JP4815508B2 - 積層コンデンサ、該積層コンデンサを内蔵した配線基板、デカップリング回路及び高周波回路 - Google Patents
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Description
ESL=1/{(2π・f0)2・C}
によって、ESL値を求めた。
12,13…主面
14〜17…側面
18…コンデンサ本体
19…誘電体層
20,21…主面端子電極
22,23…側面端子電極
24…低ESL部分
25…高容量部分
26,27…低ESL内部電極
28,29…ビアホール導体
30,31…高容量内部電極
32〜35…引出し電極
40…カップリング回路
41…MPUチップ
42…電源ユニット
43…デカップリングコンデンサ
44,52…MPU
45,53…配線基板
46,54…MPUチップ
48,56…電源側配線導体
49,57…グランド側配線導体
100…積層コンデンサアレイ
102,104,106…コンデンサ層
111〜125…導電体パターン層
130,132,134…導電体ビアホール導体
140,142…主面端子電極
150,152…側面端子電極
200…積層コンデンサアレイ
202,204,206,208…コンデンサ層
210〜213…導電体層
220,222…側面端子電極
Claims (29)
- 以下のものを含む積層コンデンサ、
互いに対向する第1主面と第2主面、該第1及び第2主面の間に配置された少なくとも一つの側面、及び、複数の誘電体層を有する本体、
前記本体の第1主面上に形成された第1主面端子電極及び第2主面端子電極、
前記本体の少なくとも一つの側面上に形成された第1側面端子電極及び第2側面端子電極、
前記本体に設けられた低ESL部分及び高容量部分、高容量部分の容量は低ESL部分の容量よりも大きく、該低ESL部分は第1主面側に位置し、高容量部分は第2主面側に位置している、
複数の誘電体層のうちの特定のものを介して互いに対向する第1低ESL内部電極及び第2低ESL内部電極、
第1低ESL内部電極を第1主面端子電極に電気的に接続する第1ビアホール導体、及び、第2低ESL内部電極を第2主面端子電極に電気的に接続する第2ビアホール導体、該第1及び第2ビアホール導体は低ESL部分に配置されており、かつ、高容量部分の内部電極を貫通していない、
複数の誘電体層のうちの特定のものを介して互いに対向する第1高容量内部電極及び第2高容量内部電極、
第1高容量内部電極を第1側面端子電極に電気的に接続する第1引出し電極、及び、第2高容量内部電極を第2側面端子電極に電気的に接続する第2引出し電極、第1及び第2高容量内部電極及び第1及び第2引出し電極は高容量部分に配置されている。 - 請求項1に記載の積層コンデンサであり、複数組の第1及び第2主面端子電極が形成され、第1主面端子電極及び第2主面端子電極は互いに隣り合うように配置されている。
- 請求項1に記載の積層コンデンサであり、複数組の第1及び第2側面端子電極がさらに形成され、第1側面端子電極及び第2側面端子電極は隣り合うように配置されている。
- 請求項1に記載の積層コンデンサであり、本体は四つの側面を有し、第1及び第2側面端子電極は本体の四つの側面のそれぞれに形成されている。
- 請求項4に記載の積層コンデンサであり、第1及び第2側面端子電極は、本体の四つの側面に沿って互いに隣り合うように配置されている。
- 請求項1に記載の積層コンデンサであり、第1及び第2側面端子電極は、第1及び第2主面端子電極の配列方向に配列され、第1主面端子電極は第2側面端子電極に隣り合い、第2主面端子電極は第1側面端子電極と隣り合うように配置されている。
- 請求項1に記載の積層コンデンサであり、第1ビアホール導体の長さは第2ビアホール導体の長さとは異なっている。
- 請求項1に記載の積層コンデンサであり、第1ビアホール導体は第1低ESL内部電極の周囲に配置され、第2ビアホール導体は第2低ESL内部電極の周囲に配置されている。
- 請求項1に記載の積層コンデンサにおいて、第1低ESL内部電極を第1側面端子電極に電気的に接続する第3引出し電極、及び、第2低ESL内部電極を第2側面端子電極に電気的に接続する第4引出し電極を、さらに含む。
- 請求項9に記載の積層コンデンサにおいて、第1低ESL内部電極及び第1高容量内部電極は同じ第1側面端子電極に電気的に接続され、第2低ESL内部電極及び第2高容量内部電極は同じ第2側面端子電極に電気的に接続されている。
- 請求項10に記載の積層コンデンサにおいて、第1及び第2側面端子電極の総断面積は第1及び第2ビアホール導体の総断面積よりも大きい。
- 請求項11に記載の積層コンデンサにおいて、第1及び第2側面端子電極の総断面積は5.0×10-4mm2以上である。
- 請求項11に記載の積層コンデンサにおいて、第1及び第2側面端子電極の総断面積は1.0×10-2mm2以上である。
- 請求項1に記載の積層コンデンサにおいて、第1低ESL内部電極及び第1高容量内部電極は実質的に同じ外周形状を有し、第2低ESL内部電極及び第2高容量内部電極は実質的に同じ外周形状を有している。
- 請求項1に記載の積層コンデンサにおいて、該積層コンデンサは、マイクロプロセシングユニットに内蔵されたMPUチップのための電源回路に接続されたデカップリングコンデンサである。
- 請求項1に記載の積層コンデンサを備えた配線基板。
- 請求項1に記載の積層コンデンサを内蔵している配線基板。
- 請求項16に記載の配線基板であり、
マイクロプロセシングユニットに配置されたMPUチップと、
MPUチップに使用される電源を供給するために配置された電源配線導体と、
グランド側配線導体と、を含み、
第1主面端子電極及び第2主面端子電極のうちの一方、及び、第1側面端子電極及び第2側面端子電極のうちの一方は電源配線導体に電気的に接続され、他方の主面端子電極及び他方の側面端子電極はグランド側配線導体に電気的に接続されている。 - 請求項18に記載の配線基板において、積層コンデンサは、本体の第1主面がMPUチップに対向するように配置されている。
- 請求項1に記載の積層コンデンサを備えたデカップリング回路。
- 請求項1に記載の積層コンデンサを備えた高周波回路。
- 請求項17に記載の配線基板であり、
マイクロプロセシングユニットに配置されたMPUチップと、
MPUチップに使用される電源を供給するために配置された電源配線導体と、
グランド側配線導体と、を含み、
第1主面端子電極及び第2主面端子電極のうちの一方、及び、第1側面端子電極及び第2側面端子電極のうちの一方は電源配線導体に電気的に接続され、他方の主面端子電極及び他方の側面端子電極はグランド側配線導体に電気的に接続されている。 - 請求項22に記載の配線基板において、積層コンデンサは、積層コンデンサ本体の第1主面がMPUチップに対向するように配置されている。
- 以下のものを含むコンデンサ、
誘電体層によって分離されている複数の第1導電体パターン層を含む第1コンデンサ層、
コンデンサの上面から複数の第1導電体パターン層を貫通する第1の数の第1コンデンサビアホール導体、第1コンデンサビアホール導体のうちのいくつかは複数の第1導電体パターン層に一つおきに電気的に接続しており、他の第1コンデンサビアホール導体は残りの第1導電体パターン層と電気的に接続している、
複数の第2導電体パターン層を含む、第1コンデンサ層に電気的に接続している第2コンデンサ層、第2コンデンサ層の容量は第1コンデンサ層の容量よりも大きい、
