TW201227178A - Liquid supply apparatus, liquid supply method, management apparatus, management method, exposure apparatus, exposure method, device fabricating system, device fabricating method, program and recording medium - Google Patents

Description

201227178 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於液體供應裝置、液體供應方法、管理裝 置、管理方法、曝光裝置、曝光方法、元件製造系統、元 件製造方法、程式及記錄媒體。 本申請案主張2010年11月2日提出之美國專利暫時 申請案61/409,222號之優先權’並將其内容援用於此。 【先前技術】 於半導體元件、電子元件等微元件之製程中，係使用 例如下述專利文獻所揭示之透過液體以曝光用光使基板曝 光之液浸曝光裝置。 先行技術文獻 [專利文獻1]美國專利公開第2007/ 0252960號 【發明内容】 於液浸曝光裝置，有例如視液體之特性，對基板之曝 光用光之照射條件產生變化之可能性。無法獲得所欲之照 射條件時，即有例如無法於基板形成所欲圖案而產生不良 元件之可能。 本發明態樣之目的，在提供一種能抑制不良元件產生 之液體供應裝置、液體供應方法、管理裝置、管理方法、 曝光裝置、曝光方法、元件製造系統、元件製造方法、程 式及記錄媒體。 201227178 用以解決課題之手段 "^發'日月楚 1 At 之射出 也樣提供一種曝光裝置，係以從光學構件 址 射出之曝光用光透過液體使基板曝光，其具備·· 可將液體供應至從射出面射出之曝光用光之光 ’以及凋整裝置，係調整透過供應口供應至光路之 對曝光用井3•.泰•方， ^ 透射率，以調整光學近接效果特性。 "“與务月第2態樣提供一種液體供應裝置，係使用於以 2先學構件之射出面射出之曝光用光透過液體使基板曝光 之曝光裝置，具備：供應口，可將液體供應至從射出面射 出之曝光用光之光路；以及調整裝置，係調整透過供應口 供應至光路之液體之總有機碳濃度。 " ,本發明帛3態樣提供一種液體供應裝i，係使用於以 從光學構件之射出面射出之曝光用光透過液體使基板曝光 之曝光裝置，具備：供應口，可將液體供應至從射出面射 出之曝光用光之光路；以及調整裝置，係調整既定物質遭 度’此既定物質濃度可調整透過供應口供應至光路之液體 對曝光用光之透射率。 "本發明第4態樣提供-種管理裝置，係管理複數個曝 光裝置，此等複數個曝*裝置分別具有具曝光用*射出之 射出面的光學構件，以從該射出面射出之曝光用光透過液 體使基板曝光：其具備可使用於複數個曝光裝置之各個， 用以測量供應至複數個曝光裝置各個之光路之液體中既定 物質濃度的基準測量裝置；使用基準測量裝置之測量結 果，進行配置在複數個曝光裝置各個之測量裝置各個的校 201227178 準（calibration)，此測量裝置係測量可調整供應至從射出面 射出之曝光用光之光路中之液體對曝光用光之透射率的既 定物質濃度。 本發明第5態樣提供一種曝光裝置，係透過液體使基 板曝光’具備：上述態樣之液體供應裝置。 本發明第6態樣提供一種元件製造系統，具有複數個 透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置：其使用上漲 態樣之管理裝置’進行配置在複數個曝光裝置各個之測量 裝置各個的校準，此測量裝置係測量可調整供應至從射出 面射出之曝光用光之光路中之液體對曝光用光之透射率的 既定物質濃度。 本發明第7態樣提供一種元件製造方法’包含：使用 .上述遙樣之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之 基板顯影的動作。 本發明第8態樣提供一種元件製造方法，包含：以上 述態樣之件製造系統所具有之複數個曝光裝置中之第1 曝光裝置使基板曝光的動作；以及將以第1曝光裝置曝光 後之基板’以複數個曝光裴置中之第2曝光裝置加以曝光 的動作。 本七明第9態樣提供一種曝光方法，係以從光學構利 之射出面射出之曝光用光透過液體使基板曝光，包含：額 ’V«至光路之液體對曝光用光之透射率的動作；以及箱 由透射率之調整調U學近接效果特性，透過液體使基相 曝光的動作。 201227178 從光樣提供—種液體供應方法，係使用於以 :構件之射出面射出之曝光用光透過 之曝光裝置，句合.难杜 "J' ^ rt ^ ^ °周整液體之總有機碳濃度的動作；以 田：有機奴濃度經調整之液體供應至從射出面射出之曝 光用光之光路的動作。 發明第11態樣提供-種液體供應方法，係使用於以 光予構件之射出面射出之曝光用光透過液 :曝光“，包含；調整液體之既定物質濃度的動作：： 疋物質農度可调整液體對曝光用光之透射率；以及將既定 物質淚度經調整之液體，供應至從射出面射出之曝光用光 之光路的動作。 "本發明第12態樣提供—種曝.光方法，係透過液體以曝 光用光使基板曝光，包含：使用上述態樣之液體供應方法 將液體供應至曝光用光之光路的動作；以及透過液體使基 板曝光的動作。 本發明第i3態樣提供一種管理方法，係管理以從光學 構件之射出面射ώ之曝光用光透職體使基板^之第】 曝光裝置、以及以從光學構件之射出面射出之曝光用光透 過液體使基板曝光之第2曝光，其包含：使用基㈣ 罝裝置測量供應至帛1曝光裝置之曝光用光光路之液體之 總有機碳濃度的動作；使用該基準測量裝置測量供應至第2 曝光裝置之曝光用光光路之液體之總有機碳濃度的動作； 以及使用基準測量裝置之測量結果，校準可測量供應至第五 曝光裝置之光路之液體之總有機碳濃度的第丨測量裝置、

S 201227178 供應至第2曝光裝置之光路之液體之總有機碳濃 度的第2測量裝置的動作。 本發明第14態樣提供_種f理方法，係、管理以從光學 構件之射出面射出之曝光用光透過液體使基板曝光之第i 曝光袭置、以及以從光學構件之射出面射出之曝光用光透 過液體使基板曝光之第2暾 ^ ^ 弟曝先裝置’其包含：使用基準測 里裝置測量可調整供應至第1曝光裝置之曝光用光光路之 液體對曝光用光之透射率之既定物質濃度的動作；使用該 基準測量裝置測量可調整供應至帛2曝光裝置之曝光用光 光路之液體對曝光用光之透射率之既定物質濃度的動作； 以及使用基準測量裝置之測量結果，校準可測量供應至第i 曝光裝置之光路之液體之既杨質濃度的帛！測量裝置、 以及可測量供應至第2I a# ® , 弟2曝先裝置之光路之液體之既定物質 濃度的第2測量裝置的動作。 本發明第15態樣提供一種元件製造方法，包含：使用 上述態樣 < 曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之 基板顯影的動作。 本發明帛16態樣提供一種元件冑造方&，包含：以使 用上述態樣之管理方法管理之第1曝光裝置使基板曝光的 動作；以及將以第i曝光裝置曝光後之基板以f 2曝光裝 置加以曝光的動作。 本發明第1 7態樣提供一種程式，係使電腦實施曝光裝 置之控制，該曝光裝置以從光學構件射出面射出之曝光用 光透過液體使基板曝光，其實施：調整液體之總有機碳濃 9 201227178 度的動作；以及將總有機碳濃度經調整之液體供應至從射 出面射出之曝光用光之光路的動作。 本發明第18態樣提供一種程式，係使電腦實施曝光裝 置之控制，該曝光裝置以從光學構件射出面射出之曝光用 光透過液體使基板曝光，其實施：調整液體之既定物質濃 度的動作，既定物質濃度可調整液體對曝光用光之透射 率，以及將既定物質濃度經調整之液體供應至從射出面射 出之曝光用光之光路的動作。 本發明第19態樣提供一種程式，係使電腦實施第1與 第2曝光裝置之管理，第i曝光裝置以從光學構件射出面 射出之曝光用光透過液體使基板曝光，第2曝光裝置亦以 從光學構件射出，面射出之.曝光·.用咣透過液體使基板曝光， :實施.使用基準測量裝置測量供應至第1曝光裝置之曝 2用光之光路中液體之總有機碳濃度的動作；使用基準測 量裝置測量供應至帛2曝光裝置之曝光用光之光路中液體 之總有機碳濃度的動作；以及使用基準測量裝置之測量結 果’ ”準可測量供應至帛i曝光裝置之光路中之液體之總 有枝％濃度的帛1測量裝置、與可測量供應至第2曝光裝 置之光路中之液體之總有機碳濃度的第2測量裝置的動作。 本發明第20態樣提供一種程式，係使電腦實施第！與 第曝光裝置之管理，第1曝光裝置以從光學構件射出面 射出之曝光用光透過液體使基板曝光，第2曝光裝置亦以 學構件射出面射丨之曝光用光透過液體使基板曝光， 其實施：使用基準測量裝置測量可調整供應至帛i曝光裝 201227178 ::曝光用光光路中之液體對曝光用光之透射率之既定物 一的動作，使用基準測量裝置測量可調整供應至第2 曝光4置之曝光用《光路令之液體對曝光用光之透射率之 既定物質濃度的動作η吏用基準測量裝置之測量結果，校 準可測置供應至第1曝光裝置之光路之液體之既定物質濃 度的第1測量裝置、與渴測量供應至第2曝光裝置之光路 之液體之既定物質濃度的第2測量裝置的動作。 本發明第2 1態樣提供一種電腦可讀取之記錄媒體，其 記錄有上述態樣之程式。 根據本發明之各態樣，可抑制不良元件之產生。 【實施方式】 以下，參照圖式說明本發明之實施形態，但本發明不 限定於此。以下之説明中，係設定一 χγζ正交座標系，一 邊參照此ΧΥΖ正交座標系一邊說明各部之位置關係。設水 平面内之既定方向為X軸方向、於水平面内與χ軸方向正 交之方向為Υ軸方向、與X軸方向及γ軸方向皆正交之方 向（亦即船直方向）為Ζ軸方向。此外，設繞χ軸、γ軸及ζ 軸之旋轉（傾斜）方向分別為0 χ、0 γ及θ ζ方向。 <第1實施形態> 首先，說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態 之曝光裝置ΕΧ之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝 置ΕΧ係透過液體LQ以曝光用光EL使基板ρ曝光之液浸 曝光裝置。本實施形態中，形成有將曝光用光EL之光路之 201227178 至少一部分以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間 係被液體充滿之部分（空間、區域）。基板P係透過液浸空間 LS之液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液 體LQ係使用水（純水）。 又，本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第 6 897963號說明書、歐洲專利公開第17131 13號說明書等所 揭示之具備基板載台與測量載台的曝光裝置。 圖1中，曝光裝置EX具備：可保持光罩Μ移動之光 罩載台1、可保持基板Ρ移動之基板載台2Ρ、不保持基板Ρ 而可搭載測量曝光用光EL之測量構件C(測量器）移動之測 量載台2C、以曝光用光EL照明光罩Μ之照明系il、射出 曝光用光EL之光源裝置3、將被曝光用光EL照明之光罩 Μ之圖案像投影至基板ρ之投影光學系Pl、在與基板ρ之 間保持液體LQ來形成液浸空間Ls以將照射於基板ρ之曝 光用光EL之光路κ以液體LQ加以充滿之液浸構件4、可 將液體LQ供應至曝光用光el之至少部分光路之液體供應 襄置5、可回收液體Lq之液體回收裝置6、控制曝光裝置 EX全體之動作之控制裝置7、以及連接於控制裝置7用以 儲存關於曝光之各種資訊之記憶裝置8。記憶裝置8，包含 例如RAM等之記憶體、硬碟、CD—ROM等之記錄媒體。 於记憶裝置8安裝有用以控制電腦系統之作業系統⑴”，内 儲存有用以控制曝光裝置Εχ之程式。 光罩Μ包含形成有待投影至基板p之圖案（元件圖 案）ΜΡ之標、線片㈣心）。光罩μ包含透射型光罩此種透

S 12 201227178 射型光罩具有你丨^ α破璃板等之透明板、與在該透明板上使 用絡專遮光材料形★ 卄形成之圖案。又，光罩Μ亦可使用反射型 光罩。 係用以製造元件之基板。基板Ρ包含例如半導 體曰曰圓等之基材與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光 (p Slst光阻劑）之膜。又，基板Ρ除感光膜外亦可 I έ /、他腹例如，基板ρ可包含反射防止膜、或包含保 護感光膜之保護獏（topcoat膜）。 …、明系IL對既定照明區域IR照射曝光用光EL。照明 區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光可照射^位 置。照明系IL以均一照度分布之曝光用光E]L照明配置在 <、、、月區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系化射出之 曝光用光EL ’係使用例如從水銀燈射出之輝線（g線、h線、 i線）及KrF準分子雷射光（波長248nm)等遠紫外光 光）、ArF準分子雷射光（波長193nm)及F2雷射光（波長 157nm)等之真空紫外光（vuv光）等。本實施形態中，曝光 用光EL係使用紫外光（真空紫外光）之ArF準分子雷射光。

光罩載台1能在以光罩保持部5保持有光罩M之狀態 下，在包含照明區域IR之基座構件9之引導面9G上移動。 光罩載台1可藉由包含例如美國專利第6452292號說明書 所揭示之平面馬達之驅動系統之作動而移動。平面馬達具 有配置在光罩載台1之可動子與配置在基座構件9之固定 子。本實施形態中，光罩載台i係藉由驅動系統之作動， 在引導面9G上移動於X軸、γ軸、z車由、0χ、βγ及0Z 13 201227178 方向之6個方向。 投影光學系PL將曝光用光EL照射於既定投影區域 PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光 可照射之位置。投影光學系PL將光罩M之圖案像以既定投 影倍率投影至配置在投影區域PR之基板p之至少一部分。 本實施形態之投影光學系PL係投影倍率例如為1/4、丨/5 或1 / 8等之縮小系。當然，投影光學系pL亦可以是等倍 系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系之光 轴AX與Z軸平行。又，投影光學系、pL可以是不包含反射 光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系、或包 含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系中之任一 者。又，投影光學系PL可以形成倒立像與正立像之任—種。 "投影光學系PL具1有朝向投屬光.學系PL·之像面射出曝

光用光EL之射出面1〇。射出面10配置在投影光學系pL 之複數光學元件中、最靠近投影光學系PL像面之終端光學

兀件11。投影區域PR包含從射出面1〇射出之曝光用光EL 可照射之位置。本實施形態中，射出面10朝向—Z方向、 與XY平面平行。此外’朝向-2方向之射出面ίο可二是 凸面、亦可以是凹面。終端光學元件η之光軸與ζ軸平扞， 本實施形態中，從射出面1〇射出之曝光用光虹往 向行進。 万 基板载台2Ρ能在保持有基板ρ之狀態下，在" 區域PR之基座構件12之引導面12G上移動。測量載台又二 月匕在保持有測量構件c(測量器）之狀態下，在包含投影區域

