JP6257527B2 - 低温浸炭における活性化ガスの同時流 - Google Patents
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Description
本願は、米国仮特許出願第61/588,728号(2012年1月20日出願、名称「CONCURRENT FLOW OF ACTIVATING AND CARBURIZING GASES IN LOW TEMPERATURE CARBURIZATION」)の優先権、および、その出願の他のすべての利益を主張し、それによって、その全体が参照によって援用される。
(従来のガス浸炭)
従来の(高温)浸炭は、造形金属物品の表面硬度を強化するために産業プロセスにおいて広く用いられている(「肌焼き」)。典型的商業プロセスでは、ワークピースが、炭素含有ガスと高温で接触し、それによって、ガスの分解により遊離した炭素原子が、ワークピースの表面に拡散する。硬化は、これらの拡散炭素原子とワークピース中の1つ以上の金属との反応により生じ、それによって、別の化学化合物、すなわち、炭化物を形成し、その後、ワークピースの表面を形成する金属マトリクス中に、離散した極端に硬質な結晶粒子として、これらの炭化物が析出する。Stickels,“Gas Carburizing”,pp 312 to 324, Volume 4, ASM Handbook, (著作権) 1991, ASM Internationalを参照されたい。
1980年代の半ばに、ワークピースを、典型的には、約550℃(約1000°F)を下回る低温で炭素含有ガスと接触させる、ステンレス鋼を肌焼きするための技法が開発された。これらの温度で、かつ浸炭の持続が長すぎないことを前提として、ガスの分解により遊離した炭素原子が、ワークピース表面に、典型的には、20〜50μの深度にまで、析出炭化物を形成せずに拡散する。それにもかかわらず、非常に硬質な焼肌(表面層)が得られる。析出炭化物が生成されないため、鋼鉄の耐食性は、損なわれず、むしろ改善される。「低温浸炭」と称される本技法は、U.S.5,556,483、U.S.5,593,510、U.S.5,792,282、US6,165,597、U.S.6,547,888、EPO0787817、JP9−14019(公開第9−268364号)、およびJP9−71853(公開第9−71853号)を含む、いくつかの刊行物に説明されている。
TanakaらのU.S.7,122,086(その開示全体はまた、参照によって本明細書に援用される)は、ステンレス鋼ワークピースが、高真空、すなわち、総圧力1トル(133Pa(パスカル))以下で、アセチレンとの接触によって浸炭される、低温ガス浸炭プロセスについて説明している。本アプローチに関して請求される主要な利点は、煤および望ましくない熱酸化物膜副産物の生成が、実質的に、低減されることである。それでもなお、得られる浸炭されたワークピースは、依然として、使用可能な最終生産物が得られる前にこれらの副産物層を除去するために、機械的および/または化学的に処理される必要がある。
前述のように、ステンレス鋼は、本質的に、大気に暴露されるとすぐに鋼鉄の表面上に形成される酸化クロムの密着した不浸透性層により、耐食性がある。低温浸炭に関わる温度は、非常に低いため、炭素原子は、この酸化クロム保護コーティングに浸透しない。したがって、ステンレス鋼の低温浸炭は、通常、ワークピースが、高温で、例えば、200〜400℃で、HF、HCl、NF3、F2、またはCl2等のハロゲン含有活性化化合物と接触され、鋼鉄の保護酸化物コーティングを炭素原子に対して浸透性にする、活性化ステップによって始められる。前述のU.S.5,556,483、U.S.5,593,510、U.S.5,792,282、U.S.6,165,597、U.S.6,547,888、EPO0787817、JP9−14019(公開第9−268364号)、JP9−71853(公開第9−71853号)、およびTanakaらのU.S.7,122,086を参照されたい。
