JP2004179196A - 化学気相成長法によるシリコン窒化物系絶縁膜の製造方法および製造装置 - Google Patents
化学気相成長法によるシリコン窒化物系絶縁膜の製造方法および製造装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】少なくとも1つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内にモノシリルアミン、ジシリルアミン、および炭素フリーかつ塩素フリーのシラザン化合物からなる群の中から選ばれた少なくとも1種の前駆体ガスとアンモニアガスを供給することにより両ガスを反応させ、基板上にシリコン窒化物系絶縁膜を形成させる。酸素供給源ガスをさらに反応チャンバに導入することにより、シリコンオキシ窒化物膜が得られる。シリコンオキシ窒化物膜を形成する場合には、ジアミノシランをも前駆体ガスとして使用することができる。
【選択図】 なし
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学気相成長(CVD)法によるシリコン窒化物系絶縁膜の製造方法および製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコン窒化物膜は、優れたバリヤー特性、耐酸化特性等を有するので、マイクロ電子デバイスを製造するに際し、例えば、エッチストップ層、バリヤー層、ゲート絶縁層、酸化物/窒化物スタック等に使用されている。
【0003】
シリコン窒化物膜を形成するために現在主として採用されている方法は、プラズマエンハーンストCVD(PECVD)法と低圧CVD(LPCVD)法である。
【0004】
PECVD法は、通常、シリコン源(通常、シラン)と窒素源(通常、アンモニア、最近では、窒素)とを一対の平行平板電極間に導入し、低温(ほぼ300℃)、低圧(1mTorr〜1Torr)の下で、両電極間に高周波エネルギーを印加してシリコン源と窒素源からプラズマを発生させるものである。発生したプラズマ中の活性シリコン種と活性窒素種が相互に反応してシリコン窒化物膜を生成する。PECVD法によりこのように得られるシリコン窒化物膜は、通常、化学量論的組成を持たず、しかも水素リッチなものである。したがって、このシリコン窒化物膜は、膜密度が低いものとなり、また段差被覆性も劣り、エッチ速度が速く、熱安定性に劣る。
【0005】
LPCVD法は、低圧(0.1〜2Torr)と高温(700〜900℃)を使用するものであり、PECVD法により生成するシリコン窒化物膜に比べて品質の優れたシリコン窒化物膜が得られる。一般に、LPCVD法では、現在、ジクロロシランとアンモニアガスを反応させてシリコン窒化物を得ている。しかしながら、このLPCVD法では、ジクロロシランとアンモニアガスとの反応により塩化アンモニウムが副生し、この塩化アンモニウムが反応装置の排気ライン内に蓄積し、これを閉塞し、また、ウエハ上にも堆積するという問題がある。
【0006】
これらの問題を解決しようとして、塩素を含まないシリコン窒化物前駆体を使用する方法が提案されている(例えば、非特許文献1および非特許文献2参照)。また、特許文献1および特許文献2には、所定のハロゲン化シランとアンモニアまたはヒドラジン化合物を予め反応させてガス状反応混合物を生成し、その際副生した塩化アンモニウムをガス状反応混合物から除去した後、所定のCVD反応に供して窒化ケイ素膜を製造する方法、および塩素を含有しないシラン化合物を用いて窒化ケイ素膜を製造する方法を開示している。
【0007】
【非特許文献1】
Grow et al., Mater. Lett. 23, 187, 1995
【0008】
【非特許文献2】
Levy et al., J. Mater. Res., 11, 1483, 1996
【0009】
【特許文献1】
特開2000−80476号公報
【0010】
【特許文献2】
米国特許第6365231号明細書
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上記非特許文献1および非特許文献2に記載された方法に使用されている前駆体は、アルキルシランおよびアルキルアミノシランであるが、これらの前駆体は、炭素を含有している。したがって、これらを単独でまたはアンモニアとともに使用した場合、生成したシリコン窒化物膜中に炭化シリコンや遊離炭素が混入し、膜の絶縁性を低下させるといわれている。
【0012】
このような問題は、シリコン窒化物膜と同等の物性および用途を有するシリコンオキシ窒化物膜を上記従来の前駆体を用いて製造する場合にも生じる。
【0013】
また、上記特許文献1および特許文献2では、生成する窒化ケイ素膜への炭素の混入については考慮が払われておらず、使用するアミノシラン等のシラン化合物には、炭化水素基を含有するものも含まれている。また、上記特許文献1および特許文献2においてハロゲン化シランとアンモニアまたはヒドラジン化合物の反応により生成するガス状反応混合物は、種々の反応生成物ガスの混合物である。
【0014】
従って、本発明は、塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、しかも炭素系汚染質を膜内に混入させずに、シリコン窒化物系絶縁膜をCVD法により製造するための方法および装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、モノシリルアミン、ジシリルアミンおよび/または炭素フリーかつ塩素フリーのシラザン、さらには、ジアミノシランは、塩素と炭素を含まないばかりか、特定の窒素含有ガス、さらには酸素含有ガスと反応し、良好な品質のシリコン窒化物系絶縁膜を生成させることを見いだした。その際、反応チャンバの下流側に反応副生成物は観測されなかった。本発明はこれらの知見に基づく。
【0016】
すなわち、本発明の第1の側面によれば、少なくとも1つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内にモノシリルアミン、ジシリルアミン、および炭素フリーかつ塩素フリーのシラザン化合物からなる群の中から選ばれた少なくとも1種の前駆体ガスとアンモニアガスを供給することにより両ガスを反応させ、該少なくとも1つの基板上にシリコン窒化物系絶縁膜を形成させることを特徴とする化学気相成長法によるシリコン窒化物系絶縁膜の製造方法が提供される。
【0017】
本発明の第2の側面によれば、少なくとも1つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内にモノシリルアミン、ジシリルアミン、ジアミノシラン、および炭素フリーかつ塩素フリーのシラザン化合物からなる群の中から選ばれた少なくとも1種の前駆体ガスとアンモニアガスと酸素含有ガスを供給することによりこれらガスを反応させ、該少なくとも1つの基板上にシリコン窒化物系絶縁膜を形成させることを特徴とする化学気相成長法によるシリコン窒化物系絶縁膜の製造方法が提供される。
【0018】
