JPH09312403A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents

半導体装置およびその作製方法

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JPH09312403A JP8324645A JP32464596A JPH09312403A JP H09312403 A JPH09312403 A JP H09312403A JP 8324645 A JP8324645 A JP 8324645A JP 32464596 A JP32464596 A JP 32464596A JP H09312403 A JPH09312403 A JP H09312403A
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聡 寺本
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潤 小山
Yasushi Ogata
靖 尾形
Masahiko Hayakawa
昌彦 早川
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光明 納
Toshiji Hamaya
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い特性を有する薄膜トランジスタを得る。 【解決手段】 非晶質珪素膜２０３の特定の領域２０５
に選択的にニッケル元素を接して保持させる。そして加
熱処理を施すことにより、２０７で示されるような基板
に平行な方向への結晶成長を行わせる。さらにハロゲン
元素を含有した酸化性雰囲気中での加熱処理を施すこと
により、熱酸化膜２０９を形成する。この際、結晶性の
改善、ニッケル元素のゲッタリングが進行する。そして
上記結晶成長方向とソース／ドレイン領域との結ぶ方向
とを合わせて薄膜トランジスタを作製する。こうするこ
とで、移動度が２００(cm2／Vs) 以上、Ｓ値が１００(m
V)以下というような高い特性を有するＴＦＴを得ること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
結晶性を有する薄膜半導体に関する。また、その薄膜半
導体の作製方法に関する。またその薄膜半導体を利用し
た半導体装置に関する。またその半導体装置の作製方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板や石英基板上に結晶性を有す
る珪素膜を成膜し、その珪素膜でもって薄膜トランジス
タ（以下ＴＦＴと称する）を作製する技術が知られてい
る。
【０００３】この薄膜トランジスタは、高温ポリシリコ
ンＴＦＴや低温ポリシリコンＴＦＴと称されている。
【０００４】高温ポリシリコンＴＦＴは、結晶性珪素膜
の作製手段として、８００℃や９００℃以上というよう
な比較的高温の加熱処理を利用する技術である。この技
術は、単結晶シリコンウエハーの利用したＩＣの作製プ
ロセスの派生技術といえる。
【０００５】当然、高温ポリシリコンＴＦＴが作製され
る基板としては、上記加熱温度に耐える石英基板が利用
される。
【０００６】他方、低温ポリシリコンＴＦＴは、基板と
して安価なガラス基板（当然耐熱性は石英基板に対して
劣るものとなる）を利用したものである。
【０００７】低温ポリシリコンＴＦＴの構成する結晶性
珪素膜の作製には、ガラス基板の耐える６００℃以下の
加熱や、ガラス基板に対しての熱ダメージはほとんど無
いレーザーアニール技術が利用される。
【０００８】高温ポリシリコンＴＦＴは、特性のそろっ
たＴＦＴを基板上に集積化できるという特徴がある。
【０００９】他方、低温ポリシリコンＴＦＴは、基板と
して安価で大面積化が容易なガラス基板を利用できると
いう特徴がある。
【００１０】なお、現状の技術においては、高温ポリシ
リコンＴＦＴも低温ポリシリコンＴＦＴもその特性に大
きな違いはない。
【００１１】即ち、移動度でいえば５０〜１００(cm2/V
s)程度、Ｓ値が２００〜４００(mV/dec)（ＶD ＝１Ｖ）
程度のものが、両者において得られている。
【００１２】この特性は、単結晶シリコンウエハーを利
用したＭＯＳ型トランジスタの特性に比較して大きく見
劣りするものである。一般的に、単結晶シリコンウエハ
ーを利用したＭＯＳ型トランジスタのＳ値は６０〜７０
(mV/dec)程度である。
【００１３】
【発明が解決しよとする課題】現状においてＴＦＴは、
アクティブマトリクス型の液晶表示装置のアクティブマ
トリクス回路と周辺駆動回路とを同一基板上に集積化す
るために利用されている。即ち、アクティブマトリクス
回路と周辺駆動回路とを同一の基板上にＴＦＴでもって
作り込むことが行われておる。
【００１４】このような構成において、周辺駆動回路の
ソースドライバー回路は、十数ＭＨｚ以上の動作が要求
される。しかし、現状における高温ポリシリコンＴＦＴ
及び低温ポリシリコンＴＦＴで構成した回路は、その動
作速度のマージンが数ＭＨｚ程度までしかとれない。
【００１５】従って、動作を分割する（分割駆動と呼ば
れる）などして、液晶表示を構成しているのが現状であ
る。しかし、この方法は、分割のタイミングの微妙なズ
レ等に起因して、画面に縞模様が現れてしまう等の問題
がある。
【００１６】また、今後の技術として、周辺駆動回路
（シフトレジスタ回路やバッファー回路で構成される）
以外に発振回路やＤ／ＡコンバータやＡ／Ｄコンバー
タ、さらに各種画像処理を行うデジタル回路を、さらに
同一基板上に集積化することが考えられている。
【００１７】しかし、上記発振回路やＤ／Ａコンバータ
やＡ／Ｄコンバータ、さらに各種画像処理を行うデジタ
ル回路は、周辺駆動回路よりもさらに高い周波数で動作
することが必要とされる。
【００１８】従って、現状の技術で得られている高温ポ
リシリコンＴＦＴや低温ポリシリコンＴＦＴでもってそ
れらの回路を構成することは困難である。
【００１９】なお、単結晶シリコンウエハーを利用した
ＭＯＳトランジスタでもって構成した集積回路は、１０
０ＭＨｚ以上の動作を行わせることができるものが実用
化されている。
【００２０】本明細書で開示する発明は、上記のような
高速動作（一般に数十ＭＨｚ以上の動作速度）が要求さ
れる回路を構成しうる薄膜トランジスタを得ることを課
題とする。
【００２１】また、単結晶シリコンウエハーを利用して
作製したＭＯＳ型トランジスタに匹敵するような特性が
得られる薄膜トランジスタを提供することを課題とす
る。またその作製手段を提供することを課題とする。さ
らに、そのような高い特性を有する薄膜トランジスタで
もって必要とする機能を有する半導体装置を提供するこ
とを課題とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性
珪素膜を活性層とした薄膜トランジスタを利用した半導
体装置であって、該結晶性珪素膜は、所定の方向に連続
性を有する結晶構造を有し、かつ前記所定の方向に延在
した結晶粒界を有し、前記薄膜トランジスタにおいて、
ソース領域とドレイン領域とを結ぶ方向と前記所定の方
向とは、所定の角度を有しており、前記結晶粒界には不
純物が偏析していることを特徴とする。
【００２３】上記ような結晶状態を有する結晶性珪素膜
の例を図６及び図７に示す。図７に示すのは、図６の一
部をさらに拡大したものである。図６及び図７に示すの
は、厚さ２５０Åの結晶性珪素膜の表面を透過型電子顕
微鏡（ＴＥＭ）により観察した写真である。
【００２４】図６及び図７に示すような結晶性珪素膜を
得るには実施例１に示すような作製工程を採ることによ
って実現される。
【００２５】図６及び図７には、図の左下から右上に向
かって連続性を有する結晶構造が延在している状態が示
されている。またこの結晶構造の連続性が延在している
方向にほぼ平行に多数の結晶粒界が形成されている状態
も示されている。
【００２６】即ち、結晶構造の連続性が存在している方
向に対して直角または概略直角な方向（図６または図７
の右下から右上に向かう方向）には、明確な結晶粒界が
多数、間隔をおいて存在しており、その方向へは結晶構
造は不連続なものとなっている。即ち、この方向には結
晶構造の連続性が損なわれたものとなっている。
【００２７】この結晶構造の連続性が延在している方向
は、格子構造の連続性がほぼ保たれており、キャリアの
移動に際しての散乱やトラップが他の方向に比較して非
常に少ないものとなっている。即ち、上記結晶構造が連
続している方向は、キャリアにとっては、結晶粒界から
の散乱を受けない、または受けにくい実質的な単結晶状
態になっていると見ることができる。
【００２８】また上記結晶粒界には、酸素やハロゲン元
素が偏析している状態が確認されている。これは、電子
線ビームを収束させて照射した際に発生するＸ線スペク
トルを分析することによって確認される。この酸素やハ
ロゲン元素は、結晶化後の熱酸化膜の形成時に結晶粒界
に偏析したものと考えられる。
【００２９】上記発明の構成は、この結晶構造の連続し
ている方向と薄膜トランジスタのソース領域とドレイン
領域とを結ぶ方向との関係を規定したものである。高速
動作を狙うのであれば、上記の結晶構造の連続している
方向とソース領域とドレイン領域とを結ぶ方向とを一致
または概略一致させることが好ましい。こうすること
で、ＭＯＳ型の薄膜トランジスタの動作において、キャ
リアが最も移動し易い構造とすることができる。
【００３０】また、上記２つの方向のなす角度を所定の
ものに設定することで、得られる薄膜トランジスタの特
性を制御することができる。例えば、同一の基板上に多
数の薄膜トランジスタ群を作製する際に、上記２つの角
度のなす角度を異ならせた群を複数形成することによ
り、このトランジスタ群の特性を異ならせることができ
る。
【００３１】また、Ｎ字型やコの字型、さらにはＭ字型
等の形状を有する活性層が折れ曲がっているような薄膜
トランジスタの場合は以下のようにすればよい。即ち、
ソース領域とドレイン領域とを結ぶ線が直線でなく、屈
曲したものとなるような薄膜トランジスタの場合は、以
下のようにすればよい。この場合、チャネル領域におけ
るキャリアの移動方向（全体として見た場合のキャリア
に移動方向）に合わせて、前述した結晶構造の連続性の
方向を設定すればよい。
【００３２】この場合もキャリアの移動方向と結晶構造
の連続性の方向とのなす角度を０°とした場合に最も高
速動作を期待できる。勿論、必要に合わせてこの角度を
設定することができる。
【００３３】他の発明の構成は、絶縁表面を有する基板
上に形成された結晶性珪素膜を活性層とした薄膜トラン
ジスタを利用した半導体装置であって、該結晶性珪素膜
は、結晶粒界の延在方向に異方性を有しており、前記薄
膜トランジスタにおいて、ソース領域とドレイン領域と
を結ぶ方向と前記延在方向とは、所定の角度を有してな
り、前記結晶粒界には不純物が偏析していることを特徴
とする。
【００３４】他の発明の構成は、絶縁表面を有する基板
上に形成された結晶性珪素膜を活性層とした薄膜トラン
ジスタを利用した半導体装置であって、該結晶性珪素膜
は、結晶粒界の延在方向に異方性を有しており、前記薄
膜トランジスタにおいて、チャネル領域におけるキャリ
アの移動する方向と前記延在方向とは、所定の角度を有
しており、前記結晶粒界には不純物が偏析していること
を特徴とする。
【００３５】本明細書で開示する発明における結晶性珪
素膜は、非晶質珪素膜に対してニッケルに代表される珪
素の結晶化を助長する金属元素を導入し、さらに加熱処
理を施し、さたにハロゲン元素を含んだ雰囲気中での加
熱処理が必要とされる。この熱酸化膜を形成するための
加熱処理の段階で雰囲気中の酸素とハロゲン元素の粒界
への析出が行われる。
【００３６】上記金属元素としては、ニッケルが再現性
や効果の点で極めて好ましい。一般にこの金属元素とし
ては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類
のものを利用することができる。
【００３７】ニッケル元素を利用した場合、最終的に珪
素膜中に残留するニッケルの濃度は、１×１０14原子個
／ｃｍ3 〜５×１０18原子個／ｃｍ3 程度となる。熱酸
化膜のゲッタリング条件を詰めれば、この濃度の上限は
５×１０17原子個／ｃｍ3 程度にまで低減できる。この
濃度の計測は、ＳＩＭＳ（２次イオン分析方法）を利用
して計測できる。
【００３８】一般的には、上記ニッケル濃度の下限は、
１×１０16原子個／ｃｍ3 程度となる。これは、コスト
との兼ね合いを考えた場合、基板や装置に付着するニッ
ケル元素の影響を排除することが通常は困難であるから
である。
【００３９】よって、一般的な作製工程に従った場合、
残留するニッケル元素の濃度は、１×１０16原子個／ｃ
ｍ3 〜５×１０17原子個／ｃｍ3 となる。
【００４０】また、熱酸化膜の作製工程において、当該
金属元素が熱酸化膜中に移動する関係から、得られた結
晶性珪素膜の厚さ方向におけるニッケル元素の濃度分布
に勾配または分布が発生する。
【００４１】一般に結晶性珪素膜中の当該金属元素の濃
度は、熱酸化膜が形成される界面に向かって当該金属元
素の濃度が高くなる傾向が観察される。また、条件によ
っては、基板または下地膜に向かって、即ち裏面側の界
面に向かって当該金属元素の濃度が高くなる傾向も観察
される。
【００４２】また、熱酸化膜の形成時に雰囲気中にハロ
ゲン元素を含有させた場合、このハロゲン元素も上記金
属元素と同様な濃度分布を示すものとなる。即ち、結晶
性珪素膜の表面および／または裏面に向かって含有濃度
が高くなる濃度分布を示すものとなる。
【００４３】本明細書で開示する発明における結晶性珪
素膜は、その最終的な膜厚を好ましくは１００Å〜７５
０Å、より好ましくは１５０Å〜４５０Åとする。この
ような膜厚とすることにより、図６や図７に示すような
一方向に結晶性が連続した特異な結晶構造をより顕著な
形で再現性良く得ることができる。
【００４４】この最終的な結晶性珪素膜の膜厚は、熱酸
化膜の成膜により膜厚を目減りすることを考慮して決定
する必要がある。
【００４５】他の発明の構成は、絶縁表面を有する基板
上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、前記非晶質珪素膜
に一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導
入する工程と、加熱処理を施し前記金属元素が選択的に
導入された領域から他の領域に向かって基板に平行な方
向に結晶成長を行わせる工程と、ハロゲン元素を含有さ
せた酸化性雰囲気中での８００℃〜１１００℃での加熱
処理により熱酸化膜を形成する工程と、前記熱酸化膜を
除去する工程と、前記結晶成長を行わせた方向にソース
領域とドレイン領域とを結ぶ方向を一致または概略一致
させる工程と、を有し、前記結晶成長方向にそって不純
物が偏析することを特徴とする。
【００４６】上記のような工程を採用することにより、
本明細書で開示する結晶性珪素膜を得ることができ、さ
らにその結晶構造の特異性を利用したＭＯＳ型薄膜トラ
ンジスタを得ることができる。
【００４７】金属元素の導入方法としては、当該金属元
素を含んだ溶液を塗布する方法、ＣＶＤ法による方法、
スパッタ法や蒸着法による方法、当該金属を含んだ電極
を利用したプラズマ処理による方法、ガス吸着法による
方法を挙げることができる。
【００４８】ハロゲン元素を導入する方法としては、Ｈ
Ｃｌ、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ2 、Ｆ2、Ｂｒ2 、ＣＦ4 等
を酸化性雰囲気（例えば酸素雰囲気）中に含有させる手
段を利用することができる。
【００４９】また、熱酸化膜の形成時における雰囲気中
に水素ガスの導入を合わせて行い、ウエット酸化の作用
を利用することも有効である。
【００５０】熱酸化膜の形成するための温度は極めて重
要なものとなる。後述するような素子単体で数十ＭＨｚ
以上の動作を行わせることが可能で、Ｓ値が１００(mV/
dec)以下というようなＴＦＴを得るのであれば、熱酸化
膜の形成時における加熱温度を好ましくは８００℃以
上、より好ましくは９００°以上とすることが必要であ
る。
【００５１】なおこの加熱温度の上限は、石英基板の耐
熱温度の上限である１１００℃程度とすることが適当で
ある。
【００５２】他の発明の構成は、絶縁表面を有する基板
上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、前記非晶質珪素膜
に一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導
入する工程と、加熱処理を施し前記金属元素が選択的に
導入された領域から他の領域に向かって基板に平行な方
