平行でもよい。また、上面２ＣＦは平坦でなくてもよい。例えば、上面２ＣＦが曲面を含んでもよい。また、計測部材Ｃは、リリース可能でなくてもよい。この場合、計測部材保持部１５は省略可能である。

　本実施形態において、マスクステージ１、基板ステージ２Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの位置が、レーザ干渉計ユニット１６Ａ、１６Ｂを含む干渉計システム１６によって計測される。レーザ干渉計ユニット１６Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラーを用いてマスクステージ１の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット１６Ｂは、基板ステージ２Ｐに配置された計測ミラーを用いて基板ステージ２Ｐの位置を計測可能である。また、レーザ干渉計ユニット１６Ｂは、計測ステージ２Ｃに配置された計測ミラーを用いて計測ステージ２Ｃの位置を計測可能である。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置７は、干渉計システム１６の計測結果に基づいて、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２Ｐ（基板Ｐ）、及び計測ステージ２Ｃ（計測部材Ｃ）の少なくとも一つの位置制御を実行する。

　液浸部材４は、終端光学素子１１の射出面１０から射出され、投影領域ＰＲに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。液浸部材４は、射出面１０と、その射出面１０から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置に配置される物体の表面（上面）との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように、物体との間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する。液浸空間ＬＳは、射出面１０と、その射出面１０と対向する物体の表面との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。

　本実施形態において、射出面１０から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置は、投影領域ＰＲを含む。また、射出面１０から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置は、射出面１０と対向する位置を含む。本実施形態において、射出面１０と対向する位置に配置可能な物体、換言すれば、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ２Ｐ（カバー部材Ｔ）、基板ステージ２Ｐ（基板保持部１３）に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２Ｃ（計測部材Ｃ）の少なくとも一つを含む。基板Ｐの露光において、液浸部材４は、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する。

　本実施形態において、液浸部材４は、終端光学素子１１、及び終端光学素子１１と投影領域ＰＲに配置される物体との間の液体ＬＱを通過する露光光ＥＬの光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材４は、環状の部材である。本実施形態において、液浸部材４の一部は、終端光学素子１１の周囲に配置され、液浸部材４の一部は、終端光学素子１１と物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置される。液浸空間ＬＳは、終端光学素子１１と投影領域ＰＲに配置される物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。

　なお、液浸部材４は、環状の部材でなくてもよい。例えば液浸部材４が終端光学素子１１及び光路Ｋの周囲の一部に配置されていてもよい。また、液浸部材４が、終端光学素子１１の周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、液浸部材４が、射出面１０と物体との間の光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置され、終端光学素子１１の周囲に配置されてなくてもよい。また、液浸部材４が、射出面１０と物体との間の光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、液浸部材４が、終端光学素子１１の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面１０と物体との間の光路Ｋの周囲に配置されてなくてもよい。

　液浸部材４は、投影領域ＰＲに配置される物体の表面（上面）が対向可能な下面１７を有する。液浸部材４の下面１７は、物体の表面との間で液体ＬＱを保持することができる。本実施形態において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部は、終端光学素子１１と、その終端光学素子１１の射出面１０に対向するように配置された物体との間に保持される。また、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部は、液浸部材４と、その液浸部材４の下面１７に対向するように配置された物体との間に保持される。一方側の射出面１０及び下面１７と、他方側の物体の表面（上面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１１と物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

　本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材４の下面１７と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。液浸空間ＬＳの外側（界面ＬＧの外側）は、気体空間である。

　図２は、本実施形態に係る液浸部材４及び液体供給装置５の一例を示す図である。なお、図２を用いる説明においては、投影領域ＰＲ（終端光学素子及び液浸部材と対向する位置）に基板Ｐが配置される場合を例にして説明するが、上述のように基板ステージ２Ｐ（カバー部材Ｔ）及び計測ステージ２Ｃ（計測部材Ｃ）を配置することもできる。

　図２に示すように、液浸部材４は、射出面１０と対向する位置に配置される開口１９と、開口１９の周囲に配置される下面２０とを有する。射出面１０から射出された露光光ＥＬは、開口１９を通過して、基板Ｐに照射可能である。

　また、液浸部材４は、液体ＬＱを供給可能な供給口２１と、液体ＬＱを回収可能な回収口２２とを備えている。供給口２１は、射出面１０から射出される露光光ＥＬの光路Ｋに液体ＬＱを供給可能である。供給口２１から供給された液体ＬＱの少なくとも一部は、開口１９を介して、射出面１０及び下面１７と対向する基板Ｐ（物体）上に供給される。供給口２１は、射出面１０から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの近傍において、その光路Ｋに面するように配置されている。

　供給口２１は、流路２３を介して、液体供給装置５と接続されている。液体供給装置５は、液体ＬＱを送出可能である。流路２３は、液浸部材４の内部に形成された供給流路２１Ｒ、及びその供給流路２１Ｒと液体供給装置５とを接続する供給管２４で形成される流路２４Ｒを含む。液体供給装置５から送出された液体ＬＱは、流路２３を介して供給口２１に供給される。

　回収口２２は、射出面１０及び下面１７と対向する基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口２２は、基板Ｐ（物体）が対向可能な液浸部材４の所定位置に配置されている。本実施形態において、回収口２２は、下面２０の周囲の少なくとも一部に配置されている。

　本実施形態において、液浸部材４は、複数の孔 (openingsあるいはpores)２５Ｈを含む多孔部材２５を有する。本実施形態において、液浸部材４の下端に開口１８が形成されている。開口１８は、下方（－Ｚ方向）を向いている。本実施形態において、多孔部材２５は、開口１８に配置されている。開口１８（多孔部材２５）は、下面２０の周囲の少なくとも一部に配置される。

　本実施形態において、多孔部材２５は、プレート状の部材である。多孔部材２５は、上面２５Ａと下面２５Ｂとを有する。多孔部材２５の孔２５Ｈは、上面２５Ａと下面２５Ｂとを結ぶように形成される。多孔部材２５の下面２５Ｂに基板Ｐ（物体）が対向可能である。下面２０の周囲に下面２５Ｂが配置される。本実施形態において、液浸部材４の下面１７の少なくとも一部は、下面２０及び多孔部材２５の下面２５Ｂを含む。

　本実施形態において、多孔部材２５が、回収口２２を有する。本実施形態において、回収口２２は、孔２５Ｈの下端の開口を含む。基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱの少なくとも一部は、多孔部材２５の孔２５Ｈ（回収口２２）を介して回収される。

　なお、多孔部材が、網目状に多数の小さい孔が形成されたメッシュフィルタでもよい。

　回収口２２は、流路２７を介して、液体回収装置６と接続されている。液体回収装置６は、回収口２２を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路２７は、液浸部材４の内部に形成された回収流路２２Ｒ、及びその回収流路２２Ｒと液体回収装置６とを接続する回収管２８で形成される流路２８Ｒを含む。回収口２２（多孔部材２５の孔）から回収された液体ＬＱは、流路２７を介して、液体回収装置６に回収される。

　液体供給装置５は、流路２３を介して、供給口２１に液体ＬＱを供給可能である。液体供給装置５は、供給口２１を介して、露光光ＥＬの光路Ｋの少なくとも一部に液体ＬＱを供給可能である。射出面１０と対向する位置に基板Ｐ（物体）が配置されている状態において、液体供給装置５は、供給口２１を介して、射出面１０と基板Ｐ（物体）の表面との間の露光光ＥＬの光路Ｋに液体ＬＱを供給可能である。

　本実施形態においては、露光装置ＥＸが液体供給装置５を有する。なお、液体供給装置５が、露光装置ＥＸとは別の装置でもよい。換言すれば、液体供給装置５は、露光装置ＥＸに対する外部の装置でもよい。液体供給装置５が露光装置ＥＸに対する外部の装置である場合、その液体供給装置５は、流路２３を介して供給口２１に接続され、露光装置ＥＸに使用される。

　液体供給装置５は、供給口２１を介して光路Ｋに供給される液体ＬＱの全有機炭素（ＴＯＣ : Total Organic Carbon）濃度を調整する調整装置３０を備えている。調整装置３０は、供給口２１を介して光路Ｋに供給される液体ＬＱの全有機炭素の量を調整可能である。以下の説明において、液体の全有機炭素濃度（量）を適宜、液体のＴＯＣ値、と称する。

　本実施形態において、調整装置３０は、流路形成部材４１の流路４１Ｒを介して供給された液体ＬＱａのＴＯＣ値を調整する。本実施形態において、調整装置３０は、流路４１Ｒを介して、例えば超純水製造装置を含む液体供給源４０と接続されている。液体供給源４０は、流路４１Ｒを介して、調整装置３０に液体（超純水）ＬＱａを供給する。調整装置３０は、液体ＬＱａのＴＯＣ値を調整して、光路Ｋに供給するための液体ＬＱを生成する。調整装置３０によってＴＯＣ値が調整された液体ＬＱは、流路２４Ｒ及び流路２１Ｒを介して、供給口２１に供給される。供給口２１は、調整装置３０によってＴＯＣ値が調整された液体ＬＱを光路Ｋに供給する。

　なお、液体供給装置５が液体供給源４０を備えていてもよい。なお、液体供給源４０が、液体供給装置５に対する外部の装置でもよいし、露光装置ＥＸに対する外部の装置でもよい。なお、液体供給源４０から調整装置３０に供給される液体ＬＱａは、超純水でなくてもよい。液体供給源４０から調整装置３０に供給される液体ＬＱａが、所定濃度（所定量）の有機物を含んでもよい。

　本実施形態において、調整装置３０は、液体のＴＯＣ値を増大可能な第１処理装置３１と、液体のＴＯＣ値を低減可能な第２処理装置３２とを含む。

　本実施形態において、第１処理装置３１は、液体に有機物を注入（添加）する注入装置を含む。第１処理装置３１は、例えば液体（水）に溶解可能な有機物を、その液体に注入する。本実施形態において、第１処理装置３１が液体に注入する有機物は、例えばメタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール、あるいは酢酸等の有機酸等を含む。第１処理装置３１は、液体に有機物を注入して、液体のＴＯＣ値を増大させることができる。

　また、本実施形態において、第２処理装置３２は、液体に紫外光を照射可能な照射装置を含む。第２処理装置３２は、液体に紫外光を照射して、液体のＴＯＣ値を低減することができる。

　本実施形態においては、液体供給源４０からの液体ＬＱａは、流路４１Ｒを介して、第１処理装置３１に供給される。第１処理装置３１は、液体供給源４０からの液体ＬＱａに有機物を注入して、その液体ＬＱａのＴＯＣ値を増大させることができる。

　本実施形態においては、第１処理装置３１と第２処理装置３２とは、流路４２Ｒを有する流路形成部材４２によって接続されている。第１処理装置３１からの液体ＬＱｂは、流路４２Ｒを介して、第２処理装置３２に供給される。第２処理装置３２は、第１処理装置３１からの液体ＬＱｂに紫外光を照射して、その液体ＬＱｂのＴＯＣ値を低減させることができる。

　第２処理装置３２は、液体ＬＱを送出する。第２処理装置３２から送出された液体ＬＱは、流路２３を介して、供給口２１に供給される。供給口２１は、第１処理装置３１及び第２処理装置３２を含む調整装置３０によってＴＯＣ値が調整された液体ＬＱを光路Ｋに供給可能である。