本発明の第3の側面によれば、少なくとも1つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内にモノシリルアミン、ジシリルアミン、ジアミノシラン、および炭素フリーかつ塩素フリーのシラザン化合物からなる群の中から選ばれた少なくとも1種の前駆体ガスと、酸素および窒素の双方を構成元素として含有するガスとを供給することにより両ガスを反応させ、該少なくとも1つの基板上にシリコン窒化物系絶縁膜を形成させることを特徴とする化学気相成長法によるシリコン窒化物系絶縁膜の製造方法が提供される。
【0019】
本発明の第4の側面によれば、モノシリルアミンおよびジシリルアミンからなる群の中から選ばれた少なくとも1種の前駆体ガスとアンモニアガスおよび任意的に酸素源ガスが供給され、これらガスの反応により少なくとも1つの基板上にシリコン窒化物系絶縁膜が形成される化学気相成長用反応チャンバと、該前駆体ガスがハロゲン化シランガスとアンモニアガスとの反応により合成される前駆体ガス合成チャンバと、前記前駆体合成チャンバ内の前駆体ガスを該前駆体ガス合成チャンバ内における圧力よりも低い圧力で該化学気相成長用チャンバに導入するように構成された減圧機構を備えることを特徴とするシリコン窒化物系絶縁膜の製造装置が提供される。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をより詳しく説明する。
【0021】
本発明は、CVD法によりシリコン窒化物系絶縁膜を基板上に形成するための方法に関する。本発明により製造されるシリコン窒化物系絶縁膜には、シリコン窒化物膜およびシリコンオキシ窒化物膜が含まれる。以下の記述において、シリコン窒化物およびシリコンオキシ窒化物を総称してシリコン(オキシ)窒化物ということがある。
【0022】
本発明において、シリコン(オキシ)窒化物の前駆体として特定の化合物が使用される。
【0023】
本発明に使用されるシリコン窒化物の前駆体は、モノシリルアミン(MSA)、ジシリルアミン(DSA)および/または炭素フリーかつ塩素フリーの(すなわち、炭素と塩素の双方を含有しない)シラザンからなる。シリコンオキシ窒化物膜を製造する際には、その前駆体として、ジアミノシランをも使用することができる。すなわち、本発明において、シリコンオキシ窒化物の前駆体は、モノシリルアミン、ジシリルアミン、炭素フリーかつ塩素フリーのシラザンおよび/またはジアミノシランからなる。
【0024】
炭素フリーかつ塩素フリーのシラザンには、式H(−SiH2 NH−)n H(ここで、nは1以上の整数)で示される鎖式シラザンが含まれる。鎖式シラザンを示す式におけるnの値の上限は、CVDの条件(特に、温度および圧力)下で当該鎖式シラザンが気化し得るという条件により制限され、通常、5以下である。
【0025】
特に好ましいシリコン(オキシ)窒化物の前駆体は、MSAおよびDSAである。
【0026】
本発明の1つの実施の形態により、シリコン窒化物膜を製造するためには、少なくとも1つの基板(特に、シリコン基板等の半導体基板)を収容した化学気相成長用反応チャンバ(以下、「CVD反応チャンバ」という)内に、上記前駆体ガスとアンモニアガス、および必要により不活性希釈ガスを供給し、前駆体ガスとアンモニアガスを反応させて基板上にシリコン窒化物膜を生成させる。
【0027】
上記前駆体ガスとアンモニアガスの反応に際しては、CVD反応チャンバ内を0.1Torrから1気圧までの圧力下に維持することができる。また、この反応は、一般に、1000℃以下の反応温度で行うことができる。しかしながら、300℃以下の反応温度では、シリコン窒化物はほとんど生成しない。従って、前駆体ガスとアンモニアガスの反応は、通常、300℃〜1000℃の反応温度で行われる。好ましい態様では、このCVD反応は、0.1Torr〜2Torrの圧力、600℃〜800℃の温度下に行われる。
【0028】
本明細書で、CVD反応温度とは、通常シリコン(オキシ)窒化物が形成される基板、もしくは基板近傍の温度を意味する。
【0029】
また、アンモニアガスと前駆体ガスは、通常、アンモニアガスの前駆体ガスに対する流量比(NH3/前駆体ガス流量比)が4以上の状態でCVD反応チャンバ内に供給される。このNH3/前駆体ガス流量比が、500を超えても、シリコン窒化物を生成させることができるが、一般に、500を超えるNH3/前駆体ガス流量比は、経済的でない。
【0030】
なお、CVD反応チャンバに必要により導入する希釈ガスとしては、不活性ガス(アルゴンのような希ガス類、あるいは窒素等)を用いることができる。
【0031】
本発明によりシリコンオキシ窒化物膜を基板上に形成するためには、上記シリコンオキシ窒化物の前駆体ガスおよびアンモニアガスと必要により導入する希釈ガス(シリコン窒化物膜の製造に関して上に説明した希釈ガスと同種のガス)に加えて、少なくとも1種の酸素源ガスをCVD反応チャンバに供給する。この酸素源ガスは、炭素および塩素フリーのものであることが好ましく、酸素(O2)、オゾン(O3)、水蒸気(H2O)、過酸化水素(H2O2)、一酸化窒素(NO)、二酸化窒素(NO2)および酸化二窒素(N2O)からなる群の中から選ばれる酸素含有ガスであり得る。
【0032】
シリコン窒化物膜の製造に関して説明した圧力、温度およびガス流量比条件の下で、シリコンオキシ窒化物前駆体ガス、アンモニアガス、および酸素源ガスを反応させることにより、シリコンオキシ窒化物膜を基板上に形成することができる。
【0033】
なお、酸素源ガスが酸素および窒素の双方を構成元素として含有するガス(以下、酸素・窒素含有ガスという)である場合、アンモニアガスを別途導入しなくてもよい。そのような酸素・窒素含有ガスは、一酸化窒素(NO)、二酸化窒素(NO2)および酸化二窒素(N2O)からなる群の中から選ぶことができる。
【0034】
酸素源ガスは、シリコンオキシ窒化物前駆体ガスに対する流量比(酸素源ガス/シリコンオキシ窒化物前駆体ガス流量比)が0.1〜100となるようにCVD反応チャンバに導入することができる。
【0035】
本発明の前駆体は炭素も塩素も含有しないので、アンモニアとの反応に際し、従来問題となっていた塩化アンモニウムを副生させず、また生成したシリコン(オキシ)窒化物膜は炭素系物質によって汚染されることもない。加えて、本発明によれば、実用上満足し得る段差被覆性をもってシリコン(オキシ)窒化物膜を形成することができる。ここで、段差被覆率は、段差部での最小膜厚を平坦部における膜厚で除した値として定義することができる。本発明によれば、例えばアスペクト比が10の開口に対してもほぼ0.7〜0.8程度の段差被覆率が達成できる。
【0036】
ところで、本発明の1つの実施の形態によりシリコン(オキシ)窒化物膜を製造する場合であって、前駆体ガスとしてMSAガスおよび/またはDSAガス(以下、MSA/DSAガスという)を使用するときは、MSA/DSAガスとして、予めアンモニアガスあるいは不活性希釈ガスで希釈された状態で準備され、密閉容器等に収容された状態のものを使用することができるが、MSA/DSAガスは不安定であるので、これら前駆体ガスを現場で合成しながら、CVDチャンバに供給することが好ましい。
【0037】