向に結晶成長を行わせる工程と、ハロゲン元素を含有さ
せた酸化性雰囲気中での８００℃〜１１００℃での加熱
処理により熱酸化膜を形成する工程と、前記熱酸化膜を
除去する工程と、前記結晶成長を行わせた方向にチャネ
ル領域におけるキャリアの移動する方向を一致または概
略一致させる工程と、を有し、前記結晶成長方向にそっ
て不純物が偏析することを特徴とする。
【００５３】上記構成は、チャネル領域におけるキャリ
アに移動方向に着目し、その方向と結晶成長方向（結晶
構造に連続性を有する方向または結晶粒界は延在する方
向）との関係を規定したものである。
【００５４】この構成は、ソース領域とドレイン領域と
を結ぶ線分が折れ曲がっているような場合に有効なもの
となる。
【００５５】
【発明の実施の形態】非晶質珪素膜を加熱により結晶化
させ結晶性珪素膜を得る技術において、非晶質珪素膜の
表面の一部の領域にニッケル元素を接して保持させた状
態で加熱処理を施すことにより、前記一部の領域から他
の領域へと基板に平行な方向への結晶成長を行わせる。
【００５６】そして、前記結晶成長を行わした珪素膜の
表面に熱酸化膜を形成する。この熱酸化膜は、ハロゲン
元素を含んだ酸化性雰囲気化で８００℃〜１１００℃の
加熱処理を施すことにより形成する。この際、熱酸化膜
の形成に際して、不安定な珪素原子が酸化膜の形成に利
用され、珪素膜中の欠陥が大きく減少する。また珪素膜
の結晶性が高くなる。
【００５７】そしてこの熱酸化膜を除去する。こうして
得られた結晶性珪素膜は、図６及び図７に示すような特
定の方向に結晶粒界が延在し、その方向に結晶構造が連
続した構造を有するものとなる。
【００５８】そしてこの結晶成長が連続した方向と動作
時のキャリアの移動する方向とを合わせたＴＦＴを作製
することで、高い性能を有するＴＦＴを得ることができ
る。
【００５９】
【実施例】
〔実施例１〕本実施例では、非晶質珪素膜に対して、珪
素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入すること
により、横成長と呼ばれる基板に平行な方向への結晶成
長を行わす方法に関する。
【００６０】図１に本実施例の作製工程を示す。まず、
石英基板２０１上に下地膜２０２として酸化珪素膜を３
０００Åの厚さに成膜する。なお、石英基板の表面の平
滑性が良く、また洗浄を十分にするのであれば、この下
地膜２０２は特に必要ない。
【００６１】なお、基板としては石英基板を利用するこ
とが現状においては好ましい選択となるが、加熱処理温
度に耐える基板であれば、石英に限定されるものではな
い。
【００６２】次に結晶性珪素膜の出発膜となる非晶質珪
素膜２０３を減圧熱ＣＶＤ法でもって、６００Åの厚さ
に成膜する。この非晶質珪素膜の厚さは、２０００Å以
下とすることが好ましい。
【００６３】次に図示しない酸化珪素膜を１５００Åの
厚さに成膜し、それをパターニングすることにより、２
０４で示されるマスクを形成する。このマスクは２０５
で示される領域に開口が形成されている。この開口２０
５が形成されている領域においては、非晶質珪素膜２０
３が露呈する。
【００６４】開口２０５は、図面の奥行及び手前方向に
長手方向を有する細長い長方形を有している。この開口
２０３の幅は２０μｍ以上とするのが適当である。また
その長手方向の長さは必要とする長さでもって形成すれ
ばよい。
【００６５】そして重量換算で１０ｐｐｍのニッケル元
素を含んだ酢酸ニッケル溶液を塗布する。そして図示し
ないスピナーを用いてスピンドライを行い余分な溶液を
除去する。
【００６６】こうして、ニッケル元素が図１（Ａ）の点
線２０６で示されるような状態で存在した状態が得られ
る。この状態では、ニッケル元素が開口２０５の底部に
おいて、非晶質珪素膜の一部に選択的に接して保持され
た状態が得られる。
【００６７】次に水素を３％含有した極力酸素を含まな
い窒素雰囲気中において、６４０℃、４時間の加熱処理
を行う。すると、図１（Ｂ）の２０７で示されるような
基板２０１に平行な方向への結晶成長が進行する。この
結晶成長の状態を上面から見た模式図を図９に示す。
【００６８】この結晶成長は、ニッケル元素が導入され
た開口２０５の領域から周囲に向かって進行する。この
基板に平行な方向への結晶成長を横成長またはラテラル
成長と称する。
【００６９】この結晶成長により得られる横成長した結
晶性珪素膜の表面は、従来の低温ポリシリコンや高温ポ
リシリコンに比較して非常に平滑性の良いものが得られ
る。これは、結晶粒界の延在する方向が概略そろってい
ることに起因すると考えられる。
【００７０】一般の多結晶珪素やポリシリコンと呼ばれ
る珪素膜は、その表面の凹凸は±１００Å以上ある。し
かし、本実施例で示すような横成長をさせた場合は、そ
の表面の凹凸は±３０Å以下であることが観察されてい
る。この凹凸は、ゲイト絶縁膜との間の界面特性を悪化
させるものであり、極力小さいものであることが好まし
い。
【００７１】上記の結晶化のために加熱処理条件におい
ては、この横成長を１００μｍ以上にわたって行わすこ
とができる。こうして横成長した領域を有する珪素膜２
０８を得る。
【００７２】この結晶成長のための加熱処理は、４５０
℃〜１１００℃（上限は基板の耐熱性で規制される）で
行うことができる。ある程度の横成長距離を確保するの
であれば、加熱処理の温度を６００℃以上とすることが
好ましい。しかし、それ以上に温度を上げることによる
結晶成長距離や結晶性の向上はそれ程大きくない。
【００７３】そしてニッケル元素を選択的に導入するた
めの酸化珪素膜でなるマスク２０４を除去する。こうし
て、図１（Ｃ）に示す状態を得る。
【００７４】この状態においては、ニッケル元素が膜中
に偏在している。特に、開口２０５が形成されていた領
域と、２０７で示される結晶成長の先端部分において
は、ニッケル元素が比較的高濃度に存在している。従っ
て、活性層の形成においては、それらの領域を避けるこ
とが重要となる。即ち、活性層中に上記ニッケル元素が
偏在した領域が存在しないようにすることが重要であ
る。
【００７５】図２（Ｃ）に示す状態を得た後、レーザー
光の照射を行なってもよい。即ち、レーザー光の照射に
より、さらに結晶化を助長させてもよい。このレーザー
光の照射は、膜中に存在するニッケル元素の固まりを分
散させ、後にニッケル元素を除去し易くする効果を有し
ている。なお、この段階でレーザー光の照射を行って
も、さらに横成長が進行することはない。
【００７６】レーザー光としては、紫外領域の波長を有
するエキシマレーザーを利用することができる。例え
ば、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）やＸｅ
Ｃｌエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を利用するこ
とができる。
【００７７】次にＨＣｌを３体積％含んだ酸素雰囲気中
において、９５０℃の加熱処理を行い、熱酸化膜２０９
を２００Åの厚さに成膜する。この熱酸化膜の形成に従
い、珪素膜２０８の膜厚は１００Å程度その膜厚が減少
する。即ち、珪素膜の膜厚は、５００Å程度となる。
【００７８】この工程においては、熱酸化膜の形成に従
い、膜中の不安定な結合状態を有する珪素元素が熱酸化
膜の形成に利用される。そして、膜中の欠陥が減少し、
より高い結晶性を得ることができる。
【００７９】また同時に熱酸化膜の形成および塩素の作
用により膜中よりニッケル元素のゲッタリングが行われ
る。
【００８０】当然、熱酸化膜中には、比較的高濃度にニ
ッケル元素が取り込まれることになる。そして相対的に
珪素膜２０８中のニッケル元素は減少する。
【００８１】熱酸化膜２０９を形成したら、この熱酸化
膜２０９を除去する。こうして、ニッケル元素の含有濃
度を減少させた結晶性珪素膜２０８を得る。こうして得
られた結晶性珪素膜は、図６また図７に示すように一方
向に結晶構造が延在した（この方向は結晶成長方向に一
致する）構造を有している。即ち、細長い円柱状の結晶
体が複数の一方向に延在した結晶粒界を介して、複数平
行に並んでいるような構造を有している。この一方向
（この方向は結晶成長方向に一致する）に延在した結晶
粒界には酸素と塩素とが偏析している。
【００８２】上記の不純物が偏析した結晶粒界部分は、
エネルギー的に障壁となっており、キャリアに移動を結
晶成長方向へと規制する機能を有している。
【００８３】次にパターニングを行うことにより、横成
長領域でなるパターン２１０を形成する。この島状の領
域２１０が後にＴＦＴの活性層となる。ここでは、ソー
ス領域とドレイン領域とを結ぶ方向と結晶成長方向とが
一致または概略一致するようにパターンの位置取りを行
う。こうすることで、キャリアの移動する方向と結晶格
子が連続して延在する方向とを合わせることができ、結
果として高い特性のＴＦＴを得ることができる。
【００８４】そして、２１０でなるパターンを形成後に
熱酸化膜２１１を３００Åの厚さに成膜する。この熱酸
化膜は、ＨＣｌを３％含有した酸素雰囲気中において、
９５０℃の加熱処理を行うことによって得る。
【００８５】熱酸化膜２１１を成膜することにより、パ
ターン（活性層となるパターン）２１０の膜厚は、３５
０Åとなる。
【００８６】この工程においても熱酸化膜２０９を成膜
する場合と同様の効果を得ることができる。なお、この
熱酸化膜２０９は、ＴＦＴのゲイト絶縁膜の一部とな
る。
【００８７】この後、熱酸化膜と共にゲイト絶縁膜を構
成する酸化珪素膜３０４を１０００Åの厚さにプラズマ
ＣＶＤ法により成膜する。（図２（Ａ））
【００８８】次にゲイト電極を形成するためのアルミニ
ウム膜をスパッタ法で４０００Åの厚さに成膜する。こ
のアルミニウム膜中には、スカンジウムを0.2 重量％含
有させる。
【００８９】アルミニウム膜中にスカンジウムを含有さ
せるのは、後の工程において、ヒロックやウィスカーが
発生することを抑制するためである。ヒロックやウィス
カーというのは、加熱の際のアルミニウムの異常成長に
起因する針状あるいは刺状の突起部のことである。
【００９０】アルミニウム膜を成膜したら、図示しない
緻密な陽極酸化膜を形成する。この陽極酸化膜は、３％
の酒石酸を含んだエチレングルコール溶液を電解溶液と
し、アルミニウム膜を陽極、白金を陰極として行う。こ
の工程においては、アルミニウム膜上に緻密な膜質を有
する陽極酸化膜を１００Åの厚さに成膜する。
【００９１】この図示しない陽極酸化膜は、後に形成さ
れるレジストマスクとの密着性を向上させる役割を有し
ている。
【００９２】この陽極酸化膜の膜厚は、陽極酸化時の印
加電圧によって制御することができる。
【００９３】次にレジストマスク３０６を形成する。そ
してこのレジストマスクを利用して、アルミニウム膜を
３０５で示されるパターンにパターニングする。こうし
て図２（Ｂ）に示す状態を得る。
【００９４】ここで再度の陽極酸化を行う。ここでは、
３％のシュウ酸水溶液を電解溶液として用いる。この電
解溶液中において、アルミニウムのパターン３０５を陽
極とした陽極酸化を行うことにより、３０８で示される
多孔質状の陽極酸化膜が形成される。
【００９５】この工程においては、上部に密着性の高い
レジストマスク３０６が存在する関係で、アルミニウム
パターンの側面に選択的に陽極酸化膜３０８が形成され
る。
【００９６】この陽極酸化膜は、その膜厚を数μｍまで
成長させることができる。ここでは、その膜厚を６００
０Åとする。なお、その成長距離は、陽極酸化時間によ
って制御することができる。
【００９７】そしてレジストマスク３０６を除去する。
次に再度の緻密な陽極酸化膜の形成を行う。即ち、前述
した３％の酒石酸を含んだエチレングルコール溶液を電
解溶液とした陽極酸化を再び行う。
【００９８】この工程においては、多孔質状の陽極酸化
膜３０８中に電解溶液が進入する関係から、３０９で示
されるように緻密な膜質を有する陽極酸化膜が形成され
る。
【００９９】この緻密な陽極酸化膜３０９の膜厚は１０
００Åとする。この膜厚の制御は印加電圧によって行
う。
【０１００】ここで、露呈した酸化珪素膜３０４をエッ
チングする。また同時に熱酸化膜３００をエッチングす
る。このエッチングはドライエッチングを利用する。そ
して酢酸と硝酸とリン酸とを混合した混酸を用いて多孔
質状の陽極酸化膜３０８を除去する。こうして図２
（Ｄ）に示す状態を得る。
【０１０１】図２（Ｄ）に示す状態を得たら、不純物イ
オンの注入を行う。ここでは、Ｎチャネル型の薄膜トラ
ンジスタを作製するためにＰ（リン）イオンの注入をプ
ラズマドーピング法でもって行う。
【０１０２】この工程においては、ヘビードープがされ
る３１１と３１５の領域とライトドープがされる３１２
と３１４の領域が形成される。これは、残存した酸化珪
素膜３１０が半透過なマスクとして機能し、注入された
イオンの一部がそこで遮蔽されるからである。
【０１０３】そしてレーザー光（またはランプを用いた
強光）の照射を行うことにより、不純物イオンが注入さ
れた領域の活性化を行う。こうして、ソース領域３１
１、チャネル形成領域３１３、ドレイン領域３１５、低
濃度不純物領域３１２と３１４が自己整合的に形成され
る。
【０１０４】ここで、３１４で示されるのが、ＬＤＤ
（ライトドープドレイン）領域と称される領域である。
（図２（Ｄ））
【０１０５】なお、緻密な陽極酸化膜３０９の膜厚を２
０００Å以上というように厚くした場合、その膜厚でも
ってチャネル形成領域３１３の外側にオフセットゲイト
領域を形成することができる。
【０１０６】本実施例においてもオフットゲイト領域は
形成されているが、その寸法が小さいのでその存在によ
る寄与が小さく、また図面が煩雑になるので図中には記
載していない。
【０１０７】なお、緻密な膜質を有する陽極酸化膜を２
０００Å以上というように厚く形成するのには、２００
Ｖ以上の印加電圧が必要とされるので、再現性や安全性
に関して、注意が必要である。
【０１０８】次に層間絶縁膜３１６として酸化珪素膜、
または窒化珪素膜、またはその積層膜を形成する。層間
絶縁膜としては、酸化珪素膜または窒化珪素膜上に樹脂
材料でなる層を用いてもよい。
【０１０９】そしてコンタクトホールの形成を行い、ソ
ース電極３１７とドレイン電極３１８の形成を行う。こ
うして図３（Ｅ）に示す薄膜トランジスタが完成する。
【０１１０】本実施例に示すＴＦＴは、その特性として
従来には得られなかった極めて高いものを得ることがで
きる。
【０１１１】例えば、ＮＴＦＴ（Ｎチャネル型のＴＦ
Ｔ）で、移動度が２００〜３００(cm2/Vs)、Ｓ値が７５
〜９０(mV/dec)(VD ＝１Ｖ）という高性能なものが得ら
れる。ＰＴＦＴ（Ｐチャネル型のＴＦＴ）で１２０〜１
８０(cm2/Vs)、Ｓ値が７５〜１００(mV/dec)(VD ＝１
Ｖ）という高性能なものを得ることができる。
【０１１２】特にＳ値は、従来の高温ポリシリコンＴＦ
Ｔ及び低温ポリシリコンＴＦＴの値に比較して、１／２
以下という驚異的に良い値である。
【０１１３】〔実施例２〕本実施例は、実施例１に示す
構成において、ゲイト絶縁膜の形成方法を工夫した例に
関する。
【０１１４】図３に本実施例の作製工程を示す。まず図
１（Ａ）及び（Ｂ）に示す工程に従い横成長領域を有す
る結晶性珪素膜２０８を得る。なおここでは、出発膜の
非晶質珪素膜を５００Åとする。
【０１１５】結晶性珪素膜を得たら、ＨＣｌを３％含有
させた酸素雰囲気中において９５０℃の加熱処理を行う
ことにより、熱酸化膜２０９を２００Åの厚さに成膜す
る。（図３（Ａ））
【０１１６】次に熱酸化膜２０９を除去する。そして、
パターニングを施すことにより、後に薄膜トランジスタ
の活性層となるパターン２１０を形成する。（図３
（Ｂ））
【０１１７】次にプラズマＣＶＤ法により、ゲイト絶縁
膜３０４を１０００Åの厚さに成膜する。（図３
（Ｃ））
【０１１８】次にＨＣｌを３％含有させた酸素雰囲気中
において９５０℃の加熱処理を行うことにより、熱酸化
膜２１１を３００Åの厚さに成膜する。（図３（Ｄ））
【０１１９】この際、熱酸化膜は、ＣＶＤ酸化膜３０４
の内側において成長し、図３（Ｄ）に示すような状態で
成膜される。
【０１２０】本実施例に示す作製工程を採用した場合、
ゲイト絶縁膜は熱酸化膜２１１とＣＶＤ酸化膜３０４と
の積層膜でもって構成されることになる。
【０１２１】本実施例に示す作製工程を採用した場合、
ゲイト絶縁膜と活性層との界面における界面準位密度を
低いものとすることができる。
【０１２２】〔実施例３〕本実施例は、アクティブマト
リクス型の液晶表示装置のアクティブマトリクス回路部
分の作製工程を示す。
【０１２３】図４に本実施例の作製工程の概略を示す。
まず、図１及び図２に示す工程に従って、図２（Ｄ）に
示す状態を得る。（図４（Ａ）に示す状態）
【０１２４】次に第１の層間絶縁間膜として、窒化珪素
膜４０１を２０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法で成膜