S 14 201227178 PR之基座構件12之引導面12G上移動。基板載台2P及測 «載台2C係藉由例如包含美國專利第6452292號所揭示之 平面馬達之驅動系統之作動而移動。平面馬達具有配置在 基板載台2P及測量载台2C之各個之可動子、與配置在基 座構件12之固定子。本實施形態中，基板載台2p及測量 載台2C係分別藉由驅動系統之作動，而能在引導面丨2G上 移動於X軸、γ軸、z軸、θχ、0¥及02方向之6個方 向。又，使基板載台2Ρ及測量載台2C移動之驅動系統可 以不是平面馬達。例如驅動系統可包含線性馬達。 基板載台2P具有將基板p保持成可釋放之基板保持部 13。本實施形態中，保持在基板保持部13之基板p之表面 (上面）、與配置在該基板P周圍之基板載台2p之上面2ρρ 係配置在同一平面内（同面高）t)±S2pF是平坦的。本實施 形態中，保持在基板保持部13之基板p表面（上面）、及基 板載台2P之上面2PF與χγ平面大致平行。 土 當然，保持在基板保持告H3之隸！>表自（上面）與基 板載台2P之上面2PF可不配置在同一平面内、或基板？之 表面及上面2PF之至少—方不與χγ平面平行皆可。此外， 上面2PF可以不是平坦的。例如，上面卿可包含曲面。 又’本實施形態中’基板載台2p具有例如美國專利申 請公開第2GG7/G177125號、及美國專利中請公開第2008 /〇〇侧9號等所揭之以可釋放之方式保持覆蓋（c叫構 件τ之盍構件保持部14。本實施形態中，基板载台π之上 面2PF’包含保持在蓋構件保持部14之覆蓋構件了之上面。 15 201227178 又’覆蓋構件τ亦可以不能釋放之方式設置。此場合， 蓋構件保持部14可省略。此外，基板載台2p之上面2pF 亦可包含搭载於基板載台2P之感測器、測量構件等之表面。 測量載台2〇具有將測量構件C保持成可釋放之測量構 件保持部15。本實施形態中，保持在測量構件保持部。之 測量構件C之表面（上面）、與配置在該測量構件c周圍之 測量載台2C之上面2CF係配置在同一平面内(同面高卜上 面2CF是平坦的。本實施形態令，保持在測量構件保持部 15之測量構件c之表面（上面）及測量載台2c之上面 與χγ平面大致平行。 本實施形態中，搭載於測量載台2C之測量構件c可以 是例如美國專利巾請公開第2GG2/ _】377號等所揭示之 •構成空·間像測量系統' 70之一部分之構件。又，亦可於測量 2台2C搭載例如美國專利第4465368號等所揭示 部分之構件（測f構件）、或搭載美國; 4〇3號等所揭不之基準構件、或搭載美國專利申 Γ開第扇2/讀469號等所揭示之構成照射量測量夺 號：所::分之構件(測量構件)、或搭載歐洲專利第1079223 號荨所揭示之構成波面像差測量系統之 構件）。 1刀t構件（測量 當然’保持在測量構件料部15之測量 (上面则量載台2C之上面2CF可以不是配置在同= 内，或測量構件GB I· 面不是平行。又，上面2CF F之至少—方與Μ 又上面2CF可以不是平坦的。例如上面⑽

S 201227178 可包含曲面。此外，測量構彳c亦可以不能釋放之 置。此場合，可省略測量構件保持部15。 本實施形態中’光罩载台i、基板載台2p及測量載么 2C之位置係以包含雷射干涉儀單元i6a、湖之干涉❹ 統i6加以測量。雷射干涉儀單元16八可使用配置在光罩載 台1之測量鏡（mirror)測量光翠冑台1之位£。雷射干步儀 單元⑽可使用配置在基板載台21>之測量鏡測量基板載台 2P之位置。又’雷射干涉儀單元t 6b可使用配置在測量載 台2C之測量鏡測量測量載台2C之位置。實施基板4曝 光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置7根據干涉 儀系統16之測量結果實施光罩載台1(光罩m)、基板載台 2P(基板P)及測量載台2C(測量構件c)中至少一者之位置控 制。 ’ 液浸構件4’將液浸空間Ls形成為從終端光學元件^ 之射出® 10射出、照射於投影區域叹之曝光用A肛之光 路K被曝光液體L Q充滿。液浸構件4，以射出面！ 〇、與配 置在從該射出面10射出之曝光用光虹可照射位置之物體 表面(上面)之間的曝光用光EL之光路κ被液體LQ充滿之 方式，在與物體之間保持液體LQ而形成液浸空間LS。液 浸空間LS係以射出面10、與和該射出面1G對向之物體表 面之間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方形成。 本實施形態中，從射出面10射出之曝光用光ejl可照 射之位置包含投影區域PR。又，從射出面1〇射出之曝光用 光EL可照射之位置包含與射出面1〇對向之位置。本實施 17 201227178 形心中可配置在與射出面i 〇對向位置之物體，換言之、 可配置於技〜區域PR之物體，& jWU τ)、保持在基板載台2P(基板保持部iQ)t_ PUM 台2C(測量構件c)中之至少一方。於基板p之曝光中，液 ’又構件4係照射於基板p之曝光用光el之光路κ被曝光液 體LQ充滿之方式，方盘技^ 在〃基板P之間保持曝光液體LQ以形 成液浸空間LS。 本實施形態中，液浸構件4係配置在通過終端光學元 件11、及終端光學元件u與配置在投影區域叹之物體之 間之曝光液體LQ的曝光用S EL之光路K周圍至少一部 分。本實施形態中，液浸構件4為環狀構件。本實施形態 中，液浸構件4'之一部分配.置在終端光學元件U之周圍， 液浸構件4之-部分係配置在終端光學元件u與物體之間 ::光用光EL之光路κ.周圍。液浸空間ls係形成為終端 =&件11與配置在投影區域叹之物體之間之曝光用光 EL之光路K被液體LQ充滿。 又，液浸構件4亦可以不是環狀構件。例如液浸構件4 :配置在終端光學元件u及光路κ之周圍之一部 外，液浸構件4亦可以不是配置 私、而九學兀件11周圍之 二―部分。例如’液浸構件4可以是配置在射出 =之部分，而非配置在終^ 學元件11之周圍。又，液浸構# 而忐 I 構件4亦可以不是配置在射屮 面〗〇與物體之間之光路尺周圍至少— 町出 4 τ β 。卩分。例如液浸構# 4可以是配置在終端光學元件1 菁件 王夕 邵分，而非

S 18 201227178 配置在射出面10與物體之間之光路K周圍。 液浸構件4具有能與配置在投影區域PR之物體表面 (上面）對向之下面17。液浸構件4之下面I?能在與物體表 面之間保持曝光液體LQ。本實施形態中，液浸空間LS之 液體LQ之一部分係保持在終端光學元件11與和該終端光 子元件1 1之射出面1 〇對向配置之物體之間。又，液浸空 1 LS之液體Lq之一部分係保持在液浸構件*與和該液浸 構件4之下面17對向配置之物體之間。藉由在一側之射出 面1〇及下面17、與另一側之物體表面（上面）之間保持曝光 夜體LQ，據以形成將終端光學元件11與物體之間之曝光 光EL之光路κ以曝光液體lq充滿之液浸空間ls。 人本實施形態中，在曝光用光EL·照射於基板p時，以包 又景y區域PR之基板P表面之部分區域被液體LQ覆蓋之 2式:成液浸空間LS。液體LQ之界面（彎月面、邊緣）LG 之至夕―部係形成在液浸構件4之下面17與基板p之表面 之間。亦即，本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方 式。液浸空間LS之外側（界面LG之外側）為氣體空間。 圖2係顯示本實施形態之液浸構件4及液體供應裝置$ =例的®。在使用圖2之以下説明中’雖係以基板p被 置於投影區域PR(與終端光學元件及液浸構件對向之位 之it形為例加以説明’但如上所述，亦可例如配置基板 σ 2P(覆蓋構件τ)及測量載台2c(測量構件匸）。 如圖2所示’液浸構件4具有配置在與射出面1〇對向 之開口 19、與配置在開口 19周圍之下面。從射出 19 201227178 面1 〇射出之曝光用光el通過開口 1 9照射於基板P。 又’液浸構件4具備可供應液體LQ之供應口 2 1、與 回收液體LQ之回收口 22。供應口 21可將液體[卩供應至 從射出面10射出之曝光用光EL之光路K。從供應口 21供 應之液體LQ之至少一部分，透過開口丨9供應至與射出面 10及下面17對向之基板p(物體）上。供應口 21係配置成在 從射出面10射出之曝光用光EL之光路κ近旁，面向該光 路Κ。 供應口 21透過流路23與液體供應裝置5連接。液體 供應裝置5可送出液體Lq。流路23包含形成在液浸構件* 内部之供應流421R、及以將供應流& 21R與液體供應裝 置5加以連接之供應管24形成之流‘路24R。從液體供應裝 置5送出之液體..叫將由流路23被供應至供應口 21。 回收口 22能回收與射出面1〇及下面17對向之基板 P(物體）上之液體LQ之至少一部分。回收口 22係配置在基 板P(物體）可對向僅之液浸構件4之％定位置。本實施形態 中，回收口 22配置在下面2〇周圍之至少一部分。 本實施形I、中液汉構# 4具彳包含複數個孔 openings或P〇res)之多孔構件Μ。本實施形態中，於液浸 構件4之下端形成有開口 18。開口 18朝向下方（―z方向）。 本實施形態中，多孔構件25配置於開口丨8。開口 i 8(多孔 構件25)配置在下面20周圍之至少一部分。 本實施形態中，多孔構件25為板片狀構件。多孔構件 25具有上面25A與下面25B。多孔構件25之孔25H形成.

S 20 201227178 為將上面25A與下面25B加以連結。多孔構件25之下面 25B能與基板P(物體）對向。於下面2〇之周圍配置下面 25B。本實施形態中，液浸構件4之下面17之至少一部分 包含下面20及多孔構件25之下面25B。 本實施形態中，多孔構件25具有回收口 22。本實施形 態中，回收口 22包含孔25H下端之開口，基板p(物體）上 之至少部分液體LQ係透過多孔構件25之孔25H(回收口 22) 被回收。又，多孔構件可以是多數小孔形成為網眼狀之網 眼篩（mesh filter)。 回收口 22透過流路27與液體回收裝置6連接。液體 回收裝置6可透過回收口 22吸引液體LQ。流路27包含形 成在液浸構件4内部之回收流路22R、及以將該回收流路 22R與液體回收裝置6加以連接之回收管28形成之流路 28R。從回收口 22(多孔構件25之孔）回收之液體LQ經由流 路27被回收至液體回收裝置6。 液體供應裝置5可透過流路23將液體LQ供應至供應 口 21。液體供應裝置5可透過供應口 21，將液體LQ供應 至曝光用光EL之光路K之至少一部分。在與射出面1〇對 向之位置配置有基板P(物體）之狀態下，液體供應裝置5可 透過供應口 2 1將液體LQ供應至射出面1 〇與基板p(物體） 表面之間之曝光用光EL之光路K。 本實施形態中，曝光裝置EX具有液體供應裝置5。又， 液體供應裝置5可以是與曝光裝置EX不同之其他裝置。換 言之，液體供應裝置5可以相對曝光裝置EX之外部裝置。 21 201227178 在液體供應裝置5為相對曝光裝置Εχ之外部裝置之情形 時，該液體供應裝置5係透過流路23連接於供應口 2丨而 使用於曝光裝置EX。 液體供應裝置5具備用調整透過供應口 21供應至光路 K之液體LQ之總有機碳（T〇c : T〇tal ㈤⑽）濃度 的調整裝置30。調整裴置3〇可調整透過供應口 2ι供應至 光路K之液體LQ之總有機碳量。以下之説明中，將液體之 總有機碳濃度（量）適當的稱為液體之T〇c值。 本實施形態中’調整裝置3G係調整透過流路形成構件 之流路41R所供應之液體LQa之取值。本實施形態 中调整裝置3 0透過流路4 i R與例如包含超純水製造裝置 之液體供應源40連接。液體供應源4〇透過流路4 π將液 體（超純水）LQa供應至調整裳置3〇。調整裝置3〇調整液體 LQa之TOC值以生成用以供應至光路κ之液體。以調 整裝置30調整了 T0C值之液體lq透過流路24r及流路 21R被供應至供應口 21。供應〇 21將經調整裝置調整 了 toc值之液體lq供應至光路κ。 液體供應裝置5亦可具備液體供應源40 應源40可以是相對液體佴廄 八 腹t、應裝置5之外部裝置，亦可以是 相對曝光裝置EX之外部奘罟 & , 1我置。此外，從液體供應源40供 應至調整裝置30之液體LOa研 避LQa可以不是超純水。從液體供應 源4〇供應至調整裝置3〇之洛 旦、 之液體LQa可包含既定濃度（既定 里）之有機物。 本實施形態中，調整農置 30包含可增加液體之TOC值 22 201227178 之第1處理裝置3 1、與可減少液體之T〇c值之第2處理裝 置32。 本實施形態’，第i處理裝置31包含將有機物注入(添 加至）液體之注入裝置。第丨處理裝置31將例如可溶解於液 體（水）之有機物注入該液體。本實施形態中，第丨處理裝置 31注入液體之有機物，例如包含f醇、異丙醇等之乙醇、 或醋酸等之有機酸等。第i處理裝置31可將有機物注入液 體以增大液體之TOC值。 又，本實施形態中，帛2處理裝置32包含可對液體昭 射紫外光之照射裝置。第2處理裝置32可對液體照射紫外 光以降低液體之TOC值。 本實施形態中，來自液體供應源40之液體LQa透過流 路键被供應至第！處理装置3卜第i處理裝置31將有機 物注入來自液體供應源40之液體LQa，以增大該液體吻 之TOC值。 本貫施形態中 ^ 處理裝置31與第2處理裝置32 係藉由具有流路42R之流路形成構件42彼此連接。來自第 1處理裝置3 1之液體LQb經由流路微被供應至第2處理 裝置32。第2處理裝置32可對來自第i處理裝置η之液 體LQb照射紫外光，以降低該液體吻之t〇c值。 第2處理裝置32送出液體LQ。從第之處理裝置^送 出之液體LQ，透過流路23被供應至供應口 2卜供…丄 可將經調整裝置3〇(包含第1處理裝置31及第2處理裝置 32)調整了 T0C值之液體LQ供應至光路κ。 23 201227178 又，本實施形態，雖係設定來自液體供應源4〇之液體 LQa被供應至第1處理裝置3 1、來自第}處理裝置3〖之液 體LQb被供應至第2處理裝置32，但亦可以是將來自液體 供應源40之液體LQa供應至第2處理裝置32、將來自第2 處理裝置32之液體供應至第！處理裝置31，第1處理裝置 31朝供應口 21送出液體LQ。此外，調整裝置3〇可僅包含 第1處理裝置31及第2處理裝置32中之任一方。例如， 當調整裝置30包含第1處理裝置31、但不包含第2處理裝 置32之情形時，該調整裝置3〇可調整注入液體之有機物 之量（對每單位體積之液體之有機物注入量），以調整液體之 toc值。又，當調整裝置30包含第2處理裝置32、但不包 含第1處理裝置3 1之情形時，該調整裝置3〇可調整對液 體之紫外光照射量，以調整液體之T〇c值q紫外光照射量 之調整，包含對液體之紫外光照射時間之調整。再者，紫 外光照射量之調整，包含照射之紫外光強度（照度）之調整。 本實施形態中，控制裝置7可控制調整裝置3〇。控制 裝置7可控制調整裝置30,以調整供應至光路κ之液體lq 之TOC值。控制裝置7，在欲增大液體lq之t〇c值之情 形時，至少使第1處理裝置3 1作動。又，控制裝置7在欲 降低液體LQ之TOC值之情形時，至少使第2處理裝置32 作動。控制裝置7可控制第i處理裝置3丨及第2處理裝置 32中之至少一方，以調整供應至光路κ之液體lq之t〇c 值。 又，可調整液體TOC值之一技術例’已揭示於例如特