MSA/DSAガスを現場で合成するためには、合成チャンバ内に、アンモニアと反応してMSA/DSAガスを生成するハロゲン化シラン、好ましくはジクロロシラン、モノクロロシラン、モノブロモシランおよびモノヨードシランからなる群の中から選ばれる少なくとも1種のハロゲン化シランをアンモニアガスとともに導入する。その際、これら反応ガスとともに、CVD反応チャンバ内に導入する不活性希釈ガスを合成チャンバ内に導入することができる。
【0038】
アンモニアガスとハロゲン化シランガスを合成チャンバに導入する際、合成チャンバ内圧力を30〜100Torrの圧力に維持し、温度50℃〜650℃で両ガスを反応させることができる。この場合、アンモニアのハロゲン化シラン対するモル比を10以上に設定すると実質的にモノシリルアミンからなる前駆体ガスが得られる。アンモニアの前記ハロゲン化シラン対するモル比を(1+x)(ここで、xは、前記ハロゲン化シラン中のハロゲン元素の数)近傍に設定すると実質的にジシリルアミンからなる前駆体ガスが得られる。同様なモル比で、圧力が高く(300Torr以上)、温度が高い(200℃以上)条件で反応を行うと、実質的にトリシリルアミンからなる前駆体ガスが得られる。MSA/DSAガス生成反応の際、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、ヨウ化アンモニウム等のハロゲン化アンモニウム粉体(固体物質)が副生するが、フィルターあるいはトラップ等の粉体除去器(除去機構)により、CVD反応チャンバに導入する前にこれらを除去することができる。こうして、ハロゲン化アンモニウムが除去されたMSA/DSAガスを含有するアンモニアガスまたは不活性希釈ガス(以下、MSA/DSA含有ガスという)は、圧力調整器で圧力を減圧調整してCVD反応チャンバに導入することができる。
【0039】
アンモニアガスとハロゲン化シランガスは、合成チャンバに入る前に混合されないことが好ましい。アンモニアガスとハロゲン化シランガスが合成チャンバに入る前に混合されると、合成チャンバに至る上流の配管等に固体副生成物が堆積し、閉塞するおそれが高くなる。また、上に述べたように、アンモニアガスとハロゲン化シランガスとのモル比によって合成される前駆体が異なるので、アンモニアガスとハロゲン化シランガスは、それぞれ流量を制御して互いに独立に合成チャンバ内に供給することが好ましい。
【0040】
また、アンモニアガスとハロゲン化シランガスを合成チャンバに供給する際、合成チャンバの入口部において、アンモニア流がハロゲン化シランの流束の外周を取り囲むように両反応ガスを合成チャンバ内に導入することが好ましいことがわかった。合成チャンバ内にハロゲン化シランガスの導入管とアンモニアガスの導入管を離した状態で挿入すると、ハロゲン化シランガスの導入管が閉塞し、アンモニアと反応して生成する固体副生成物の量が多くなり、所望の前駆体ガスの収率も不安定となる傾向がみられる。
【0041】
さらに、現場合成されたMSA/DSA含有ガスは、CVD反応チャンバに安定に供給するためには、これら前駆体ガスを一旦貯蔵チャンバに貯蔵し、その貯蔵チャンバからCVD反応チャンバに導入することが好ましいことがわかった。
【0042】
MSAとDSAは、アンモニアを介して平衡関係にあり、DSAは、アンモニアと共存すると、MSAに変換する。このことから、MSAは、アンモニアとの共存下に貯蔵することが好ましいことがわかる。しかしながら、MSAは、アンモニアとともに液化させると、シランとポリシラザンに変換する。したがって、MSAは、アンモニアと共存させるとともに、液化しない条件下で保存することが望ましい。
【0043】
他方、DSAは、アンモニアとともに液化させると、MSAと同様、シランとポリシラザンに変換する。また、DSAは、単独で液化させると、徐々にトリシリルアミンに変換する。したがって、貯蔵に際しては、DSAは、アンモニアと共存させず、また、液化させない条件下に置くことが望ましい。DSAは、36℃の沸点を有する。
【0044】
MSA/DSA含有ガスの貯蔵に際しては、貯蔵チャンバへの貯蔵量を増大させるため、合成チャンバから流出するMSA/DSA含有ガスを1000Torrの圧力まで加圧して貯蔵することが好ましい。そのためには、合成チャンバと貯蔵チャンバを接続する配管ラインにコンプレッサ等の加圧器を設置することができる。
【0045】
上にも述べたように、前駆体ガスに占めるMSAとDSAガスの比率は、合成時のアンモニアガスとハロゲン化シランガスの流量比を制御することにより制御することができる。あるいは、上にも述べたように、MSAとDSAがアンモニアを介して平衡関係にあるため、合成チャンバ内で実質的にDSAを主成分とするガスを合成してからアンモニアを添加して平衡にすることにより、前駆体ガスに占めるMSAとDSAガスの比率を制御することができる。DSAは、MSAと比較して高温で安定的に合成できるために、シリコン(オキシ)窒化物膜の成膜速度を速めようとするときに特に使用することができる。他方、MSAは、アンモニアとのCVD反応により段差被覆性のより優れたシリコン(オキシ)窒化物膜を生成させる。したがって、求めるシリコン(オキシ)窒化物膜の成長速度や段差被覆率に応じて、合成時のアンモニアとハロゲン化シランガスの流量比を制御することによって、所望のガスを主成分とする前駆体ガスを合成するか、あるいは合成チャンバ内でDSAを主に含有するガスを合成した後、アンモニアを添加してMSAの比率を増加させることができる。なお、この後者のMSAとDSAの比率の制御は、一旦合成ガスを貯蔵チャンバに収容し、その一部を密閉チャンバ(変換チャンバ)に収容し、この変換チャンバにアンモニアガスをその量を制御して導入することによって行うことが好ましい。なお、MSA/DSAガスにアンモニアガスを混合した場合、その系が平衡に達するまでには、室温では、数日要するので、変換チャンバには、その内部を加熱するための加熱器(加熱機構)を設けることが好ましい。変換チャンバは、100℃〜300℃に加熱することができる。
【0046】
上述のように、モノシリルアミンとアンモニアをガス状態で予め混合し(特に貯蔵チャンバ内で)、この混合物を前記反応チャンバ内に供給することができるが、ジシリルアミンは不活性ガスと予め混合し、その混合物をCVD反応チャンバ内に供給することができる。
【0047】
本発明の1つの実施の形態に係るMSA/DSAガスの現場合成設備を備えたシリコン(オキシ)窒化物膜の製造装置は、以後詳述する図1にも示すように、CVD反応チャンバと、前駆体ガス合成チャンバと、前駆体合成チャンバ内の前駆体ガスを前駆体ガス合成チャンバ内における圧力よりも低い圧力でCVD反応チャンバに導入するように構成された減圧機構を備えることが好ましい。上に述べたように、合成チャンバは、比較的高圧にあることが好ましく、CVD反応チャンバは比較的低圧にあることが好ましいので、減圧機構を設けることにより、合成チャンバ内で合成された前駆体ガスをCVD反応に好ましい低圧でCVD反応チャンバに供給することができる。減圧機構は、背圧調整器および/または流量調整器等により構成することができる。
【0048】
また、以後詳述する図2にも示すように、合成チャンバとCVD反応チャンバとの間に、前記前駆体ガスを気体状態で貯蔵する貯蔵チャンバをさらに設け、かつ合成チャンバからの前駆体ガスを加圧して前記貯蔵チャンバに供給するように構成された加圧機構をさらにもうけることができる。