する。さらにポリイミド樹脂膜４０２をスピンコート法
で成膜する。こうして、図４（Ｂ）に示す状態を得る。
なお、樹脂材料としては、ポリイミド以外にポリアミド
やポリイミドアミドを利用することができる。
【０１２５】次にソース領域３１１とドレイン領域３１
５に達するコンタクトホールの形成を行い、ソース電極
４０３とドレイン電極４０３を形成する。これらの電極
は、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層膜で
もって形成する。なお、ソース電極４０３は、ソース線
から延在したものとして形成される。（図４（Ｃ））
【０１２６】ドレイン電極４０３は、その一部が補助容
量を形成するための電極として利用される。
【０１２７】ソース及びドレイン電極を形成したら、第
２の層間絶縁膜としてポリイミド樹脂膜４０４を成膜す
る。こうして図４（Ｃ）に示す状態を得る。
【０１２８】次に樹脂層間絶縁膜４０４に開口を形成
し、さらにチタン膜とアルミニウム膜との積層膜でもっ
てなるブラックマトリクス（ＢＭ）４０５を形成する。
このブラックマトリクス４０５は、本来の遮光膜として
の機能以外に補助容量を形成するための電極として機能
する。
【０１２９】ブラックマトリクス４０５を形成したら、
第３の層間絶縁膜として、ポリイミド樹脂膜４０６を成
膜する。そして、ドレイン電極４０３へのコンタクトホ
ールを形成し、ＩＴＯでなる画素電極４０７を形成す
る。
【０１３０】こうして、補助容量として機能するブラッ
クマトリクス４０５のパターンと画素電極４０７のパタ
ーンとの間にポリイミド樹脂膜４０６が挟まれた構造が
得られる。
【０１３１】〔実施例４〕本実施例は、実施例１に示す
構成において、ゲイト電極またはゲイト電極から延在し
たゲイト配線に対するコンタクトの形成の採り方を工夫
した例である。
【０１３２】実施例１（図２参照）または実施例３
（（または実施例３）に示す構成においては、ゲイト電
極の側面及び上面が緻密な膜質を有する陽極酸化膜によ
って被覆された状態となっている。
【０１３３】このような構造は、アルミニウムを材料と
した電極を形成する場合には、ヒロックの抑制、配線間
ショートの抑制という点において大きな効果を有してい
る。
【０１３４】しかしながら、その強固な膜質故にコンタ
クトの形成が比較的困難であるという問題がある。
【０１３５】本実施例は、この問題を解決する構成に関
する。図５に本実施例の作製工程を示す。他の実施例と
同じ符号箇所の詳細な作製条件等は、他の実施例と同じ
である。
【０１３６】まず図５（Ａ）に示すように、結晶性珪素
膜でなる活性層パターン２１０を得る。そして、熱酸化
膜２１１とＣＶＤ酸化膜３０４とが積層された状態を得
る。
【０１３７】ここでは、まずＣＶＤ酸化膜を成膜し、そ
の後に熱酸化膜を成膜する工程を採用する。
【０１３８】図５（Ａ）に示す状態を得たら、アルミニ
ウム膜を成膜し、さらに窒化珪素膜を５００Åの厚さに
成膜する。そして、レジストマスク３０６を用いてパタ
ーニングを施し、３０５で示されるアルミニウムパター
ンとその上の窒化珪素膜５０１が形成された状態を得
る。（図５（Ｂ））
【０１３９】図５（Ｂ）に示す状態を得たら、レジスト
マスク３０６を配置した状態で多孔質状の陽極酸化膜３
０８を形成し、さらに緻密な膜質を有する陽極酸化膜３
０９を形成する。
【０１４０】これらの陽極酸化膜は、ゲイト電極となる
アルミニウムパターン３０７の側面のみにおいて選択的
に形成される。これは、アルミニウムパターンの上面に
窒化珪素膜５０１が存在しているからである。
【０１４１】陽極酸化膜の形成が終了したら、レジスト
マスク３０６を除去する。そしてさらに露呈した酸化珪
素膜３０４を除去し、さらに熱酸化膜２１１の一部も除
去する。
【０１４２】こうして図５（Ｃ）に示す状態を得る。図
５（Ｃ）に示す状態を得たら、レジストマスク３０６を
除去し、さらに多孔質状の陽極酸化膜３０８を除去す
る。
【０１４３】そして、さらに窒化珪素膜５０１を除去す
る。こうして図５（Ｄ）に示す状態を得る。この状態で
導電型を付与する不純物のドーピングをプラズマドーピ
ング法でもって行う。
【０１４４】この結果、ソース領域３１１、低濃度不純
物領域３１２と３１４、チャネル領域３１３、ドレイン
領域３１５が自己整合的に形成される。
【０１４５】不純物のドーピング終了後、レーザー光の
照射を行うことにより、ドーピング時に生じた損傷のア
ニールと、ドーピングされた不純物の活性化とを行う。
【０１４６】こうして図５（Ｄ）に示す状態を得る。次
に層間絶縁膜５０２を形成する。そしてコンタクトホー
ルの形成を行い、ソース電極３１７、ゲイト取り出し電
極５０３、ドレイン電極３１８を形成し、図５（Ｅ）に
示す状態を得る。
【０１４７】この工程において、ゲイト電極３０７への
コンタクトホールの形成が、ゲイト電極の上面に陽極酸
化膜が存在しない関係で比較的容易に行うことができ
る。
【０１４８】なお図には、同じ断面上にソース／ドレイ
ン電極とゲイト電極とが形成されているように記載され
ているが、実際には、ゲイト取り出し電極はゲイト電極
３０７から延在した部分に形成される。
【０１４９】〔実施例５〕本実施例は、実施例１に示す
構成において、基板としてガラス基板を利用した場合の
例である。
【０１５０】本実施例では、基板として歪点が６６７℃
のコーニング１７３７ガラス基板を利用する。そして結
晶化のための加熱処理を６００℃、４時間の条件で行
い。
【０１５１】熱酸化膜の形成のための加熱処理をＨＣｌ
を３体積％含有した酸素雰囲気中での６４０℃の条件で
行う。この場合、形成される熱酸化膜の膜厚は処理時間
２時間で３０Å程度となる。この場合は、実施例１に示
すような９５０℃の加熱処理を加えた場合に比較してそ
の効果は小さなものとなる。
【０１５２】〔実施例６〕本実施例は、実施例１に示す
構成において、熱酸化膜の形成時における雰囲気中にＨ
Ｃｌを含有させない場合の例である。この場合、ＨＣｌ
を雰囲気中に含有させた場合に比較して、ニッケルのゲ
ッタリング効果は小さなものとなる。
【０１５３】〔実施例７〕本実施例は、実施例１に示す
構成において、熱酸化膜の形成後にレーザー光の照射を
する場合の例である。このようにすると、さらに結晶化
を助長することができる。 〔実施例８〕本実施例は、ＴＦＴを利用した半導体装置
の例を示すものである。図８に各種半導体装置の例を示
す。
【０１５４】図８（Ａ）に示すのは、携帯情報端末と呼
ばれるもので、本体２００１に備えられたアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置２００５に必要とする情報を
内部の記憶装置から呼び出して表示したり、電話回線を
利用してアクセスした情報を表示することができる。
【０１５５】表示装置の形態としては、アクティブマト
リクス型のＥＬ表示装置を利用することも考えられる。
表示装置を構成するアクティブマトリクス回路と同一の
基板上には、各種情報処理回路や記憶回路が集積化回路
２００６としてＴＦＴを利用して集積化されている。
【０１５６】また、本体２００１には、カメラ部２００
２が備えられており、操作スイッチ２００４を操作する
ことにより、必要とする画像情報を取り込むことができ
る。カメラ部２００２により取り込む画像は、受像部２
００３から装置内に取り込まれる。
【０１５７】図８（Ｂ）に示すのは、ヘッドマウントデ
ィスプレイと呼ばれる表示装置である。この装置は、本
体２１０１を頭部に装着し、２つのアクティブマトリク
ス型の液晶ディスプレイ２１０２によって、目の前数ｃ
ｍの場所に画像を表示する機能を有している。この装置
では、疑似体験的に画像を見ることができる。
【０１５８】図８（Ｃ）に示すのは、カーナビゲーショ
ンシステムであり。この装置は、アンテナ２２０４で受
けた人工衛星からの信号を用いて、位置を計測する機能
を有している。そして、アクティブマトリクス型の液晶
表示装置２２０２に計測した位置が表示される。また表
示する情報の選択は、操作スイッチ２２０３によって行
われる。
【０１５９】なお、液晶表示装置の代わりにアクティブ
マトリクス型のＥＬ表示装置を利用することもできる。
【０１６０】図８（Ｄ）に示すのは、携帯電話の例であ
る。この装置は、本体２３０１にアンテナ２３０６が備
えられ、音声入力部２３０３と音声入力部２３０２とを
備えている。
【０１６１】電話を掛ける場合は、操作スイッチ２３０
５を操作することによって行う。また表示装置２３０４
には、各種画像情報が表示される。表示装置の携帯とし
ては、アクティブマトリクス型の液晶表示装置やアクテ
ィブマトリクス型のＥＬ表示装置が利用される。
【０１６２】図８（Ｅ）に示すのは、携帯型のビデオカ
メラである。この装置は、受像部２４０６から取り込ん
だ画像を本体２４０１内に収納した磁気テープに記憶す
る機能を備えている。
【０１６３】画像には、各種デジタル処理が集積化回路
２４０７において施される。この集積化回路２４０７
は、従来から利用されているＩＣチップを組み合わせた
もので構成してもよいし、本明細書で開示するようなＴ
ＦＴを用いて構成してもよい。またそれらの組み合わせ
でもって構成してもよい。
【０１６４】受像部２４０６で受像した画像や内部の磁
気テープに記憶された画像は、アクティブマトリクス型
の液晶表示装置２４０２に表示される。装置の操作は、
操作スイッチ２４０４によって行われる。また、装置の
電力はバッテリー２４０５によって賄われる。
【０１６５】図８（Ｆ）に示すのは、投射型の表示装置
である。この装置は、本体２５０１から投影される画像
をスクリーン上に表示する機能を有している。
【０１６６】本体２５０１には、光源２５０２とこの光
源からの光を光学変調し画像を形成するアクティブマト
リクス型の液晶表示装置２５０３、画像を投影するため
の光学系２５０４が備えられている。
【０１６７】なお、液晶表示装置の形式としては、
（Ｂ）に示す装置を除いて透過型または反射型の形式の
どちらでも利用することができる。
【０１６８】
【発明の効果】本明細書で開示する発明を利用して得ら
れたＰＴＦＴとＮＴＦＴとを組み合わせて、９段のリン
グオシレータを構成した場合、４００ＭＨｚ以上の発振
を行わせることができた。
【０１６９】一般的にリングオシレータの発振周波数の
１０％程度でもって実際の回路の設計を行うことを考慮
すると、上記のＴＦＴでもって４０ＭＨｚ程度の周波数
で動作する回路を構成できることになる。
【０１７０】このように本明細書に開示する発明を利用
することにより、高速動作（一般数十ＭＨｚ以上の動作
速度）が要求される回路を構成しうる薄膜トランジスタ
を得ることができる。
【０１７１】特にＳ値に関しては、１００(mV/dec)以下
という単結晶シリコンウエハーを利用して作製したＭＯ
Ｓ型トランジスタに匹敵する特性を得ることができる。
【０１７２】本明細書で開示する発明を利用することに
より、各種高速動作が要求される回路を同一基板上にＴ
ＦＴでもって集積化した構成を提供することができる。
またその作製方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図２】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図３】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図４】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図５】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図６】 珪素薄膜を写した電子顕微鏡写真。
【図７】 珪素薄膜を写した電子顕微鏡写真。
【図８】 ＴＦＴを利用した各種半導体装置の概要を示
した図。
【図９】 結晶成長の状態を示す模式図。
【符号の説明】
２０１ 石英基板 ２０２ 下地膜（酸化珪素膜） ２０３ 非晶質珪素膜 ２０４ 酸化珪素膜でなるマスク ２０５ マスクに形成された開口（ニッケル
元素導入領域） ２０６ 基体に接して保持されたニッケル元
素 ２０７ 結晶成長方向 ２０８ 結晶性珪素膜 ２０９ 熱酸化膜 ２１０ 活性層を構成する珪素膜のパターン ２１１ 熱酸化膜 ３０４ ＣＶＤ法で成膜された酸化珪素膜
（ＣＶＤ酸化膜） ３０５ アルミニウム膜でなるパターン ３０６ レジストマスク ３０７ ゲイト電極 ３０８ 多孔質状の陽極酸化膜 ３０９ 緻密な膜質を有する陽極酸化膜 ３１０ 残存した酸化珪素膜 ３１１ ソース領域 ３１２ 低濃度不純物領域 ３１３ チャネル領域 ３１４ 低濃度不純物領域 ３１５ ドレイン領域 ３１６ 層間絶縁膜 ３１７ ソース電極 ３１８ ドレイン電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/12 (31)優先権主張番号 特願平8−32875 (32)優先日 平８(1996)１月26日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平8−32981 (32)優先日 平８(1996)１月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平8−58334 (32)優先日 平８(1996)２月20日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平8−88759 (32)優先日 平８(1996)３月17日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 小山 潤 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 尾形 靖 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 早川 昌彦 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 納 光明 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 浜谷 敏次 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁表面を有する基板上に形成された結晶
    性珪素膜を活性層とした薄膜トランジスタを利用した半
    導体装置であって、 該結晶性珪素膜は、所定の方向に連続性を有する結晶構
    造を有し、かつ前記所定の方向に延在した結晶粒界を有
    し、 前記薄膜トランジスタにおいて、ソース領域とドレイン
    領域とを結ぶ方向と前記所定の方向とは、所定の角度を
    有しており、 前記結晶粒界には不純物が偏析していることを特徴とす
    る半導体装置。
  2. 【請求項２】絶縁表面を有する基板上に形成された結晶
    性珪素膜を活性層とした薄膜トランジスタを利用した半
    導体装置であって、 該結晶性珪素膜は、所定の方向に連続性を有する結晶構
    造を有し、かつ前記所定の方向に延在した結晶粒界を有
    し、 前記薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域における
    キャリアの移動する方向と前記所定の方向とは、所定の
    角度を有しており、 前記結晶粒界には不純物が偏析していることを特徴とす
    る半導体装置。
  3. 【請求項３】絶縁表面を有する基板上に形成された結晶
    性珪素膜を活性層とした薄膜トランジスタを利用した半
    導体装置であって、 該結晶性珪素膜は、所定の方向に格子の連続性を有する
    結晶構造を有し、かつ前記所定の方向に直角または概略
    直角な方向には格子の連続性が損なわれた結晶構造を有
    し、 前記薄膜トランジスタにおいて、ソース領域とドレイン
    領域とを結ぶ方向と前記所定の方向とは、所定の角度を
    有しており、 前記所定の方向にそって不純物が偏析した領域が延在し
    ていることを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】絶縁表面を有する基板上に形成された結晶
    性珪素膜を活性層とした薄膜トランジスタを利用した半
    導体装置であって、 該結晶性珪素膜は、所定の方向に格子の連続性を有する
    結晶構造を有し、かつ前記所定の方向に直角または概略
    直角な方向には格子の連続性が損なわれた結晶構造を有
    し、 前記薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域における
    キャリアの移動する方向と前記所定の方向とは、所定の
    角度を有しており、 前記所定の方向にそって不純物が偏析した領域が延在し
