JP2016504751A - ポリマー内への薄型チップの埋込み - Google Patents

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Abstract

薄型チップを埋め込むためのシステムおよび方法が提供される。可撓性ポリマー上に配設された導電性材料を含む基板内にウェル領域が生成される。導電性材料のパターン形成によってスタンドオフウェル領域を生成することができ、スタンドオフウェル領域に薄型チップが埋め込まれる。ポリマー層にキャビティを生成して、ポリマーウェル領域を形成することができ、ポリマーウェル領域に薄型チップが埋め込まれる。一例では、可撓性ポリマー上に配設された導電性材料を含む基板に少なくとも２つのウェル領域を生成することができる。少なくとも２つのウェル領域の少なくとも１つは、スタンドオフウェル領域でよい。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１２年１０月９日出願の「Ｅｍｂｅｄｄｉｎｇ Ｔｈｉｎｎｅｄ Ｃｈｉｐｓ ａｎｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ ｉｎ Ｆｌｅｘ Ｐｏｌｙｍｅｒ」という名称の米国仮特許出願第６１／７１１，６２９号明細書、および２０１３年３月１５日出願の「ＥＭＢＥＤＤＩＮＧ ＴＨＩＮ ＣＨＩＰＳ ＩＮ ＰＯＬＹＭＥＲ」という名称の米国特許出願第１３／８４４，６３８号明細書の優先権を主張するものであり、各特許出願の全体を、図面も含め、参照により本明細書に組み込む。
従来の集積回路（ＩＣ）チップは、一般に厚く、堅い。さらに、それらのチップは、チップよりも厚くはないにせよチップと同じ厚さであり、同様に堅い印刷回路板（ＰＣＢ）の上に実装される。厚い印刷回路板を使用するそのような処理は、一般に、薄型化されたチップ、または伸縮性の相互接続構造を有するチップには適合性がない。
可撓性ポリマー内でＰＣＢ上にチップを埋め込むための多くの方式が提案されている。これらの方式のほとんどは、ＰＣＢを構成する可撓性ポリマーの層よりもチップがかなり厚いという仮定に基づく。そのような方式は、より薄いチップには適合性がない。
上記のことに鑑み、本明細書で述べる様々な例は、一般に、ＩＣチップを含めた薄型デバイスアイランド、および／または伸縮性相互接続構造を可撓性ポリマー内に埋め込むための方法を対象とする。また、本明細書で述べる様々な例は、一般に、可撓性ポリマー内に埋め込まれた、ＩＣチップを含めた薄型デバイスアイランド、および／または伸縮性相互接続構造に基づく装置およびシステムを対象とする。
本明細書で開示される原理によれば、装置は、スタンドオフウェル領域を備える基板を含むことができる。基板は、可撓性ポリマーの層の上に配設された第１の導電性材料の層を含むことができ、第１の導電性材料のパターン形成部分が、露出された可撓性ポリマーの一部分と境界を画すスタンドオフを備え、それによりスタンドオフウェル領域を形成する。装置はまた、スタンドオフの近位の露出された可撓性ポリマーの一部分の上でスタンドオフウェル領域の内部に配設された薄型チップを含むこともできる。スタンドオフの高さは、薄型チップの高さと同等でよい。
一例では、装置は、スタンドオフの近位の露出された可撓性ポリマーの一部分で、スタンドオフウェル領域の内部に塗着された接着材を含むことができる。薄型チップは、スタンドオフの近位の接着材の上に配設することができる。接着材は、約８μｍ、約１０μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２０μｍ、約２５μｍ、または約３０μｍの厚さを有することができる。幾つかの例では、接着材は、導電性接着剤または非導電性接着剤を含む。
一例では、第１の導電性材料のパターン形成部分は、レーザアブレーションまたはエッチングを使用して形成することができる。可撓性ポリマーは、ポリイミドまたは液晶ポリマーでよい。
一例では、第１の導電性材料は、銅、金、アルミニウム、またはそれらの何らかの組合せを含む。基板は、銅−クラッドポリイミドでよい。
特定の例では、可撓性ポリマーの層は、約８μｍ、約１０μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、約７５μｍ、または約８５μｍの厚さを有することができ、第１の導電性材料の層は、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有することができる。一例では、薄型チップは、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有することができる。
一例では、薄型チップは、薄型化されたチップでよい。薄型化されたチップは、エッチングプロセスまたは研削プロセスを使用して薄型化することができるチップから形成することができる。一例では、スタンドオフの高さが薄型チップの高さよりも大きくなる、またはほぼ等しくなるように、薄型チップをスタンドオフウェル領域の内部に配設することができる。別の例では、スタンドオフの高さが薄型チップの高さよりも小さくなるように、薄型チップをスタンドオフウェル領域の内部に配設することができる。
一例では、薄型チップは、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有することができる第１の導電性材料の層を有することができる。
一例では、装置はまた、基板の上に配設されたポリマーシートを含むこともできる。ポリマーシートを通して少なくとも１つのバイアを形成することができる。装置はまた、少なくとも１つのバイアの近位のポリマーシートの一部分の上に配設された第２の導電性材料を含むこともでき、それにより、第２の導電性材料が、薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する。
一例では、第２の導電性材料が、チタン、タングステン、金、ニッケル、クロム、またはそれらの何らかの組合せを含むことができる。
一例では、スタンドオフが、薄型チップの一部分を取り囲む。別の例では、スタンドオフは、薄型チップを完全に取り囲むことができる。一例では、スタンドオフと薄型チップの一部分との間に誘電体材料を配設することができる。
一例では、第１の導電性材料の上または可撓性ポリマーの上に少なくとも１つの追加の層を配設することができ、少なくとも１つの追加の層が、薄型チップを装置の中立機械面に位置決めする。
本明細書で開示される原理によれば、薄型チップを埋め込むための方法は、スタンドオフウェル領域を備える基板を提供するステップを含むことができ、基板は、可撓性ポリマーの層の上に配設された第１の導電性材料の層を含む。基板はまた、露出された可撓性ポリマーの一部分と境界を画すスタンドオフを形成するようにパターン形成することができる第１の導電性材料の少なくとも一部分を含むこともできる。この方法はまた、スタンドオフの高さが薄型チップの高さと同等になり得るように、スタンドオフの近位の露出された可撓性ポリマーの一部分の上に薄型チップを配設するステップも含むことができる。
一例では、方法はまた、スタンドオフの近位の露出された可撓性ポリマーの一部分に接着材を塗着するステップと、スタンドオフの近位の露出された可撓性ポリマーの上記部分に塗着された接着材上に薄型チップを配設するステップとを含むこともできる。
幾つかの例では、スタンドオフの高さは、薄型チップの高さよりも大きくてよく、またはほぼ等しくてもよい。
