TWI405228B - Laminated capacitors - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 382
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 597
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 91
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 49
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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Description
本發明係關於一種積層電容器。
眾所周知,作為該種積層電容器,具備將多個介電體層與多個內部電極交替積層之積層體;以及形成於該積層體之多個端子電極(例如,參照專利文獻1)。
對搭載於數字電子機器之中央處理裝置(CPU)之供給用電源中,隨著低電壓化之推進,負載電流卻在增大。因此,相對於負載電流之急劇變化,難以將電源電壓之波動控制於允許值內,故使稱作去耦合電容器之積層電容器連接於電源。於是,當負載電流過度波動時,由該積層電容器向CPU供給電流,以抑制電源電壓之波動。
近年來,隨著CPU動作頻率之進一步高頻化,負載電流成為較高速時更大,於去耦合電容器所使用之積層電容器中,要求大容量化,並且要求增大等效串聯電阻(ESR)。
[專利文獻1]日本專利特開平9-148174號公報然而,專利文獻1之積層電容器並未進行為增大等效串聯電阻之研究。進而,專利文獻1之積層電容器中,所有內部電極與端子電極直接連接。因此,於該積層電容器中,當增加應對應於大容量化之積層數而增大靜電容量時,等效串聯電阻會變小
本發明係為解除上述問題研製而成者,其課題係提供一種能夠增大等效串聯電阻之積層電容器。
為達成上述目的,本發明者對可能增大等效串聯電阻之積層電容器有作專心研究。其結果,本發明者發現新的事實,即,即使介電體層及內部電極之積層數相同,亦能夠藉由連接導體連接內部電極且僅一部分內部電極藉由引出導體與端子電極相連接,而增大等效串聯電阻。
然而,僅使上述一部分內部電極連接於端子電極之積層電容器中,存在使對向於積層體之積層方向的2個側面中任一面對向於基板等進行安裝之問題。即,積層電容器安裝為,端子電極與形成於基板上之連接盤圖形(land pattern)相連接。安裝於基板之積層電容器中,隔以連接於端子電極之內部電極,於一方之連接盤圖形與他方之連接盤圖形之間,形成有電流路徑。電流流通於該電流路徑時,於積層電容器中產生電感。該電感之大小,根據連接盤圖形間所形成之電流路徑之長度而不同。該電流路徑之長度,由連接於端子電極之內部電極與連接盤圖形間之距離而決定。因此,於僅一部分內部電極連接於端子電極之積層電容器中,一般係藉由將積層體之任一側面與基板對向安裝,以改變連接於端子電極之內部電極與連接盤圖形間之距離,故可根據安裝方向改變電流路徑之長度。其結果,產生等效串聯電感依賴於積層電容器之安裝方向,並產生不均之問題。
於是,本發明者對能夠滿足增大等效串聯電阻之要求與抑制等效串聯電感波動之要求的積層電容器有作專心研究。其結果,本發明者發現新的事實,即利用連接導體而連接內部電極,且使僅將一部分內部電極藉由引出導體與端子電極連接,並且使經由引出導體連接於端子電極之內部電極之位置於積層體內對稱,藉此可抑制等效串聯電感之不均,並可增大等效串聯電阻。特別是,若改變引出導體之數量、或者積層體之積層方向上的引出導體之位置,則可將等效串聯電阻調節至預期值。
根據相關研究結果,本發明之積層電容器係具備將多個介電體層與多個內部電極交替積層之積層體;以及形成於積層體之多個端子電極,其特徵在於,多個端子電極包含相互電性絕緣之第1及第2端子電極;多個內部電極包含交替配置之多個第1及第2內部電極;多個第1內部電極經由連接導體相互電性連接;多個第2內部電極經由連接導體相互電性連接;多個第1內部電極中,較1個以上該第1內部電極之總數少1個之數量以下之第1內部電極,經由引出導體電性連接於第1端子電極;多個第2內部電極中,較1個以上該第2內部電極之總數少1個之數量以下之第2內部電極,經由引出導體電性連接於第2端子電極;相對於積層體之積層方向的中心位置,在與經由引出導體電性連接於第1端子電極的各第1內部電極相對稱之位置上,存在經由引出導體電性連接於第2端子電極之第2內部電極;相對於積層體之積層方向的中心位置,在與經由引出導體電性連接於第2端子電極之各第2內部電極相對稱之位置上,存在經由引出導體電性連接於第1端子電極之第1內部電極。
又,本發明之積層電容器係具備將多個介電體層與多個內部電極交替積層之積層體;以及形成於積層體之多個端子電極,其特徵在於,多個端子電極包含相互電性絕緣之第1及第2端子電極;多個內部電極包含交替配置之多個第1及第2內部電極;多個第1內部電極經由連接導體相互電性連接;多個第2內部電極經由連接導體相互電性連接;多個第1內部電極中,較1個以上該第1內部電極之總數少1個之數量以下之第1內部電極,經由引出導體電性連接於第1端子電極;多個第2內部電極中,較1個以上該第2內部電極之總數少1個之數量以下之第2內部電極,經由引出導體電性連接於第2端子電極;相對於積層體之積層方向的中心位置,在與經由引出導體電性連接於第1端子電極之各第1內部電極相對稱之位置上,存在經由引出導體電性連接於第1端子電極之第1內部電極;相對於積層體之積層方向的中心位置,在與經由引出導體電性連接於第2端子電極之各第2內部電極相對稱之位置上,存在經由引出導體電性連接於第2端子電極之第2內部電極。
該等積層電容器具有未直接連接於第1及第2端子電極之第1及第2內部電極。因具有上述內部電極以及將該等相互電性連接之連接導體,而使該等積層電容器中等效串聯電阻可能增大。又,該等積層電容器中,相對於積層體之積層方向的中心位置,在經由引出導體電性連接於第1及第2端子電極之第1及第2內部電極分別對稱之位置上,存在經由引出導體電性連接於端子電極之內部電極。因此,即便在使對向於積層體之積層方向的2個側面之任一面對向於基板等而安裝時,基板上連接盤圖形之間經由內部電極所形成之電流路徑亦難以發生長度變化。隨此,於該等積層電容器中,可抑制由安裝方向引起的等效串聯電感之波動。
較好的是,多個第1內部電極經由引出導體電性連接於連接導體,多個第2內部電極經由引出導體電性連接於連接導體,連接導體形成於積層體之表面上。或者,較好的是,連接導體係設置於積層體內積層體之積層方向之通孔導體。此時,第1及第2內部電極相互電性連接。
又,較好的是,於多個第1及第2內部電極之至少一部分的第1及第2內部電極上形成有狹槽,狹槽係形成為,於形成有該狹槽之第1及第2內部電極之每一個中,電流互為反向地流通於隔以該狹槽而對向之區域。此時,因電流而產生之磁場相抵消,故可謀求等效串聯電感之降低。
又,較好的是,積層體設為大致長方體形狀,第1端子電極形成於與積層體之積層方向平行之側面中於較長方向延伸之側面上,第2端子電極形成於與積層體之積層方向平行之側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極之側面對向之側面上。藉此,沿著從第1端子電極朝向第2端子電極之方向,第1及第2內部電極重疊之長度變短。其結果,可減小流通於第1及第2內部電極之電流所產生之磁場,故能夠謀求等效串聯電感之降低。
又,較好的是,藉由分別調整經引出導體而電性連接於第1端子電極之第1內部電極之數量、以及經引出導體而電性連接於第2端子電極之第2內部電極之數量,而將等效串聯電阻設定為預期值。
根據該積層電容器,藉由調整經引出導體而電性連接於第1端子電極之第1內部電極的數量、以及經引出導體而電性連接於第2端子電極之第2內部電極的數量之至少一方,而將等效串聯電阻設定為預期值,故可容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,較好的是,藉由分別調整經引出導體而電性連接於第1端子電極之第1內部電極於積層體之積層方向的位置、以及經引出導體而電性連接於第2端子電極之第2內部電極於上述積層體之積層方向的位置,而將等效串聯電阻設定為預期值。
根據該積層電容器,藉由調整經引出導體而電性連接於第1端子電極之第1內部電極於積層體之積層方向的位置、以及經引出導體而電性連接於第2端子電極之第2內部電極於積層體之積層方向的位置之至少一方之位置,而將等效串聯電阻設定為預期值,故可容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,較好的是,藉由分別進一步調整電性連接多個第1內部電極之連接導體之數量、以及電性連接多個第2內部電極之連接導體之數量,而將等效串聯電阻設定為預期值。此時,可精度更好地控制等效串聯電阻。
又,較好的是,多個第1內部電極之間並聯連接,多個第2內部電極之間並聯連接。此時,即使於各第1內部電極或各第2內部電極之電阻值產生不均,對積層電容器整體之等效串聯電阻之影響較小,故可抑制等效串聯電阻之控制精度降低。
根據本發明,可提供一種能夠增大等效串聯電阻之積層電容器。
從以下詳細說明與僅由示例提供之附圖,可更全面地理解本發明,且因此並非視作限制本發明。
本發明之進一步適用範圍,在以下詳細說明中將變得顯而易見。然而,應瞭解雖然詳細說明與特定實例表示本發明之較佳實施例,但其僅由示例方式提供,因為對於熟習此項技術者而言根據此詳細說明於本發明之宗旨及範圍內作出各種變更及潤飾將變得顯而易見。
以下,參照隨附圖式,詳細說明本發明之較佳實施形態。再者,說明中,對於相同要素或者具有相同功能之要素,採用相同符號,省略其重複說明。又,說明中使用「上」及「下」用語,其係對應於各圖之上下方向。
參照圖1及圖2,說明第1實施形態之積層電容器C1之結構。圖1係第1實施形態之積層電容器之立體圖。圖2係第1實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
積層電容器C1如圖1所示,包括積層體1、形成於該積層體1之第1及第2端子電極3、5以及第1及第2連接導體7、9。
第1端子電極3形成於與積層體1之下述積層方向平行之側面中於較長方向延伸之側面1a上。第2端子電極5形成於與積層體1之下述積層方向平行之側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。第1端子電極3與第2端子電極5相互電性絕緣。
第1連接導體7形成於積層體1之表面上,以位於積層體1之側面1c側。第2連接導體9形成於積層體1之表面上,以位於積層體1之側面1d側。第1連接導體7與第2連接導體9相互電性絕緣。
積層體1如圖2所示,由多層(本實施形態中為9層)介電體層11~18、22與多層(本實施形態中各為4層)第1及第2內部電極31~34、41~44交替積層而構成。又,積層體1具有於下述積層方向上相互對向之側面1e、1f。於實際積層電容器C1中,使介電體層11~18、22之間之邊界一體化為無法看出之程度。
各第1內部電極31~34呈大致矩形形狀。第1內部電極31~34分別形成於與平行於積層體1之介電體層11~18、22的積層方向(以下,僅稱為"積層方向")之側面具有特定間隔之位置上。於各第1內部電極31~34上,形成有以引出至積層體1之側面1c之方式而延伸之引出導體51~54。
引出導體51與第1內部電極31一體形成,並從第1內部電極31延伸,使面對積層體1之側面1c。引出導體52與第1內部電極32一體形成,並從第1內部電極32延伸,使面對積層體1之側面1c。引出導體53與第1內部電極33一體形成,並從第1內部電極33延伸,使面對積層體1之側面1c。引出導體54與第1內部電極34一體形成,並從第1內部電極34延伸,使面對積層體1之側面1c。
第1內部電極31~34分別經由引出導體51~54,電性連接於第1連接導體7。藉此,第1內部電極31~34經由第1連接導體7而成為相互電性連接。
於第1內部電極31上,引出導體37與第1內部電極31一體形成,並從第1內部電極31延伸,使面對積層體1之側面1a。第1內部電極31經由引出導體37電性連接於第1端子電極3。由於第1內部電極31~34經由第1連接導體7而相互電性連接,故第1內部電極32~34經由連接導體7而電性連接於第1端子電極3,第1內部電極31~34成為並聯連接。又,第1內部電極31與積層體1之側面1e隔以介電體層22而鄰接於積層方向。
各第2內部電極41~44呈矩形形狀。第2內部電極41~44分別形成於與平行於積層體1之積層方向的側面具有特定間隔之位置上。於各第2內部電極41~44上,形成有延伸之引出導體61~64,以被引出至積層體1之側面1d。
引出導體61與第2內部電極41一體形成,並從第2內部電極41延伸,使面對積層體1之側面1d。引出導體62與第2內部電極42一體形成,並從第2內部電極42延伸,使面對積層體1之側面1d。引出導體63與第2內部電極43一體形成,並從第2內部電極43延伸,使面對積層體1之側面1d。引出導體64與第2內部電極44一體形成,並從第2內部電極44延伸,使面對積層體1之側面1d。
第2內部電極41~44分別經由引出導體61~64,電性連接於第2連接導體9。藉此,第2內部電極41~44經由第2連接導體9而相互電性連接。
於第2內部電極44上,將引出導體47與第2內部電極44一體形成,並從第2內部電極44延伸,使面對積層體1之側面b。第2內部電極44經由引出導體47,電性連接於第2端子電極5。由於第2內部電極41~44經由第2連接導體9而相互電性連接,故第2內部電極41~43亦經由第2連接導體9,而電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~44成為並聯連接。又,第2內部電極44與積層體1之側面1f隔以介電體層18而鄰接於積層方向。
以此,於積層體1中,對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44。另一方面,於積層體1中,對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31。
於積層電容器C1中,將經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31之數量為1,並設為少於第1內部電極31~34之總數(在本實施形態中為4個)。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極44之個數為1,使其少於第2內部電極41~44之總數(本實施形態中為4個)。又,著眼於第1端子電極3時,第1連接導體7之電阻成分串聯連接於第1端子電極3。又,著眼於第2端子電極5時,第2連接導體9之電阻成分串聯連接於第2端子電極5。藉此,積層電容器C1相比先前將所有內部電極經由引出導體連接於對應端子電極之積層電容器,等效串聯電阻增大。又,藉由等效串聯電阻之增大,可防止共振頻率中阻抗之急劇降低,故可實現寬頻帶化。
以此,根據本實施形態,藉由分別調整經引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31的個數、以及經引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44的個數,將積層電容器C1之等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,本實施形態中,第1內部電極31~34之間設為並聯連接,第2內部電極41~44之間設為並聯連接。藉此,即使各第1內部電極31~34或各第2內部電極41~44之電阻值產生不均,對積層電容器C1整體之等效串聯電阻之影響亦較少,故可抑制等效串聯電阻之控制精度降低。