    ていることを特徴とする半導体装置。
  5. 【請求項５】絶縁表面を有する基板上に形成された結晶
    性珪素膜を活性層とした薄膜トランジスタを利用した半
    導体装置であって、 該結晶性珪素膜は、結晶粒界の延在方向に異方性を有し
    ており、 前記薄膜トランジスタにおいて、ソース領域とドレイン
    領域とを結ぶ方向と前記延在方向とは、所定の角度を有
    しており、 前記結晶粒界には不純物が偏析していることを特徴とす
    る半導体装置。
  6. 【請求項６】絶縁表面を有する基板上に形成された結晶
    性珪素膜を活性層とした薄膜トランジスタを利用した半
    導体装置であって、 該結晶性珪素膜は、結晶粒界の延在方向に異方性を有し
    ており、 前記薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域における
    キャリアの移動する方向と前記延在方向とは、所定の角
    度を有しており、 前記結晶粒界には不純物が偏析していることを特徴とす
    る半導体装置。
  7. 【請求項７】請求項１乃至請求項６において、所定の角
    度が０°または概略０°であることを特徴とする半導体
    装置。
  8. 【請求項８】請求項１乃至請求項６において、 結晶性珪素膜中には、珪素の結晶化を助長する金属元素
    が添加されていることを特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項９】請求項８において、 珪素の結晶化を助長する金属元素として、ニッケル（Ｎ
    ｉ）が利用されていることを特徴とする半導体装置。
  10. 【請求項１０】請求項９において、ニッケル元素は１×
    １０14原子個／ｃｍ3 〜５×１０18原の濃度で含まれて
    いることを特徴とする半導体装置。
  11. 【請求項１１】請求項９において、ニッケル元素は１×
    １０16原子個／ｃｍ3 〜５×１０17原子個／ｃｍ3 の濃
    度で含まれていることを特徴とする半導体装置。
  12. 【請求項１２】請求項８において、 珪素の結晶化を助長する金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、
    Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
    ｕから選ばれた一種または複数種類のものが利用される
    ことを特徴とする半導体装置。
  13. 【請求項１３】請求項８において、珪素の結晶化を助長
    する金属元素は結晶性珪素膜の表面および／または裏面
    に向かって含有濃度が高くなる濃度分布を有しているこ
    とを特徴とする半導体装置。
  14. 【請求項１４】請求項８において、結晶性珪素膜中には
    ハロゲン元素が含まれており、該ハロゲン元素は、結晶
    性珪素膜の表面および／または裏面に向かって含有濃度
    が高くなる濃度分布を有していることを特徴とする半導
    体装置。
  15. 【請求項１５】請求項１乃至請求項６において、結晶性
    珪素膜の膜厚は１００Å〜７５０Åであることを特徴と
    する半導体装置。
  16. 【請求項１６】絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜
    を成膜する工程と、 前記非晶質珪素膜に一部に珪素の結晶化を助長する金属
    元素を選択的に導入する工程と、 加熱処理を施し前記金属元素が選択的に導入された領域
    から他の領域に向かって基板に平行な方向に結晶成長を
    行わせる工程と、 ハロゲン元素を含有させた酸化性雰囲気中での８００℃
    〜１１００℃での加熱処理により熱酸化膜を形成する工
    程と、 前記熱酸化膜を除去する工程と、 を有し、 前記結晶成長を行わせた方向にソース領域とドレイン領
    域とを結ぶ方向を一致または概略一致させる工程と、 を有し、 前記結晶成長方向にそって不純物が偏析していることを
    特徴とする半導体装置の作製方法。
  17. 【請求項１７】絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜
    を成膜する工程と、 前記非晶質珪素膜に一部に珪素の結晶化を助長する金属
    元素を選択的に導入する工程と、 加熱処理を施し前記金属元素が選択的に導入された領域
    から他の領域に向かって基板に平行な方向に結晶成長を
    行わせる工程と、 ハロゲン元素を含有させた酸化性雰囲気中での８００℃
    〜１１００℃での加熱処理により熱酸化膜を形成する工
    程と、 前記熱酸化膜を除去する工程と、 を有し、 前記結晶成長を行わせた方向にチャネル領域におけるキ
    ャリアの移動する方向を一致または概略一致させる工程
    と、 を有し、 前記結晶成長方向にそって不純物が偏析していることを
    特徴とする半導体装置の作製方法。
  18. 【請求項１８】請求項１６または請求項１７において、 珪素の結晶化を助長する金属元素として、ニッケル（Ｎ
    ｉ）を利用することを特徴とする半導体装置の作製方
    法。
  19. 【請求項１９】請求項１６または請求項１７において、 珪素の結晶化を助長する金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、
    Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
    ｕから選ばれた一種または複数種類のものを利用するこ
    とを特徴とする半導体装置の作製方法。
  20. 【請求項２０】請求項１６または請求項１７において、
    偏析している不純物として酸素が存在することを特徴と
    する半導体装置の作製方法。
  21. 【請求項２１】請求項１６または請求項１７において、
    偏析している不純物としてハロゲン元素が存在すること
    を特徴とする半導体装置の作製方法。
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JP32464596A Expired - Fee Related JP3645379B2 (ja) 1996-01-19 1996-11-19 半導体装置の作製方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6093934A (ja)
JP (1) JP3645379B2 (ja)
KR (1) KR100299207B1 (ja)
CN (1) CN1206737C (ja)

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6300659B1 (en) 1994-09-30 2001-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin-film transistor and fabrication method for same
KR100265179B1 (ko) 1995-03-27 2000-09-15 야마자끼 순페이 반도체장치와 그의 제작방법
JP4056571B2 (ja) 1995-08-02 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5985740A (en) 1996-01-19 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst
US6478263B1 (en) 1997-01-17 2002-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
JP3645379B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645378B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3729955B2 (ja) 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645380B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置
US5888858A (en) 1996-01-20 1999-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US6465287B1 (en) 1996-01-27 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device using a metal catalyst and high temperature crystallization
US6555449B1 (en) 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
US6590230B1 (en) 1996-10-15 2003-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6011275A (en) * 1996-12-30 2000-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6462722B1 (en) * 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
WO1998036407A1 (en) * 1997-02-17 1998-08-20 Seiko Epson Corporation Display device
JP4180689B2 (ja) * 1997-07-24 2008-11-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW408351B (en) * 1997-10-17 2000-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4236722B2 (ja) * 1998-02-05 2009-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4073533B2 (ja) 1998-02-09 2008-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置
US6617648B1 (en) * 1998-02-25 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Projection TV
US7248232B1 (en) 1998-02-25 2007-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
JP2000039628A (ja) * 1998-05-16 2000-02-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置
US7294535B1 (en) 1998-07-15 2007-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same
US7153729B1 (en) * 1998-07-15 2006-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same
US7282398B2 (en) * 1998-07-17 2007-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same
US7084016B1 (en) * 1998-07-17 2006-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same
US6559036B1 (en) * 1998-08-07 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6656779B1 (en) * 1998-10-06 2003-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor apparatus having semiconductor circuits made of semiconductor devices, and method of manufacture thereof
JP3658213B2 (ja) * 1998-11-19 2005-06-08 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US7235810B1 (en) 1998-12-03 2007-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6830993B1 (en) 2000-03-21 2004-12-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method
US7525165B2 (en) 2000-04-17 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4599032B2 (ja) 2000-10-10 2010-12-15 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク 薄い金属層を処理する方法及び装置
US7045444B2 (en) 2000-12-19 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device that includes selectively adding a noble gas element
US6858480B2 (en) * 2001-01-18 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TW586141B (en) * 2001-01-19 2004-05-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7115453B2 (en) 2001-01-29 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2002231627A (ja) 2001-01-30 2002-08-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
US7141822B2 (en) * 2001-02-09 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4993810B2 (ja) 2001-02-16 2012-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5088993B2 (ja) * 2001-02-16 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4718700B2 (ja) 2001-03-16 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7052943B2 (en) 2001-03-16 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6812081B2 (en) * 2001-03-26 2004-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co.,.Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR100916281B1 (ko) * 2001-08-27 2009-09-10 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 미세구조의 임의 배치를 통하여 다결정성 박막 트랜지스터균일성을 향상시키는 방법
TWI282126B (en) * 2001-08-30 2007-06-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
KR20030038522A (ko) * 2001-11-09 2003-05-16 산요 덴키 가부시키가이샤 광학 소자의 휘도 데이터를 초기화하는 기능을 갖는 표시장치