特定の例では、配設ステップはまた、スタンドオフの高さが薄型チップの高さよりも大きくなる、またはほぼ等しくなるように、スタンドオフの近位の可撓性ポリマーの一部分の上に薄型チップを配設するステップも含むことができる。
一例では、薄型チップは、薄型化されたチップでよく、チップの薄型化は、エッチングプロセスまたは研削プロセスによって提供することができる。薄型化されたチップは、スタンドオフの高さが薄型化されたチップの高さと同等になり得るように、スタンドオフの近位の露出された可撓性ポリマーの一部分の上に配設することができる。
一例では、この方法はまた、基板の上にポリマーシートを配設するステップと、ポリマーシートを通る少なくとも１つのバイアを形成するステップとを含むこともできる。方法はさらに、少なくとも１つのバイアの近位の第２のポリマーシートの一部分の上に導電性材料を配設するステップを含むことができ、それにより、導電性材料が、薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する。
一例では、この方法はさらに、第１の導電性材料の上または可撓性ポリマーの上に少なくとも１つの追加の層を配設するステップを含むことができ、少なくとも１つの追加の層が、薄型チップを装置の中立機械面に位置決めする。
本明細書で開示される原理によれば、装置は、ポリマーウェル領域を備える基板を含むことができる。基板は、第１の導電性材料の層の上に配設された可撓性ポリマーの層を含むことができる。基板はまた、可撓性ポリマーの少なくとも一部分にキャビティを含むこともでき、露出された第１の導電性材料の一部分と境界を画す少なくとも１つのポリマー壁を形成し、それによりポリマーウェル領域を形成する。装置はまた、少なくとも１つのポリマー壁の近位の露出された第１の導電性材料の少なくとも一部分の上でポリマーウェル領域内に配設された薄型チップを含むこともできる。
一例では、装置はまた、少なくとも１つのポリマー壁の近位の露出された第１の導電性材料の少なくとも一部分で、ポリマーウェル領域の内部に塗着された接着材を含むこともでき、薄型チップを、少なくとも１つのポリマー壁の近位の接着材の上に配設することができる。
一例では、接着材は、約８μｍ、約１０μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２０μｍ、約２５μｍ、または約３０μｍの厚さを有することができる。接着材は、導電性接着剤または非導電性接着剤を含むことができる。
一例では、キャビティは、レーザアブレーションまたはエッチングを使用して形成することができる。可撓性ポリマーは、ポリイミドまたは液晶ポリマーでよい。第１の導電性材料は、銅、金、アルミニウム、またはそれらの何らかの組合せを含むことができる。基板は、銅−クラッドポリイミドを含むことができる。
一例では、可撓性ポリマーの層は、約８μｍ、約１０μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、約７５μｍ、または約８５μｍの厚さを有することができる。第１の導電性材料の層は、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有することができる。薄型チップは、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有することができる。
一例では、薄型チップは、薄型化されたチップでよい。薄型化されたチップは、エッチングプロセスまたは研削プロセスを使用して薄型化することができるチップから形成することができる。薄型チップは、少なくとも１つのポリマー壁の高さを薄型チップの高さよりも大きくする、またはほぼ等しくすることができるように、ポリマーウェル領域の内部に配設することができる。一例では、薄型チップは、少なくとも１つのポリマー壁の高さを薄型チップの高さよりも小さくすることができるように、ポリマーウェル領域の内部に配設することができる。
一例では、薄型チップは、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有する第１の導電性材料の層を有することができる。
一例では、装置はまた、基板の上に配設されたポリマーシートを含むこともできる。装置はさらに、ポリマーシートを通して形成された少なくとも１つのバイアと、少なくとも１つのバイアの近位のポリマーシートの一部分の上に配設された第２の導電性材料とを含むことができ、それにより、第２の導電性材料が、薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する。
一例では、第２の導電性材料が、チタン、タングステン、金、ニッケル、クロム、またはそれらの何らかの組合せを含むことができる。
一例では、少なくとも１つのポリマー壁が、薄型チップの一部分を取り囲むことができる。別の例では、少なくとも１つのポリマー壁は、薄型チップを完全に取り囲むことができる。
一例では、少なくとも１つのポリマー壁と薄型チップの一部分との間に誘電体材料を配設することができる。装置はさらに、第１の導電性材料の上または可撓性ポリマーの上に配設された少なくとも１つの追加の層を含み得、少なくとも１つの追加の層が、薄型チップを装置の中立機械面に位置決めする。
一例では、薄型チップは、薄型化されたチップであり得、薄型チップは、エッチングプロセスまたは研削プロセスを使用して薄型化し、最少の１つの壁の高さが薄型化されたチップの高さと同等になり得るように、少なくとも１つのポリマー壁の近位の露出された第１の導電性材料の少なくとも一部分の上でポリマーウェル領域の内部に配設することができる。
本明細書で述べる原理によれば、薄型チップを埋め込むための方法は、ポリマーウェル領域を備える基板を提供するステップを含み得、基板が、可撓性ポリマーの層と、第１の導電性材料の層とを備え、ポリマーウェル領域が、可撓性ポリマーの一部分から形成された少なくとも１つのポリマー壁と、第１の導電性材料の少なくとも一部分から形成されたベース領域とを備え、方法はさらに、少なくとも１つのポリマー壁の近位の第１の導電性材料の一部分で、ポリマーウェル領域内に薄型チップを配設するステップを含む。
一例では、この方法はまた、少なくとも１つのポリマー壁の近位の第１の導電の上記部分に接着材を塗着するステップと、少なくとも１つのポリマー壁の近位の接着材上に薄型チップを配設するステップとを含むこともできる。
一例では、薄型チップは、少なくとも１つのポリマー壁の高さを薄型チップの高さよりも大きくする、またはほぼ等しくすることができるように、ポリマーウェル領域の内部に配設することができる。別の例では、薄型チップは、少なくとも１つのポリマー壁の高さを薄型チップの高さよりも小さくすることができるように、ポリマーウェル領域の内部に配設することができる。さらに別の例では、第１の導電性材料が薄型チップと物理的および電気的に連絡することができるように、薄型チップをポリマーウェル領域の内部に配設することができる。
一例では、この方法はさらに、基板の上にポリマーシートを配設するステップと、ポリマーシートを通して少なくとも１つのバイアを形成するステップと、少なくとも１つのバイアの近位のポリマーシートの一部分の上に第２の導電性材料を配設するステップとを含むことができ、それにより、第２の導電性材料が、薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する。
別の例では、この方法はさらに、第１の導電性材料の上または可撓性ポリマーの上に少なくとも１つの追加の層を配設するステップを含むことができ、少なくとも１つの追加の層が、薄型チップを装置の中立機械面に位置決めする。