S 24 201227178 開平8 — 10758號公報、特開2000 - 3〇2413號公報、及特 開2001 — 038349號公報等。 '

本實施形態中，液體供應裝置5具備測量供應至光路K 之液體LQ之TOC值的測量裝置50。以下之説明中，眩、 将項lj 量裝置50適當的稱為TOC計50。 本貫施形態中’ TOC計50係測量從調整裝置3〇送出 之液體LQ之TOC值。本實施形態中，T0C計5〇測量從調 整裝置30送出、供應至供應口 21之前之液體Lq之T〇c 值。 本實施形態中，從調整裝置30送出之液體LQ，透過 流路23被供應至供應口 21。本實施形態中，t〇c計50測 量流經流路23之至少部分液體lq之TOC值。 本實施形態中’ TOC計50係與從流路23(24R)分歧之 流路形成構件43之流路43 R連接。從調整裝置30送出之 液體LQ之一部分’經由流路23被供應至供應口 2 i。又， 從調整裝置30送出之液體lq之一部分經由流路24R及流 路43R被供應至T0C計5〇。t〇C計50測量從調整裝置30 送出、經由流路24R及流路43R供應之液體LQ之TOC值。 據此’ TOC計50可測量從調整裝置3〇經由流路23及供應 口 21供應至光路κ之液體lq之t〇C值。 TOC計50之測量結果被輸出至控制裝置7。控制裝置 7亦可根據TOC計5 0之測量結果控制調整裝置3〇。例如， 控制裝置7可控制調整裴置3〇，以根據t〇c計50之測量 結果使從調整裝置30送出、經由流路23及供應口 2丨被供 25 201227178 應至光路K之液體LQ《T〇C值成為目標值。又 -步設置測量從液體供應源、4〇供應至調整裝i ’、可進 LQa之TOC值的測量裝置，或取代測量液體之夜體 之測量裝置5。，設置測量液體LQa之T〇c值的測量敦C值 又，液體供應裝置5具備可調整供應至供應口 η、

單位時間之液體LQ供應量的流量調整裝置6…控制之每 可控制流量調整裝置6〇，以調整從供應口 21供應至〜置7 之每單位時間之液體Lq供應量。 “ ^ K 液體回收裝置6可回收來自回收口 22之液體^ 體回收裝置6可將回收口 22連接於真空系統。又，液 收裝置6具備可吸引液體Lq之真空系統亦可。液體回收: 置6可調整從回收σ 22回收之每單位時間之液體回收量。、 控制裝置7可控制「液體回收裝置6 ?以調整透過回收口 u 從基板Ρ上回收之每單位時間之液體LQ之回收量。 又，亦可從回收口 22透過多孔構件25而實質僅回收 液體LQ。此外，亦可從回收口 22透過多孔構件25將液體 LQ與液浸空間LS周圍之氣體一起加以回收。又，亦可不 於回收口 22配置多孔構件25。 又，作為液浸構件4，可使用例如美國專利申請公開第 2007/0132976號、歐洲專利申請公開第n6817〇號所揭示 之液浸構件（嘴（nozzle)構件）。 本實施形態中，控制裝置7可藉由從供應口 2 1將液體 LQ供應至基板ρ(物體）上，且與該液體lq之供應並行從回 收口 22回收基板P(物體）上之液體LQ，據以在一側之終端

S 26 201227178 光學元件Π及液浸構件4與另一側之基板P(物體）之間， 以液體LQ形成液浸空間LS。 圖3係以示意方式顯示本實施形態之曝光裝置EX的 圖。圖3中，曝光裝置EX具備光源裝置3、以曝光用光EL 照明形成有圖案MP之光罩μ的照明系IL、以及將以曝光 用光EL照明之光罩Μ之像投影至基板ρ的投影光學系pL。 照明系IL包含光學積分器123、孔徑光闌124、以及聚 光光學系125。照明系IL以既定照明條件使用曝光用光el 照明光罩Μ。經曝光用光EL照明之光罩μ之像（圖案MP 之像）透過投影光學系PL被投影至基板ρ。 本實施形態中’作為光源裝置3係使用ArF準分子雷 射裝置。從光源裝置3射出之曝光用光E]L被供應至光學積 分器123。光學積分器123例如包含複眼透鏡，用以在光射 出面形成二次光源。孔徑光闌丨24係配置在光學積分器123 之光射出面近旁、亦即配置在緊接著二次光源之後。 本實施形態中，照明系IL可使用各種照明條件（照明法） 以曝光用光EL照明光罩Μ。圖3中，舉一例而言，照明系 IL具備具有開口 124Α、124Β之孔徑光闌124，以曝光用光 IEL對光罩Μ進行雙極照明（二極照明）。又，照明系化亦 可以交又極（cross-p〇le)照明（四極照明）、常規避 conventional)照明及環带照明等來照明光罩M。 曝光用光EL可通過孔徑光闌124之開口 i24A、124B。 開口 1 24A、124B係隔著（夾著）照明系IL之光軸配置在γ 軸方向。從光學積分器123射出、通過孔徑光闌124之開 27 201227178 口 124A、124B之曝光用光EL，透過聚光光學系125等照 射於光罩Μ。 又，作為照明系IL，亦可使用例如“國專利申請公開 第2006/ 0170901號所揭示之照明系。此公報所揭示之照 明系包含擴束器、偏光狀態切換光學系、繞射光學元件、 遠焦光學系（無焦點光學系）、變焦（z〇〇m)光學系、偏光轉換 70件、光學積分器、聚光光學系、以及規定照明區域之遮 蔽（blind)裝置等。 從照明系IL射出、照射於光罩M之曝光用光EL，經 由光罩Μ射入投影光學系PL。射入投影光學系p]L並通過 該投影光學系PL之曝光用光EL，從終端光學元件n之射 出面、1〇射出，。從射出面.1〇射出之曝光用光El，.透過液浸 工間LS之液體.lq、照射於..基板p 據此；，於曝光裝置Εχ， 即透過終端光學元件n及液體LQ將光罩μ之像（圖案MP 之像）投影至基板Ρ，基板Ρ被曝光用光EL曝光。 又’例如在使用測量載台2C之測量處理中，控制裝置 7可在終端光學元件11及液浸構件4與測量載台2C(測量 構件C)之間以液體Lq形成液浸空間LS，將被保持於光罩 載台1之具有既定測量用圖案之測量用光罩以從照明系IL 射出之曝光用光EL加以照明。如此，於曝光裝置EX，透 過終端光學元件11及液體LQ將測量用光罩之像（測量用圖 案之像）投影於測量載台2C(測量構件C)。 圖4係顯示光罩Μ之一例的俯視圖。光罩Μ，包含形 成有待投影至基板Ρ之圖案（元件圖案）ΜΡ的標線片

S 28 201227178 (reticle)。本實施形態中，光罩M為透射型光一 平0 光罩 包含玻璃板等之透明板GP、與透明板Gp上以 專構成 遮光膜所形成之線狀的複數個遮光部L。以下夕_ 1 ·<> 5足明中 遮光部L適當的稱為線部L。 本實施形態中’線部L以X軸方向為長邊方向。線部 L於Y軸方向週期性的配置有複數條。於線部l之間配置 有未形成遮光膜之空間部S。亦即，本實施形態中，光罩μ 之圖案ΜΡ’包含以X軸方向為長邊方向、於γ軸方向週期 性配置之複數個線與空間（line & space)圖案。本實施形熊 中，形成在光罩Μ之圖案MP,以X軸方向為長邊方向、 於Υ軸方向週期性配置之複數個線與空間圖案為主成分。 本實施形態中’線與空間圖案係以間距pt配置。以下之説 明中’將線與空間圖案適當的稱為L/s圖案。 圖5係顯示藉由曝光用光el之照射而於圖案MP生成 之一繞射光例的示意圖。藉由以來自照明系IL之曝光用光 EL照明光罩Μ(圖案MP)，即於圖案Mp生成繞射光。圖5 所不例中，於圖案MP生成之繞射光之〇次光、+ 1次光及 —1次光分別射入投影光學系PL。圖5所示例中，藉由於 圖案MP生成之0次光、+1次光及—1次光之三個光束， 而形成圖案MP之像。換言之，藉由三個光束進行成像。 以下之説明中’將因在圖案MP之繞射而生成、可透過 投影光學系PL射入基板P表面之三個光束，分別適當的稱 為第1光束B1、第2光束B2及第3光束B3〇圖5所示例 中’第1光束B1係在投影光學系PL(終端光學元件π)與 29 201227178 基板p(物體）之間，與投影光學系PL(終端光學元件i〇之光 軸ΑΧ(Ζ軸）大致平行行進。此外，圖5所示例中，第2光 束Β2及第3光束Β3係因在圖帛Μρ之繞射而生成之複數 個光束中、最外側之光束（繞射角最大之光束）。第2光束 Β2及第3光束Β3在投影光學系PL(終端光學元件u)與基 板P之間，相對Z軸傾斜行進。第2光束B2與第3光束 B3從彼此互異之方向以既定入射角011射入基板p表面。 圖5中，第2光束B2係相對z軸從_ γ側射入基板p表面， 而第3光束B3則相對Z軸從+ γ側射入基板p表面。 圖5中，因曝光用光EL之照射而於圖案Mp生成之第 1光束B1與第2光束B2(第3光束B3)所夾角度0 k，會隨 著圖案MP之間距pt及曝光用光el之波長λ.而變-化.。亦 即’一般而言‘，'戒'立下式。：：… ， ptxsin 0 k = mx λ …⑴ 式（1)中，m係繞射次數。以下之説明中，將角度0 k 適當的稱為練射角0 k。 於基板P(物體）表面之既定位置，.以對應繞射角0 k之 入射角射入第2光束B2及第3光束Β3»如上所述，本 實施形態中’第2光束Β2及第3光束Β3對基板Ρ表面之 入射角0η’會隨著包含曝光用光el之波長λ之曝光用光 EL之照明條件、及包含圖案mp之間距pt之光罩μ之條件 而變化。 以包含上述照明條件及光罩Μ之條件的既定曝光條 件’以透過光罩Μ、投影光學系PL及液體LQ之曝光用光 30 201227178 EL使基板P曝光’據以將光罩M之圖案Mp之像投影至基 板P。藉由此曝光，於基板P形成對應光罩M之圖案MP 之圖案CP。 又，於圖案MP生成之繞射光之〇次光、+丨次光及_ 1次光中，例如亦可僅〇次光及+丨次光（或_丨次光）射入 投影光學系PL。亦即，基板P可藉由依據〇次光及+ }次 光（或一1次光）之二光束干涉法曝光。亦即，可藉由於圖案 MP生成之〇次光及+ 1次光（或—丨次光）之二光束來形成圖 案MP之像。換言之，可以二個光束進行成像。 本實施形態，係藉由調整從供應口 2丨供應至光路κ之 液體LQ之TOC值，據以調整照射於基板ρ(物體）之曝光用 光EL之照射條件。本實施形態中，控制裝置7控制調整裝 置30，來調整透過供應口 21供應至光路κ之液體[卩之 TOC值，以調整透過液體LQ照射於基板ρ之來自射出面 1 〇之曝光用光EL之照射條件，本實施形態，係藉由液體 LQ之TOC值之調整，調整在投影光學系pL像面側（終端光 學元件1 1之射出側）之圖案Mp之像之成像特性。 本實施形態，係藉由液體LQ之T〇c值之調整，調整 形成於基板P(物體）之圖案之形成狀態。本實施形態中，控 制裝置7控制調整裝置3〇,調整透過供應口 21供應至光路 K之液體LQ之TOC值，以調整形成於基板ρ(物體）之圖案 之形成狀態。 圖案之形成狀態，包含於投影光學系pL之像面側（終 端光學元件11之射出側）透過終端光學元件丨丨及液體lq 31 201227178 形成之圖案MP之像之形成狀態。此外，圖案之形成狀•離、亦 包含形成於基板P之圖案CP之形成狀態。圖案cP之形成 狀態’包含對曝光後之基板P實施顯影處理等後，形成於 該基板P之圖案CP之形成狀態。 例如’有可能因液體LQ之TOC值之調整，液體Lq對 曝光用光EL之特性（例如光學特性）產生變化。例如，有可 能因液體LQ之TOC值之調整，而使得液體LQ對曝光用光 EL之透射率產生變化、或折射率產生變化。例如，有可能 因液體LQ之TOC值之增大，而使得液體LQ對曝光用光 EL之透射率降低，或因液體1^(^之T〇c值之減少，使得液 體LQ對曝光用光EL之透射率變高。 例如圖5所示，在終端光學元件，u之射出面1〇與基 板p(物體）表面之間，通過液體LQ之第"丨光束Βι之光路 長、第2光束B2之光路長、與第3光束B3之光路長有可 能不同。圖5所示例中，第丨光束B1之光路 '第2光束 B2之光路及第3光束B3之光路中，以第ι光束扪之光路 長最短。 因此，例如藉液體LQ之T0C值之調整，而使得液體 LQ對曝光用光El之透射率受到調整時，即有可能因該透 射率使從射出® 10 #出通過液體LQ照射於基板p(物體） 光束B 1的強度（照度）、從射出面丨〇射出通過液體 照射於基板P(物體）之第2光束B2的強度（照度）、以及 從射出面10射出通過液體LQ照射於基板P(物體）之第3光 束B3的強度（照度）分別產生變化。

