JP4230469B2 - 積層コンデンサ - Google Patents

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Description

本発明は、積層コンデンサに関する。
この種の積層コンデンサとして、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、当該積層体に形成された複数の端子電極とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
デジタル電子機器に搭載されている中央処理装置（ＣＰＵ）に供給用の電源においては低電圧化が進む一方で負荷電流は増大している。従って、負荷電流の急激な変化に対して電源電圧の変動を許容値内に抑えることが非常に困難になったため、デカップリングコンデンサと呼ばれる積層コンデンサが電源に接続されるようになった。そして、負荷電流の過渡的な変動時にこの積層コンデンサからＣＰＵに電流を供給して、電源電圧の変動を抑えるようにしている。
近年、ＣＰＵの動作周波数の更なる高周波数化に伴って、負荷電流は高速でより大きなものとなっており、デカップリングコンデンサに用いられる積層コンデンサには、大容量化と共に等価直列抵抗（ＥＳＲ）を大きくしたいという要求がある。
特開平９−１４８１７４号公報
しかしながら、特許文献１に記載された積層コンデンサでは、等価直列抵抗を大きくするための検討は行っていない。さらに、特許文献１に記載の積層コンデンサでは、すべての内部電極が端子電極と直接接続されている。そのため、この積層コンデンサでは、大容量化に対応すべく積層数を増やして静電容量を大きくすると、等価直列抵抗が小さくなってしまう。
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、等価直列抵抗を大きくすることが可能な積層コンデンサを提供することを課題とする。
このような目的を達成するために、本発明者は、等価直列抵抗を大きくすることが可能な積層コンデンサについて鋭意研究を行った。その結果、本発明者は、誘電体層及び内部電極の積層数を同じとしても、内部電極を接続導体で接続し且つ一部の内部電極のみ引き出し導体で端子電極と接続させれば、等価直列抵抗を大きくすることが可能となるという新たな事実を見出すに至った。
しかし、このように一部の内部電極のみを端子電極と接続させた積層コンデンサでは、積層体の積層方向に対向する２つの側面のうち何れの面を基板等に対向させて実装するかが問題となってしまう。すなわち、積層コンデンサは、端子電極が基板に形成されたランドパターンと接続するように実装される。基板に実装された積層コンデンサには、端子電極に接続される内部電極を介して、一方のランドパターンと他方のランドパターンとの間に電流経路が形成される。この電流経路を電流が流れると積層コンデンサにインダクタンスが発生する。このインダクタンスの大きさは、ランドパターン間に形成された電流経路の長さによって異なる。この電流経路の長さは、端子電極に接続される内部電極とランドパターンとの距離によって決まる。したがって、一部の内部電極のみ端子電極に接続されている積層コンデンサでは一般に、積層体の何れの側面を基板と対向させて実装するかによって、端子電極に接続されている内部電極とランドパターンとの距離が変わってしまうため、実装方向によって電流経路の長さが変わってきてしまう。その結果、等価直列インダクタンスが積層コンデンサの実装方向に依存し、ばらつきを生じてしまうという問題が発生してしまう。
そこで、本発明者は、等価直列抵抗を大きくしたいという要求と等価直列インダクタンスのばらつきを抑えたいという要求とをともに満たし得る積層コンデンサについて鋭意研究を行った。その結果、本発明者は、内部電極を接続導体で接続し且つ一部の内部電極のみ引き出し導体で端子電極と接続させるとともに、引き出し導体を介して端子電極に接続される内部電極の位置を積層体内で対称にすることによって、等価直列インダクタンスのばらつきを抑えつつ等価直列抵抗を大きくすることが可能となるという新たな事実を見出すに至った。特に、引き出し導体の数、あるいは積層体の積層方向での引き出し導体の位置を変えることができれば、等価直列抵抗を所望の値に調節することも可能となる。
かかる研究結果を踏まえ、本発明に係る積層コンデンサは、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、積層体に形成された複数の端子電極とを備えた積層コンデンサであって、複数の端子電極は、互いに電気的に絶縁された第１及び第２の端子電極を含み、複数の内部電極は、交互に配置される複数の第１及び第２の内部電極を含み、複数の第１の内部電極は、接続導体を介して互いに電気的に接続され、複数の第２の内部電極は、接続導体を介して互いに電気的に接続され、複数の第１の内部電極のうち、１つ以上当該第１の内部電極の総数よりも１つ少ない数以下の第１の内部電極は、引き出し導体を介して第１の端子電極に電気的に接続され、複数の第２の内部電極のうち、１つ以上当該第２の内部電極の総数よりも１つ少ない数以下の第２の内部電極は、引き出し導体を介して第２の端子電極に電気的に接続され、積層体の積層方向における中心位置に対して、引き出し導体を介して第１の端子電極に電気的に接続される各第１の内部電極と対称となる位置には、引き出し導体を介して第２の端子電極に電気的に接続される第２の内部電極が存在し、積層体の積層方向における中心位置に対して、引き出し導体を介して第２の端子電極に電気的に接続される各第２の内部電極と対称となる位置には、引き出し導体を介して第１の端子電極に電気的に接続される第１の内部電極が存在することを特徴とする。
また、本発明に係る積層コンデンサは、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、積層体に形成された複数の端子電極とを備えた積層コンデンサであって、複数の端子電極は、互いに電気的に絶縁された第１及び第２の端子電極を含み、複数の内部電極は、交互に配置される複数の第１及び第２の内部電極を含み、複数の第１の内部電極は、接続導体を介して互いに電気的に接続され、複数の第２の内部電極は、接続導体を介して互いに電気的に接続され、複数の第１の内部電極のうち、１つ以上当該第１の内部電極の総数よりも１つ少ない数以下の第１の内部電極は、引き出し導体を介して第１の端子電極に電気的に接続され、複数の第２の内部電極のうち、１つ以上当該第２の内部電極の総数よりも１つ少ない数以下の第２の内部電極は、引き出し導体を介して第２の端子電極に電気的に接続され、積層体の積層方向における中心位置に対して、引き出し導体を介して第１の端子電極に電気的に接続される各第１の内部電極と対称となる位置には、引き出し導体を介して第１の端子電極に電気的に接続される第１の内部電極が存在し、積層体の積層方向における中心位置に対して、引き出し導体を介して第２の端子電極に電気的に接続される各第２の内部電極と対称となる位置には、引き出し導体を介して第２の端子電極に電気的に接続される第２の内部電極が存在することを特徴とする。
これらの積層コンデンサは、第１及び第２の端子電極に直接接続されない第１及び第２の内部電極を有する。こうした内部電極及びこれらを互いに電気的に接続する接続導体を有することにより、これらの積層コンデンサでは等価直列抵抗の増大が可能となる。また、これらの積層コンデンサでは、積層体の積層方向における中心位置に対して、引き出し導体を介して第１及び第２の端子電極に電気的に接続される第１及び第２の内部電極それぞれと対称となる位置に、引き出し導体を介して端子電極に電気的に接続される内部電極が存在する。そのため、積層体の積層方向に対向する２つの側面のうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、これらの積層コンデンサでは、実装方向による等価直列インダクタンスのばらつきが抑制されている。
複数の第１の内部電極は、引き出し導体を介して接続導体に電気的に接続され、複数の第２の内部電極は、引き出し導体を介して接続導体に電気的に接続され、接続導体は積層体の表面上に形成されていることが好ましい。あるいは、接続導体は、積層体内において積層体の積層方向に設けられたスルーホール導体であることが好ましい。この場合、第１及び第２の内部電極は、互いに電気的に接続される。
また、複数の第１及び第２の内部電極のうち少なくとも一部の第１及び第２の内部電極にスリットが形成され、スリットは、当該スリットが形成された第１及び第２の内部電極それぞれにおいて、当該スリットを挟んで対向する領域を電流が互いに逆向きに流れるように形成されていることが好ましい。この場合、電流に起因して発生する磁界が相殺され、等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
また、積層体は、略直方体形状をしており、第１の端子電極は、積層体の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面に形成されており、第２の端子電極は、積層体の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び、かつ第１の端子電極が形成される側面と対向する側面に形成されていることが好ましい。これにより、第１の端子電極から第２の端子電極に向かう方向に沿って、第１及び第２の内部電極が重なる長さが短くなる。その結果、第１及び第２の内部電極を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
また、引き出し導体を介して第１の端子電極に電気的に接続される第１の内部電極の数と引き出し導体を介して第２の端子電極に電気的に接続される第２の内部電極の数とをそれぞれ調整することにより、等価直列抵抗が所望の値に設定されていることが好ましい。
この積層コンデンサによれば、引き出し導体を介して第１の端子電極に電気的に接続される第１の内部電極の数及び引き出し導体を介して第２の端子電極に電気的に接続される第２の内部電極の数の少なくとも一方の数を調整することにより、等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、引き出し導体を介して第１の端子電極に電気的に接続される第１の内部電極の積層体の積層方向での位置と引き出し導体を介して第２の端子電極に電気的に接続される第２の内部電極の積層体の積層方向での位置とをそれぞれ調整することにより、等価直列抵抗が所望の値に設定されていることが好ましい。
この積層コンデンサによれば、引き出し導体を介して第１の端子電極に電気的に接続される第１の内部電極の積層体の積層方向での位置及び引き出し導体を介して第２の端子電極に電気的に接続される第２の内部電極の積層体の積層方向での位置の少なくとも一方の位置を調整することにより、等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、複数の第１の内部電極同士を電気的に接続する接続導体の数と複数の第２の内部電極同士を電気的に接続する接続導体の数とをそれぞれ更に調整することにより、等価直列抵抗が所望の値に設定されていることが好ましい。この場合、等価直列抵抗の制御をより一層精度良く行うことができる。
また、複数の第１の内部電極同士は、並列接続されており、複数の第２の内部電極同士は、並列接続されていることが好ましい。この場合、各第１の内部電極や各第２の内部電極の抵抗値にバラツキが生じても、積層コンデンサ全体での等価直列抵抗への影響が少なく、等価直列抵抗の制御の精度低下を抑制することができる。
本発明によれば、等価直列抵抗を大きくすることが可能な積層コンデンサを提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「上」及び「下」なる語を使用することがあるが、これは各図の上下方向に対応したものである。
（第１実施形態）
図１及び図２を参照して、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２は、第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
積層コンデンサＣ１は、図１に示されるように、積層体１と、当該積層体１に形成された第１及び第２の端子電極３、５と、第１及び第２の接続導体７、９とを備える。
第１の端子電極３は、積層体１の後述の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されている。第２の端子電極５は、積層体１の後述の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成される側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。第１の端子電極３と第２の端子電極５とは、互いに電気的に絶縁されている。
第１の接続導体７は、積層体１の側面１ｃ側に位置するように積層体１の表面上に形成されている。第２の接続導体９は、積層体１の側面１ｄ側に位置するように積層体１の表面上に形成されている。第１の接続導体７と第２の接続導体９とは、互いに電気的に絶縁されている。
積層体１は、図２にも示されるように、複数（本実施形態では、９層）の誘電体層１１〜１８、２２と、複数（本実施形態では、各４層）の第１及び第２の内部電極３１〜３４，４１〜４４とが交互に積層されることにより構成される。また、積層体１は、後述の積層方向で互いに対向する側面１ｅ、１ｆを有している。実際の積層コンデンサＣ１では、誘電体層１１〜１８、２２の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
各第１の内部電極３１〜３４は、略矩形形状を呈している。第１の内部電極３１〜３４は、積層体１における誘電体層１１〜１８、２２の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する。）に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。各第１の内部電極３１〜３４には、積層体１の側面１ｃに引き出されるように伸びる引き出し導体５１〜５４が形成されている。
引き出し導体５１は、第１の内部電極３１と一体に形成されており、積層体１の側面１ｃに臨むように、第１の内部電極３１から伸びている。引き出し導体５２は、第１の内部電極３２と一体に形成されており、積層体１の側面１ｃに臨むように、第１の内部電極３２から伸びている。引き出し導体５３は、第１の内部電極３３と一体に形成されており、積層体１の側面１ｃに臨むように、第１の内部電極３３から伸びている。引き出し導体５４は、第１の内部電極３４と一体に形成されており、積層体１の側面１ｃに臨むように、第１の内部電極３４から伸びている。
第１の内部電極３１〜３４はそれぞれ、引き出し導体５１〜５４を介して第１の接続導体７に電気的に接続される。これにより、第１の内部電極３１〜３４は、第１の接続導体７を介して互いに電気的に接続されることとなる。
第１の内部電極３１には引き出し導体３７が第１の内部電極３１と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように、第１の内部電極３１から伸びている。第１の内部電極３１は、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。第１の内部電極３１〜３４は第１の接続導体７を介して互いに電気的に接続されているため、第１の内部電極３２〜３４も第１の接続導体７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３４は並列接続されることとなる。また、第１の内部電極３１は、積層体１の側面１ｅと誘電体層２２を介して積層方向で隣り合う。
各第２の内部電極４１〜４４は、略矩形形状を呈している。第２の内部電極４１〜４４は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。各第２の内部電極４１〜４４には、積層体１の側面１ｄに引き出されるように伸びる引き出し導体６１〜６４が形成されている。
引き出し導体６１は、第２の内部電極４１と一体に形成されており、積層体１の側面１ｄに臨むように、第２の内部電極４１から伸びている。引き出し導体６２は、第２の内部電極４２と一体に形成されており、積層体１の側面１ｄに臨むように、第２の内部電極４２から伸びている。引き出し導体６３は、第２の内部電極４３と一体に形成されており、積層体１の側面１ｄに臨むように、第２の内部電極４３から伸びている。引き出し導体６４は、第２の内部電極４４と一体に形成されており、積層体１の側面１ｄに臨むように、第２の内部電極４４から伸びている。
第２の内部電極４１〜４４はそれぞれ、引き出し導体６１〜６４を介して第２の接続導体９に電気的に接続される。これにより、第２の内部電極４１〜４４は、第２の接続導体９を介して互いに電気的に接続されることとなる。