　なお、本実施形態においては、液体供給源４０からの液体ＬＱａが第１処理装置３１に供給され、第１処理装置３１からの液体ＬＱｂが第２処理装置３２に供給されることとしたが、液体供給源４０からの液体ＬＱａが第２処理装置３２に供給され、第２処理装置３２からの液体が第１処理装置３１に供給され、第１処理装置３１が供給口２１に向けて液体ＬＱを送出してもよい。また、調整装置３０が、第１処理装置３１及び第２処理装置３２のいずれか一方だけを含んでもよい。例えば、調整装置３０が第１処理装置３１を含み、第２処理装置３２を含まない場合、その調整装置３０は、液体に注入する有機物の量（単位体積当たりの液体に対する有機物の注入量）を調整して、液体のＴＯＣ値を調整してもよい。また、調整装置３０が第２処理装置３２を含み、第１処理装置３１を含まない場合、その調整装置３０は、液体に対する紫外光の照射量を調整して、液体のＴＯＣ値を調整してもよい。紫外光の照射量の調整は、液体に対する紫外光の照射時間の調整を含む。また、紫外光の照射量の調整は、照射する紫外光の強度（照度）の調整を含む。

　本実施形態において、制御装置７は、調整装置３０を制御可能である。制御装置７は、調整装置３０を制御して、光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整可能である。制御装置７は、液体ＬＱのＴＯＣ値を増大する場合、少なくとも第１処理装置３１を作動する。また、制御装置７は、液体ＬＱのＴＯＣ値を低減する場合、少なくとも第２処理装置３２を作動する。制御装置７は、第１処理装置３１及び第２処理装置３２の少なくとも一方を制御して、光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整可能である。

　なお、液体のＴＯＣ値を調整可能な技術の一例が、例えば特開平８－１０７５８号公報、特開２０００－３０２４１３号公報、及び特開２００１－０３８３４９号公報等に開示されている。

　本実施形態において、液体供給装置５は、光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を計測する計測装置５０を備えている。以下の説明において、計測装置５０を適宜、ＴＯＣ計５０、と称する。

　本実施形態において、ＴＯＣ計５０は、調整装置３０から送出された液体ＬＱのＴＯＣ値を計測する。本実施形態において、ＴＯＣ計５０は、調整装置３０から送出され、供給口２１に供給される前の液体ＬＱのＴＯＣ値を計測する。

　本実施形態において、調整装置３０から送出された液体ＬＱは、流路２３を介して、供給口２１に供給される。本実施形態において、ＴＯＣ計５０は、流路２３を流れる液体ＬＱの少なくとも一部のＴＯＣ値を計測する。

　本実施形態において、ＴＯＣ計５０は、流路２３（２４Ｒ）から分岐する流路形成部材４３の流路４３Ｒと接続される。調整装置３０から送出された液体ＬＱの一部は、流路２３を介して供給口２１に供給される。また、調整装置３０から送出された液体ＬＱの一部は、流路２４Ｒ及び流路４３Ｒを介してＴＯＣ計５０に供給される。ＴＯＣ計５０は、調整装置３０から送出され、流路２４Ｒ及び流路４３Ｒを介して供給された液体ＬＱのＴＯＣ値を計測する。これにより、ＴＯＣ計５０は、調整装置３０から流路２３及び供給口２１を介して光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を計測することができる。

　ＴＯＣ計５０の計測結果は、制御装置７に出力される。制御装置７は、ＴＯＣ計５０の計測結果に基づいて、調整装置３０を制御してもよい。例えば、制御装置７は、ＴＯＣ計５０の計測結果に基づいて、調整装置３０から送出され、流路２３及び供給口２１を介して光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値が目標値になるように、調整装置３０を制御することができる。なお、液体供給源４０から調整装置３０に供給される液体ＬＱａのＴＯＣ値を計測する計測装置がさらに設けられてもよいし、液体ＬＱのＴＯＣ値を計測する計測装置５０の替わりに、液体ＬＱａのＴＯＣ値を計測する計測装置が設けられてもよい。

　また、液体供給装置５は、供給口２１に供給される単位時間当たりの液体ＬＱの供給量を調整可能な流量調整装置６０を備えている。制御装置７は、流量調整装置６０を制御して、供給口２１から光路Ｋに供給される単位時間当たりの液体ＬＱの供給量を調整可能である。

　液体回収装置６は、回収口２２からの液体ＬＱを回収可能である。液体回収装置６は、回収口２２を真空システムに接続可能である。なお、液体回収装置６が、液体ＬＱを吸引可能な真空システムを備えていてもよい。液体回収装置６は、回収口２２から回収される単位時間当たりの液体回収量を調整可能である。制御装置７は、液体回収装置６を制御して、回収口２２を介して基板Ｐ上から回収される単位時間当たりの液体ＬＱの回収量を調整可能である。

　なお、回収口２２から多孔部材２５を介して実質的に液体ＬＱのみが回収されてもよい。また、回収口２２から多孔部材２５を介して液体ＬＱが液浸空間ＬＳの周囲のガスとともに回収されてもよい。なお、回収口２２に多孔部材２５が配置されなくてもよい。

　なお、液浸部材４として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号、欧州特許出願公開第１７６８１７０号に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

　本実施形態において、制御装置７は、供給口２１から基板Ｐ（物体）上に液体ＬＱを供給し、その液体ＬＱの供給と並行して、回収口２２から基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱを回収することによって、一方側の終端光学素子１１及び液浸部材４と、他方側の基板Ｐ（物体）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

　図３は、本実施形態に係る露光装置ＥＸを模式的に示す図である。図３において、露光装置ＥＸは、光源装置３と、パターンＭＰが形成されたマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬとを備えている。

　照明系ＩＬは、オプティカルインテグレータ１２３と、開口絞り１２４と、コンデンサー光学系１２５とを含む。照明系ＩＬは、所定の照明条件でマスクＭを露光光ＥＬで照明する。露光光ＥＬで照明されたマスクＭの像（パターンＭＰの像）は、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに投影される。

　本実施形態においては、光源装置３として、ＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。光源装置３から射出された露光光ＥＬは、オプティカルインテグレータ１２３に供給される。オプティカルインテグレータ１２３は、例えばフライアイレンズを含み、光射出面に二次光源を形成する。開口絞り１２４は、オプティカルインテグレータ１２３の光射出面の近傍、すなわち二次光源の直後に配置される。

　本実施形態において、照明系ＩＬは、各種照明条件（照明法）でマスクＭを露光光ＥＬで照明することができる。図３においては、一例として、照明系ＩＬは、開口１２４Ａ、１２４Ｂを有する開口絞り１２４を備えており、マスクＭを露光光ＥＬでダイポール照明（二極照明）する。なお、照明系ＩＬが、クロスポール照明（四極照明）、コンベンショナル照明、及び輪帯照明等でマスクＭを照明してもよい。

　露光光ＥＬは、開口絞り１２４の開口１２４Ａ、１２４Ｂを通過可能である。開口１２４Ａ、１２４Ｂは、照明系ＩＬの光軸を挟んで、Ｙ軸方向に配置されている。オプティカルインテグレータ１２３から射出され、開口絞り１２４の開口１２４Ａ、１２４Ｂを通過した露光光ＥＬは、コンデンサー光学系１２５等を介して、マスクＭに照射される。

　なお、照明系ＩＬとして、例えば米国特許出願公開第２００６／０１７０９０１号に開示されている照明系を用いることもできる。この公報に開示されている照明系は、ビームエキスパンダ、偏光状態切換光学系、回折光学素子、アフォーカル光学系（無焦点光学系）、ズーム光学系、偏光変換素子、オプティカルインテグレータ、コンデンサー光学系、及び照明領域を規定するブラインド装置等を含む。

　照明系ＩＬより射出され、マスクＭに照射された露光光ＥＬは、マスクＭを介して、投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬに入射し、その投影光学系ＰＬを通過した露光光ＥＬは、終端光学素子１１の射出面１０より射出される。射出面１０より射出された露光光ＥＬは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、露光装置ＥＸにおいて、終端光学素子１１及び液体ＬＱを介してマスクＭの像（パターンＭＰの像）が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。

　また、例えば計測ステージ２Ｃを用いる計測処理において、制御装置７は、終端光学素子１１及び液浸部材４と計測ステージ２Ｃ（計測部材Ｃ）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成して、マスクステージ１に保持された所定の計測用パターンを有する計測用マスクを照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬで照明してもよい。これにより、露光装置ＥＸにおいて、終端光学素子１１及び液体ＬＱを介して計測用マスクの像（計測用パターンの像）が計測ステージ２Ｃ（計測部材Ｃ）に投影される。

　図４は、マスクＭの一例を示す平面図である。マスクＭは、基板Ｐに投影されるパターン（デバイスパターン）ＭＰが形成されたレチクルを含む。本実施形態において、マスクＭは、透過型マスクである。マスクＭは、ガラス板等の透明板ＧＰと、透明板ＧＰ上にクロム等からなる遮光膜で形成されたライン状の複数の遮光部Ｌとを含む。以下の説明において、遮光部Ｌを適宜、ライン部Ｌ、と称する。

　本実施形態において、ライン部Ｌは、Ｘ軸方向を長手方向とする。ライン部Ｌは、Ｙ軸方向に周期的に複数配置されている。ライン部Ｌの間には、遮光膜が形成されていないスペース部Ｓが配置されている。すなわち、本実施形態においては、マスクＭのパターンＭＰは、Ｘ軸方向を長手方向とし、Ｙ軸方向に周期的に配置された複数のライン・アンド・スペースパターンを含む。本実施形態において、マスクＭに形成されているパターンＭＰは、Ｘ軸方向を長手方向とし、Ｙ軸方向に周期的に配置された複数のライン・アンド・スペースパターンを主成分とする。本実施形態において、ライン・アンド・スペースパターンは、ピッチｐｔで配置されている。以下の説明において、ライン・アンド・スペースパターンを適宜、Ｌ／Ｓパターン、と称する。

　図５は、露光光ＥＬの照射によってパターンＭＰで生成される回折光の一例を示す模式図である。照明系ＩＬからの露光光ＥＬでマスクＭ（パターンＭＰ）が照明されることによって、パターンＭＰで回折光が生成される。図５に示す例では、パターンＭＰで生成される回折光の０次光、＋１次光、及び－１次光のそれぞれが、投影光学系ＰＬに入射する。図５に示す例では、パターンＭＰで生成される０次光、＋１次光、及び－１次光の３つの光束によって、パターンＭＰの像が形成される。換言すれば、３つの光束によって結像が行われる。

　以下の説明において、パターンＭＰでの回折によって生成され、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐの表面に入射可能な３つの光束のそれぞれを適宜、第１光束Ｂ１、第２光束Ｂ２、及び第３光束Ｂ３、と称する。図５に示す例において、第１光束Ｂ１は、投影光学系ＰＬ（終端光学素子１１）と基板Ｐ（物体）との間において、投影光学系ＰＬ（終端光学素子１１）の光軸ＡＸ（Ｚ軸）とほぼ平行に進行する。また、図５に示す例において、第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３は、パターンＭＰでの回折によって生成される複数の光束のうち、最も外側の光束（最も回折角が大きい光束）である。第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３は、投影光学系ＰＬ（終端光学素子１１）と基板Ｐとの間において、Ｚ軸に対して傾斜して進行する。第２光束Ｂ２と第３光束Ｂ３とは、互いに異なる方向から所定の入射角θｎで基板Ｐの表面に入射する。図５において、第２光束Ｂ２は、Ｚ軸に対して－Ｙ側から基板Ｐの表面に入射し、第３光束Ｂ３は、Ｚ軸に対して＋Ｙ側から基板Ｐの表面に入射する。

