JPH11224929A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH11224929A
JPH11224929A JP10333270A JP33327098A JPH11224929A JP H11224929 A JPH11224929 A JP H11224929A JP 10333270 A JP10333270 A JP 10333270A JP 33327098 A JP33327098 A JP 33327098A JP H11224929 A JPH11224929 A JP H11224929A
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lead
lead frame
die pad
semiconductor
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Yujiro Kajiwara
祐二郎 梶原
Kazunari Suzuki
一成 鈴木
Kunihiro Tsubosaki
邦宏 坪崎
Hiromichi Suzuki
博通 鈴木
Yoshinori Miyaki
美典 宮木
Takahiro Naito
孝洋 内藤
Sueo Kawai
末男 河合
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Hitachi Solutions Technology Ltd
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Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止時における半導体チップ搭載部の変
動を防止できる半導体集積回路装置を提供する。 【解決手段】 半導体チップのサイズより小さいサイズ
のダイパッド３を有するリードフレーム１を使用し、リ
ードフレーム１の吊りリード４とインナーリード部５ａ
とを絶縁性のテープ６で互いに接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置に関し、特にリードフレームの標準化およびＬＳＩパ
ッケージのリフロー・クラック耐性の向上、半導体チッ
プ搭載部の変動の防止に適用して有効な技術に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】ＱＦＰ(Quad Flat Package) などの表面
実装型樹脂封止装置（Surface MountDevice) であるＬ
ＳＩパッケージは、リフロー半田工程におけるパッケー
ジ・クラックの発生をいかに抑えるかが重要な課題とな
っている。
【０００３】すなわち、ＬＳＩパッケージが吸湿した場
合、ＬＳＩパッケージ全体を加熱するリフロー半田工程
での高温に起因する内部応力によって樹脂とダイパッド
との界面などに剥離が生じる。パッケージ・クラックと
は、この剥離がダイパッド界面に結露していた水分の膨
張、すなわち水蒸気圧によって拡大して樹脂が割れる現
象である。これにより、耐湿性の劣化、樹脂のふくれに
よる半田付け不良が生じていた。また、このパッケージ
・クラックが半導体チップの上面で発生すると、ワイヤ
の切断などの深刻な不良を引き起こすことになる。
【０００４】従来、樹脂とダイパッドの界面の剥離を防
ぐ対策としては、ダイパッドの一部に貫通孔を設け、こ
の貫通孔を通じて半導体チップの裏面を樹脂と密着させ
る方法（特開平２−８３９６１号公報）や、ダイパッド
の裏面にディンプル加工を施すことによって、樹脂とダ
イパッドの接着力を向上させる方法などが知られてい
る。
【０００５】他方、ピン数が同じでチップサイズが違う
製品、例えば一品種あたりの製品数量が少ないＡＳＩＣ
(Application Specific Integrated Circuit) 製品にお
いても、高密度実装が可能な製品が要求されており、前
述したＱＦＰなどの表面実装型ＬＳＩパッケージに半導
体チップを搭載する傾向にある。そこで従来は、チップ
サイズに対応したリードフレームを作成して製品を製造
していたため、その製造コストの上昇を招いていた。
【０００６】そのため、生産数量が少ない各種チップサ
イズのＡＳＩＣに対応することのできるリードフレーム
として、「日経マイクロデバイセズ、１９８７年１２月
号」Ｐ７６〜Ｐ７８には、ポリイミド樹脂系のテープを
ダイパッドとしてインナーリードに取付け、このテープ