【0049】
加えて、以後詳述する図3にも示すように、貯蔵チャンバとCVD反応チャンバとの間に、貯蔵チャンバから導入された前駆体ガスがアンモニアによりそのモノシリルアミンとジシリルアミンの比率が制御される変換チャンバをさらに設けることができる。
【0050】
上記態様において、CVDチャンバに導入するアンモニアガスと貯蔵チャンバに導入することがある(前駆体がMSAの場合)アンモニアガスとは、以下の図2および図3にも示すように、それぞれ独立に流量を制御して当該チャンバに導入されるようにすることが好ましい。CVD反応におけるアンモニアガス量と貯蔵チャンバにおけるアンモニアガス量とはその最適値が異なることがあるからである。
【0051】
図1は、MSA/DSAガスを用いてシリコン(オキシ)窒化物膜の製造方法を実施するために好適なシリコン(オキシ)窒化物膜の製造装置の一例を示すブロック図である。図1に示す装置は、MSA/DSAガスの現場合成設備を備える。
【0052】
図1に示す製造装置10は、CVD反応チャンバ11とMSA/DSAガスの現場合成チャンバ21を備える。製造装置10は、さらに、CVD反応チャンバ11と合成チャンバ21に供給されるアンモニアガスの供給源12、必要によりCVD反応チャンバ11および/または合成チャンバ21に供給される不活性希釈ガスの供給源13、およびアンモニアと反応してMSA/DSAガスを生成する上記ハロゲン化シランガスの供給源22を備える。シリコンオキシ窒化物膜を製造する場合には、製造装置10は、酸素源ガスの供給源14をさらに備えることができる。いいかえると、シリコン窒化物膜を製造する場合には、酸素源ガスの供給系(酸素源ガス供給源14、その供給ラインL3、流量調整器MFC3)は不要である。
【0053】
CVD反応チャンバ11内には、サセプタ111が設けられ、その上にシリコン基板等の半導体基板112が載置されている(図1に示す装置は枚葉式であるため、サセプタ111上に載置された半導体基板の数は1枚である)。サセプタ111内には半導体基板112を所定のCVD反応温度に加熱するための加熱器113が設けられている。バッチ式装置の場合、CVD反応チャンバ内に収容される半導体基板の数は、数枚〜250枚である。バッチ式装置においては、加熱器は、枚葉式装置の加熱器と異なる構成のものであってもよい。
【0054】
合成チャンバ21の周りには、合成チャンバ21内の温度を所定の合成反応温度に加熱するための加熱器211が設けられている。
【0055】
アンモニアガス供給源12は、アンモニアを液化して収容する密閉容器からなる。アンモニアガスは、その供給源12から、アンモニアガス供給ラインL1を通って、CVD反応チャンバ11内に導入される。ラインL1には、開閉弁V1とその後流に流量調整器、例えばマスフローコントローラMFC1が設けられている。アンモニアガスは、マスフローコントローラMFC1により所定の流量に調整されてCVD反応チャンバ11内に導入される。
【0056】
アンモニアガス供給源12には、CVD反応チャンバ11への供給ラインL1に加えて、合成チャンバ21への供給ラインL21がさらに設けられている。この供給ラインL21には、開閉弁V21とその後流に流量調整器、例えばマスフローコントローラMFC21が設けられている。アンモニアガスは、マスフローコントローラMFC21により所定の流量に調整されて合成チャンバ21内に導入される。
【0057】
ハロゲン化シランガスの供給源22は、ハロゲン化シランガスを収容する密閉容器からなる。ハロゲン化シランガスは、その供給源22から、供給ラインL22を通って、合成チャンバ21内に導入される。供給ラインL22には、開閉弁V22とその後流に流量調整器、例えばマスフローコントローラMFC22が設けられている。ハロゲン化シランガスは、マスフローコントローラMFC22により所定の流量に調整されて合成チャンバ21内に導入される。
【0058】
不活性希釈ガスの供給源13は、不活性希釈ガスを収容する密閉容器からなる。不活性希釈ガスは、必要に応じて、その供給源13から、不活性希釈ガス供給ラインL2を介してCVD反応チャンバ11内に導入される。供給ラインL2には、開閉弁V2とその後流に流量調整器、例えばマスフローコントローラMFC2が設けられている。不活性ガスは、マスフローコントローラMFC2により所定の流量に調整されてCVD反応チャンバ11内に導入される。
【0059】
不活性希釈ガス供給源13には、CVD反応チャンバ11への供給ラインL2に加えて、合成チャンバ21への供給ラインL23がさらに設けられている。この供給ラインL23には、開閉弁V23とその後流に流量調整器、例えばマスフローコントローラMFC23が設けられている。不活性希釈ガスガスは、マスフローコントローラMFC23により所定の流量に調整されて合成チャンバ21内に導入される。
【0060】
シリコンオキシ窒化物膜を製造する際に使用される酸素源ガスの供給源14は、酸素源ガスを収容する密閉容器からなる。酸素源ガスは、その供給源14から、酸素源ガス供給ラインL3を通って、CVD反応チャンバ11内に導入される。ラインL3には、開閉弁V3とその後流に流量調整器、例えばマスフローコントローラMFC3が設けられている。酸素源ガスは、マスフローコントローラMFC3により所定の流量に調整されてCVD反応チャンバ11内に導入される。
【0061】
合成チャンバ21の出口は、ラインL24によりCVD反応チャンバ11に接続されている。ラインL24には、合成チャンバ21内で副生した粉末状ハロゲン化アンモニウムを除去するための粉体トラップ23とその後流に背圧調整器BPR1が設けられている。背圧調整器BPR1は、合成チャンバ21内の圧力を所定の圧力に維持するものであり、例えば、背圧調整弁やバタフライ弁を用いることができる。合成チャンバ21で生成したMSA/DSAガスは、副生した塩化アンモニウムが粉体トラップ23で除去され、背圧調整器BPR1によりやや減圧されてCVD反応チャンバ11に入る。
【0062】
また、CVD反応チャンバ11の出口は、ラインL4により廃ガス処理装置15に接続されている。廃ガス処理装置15は、副生成物および未反応物質等を除去するものであって、この廃ガス処理装置15により清浄化されたガスが系外に排出される。ラインL4には、圧力センサーPG、背圧調整器BPR1と同様の背圧調整器BPR2、および真空ポンプPMが接続されている。CVD反応チャンバ11への各ガスの導入はそれぞれのMFCにより行われ、CVD反応チャンバ11内の圧力は、圧力センサーPGによりモニターされ、背圧調整器BPR2の開閉制御とポンプPMの駆動により、所定の圧力値に設定される。
【0063】
なお、シリコンオキシ窒化物膜を製造する場合であって、使用する酸素源ガスが酸素・窒素含有ガスであるときには、上に述べたことから明らかなように、アンモニアガス供給系(アンモニアガス供給源12、およびその附属部材(弁V1、MFC1、ラインL1))を設けることなく、シリコンオキシ窒化物膜を製造することができる。
【0064】