　図５において、露光光ＥＬの照射によってパターンＭＰで生成された第１光束Ｂ１と第２光束Ｂ２（第３光束Ｂ３）とがなす角度θｋは、パターンＭＰのピッチｐｔ、及び露光光ＥＬの波長λに応じて変化する。すなわち、一般に、
　　　　ｐｔ×ｓｉｎθｋ　＝　ｍ×λ …（１）
が成り立つ。（１）式において、ｍは、回折次数である。以下の説明において、角度θｋを適宜、回折角θｋ、と称する。

　基板Ｐ（物体）の表面の所定位置には、回折角θｋに応じた入射角θｎで、第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３が入射する。このように、本実施形態においては、露光光ＥＬの波長λを含む露光光ＥＬの照明条件、及びパターンＭＰのピッチｐｔを含むマスクＭの条件に応じて、基板Ｐの表面に対する第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３の入射角θｎが変化する。

　上述の照明条件、及びマスクＭの条件を含む所定の露光条件で、マスクＭ、投影光学系ＰＬ、及び液体ＬＱを介した露光光ＥＬで基板Ｐを露光することによって、マスクＭのパターンＭＰの像が基板Ｐに投影される。その露光によって、マスクＭのパターンＭＰに応じたパターンＣＰが基板Ｐに形成される。

　なお、パターンＭＰで生成される回折光の０次光、＋１次光、及び－１次光のうち、例えば０次光、及び＋１次光（又は－１次光）のみが、投影光学系ＰＬに入射されてもよい。すなわち、基板Ｐが、０次光及び＋１次光（又は－１次光）に基づく二光束干渉法により露光されてもよい。すなわち、パターンＭＰで生成される０次光及び＋１次光（又は－１次光）の２つの光束によって、パターンＭＰの像が形成されてもよい。換言すれば、２つの光束によって結像が行われてもよい。

　本実施形態においては、供給口２１から光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、基板Ｐ（物体）に照射される露光光ＥＬの照射条件が調整される。本実施形態において、制御装置７は、調整装置３０を制御して、供給口２１を介して光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整して、液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される射出面１０からの露光光ＥＬの照射条件を調整する。本実施形態においては、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１１の射出側）におけるパターンＭＰの像の結像特性が調整される。

　本実施形態においては、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、基板Ｐ（物体）に形成されるパターンの形成状態が調整される。本実施形態において、制御装置７は、調整装置３０を制御して、供給口２１を介して光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整して、基板Ｐ（物体）に形成されるパターンの形成状態を調整する。

　パターンの形成状態は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１１の射出側）において終端光学素子１１及び液体ＬＱを介して形成されるパターンＭＰの像の形成状態を含む。また、パターンの形成状態は、基板Ｐに形成されるパターンＣＰの形成状態を含む。パターンＣＰの形成状態は、露光後の基板Ｐに対して現像処理等を実行した後、その基板Ｐに形成されているパターンＣＰの形成状態を含む。

　例えば、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの特性（例えば、光学特性）が変化する可能性がある。例えば、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの透過率が変化したり、屈折率が変化したりする可能性がある。例えば、液体ＬＱのＴＯＣ値の増大により、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの透過率が低くなり、液体ＬＱのＴＯＣ値の減少により、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの透過率が高くなる可能性がある。

　例えば、図５に示したように、終端光学素子１１の射出面１０と基板Ｐ（物体）の表面との間において、液体ＬＱを通過する第１光束Ｂ１の光路長と、第２光束Ｂ２の光路長と、第３光束Ｂ３の光路長とは異なる可能性がある。図５に示す例では、第１光束Ｂ１の光路長、第２光束Ｂ２の光路長、及び第３光束Ｂ３の光路長のうち、第１光束Ｂ１の光路長が最も短い。

　したがって、例えば、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの透過率が調整された場合、その透過率に応じて、射出面１０から射出され、液体ＬＱを通過して基板Ｐ（物体）に照射される第１光束Ｂ１の強度（照度）と、射出面１０から射出され、液体ＬＱを通過して基板Ｐ（物体）に照射される第２光束Ｂ２の強度（照度）と、射出面１０から射出され、液体ＬＱを通過して基板Ｐ（物体）に照射される第３光束Ｂ３の強度（照度）とがそれぞれ変化する可能性がある。

　例えば、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの透過率が低くなった場合、第１光束Ｂ１、第２光束Ｂ２、及び第３光束Ｂ３のうち、基板Ｐに照射される第１光束Ｂ１の強度（照度）が最も高くなり、第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３の強度（照度）は、第１光束Ｂ１の強度（照度）よりも低くなる可能性がある。

　すなわち、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの特性（例えば光学特性）が調整された場合、その特性に応じて、射出面１０から射出され、液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される第１光束Ｂ１、第２光束Ｂ２、及び第３光束Ｂ３それぞれの基板Ｐの表面における強度が変化する可能性がある。また、第１光束Ｂ１、第２光束Ｂ２、及び第３光束Ｂ３それぞれの基板Ｐの表面における照射位置が変化する可能性もある。

　第１光束Ｂ１、第２光束Ｂ２、及び第３光束Ｂ３それぞれの基板Ｐの表面における強度及び照射位置の少なくとも一部が変化することによって、基板Ｐに形成されるパターンの形成状態が変化する。したがって、調整装置３０による光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、基板Ｐに形成されるパターンの形成状態が調整される。

　例えば、パターンＭＰ（パターンＣＰ）がＬ／Ｓパターンである場合、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、基板Ｐに形成されるＬ／Ｓパターンのライン部の寸法（線幅）、あるいは基板Ｐ上におけるＬ／Ｓパターンのピッチが調整される。また、例えば、パターンＭＰ（パターンＣＰ）が円形パターンを含む場合、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、基板Ｐに形成される円形パターンの寸法が調整される。

　本実施形態において、パターンの形成状態の調整は、露光装置ＥＸの光学的な近接効果特性の調整を含む。本実施形態において、露光装置ＥＸの光学的な近接効果特性の調整は、パターンの近接効果特性（光学的近接効果特性）の擬似的な調整を含む。

　パターンの近接効果特性とは、複数のパターンＭＰ（Ｌ／Ｓパターン）の近接によって、基板Ｐ（物体）に形成されるパターンＣＰの形状が変化する特性をいう。例えば、図５において、マスクＭにおけるピッチｐｔに応じて、近接効果によって、パターンＣＰの形状が変化する可能性がある。なお、基板Ｐに形成されるパターンＣＰ（又は投影像）の線幅のピッチｐｔの依存性は、ＯＰＥ（Optical Proximity Effect）特性と呼ばれる。

　例えば、回折角θｋに応じて、パターンＭＰでの回折によって生成される複数の光束のうち最も外側の光束（図５に示す例では第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３）の投影光学系ＰＬに対する入射状態が変化する。例えば、ピッチｐｔが小さくなり、回折角θｋが大きくなると、パターンＭＰでの回折によって生成される複数の光束のうち最も外側の光束（第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３）が投影光学系ＰＬに入射することが困難になる可能性がある。その結果、例えば、最も外側の光束（第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３）の基板Ｐに対する照射状態（入射状態）が変化する。すなわち、最も外側の光束（第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３）が基板Ｐに照射されない可能性がある。

　また、回折角θｋに応じて、入射角θｎが変化する。例えば、ピッチｐｔが小さくなり、回折角θｋが大きくなると、入射角θｎが大きくなる。その結果、最も外側の光束（第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３）の基板Ｐに対する照射状態が変化する。例えば、入射角θｎが大きくなり、終端光学素子１１の射出面１０と基板Ｐ（物体）の表面との間において、液体ＬＱを通過する最も外側の光束（第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３）の光路長が長くなると、その最も外側の光束（第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３）の基板Ｐに対する強度（照度）が低くなる可能性がある。一方、回折角θｋが小さくなり、入射角θｎが小さくなると、最も外側の光束（第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３）の基板Ｐに対する強度（照度）は高くなる。光束の基板Ｐに対する照射状態が変化すると、その照射状態の変化に応じて、基板Ｐに形成されるパターンの形成状態が変化する。

　本実施形態においては、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、露光装置ＥＸの光学的な近接効果特性が調整される。すなわち、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、パターンの近接効果特性（光学的近接効果特性）の擬似的な調整が行われる。上述のように、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの透過率が変化する。例えば、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、光路Ｋに供給される液体ＬＱの露光光ＥＬに対する透過率が低くなると、終端光学素子１１の射出面１０と基板Ｐ（物体）の表面との間において光路長が長い、最も外側の光束（第２光束Ｂ２及び第３光束Ｂ３）の基板Ｐに対する強度（照度）が低くなったり、最も外側の光束が基板Ｐに照射されなくなったりする可能性がある。一方、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、光路Ｋに供給される液体ＬＱの露光光ＥＬに対する透過率が高くなると、最も外側の光束の基板Ｐに対する強度（照度）が高くなる。液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により液体ＬＱの露光光ＥＬに対する透過率が調整され、光束の基板Ｐに対する照射状態が変化すると、その照射状態の変化に応じて、基板Ｐに形成されるパターンの形成状態が変化する。

　本実施形態においては、光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、基板ＰにおけるパターンＣＰの近接効果特性が疑似的に調整され、露光装置ＥＸの光学的な近接効果特性が調整される。その露光装置ＥＸの光学的な近接効果特性の調整により、パターンの形成状態が調整される。

　すなわち、本実施形態において、調整装置３０は、液体ＬＱのＴＯＣ値を調整して、光学的近接効果を補正可能である。換言すれば、調整装置３０は、光学的近接効果によるパターンの寸法の変動、及びパターンの変形等を抑制するための光学的近接効果補正（ＯＰＣ:Optical Proximity Correction）を実行可能である。

　本実施形態においては、液体ＬＱのＴＯＣ値とパターンの形成状態との関係が記憶装置８に記憶されている。記憶装置８には、例えば液体ＬＱのＴＯＣ値と、その液体ＬＱを介して基板Ｐを露光したときの基板Ｐに形成されるパターンの形成状態との関係が記憶されている。例えば、記憶装置８には、複数のＴＯＣ値と、それら複数のＴＯＣ値のそれぞれに対応する複数のパターンの形成状態との関係（マッピングデータ）が記憶されている。なお、この関係（マッピングデータ）は、例えば、所謂テスト露光を含む実験、又はシミュレーション等によって予め求めることができる。

　調整装置３０は、例えばＴＯＣ計５０の計測結果と、記憶装置８の記憶情報とに基づいて、所望のパターンの形成状態が得られるように、光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整することができる。

　次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。制御装置７は、露光前の基板Ｐを基板ステージ２Ｐ（基板保持部１３）に搬入（ロード）するために、基板ステージ２Ｐを基板交換位置に移動する。基板交換位置は、液浸部材４（投影領域ＰＲ）から離れた位置であり、基板Ｐの交換処理が実行可能な位置である。基板Ｐの交換処理は、所定の搬送装置（不図示）を用いて、基板ステージ２Ｐ（基板保持部１３）に保持された露光後の基板Ｐを基板ステージ２Ｐから搬出（アンロード）する処理、及び露光前の基板Ｐを基板ステージ２Ｐ（基板保持部１３）に搬入（ロード）する処理の少なくとも一方を含む。制御装置７は、基板交換位置に基板ステージ２Ｐを移動して、基板Ｐの交換処理を実行する。

　基板ステージ２Ｐが液浸部材４から離れている期間の少なくとも一部において、制御装置７は、計測ステージ２Ｃを終端光学素子１１及び液浸部材４と対向する位置に配置して、終端光学素子１１及び液浸部材４と計測ステージ２Ｃとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する。