S 32 201227178 例如’當因液體LQ之TQC值之調整而使得液體LQ對 曝光用光EL之透射率變低時，第i光束B1、第2光束B2 及第3光束B3中，即有可能照射於基板P之第1光束B1 之強度（照度）變得最高，❿第2光束B2及第3光束B3之 強度（照度）變得較第1光束之強度（照度）低。 亦即’當因液體LQ之T〇c值之調整而使得液體Lq對 曝光用光EL之特性（例如光學特性）受到調整之情形時，即 有可能因忒特性，使從射出面丨〇射出透過液體照射於 基板P之第1光束B卜第2光束B2及第3光束B3之各個 在基板P表面之強度產生變化。此外，第丨光束B1、第2 光束B2及第3光束B3之各個在基板p表面之照射位置亦 有可能產生變化。 因第1光束B1、第2光束B2及第3光束B3之各個於 基板P表面之強度及照射位置之至少一部分產生變化，會 使得形成於基板P之圖案之形成狀態變化。因此，使用調 整裝置30調整供應至光路K之液體LQ之TOC值，即能調 整形成於基板P之圖案之形成狀態。 例如’當圖案MP(圖案CP)為L/S圖案之情形時，藉 由液體LQ之TOC值之調整，來調整形成於基板p之l/s 圖案之線部之尺寸（線寬）、或在基板P上之L/ S圖案之間 距。又，例如，當圖案MP(圖案CP)包含圓形圖案之情形時， 藉由液體LQ之TOC值之調整，調整形成於基板p之圓形 圖案之尺寸。 本實施形態中，圖案形成狀態之調整，包含曝光裝置 33 201227178 EX之光學近接效果特性之調整。本實施形態中，曝光裝置 EX之光學近接效果特性之調整，包含圖案之近接效果特性 (光學近接效果特性）的虛擬調整。 圖案之近接效果特性，係指因複數個圖案Mp(L/ s圖 案）之近接（接近），而使形成於基板P(物體）之圖案cp之形 狀變化的特性。例如，於圖5中，視在光罩M之間距pt， 有可能因近接效果使圖案CP之形狀變化。又，形成於基板 P之圖案CP(或投影像）之線寬間距pt的依存性，稱為 OPE(Optical Proximity Effect，光學近接效應）特性。 例如’視繞射角0 k ’於圖案MP之繞射而生成之複數 個光束中最外側之光束（圖5所示例中，為第2光束b 2及 第3光束B3)對投影光學系PL之射狀態會產生變化。例如， 當間距pt變小、而繞射角Θ. k .變大聘，於圖案Mp之繞射而 生成之複數個光束中最外侧之光束（第2光束B2及第3光 束B3)入射投影光學系PL之動作即有可能產生困難。其結 果’例如最外侧之光束（第2光束B2及第3光束B3)對基板 P之照射狀態（入射狀態）即產生變化。亦即，最外側之光束 (第2光束B2及第3光束B3)有可能不照射於基板p。 此外，視繞射角Θ k ’入射角0 η亦會產生變化。例如， 當間距pt變小、而繞射角Θ k變大時，入射角0 η即變大。 其結果，最外側之光束（第2光束Β2及第3光束Β3)對基板 Ρ之照射狀態即產生變化。例如’當入射角0 η變大，在終 端光學元件11之射出面10與基板Ρ(物體）表面之間，通過 液體LQ之最外側之光束（第2光束Β2及第3光束Β3)之光

S 34 201227178 路長變長時’該最外側之光束（第2光束B2及第3光束B3) 對基板P之強度（照度）即有降低之可能。另一方面，當繞射 角0 k變小而入射角0 η變小勢’最外側之光束（第2光束 Β2及第3光束Β3)對基板Ρ之強度（照度）變高。當光束對基 板Ρ之照射狀態變化時，視該照射狀態之變化，形成於基 板Ρ之圖案形成狀態即產生變化。 本實施形態’係藉液體LQ之TOC值之調整，調整曝 光裝置ΕΧ之光學近接效果特性。亦即，藉液體lq之t〇C 值之調整’進行圖案之近接效果特性（光學近接效果特性） 之虛擬調整。如上所述’因液體LQ之TOC值之調整，液 體LQ對曝光用光EL之透射率會變化。例如，因液體lq 之TOC值之調整使供應至光路K之液體LQ對曝光用光el 之透射率降低時’於終端光學元件11之射出面1〇與基板 P(物體）表面之間光路長較長、最外側之光束（第2光束B2 及第3光束B 3)對基板P之強度（照度）即有可能變低、或最 外側之光束無法照射到基板P。另一方面，因液體Lq之T〇c 值之調整，使供應至光路K之液體LQ對曝光用光el之透 射率變高時，最外側之光束對基板P之強度（照度）將變高。 因液體LQ之TOC值之調整使液體LQ對曝光用光el之透 射率受到調整，而使光束對基板P之照射狀態產生變化時， 視該照射狀態之變化，形成於基板P之圖案之形成狀態亦 變化。 本實施形態，係藉調整供應至光路K之液體LQ之T〇c 值，以虛擬的調整在基板P之圖案CP之近接效果特性，以 35 201227178 凋整曝光裝置EX之光學近接效果特性。並藉由該曝光裝置 EX之光學近接效果特性之調整，調整圖案之形成狀態。 亦即，本實施形態中，調整裝置3〇可調整液體LQ之 TOC值，以修正光學近接效果。換言之調整裝置可實 施用以抑制因光學近接效果造成之圖案尺寸變動及圖案變 形等的光學近接效果修正（〇PC:〇ptieal P]rQximity Correction) ° 本實施形態中，液體LQ之T0C值與圖案形成狀態之 關係係儲存於記憶裝置8。於記憶裝置8中，儲存有例如液 體LQ之T0C值、與透過該液體LQ使基板p曝光時形成於 基板P之圖案之形成狀態的關係。例如，記憶裝置8中儲 存有複數個TOC值與該複數個T0C值之各個對應之複數個 圖案之形成狀態的關係(mapping,data)。又，此關係 data)可藉由例如所謂的包含測試曝光之實驗、或模擬等方 式加以預先求出。 調整裝置30可根據例如丁〇(：計5〇之測量結果與記憶 裝置8之儲存資訊，調整供應至光路K之液體LQi T〇i 值’以獲得所欲圖案之形成狀態。 其次，説明具有上述構成之曝光裝置Εχ之一動作例。 控制裝置7為將曝光前之基板ρ搬入（裝載至）基板載台 2Ρ(基板保持部13) ’將基板載台2Ρ移動至基板更換位置。 基板更換位置係一離開液浸構件4(投影區域PR)之位置，可 實施基板Ρ之更換處理之位置。基板Ρ之更換處理，包含 使用既定搬送裝置（未圖示）將基板載台2ρ(基板保持部4

S 36 201227178 所保持之曝光後之基板p從基板載台2p搬出（卸載）之處 理、及將曝光前之基板p搬人（裝載至）基板載台2p(基板保 持部13)之處理中的至少-方。控制裝置7將基板載台2p 移動至基板更換位置，以實施基板p之更換處理。 在基板載台2P從液浸構件4離開之至少部分期間中， 控制裝置7將測量載台2C配置在與終端光學元件丨丨及液 α構件4對向之位置，以在終端光學元件丨丨及液浸構件* 與測量載台2C之間保持液體LQ形成液浸空間LS。 又，在基板載台2P從液浸構件4離開之至少部分期間 中，亦可視需要實施使用測量載台2C之測量處理。實施使 用測量載台2C之測量處理時，控制裝置7使終端光學元件 11及液浸構件4與測量載台2C對向，以終端光學元件！ i 與測5構件C之間之曝光用光EL之光路κ被液體LQ充滿 之方式形成液浸空間LS。控制裝置7，透過投影光學系pL 及液體LQ對保持於測量載台2C之測量構件c(測量器）照 射曝光用光EL，以實施曝光用光EL之測量處理。該測量 處理之結果，亦可反映於之後實施之基板p之曝光處理。 在曝光前之基板P被裝載於基板載台2P，使用測量載 台2C之測量處理結束後，控制裝置7，將基板載台2p移動 至投影區域PR以在終端光學元件丨丨及液浸構件4與基板 載台2P(基板p)之間形成液浸空間ls。 控制裝置7為供應液浸空間LS，從供應口 21將液體 LQ供應至光路κ’並與從該供應口 2ι之液體之供應並 行’從回收口 22回收基板ρ(基板載台2?)上之至少部分液 37 201227178 體LQ。 控制裝置7控制調整裝置30，調整供應至供應口 21之 液體LQ之TOC值。被調整裝置3〇調整了 t〇C值之液體 L Q透過供應口 2 1被供應至光路κ。 本實施形態中’控制裝置7以下述方式控制調整裝置 30 ’即以TOC計50測量從調整裝置3〇送出之液體Lq之 TOC值，根據該測量結果，使供應至光路κ之液體之 TOC值成為所欲之值。本實施形態中，控制裝置7係根據 例如TOC計50之測量結果與記憶裝置8之儲存資訊，控制 調整裝置30調整供應至光路尺之液體lq之t〇c值，以使 形成於基板P之圖案之形成狀態成為所欲狀態。控制裝置7 控制調整裝置30調整液體lq之TOC值，以使例如形成於 基板P之圖案之尺寸成為目標值。又，控制裝置7可調整 液體LQ之TOC值以實施光學近接效果修正。

以TOC值經調整為所欲值之液體LQ形成液浸空間lS 後’控制裝置7開始基板p之曝光處理。控制裝置7將來 自被照明系、IL之曝光用光EL照明後之光罩M之曝光用光 EL’透過投影光學系PL及液浸空間LS之液體lq照射於 基板P。如此，基板P即被經由液浸空間Ls之液體來 自射出面1〇之曝光用光EL曝光，將光罩以之圖案财之 像投影於基板p。 本實施形態之曝光裝置EX係—邊使光罩M與基板p 往既定掃描方向同步移動、一邊將光罩心圖案像投影至 基板P之掃描型曝光裝置（所謂的掃描步進機）。本實施形態

S 38 201227178 中，係设基板P之彳冑y f ^ / 坷拖方向（同步移動方向） 罩Μ之掃描方向（ 门）為Υ軸方向，光 μ 方向>亦設為

置7使基板P相對投 U ,L .. 予糸之才又衫區域PR移動於γ

軸方向’並與該基板p 秒㈣Y 奴P彺Y軸方向之移動同步，一邊 照明系IL之照明區域IR使光罩m移動於γ軸方向、一邊 透過投影光學系PL與基板Ρ上之液浸空間LS之液體LQ 將曝光用光EL照射於基板p。 基板P之曝光處理結束後，控制裝置7使基板載台2p 移動至基板更換位置，將曝光後之基板p從基板載台邡搬 出並將曝光前之基板P搬入基板載台2p。之後，反複進行 上述處理使複數個基板ρ依序曝光。此外，並對曝光後之 基板P實施顯影處理及蝕刻處理等之各種處理。 如以上之説明，根據本實施形態，係藉由供應至光路κ 之液體LQ之TOC值之調整，調整液體LQ之特性《又，根 據本實施形態，係藉由液體LQ之TOC值之調整，調整圖 案之形成狀態。因此，可抑制不良元件之產生等。 又，本實施形態中，控制裝置7亦可根據關於光罩M 之圖案MP之資訊控制調整裝置30,以調整液體LQ之t〇c 值。例如，控制裝置7可視L/ S圖案之間距Pt及線部乙 之尺寸（線幅）中之至少一方’來調整液體LQ之t〇c值。 又，本實施形態中’調整裝置3 0係根據丁0c計5 〇之 測量結果調整液體LQ之TOC值。但調整裝置30亦可例如 根據空間像測量系統70之測量結果調整液體LQ之T〇C 值。如上所述，本實施形態中，空間像測量系統70之至少 39 201227178 一部分係配置在測量載台2C。 圖6係顯示在終端光學元件11與空間像測量系統7 〇 所具有之測量構件C之間保持有液體LQ之狀態之一例的 圖。 空間像測量系統7〇，具備曝光用光el可透射之透射部 7 1的測量構件C、來自透射部71之曝光用光EL射入之光 學元件72、以及來自光學元件72之曝光用光EL射入之受 光兀件73。測量構件C可在與終端光學元件丨丨及液浸構件 4之間保持液體LQ以形成液浸空間ls。 空間像測量系統70可測量透過液浸空間LS之液體LQ 所照射之來自射出面丨〇之曝光用光EL之照射條件。空間 像測量系統70可測量透過投影光學系pL及:液..體LQ形成之 空間像。空間像測量系‘統7〇可測量在投影光學系pL之像 面側（終端光學元件11之射出側）之圖案像的成像特性。空 間像測量系統70可測量透過投影光學系pL及液體LQ在投 影光學系PL之像面側（終端光學元件n之射出側）形成之圖 案的形成狀態。空間像測量系統7〇可測量在投影光學系 之像面側（終端光學元件丨丨之射出側）透過終端光學元件丄^ 及液體LQ形成之圖案像的形成狀態。圖案之形成狀態包含 曝光裝置EX之光學近接效果特性。 使用空間像測量系統7〇測量圖案之形成狀態之情形 時，如圖6所示’在終端光學元件11及液浸構件4與測量 構件C(測里載台2C)之間以液體LQ形成液浸空間ls。控 制裝置7控制調整裝置3〇,從供應〇 21供應調整了取