図2は、MSA/DSAガスの現場合成設備に加えて、これら前駆体ガスを貯蔵するための貯蔵チャンバを備えたシリコン(オキシ)窒化物膜の製造装置の一例を示すブロック図である。図2において、図1に示す要素と同様の要素には、同じ符号が付されており、その詳細については、図1に関して説明した通りである。
【0065】
図2に示す装置において、合成チャンバ21からのMSA/DSAガスは、ラインL24を通り、粉体トラップ23および背圧調整器BPR1を介して貯蔵チャンバ31に導入される。貯蔵チャンバ31におけるMSA/DSAガスの貯蔵量を増大させるために、上記のようにこれらガスを加圧するための加圧器、例えばコンプレッサCMPを背圧調整器BPR1と貯蔵チャンバ31との間の位置においてラインL24に設けることが好ましい。貯蔵チャンバ31には、貯蔵チャンバ31内のガス圧力を測定するための圧力センサPG31を設けることができる。
【0066】
アンモニアラインL1には、貯蔵チャンバ31に連通する分岐ラインL31を設けることができる。この分岐ラインL31には、開閉弁V31とその後流に流量調整器、例えばマスフローコントローラMFC31が設けられている。貯蔵チャンバ31内に貯蔵される前駆体ガスがMSAガスである場合、より安定化させるためにアンモニアガス源12からのアンモニアガスを分岐ラインL31からマスフローコントローラMFC31により流量を調整して貯蔵チャンバ31内に導入することができる。貯蔵チャンバ31内に貯蔵される前駆体ガスがDSAガスである場合には、アンモニアガスを導入しないので、開閉弁V31を閉じるか、あるいは分岐ラインL31を設ける必要がない。いずれの場合にも、貯蔵チャンバ31内の貯蔵ガスは、上に説明したように、ガス状態で貯蔵することが好ましい。必要に応じて、貯蔵チャンバ31を好適な加熱器(図示せず)で加熱してもよい。貯蔵チャンバ内のガス組成は分析器ANLによって定量される。
【0067】
貯蔵チャンバ31内の前駆体ガスは、ラインL32を通ってCVD反応チャンバ11に供給される。このラインL32には、開閉弁V32、その後流に流量調整器例えばマスフローコントローラMFC32が設けられている。貯蔵チャンバ31内の前駆体ガスは、開閉弁V32を開放することにより、マスフローコントローラMFC32により流量が調整されてCVD反応チャンバ11内に供給される。CVD反応チャンバ11内に前駆体ガスをマスフローコントローラMFC32で安定的に供給するために、貯蔵チャンバ31中の前駆体ガスの圧力を圧力センサPG31で測定して、ある一定以上(望ましくは、300Torr以上)に保つ必要がある。
【0068】
図3は、MSA/DSAガスの現場合成設備と、MSA/DSAガスの貯蔵チャンバと、MSA/DSA変換チャンバを備えたシリコン(オキシ)窒化物膜の製造装置の一例を示すブロック図である。図3において、図1および図2に示す要素と同様の要素には、同じ符号が付されており、その詳細については、図1および図2に関して説明した通りである。
【0069】
図3に示す装置において、貯蔵チャンバ31内の前駆体ガスは、ラインL41を通ってMSA/DSA変換チャンバ41内に導入される。ラインL41には、開閉弁V41が設けられ、その後流には、貯蔵チャンバ31からの前駆体ガスの流量を調整するために流量制御弁、例えばニードル弁NV41が設けられている。変換チャンバ41に導入される前駆体ガスの量は、変換チャンバ41に設けた圧力センサPG41で測定する。
【0070】
アンモニアラインL1には、MSA/DSA変換チャンバ41に連通する第2の分岐ラインL42が設けられている。この分岐ラインL42には、開閉弁V42と、その後流に流量制御弁、例えばニードル弁NV42が設けられている。アンモニアガス源12からラインL1および分岐ラインL42を通るアンモニアガスは、ニードル弁NV42により流量を制御しながらMSA/DSA変換チャンバ41内に導入される。上に説明したように、MSA/DSA変換チャンバ41内に導入されるアンモニアガスの割合を変えることにより、それに応じて、MSA/DSA変換チャンバ41内のMSA/DSA比を変えることができるので、添加するアンモニアガスの量は圧力センサPG41で測定しながらニードル弁NV42で制御する。なお、MSA/DSA変換チャンバ41内のMSA/DSA平衡を短時間に達成するために、MSA/DSA変換チャンバ41の周りに加熱器411を設け、MSA/DSA変換チャンバ41内を加熱することが好ましい。変換チャンバ41内のMSAあるいはDSAの最終濃度は、分析器ANL41で定量する。
【0071】
MSA/DSA変換チャンバ41内の前駆体ガスは、ラインL43を通ってCVD反応チャンバ11に供給される。このラインL43には、分析器ANL41に加えて、その後流に開閉弁V43、およびその後流に流量調整器例えばマスフローコントローラMFC43が設けられている。MSA/DSA変換チャンバ41内の前駆体ガスは、開閉弁V43を開放することにより、マスフローコントローラMFC43により流量が調整されてCVD反応チャンバ11内に供給される。
【0072】
上に記載したように、アンモニアガスとハロゲン化シランガスを合成チャンバに供給する際、合成チャンバの入口部において、アンモニア流がハロゲン化シランの流束の外周を取り囲むように両反応ガスを合成チャンバ内に導入することが好ましい。そのためには、図1〜図3に示す装置において、その合成チャンバ21の入口に二重管を設けることが好ましい。すなわち、図4に示すように、合成チャンバ21(加熱器211は省略している)の入口ポートに、内側管51と、この内側管51の外径よりも大きな内径を有し、内側管51を取り囲むように設けられた外側管52により構成される二重管50を気密に挿入することができる。この二重管50は、合成チャンバ21の内部にまで挿通されている。合成チャンバ21の内部において、内側管51は、外側管52よりも長く延出している。
【0073】
内側管52内には、図1〜図3に示すハロゲン化シラン源22からライン22を通るハロゲン化シランガスと、必要に応じて不活性希釈ガス源13からラインL23を通る不活性ガスが供給され、外側管51内にはアンモニアガス源12からラインL21を通るアンモニアガスが供給される。こうして、アンモニア流がハロゲン化シランの流束の外周を取り囲むようにして両ガスが合成チャンバ内に導入される。
【0074】
【実施例】
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。本発明の実施例を説明する前に、各種実験例を説明する。
【0075】
実験例1
本実験例では、図1に示すような、アンモニアガスの供給源12に接続され、開閉弁V21およびマスフローコントローラMFC21を備えたラインL21と、ハロゲン化シランガスの供給源22に接続され、開閉弁V22およびマスフローコントローラMFC22を備えたラインL22と、不活性希釈ガスの供給源13に接続され、開閉弁V23およびマスフローコントローラMFC23を備えたラインL23とが接続され、加熱器211を備えた合成チャンバを使用した。この合成チャンバ21の出口側には、図1に示すような粉体トラップ23と背圧調整弁BPR1を設け、粉体トラップ23と背圧調整器BPR1の間に圧力センサを設け、また背圧調整器BPR1の後流に真空ポンプと廃ガス処理装置を設けた。
【0076】