第２の内部電極４４には引き出し導体４７が第２の内部電極４４と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４４から伸びている。第２の内部電極４４は、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。第２の内部電極４１〜４４は第２の接続導体９を介して互いに電気的に接続されているため、第２の内部電極４１〜４３も第２の接続導体９を介して第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４４は並列接続されることとなる。また、第２の内部電極４４は、積層体１の側面１ｆと誘電体層１８を介して積層方向で隣り合う。
このように、積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４が存在している。一方、積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１が存在している。
積層コンデンサＣ１では、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１の数を１つとし、第１の内部電極３１〜３４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４４の数を１つとし、第２の内部電極４１〜４４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。また、第１の端子電極３に着目すると、第１の接続導体７の抵抗成分は、第１の端子電極３に対して直列接続されることとなる。また、第２の端子電極５に着目すると、第２の接続導体９の抵抗成分は、第２の端子電極５に対して直列接続されることとなる。これらにより、積層コンデンサＣ１は、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。また、等価直列抵抗が大きくなることによって、共振周波数での急激なインピーダンスの低下が防げ、広帯域化が可能となる。
このように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４の数とをそれぞれ調整することにより、積層コンデンサＣ１の等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、本実施形態において、第１の内部電極３１〜３４同士は、並列接続されており、第２の内部電極４１〜４４同士は、並列接続されている。これにより、各第１の内部電極３１〜３４や各第２の内部電極４１〜４４の抵抗値にバラツキが生じても、積層コンデンサＣ１全体での等価直列抵抗への影響が少なく、等価直列抵抗の制御の精度低下を抑制することができる。
図３は、積層コンデンサＣ１を基板１１０に実装する状態を説明するための図である。図３では、第１の端子電極３が基板１１０に形成された陰極ランドパターン１１２に、第２の端子電極５が陽極ランドパターン１１４に接続されている状態を示す。
図４は、基板１１０に実装された積層コンデンサＣ１の断面構造を模式的に表した図である。図４では、積層体１の側面１ｆが基板１１０と対向するように積層コンデンサＣ１が実装されている状態を示す。また、図４は、基板１１０内において、陰極ランドパターン１１２が配線１１６に、陽極ランドパターン１１４が配線１１８にそれぞれ接続されている状態を示す。図４から理解されるように、基板１１０に実装された積層コンデンサＣ１では、陰極ランドパターン１１２から、第１の端子電極３、第１の端子電極３に接続された第１の内部電極３１、第２の端子電極５に接続された第２の内部電極４４、及び第２の端子電極５を介して、陽極ランドパターン１１４に至る電流経路が形成される。また、図４において、誘電体層１１〜１８、２２及び配線１１６、１１８に相当する領域のハッチングは省略している。
ランドパターン１１２、１１４間にこうして形成された電流経路を電流が流れるとインダクタンスが発生する。このインダクタンスの大きさは、電流経路の長さによって異なる。積層コンデンサＣ１では、端子電極３、５に接続される内部電極３１、４４が、積層体１の積層方向における中心位置Ｍに対して互いに対称となる位置に配置されている。そのため、積層体１の側面１ｆではなく、側面１ｅを基板１１０に対向させるように積層コンデンサＣ１を実装したとしても、端子電極３、５に接続される内部電極３１、４４とランドパターン１１２、１１４との積層方向での距離は変化し難い。すなわち、積層コンデンサＣ１では、ランドパターン間に形成される電流経路の長さの実装方向による変化が抑制されている。その結果、積層コンデンサＣ１では、等価直列インダクタンスの値が実装する方向に依存せず、実装する方向によって等価直列インダクタンスにばらつきが生じることも抑えられる。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１の端子電極３から第２の端子電極５に向かう方向に沿って、第１及び第２の内部電極３１〜３４、４１〜４４が重なる長さが短くなる。その結果、第１及び第２の内部電極３１〜３４、４１〜４４を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、積層コンデンサＣ１では等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第２実施形態）
図５を参照して、第２実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第２実施形態に係る積層コンデンサは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に接続される第１の内部電極３３及び引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に接続される第２の内部電極４２の積層方向での位置の点で第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と相違する。図５は、第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第２実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５と、第１及び第２の接続導体７、９とを備えている。
第２実施形態に係る積層コンデンサでは、図５に示されるように、４つの第１の内部電極３１〜３４のうち上から３つ目となる第１の内部電極３３が、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。これにより、第１の内部電極３１、３２、３４も、第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３４は並列接続されることとなる。引き出し導体３７は、第１の内部電極３３と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに臨むように、第１の内部電極３３から伸びている。
第２実施形態に係る積層コンデンサでは、図５に示されるように、４つの第２の内部電極４１〜４４のうち上から２つ目となる第２の内部電極４２が、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。これにより、第２の内部電極４１、４３、４４も、第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４４は並列接続されることとなる。引き出し導体４７は、第２の内部電極４２と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ側面１ａと対向する側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４２から伸びている。
第２実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３３の数を１つとし、第１の内部電極３１〜３４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４２の数を１つとし、第２の内部電極４１〜４４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。これらにより、第２実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
ところで、第１の端子電極３に着目すると、第１の接続導体７の抵抗成分は、第１の内部電極３３を境にして、当該第１の内部電極３３よりも積層方向の一方側に位置する第１の接続導体７の抵抗成分と、第１の内部電極３３よりも積層方向の他方側に位置する第１の接続導体７の抵抗成分とに分けられる。これらの抵抗成分は、第１の端子電極３に対して並列接続されることとなる。また、第２の端子電極５に着目すると、第２の接続導体９の抵抗成分は、第２の内部電極４２を境にして、当該第２の内部電極４２よりも積層方向の一方側に位置する第２の接続導体９の抵抗成分と、第２の内部電極４２よりも積層方向の他方側に位置する第２の接続導体９の抵抗成分とに分けられる。これらの抵抗成分は、第２の端子電極５に対して並列接続されることとなる。
したがって、第１及び第２の接続導体７、９の抵抗成分の差異に起因して、第２実施形態に係る積層コンデンサは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１に比して、等価直列抵抗が小さくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３の積層方向での位置及び引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２の積層方向での位置を調整することにより、積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第２実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２が存在する。一方、第２実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３が存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３４、４１〜４４を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第２実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第３実施形態）
図６を参照して、第３実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第３実施形態に係る積層コンデンサは、引き出し導体３７，４７を介して端子電極３，５に接続される第１及び第２の内部電極３１、３４、４１，４４の数の点で第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と相違する。図６は、第３実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第３実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５と、第１及び第２の接続導体７、９とを備えている。
第３実施形態に係る積層コンデンサでは、図６に示されるように、４つの第１の内部電極３１〜３４のうち２つの第１の内部電極３１，３４が、引き出し導体３７介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。第１の内部電極３１〜３４は第１の接続導体７を介して互いに電気的に接続されているため、第１の内部電極３２、３３も第１の接続導体７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３４は並列接続されることとなる。引き出し導体３７は、各第１の内部電極３１，３４と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに臨むように、第１の内部電極３１，３４からそれぞれ伸びている。
４つの第２の内部電極４１〜４４のうち２つの第２の内部電極４１、４４が、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。第２の内部電極４１〜４４は第２の接続導体９を介して互いに電気的に接続されているため、第２の内部電極４２、４３も第２の接続導体９を介して第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４４は並列接続されることとなる。引き出し導体４７は、各第２の内部電極４１，４４と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ側面１ａと対向する側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４１，４４からそれぞれ伸びている。
第３実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１，３４の数を２つとし、第１の内部電極３１〜３４の総数よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１，４４の数を２つとし、第２の内部電極４１〜４４の総数よりも少なくされている。したがって、第３実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
第３実施形態に係る積層コンデンサは、積層コンデンサＣ１に比して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１，３４の数が多く、これらの引き出し導体３７は第１の端子電極３に対して並列接続される。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１、４４が多く、これらの引き出し導体４７は第２の端子電極５に対して並列接続される。したがって、第３実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗は、積層コンデンサＣ１の等価直列抵抗に比して小さくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１，３４の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１，４４の数とをそれぞれ調整することにより、第３実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第３実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３４と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１が存在する。一方、第３実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３４が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１が存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第３実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３４、４１〜４４を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第３実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第４実施形態）
図７を参照して、第４実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第４実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の内部電極３２〜３４、４１〜４３にスリットが形成されている点で第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と相違する。図７は、第４実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第４実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５と、第１及び第２の接続導体７、９とを備えている。