S 40 201227178 •值之液體LQ，並與從該供應口 21之液體LQ之供應並行， 從回收口 22回收液體LQ。如此，即在終端光學元件u及 液浸構件4與測量構件C(測量載台2C)之間以液體lq形成 液浸空間LS。 控制裝置7在形成有液浸空間LS之狀態下，從射出面 1〇射出曝光用* EL。如此，從射出面1〇射出之曝光用光 EL即透過液浸空間LS之液體[9照射於測量構件c之透射 部71。據此，空間像測量系統70即能測量圖案之形成狀態。 二間像測量系統70之測量結果被輸出至控制裝置7。 控制裝置7亦可根據空間像測量系統7〇之測量結果，控制 調整裝置30。例如，控制裝置7可根據空間像測量系統7〇 之測量結果控制調整裝置30以調整供應至光路κ之液體 LQ之TOC值，以獲得所欲之圖案形成狀態。 <第2實施形態> 其次，說明第2實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖7係顯示第2實施形態之液體供應裝置5Β之一例的 圖。第2實施形態中，液體供應裝置5Β具備用以調整透過 供應口 21供應至光路κ之液體LQ之氣體濃度（溶解氣體濃 度）的調整裝置30B。藉由液體LQ之氣體濃度之調整，調 整形成於基板P(物體）之圖案之形成狀態。調整裝置3〇B可 调整液體LQ之氣體濃度，以調整形成於基板p(物體）之圖 案之形成狀態。 41 201227178 如圖7所示，液體供應裝置5b具備調整裝置3〇b、脱 氣裝置132、以及氣體供應裝置135。 脱氣裝置132可實施液體Lqa之脱氣處理《脱氣裝置 132可送出經脱氣處理之液體LQse脱氣裝置132包含例如 美國專利申請公開第2〇〇5/〇21949〇號等所揭示之可降低 液體中溶解之氣體濃度的膜脱氣裝置。脱氣裝置132透過 形成於流路形成構件141之流路141R與液體供應源4〇連 接。來自液體供應源40之液體Lqa經由流路141R被供應 至脱氣裝置132。脱氣裝置132可實施來自液體供應源4〇 之液體Lqa之脱氣處理》脱氣處理係除去液體中所含 氣體之處理。藉由脱氣處理，至少將液體Lqa中所含之既 定氣體G從液體Lqa中除去。 氣體供應裝置135可送.出既定氣體G。本實施形態中， 既定氣體G為氧氣。又’既定氣體g亦可包含氧氣、與種 類不同於氧氣之氣體（例如氮氣）。此外，既定氣體G亦可包 含炭酸氣、氫氣及臭氧氣中之至少一種。再者，既定氣體 亦可包含惰性氣體。 調整裝置3 0B透過形成於流路形成構件丨3 4之流路 134B與脱氣裝置132連接。來自脱氣裝置132之液體lqs 經由流路134R被供應至調整裝置30B。 調整裝置30B透過形成於流路形成構件丨36之流路 136R與氣體供應裝置135連接。來自氣體供應裝置135之 既定氣體G可經由流路136R被供應至調整裂置3〇B。 調整裝置30B，使從氣體供應裝置135供應之既定氣體

S 42 201227178 G溶解在從脱氣u 132供應之液體岭巾，以調整該液 體LQs令之溶氣濃度。冑整裝f 3〇使既定量之既定氣體〇 溶解於經脱氣處理之液體LQs中，據以生成氣體濃度經調 整之液體LQ。亦即，本實施形態中，調整裝置30B係藉由 實施提高經脱氣處理之液體LQs t之溶氣濃度的處理，以 調整液體LQ之氣體濃度。 調整裝置30B，包含例如使用透氣臈使氣體溶解於液體 之膜/合解裝置。又，可使氣體溶解於液體之溶解裝置之例， 已於例如特開2009 — 219997號公報中有所揭示。 本實施形態中，液體供應裝置5B具備用以測量供應至 光路K之液體LQ之氣體濃度的測量裝置15〇。以下之説明 中’將測量裝置1 50適宜的稱為氣體濃度計1 5〇。 本實施形態中，氣體濃度計i 5〇係測量從調整裝置3〇b 送出之液體LQ之氣體濃度。本實施形態中，氣體濃度計 bo測量從調整裝置30B送出、被供應至供應口 21前之液 體LQ之氣體濃度。 本實施形態中，氣體濃度計150與從流路23(24R)分歧 出之流路形成構件143之流路143R連接。氣體濃度計15〇 測置從調整裝置30B送出、經由流路24R及流路143R供應 之液體LQ之氣體濃度。據此，氣體濃度計150即可測量從 '周整裝置30B經由流路23及供應口 21供應至光路κ之液 體LQ之氣體濃度。 氣體濃度計1 5 0之測量結果輸出至控制裝置7 <·控制裝 置7可根據氣體濃度計1 50之測量結果控制調整裝置3〇b。 43 201227178 例如，控制裝置7可根據氣體濃度計15〇之測量結果控制 調整裝置30B，以使從調整裝置30B送出、經由流路23及 供應口 21供應至光路K之液體LQ之氣體濃度達到目標值。 调整裝置30B調整透過供應口 21供應至光路κ之液體 LQ之氣體濃度，以調整透過液體LQ照射於基板p之來自 射出面1 0之曝光用光EL之照射條件。本實施形態中，係 藉由液體LQ之氣體濃度之調整，來調整圖案Mp之像在投 影光學系PL之像面側（終端光學元件丨1之射出側）之成像特 性。 本實施形態，係藉由調整液體LQ之氣體濃度，調整形 成於基板P(物體）之圖案之形成狀態。調整裝置3〇B調整液 體LQ之氣體濃度，以調整形成於基板.p(物體）之圖案之形 成狀態。. · .... ’ 例如，藉由液體LQ之氣體濃度之調整，液體LQ對曝 光用光EL之特性（例如光學特性）有可能產生變化。例如， 藉由液體LQ之氣體濃度之調整，液體LQ對曝光用光 之透射率可能產生變化、或折射率產生變化。 亦即，因液體LQ之氣體濃度之調整，使液體LQ對曝 光用光EL之特性（例如光學特性）受到調整之情形時，有可 能視該特性，例如參照圖5等所做之説明，從射出面射 出、透過液體LQ照射於基板p之第丨光束B1、第2光束 B2及第3光束B3之各個於基板p表面之強度及照射位置 之至少一部分產生變化。 因第1光束扪、第2光束B2及第3光束幻之各個於 201227178 基板p表面之強度及照射位置之至少一部分產生變化，形 成於基板P之圖案之形成狀態會產生變化。因此，芦由古周 整供應至光路K之液體LQ之氣體濃度，調整形成於基板p 之圖案之形成狀態。 控制裝置7可控制調整裝置30B調整液體Lq之氣體濃 度’據以調整例如形成於基板P之L/ S圖案之線部尺寸（線 寬）、或調整在基板P上之L/S圖案之間距。此外，例如 圖案MP(圖案CP)包含圓形圖案之情形時，控制裝置7可控 制調整裝置30B調整液體LQ之氣體濃度，據以調整形成於 基板P之圓形圖案之尺寸。 如上所述’圖案形成狀態之調整包含曝光裝置Εχ之光 學近接效果特性之調整。藉由調整裝置3〇Β調整供應至光 路Κ之液體LQ之氣體濃度，可調整在基板p之圖案cp之 近接效果特性。亦即，調整裝置30Β可調整液體LQ之氣體 濃度以修正光學近接效果。換言之，調整裝置3〇B可實施 為抑制光學近接效果造成之圖案尺寸變動及圖案變形等的 光學近接效果修正（OPC:Optical Proximity CorreetiDii)。 本實施形態中，液體LQ之氣體濃度與圖案之形成狀態 間之關係儲存在記憶裝置8 ^於記憶裝置8，儲存有例如液 體LQ之氣體濃度、與透過該液體Lq使基板p曝光時形成 於基板P之圖案之形成狀態間的關係。例如，記憶裝置8 中儲存有複數個複數個氣體濃度與該等複數個氣體濃度之 各個對應之複數個圖案之形成狀態的關係（mapping data)。 又’此關係（mapping data)可藉由例如所謂的包含測試曝光 45 201227178 之實驗、或模擬等方式加以預先求出。 調整裝置则可根據例如氣體濃度計15〇之測量結果 二記憶裝置8之儲存資訊，調整供應至光路K之液體⑶之 氣體濃度，以獲得所欲之圖案形成狀態。 又，控制裝置7亦可使用空間像測量系統7〇測量透過 終端光學元件η及液體Lq形成之圖案的形成狀態’根據 該測里結果控制調整裝置30Β，以使液體中之氣體濃度 成為所欲值。 如以上之説明，藉由液體LQ之氣體濃度之調整，亦能 調整圖案之形成狀態。 當然’亦能調整液體LQ之總有機碳濃度與氣體濃度之 雙方，以調整圖案之形成狀態。此外，不限於總有機碳（有 機物)及既定氣體G. ’亦可藉由將可調整液體lq對曝光用 光EL之透射率的既定物質供應（注入、混入）至液體lQ，據 以調整透過該液體LQ形成之圖案的形成狀態。 <第3實施形態> 其次，說明第3實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖8係顯示第3實施形態之一元件製造系統SYS例的 示意圖。元件製造系統SYS具有複數個透過液體LQ以曝 光用光EL使基板P曝光之曝光裝置。圖8所示例中，元件 製造系統SYS具有第1曝光裝置EX1、第2曝光裝置EX2、 第3曝光裝置EX3及第4曝光裝置EX4。 46 201227178 本實施形態中’複數個曝光裝置EX1〜EX4之各個分 別具備具有曝光用光EL射出之射出面10的終端光學元件 11，可以從射出面10射出之曝光用光EL透過液體LQ使基 板P曝光。此外，複數個曝光裝置EX1〜EX4之各個，具 有從射出面10射出之曝米用光EL之光路K。複數個曝光 裝置EX1〜EX4之各個’可透過終端光學元件n及供應至 光路K之液體LQ將圖案之像投影至物體。 元件製造系統SYS具備可將液體LQ供應至複數個曝 光裝置EX1〜EX4各個之光路κ的液體供應系統50〇(>液體 供應系統500’包含對應複數個曝光裝置EX1〜ex4之各個 配置之複數個液體供應裝置5〇1〜5〇4 ^複數個液體供應裝 置501〜504之各個，具有可調整液體LQ之T〇c值之調整 裝置30。液體供應系統500可使用液體供應裝置5〇1〜5〇4 为別具有之调整裝置3 0，調整供應至複數個曝光裝置Εχ 1 〜EX4各個之光路κ之液體LQ的TOC值。 又，元件製造系統sys具有控制複數個曝光裝置Εχι 〜EX4及包含複數個液體供應裝置5〇1〜5〇4之液體供應系 統500的主電腦ME。複數個曝光裝置EX1〜Εχ4及液體供 應系統5000係以主電腦ME加以管理。主電腦me可根據 例如連接於該主電腦ME之儲存系統之儲存資訊進行管理。 圖9係顯示第【曝光裝置EX1所具有之終端光學元件 11及液浸構件4、與對應該第！曝光裝置Εχι配置之第丄 液體供應裝置501之-例的圖。又，由於第i曝光裝置 與上述第1實施形態所説明之曝光裝置Εχ為相等構成，因 47 201227178 此省略其説明。此外，由於第2〜第4曝光裝置eX2〜Εχ4 與第1曝光裝置ΕΧ1為相同構成，因此亦省略其説明。 液體供應裝置501與上述第丨實施形態所説明之液體 供應裝置5為大致相等之構成。液體供應裝置5與液體供 應裝置501之不同點，在於液體供應裝置5〇1具有可與T〇c 計8 0連接之連接部9 〇。 液體供應裝置501具備調整裝置30與丁0(:計5〇。此 •外，液體供應裝置5〇1具備流路形成構件44，此流路形成 構件44具有從流路23(24R)分歧出之流路4伙。t〇c計肋 可連接於流路44R前端之開口 44Κβ連接部9〇之至少一部 分係配置在流路44R之前端。T〇c計8〇可連接於連接部 90、亦從連接部90釋放。 從調整.裝置30送出之液體叫之一部分，經由流路⑽ 及流路43R供應至T〇c計5〇β又，在連接部9〇連接有取 計80之情形時，從調整裝置3〇送出之液體lq之一部分經 由流路24R及流路44R供應至T〇c計8〇。取計5〇測量 從調整裝置30¾出、經由流路24R及流％ 43R供應之液體 LQ之TOC值。T〇c計8〇則測量從調整裝置送出n 由流路24R及流路44R供應之液體LQ之t〇c值。如此， TOC計50及T0C計8〇即能分別測量從調整裝置3〇經由 流路23及供應口 21供應至光路κ之液體lq之值。 亦即，toc計50與T0C計80可測量從調整裝置3〇送出、 流經流路23之液體lq之T〇c值。換言之，t〇c計與 TOC計80可測量相同的測量對象物（液體lq)。

S 48 201227178 又，液體供應裝置501具備可打開及關閉流路44R前 端之開口 44K的開閉機構。在t〇c計80從連接部90拆下 時，開口 44K係被開閉機構關閉的。 第2〜第4液體供應裝置502〜504具有與第1液體供 應裝置501相等之構成。亦即，於複數個液體供應裝置501 〜504之各個’分別配置有調整裝置30、TOC計50以及連 接部90。第2〜第4液體供應裝置502〜504之説明省略。 本實施形態中，TOC計80於元件製造系統SYS係配置 一個° TOC計80能於複數個曝光裝置EX1〜EX4之各個使 用。TOC計80可搬送至複數個液體供應裝置5〇1〜504(複 數個曝光裝置EX1〜EX4)之各個》TOC計80可以例如搬送 裝置加以搬送、亦可由作業員來搬送。 以下之説明中’將TOC計80適當的稱為基準TOC計 80 ° 基準TOC計80被搬送至液體供應裝置5〇1，並連接於 該液體供應裝置501之連接部90之情形時，可測量供應至 曝光裝置EX1之光路K之液體LQ之TOC值。又，基準TOC 計80在被搬送至液體供應裝置502，並連接於該液體供應 裝置502之連接部90之情形時，可測量供應至曝光裝置ex〗 之光路K之液體LQ之TOC值。又，基準TOC計80在被 搬送至液體供應裝置503,並連接於該液體供應裝置503之 連接部90之情形時，可測量供應至曝光裝置eX3之光路κ 之液體LQ之TOC值。再者，基準TOC計80在被搬送至 液體供應裝置504’並連接於該液體供應裝置504之連接部 49 201227178 9〇之if形時’可測重供應至曝光裂置Εχ4之光路K之液體 LQ之TOC值。亦即，基準TOC計80可測量被供應至複數 個曝光裝置ΕΧ1〜ΕΧ4各個之光路κ之液體LQi T〇c值。 本實施形態中，使用基準TOC計80之測量結果，分別 進行配置於複數個曝光裝置EX1〜Εχ4各個之t〇C計50 的校準》 進行TOC計50之校準時，基準t〇c計80被依序搬送 至複數個液體供應裝置501〜504(複數個曝光裝置]5X1〜 EX4)。主電腦me使用例如搬送裝置將基準t〇c計80依序 搬送至複數個液體供應裝置5〇1〜5〇4 (複數個曝光裝置ΕΧ1 〜ΕΧ4) ’實施使用該基準t〇C計80之測量處理。 例如’在基準TOC計80被搬送至液體供應裝置5〇1 , 並連接於該液體供應，裝置5〇 1之連接部90後，主電腦ME 即分別使用液體供應裝置5〇1(曝光裝置EX 1)所具有之TOC °十5 0及基準TOC計8 0，測量從液體供應裝置5 0丨之調整 裝置30供應至曝光裝置Εχι之光路κ之液體lq的t〇c 值。液體供應裝置501所具有之TOC計50之測量結果及基 準TOC計80之詢量結果輸出至主電腦me。 使用在液體供應裝置501(曝光裝置EX1)之基準TOC計 8〇之測量處理結束後’主電腦ME使用例如搬送裝置將基 準T0C計80搬送至液體供應裝置502(曝光裝置EX2)。基 準TOC計80被搬送至液體供應裝置502並連接於該液體供 應裝置502之連接部9〇後，主電腦ME即分別使用液體供