本明細書で開示される原理によれば、装置は、ウェル領域を含む可撓性基板を含むことができる。可撓性基板は、ポリイミドまたは液晶ポリマーを含むことができ、可撓性基板は、可撓性基板にウェル領域を形成するキャビティを含むことができる。装置はまた、ウェル領域の内部に配設された薄型チップを含むこともでき、ウェル領域の少なくとも１つのポリマー壁の高さが薄型チップの高さと同等でよい。装置はさらに、薄型チップの少なくとも一部分と実質的に接触する、ウェル領域の内部に塗着されたポリマー接着材を含むことができる。
一例では、装置はまた、可撓性基板の上に配設されたポリマーシートと、ポリマーシートを通して形成された少なくとも１つのバイアとを含むこともできる。装置はまた、少なくとも１つのバイアの近位のポリマーシートの一部分の上に配設された導電性材料を含むこともでき、それにより、第２の導電性材料が、薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する。
一例では、装置はまた、ポリマー接着材を通して形成された少なくとも１つのバイアと、少なくとも１つのバイアの近位のポリマー接着材の一部分の上に配設された導電性材料とを含むことができ、それにより、導電性材料が、薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する。
一例では、接着材をウェル領域の内部に塗着することができ、薄型チップを接着材の上に配設することができる。
別の例では、薄型チップは、少なくとも１つのポリマー壁の高さを薄型チップの高さよりも大きくする、またはほぼ等しくすることができるように、ウェル領域の内部に配設することができる。薄型チップは、少なくとも１つのポリマー壁の高さを薄型チップの高さよりも小さくすることができるように、ウェル領域の内部に配設することができる。一例では、少なくとも１つのポリマー壁と薄型チップの一部分との間に誘電体材料を配設することができる。
本明細書で開示される原理によれば、装置は、（Ａ）少なくとも２つのスタンドオフウェル領域を含む基板と、（Ｂ）少なくとも２つの薄型チップとを含むことができる。基板は、可撓性ポリマーの層の上に配設された第１の導電性材料の層を備え、第１の導電性材料のパターン形成部分が、露出された可撓性ポリマーの幾つかの部分と境界を画す少なくとも２つのスタンドオフを備え、各スタンドオフが、少なくとも２つのスタンドオフウェル領域の少なくとも１つを形成する。少なくとも２つの薄型チップがそれぞれ、少なくとも２つのスタンドオフウェル領域の各１つのスタンドオフの近位の露出された可撓性ポリマーの一部分の上で、少なくとも２つのスタンドオフウェル領域の各１つの内部に配設される。少なくとも２つの薄型チップの１つの厚さが、少なくとも２つの薄型チップの別のものの厚さよりも大きい。スタンドオフの高さは、少なくとも２つの薄型チップの１つの高さと同等である。
本明細書で開示される原理によれば、装置は、（Ａ）少なくとも１つのポリマーウェル領域および少なくとも１つのスタンドオフウェル領域を含む基板と、（Ｂ）少なくとも２つの薄型チップとを含むことができる。基板は、第１の導電性材料の層の上に配設された可撓性ポリマーの層を含み、可撓性ポリマーの少なくとも一部分にキャビティが形成されて、露出された第１の導電性材料の一部分と境界を画す少なくとも１つのポリマー壁を形成し、それによりポリマーウェル領域を形成し、第１の導電性材料のパターン形成部分が、露出された可撓性ポリマーの一部分と境界を画すスタンドオフを備え、それによりスタンドオフウェル領域を形成する。少なくとも２つの薄型チップの１つは、少なくとも１つのポリマー壁の近位の露出された第１の導電性材料の少なくとも一部分の上でポリマーウェル領域の内部に配設される。少なくとも２つの薄型チップの別のものは、スタンドオフの近位の露出された可撓性ポリマーの少なくとも一部分の上でスタンドオフウェル領域の内部に配設される。少なくとも２つの薄型チップの１つの厚さは、少なくとも２つの薄型チップの別のものの厚さよりも大きい。
以下の出版物、特許、および特許出願の全体を参照により本明細書に援用する。
Ｋｉｍ ｅｔ ａｌ．，“Ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ ａｎｄ Ｆｏｌｄａｂｌｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ，”Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｅｘｐｒｅｓｓ，Ｍａｒｃｈ ２７，２００８，１０．１１２６／ｓｃｉｅｎｃｅ．１１５４３６７；
Ｋｏ ｅｔ ａｌ．，“Ａ Ｈｅｍｉｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｙｅ Ｃａｍｅｒａ Ｂａｓｅｄ ｏｎ Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｂｌｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，”Ｎａｔｕｒｅ，Ａｕｇｕｓｔ ７，２００８，ｖｏｌ．４５４，ｐｐ．７４８−７５３；
Ｋｉｍ ｅｔ ａｌ．，“Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｎｇ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃａｌｌｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ Ｗａｖｙ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ，”Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｊｕｌｙ ３１，２００８，ｖｏｌ．９３，０４４１０２；
Ｋｉｍ ｅｔ ａｌ．，“Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｎｏｎｃｏｐｌａｎａｒ Ｍｅｓｈ Ｄｅｓｉｇｎｓ ｆｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ｗｉｔｈ Ｌｉｎｅａｒ Ｅｌａｓｔｉｃ Ｒｅｓｐｏｎｓｅｓ ｔｏ Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｓ，”ＰＮＡＳ，Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２，２００８，ｖｏｌ．１０５，ｎｏ．４８，ｐｐ．１８６７５−１８６８０；
Ｍｅｉｔｌ ｅｔ ａｌ．，“Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ ｂｙ Ｋｉｎｅｔｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ Ａｄｈｅｓｉｏｎ ｔｏ ａｎ Ｅｌａｓｔｏｍｅｒｉｃ Ｓｔａｍｐ，”Ｎａｔｕｒｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｊａｎｕａｒｙ，２００６，ｖｏｌ．５，ｐｐ．３３−３８；
２００９年３月５日出願、２０１０年１月７日公開の、「ＳＴＲＥＴＣＨＡＢＬＥ ＡＮＤ ＦＯＬＤＡＢＬＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＤＥＶＩＣＥＳ」という名称の米国特許出願公開第２０１０ ０００２４０２−Ａ１号明細書；