合成チャンバ内を約7Torrの圧力に維持しながら、ジクロロシランガスを5sccmの流量で、アンモニアガスを30sccmの流量で、および窒素ガスを20sccmの流量で真空チャンバ内に供給し、25〜85℃の温度でジクロロシランとアンモニアを反応させて各温度におけるMSAの収率をフーリエ変換赤外分光(FTIR)法で測定した。25℃におけるMSAの収率を1とした場合の各温度の相対的収率を図5に示す。
【0077】
実験例2
本実験例では、実験例1と同様の構成の合成チャンバを用いた。
合成チャンバ内を10Torrの圧力に維持しながら、ジクロロシランガスを5sccmの流量で、アンモニアガスを50sccmの流量で真空チャンバ内に供給し、500〜750℃の温度でジクロロシランとアンモニアを反応させて各温度におけるMSAの収率をFTIR法で測定した。500℃におけるMSAの収率を1とした場合の各温度の相対的収率を図6に示す。図6からわかるように、MSAの収率は、650℃を超えると低下する。
【0078】
実験例3
本実験例では、実験例1と同様の構成の合成チャンバを用いた。
合成チャンバ内を5.5Torrの圧力に維持しながら、ジクロロシランガスを60sccmの流量で、アンモニアガスを180〜1000sccmの流量で、窒素ガスを100sccmの流量で真空チャンバ内に供給し、室温でジクロロシランとアンモニアを反応させて各アンモニア分圧におけるMSAの濃度(MSA/(MSA+DSA)をFTIR法で測定した。結果を図7に示す。図7からわかるように、MSA濃度は、アンモニアの分圧に依存して変化する。
【0079】
実験例4
真空引きした気密チャンバ内に少量のDSAを窒素ガスで希釈したガスのある量を導入し、室温で、気密チャンバ内の全圧が大気圧になるまでアンモニアガスを添加数日間平衡に達するまで静止した後、気密チャンバ内のシリルアミン(MSA+DSA)総量におけるMSAとDSAの割合をFTIR法で測定した。添加するアンモニア量を変え、(MSA+DSA)総量におけるMSAとDSAの割合を、気密チャンバ内のアンモニアの組成比(窒素とアンモニアの合計量に対するアンモニアの割合)をプロットした。結果を図8に示す。図8からわかるように、シリルアミンに対するアンモニアガスの量を変化させることにより、MSA/DSA比を制御することができる。
【0080】
次に、本発明の実施例を示す。
【0081】
実施例1
本実施例では、図1に示す構造の製造装置(ただし、酸素源ガス供給系を持たない)を用いた。CVD反応チャンバ内には、アスペクト比(深さ/径)が10のトレンチ(径:0.6μm)を形成したシリコン基板を収容した。
【0082】
合成チャンバ内を30Torrの圧力および650℃の温度に維持しながら、DCSガスを5sccmの流量で、アンモニアガスを50sccmの流量で供給した。粉体トラップの後流において合成チャンバ流出ガスの組成を質量スペクトルで分析した。分析結果を図9に示す。この分析結果からわかるように、合成チャンバ内で合成されたガスは、ほとんどがMSAからなり、少量のDAS(ジアミノシラン)を含有していた。この合成チャンバ流出ガスをその圧力を調整した後直接下記条件のCVD反応チャンバ内に導入した。
【0083】
CVD反応チャンバ内圧力:1Torr
CVD反応温度:750℃。
【0084】
こうして得られたシリコン窒化物膜は、Si0.75Nの組成を有することがオージェ分光法により確認された。このときのシリコン窒化物膜の堆積(成長)速度は、37Å/分であった。得られたシリコン窒化物膜には、オージェ分光法により、炭素も塩素も検出されなかった。また、得られたシリコン窒化物膜の段差被覆率をSEM観察により測定したところ、0.7であった。
【0085】
実施例2
本実施例では、図1に示す構造の製造装置(ただし、酸素源ガス供給系を持たない)を用いた。CVD反応チャンバ内には、シリコン基板を収容した。
【0086】
合成チャンバ内を30Torrの圧力および650℃の温度に維持しながら、DCSガスを6sccmの流量で、アンモニアガスを15sccmの流量で、および窒素ガスを70sccmの流量で供給した。粉体トラップの後流において合成チャンバ流出ガスの組成を質量スペクトルで分析した。分析結果を図10に示す。この分析結果からわかるように、合成チャンバ内で合成されたガスは、実質的にDSAからなるものであった。この合成チャンバ流出ガスをその圧力を調整した後直接下記条件のCVD反応チャンバ内に導入した。
【0087】
CVD反応チャンバ内圧力:1Torr
CVD反応温度:750℃。
【0088】
こうして得られたシリコン窒化物膜は、Si0.75Nの組成を有することがオージェ分光法により確認された。このときのシリコン窒化物膜の堆積(成長)速度は、25Å/分であった。得られたシリコン窒化物膜には、オージェ分光法により、炭素も塩素も検出されなかった。
【0089】
実施例3
本実施例では、図2に示す構造の製造装置(ただし、酸素源ガス供給系を持たない)を用いた。CVD反応チャンバ内には、シリコン基板を収容した。
【0090】
合成チャンバ内を50Torrの圧力および室温に維持しながら、DCSガスを10sccmの流量で、アンモニアガスを3100sccmの流量で供給した。この合成チャンバ流出ガス(実質的にMSAガスからなる)を貯蔵チャンバ(室温、コンプレッサで700Torrまで加圧)に貯蔵した。貯蔵後、貯蔵チャンバ内の貯蔵ガスを50sccmの流量で下記条件のCVD反応チャンバ内に導入した。
【0091】
貯蔵ガス流量:50sccm
CVD反応チャンバ内圧力:1.5Torr
CVD反応チャンバへの供給窒素ガス流量:10sccm
CVD反応温度:780℃。
【0092】
こうして得られたシリコン窒化物膜は、Si0.75Nの組成を有することがオージェ分光法により確認された。このときのシリコン窒化物膜の堆積(成膜)速度は、60Å/分であった。得られたシリコン窒化物膜には、オージェ分光法により、炭素も塩素も検出されなかった。
【0093】
実施例4
本実施例では、図2に示す構造の製造装置(ただし、酸素源ガス供給系を持たない)を用いた。CVD反応チャンバ内には、シリコン基板を収容した。
【0094】
合成チャンバ内を50Torrの圧力および室温に維持しながら、DCSガスを100sccmの流量で、アンモニアガスを270sccmの流量で、窒素ガスを20sccmの流量で供給した。この合成チャンバ流出ガス(実質的にDSAガスからなる)を貯蔵チャンバ(室温、コンプレッサで700Torrまで加圧)に貯蔵した。貯蔵後、貯蔵チャンバ内の貯蔵ガスを22.7sccmの流量で下記条件のCVD反応チャンバ内に導入した。
【0095】
CVD反応チャンバ内圧力:1Torr
CVD反応チャンバへの供給アンモニアガス流量:20sccm
CVD反応温度:650℃。
【0096】
こうして得られたシリコン窒化物膜は、Si0.78Nの組成を有することがオージェ分光法により確認された。このときのシリコン窒化物膜の堆積(成膜)速度は、21Å/分であった。得られたシリコン窒化物膜には、オージェ分光法により、炭素も塩素も検出されなかった。
【0097】
実施例5
本実施例では、図1に示す構造の製造装置(ただし、酸素源ガス供給系を持たない)を用いた。CVD反応チャンバ内には、アスペクト比(深さ/径)が10のトレンチ(径:0.6μm)を形成したシリコン基板を収容した。
