JP6529184B2 - 触媒脱水素カップリングによるアミノシランの無ハロゲン合成 - Google Patents

Description

本出願は、２０１３年９月２７日付けで出願された米国仮特許出願第６１／８８３，４５２号に対する優先権を主張するものである。この米国仮特許出願の優先権が主張される。

ケイ素−ヘテロ原子及びゲルマニウムヘテロ原子結合を形成するための文献中に見られるプロセスの殆どは、クロロシラン及び求核試薬（アミン、ホスフィン等）の反応を伴う。これらの反応は正味の（net）脱ハロゲン化水素に基づくため、塩基により除去する必要がある１当量のハロゲン化水素を形成し、濾別する必要がある大量の塩を形成する。また、これにより反応の範囲が塩基適合基板に制限され、塩素及びアミノハロゲン等のハロゲンで汚染された生成物が生じる。

モノシラン、ジシラン及びトリシラン等のシラン化合物は様々な用途で使用される。半導体分野では、シラン化合物は例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素のケイ素ベース誘電体膜の化学蒸着（ＣＶＤ）による作製に出発物質（前駆体）としてよく使用される。より具体的には、シラン化合物はアンモニア等の窒素含有反応ガスとの反応によって窒化ケイ素、酸素等の酸素含有ガスとの反応によって酸化ケイ素、窒素含有ガス及び酸素含有ガスとの反応によって酸窒化ケイ素を生じ得る。

現在、窒化ケイ素膜をＣＶＤにより作製する標準的な方法は、アンモニアガス又は他のアミン（アミノ化合物）とクロロシラン等のハロシラン（シラン化合物）との間で反応を誘導することを含む。しかしながら、塩化アンモニウム又はアミン塩酸塩がこの反応により副生成物として生成する。塩化アンモニウムは白色固体であり、それ自体がＣＶＤ反応装置の排気ラインに蓄積し、詰まらせる。アミン塩酸塩はＣＶＤチャンバ中の金属と反応し、半導体材料の電気的特性を低下させるか又は他のタイプの欠陥を生じる可能性があるため、電気的用途で使用されるアミノシランにおいて極めて望ましくない汚染物質である。それだけでなく、これらの塩はＨＣｌを生じる解離−再結合プロセスによって昇華することが知られている。塩化水素は、ＣＶＤチャンバにおいて行われる任意のプロセス及びチャンバ自体を損なう可能性がある腐食性ガスである。これらの又は任意の他の供給源に由来する反応性塩素は、これらの有害作用を引き起こし得る。ハロゲン含有反応物を使用することなく合成されることで、ハロゲン及びアミノハロゲン無含有となるシラン化合物が極めて望ましい。

したがってＣＶＤ法では、ハロゲン無含有である前駆体化合物を用いることが望まれる。

典型的な反応装置を示す図であり、ここで反応槽は撹拌器が取り付けられ、真空及び反応物を供給することが可能なマニホールドに接続されたオートクレーブ反応器である。 典型的な反応装置を示す図であり、ここで反応容器には水素放出を可能にする凝縮器、及び生成物の除去のためのフィルターを有する浸漬管が取り付けられている。

ケイ素−ヘテロ原子（Ｘ）結合又はゲルマニウムヘテロ原子結合を有する化合物を、ハ
ロゲン副生成物を形成することなく合成する方法を開発した。本明細書に記載の脱水素カップリング合成法の出発物質はハロゲン含有化合物ではない。本明細書に記載及び特許請求される脱水素カップリング合成によって生成する化合物は全て、更に精製することなく「ハロゲン無含有」であり、「ハロゲン無含有」という用語は本明細書に規定される。ハロゲンが前駆体化合物中に存在する場合、これらの化合物はより不安定であると考えられる。本発明の化合物は、第一に新たな化合物として、第二に調製される化合物として更に精製してハロゲンを除去することなくハロゲン無含有である２つの形態で特許請求される。ケイ素及びゲルマニウムはＩＶｂ族元素である。このアプローチはヘテロ原子とのケイ素又はゲルマニウムの触媒デヒドロカップリングに基づき、水素ガスが放出される。Ｓｉ−Ｘ又はＧｅ−Ｘ結合が形成され、ここでＸは窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）及びアンチモン（Ｓｂ）からなる群から選択されるＶｂ族元素である。このプロセスは遷移金属触媒によって触媒される。触媒は不均一又は均一であり得る。アミンの一般反応の実例を方程式１で示す。Ｖｂ族ヘテロ原子Ｎ、Ｐ、Ａｓ又はＳｂ及びＩＶｂ族元素の一般反応の実例を方程式１Ａに示す。反応は溶媒中又は溶媒なしで行うことができる。反応はバッチ又は連続流式反応器内で行うことができる。
１． Ｒ^１ＥＨ_３＋ｎ（Ｒ^２Ｒ^３ＮＨ）＝（Ｒ^２Ｒ^３Ｎ）_ｎＥＨ_{（３−ｎ）}Ｒ^１＋ｎＨ_２１Ａ． Ｒ^１ＥＨ_３＋ｎ（Ｒ^２Ｒ^３ＸＨ）＝（Ｒ^２Ｒ^３Ｘ）_ｎＥＨ_{（３−ｎ）}Ｒ^１＋ｎＨ_２
ここで、Ｘ＝Ｎ、Ｐ、Ａｓ又はＳｂであり、ｎ＝１、２又は３であり、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素であり、ＸはＮ、Ｐ、Ａｓ又はＳｂからなる群から選択されるヘテロ原子であり、Ｒ^１＝Ｈ、Ｈ_３Ｅ−、Ｈ_５Ｅ_２−、Ｈ_７Ｅ_３−、Ｈ_９Ｅ_４−、Ｈ_１１Ｅ_５−であり、Ｒ^２＝Ｈ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルであり、Ｒ_３はＨ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルである。上記方程式１において、アミンＲ^２Ｒ^３ＮＨはジアミン、トリアミン、テトラアミン、シラザン及び環状第二級アミンに置き換えられてもよい。ジアミンの非限定的な例としては、エチレンジアミン、１，２−プロピレンジアミン及び類似のジアミンが挙げられる。トリアミンの非限定的な例としては、ジエチレントリアミン及び類似の化合物が挙げられる。テトラアミンの非限定的な例としては、トリエチレンテトラアミン及び類似の化合物が挙げられる。シラザンの非限定的な例としては、ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。環状第二級アミンの非限定的な例としては、アジリジン、アゼチジン、ピペリジン、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、インドール、又は環状第二級アミンの任意のＣ置換誘導体、及び類似の化合物が挙げられる。環状第二級アミンのＣ置換誘導体の非限定的なリストには、２−メチルピペリジン、３−メチルピペリジン、４−メチルピペリジン、２−メチルピロリジン、３−メチルピロリジン、２−メチルピロール、３−メチルピロール、２−メチルインドール及び３−メチルインドール等の環状第二級アミンの任意のアルキル置換誘導体が含まれる。第二級環状アミンは、主鎖（環）中に１つ又は複数のＮ基及び幾つかの炭素原子を含有する複素環である。例えばピペリジンは、５つの炭素及び１つの窒素を六員環構造に含有する。各炭素は２つのペンダント水素に付加し、窒素は１つのペンダント水素に付加する。炭素置換複素環第二級アミンは、環を構成する１つ又は複数の炭素原子に付加した水素以外のペンダント置換基を有する複素環構造を含有する。典型的なペンダント置換基としては、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル又はアルキル置換シリルが挙げられるが、これらに限定されない。方程式１Ａにおいて、ＸがＰ、Ａｓ又はＳｂである場合、Ｒ^１＝Ｈ_３Ｅ−、Ｈ_５Ｅ_２−、Ｈ_７Ｅ_３−、Ｈ_９Ｅ_４−、Ｈ_１１Ｅ_５−であり、Ｒ^２＝Ｈ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直
鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルであり、Ｒ^３はＨ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルである。Ｒ^１がＨ_３Ｅであり、Ｒ^２及びＲ^３が独立してＣ_１又はＣ_２アルキルである化合物は上記化合物から除外される。

アルキル置換基の成員の非限定的なリストにはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ペンチル、ネオペンチル、イソペンチル、ヘキシル、イソヘキシルが含まれる。アリール置換基の成員の非限定的なリストにはフェニル、トリル、キシリル、ナフチル（naphthyl）、ピリジルが含まれる。

アルケニルは、１つの水素原子を除去することによるアルケンに由来する任意の一価脂肪族炭化水素ラジカルＣ_ｎＨ_２ｎ−１（２−ブテニルＣＨ_３ＣＨ：ＣＨＣＨ_２−等）として規定される。ここでｎ＝２〜８である。

アルキニルは、炭素間三重結合及び一般式Ｃ_ｎＨ_２ｎ−２を有する一連の開鎖炭化水素のいずれかとして規定される。ここでｎ＝２〜８である。

ヘテロ原子化合物の構造及びＳｉ又はＧｅ化合物の構造及びＥとＸとのモル比に応じて、Ｅ−Ｘ結合を含有する多数の分子を形成することができる。Ｅ−Ｘ結合を含有するこれらの分子は直鎖、分岐、環状又はそれらの組合せであり得る。直鎖、分岐及び環状並びに組合せ、並びに各々を合成する方法の例を記載する。