上に半導体チップを搭載するリードフレームが開示され
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
ＬＳＩパッケージは、樹脂体中に占める半導体チップの
面積割合が増加している。さらに樹脂の肉厚が従来より
も極めて薄くなっているため、前述した対策、すなわ
ち、ダイパッドに貫通孔やディンプルを形成するといっ
た方法ではパッケージ・クラックの発生を有効に防止す
ることが困難になりつつある。
【０００８】また、チップサイズに対応したリードフレ
ームを作らずに、従来のリードフレーム、すなわちダイ
パッドのサイズないし外形寸法（チップ搭載面の面積）
が半導体チップのサイズないし外形寸法（チップ主面あ
るいは裏面の面積）よりも大きいリードフレームを用い
ることを検討したが、ダイパッドに搭載する半導体チッ
プの大きさがかなり制限されることが分かった。
【０００９】すなわち、ダイパッドの外形寸法よりも１
〜２mm以上小さい半導体チップを搭載すると、ワイヤが
垂れてダイパッド端に接触し、ワイヤボンディング不良
を起こすので、比較的小さい半導体チップは使用できな
い。また、インナーリードの先端の位置がダイパッドに
よって制限され、かつワイヤの長さにも制限（ワイヤ長
は、ワイヤボンダの性能や電気的特性などにより決定さ
れ、1.０mm〜5.０mm位が適当とされている）があるた
め、比較的小さいチップを用いることはできない。他
方、ダイパッド上には、その外形寸法までの大きさの半
導体チップしか搭載できないため、大きい方のチップサ
イズも制限が生じる。
【００１０】また、前述したダイパッドとしてポリイミ
ド樹脂系のテープをインナーリードに取付けたものは、
半導体チップの大きさに制限はなくなるが、テープの熱
膨張係数がリードフレームや半導体チップのそれと異な
るため、半田リフロー工程において互いの熱膨張係数の
違いからそれらの界面に剥離が生じ、パッケージ・クラ
ックが発生する。従って、界面剥離やパッケージ・クラ
ックの発生を防ぎ、しかも各種サイズの半導体チップを
搭載することのできるＬＳＩパッケージが必要である。
【００１１】本発明の一つの目的は、樹脂封止時におけ
る半導体チップ搭載部の変動を防止できる半導体集積回
路装置を提供することにある。
【００１２】本発明の他の一つの目的は、ＬＳＩパッケ
ージのリフロー・クラック耐性を向上させることのでき
る技術を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、ＬＳＩの少量多品種
化に対応したリードフレームを用いた半導体集積回路装
置の製造方法を提供することにある。
【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、下記の
とおりである。
【００１６】本発明の半導体集積回路装置は、半導体チ
ップを搭載するための一主面を有する半導体チップ搭載
部と、前記半導体チップ搭載部を支持する吊りリード部
と、前記半導体チップ搭載部の周囲を取り囲むように配
置された複数のインナーリード部と、前記複数のインナ
ーリード部それぞれと一体に形成され前記複数のインナ
ーリード部から外方に向かって延在する複数のアウター
リード部と、前記半導体チップ搭載部の一主面に接続さ
れた前記半導体チップ搭載部より大きいサイズで集積回
路および複数のボンディングパッドが形成された主面を
有する半導体チップと、前記半導体チップの複数のボン
ディングパッドと前記複数のインナーリード部とを接続
する複数のボンディングワイヤと、前記複数のインナー
リード部と前記吊りリード部とを接続する絶縁性のフィ
ルムと、前記半導体チップ、前記半導体チップ搭載部、
前記吊りリード部、前記複数のインナーリード部、前記
複数のボンディングワイヤおよび前記絶縁性のフィルム
を樹脂で封止した樹脂封止体とから成るものである。
【００１７】上記した本発明の半導体集積回路装置にお
いては、インナーリード部および吊りリード部が絶縁性
のフィルムで接続されているので、インナーリード部お
よび吊りリード部の剛性が保たれ、それらがばらつきを
生じたり、樹脂封止時にチップ搭載部が変動することを
防止できる。
【００１８】また、上記した半導体集積回路装置によれ
ば、チップ搭載部のサイズないし外形寸法をその上に搭
載する半導体チップのそれよりも小さくしたことによ
り、外形寸法がかなり広い範囲で異なる各種の半導体チ
ップで共用することができるため、ＬＳＩパッケージの
少量多品種化に対応したリードフレームを用いた半導体
集積回路装置を提供することができる。