JP2003186437A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003255899A (ja) * 2001-12-28 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP3953330B2 (ja) * 2002-01-25 2007-08-08 三洋電機株式会社 表示装置
JP3723507B2 (ja) * 2002-01-29 2005-12-07 三洋電機株式会社 駆動回路
JP2003295825A (ja) * 2002-02-04 2003-10-15 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003308030A (ja) * 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003257645A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2003258094A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 配線構造、その製造方法、および表示装置
JP2003332058A (ja) * 2002-03-05 2003-11-21 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
JP3671012B2 (ja) * 2002-03-07 2005-07-13 三洋電機株式会社 表示装置
CN100517422C (zh) * 2002-03-07 2009-07-22 三洋电机株式会社 配线结构、其制造方法、以及光学设备
JP3837344B2 (ja) * 2002-03-11 2006-10-25 三洋電機株式会社 光学素子およびその製造方法
TWI288443B (en) 2002-05-17 2007-10-11 Semiconductor Energy Lab SiN film, semiconductor device, and the manufacturing method thereof
AU2003272222A1 (en) 2002-08-19 2004-03-03 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and structure of such film regions
WO2004017380A2 (en) 2002-08-19 2004-02-26 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York A single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns
US6861338B2 (en) * 2002-08-22 2005-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
US7374976B2 (en) 2002-11-22 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating thin film transistor
US20040125093A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Serge Rutman Micro-controller with integrated light modulator
KR101191837B1 (ko) 2003-02-19 2012-10-18 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 순차적 측면 고상화 기술을 이용하여 결정화되는 복수의 반도체 박막을 가공하는 방법 및 장치
TW594343B (en) * 2003-05-23 2004-06-21 Toppoly Optoelectronics Corp Color filter structure and method of fabrication
JP4350465B2 (ja) * 2003-09-05 2009-10-21 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
WO2005029546A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
TWI359441B (en) 2003-09-16 2012-03-01 Univ Columbia Processes and systems for laser crystallization pr
WO2005029547A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Enhancing the width of polycrystalline grains with mask
WO2005029549A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for facilitating bi-directional growth
US7964925B2 (en) * 2006-10-13 2011-06-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Photodiode module and apparatus including multiple photodiode modules
KR100600878B1 (ko) * 2004-06-29 2006-07-14 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR100626007B1 (ko) * 2004-06-30 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 제조방법, 이박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치, 및 이평판표시장치의 제조방법
US7560789B2 (en) * 2005-05-27 2009-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7683429B2 (en) * 2005-05-31 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microstructure and manufacturing method of the same
US7642612B2 (en) 2005-06-17 2010-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5500771B2 (ja) * 2006-12-05 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びマイクロプロセッサ
TWI541904B (zh) 2011-03-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
US9178042B2 (en) * 2013-01-08 2015-11-03 Globalfoundries Inc Crystalline thin-film transistor

Family Cites Families (244)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3389024A (en) 1964-05-12 1968-06-18 Licentia Gmbh Method of forming a semiconductor by diffusion through the use of a cobalt salt
USRE28385E (en) * 1968-03-20 1975-04-08 Method of treating semiconductor devices
US3556880A (en) * 1968-04-11 1971-01-19 Rca Corp Method of treating semiconductor devices to improve lifetime
US3783049A (en) * 1971-03-31 1974-01-01 Trw Inc Method of platinum diffusion
US3890632A (en) 1973-12-03 1975-06-17 Rca Corp Stabilized semiconductor devices and method of making same
US4174217A (en) 1974-08-02 1979-11-13 Rca Corporation Method for making semiconductor structure
DE2508802A1 (de) * 1975-02-28 1976-09-09 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von elementarem silicium
US4059461A (en) 1975-12-10 1977-11-22 Massachusetts Institute Of Technology Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof
US4132571A (en) * 1977-02-03 1979-01-02 International Business Machines Corporation Growth of polycrystalline semiconductor film with intermetallic nucleating layer
SE7800261L (sv) * 1977-02-28 1978-08-29 Rca Corp Sett att tillverka en halvledaranordning
US4226898A (en) 1978-03-16 1980-10-07 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process
US4140548A (en) 1978-05-19 1979-02-20 Maruman Integrated Circuits Inc. MOS Semiconductor process utilizing a two-layer oxide forming technique
US4309224A (en) * 1978-10-06 1982-01-05 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a semiconductor device
US4231809A (en) 1979-05-25 1980-11-04 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of removing impurity metals from semiconductor devices
DE2932569C2 (de) * 1979-08-10 1983-04-07 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Reduzierung der Dichte der schnellen Oberflächenzustände bei MOS-Bauelementen
US4300989A (en) 1979-10-03 1981-11-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fluorine enhanced plasma growth of native layers on silicon
US4379020A (en) * 1980-06-16 1983-04-05 Massachusetts Institute Of Technology Polycrystalline semiconductor processing
US5262350A (en) 1980-06-30 1993-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Forming a non single crystal semiconductor layer by using an electric current
US4277884A (en) * 1980-08-04 1981-07-14 Rca Corporation Method for forming an improved gate member utilizing special masking and oxidation to eliminate projecting points on silicon islands
US4330363A (en) 1980-08-28 1982-05-18 Xerox Corporation Thermal gradient control for enhanced laser induced crystallization of predefined semiconductor areas
US4409724A (en) 1980-11-03 1983-10-18 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating display with semiconductor circuits on monolithic structure and flat panel display produced thereby
US4534820A (en) * 1981-10-19 1985-08-13 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Method for manufacturing crystalline film
DE3202484A1 (de) * 1982-01-27 1983-08-04 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Metallisierte halbleiter und verfahren zu ihrer herstellung
US4466073A (en) 1982-04-26 1984-08-14 The Perkin Elmer Corporation Wafer prealigner using pulsed vacuum spinners
US4481121A (en) 1982-05-17 1984-11-06 Hughes Tool Company Viscosifier for oil base drilling fluids
US4511800A (en) 1983-03-28 1985-04-16 Rca Corporation Optical reflectance method for determining the surface roughness of materials in semiconductor processing
JPS6045219A (ja) 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
US4546376A (en) 1983-09-30 1985-10-08 Citizen Watch Co., Ltd. Device for semiconductor integrated circuits
US4544418A (en) 1984-04-16 1985-10-01 Gibbons James F Process for high temperature surface reactions in semiconductor material
US4727044A (en) 1984-05-18 1988-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain
US4735824A (en) * 1985-05-31 1988-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing an MOS capacitor