第１の内部電極３２〜３４において、引き出し導体５２〜５４と第１の内部電極３２〜３４との接続部分の脇から第１の内部電極３２〜３４の長手方向に伸びるようにスリットＳ１１〜Ｓ１３が形成されている。したがって、スリットＳ１１〜Ｓ１３は、各第１の内部電極３２〜３４において、スリットＳ１１〜Ｓ１３それぞれを挟んで対向する領域を電流が互いに逆向きに流れるように形成されることとなる。
第２の内部電極４１〜４３において、引き出し導体６１〜６３と第２の内部電極４１〜４３との接続部分の脇から第２の内部電極４１〜４３の長手方向に伸びるようにスリットＳ２１〜Ｓ２３が形成されている。したがって、スリットＳ２１〜Ｓ２３は、各第２の内部電極４１〜４３において、スリットＳ２１〜Ｓ２３それぞれを挟んで対向する領域を電流が互いに逆向きに流れるように形成されることとなる。
スリットＳ１１〜Ｓ１３、Ｓ２１〜Ｓ２３が形成された第１及び第２の内部電極３２〜３４、４１〜４３では、それぞれスリットＳ１１〜Ｓ１３、Ｓ２１〜Ｓ２３を挟んで対向する領域において互いに電流が逆向きに流れるため、電流に起因して発生する磁界が相殺される。また、スリットが形成された第１の内部電極３２〜３４と第２の内部電極４１〜４３とでは積層方向で見て、電流の流れる向きが逆向きとなる。そのため、第１の内部電極３２〜３４を流れる電流に起因して発生する磁界と第２の内部電極４１〜４３を流れる電流に起因して発生する磁界とは相殺される。このため、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
また、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１の数を１つとし、第１の内部電極３１〜３４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４４の数を１つとし、第２の内部電極４１〜４４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。これらにより、第４実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４の数とをそれぞれ調整することにより、第４実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第４実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４が存在する。一方、第４実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１が存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３４、４１〜４４を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第４実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
なお、スリットが形成される内部電極は、第１及び第２の内部電極３２〜３４、４１〜４３に限られない。すなわち、スリットは第１及び第２の内部電極３２〜３４、４１〜４３以外の内部電極に形成されていてもよく、例えば引き出し導体３７、４７を介して第１及び第２の端子電極３、５に電気的に接続される第１及び第２の内部電極３１、４４に形成されていてもよい。この場合の例として、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５にスリットＳ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４が形成されている積層コンデンサの分解斜視図を図８に示す。引き出し導体３７、４７を介して第１及び第２の端子電極３、５に電気的に接続される第１及び第２の内部電極３１、４４にスリットＳ１１、Ｓ２４を形成することによって、これらの内部電極３１、４４においても電流に起因して発生する磁界が相殺される。そのため、積層コンデンサにおける等価直列インダクタンスのさらなる低減を図ることが可能となる。
（第５実施形態）
図９を参照して、第５実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第５実施形態に係る積層コンデンサは、第１の端子電極と接続される第１の内部電極と積層体の積層方向での中心位置に対して対称となる位置に存在する内部電極が第１の内部電極であり、第２の端子電極と接続される第２の内部電極と積層体の積層方向での中心位置に対して対称となる位置に存在する内部電極が第２の内部電極である点で第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と相違する。図９は、第５実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第５実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５と、第１及び第２の接続導体７、９とを備えている。
積層体１は、図９にも示されるように、複数（本実施形態では、１２層）の誘電体層１１〜２２と、複数（本実施形態では、６層及び５層）の第１及び第２の内部電極３１〜３６，４１〜４５とが交互に積層されることにより構成される。実際の積層コンデンサでは、誘電体層１１〜２２の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
各第１の内部電極３１〜３６は、略矩形形状を呈している。第１の内部電極３１〜３６は、積層体１における誘電体層１１〜２２の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する。）に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。各第１の内部電極３１〜３６には、積層体１の側面１ｃに引き出されるように伸びる引き出し導体５１〜５６が形成されている。
引き出し導体５１は、第１の内部電極３１と一体に形成されており、積層体１の側面１ｃに臨むように、第１の内部電極３１から伸びている。引き出し導体５２は、第１の内部電極３２と一体に形成されており、積層体１の側面１ｃに臨むように、第１の内部電極３２から伸びている。引き出し導体５３は、第１の内部電極３３と一体に形成されており、積層体１の側面１ｃに臨むように、第１の内部電極３３から伸びている。引き出し導体５４は、第１の内部電極３４と一体に形成されており、積層体１の側面１ｃに臨むように、第１の内部電極３４から伸びている。引き出し導体５５は、第１の内部電極３５と一体に形成されており、積層体１の側面１ｃに臨むように、第１の内部電極３５から伸びている。引き出し導体５６は、第１の内部電極３６と一体に形成されており、積層体１の側面１ｃに臨むように、第１の内部電極３６から伸びている。
第１の内部電極３１〜３６はそれぞれ、引き出し導体５１〜５６を介して第１の接続導体７に電気的に接続される。これにより、第１の内部電極３１〜３６は、第１の接続導体７を介して互いに電気的に接続されることとなる。
第１の内部電極３１には引き出し導体３７が第１の内部電極３１と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように、第１の内部電極３１から伸びている。第１の内部電極３１は、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。第１の内部電極３６には引き出し導体３７が第１の内部電極３６と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように、第１の内部電極３６から伸びている。第１の内部電極３６は、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。第１の内部電極３１〜３６は第１の接続導体７を介して互いに電気的に接続されているため、第１の内部電極３２〜３５も第１の接続導体７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３６は並列接続されることとなる。また、第１の内部電極３１は、積層体１の側面１ｅと誘電体層２２を介して積層方向で隣り合う。第１の内部電極３６は、積層体１の側面１ｆと誘電体層２１を介して積層方向で隣り合う。
各第２の内部電極４１〜４５は、略矩形形状を呈している。第２の内部電極４１〜４５は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。各第２の内部電極４１〜４５には、積層体１の側面１ｄに引き出されるように伸びる引き出し導体６１〜６５が形成されている。
引き出し導体６１は、第２の内部電極４１と一体に形成されており、積層体１の側面１ｄに臨むように、第２の内部電極４１から伸びている。引き出し導体６２は、第２の内部電極４２と一体に形成されており、積層体１の側面１ｄに臨むように、第２の内部電極４２から伸びている。引き出し導体６３は、第２の内部電極４３と一体に形成されており、積層体１の側面１ｄに臨むように、第２の内部電極４３から伸びている。引き出し導体６４は、第２の内部電極４４と一体に形成されており、積層体１の側面１ｄに臨むように、第２の内部電極４４から伸びている。引き出し導体６５は、第２の内部電極４５と一体に形成されており、積層体１の側面１ｄに臨むように、第２の内部電極４５から伸びている。
第２の内部電極４１〜４５はそれぞれ、引き出し導体６１〜６５を介して第２の接続導体９に電気的に接続される。これにより、第２の内部電極４１〜４５は、第２の接続導体９を介して互いに電気的に接続されることとなる。
第２の内部電極４１には引き出し導体４７が第２の内部電極４１と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４１から伸びている。第２の内部電極４１は、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。第２の内部電極４５には引き出し導体４７が第２の内部電極４５と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４５から伸びている。第２の内部電極４５は、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。第２の内部電極４１〜４５は第２の接続導体９を介して互いに電気的に接続されているため、第２の内部電極４２〜４４も第２の接続導体９を介して第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４５は並列接続されることとなる。
このように、積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３６が存在している。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３６と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１が存在している。
一方、積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４５が存在している。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４５と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１が存在している。
第５実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１、３６の数を２つとし、第１の内部電極３１〜３６の総数（本実施形態では、６つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１、４５の数を２つとし、第２の内部電極４１〜４５の総数（本実施形態では、５つ）よりも少なくされている。そのため、第５実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。また、等価直列抵抗が大きくなることによって、共振周波数での急激なインピーダンスの低下が防げ、広帯域化が可能となる。
このように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１、３６の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１、４５の数とをそれぞれ調整することにより、第５実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、本実施形態において、第１の内部電極３１〜３６同士は、並列接続されており、第２の内部電極４１〜４５同士は、並列接続されている。これにより、各第１の内部電極３１〜３６や各第２の内部電極４１〜４５の抵抗値にバラツキが生じても、第５実施形態に係る積層コンデンサ全体での等価直列抵抗への影響が少なく、等価直列抵抗の制御の精度低下を抑制することができる。
また、図１０は、基板１１０に実装された第５実施形態に係る積層コンデンサの断面構造を模式的に表した図である。図１０では、積層体１の側面１ｆが基板１１０と対向するように第５実施形態に係る積層コンデンサが実装されている状態を示す。また、図１０は、基板１１０内において、陰極ランドパターン１１２が配線１１６に、陽極ランドパターン１１４が配線１１８にそれぞれ接続されている状態を示す。図１０から理解されるように、基板１１０に実装された第５実施形態に係る積層コンデンサでは、陰極ランドパターン１１２から、第１の端子電極３、第１の端子電極３に接続された第１の内部電極３１、３６、第２の端子電極５に接続された第２の内部電極４１、４５、及び第２の端子電極５を介して、陽極ランドパターン１１４に至る電流経路が形成される。また、図１０において、誘電体層１１〜２２及び配線１１６、１１８に相当する領域のハッチングは省略している。
ランドパターン間にこうして形成された電流経路を電流が流れるとインダクタンスが発生する。このインダクタンスの大きさは、電流経路の長さによって異なる。第５実施形態に係る積層コンデンサでは、端子電極３、５に接続される各内部電極３１、３６、４１、４５に対し、積層体１の積層方向における中心位置Ｍに対して互いに対称となる位置に内部電極３６、３１、４５、４１がそれぞれ存在する。そのため、積層体１の側面１ｆではなく、側面１ｅを基板１１０に対向させるように第５実施形態に係る積層コンデンサを実装したとしても、端子電極３、５に接続される内部電極３１、３６、４１、４５とランドパターン１１２、１１４との積層方向での距離は変化し難い。すなわち、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、ランドパターン間に形成される電流経路の長さの実装方向による変化が抑制されている。その結果、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの値が実装する方向に依存せず、実装する方向によって等価直列インダクタンスにばらつきが生じることも抑えられる。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１の端子電極３から第２の端子電極５に向かう方向に沿って、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５が重なる長さが短くなる。その結果、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第５実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第６実施形態）
図１１を参照して、第６実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第６実施形態に係る積層コンデンサは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に接続される第１の内部電極３３、３４及び引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に接続される第２の内部電極４２、４４の積層方向での位置の点で第５実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図１１は、第６実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第６実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５と、第１及び第２の接続導体７、９とを備えている。