【００１９】さらに詳しく説明すると、従来のリードフ
レーム、すなわちチップ搭載部の外形寸法がその上に搭
載する半導体チップの外形寸法よりも大きいリードフレ
ームを用いる場合、前述したようにかなり狭い範囲（チ
ップ搭載部の外縁からチップ端までが１〜２mm）のサイ
ズの半導体チップしか共用できないので、インナーリー
ド先端をカットする必要がない。
【００２０】これに対し、本発明に用いられるリードフ
レームは、チップ搭載部の外形寸法がその上に搭載され
る半導体チップのそれよりも小さいため、広い範囲（本
願で説明するリードフレームでは５mm〜15mm×５mm〜15
mmの半導体チップ）のサイズの半導体チップが共用でき
るので、ワイヤ長の制限に合わせてインナーリード先端
位置を変更する必要がある場合にも十分対応できる。
【００２１】さらに、ＬＳＩパッケージの少量多品種化
に対応したリードフレームを提供できると共に、チップ
搭載部の外形寸法がその上に搭載される半導体チップの
それよりも小さいので、チップ搭載部の上に搭載された
半導体チップの裏面が封止樹脂と接着する。そして、半
導体チップ（シリコン）と樹脂との界面の接着力は、チ
ップ搭載部（金属）と樹脂との界面の接着力よりも大き
いため、チップ搭載部と樹脂との界面に水分が浸入する
のを防止することができ、ＬＳＩパッケージを半田リフ
ローによって基板に実装する際のパッケージ・クラック
を抑制することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施の形態で
あるＱＦＰの製造に用いるリードフレームの平面図であ
る。
【００２３】リードフレーム１の中央部には、主面に集
積回路およびボンディングパッドが形成された半導体チ
ップ２を搭載するための円形のダイパッド（チップ搭載
部）３が形成されている。このダイパッド３は、四本の
吊りリード４によって支持されている。ダイパッド３の
チップ搭載面のサイズないし面積は、その上に搭載され
る半導体チップ２の主面のサイズないし面積よりも小さ
く設定されているのが特徴である。
【００２４】ダイパッド３の周囲には、複数本のリード
５がダイパッド３を囲むように配置されている。吊りリ
ード４の幅広部およびリード５の中途部には、絶縁性の
薄い合成樹脂フィルムからなるテープ６が枠状に形成さ
れて接着されている。このテープ６の外側には、リード
５の支持とモールド時における樹脂の溢出防止とを兼ね
たダムバー７が枠状に各リード５間を連結するように形
成されている。
【００２５】リードフレーム１の最外周部は、単位フレ
ームを複数連結している外枠８および各単位フレーム間
を分離するように形成されている内枠９からなり、外枠
８の一部には、リードフレーム１をモールド金型に位置
決めする際のガイドとなるガイド孔１０が設けられてい
る。
【００２６】リードフレーム１を構成する上記ダイパッ
ド３、吊りリード４、リード５、ダムバー７、外枠８お
よび内枠９は、４２アロイや銅などの導電材料からな
る。リード５の一部を構成し、後に樹脂で封止されるイ
ンナーリード部５ａの先端には、Ａｇのメッキが施され
ている。図示はしないが、リードフレーム１は、これら
の各部により構成される単位フレームを一方向に複数個
連設した構成になっている。
【００２７】次に、上記リードフレーム１の製造方法の
一例を図２〜図１０を用いて説明する。
【００２８】まず、図２に示すように、フープ材をプレ
ス加工して、ダイパッド３、吊りリード４、リード５
（インナーリード部５ａおよびアウターリード部５ｂか
らなる）、ダムバー７、外枠８、内枠９およびガイド孔
１０を一体形成する。一例として、フープ材は板厚0.１
５mm程度の４２アロイからなる。また、ダイパッド３の
直径は３mm程度、吊りリード４の幅は0.３mm程度であ
る。インナーリード部５ａ間のピッチは、加工限界を考
慮して、例えば１３２ピンのリードフレームでは約0.２
２mm、１６８ピンでは0.２５mmである。更にダイパッド
３の中心からインナーリード５ａの先端までの距離は、
最大、１３２ピンで約５mm、１６８ピンで約6.２mmであ
る。
【００２９】上記の各部をプレスで形成する場合は、図
３に示すように、切断箇所の裏面側にバリ１１ができ
る。本実施の形態のリードフレーム１は、ダイパッド３
の面積がその上に搭載される半導体チップ２の面積より
小さいので、ダイパッド３のチップ搭載面にバリ１１が
できると半導体チップ２を接着することができなくな
る。従って、ダイパッド３をプレス加工する時は、チッ