第2導電体パターン層を貫通している第2の数の第2コンデンサビアホール導体、第2コンデンサビアホール導体のうちのいくつかは複数の第2導電体パターン層に一つおきに電気的に接続しており、他の第2コンデンサビアホール導体は残りの第2導電体パターン層に電気的に接続している、
コンデンサの少なくとも一つの側面上に配置された第1側面端子電極及び第2側面端子電極、第1側面端子電極は複数の第1導電体パターン層及び複数の第2導電体パターン層のうちのいくつかと電気的に接続しており、第2側面端子電極は他の第1導電体パターン層及び他の第2導電体パターン層に電気的に接続している、
第1コンデンサビアホール導体の数は第2コンデンサビアホール導体の数よりも大きい。 - 請求項24に記載のコンデンサであり、第2コンデンサ層は第1コンデンサ層の実質的に下部に位置し、第2コンデンサビアホール導体は複数の第1導電体パターン層を貫通し、複数の第2コンデンサビアホール導体のうちのいくつかは複数の第1導電体パターン層に一つおきに電気的に接続し、他の第2コンデンサビアホール導体は他の第1導電体パターン層に電気的に接続している。
- 請求項25に記載のコンデンサであり、いくつかの第2コンデンサビアホール導体は、コンデンサの底面にまで延び、底面で他の第2コンデンサビアホール導体と電気的に接続がなされるようになっている。
- 請求項24に記載のコンデンサであり、以下のものをさらに含む、
複数の付加的な導電体パターン層を有し、第1コンデンサ層と第2コンデンサ層の間に電気的に接続された少なくとも一つの付加的なコンデンサ層、
複数の付加的な導電体パターン層を貫通する付加的なコンデンサビアホール導体、複数の付加的なコンンデンサビアホール導体のうちのいくつかは複数の付加的な導電体パターン層に一つおきに電気的に接続し、他の付加的なコンデンサビアホール導体は残りの付加的な導電体パターン層に電気的に接続している。 - 請求項24に記載のコンデンサであり、さらに以下のものを含む、
複数の付加的な導電体パターン層を有し、第1コンデンサ層及び第2コンデンサ層の実質的に下部に配置された少なくとも一つの付加的なコンデンサ層、複数の導電体パターン層のうちのいくつかは第1側面端子電極に電気的に接続され、他の導電体パターン層は第2側面端子電極に電気的に接続されている。 - 以下のものを含むコンデンサ、
誘電体層によって分離されている複数の第1導電体パターン層を含む第1コンデンサ層、
コンデンサの上面から複数の第1導電体パターン層を貫通する第1の数の第1コンデンサビアホール導体、第1コンデンサビアホール導体のうちのいくつかは複数の第1導電体パターン層に一つおきに電気的に接続しており、他の第1コンデンサビアホール導体は残りの第1導電体パターン層と電気的に接続している、
複数の第2導電体パターン層を含む、第1コンデンサ層に電気的に接続している第2コンデンサ層、
第2導電体パターン層を貫通している第2の数の第2コンデンサビアホール導体、第2コンデンサビアホール導体のうちのいくつかは複数の第2導電体パターン層に一つおきに電気的に接続しており、他の第2コンデンサビアホール導体は残りの第2導電体パターン層に電気的に接続している、
コンデンサの少なくとも一つの側面上に配置された第1側面端子電極及び第2側面端子電極、第1側面端子電極は複数の第1導電体パターン層及び複数の第2導電体パターン層のうちのいくつかと電気的に接続しており、第2側面端子電極は他の第1導電体パターン層及び他の第2導電体パターン層に電気的に接続している、
第1コンデンサ層における第1導電体パターン層間の距離と、第2コンデンサ層における第2導電体パターン層間の距離と、第1コンデンサ層と第2コンデンサ層との距離が等しい、
第1コンデンサビアホール導体の数は第2コンデンサビアホール導体の数よりも大きい。
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US6757152B2 (en) * | 2001-09-05 | 2004-06-29 | Avx Corporation | Cascade capacitor |
US6888432B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-05-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated substrate, method of producing the same, nonreciprocal circuit element, and communication device |
US7016175B2 (en) * | 2002-10-03 | 2006-03-21 | Avx Corporation | Window via capacitor |
US7573698B2 (en) * | 2002-10-03 | 2009-08-11 | Avx Corporation | Window via capacitors |
JP2006222442A (ja) * | 2002-10-30 | 2006-08-24 | Kyocera Corp | コンデンサ、及び配線基板 |
JP2006179956A (ja) * | 2002-10-30 | 2006-07-06 | Kyocera Corp | コンデンサの製造方法 |
US6891258B1 (en) * | 2002-12-06 | 2005-05-10 | Xilinx, Inc. | Interposer providing low-inductance decoupling capacitance for a packaged integrated circuit |
US6766793B2 (en) * | 2002-12-12 | 2004-07-27 | General Atomics | Electromagnetic gun and rotating pulse forming network |
US7327554B2 (en) * | 2003-03-19 | 2008-02-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Assembly of semiconductor device, interposer and substrate |
JP4377617B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2009-12-02 | 日本特殊陶業株式会社 | コンデンサ、コンデンサ付き半導体素子、コンデンサ付き配線基板、および、半導体素子とコンデンサと配線基板とを備える電子ユニット |
US7138716B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-11-21 | Intel Corporation | Addition of metal layers with signal reallocation to a microprocessor for increased frequency and lower power |
JP4365166B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2009-11-18 | 新光電気工業株式会社 | キャパシタ、多層配線基板及び半導体装置 |
US7227739B2 (en) * | 2003-09-26 | 2007-06-05 | Tdk Corporation | Solid electrolytic capacitor |