式：

（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎ１（Ｒ^３Ｒ^４Ｎ）_ｎ２Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋１）−ｎ１−ｎ２）}
（式中、ｎ_１＝１〜（２（ｋ＋１）−ｎ_２）であり、ｎ_２＝０〜（２（ｋ＋１）−ｎ_１）であり、ｋ＝２〜６であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物（ハロゲン無含有ではない以下の化合物は、ハロゲン含有反応物を含む方法によって作製することができ、本明細書に含まれる物質クレームの組成物から除外されるが、本明細書に含まれる合成クレームの方法からは除外されない。除外される化合物としては、［（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_３−ｘＨ_ｘＳｉ−Ｓｉ（ＮＲ^３Ｒ^４）_３−ｙＨ_ｙ］（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は独立して任意の置換又は非置換の直鎖、分岐又は環状アルキル基であり、ｘ、ｙ＝０、１又は２である）、（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎ−ＳｉＨ_{（３−ｎ）}ＳｉＨ_３（
式中、Ｒ^１は直鎖若しくは分岐Ｃ_３〜Ｃ_１０アルキル基、直鎖若しくは分岐Ｃ_３〜Ｃ_１０アルケニル基、直鎖若しくは分岐Ｃ_３〜Ｃ_１０アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_６ジアルキルアミノ基、電子求引基、Ｃ_３〜Ｃ_１０環状アルキル基及びＣ_６〜Ｃ_１０アリール基から選択され、Ｒ^２はＨ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキル基、直鎖若しくは分岐Ｃ_３〜Ｃ_６アルケニル基、直鎖若しくは分岐Ｃ_３〜Ｃ_６アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_６ジアルキルアミノ基、Ｃ_３〜Ｃ_１０環状アルキル基、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール基、電子求引基及びＣ_４〜Ｃ_１０アリール基から選択され、ｎ＝１又は２であり、Ｒ^１及びＲ^２が互いに連結して置換若しくは非置換の芳香環又は置換若しくは非置換の脂肪環から選択される環を形成し、ｎ＝２であり、かつＲ^１及び／又はＲ^２又はＲ^１の両方又はＲ^２の両方が互いに連結して環（（Ｒ）ＨＮ）_３−Ｓｉ−Ｓｉ−（ＮＨ（Ｒ））_３を形成する場合、各Ｒは独立してＣ_１〜Ｃ_４ヒドロカルビル、（Ｅｔ_２Ｎ）ＳｉＨ_２−ＳｉＨ_２（ＮＥｔ_２）、（Ｅｔ_２Ｎ）ＳｉＨ_２−ＳｉＨ_２−ＳｉＨ_２（ＮＥｔ_２）、ＳｉＨ_３−ＳｉＨ（ＮＥｔ_２）−ＳｉＨ（ＮＥｔ_２）−ＳｉＨ_３、［（（ＣＨ_３）_３Ｓｉ−）_２Ｎ］−ＳｉＨ_２−ＳｉＨ_２−ＳｉＨ_２−［Ｎ（−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３）_２］、［（（ＣＨ_３）_３Ｓｉ−）_２Ｎ］−ＳｉＨ_２−ＳｉＨ_２−ＳｉＨ_２−ＳｉＨ_２−［Ｎ（−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３）_２］、

及び

（ＴＭＳ＝トリメチルシラン）から選択される）が挙げられ、ハロゲン無含有と報告されているＨ_３ＳｉＮＥｔ_２が更に除外される）を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１Ｒ^２ＮＨ及びＲ^３Ｒ^４ＮＨ及びＥ_ｋＨ_{２（ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎ１（Ｒ^３Ｒ^４Ｎ）_ｎ２Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋１）−ｎ１−ｎ２）}を形成することと、
ｅ）（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎ１（Ｒ^３Ｒ^４Ｎ）_ｎ２Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋１）−ｎ１−ｎ２）}を反応混合物から分離することと、
を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

ｋ＝３、Ｒ^１＝Ｒ^２＝イソプロピル、ｎ_１＝１、ｎ_２＝０の構造式。

式：

Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２３（Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}）
（式中、ｎ＝１〜６であり、ｍ＝１〜６であり、ｋ＝１〜６であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｎＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＨＲ^２及びＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋２）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、ＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}とＲ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｎＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＨＲ^２とのモル比が少なくとも３：１である反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２３（Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}）を形成することと、
ｅ）生成物Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２３（Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}）を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

ｋ＝３、Ｒ^１＝エチル、Ｒ^２＝エチル、ｎ＝１、ｍ＝１の構造：

式：

Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２３ＥＨ_５
（式中、Ｅの一方が３つの窒素に付加し、ｎ＝１〜６であり、ｍ＝１〜６であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｎＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＨＲ^２及びＨＥ_３Ｈ_５を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２３ＥＨ_５を形成することと、
ｅ）生成物Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２３ＥＨ_５を反応混合物から分離することと、
を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

ｋ＝３、Ｒ^１＝エチル、Ｒ^２＝エチル、ｎ＝１、ｍ＝１のサンプル構造：

式：

Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２Ｅ_２Ｈ_３Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}
（式中、ｎ＝１〜６であり、ｍ＝１〜６であり、ｋ＝１〜６であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｎＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＨＲ^２及びＨＥ_２Ｈ_４Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２Ｅ_２Ｈ_３（Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１）を形成することと、
ｅ）Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２Ｅ_２Ｈ_３（Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１）を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

ｋ＝３、Ｒ^１＝エチル、Ｒ^２＝エチル、ｎ＝１、ｍ＝１の構造：

式：

Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２Ｅ_２Ｈ_４Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}
（式中、Ｅの一方が１つの窒素に付加し、ｎ＝１〜６であり、ｍ＝１〜６であり、ｋ＝１〜６であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｎＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＨＲ^２及びＨＥ_２Ｈ_４Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２Ｅ_２Ｈ_４Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を形成することと、
ｅ）Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｎＮ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２Ｅ_２Ｈ_４Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

ｋ＝１、Ｒ^１＝エチル、Ｒ^２＝エチル、ｎ＝１、ｍ＝１の構造：

式：

環状（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎ−Ｅ_ｋＨ_（２ｋ）−環状ＮＲ^１Ｒ^２
（上記の環状第二級アミン構造を有する組成物は「環状Ｒ^１Ｒ^２Ｎ−」と称される。式中、ｎ＝１又は２であり、ｋ＝２〜６であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して−ＣＨＲ’−、−ＣＨＲ’−ＣＨＲ’’−、−ＣＨＲ’−ＣＨＲ’’−ＣＨＲ’’’−、＝ＣＨ−、−ＣＲ’＝ＣＲ’’−、−ＣＲ’＝Ｎ−ＣＲ’’＝、＝ＣＨ−、−ＣＨＲ’＝ＣＨＲ’’−からなる群から選択され、Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合
物（ハロゲン無含有でない以下の化合物は、ハロゲン含有反応物を含む方法によって作製することができ、本明細書に含まれる物質クレームの組成物から除外されるが、本明細書に含まれる合成クレームの方法からは除外されない。除外される化合物としては：

（式中、Ｒ＝ＣＨ_３、Ｐｈである）が挙げられる）を作製する方法であって、
ａ）反応物である環状Ｒ^１Ｒ^２ＮＨ及びＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、ＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}と環状Ｒ^１Ｒ^２ＮＨとのモル比が少なくとも３：１である反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させ、環状Ｒ^１Ｒ^２Ｎ−Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}）を形成することと、
ｅ）環状Ｒ^１Ｒ^２Ｎ−Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}）を反応混合物から分離することと、
を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

ｋ＝３、環状Ｒ^１Ｒ^２ＮＨ＝ピロリジン、Ｒ^１及びＲ^２＝−ＣＨＲ’−ＣＨＲ’’−、Ｒ’、Ｒ’’＝Ｈの構造：

式：

環状Ｒ^１Ｒ^２Ｎ−Ｅ_ｋＨ_（２ｋ）−環状ＮＲ^１Ｒ^２
（式中、ｎ＝１又は２であり、ｋ＝１〜６であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して−ＣＨＲ’−、−ＣＨＲ’−ＣＨＲ’’−、−ＣＨＲ’−ＣＨＲ’’−ＣＨＲ’’’−、＝ＣＨ−、−ＣＲ’＝ＣＲ’’−、−ＣＲ’＝Ｎ−ＣＲ’’＝、＝ＣＨ−、−ＣＨＲ’＝ＣＨＲ’’−
からなる群から選択され、Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物（該化合物から、ｎ＝２であり、ｋ＝１であり、Ｅ＝Ｓｉであり、Ｒ^１、Ｒ^２がどちらも−ＣＲ’＝ＣＲ’’−であり、Ｒ’及びＲ’’がどちらもＨである以下のハロゲン無含有化合物が除外される）を合成する方法であって、
ａ）反応物である環状Ｒ^１Ｒ^２ＮＨ及びＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、ＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}と環状Ｒ_１Ｒ_２ＮＨとのモル比が約１：１〜約１：５である反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させ、環状Ｒ^１Ｒ^２Ｎ−Ｅ_ｋＨ_（２ｋ）−環状ＮＲ^１Ｒ^２を形成することと、
ｅ）環状Ｒ^１Ｒ^２Ｎ−Ｅ_ｋＨ_（２ｋ）−環状ＮＲ^１Ｒ^２を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応中の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

好ましくは、第二級環状アミンはアジリジン、アゼチジン、ピペリジン、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、インドール、又は環状第二級アミンの任意のＣ置換誘導体からなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である。

塩素無含有、ハロゲン化物無含有、ハロゲン無含有及びアミノ塩素（aminochlorine）無含有及びアミノハロゲン無含有という用語は、５ｐｐｍ未満のハロゲン、好ましくは３ｐｐｍ未満のハロゲン、より好ましくは１ｐｐｍ未満のハロゲンを含有する化合物を規定するように本明細書で使用される。ハロゲンという用語にはフッ素、塩素、臭素及びヨウ素が含まれる。ハロゲン無含有生成物を達成するために、本発明の出発反応物及び触媒はハロゲン無含有である。アミノハロゲン化物及びアミノハロゲンという用語は、アンモニアを含むが、これに限定されない任意のアミン及びハロゲンと会合する有機アミンを指す。この会合は塩、錯体又は化学結合であり得る。「反応槽」及び「反応器」という用語は同じ装置を指し、同じ意味を有し、本明細書で区別なく使用される。反応器はバッチ合成用の容器又は連続合成を容易にする流動容器であり得る。「反応混合物」という用語は、反応が起こり、生成物が形成する反応物、触媒及び任意に溶媒の組合せを指す。本開示及び特許請求の範囲で使用される「ハロゲン無含有」という用語は、限定されるものではないが、ハロゲンイオン、結合ハロゲン及びアミノハロゲン等の全ての供給源に由来して存在するハロゲンのレベルを指す。

式：

（Ｒ^１Ｒ^２Ｘ）_ｎ１（Ｒ^３Ｒ^４Ｘ）_ｎ２Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋２）−ｎ１−ｎ２）}
（式中、Ｘ＝Ｐ、Ａｓ、Ｓｂであり、ｎ_１＝１であり、ｎ_２＝０〜（２（ｋ＋２）−ｎ_１）であり、ｋ＝１〜６であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物。

構造（Ｒ^１Ｒ^２Ｘ）_ｎ１（Ｒ^３Ｒ^４Ｘ）_ｎ２Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋２）−ｎ１−ｎ２）}を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１Ｒ^２ＸＨ及びＲ^３Ｒ^４ＸＨ及びＥ_ｋＨ_{２（ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、（Ｒ^１Ｒ^２Ｘ）_ｎ１（Ｒ^３Ｒ^４Ｘ）_ｎ２Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋１）−ｎ１−ｎ２）}を形成することと、
ｅ）（Ｒ^１Ｒ^２Ｘ）_ｎ１（Ｒ^３Ｒ^４Ｘ）_ｎ２Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋１）−ｎ１−ｎ２）}を反応混合物から分離することと、
を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：

Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２３（Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}）
（式中、Ｘ＝Ｐ、Ａｓ、Ｓｂであり、ｎ＝１〜６であり、ｍ＝１〜６であり、ｋ＝１〜６であり、Ｒ^１＝Ｈ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルであり、Ｒ^２＝Ｈ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキ
ル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルであり、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物。

構造Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２３（Ｅ_ｋＨ_{(２ｋ＋１）}）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＸＨ（ＣＨ_２）_ｎＸＨ（ＣＨ_２）_ｍＸＨＲ^２及びＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、ＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}とＲ^１ＸＨ（ＣＨ_２）_ｎＸＨ（ＣＨ_２）_ｍＸＨＲ^２とのモル比が少なくとも３：１である反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２３（Ｅ_ｋＨ_{(２ｋ＋１）}）を形成することと、
ｅ）生成物Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２３（Ｅ_ｋＨ_{(２ｋ＋１）}）を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：

Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２３ＥＨ_５
（式中、Ｘ＝Ｐ、Ａｓ、Ｓｂであり、ｎ＝１〜６であり、ｍ＝１〜６であり、ｋ＝３〜６であり、Ｒ^１＝Ｈ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルであり、Ｒ^２＝Ｈ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルであり、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物。

構造Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２３ＥＨ_５を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＸＨ（ＣＨ_２）_ｎＸＨ（ＣＨ_２）_ｍＸＨＲ^２及びＨＥ_３Ｈ_５を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２３ＥＨ_５を形成することと、
ｅ）生成物Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２３ＥＨ_５を反応混合物から分離することと、
を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：

Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２Ｅ_２Ｈ_３Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}
（式中、Ｘ＝Ｐ、Ａｓ、Ｓｂであり、ｎ＝１〜６であり、ｍ＝１〜６であり、ｋ＝２〜６であり、Ｒ^１＝Ｈ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルであり、Ｒ^２＝Ｈ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルであり、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物。

構造Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２Ｅ_２Ｈ_３Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＸＨ（ＣＨ_２）_ｎＸＨ（ＣＨ_２）_ｍＸＨＲ^２及びＨＥ_２Ｈ_３Ｅ_ｋＨ_２ｋを遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２Ｅ_２Ｈ_３Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を形成することと、
ｅ）Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２Ｅ_２Ｈ_３Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：

Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}
（式中、Ｘ＝Ｐ、Ａｓ、Ｓｂであり、ｎ＝１〜６であり、ｍ＝１〜６であり、ｋ＝１〜６であり、Ｒ^１＝Ｈ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルであり、Ｒ^２＝Ｈ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルであり、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物。

構造Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＸＨ（ＣＨ_２）_ｎＸＨ（ＣＨ_２）_ｍＸＨＲ^２及びＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を形成することと、
ｅ）Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｎＸ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２Ｅ_ｋＨ_{（２ｋi＋１）}を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：

環状（Ｒ^１Ｒ^２Ｘ）_ｎ−Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}
（式中、ｎ＝１であり、ｋ＝１〜６であり、Ｘ＝Ｐ、Ａｓ、Ｓｂであり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して−ＣＨＲ’−、−ＣＨＲ’−ＣＨＲ’’−、−ＣＨＲ’−ＣＨＲ’’−ＣＨＲ’’’−、＝ＣＨ−、−ＣＲ’＝ＣＲ’’−、＝ＣＨ−、−ＣＨＲ’＝ＣＨＲ’’−からな
る群から選択され、Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’は独立してＨ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物。

構造環状Ｒ^１Ｒ^２Ｘ−Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物である環状Ｒ^１Ｒ^２ＸＨ及びＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、ＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}と環状Ｒ^１Ｒ^２ＸＨとのモル比が少なくとも３：１である反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、環状Ｒ^１Ｒ^２Ｘ−Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}）を形成することと、
ｅ）環状Ｒ^１Ｒ^２Ｘ−Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}）を反応混合物から分離することと、
を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：

環状Ｒ^１Ｒ^２Ｘ−Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ１−２）}−環状ＸＲ^１Ｒ^２
（式中、Ｘ＝Ｐ、Ａｓ、Ｓｂであり、ｎ＝１又は２であり、ｋ＝１〜６であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して−ＣＨＲ’−、−ＣＨＲ’−ＣＨＲ’’−、−ＣＨＲ’−ＣＨＲ’’−ＣＨＲ’’’−、＝ＣＨ−、−ＣＲ’＝ＣＲ’’−、＝ＣＨ−、−ＣＨＲ’＝ＣＨＲ’’−からなる群から選択され、Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’は独立してＨ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物。

構造：

環状（Ｒ^１Ｒ^２Ｘ）_ｎ−Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ１−２）}
を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物である環状Ｒ^１Ｒ^２ＸＨ及びＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、ＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}と環状Ｒ^１Ｒ^２ＸＨとのモル比が約１：２である反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、環状Ｒ^１Ｒ^２Ｘ−Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ１−２）}−環状ＸＲ^１Ｒ^２を形成することと、
ｅ）環状Ｒ^１Ｒ^２Ｘ−Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ１−２）}−環状ＸＲ^１Ｒ^２を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応中の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

以下の方法に、
ａ）アミン及びシラン反応物を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させ、生成物を形成することと、
ｅ）生成物を反応混合物から分離することと、
を含む、アミノシランの合成を説明する。

式：

Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）} 化合物Ａ
（式中、Ｅの一方が１つの窒素に付加し、ｍ＝１〜６であり、ｋ＝１〜６であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＨＲ^２及びＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を形成することと、
ｅ）Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：

（Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２）ＥＨＥＨ_２Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１ 化合物Ｂ
（式中、Ｅの一方が２つの窒素に付加し、ｍ＝１〜６であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｍＮＨＲ^２及びＨＥ_２Ｈ_３Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２２ＥＨ_３Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１を形成することと、
ｅ）生成物Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２２ＥＨ_３Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１を反応混合物から分離することと、
を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：

Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２ＥＨＥ_ｋＨ_２ｋ＋１ 化合物Ｃ
（式中、Ｅの一方が１つの窒素に付加し、ｍ＝１〜６であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｍＮＨＲ^２及びＨＥＨ_２Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２ＥＨＥ_ｋＨ_２ｋ＋１を形成することと、
ｅ）生成物Ｒ^１Ｎ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２ＥＨＥ_ｋＨ_２ｋ＋１を反応混合物から分離することと、
を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：

Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２２（Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}） 化合物Ｄ
（式中、ｍ＝１〜６であり、ｋ＝１〜６であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＨＲ^２及びＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、ＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}とＲ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｎＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＨＲ^２とのモル比が少なくとも３：１である反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２２（Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}）を形成することと、
ｅ）生成物Ｒ^１ＮＨ（ＣＨ_２）_ｍＮＲ^２２（Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}）を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

一置換化合物Ａ、Ｂ及びＣの形成は、Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋２／ジアミン比を減少させることにより二置換化合物Ｄの形成よりも支持される。しかしながら、化合物Ａ、Ｂ及びＣの形成は同時である場合もあり、異なるモル比の３つの化合物を含む混合物が合成される。Ａ／Ｂ／Ｃモル比はＲ^１基及びＲ^２基の性質、並びに−ＣＨ_２−鎖の長さ（ｍの値）、並びに温度、反応時間又は触媒等の反応条件に応じて変化する。より嵩高い（Bulker）Ｒ基及びより長い鎖はＡの形成を支持すると予想され、ｍ＝１〜３の鎖は化合物Ｂ及びＣの形成を支持すると予想される。

式：

Ｒ^１Ｒ^３Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}
（式中、Ｘ＝Ｐ、Ａｓ、Ｓｂであり、ｍ＝１〜６であり、ｋ＝１〜６であり、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は独立してＨ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１Ｒ^３Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＨＲ^２及びＨＥ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させ、Ｒ^１Ｒ^３Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を形成することと、
ｅ）Ｒ^１Ｒ^３Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２Ｅ_ｋＨ_{（２ｋ＋１）}を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：

［Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２］［ＥＨＥＨ_２Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１］
（式中、Ｘ＝Ｐ、Ａｓ、Ｓｂであり、ｍ＝１〜６であり、ｋ＝３〜６であり、Ｒ^１はＨ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、Ｒ^２はＨ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択され、ＥはＳｉ又はＧｅからなる群から選択されるＩＶｂ族元素である）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＨＲ^２及びＨ_３ＥＨ_２Ｅ−Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させ、［Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２］［ＥＨＥＨ_２Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１］を形成することと、
ｅ）生成物［Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２］［ＥＨＥＨ_２Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１］を反応混合物から分離することと、
を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、該反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：
［（Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２）（ＥＨ_１Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１）］
（式中、Ｘ＝Ｐ、Ａｓ、Ｓｂであり、ｍ＝１〜５であり、Ｒ^１及びＲ^２は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択される）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＨＲ^２及びＨＥＨ_２Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させ、Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２ＥＨＥ_ｋＨ_２ｋ＋１を形成することと、
ｅ）Ｒ^１Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＲ^２ＥＨＥ_ｋＨ_２ｋ＋１を反応混合物から分離することと、を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

式：

［（Ｒ_１Ｒ^３Ｘ（ＣＨ_２）_ｍ＝ＸＲ^２）（ＥＨ_２Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１）］
（式中、Ｘ＝Ｐ、Ａｓ、Ｓｂであり、ｍ＝１〜５であり、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は独立して、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリル、又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択される）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１Ｒ^３Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＨＲ^２及びＨＥＨ_２Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させ、Ｒ^１Ｒ^３Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＨＲ^２ＥＨ_２Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１を形成することと、
ｅ）生成物Ｒ^１Ｒ^３Ｘ（ＣＨ_２）_ｍＸＨＲ^２ＥＨ_２Ｅ_ｋＨ_２ｋ＋１を反応混合物から分
離することと、
を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

本明細書で使用される「・・・の温度を維持する」という用語は、指定の最小温度及び最大温度内の温度を生じるように必要に応じて加熱又は冷却することを意味する。反応槽へのアミン及びシランの添加順序は、アミンが先であっても又はシランが先であってもよい。出発物質がハロゲン無含有である場合、生成物はハロゲン及びアミノハロゲン無含有となる。