プ搭載面を上に向けて上から打ち抜き、バリ１１がチッ
プ搭載面の裏面側にできるようにする。
【００３０】一方、インナーリード部５ａの先端は、ワ
イヤボンディングの際にバリ１１が下側にあると、ワイ
ヤがボンディングされにくく、ボンディング不良が生じ
ることがある。従って、インナーリード部５ａをプレス
加工する時は、ボンディング面を下に向けて上から打ち
抜き、バリがワイヤボンディング面側にできるようにす
る。
【００３１】次に、図４に示すように、インナーリード
部５ａのワイヤボンディング領域３２にＡｇメッキを施
す。後述するように、本実施の形態のリードフレーム１
は、ダイパッド３上に搭載する半導体チップ２の外形寸
法に応じてリード５の先端を所定の長さに切断して使用
するため、従来のリードフレームに比べてＡｇメッキを
施す領域の面積を大きくしてある。例えば従来の場合
は、ワイヤボンディング誤差、メッキ層形成時の誤差を
考慮して、インナーリード部５ａの先端からの距離が１
mm程度の範囲であればよかったが、本発明では、１mm以
上、第１カット、第２カットを考慮すると1.５〜２mm以
上必要である。
【００３２】次に、リードフレーム１のダウンセット加
工を行う。ダウンセット加工は、図５(a),(b) に示すよ
うに、プレス型１２を使って吊りリード４の中途部（同
図(b) の符号Ｓで示す部分）を下方に折り曲げることに
より、水平方向から見たダイパッド３の高さをリード５
の高さよりも低くする作業である。すなわち、ダイパッ
ド３のチップ搭載面側とインナーリード部５ａのワイヤ
ボンディング面を第１の面、この第１の面に対向する面
を第２の面とすると、ダイパッド３の第１の面が、イン
ナーリード部５ａの第１の面よりも第２の面側に位置す
るように加工する。
【００３３】図６は、ダウンセット加工を施したリード
フレーム１の平面図である。一例として、ダイパッド３
の中心から各吊りリード４のダウンセット位置（Ｓ）ま
での距離は、8.５〜9.０mm程度であり、ダウンセット量
（ダイパッド３の主面からリード５の主面までの高さ）
は、0.２mm程度である。
【００３４】上記のダウンセット加工を施すことによ
り、半導体チップ２を搭載したリードフレーム１をモー
ルド金型に装着してパッケージを成形する際に、半導体
チップ２の上面側とダイパッド３の下面側とで樹脂の肉
厚をほぼ等しくすることができる。
【００３５】次に、ダイパッド３を支持する吊りリード
４の中途部（吊りリード４の幅広になっている部分）お
よびインナーリード部５ａにテープ６を接着する。テー
プ６の接着は、図７に示すように、ヒートステージ１３
上に載置したリードフレーム１の上にテープ６を位置決
めし、上方からツール１４を圧着して行う。一例とし
て、テープ６は外形寸法１8.５mm×１8.５mm程度、幅1.
５mm程度、厚さ0.０５mm程度のポリイミド樹脂からなる
フィルム６ａの片面にアクリル樹脂系の接着剤６ｂを厚
さ0.０２mm程度塗布した構成になっている。
【００３６】図８は、テープ６を接着したリードフレー
ム１の平面図、図９は図８のIX−IX線における断面図、
図１０は図８のＸ−Ｘ線における断面図である。
【００３７】テープ６の接着面積を確保するため、図８
に示すように、吊りリード４の中途部は、他の部分より
幅を広くしてある（吊りリード４の幅広部）。すなわ
ち、この幅広部にテープ６、すなわち絶縁性のフィルム
を接着してダイパッド３を固定することにより、半導体
チップ２を搭載したリードフレーム１をモールド金型に
装着してパッケージを成形する際、溶融樹脂の流動によ
るダイパッド３の変動を防止することができるので、半
導体チップ２の上面側とダイパッド３の下面側とで溶融
樹脂の流速がほぼ等しくなり、貫通ボイドなどの成形不
良の発生を防止することができる。
【００３８】このようにして得られる本実施の形態のリ
ードフレーム１は、ダイパッド３のチップ搭載面の面積
がその上に搭載される半導体チップ２の主面あるいはこ
の主面に対向する裏面の面積よりも小さいので、外形寸
法の異なる各種の半導体チップを搭載することが可能で
ある。また、リード５の先端を切断してリード５を短く
することにより、さらに大面積の半導体チップ２を搭載
することも可能である。
【００３９】図１１(a) は、大面積、すなわち前記図１
中に二点鎖線で示されている半導体チップ２よりも大面
積の半導体チップを搭載するために、リード５の先端を
切断したリードフレーム１ａの平面図であり、図１１
(b) はそのXI−XI線における断面図である。なお、図１
１(a) 中の破線は、切断前のリード５の先端位置を示し