圖3係用以說明於基板110上安裝有積層電容器C1之狀態之說明圖。圖3表示將第1端子電極3連接於基板110上所形成之陰極連接盤圖形112、並將第2端子電極5連接於陽極連接盤圖形114之狀態。
圖4係模式表示安裝於基板110上之積層電容器C1之斷面構造圖。圖4表示將積層電容器C1安裝為積層體1之側面1f對向於基板110之狀態。又,圖4表示於基板110內,陰極連接盤圖形112連接於配線116、陽極連接盤圖形114連接於配線118之狀態。從圖4可理解,於基板110上所安裝之積層電容器C1中形成有電流路徑,該電流路徑從陰極連接盤圖形112,經由連接於第1端子電極3之第1內部電極31、連接於第2端子電極5之第2內部電極44、以及第2端子電極5,直至陽極連接盤圖形114。又,圖4中,相當於介電體層11~18、22以及配線116、118之區域的影線省略。
當電流流通於連接盤圖形112、114之間如此所形成之電流路徑時,產生電感。該電感大小根據電流路徑之長度而有所不同。於積層電容器C1中,將連接於端子電極3、5之內部電極31、44配置於,相對積層體1之積層方向的中心位置M而相互對稱之位置上。因此,即使將積層電容器C1安裝為使積層體1之側面1e,而非1f,對向於基板110,連接於端子電極3、5之內部電極31、44與連接盤圖形112、114在積層方向之距離亦難以變化。即,於積層電容器C1中,形成於連接盤圖形之間的電流路徑長度因安裝方向而引起之不均受到抑制。其結果是,積層電容器C1中,使等效串聯電感之值不依賴於安裝方向,並且抑制因安裝方向所引超等效串聯電感之不均。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1的積層方向平行之側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,沿著從第1端子電極3朝向第2端子電極5之方向,第1及第2內部電極31~34、41~44重疊之長度縮短。其結果是,可減小流通於第1及第2內部電極31~34、41~44之電流所產生之磁場,並可謀求於積層電容器C1中等效串聯電感之降低。
參照圖5,說明第2實施形態之積層電容器之結構。第2實施形態之積層電容器與第1實施形態之積層電容器C1的不同之處在於,經由引出導體37連接於第1端子電極3之第1內部電極33、與經由引出導體47連接於第2端子電極5之第2內部電極42在積層方向之位置。圖5係第2實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第2實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第1實施形態之積層電容器C1同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;形成於相同積層體1之第2端子電極5;以及第1與第2連接導體7、9。
於第2實施形態之積層電容器中,如圖5所示,4個第1內部電極31~34中從上起第3個第1內部電極33,經由引出導體37電性連接於第1端子電極3。藉此,第1內部電極31、32、34亦電性連接於第1端子電極3,並且第1內部電極31~34成為並聯連接。引出導體37與第1內部電極33一體形成,並從第1內部電極33延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a。
於第2實施形態之積層電容器中,如圖5所示,4個第2內部電極41~44中從上起第2個第2內部電極42,經由引出導體47電性連接於第2端子電極5。藉此,第2內部電極41、43、44亦電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~44成為並聯連接。引出導體47與第2內部電極42一體形成,並從第2內部電極42延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與側面1a對向之側面1b。
於第2實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極33之數量為1,並使其少於第1內部電極31~34之總數(本實施形態中為4個)。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極42之數量為1,並使其少於第2內部電極41~44之總數(本實施形態中為4個)。藉此,第2實施形態之積層電容器,相比於先前將所有內部電極經由引出導體而連接於對應端子電極之積層電容器,等效串聯電阻增大。
著眼於第1端子電極3時,第1連接導體7之電阻成分,以第1內部電極33為界限,被分為較該第1內部電極33偏向積層方向之一側的第1連接導體7之電阻成分、與較該第1內部電極33偏向積層方向之他側的第1連接導體7之電阻成分。該等電阻成分並聯連接於第1端子電極3。又,著眼於第2端子電極5時,第2連接導體9之電阻成分,以第2內部電極42為界限,被分為較該第2內部電極42偏向積層方向之一側的第2連接導體9之電阻成分、與較該第2內部電極42偏向積層方向之他側的第2連接導體9之電阻成分。該等電阻成分並聯連接於第2端子電極5。
因此,由於第1及第2連接導體7、9之電阻成分之差異,導致第2實施形態之積層電容器,相比於第1實施形態之積層電容器C1,其等效串聯電阻變小。
如上所述,根據本實施形態,藉由調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33於積層方向之位置、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42於積層方向之位置,而將積層電容器之等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,於第2實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42。另一方面,於第2實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42相對稱之位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33。因此,即使將對向於積層體1之積層方向的2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,於基板上連接盤圖形之間經由內部電極所形成之電流路徑之長度難以變化。因此,第2實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與具有長方體形狀之積層體1的積層方向平行之側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行之側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小由流通於第1及第2內部電極31~34、41~44之電流而產生之磁場,故於第2實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
參照圖6,說明第3實施形態之積層電容器之結構。第3實施形態之積層電容器與第1實施形態之積層電容器C1的不同之處在於,經由引出導體37、47而連接於端子電極3、5之第1及第2內部電極31、34、41、44之數量。圖6係第3實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第3實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第1實施形態之積層電容器C1同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;形成於相同積層體1之第2端子電極5;以及第1及第2連接導體7、9。
於第3實施形態之積層電容器中,如圖6所示,4個第1內部電極31~34中2個第1內部電極31、34,經由引出導體37電性連接於第1端子電極3。由於第1內部電極31~34經由第1連接導體7而相互電性連接,故第1內部電極32、33亦經由第1連接導體7而電性連接於第1端子電極3,並且第1內部電極31~34成為並聯連接。引出導體37與各第1內部電極31、34一體形成,並分別從第1內部電極31、34延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a。
4個第2內部電極41~44中2個第2內部電極41、44,經由引出導體47電性連接於第2端子電極5。由於第2內部電極41~44經由第2連接導體9相互電性連接,故第2內部電極42、43亦經由第2連接導體9而電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~44成為並聯連接。引出導體47與各第2內部電極41、44一體形成,並分別從第2內部電極41、44延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與側面1a對向之側面1b。
於第3實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37而直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、34之個數為2,並使其少於第1內部電極31~34之總數。又,使經由引出導體47而直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、44之個數為2,並使其少於第2內部電極41~44之總數。因此,第3實施形態之積層電容器,與先前將所有內部電極所對應之端子電極上經由引出導體而連接之積層電容器相比,其等效串聯電阻增大。
第3實施形態之積層電容器相比於積層電容器C1,經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、34的數量較多,並且該等引出導體37並聯連接於第1端子電極3。又,經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、44的數量較多,並且該等引出導體47並聯連接於第2端子電極5。因此,第3實施形態之積層電容器之等效串聯電阻,相比於積層電容器C1之等效串聯電阻而變小。
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31、34的數量、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41、44的數量,可將第3實施形態之積層電容器之等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,第3實施形態之積層電容器的積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31相對稱的位置上,存在經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極34相對稱的位置上,存在經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41。另一方面,於第3實施形態之積層電容器的積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41相對稱的位置上,存在經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極34。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31。因此,使對向於積層體1之積層方向之2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,於基板上連接盤圖形之間等經由內部電極所形成之電流路徑長度亦難以變化。因此,於第3實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與具有長方體形狀之積層體1的積層方向平行之側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小由流通於第1及第2內部電極31~34、41~44之電流而產生之磁場,故於第3實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
參照圖7,說明第4實施形態之積層電容器之結構。第4實施形態之積層電容器與第1實施形態之積層電容器C1的不同之處在於,於第1及第2內部電極32~34、41~43上形成有狹槽。圖7係第4實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第4實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第1實施形態之積層電容器C1同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;形成於相同積層體1之第2端子電極5;以及第1及第2連接導體7、9。
於第1內部電極32~34中,形成有狹槽S11~S13,使從引出導體52~54與第1內部電極32~34之連接部分旁向第1內部電極32~34之長度上方向延伸。因此,狹槽S11~S13形成為,於各第1內部電極32~34中,電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S11~S13而對向之區域。
於第2內部電極41~43中,形成狹槽S21~S23,使從引出導體61~63與第2內部電極41~43之連接部分旁向第2內部電極41~43之較長方向上延伸。因此,狹槽S21~S23形成為,於各第2內部電極41~43中,電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S21~S23而對向之區域。
於形成有狹槽S11~S13、S21~S23之第1及第2內部電極32~34、41~43中,由於電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S11~S13、S21~S23而對向之區域,故因電流而產生之磁場相互抵消。又,形成有狹槽之第1內部電極32~34與第2內部電極41~43中,從積層方向上觀察,電流之流通方向為反向。因此,因流通於第1內部電極32~34之電流而產生之磁場與因流通於第2內部電極41~43之電流而產生之磁場相互抵消。故於第4實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
又,於第4實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37而直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31的個數為1,並使其少於第1內部電極31~34之總數(本實施形態中為4個)。又,使經由引出導體47而直接連接於第2端子電極5之第2內部電極44的個數為1,並使其少於第2內部電極41~44之總數(本實施形態中為4個)。藉此,第4實施形態之積層電容器,相比於先前所內部電極經由引出導體而連接於對應端子電極之積層電容器,等效串聯電阻增大。