以下の方法に、
ａ）反応物ジイソプロピルアミン及びジシランを遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約７５℃〜約２００℃の温度まで加熱することと、
ｄ）反応を進行させることと、
ｅ）ジイソプロピルアミノジシランを反応混合物から分離することと、
を含む、ジイソプロピルアミノジシランを合成する方法を説明する。

本発明において好適な不均一触媒としては、遷移金属触媒及び希土類元素（elements）が挙げられる。触媒はＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｙｂ及びＵからなる群から選択される。好ましい触媒はＲｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃｕ及びＡｕからなる群から選択される。より好ましい触媒はＲｈ、Ｐｄ、Ｒｕ及びＰｔからなる群から選択される。最も好ましい触媒はＲｕ及びＲｕ／炭素である。更に好ましい触媒はＰｄ／ＭｇＯである。

本発明の触媒は支持体に固定されるのが好ましい。支持体は高表面積の固体である。典型的な支持体材料としては、アルミナ、ＭｇＯ、ゼオライト、炭素、モノリスコージライト、珪藻土、シリカゲル、シリカ／アルミナ、ＺｒＯ及びＴｉＯ_２が挙げられるが、これらに限定されない。好ましい支持体は炭素、アルミナ、シリカ及びＭｇＯである。より好ましい支持体は炭素である。支持体は約１ｍ^２／ｇ〜約３０００ｍ^２／ｇの範囲のＢＥＴ表面積を有する。好ましい範囲は約１００ｍ^２／ｇ〜約２０００ｍ^２／ｇである。触媒の金属負荷は約０．０１重量パーセント〜約５０重量パーセントの範囲である。好ましい範囲は約０．５重量パーセント〜約２０重量パーセントである。より好ましい範囲は約０．５重量パーセント〜約１０重量パーセントである。活性化を必要とする触媒は多数の既知の方法によって活性化することができる。真空下での触媒の加熱が好ましい方法である。触媒は反応槽に添加する前、又は反応物の添加前に反応槽内で活性化することができる。

触媒は助触媒を含有していてもよい。助触媒はそれ自体が触媒ではないが、活性触媒と少量混合することでそれらの効率（活性及び／又は選択性）を増大する物質である。助触媒は通常はＭｎ、Ｃｅ、Ｍｏ、Ｌｉ、Ｒｅ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃｕ及びＡｕ等の金属及び／又はそれらの酸化物である。これらは反応容器に別個に添加しても、又は触媒自体の一部であってもよい。例えば、Ｒｕ／Ｍｎ／Ｃ（マンガンによって促進されるルテニウム／炭素）又はＰｔ／ＣｅＯ_２／Ｉｒ／ＳｉＯ_２（セリア及びイリジウムによって促進される白金／シリカ）が挙げられる。幾つかの助触媒は単独で触媒として作用し得るが、主触媒と組み合わせて使用することにより主触媒の活性を改善することができる。触媒は他の触媒の助触媒としても作用し得る。この状況で、触媒は二金属（又は多金属）触媒と称される。例えば、Ｒｕ／Ｒｈ／Ｃはルテニウム／炭素及びロジウム二金属触媒又はロジウムによって促進されるルテニウム／炭素とも
称され得る。活性触媒は特定の化学反応で触媒として作用する物質である。

触媒は、通例真空下及び高温で行われる活性化を必要とする場合もある。通例、触媒は約１２５℃及び約−１４ｐｓｉｇ（約１Ｔｏｒｒ）で活性化される。活性化条件は選択される触媒により幾らか異なる。様々な触媒を活性化する条件は当該技術分野で既知である。活性化された触媒はその後の使用のために保管することができる。本発明の触媒はハロゲンを含まない。

本発明で溶媒が使用される場合、反応物と非反応性の溶媒が選択される。溶媒は無水であり、触媒を不活性化（汚染）しない。かかる溶媒の非限定的なリストとしては、Ｃ_５〜Ｃ_２０直鎖、分岐又は環状アルカン及びそれらの混合物等のアルカン、１−オクタデセン、シクロオクタジエン及びシクロヘキセン等のアルケン、塩化メチレン及び塩化エチレン等のクロロアルカン、トルエン、キシレン、メシチレン及びナフタレン（naphthalene）等のアレーン、並びにキノリン及びピリジン等の複素環、並びにそれらの混合物が挙げられる。好ましい溶媒はｎ−オクタデカンである。溶媒をその沸点が生成化合物の沸点と約１０℃異なるように選択するのが好ましい。

本発明で使用される不活性ガスは反応条件下で反応性でない。不活性ガスの非限定的なリストとしては、ヘリウム、アルゴン及び窒素が挙げられる。好ましいガスはヘリウムである。

機械撹拌器（stirrer）を備えるParrのオートクレーブ等のオートクレーブが好適な反応槽である。一置換シラン又はゲルマンについては、反応開始時のヘテロ化合物とシラン又はゲルマンとのモル比は約２〜約０．２、好ましくは約１〜約０．３の範囲内である。二置換（bis-disubstituted）シラン又はゲルマンについては、反応開始時のヘテロ化合物とシラン又はゲルマンとのモル比は約５〜約２の範囲内である。

実施例１のハロゲン及びアミノハロゲン無含有ジイソプロピルアミノジシランを合成する方法は、
ａ）触媒を反応槽に添加することと、
ｂ）動的真空を反応槽に適用することと、
ｃ）反応槽を加熱して、触媒を活性化することと、
ｄ）触媒が活性化されるまで真空及び活性化温度を維持することと、
ｅ）反応槽を室温まで冷却することと、
ｆ）反応槽に約１気圧の圧力まで不活性ガスを充填することと、
ｇ）ジイソプロピルアミンを反応槽に添加することと、
ｈ）溶媒を反応槽に添加することと、
ｉ）反応槽を約−７８℃〜約−１４０℃の温度まで冷却することと、
ｊ）ジシランを反応器に添加して、反応混合物を形成することと、
ｋ）反応器を約７５℃〜約２００℃の温度まで加熱することと、
ｌ）加熱した反応混合物を撹拌することと、
ｍ）圧力の上昇が止まるまで反応容器内の圧力をモニタリングすることと、
ｎ）反応器を室温前後まで冷却することと、
ｏ）揮発性物質を約−１４０℃〜約−１９６℃の温度まで冷却したクライオトラップ内で捕捉することと、
ｐ）圧力の低下が止まるまで反応容器内の圧力をモニタリングすることと、
ｑ）ジイソプロピルアミノジシランを反応容器から回収することと、
を含む。工程ａ）の触媒が活性化されているか又は活性化を必要としない場合、工程ｂ〜工程ｅは省略される。

ジイソプロピルアミノジシランの回収は、反応容器から直接蒸留によって行うことができる。触媒は後続のバッチで再利用することができる。

クライオトラッピングという用語は、クライオトラップ内で気体材料を凝縮させることを意味する。

実施例１． ジイソプロピルアミノジシラン「ＤＩＰＡＤＳ」の合成：
Ｓｉ_２Ｈ_６＋（^ｉＰｒ）_２ＮＨ＝（^ｉＰｒ）_２ＮＳｉ_２Ｈ_５＋Ｈ_２

ＤＩＰＡＤＳ（Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル、Ｎ−ジシリルアミンとしても知られるジイソプロピルアミノジシラン）を、溶媒としてのｎ−オクタデカン中の市販のルテニウム／炭素によって触媒されるジシランとジイソプロピルアミンとの反応によって加圧反応容器内で合成した。機械撹拌器、熱電対、圧力計及び圧力変換器及び３つの絞り弁を備える０．３Ｌ容のオートクレーブ（反応槽）（図１）に、６ｇ（ルテニウム０．００３ｍｍｏｌ）の５重量％ルテニウム／炭素触媒を投入した。次いで、反応器を１２５℃、動的真空下で３時間加熱して、触媒を活性化した。室温まで冷却した後、反応器にヘリウムを１気圧（「ａｔｍ」）の圧力で充填し、密封し、マニホールドから外した。グローブボックス内で２０．７ｇ（０．２０５ｍｏｌ）のジイソプロピルアミン及び７５ｇのｎ−オクタデカンを反応器に添加した。次いで、反応器をグローブボックスから取り出し、マニホールドに再接続し、液体窒素浴内で−１３０℃まで冷却した。３０ｇ（０．４５３ｍｏｌ）のジシランを、マニホールドを通して反応器に移した。次いで、反応器を１５０℃まで加熱した。４００ｒｐｍで２７時間撹拌した後、圧力は約１６０ｐｓｉ上昇した。次いで、反応器をＲＴまで冷却した。揮発性物質をステンレス鋼レクチャーボトル（「ＳＳＬＢ」）内でクライオトラップした。反応槽の圧力は４５Ｔｏｒｒまで低下した。ジイソプロピルアミノジシラン（diisopropylaminodisilane）を反応槽から回収した。得られる溶液は１０％（９．９ｇ）のＤＩＰＡＤＳを含有していた。非単離収率は３０％であった。

「非単離収率」という用語は、反応粗生成物（reaction crude）を秤量し、そのクロマトグラムにより生成物の量を推定することによって収率を決定することを意味する。「単離収率」という用語は生成物を精製及び秤量し、秤量された量が表す理論パーセントによってパーセント収率を決定することを意味する。

実施例２の塩素無含有ジイソプロピルアミノジシランを合成する無溶媒方法は、
ａ）触媒を反応槽に添加することと、
ｂ）動的真空を反応槽に適用することと、
ｃ）反応槽を加熱して、触媒を活性化することと、
ｄ）触媒が活性化されるまで真空及び活性化温度を維持することと、
ｅ）反応槽を室温前後まで冷却することと、
ｆ）反応槽に約１気圧の圧力まで不活性ガスを充填することと、
ｇ）ジイソプロピルアミンを反応槽に添加することと、
ｈ）反応槽を約−７８℃〜約−１４０℃の温度まで冷却することと、
ｉ）ジシランを反応槽に添加して、反応混合物を形成することと、
ｊ）反応槽を約７５℃〜約２００℃の温度まで加熱することと、
ｋ）加熱した反応混合物を撹拌することと、
ｌ）圧力の上昇が止まるまで反応槽内の圧力をモニタリングすることと、
ｍ）反応槽を室温前後まで冷却することと、
ｎ）揮発性物質を約−１４０℃〜約−１９６℃の温度まで冷却したクライオトラップ内で捕捉することと、
ｏ）圧力の低下が止まるまで反応容器内の圧力をモニタリングすることと、
ｐ）ジイソプロピルアミノジシランを反応容器から回収することと、
を含む。工程ａ）の触媒が活性化されている場合、工程ｂ〜工程ｅは省略される。