應裝置502(曝光裝置EX2)所具有之TOC計50及基準TOC

S 50 201227178 計80 ’測量從液體供應裝置5〇2之調整裝置30供應至曝光 裝置EX2之光路κ之液體LQ的TOC值。液體供應裝置502 所具有之TOC計50之測量結果及基準TOC計80之測量結 果輸出至主電腦ME。 使用在液體供應裝置502(曝光裝置EX2)之基準TOC計 80之測量處理結束後，主電腦me使用例如搬送裝置將基 準TOC計80搬送至液體供應裝置503(曝光裝置EX3)。基 準TOC計80被搬送至液體供應裝置503並連接於該液體供 應裝置503之連接部90後，主電腦ME即分別使用液體供 應裝置503(曝光裝置Εχ3)所具有之t〇C計50及基準TOC 計80 ’測量從液體供應裝置5〇3之調整裝置3〇供應至曝光 裝置EX3之光路κ之液體LQ的TOC值。液體供應裝置503 所具有之TOC計50之測量結果及基準TOC計80之測量結 果輸出至主電腦ME。 使用在液體供應裝置503(曝光裝置EX3)之基準TOC計 80之測量處理結束後，主電腦me使用例如搬送裝置將基 準TOC計80搬送至液體供應裝置504(曝光裝置eX4)。基 準TOC計80被搬送至液體供應裝置5〇4並連接於該液體供 應裝置504之連接部90後，主電腦ME即分別使用液體供

應裝置504(曝光裝置EX4)所具有之t〇c計50及基準TOC 計80，測量從液體供應裝置5〇4之調整裝置3〇供應至曝光 裝置EX4之光路K之液體lq的TOC值。液體供應裝置504 所具有之TOC計50之測量結果及基準TOC計80之測量結 果輸出至主電腦me。 51 201227178 主電腦ME使用測量供應至複數個曝光裝置ex 1〜EX4 之光路K之液體LQ之TOC值的基準TOC計80之測量結 果’校準配置在複數個液體供應裴置5 〇 1〜5〇4(複數個曝光 裝置EX1〜EX4)各個之TOC計50。 例如，主電腦ME比較基準丁〇c計8〇之測量結果與曝 光裝置EX1之TOC計50之測量結果。主電腦me根據該 比較結果’判斷是否實施曝光裝置Εχι之t〇C計50之調 整（修正）。例如，當主電腦ME根據該比較之結果，判斷曝 光裝置EX1之T0C計50(TOC計5〇之測量結果）有異常之 情形時，即實施該TOC計50之調整（修正）。另一方面，當 主電腦ME根據該比較之結果，判斷曝光裝置Εχ 1之TOC δ十50(TOC計50之測量結果）為正常之情形時，不實施該 Τ Ο C §十5 0之調整（修正）。 同樣的’主電腦ME比較基準TOC計80之測量結果與 曝光裝置EX2之TOC計50之測量結果，根據該比較之結 果判斷是否實施曝光裝置EX2之TOC計50之調整（修正）， 並視需要實施該TOC計50之調整（修正）。同樣的，主電腦 ME比較基準TOC計80之測量結果與曝光裝置ex3(EX4) 之TOC計50之測量結果，根據該比較之結果判斷是否實施 曝光裝置EX3(EX4)之TOC計50之調整（修正），並視需要 實施該TOC計50之調整（修正）。 亦即，本實施形態中，TOC計50之校準包含基準T〇c 計80之測量結果與T0C計50之測量結果的比較，與根據 該比較結果判斷是否實施TOC計50之調整（修正）。又，本

S 52 201227178 實施形態中，TOC計50之校準，在根據比較結果判斷出 TOC計50為異常之情形時，包含該TOC計50之調整（修正） 之實施。此外，本實施形態中，TOC計50之校準，在根據 比較結果判斷TOC計50為正常之情形時，包含不實施該 T O C计5 0之調整（修正）。 藉以上之處理，即能整合配置在複數個液體供應裝置 5〇1〜5〇4(複數個曝光裝置EX1〜EX4)各個之TOC計50之 測量結果。 在校準了配置於複數個液體供應裝置5〇1〜5〇4(複數 個曝光裝置EX1〜EX4)各個之TOC計50後，主電腦ME 即在複數個曝光裝置EX1〜Εχ4之各個分別實施透過液體 LQ使基板P曝光之曝光處理。供應至複數個曝光裝置Εχι 〜EX4各個之光路K之液體lq之TOC值，以經校準之T〇c 計50加以測量。如此，供應至光路κ之液體Lq之T〇c值， 能以TOC計50良好的加以測量。主電腦ME可藉由 計50之校準，管理複數個曝光裝置Εχι〜Εχ4各個之圖案 形成狀態β 又’亦可根據經校準之曝光裝置EX 1之TOC計50之 測量結果，調整供應至曝光裝置Εχι之光路κ之液體 之TOC值。曝光裝置EX1之調整裝置3〇,可根據經校準之 曝光裝置EX1之TOC計50之測量結果，良好的進行液體 LQ之TOC值之調整。此外，亦可根據經校準之曝光裝置 EX2之TOC計50之測量結果進行供應至曝光裝置Εχ2之 光路Κ之液體LQ之T〇c值之調整，或根據經校準之曝光 53 201227178 裝置EX3之TOC計50之測量結果進行供應至曝光裝置Εχ3 之光路K之液體LQ之TOC值之調整，或根據經校準之曝 光裝置EX4之TOC計50之測量結果進行供應至曝光裝置 EX4之光路K之液體LQ之TOC值之調整。當然，於複數 個曝光裝置ΕΧ1〜ΕΧ4中之至少一個曝光裝置，不進行液 體LQ之TOC值之調整。 於基板Ρ之曝光中，主電腦ME實施在第1曝光裝置 EX1之基板P之曝光處理（液浸曝光處理）。於第1曝光裝置 EX1實施對基板P之曝光處理後，主電腦ME即對該經曝光 處理之基板P實施包含顯影處理及蚀刻處理等之後處理。 在實施對基板P之後處理後’主電腦ME即對該經後處理之 基板P實施包含感光材塗布處理等之前處理。在實施對基 板P之前處理後’主電腦ME對經該前處理之基板ρ時實 施於第2曝光裝置EX2之曝光處理。在第2曝光裝置EX2 實施對基板P之曝光處理後’主電腦ME對經該曝光處理之 基板ρ實施上述後處理及前處理®主電腦me對該基板ρ 實施於第3曝光裝置EX3之曝光處理。在第3曝光裝置EX3 實施對基板P之曝光處理後’主電腦ME對該經曝光處理之 基板P實施上述後處理及前處理。主電腦ME對該基板P 實施於第4曝光裝置EX4之曝光處理。在第4曝光裝置EX4 實施對基板P之曝光處理後，主電腦ME對該經曝光處理之 基板P實施上述後處理等。

本實施形態’由於係在第1〜第4曝光裝置EX 1〜EX4 各個之曝光處理中’使用經校準之T〇C計5 0測量液體LQ

S 54 201227178 之TOC值’並根據該測量結果由第1〜第4液體供應裝置 501〜5 04之各個所具有之調整裝置3〇調整液體LQ之TOC 值’因此在使用複數個曝光裝置EX1〜EX4使基板P曝光 之場合’能於基板P形成所欲圖案。 本實施形態中’主電腦me藉由調整供應至複數個曝光 裝置EX1〜EX4中至少一個之光路κ之液體LQ之TOC值， 來使圖案在該等複數個曝光裝置EX1〜EX4各個之形成狀 態相匹配（matching)。例如，主電腦ME藉由調整供應至曝 光裝置EX1之光路K之液體LQ之TOC計及供應至曝光裝 置EX2之光路K之液體LQ之TOC值之至少一方，據以使 在曝光裝置EX 1之圖案形成狀態在曝光裝置EX2之圖案形 成狀態相匹配。此外’為了使圖案在複數個曝光裝置EX1 〜EX4之成狀態相匹配’可調整供應至複數個曝光裝置Εχ 1 〜EX4之所肴光路K之液體LQ之TOC值、亦可僅調整供 應至部分光路K之液體LQ之TOC值。 本實施形態中’圖案在曝光裝置EX1之形成狀態之調 整，亦包含曝光裝置EX1之光學近接效果特性之調整。同 樣的’於曝光裝置EX2〜EX4各個之圖案之形成狀態之調 整，包含該等曝光裝置EX2〜EX4各個之光學近接效果特 性之調整》於複數個曝光裝置EX1〜EX4各個之圖案之形 成狀恝之相匹配’包含該等曝光裝置EX 1〜EX4各個之光 學近接效果特性之相匹配。例如’於曝光裝置Εχ 1之圖案 之形成狀態與於曝光裝置EX2之圖案之形成狀態的相匹 配，包含曝光裝置EX1之光學近接效果特性與曝光裝置EX2 55 201227178 之光學近接效果特性的相匹配。主電腦ME，藉由調整供應 至曝光裝置EX1之光路κ之液體Lq之T〇c計及供應至曝 光裝置EX2之光路κ之液體LQ之TOC值之至少一方，據 以使曝光裝置EX 1之光學近接效果特性與曝光裝置ex〗之 光學近接效果特性相匹配。 如前所述，本實施形態中，主電腦ME可管理複數個曝 光裝置EX 1〜EX4各個之圖案形成狀態，可管制複數個曝 光裝置EX1〜EX4各個之光學近接效果特性。 又’本實施形態’雖係設定為在曝光裝置Εχι之曝光 處理與在曝光裝置EX2之曝光處理之間實施後處理及前處 理，但例如亦可對在曝光裝置EX1經曝光處理之基板p不 實施後處理及前處理，·而於曝光裝置EX2實施曝光處理。 亦即亦可使用第1.曝光裝置EX1與第_ 2曝光裝置EX2實 施雙重曝光（double patterning)。可在雙重曝光實施後，實 施包含顯影處理及蝕刻處理等之後處理。同樣的，亦可不 對在曝光裝置EX2經曝光處理之基板p實施後處理及前處 理而於曝光裝置EX3實施曝光處理，或不對在曝光裝置 經曝光處理之基板P實施後處理及前處理之情形下，於曝 光裝置EX4實施曝光處理。 又，本貫施形態中，TOC計50雖係設定為分別安裝於 曝光裝置EX1〜EX4之各個，對亦可以對曝光裝置EX1〜 EX4中至少一個之外部裝置。只要是配置在能隨時測量供 應至曝光裝置EX1〜EX4之光路κ之液體1卩之T〇c值的 位置的話，曝光裝置EX 1〜EX4中之至少一個可不具備το〔

S 56 201227178 計50。 又，本實施形態中，雖係使用基準TOC計80來校準複 數個液體供應裝置501〜504之各個所具有之TOC計50， 但在例如複數個液體供應裝置50 1〜504分別具有氣體濃度 計1 50之場合’亦可使用基準氣體濃度計之測量結果校準 該等複數個氣體濃度計1 50。此又，與基準TOC計80同樣 的’基準氣體濃度計亦能使用於複數個曝光裝置EX1〜EX4 之各個’而能測量供應至複數個曝光裝置ΕΧ丨〜EX4各個 之光路Κ之液體LQ之氣體濃度。又，亦可根據經校準之曝 光裝置EX 1〜ΕΧ4所具有之氣體濃度計150之測量結果， "周整供應至該曝光裝置ΕΧ1〜ΕΧ4之光路Κ之液體LQ之氣 體濃度。此外，亦可調整供應至曝光裝置Εχι〜ΕΧ4之光 路Κ之液體lq之氣體濃度，使在該等曝光裝置ΕΧ1〜ΕΧ4 各.個之圖案之形成狀態相匹配。 又，上述第1〜第3實施形態中，雖係在使用調整裝置 3 0(3 0Β)調整了液體LQ對曝光用光El之特性（例如包含透 射率等之光學特性）後，將該經調整之液體LQ供應至供應 口 21，但，例如在可將液體供應至光路κ之供應口存在複 數個之場合，可設定為從該複數個供應口中之第1供應口 ； 值'•至充分降低之第1液體（例如超純水）供應至光路 Κ，從第2供應口將具有既定T〇c值之第2液體（含有機物 之，體)供應至光路κ。藉由調整來自第1供應口之第【液 母單位時間之供應量及來自第2供應口之第2液體每單 位時間之供應量中的至少—方，可於光路κ生成具有所欲 57 201227178 TOC值之液體lq。 又如上所述，控制裝置7(主電腦me)包含含CPU等 =電月a系統。此外，控制裝I 7(主電腦ME)包含可進行電 腦系統與外部裝置間之通訊的介面。記憶裝置8包含例如 等之>己憶體、硬碟、CD — R〇M等之記錄媒體。記憶 裝置8中儲存有用以控制電腦系統之作業系統（OS)、以及用 以控制曝光裝置Εχ之程式。又，於主電腦ME亦連接有儲 存系統。 又，亦可於控制裝置7(主電腦ME)連接可輸入輸入信 號之輸入裝置。輸入裝置包含鍵盤、》’骨鼠等之輸入機器、 或可輸入來自外部裝置之資料的通訊裝置等。此外，亦可 裝設液晶顯示器等之顯示裝置。 包含記錄在記憶裝置8(記錄系統）之程式的各種資訊， 可由包含電腦系統控制裝置7(主電腦ME)加以讀取。於記 憶裝置8(記錄系統）中，儲存有使控制裝置7(主電腦me)實 施透過曝光液體LQ以曝光用光EL使基板p曝光之曝光裝 置EX之控制的程式。 記錄在記憶裝置8中之程式，可依據上述實施形態， 使控制裝置7實施調整液體LQ之總有機碳濃度的處理、與 將經總有機碳濃度之調整之液體Lq供應至從射出面1〇射 出之曝光用光EL之光路K的處理。 又’ A錄在s己憶裝置8中之程式，可依據上述實施形 態使控制裝·置7實施液體L Q之既定物質濃度（可調整液 體LQ對曝光用光EL之透射率）之調整的處理、與將既定物