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31的數量、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44的數量,而將第4實施形態之積層電容器之等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,於第4實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31相對稱之位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44。另一方面,於第4實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層體之積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31。因此,使對向於積層體1之積層方向之2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,基板上之連接盤圖形之間等經由內部電極所形成之電流路徑的長度亦難以變化。因此,於第4實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小由流通於第1及第2內部電極31~34、41~44之電流而產生之磁場,故於第4實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
再者,形成有狹槽之內部電極並非限於第1及第2內部電極32~34、41~43。即,狹槽可形成於除第1及第2內部電極32~34、41~43以外之內部電極上,亦可形成於例如,藉由引出導體37、47電性連接於第1及第2端子電極3、5之第1及第2內部電極31、44上。此情形之例於圖8所示,係第1及第2內部電極31~36、41~45上形成有狹槽S11~S14、S21~S24之積層電容器之分解立體圖。藉由在經由引出導體37、47而電性連接於第1及第2端子電極3、5之第1及第2內部電極31、44上形成有狹槽S11、S24,而使該等內部電極31、44中因電流而產生之磁場亦相互抵消。因此,可謀求積層電容器中等效串聯電感之進一步降低。
參照圖9,說明第5實施形態之積層電容器之結構。第5實施形態之積層電容器與第1實施形態之積層電容器C1的不同之處在於:在相對於積層體之積層方向之中心位置而與第1端子電極所連接之第1內部電極相對稱的位置上,所存在之內部電極係第1內部電極,並且在相對於積層體之積層方向之中心位置而與第2端子電極所連接之第2內部電極相對稱的位置上,所存在之內部電極係第2內部電極。圖9係第5實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第5實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第1實施形態之積層電容器C1同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;形成於相同積層體1之第2端子電極5;以及第1及第2連接導體7、9。
積層體1如圖9所示,藉由多層(本實施形態中為12層)介電體層11~22與多層(本實施形態中為6層及5層)第1及第2內部電極31~36、41~45交替積層而構成。於實際積層電容器中,使介電體層11~22之間之邊界一體化為無法看出之程度。
各第1內部電極31~36呈大致矩形形狀。第1內部電極31~36分別形成於與平行於積層體1之介電體層11~22之積層方向(以下,僅稱為"積層方向"。)之側面具有特定間隔之位置上。於各第1內部電極31~36上形成有延伸之引出導體51~56,使被引出至積層體1之側面1c。
引出導體51與第1內部電極31一體形成,並從第1內部電極31延伸,使面對積層體1之側面1c。引出導體52與第1內部電極32一體形成,並從第1內部電極32延伸,使面對積層體1之側面1c。引出導體53與第1內部電極33一體形成,並從第1內部電極33延伸,使面對積層體1之側面1c。引出導體54與第1內部電極34一體形成,並從第1內部電極34延伸,使面對積層體1之側面1c。引出導體55與第1內部電極35一體形成,並從第1內部電極35延伸,使面對積層體1之側面1c。引出導體56與第1內部電極36一體形成,並從第1內部電極36延伸,使面對積層體1之側面1c。
第1內部電極31~36分別經由引出導體51~56電性連接於第1連接導體7。藉此,第1內部電極31~36經由第1連接導體7而相互電性連接。
於第1內部電極31上,引出導體37與第1內部電極31一體形成,並從第1內部電極31延伸,使面對積層體1之側面1a。第1內部電極31經由引出導體37電性連接於第1端子電極3。於第1內部電極36上,引出導體37與第1內部電極36一體形成,並從第1內部電極36延伸,使面對積層體1之側面1a。第1內部電極36經由引出導體37電性連接於第1端子電極3。由於第1內部電極31~36經由第1連接導體7而相互電性連接,故第1內部電極32~35經由第1連接導體7而電性連接於第1端子電極3,並且第1內部電極31~36成為並聯連接。又,第1內部電極31與積層體1之側面1e經由介電體層22而鄰接於積層方向。第1內部電極36與積層體1之側面1f經由介電體層21而鄰接於積層方向。
各第2內部電極41~45呈大致矩形形狀。第2內部電極41~45分別形成於與平行於積層體1之積層方向的側面具有特定間隔之位置上。於各第2內部電極41~45上,形成有以被引出至積層體1之側面1d的方式而延伸之引出導體61~65。
引出導體61與第2內部電極41一體形成,並從第2內部電極41延伸,使面對積層體1之側面1d。引出導體62與第2內部電極42一體形成,並從第2內部電極42延伸,使面對積層體1之側面1d。引出導體63與第2內部電極43一體形成,並從第2內部電極43延伸,使面對積層體1之側面1d。引出導體64與第2內部電極44一體形成,並從第2內部電極44延伸,使面對積層體1之側面1d。引出導體65與第2內部電極45一體形成,並從第2內部電極45延伸,使面對積層體1之側面1d。
第2內部電極41~45分別經由引出導體61~65電性連接於第2連接導體9。藉此,第2內部電極41~45經由第2連接導體9而相互電性連接。
於第2內部電極41上,引出導體47與第2內部電極41一體形成,並從第2內部電極41延伸,使面對積層體1之側面1b。第2內部電極41經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5。於第2內部電極45上,引出導體47與第2內部電極45一體形成,並從第2內部電極45延伸,使面對積層體1之側面1b。第2內部電極45經由引出導體47電性連接於第2端子電極5。由於第2內部電極41~45經由第2連接導體9而相互電性連接,故第2內部電極42~44亦經由第2連接導體9而電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~45成為並聯連接。
以此,於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極36。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極36相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31。
另一方面,於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極45。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極45相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41。
於第5實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、36的個數為2,並使其少於第1內部電極31~36之總數(本實施形態中為6個)。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、45的個數為2,並使其少於第2內部電極41~45之總數(本實施形態中為5個)。因此,第5實施形態之積層電容器,相比於先前將所有內部電極經由引出導體而連接於對應端子電極之積層電容器,等效串聯電阻增大。又,藉由等效串聯電阻增大,而可防止共振頻率中阻抗之急劇下低,而可實現寬頻帶化。
以此,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31、36的個數、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41、45的個數,可將第5實施形態之積層電容器的等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,於本實施形態中,第1內部電極31~36之間成為並聯連接,第2內部電極41~45之間成為並聯連接。藉此,於各第1內部電極31~36或各第2內部電極41~45之阻抗值產生不均時,對第5實施形態之積層電容器整體之等效串聯電阻的影響亦較少,故能夠抑制等效串聯電阻之控制精度降低。
又,圖10係模式表示安裝於基板110之第5實施形態之積層電容器的斷面構造圖。圖10表示安裝有第5實施形態之積層電容器,以使積層體1之側面1f與基板110對向之狀態。又,圖10表示於基板110內,陰極連接盤圖形112連接於配線116、陽極連接盤圖形114連接於配線118之狀態。從圖10可理解,於基板110上所安裝之第5實施形態之積層電容器中形成有電流路徑,該電流路徑從陰極連接盤圖形112,經由第1端子電極3、連接於第1端子電極3之第1內部電極31、36、連接於第2端子電極5之第2內部電極41、45、以及第2端子電極5,直至陽極連接盤圖形114。又,圖10中相當於介電體層11~22及配線116、118之區域影線省略。
當電流流通於連接盤圖形之間以上所形成之電流路徑時,產生電感。該電感大小根據電流路徑之長度而有所不同。於第5實施形態之積層電容器中,連接於端子電極3、5之各內部電極31、36、41、45,於相對於積層體1之積層方向之中心位置M而相互對稱的位置上,分別存在內部電極36、31、45、41。因此,將第5實施形態之積層電容器安裝為使積層體1之側面1e,而非是1f,對向於基板110時,連接於端子電極3、5之內部電極31、36、41、45與連接盤圖形112、114於積層方向之距離亦難以變化。即,於第5實施形態之積層電容器中,在連接盤圖形之間所形成的電流路徑之長度因安裝方向而引起之不均受到抑制。其結果是,於第5實施形態之積層電容器中,等效串聯電感之值不依賴於安裝方向,故因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均亦受到抑制。。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,沿著從第1端子電極3朝向第2端子電極5之方向,第1及第2內部電極31~36、41~45之重疊長度變短。其結果是,可減小流通於第1及第2內部電極31~36、41~45之電流所產生之磁場,故於第5實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
參照圖11,說明第6實施形態之積層電容器的結構。第6實施形態之積層電容器與第5實施形態之積層電容器的不同之處在於,經由引出導體37連接於第1端子電極3之第1內部電極33、34、以及經由引出導體47連接於第2端子電極5之第2內部電極42、44於積層方向之位置。圖11係第6實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第6實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第1實施形態之積層電容器C1同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;形成於相同積層體1之第2端子電極5;以及第1及第2連接導體7、9。
於第6實施形態之積層電容器中,如圖11所示,6個第1內部電極31~36中從上起第3個第1內部電極33以及從上起第4個第1內部電極34,經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3。藉此,第1內部電極31、32、35、36亦電性連接於第1端子電極3,並且第1內部電極31~36成為並聯連接。引出導體37與第1內部電極33、34一體形成,並從第1內部電極33、34延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸之側面1a。
於第6實施形態之積層電容器中,如圖11所示,5個第2內部電極41~45中從上起第2個第2內部電極42、以及從上起第4個第2內部電極44,經由引出導體47電性連接於第2端子電極5。藉此,第2內部電極41、43、45亦電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~45成為並聯連接。引出導體47與第2內部電極42、44一體形成,並從第2內部電極42、44延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸、且與側面1a對向之側面1b。
於第6實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極33、34的個數為2,並使其少於第1內部電極31~36之總數(本實施形態中為6個)。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極42、44的個數為2,並使其少於第2內部電極41~45之總數(本實施形態中為5個)。由此,第6實施形態之積層電容器,相比於先前將所有內部電極經由引出導體而連接於對應端子電極之積層電容器,等效串聯電阻增大。
又,著眼於第1端子電極3時,第6實施形態之積層電容器相比於第5實施形態之積層電容器的不同之處在於,第1連接導體7之電阻成分對第1端子電極3之連接方法。即,於第5實施形態之積層電容器中,第1連接導體7之電阻成分分別串聯連接於第1內部電極31、36。另一方面,於第6實施形態之積層電容器中,第1連接導體7之電阻成分分別以第1內部電極33、34為界限而被分開,該等電阻成分並聯連接於第1端子電極3。又,著眼於第2端子電極5時,第6實施形態之積層電容器相比於第5實施形態之積層電容器,第2連接導體9之電阻成分對第2端子電極5之連接方法不同。即,第5實施形態之積層電容器中,第2連接導體9之電阻成分分別串聯連接於第2內部電極41、45。另一方面,第6實施形態之積層電容器中,第2連接導體9之電阻成分分別以第2內部電極42、44為界限而被分開,並且該等電阻成分並聯連接於第2端子電極5。
因此,因第1及第2連接導體7、9之電阻成分的差異,第6實施形態之積層電容器相比於第5實施形態之積層電容器,其等效串聯電阻變小。(請對段落0098、0099之技術內容加以確認)