実施例２． 市販のルテニウム／炭素により触媒されるジシラン及びジイソプロピルアミンからの加圧反応器内での塩素及びアミノ塩素無含有ＤＩＰＡＤＳの無溶媒合成
機械撹拌器、熱電対、圧力計及び圧力変換器及び３つの絞り弁を備える０．３Ｌ容のオートクレーブに、６ｇ（ルテニウム０．００３ｍｍｏｌ）の５重量％ルテニウム／炭素触媒を投入した。次いで、反応器を１２５℃、動的真空下で３時間加熱した。室温まで冷却した後、反応器に１ａｔｍのヘリウムを充填し、密封し、マニホールドから外した。グローブボックス内で２０．７（０．２０５ｍｏｌ）のジイソプロピルアミンを添加した。次いで、反応器をグローブボックスから取り出し、マニホールドに再接続し、液体窒素浴内で−１３０℃まで冷却した。３０ｇ（０．４５３ｍｏｌ）のジシランを、マニホールドを通して反応器に移した。次いで、反応器を１５０℃まで加熱した。４００ｒｐｍで２４時間撹拌した後、圧力はおよそ１００ｐｓｉ上昇した。次いで、反応器をＲＴまで冷却した。揮発性物質をＳＳＬＢ内でクライオトラップした。反応槽の圧力は４５Ｔｏｒｒまで低下した。反応容器内の得られる溶液は６５％（１７ｇ）のＤＩＰＡＤＳを含有していた。ジイソプロピルアミノジシランを反応容器から回収した。非単離収率は５２％であった。

ハロゲン塩副生成物を形成することなくケイ素−ヘテロ原子結合を有する化合物を合成する以下の方法を開発した。シラン及びホスフィン等の反応物を触媒の存在下で合わせ、加熱してハロゲン無含有トリシリルホスフィンを生成した。一般反応を以下の方程式で示す：
ＰＨ_３＋３ＳｉＨ_４＝Ｐ（ＳｉＨ_３）_３＋３Ｈ_２

反応は溶媒中又は溶媒なしで行うことができる。

実施例３ トリシリルホスフィンの合成：ＰＨ_３＋３ＳｉＨ_４＝Ｐ（ＳｉＨ_３）_３＋３Ｈ_２

実施例３のトリシリルホスフィンを合成する方法は、
ａ）触媒を反応槽に添加することと、
ｂ）動的真空を反応槽に適用することと、
ｃ）反応槽を加熱して、触媒を活性化することと、
ｄ）触媒が活性化されるまで真空及び活性化温度を維持することと、
ｅ）反応槽を室温前後まで冷却することと、
ｆ）反応槽に約１気圧の圧力まで不活性ガスを充填することと、
ｇ）反応槽を約−７８℃〜約−１４０℃の温度まで冷却することと、
ｈ）ホスフィンを反応槽に添加することと、
ｉ）シランを反応器に添加することと、
ｊ）反応器を約７５℃〜約２００℃の温度まで加熱することと、
ｋ）加熱した反応混合物を撹拌することと、
ｌ）圧力の上昇が止まるまで反応容器内の圧力をモニタリングすることと、
ｍ）反応器を室温前後まで冷却することと、
ｎ）揮発性物質を約−１４０℃〜約−１９６℃の温度まで冷却したクライオトラップ内で捕捉することと、
ｏ）圧力の低下が止まるまで反応容器内の圧力をモニタリングすることと、
ｐ）トリシリルホスフィンを反応容器から回収することと、
を含む。工程ａ）の触媒が活性化されている場合、工程ｂ〜工程ｅは省略される。

トリシリルホスフィンの回収は反応容器から直接蒸留によって行う。触媒は後続のバッ
チで再利用することができる。

実施例３．
市販のルテニウム／炭素によって触媒されるシラン及びホスフィンから加圧反応器内で塩素無含有トリシリルホスフィンを合成する方法は以下を含む。機械撹拌器、熱電対、圧力計及び圧力変換器及び３つの絞り弁を備える０．３Ｌ容のオートクレーブに、１０ｇ（ルテニウム０．００５ｍｏｌ）の５重量％ルテニウム／炭素触媒を投入する。次いで、反応器を１２５℃、動的真空下で３時間加熱する。室温まで冷却し、反応器に１ａｔｍのヘリウムを充填した後、液体窒素浴内で−１３０℃まで冷却する。１５ｇ（０．４４ｍｏｌ）のホスフィン及び５０ｇ（１．６ｍｏｌ）のシランを、マニホールドを通して反応器に移す。次いで、反応器を１５０℃まで加熱する。４００ｒｐｍで２３時間撹拌した後、反応器をＲＴまで冷却する。揮発性物質をＳＳＬＢ内でクライオトラップする。反応槽の圧力は約４５Ｔｏｒｒまで低下する。トリシリルホスフィンを反応容器から回収する。

反応開始時のホスフィンとシランとのモル比は、約１：３〜約１：９の範囲内である。

実施例４のハロゲン無含有トリスジシリルアミン（Ｓｉ_２Ｈ_５）_３Ｎを合成する方法は、
ａ）触媒を反応槽に添加することと、
ｂ）動的真空を反応槽に適用することと、
ｃ）反応槽を加熱して、触媒を活性化することと、
ｄ）触媒が活性化されるまで真空及び活性化温度を維持することと、
ｅ）反応槽を室温前後まで冷却することと、
ｆ）反応槽に約１気圧の圧力まで不活性ガスを充填することと、
ｇ）反応槽を約−７８℃〜約−１４０℃の温度まで冷却することと、
ｈ）アンモニアを反応槽に添加することと、
ｉ）ジシランを反応器に添加することと、
ｊ）反応器を約７５℃〜約２００℃の温度まで加熱することと、
ｋ）加熱した反応混合物を撹拌することと、
ｌ）圧力の上昇が止まるまで反応容器内の圧力をモニタリングすることと、
ｍ）反応器を室温前後まで冷却することと、
ｎ）揮発性物質を約−１４０℃〜約−１９６℃の温度まで冷却したクライオトラップ内で捕捉することと、
ｏ）圧力の低下が止まるまで反応容器内の圧力をモニタリングすることと、
ｐ）トリスジシリルアミンを反応容器から回収することと、
を含む。工程ａの触媒が活性化されている場合、工程ｂ〜工程ｅは省略される。

実施例４． ハロゲン無含有トリスジシリルアミンの合成、３Ｓｉ_２Ｈ_６＋ＮＨ_３＝（Ｓｉ_２Ｈ_５）_３Ｎ＋３Ｈ_２：

市販のルテニウム／炭素によって触媒されるジシラン及びホスフィンから加圧反応器内でハロゲン無含有トリスジシリルアミン（Ｓｉ_２Ｈ_５）_３Ｎを合成する方法は以下を含む。機械撹拌器、熱電対、圧力計及び圧力変換器及び３つの絞り弁を備える０．３Ｌ容のオートクレーブに、１７ｇ（ルテニウム０．００８５ｍｏｌ）の５重量％ルテニウム／炭素触媒を投入する。次いで、反応器を１２５℃、動的真空下で３時間加熱する。室温まで冷却し、反応器に１ａｔｍのヘリウムを充填した後、液体窒素浴内で−１３０℃まで冷却する。１０ｇ（０．５８８ｍｏｌ）のアンモニア及び１５０ｇ（２．４１ｍｏｌ）のジシランを、マニホールドを通して反応器に移す。次いで、反応器を１５０℃まで加熱する。４００ｒｐｍで２３時間撹拌した後、反応器をＲＴまで冷却する。揮発性物質をＳＳＬＢ内でクライオトラップする。反応槽の圧力は約４５Ｔｏｒｒまで低下する。トリスジシリル
アミンを反応容器から回収する。

反応開始時のアミンとジシランとのモル比は、約１：３〜約１：５の範囲内であった。

実施例５のハロゲン無含有ジイソプロピルアミノトリシラン（ＤＩＰＡＴＳ）を合成する無溶媒方法は、
ａ）触媒を反応槽に添加することと、
ｂ）動的真空を反応槽に適用することと、
ｃ）反応槽を加熱して、触媒を活性化することと、
ｄ）触媒が活性化されるまで真空及び活性化温度を維持することと、
ｅ）反応槽を室温前後まで冷却することと、
ｆ）反応槽に約１気圧の圧力まで不活性ガスを充填することと、
ｇ）ジイソプロピルアミンを反応槽に添加することと、
ｈ）反応槽を約−７８℃〜約−１４０℃の温度まで冷却することと、
ｉ）トリシランを反応器に添加することと、
ｊ）反応器を約７５℃〜約２００℃の温度まで加熱することと、
ｋ）加熱した反応混合物を撹拌することと、
ｌ）圧力の上昇が止まるまで反応容器内の圧力をモニタリングすることと、
ｍ）反応器を室温前後まで冷却することと、
ｎ）揮発性物質を約−１４０℃〜約−１９６℃の温度まで冷却したクライオトラップ内で捕捉することと、
ｏ）圧力の低下が止まるまで反応容器内の圧力をモニタリングすることと、
ｐ）ジイソプロピオアミノジシランを反応容器から回収することと、
を含む。工程ａ）の触媒が活性化されている場合、工程ｂ〜工程ｅは省略される。

実施例５． Ｓｉ_３Ｈ_８＋（^ｉＰｒ）_２ＮＨ＝（^ｉＰｒ）_２ＮＳｉ_３Ｈ_７＋Ｈ_２の合成

市販のルテニウム／炭素によって触媒されるトリシラン及びジイソプロピルアミンから加圧反応器内でハロゲン無含有ジイソプロピルアミノトリシラン（ＤＩＰＡＴＳ）を合成する方法は以下を含む。機械撹拌器、熱電対、圧力計及び圧力変換器及び３つの絞り弁を備える０．３Ｌ容のオートクレーブに、６ｇ（ルテニウム０．００３ｍｍｏｌ）の５重量％ルテニウム／炭素触媒を投入した。次いで、反応器を１２５℃、動的真空下で３時間加熱した。室温まで冷却した後、反応器に１ａｔｍのヘリウムを充填し、密封し、マニホールドから外し、グローブボックス内に入れた。グローブボックス内で２０．７（０．２０５ｍｏｌ）のジイソプロピルアミンを添加した。次いで、反応器をグローブボックスから取り出し、マニホールドに再接続し、液体窒素浴内で−１３０℃まで冷却した。４０ｇのトリシラン（０．４３３ｍｏｌ）を、マニホールドを通して反応器に移した。次いで、反応器を１００℃まで加熱した。４００ｒｐｍで２３時間撹拌した後、反応器をＲＴ（室温）まで冷却した。揮発性物質をＳＳＬＢ（ステンレス鋼レクチャーボトル）内でクライオトラップした。反応槽の圧力は２０Ｔｏｒｒまで低下した。ジイソプロピルアミノトリシランを反応容器から回収した。反応溶液は１１．４９ｇのＤＩＰＡＴＳを含有していた。非単離収率は２９％であった。