US5296405A (en) * 1985-08-02 1994-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co.., Ltd. Method for photo annealing non-single crystalline semiconductor films
US5962869A (en) 1988-09-28 1999-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor material and method for forming the same and thin film transistor
US5753542A (en) * 1985-08-02 1998-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for crystallizing semiconductor material without exposing it to air
US4597160A (en) * 1985-08-09 1986-07-01 Rca Corporation Method of fabricating a polysilicon transistor with a high carrier mobility
US4634473A (en) * 1985-09-09 1987-01-06 Rca Corporation Method for fabricating a radiation hardened oxide having structural damage
EP0236629B1 (en) 1986-03-06 1994-05-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Driving circuit of a liquid crystal display device
US4755481A (en) * 1986-05-15 1988-07-05 General Electric Company Method of making a silicon-on-insulator transistor
US5221423A (en) * 1986-05-20 1993-06-22 Fujitsu Limited Process for cleaning surface of semiconductor substrate
US4911781A (en) * 1987-05-05 1990-03-27 The Standard Oil Company VLS Fiber growth process
GB2205191A (en) * 1987-05-29 1988-11-30 Philips Electronic Associated Active matrix display system
JPH07114184B2 (ja) 1987-07-27 1995-12-06 日本電信電話株式会社 薄膜形シリコン半導体装置およびその製造方法
US4959247A (en) 1987-12-14 1990-09-25 Donnelly Corporation Electrochromic coating and method for making same
US5225355A (en) * 1988-02-26 1993-07-06 Fujitsu Limited Gettering treatment process
US5043224A (en) * 1988-05-12 1991-08-27 Lehigh University Chemically enhanced thermal oxidation and nitridation of silicon and products thereof
US5173446A (en) 1988-06-28 1992-12-22 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor substrate manufacturing by recrystallization using a cooling medium
US4996077A (en) * 1988-10-07 1991-02-26 Texas Instruments Incorporated Distributed ECR remote plasma processing and apparatus
US4996523A (en) * 1988-10-20 1991-02-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent storage display with improved intensity driver circuits
DE69033153T2 (de) * 1989-03-31 1999-11-11 Canon Kk Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdünnschicht und damit hergestellte Halbleiterdünnschicht
US5200630A (en) * 1989-04-13 1993-04-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
US5075259A (en) 1989-08-22 1991-12-24 Motorola, Inc. Method for forming semiconductor contacts by electroless plating
US5278093A (en) * 1989-09-23 1994-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming semiconductor thin film
US5358907A (en) 1990-01-30 1994-10-25 Xerox Corporation Method of electrolessly depositing metals on a silicon substrate by immersing the substrate in hydrofluoric acid containing a buffered metal salt solution
JP2622183B2 (ja) * 1990-04-05 1997-06-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
US5089441A (en) * 1990-04-16 1992-02-18 Texas Instruments Incorporated Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafers
DE69127395T2 (de) 1990-05-11 1998-01-02 Asahi Glass Co Ltd Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilm-Transistors mit polykristallinem Halbleiter
EP0459763B1 (en) * 1990-05-29 1997-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin-film transistors
JP3186096B2 (ja) * 1990-06-14 2001-07-11 アジレント・テクノロジーズ・インク 感光素子アレイの製造方法
US5147826A (en) 1990-08-06 1992-09-15 The Pennsylvania Research Corporation Low temperature crystallization and pattering of amorphous silicon films
JP2973492B2 (ja) 1990-08-22 1999-11-08 ソニー株式会社 半導体薄膜の結晶化方法
US5112764A (en) * 1990-09-04 1992-05-12 North American Philips Corporation Method for the fabrication of low leakage polysilicon thin film transistors
US5210050A (en) 1990-10-15 1993-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a semiconductor film
TW237562B (ja) 1990-11-09 1995-01-01 Semiconductor Energy Res Co Ltd
US5372958A (en) * 1990-11-16 1994-12-13 Seiko Epson Corporation Process for fabricating a thin film semiconductor device
KR950013784B1 (ko) * 1990-11-20 1995-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터
KR950001360B1 (ko) * 1990-11-26 1995-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기 광학장치와 그 구동방법
JP2838318B2 (ja) 1990-11-30 1998-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 感光装置及びその作製方法
JPH0828520B2 (ja) 1991-02-22 1996-03-21 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体装置およびその製法
KR960001611B1 (ko) * 1991-03-06 1996-02-02 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨쇼 절연 게이트형 전계 효과 반도체 장치 및 그 제작방법
JP2794678B2 (ja) * 1991-08-26 1998-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
JPH0824104B2 (ja) 1991-03-18 1996-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体材料およびその作製方法
JP2794499B2 (ja) 1991-03-26 1998-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH05182923A (ja) 1991-05-28 1993-07-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザーアニール方法
JPH05183141A (ja) 1991-07-12 1993-07-23 Fuji Xerox Co Ltd カラーイメージセンサ
DE69223009T2 (de) * 1991-08-02 1998-04-02 Canon Kk Flüssigkristall-Anzeigeeinheit
DE69230988T2 (de) 1991-09-23 2000-11-30 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren zum Herstellen einer Anordnung, bei dem ein Stoff in einen Körper implantiert wird
US6979840B1 (en) 1991-09-25 2005-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring
JP2784615B2 (ja) 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
WO1993011455A1 (en) * 1991-11-29 1993-06-10 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing same
US5244836A (en) 1991-12-30 1993-09-14 North American Philips Corporation Method of manufacturing fusible links in semiconductor devices
TW215967B (en) * 1992-01-17 1993-11-11 Seiko Electron Co Ltd MOS Poly-Si thin film transistor with a flattened channel interface and method of producing same
US5485019A (en) 1992-02-05 1996-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5424230A (en) * 1992-02-19 1995-06-13 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing a polysilicon thin film transistor
US5254480A (en) 1992-02-20 1993-10-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for producing a large area solid state radiation detector
JP2779289B2 (ja) * 1992-05-11 1998-07-23 シャープ株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US5288662A (en) * 1992-06-15 1994-02-22 Air Products And Chemicals, Inc. Low ozone depleting organic chlorides for use during silicon oxidation and furnace tube cleaning
JP2560178B2 (ja) * 1992-06-29 1996-12-04 九州電子金属株式会社 半導体ウェーハの製造方法
CN100465742C (zh) * 1992-08-27 2009-03-04 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器
JPH06177034A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Sony Corp 半導体単結晶の成長方法
TW226478B (en) * 1992-12-04 1994-07-11 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US6323071B1 (en) 1992-12-04 2001-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device
US5403762A (en) 1993-06-30 1995-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a TFT
US5604360A (en) * 1992-12-04 1997-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a plurality of thin film transistors at least some of which have a crystalline silicon film crystal-grown substantially in parallel to the surface of a substrate for the transistor
JP3240719B2 (ja) * 1992-12-10 2001-12-25 ソニー株式会社 半導体薄膜結晶の成長方法
US5902993A (en) 1992-12-28 1999-05-11 Kyocera Corporation Image scanner for image inputting in computers, facsimiles word processor, and the like