ている。図１２は、リード５の先端をさらに切断したリ
ードフレーム１ｂの平面図であり、このようにすると、
さらに大面積の半導体チップを搭載することができる。
【００４０】このようにして、例えばダイパッド３の直
径が３mm程度である場合は、外形寸法が５mm×５mm程度
から１５mm×１５mm程度の範囲までの各種半導体チップ
を搭載することができる。リード５の切断はプレスによ
り行うが、ワイヤボンディング領域３２に施したＡｇメ
ッキの剥離を防止するため、ワイヤボンディング領域３
２を下に向けて行う。従って、図１１(b) に示すよう
に、インナーリード部５ａの先端は、上側を向くように
成形される。
【００４１】次に、上記リードフレーム１を用いたＱＦ
Ｐの製造方法の一例を図１３〜図３０を用いて説明す
る。
【００４２】まず、図１３に示すように、リードフレー
ム１のダイパッド３上に半導体チップ２を接着するため
の接着剤１５を塗布する。なお、同図にはリード５の先
端を切断していないリードフレーム１を示してあるが、
半導体チップ２よりも大面積の半導体チップを搭載する
場合は、ダイパッド３上に接着剤１５を塗布する工程に
先立って、あらかじめリード５の先端を所定の長さに切
断しておく。すなわち、前記図１１のリードフレーム１
ａあるいは前記図１２のリードフレーム１ｂを形成して
おく。リード先端のカット（切断）は、チップが搭載さ
れる場合に、そのチップ外周部とインナーリード５ａの
先端が接続しない距離以上（例えば0.５mm以上）離れる
位置を考慮して行う。
【００４３】接着剤１５の塗布は、図１４に示すよう
に、ステージ１６上に載置したリードフレーム１のダイ
パッド３上にディスペンサ１７を使って接着剤１５を滴
下することにより行う。接着剤１５は、一例として熱硬
化性のエポキシ樹脂にＡｇ粉末を混入させたものからな
る。なお、図中の符号１８はノズル、１９は注入容器で
ある。ダイパッド３の大きさは、接着剤１５が塗布され
る分だけあればよい。
【００４４】上記リードフレーム１は、ダイパッド３の
面積が小さいので、接着剤１５をダイパッド３の主面の
一点に塗布するだけでよい。そのため、ダイパッドの面
積が大きい従来のリードフレームに比べると、使用する
ノズル１８の構造が簡単で済み、かつ接着剤１５の塗布
も短時間で済み、その塗布量も低減できるという利点が
ある。
【００４５】さらに、図１５に示すように、ダイパッド
３の周囲に吊りリード４よりも幾分幅の広い小パッド
（あるいは接着剤塗布部ともいう）２０を形成し、ダイ
パッド３およびこの小パッド２０のそれぞれの主面上に
接着剤１５を塗布するようにしてもよい。このようにす
ると、充分な接着強度が得られるので、ダイパッド３上
で半導体チップ２が回転ずれを起こしたりする不具合を
防止することができる。また、小パッド２０（接着剤塗
布部）を形成したことにより、実質的に吊りリード４の
剛性が増すので、半導体チップ２を搭載したリードフレ
ーム１をモールド金型に装着してパッケージを成形する
際、溶融樹脂の流動によるダイパッド３の変動を防止す
ることができる。
【００４６】上記小パッド２０は、図１６に示すよう
に、それぞれの吊りリード４の途中、例えばダイパッド
３と中途部Ｓとの間に形成してもよい。この場合も前記
同様の効果を得ることができる。
【００４７】次に、図１７に示すように、接着剤１５を
塗布したダイパッド３上にコレット２１を使って半導体
チップ２を位置決めする。一例として、半導体チップ２
は外形寸法5.３４mm×5.３４mm程度、厚さ0.４mm程度の
シリコン単結晶からなる。
【００４８】図１８は、ダイパッド３を支持する吊りリ
ード４の一部にＶ溝２２を形成したリードフレーム１の
平面図である。このＶ溝２２は、ダイパッド３上に半導
体チップ２を正確に位置決めするための目盛りとして利
用されるもので、図１９にその断面を拡大して示すよう
に、各吊りリード４の主面上に一定の間隔をおいて複数
形成される。
【００４９】そして、ダイパッド３上に半導体チップ２
を位置決めする際は、図２０(a) 〜(c) に示すように、
リードフレーム１の上方からカメラ（図示せず）などを
使ってＶ溝２２の位置を検出し、その情報に基づいて、
各種外形寸法の半導体チップ２を正確な位置に移動させ
る。
【００５０】また、図２１に示すように、各吊りリード
４の途中、すなわちダイパッド３と中途部Ｓとの間に複
数の突起２３を一定の間隔で形成し、これをダイパッド
３上に半導体チップ２を位置決めするための目盛りとし
て利用してもよい。これらのＶ溝２２や突起２３は、ダ