低温ガス浸炭は、通常、望ましくない副産物として、煤を生成する。加えて、低温浸炭はまた、約20〜30nm厚のワークピースの最外表面上に望ましくない多孔性「熱」酸化膜を生成する。JP9−71853(公開第9−71853号)を参照されたい。加えて、この熱酸化物膜下、金属の非常に薄い外側表面層は、特に、低温浸炭条件があまりに過酷である場合、少量の析出炭化物を含み得る。U.S.5,556,483、U.S.5,593,510、およびU.S.5,792,282を参照されたい。ワークピースが、魅力的光沢のある金属外観を呈するために、この煤および最外熱酸化物膜は、除去されなければならない。したがって、実践的態様として、これらの望ましくない表面層(すなわち、(該当する場合)煤、熱酸化物膜、および析出炭化物を含む薄い最外金属層)は、ワークピースが使用される前に、除去される。通常、低温浸炭によって生成される硬化された「焼肌」は、ワークピースの表面の最初の10〜25ミクロン程度までのみ延在するため、約1ミクロン程度の少量のワークピースの金属表面のみが、除去される。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
ガス浸炭によって、鉄、ニッケル、および/または、クロム系合金から作製されたワークピースを表面硬化するためのプロセスであって、前記ガス浸炭において、不飽和炭化水素が、低真空下、高い浸炭温度で、浸炭反応器内側の前記ワークピースと接触させられることにより、炭素を前記ワークピース表面に拡散させ、それによって、本質的に析出炭化物を含まない硬化された一次表面層を形成し、前記プロセスは、炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物を前記浸炭反応器に送給し、同時に、前記不飽和炭化水素を前記浸炭反応器に送給することをさらに含む、プロセス。
(項目2)
炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物は、HF、HCl、NF 3 、F 2 、Cl 2 、またはそれらの混合物である、項目1に記載のプロセス。
(項目3)
前記不飽和炭化水素および前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物は、前記浸炭反応器に送給される前に、組み合わせられる、項目2に記載のプロセス。
(項目4)
前記不飽和炭化水素および前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物は、前記浸炭反応器に送給される前に、随伴ガスと組み合わせられ、前記随伴ガスは、不飽和炭化水素ではないガスであり、さらに、浸炭反応の間に被る反応条件下で酸素と反応することが可能なガスである、項目3に記載のプロセス。
(項目5)
前記随伴ガスは、水素である、項目4に記載のプロセス。
(項目6)
前記不飽和炭化水素および前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物は、前記浸炭反応器に別個に送給される、項目2に記載のプロセス。
(項目7)
前記不飽和炭化水素および前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物はそれぞれ、前記浸炭反応器に送給される前に、独立して、随伴ガスと組み合わせられ、前記随伴ガスは、不飽和炭化水素ではないガスであり、さらに、浸炭反応の間に被る反応条件下で酸素と反応することが可能なガスである、項目6に記載のプロセス。
(項目8)
前記不飽和炭化水素と組み合わせられる前記随伴ガスは、水素であり、さらに、前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物と組み合わせられる前記随伴ガスは、水素である、項目7に記載のプロセス。
(項目9)
副産物の煤または熱酸化物、またはその両方の形成が本質的に回避されるように、前記浸炭反応器に送給される前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物の量は、十分に少なく保たれ、前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物が前記浸炭反応器に送給される時間の長さは、十分に短く保たれる、項目2に記載のプロセス。
(項目10)
前記浸炭反応器に送給される不飽和炭化水素の量は、前記浸炭反応器内側のガス混合物中の前記不飽和炭化水素の濃度が、約8〜35体積%であるように選択され、さらに、前記浸炭反応器に送給される炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物の量は、前記浸炭反応器内側のガス混合物中の前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物の濃度が、約0.5体積%〜3体積%であるように選択される、項目9に記載のプロセス。
(項目11)