第６実施形態に係る積層コンデンサでは、図１１に示されるように、６つの第１の内部電極３１〜３６のうち上から３つ目となる第１の内部電極３３及び上から４つ目となる第１の内部電極３４が、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。これにより、第１の内部電極３１、３２、３５、３６も、第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３６は並列接続されることとなる。引き出し導体３７は、第１の内部電極３３、３４と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに臨むように、第１の内部電極３３、３４から伸びている。
第６実施形態に係る積層コンデンサでは、図１１に示されるように、５つの第２の内部電極４１〜４５のうち上から２つ目となる第２の内部電極４２及び上から４つ目となる第２の内部電極４４が、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。これにより、第２の内部電極４１、４３、４５も、第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４５は並列接続されることとなる。引き出し導体４７は、第２の内部電極４２、４４と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ側面１ａと対向する側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４２、４４から伸びている。
第６実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３３、３４の数を２つとし、第１の内部電極３１〜３６の総数（本実施形態では、６つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４２、４４の数を２つとし、第２の内部電極４１〜４５の総数（本実施形態では、５つ）よりも少なくされている。これらにより、第６実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
ところで、第１の端子電極３に着目すると、第６実施形態に係る積層コンデンサは、第５実施形態に係る積層コンデンサと比べて、第１の接続導体７の抵抗成分の第１の端子電極３への接続のされ方が異なる。すなわち、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、第１の接続導体７の抵抗成分は、第１の内部電極３１、３６それぞれに対して直列接続されている。一方、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、第１の接続導体７の抵抗成分は、第１の内部電極３３、３４それぞれを境にして分けられ、これらの抵抗成分は、第１の端子電極３に対して並列接続される。また、第２の端子電極５に着目すると、第６実施形態に係る積層コンデンサは、第５実施形態に係る積層コンデンサと比べて、第２の接続導体９の抵抗成分の第２の端子電極５への接続のされ方が異なる。すなわち、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、第２の接続導体９の抵抗成分は、第２の内部電極４１、４５それぞれに対して直列接続されている。一方、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、第２の接続導体９の抵抗成分は、第２の内部電極４２、４４それぞれを境にして分けられ、これらの抵抗成分は、第２の端子電極５に対して並列接続される。
したがって、第１及び第２の接続導体７、９の抵抗成分の差異に起因して、第６実施形態に係る積層コンデンサは、第５実施形態に係る積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が小さくなる。（段落００９８、００９９の技術的内容についてご確認ください。）
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３、３４の積層方向での位置及び引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２、４４の積層方向での位置を調整することにより、積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第６実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３４が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３４と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３が存在する。一方、第６実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２が存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第６実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第７実施形態）
図１２を参照して、第７実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第７実施形態に係る積層コンデンサは、引き出し導体３７，４７を介して端子電極３，５に接続される第１及び第２の内部電極３１、３２、３５、３６、４１，４２、４４、４５の数の点で第５実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図１２は、第７実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第７実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５と、第１及び第２の接続導体７、９とを備えている。
第７実施形態に係る積層コンデンサでは、図１２に示されるように、６つの第１の内部電極３１〜３６のうち４つの第１の内部電極３１、３２、３５、３６が、引き出し導体３７介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。第１の内部電極３１〜３６は第１の接続導体７を介して互いに電気的に接続されているため、第１の内部電極３３、３４も第１の接続導体７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３６は並列接続されることとなる。引き出し導体３７は、各第１の内部電極３１、３２、３５、３６と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに臨むように、第１の内部電極３１、３２、３５、３６からそれぞれ伸びている。
５つの第２の内部電極４１〜４５のうち４つの第２の内部電極４１，４２、４４、４５が、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。第２の内部電極４１〜４５は第２の接続導体９を介して互いに電気的に接続されているため、第２の内部電極４３も第２の接続導体９を介して第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４５は並列接続されることとなる。引き出し導体４７は、各第２の内部電極４１，４２、４４、４５と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ側面１ａと対向する側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４１，４２、４４、４５からそれぞれ伸びている。
第７実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１、３２、３５、３６の数を４つとし、第１の内部電極３１〜３６の総数よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１，４２、４４、４５の数を４つとし、第２の内部電極４１〜４５の総数よりも少なくされている。したがって、第７実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
第７実施形態に係る積層コンデンサは、第５実施形態に係る積層コンデンサに比して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１，３２、３５、３６の数が多く、これらの引き出し導体３７は第１の端子電極３に対して並列接続される。また、引き出し導体４７して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１、４２、４４、４５が多く、これらの引き出し導体４７は第２の端子電極５に対して並列接続される。したがって、第７実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗は、第５実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗に比して小さくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１、３２、３５、３６の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１，４２、４４、４５の数とをそれぞれ調整することにより、第７実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第７実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３６が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３２と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３５が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３５と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３２が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３６と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１が存在する。
一方、第７実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４５が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４５と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１が存在する。
そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第７実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第７実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第８実施形態）
図１３を参照して、第８実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第８実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５にスリットが形成されている点で第５実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図１３は、第８実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第８実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５と、第１及び第２の接続導体７、９とを備えている。
第１の内部電極３１〜３６において、引き出し導体５１〜５６と第１の内部電極３１〜３６との接続部分の脇から第１の内部電極３１〜３６の長手方向に伸びるようにスリットＳ１１〜Ｓ１６が形成されている。したがって、スリットＳ１１〜Ｓ１６は、各第１の内部電極３１〜３６において、スリットＳ１１〜Ｓ１６それぞれを挟んで対向する領域を電流が互いに逆向きに流れるように形成されることとなる。
第２の内部電極４１〜４５において、引き出し導体６１〜６５と第２の内部電極４１〜４５との接続部分の脇から第２の内部電極４１〜４５の長手方向に伸びるようにスリットＳ２１〜Ｓ２５が形成されている。したがって、スリットＳ２１〜Ｓ２５は、各第２の内部電極４１〜４５において、スリットＳ２１〜Ｓ２５それぞれを挟んで対向する領域を電流が互いに逆向きに流れるように形成されることとなる。
スリットＳ１１〜Ｓ１６、Ｓ２１〜Ｓ２５が形成された第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５では、それぞれスリットＳ１１〜Ｓ１６、Ｓ２１〜Ｓ２５を挟んで対向する領域において互いに電流が逆向きに流れるため、電流に起因して発生する磁界が相殺される。また、スリットが形成された第１の内部電極３１〜３６と第２の内部電極４１〜４５とでは積層方向で見て、電流の流れる向きが逆向きとなる。そのため、第１の内部電極３１〜３６を流れる電流に起因して発生する磁界と第２の内部電極４１〜４５を流れる電流に起因して発生する磁界とは相殺される。このため、第８実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
また、第８実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１、３６の数を２つとし、第１の内部電極３１〜３６の総数（本実施形態では、６つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１、４５の数を２つとし、第２の内部電極４１〜４５の総数（本実施形態では、５つ）よりも少なくされている。これらにより、第８実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１、３６の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１、４５の数とをそれぞれ調整することにより、第８実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第８実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される各第１の内部電極３１、３６と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３６、３１がそれぞれ存在する。一方、第８実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される各第２の内部電極４１、４５と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４、４１がそれぞれ存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第８実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第８実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
なお、スリットは、すべての内部電極に形成されている必要はなく、例えば引き出し導体３７、４７を介して第１及び第２の端子電極３、５に電気的に接続される第１及び第２の内部電極３１、３６、４１、４５に形成されていなくてもよい。ただし、第１及び第２の内部電極３１、３６、４１、４５にスリットを形成することによって、これらの内部電極３１、３６、４１、４５において電流に起因して発生する磁界が相殺される。そのため、積層コンデンサにおける等価直列インダクタンスのさらなる低減を図ることが可能となる。
（第９実施形態）
図１４及び図１５を参照して、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２の構成について説明する。図１４は、第９実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図１５は、第９実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
積層コンデンサＣ２は、図１４に示されるように、積層体１と、当該積層体１に形成された第１及び第２の端子電極３、５とを備える。
第１の端子電極３は、積層体１の後述の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されている。第２の端子電極５は、積層体１の後述の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成される側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。第１の端子電極３と第２の端子電極５とは、互いに電気的に絶縁されている。