イパッド３上に半導体チップ２を位置決めした後の外観
検査工程で利用することもできる。
【００５１】次に、図２２に示すように、ダイパッド３
上に半導体チップ２を位置決めしたリードフレーム１を
ヒートステージ２４上で加熱して接着剤１５を硬化させ
る。一例として、加熱条件は２００〜２５０℃、３０秒
〜１分程度である。なお、接着剤１５の硬化は、オーブ
ンを使って行うこともできる。図２３は、ダイパッド３
上に半導体チップ２を搭載する工程が完了したリードフ
レーム１の平面図である。
【００５２】次に、図２４〜図２６に示すように、ダイ
パッド３上に搭載された半導体チップ２のボンディング
パッド２５とリード５との間をＡｕのワイヤ２６でボン
ディングし、電気的に接続する。図２５は、インナーリ
ード部５ａと半導体チップ２との接続関係を示す断面
図、図２６は、吊りリード４と半導体チップ２との関係
を示す断面図である。
【００５３】図２４に示すように、本実施の形態のリー
ドフレーム１は、半導体チップ２の各辺に沿ってリード
５の先端をＶ字状に配列してある（半導体チップ２のコ
ーナー部近傍の、すなわち吊りリード４に近い方のリー
ド５を長く、各辺中央部近傍の、すなわち吊りリード４
から遠くに位置するリード５を短くしてある）。これに
より、ワイヤ２６の長さが全てのボンディングパッド２
５とリード５との間でほぼ等しくなるので、ワイヤの長
さを変更する必要がなく、ワイヤボンディング作業が容
易になる。
【００５４】図２７は、本実施の形態で使用するワイヤ
ボンディング装置のヒートステージ２７の主面を示す平
面図である。このヒートステージ２７の主面には、リー
ドフレーム１のダイパッド３と吊りリード４の一部（前
記ダウンセット位置（Ｓ）よりも内側の部分）とが嵌め
込まれる逃げ溝２８が形成されている。
【００５５】ヒートステージ２７の主面に上記のような
逃げ溝２８を形成したことにより、図２８に示すよう
に、ダイパッド３上に大面積の半導体チップ２ｂを搭載
したリードフレーム１（同図(a))でも、小面積の半導体
チップ２を搭載したリードフレーム１（同図(b))でも、
ワイヤボンディングが可能となるので、半導体チップ２
の外形寸法が変わる毎にヒートステージ２７を交換する
手間が不要となる。なお、２８図(a) 中の符号ｔ1 はリ
ードフレーム１の板厚（本実施の形態では0.１５mm程
度）を示し、ｔ2 はダイパッド３のダウンセット量（本
実施の形態では0.２mm程度）を示している。図２８から
明らかなように、逃げ溝２８の深さはｔ1 ＋ｔ2 よりも
大きいので、ダウンセット（タブ下げ）加工のばらつき
が吸収され、またリードフレーム１のダイパッド３と吊
りリード４の一部を逃げ溝２８に嵌め込ませた場合、ワ
イヤボンディングされるリードやチップの部分は図示の
ようにヒートステージ２７に密着し、熱伝導が良くなる
ことにより、ボンディング性能が向上する。ワイヤの長
さは、ボンディングパッドからインナーリード部５ａの
ボンディング点までの直線距離で1.０〜5.０mm位であ
る。
【００５６】次に、上記リードフレーム１をモールド金
型に装着し、図２９に示すように、半導体チップ２、吊
りリード４、インナーリード部５ａおよびワイヤ２６を
エポキシ樹脂などでモールドすることによりパッケージ
本体２９を成形した後、リードフレーム１の不要箇所、
すなわちパッケージ本体２９の外部に露出したダムバー
７、外枠８および内枠９などをプレスで切断除去し、最
後にパッケージ本体２９の外部に露出したリード５を所
定の形状に成形することにより、ＱＦＰ形の表面実装型
半導体装置３０が完成する。その後、この表面実装型半
導体装置３０をリフロー半田付け法により配線基板（図
示せず）上に実装する。
【００５７】本実施の形態のリードフレーム１を用いて
製造された表面実装型半導体装置（ＱＦＰ）３０は、ダ
イパッド３の面積がその上に搭載された半導体チップ２
の面積よりも小さいため、半導体チップ２の周辺部の裏
面が封止樹脂と密着している。
【００５８】これにより、封止樹脂とダイパッド３との
界面の接着力が増大するので、水分が浸入してもリフロ
ー半田工程の高温に起因する水分膨張による上記界面の
剥離を抑制することができ、リフロー・クラック耐性の
向上した表面実装型半導体装置（ＱＦＰ）３０を提供す
ることができる。
【００５９】また、本実施の形態のリードフレーム１
は、外形寸法の異なる各種の半導体チップ２を搭載する
ことができるので、外形寸法の異なる半導体チップ毎に
リードフレームを作成する手間が不要となる。これによ