前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物が前記浸炭反応器に送給される持続時間は、約2分〜約40分であり、その後、前記浸炭反応器への前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物の送給は、停止される、項目10に記載のプロセス。
(項目12)
前記浸炭反応器内側のガス混合物は、本質的に、前記不飽和炭化水素、前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物、および随伴ガスから成り、前記随伴ガスは、不飽和炭化水素ではないガスであり、さらに、浸炭反応の間に被る反応条件下で酸素と反応することが可能なガスである、項目11に記載のプロセス。
(項目13)
前記随伴ガスは、水素である、項目12に記載のプロセス。
(項目14)
前記ワークピースは、AISI300または400系ステンレス鋼から作製され、前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物は、HClである、項目13に記載のプロセス。
(項目15)
浸炭の間、前記浸炭反応器に送給される炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物の流れは、パルス化される、項目14に記載のプロセス。
(項目16)
前記ワークピースは、AISI300または400系ステンレス鋼から作製され、前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物は、HClである、項目2に記載のプロセス。
(項目17)
浸炭の間、前記浸炭反応器に送給される炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物の流れは、パルス化される、項目2に記載のプロセス。
(項目18)
前記浸炭反応器内側のガス混合物の浸炭ポテンシャルは、(1)前記浸炭温度を低下させること、(2)前記浸炭ガス中の不飽和炭化水素の濃度を低下させること、(3)前記ワークピースを高温に維持しながら、前記浸炭反応器への不飽和炭化水素の流れを停止させることによって、浸炭プロセスを中断すること、および(4)前記ワークピースを高温に維持しながら、前記浸炭反応器への不飽和炭化水素の流れを停止させることによって、浸炭プロセスを中断し、前記中断の間、炭素を含まないハロゲン含有ガスとの接触によって前記ワークピースを再活性化することのうちの少なくとも1つによって、浸炭反応の過程にわたって変化させられる、項目16に記載のプロセス。
(項目19)
前記浸炭反応器内側のガス混合物の浸炭ポテンシャルは、(1)前記浸炭温度を低下させること、(2)前記浸炭ガス中の不飽和炭化水素の濃度を低下させること、(3)前記ワークピースを高温に維持しながら、前記浸炭反応器への不飽和炭化水素の流れを停止させることによって、浸炭プロセスを中断すること、および(4)前記ワークピースを高温に維持しながら、前記浸炭反応器への不飽和炭化水素の流れを停止させることによって、浸炭プロセスを中断し、前記中断の間、炭素を含まないハロゲン含有ガスとの接触によって前記ワークピースを再活性化することのうちの少なくとも1つによって、浸炭反応の過程にわたって変化させられる、項目2に記載のプロセス。
(項目20)
表面硬化された耐食性ステンレス鋼ワークピースを生成するためのプロセスであって、前記ワークピースは、前記ワークピース表面から副産物の煤または熱酸化物を除去することを要求せずに、光沢のある金属外観を呈し、前記プロセスは、低真空下、時間および温度の条件下で、前記ワークピースと浸炭反応器内側の不飽和炭化水素とを接触させることを含み、前記時間および温度の条件は、炭素を前記ワークピース表面に拡散させ、それによって、本質的に析出炭化物を含まない硬化された一次表面層を形成するために十分であるが、副産物の煤または熱酸化物を任意の有意な程度まで形成させるには不十分であり、前記プロセスはさらに、炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物を前記浸炭反応器に送給し、同時に、前記不飽和炭化水素を前記浸炭反応器に送給することを含み、副産物の煤または熱酸化物、またはその両方の形成が本質的に回避されるように、前記浸炭反応器に送給される炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物の量は、十分に少なく保たれ、前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物が前記浸炭反応器に送給される時間の長さは、十分に短く保たれる、プロセス。
(項目21)