【0098】
合成チャンバ内を約30Torrの圧力および650℃の温度に維持しながら、DCSガスを10sccmの流量で、アンモニアガスを100sccmの流量で供給した。粉体トラップの後流において合成チャンバ流出ガスの組成を質量スペクトルで分析したところ、この合成チャンバ流出ガス中に含まれる前駆体ガスは、実質的にMSAガスからなるものであることが確認された。この合成チャンバ流出ガスをその圧力を調整した後直接CVD反応チャンバ内に導入した。CVD反応チャンバ内圧力は、1Torrに設定し、CVD反応温度を720℃〜775℃に設定し、各温度におけるシリコン窒化物膜の堆積(成膜)速度を測定した。結果を図11に示す。
【0099】
得られた各シリコン窒化物膜は、標準窒化ケイ素膜の組成を有することがオージェ分光法により確認された。なお、780℃で得られたシリコン窒化物膜の段差被覆率をSEM観察により測定したところ、約0.7であった。
【0100】
実施例6
本実施例では、図1に示す構造の製造装置(ただし、酸素源ガス供給系を持たない)を用いた。CVD反応チャンバ内には、アスペクト比(深さ/径)が10のトレンチ(径:0.6μm)を形成したシリコン基板を収容した。
【0101】
合成チャンバ内を約40Torrの圧力および650℃の温度に維持しながら、DCSガスを6sccmの流量で、アンモニアガスを15sccmの流量で、窒素ガスを100sccmの流量で供給した。粉体トラップの後流において合成チャンバ流出ガスの組成を質量スペクトルで分析したところ、この合成チャンバ流出ガス中に含まれる前駆体ガスは、実質的にDSAガスからなるものであることが確認された。この合成チャンバ流出ガスをその圧力を調整した後直接CVD反応チャンバ内に、流量20sccmのアンモニアガスとともに供給した。CVD反応チャンバ内圧力は、1Torrに設定し、CVD反応温度を680℃〜720℃に設定し、各温度におけるシリコン窒化物膜の堆積(成膜)速度を測定した。結果を図12に示す。
【0102】
得られた各シリコン窒化物膜は、標準窒化ケイ素膜の組成を有することがオージェ分光法により確認された。なお、700℃で得られたシリコン窒化物膜の段差被覆率をSEM観察により測定したところ、0.7〜0.8であった。
【0103】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、しかも炭素系汚染質を膜内に混入させずに、シリコン窒化物系絶縁膜をCVD法により製造するための方法および装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】MSA/DSAガスを用いてシリコン(オキシ)窒化物膜を製造するための装置の一例を示すブロック図。
【図2】MSA/DSAガスを用いてシリコン(オキシ)窒化物膜を製造するための装置の他の例を示すブロック図。
【図3】MSA/DSAガスを用いてシリコン(オキシ)窒化物膜を製造するための装置のさらに他の例を示すブロック図。
【図4】合成チャンバにアンモニアガスとハロゲン化ガスを供給するために使用される二重管構造を示す概略断面図。
【図5】MSAの収率と合成温度との関係を示すグラフ。
【図6】MSAの収率と合成温度との関係を示すグラフ。
【図7】MSAとDSAとの合計量に対するMSAの割合とアンモニアガス分圧との関係を示すグラフ。
【図8】シリルアミン総量中のMSAとDSAの割合とアンモニア組成比との関係を示すグラフ。
【図9】実施例1で合成した前駆体ガスの質量スペクトル図。
【図10】実施例2で合成した前駆体ガスの質量スペクトル図。
【図11】MSAを用いた場合のシリコン窒化物膜の成膜速度と成膜温度との関係を示すグラフ。
【図12】DSAを用いた場合のシリコン窒化物膜の成膜速度と成膜温度との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
10,20,30…シリコン(オキシ)窒化物膜の製造装置;11…CVD反応チャンバ;12…アンモニアガス供給源;13…不活性希釈ガス供給源;14…酸素源ガス供給源;15…廃ガス処理装置;21…MSA/DSAの合成チャンバ;22…ハロゲン化シランガス供給源;23…粉体トラップ;111…サセプタ;112…基板;113,211,411…加熱器;L1〜L5,L21〜L24…ガス供給ライン;V1〜V4,V21〜V23…開閉弁;PG…圧力センサ;MFC1〜MFC4,MFC21〜MFC23…マスフローコントローラ;BPR1,BPR2…背圧調整器;PM…真空ポンプ
Claims (19)
- 少なくとも1つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内にモノシリルアミン、ジシリルアミン、および炭素フリーかつ塩素フリーのシラザン化合物からなる群の中から選ばれた少なくとも1種の前駆体ガスとアンモニアガスを供給することにより両ガスを反応させ、該少なくとも1つの基板上にシリコン窒化物系絶縁膜を形成させることを特徴とする化学気相成長法によるシリコン窒化物系絶縁膜の製造方法。
- 少なくとも1つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内にモノシリルアミン、ジシリルアミン、ジアミノシラン、および炭素フリーかつ塩素フリーのシラザン化合物からなる群の中から選ばれた少なくとも1種の前駆体ガスとアンモニアガスと酸素含有ガスを供給することによりこれらガスを反応させ、該少なくとも1つの基板上にシリコン窒化物系絶縁膜を形成させることを特徴とする化学気相成長法によるシリコン窒化物系絶縁膜の製造方法。
- 前記酸素含有ガスが、O2、O3、H2O、H2O2、NO、NO2およびN2Oからなる群の中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 少なくとも1つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内にモノシリルアミン、ジシリルアミン、ジアミノシラン、および炭素フリーかつ塩素フリーのシラザン化合物からなる群の中から選ばれた少なくとも1種の前駆体ガスと、酸素および窒素の双方を構成元素として含有するガスとを供給することにより両ガスを反応させ、該少なくとも1つの基板上にシリコン窒化物系絶縁膜を形成させることを特徴とする化学気相成長法によるシリコン窒化物系絶縁膜の製造方法。
- 前記酸素および窒素の双方を構成元素として含有するガスが、NO、NO2およびN2Oからなる群の中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
- 前記シラザン化合物が、式H(−SiH2 NH−)n H(ここで、nは1以上の整数)で示される鎖式シラザンであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記モノシリルアミンまたはジシリルアミンが、ジクロロシラン、モノクロロシラン、モノブロモシランおよびモノヨードシランからなる群の中から選ばれる少なくとも1種のハロゲン化シランとアンモニアとの反応により合成され、この合成されたモノシリルアミンまたはジシリルアミンを前記前駆体として前記反応チャンバ内に供給することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記モノシリルアミンが、前記アンモニアと前記ハロゲン化シランを、前記アンモニアの前記ハロゲン化シラン対するモル比が10以上の条件で、加熱下に合成されることを特徴とする請求項7に記載の製造方法。