S 58 201227178 質濃度經調整之液體LQ供應至從射出面10射出之曝光用 光EL之光路κ的處理。 又’ s己錄在記憶裝置8 (記錄系統）中之程式，可依據上 述實施形態’使控制裝置7(主電腦ME)實施使用基準TOC 計80測量供應至複數個曝光裝置EX1〜EX4中、例如供應 至第1曝光裝置EX1之曝光用光EL之光路κ之液體^卩之 總有機碳濃度的處理，使用基準T〇c計80測量供應至第2 曝光裝置ΕΧ2之曝光用光eL之光路κ之液體[卩之總有機 碳濃度的處理，以及使用基準TOC計80之測量結果校準可 測量供應至第1曝光裝置EX i之光路κ之液體Lq之總有 機碳濃度之TOC計50與可測量供應至第2曝光裝置ex〗 之光路K之液體LQ之總有機碳濃度之t〇c計50的處理。 又’ s己錄在記憶裝置8(記錄系統）中之程式，可依據上 述實施开> 態’使控制裝置7(主電腦ME)實施使用基準TOC 计80(或基準氣體濃度計）等之基準測量裝置測量可調整供 應至複數個曝光裝置EX1〜EX4中、例如第！曝光裝置EX1 之曝光用光EL之光路κ之液體LQ對曝光用光EL之透射 率之既定物質濃度的處理，使用基準測量裝置測量可調整 供應至第2曝光裝置EX之曝光用光EL之光路κ之液體 對曝光用光EL之透射率之既定物質濃度的處理，以及使用 基準測量裝置之測量結果實施校準可測量供應至第丨曝光 袁置EX1之光路K之液體LQ之既定物質濃度之T〇c計 5〇(或氣體濃度計150)等第1測量裝置、與可測量供應至第 2曝光裝置EX2之光路κ之液體LQ之既定物質濃度之第2 59 201227178 測量裝置的處理。 藉由將記憶裝置8中儲存之程式讀取至控制裝置7(主 電腦ME)，基板載台2P、測量載台2C、液浸構件4、液體 供應裝置5及調整裝置30(30B)等元件製造系統sys之各種 裝置即協同動作，在形成有液浸空間Ls之狀態下，實施基 板p之液浸曝光等的各種處理。 土 又，上述各實施形態中，雖然投影光學系PL之終端光 學元件11之射出側（像面側）之光路κ係被曝光液體LQ充 滿，但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2〇〇4/ 〇19128號所揭之終端光學元件丨丨之入射側（物體面側）光路 亦被液體LQ充滿之投影光學系。 又，上述各實施形態中，液體.LQ雖係使用水，但亦可 以是水以外之液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有透射 性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系統pL 或基板P之表面之感光材（光阻劑）等膜安定者較佳。例如， 液體LQ可以是氫氟醚（HFE)、全氟化聚醚（pFpE)、氟素潤 滑油（fomblin oil)等之氟系液體。此外，液體LQ亦可是各 種流體、例如超臨界流體。 又，上述各實施形態中，基板p雖係包含半導體元件 製造用之半導體晶圓，但亦可包含例如顯示元件用之玻璃 基板、薄臈磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩 或仏線片之原版（合成石英、石夕晶圓）等。 又，上述各實施形態中，曝光裝置Εχ，雖係使光罩Μ 與基板Ρ同步移動來對光罩Μ之圖案進行掃描曝光的步進

S 60 201227178 掃描方式之掃描型曝光裝置（掃描步進機），但亦可以是例如 使光罩Μ與基板P在靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次 曝光，並使基板P依序步進移動的之步進重複方式的投影 曝光裝置（步進機）。 又，曝光裝置EX，亦可是於步進重複方式之曝光中， 在使第1圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系 PL將第i圖案之縮小像轉印至基板p上後，在第2圖案與 基板P大致静止之狀態，使用投影光學系pL將第2圖案之 縮小像與S 1圖案局部重4而—次曝光至基板？上的曝光 裝置(接合方式之-次曝光裝置）。x，接合方式之曝光裝 置’亦可以是於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印， 並使基板P依序移動之步進接合（step & stitch)方式之曝光 裝置。 又’曝光裝置EX，亦可以是例如美國專利第 號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系在基板p上 加以合成’以-次掃描曝光使基板p上之__個照射區域大 致同時雙重曝光之曝光裝置。此外’曝光裝置Εχ亦可以是 近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器 aligner)等。 又，曝光裝置EX亦可不具備測量載台2c。 又’曝光裝置EX亦可以是例如美國專利帛6341〇〇7 號、美國專利第6208407號、及美國專利第咖州號等 所揭之具備複數個基板載台之雙載台型的曝光裝置1 如，曝光裝置EX具備二個基板載台之情形時，可與射出面 61 201227178 1 〇對向配置之物體，包含一基板載台、被保持在該一基板 載台之基板保持部的基板、另一基板載台、及被保持在該 另一基板載台之基板保持部的基板中之至少一個。 又，曝光裝置ΕΧ亦可以是具備複數個基板載台與測量 載台之曝光裝置。 曝光裝置ΕΧ可以是將半導體元件圖案曝光至基板ρ之 半導體元件製造用之曝光裝置’亦可以是液晶顯示元件製 造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、 攝影元件（CCD)、微機器、MEMS、DNA晶片、標線片或光 罩等之曝光裝置。 又’上述各實施形態中’雖係使用干涉儀系統1 6來測 量各載台之位置資訊，·但亦可使用檢測例如設在各載台之 標尺（繞射光柵）的編碼器系統、或並用干涉儀系統與編碼器 系統。 又，上述實施形態中’雖係使用在光透射性基板上形 成有既定遮光圖案（或相位圖案、減光圖案）之光透射型光 罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號 么報所揭不，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案 或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩（電子光罩、 主動光罩或影像產生器）。又，亦可取代具有非發光型影像 顯不兀件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示 元件之圖案形成裝置。 上述各實施形態中，曝光裝置ΕΧ雖具備投影光學系 PL但亦可於不使用投影光學系PL之曝光&置及# % #

S 62 201227178 法’適用上述各實施形態中説明之構成要素。例如，可將 上述各實施形態中説明之構成要素，適用於在透鏡等之光 學構件與基板P之間形成液浸㈣並透㈣光學構件對基 板照射曝光用光之曝光裝置及曝光方法。 又，曝光裝置EX， 035168號小冊子之揭示， 據以在基板上曝光線與空 光裝置（微影系統）。 亦可以是例如國際公開第2001/ 藉由在基板p上形成干涉條紋， 間圖案（line & Space pattern)的曝 上述實施形態之曝光裝置Εχ，係藉由組裝各種次系統 (含各構成要素），以能保持既定之機械精度、電氣精度、光 予精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後， 係進订對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對 各種機㈣統進行用以達成機械精度之調整、料種電氣 ^统進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光 ，置ΕΧ之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、 J堅k路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置 之”且裝製刖’有各次系統個別之組裝製程。在各種次 糸統組裝至曝光裝置Εχ之製程結束後，即進行綜合調整， 光裝置ΕΧ整體之各種精度。此外，曝光裝置ΕΧ 是在溫度及潔淨度等皆受到管理之無塵室進 件之2體Γ等之微元件’如圖10所示，係經進行微元 咐/λ Μ权步驟2G1，根據此設計步驟製作光罩 (示線片）之步驟逝，製造元件基材之基板P之步驟203, 63 201227178 包含依據上述實施形態進行基板處理（曝光處理，包含使用 光罩Μ之圖案以曝光用光EL使基板P曝光之動作、以及 使曝光後基板Ρ顯影之動作）的基板処理步驟204，元件組 裝步驟（包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製 程）205，以及檢査步驟206等而製造。 又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦 有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍内， 援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置ΕΧ 等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部 分分。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的概略構 成圖β 圖2係顯示第1實施形態之液浸構件及液體供應裝置 之一例的圖。 圖3係以示意方式顯示第1實施形態之曝光裝置的圖。 圖4係顯示第1實施形態之光罩之一例的俯視圖° 圖5係顯示因曝光用光之照射而以光罩圖案生成之繞 射光之一例的示意圖。 圖ό係顯示第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。 圖7係顯示第2實施形態之液體供應裝置之一例的圖。 圖8係顯示第3實施形態之元件製造系統之一例的示 意圖。

S 64 201227178 圖9係顯示第3實施形態之液體供應裝置之一例的圖。 圖1 0係用以說明元件之一製程例的流程圖。 【主要元件符號說明】 4 :液浸構件' 5 :液體供應裝置 6 :液體回收裝置 7 :控制裝置 8 :記憶裝置 10 :射出面 11 :終端光學元件 17 :液浸構件之下面 18 、 19 :開口 20 :液浸構件之下面 ‘ 21 :供應口 2 1R :供應流路 22 :回收口 22R :回收流路 23 :流路 24 :供應管 24R :流路 25 :多孔構件 25A :多孔構件之上面 25B :多孔構件之下面 65 201227178 25H :多孔構件之孔 2 7 :流路 2 8 :回收管 28R :流路 3 0 :調整裝置 31 :第1處理裝置 32 :第2處理裝置 40 :液體供應源 41、42、43 :流路形成構件 41R、42R、43R :流路 50 : TOC 計 70 ·•空間像測量系統 7 1 :透射部 72 :光學元件 73 :受光元件 80 :基準TOC計 123 :光學積分器 124 :孔徑光闌 124A、124B :孔徑光闌之開口 125 :聚光光學系 132 :脫氣裝置 1 3 5 :氣體供應裝置 1 5 0 :氣體濃度計 500(501〜504):液體供應系統

S 66 201227178 ΑΧ :光軸 EL :曝光用光 EX :曝光裝置 IL :照明系 K :光路 LQ :液體 LQa :流路41R所供應之液體 LQb :來自第1處理裝置之液體 LS :液浸空間 Μ :光罩 ME :主電腦 MP :圖案 P :基板 PL :投影光學系 SYS :元件製造系統 67

Claims (1)