ガス浸炭によって、鉄、ニッケル、および/または、クロム系合金から作製されたワークピースを表面硬化するためのプロセスであって、前記ガス浸炭において、不飽和炭化水素が、低真空下、高い浸炭温度で、浸炭反応器内側の前記ワークピースと接触させられることにより、炭素を前記ワークピース表面に拡散させ、それによって、本質的に析出炭化物を含まない硬化された一次表面層を形成し、前記不飽和炭化水素および炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物は、同時に、前記浸炭反応器に送給される、プロセス。
(合金)
本発明は、通常、ステンレス鋼上で実施されるが、他の鉄、ニッケル、コバルト、および/またはクロム系合金から作製されたワークピース上で使用されることもできる。そのような材料は、周知であり、例えば、前述の米国特許第5,792,282号、米国特許第6,093,303号、米国特許第6,547,888号、EPO0787817、および日本国特許出願第9−14019号(公開第9−268364号)に説明される。
前述のように、ステンレス鋼が、低温浸炭され得る前に、通常、HF、HCl、NF3、F2、またはCl2等のハロゲン含有活性化化合物との接触によって、その密着した酸化クロム保護コーティングを炭素原子に対して透明にするように処理される。これらの同一の化合物が、浸炭を加速させるために、本発明の浸炭反応器内側のガス混合物中に含まれるが、浸炭されるワークピースをそのような予備活性化処理に曝すことにより、全体的浸炭プロセスを加速させることがさらに望ましい。
従来の低温浸炭は、550℃を下回る反応温度、通常、約450℃〜525℃で通常実施される。対照的に、アセチレンまたは類似体が炭素源として使用される、修正された低温浸炭プロセスは、不飽和炭化水素が非常に活性であるため、より低い温度、典型的には、約350℃〜510℃であるが、より一般的には、350℃〜450℃で通常実施される。
出願人らの先のU.S.2011/0030849では、出願人らは、アセチレンまたは他の不飽和炭化水素を浸炭種として使用して、低真空下で浸炭するとき、この特徴の組み合わせが、事実上完全に、副産物煤および熱酸化物膜の形成を排除することができるため、反応器内側の総システム圧力を約3.5〜100トル(約500〜約13,000Pa)に維持することが望ましいことを示している。同一のことは、同様に、本発明にも適用される。
従来、低温ガス浸炭は、ワークピースを浸炭反応器内に入れ、必要に応じて、反応器を所望の真空レベルまで排気し、次いで、反応器内に所望の真空レベルを維持しながら、浸炭反応の間、好適な流量および温度で、浸炭ガスを反応器に継続的に送給することによって行なわれる。ワークピースが浸炭反応器内側で実際に接触するガス混合物は、反応器に送給されている浸炭ガス中の成分の濃度、本浸炭ガスの流量、および反応器内側の真空レベルを制御することによって制御される。ワークピースの活性化は、典型的には、同一の方法で、すなわち、反応器内に所望の真空レベルを維持しながら、好適な流量および温度で、好適なキャリアガス中のHF、HCl、NF3、F2、またはCl2等の活性化化合物を反応器に送給することによって行なわれる。
本発明における浸炭のために使用される不飽和炭化水素(「浸炭種」)は、通常、アセチレンである。しかしながら、アセチレンに加え、または、アセチレンの代わりに、エチレン性不飽和物を伴う炭化水素、アセチレン性不飽和物を伴う炭化水素、および芳香族性不飽和物を伴う炭化水素を含む、本質的に、任意の他の不飽和炭化水素(「アセチレン類似体」)が、浸炭種として使用されることができる。本文脈では、「炭化水素」は、その通常の意味を有し、すなわち、他の要素が存在しない、炭素および水素のみから成る化合物である。例えば、共役性および非共役性両方のモノオレフィンおよびポリオレフィンを含む、エチレン性不飽和炭化水素が、使用されることができる。エテン(エチレン)、プロペン(プロピレン)、ブテン、およびブタジエンは、良い例である。アセチレンおよびプロピン(C3H4)等のアセチレン性不飽和炭化水素もまた、使用されることができる。アセチレンおよびC1−C6エチレン性不飽和化合物は、低コストおよび容易な利用可能性により、特に着目される。これらの化合物の混合物もまた、使用されることができる。
本明細書に説明される本発明の低温ガス浸炭プロセスは、出願人らの先のU.S.2011/0030849に説明されるように、すなわち、約0.5〜20トル(約67〜約2,666Pa)の部分的圧力で、概して、同一の濃度不飽和炭化水素浸炭種を使用して実施される。これは、随伴ガスの部分的圧力と浸炭種の部分的圧力の比率が、通常、少なくとも約2であることを意味し、部分的圧力比≧4、≧5、≧7、≧10、≧15、≧20、≧25、≧50、および≧100までもが想定される。