　また、基板ステージ２Ｐが液浸部材４から離れている期間の少なくとも一部において、必要に応じて、計測ステージ２Ｃを用いる計測処理が実行されてもよい。計測ステージ２Ｃを用いる計測処理を実行するとき、制御装置７は、終端光学素子１１及び液浸部材４と計測ステージ２Ｃとを対向させ、終端光学素子１１と計測部材Ｃとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置７は、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して、計測ステージ２Ｃに保持されている計測部材Ｃ（計測器）に露光光ＥＬを照射して、露光光ＥＬの計測処理を実行する。その計測処理の結果は、その後に実行される基板Ｐの露光処理に反映されてもよい。

　露光前の基板Ｐが基板ステージ２Ｐにロードされ、計測ステージ２Ｃを用いる計測処理が終了した後、制御装置７は、基板ステージ２Ｐを投影領域ＰＲに移動して、終端光学素子１１及び液浸部材４と基板ステージ２Ｐ（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳを形成する。

　制御装置７は、液浸空間ＬＳを供給するために、供給口２１から光路Ｋに液体ＬＱを供給するとともに、その供給口２１からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口２２から基板Ｐ（基板ステージ２Ｐ）上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収する。

　制御装置７は、調整装置３０を制御して、供給口２１に供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整する。調整装置３０によってＴＯＣ値が調整された液体ＬＱは、供給口２１を介して光路Ｋに供給される。

　本実施形態においては、制御装置７は、調整装置３０から送出された液体ＬＱのＴＯＣ値をＴＯＣ計５０で計測し、その計測結果に基づいて、光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値が所望の値になるように、調整装置３０を制御する。本実施形態において、制御装置７は、例えばＴＯＣ計５０の計測結果と、記憶装置８の記憶情報とに基づいて、基板Ｐに形成されるパターンの形成状態が所望の状態になるように、調整装置３０を制御して、光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整する。制御装置７は、例えば基板Ｐに形成されるパターンの寸法が目標の値になるように、調整装置３０を制御して、液体ＬＱのＴＯＣ値を調整する。また、制御装置７は、液体ＬＱのＴＯＣ値を調整して、光学的近接効果補正を実行することができる。

　ＴＯＣ値が所望の値に調整された液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置７は、基板Ｐの露光処理を開始する。制御装置７は、照明系ＩＬにより露光光ＥＬで照明されたマスクＭからの露光光ＥＬを投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐに照射する。これにより、基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して射出面１０からの露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンＭＰの像が基板Ｐに投影される。

　本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置７は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。

　基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置７は、基板ステージ２Ｐを基板交換位置に移動し、露光後の基板Ｐを基板ステージ２Ｐから搬出し、露光前の基板Ｐを基板ステージ２Ｐに搬入する。以下、上述の処理が繰り返され、複数の基板Ｐが順次露光される。また、露光後の基板Ｐに対して現像処理、及びエッチング処理等の各種の処理が実行される。

　以上説明したように、本実施形態によれば、光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、液体ＬＱの特性が調整される。また、本実施形態によれば、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整により、パターンの形成状態が調整される。したがって、不良デバイスの発生等を抑制することができる。

　なお、本実施形態において、制御装置７は、マスクＭのパターンＭＰに関する情報に基づいて、調整装置３０を制御して、液体ＬＱのＴＯＣ値を調整してもよい。例えば、制御装置７は、Ｌ／Ｓパターンのピッチｐｔ、及びライン部Ｌの寸法（線幅）の少なくとも一方に応じて、液体ＬＱのＴＯＣ値を調整してもよい。

　なお、本実施形態においては、調整装置３０は、ＴＯＣ計５０の計測結果に基づいて、液体ＬＱのＴＯＣ値を調整することとした。調整装置３０が、例えば空間像計測システム７０の計測結果に基づいて、液体ＬＱのＴＯＣ値を調整してもよい。上述したように、本実施形態においては、空間像計測システム７０の少なくとも一部が計測ステージ２Ｃに配置されている。

　図６は、終端光学素子１１と空間像計測システム７０が有する計測部材Ｃとの間に液体ＬＱが保持されている状態の一例を示す図である。

　空間像計測システム７０は、露光光ＥＬが透過可能な透過部７１を有する計測部材Ｃと、透過部７１からの露光光ＥＬが入射する光学素子７２と、光学素子７２からの露光光ＥＬが入射する受光素子７３とを備えている。計測部材Ｃは、終端光学素子１１及び液浸部材４との間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成可能である。

　空間像計測システム７０は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して照射される射出面１０からの露光光ＥＬの照射条件を計測可能である。空間像計測システム７０は、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して形成される空間像を計測可能である。空間像計測システム７０は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１１の射出側）におけるパターンの像の結像特性を計測可能である。空間像計測システム７０は、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１１の射出側）に形成されるパターンの形成状態を計測可能である。空間像計測システム７０は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１１の射出側）において終端光学素子１１及び液体ＬＱを介して形成されるパターンの像の形成状態を計測可能である。パターンの形成状態は、露光装置ＥＸの光学的な近接効果特性を含む。

　空間像計測システム７０を用いてパターンの形成状態を計測する場合、図６に示すように、終端光学素子１１及び液浸部材４と計測部材Ｃ（計測ステージ２Ｃ）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成される。制御装置７は、調整装置３０を制御して、ＴＯＣ値が調整された液体ＬＱを供給口２１から供給し、その供給口２１からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口２２から液体ＬＱを回収する。これにより、終端光学素子１１及び液浸部材４と計測部材Ｃ（計測ステージ２Ｃ）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成される。

　制御装置７は、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、射出面１０から露光光ＥＬを射出する。これにより、射出面１０から射出された露光光ＥＬが、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して計測部材Ｃの透過部７１に照射される。これにより、空間像計測システム７０は、パターンの形成状態を計測することができる。

　空間像計測システム７０の計測結果は、制御装置７に出力される。制御装置７は、空間像計測システム７０の計測結果に基づいて、調整装置３０を制御してもよい。例えば、制御装置７は、空間像計測システム７０の計測結果に基づいて、所望のパターンの形成状態が得られるように、調整装置３０を制御して、光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整することができる。

＜第２実施形態＞
　次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

　図７は、第２実施形態に係る液体供給装置５Ｂの一例を示す図である。第２実施形態においては、液体供給装置５Ｂは、供給口２１を介して光路Ｋに供給される液体ＬＱのガス濃度（溶存ガス濃度）を調整する調整装置３０Ｂを備えている。液体ＬＱのガス濃度の調整により、基板Ｐ（物体）に形成されるパターンの形成状態が調整される。調整装置３０Ｂは、液体ＬＱのガス濃度を調整して、基板Ｐ（物体）に形成されるパターンの形成状態を調整可能である。

　図７に示すように、液体供給装置５Ｂは、調整装置３０Ｂと、脱気装置１３２と、ガス供給装置１３５とを備えている。

　脱気装置１３２は、液体ＬＱａの脱気処理を実行可能である。脱気装置１３２は、脱気処理された液体ＬＱｓを送出可能である。脱気装置１３２は、例えば米国特許出願公開第２００５／０２１９４９０号等に開示されているような、液体に溶存するガス濃度を低減可能な膜脱気装置を含む。脱気装置１３２は、流路形成部材１４１に形成された流路１４１Ｒを介して、液体供給源４０と接続される。液体供給源４０からの液体ＬＱａは、流路１４１Ｒを介して、脱気装置１３２に供給される。脱気装置１３２は、液体供給源４０からの液体ＬＱａの脱気処理を実行可能である。脱気処理は、液体ＬＱａに含まれるガスを除去する処理である。脱気処理によって、少なくとも、液体ＬＱａに含まれる所定ガスＧが液体ＬＱａから除去される。

　ガス供給装置１３５は、所定ガスＧを送出可能である。本実施形態において、所定ガスＧは、酸素ガスである。なお、所定ガスＧが、酸素ガスと、酸素ガスとは異なる種類のガス（例えば窒素ガス）とを含んでいてもよい。なお、所定ガスＧが、炭酸ガス、水素ガス、及びオゾンガスの少なくとも一つを含んでもよい。また、所定ガスＧが、不活性ガスを含んでもよい。

　調整装置３０Ｂは、流路形成部材１３４に形成された流路１３４Ｂを介して、脱気装置１３２と接続されている。脱気装置１３２からの液体ＬＱｓは、流路１３４Ｒを介して、調整装置３０Ｂに供給される。

　調整装置３０Ｂは、流路形成部材１３６に形成された流路１３６Ｒを介して、ガス供給装置１３５と接続されている。ガス供給装置１３５からの所定ガスＧは、流路１３６Ｒを介して、調整装置３０Ｂに供給可能である。

　調整装置３０Ｂは、脱気装置１３２から供給された液体ＬＱｓに、ガス供給装置１３５から供給された所定ガスＧを溶解させて、その液体ＬＱｓに溶存するガス濃度を調整する。調整装置３０は、脱気処理された液体ＬＱｓに所定量の所定ガスＧを溶解させて、ガス濃度が調整された液体ＬＱを生成する。すなわち、本実施形態において、調整装置３０Ｂは、脱気処理された液体ＬＱｓに溶存するガス濃度を高める処理を実行して、液体ＬＱのガス濃度を調整する。

　調整装置３０Ｂは、例えば気体透過膜を用いて液体にガスを溶解させる膜溶解装置を含む。なお、液体に気体を溶解可能な溶解装置の一例が、例えば特開２００９－２１９９９７号公報に開示されている。

　本実施形態において、液体供給装置５Ｂは、光路Ｋに供給される液体ＬＱのガス濃度を計測する計測装置１５０を備えている。以下の説明において、計測装置１５０を適宜、ガス濃度計１５０、と称する。

　本実施形態において、ガス濃度計１５０は、調整装置３０Ｂから送出された液体ＬＱのガス濃度を計測する。本実施形態において、ガス濃度計１５０は、調整装置３０Ｂから送出され、供給口２１に供給される前の液体ＬＱのガス濃度を計測する。

　本実施形態において、ガス濃度計１５０は、流路２３（２４Ｒ）から分岐する流路形成部材１４３の流路１４３Ｒと接続される。ガス濃度計１５０は、調整装置３０Ｂから送出され、流路２４Ｒ及び流路１４３Ｒを介して供給された液体ＬＱのガス濃度を計測する。これにより、ガス濃度計１５０は、調整装置３０Ｂから流路２３及び供給口２１を介して光路Ｋに供給される液体ＬＱのガス濃度を計測することができる。

　ガス濃度計１５０の計測結果は、制御装置７に出力される。制御装置７は、ガス濃度計１５０の計測結果に基づいて、調整装置３０Ｂを制御してもよい。例えば、制御装置７は、ガス濃度計１５０の計測結果に基づいて、調整装置３０Ｂから送出され、流路２３及び供給口２１を介して光路Ｋに供給される液体ＬＱのガス濃度が目標値になるように、調整装置３０Ｂを制御することができる。

　調整装置３０Ｂは、供給口２１を介して光路Ｋに供給される液体ＬＱのガス濃度を調整して、液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される射出面１０からの露光光ＥＬの照射条件を調整する。本実施形態においては、液体ＬＱのガス濃度の調整により、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１１の射出側）におけるパターンＭＰの像の結像特性が調整される。

　本実施形態においては、液体ＬＱのガス濃度の調整により、基板Ｐ（物体）に形成されるパターンの形成状態が調整される。調整装置３０Ｂは、液体ＬＱのガス濃度を調整して、基板Ｐ（物体）に形成されるパターンの形成状態を調整する。

　例えば、液体ＬＱのガス濃度の調整により、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの特性（例えば光学特性）が変化する可能性がある。例えば、液体ＬＱのガス濃度の調整により、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの透過率が変化したり、屈折率が変化したりする可能性がある。