如上所述,根據本實施形態,藉由調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33、34於積層方向的位置、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42、44於積層方向的位置,而將積層電容器之等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,第6實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極34。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極34相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33。另一方面,第6實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44相對稱的位置上,存在經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42。因此,使對向於積層體1之積層方向的2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,基板上之連接盤圖形之間等經由內部電極所形成之電流路徑的長度亦難以變化。因此,於第6實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小因流通於第1及第2內部電極31~36、41~45之電流而產生之磁場,故於第6實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
參照圖12,說明第7實施形態之積層電容器之結構。第7實施形態之積層電容器與第5實施形態之積層電容器的不同之處在於,經由引出導體37、47連接於端子電極3、5之第1及第2內部電極31、32、35、36、41、42、44、45之數量。圖12係第7實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第7實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第1實施形態之積層電容器C1同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;形成於相同積層體1之第2端子電極5;以及第1及第2連接導體7、9。
於第7實施形態之積層電容器中,如圖12所示,6個第1內部電極31~36中4個第1內部電極31、32、35、36,經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3。由於第1內部電極31~36經由第1連接導體7而相互電性連接,故第1內部電極33、34亦經由第1連接導體7而電性連接於第1端子電極3,並且第1內部電極31~36成為並聯連接。引出導體37與各第1內部電極31、32、35、36一體形成,並分別從第1內部電極31、32、35、36延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸之側面1a。
5個第2內部電極41~45中4個第2內部電極41、42、44、45經由引出導體47電性連接於第2端子電極5。由於第2內部電極41~45經由第2連接導體9而相互電性連接,故第2內部電極43亦經由第2連接導體9而電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~45成為並聯連接。引出導體47與各第2內部電極41、42、44、45一體形成,並分別從第2內部電極41、42、44、45延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸、且與側面1a對向之側面1b。
於第7實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、32、35、36的個數為4,並使其少於第1內部電極31~36之總數。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、42、44、45的個數為4,並使其少於第2內部電極41~45之總數。因此,第7實施形態之積層電容器,與先前將所有內部電極所對應之端子電極上經由引出導體而連接之積層電容器相比,等效串聯電阻增大。
第7實施形態之積層電容器相比於第5實施形態之積層電容器,經由引出導體37而直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、32、35、36的數量較多,並且該等引出導體37並聯連接於第1端子電極3。又,經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、42、44、45較多,該等引出導體47並聯連接於第2端子電極5。因此,第7實施形態之積層電容器之等效串聯電阻,小於第5實施形態之積層電容器之等效串聯電阻。
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31、32、35、36的數量、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41、42、44、45的數量,而將第7實施形態之積層電容器之等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,第7實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極36。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極32相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極35。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極35相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極32。在積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極36相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31。
另一方面,於第7實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極45。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44。積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44相對稱的位置上,存在經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極45相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41。
因此,使對向於積層體1之積層方向的2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,於基板上之連接盤圖形之間等經由內部電極所形成的電流路徑之長度亦難以變化。因此,於第7實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小因流通於第1及第2內部電極31~36、41~45之電流而產生之磁場,故於第7實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
參照圖13,說明第8實施形態之積層電容器之結構。第8實施形態之積層電容器與第5實施形態之積層電容器的不同之處在於,於第1及第2內部電極31~36、41~45上形成有狹槽。圖13係第8實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第8實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第1實施形態之積層電容器C1同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;形成於相同積層體1之第2端子電極5;以及第1及第2連接導體7、9。
於第1內部電極31~36中,形成有狹槽S11~S16,使從引出導體51~56與第1內部電極31~36之連接部分旁向第1內部電極31~36之較長方向上延伸。因此,狹槽S11~S16形成為,於各第1內部電極31~36中,電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S11~S16而對向之區域。
於第2內部電極41~45中,形成有狹槽S21~S25,使從引出導體61~65與第2內部電極41~45之連接部分旁向第2內部電極41~45之較長方向上延伸。因此,狹槽S21~S25形成為,於各第2內部電極41~45中,電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S21~S25而對向之區域。
於形成有狹槽S11~S16、S21~S25之第1及第2內部電極31~36、41~45中,由於電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S11~S16、S21~S25而對向之區域,故因電流而產生之磁場相互抵消。而且,形成有狹槽之第1內部電極31~36與第2內部電極41~45中,從積層方向觀察,電流之流通方向為反向。因此,因流通於第1內部電極31~36之電流而產生之磁場、與因流通於第2內部電極41~45之電流而產生之磁場相互抵消。故於第8實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
又,於第8實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、36的個數為2,並使其少於第1內部電極31~36之總數(本實施形態中為6個)。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、45的個數為2,並使其少於第2內部電極41~45之總數(本實施形態中為5個)。藉此,第8實施形態之積層電容器,相比於先前將所有內部電極經由引出導體而連接於對應端子電極之積層電容器,等效串聯電阻增大。
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31、36的數量、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41、45的數量,而將第8實施形態之積層電容器之等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,第8實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之各第1內部電極31、36相對稱的位置上,分別存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極36、31。另一方面,於第8實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之各第2內部電極41、45相對稱的位置上,分別存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極45、41。因此,使對向於積層體1之積層方向的2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,於基板上的連接盤圖形之間等經內部電極而形成的電流路徑之長度亦難以變化。因此,於第8實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向的側面1b上。藉此,可減小因流通於第1及第2內部電極31~36、41~45之電流而產生的磁場,故於第8實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
又,狹槽不必形成於所有內部電極上,例如,其亦可不形成於在經由引出導體37、47而電性連接於第1及第2端子電極3、5之第1及第2內部電極31、36、41、45上。然而,藉由於第1及第2內部電極31、36、41、45上形成狹槽,使該等內部電極31、36、41、45中因電流而產生之磁場相互抵消。因此,可謀求積層電容器中等效串聯電感之進一步降低。
參照圖14及圖15,說明第9實施形態之積層電容器C2之結構。圖14係第9實施形態之積層電容器之立體圖。圖15係第9實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
積層電容器C2如圖14所示,包括積層體1;形成於該積層體1之第1及第2端子電極3、5。
第1端子電極3形成於與積層體1之下述積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a上。第2端子電極5形成於與積層體1之下述積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。第1端子電極3與第2端子電極5相互電性絕緣。
積層體1如圖15所示,由多層(本實施形態中為9層)介電體層11~18、22與多層(本實施形態中各為4層)第1及第2內部電極31~34、41~44交替積層而構成。又,積層體1具有:於下述積層方向相互對向之側面1e、1f、以及與積層方向平行之側面中於較短方向上延伸之側面1c、1d。於實際積層電容器C2中,使介電體層11~18、22之間之邊界一體化為無法看出之程度。
各第1內部電極31~34呈大致矩形形狀。第1內部電極31~34分別形成於與平行於積層體1之介電體層11~18、22的積層方向(以下,僅稱為"積層方向")之側面具有特定間隔之位置上。於各第1內部電極31~34上,形成有開口31a~34a,使介電體層11、13、15、17露出。於各介電體層11、13、15、17上,焊盤狀內部導體71~74位於與第1內部電極31~34上所形成之開口31a~34a相對應之區域。又,第1內部電極31與積層體1之側面1e,隔以介電體層22而鄰接於積層方向。
各第2內部電極41~44呈矩形形狀。第2內部電極41~44分別形成於與平行於積層體1之積層方向的側面具有特定間隔之位置上。於各第2內部電極41~44上,形成有開口41a~44a,使介電體層12、14、16、18露出。於各介電體層12、14、16、18上,焊盤狀內部導體81~84位於與第2內部電極41~44上所形成之開口41a~44a相對應之區域。又,第2內部電極44與積層體1之側面1f,隔以介電體層18而鄰接於積層方向。
於介電體層11中對應於內部導體81與內部導體71之位置上,分別形成有於厚度方向上貫通有介電體層11之通孔導體91a、91b。通孔導體91a電性連接於第1內部電極31。通孔導體91b電性連接於內部導體71。通孔導體91a於將介電體層11、12積層之狀態下,與內部導體81電性連接。通孔導體91b於將介電體層11、12積層之狀態下,與第2內部電極41電性連接。
於介電體層12中對應於內部導體81與內部導體72之位置上,分別形成於厚度方向上貫通有介電體層12之通孔導體92a、92b。通孔導體92a電性連接於內部導體81。通孔導體92b電性連接於第2內部電極41。通孔導體92a於將介電體層12、13積層之狀態下,與第1內部電極32電性連接。通孔導體92b於將介電體層12、13積層之狀態下,與內部導體72電性連接。