前述のように、本発明の低温ガス浸炭プロセスは、本発明のプロセスでは、ワークピースの初期活性化が完了すると、浸炭のために使用された不飽和炭化水素浸炭種および追加の活性化のために使用された炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物が、別個に、かつ、逐次的にではなく、同時に、浸炭反応器に送給されるという点において、先のアプローチと異なる。
本発明によると、浸炭の間、炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物が浸炭反応器に送給される時間の長さが、煤形成に影響を及ぼすことも見出されている。すなわち、煤は、通常、浸炭開始直後、本発明のプロセスでは形成され始めない。むしろ、浸炭種濃度および活性化化合物濃度の組み合わせ毎に、いくらかの有限期間が浸炭反応の開始から経過した後のみ、煤が形成し始める。したがって、浸炭ガス中の浸炭種の濃度および活性化化合物の濃度の調節に加え、煤形成の制御もまた、活性化化合物が反応器に送給される浸炭ガス中に含まれる時間を調節することによって行なわれることができる。
本発明のさらに別の特徴によると、浸炭反応の間、炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物の反応器への供給は、パルス化される。言い換えると、浸炭ステップの間、反応器に送給される浸炭ガス中のこの活性化化合物の濃度は、より高い値とより低い値(ゼロを含む)との間でパルス化される。煤形成の制御に有用であることに加え、本アプローチはまた、浸炭をさらに加速させ得る。
前述の出願人らの先のU.S.6,547,888では、出願人らは、ステンレス鋼ワークピースが被る浸炭ポテンシャルが、浸炭反応の過程にわたって変化させられる、修正された低温浸炭プロセスについて説明している。本変化が適切な方法で行なわれることを前提として、出願人らは、浸炭反応全体が、従来の実施と比較して、より高速で行なわれ、煤の生成が低減され、またはその両方であり得ることを見出した。
AISI316ステンレス鋼ワークピースを、有機残留物を除去するための洗浄後、内部体積3.75立方フィート(約106リットル)を有する浸炭反応器内に入れ、次いで、水素圧力8トルまで排気し、それと同時に、反応器の内部温度を、450℃まで上昇させた。次いで、30体積%アセチレン、1体積%HCl、平衡水素(H2)を含む14リットル/分の浸炭ガスを、反応器の内部温度を450℃に維持し、反応器の内部圧力を8トルに維持しながら、反応器に送給した。
実施例1を、繰り返した。ただし、HClは、浸炭ガス中に含まれなかった。ワークピースが、約8原子%の表面濃度と、6ミクロンの深度で600Hv、10ミクロンの深度で400Hv、芯部で300Hvの焼肌硬度とともに、約15ミクロンの炭素拡散深度を達成したことを見出した。外観検査では、ワークピースならびに反応器内部は、有意な量の煤で被覆されたが、有意な量の熱酸化物は、ワークピース表面上に見られなかったことが示された。
AISI316ステンレス鋼ワークピースを、有機残留物を除去するための清浄後、内部体積3.75立方フィート(約106リットル)を有する浸炭反応器内に入れ、次いで、水素圧力6トルまで排気し、それと同時に、反応器の内部温度を、450℃まで上昇させた。次いで、反応器の内部温度を450℃に維持し、反応器の内部圧力を6トルに維持しながら、H2中1体積%HClガスを含む活性化ガスを流量約5リットル/分で反応器に継続的に送給することによって、ワークピースを活性化した。
実施例2を繰り返した。ただし、浸炭反応器へのHClの同時流の期間(すなわち、HClが反応器に送給される浸炭ガス中に含まれる期間)を、浸炭開始から30分後に停止した。ワークピースが、約40原子%の表面濃度と、7ミクロンの深度で850Hvの焼肌硬度とともに、約30ミクロンの炭素拡散深度を達成したことを見出した。外観検査では、ワークピースが、実施例2で生成されたワークピースのものとほぼ同じように、明るく光沢があって、煤を含まない表面仕上げを呈することが示されたが、いくつかの斑状の暗色域が、ワークピース表面上に見られた。
Claims (13)