　すなわち、液体ＬＱのガス濃度の調整により、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの特性（例えば光学特性）が調整された場合、その特性に応じて、例えば図５等を参照して説明したように、射出面１０から射出され、液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される第１光束Ｂ１、第２光束Ｂ２、及び第３光束Ｂ３それぞれの基板Ｐの表面における強度及び照射位置の少なくとも一部が変化する可能性がある。

　第１光束Ｂ１、第２光束Ｂ２、及び第３光束Ｂ３それぞれの基板Ｐの表面における強度及び照射位置の少なくとも一部が変化することによって、基板Ｐに形成されるパターンの形成状態が変化する。したがって、光路Ｋに供給される液体ＬＱのガス濃度の調整により、基板Ｐに形成されるパターンの形成状態が調整される。

　制御装置７は、調整装置３０Ｂを制御して、液体ＬＱのガス濃度を調整することによって、例えば基板Ｐに形成されるＬ／Ｓパターンのライン部の寸法（線幅）、あるいは基板Ｐ上におけるＬ／Ｓパターンのピッチを調整することができる。また、例えばパターンＭＰ（パターンＣＰ）が円形パターンを含む場合、制御装置７は、調整装置３０Ｂを制御して、液体ＬＱのガス濃度を調整することによって、基板Ｐに形成される円形パターンの寸法を調整することができる。

　上述したように、パターンの形成状態の調整は、露光装置ＥＸの光学的な近接効果特性の調整を含む。調整装置３０Ｂが光路Ｋに供給される液体ＬＱのガス濃度を調整することによって、基板ＰにおけるパターンＣＰの近接効果特性を調整することができる。すなわち、調整装置３０Ｂは、液体ＬＱのガス濃度を調整して、光学的近接効果を補正可能である。換言すれば、調整装置３０Ｂは、光学的近接効果によるパターンの寸法の変動、及びパターンの変形等を抑制するための光学的近接効果補正（ＯＰＣ:Optical Proximity Correction）を実行可能である。

　本実施形態においては、液体ＬＱのガス濃度とパターンの形成状態との関係が記憶装置８に記憶されている。記憶装置８には、例えば液体ＬＱのガス濃度と、その液体ＬＱを介して基板Ｐを露光したときの基板Ｐに形成されるパターンの形成状態との関係が記憶されている。例えば、記憶装置８には、複数のガス濃度と、それら複数のガス濃度のそれぞれに対応する複数のパターンの形成状態との関係（マッピングデータ）が記憶されている。なお、この関係（マッピングデータ）は、例えば、所謂テスト露光を含む実験、又はシミュレーション等によって予め求めることができる。

　調整装置３０Ｂは、例えばガス濃度計１５０の計測結果と、記憶装置８の記憶情報とに基づいて、所望のパターンの形成状態が得られるように、光路Ｋに供給される液体ＬＱのガス濃度を調整することができる。

　なお、制御装置７は、終端光学素子１１及び液体ＬＱを介して形成されるパターンの形成状態を空間像計測システム７０を用いて計測し、その計測結果に基づいて、液体ＬＱ中のガス濃度が所望の値になるように、調整装置３０Ｂを制御してもよい。

　以上説明したように、液体ＬＱのガス濃度を調整することによっても、パターンの形成状態を調整することができる。

　なお、液体ＬＱの全有機炭素濃度とガス濃度との両方を調整して、パターンの形成状態を調整してもよい。なお、全有機炭素（有機物）及び所定ガスＧのみならず、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの透過率を調整可能な所定物質を液体ＬＱに供給（注入、混入）することによって、その液体ＬＱを介して形成されるパターンの形成状態を調整することができる。

＜第３実施形態＞
　次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

　図８は、第３実施形態に係るデバイス製造システムＳＹＳの一例を示す模式図である。デバイス製造システムＳＹＳは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置を複数有する。図８に示す例では、デバイス製造システムＳＹＳは、第１の露光装置ＥＸ１、第２の露光装置ＥＸ２、第３の露光装置ＥＸ３、及び第４の露光装置ＥＸ４を有する。

　本実施形態において、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれは、露光光ＥＬが射出される射出面１０を有する終端光学素子１１をそれぞれ有し、射出面１０から射出される露光光ＥＬで液体ＬＱを介して基板Ｐを露光可能である。また、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれは、射出面１０から射出される露光光ＥＬの光路Ｋを有する。複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれは、終端光学素子１１及び光路Ｋに供給された液体ＬＱを介して物体にパターンの像を投影可能である。

　デバイス製造システムＳＹＳは、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４それぞれの光路Ｋに液体ＬＱを供給可能な液体供給システム５００を備えている。液体供給システム５００は、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれに対応して配置された複数の液体供給装置５０１～５０４を含む。複数の液体供給装置５０１～５０４のそれぞれは、液体ＬＱのＴＯＣ値を調整可能な調整装置３０を有する。液体供給システム５００は、液体供給装置５０１～５０４のそれぞれが有する調整装置３０を用いて、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４の光路Ｋのそれぞれに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整可能である。

　また、デバイス製造システムＳＹＳは、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４、及び複数の液体供給装置５０１～５０４を含む液体供給システム５００を制御するホストコンピュータＭＥを有する。複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４、及び液体供給システム５０００は、ホストコンピュータＭＥによって管理される。ホストコンピュータＭＥは、例えば、そのホストコンピュータＭＥに接続される記憶システムの記憶情報に基づいて管理してもよい。

　図９は、第１の露光装置ＥＸ１が有する終端光学素子１１及び液浸部材４と、その第１の露光装置ＥＸ１に対応して配置された第１の液体供給装置５０１との一例を示す図である。なお、第１の露光装置ＥＸ１は、上述の第１実施形態で説明した露光装置ＥＸと同等の構成であるため、その説明を省略する。また、第２～第４の露光装置ＥＸ２～ＥＸ４は、第１の露光装置ＥＸ１と同等の構成であるため、その説明を省略する。

　液体供給装置５０１は、上述の第１実施形態で説明した液体供給装置５とほぼ同等の構成である。液体供給装置５と液体供給装置５０１とが異なる点は、液体供給装置５０１が、ＴＯＣ計８０と接続可能な接続部９０を有する点である。

　液体供給装置５０１は、調整装置３０と、ＴＯＣ計５０とを備えている。また、液体供給装置５０１は、流路２３（２４Ｒ）から分岐する流路４４Ｒを有する流路形成部材４４を備えている。ＴＯＣ計８０は、流路４４Ｒの先端の開口４４Ｋに接続可能である。接続部９０の少なくとも一部は、流路４４Ｒの先端に配置されている。ＴＯＣ計８０は、接続部９０に接続可能であり、接続部９０からリリース可能である。

　調整装置３０から送出された液体ＬＱの一部は、流路２４Ｒ及び流路４３Ｒを介して、ＴＯＣ計５０に供給される。また、接続部９０にＴＯＣ計８０が接続されている場合において、調整装置３０から送出された液体ＬＱの一部は、流路２４Ｒ及び流路４４Ｒを介して、ＴＯＣ計８０に供給される。ＴＯＣ計５０は、調整装置３０から送出され、流路２４Ｒ及び流路４３Ｒを介して供給された液体ＬＱのＴＯＣ値を計測する。ＴＯＣ計８０は、調整装置３０から送出され、流路２４Ｒ及び流路４４Ｒを介して供給された液体ＬＱのＴＯＣ値を計測する。これにより、ＴＯＣ計５０及びＴＯＣ計８０のそれぞれは、調整装置３０から流路２３及び供給口２１を介して光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を計測することができる。すなわち、ＴＯＣ計５０とＴＯＣ計８０とは、調整装置３０から送出され、流路２３を流れる液体ＬＱのＴＯＣ値を計測可能である。換言すれば、ＴＯＣ計５０とＴＯＣ計８０とは、同一の計測対象物（液体ＬＱ）を計測可能である。

　なお、液体供給装置５０１は、流路４４Ｒの先端の開口４４Ｋを開閉可能な開閉機構を備えている。ＴＯＣ計８０が接続部９０から外されている場合、開口４４Ｋは、開閉機構によって閉じられる。

　第２～第４の液体供給装置５０２～５０４は、第１の液体供給装置５０１と同等の構成である。すなわち、複数の液体供給装置５０１～５０４のそれぞれには、調整装置３０と、ＴＯＣ計５０と、接続部９０とがそれぞれ配置されている。第２～第４の液体供給装置５０２～５０４の説明は省略する。

　本実施形態において、ＴＯＣ計８０は、デバイス製造システムＳＹＳにおいて１つ配置される。ＴＯＣ計８０は、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれで使用可能である。ＴＯＣ計８０は、複数の液体供給装置５０１～５０４（複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４）のそれぞれに搬送可能である。ＴＯＣ計８０は、例えば搬送装置によって搬送されてもよいし、オペレータによって搬送されてもよい。

　以下の説明において、ＴＯＣ計８０を適宜、基準ＴＯＣ計８０、と称する。

　基準ＴＯＣ計８０は、液体供給装置５０１に搬送され、その液体供給装置５０１の接続部９０に接続された場合、露光装置ＥＸ１の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を計測可能である。また、基準ＴＯＣ計８０は、液体供給装置５０２に搬送され、その液体供給装置５０２の接続部９０に接続された場合、露光装置ＥＸ２の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を計測可能である。また、基準ＴＯＣ計８０は、液体供給装置５０３に搬送され、その液体供給装置５０３の接続部９０に接続された場合、露光装置ＥＸ３の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を計測可能である。また、基準ＴＯＣ計８０は、液体供給装置５０４に搬送され、その液体供給装置５０４の接続部９０に接続された場合、露光装置ＥＸ４の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を計測可能である。すなわち、基準ＴＯＣ計８０は、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４それぞれの光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を計測可能である。

　本実施形態においては、基準ＴＯＣ計８０の計測結果を用いて、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれに配置されたＴＯＣ計５０それぞれのキャリブレーションが行われる。

　ＴＯＣ計５０のキャリブレーションを行う場合、基準ＴＯＣ計８０が複数の液体供給装置５０１～５０４（複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４）に順次搬送される。ホストコンピュータＭＥは、例えば搬送装置を用いて、基準ＴＯＣ計８０を、複数の液体供給装置５０１～５０４（複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４）に順次搬送し、その基準ＴＯＣ計８０を用いた計測処理を実行する。

　例えば、基準ＴＯＣ計８０が液体供給装置５０１に搬送され、その液体供給装置５０１の接続部９０に接続された後、ホストコンピュータＭＥは、液体供給装置５０１の調整装置３０から露光装置ＥＸ１の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を、液体供給装置５０１（露光装置Ｘ１）が有するＴＯＣ計５０、及び基準ＴＯＣ計８０のそれぞれを用いて計測する。液体供給装置５０１が有するＴＯＣ計５０の計測結果、及び基準ＴＯＣ計８０の計測結果は、ホストコンピュータＭＥに出力される。

　液体供給装置５０１（露光装置ＥＸ１）における基準ＴＯＣ計８０を用いる計測処理が終了した後、ホストコンピュータＭＥは、例えば搬送装置を用いて、基準ＴＯＣ計８０を、液体供給装置５０２（露光装置ＥＸ２）に搬送する。基準ＴＯＣ計８０が液体供給装置５０２に搬送され、その液体供給装置５０２の接続部９０に接続された後、ホストコンピュータＭＥは、液体供給装置５０２の調整装置３０から露光装置ＥＸ２の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を、液体供給装置５０２（露光装置Ｘ２）が有するＴＯＣ計５０、及び基準ＴＯＣ計８０のそれぞれを用いて計測する。液体供給装置５０２が有するＴＯＣ計５０の計測結果、及び基準ＴＯＣ計８０の計測結果は、ホストコンピュータＭＥに出力される。