於介電體層13中對應於內部導體82與內部導體72之位置上,分別形成於厚度方向上貫通有介電體層13之通孔導體93a、93b。通孔導體93a電性連接於第1內部電極32。通孔導體93b電性連接於內部導體72。通孔導體93a於將介電體層13、14積層之狀態下,與內部導體82電性連接。通孔導體93b於將介電體層13、14積層之狀態下,與第2內部電極42電性連接。
於介電體層14中對應於內部導體82與內部導體73之位置上,分別形成有於厚度方向上貫通有介電體層14之通孔導體94a、94b。通孔導體94a電性連接於內部導體82。通孔導體94b電性連接於第2內部電極42。通孔導體94a於將介電體層14、15積層之狀態下,與第1內部電極33電性連接。通孔導體94b於將介電體層14、15積層之狀態下,與內部導體73電性連接。
於介電體層15中對應於內部導體83與內部導體73之位置上,分別形成於厚度方向上貫通有介電體層15之通孔導體95a、95b。通孔導體95a電性連接於第1內部電極33。通孔導體95b電性連接於內部導體73。通孔導體95a於將介電體層15、16積層之狀態下,與內部導體83電性連接。通孔導體95b於將介電體層15、16積層之狀態下,與第2內部電極43電性連接。
於介電體層16中對應於內部導體83與內部導體74之位置上,分別形成於厚度方向上貫通有介電體層16之通孔導體96a、96b。通孔導體96a電性連接於內部導體83。通孔導體96b電性連接於第2內部電極43。通孔導體96a於將介電體層16、17積層之狀態下,與第1內部電極34電性連接。通孔導體96b於將介電體層16、17積層之狀態下,與內部導體74電性連接。
於介電體層17中對應於內部導體84與內部導體74之位置上,分別形成於厚度方向上貫通有介電體層17之通孔導體97a、97b。通孔導體97a電性連接於第1內部電極34。通孔導體97b電性連接於內部導體74。通孔導體97a於將介電體層17、18積層之狀態下,與內部導體84電性連接。通孔導體97b於將介電體層17、18積層之狀態下,與第2內部電極44電性連接。
通孔導體91a~97a藉由將介電體層11~17積層,而於積層方向上以大致直線狀並設,並藉由相互電性連接而構成通電路徑。第1內部電極31~34經由通孔導體91a~97a與內部導體81~84而相互電性連接。
第1內部電極31經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3。藉此,第1內部電極32~34亦電性連接於第1端子電極3,並且第1內部電極31~34成為並聯連接。引出導體37與第1內部電極31一體形成,並從第1內部電極31延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸之側面1a。
通孔導體91b~97b與通孔導體91a~97a同樣地,藉由將介電體層11~17積層,而於積層方向上以大致直線狀並設,並藉由相互電性連接而構成通電路徑。第2內部電極41~44經由通孔導體91b~97b及內部導體71~74而相互電性連接。
第2內部電極44經由引出導體47電性連接於第2端子電極5。藉此,第2內部電極41~43亦電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~44成為並聯連接。引出導體47與第2內部電極44一體形成,並從第2內部電極44延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b。
於積層電容器C2中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31的個數為1,並使其少於第1內部電極31~34之總數(本實施形態中為4個)。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極44的個數為1,並使其少於第2內部電極41~44之總數(本實施形態中為4個)。又,通孔導體91a~97a為串聯連接於第1端子電極3,並且通孔導體91a~97a之合成電阻成分較大。又,通孔導體91b~97b亦串聯連接於第2端子電極5,並且通孔導體91b~97b之合成電阻成分較大。藉此,積層電容器C2與先前將所有內部電極所對應之端子電極上經由引出導體而連接之積層電容器相比,其等效串聯電阻增大。
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31的個數、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44的個數,而將積層電容器C2之等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,在本實施形態中,第1內部電極31~34之間並聯連接,並且第2內部電極41~44之間並聯連接。藉此,於各第1內部電極31~34或者各第2內部電極41~44之阻抗值產生不均時,對積層電容器C2全體之等效串聯電阻的影響亦較少,故可抑制等效串聯電阻之控制精度降低。
又,於積層電容器C2之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44。另一方面,於積層電容器C2之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31。因此,使對向於積層體1之積層方向的2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,基板上的連接盤圖形之間等經由內部電極所形成的電流路徑之長度亦難以變化。故第9實施形態之積層電容器C2中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸的側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小由流通於第1及第2內部電極31~34、41~44之電流而產生之磁場,故於積層電容器C2中,可謀求等效串聯電感之降低。
參照圖16,說明第10實施形態之積層電容器之結構。第10實施形態之積層電容器與第9實施形態之積層電容器C2的不同之處在於,經由引出導體37、47連接於端子電極3、5之第1及第2內部電極33、42於積層方向的位置。圖16係第10實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第10實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第9實施形態之積層電容器C2同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;以及形成於相同積層體1之第2端子電極5。
於第10實施形態之積層電容器中,如圖16所示,4個第1內部電極31~34中從第1內部電極31向下數至第3個第1內部電極33,經由引出導體37電性連接於第1端子電極3。藉此,第1內部電極31、32、34亦電性連接於第1端子電極3,並且第1內部電極31~34成為並聯連接。引出導體37與第1內部電極33一體形成,並從第1內部電極33延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸之側面1a。
從4個第2內部電極41~44中第2內部電極41起向下數至第2個第2內部電極42,經由引出導體47電性連接於第2端子電極5。藉此,第2內部電極41、43、44亦電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~44成為並聯連接。引出導體47與第2內部電極42一體形成,並從第2內部電極42延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b。
於第10實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極33的個數為1,並使其少於第1內部電極31~34之總數(本實施形態中為4個)。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極42的個數為1,並使其少於第2內部電極41~44之總數(本實施形態中為4個)。藉此,第10實施形態之積層電容器,與先前將所有內部電極所對應之端子電極上經由引出導體而連接之積層電容器相比,其等效串聯電阻增大。
而通孔導體91a~97a之電阻成分,以第1內部電極33為界限而被分為,較該第1內部電極33偏向於積層方向之一側的通孔導體91a~94a之合成電阻成分,與較第1內部電極33偏向於積層方向之他側的通孔導體95a~97a之合成電阻成分。通孔導體91a~94a之合成電阻成分與通孔導體95a~97a之合成電阻成分,並聯連接於第1端子電極3。又,通孔導體91b~97b之電阻成分,以第2內部電極42為界限被分為,較該第2內部電極42偏向於積層方向的一側的通孔導體91b~93b之合成電阻成分,與較第2內部電極42偏向於積層方向的他側的通孔導體94b~97b之合成電阻成分。通孔導體91b~93b之合成電阻成分與通孔導體94b~97b之合成電阻成分,並聯連接於第2端子電極5。因此,第10實施形態之積層電容器,相比於通孔導體91a~97a、91b~97b分別串聯連接之第9實施形態之積層電容器C2,其等效串聯電阻較小。
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33於積層方向的位置、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42於積層方向的位置,而將第10實施形態之積層電容器的等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,第10實施形態之積層電容器的積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33相對稱的位置上,存在經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42。另一方面,於第10實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33。因此,使對向於積層體1之積層方向之2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,基板上的連接盤圖形之間等經由內部電極所形成的電流路徑之長度亦難以變化。因此,於第10實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到控制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向的側面1b上。藉此,可減小由流通於第1及第2內部電極31~34、41~44之電流而產生之磁場,故於第10實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
參照圖17,說明第11實施形態之積層電容器之結構。第11實施形態之積層電容器與第9實施形態之積層電容器C2的不同之處在於,經由引出導體37、47而連接於端子電極3、5之第1及第2內部電極31、34、41、44的數量。圖17係第11實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第11實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第9實施形態之積層電容器C2同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;以及形成於相同積層體1之第2端子電極5。
於第11實施形態之積層電容器中,如圖17所示,4個第1內部電極31~34中2個第1內部電極31、34,經由引出導體37電性連接於第1端子電極3。藉此,第1內部電極32、33亦電性連接於第1端子電極3,並且第1內部電極31~34成為並聯連接。引出導體37與各第1內部電極31、34一體形成,並從第1內部電極31、34延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸之側面1a。
4個第2內部電極41~44中2個第2內部電極41、44,經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5。藉此,第2內部電極42、43亦電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~44成為並聯連接。引出導體47與各第2內部電極41、44一體形成,並分別從第2內部電極41、44延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b。
於第11實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、34的個數為2,並使其少於第1內部電極31~34之總數。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、44的個數為2,並使其少於第2內部電極41~44之總數。因此,第11實施形態之積層電容器,與先前將所有內部電極所對應之端子電極上經由引出導體而連接之積層電容器相比,其等效串聯電阻增大。
第11實施形態之積層電容器相比於第9實施形態之積層電容器C2,經由引出導體37而直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、34的數量較多,並且該等引出導體37並聯連接於第1端子電極3。又,經由引出導體47而直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、44的數量較多,並且該等引出導體47並聯連接於第2端子電極5。因此,第11實施形態之積層電容器的等效串聯電阻相比於第9實施形態之積層電容器C2,其等效串聯電阻較小。
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31、34的數量、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41、44的數量,而將第11實施形態之積層電容器之等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,第11實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31相對稱的位置上,存在經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極34相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41。另一方面,於第11實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41相對稱的位置上,存在經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極34。積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44相對稱的位置上,存在經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31。因此,使對向於積層體1之積層方向的2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,基板上的連接盤圖形之間等經由內部電極所形成的電流路徑之長度亦難以變化。因此,於第11實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小由流通於第1及第2內部電極31~34、41~44之電流而產生之磁場,故於第11實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