一置換及び二置換複素環アミノトリシランを本明細書に記載の方法によって調製することができる。方程式２は一置換複素環アミノシランを表し、方程式３は二置換複素環（heterocyclic）アミノシランを表す。
２． Ｓｉ_３Ｈ_８＋Ｒ^ＡＮＨ＝Ｒ^ＡＮＳｉ_３Ｈ_７＋Ｈ_２
３． Ｓｉ_３Ｈ_８＋２Ｒ^ＡＮＨ＝（Ｒ^ＡＮ）_２Ｓｉ_３Ｈ_６＋２Ｈ_２
ここで、Ｒ^Ａはアジリジン、アゼチジン、ピペリジン、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール及びインドール等の環状第二級アミンである。

上記方程式２及び方程式３は、それぞれ一置換及び二置換複素環トリシランを形成する反応を説明する。一置換化合物を表１に示す。二置換トリシランは、表１中の二置換の例のように３番目のＳｉ原子に結合した第２のアミノ複素環基を有する。

二置換アミノトリシランは方程式４に示されるように形成される。
４． Ｒ^１Ｓｉ_３Ｈ_７＋２Ｒ^２Ｒ^３ＮＨ＝Ｒ^２Ｒ^３ＮＳｉ_３Ｈ_６ＮＲ^２Ｒ^３＋２Ｈ_２
ここで、Ｒ^１＝Ｈであり、Ｒ^２＝Ｈ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルであり、Ｒ^３はＨ、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルである。アミノトリシランの非限定的な例は表１に示される。

実施例６の塩素無含有ジイソプロピルアミノシランを合成する無溶媒方法は、
ａ）触媒を反応槽に添加することと、
ｂ）動的真空を反応槽に適用することと、
ｃ）反応槽を加熱して、触媒を活性化することと、
ｄ）触媒が活性化されるまで真空及び活性化温度を維持することと、
ｅ）反応槽を室温前後まで冷却することと、
ｆ）反応槽に約１気圧の圧力まで不活性ガスを充填することと、
ｇ）ジイソプロピルアミンを反応槽に添加することと、
ｈ）反応槽を約−７８℃〜約−１４０℃の温度まで冷却することと、
ｉ）トリシランを反応器に添加することと、
ｊ）反応器を約７５℃〜約２００℃の温度まで加熱することと、
ｋ）加熱した反応混合物を撹拌することと、
ｌ）圧力の上昇が止まるまで反応容器内の圧力をモニタリングすることと、
ｍ）反応器を室温前後まで冷却することと、
ｎ）揮発性物質を約−１４０℃〜約−１９６℃の温度まで冷却したクライオトラップ内で捕捉することと、
ｏ）圧力の低下が止まるまで反応容器内の圧力をモニタリングすることと、
ｐ）ジイソプロピルアミノシランを反応容器から回収することと、
を含む。工程ａ）の触媒が活性化されているか又は活性化を必要としない場合、工程ｂ〜工程ｅは省略される。

実施例６． ジイソプロピルアミノシラン（^ｉＰｒ）_２ＮＳｉＨ_３の合成：
（^ｉＰｒ）_２ＮＨ＋ＳｉＨ_４＝（^ｉＰｒ）_２ＮＳｉＨ_３＋Ｈ_２

市販のルテニウム／炭素によって触媒されるシラン及びジイソプロピルアミンから加圧反応器内で塩素無含有ジイソプロピルアミノシラン（ＤＩＰＡＳ）を合成する方法は以下を含む。機械撹拌器、熱電対、圧力計及び圧力変換器及び３つの絞り弁を備える０．３Ｌ容のオートクレーブに、６ｇ（ルテニウム０．００３ｍｍｏｌ）の５重量％ルテニウム／炭素触媒を投入する。次いで、反応器を１２５℃、動的真空下で３時間加熱する。室温まで冷却した後、反応器に１ａｔｍのヘリウムを充填し、密封し、マニホールドから外し、グローブボックス内に入れる。グローブボックス内で２０．７（０．２０５ｍｏｌ）のジイソプロピルアミンを添加する。次いで、反応器をグローブボックスから取り出し、マニホールドに再接続し、液体窒素浴内で−１３０℃まで冷却する。２０ｇのトリシラン（０．６２５ｍｏｌ）を、マニホールドを通して反応器に移す。次いで、反応器を１５０℃まで加熱する。４００ｒｐｍで２３時間撹拌した後、反応器をＲＴまで冷却する。揮発性物質をＳＳＬＢ内でクライオトラップする。反応槽の圧力は約４５Ｔｏｒｒまで低下する。ジイソプロピオアミノシランを反応容器から回収する。

ビス（ジイソプロピルアミノ）ジシランを合成する方法であって、
ａ）活性化触媒、ジイソプロピルアミン及びジシランを反応槽に添加することと、
ｂ）任意に溶媒を反応槽に添加することと、
ｃ）反応槽を約２５℃〜約３００℃の温度まで加熱することと、
ｄ）反応を進行させることと、
ｅ）非反応材料、副生成物及び水素をビス（ジイソプロピルアミノ）ジシランから分離することと、
ｆ）ビス（ジイソプロピルアミノ）ジシランを回収することと、
を含む、方法。

（Ｒ^２Ｒ^３Ｎ）_ｍＳｉＲ^４ _２−ｍ−ＳｉＲ^５ _２−ｍ（ＮＲ^２Ｒ^３）（式中、Ｒ^２＝Ｈ、
直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル及びＲ_３＝Ｈ、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルであり、Ｒ_４＝Ｈ、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルであり、Ｒ_５＝Ｈ、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖又は分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルであり、ｍ＝０、１又は２である）を合成する方法であって、
ａ）活性化触媒、Ｒ^２Ｒ^３ＮＨ及びＨＳｉＲ^４ _２−ｍ−ＳｉＲ^５ _２−ｍＨを反応槽に添加することと、
ｂ）任意に溶媒を反応槽に添加することと、
ｃ）反応槽を約２５℃〜約３００℃の温度まで加熱することと、
ｄ）反応を進行させることと、
ｅ）非反応材料、副生成物及び水素を生成物から分離することと、
ｆ）生成物を回収することと、
を含む、方法。

ハロゲン塩副生成物を形成することなくゲルマニウム−ヘテロ原子結合を有する化合物を合成する方法を開発した。ゲルマン及びホスフィン等の反応物を活性化触媒の存在下で合わせ、加熱してハロゲン無含有トリゲルマンホスフィン（trigermanephosphine）を生成する。一般反応を以下の方程式に示す：
ＰＨ_３＋３ＧｅＨ_４＝Ｐ（ＧｅＨ_３）_３＋３Ｈ_２

反応は溶媒中又は溶媒なしで行うことができる。
トリゲルマンホスフィンＰ（ＧｅＨ_３）_３の合成はによって表される

実施例８ トリシリルホスフィンの合成：
ＰＨ_３＋３ＧｅＨ_４＝Ｐ（ＧｅＨ_３）_３＋３Ｈ_２

トリゲルマンホスフィンを合成する方法であって、
ａ）活性化触媒、ホスフィン及びゲルマンを反応槽に添加することと、
ｂ）任意に溶媒を反応槽に添加することと、
ｃ）反応槽を約２５℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させることと、
ｅ）非反応材料、副生成物及び水素をトリゲルマンホスフィンから分離することと、
ｆ）トリゲルマンホスフィンを回収することと、
を含む、方法。

ジイソプロピオアミノゲルマンを合成する方法であって、
ａ）活性化触媒、イソプロピルアミン及びゲルマンを反応槽に添加することと、
ｂ）任意に溶媒を反応槽に添加することと、
ｃ）反応槽を約２５℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させることと、
ｅ）非反応材料、副生成物及び水素をジイソプロピオアミノゲルマンから分離することと、
ｆ）ジイソプロピオアミノゲルマンを回収することと、
を含む、方法。

シリルアミジネート
式：

［（Ｒ^１Ｎ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２）（ＳｉＨ_２Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋１）］
（式中、ｎ＝１〜５であり、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択される）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＨＮ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２（アミジン）及びＳｉＨ_３Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋１を遷移金属触媒の存在下で接触させ、ＳｉＨ_３Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋１とＲ^１ＨＮ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２とのモル比が少なくとも１：１である反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させ、［（Ｒ^１Ｎ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２）（ＳｉＨ_２Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋１）］を形成することと、
ｅ）生成物［（Ｒ^１Ｎ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２）（ＳｉＨ_２Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋１）］を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

実施例７． 市販のルテニウム／炭素によって触媒されるジシラン及びＮ，Ｎ’−ビス（イソプロピル）エタンイミドアミドからの加圧反応器内での塩素及びアミノ塩素無含有Ｎ，Ｎ’−ビス（イソプロピル）エタンイミドアミダトジシランの無溶媒合成。
機械撹拌器、熱電対、圧力計及び圧力変換器及び３つの絞り弁を備える０．３Ｌ容のオートクレーブに、６ｇ（ルテニウム０．００３ｍｍｏｌ）の５重量％ルテニウム／炭素触媒を投入する。次いで、反応器を１２５℃、動的真空下で３時間加熱する。室温まで冷却した後、反応器に１ａｔｍのヘリウムを充填し、密封し、マニホールドから外す。グローブボックス内で２９．１ｇ（０．２０５ｍｏｌ）のＮ，Ｎ’−ビス（イソプロピル）エタンイミドアミドを添加する。次いで、反応器をグローブボックスから取り出し、マニホールドに再接続し、液体窒素浴内で−１３０℃まで冷却する。３０ｇのジシラン（０．４５３ｍｏｌ）を、マニホールドを通して反応器に移す。次いで、反応器を１００℃〜１５０℃まで加熱する。反応混合物を約４００ｒｐｍで約２時間〜２４時間撹拌すると、圧力は約１００ｐｓｉまで上昇する。次いで、反応器をＲＴまで冷却する。揮発性物質をＳＳＬＢ内でクライオトラップする。反応槽の圧力は約４５Ｔｏｒｒまで低下する。Ｎ，Ｎ’−ビス（イソプロピル）エタンイミドアミダトシランを反応容器から回収する。