　液体供給装置５０２（露光装置ＥＸ２）における基準ＴＯＣ計８０を用いる計測処理が終了した後、ホストコンピュータＭＥは、例えば搬送装置を用いて、基準ＴＯＣ計８０を、液体供給装置５０３（露光装置ＥＸ３）に搬送する。基準ＴＯＣ計８０が液体供給装置５０３に搬送され、その液体供給装置５０３の接続部９０に接続された後、ホストコンピュータＭＥは、液体供給装置５０３の調整装置３０から露光装置ＥＸ３の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を、液体供給装置５０３（露光装置Ｘ３）が有するＴＯＣ計５０、及び基準ＴＯＣ計８０のそれぞれを用いて計測する。液体供給装置５０３が有するＴＯＣ計５０の計測結果、及び基準ＴＯＣ計８０の計測結果は、ホストコンピュータＭＥに出力される。

　液体供給装置５０３（露光装置ＥＸ３）における基準ＴＯＣ計８０を用いる計測処理が終了した後、ホストコンピュータＭＥは、例えば搬送装置を用いて、基準ＴＯＣ計８０を、液体供給装置５０４（露光装置ＥＸ４）に搬送する。基準ＴＯＣ計８０が液体供給装置５０４に搬送され、その液体供給装置５０４の接続部９０に接続された後、ホストコンピュータＭＥは、液体供給装置５０４の調整装置３０から露光装置ＥＸ４の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を、液体供給装置５０４（露光装置Ｘ４）が有するＴＯＣ計５０、及び基準ＴＯＣ計８０のそれぞれを用いて計測する。液体供給装置５０４が有するＴＯＣ計５０の計測結果、及び基準ＴＯＣ計８０の計測結果は、ホストコンピュータＭＥに出力される。

　ホストコンピュータＭＥは、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を計測した基準ＴＯＣ計８０の計測結果を用いて、複数の液体供給装置５０１～５０４（複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４）のそれぞれに配置されたＴＯＣ計５０をキャリブレーションする。

　例えば、ホストコンピュータＭＥは、基準ＴＯＣ計８０の計測結果と、露光装置ＥＸ１のＴＯＣ計５０の計測結果とを比較する。ホストコンピュータＭＥは、その比較の結果に基づいて、露光装置ＥＸ１のＴＯＣ計５０の調整（補正）を実行するか否かを判断する。例えば、ホストコンピュータＭＥは、その比較の結果に基づいて、露光装置ＥＸ１のＴＯＣ計５０（ＴＯＣ計５０の計測結果）が異常であると判断した場合、そのＴＯＣ計５０の調整（補正）を実行する。一方、ホストコンピュータＭＥは、その比較の結果に基づいて、露光装置ＥＸ１のＴＯＣ計５０（ＴＯＣ計５０の計測結果）が正常であると判断した場合、そのＴＯＣ計５０の調整（補正）を実行しない。

　同様に、ホストコンピュータＭＥは、基準ＴＯＣ計８０の計測結果と、露光装置ＥＸ２のＴＯＣ計５０の計測結果とを比較し、その比較の結果に基づいて、露光装置ＥＸ２のＴＯＣ計５０の調整（補正）を実行するか否かを判断し、必要に応じて、そのＴＯＣ計５０の調整（補正）を実行する。同様に、ホストコンピュータＭＥは、基準ＴＯＣ計８０の計測結果と、露光装置ＥＸ３（ＥＸ４）のＴＯＣ計５０の計測結果とを比較し、その比較の結果に基づいて、露光装置ＥＸ３（ＥＸ４）のＴＯＣ計５０の調整（補正）を実行するか否かを判断し、必要に応じて、そのＴＯＣ計５０の調整（補正）を実行する。

　すなわち、本実施形態において、ＴＯＣ計５０のキャリブレーションは、基準ＴＯＣ計８０の計測結果とＴＯＣ計５０の計測結果とを比較することと、その比較の結果に基づいてＴＯＣ計５０の調整（補正）を実行するか否かを判断することとを含む。また、本実施形態において、ＴＯＣ計５０のキャリブレーションは、比較の結果に基づいてＴＯＣ計５０が異常であると判断された場合、そのＴＯＣ計５０の調整（補正）を実行することを含む。また、本実施形態において、ＴＯＣ計５０のキャリブレーションは、比較の結果に基づいてＴＯＣ計５０が正常であると判断された場合、そのＴＯＣ計５０の調整（補正）を実行しないことを含む。

　以上の処理により、複数の液体供給装置５０１～５０４（複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４）のそれぞれに配置されたＴＯＣ計５０の計測結果を整合させることができる。

　複数の液体供給装置５０１～５０４（複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４）のそれぞれに配置されたＴＯＣ計５０をキャリブレーションした後、ホストコンピュータＭＥは、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれにおいて、液体ＬＱを介して基板Ｐを露光する露光処理を実行する。複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４それぞれの光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値は、キャリブレーションされたＴＯＣ計５０で計測される。これにより、光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値は、ＴＯＣ計５０によって良好に計測される。ホストコンピュータＭＥは、ＴＯＣ計５０をキャリブレーションすることによって、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４それぞれのパターン形成状態の管理をすることができる。

　また、キャリブレーションされた露光装置ＥＸ１のＴＯＣ計５０の計測結果に基づいて、露光装置ＥＸ１の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値の調整が行われてもよい。露光装置ＥＸ１の調整装置３０は、キャリブレーションされた露光装置ＥＸ１のＴＯＣ計５０の計測結果に基づいて、液体ＬＱのＴＯＣ値の調整を良好に行うことができる。また、キャリブレーションされた露光装置ＥＸ２のＴＯＣ計５０の計測結果に基づいて、露光装置ＥＸ２の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値の調整が行われてもよいし、キャリブレーションされた露光装置ＥＸ３のＴＯＣ計５０の計測結果に基づいて、露光装置ＥＸ３の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値の調整が行われてもよいし、キャリブレーションされた露光装置ＥＸ４のＴＯＣ計５０の計測結果に基づいて、露光装置ＥＸ４の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値の調整が行われてもよい。なお、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のうち少なくとも一つの露光装置において液体ＬＱのＴＯＣ値の調整が行われなくてもよい。

　基板Ｐの露光において、ホストコンピュータＭＥは、第１の露光装置ＥＸ１における基板Ｐの露光処理（液浸露光処理）を実行する。第１の露光装置ＥＸ１における基板Ｐに対する露光処理が実行された後、ホストコンピュータＭＥは、その露光処理が実行された基板Ｐに対して、現像処理及びエッチング処理等を含む後処理を実行する。基板Ｐに対する後処理が実行された後、ホストコンピュータＭＥは、その後処理が実行された基板Ｐに対して、感光材の塗布処理等を含む前処理を実行する。基板Ｐに対する前処理が実行された後、ホストコンピュータＭＥは、その前処理が実行された基板Ｐに対して、第２の露光装置ＥＸ２における露光処理を実行する。第２の露光装置ＥＸ２における基板Ｐに対する露光処理が実行された後、ホストコンピュータＭＥは、その露光処理が実行された基板Ｐに対して、上述の後処理及び前処理を実行する。ホストコンピュータＭＥは、その基板Ｐに対して、第３の露光装置ＥＸ３における露光処理を実行する。第３の露光装置ＥＸ３における基板Ｐに対する露光処理が実行された後、ホストコンピュータＭＥは、その露光処理が実行された基板Ｐに対して、上述の後処理及び前処理を実行する。ホストコンピュータＭＥは、その基板Ｐに対して、第４の露光装置ＥＸ４における露光処理を実行する。第４の露光装置ＥＸ４における基板Ｐに対する露光処理が実行された後、ホストコンピュータＭＥは、その露光処理が実行された基板Ｐに対して、上述の後処理等を実行する。

　本実施形態においては、第１～第４の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれにおける露光処理において、キャリブレーションされたＴＯＣ計５０を用いて液体ＬＱのＴＯＣ値が計測され、その計測結果に基づいて、第１～第４の液体供給装置５０１～５０４のそれぞれが有する調整装置３０が液体ＬＱのＴＯＣ値を調整するので、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４を用いて基板Ｐを露光する場合において、基板Ｐに所望のパターンを形成することができる。

　本実施形態においては、ホストコンピュータＭＥは、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４の少なくとも一つの光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整することによって、それら複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれにおけるパターンの形成状態をマッチングさせる。例えば、ホストコンピュータＭＥは、露光装置ＥＸ１の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ計、及び露光装置ＥＸ２の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値の少なくとも一方を調整することによって、露光装置ＥＸ１におけるパターンの形成状態と露光装置ＥＸ２におけるパターンの形成状態とをマッチングさせる。なお、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４におけるパターン形成状態をマッチングさせるために、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４の全ての光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整してもよいし、一部の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を調整してもよい。

　本実施形態においても、露光装置ＥＸ１におけるパターンの形成状態の調整は、露光装置ＥＸ１の光学的な近接効果特性の調整を含む。同様に、露光装置ＥＸ２～ＥＸ４のそれぞれにおけるパターンの形成状態の調整は、それら露光装置ＥＸ２～ＥＸ４それぞれの光学的な近接効果特性の調整を含む。複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４それぞれにおけるパターンの形成状態のマッチングは、それら露光装置ＥＸ１～ＥＸ４それぞれの光学的な近接効果特性のマッチングを含む。例えば、露光装置ＥＸ１におけるパターンの形成状態と露光装置ＥＸ２におけるパターンの形成状態とのマッチングは、露光装置ＥＸ１の光学的な近接効果特性と露光装置ＥＸ２の光学的な近接効果特性とのマッチングを含む。ホストコンピュータＭＥは、露光装置ＥＸ１の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ計、及び露光装置ＥＸ２の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値の少なくとも一方を調整することによって、露光装置ＥＸ１の光学的な近接効果特性と露光装置ＥＸ２の光学的な近接効果特性とをマッチングさせる。

　このように、本実施形態においては、ホストコンピュータＭＥは、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれのパターン形成状態を管理することができ、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４それぞれの光学的な近接効果特性を管理することができる。

　なお、本実施形態においては、露光装置ＥＸ１における露光処理と露光装置ＥＸ２における露光処理との間に後処理及び前処理を実行することとしたが、例えば、露光装置ＥＸ１において露光処理された基板Ｐに対して、後処理及び前処理を実行することなく、露光装置ＥＸ２において露光処理を実行してもよい。すなわち、第１の露光装置ＥＸ１と第２の露光装置ＥＸ２とを用いて二重露光（ダブルパターニング）が実行されてもよい。二重露光が実行された後、現像処理及びエッチング処理等を含む後処理が実行されてもよい。同様に、露光装置ＥＸ２において露光処理された基板Ｐに対して、後処理及び前処理を実行することなく、露光装置ＥＸ３において露光処理を実行してもよいし、露光装置ＥＸ３において露光処理された基板Ｐに対して、後処理及び前処理を実行することなく、露光装置ＥＸ４において露光処理を実行してもよい。

　なお、本実施形態においては、ＴＯＣ計５０は、露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれに設けられていることとしたが、露光装置ＥＸ１～ＥＸ４の少なくとも一つに対する外部装置でもよい。露光装置ＥＸ１～ＥＸ４の光路Ｋに供給される液体ＬＱのＴＯＣ値を常時計測可能な位置に配置されていれば、露光装置ＥＸ１～ＥＸ４の少なくとも一つがＴＯＣ計５０を備えていなくてもよい。