參照圖18,說明第12實施形態之積層電容器之結構。第12實施形態之積層電容器與第9實施形態之積層電容器C2的不同之處在於,於第1及第2內部電極31~34、41~44上形成有狹槽。圖18係第12實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第12實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第9實施形態之積層電容器C2同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;以及形成於相同積層體1之第2端子電極5。
於第1內部電極31~34中,形成有狹槽S11~S14,使從對向於積層體1之側面1d的該第1內部電極31~34之端邊,向通孔導體91a~97a與該第1內部電極31~34所連接之部分旁延伸。因此,狹槽S11~S14形成為,於各第1內部電極31~34中,電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S11~S14而對向之區域。
於第2內部電極41~44中,形成有狹槽S21~S24,使從對向於積層體1之側面1c的該第2內部電極41~44之端邊,向通孔導體91b~97b與該第2內部電極41~44相連接之部分旁延伸。因此,狹槽S21~S24形成為,於各第2內部電極41~44中,電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S21~S24而對向之區域。
於形成有狹槽S11~S14、S21~S24之第1及第2內部電極31~34、41~44中,電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S11~S14、S21~S24而對向之區域,故因電流而產生之磁場相互抵消。又,形成有狹槽之第1內部電極31~34與第2內部電極41~44中,從積層方向觀察,電流之流通方向為反向。因此,因流通於第1內部電極31~34之電流而產生之磁場、與因流通於第2內部電極41~44之電流而產生之磁場相互抵消。故於第12實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
又,於第12實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31之個數為1,並使其少於第1內部電極31~34之總數(本實施形態中為4個)。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極44的個數為1,並使其少於第2內部電極41~44之總數(本實施形態中為4個)。藉此,第12實施形態之積層電容器,相比於所有內部電極經由引出導體連接於對應端子電極之積層電容器,其等效串聯電阻增大。
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31的數量、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44的數量,而將第12實施形態之積層電容器的等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,第12實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44。另一方面,於第12實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31。因此,使對向於積層體1之積層方向的2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,基板上的連接盤圖形之間等經由內部電極所形成的電流路徑之長度亦難以變化。因此,於第12實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小由流通於第1及第2內部電極31~34、41~44之電流所產生的磁場,故於第12實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
再者,狹槽不必形成於所有內部電極上,例如,其亦可不形成於經由引出導體37、47電性連接於第1及第2端子電極3、5之第1及第2內部電極31、44上。然而,藉由於第1及第2內部電極31、44上形成狹槽,使該等內部電極31、44中因電流而產生之磁場相互抵消。因此,可謀求積層電容器中等效串聯電感之進一步降低。
參照圖19,說明第13實施形態之積層電容器之結構。第13實施形態之積層電容器與第9實施形態之積層電容器C2的不同之處在於,在相對於積層體之積層方向之中心位置而與第1端子電極所連接之第1內部電極相對稱的位置上,所存在之內部電極係第1內部電極,並且在相對於積層體之積層方向之中心位置而與第2端子電極所連接之第2內部電極相對稱的位置上,所存在之內部電極係第2內部電極。圖19係第13實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第13實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第9實施形態之積層電容器C2同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;以及形成於相同積層體1之第2端子電極5。
積層體1如圖19所示,由多層(本實施形態中為12層)介電體層11~22、多層(本實施形態中為6層)第1內部電極31~36、以及多層(本實施形態中為5層)第2內部電極41~45交替積層而構成。於實際積層電容器中,使介電體層11~22之間之邊界一體化為無法看出之程度。
各第1內部電極31~36呈大致矩形形狀。第1內部電極31~36分別形成於與平行於積層體1之介電體層11~22的積層方向(以下,僅稱為"積層方向")之側面具有特定間隔之位置上。於各第1內部電極31~36上,形成有開口31a~36a,使介電體層11、13、15、17、19、21露出。於各介電體層11、13、15、17、19、21上,焊盤狀內部導體71~76位於與第1內部電極31~36上所形成之開口31a~36a相對應之區域。
又,第1內部電極31與積層體1之側面1e隔以介電體層22而鄰接於積層方向。第1內部電極36與積層體1之側面1f隔以介電體層21而鄰接於積層方向。
各第2內部電極41~45呈矩形形狀。第2內部電極41~45分別形成於與平行於積層體1之積層方向的側面具有特定間隔之位置上。於各第2內部電極41~45上,形成有開口41a~45a,使介電體層12、14、16、18、20露出。於各介電體層12、14、16、18、20上,焊盤狀的內部導體81~85位於與第2內部電極41~45上所形成之開口41a~45a相對應之區域。
通孔導體91a~97a與第9實施形態之積層電容器C2同樣,藉由將介電體層11~17積層而於積層方向上以大致直線狀並設,並相互電性連接。通孔導體91b~97b亦藉由將介電體層11~17積層而於積層方向上以大致直線狀並設,並相互電性連接。
進而,於第13實施形態之積層電容器中,將介電體層18~21積層,並將通孔導體98a~100a、98b~100b並設為大致直線狀。
即,於介電體層18中對應於內部導體84與內部導體75之位置上,分別形成於厚度方向上貫通有介電體層18之通孔導體98a、98b。通孔導體98a電性連接於內部導體84。通孔導體98b電性連接於第2內部電極44。通孔導體98a於將介電體層18、19積層之狀態下,與第1內部電極35電性連接。通孔導體98b於將介電體層18、19積層之狀態下,與內部導體75電性連接。
於介電體層19中對應於內部導體85與內部導體75之位置上,分別形成於厚度方向上貫通有介電體層19之通孔導體99a、99b。通孔導體99a電性連接於第1內部電極35。通孔導體99b電性連接於內部導體75。通孔導體99a於將介電體層19、20積層之狀態下,與內部導體85電性連接。通孔導體99b於將介電體層19、20積層之狀態下,與第2內部電極45電性連接。
於介電體層20中對應於內部導體85與內部導體76之位置上,分別形成於厚度方向上貫通有介電體層20之通孔導體100a、100b。通孔導體100a電性連接於內部導體85。通孔導體100b電性連接於第2內部電極45。通孔導體100a於將介電體層20、21積層之狀態下,與第1內部電極36電性連接。通孔導體100b於將介電體層20、21積層之狀態下,與內部導體76電性連接。
通孔導體91a~100a藉由將介電體層11~20積層,而於積層方向上以大致直線狀並設,並藉由相互電性連接而構成通電路徑。第1內部電極31~36經由通孔導體91a~100a及內部導體81~85而相互電性連接。
第1內部電極31、36經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3。藉此,第1內部電極32~35亦電性連接於第1端子電極3,並且第1內部電極31~36成為並聯連接。引出導體37與第1內部電極31、36一體形成,並從第1內部電極31、36延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸之側面1a。
通孔導體91b~100b亦與通孔導體91a~100a同樣地,藉由將介電體層11~20積層,而於積層方向上以大致直線狀並設,並藉由相互電性連接而構成通電路徑。第2內部電極41~45經由通孔導體91b~100b及內部導體71~76而相互電性連接。
第2內部電極41、45經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5。藉此,第2內部電極42~44亦電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~45成為並聯連接。引出導體47與第2內部電極41、45一體形成,並從第2內部電極41、45延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b。
於第13實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、36的個數為2,並使其少於第1內部電極31~36之總數(本實施形態中為6個)。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、45的個數為2,並使其少於第2內部電極41~45之總數(本實施形態中為5個)。因此,第13實施形態之積層電容器,與先前將所有內部電極所對應之端子電極上經由引出導體而連接之積層電容器相比,其等效串聯電阻增大。
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31、36的個數、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41、45的個數,而將第13實施形態之積層電容器之等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,本實施形態中,第1內部電極31~36之間並聯連接,並且第2內部電極41~45之間並聯連接。藉此,即使各第1內部電極31~36或各第2內部電極41~45之阻抗值產生不均,對第13實施形態之積層電容器全體中等效串聯電阻之影響亦較少,故可抑制等效串聯電阻之控制精度下降。
又,於第13實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極36。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極36相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31。另一方面,於第13實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41相對稱的位置上,存在經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極45。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極45相對稱的位置上,存在經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41。因此,使對向於積層體1之積層方向的2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,基板上的連接盤圖形之間等經由內部電極所形成之電流路徑之長度亦難以變化。故於第13實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小由流通於第1及第2內部電極31~36、41~45之電流而產生之磁場,故於第13實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
參照圖20,說明第14實施形態之積層電容器之結構。第14實施形態之積層電容器與第13實施形態之積層電容器的不同之處在於,經由引出導體37連接於第1端子電極3之第1內部電極33、34、以及經由引出導體47連接於第2端子電極5之第2內部電極42、44於積層方向上的位置。圖20係第14實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第14實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第9實施形態之積層電容器C2同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;以及形成於相同積層體1之第2端子電極5。
於第14實施形態之積層電容器中,如圖20所示,6個第1內部電極31~36中從上起第3個第1內部電極33與從上起第4個第1內部電極34,經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3。藉此,第l內部電極31、32、35、36亦電性連接於第1端子電極3,並且第1內部電極31~36成為並聯連接。引出導體37與第1內部電極33、34一體形成,並從第1內部電極33、34延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸之側面1a。
於第14實施形態之積層電容器中,如圖20所示,5個第2內部電極41~45中從上起第2個第2內部電極42與從上起第4個第2內部電極44,經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5。藉此,第2內部電極41、43、45亦電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~45成為並聯連接。引出導體47與第2內部電極42、44一體形成,並從第2內部電極42、44延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸、且與側面1a對向之側面1b。