積層体１は、図１５にも示されるように、複数（本実施形態では、９層）の誘電体層１１〜１８、２２と、複数（本実施形態では、各４層）の第１及び第２の内部電極３１〜３４，４１〜４４とが交互に積層されることにより構成される。また、積層体１は、後述の積層方向で互いに対向する側面１ｅ、１ｆ、及び積層方向と平行な側面のうち短手方向に伸びる側面１ｃ、１ｄを有している。実際の積層コンデンサＣ２では、誘電体層１１〜１８、２２の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
各第１の内部電極３１〜３４は、略矩形形状を呈している。第１の内部電極３１〜３４は、積層体１における誘電体層１１〜１８、２２の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する。）に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。各第１の内部電極３１〜３４には、誘電体層１１，１３，１５，１７が露出するように、開口３１ａ〜３４ａが形成されている。各誘電体層１１，１３，１５，１７上には、第１の内部電極３１〜３４に形成された開口３１ａ〜３４ａに対応する領域に、ランド状の内部導体７１〜７４が位置している。また、第１の内部電極３１は、積層体１の側面１ｅと誘電体層２２を介して積層方向で隣り合う。
各第２の内部電極４１〜４４は、矩形形状を呈している。第２の内部電極４１〜４４は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。各第２の内部電極４１〜４４には、誘電体層１２，１４，１６，１８が露出するように、開口４１ａ〜４４ａが形成されている。各誘電体層１２，１４，１６，１８上には、第２の内部電極４１〜４４に形成された開口４１ａ〜４４ａに対応する領域に、ランド状の内部導体８１〜８４が位置している。また、第２の内部電極４４は、積層体１の側面１ｆと誘電体層１８を介して積層方向で隣り合う。
誘電体層１１における内部導体８１と内部導体７１とに対応する位置には、誘電体層１１を厚み方向に貫通するスルーホール導体９１ａ，９１ｂがそれぞれ形成されている。スルーホール導体９１ａは、第１の内部電極３１に電気的に接続されている。スルーホール導体９１ｂは、内部導体７１に電気的に接続されている。スルーホール導体９１ａは、誘電体層１１，１２が積層された状態で、内部導体８１と電気的に接続される。スルーホール導体９１ｂは、誘電体層１１，１２が積層された状態で、第２の内部電極４１と電気的に接続される。
誘電体層１２における内部導体８１と内部導体７２とに対応する位置には、誘電体層１２を厚み方向に貫通するスルーホール導体９２ａ，９２ｂがそれぞれ形成されている。スルーホール導体９２ａは、内部導体８１に電気的に接続されている。スルーホール導体９２ｂは、第２の内部電極４１に電気的に接続されている。スルーホール導体９２ａは、誘電体層１２，１３が積層された状態で、第１の内部電極３２と電気的に接続される。スルーホール導体９２ｂは、誘電体層１２，１３が積層された状態で、内部導体７２と電気的に接続される。
誘電体層１３における内部導体８２と内部導体７２とに対応する位置には、誘電体層１３を厚み方向に貫通するスルーホール導体９３ａ，９３ｂがそれぞれ形成されている。スルーホール導体９３ａは、第１の内部電極３２に電気的に接続されている。スルーホール導体９３ｂは、内部導体７２に電気的に接続されている。スルーホール導体９３ａは、誘電体層１３，１４が積層された状態で、内部導体８２と電気的に接続される。スルーホール導体９３ｂは、誘電体層１３，１４が積層された状態で、第２の内部電極４２と電気的に接続される。
誘電体層１４における内部導体８２と内部導体７３とに対応する位置には、誘電体層１４を厚み方向に貫通するスルーホール導体９４ａ，９４ｂがそれぞれ形成されている。スルーホール導体９４ａは、内部導体８２に電気的に接続されている。スルーホール導体９４ｂは、第２の内部電極４２に電気的に接続されている。スルーホール導体９４ａは、誘電体層１４，１５が積層された状態で、第１の内部電極３３と電気的に接続される。スルーホール導体９４ｂは、誘電体層１４，１５が積層された状態で、内部導体７３と電気的に接続される。
誘電体層１５における内部導体８３と内部導体７３とに対応する位置には、誘電体層１５を厚み方向に貫通するスルーホール導体９５ａ，９５ｂがそれぞれ形成されている。スルーホール導体９５ａは、第１の内部電極３３に電気的に接続されている。スルーホール導体９５ｂは、内部導体７３に電気的に接続されている。スルーホール導体９５ａは、誘電体層１５，１６が積層された状態で、内部導体８３と電気的に接続される。スルーホール導体９５ｂは、誘電体層１５，１６が積層された状態で、第２の内部電極４３と電気的に接続される。
誘電体層１６における内部導体８３と内部導体７４とに対応する位置には、誘電体層１６を厚み方向に貫通するスルーホール導体９６ａ，９６ｂがそれぞれ形成されている。スルーホール導体９６ａは、内部導体８３に電気的に接続されている。スルーホール導体９６ｂは、第２の内部電極４３に電気的に接続されている。スルーホール導体９６ａは、誘電体層１６，１７が積層された状態で、第１の内部電極３４と電気的に接続される。スルーホール導体９６ｂは、誘電体層１６，１７が積層された状態で、内部導体７４と電気的に接続される。
誘電体層１７における内部導体８４と内部導体７４とに対応する位置には、誘電体層１７を厚み方向に貫通するスルーホール導体９７ａ，９７ｂがそれぞれ形成されている。スルーホール導体９７ａは、第１の内部電極３４に電気的に接続されている。スルーホール導体９７ｂは、内部導体７４に電気的に接続されている。スルーホール導体９７ａは、誘電体層１７，１８が積層された状態で、内部導体８４と電気的に接続される。スルーホール導体９７ｂは、誘電体層１７，１８が積層された状態で、第２の内部電極４４と電気的に接続される。
スルーホール導体９１ａ〜９７ａは、誘電体層１１〜１７が積層されることにより、積層方向に略直線状に併設され、相互に電気的に接続されることにより通電経路を構成する。第１の内部電極３１〜３４は、スルーホール導体９１ａ〜９７ａ及び内部導体８１〜８４を介して互いに電気的に接続されている。
第１の内部電極３１は、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。これにより、第１の内部電極３２〜３４も第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３４は並列接続されることとなる。引き出し導体３７は、第１の内部電極３１と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに臨むように、第１の内部電極３１から伸びている。
スルーホール導体９１ｂ〜９７ｂも、スルーホール導体９１ａ〜９７ａと同様に、誘電体層１１〜１７が積層されることにより、積層方向に略直線状に併設され、相互に電気的に接続されることにより通電経路を構成する。第２の内部電極４１〜４４は、スルーホール導体９１ｂ〜９７ｂ及び内部導体７１〜７４を介して互いに電気的に接続されている。
第２の内部電極４４は、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。これにより、第２の内部電極４１〜４３も、第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４４は並列接続されることとなる。引き出し導体４７は、第２の内部電極４４と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成される側面１ａと対向する側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４４から伸びている。
積層コンデンサＣ２では、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１の数を１つとし、第１の内部電極３１〜３４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４４の数を１つとし、第２の内部電極４１〜４４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。また、スルーホール導体９１ａ〜９７ａは第１の端子電極３に直列接続されることとなり、スルーホール導体９１ａ〜９７ａの合成抵抗成分は比較的大きくなる。また、スルーホール導体９１ｂ〜９７ｂも第２の端子電極５に直列接続されることとなり、スルーホール導体９１ｂ〜９７ｂの合成抵抗成分は比較的大きくなる。これらにより、積層コンデンサＣ２は、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４の数とをそれぞれ調整することにより、積層コンデンサＣ２の等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、本実施形態において、第１の内部電極３１〜３４同士は、並列接続されており、第２の内部電極４１〜４４同士は、並列接続されている。これにより、各第１の内部電極３１〜３４や各第２の内部電極４１〜４４の抵抗値にバラツキが生じても、積層コンデンサＣ２全体での等価直列抵抗への影響が少なく、等価直列抵抗の制御の精度低下を抑制することができる。
また、積層コンデンサＣ２の積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４が存在する。一方、積層コンデンサＣ２の積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１が存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２では、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３４、４１〜４４を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、積層コンデンサＣ２では等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第１０実施形態）
図１６を参照して、第１０実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第１０実施形態に係る積層コンデンサは、引き出し導体３７，４７を介して端子電極３，５に接続される第１及び第２の内部電極３３，４２の積層方向で位置の点で第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と相違する。図１６は、第１０実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第１０実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５とを備えている。
第１０実施形態に係る積層コンデンサでは、図１６に示されるように、４つの第１の内部電極３１〜３４のうち第１の内部電極３１から下に数えて３つ目となる第１の内部電極３３が、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。これにより、第１の内部電極３１，３２，３４も第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３４は並列接続されることとなる。引き出し導体３７は、第１の内部電極３３と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに臨むように、第１の内部電極３３から伸びている。
４つの第２の内部電極４１〜４４のうち第２の内部電極４１から下に数えて２つ目となる第２の内部電極４２が、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。これにより、第２の内部電極４１，４３，４４も、第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４４は並列接続されることとなる。引き出し導体４７は、第２の内部電極４２と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４２から伸びている。
第１０実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３３の数を１つとし、第１の内部電極３１〜３４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４２の数を１つとし、第２の内部電極４１〜４４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。これらにより、第１０実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
ところで、スルーホール導体９１ａ〜９７ａの抵抗成分は、第１の内部電極３３を境にして、当該第１の内部電極３３よりも積層方向の一方側に位置するスルーホール導体９１ａ〜９４ａの合成抵抗成分と、第１の内部電極３３よりも積層方向の他方側に位置するスルーホール導体９５ａ〜９７ａの合成抵抗成分とに分けられる。スルーホール導体９１ａ〜９４ａの合成抵抗成分と、スルーホール導体９５ａ〜９７ａの合成抵抗成分とは、第１の端子電極３に対して並列接続されることとなる。また、スルーホール導体９１ｂ〜９７ｂの抵抗成分は、第２の内部電極４２を境にして、当該第２の内部電極４２よりも積層方向の一方側に位置するスルーホール導体９１ｂ〜９３ｂの合成抵抗成分と、第２の内部電極４２よりも積層方向の他方側に位置するスルーホール導体９４ｂ〜９７ｂの合成抵抗成分とに分けられる。スルーホール導体９１ｂ〜９３ｂの合成抵抗成分と、スルーホール導体９４ｂ〜９７ｂの合成抵抗成分とは、第２の端子電極５に対して並列接続されることとなる。したがって、第１０実施形態に係る積層コンデンサは、スルーホール導体９１ａ〜９７ａ，９１ｂ〜９７ｂがそれぞれ直列接続されている第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２に比して、等価直列抵抗が小さくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３の積層方向での位置と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２の積層方向での位置とをそれぞれ調整することにより、第１０実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第１０実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２が存在する。一方、積層コンデンサＣ２の積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３が存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第１０実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３４、４１〜４４を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第１０実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第１１実施形態）
図１７を参照して、第１１実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第１１実施形態に係る積層コンデンサは、引き出し導体３７，４７を介して端子電極３，５に接続される第１及び第２の内部電極３１，３４，４１，４４の数の点で第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と相違する。図１７は、第１１実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第１１実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５とを備えている。