　なお、本実施形態においては、複数の液体供給装置５０１～５０４のそれぞれが有するＴＯＣ計５０を、基準ＴＯＣ計８０を用いてキャリブレーションすることとしたが、例えば複数の液体供給装置５０１～５０４のそれぞれがガス濃度計１５０を有する場合、基準ガス濃度計の計測結果を用いて、それら複数のガス濃度計１５０をキャリブレーションしてもよい。なお、基準ＴＯＣ計８０と同様、基準ガス濃度計は、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれで使用可能であり、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４それぞれの光路Ｋに供給される液体ＬＱのガス濃度を計測可能である。また、キャリブレーションされた露光装置ＥＸ１～ＥＸ４が有するガス濃度計１５０の計測結果に基づいて、その露光装置ＥＸ１～ＥＸ４の光路Ｋに供給される液体ＬＱのガス濃度が調整されてもよい。また、露光装置ＥＸ１～ＥＸ４の光路Ｋに供給される液体ＬＱのガス濃度を調整して、それら露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のそれぞれにおけるパターンの形成状態がマッチングされてもよい。

　なお、上述の第１～第３実施形態においては、調整装置３０（３０Ｂ）を用いて露光光ＥＬに対する液体ＬＱの特性（例えば透過率等を含む光学特性）を調整した後、その調整された液体ＬＱを供給口２１に供給することとしたが、例えば、光路Ｋに液体を供給可能な供給口が複数存在する場合、その複数の供給口のうち、第１供給口からＴＯＣ値が十分に低減された第１液体（例えば超純水）を光路Ｋに供給し、第２供給口から所定のＴＯＣ値を有する第２液体（有機物を含む液体）を光路Ｋに供給するようにしてもよい。第１供給口からの第１液体の単位時間当たりの供給量、及び第２供給口からの第２液体の単位時間当たりの供給量の少なくとも一方を調整することによって、光路Ｋにおいて所望のＴＯＣ値を有する液体ＬＱを生成することができる。

　なお、上述したように、制御装置７（ホストコンピュータＭＥ）は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置７（ホストコンピュータＭＥ）は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置８は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ－ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置８には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。また、ホストコンピュータＭＥにも、記憶システムが接続されている。

　なお、制御装置７（ホストコンピュータＭＥ）に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。

　記憶装置８（記録システム）に記録されているプログラムを含む各種情報は、コンピュータシステムを含む制御装置７（ホストコンピュータＭＥ）が読み取り可能である。記憶装置８（記録システム）には、制御装置７（ホストコンピュータＭＥ）に、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。

　記憶装置８に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置７に、液体ＬＱの全有機炭素濃度を調整する処理と、全有機炭素濃度が調整された液体ＬＱを、射出面１０から射出される露光光ＥＬの光路Ｋに供給する処理と、を実行させてもよい。

　また、記憶装置８に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置７に、露光光ＥＬに対する液体ＬＱの透過率を調整可能な、液体ＬＱの所定物質濃度を調整する処理と、所定物質濃度が調整された液体ＬＱを、射出面１０から射出される露光光ＥＬの光路Ｋに供給する処理と、を実行させてもよい。

　また、記憶装置８（記録システム）に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置７（ホストコンピュータＭＥ）に、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のうち、例えば第１の露光装置ＥＸ１の露光光ＥＬの光路Ｋに供給される液体ＬＱの全有機炭素濃度を基準ＴＯＣ計８０を用いて計測する処理と、第２の露光装置ＥＸ２の露光光ＥＬの光路Ｋに供給される液体ＬＱの全有機炭素濃度を基準ＴＯＣ計８０を用いて計測する処理と、基準ＴＯＣ計８０の計測結果を用いて、第１の露光装置ＥＸ１の光路Ｋに供給される液体ＬＱの全有機炭素濃度を計測可能なＴＯＣ計５０と、第２の露光装置ＥＸ２の光路Ｋに供給される液体ＬＱの全有機炭素濃度を計測可能なＴＯＣ計５０とをキャリブレーションする処理と、を実行させてもよい。

　また、記憶装置８（記録システム）に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置７（ホストコンピュータＭＥ）に、複数の露光装置ＥＸ１～ＥＸ４のうち、例えば第１の露光装置ＥＸ１の露光光ＥＬの光路Ｋに供給される液体ＬＱの露光光ＥＬに対する透過率を調整可能な所定物質濃度を基準ＴＯＣ計８０（又は基準ガス濃度計）等の基準計測装置を用いて計測する処理と、第２の露光装置ＥＸの露光光ＥＬの光路Ｋに供給される液体ＬＱの露光光ＥＬに対する透過率を調整可能な所定物質濃度を基準計測装置を用いて計測する処理と、基準計測装置の計測結果を用いて、第１の露光装置ＥＸ１の光路Ｋに供給される液体ＬＱの所定物質濃度を計測可能なＴＯＣ計５０（又はガス濃度計１５０）等の第１計測装置と、第２の露光装置ＥＸ２の光路Ｋに供給される液体ＬＱの所定物質濃度を計測可能な第２計測装置とをキャリブレーションする処理と、を実行させてもよい。

　記憶装置８に記憶されているプログラムが制御装置７（ホストコンピュータＭＥ）に読み込まれることにより、基板ステージ２Ｐ、計測ステージ２Ｃ、液浸部材４、液体供給装置５、及び調整装置３０（３０Ｂ）等、デバイス製造システムＳＹＳの各種の装置が協働して、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。

　なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１１の射出側（像面側）の光路Ｋが液体ＬＱで満たされているが、投影光学系ＰＬが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号に開示されているような、終端光学素子１１の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系でもよい。

　なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱが水であることとしたが、水以外の液体でもよい。液体ＬＱは、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）等の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱが、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等のフッ素系液体でもよい。また、液体ＬＱが、種々の流体、例えば、超臨界流体でもよい。

　なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐが、半導体デバイス製造用の半導体ウエハを含むこととしたが、例えばディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等を含んでもよい。

　なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）であることとしたが、例えばマスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）でもよい。

　また、露光装置ＥＸが、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光する露光装置（スティッチ方式の一括露光装置）でもよい。また、スティッチ方式の露光装置が、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置でもよい。

　また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６６１１３１６号に開示されているような、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置でもよい。また、露光装置ＥＸが、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナー等でもよい。

　なお、露光装置ＥＸは、計測ステージ２Ｃを備えていなくてもよい。

　また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６３４１００７号、米国特許第６２０８４０７号、及び米国特許第６２６２７９６号等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、露光装置ＥＸが２つの基板ステージを備えている場合、射出面１０と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの基板保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージの基板保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。

　また、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。

　露光装置ＥＸが、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置でもよいし、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置でもよいし、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置でもよい。

　なお、上述の各実施形態においては、干渉計システム１６を用いて各ステージの位置情報を計測することとしたが、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよいし、干渉計システムとエンコーダシステムを併用してもよい。

　なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号に開示されているような、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしてもよい。

　上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが投影光学系ＰＬを備えることとしたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射する露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。

　また、露光装置ＥＸが、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号に開示されているような、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）でもよい。

　上述の実施形態の露光装置ＥＸは、上述の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

　半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１０に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

　なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

　４…液浸部材、５…液体供給装置、７…制御装置、８…記憶装置、１０…射出面、１１…終端光学素子、２１…供給口、３０…調整装置、５０…ＴＯＣ計、７０…空間像計測システム、８０…基準ＴＯＣ計、１５０…ガス濃度計、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明系、Ｋ…光路、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、ＭＥ…ホストコンピュータ、Ｐ…基板、ＳＹＳ…デバイス製造システム