1. 201227178 七、申請專利範圍： 1 · 一種曝光裝置，係以從光學構件之射出面射出之曝 光用光透過液體使基板曝光，其具備： 供應口，可將液體供應至從該射出面射出之該曝光用 光之光路；以及 調整裝置，係調整透過該供應口供應至該光路之液體 對該曝光用光之透射率，以調整光學近接效果特性。 2 ·如申請專利範圍第丨項之曝光裝置，其中，係透過 該光學構件及該液體將圖案之像投影至物體； 該光學近接效果特性之調整，包含形成於該物體之圖 案之近接效果特性的虛擬調整。 3 ·如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，藉由該 光學近接效果特性之調整，調整形成於該物體之圖案之形 成狀態。 4 ·如申請專利範圍第丨項之曝光裝置，其中，該調整 裝置調整透過該供應口供應至該光路之液體之總有機碳濃 度，以調整該透射率。 5·如申請專利範圍第2或3項之曝光裝置，其中，該 調整裝置係調整透過該供應口供應至該光路之液體之總有 機碳濃度，以調整該透射率。 6 ·如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其具備測量供 應至該光路之該液體之總有機碳濃度的第1測量裝置； 該調整裂置根據該第1測量裝置之測量結果，調整該 液體之總有機碳濃度。 S 68 201227178 7 ·如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其具備儲存該 液體之總有機碳濃度與該圖案之形成狀態之關係的記憶裝 置； 該調整裝置根據該第i測量裝置之測量結果與該記憶 裝置之儲存資訊，調整該液體之總有機碳濃度。 8 ·如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其具備測量該 圖案之形成狀態的第2.測量裝置； 該調整裝置根據該第2測量裝置之測量結果，調整該 液體之總有機碳濃度。 9如申明專利範圍第1至8項中任一項之曝光裝置， 其中，該調整裝置係調整透過該供應口供應至該光路之液 體之氣體濃度，以調整該透射率。 10·如申請專利範圍第2或3項之曝光裝置，其中， S亥S周整裝置係調整透過該供應口供應至該光路之液體之氣 體遭度’以調整該透射率。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之曝光裝置，其具備測量 供應至該光路之該液體中之氣體濃度的第3測量裝置； 該調整裝置根據該第3測量裝置之測量結果，調整該 液體中之氣體濃度。 12 .如申請專利範圍第丨丨項之曝光裝置，其具備儲存 該液體中之氣體濃度與該圖案之形成狀態之關係的記憶裂 置； 該調整裝置根據該第3測量裝置之測量結果與該記憶 裝置之儲存資訊’調整該液體中之氣體濃度。 69 201227178 13 ·如申請專利範圍第1 〇項之曝光裝置，其具備測量 該圖案之形成狀態的第4測量裝置； 該調整裝置根據該第4測量裝置之測量結果，調整該 液體中之氣體濃度。 14 · 一種元件製造方法，包含： 使用申請專利範圍第1至13項中任一項之曝光裝置使 基板曝光的動作；以及 使曝光後之該基板顯影的動作。 1 5 · —種液體供應裝置，係使用於以從光學構件之射 出面射出之曝光用光透過液體使基板曝光之曝光裝置，具 備： 供應口 ’可將液體供應至從該射出，面射出之該曝光用. 光之光路；以及 ..^ 調整裝置’係調整透過該供應口供應至該光路之液體 之總有機碳濃度。 16·如申請專利範圍第15項之液體供應裝置，其中， 係於該曝光裝置透過該光學構件及該液體將圖案之像投影 至物體； 藉由該液體之總有機碳濃度之調整，調整形成於該物 體之圖案之形成狀態。 17 ·如申請專利範圍第16項之液體供應裝置，其中， 該圖案之形成狀態之調整，包含該曝光裝置之光學近接效 果特性之調整。 1 8 ·如申請專利範圍第16或1 7項之液體供應裝置， S 70 201227178 其具備測量供應至該光路之該液體之總有機碳濃度的第1 測量裝置； 該調整裝置根據該第1測量裝置之測量結果，調整該 液體之總有機碳濃度。 19 ·如申請專利範圍第18項之液體供應裝置，其具備 儲存該液體之總有機碳濃度與該圖案之形成狀態之關係的 記憶裝置； 該調整裝置根據該第1測量裝置之測量結果與該記憶 裝置之儲存資訊，調整該液體之總有機碳濃度。 20·如申請專利範圍第16至19項中任一項之液體供 應裝置’其中’該曝光裝置具備測量該圖案之形成狀態的 第2測量裝置； 該調整裝置根據該第2測量裝置之測量結果，調整該 液體之總有機碳濃度。 21 ·如申請專利範圍第15至20項中任一項之液體供 應裝置，其能將該液體供應至包含該曝光裝置之複數個曝 光裝置各個之曝光用光之光路； 該調整裝置可調整供應至該複數個曝光裝置之各個光 路之該液體之總有機碳濃度。 22 · —種液體供應裝置，係使用於以從光學構件之射 出面射出之曝光用光透過液體使基板曝光之曝光裝置，具 備： ^ 供應口，可將液體供應至從該射出面射出之該曝光用 光之光路；以及 71 201227178 調整裝置，係調整既定物質濃度，此既定物質濃度可 調整透過該供應口供應至該光路之液體對該曝光用光之透 射率》 23 ·如申請專利範圍第22項之液體供應裝置，其中’ 係於該曝光裝置，透過該光學構件及該液體將圖案之像投 影至物體； 藉由該液體之既定物質濃度之調整，調整形成於該物 體之圖案之形成狀態。 24 ♦如申請專利範圍第23項之液體供應裝置，其中， 該圖案之形成狀態之調整，包含該曝光裝置之光學近接效 果特性之調整》 25 ·如申請專利範圍第22至24項中任一項之液體供 應裝置，其中’該既定物質濃度包含總有機碳濃度。.. 26 · —種管理裝置，係管理複數個曝光裝置，此等複 數個曝光裝置分別具有具曝光用光射出之射出面的光學構 件’以從該射出面射出之曝光用光透過液體使基板曝光： 其具備可使用於該複數個曝光裝置之各個，用以測量 供應至該複數個曝光裝置各個之該光路之該液體中既定物 質濃度的基準測量裝置； 使用該基準測量裝置之測量結果，進行配置在該複數 個曝光裝置各個之測量裝置各個的校準，此測量裝置係測 量可調整供應至從該射出面射出之該曝光用光之光路中之 液體對5玄曝光用光之透射率的該既定物質濃度。 27 ·如申請專利範圍第26項之管理裝置，其中，該既 S 72 201227178 疋物質》農度包含總有機碳濃度。 28· —種曝光裝置，係透過液體使基板曝光，具備： 申請專利範圍第15至25項中任一項之液體供應裝置。 29· —種元件製造系統，具有複數個透過液體以曝光 用光使基板曝光之曝光裝置： 其使用申請專利範圍第26或27項之管理裝置，進行 配置在該複數個曝光裝置各個之測量裝置各個的校準，此 測量裝置係測量可調整供應至從該射出面射出之該曝光用 光之光路中之液體對該曝光用光之透射率的該既定物質濃 度0 30 ·如申請專利範圍第29項之元件製造系統，其中， 係藉該校準之進行，管理該複數個曝光裝置各個之圖案形 成狀態。 31 ·如申請專利範圍第30項之元件製造系統，其中， 該複數個曝光裝置各個之圖案形成狀態之管理，包含該複 數個曝光裝置各個之光學近接效果特性之管理。 32· —種元件製造方法，包含： 使用申請專利範圍第28項之 曝先裝置使基板曝光的動 作；以及 使曝光後之該基板顯影的動作。 33· —種元件製造方法，包含· 以申請專利範圍第29至3) ， 2項中任一項之元件製造 統所具有之複數個曝光裝置中夕 不之第1曝光裝置使基板曝 的動作；以及 73 201227178 將以該第1曝光裝置曝光後之該基板，以該複數個曝 光裝置中之第2曝光裝置加以曝光的動作。 34 · —種曝光方法，係以從光學構件之射出面射出之 曝光用光透過液體使基板曝光，包含： 調整供應至該光路之液體對該曝光用光之透射率的動 作；以及 藉由該透射率之調整調整光學近接效果特性，透過該 液體使該基板曝光的動作。 35 ·如申請專利範圍第34項之曝光方法，其中，透過 該光學構件及該液體將圖案之像投影於物體； 該光學近接效果特性之調整，包含待形成於該物體之 圖案之近接效果特性的虛擬調整。 36 ·如申請專利範圍第35項之曝光方法，其中，係藉 該光學近接效果特性之調整，調整待形成於該物體之圖案 之形成狀態。 37 ·如申請專利範圍第34至36項中任一項之曝光方 法’其中’該ϋ射率之調整，包含供應至該光路之液體之 總有機碳濃度的調整。 38·如申晴專利範圍第34至37項中任一項之曝光方 法’其中’該透射率之調整，包含供應至該光路之液體之 氣體濃度的調整。 39 · —種元件製造方法，包含： 使用申請專利範圍第34至38項中任一項之曝光方法 使基板曝光的動作；以及 201227178 使曝光後之該基板顯影的動作。 4〇 · —種液體供應方法，係使用於以從光學構件之射 出面射出之曝光用光透過液體使基板曝光之曝光裝置，包 含： 調整液體之總有機碳濃度的動作；以及 將該總有機碳濃度經調整之該液體供應至從該射出面 射出之該曝光用光之光路的動作。 41 ·如申請專利範圍第4〇項之液體供應方法，其中， 於該曝光裝置透過該光學構件及該液體將圖案之像投影至 物體； 藉該液體之總有機碳濃度之調整，調整待形成於該物 體之圖案之形成狀態。 42 ·如申請專利範圍第4 1項之液體供應方法，其中， 5亥圖案之形成狀態之調整，包含該曝光裝置之光學近接效 果特性之調整。 43 ·如申請專利範圍第4〇至42項中任一項之液體供 應方法’其進一步包含測量供應至該光路之該液體之總有 機碳濃度的動作； 根據該測量之結果，調整該液體之總有機碳濃度。 44 ·如申請專利範圍第40至43項中任一項之液體供 應方去’其進一步包含測量於該曝光裝置之該圖案之形成 狀態的動作； 根據該測量之結果，調整該液體之總有機碳濃度。 45 ·—種液體供應方法，係使用於以從光學構件之射 75 201227178 液體使基板曝光之曝光裝置，包 出面射出之曝光用光透過 含； 調整該液體之既定物質濃 |度的動作，該既定物質濃度 可調整該液體對該曝光用光之透射率；以及 將該既定物質濃度經調整 4&之叇液體，供應至從該射出 面射出之該曝光用光之光路的動作。 46 ·如申請專利範圍第45 於該曝光裝置透過該光學構件 物體； 項之液體供應方法，其中， 及該液體將圖案之像投影於 藉由該液體之該既定物質濃度之調整，調整待形成於 該物體之圖案之形成狀態。 47·如中請專利範圍第45或46項之液體供應方法， 其中’’該®案之形成狀態之調整，.包.含該曝光裝置之光學 近接效果特性之調整。 48如申凊專利範圍第45至47項中任一項之液體供 應方法’其進一步包含測量供應至該光路之該液體之既定 物質濃度的動作；以及 根據該測量之結果，調整該液體之既定物質濃度。 49如申請專利範圍第45至48項中任一項之液體供 應方法’其中’根據於該曝光裝置之該圖案之形成狀態， 調整該液體之既定物質濃度。 50 ·—種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝 光，包含： 使用申請專利範圍第40至49項中任一項之液體供應 S 76 201227178 1 方法將液體供應至該曝光用光之光路的動作；以及 透過該液體使該基板曝光的動作。 51 · —種管理方法，係管理以從光學構件之射出面射 出之曝光用光透過液體使基板曝光之第丨曝光裝置、以及 以從光學構件之射出面射出之曝光用光透過液體使基板曝 光之第2曝光裝置，其包含： 使用基準測量裝置測量供應至該第丨.曝光裝置之該曝 光用光光路之液體之總有機碳濃度的動作； 使用該基準測量裝置測量供應至該第2曝光裝置之該 曝光用光光路之液體之總有機碳濃度的動作；以及 使用該基準測量裝置之測量結果，校準可測量供應至 該第1曝光裝置之該光路之液體之總有機碳濃度的第丨測 量裝置與可測量供應至該第2曝光裝置之該光路之液體 之總有機碳濃度的第2測量裝置的動作。 52 ·如申請專利範圍第5 1項之管理方法，其中，係以 在該第1曝光裝置及該帛2曝光裝置中之一方曝光後之基 板在另一方曝光之方式’使用該第1曝光裝置及該第2曝 光裝置。 53 ·如申晴專利範圍第51或52項之管理方法，其進 一步包含進行： 根據該經校準之該第1測量裝置之測量結果調整供應 至&第1曝光裝置之該光路之液體之總有機碳濃度及根據 該k板準之該第2測量裝置之測量結果調整供應至該第2 ^光裝置之該光路之液體之總有機碳濃度中至少一方的動 77 201227178 作。 5 4 .如申請專利範圍第5 1〜5 3項中任一項之管理方 法’其中’該第1曝光裝置係透過該光學構件及供應至該 光路之液體將圖案之像投影於物體； 該第2曝光裝置係透過該光學構件及供應至該光路之 液體將圖案之像投影於物體； 藉由調整供應至該第1曝光裝置之該光路之液體之總 有機碳濃度及供應至該第2曝光裝置之該光路之體之總有 機碳濃度中之至少一方，以使在該第丨曝光裝置之圖案形 成狀態與在該第2曝光裝置之圖案形成狀態相匹配。 55 ·如申請專利範圍第54項之管理方法，其中，在該 第1曝光裝置之圖案形成狀態與在該第2曝光裝置之圖案 形成狀態之匹配’、包含該第丨+曝光裝置之光學近接效果特 性與該第2曝光裝置之光學近接效果特性之匹配。 56 · —種管理方法，係管理以從光學構件之射出面射 出之曝光用光透過液體使基板曝光之第1曝光裝置、以及 以從光學構件之射出面射出之曝光用光透過液體使基板曝 光之第2曝光裝置，其包含： 使用基準測量裝置測量可調整供應至該第1曝光裂置 之該曝光用光光路之液體對該曝光用光之透射率之既定物 質濃度的動作； 使用該基準測量裝置測量可調整供應至該第2曝光裝 置之該曝光用光光路之液體對該曝光用光之透射率之既定 物質濃度的動作；以及

   78 201227178 使用該基準測量裝置之測量結果，校準可測量供應至 該第1曝光裝置之該光路之液體之既定物質濃度的第1測 量裝置、以及可測量供應至該第2曝光裝置之該光路之液 體之既定物質濃度的第2測量裝置的動作。 57 ·如申請專利範圍第56項之管理方法，其中，係以 在該第1曝光裝置及該第2曝光裝置中之一方曝光後之基 板在另一方曝光之方式，使用該第1曝光裝置及該第2曝 光裝置。 58 ·如申請專利範圍第56或57項之管理方法，其進 一步包含根據該經校準之該第1測量裝置之測量結果調整 供應至該第1曝光裝置之該光路之液體之該既定物質濃 度、以及根據該經校準之該第2測量裝置之測量結果調整 供應至該第2曝光裴置之該光路之液體之該既定物質濃度 中之至少一方的動作。 59·如申請專利範圍第56至58項中任一項之管理方 法’其中’該第1曝光裝置係透過該光學構件及供應至該 光路之液體將圖案之像投影於物體； 該第2曝光裝置係透過該光學構件及供應至該光路之 液體將圖案之像投影於物體； 藉§周整供應至该第1曝光裝置之該光路之液體之既定 物質濃度、以及供應至該第2曝光裝置之該光路之液體之 既定物質濃度中至少一方，據以使在該第丨曝光裝置之圖 案形成狀態與在該第2曝光裝置之圖案形成狀態相匹配。 60 ·如申請專利範圍第59項之管理方法，其中，在該 79 201227178 第1曝光裝置之圖案形成狀態與在該第2曝光裝置之圖案 形成狀態的匹配，包含該第丨曝光裝置之光學近接效果特 性與該第2曝光裝置之光學近接效果特性的匹配。 61· —種元件製造方法，包含： ❹申請專利範圍第5G項之曝光方法使基板曝光的動 作；以及 使曝光後之該基板顯影的動作。 62· —種元件製造方法，包含： 以使用f請專利範圍第51至61項中任—項之管理方 法s理之該第1曝光裝置使基板曝光的動作；以及 將以該第1曝光裝置曝光後之該基板以該第2曝光裝 置加以曝光的動作 • ,63·. —種程I，係使電腦實施爆光裝置之控制，該曝 光裝置以從光學構件射屮而M山 千射出面射出之曝光用光透過液體使基 板曝光，其實施： 調整液體之總有機碳濃度的動作；以及 將該總有機碳濃；M A田 晨度、左调整之該液體供應至從該射出 射出之該曝光用光之光路的動作。 64· -種程式’係使電腦實施曝光裝置之控制，該 光裝置以從光學構件射屮& ^ , $面射出之曝光用光透過液體使 板曝光，其實施： 収〜咣疋物質濃度 可調整該液體對該曝光用光之透 ，該既定物質濃度 以及 將該既定# f濃H周整之該 液體供應至從該射出面 S 80 201227178 射出之該曝光用光之光路的動作。 65 · —種程式，係使電腦實施第i與第2曝光裝置之 管理，第1曝光裝置以從光學構件射出面射出之曝光用光 透過液體使基板曝光’第2曝光裝置亦以從光學構件射出 面射出之曝光用光透過液體使基板曝光，其實施： 使用基準測量裝置測量供應至該第1曝光裝置之該曝 光用光之光路中液體之總有機碳濃度的動作； 使用該基準測量裝置測量供應至該第2曝光裳置之言亥 曝光用光之光路中液體之總有機碳濃度的動作；以及 使用該基準測量裝置之測量結果，校準可測量供應至 έ亥第1曝光裝置之該光路中之液體之總有機碳濃度的第1 測量裝置、與可測量供應至該第2曝光裝置之該光路中之 液體之總有機碳濃度的第2測量裝置的動作。 66 · —種程式，係使電腦實施第i與第2曝光裝置之 管理，第1曝光裝置以從光學構件射出面射出之曝光用光 透過液體使基板曝光，第2曝光裝置亦以從光學構件射出 面射出之曝光用光透過液體使基板曝光，其實施： 使用基準測量裝置測量可調整供應至該第1曝光裝置 之該曝光用光光路中之液體對該曝光用光之透射率之既定 物質濃度的動作； 使用該基準測量裝置測量可調整供應至該第2曝光裝 置之該曝光用光光路中之液體對該曝光用光之透射率 定物質濃度的動作； 使用該基準測量裝置之測量結果，校準可測量供應至 81 201227178 該第1曝光裝置之該光路之液體之既定物質濃度的第1測 量裝置、與渴測量供應至該第2曝光裝置之該光路之液體 之既定物質濃度的第2測量裝置的動作。 67 · —種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有申請專利 範圍第53至56項中任一項之程式。 八、圖式· (如次頁） S 82