２００９年１０月７日出願、２０１０年４月８日公開の、「ＣＡＴＨＥＴＥＲ ＢＡＬＬＯＯＮ ＨＡＶＩＮＧ ＳＴＲＥＴＣＨＡＢＬＥ ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ ＣＩＲＣＵＩＴＲＹ ＡＮＤ ＳＥＮＳＯＲ ＡＲＲＡＹ」という名称の米国特許出願公開第２０１０ ００８７７８２−Ａ１号明細書；
２００９年１１月１２日出願、２０１０年５月１３日公開の、「ＥＸＴＲＥＭＥＬＹ ＳＴＲＥＴＣＨＡＢＬＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ」という名称の米国特許出願公開第２０１０ ０１１６５２６−Ａ１号明細書；
２０１０年１月１２日出願、２０１０年７月１５日公開の、「ＭＥＴＨＯＤＳ ＡＮＤ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ ＯＦ ＮＯＮ−ＰＬＡＮＡＲ ＩＭＡＧＩＮＧ ＡＲＲＡＹＳ」という名称の米国特許出願公開第２０１０ ０１７８７２２−Ａ１号明細書；
２００９年１１月２４日出願、２０１０年１０月２８日公開の、「ＳＹＳＴＥＭＳ，ＤＥＶＩＣＥＳ，ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＵＴＩＬＩＺＩＮＧ ＳＴＲＥＴＣＨＡＢＬＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＯ ＭＥＡＳＵＲＥ ＴＩＲＥ ＯＲ ＲＯＡＤ ＳＵＲＦＡＣＥ ＣＯＮＤＩＴＩＯＮＳ」という名称の米国特許出願公開第２０１０ ０２７１１９−Ａ１号明細書；
Ｋｉｍ，Ｄ．Ｈ．ｅｔ ａｌ．（２０１０）．Ｄｉｓｓｏｌｖａｂｌｅ ｆｉｌｍｓ ｏｆ ｓｉｌｋ ｆｉｂｒｏｉｎ ｆｏｒ ｕｌｔｒａｔｈｉｎ ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｂｉｏ−ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ．Ｎａｔｕｒｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，９，５１１−５１７；
Ｏｍｅｎｅｔｔｏ，Ｆ．Ｇ．ａｎｄ Ｄ．Ｌ．Ｋａｐｌａｎ．（２００８）．Ａ ｎｅｗ ｒｏｕｔｅ ｆｏｒ ｓｉｌｋ．Ｎａｔｕｒｅ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ，２，６４１−６４３；
Ｏｍｅｎｅｔｔｏ，Ｆ．Ｇ．，Ｋａｐｌａｎ，Ｄ．Ｌ．（２０１０）．Ｎｅｗ ｏｐｐｏｒｔｕｎｉｔｉｅｓ ｆｏｒ ａｎ ａｎｃｉｅｎｔ ｍａｔｅｒｉａｌ．Ｓｃｉｅｎｃｅ，３２９，５２８−５３１；
Ｈａｌｓｅｄ，Ｗ．Ｓ．（１９１３）．Ｌｉｇａｔｕｒｅ ａｎｄ ｓｕｔｕｒｅ ｍａｔｅｒｉａｌ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｍｅｄｉｃａｌ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ，６０，１１１９−１１２６；
Ｍａｓｕｈｉｒｏ，Ｔ．，Ｙｏｋｏ，Ｇ．，Ｍａｓａｏｂｕ，Ｎ．，ｅｔ ａｌ．（１９９４）．Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ ｃｈａｎｇｅｓ ｏｆ ｓｉｌｋ ｆｉｂｒｏｉｎ ｍｅｍｂｒａｎｅｓ ｉｎｄｕｃｅｄ ｂｙ ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ ｉｎ ｍｅｔｈａｎｏｌ ａｑｕｅｏｕｓ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ，５，９６１−９６８；
Ｌａｗｒｅｎｃｅ，Ｂ．Ｄ．，Ｃｒｏｎｉｎ−Ｇｏｌｏｍｂ，Ｍ．，Ｇｅｏｒｇａｋｏｕｄｉ，Ｉ．，ｅｔ ａｌ．（２００８）．Ｂｉｏａｃｔｉｖｅ ｓｉｌｋ ｐｒｏｔｅｉｎ ｂｉｏｍａｔｅｒｉａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ ｆｏｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｖｉｃｅｓ．Ｂｉｏｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，９，１２１４−１２２０；
Ｄｅｍｕｒａ，Ｍ．，Ａｓａｋｕｒａ，Ｔ．（１９８９）．Ｉｍｍｏｂｉｌｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｇｌｕｃｏｓｅ ｏｘｉｄａｓｅ ｗｉｔｈ Ｂｏｍｂｙｘ ｍｏｒｉ ｓｉｌｋ ｆｉｂｒｏｉｎ ｂｙ ｏｎｌｙ ｓｔｒｅｔｃｈｉｎｇ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ａｎｄ ｉｔｓ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｔｏ ｇｌｕｃｏｓｅ ｓｅｎｓｏｒ．Ｂｉｏｔｅｃｈｎｏｌｏｌｇｙ ａｎｄ Ｂｉｏｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，３３，５９８−６０３；
Ｗａｎｇ，Ｘ．，Ｚｈａｎｇ，Ｘ．，Ｃａｓｔｅｌｌｏｔ，Ｊ．ｅｔ ａｌ．（２００８）．Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｒｅｌｅａｓｅ ｆｒｏｍ ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｓｉｌｋ ｂｉｏｍａｔｅｒｉａｌ ｃｏａｔｉｎｇｓ ｔｏ ｍｏｄｕｌａｔｅ ｖａｓｃｕｌａｒ ｃｅｌｌ ｒｅｓｐｏｎｓｅｓ．Ｂｉｏｍａｔｅｒｉａｌｓ，２９，８９４−９０３；
２０１０年３月１２日出願の、「ＳＹＳＴＥＭＳ，ＭＥＴＨＯＤＳ，ＡＮＤ ＤＥＶＩＣＥＳ ＦＯＲ ＳＥＮＳＩＮＧ ＡＮＤ ＴＲＥＡＴＭＥＮＴ ＨＡＶＩＮＧ ＳＴＲＥＴＣＨＡＢＬＥ ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ ＣＩＲＣＵＩＴＲＹ」という名称の米国特許出願第１２／７２３，４７５号明細書；
２０１０年１月１２日出願の、「Ｍｅｔｈｏｄｓ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｎｏｎ−Ｐｌａｎａｒ Ｉｍａｇｉｎｇ Ａｒｒａｙｓ」という名称の米国特許出願第１２／６８６，０７６号明細書；
２００９年１２月１１日出願の、「Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｍｅｔｈｏｄｓ，ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｕｓｉｎｇ Ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ ｏｒ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｆｏｒ Ｍｅｄｉｃａｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」という名称の米国特許出願第１２／６３６，０７１号明細書；