第１１実施形態に係る積層コンデンサでは、図１７に示されるように、４つの第１の内部電極３１〜３４のうち２つの第１の内部電極３１，３４が、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。これにより、第１の内部電極３２，３３も第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３４は並列接続されることとなる。引き出し導体３７は、各第１の内部電極３１，３４と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに臨むように、第１の内部電極３１，３４からそれぞれ伸びている。
４つの第２の内部電極４１〜４４のうち２つの第２の内部電極４１，４４が、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。これにより、第２の内部電極４２，４３も、第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４４は並列接続されることとなる。引き出し導体４７は、各第２の内部電極４１，４４と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４１，４４からそれぞれ伸びている。
第１１実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１，３４の数を２つとし、第１の内部電極３１〜３４の総数よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１，４４の数を２つとし、第２の内部電極４１〜４４の総数よりも少なくされている。したがって、第１１実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
第１１実施形態に係る積層コンデンサは、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２に比して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１，３４の数が多く、これらの引き出し導体３７は第１の端子電極３に対して並列接続される。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１，４４が多く、これらの引き出し導体４７は第２の端子電極５に対して並列接続される。したがって、第１１実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗は、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２に比して等価直列抵抗が小さくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１，３４の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１，４４の数とをそれぞれ調整することにより、第１１実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第１１実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３４と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１が存在する。一方、積層コンデンサＣ２の積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３４が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１が存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第１１実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３４、４１〜４４を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第１１実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第１２実施形態）
図１８を参照して、第１２実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第１２実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の内部電極３１〜３４、４１〜４５にスリットが形成されている点で第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と相違する。図１８は、第１２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第１２実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５とを備えている。
第１の内部電極３１〜３４において、積層体１の側面１ｄと対向する当該第１の内部電極３１〜３４の端辺から、スルーホール導体９１ａ〜９７ａと当該第１の内部電極３１〜３４とが接続される部分の脇へ伸びるようにスリットＳ１１〜Ｓ１４が形成されている。したがって、スリットＳ１１〜Ｓ１４は、各第１の内部電極３１〜３４において、スリットＳ１１〜Ｓ１４それぞれを挟んで対向する領域を電流が互いに逆向きに流れるように形成されることとなる。
第２の内部電極４１〜４４において、積層体１の側面１ｃと対向する当該第２の内部電極４１〜４４の端辺から、スルーホール導体９１ｂ〜９７ｂと当該第２の内部電極４１〜４４とが接続される部分の脇へ伸びるようにスリットＳ２１〜Ｓ２４が形成されている。したがって、スリットＳ２１〜Ｓ２４は、各第２の内部電極４１〜４４において、スリットＳ２１〜Ｓ２４それぞれを挟んで対向する領域を電流が互いに逆向きに流れるように形成されることとなる。
スリットＳ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４が形成された第１及び第２の内部電極３１〜３４、４１〜４４では、それぞれスリットＳ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４を挟んで対向する領域において互いに電流が逆向きに流れるため、電流に起因して発生する磁界が相殺される。また、スリットが形成された第１の内部電極３１〜３４と第２の内部電極４１〜４４とでは積層方向で見て、電流の流れる向きが逆向きとなる。そのため、第１の内部電極３１〜３４を流れる電流に起因して発生する磁界と第２の内部電極４１〜４４を流れる電流に起因して発生する磁界とは相殺される。このため、第１２実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
また、第１２実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１の数を１つとし、第１の内部電極３１〜３４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４４の数を１つとし、第２の内部電極４１〜４４の総数（本実施形態では、４つ）よりも少なくされている。これらにより、第１２実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４の数とをそれぞれ調整することにより、第１２実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第１２実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４が存在する。一方、第１２実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１が存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第１２実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３４、４１〜４４を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第１２実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
なお、スリットは、すべての内部電極に形成されている必要はなく、例えば引き出し導体３７、４７を介して第１及び第２の端子電極３、５に電気的に接続される第１及び第２の内部電極３１、４４に形成されていなくてもよい。ただし、第１及び第２の内部電極３１、４４にスリットを形成することによって、これらの内部電極３１、４４において電流に起因して発生する磁界が相殺される。そのため、積層コンデンサにおける等価直列インダクタンスのさらなる低減を図ることが可能となる。
（第１３実施形態）
図１９を参照して、第１３実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第１３実施形態に係る積層コンデンサは、第１の端子電極と接続される第１の内部電極と積層体の積層方向での中心位置に対して対称となる位置に存在する内部電極が第１の内部電極であり、第２の端子電極と接続される第２の内部電極と積層体の積層方向での中心位置に対して対称となる位置に存在する内部電極が第２の内部電極である点で第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と相違する。図１９は、第１３実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第１３実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５とを備えている。
積層体１は、図１９にも示されるように、複数（本実施形態では、１２層）の誘電体層１１〜２２と、複数（本実施形態では、６層）の第１の内部電極３１〜３６及び複数（本実施形態では、５層）の第２の内部電極４１〜４５とが交互に積層されることにより構成される。実際の積層コンデンサでは、誘電体層１１〜２２の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
各第１の内部電極３１〜３６は、略矩形形状を呈している。第１の内部電極３１〜３６は、積層体１における誘電体層１１〜２２の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する。）に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。各第１の内部電極３１〜３６には、誘電体層１１，１３，１５，１７、１９、２１が露出するように、開口３１ａ〜３６ａが形成されている。各誘電体層１１，１３，１５，１７、１９、２１上には、第１の内部電極３１〜３６に形成された開口３１ａ〜３６ａに対応する領域に、ランド状の内部導体７１〜７６が位置している。また、第１の内部電極３１は、積層体１の側面１ｅと誘電体層２２を介して積層方向で隣り合う。第１の内部電極３６は、積層体１の側面１ｆと誘電体層２１を介して積層方向で隣り合う。
各第２の内部電極４１〜４５は、矩形形状を呈している。第２の内部電極４１〜４５は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。各第２の内部電極４１〜４５には、誘電体層１２，１４，１６，１８、２０が露出するように、開口４１ａ〜４５ａが形成されている。各誘電体層１２，１４，１６，１８、２０上には、第２の内部電極４１〜４５に形成された開口４１ａ〜４５ａに対応する領域に、ランド状の内部導体８１〜８５が位置している。
スルーホール導体９１ａ〜９７ａは、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と同じく、誘電体層１１〜１７が積層されることにより積層方向に略直線状に併設され、相互に電気的に接続されている。スルーホール導体９１ｂ〜９７ｂも、誘電体層１１〜１７が積層されることにより積層方向に略直線状に併設され、相互に電気的に接続されている。
さらに、第１３実施形態に係る積層コンデンサにおいては、誘電体層１８〜２１が積層され、スルーホール導体９８ａ〜１００ａ、９８ｂ〜１００ｂが略直線上に併設されている。
すなわち、誘電体層１８における内部導体８４と内部導体７５とに対応する位置に、誘電体層１８を厚み方向に貫通するスルーホール導体９８ａ，９８ｂがそれぞれ形成されている。スルーホール導体９８ａは、内部導体８４に電気的に接続されている。スルーホール導体９８ｂは、第２の内部電極４４に電気的に接続されている。スルーホール導体９８ａは、誘電体層１８，１９が積層された状態で、第１の内部電極３５と電気的に接続される。スルーホール導体９８ｂは、誘電体層１８，１９が積層された状態で、内部導体７５と電気的に接続される。
誘電体層１９における内部導体８５と内部導体７５とに対応する位置には、誘電体層１９を厚み方向に貫通するスルーホール導体９９ａ，９９ｂがそれぞれ形成されている。スルーホール導体９９ａは、第１の内部電極３５に電気的に接続されている。スルーホール導体９９ｂは、内部導体７５に電気的に接続されている。スルーホール導体９９ａは、誘電体層１９，２０が積層された状態で、内部導体８５と電気的に接続される。スルーホール導体９９ｂは、誘電体層１９，２０が積層された状態で、第２の内部電極４５と電気的に接続される。
誘電体層２０における内部導体８５と内部導体７６とに対応する位置には、誘電体層２０を厚み方向に貫通するスルーホール導体１００ａ，１００ｂがそれぞれ形成されている。スルーホール導体１００ａは、内部導体８５に電気的に接続されている。スルーホール導体１００ｂは、第２の内部電極４５に電気的に接続されている。スルーホール導体１００ａは、誘電体層２０，２１が積層された状態で、第１の内部電極３６と電気的に接続される。スルーホール導体１００ｂは、誘電体層２０，２１が積層された状態で、内部導体７６と電気的に接続される。
スルーホール導体９１ａ〜１００ａは、誘電体層１１〜２０が積層されることにより、積層方向に略直線状に併設され、相互に電気的に接続されることにより通電経路を構成する。第１の内部電極３１〜３６は、スルーホール導体９１ａ〜１００ａ及び内部導体８１〜８５を介して互いに電気的に接続されている。
第１の内部電極３１、３６は、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。これにより、第１の内部電極３２〜３５も第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３６は並列接続されることとなる。引き出し導体３７は、第１の内部電極３１、３６と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに臨むように、第１の内部電極３１、３６から伸びている。
スルーホール導体９１ｂ〜１００ｂも、スルーホール導体９１ａ〜１００ａと同様に、誘電体層１１〜２０が積層されることにより、積層方向に略直線状に併設され、相互に電気的に接続されることにより通電経路を構成する。第２の内部電極４１〜４５は、スルーホール導体９１ｂ〜１００ｂ及び内部導体７１〜７６を介して互いに電気的に接続されている。
第２の内部電極４１、４５は、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。これにより、第２の内部電極４２〜４４も、第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４５は並列接続されることとなる。引き出し導体４７は、第２の内部電極４１、４５と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成される側面１ａと対向する側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４１、４５から伸びている。
第１３実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１、３６の数を２つとし、第１の内部電極３１〜３６の総数（本実施形態では、６つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１、４５の数を２つとし、第２の内部電極４１〜４５の総数（本実施形態では、５つ）よりも少なくされている。そのため、第１３実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１、３６の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１、４５の数とをそれぞれ調整することにより、第１３実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、本実施形態において、第１の内部電極３１〜３６同士は、並列接続されており、第２の内部電極４１〜４５同士は、並列接続されている。これにより、各第１の内部電極３１〜３６や各第２の内部電極４１〜４５の抵抗値にバラツキが生じても、１３実施形態に係る積層コンデンサ全体での等価直列抵抗への影響が少なく、等価直列抵抗の制御の精度低下を抑制することができる。