JP3497198B2 (ja) * 1993-02-03 2004-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および薄膜トランジスタの作製方法
US5843225A (en) 1993-02-03 1998-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating semiconductor and process for fabricating semiconductor device
JPH06296023A (ja) * 1993-02-10 1994-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
JP3662263B2 (ja) 1993-02-15 2005-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE69428387T2 (de) * 1993-02-15 2002-07-04 Semiconductor Energy Lab Herstellungsverfahren für eine kristallisierte Halbleiterschicht
JP3562588B2 (ja) * 1993-02-15 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
US6997985B1 (en) * 1993-02-15 2006-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same
US5275851A (en) * 1993-03-03 1994-01-04 The Penn State Research Foundation Low temperature crystallization and patterning of amorphous silicon films on electrically insulating substrates
JP3107941B2 (ja) 1993-03-05 2000-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよびその作製方法
TW241377B (ja) * 1993-03-12 1995-02-21 Semiconductor Energy Res Co Ltd
US5624851A (en) * 1993-03-12 1997-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process of fabricating a semiconductor device in which one portion of an amorphous silicon film is thermally crystallized and another portion is laser crystallized
US6413805B1 (en) 1993-03-12 2002-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device forming method
JP3193803B2 (ja) * 1993-03-12 2001-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体素子の作製方法
CN1095204C (zh) * 1993-03-12 2002-11-27 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和晶体管
TW278219B (ja) * 1993-03-12 1996-06-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5501989A (en) * 1993-03-22 1996-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer
WO1994022173A1 (en) 1993-03-23 1994-09-29 Tdk Corporation Solid state imaging device and process for production thereof
JP3345089B2 (ja) 1993-03-26 2002-11-18 株式会社半導体エネルギー研究所 カラーフィルタ基板の作製方法
US5612732A (en) * 1993-03-31 1997-03-18 Casio Computer Co., Ltd. Portable compact imaging and displaying apparatus with rotatable camera
US5818076A (en) 1993-05-26 1998-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
KR100355938B1 (ko) 1993-05-26 2002-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치제작방법
US5481121A (en) * 1993-05-26 1996-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having improved crystal orientation
KR100186886B1 (ko) 1993-05-26 1999-04-15 야마자끼 승페이 반도체장치 제작방법
US6875628B1 (en) * 1993-05-26 2005-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method of the same
US5366926A (en) 1993-06-07 1994-11-22 Xerox Corporation Low temperature process for laser dehydrogenation and crystallization of amorphous silicon
JPH06349735A (ja) 1993-06-12 1994-12-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP3450376B2 (ja) 1993-06-12 2003-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5488000A (en) 1993-06-22 1996-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor using a nickel silicide layer to promote crystallization of the amorphous silicon layer
US6713330B1 (en) * 1993-06-22 2004-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor
US5895933A (en) * 1993-06-25 1999-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for its preparation
TW295703B (ja) * 1993-06-25 1997-01-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5387530A (en) * 1993-06-29 1995-02-07 Digital Equipment Corporation Threshold optimization for soi transistors through use of negative charge in the gate oxide
US5372860A (en) 1993-07-06 1994-12-13 Corning Incorporated Silicon device production
JP3288490B2 (ja) 1993-07-09 2002-06-04 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP2789293B2 (ja) 1993-07-14 1998-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
KR0141659B1 (ko) 1993-07-19 1998-07-15 가나이 쓰토무 이물제거 방법 및 장치
US5663077A (en) * 1993-07-27 1997-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor in which the gate insulator comprises two oxide films
TW357415B (en) 1993-07-27 1999-05-01 Semiconductor Engrgy Lab Semiconductor device and process for fabricating the same
US5985704A (en) 1993-07-27 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US5492843A (en) * 1993-07-31 1996-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device and method of processing substrate
JP2975973B2 (ja) * 1993-08-10 1999-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US5580815A (en) 1993-08-12 1996-12-03 Motorola Inc. Process for forming field isolation and a structure over a semiconductor substrate
JP2762215B2 (ja) * 1993-08-12 1998-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよび半導体装置の作製方法
JPH0766424A (ja) 1993-08-20 1995-03-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
DE69429394T2 (de) * 1993-08-25 2002-08-22 Toshiba Kawasaki Kk Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2814049B2 (ja) * 1993-08-27 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2536426B2 (ja) 1993-09-21 1996-09-18 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
TW264575B (ja) * 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3562590B2 (ja) * 1993-12-01 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
US5612250A (en) * 1993-12-01 1997-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a catalyst
US5869362A (en) * 1993-12-02 1999-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US5654203A (en) * 1993-12-02 1997-08-05 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film transistor using catalyst elements to promote crystallization
JP2860869B2 (ja) * 1993-12-02 1999-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
CN100472752C (zh) * 1993-12-02 2009-03-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
US5535471A (en) 1993-12-15 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Tool for cleaning LPCVD furnace tube
TW272319B (ja) * 1993-12-20 1996-03-11 Sharp Kk
KR100319332B1 (ko) * 1993-12-22 2002-04-22 야마자끼 순페이 반도체장치및전자광학장치
TW279275B (ja) * 1993-12-27 1996-06-21 Sharp Kk
JPH07199150A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Canon Inc 液晶表示装置
JP3108296B2 (ja) 1994-01-26 2000-11-13 三洋電機株式会社 表示装置の製造方法
JP3221473B2 (ja) * 1994-02-03 2001-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6884698B1 (en) * 1994-02-23 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device with crystallization of amorphous silicon
JP3378078B2 (ja) * 1994-02-23 2003-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5610737A (en) 1994-03-07 1997-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film transistor with source and drain regions having two semiconductor layers, one being fine crystalline silicon
JP3150840B2 (ja) 1994-03-11 2001-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3195157B2 (ja) 1994-03-28 2001-08-06 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法およびその製造装置
KR100279217B1 (ko) 1994-04-13 2001-02-01 야마자끼 순페이 반도체 장치 형성 방법, 결정성 반도체 막 형성 방법, 박막 트랜지스터 형성 방법 및 반도체 장치 제조 방법
JP3192546B2 (ja) * 1994-04-15 2001-07-30 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH07302912A (ja) * 1994-04-29 1995-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP3540012B2 (ja) 1994-06-07 2004-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
US6337232B1 (en) 1995-06-07 2002-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabrication of a crystalline silicon thin film semiconductor with a thin channel region
JPH07335906A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