- 前記ジシリルアミンが、前記アンモニアと前記ハロゲン化シランを、前記アンモニアの前記ハロゲン化シラン対するモル比が(1+x)(ここで、xは、前記ハロゲン化シラン中のハロゲン元素の数)近傍にある条件で、加熱下に合成されることを特徴とする請求項7に記載の製造方法。
- 前記モノシリルアミンとアンモニアをガス状態で予め混合し、該混合物を前記反応チャンバ内に供給することを特徴とする請求項1ないし5並びに7および8のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記ジシリルアミンを不活性希釈ガスと予め混合し、該混合物を前記反応チャンバ内に存在させることを特徴とする請求項1ないし5並びに7および8のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記反応チャンバ内に不活性希釈ガスをも供給することを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1項に記載の製造方法。
- モノシリルアミンおよびジシリルアミンからなる群の中から選ばれた少なくとも1種の前駆体ガスとアンモニアガスおよび任意的に酸素源ガスが供給され、これらガスの反応により少なくとも1つの基板上にシリコン窒化物系絶縁膜が形成される化学気相成長用反応チャンバと、該前駆体ガスがハロゲン化シランガスとアンモニアガスとの反応により合成される前駆体ガス合成チャンバと、前記前駆体合成チャンバ内の前駆体ガスを該前駆体ガス合成チャンバ内における圧力よりも低い圧力で該化学気相成長用チャンバに導入するように構成された減圧機構を備えることを特徴とするシリコン窒化物系絶縁膜の製造装置。
- 前記合成チャンバと前記化学気相成長用反応チャンバとの間に、前記前駆体ガスを気体状態で貯蔵する貯蔵チャンバをさらに備え、かつ前記合成チャンバからの前駆体ガスを加圧して前記貯蔵チャンバに供給するように構成された加圧機構とをさらに備える請求項13または14に記載の装置。
- 前記貯蔵チャンバと前記化学気相成長用反応チャンバとの間に、前記貯蔵チャンバから導入された前記前駆体ガスがアンモニアによりそのモノシリルアミンとジシリルアミンの比率が制御される変換チャンバをさらに備える請求項14に記載の装置。
- 前記変換チャンバに、該変換チャンバを加熱するように構成された加熱機構を備える請求項15に記載の装置。
- 前記合成チャンバからの前駆体ガス中の固体物質を除去するように構成された除去機構をさらに備える請求項13ないし16のいずれか1項に記載の装置。
- 前記合成チャンバの入口ポートに、内側管と、この内側管を囲むように配置された二重管が挿通され、該内側管に前記ハロゲン化シランガスが流通され、該外側管に前記アンモニアガスが流通される請求項13ないし17のいずれか1項に記載の装置。
- 前記合成チャンバが、前記ハロゲン化シランガスを供給するように構成されたハロゲン化シランガス供給機構と、前記アンモニアガスを前記ハロゲン化シランガスとは独立に供給するように構成されたアンモニアガス供給機構とを備える請求項13ないし18のいずれか1項に記載の装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012134548A (ja) * | 2005-12-28 | 2012-07-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
US8298628B2 (en) | 2008-06-02 | 2012-10-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature deposition of silicon-containing films |
JP2012528785A (ja) * | 2009-06-04 | 2012-11-15 | ヴォルタイクス エルエルシー. | トリシリルアミンを生成するための装置および方法 |
CN108766872A (zh) * | 2013-09-27 | 2018-11-06 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 通过催化脱氢偶联以无卤素方式合成氨基硅烷的方法 |
-
2002
- 2002-11-22 JP JP2002340163A patent/JP2004179196A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012134548A (ja) * | 2005-12-28 | 2012-07-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
US8298628B2 (en) | 2008-06-02 | 2012-10-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature deposition of silicon-containing films |
US8906455B2 (en) | 2008-06-02 | 2014-12-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature deposition of silicon-containing films |
JP2012528785A (ja) * | 2009-06-04 | 2012-11-15 | ヴォルタイクス エルエルシー. | トリシリルアミンを生成するための装置および方法 |
KR101551162B1 (ko) * | 2009-06-04 | 2015-09-08 | 볼타익스, 엘엘씨 | 트리실릴아민의 제조를 위한 장치 및 방법 |
EP2437880B1 (en) * | 2009-06-04 | 2018-09-12 | Air Liquide Advanced Materials LLC | Method for the production of silylamines |
CN108766872A (zh) * | 2013-09-27 | 2018-11-06 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 通过催化脱氢偶联以无卤素方式合成氨基硅烷的方法 |
CN108766872B (zh) * | 2013-09-27 | 2022-11-01 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 通过催化脱氢偶联以无卤素方式合成氨基硅烷的方法 |
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