２０１２年３月１５日出願の、「ＭＥＴＨＯＤＳ ＡＮＤ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲ ＭＥＡＳＵＲＩＮＧ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＰＡＲＡＭＥＴＥＲＳ ＯＦ ＥＱＵＩＰＭＥＮＴ，ＴＯＯＬＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳ ＶＩＡ ＣＯＮＦＯＲＭＡＬ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ」という名称の米国特許出願公開第２０１２−００６５９３７−Ａ１号明細書；
２００９年１１月１２日出願の、「Ｅｘｔｒｅｍｅｌｙ Ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ」という名称の米国特許出願第１２／６１６，９２２号明細書；
２００９年１０月７日出願の、「Ｃａｔｈｅｔｅｒ Ｂａｌｌｏｏｎ Ｈａｖｉｎｇ Ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ ａｎｄ Ｓｅｎｓｏｒ Ａｒｒａｙ」という名称の米国特許出願第１２／５７５，００８号明細書；
２０１１年１２月２３日出願の、「Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｍｅｔｈｏｄｓ，ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｈａｖｉｎｇ Ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ ｆｏｒ Ｓｅｎｓｉｎｇ ａｎｄ Ｄｅｌｉｖｅｒｉｎｇ Ｔｈｅｒａｐｙ」という名称の米国特許出願第１３／３３６，５１８号明細書
前述の概念および以下において詳細に説明される追加的概念の全ての組合せが、（そのような概念が互いに矛盾していないと仮定して）本明細書で開示される本発明の主題の一部として考えられることを理解すべきである。また、参照により援用する任意の開示に現れることもある、本明細書で明示的に採用される用語は、本明細書で開示される特定の概念と最も一貫性のある意味を与えられるものとすることを理解すべきである。
本明細書で説明する図は例示の目的にすぎず、図面は、開示される教示の範囲を限定することは何ら意図されていないことを当業者は理解されよう。なお、様々な態様または特徴は、本明細書に開示される進歩性のある概念を理解しやすくするために誇張または拡大して図示されることがある（図面は必ずしも正しい縮尺ではなく、本教示の原理を示すことに重点が置かれる）。図面中、同様の参照符号は、様々な図を通して、一般に同様の特徴、機能的に同様および／または構造的に同様の要素を表す。
本明細書で述べる原理による、ウェル領域内に配設された薄型チップを含む例示的な装置の断面図である。 本明細書で述べる原理による、ウェル領域の例示的な構成を示す図である。 本明細書で述べる原理による、ウェル領域の例示的な構成を示す図である。 本明細書で述べる原理による、ウェル領域の例示的な構成を示す図である。 本明細書で述べる原理による、ウェル領域の例示的な構成を示す図である。 本明細書で述べる原理による、ウェル領域の例示的な構成を示す図である。 図３Ａ〜図３Ｅは合わせて、本明細書で述べる原理による、導電層に形成されたスタンドオフウェル領域内に薄型チップを埋め込むための例示的な製造プロセスを示す図である。 図３Ａ〜図３Ｅは合わせて、本明細書で述べる原理による、導電層に形成されたスタンドオフウェル領域内に薄型チップを埋め込むための例示的な製造プロセスを示す図である。 図３Ａ〜図３Ｅは合わせて、本明細書で述べる原理による、導電層に形成されたスタンドオフウェル領域内に薄型チップを埋め込むための例示的な製造プロセスを示す図である。 図３Ａ〜図３Ｅは合わせて、本明細書で述べる原理による、導電層に形成されたスタンドオフウェル領域内に薄型チップを埋め込むための例示的な製造プロセスを示す図である。 図３Ａ〜図３Ｅは合わせて、本明細書で述べる原理による、導電層に形成されたスタンドオフウェル領域内に薄型チップを埋め込むための例示的な製造プロセスを示す図である。 本明細書で述べる原理による、ウェル領域内に配設された薄型チップを含む例示的な装置の断面図である。 本明細書で述べる原理による、ウェル領域の例示的な構成を示す図である。 本明細書で述べる原理による、ウェル領域の例示的な構成を示す図である。 本明細書で述べる原理による、ウェル領域の例示的な構成を示す図である。 本明細書で述べる原理による、ウェル領域の例示的な構成を示す図である。 本明細書で述べる原理による、ウェル領域の例示的な構成を示す図である。 Ａ〜Ｇは、本明細書で述べる原理による、ポリマーウェル領域内に埋め込まれる薄型チップに基づく例示的な製造プロセスを示す図である。 Ａ〜Ｄは、本明細書で述べる原理による、薄型化されたチップを生成するための、チップの例示的な薄型化を示す図である。 図８Ａ〜図８Ｈは合わせて、本明細書で述べる原理による、埋込型の薄型チップに関して行うことができる例示的な製造プロセスを示す図である。 図８Ａ〜図８Ｈは合わせて、本明細書で述べる原理による、埋込型の薄型チップに関して行うことができる例示的な製造プロセスを示す図である。 図８Ａ〜図８Ｈは合わせて、本明細書で述べる原理による、埋込型の薄型チップに関して行うことができる例示的な製造プロセスを示す図である。 図８Ａ〜図８Ｈは合わせて、本明細書で述べる原理による、埋込型の薄型チップに関して行うことができる例示的な製造プロセスを示す図である。 図８Ａ〜図８Ｈは合わせて、本明細書で述べる原理による、埋込型の薄型チップに関して行うことができる例示的な製造プロセスを示す図である。 図８Ａ〜図８Ｈは合わせて、本明細書で述べる原理による、埋込型の薄型チップに関して行うことができる例示的な製造プロセスを示す図である。 図８Ａ〜図８Ｈは合わせて、本明細書で述べる原理による、埋込型の薄型チップに関して行うことができる例示的な製造プロセスを示す図である。 図８Ａ〜図８Ｈは合わせて、本明細書で述べる原理による、埋込型の薄型チップに関して行うことができる例示的な製造プロセスを示す図である。 例示的な装置の断面図であり、本明細書で述べる原理に従って、一方の装置が薄型チップを含む図である。 例示的な装置の断面図であり、本明細書で述べる原理に従って、他方の例示的な装置が、ウェル領域を含む図である。 別の例示的な装置の断面図であり、本明細書で述べる原理に従って、一方の装置が薄型チップを含む図である。 別の例示的な装置の断面図であり、本明細書で述べる原理に従って、他方の例示的な装置がウェル領域を含む図である。 別の例示的な装置の断面図であり、本明細書で述べる原理に従って、一方の装置が複数の薄型チップを含み、他方の例示的な装置が複数のウェル領域を含む図である。 別の例示的な装置の断面図であり、本明細書で述べる原理に従って、一方の装置が複数の薄型チップを含み、他方の例示的な装置が複数のウェル領域を含む図である。 別の例示的な装置の断面図であり、本明細書で述べる原理に従って、一方の装置が複数の薄型チップを含み、他方の例示的な装置が複数のウェル領域を含む図である。
以下、薄型化されたチップを可撓性ポリマーに埋め込むための装置およびシステムに関する様々な概念、およびそのような装置およびシステムの実施形態のより詳細な説明を行う。開示される概念は任意の特定の様式の実装形態に限定されないので、上で導入され、以下により詳細に論じられる様々な概念は、多くの方法の任意のもので実施することができることを理解すべきである。具体的な実装形態および適用の例は、主に例示の目的で提供される。