また、第１３実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３６が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３６と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１が存在する。一方、第１３実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４５が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４５と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１が存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第１３実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第１３実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第１４実施形態）
図２０を参照して、第１４実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第１４実施形態に係る積層コンデンサは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に接続される第１の内部電極３３、３４及び引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に接続される第２の内部電極４２、４４の積層方向での位置の点で第１３実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図２０は、第１４実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第１４実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５とを備えている。
第１４実施形態に係る積層コンデンサでは、図２０に示されるように、６つの第１の内部電極３１〜３６のうち上から３つ目となる第１の内部電極３３及び上から４つ目となる第１の内部電極３４が、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。これにより、第１の内部電極３１、３２、３５、３６も、第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３６は並列接続されることとなる。引き出し導体３７は、第１の内部電極３３、３４と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに臨むように、第１の内部電極３３、３４から伸びている。
第１４実施形態に係る積層コンデンサでは、図２０に示されるように、５つの第２の内部電極４１〜４５のうち上から２つ目となる第２の内部電極４２及び上から４つ目となる第２の内部電極４４が、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。これにより、第２の内部電極４１、４３、４５も、第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４５は並列接続されることとなる。引き出し導体４７は、第２の内部電極４２、４４と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ側面１ａと対向する側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４２、４４から伸びている。
第１４実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３３、３４の数を２つとし、第１の内部電極３１〜３６の総数（本実施形態では、６つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４２、４４の数を２つとし、第２の内部電極４１〜４５の総数（本実施形態では、５つ）よりも少なくされている。これらにより、第１４実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
ところで、第１の端子電極３に着目すると、第１４実施形態に係る積層コンデンサは、第１３実施形態に係る積層コンデンサと比べて、スルーホール導体９１ａ〜１００ａの抵抗成分の第１の端子電極３への接続のされ方が異なる。すなわち、第１３実施形態に係る積層コンデンサでは、スルーホール導体９１ａ〜１００ａの抵抗成分は、第１の内部電極３１、３６それぞれに対して直列接続されている。一方、第１４実施形態に係る積層コンデンサでは、スルーホール導体９１ａ〜１００ａの抵抗成分は、第１の内部電極３３、３４それぞれを境にして分けられ、これらの抵抗成分は、第１の端子電極３に対して並列接続される。また、第２の端子電極５に着目すると、第１４実施形態に係る積層コンデンサは、第１３実施形態に係る積層コンデンサと比べて、スルーホール導体９１ｂ〜１００ｂの抵抗成分の第２の端子電極５への接続のされ方が異なる。すなわち、第１３実施形態に係る積層コンデンサでは、スルーホール導体９１ｂ〜１００ｂの抵抗成分は、第２の内部電極４１、４５それぞれに対して直列接続されている。一方、第１４実施形態に係る積層コンデンサでは、スルーホール導体９１ｂ〜１００ｂの抵抗成分は、第２の内部電極４２、４４それぞれを境にして分けられ、これらの抵抗成分は、第２の端子電極５に対して並列接続される。
したがって、スルーホール導体９１ａ〜１００ａ、９１ｂ〜１００ｂの抵抗成分の差異に起因して、第１４実施形態に係る積層コンデンサは、第１３実施形態に係る積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が小さくなる。（段落０１９８、０１９９の技術的内容についてご確認ください。）
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３、３４の積層方向での位置及び引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２、４４の積層方向での位置を調整することにより、積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第１４実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３４が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３４と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３３が存在する。一方、第１４実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２が存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第１４実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第１４実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第１５実施形態）
図２１を参照して、第１５実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第１５実施形態に係る積層コンデンサは、引き出し導体３７，４７を介して端子電極３，５に接続される第１及び第２の内部電極３１、３２、３５、３６、４１，４２、４４、４５の数の点で第１３実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図２１は、第１５実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第１５実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５とを備えている。
第１５実施形態に係る積層コンデンサでは、図２１に示されるように、６つの第１の内部電極３１〜３６のうち４つの第１の内部電極３１、３２、３５、３６が、引き出し導体３７介して第１の端子電極３に電気的に接続されている。第１の内部電極３１〜３６は第１の接続導体７を介して互いに電気的に接続されているため、第１の内部電極３３、３４も第１の接続導体７を介して第１の端子電極３に電気的に接続されることとなり、第１の内部電極３１〜３６は並列接続されることとなる。引き出し導体３７は、各第１の内部電極３１、３２、３５、３６と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに臨むように、第１の内部電極３１、３２、３５、３６からそれぞれ伸びている。
５つの第２の内部電極４１〜４５のうち４つの第２の内部電極４１，４２、４４、４５が、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続されている。第２の内部電極４１〜４５は第２の接続導体９を介して互いに電気的に接続されているため、第２の内部電極４３も第２の接続導体９を介して第２の端子電極５に電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４５は並列接続されることとなる。引き出し導体４７は、各第２の内部電極４１，４２、４４、４５と一体に形成されており、積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ側面１ａと対向する側面１ｂに臨むように、第２の内部電極４１，４２、４４、４５からそれぞれ伸びている。
第１５実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１、３２、３５、３６の数を４つとし、第１の内部電極３１〜３６の総数よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１，４２、４４、４５の数を４つとし、第２の内部電極４１〜４５の総数よりも少なくされている。したがって、第１５実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
第１５実施形態に係る積層コンデンサは、第１３実施形態に係る積層コンデンサに比して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１，３２、３５、３６の数が多く、これらの引き出し導体３７は第１の端子電極３に対して並列接続される。また、第１５実施形態に係る積層コンデンサは、第１３実施形態に係る積層コンデンサに比して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１、４２、４４、４５の数が多く、これらの引き出し導体４７は第２の端子電極５に対して並列接続される。したがって、第１５実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗は、第１３実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗に比して小さくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１、３２、３５、３６の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１，４２、４４、４５の数とをそれぞれ調整することにより、第１５実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第１５実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３６が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３２と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３５が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３５と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３２が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３６と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１が存在する。
一方、第１５実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４５が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４２が存在する。積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４５と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１が存在する。
そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第１５実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第１５実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
（第１６実施形態）
図２２を参照して、第１６実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第１６実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５にスリットが形成されている点で第１３実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図２２は、第１６実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第１６実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第９実施形態に係る積層コンデンサＣ２と同じく、積層体１と、当該積層体１に形成された第１の端子電極３と、同じく積層体１に形成された第２の端子電極５とを備えている。
第１の内部電極３１〜３６において、積層体１の側面１ｄと対向する当該第１の内部電極３１〜３６の端辺から、スルーホール導体９１ａ〜１００ａと当該第１の内部電極３１〜３６とが接続される部分の脇へ伸びるようにスリットＳ１１〜Ｓ１６が形成されている。したがって、スリットＳ１１〜Ｓ１６は、各第１の内部電極３１〜３６において、スリットＳ１１〜Ｓ１６それぞれを挟んで対向する領域を電流が互いに逆向きに流れるように形成されることとなる。
第２の内部電極４１〜４５において、積層体１の側面１ｃと対向する当該第２の内部電極４１〜４５の端辺から、スルーホール導体９１ｂ〜１００ｂと当該第２の内部電極４１〜４５とが接続される部分の脇へ伸びるようにスリットＳ２１〜Ｓ２５が形成されている。したがって、スリットＳ２１〜Ｓ２５は、各第２の内部電極４１〜４５において、スリットＳ２１〜Ｓ２５それぞれを挟んで対向する領域を電流が互いに逆向きに流れるように形成されることとなる。
スリットＳ１１〜Ｓ１６、Ｓ２１〜Ｓ２５が形成された第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５では、それぞれスリットＳ１１〜Ｓ１６、Ｓ２１〜Ｓ２５を挟んで対向する領域において互いに電流が逆向きに流れるため、電流に起因して発生する磁界が相殺される。また、スリットが形成された第１の内部電極３１〜３６と第２の内部電極４１〜４５とでは積層方向で見て、電流の流れる向きが逆向きとなる。そのため、第１の内部電極３１〜３６を流れる電流に起因して発生する磁界と第２の内部電極４１〜４５を流れる電流に起因して発生する磁界とは相殺される。このため、第１６実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