於第14實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極33、34的個數為2,並使其少於第1內部電極31~36之總數(本實施形態中為6個)。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極42、44的個數為2,並使其少於第2內部電極41~45之總數(本實施形態中為5個)。藉此,第14實施形態之積層電容器,與先前將所有內部電極所對應之端子電極上經由引出導體而連接之積層電容器相比,其等效串聯電阻增大。
著眼於第1端子電極3時,第14實施形態之積層電容器相比於第13實施形態之積層電容器,通孔導體91a~100a之電阻成分對第1端子電極3之連接方法不同。即,於第13實施形態之積層電容器中,通孔導體91a~100a之電阻成分分別串聯連接於第1內部電極31、36。另一方面,於第14實施形態之積層電容器中,通孔導體91a~100a之電阻成分分別以第1內部電極33、34為界限而被分開,該等電阻成分並聯連接於第1端子電極3。又,著眼於第2端子電極5時,第14實施形態之積層電容器相比於第13實施形態之積層電容器,通孔導體91b~100b之電阻成分對第2端子電極5之連接方法不同。即,於第13實施形態之積層電容器中,通孔導體91b~100b之電阻成分分別串聯連接於第2內部電極41、45。另一方面,於第14實施形態之積層電容器中,通孔導體91b~100b之電阻成分分別以第2內部電極42、44為界限而被分開,該等電阻成分並聯連接於第2端子電極5。
因此,因通孔導體91a~100a、91b~100b之電阻成分之差異,第14實施形態之積層電容器相比於第13實施形態之積層電容器,其等效串聯電阻變小。(請對段落0198、0199之技術內容加以確認)
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33、34於積層方向的位置、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42、44於積層方向的位置,而將積層電容器之等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,第14實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極34。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極34相對稱的位置上,存在經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極33。另一方面,於第14實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42相對稱的位置上,存在經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42。因此,使對向於積層體1之積層方向的2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,基板上的連接盤圖形之間等經由內部電極所形成的電流路徑之長度亦難以變化。故於第14實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小由流通於第1及第2內部電極31~36、41~45之電流而產生之磁場,故於第14實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
參照圖21,說明第15實施形態之積層電容器之結構。第15實施形態之積層電容器與第13實施形態之積層電容器的不同之處在於,經由引出導體37、47連接於端子電極3、5之第1及第2內部電極31、32、35、36、41、42、44、45之數量。圖21係第15實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第15實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第9實施形態之積層電容器C2同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;以及形成於相同積層體1之第2端子電極5。
於第15實施形態之積層電容器中,如圖21所示,6個第1內部電極31~36中4個第1內部電極31、32、35、36經由引出導體37電性連接於第1端子電極3。由於第1內部電極31~36經由第1連接導體7而相互電性連接,故第1內部電極33、34亦經由連接導體7而電性連接於第1端子電極3,並且第1內部電極31~36成為並聯連接。引出導體37與各第1內部電極31、32、35、36一體形成,並分別從第1內部電極31、32、35、36延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸之側面1a。
5個第2內部電極41~45中4個第2內部電極41、42、44、45,經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5。因第2內部電極41~45經由第2連接導體9而相互電性連接,故第2內部電極43亦經由第2連接導體9而電性連接於第2端子電極5,並且第2內部電極41~45成為並聯連接。引出導體47與各第2內部電極41、42、44、45一體形成,並分別從第2內部電極41、42、44、45延伸,使面對與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向上延伸、且與側面1a對向之側面1b。
於第15實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、32、35、36之個數為4,並使其少於第1內部電極31~36之總數。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、42、44、45的個數為4,並使其少於第2內部電極41~45之總數。因此,第15實施形態之積層電容器,相比於先前將所有內部電極經由引出導體而連接於對應端子電極之積層電容器,等效串聯電阻增大。
第15實施形態之積層電容器相比於第13實施形態之積層電容器,經由引出導體37而直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、32、35、36的數量較多,並且該等引出導體37並聯連接於第1端子電極3。又,第15實施形態之積層電容器相比於第13實施形態之積層電容器,經由引出導體47而直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、42、44、45的數量較多,並且該等引出導體47並聯連接於第2端子電極5。因此,第15實施形態之積層電容器的等效串聯電阻小於第13實施形態之積層電容器的等效串聯電阻。
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31、32、35、36的數量、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41、42、44、45的數量,而將第15實施形態之積層電容器的等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,第15實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極36。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極32相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極35。積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極35相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極32。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極36相對稱的位置上,存在經由引出導體37而電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31。
另一方面,於第15實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極45。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44。於積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極44相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極42。積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極45相對稱的位置上,存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41。
因此,使對向於積層體1之積層方向的2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,基板上的連接盤圖形之間等經由內部電極所形成的電流路徑之長度亦難以變化。因此,於第15實施形態之積層電容器中,因安裝方向引起的等效串聯電感之不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小由流通於第1及第2內部電極31~36、41~45之電流而產生之磁場,故於第15實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
參照圖22,說明第16實施形態之積層電容器之結構。第16實施形態之積層電容器與第13實施形態之積層電容器的不同之處在於,在第1及第2內部電極31~36、41~45上形成有狹槽。圖22係第16實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
第16實施形態之積層電容器,其圖示省略,與第9實施形態之積層電容器C2同樣,包括積層體1;形成於該積層體1之第1端子電極3;以及形成於相同積層體1之第2端子電極5。
第1內部電極31~36中,形成有狹槽S11~S16,使從對向於積層體1之側面1d的該第1內部電極31~36之端邊,向通孔導體91a~100a與該第1內部電極31~36相連接之部分旁延伸。因此,狹槽S11~S16形成為,於各第1內部電極31~36中,電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S11~S16而對向之區域。
第2內部電極41~45中,形成有狹槽S21~S25,使從對向於積層體1之側面1c的該第2內部電極41~45之端邊,向通孔導體91b~100b與該第2內部電極41~45相連接之部分旁延伸。因此,狹槽S21~S25形成為,於各第2內部電極41~45中,電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S21~S25而對向之區域。
於形成有狹槽S11~S16、S21~S25之第1及第2內部電極31~36、41~45中,電流互為反向地流通於分別隔以狹槽S11~S16、S21~S25而對向之區域,故因電流而產生之磁場相互抵消。又,形成有狹槽之第1內部電極31~36與第2內部電極41~45中,從積層方向觀察,電流之流通方向為反向。因此,因流通於第1內部電極31~36之電流而產生之磁場,與因流通於第2內部電極41~45之電流而產生之磁場相互抵消。故於第16實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
又,於第16實施形態之積層電容器中,使經由引出導體37直接連接於第1端子電極3之第1內部電極31、36的個數為2,並使其少於第1內部電極31~36之總數(本實施形態中為6個)。又,使經由引出導體47直接連接於第2端子電極5之第2內部電極41、45的個數為2,並使其少於第2內部電極41~45之總數(本實施形態中為5個)。藉此,第16實施形態之積層電容器,相比於先前將所有內部電極經由引出導體而連接於對應端子電極之積層電容器,等效串聯電阻增大。
如上所述,根據本實施形態,藉由分別調整經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31、36的數量、以及經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41、45的數量,而將第16實施形態之積層電容器的等效串聯電阻設定為預期值,故能夠容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
又,第16實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向之中心位置M,在與經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極31、36相對稱的位置上,分別存在經由引出導體37電性連接於第1端子電極3之第1內部電極36、31。另一方面,於第16實施形態之積層電容器之積層體1中,相對於積層方向的中心位置M,在與經由引出導體47電性連接於第2端子電極5之第2內部電極41、45相對稱的位置上,分別存在經由引出導體47而電性連接於第2端子電極5之第2內部電極45、41。因此,使對向於積層體1之積層方向的2個側面1e、1f中任一面對向於基板等進行安裝時,基板上的連接盤圖形之間等經由內部電極所形成的電流路徑之長度亦難以變化。故於第16實施形態之積層電容器中,因安裝方向而引起之等效串聯電感的不均受到抑制。
又,第1端子電極3形成於與長方體形狀之積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸之側面1a上,第2端子電極5形成於與積層體1之積層方向平行的側面中於較長方向延伸、且與形成有第1端子電極3之側面1a對向之側面1b上。藉此,可減小因流通於第1及第2內部電極31~36、41~45之電流而產生之磁場,故於第16實施形態之積層電容器中,可謀求等效串聯電感之降低。
再者,狹槽不必形成於所有內部電極上,例如,其亦可不形成於在經由引出導體37、47而電性連接於第1及第2端子電極3、5之第1及第2內部電極31、36、41、45上。然而,藉由於第1及第2內部電極31、36、41、45上形成狹槽,使該等內部電極31、36、41、45中因電流而產生之磁場相互抵消。因此,可謀求積層電容器中等效串聯電感之進一步降低。
在第1~第16實施形態中,藉由調整經由引出導體37、47直接連接於端子電極3、5之內部電極的數量、以及於積層方向之位置之至少任一方,而將各積層電容器之等效串聯電阻設定為預期值。其結果是,可容易且精度良好地控制等效串聯電阻。
上述第1內部電極31~36之數量調整,可於1個以上、且較第1內部電極31~36之總數少1個以下之範圍內進行。上述第2內部電極41~45之數量調整,可於1個以上、且較第2內部電極41~45之總數少1個之範圍內進行。經由引出導體37直接連接於端子電極3之第1內部電極之數量,亦可不同於經由引出導體47直接連接於端子電極5之第2內部電極之數量。