本明細書で使用するとき、用語「含む」は、「含むが、限定はしない」を意味する。用語「基づく」は、「少なくとも一部基づく」を意味する。本明細書で使用するとき、用語「配設する」または「上に配設する」は、「少なくとも一部埋め込まれる」を包含するものと定義される。
本明細書における原理の様々な例に関連して本明細書で述べる基板または他の表面に関して、「上」面および「底」面への任意の言及は、主に、基板に対する、および互いに対する様々な要素／素子の相対的な位置、位置合わせ、および／または向きを示すために使用され、これらの用語は、必ずしも任意の特定の基準系（例えば重力基準系）を示さない。したがって、基板または層の「底部」への言及は、必ずしも、示される表面または層が地面に面していることを必要としない。同様に、「上の」、「下の」、「上方の」、「下方の」などの用語も、必ずしも、重力基準系など任意の特定の基準系を示さず、主に、基板（または他の表面）に対する、および互いに対する様々な要素／素子の相対的な位置、位置合わせ、および／または向きを示すために使用される。用語「に配設される」、「内に配設される」、および「上に配設される」は、「内に一部埋め込まれる」を含めて「内に埋め込まれる」の意味合いを包含する。さらに、フィーチャＡがフィーチャＢ「に配設される」、「の間に配設される」、または「上に配設される」という言及は、フィーチャＡがフィーチャＢに接触している例、ならびに他の層および／または他の素子がフィーチャＡとフィーチャＢの間に位置決めされている例を包含する。
本明細書で述べるシステム、装置、および方法は、ウェル領域内にチップを埋め込むことを可能にする。ウェル領域は、本明細書で述べるように、スタンドオフウェル領域またはポリマーウェル領域として生成することができる。
本明細書では、「薄型チップ」は、約５マイクロメートル、約８マイクロメートル、約１０マイクロメートル、もしくはそれ以上の厚さを有するように形成された、または約５マイクロメートル、約８マイクロメートル、約１０マイクロメートル、もしくはそれ以上の厚さまで薄型化されているチップまたは他のデバイスアイランドを表す。様々な例において、チップ（または他のデバイスアイランド）は、約５マイクロメートル、約８マイクロメートル、約１５マイクロメートル、約２０マイクロメートル、約２５マイクロメートル、３０マイクロメートル、３７．５マイクロメートル、４２マイクロメートル、５０マイクロメートル、またはそれ以上の薄さで製造する（またはその薄さまで薄型化する）ことができる。他の例では、チップ（または他のデバイスアイランド）は、約６０マイクロメートル、約７０マイクロメートル、約８０マイクロメートル、約９０マイクロメートル、約１００マイクロメートル、約１２０マイクロメートル、約１３５マイクロメートル、または約１５０マイクロメートルの薄さで製造する（またはその薄さまで薄型化する）ことができる。
本明細書で述べる原理による例示的なスタンドオフウェル領域は、可撓性ポリマーの層の上に配設された導電性材料の層を含む基板に形成することができる。導電性材料の一部分をパターン形成して、露出された可撓性ポリマーの一部分と境界を画すスタンドオフを作成し、スタンドオフウェル領域を形成することができる。本明細書で述べる原理によれば、薄型チップは、スタンドオフの近位の露出された可撓性ポリマーの一部分の上でスタンドオフウェル領域の内部に配設することができる。本明細書での薄型チップの厚さに基づいて、スタンドオフの高さは、薄型チップの高さと同等である。
一例では、薄型チップは、薄型チップの上面の平面がスタンドオフの上面の平面よりも下になるようにスタンドオフウェル領域内に配設することができる。例えば、薄型チップは、その上面がスタンドオフの上面よりも約１０マイクロメートル、約２０マイクロメートル、約２５マイクロメートル、約３０マイクロメートル、約３５マイクロメートル、約４０マイクロメートル、または約４５マイクロメートル下に位置されるように配設することができる。以下により詳細に述べるように、薄型チップは、その上面がスタンドオフ壁よりも所定の高さだけ下になるように基板の薄型化された部分に入れ子にすることができる。
非限定的な例では、薄型チップがスタンドオフウェル領域内に配設される前に、可撓性ポリマーの露出部分に接着剤を塗着することができる。接着剤は、さらなる処理の温度に耐えられるように構成された非導電性（誘電性）接着剤でよい。
非限定的な例では、接着剤は、さらなる処理の温度に耐えられるように構成された導電性接着剤または非導電性（誘電性）接着剤でよい。導電性接着剤を使用して、基板と、薄型チップの表面上の導電性コンタクトパッドとの間の電気的連絡を確立することができる。例えば、基板の導電性部分と、導電性コンタクトパッドとに電圧を印加することができる。この例の一態様では、導電性接着剤の導電性が、基板の導電性部分と導電性コンタクトパッドとの両方を実質的に同じ電圧で保つことを容易にすることができる。この例の別の態様では、導電性接着剤の導電性が、基板の導電性部分と導電性コンタクトパッドとの両方を接地電位で保つことを容易にすることができる。非限定的な例として、薄型チップは、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）チップの一部分でよい。
別の例では、接着剤は、さらなる処理の温度に耐えられるように構成された熱伝導性接着剤でよい。熱伝導性接着剤を使用して、基板と薄型チップとの間に熱的経路を確立することができる。例えば、接着剤の熱伝導性を使用して、薄型チップの温度上昇を減少させる、またはなくすことができる。熱伝導性接着剤は、感熱性のチップである薄型チップ、またはより大きな表面積を有するチップの温度の管理を容易にすることができる。例えば、薄型チップは、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）チップでよい。非限定的な例では、クーラントまたは他の冷却技術（限定はしないが熱電冷却など）を基板の一部分に適用することができ、それにより、接着剤は、熱的連絡を促進して、薄型チップの冷却を容易にする。
様々な例において、スタンドオフウェル領域内に配設された薄型チップを含む装置に対してさらなる処理を施すことができる。例えば、追加の接着剤を薄型チップの上に塗着して、薄型チップとスタンドオフウェル領域のスタンドオフとの間の間隙を充填することができる。別の例として、以下により詳細に論じるように、少なくとも１つの追加の可撓性ポリマーシートを装置上に配設することができ、または薄型チップとの電気的連絡を確立するためにバイアを生成することができる。
本明細書で述べる原理は、リジッドまたはフレキシブル印刷回路板に適用することができる。印刷回路板は、本明細書では、フレックスおよび／またはＰＣＢと呼ぶ。非限定的な例として、金属クラッドポリマーシートを含むＰＣＢボードまたはフレックスシートに、エッチングを含めたパターン形成を施すことができ、下に向かってポリマーまで延びる金属層内の少なくとも１つのスタンドオフウェル領域を生成する。薄型チップは、フレックスボードのポリマーシートの露出部分上で、スタンドオフウェル領域内に配設される。入れ子にされたチップの上方に接着剤を配置することができ、ポリマーの上方に第２のフレックスシートが配置される。接着剤がチップの少なくとも一部分の周りを流れるように、このサンドイッチ構造にさらなる処理を施すことができる。上部フレックスボードを通ってチップまで下に延びる少なくとも１つのバイアを形成し、導電性材料で充填し、薄型チップのボンドパッドとの電気的連絡を提供することができる。