JP4343652B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2009-10-14 | Tdk株式会社 | 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサデバイス |
EP1538639B1 (en) * | 2003-12-05 | 2007-02-28 | NGK Spark Plug Co., Ltd. | Capacitor and method for manufacturing the same |
US7675729B2 (en) | 2003-12-22 | 2010-03-09 | X2Y Attenuators, Llc | Internally shielded energy conditioner |
JP4179186B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2008-11-12 | ソニー株式会社 | 配線基板およびその製造方法および半導体装置 |
US7218504B2 (en) * | 2004-03-02 | 2007-05-15 | Intel Corporation | Capacitor device and method |
JP2005259982A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Tdk Corp | 積層セラミックコンデンサ |
JP4079120B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2008-04-23 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミックコンデンサの製造方法 |
KR101043676B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2011-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인쇄회로보드 제조방법 |
DE102004032706A1 (de) * | 2004-07-06 | 2006-02-02 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements und das Bauelement |
US7348661B2 (en) * | 2004-09-24 | 2008-03-25 | Intel Corporation | Array capacitor apparatuses to filter input/output signal |
US7173804B2 (en) * | 2004-09-28 | 2007-02-06 | Intel Corporation | Array capacitor with IC contacts and applications |
US7501698B2 (en) * | 2004-10-26 | 2009-03-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and system for an improved power distribution network for use with a semiconductor device |
US7149072B2 (en) * | 2004-11-04 | 2006-12-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayered chip capacitor array |
KR100678083B1 (ko) * | 2004-11-11 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 임베디드 캐패시터와 임베디드 캐패시터의 제작 방법 |
US7428137B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-09-23 | Dowgiallo Jr Edward J | High performance capacitor with high dielectric constant material |
US20060157792A1 (en) * | 2005-01-19 | 2006-07-20 | Kyocera Corporation | Laminated thin film capacitor and semiconductor apparatus |
JP4287822B2 (ja) | 2005-01-25 | 2009-07-01 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ、及び、積層コンデンサの等価直列抵抗調整方法 |
TWI399765B (zh) * | 2005-01-31 | 2013-06-21 | Tdk Corp | 積層電子零件 |
US7782587B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-08-24 | X2Y Attenuators, Llc | Internally overlapped conditioners |
WO2006093831A2 (en) | 2005-03-01 | 2006-09-08 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioner with tied through electrodes |
KR100674842B1 (ko) * | 2005-03-07 | 2007-01-26 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층형 칩 커패시터를 구비하는 인쇄회로 기판 |
US7433172B2 (en) * | 2005-03-10 | 2008-10-07 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor |
KR100663942B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2007-01-02 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
JP2006278566A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tdk Corp | 積層電子部品及びその製造方法 |
JP4230469B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2009-02-25 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
DE102005016590A1 (de) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Epcos Ag | Elektrisches Mehrschicht-Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Mehrschicht-Bauelements |