また、第１６実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に直接接続される第１の内部電極３１、３６の数を２つとし、第１の内部電極３１〜３６の総数（本実施形態では、６つ）よりも少なくされている。また、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に直接接続される第２の内部電極４１、４５の数を２つとし、第２の内部電極４１〜４５の総数（本実施形態では、５つ）よりも少なくされている。これらにより、第１６実施形態に係る積層コンデンサは、すべての内部電極が対応する端子電極に引き出し導体を介して接続されている従来の積層コンデンサに比して、等価直列抵抗が大きくなる。
以上のように、本実施形態によれば、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３１、３６の数と引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４１、４５の数とをそれぞれ調整することにより、第１６実施形態に係る積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定されるので、等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
また、第１６実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される各第１の内部電極３１、３６と対称となる位置に、引き出し導体３７を介して第１の端子電極３に電気的に接続される第１の内部電極３６、３１がそれぞれ存在する。一方、第１６実施形態に係る積層コンデンサの積層体１では、積層方向における中心位置Ｍに対して、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される各第２の内部電極４１、４５と対称となる位置に、引き出し導体４７を介して第２の端子電極５に電気的に接続される第２の内部電極４４、４１がそれぞれ存在する。そのため、積層体１の積層方向に対向する２つの側面１ｅ、１ｆのうち何れの面を基板等に対向させて実装した場合でも、基板上のランドパターン間等に内部電極を介して形成される電流経路の長さは変化し難い。したがって、第１６実施形態に係る積層コンデンサでは、実装方向によって等価直列インダクタンスがばらつくことが抑制されている。
また、第１の端子電極３は直方体形状の積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面１ａに形成されており、第２の端子電極５は積層体１の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び且つ第１の端子電極３が形成されている側面１ａと対向する側面１ｂに形成されている。これにより、第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５を流れる電流によって発生する磁界を小さくすることができ、第１６実施形態に係る積層コンデンサでは等価直列インダクタンスの低減を図ることが可能となる。
なお、スリットは、すべての内部電極に形成されている必要はなく、例えば引き出し導体３７、４７を介して第１及び第２の端子電極３、５に電気的に接続される第１及び第２の内部電極３１、３６、４１、４５に形成されていなくてもよい。ただし、第１及び第２の内部電極３１、３６、４１、４５にスリットを形成することによって、これらの内部電極３１、３６、４１、４５において電流に起因して発生する磁界が相殺される。そのため、積層コンデンサにおける等価直列インダクタンスのさらなる低減を図ることが可能となる。
第１〜第１６実施形態においては、引き出し導体３７、４７を介して端子電極３、５に直接接続される内部電極の数及び積層方向での位置の少なくともいずれか一方を調整することにより、各積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定している。この結果、各積層コンデンサの等価直列抵抗の制御を容易に且つ精度良く行うことができる。
上述した第１の内部電極３１〜３６の数の調整は、１つ以上第１の内部電極３１〜３６の総数より１つ少ない数以下の範囲で行うことができる。上述した第２の内部電極４１〜４５の数の調整は、１つ以上第２の内部電極４１〜４５の総数より１つ少ない数以下の範囲で行うことができる。引き出し導体３７を介して端子電極３に直接接続される第１の内部電極の数と、引き出し導体４７を介して端子電極５に直接接続される第２の内部電極の数とは、異なってもよい。
更に、接続導体７、９あるいはスルーホール導体９１ａ〜１００ａ、９１ｂ〜１００ｂの数を調整して、各積層コンデンサの等価直列抵抗が所望の値に設定するようにしてもよい。この場合、各積層コンデンサの等価直列抵抗の制御をより一層精度良く行うことができる。
接続導体７、９の数を調整する一例を、図２３及び図２４に示す。図２３及び図２４に示された積層コンデンサでは、第１実施形態に係る積層コンデンサにおける第１及び第２の接続導体７、９の数をそれぞれ２つに設定することで、等価直列抵抗を所望の値に設定している。図２３は、第１実施形態に係る積層コンデンサの変形例の斜視図である。図２４は、第１実施形態に係る積層コンデンサの変形例に含まれる積層体の分解斜視図である。図２３に示すように、第１実施形態に係る積層コンデンサの変形例は、第１及び第２の接続導体７、９をそれぞれ２つ備える。図２４に示すように、第１の内部電極３１〜３４はそれぞれ、接続導体７に接続される２つの引き出し導体５１〜５４を有する。したがって、第１の内部電極３１〜３４同士は２つの通電経路を通して電気的に接続されることとなり、第２の内部電極４１〜４５同士も２つの通電経路を通して電気的に接続されることとなる。
第１実施形態に係る積層コンデンサ以外の第２〜第８実施形態に係る積層コンデンサにおける接続導体７、９をそれぞれ複数に設定してもよい。図２５に第５実施形態に係る積層コンデンサの変形例の分解斜視図を示す。図２５に示した第５実施形態に係る積層コンデンサの変形例では、第１及び第２の接続導体７、９の数をそれぞれ２つに設定している。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。例えば、誘電体層１１〜２２の積層数及び第１及び第２の内部電極３１〜３６、４１〜４５の積層数は、上述した実施形態に記載された数に限られない。また、引き出し導体３７、４７を介して端子電極３，５に直接接続される内部電極の数及び積層方向での位置は、上述した実施形態に記載された数及び位置に限られない。また、第１及び第２の内部電極は引き出し導体を介さず、直接第１及び第２の接続導体と接続していてもよい。
第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサを基板に実装する状態を説明するための図である。 基板に実装された第１実施形態に係る積層コンデンサの断面構造を模式的に表した図である。 第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第３実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第４実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第４実施形態に係る積層コンデンサの変形例に含まれる積層体の分解斜視図である。 第５実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 基板に実装された第５実施形態に係る積層コンデンサの断面構造を模式的に表した図である。 第６実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第７実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第８実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第９実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 第９実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第１０実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第１１実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第１２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第１３実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第１４実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第１５実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第１６実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサの変形例の斜視図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサの変形例に含まれる積層体の分解斜視図である。 第５実施形態に係る積層コンデンサの変形例の分解斜視図を示す。
符号の説明
１…積層体、１ａ〜１ｆ…側面、３…第１の端子電極、５…第２の端子電極、７…第１の接続導体、９…第２の接続導体、１１〜２２…誘電体層、３１〜３６…第１の内部電極、４１〜４５…第２の内部電極、５１〜５６、６１〜６５、３７、４７…引き出し導体、７１〜７６、８１〜８５…内部導体、９１ａ〜１００ａ，９１ｂ〜１００ｂ…スルーホール導体、１１０…基板、１１２…陰極ランドパターン、１１４…陽極ランドパターン、１１６、１１８…配線、Ｓ１１〜Ｓ１６、Ｓ２１〜Ｓ２５…スリット、Ｃ１、Ｃ２…積層コンデンサ。

Claims (9)

  1. 複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、前記積層体に形成された第１及び第２の端子電極とを備えた積層コンデンサであって、
    前記第１及び第２の端子電極は、互いに電気的に絶縁されており、
    前記複数の内部電極は、交互に配置される複数の第１及び第２の内部電極を含み、
    前記複数の第１の内部電極は、接続導体を介して互いに電気的に接続され、
    前記複数の第２の内部電極は、接続導体を介して互いに電気的に接続され、
    前記複数の第１の内部電極のうち、１つ以上当該第１の内部電極の総数よりも１つ少ない数以下の第１の内部電極は、引き出し導体を介して前記第１の端子電極に電気的に接続され、
    前記複数の第２の内部電極のうち、１つ以上当該第２の内部電極の総数よりも１つ少ない数以下の第２の内部電極は、引き出し導体を介して前記第２の端子電極に電気的に接続され、
    前記積層体の積層方向における中心位置に対して、前記引き出し導体を介して前記第１の端子電極に電気的に接続される前記各第１の内部電極と対称となる位置には、前記引き出し導体を介して前記第２の端子電極に電気的に接続される前記第２の内部電極が存在し、
    前記積層体の積層方向における中心位置に対して、前記引き出し導体を介して前記第２の端子電極に電気的に接続される前記各第２の内部電極と対称となる位置には、前記引き出し導体を介して前記第１の端子電極に電気的に接続される前記第１の内部電極が存在し、
    前記積層体は、略直方体形状をしており、
    前記第１の端子電極は、前記積層体の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面に形成されており、
    前記第２の端子電極は、前記積層体の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び、かつ前記第１の端子電極が形成される前記側面と対向する側面に形成されており、
    前記接続導体は、前記第１の端子電極が形成される前記側面及び前記第２の端子電極が形成される前記側面の何れにも形成されないことを特徴とする積層コンデンサ。
  2. 複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、前記積層体に形成された第１及び第２の端子電極とを備えた積層コンデンサであって、
    前記第１及び第２の端子電極は、互いに電気的に絶縁されており、
    前記複数の内部電極は、交互に配置される複数の第１及び第２の内部電極を含み、
    前記複数の第１の内部電極は、接続導体を介して互いに電気的に接続され、
    前記複数の第２の内部電極は、接続導体を介して互いに電気的に接続され、
    前記複数の第１の内部電極のうち、１つ以上当該第１の内部電極の総数よりも１つ少ない数以下の第１の内部電極は、引き出し導体を介して前記第１の端子電極に電気的に接続され、
    前記複数の第２の内部電極のうち、１つ以上当該第２の内部電極の総数よりも１つ少ない数以下の第２の内部電極は、引き出し導体を介して前記第２の端子電極に電気的に接続され、
    前記積層体の積層方向における中心位置に対して、前記引き出し導体を介して前記第１の端子電極に電気的に接続される前記各第１の内部電極と対称となる位置には、前記引き出し導体を介して前記第１の端子電極に電気的に接続される前記第１の内部電極が存在し、
    前記積層体の積層方向における中心位置に対して、前記引き出し導体を介して前記第２の端子電極に電気的に接続される前記各第２の内部電極と対称となる位置には、前記引き出し導体を介して前記第２の端子電極に電気的に接続される前記第２の内部電極が存在し、
    前記積層体は、略直方体形状をしており、
    前記第１の端子電極は、前記積層体の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸びる側面に形成されており、
    前記第２の端子電極は、前記積層体の積層方向と平行な側面のうち長手方向に伸び、かつ前記第１の端子電極が形成される前記側面と対向する側面に形成されており、
    前記接続導体は、前記第１の端子電極が形成される前記側面及び前記第２の端子電極が形成される前記側面の何れにも形成されないことを特徴とする積層コンデンサ。
  3. 前記複数の第１の内部電極は、引き出し導体を介して前記接続導体に電気的に接続され、
    前記複数の第２の内部電極は、引き出し導体を介して前記接続導体に電気的に接続され、
    前記接続導体は前記積層体の表面上に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層コンデンサ。
  4. 前記接続導体は、前記積層体内において前記積層体の積層方向に設けられたスルーホール導体であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の積層コンデンサ。
  5. 前記複数の第１及び第２の内部電極のうち少なくとも一部の前記第１及び第２の内部電極にスリットが形成され、
    前記スリットは、当該スリットが形成された前記第１及び第２の内部電極それぞれにおいて、当該スリットを挟んで対向する領域を電流が互いに逆向きに流れるように形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の積層コンデンサ。
  6. 前記引き出し導体を介して前記第１の端子電極に電気的に接続される前記第１の内部電極の数と前記引き出し導体を介して前記第２の端子電極に電気的に接続される前記第２の内部電極の数とをそれぞれ調整することにより、等価直列抵抗が所望の値に設定されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の積層コンデンサ。
  7. 前記引き出し導体を介して前記第１の端子電極に電気的に接続される前記第１の内部電極の前記積層体の積層方向での位置と前記引き出し導体を介して前記第２の端子電極に電気的に接続される前記第２の内部電極の前記積層体の積層方向での位置とをそれぞれ調整することにより、等価直列抵抗が所望の値に設定されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の積層コンデンサ。
  8. 前記複数の第１の内部電極同士を電気的に接続する前記接続導体の数と前記複数の第２の内部電極同士を電気的に接続する前記接続導体の数とをそれぞれ更に調整することにより、等価直列抵抗が所望の値に設定されていることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の積層コンデンサ。
  9. 前記複数の第１の内部電極同士は、並列接続されており、
    前記複数の第２の内部電極同士は、並列接続されていることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
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