- ガス浸炭によって、鉄系合金、ニッケル系合金、および/または、クロム系合金から作製されたワークピースを表面硬化するためのプロセスであって、前記ガス浸炭において、不飽和炭化水素が、3.5〜100トルの圧力下で、浸炭反応器内側の前記ワークピースと接触させられることにより、炭素を前記ワークピースの表面に拡散させ、それによって、析出炭化物および熱酸化物膜を含まない硬化された一次表面層を形成し、前記プロセスは、炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物を前記浸炭反応器に送給し、同時に、前記不飽和炭化水素を前記浸炭反応器に送給することによって、浸炭が生じる速度を増加させることをさらに含み、前記不飽和炭化水素は、アセチレンであり、前記浸炭反応器内側の前記不飽和炭化水素の濃度は、8〜35体積%であり、前記浸炭反応器内側の前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物の濃度は、0.5〜3体積%である、プロセス。
- 前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物は、HF、HCl、NF3、F2、Cl2、またはそれらの混合物である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記ワークピースは、ステンレス鋼から作製される、請求項2に記載のプロセス。
- 前記ワークピースは、AISI300または400系ステンレス鋼から作製される、請求項3に記載のプロセス。
- 前記浸炭反応器に随伴ガスを送給することをさらに含み、前記随伴ガスは、不飽和炭化水素ではないガスであり、さらに、浸炭反応の間に被る条件下で酸素と反応することが可能なガスである、請求項4に記載のプロセス。
- 前記随伴ガスは、水素である、請求項5に記載のプロセス。
- 前記浸炭反応器内側のガス混合物の浸炭ポテンシャルは、(1)浸炭温度を低下させること、(2)浸炭ガス中の不飽和炭化水素の濃度を低下させること、(3)前記ワークピースを浸炭温度に維持しながら、前記浸炭反応器への不飽和炭化水素の流れを停止させることによって、浸炭プロセスを中断すること、および(4)前記ワークピースを浸炭温度に維持しながら、前記浸炭反応器への不飽和炭化水素の流れを停止させることによって、浸炭プロセスを中断し、前記中断の間、炭素を含まないハロゲン含有ガスとの接触によって前記ワークピースを再活性化することのうちの少なくとも1つによって、浸炭の過程にわたって変化させられる、請求項3に記載のプロセス。
- (a)浸炭反応器内側の前記ワークピースをハロゲン含有活性化化合物と接触させることにより、低温浸炭のために前記ワークピースを少なくとも部分的に活性化させることと、
(b)その後、3.5〜100トルの圧力下で前記浸炭反応器に不飽和炭化水素を送給することにより、炭素を前記ワークピースの表面に拡散させ、それによって、析出炭化物および熱酸化物膜を含まない硬化された一次表面層を形成することと、
(c)ステップ(b)と同時に、0.5分〜2時間の間、前記浸炭反応器に付加的な量のハロゲン含有活性化化合物を送給することであって、その後、前記浸炭反応器への前記不飽和炭化水素の前記送給が継続される一方で、前記浸炭反応器への前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物の前記送給が停止される、ことと
を含む、請求項1に記載のプロセス。 - ステップ(b)およびステップ(c)は、同時に開始する、請求項8に記載のプロセス。
- 付加的な量のハロゲン含有活性化化合物は、ステップ(c)において、1分〜1時間の間、前記浸炭反応器に送給される、請求項8に記載のプロセス。
- 付加的な量のハロゲン含有活性化化合物は、ステップ(c)において、2分〜40分の間、前記浸炭反応器に送給される、請求項10に記載のプロセス。
- 前記浸炭反応器内側のガス混合物の浸炭ポテンシャルは、(1)浸炭温度を低下させること、(2)浸炭ガス中の不飽和炭化水素の濃度を低下させること、(3)前記ワークピースを浸炭温度に維持しながら、前記浸炭反応器への不飽和炭化水素の流れを停止させることによって、浸炭プロセスを中断すること、および(4)前記ワークピースを浸炭温度に維持しながら、前記浸炭反応器への不飽和炭化水素の流れを停止させることによって、浸炭プロセスを中断し、前記中断の間、炭素を含まないハロゲン含有ガスとの接触によって前記ワークピースを再活性化することのうちの少なくとも1つによって、浸炭の過程にわたって変化させられる、請求項8に記載のプロセス。
- 前記炭素を含まないハロゲン含有活性化化合物は、HF、HCl、NF3、F2、Cl2、またはそれらの混合物である、請求項8に記載のプロセス。
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