JP3190520B2 (ja) * 1994-06-14 2001-07-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP3067949B2 (ja) 1994-06-15 2000-07-24 シャープ株式会社 電子装置および液晶表示装置
JP3504336B2 (ja) 1994-06-15 2004-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3072000B2 (ja) * 1994-06-23 2000-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW273639B (en) 1994-07-01 1996-04-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk Method for producing semiconductor device
US5898188A (en) * 1994-07-06 1999-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for its fabrication
TW406861U (en) 1994-07-28 2000-09-21 Semiconductor Energy Lab Laser processing system
KR0136932B1 (ko) 1994-07-30 1998-04-24 문정환 반도체 소자 및 그의 제조방법
JP3464285B2 (ja) 1994-08-26 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW403993B (en) * 1994-08-29 2000-09-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor circuit for electro-optical device and method of manufacturing the same
JP3442500B2 (ja) * 1994-08-31 2003-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体回路の作製方法
TW374247B (en) 1994-09-15 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of fabricating semiconductor device
US5712191A (en) * 1994-09-16 1998-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
JP3600326B2 (ja) 1994-09-29 2004-12-15 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法
JP3942651B2 (ja) * 1994-10-07 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3486240B2 (ja) * 1994-10-20 2004-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP3474286B2 (ja) 1994-10-26 2003-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP3535241B2 (ja) 1994-11-18 2004-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体デバイス及びその作製方法
US6008101A (en) 1994-11-29 1999-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method of semiconductor device
US5756364A (en) * 1994-11-29 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method of semiconductor device using a catalyst
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US6337229B1 (en) * 1994-12-16 2002-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making crystal silicon semiconductor and thin film transistor
US6006763A (en) 1995-01-11 1999-12-28 Seiko Epson Corporation Surface treatment method
JPH08255907A (ja) 1995-01-18 1996-10-01 Canon Inc 絶縁ゲート型トランジスタ及びその製造方法
US5929464A (en) * 1995-01-20 1999-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-optical device
JP4130237B2 (ja) 1995-01-28 2008-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性珪素膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
US6165876A (en) 1995-01-30 2000-12-26 Yamazaki; Shunpei Method of doping crystalline silicon film
TW344901B (en) 1995-02-15 1998-11-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Active matrix display device
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3778456B2 (ja) 1995-02-21 2006-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
JPH08241997A (ja) 1995-03-03 1996-09-17 Tdk Corp 薄膜トランジスタ
JPH08241057A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Tdk Corp 画像表示装置
JP3675886B2 (ja) 1995-03-17 2005-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体デバイスの作製方法
JP3499327B2 (ja) 1995-03-27 2004-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
TW448584B (en) * 1995-03-27 2001-08-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP3292657B2 (ja) 1995-04-10 2002-06-17 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置の製造法
US6069674A (en) * 1995-05-19 2000-05-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus
US5696338A (en) * 1995-06-23 1997-12-09 Grissom; Pinkney O'shaughnessy Cello, bass and bass drum floor protector
US5704986A (en) 1995-09-18 1998-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd Semiconductor substrate dry cleaning method
JPH1056180A (ja) * 1995-09-29 1998-02-24 Canon Inc 半導体装置及びその製造方法
JPH09191111A (ja) 1995-11-07 1997-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US5940732A (en) 1995-11-27 1999-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Method of fabricating semiconductor device
JP3124480B2 (ja) 1995-12-12 2001-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5734179A (en) * 1995-12-12 1998-03-31 Advanced Micro Devices, Inc. SRAM cell having single layer polysilicon thin film transistors
TW309633B (ja) 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
TW319912B (ja) 1995-12-15 1997-11-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5782665A (en) 1995-12-29 1998-07-21 Xerox Corporation Fabricating array with storage capacitor between cell electrode and dark matrix
US5985740A (en) 1996-01-19 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst
JP3645379B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3729955B2 (ja) 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645378B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6478263B1 (en) * 1997-01-17 2002-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
US5888858A (en) 1996-01-20 1999-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
KR100440083B1 (ko) * 1996-01-23 2004-10-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체박막제작방법
US6180439B1 (en) 1996-01-26 2001-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device
US7056381B1 (en) * 1996-01-26 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication method of semiconductor device
US6465287B1 (en) 1996-01-27 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device using a metal catalyst and high temperature crystallization
US6063654A (en) 1996-02-20 2000-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor involving laser treatment
JP3476320B2 (ja) 1996-02-23 2003-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法
TW317643B (ja) 1996-02-23 1997-10-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6100562A (en) 1996-03-17 2000-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP3727416B2 (ja) 1996-05-31 2005-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JPH1012889A (ja) 1996-06-18 1998-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体薄膜および半導体装置
JP3519214B2 (ja) 1996-06-20 2004-04-12 株式会社半導体エネルギー研究所 集積回路およびその作製方法
US6005648A (en) 1996-06-25 1999-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TW548686B (en) 1996-07-11 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab CMOS semiconductor device and apparatus using the same
JP3759999B2 (ja) 1996-07-16 2006-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、液晶表示装置、ｅｌ装置、ｔｖカメラ表示装置、パーソナルコンピュータ、カーナビゲーションシステム、ｔｖプロジェクション装置及びビデオカメラ
JP4086925B2 (ja) 1996-12-27 2008-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクスディスプレイ
JPH10200114A (ja) 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜回路
US6011275A (en) 1996-12-30 2000-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH10223532A (ja) 1997-02-10 1998-08-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体の作製方法及び半導体装置の作製方法
JP3942683B2 (ja) 1997-02-12 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
JP4831850B2 (ja) * 1997-07-08 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
US5846857A (en) 1997-09-05 1998-12-08 Advanced Micro Devices, Inc. CMOS processing employing removable sidewall spacers for independently optimized N- and P-channel transistor performance
US6294441B1 (en) 1998-08-18 2001-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP3425392B2 (ja) * 1999-05-27 2003-07-14 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
CN1109212C (zh) 2000-10-30 2003-05-21 甘国工 管壁有空心增强结构的高分子拉伸定向复合塑料管

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