本明細書で述べる原理による例示的なポリマーウェル領域は、導電性材料の層の上に配設された可撓性ポリマーの層に形成することができる。可撓性ポリマーの少なくとも一部分にキャビティを形成して、露出された第１の導電性材料の一部分と境界を画す少なくとも１つのポリマー壁を形成し、ポリマーウェル領域を形成することができる。薄型チップは、少なくとも１つのポリマー壁の近位の露出された第１の導電性材料の少なくとも一部分の上でポリマーウェル領域内に配設することができる。
様々な例において、基板の可撓性ポリマーの厚さ、またはキャビティが表面から可撓性ポリマー内に延びる深さに基づいて、ポリマー壁の高さは、薄型チップの高さと同等でよい。他の例では、薄型チップは、薄型チップの上面の高さがポリマー壁の上面と同等になるようにポリマーウェル領域内に実装することができる。
一例では、薄型チップは、薄型チップの上面の平面がポリマー壁の上面の平面よりも下になるようにポリマーウェル領域内に配設することができる。例えば、薄型チップは、その上面がポリマー壁の上面よりも約１０マイクロメートル、２０マイクロメートル、２５マイクロメートル、３０マイクロメートル、約３５マイクロメートル、４０マイクロメートル、または約４５マイクロメートル下に位置されるように配設することができる。以下により詳細に述べるように、薄型チップは、その上面がポリマー壁よりも所定の高さだけ下になるように基板の薄型化された部分に入れ子にすることができる。
非限定的な例では、薄型チップがポリマーウェル領域内に配設される前に、導電性材料の露出部分に接着剤を塗着することができる。接着剤は、さらなる処理の温度に耐えられるように構成された導電性接着剤または非導電性（誘電性）接着剤でよい。導電性接着剤を使用して、基板の導電性材料と、薄型チップの底面上の導電性コンタクトパッドとの間の電気的連絡を確立することができる。
様々な例において、ポリマーウェル領域内に配設された薄型チップを含む装置に対してさらなる処理を施すことができる。例えば、追加の接着剤を薄型チップの上に塗着して、薄型チップとポリマーウェル領域のポリマー壁との間の間隙を充填することができる。
別の例では、少なくとも１つの追加の可撓性ポリマーシートを、ポリマーウェル領域内に配設された薄型チップを含む装置上に配設することができる。以下により詳細に述べるように、薄型チップとの電気的連絡を確立するためにバイアを生成することができる。この例では、追加の可撓性ポリマーシートは、導電性材料の層を含むことができ、導電性材料層を含む側が薄型チップとは逆に向けられるように装置上に配設することができる。この例では、基板の導電層と、追加のシートの導電層とが、「サンドイッチ」の外側に位置され、薄型チップがサンドイッチの内部に埋め込まれる。本明細書で述べるように、薄型チップへの電気的連絡を容易にするために、導電性材料層および可撓性ポリマー層を通してバイアを生成することができる。
例示的なシステム、装置、および方法において、本明細書における原理に従って形成される埋込型デバイスは、限定はしないがポリマーなどのカプセル材を使用してカプセル化して、カプセル化デバイスを形成することができる。カプセル化デバイスは、測定または他の診断もしくは療法処置を行うために皮膚の上に配置することができる。一例では、埋込型デバイスおよびカプセル化デバイスは、複数の方向での（例えばｘ、ｙ、および／またはｚ方向での）変形、ねじれ、圧縮、膨張、または他の形状変化に耐えられるように構成される。
１つの例示的な用途では、カプセル化構造を、限定はしないが皮膚や他の組織など、表面上に配置することができる。１つの例示的な用途では、カプセル化構造は、表面の輪郭に沿うように構成することができる。
様々な例において、可撓性ポリマーおよび／またはカプセル材は、同じポリマーまたはポリマー材料から形成することも、異なるポリマーまたはポリマー材料から形成することもできる。適用可能なポリマーまたはポリマー材料の非限定的な例は、限定はしないが、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、またはポリウレタンを含む。適用可能なポリマーまたはポリマー材料の他の非限定的な例は、プラスチック、エラストマー、熱可塑性エラストマー、エラストプラスチック、サーモスタット、熱可塑材、アクリレート、アセタールポリマー、生分解性ポリマー、セルロースポリマー、フルオロポリマー、ナイロン、ポリアクリロニトリルポリマー、ポリアミド−イミドポリマー、ポリアクリレート、ポリベンジイミダゾール、ポリブチレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエーテルイミド、ポリエチレン、ポリエチレンコポリマー、および変性ポリエチレン、ポリケトン、ポリ（メチルメタクリレート、ポリメチルペンテン、ポリフェニレンオキシド、およびポリフェニレンスルファイド、ポリフタルアミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、スチレン樹脂、スルホンベース樹脂、ビニルベース樹脂、またはこれらの材料の任意の組合せを含む。一例では、本明細書におけるポリマーまたはポリマー材料は、ＤＹＭＡＸ（商標）ポリマー（Ｄｙｍａｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（米国コネチカット州トリントン））または他のＵＶ硬化性ポリマーでよい。
一例では、リジッドまたはフレキシブル印刷回路板（フレックス、ＰＣＢ）の内部にチップを埋め込む方法が提供される。この方法を使用して、チップおよび／または他の素子（限定はしないが発光ダイオード（ＬＥＤ）または相互接続構造を含む）をポリマーまたはポリマー材料の内部に埋め込むことができる。埋込プロセスは、埋込型デバイスを環境から保護し、それらを互いに接続して、集積電子回路を含むより大きな電子回路を形成する。
本明細書で述べる任意の例の導電性材料は、限定はしないが、金属、金属合金、または他の導電性材料でよい。一例では、コーティングの金属または金属合金は、限定はしないが、アルミニウムまたは遷移金属（銅、銀、金、白金、亜鉛、ニッケル、チタン、クロム、パラジウム、またはそれらの任意の組合せを含む）、および炭素を含む合金を含めた任意の適用可能な金属合金を含むことがある。他の非限定的な例では、適切な導電性材料は、シリコンベースの導電性材料、インジウムスズ酸化物もしくは他の透明導電性酸化物、またはＩＩＩ−ＩＶ族の導体（ＧａＡｓを含む）を含めた半導体ベースの導電性材料を含むことがある。
本明細書における任意の例において、可撓性ポリマーの層は、約８μｍ、約１０μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、約７５μｍ、約８５μｍ、約１００μｍ、約１２５μｍ、約１５０μｍ、約１７５μｍ、または約２００μｍの厚さを有することができる。
本明細書における任意の例において、導電性材料の層は、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有することができる。
本明細書における任意の例において、薄型チップは、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、約７０μｍ、約８５μｍ、約１００μｍ、または約１２５μｍの厚さを有することができる。
本明細書における任意の例において、接着材は、約８μｍ、約１０μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２０μｍ、約２５μｍ、約３０μｍ、約４０μｍ、約５０μｍ、約５５μｍ、またはそれ以上の厚さを有することができる。