Claims

　光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置であって、
　前記射出面から射出される前記露光光の光路に液体を供給可能な供給口と、
　前記供給口を介して前記光路に供給される液体の前記露光光に対する透過率を調整して、光学的な近接効果特性を調整する調整装置と、を備える露光装置。
　前記光学部材及び前記液体を介してパターンの像が物体に投影され、
　前記光学的な近接効果特性の調整は、前記物体に形成されるパターンの近接効果特性の疑似的な調整を含む請求項１に記載の露光装置。
　前記光学的な近接効果特性の調整により、前記物体に形成されるパターンの形成状態が調整される請求項２に記載の露光装置。
　前記調整装置は、前記供給口を介して前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度を調整して、前記透過率を調整する請求項１に記載の露光装置。
　前記調整装置は、前記供給口を介して前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度を調整して、前記透過率を調整する請求項２又は３に記載の露光装置。
　前記光路に供給される前記液体の全有機炭素濃度を計測する第１計測装置を備え、
　前記調整装置は、前記第１計測装置の計測結果に基づいて、前記液体の全有機炭素濃度を調整する請求項５に記載の露光装置。
　前記液体の全有機炭素濃度と前記パターンの形成状態との関係を記憶する記憶装置を備え、
　前記調整装置は、前記第１計測装置の計測結果と、前記記憶装置の記憶情報とに基づいて、前記液体の全有機炭素濃度を調整する請求項６に記載の露光装置。
　前記パターンの形成状態を計測する第２計測装置を備え、
　前記調整装置は、前記第２計測装置の計測結果に基づいて、前記液体の全有機炭素濃度を調整する請求項５に記載の露光装置。
　前記調整装置は、前記供給口を介して前記光路に供給される液体のガス濃度を調整して、前記透過率を調整する請求項１～８のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記調整装置は、前記供給口を介して前記光路に供給される液体のガス濃度を調整して、前記透過率を調整する請求項２又は３に記載の露光装置。
　前記光路に供給される前記液体のガス濃度を計測する第３計測装置を備え、
　前記調整装置は、前記第３計測装置の計測結果に基づいて、前記液体のガス濃度を調整する請求項１０に記載の露光装置。
　前記液体のガス濃度と前記パターンの形成状態との関係を記憶する記憶装置を備え、
　前記調整装置は、前記第３計測装置の計測結果と、前記記憶装置の記憶情報とに基づいて、前記液体のガス濃度を調整する請求項１１に記載の露光装置。
　前記パターンの形成状態を計測する第４計測装置を備え、
　前記調整装置は、前記第４計測装置の計測結果に基づいて、前記液体のガス濃度を調整する請求項１０に記載の露光装置。
　請求項１～１３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
　露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
　光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置に使用される液体供給装置であって、
　前記射出面から射出される前記露光光の光路に液体を供給可能な供給口と、
　前記供給口を介して前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度を調整する調整装置と、を備える液体供給装置。
　前記露光装置において、前記光学部材及び前記液体を介してパターンの像が物体に投影され、
　前記液体の全有機炭素濃度の調整により、前記物体に形成されるパターンの形成状態が調整される請求項１５記載の液体供給装置。
　前記パターンの形成状態の調整は、前記露光装置の光学的な近接効果特性の調整を含む請求項１６記載の液体供給装置。
　前記光路に供給される前記液体の全有機炭素濃度を計測する第１計測装置を備え、
　前記調整装置は、前記第１計測装置の計測結果に基づいて、前記液体の全有機炭素濃度を調整する請求項１６又は１７記載の液体供給装置。
　前記液体の全有機炭素濃度と前記パターンの形成状態との関係を記憶する記憶装置を備え、
　前記調整装置は、前記第１計測装置の計測結果と、前記記憶装置の記憶情報とに基づいて、前記液体の全有機炭素濃度を調整する請求項１８記載の液体供給装置。
　前記露光装置は、前記パターンの形成状態を計測する第２計測装置を備え、
　前記調整装置は、前記第２計測装置の計測結果に基づいて、前記液体の全有機炭素濃度を調整する請求項１６～１９のいずれか一項記載の液体供給装置。
　前記露光装置を含む複数の露光装置それぞれの露光光の光路に前記液体を供給可能であり、
　前記調整装置は、前記複数の露光装置の光路のそれぞれに供給される前記液体の全有機炭素濃度を調整可能である請求項１５～２０のいずれか一項記載の液体供給装置。
　光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置に使用される液体供給装置であって、
　前記射出面から射出される前記露光光の光路に液体を供給可能な供給口と、
　前記供給口を介して前記光路に供給される液体の前記露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を調整する調整装置と、を備える液体供給装置。
　前記露光装置において、前記光学部材及び前記液体を介してパターンの像が物体に投影され、
　前記液体の所定物質濃度の調整により、前記物体に形成されるパターンの形成状態が調整される請求項２２記載の液体供給装置。
　前記パターンの形成状態の調整は、前記露光装置の光学的な近接効果特性の調整を含む請求項２３記載の液体供給装置。
　前記所定物質濃度は、全有機炭素濃度を含む請求項２２～２４のいずれか一項記載の液体供給装置。
　露光光が射出される射出面を有する光学部材をそれぞれ有し、前記射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する複数の露光装置を管理する管理装置であって、
　前記複数の露光装置のそれぞれで使用可能であり、前記複数の露光装置それぞれの前記光路に供給される前記液体の所定物質濃度を計測する基準計測装置を備え、
　前記基準計測装置の計測結果を用いて、前記複数の露光装置のそれぞれに配置された、前記射出面から射出される前記露光光の光路に供給される液体の前記露光光に対する透過率を調整可能な前記所定物質濃度を計測する計測装置それぞれのキャリブレーションが行われる管理装置。
　前記所定物質濃度は、全有機炭素濃度を含む請求項２６記載の管理装置。
　液体を介して基板を露光する露光装置であって、
　請求項１５～２５のいずれか一項記載の液体供給装置を備える露光装置。
　液体を介して露光光で基板を露光する露光装置を複数有するデバイス製造システムであって、
　請求項２６又は２７記載の管理装置を用いて、前記複数の露光装置のそれぞれに配置された、前記露光光の光路に供給される液体の前記露光光に対する透過率を調整可能な前記所定物質濃度を計測する計測装置それぞれのキャリブレーションを行うデバイス製造システム。
　前記キャリブレーションを行うことによって、前記複数の露光装置それぞれのパターン形成状態を管理する請求項２９記載のデバイス製造システム。
　前記複数の露光装置のそれぞれのパターン形成状態の管理は、前記複数の露光装置それぞれの光学的な近接効果特性の管理を含む請求項３０記載のデバイス製造システム。
　請求項２８記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
　露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
　請求項２９～３２のいずれか一項記載のデバイス製造システムが有する複数の露光装置のうちの第１露光装置で基板を露光することと、
　前記第１露光装置で露光された前記基板を、前記複数の露光装置のうちの第２露光装置で露光することと、を含むデバイス製造方法。
　光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光方法であって、
　前記光路に供給される液体の前記露光光に対する透過率を調整することと、
　前記透過率の調整により光学的な近接効果特性を調整して、前記液体を介して前記基板を露光することと、を含む露光方法。
　前記光学部材及び前記液体を介してパターンの像が物体に投影され、
　前記光学的な近接効果特性の調整は、前記物体に形成されるパターンの近接効果特性の疑似的な調整を含む請求項３４に記載の露光方法。
　前記光学的な近接効果特性の調整により、前記物体に形成されるパターンの形成状態が調整される請求項３５に記載の露光方法。
　前記透過率の調整は、前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度の調整を含む請求項３４～３６のいずれか一項に記載の露光方法。
　前記透過率の調整は、前記光路に供給される液体のガス濃度の調整を含む請求項３４～３７のいずれか一項に記載の露光方法。
　請求項３４～３８のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
　露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
　光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置に使用される液体供給方法であって、
　液体の全有機炭素濃度を調整することと、
　前記全有機炭素濃度が調整された前記液体を、前記射出面から射出される前記露光光の光路に供給することと、を含む液体供給方法。
　前記露光装置において、前記光学部材及び前記液体を介してパターンの像が物体に投影され、
　前記液体の全有機炭素濃度の調整により、前記物体に形成されるパターンの形成状態を調整する請求項４０記載の液体供給方法。
　前記パターンの形成状態の調整は、前記露光装置の光学的な近接効果特性の調整を含む請求項４１記載の液体供給方法。
　前記光路に供給される前記液体の全有機炭素濃度を計測することをさらに含み、
　前記計測の結果に基づいて、前記液体の全有機炭素濃度を調整する請求項４０～４２のいずれか一項記載の液体供給方法。
　前記露光装置における前記パターンの形成状態を計測することをさらに含み、
　該計測の結果に基づいて、前記液体の全有機炭素濃度を調整する請求項４０～４３のいずれか一項記載の液体供給方法。
　光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置に使用される液体供給方法であって、
　前記露光光に対する前記液体の透過率を調整可能な、前記液体の所定物質濃度を調整することと、
　前記所定物質濃度が調整された前記液体を、前記射出面から射出される前記露光光の光路に供給することと、を含む液体供給方法。
　前記露光装置において、前記光学部材及び前記液体を介してパターンの像が物体に投影され、
　前記液体の前記所定物質濃度の調整により、前記物体に形成されるパターンの形成状態を調整する請求項４５記載の液体供給方法。
　前記パターンの形成状態の調整は、前記露光装置の光学的な近接効果特性の調整を含む請求項４５又は４６記載の液体供給方法。
　前記光路に供給される前記液体の所定物質濃度を計測することをさらに含み、
　前記計測の結果に基づいて、前記液体の所定物質濃度を調整する請求項４５～４７のいずれか一項記載の液体供給方法。
　前記露光装置における前記パターンの形成状態に基づいて、前記液体の所定物質濃度を調整する請求項４５～４８のいずれか一項記載の液体供給方法。
　液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
　請求項４０～４９のいずれか一項記載の液体供給方法を用いて前記露光光の光路に液体を供給することと、
　前記液体を介して前記基板を露光することと、を含む露光方法。
　光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第１露光装置と、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第２露光装置との管理方法であって、
　前記第１露光装置の前記露光光の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を基準計測装置を用いて計測することと、
　前記第２露光装置の前記露光光の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を前記基準計測装置を用いて計測することと、
　前記基準計測装置の計測結果を用いて、前記第１露光装置の前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度を計測可能な第１計測装置と、前記第２露光装置の前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度を計測可能な第２計測装置とをキャリブレーションすることと、を含む管理方法。
　前記第１露光装置及び前記第２露光装置の一方で露光された基板が他方で露光されるように、前記第１露光装置及び前記第２露光装置が用いられる請求項５１記載の管理方法。
　前記キャリブレーションされた前記第１計測装置の計測結果に基づく前記第１露光装置の前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度の調整、及び前記キャリブレーションされた前記第２計測装置の計測結果に基づく前記第２露光装置の前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度の調整の少なくとも一方を行うことをさらに含む請求項５１又は５２記載の管理方法。
　前記第１露光装置は、前記光学部材及び前記光路に供給された液体を介して物体にパターンの像を投影し、
　前記第２露光装置は、前記光学部材及び前記光路に供給された液体を介して物体にパターンの像を投影し、
　前記第１露光装置の前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度、及び前記第２露光装置の前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度の少なくとも一方を調整することによって、前記第１露光装置におけるパターンの形成状態と前記第２露光装置におけるパターンの形成状態とをマッチングする請求項５１～５３のいずれか一項記載の管理方法。
　前記第１露光装置におけるパターンの形成状態と前記第２露光装置におけるパターンの形成状態とのマッチングは、前記第１露光装置の光学的な近接効果特性と前記第２露光装置の光学的な近接効果特性とのマッチングを含む請求項５４記載の管理方法。
　光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第１露光装置と、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第２露光装置との管理方法であって、
　前記第１露光装置の前記露光光の光路に供給される液体の前記露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を基準計測装置を用いて計測することと、
　前記第２露光装置の前記露光光の光路に供給される液体の前記露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を前記基準計測装置を用いて計測することと、
　前記基準計測装置の計測結果を用いて、前記第１露光装置の前記光路に供給される液体の所定物質濃度を計測可能な第１計測装置と、前記第２露光装置の前記光路に供給される液体の所定物質濃度を計測可能な第２計測装置とをキャリブレーションすることと、を含む管理方法。
　前記第１露光装置及び前記第２露光装置の一方で露光された基板が他方で露光されるように、前記第１露光装置及び前記第２露光装置が用いられる請求項５６記載の管理方法。
　前記キャリブレーションされた前記第１計測装置の計測結果に基づく前記第１露光装置の前記光路に供給される液体の前記所定物質濃度の調整、及び前記キャリブレーションされた前記第２計測装置の計測結果に基づく前記第２露光装置の前記光路に供給される液体の前記所定物質濃度の調整の少なくとも一方を行うことをさらに含む請求項５６又は５７記載の管理方法。
　前記第１露光装置は、前記光学部材及び前記光路に供給された液体を介して物体にパターンの像を投影し、
　前記第２露光装置は、前記光学部材及び前記光路に供給された液体を介して物体にパターンの像を投影し、
　前記第１露光装置の前記光路に供給される液体の所定物質濃度、及び前記第２露光装置の前記光路に供給される液体の所定物質濃度の少なくとも一方を調整することによって、前記第１露光装置におけるパターンの形成状態と前記第２露光装置におけるパターンの形成状態とをマッチングする請求項５６～５８のいずれか一項記載の管理方法。
　前記第１露光装置におけるパターンの形成状態と前記第２露光装置におけるパターンの形成状態とのマッチングは、前記第１露光装置の光学的な近接効果特性と前記第２露光装置の光学的な近接効果特性とのマッチングを含む請求項５９記載の管理方法。
　請求項５０記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
　露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
　請求項５１～６１のいずれか一項記載の管理方法で管理される前記第１露光装置で基板を露光することと、
　前記第１露光装置で露光された前記基板を前記第２露光装置で露光することと、
　を含むデバイス製造方法。
　コンピュータに、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
　液体の全有機炭素濃度を調整することと、
　前記全有機炭素濃度が調整された前記液体を、前記射出面から射出される前記露光光の光路に供給することと、を実行させるプログラム。
　コンピュータに、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
　前記露光光に対する前記液体の透過率を調整可能な、前記液体の所定物質濃度を調整することと、
　前記所定物質濃度が調整された前記液体を、前記射出面から射出される前記露光光の光路に供給することと、を実行させるプログラム。
　コンピュータに、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第１露光装置と、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第２露光装置との管理を実行させるプログラムであって、
　前記第１露光装置の前記露光光の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を基準計測装置を用いて計測することと、
　前記第２露光装置の前記露光光の光路に供給される液体の全有機炭素濃度を前記基準計測装置を用いて計測することと、
　前記基準計測装置の計測結果を用いて、前記第１露光装置の前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度を計測可能な第１計測装置と、前記第２露光装置の前記光路に供給される液体の全有機炭素濃度を計測可能な第２計測装置とをキャリブレーションすることと、を実行させるプログラム。
　コンピュータに、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第１露光装置と、光学部材の射出面から射出される露光光で液体を介して基板を露光する第２露光装置との管理を実行させるプログラムであって、
　前記第１露光装置の前記露光光の光路に供給される液体の前記露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を基準計測装置を用いて計測することと、
　前記第２露光装置の前記露光光の光路に供給される液体の前記露光光に対する透過率を調整可能な所定物質濃度を前記基準計測装置を用いて計測することと、
　前記基準計測装置の計測結果を用いて、前記第１露光装置の前記光路に供給される液体の所定物質濃度を計測可能な第１計測装置と、前記第２露光装置の前記光路に供給される液体の所定物質濃度を計測可能な第２計測装置とをキャリブレーションすることと、を実行させるプログラム。
　請求項５３～５６のいずれか一項記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。