US7355836B2 (en) * | 2005-06-07 | 2008-04-08 | Intel Corporation | Array capacitor for decoupling multiple voltage rails |
WO2007013239A1 (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型電子部品、電子装置および積層型電子部品の製造方法 |
JP4166235B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2008-10-15 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
JP4757587B2 (ja) * | 2005-09-21 | 2011-08-24 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ、及び、その製造方法 |
JP4209879B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2009-01-14 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサの製造方法 |
US7697262B2 (en) | 2005-10-31 | 2010-04-13 | Avx Corporation | Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals |
US7414857B2 (en) * | 2005-10-31 | 2008-08-19 | Avx Corporation | Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals |
JP4049182B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2008-02-20 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
JP5089880B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-12-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板内蔵用キャパシタ、キャパシタ内蔵配線基板及びその製造方法 |
US7692284B2 (en) * | 2005-12-12 | 2010-04-06 | Intel Corporation | Package using array capacitor core |
TWI423282B (zh) * | 2005-12-22 | 2014-01-11 | Ngk Spark Plug Co | 電容器與配線板及其製造方法 |
US7292429B2 (en) | 2006-01-18 | 2007-11-06 | Kemet Electronics Corporation | Low inductance capacitor |
KR101390426B1 (ko) | 2006-03-07 | 2014-04-30 | 엑스2와이 어테뉴에이터스, 엘.엘.씨 | 에너지 컨디셔너 구조물들 |
JP4854345B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2012-01-18 | 富士通株式会社 | コンデンサシート及び電子回路基板 |
JP4738218B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-08-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 積層型電子部品 |
US7426102B2 (en) * | 2006-05-01 | 2008-09-16 | Vishay Intertechnology, Inc. | High precision capacitor with standoff |
JP4844487B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-12-28 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ、回路基板、回路モジュール及び積層コンデンサの製造方法 |
US7511939B2 (en) * | 2006-08-24 | 2009-03-31 | Analog Devices, Inc. | Layered capacitor architecture and fabrication method |
US8094430B2 (en) * | 2006-12-22 | 2012-01-10 | Horowitz Harvey J | Capacitors, couplers, devices including same and methods of manufacturing same |
JP4814129B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2011-11-16 | 日本特殊陶業株式会社 | 部品内蔵配線基板、配線基板内蔵用部品 |
US7742276B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-06-22 | Industrial Technology Research Institute | Wiring structure of laminated capacitors |
US20080251275A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-16 | Ralph Morrison | Decoupling Transmission Line |
US8238116B2 (en) | 2007-04-13 | 2012-08-07 | Avx Corporation | Land grid feedthrough low ESL technology |
US8045319B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-10-25 | Avx Corporation | Controlled ESR decoupling capacitor |
JP2009027044A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層コンデンサ及びコンデンサ内蔵配線基板 |
KR100925623B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2009-11-06 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 및 이를 구비한 회로기판 장치 및회로기판 |
KR100925603B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2009-11-06 | 삼성전기주식회사 | 적층형 캐패시터 |
JP4645637B2 (ja) * | 2007-11-15 | 2011-03-09 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