進而,亦可調整連接導體7、9或者通孔導體91a~100a、91b~100b之數量,以使各積層電容器之等效串聯電阻設定為預期值。此時,可精度更好地控制各積層電容器之等效串聯電阻。
連接導體7、9之數量調整一例由圖23及圖24所示。圖23及圖24所示之積層電容器中,藉由分別將第1實施形態之積層電容器中第1及第2連接導體7、9之數量設定為2,而將等效串聯電阻設定為預期值。圖23係第1實施形態之積層電容器的變形例之立體圖。圖24係第1實施形態之積層電容器之變形例所包括的積層體之分解立體圖。如圖23所示,第1實施形態之積層電容器之變形例包括第1及第2連接導體7、9各2個。如圖24所示,第1內部電極31~34分別具有連接於連接導體7之2個引出導體51~54。因此,第1內部電極31~34藉由2個通電路徑而電性連接,第2內部電極41~45亦藉由2個通電路徑而電性連接。
亦可將除第1實施形態之積層電容器以外的第2~第8實施形態之積層電容器中連接導體7、9分別設定為多個。圖25表示第5實施形態之積層電容器之變形例的分解立體圖。如圖25所示之第5實施形態之積層電容器的變形例中,將第1及第2連接導體7、9之數量分別設定為2個。
以上,詳細說明本發明之較佳實施形態,本發明並非限定於上述實施形態及變形例。例如,介電體層11~22之積層數以及第1及第2內部電極31~36、41~45之積層數,並非限定於上述實施形態之數量。又,經由引出導體37、47直接連接於端子電極3、5之內部電極之數量、以及於積層方向之位置,並非限定於上述實施形態之數量及位置。又,第1及第2內部電極亦可不經由引出導體而直接與第1及第2連接導體相連接。
從本發明之上述揭示可知,顯然可以各種方式對其進行改變。該等改變並未認為脫離本發明之宗旨與範圍,並且顯然對於熟悉此項技術者而言,所有該等改變均應包含於以下請求項之範圍內。
1...積層體
1a~1f...側面
3、5...第2端子電極
7,9...連接導體
11~22...介電體層
31~36...第1內部電極
31a~36a、41a~45a...開口
37、47、51~56、61~66...引出導體
41~45...第2內部電極
71~76、81~85...內部導體
91a~100a、92b~100b...通孔導體
112、114...陰極連接盤圖形
116、118...配線
C1...積層電容器
S11~S16、.S21~S25...狹槽
圖1係第1實施形態之積層電容器之立體圖。
圖2係第1實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖3係用以說明於基板上安裝有第1實施形態之積層電容器之狀態的說明圖。
圖4係模式表示安裝於基板上之第1實施形態的積層電容器之斷面結構圖。
圖5係第2實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖6係第3實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖7係第4實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖8係第4實施形態之積層電容器之變形例所包括的積層體之分解立體圖。
圖9係第5實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖10係模式表示安裝於基板上之第5實施形態之積層電容器的斷面結構圖。
圖11係第6實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖12係第7實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖13係第8實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖14係第9實施形態之積層電容器之立體圖。
圖15係第9實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖16係第10實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖17係第11實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖18係第12實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖19係第13實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖20係第14實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖21係第15實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖22係第16實施形態之積層電容器所包括的積層體之分解立體圖。
圖23係第1實施形態之積層電容器的變形例之立體圖。
圖24係第1實施形態之積層電容器之變形例所包括的積層體之分解立體圖。
圖25係第5實施形態之積層電容器的變形例之分解立體圖。
1...積層體
11~18...介電體層
22...介電體層
31~34...第1內部電極
37...引出導體
41~44...第2內部電極
47、51~54、61~64...引出導體
Claims (12)
- 一種積層電容器,其具備將多個介電體層與多個內部電極交替積層之積層體,以及形成於上述積層體之多個端子電極,其特徵在於:上述多個端子電極包含相互電性絕緣之第1及第2端子電極;上述多個內部電極包含交替配置之多個第1及第2內部電極;上述多個第1內部電極經由連接導體相互電性連接;上述多個第2內部電極經由連接導體相互電性連接;上述多個第1內部電極中,較1個以上該第1內部電極之總數少1個之數量以下之第1內部電極,經由引出導體電性連接於上述第1端子電極;上述多個第2內部電極中,較1個以上該第2內部電極之總數少1個之數量以下之第2內部電極,經由引出導體電性連接於上述第2端子電極;相對於上述積層體之積層方向的中心位置,在與經由上述引出導體電性連接於上述第1端子電極之上述各第1內部電極相對稱之位置上,存在經由上述引出導體電性連接於上述第2端子電極之上述第2內部電極;相對於上述積層體之積層方向的中心位置,在與經由上述引出導體電性連接於上述第2端子電極之上述各第2內部電極相對稱之位置上,存在經由上述引出導體電性 連接於上述第1端子電極之上述第1內部電極。
- 一種積層電容器,具備將多個介電體層與多個內部電極交替積層之積層體;以及形成於上述積層體之多個端子電極,其特徵在於,上述多個端子電極包含相互電性絕緣之第1及第2端子電極;上述多個內部電極包含交替配置之多個第1及第2內部電極;上述多個第1內部電極經由連接導體相互電性連接;上述多個第2內部電極經由連接導體相互電性連接;上述多個第1內部電極中,較1個以上該第1內部電極之總數少1個之數量以下之第1內部電極,經由引出導體電性連接於上述第1端子電極;上述多個第2內部電極中,較1個以上該第2內部電極之總數少1個之數量以下之第2內部電極,經由引出導體電性連接於上述第2端子電極;相對於上述積層體之積層方向的中心位置,在與經由上述引出導體電性連接於上述第1端子電極之上述各第1內部電極相對稱之位置上,存在經由上述引出導體電性連接於上述第1端子電極之上述第1內部電極;相對於上述積層體之積層方向的中心位置,在與經由上述引出導體電性連接於上述第2端子電極之上述各第2內部電極相對稱之位置上,存在經由上述引出導體電性 連接於上述第2端子電極之上述第2內部電極。
- 如請求項1或2所述之積層電容器,其中上述多個第1內部電極經由引出導體,電性連接於上述連接導體;上述多個第2內部電極經由引出導體,電性連接於上述連接導體;上述連接導體形成於上述積層體之表面。
- 如請求項1或2所述之積層電容器,其中上述連接導體係設置於上述積層體內上述積層體之積層方向上的通孔導體。
- 如請求項1或2所述之積層電容器,其中於上述多個第1及第2內部電極中至少一部分之上述第1及第2內部電極上,形成有狹槽,上述狹槽形成為,於形成有該狹槽之上述第1及第2內部電極之每個中,電流互為反向地流通於隔以該狹槽而對向之區域。
- 如請求項1或2所述之積層電容器,其中,上述積層體設為大致長方體形狀;上述第1端子電極形成於與上述積層體之積層方向平行之側面中於較長方向延伸之側面上;上述第2端子電極形成於與上述積層體之積層方向平行之側面中於較長方向延伸、且與形成有上述第1端子電極之上述側面對向之側面上。
- 如請求項1或2所述之積層電容器,其中藉由分別調整經 由上述引出導體電性連接於上述第1端子電極之上述第1內部電極之數量、以及經由上述引出導體電性連接於上述第2端子電極的上述第2內部電極之數量,而將等效串聯電阻設定為預期值。
- 如請求項1或2所述之積層電容器,其中藉由分別調整經由上述引出導體電性連接於上述第1端子電極之上述第1內部電極於上述積層體之積層方向的位置、以及經由上述引出導體電性連接於上述第2端子電極之上述第2內部電極於上述積層體之積層方向的位置,而將等效串聯電阻設定為預期值。
- 如請求項7所述之積層電容器,其中藉由分別進一步調整電性連接上述多個第1內部電極之上述連接導體之數量、以及電性連接上述多個第2內部電極之上述連接導體之數量,而將等效串聯電阻設定為預期值。
- 如請求項7所述之積層電容器,其中上述多個第1內部電極之間並聯連接;且上述多個第2內部電極之間並聯連接。
- 如請求項8所述之積層電容器,其中藉由分別進一步調整電性連接上述多個第1內部電極之上述連接導體之數量、以及電性連接上述多個第2內部電極之上述連接導體之數量,而將等效串聯電阻設定為預期值。
- 如請求項8所述之積層電容器,其中上述多個第1內部電極之間並聯連接;且上述多個第2內部電極之間並聯連接。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005104804A JP4230469B2 (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | 積層コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200701277A TW200701277A (en) | 2007-01-01 |
TWI405228B true TWI405228B (zh) | 2013-08-11 |
Family
ID=37030558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095110466A TWI405228B (zh) | 2005-03-31 | 2006-03-24 | Laminated capacitors |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7369395B2 (zh) |
JP (1) | JP4230469B2 (zh) |
KR (1) | KR101145192B1 (zh) |
CN (1) | CN1841592B (zh) |
TW (1) | TWI405228B (zh) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7697262B2 (en) | 2005-10-31 | 2010-04-13 | Avx Corporation | Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals |
JP4293561B2 (ja) | 2006-08-21 | 2009-07-08 | Tdk株式会社 | 積層型貫通コンデンサアレイの実装構造 |
JP4396709B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2010-01-13 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
JP4656064B2 (ja) | 2007-02-02 | 2011-03-23 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
US8238116B2 (en) | 2007-04-13 | 2012-08-07 | Avx Corporation | Land grid feedthrough low ESL technology |
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JP4370352B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2009-11-25 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
JP4428446B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2010-03-10 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
JP4548492B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2010-09-22 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサアレイ |
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KR102094534B1 (ko) | 2018-07-17 | 2020-03-30 | 엘지전자 주식회사 | 인공지능 워터 디스펜싱 장치의 제어방법 |
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2005
- 2005-03-31 JP JP2005104804A patent/JP4230469B2/ja active Active
-
2006
- 2006-03-21 US US11/384,431 patent/US7369395B2/en active Active
- 2006-03-24 TW TW095110466A patent/TWI405228B/zh active
- 2006-03-31 KR KR1020060029486A patent/KR101145192B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4230469B2 (ja) | 2009-02-25 |
US20060221546A1 (en) | 2006-10-05 |
TW200701277A (en) | 2007-01-01 |
US7369395B2 (en) | 2008-05-06 |
KR101145192B1 (ko) | 2012-05-14 |
JP2006286930A (ja) | 2006-10-19 |
CN1841592A (zh) | 2006-10-04 |
KR20060105647A (ko) | 2006-10-11 |
CN1841592B (zh) | 2010-05-12 |
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