り、リードフレーム１を標準化することができるので、
その製造コストが低減され、表面実装型半導体装置（Ｑ
ＦＰ）３０を安価に提供することができる。
【００６０】また、本実施の形態のリードフレーム１
は、ダイパッド３の外形寸法を小さくしたことにより、
半導体チップ２をダイパッド３上に搭載する際に用いる
接着剤１５の使用量を少なくすることができるので、こ
の点においても、表面実装型半導体装置（ＱＦＰ）３０
を安価に提供することができる。
【００６１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００６２】ダイパッドの形状は円形に限らず、チップ
のダイパッドへの接着強度や接着剤の最低塗布領域を確
保していれば、例えば矩形であってもよい。また、図３
１に示すように、半導体チップ２の面積よりも小面積の
ダイパッド３の一部に貫通孔３１を形成し、半導体チッ
プ２と樹脂との接着面積をさらに大きくすることによ
り、リフロー・クラック耐性をさらに向上させることが
できる。
【００６３】また、図３２に示すように、四本の吊りリ
ード４が交差する部分の幅を広く形成し、この部分をダ
イパッド３として利用してもよい。
【００６４】前記実施の形態では、ＱＦＰを製造するた
めのリードフレームに本発明を適用した場合について説
明したが、表面実装型ＬＳＩパッケージの組み立てに用
いるリードフレーム全般に適用することができる。ま
た、ＤＩＰ(Dual In-line Package)のようなピン挿入型
ＬＳＩパッケージの製造に用いるリードフレームに適用
することもできる。
【００６５】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００６６】(1).本発明によれば、リフロー・クラック
耐性の向上したＬＳＩパッケージを提供することができ
る。
【００６７】(2).本発明によれば、ＬＳＩパッケージの
少量多品種化に対応したリードフレームを提供すること
ができるので、ＬＳＩパッケージの製造コストを低減す
ることができる。
【００６８】(3).本発明によれば、インナーリード部と
吊りリード部とが絶縁性のフィルムで接続されているの
で、インナーリード部および吊りリード部のばらつきを
防止でき、樹脂封止時における半導体チップ搭載部の変
動を防止できる。その結果、半導体チップの上面側と半
導体チップ搭載部の下面側とで溶融樹脂の流速がほぼ等
しくなり、貫通ボイドなどの形成不良の発生を防止する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体集積回路装置に用いられるリー
ドフレームの一例の平面図である。
【図２】本発明のリードフレームのプレス工程を示す平
面図である。
【図３】本発明のリードフレームのプレス工程を示す説
明図である。
【図４】本発明のリードフレームのメッキ工程を示す平
面図である。
【図５】(a),(b) は、本発明のリードフレームのダウン
セット工程を示す説明図である。
【図６】ダウンセット工程が完了したリードフレームの
平面図である。
【図７】本発明のリードフレームのテープ接着工程を示
す説明図である。
【図８】本発明のリードフレームのテープ接着工程を示
す平面図である。
【図９】図８のIX−IX線における断面図である。
【図１０】図８のＸ−Ｘ線における断面図である。
【図１１】(a) はリードフレームのリード切断工程を示
す平面図であり、(b) はそのXI−XI線における断面図で
ある。
【図１２】リードフレームのリード切断工程を示す平面
図である。
【図１３】リードフレームの接着剤塗布工程を示す平面
図である。
【図１４】リードフレームの接着剤塗布工程を示す断面
図である。
【図１５】リードフレームの接着剤塗布工程を示す平面
図である。
【図１６】リードフレームの接着剤塗布工程を示す平面
図である。
【図１７】リードフレームのチップ搭載工程を示す断面
図である。
【図１８】リードフレームのチップ搭載工程を示す平面
図である。
【図１９】リードフレームのチップ搭載工程を示す要部
拡大断面図である。
【図２０】(a) 〜(c) は、リードフレームのチップ搭載
工程を示す要部拡大斜視図である。
【図２１】リードフレームのチップ搭載工程を示す平面
図である。
【図２２】リードフレームのチップ搭載工程を示す断面
図である。
【図２３】リードフレームのチップ搭載工程を示す平面
図である。
【図２４】リードフレームのワイヤボンディング工程を
示す平面図である。
【図２５】リードフレームのワイヤボンディング工程を