JP4513855B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2010-07-28 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
US8395902B2 (en) * | 2008-05-21 | 2013-03-12 | International Business Machines Corporation | Modular chip stack and packaging technology with voltage segmentation, regulation, integrated decoupling capacitance and cooling structure and process |
JP2009295683A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Tdk Corp | チップ型電子部品 |
KR100992311B1 (ko) * | 2008-08-13 | 2010-11-05 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 및 이를 구비한 회로기판 장치 |
US8446705B2 (en) * | 2008-08-18 | 2013-05-21 | Avx Corporation | Ultra broadband capacitor |
US20100188799A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Avx Corporation | Controlled esr low inductance capacitor |
JP5013132B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2012-08-29 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ、及び、その製造方法 |
JP2010238691A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Fujitsu Ltd | 中継部材およびプリント基板ユニット |
JP5354011B2 (ja) * | 2009-04-21 | 2013-11-27 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板の製造方法 |
JP5120426B2 (ja) * | 2010-08-11 | 2013-01-16 | Tdk株式会社 | 積層型貫通コンデンサ及び積層型貫通コンデンサの実装構造 |
US8823133B2 (en) | 2011-03-29 | 2014-09-02 | Xilinx, Inc. | Interposer having an inductor |
CN102779197A (zh) * | 2011-05-13 | 2012-11-14 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 寄生电感检查系统及方法 |
CN102789896A (zh) * | 2011-05-16 | 2012-11-21 | 吴江华诚复合材料科技有限公司 | 一种多层电容器及利用其的电子元件及高频电路 |
US9406738B2 (en) | 2011-07-20 | 2016-08-02 | Xilinx, Inc. | Inductive structure formed using through silicon vias |
JP5753748B2 (ja) * | 2011-08-19 | 2015-07-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 積層コンデンサ及びコンデンサ内蔵配線基板 |
USD692896S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-11-05 | Connectblue Ab | Module |
USD668658S1 (en) * | 2011-11-15 | 2012-10-09 | Connectblue Ab | Module |
USD680119S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-04-16 | Connectblue Ab | Module |
USD668659S1 (en) * | 2011-11-15 | 2012-10-09 | Connectblue Ab | Module |
USD680545S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-04-23 | Connectblue Ab | Module |
USD689053S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-09-03 | Connectblue Ab | Module |
US9330823B1 (en) | 2011-12-19 | 2016-05-03 | Xilinx, Inc. | Integrated circuit structure with inductor in silicon interposer |
US9337138B1 (en) | 2012-03-09 | 2016-05-10 | Xilinx, Inc. | Capacitors within an interposer coupled to supply and ground planes of a substrate |
TWI435667B (zh) * | 2012-04-13 | 2014-04-21 | Quanta Comp Inc | 印刷電路板組件 |
US9035194B2 (en) * | 2012-10-30 | 2015-05-19 | Intel Corporation | Circuit board with integrated passive devices |
US9299498B2 (en) * | 2012-11-15 | 2016-03-29 | Eulex Corp. | Miniature wire-bondable capacitor |
US20140167900A1 (en) | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Gregorio R. Murtagian | Surface-mount inductor structures for forming one or more inductors with substrate traces |
KR101994713B1 (ko) * | 2013-04-22 | 2019-07-01 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
KR101823174B1 (ko) | 2013-06-14 | 2018-01-29 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
KR101525667B1 (ko) | 2013-07-22 | 2015-06-03 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 |