式：

［（Ｒ^１Ｎ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２）（Ｒ^４Ｎ（ＣＲ^６）＝ＮＲ^５）（ＳｉＨ_２Ｓｉ_ｎＨ_２ｎＳｉＨ_２）］
（式中、ｎ＝０〜４であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６は独立して直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルケニル、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_８アルキニル、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルエーテル、シリル、トリメチルシリル、又は直鎖若しくは分岐Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル置換シリルからなる群から選択される）を有する化合物を作製する方法であって、
ａ）反応物Ｒ^１ＨＮ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２（アミジン）及びＳｉＨ_３Ｓｉ_ｎＨ_２ｎＳｉＨ_３を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させ、［（Ｒ^１Ｎ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２）（ＳｉＨ_２Ｓｉ_ｎＨ_２ｎＳｉＨ_３）］を形成することと、
ｅ）Ｒ^４ＨＮ（ＣＲ^６）＝ＮＲ^５を反応混合物に添加することと、
ｆ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｇ）反応を進行させ、［（Ｒ^１Ｎ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２）（Ｒ^４Ｎ（ＣＲ^６）＝ＮＲ^５）（ＳｉＨ_２Ｓｉ_ｎＨ_２ｎＳｉＨ_２）］を形成することと、
ｈ）生成物［（Ｒ^１Ｎ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２）（Ｒ^４Ｎ（ＣＲ^６）＝ＮＲ^５）（ＳｉＨ_２Ｓｉ_ｎＨ_２ｎＳｉＨ_２）］を反応混合物から分離することと、
を含み、反応温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、方法。

Ｒ^１ＨＮ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２がＲ^４ＨＮ（ＣＲ^６）＝ＮＲ^５と同じである場合、生成物は［（Ｒ^１Ｎ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２）_２（ＳｉＨ_２Ｓｉ_ｎＨ_２ｎＳｉＨ_２）］となる。

アミジンの添加順序は基Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６の性質に応じて変化し得る。第２のアミジンの添加は別個に行うことができ、したがってシリルアミジネート［（Ｒ^１Ｎ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２）（ＳｉＨ_２Ｓｉ_ｎＨ_２ｎＳｉＨ_３）］を単離及び／又は精製し、続いてＲ^４ＨＮ（ＣＲ^６）＝ＮＲ^５を遷移金属触媒の存在下で接触させ、［（Ｒ^１Ｎ（ＣＲ^３）＝ＮＲ^２）（Ｒ^４Ｎ（ＣＲ^６）＝ＮＲ^５）（ＳｉＨ_２Ｓｉ_ｎＨ_２ｎＳｉＨ_２）］を形成することができる。

式：

を有する２つの異なるアミンを有するアミノシランの合成のための連続アミン添加であって、
ａ）反応物Ｒ^１Ｒ^２ＮＨ及びＥ_ｋＨ_{（２（ｋ＋１））}を遷移金属触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
ｂ）任意に溶媒を反応混合物に添加することと、
ｃ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｄ）反応を進行させて、（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎ１Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋１）−ｎ１）}を形成することと、
ｅ）Ｒ^３Ｒ^４ＮＨを反応混合物に添加することと、
ｆ）反応混合物を約０℃〜約３００℃の温度に維持することと、
ｇ）反応を進行させて、（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎ１（Ｒ^３Ｒ^４Ｎ）_ｎ２Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋１）−ｎ１−ｎ２）}を形成することと、
ｈ）（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎ１（Ｒ^３Ｒ^４Ｎ）_ｎ２Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋１）−ｎ１−ｎ２）}を反応混合物から分離することと、
を含み、反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、反応混合物の温度が約０℃を下回らず、約３００℃を超えないように維持される、連続アミン添加。

アミンの添加順序は基Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４の性質に応じて変化し得る。第２のアミンの添加は別個に行うことができ、したがってアミノシラン（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎ１Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋１）−ｎ１）}を単離及び／又は精製し、続いてＲ^３Ｒ^４ＮＨを遷移金属触媒の存在下で接触させ、（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎ１（Ｒ^３Ｒ^４Ｎ）_ｎ２Ｅ_ｋＨ_{（２（ｋ＋１）−ｎ１−ｎ２）}を形成することができる。

実施例９． ジイソプロピルアミノジエチルアミノジシラン合成：

ジイソプロピルアミノジエチルアミノジシランを、市販のルテニウム／炭素によって触媒されるジシラン、ジイソプロピルアミン及びジエチルアミン間の反応により加圧反応容器内で合成する。図１に示されるような機械撹拌器、熱電対、圧力計及び圧力変換器及び３つの絞り弁を備える０．３Ｌ容のオートクレーブ（反応槽）に、６ｇ（ルテニウム０．００３ｍｍｏｌ）の５重量％ルテニウム／炭素触媒を投入する。次いで、反応器を１２５℃、動的真空下で３時間加熱して、触媒を活性化する。室温まで冷却した後、反応器に１気圧（「ａｔｍ」）の圧力のヘリウムを充填し、密封し、マニホールドから外す。グローブボックス内で２０．７ｇ（０．２０５ｍｏｌ）のジイソプロピルアミンを反応器に添加
する。反応器をグローブボックスから取り出し、マニホールドに再接続し、液体窒素浴内で−１３０℃まで冷却する。３０ｇ（０．４５３ｍｏｌ）のジシランを、マニホールドを通して反応器に移す。反応器を約１５０℃まで加熱する。反応器の内容物を約４００ｒｐｍで約５時間撹拌すると、反応器の圧力は約１６０ｐｓｉ上昇する。反応器をＲＴまで冷却する。揮発性物質をステンレス鋼レクチャーボトル（「ＳＳＬＢ」）内でクライオトラップする。反応槽の圧力は約４５Ｔｏｒｒまで低下する。反応器をグローブボックスに戻し、開ける。１５．０ｇ（０．２０５ｍｏｌ）のジエチルアミンを混合物に添加する。次いで、反応器を約３０℃〜約１５０℃の温度に加熱する。反応器を約４００ｒｐｍで約２時間〜２４時間撹拌する。圧力は約１６０ｐｓｉまで上昇する。揮発性物質をステンレス鋼レクチャーボトル（「ＳＳＬＢ」）内でクライオトラップする。反応槽の圧力は約２５Ｔｏｒｒ〜４５Ｔｏｒｒまで低下する。ジイソプロピルアミノジエチルアミノジシランを反応槽から回収する。

アミンの添加順序は逆にすることができる。

本発明のアミノシランは、蒸着法の前駆体として使用する。開示の前駆体を蒸着法に使用する方法を本明細書に開示する。開示の方法はケイ素含有膜の堆積への前駆体の使用をもたらす。開示の方法は半導体、光起電、ＬＣＤ−ＴＦＴ又はフラットパネル型のデバイスの製造に有用であり得る。この方法は、開示の前駆体の蒸気を少なくとも１つの基板が中に配置された反応器に導入することと、蒸着プロセスを用いて開示の前駆体の少なくとも一部を基板上に堆積させ、Ｓｉ含有層を形成することと、を含む。

開示の方法は、蒸着プロセスを用いた基板上でのバイメタル含有層の形成、より具体的にはＳｉＭＮ_ｘ膜及びＳｉＭＯ_ｘ膜（ここで、ｘは０〜４である）並びにＳｉＭＯ_ｘＮ_ｙ膜（ここで、ｘ＋ｙは０〜４であり、ＭはＴａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｂ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、ランタニド（Ｅｒ等）又はそれらの組合せの群の金属である）の堆積ももたらす。ＳｉＭＯ_ｘ、ＳｉＭＯ_ｘ又はＳｉＭＯ_ｘＮ_ｙの一般用語は、Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｍ）の範囲が約５％〜約９５％の様々な相対濃度のＳｉ及びＭを包含する。

ケイ素含有層を基板上に形成する開示の方法は半導体、光起電、ＬＣＤ−ＴＦＴ又はフラットパネル型のデバイスの製造に有用であり得る。開示の前駆体により、当該技術分野で既知の任意の蒸着法を用いてＳｉ含有膜を堆積させることができる。好適な蒸着法の例としては、化学蒸着（ＣＶＤ）又は原子層堆積（ＡＬＤ）が挙げられる。例示的なＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ、プラズマ促進ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、パルスＣＶＤ（ＰＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、減圧ＣＶＤ（ＳＡＣＶＤ）又は大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、ホットワイヤＣＶＤ（熱線を堆積プロセスのエネルギー源とするｃａｔ−ＣＶＤとしても知られるＨＷＣＶＤ）、リモートプラズマＣＶＤ（ＲＰ−ＣＶＤ）、ＵＶ支援ＣＶＤ、流動性ＣＶＤ（ＦＣＶＤ）、ラジカル援用（radicals incorporated）ＣＶＤ及びそれらの組合せが挙げられる。例示的なＡＬＤ法としては、熱ＡＬＤ、プラズマ支援ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）、空間隔離ＡＬＤ、ホットワイヤＡＬＤ（ＨＷＡＬＤ）、ラジカル援用ＡＬＤ、ＵＶ支援ＡＬＤ及びそれらの組合せが挙げられる。超臨界流体堆積を用いてもよい。開示の方法は、Applied Materials, Inc.の米国特許出願公開第２０１４／００５１２６４号（その内容全体が引用することにより本明細書の一部をなすものとする）に記載の流動性ＰＥＣＶＤ堆積プロセスに用いることもできる。堆積法は好ましくはＡＬＤ、空間ＡＬＤ、ＰＥ−ＡＬＤ又は流動性ＣＶＤ（Ｆ−ＣＶＤ）である。