示す断面図である。
【図２６】リードフレームのワイヤボンディング工程を
示す断面図である。
【図２７】ワイヤボンディング装置のヒートステージを
示す平面図である。
【図２８】(a),(b) は、ワイヤボンディング装置のヒー
トステージを示す断面図である。
【図２９】本発明のリードフレームを用いたＱＦＰの平
面図である。
【図３０】本発明のリードフレームを用いたＱＦＰの断
面図である。
【図３１】リードフレームの他の実施の形態を示す要部
拡大平面図である。
【図３２】リードフレームの他の実施の形態を示す要部
拡大平面図である。
【符号の説明】 １ リードフレーム １ａ リードフレーム １ｂ リードフレーム ２ 半導体チップ ２ｂ 半導体チップ ３ ダイパッド（チップ搭載部） ４ 吊りリード ５ リード ５ａ インナーリード部 ５ｂ アウターリード部 ６ テープ ６ａ フィルム ６ｂ 接着剤 ７ ダムバー ８ 外枠 ９ 内枠 １０ ガイド孔 １１ バリ １２ プレス型 １３ ヒートステージ １４ ツール １５ 接着剤 １６ ステージ １７ ディスペンサ １８ ノズル １９ 注入容器 ２０ 小パッド ２１ コレット ２２ Ｖ溝 ２３ 突起 ２４ ヒートステージ ２５ ボンディングパッド ２６ ワイヤ ２７ ヒートステージ ２８ 逃げ溝 ２９ パッケージ本体 ３０ 表面実装型半導体装置（ＱＦＰ） ３１ 貫通孔 ３２ ワイヤボンディング領域（Ａｇメッキ部）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 一成 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 坪崎 邦宏 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 鈴木 博通 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 宮木 美典 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 内藤 孝洋 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 河合 末男 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップを搭載するための一主面を
    有する半導体チップ搭載部と、前記半導体チップ搭載部
    を支持する吊りリード部と、前記半導体チップ搭載部の
    周囲を取り囲むように配置された複数のインナーリード
    部と、前記複数のインナーリード部それぞれと一体に形
    成され前記複数のインナーリード部から外方に向かって
    延在する複数のアウターリード部と、前記半導体チップ
    搭載部の一主面に接続された前記半導体チップ搭載部よ
    り大きいサイズで集積回路および複数のボンディングパ
    ッドが形成された主面を有する半導体チップと、前記半
    導体チップの複数のボンディングパッドと前記複数のイ
    ンナーリード部とを接続する複数のボンディングワイヤ
    と、前記複数のインナーリード部と前記吊りリード部と
    を接続する絶縁性のフィルムと、前記半導体チップ、前
    記半導体チップ搭載部、前記吊りリード部、前記複数の
    インナーリード部、前記複数のボンディングワイヤおよ
    び前記絶縁性のフィルムを樹脂で封止した樹脂封止体と
    から成ることを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項２】 前記絶縁性のフィルムは、前記半導体チ
    ップ搭載部を囲むように形成されていることを特徴とす
    る請求項１記載の半導体集積回路装置。
  3. 【請求項３】 前記吊りリード部は、複数であり、これ
    ら複数の吊りリード部それぞれの間に前記複数のインナ
    ーリード部が位置することを特徴とする請求項１記載の
    半導体集積回路装置。
  4. 【請求項４】 前記半導体チップ搭載部の一主面は、前
    記複数のインナーリード部の前記複数のボンディングワ
    イヤが接続される側の面とは反対側の面側に位置してい
    ることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装
    置。
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