KR101508540B1 (ko) | 2013-08-09 | 2015-04-06 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 |
KR102494324B1 (ko) * | 2016-07-27 | 2023-02-01 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 |
KR20180050004A (ko) | 2016-11-04 | 2018-05-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
JP2019176109A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 太陽誘電株式会社 | 受動部品及び電子機器 |
KR102140173B1 (ko) * | 2018-10-25 | 2020-07-31 | 전자부품연구원 | 관통홀 구조를 갖는 캐패시터 및 그 제조방법 |
US11373809B2 (en) | 2019-02-13 | 2022-06-28 | KYOCERA AVX Components Corporation | Multilayer ceramic capacitor including conductive vias |
JP2021048261A (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサおよび積層コンデンサ群 |
KR20210095503A (ko) * | 2020-01-23 | 2021-08-02 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
JP2022042865A (ja) * | 2020-09-03 | 2022-03-15 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4729061A (en) | 1985-04-29 | 1988-03-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chip on board package for integrated circuit devices using printed circuit boards and means for conveying the heat to the opposite side of the package from the chip mounting side to permit the heat to dissipate therefrom |
US4831494A (en) * | 1988-06-27 | 1989-05-16 | International Business Machines Corporation | Multilayer capacitor |
JPH0521429U (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-19 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
JPH0955336A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Murata Mfg Co Ltd | 複合電子部品 |
US5874770A (en) | 1996-10-10 | 1999-02-23 | General Electric Company | Flexible interconnect film including resistor and capacitor layers |
DE69837516T2 (de) | 1997-11-14 | 2007-12-27 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Vielschichtkondensator |
US5939782A (en) | 1998-03-03 | 1999-08-17 | Sun Microsystems, Inc. | Package construction for integrated circuit chip with bypass capacitor |
KR100268424B1 (ko) | 1998-08-07 | 2000-10-16 | 윤종용 | 반도체 장치의 배선 형성 방법 |
JP3476127B2 (ja) | 1999-05-10 | 2003-12-10 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
US6327134B1 (en) * | 1999-10-18 | 2001-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer capacitor, wiring board, and high-frequency circuit |
JP3489728B2 (ja) * | 1999-10-18 | 2004-01-26 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ、配線基板および高周波回路 |
JP3337018B2 (ja) | 1999-11-19 | 2002-10-21 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路 |
JP3489729B2 (ja) * | 1999-11-19 | 2004-01-26 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路 |
JP2001185442A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ、デカップリングコンデンサの接続構造および配線基板 |
JP2001189234A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
US6346743B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-02-12 | Intel Corp. | Embedded capacitor assembly in a package |
-
2002
- 2002-06-27 US US10/180,629 patent/US6606237B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-23 JP JP2003118133A patent/JP4896361B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-05-20 JP JP2009121622A patent/JP4815508B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6606237B1 (en) | 2003-08-12 |
JP2009194397A (ja) | 2009-08-27 |
JP2004031926A (ja) | 2004-01-29 |
JP4896361B2 (ja) | 2012-03-14 |
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