前駆体の蒸気を少なくとも１つの基板の入った反応チャンバに導入する。反応チャンバ内の温度及び圧力並びに基板の温度は、基板上への前駆体の少なくとも一部の蒸着に好適な条件に保持される。言い換えると、蒸発前駆体をチャンバに導入した後、チャンバ内の
条件を蒸発前駆体の少なくとも一部が基板に堆積し、ケイ素含有膜を形成するようにする。Ｓｉ含有層の形成を助けるために共反応物を使用してもよい。共反応物は前駆体と同時に又は別個に順次に導入することができ、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｏラジカル及びイオン、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、ＣＯ_２、ＣＯ、カルボン酸、ホルマリン、アルコール、ジオール、ＮＨ_３、ヒドラジン（置換又は非置換、ＵＤＭＨ、テルブチルヒドラジン（terbutylhydrazine）等）、アミン（ＤＭＡ、ＴＭＡ、ＤＥＡ、ＴＥＡ、ＴＢ、ＮＨ_２等）、ジアミン、Ｎラジカル及びイオン、Ｈ_２、並びにそれらの混合物から選択される。

反応チャンバは、限定されるものではないが平行板型反応器、コールドウォール型反応器、ホットウォール型の反応器、単一ウエハー反応器、マルチウエハー反応器、又は空間ＡＬＤチャンバ、ロールツーロールＡＬＤチャンバ等のこのようなタイプの他の堆積システムのような堆積法が行われるデバイスの任意のエンクロージャ又はチャンバであり得る。これらの例示的な反応チャンバは全て、ＡＬＤ反応チャンバとすることが可能である。反応チャンバは約１ｍＴｏｒｒ〜約７６０Ｔｏｒｒの範囲の圧力に維持され得る。加えて、反応チャンバ内の温度は約２０℃〜約６００℃の範囲であり得る。所望の結果を達成するために単なる実験により温度を最適化することができることが当業者に認識される。

反応器の温度は基板ホルダーの温度を制御するか、反応器壁の温度を制御するか、又は基板自体の温度を制御することによって制御することができる。基板の加熱に用いられるデバイスは当該技術分野で既知である。反応器壁は、所望の膜を十分な成長速度並びに所望の物理状態及び組成で得るのに十分な温度に加熱される。反応器壁を加熱することができる非限定的な例示的な温度範囲としては、およそ２０℃〜およそ６００℃が挙げられる。プラズマ堆積プロセスを利用する場合、堆積温度はおよそ２０℃〜およそ５５０℃の範囲であり得る。代替的には、熱プロセスを行う場合、堆積温度はおよそ２００℃〜およそ６００℃の範囲であり得る。

代替的には、基板は所望のケイ素含有膜を十分な成長速度並びに所望の物理状態及び組成で得るのに十分な温度に加熱することができる。基板を加熱することができる非限定的な例示的な温度範囲としては１５０℃〜６００℃が挙げられる。基板の温度を５００℃以下に保つのが好ましい。

ケイ素含有膜を堆積させる基板のタイプは最終使用目的に応じて異なる。基板は概して、プロセスが行われる材料と規定される。基板は半導体、光起電、フラットパネル又はＬＣＤ−ＴＦＴデバイスの製造に使用される任意の好適な基板であり得る。好適な基板の例としては、ケイ素、シリカ、ガラス、Ｇｅ又はＧａＡｓウエハー等のウエハーが挙げられる。ウエハーは先の製造工程により異なる材料を堆積させた１つ又は複数の層を有し得る。例えば、ウエハーはケイ素層（結晶性、非晶質、多孔質等）、酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、酸窒化ケイ素層、炭素ドープ酸化ケイ素（ＳｉＣＯＨ）層、多孔質炭素ドープ酸化ケイ素層、炭窒化ケイ素、水素化（hydrogenerated）炭化ケイ素又はそれらの組合せを含み得る。さらに、ウエハーは銅層、タングステン層又は金属層（例えば白金、パラジウム、ニッケル、ロジウム、金、コバルト、ゲルマニウム、アンチモン、テルル、スズ、ルテニウム及びそれらの合金）を含み得る。ウエハーはマンガン、酸化マンガン、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｇ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ及びＲｕの窒化物等の障壁層を含み得る。窒化物はＣドープ窒化物であってもよい。ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）［ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ］等のプラスチック層を使用してもよい。膜はフォトレジスト層、非晶質炭素層又はポリイミド膜等の有機膜上に堆積させることができる。層は平面又はパターン化であり得る。一部の実施形態では、基板は、ＭＩＭ、ＤＲＡＭ、ＲＥＲＡＭ、相変化ＲＡＭ又はＦｅＲａｍ技術において誘電材料として使用される酸化物の層（例えば、Ｚｒ、Ｈｇ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、ランタニド、希土類元素、及びそれらの混合三元酸化物又は二元酸化物）、又は銅と低ｋ層との間の接着
障壁として使用される窒化物ベース膜（例えばＴａＮ）を含み得る。開示のプロセスにより、ケイ素含有層をウエハー上に直接、又はウエハー上部の１つ若しくは２つ以上の層上に直接（パターン化層が基板を形成する場合）堆積することができる。さらに、本明細書で使用される「膜」又は「層」という用語が表面上に配置又は塗布された或る材料の厚さを指し、表面がホール及びトレンチ又はライン等の３Ｄパターン又は微細構造を有し得ることが当業者に認識される。堆積は基板上の特定の領域に対して選択的であるか、又は幾つかの露出材料に対して選択的であり得る。例えば、自己整合単分子層（「ＳＡＭ」）で覆われた基板の幾つかの部分で成長を阻害してもよい。本明細書及び特許請求の範囲の全体を通して、ウエハー及びその上の任意の関連層は基板と称される。

開示の前駆体は、純粋な（neat）形態又はトルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、デカン、ドデカン、オクタン、ヘキサン、ペンタン、第三級アミン、テトラヒドロフラン、エチルメチルケトン、デカリン等の好適な溶媒とのブレンドで供給することができる。開示の前駆体は様々な濃度で溶媒中に存在し得る。例えば、得られる濃度はおよそ０．０５Ｍ〜およそ２Ｍの範囲であり得る。

純粋な又はブレンドした前駆体はチューブ及び／又は流量計等の従来の手段によって蒸気形態で反応器に導入される。蒸気形態の前駆体は、純粋な又はブレンドした前駆体の溶液をバブリング、蒸気吸引等の従来の気化工程によって、又はXu et alの国際公開第２００９／０８７６０９号に開示されるもののような昇華装置を使用して気化することによって生成することができる。純粋な又はブレンドした前駆体は液体状態で気化器に供給し、そこで気化させた後、反応器（直接的な液体注入）に導入することができる。存在する場合、キャリアガスとしてＡｒ、Ｈｅ、Ｎ_２又はＨ_２及びそれらの混合物を挙げることができるが、これらに限定されない。次いで、キャリアガス及び前駆体を蒸気として反応器に導入する。

必要に応じて、容器を前駆体がその液相又は固相中に存在し、十分な蒸気圧を有することを可能にする温度まで加熱してもよい。容器は例えば０℃〜１５０℃の範囲の温度に維持することができる。容器の温度を、気化させた前駆体の蒸気圧及びプロセスチャンバにおける濃度を制御する既知の方法で調整することができることが当業者に認識される。

蒸着法によって得られる膜をアニーリング、反応性アニーリング、ＵＶ硬化、電子線硬化及びラジカルアニーリング等の様々な方法で更に処理することができる。膜の組成及び構造はこの工程の影響を顕著に受ける可能性がある。

本発明の性質を説明するために本明細書に記載及び例示された詳細、材料、工程及び部品配置について多くの更なる変更を、当業者が添付の特許請求の範囲に表される本発明の原理及び範囲内で行うことができることを理解されたい。よって、本発明は、上記に挙げられる実施例及び／又は添付の図面における具体的な実施形態に限定されることが意図されるものではない。

上記の説明は多くの特異性を有するが、これらは本発明の範囲を限定するものではなく、単に現在好ましい本発明の実施形態の幾つかの実例を提示するものと解釈される。様々な他の実施形態及び派生形態（ramifications）がその範囲で可能である。本発明の性質を説明するために本明細書に記載及び例示された詳細、材料、工程及び部品配置について多くの更なる変更を、当業者が添付の特許請求の範囲に表される本発明の原理及び範囲内で行うことができることを理解されたい。

Claims (4)

1. 式、Ｈ_３Ｓｉ−ＳｉＨ_２−ＳｉＨ_２−ＮｉＰｒ_２で表される、ハロゲン無含有及びアミノハロゲン化物無含有の化合物。
2. 式、Ｈ_３Ｓｉ−ＳｉＨ_２−ＳｉＨ_２−ＮＢｕ_２で表される、ハロゲン無含有及びアミノハロゲン化物無含有の化合物。
3. 式、Ｈ _３ Ｓｉ−ＳｉＨ _２ −ＳｉＨ _２ −ＮｉＰｒ _２ で表される化合物を作製する方法であって、
   ａ）反応物Ｓｉ_３Ｈ_８及び（ｉＰｒ） _２ ＮＨを炭素支持体に支持されたルテニウム触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
   ｂ）任意に溶媒を前記反応混合物に添加することと、
   ｃ）前記反応混合物を０℃〜３００℃の温度に維持することと、
   ｄ）反応を進行させて、前記式、Ｈ _３ Ｓｉ−ＳｉＨ _２ −ＳｉＨ _２ −ＮｉＰｒ _２ で表される化合物を形成することと、
   ｅ）前記式、Ｈ _３ Ｓｉ−ＳｉＨ _２ −ＳｉＨ _２ −ＮｉＰｒ _２ で表される化合物を前記反応混合物から分離することと、
   を含み、前記反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、前記反応混合物の温度が０℃を下回らず、３００℃を超えないように維持される、方法。
4. 式、Ｈ _３ Ｓｉ−ＳｉＨ _２ −ＳｉＨ _２ −ＮＢｕ _２ で表される化合物を作製する方法であって、
   ａ）反応物Ｓｉ_３Ｈ_８及びＢｕ _２ ＮＨを炭素支持体に支持されたルテニウム触媒の存在下で接触させ、反応混合物を形成することと、
   ｂ）任意に溶媒を前記反応混合物に添加することと、
   ｃ）前記反応混合物を０℃〜３００℃の温度に維持することと、
   ｄ）反応を進行させて、前記式、Ｈ _３ Ｓｉ−ＳｉＨ _２ −ＳｉＨ _２ −ＮＢｕ _２ で表される化合物を形成することと、
   ｅ）前記式、Ｈ _３ Ｓｉ−ＳｉＨ _２ −ＳｉＨ _２ −ＮＢｕ _２ で表される化合物を前記反応混合物から分離することと、
   を含み、前記反応混合物の温度は合成中に変動し得るが、前記反応混合物の温度が０℃を下回らず、３００℃を超えないように維持される、方法。

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