図１は、ウェル領域１０２内に埋め込まれた薄型チップ１０１から形成される例示的な装置１００の断面図である。この例および本明細書における任意の他の例において、薄型チップ１０１は、薄型化されたチップでよい。ウェル領域１０２は、可撓性ポリマー１０４の露出部分と境界を画すスタンドオフ１０３から形成される。スタンドオフ１０３は、ウェル領域１０２の壁を形成し、それによりスタンドオフウェル領域を提供する。この例では、薄型チップ１０１は、スタンドオフ１０３の近位の可撓性ポリマー１０４の露出部分に配設される。スタンドオフ１０３は、薄型チップ１０１の高さと同等の高さ１０５を有することができる。
本明細書で述べる例示的なシステム、装置、および方法において、薄型チップ１０１は、１つまたは複数の受動電子素子および／または能動電子素子でよい。本明細書で述べる任意の原理に従って埋め込むことができる素子の非限定的な例は、トランジスタ、増幅器、アンテナ、光検出器、フォトダイオードアレイ、ディスプレイ、発光デバイス、光起電力デバイス、センサ、ＬＥＤ、半導体レーザアレイ、光学撮像システム、大面積電子デバイス、論理ゲートアレイ、マイクロプロセッサ、集積回路、電子デバイス、光学デバイス、光電デバイス、機械デバイス、マイクロ電気機械デバイス、ナノ電気機械デバイス、マイクロ流体デバイス、熱的デバイス、送信機、受信機、または他のデバイス構造を含む。
一例では、本明細書で述べる原理による埋込型デバイスは、本明細書における原理に従って複数のチップ（または他のデバイスアイランド）および／または複数の相互接続構造を可撓性ポリマー内に埋め込むことによって形成することができる。一例では、埋込型デバイス（例えば薄型チップ１０１）は、集積デバイスから形成することができ、または本明細書における原理に従って埋め込まれた複数の相互接続構造によって相互接続された複数のチップ（または他のデバイスアイランド）から形成することもできる。
薄型チップ１０１（本明細書で述べる集積デバイスまたはデバイスアイランドを含む）は、可撓性ポリマー層１０４上の導電性コーティング（そこからスタンドオフウェル領域１０２のスタンドオフ１０３が作成される）の厚さよりも薄くすることができる。導電性材料コーティングは、限定はしないが金属トレースまたは他の金属コーティングを含んでいてよい。スタンドオフウェル領域１０２は、例えば、可撓性ポリマー上の導電性材料コーティングをパターン形成し、可撓性ポリマー１０４の表面までエッチングすることによって、導電性コーティングに形成することができる。エッチングプロセスは、可撓性ポリマー１０４の幾らかの表面部分の除去を含むこともある。別の例では、パターン形成は、レーザアブレーションまたは同様のパターン形成プロセスによって行われることがある。ポリマー層上の導電性材料コーティングがパターン形成され、スタンドオフウェル領域が形成された後、チップ（任意のデバイスアイランドを含む）を導電性コーティング「ウェル」の壁の間に配設して固定し、ポリマーの上方に、スタンドオフウェル領域の壁とほぼ同じ高さのフィーチャを作成することができる。他の例では、スタンドオフ１０５の高さは、薄型チップ１０１の高さよりも大きくても、小さくてもよい。
様々な例において、スタンドオフウェル１０２は、位置決めされたチップまたは他のデバイスアイランドがウェル高さ１０４よりも短くなる、またはほぼ等しくなるように形成することができる。他の例では、ウェル１０２は、位置決めされた薄型チップ１０１（デバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）がウェルの壁の高さよりも高くなるように形成することができる。スタンドオフウェル領域１０３のスタンドオフ１０３は、薄型チップ１０１（デバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）の厚さの約８０％、約９０％、約１００％、約１１０％、約１２０％、約１４０％、または約１５０％でよい。他の例では、スタンドオフウェル領域１０３のスタンドオフ１０３は、薄型チップ１０１または他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造の厚さの約２倍でよい。
図２Ａ〜図２Ｅは、スタンドオフウェル領域の様々な形状の非限定的な例を示す。図示されているように、スタンドオフウェル領域１０２（スタンドオフ１０３を含む）は、チップまたは他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を内部に配設することができるように、正方形状、長方形状、丸形状もしくは他のドーナツ形状、または任意の他の多角形状を有することができる。
図２Ｄは、薄型チップ（デバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）を完全には取り囲まないように作製された非限定的な例示的なスタンドオフウェル領域（スタンドオフを含む）を示す。この例では、スタンドオフウェル領域１０２は、薄型チップ１０１の３つの側面と境界を画す。図２Ｅの非限定的な例では、スタンドオフウェル領域（スタンドオフを含む）は、薄型チップ１０１（デバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）の側面の幾つかの部分と境界を画すように作製され、スタンドオフウェル領域のスタンドオフの幾つかの部分に幾つかの隙間を有する。
幾つかの例では、図３に関連してさらに述べるように、薄型チップ１０１（任意の他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）の周りに接着剤を流すことができる。例えば、接着剤は、熱処理プロセスを使用して流すことができる。一例では、熱処理プロセスは、約６０℃〜約２５０℃の温度で行うことができる。デバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む積層された層、および可撓性ポリマーシート間の任意の接着剤層を、２つの金属プレートの間に位置決めして、接着剤がデバイスアイランドおよび／または相互接続構造の周りを流れるようにする温度にすることができる。
一例では、埋込型デバイスは、埋め込まれた蛇行相互接続構造が埋込型デバイスの平面内部でかなりの運動範囲および伸縮性を保つように構成される。一例では、埋込型デバイスは、埋め込まれた蛇行相互接続構造がかなりの運動範囲を保つように構成され、蛇行相互接続構造の幾つかの部分が平面外に回転することができ、伸縮性を高める。他の例では、ジグザグ、波形、または任意の他の起伏形状の相互接続構造を含めた他の形状の相互接続構造を、本明細書で述べる原理に従って埋め込むことができる。
例示的なプロセスでは、金属トレース、したがってウェル壁の高さ１０５は、典型的には、３６μｍ（「１オンス銅」）、１８μｍ（「１／２オンス銅」）、９μｍ（「１／４オンス銅」）、または５μｍでよい。印刷回路板は、銅厚さをオンス単位で特定する。これは、１平方フィートの面積に延び広げられる１オンスの銅の厚さを表す。１オンス銅の厚さは、１．４ミル、または３５．５６マイクロメートルである。
一例では、薄型チップ１０１（任意の他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）は、（スタンドオフの高さを決定する）１オンス銅トレースにより良く適するように、約２５μｍまで薄型化することができる。一例では、薄型チップ１０１（任意の他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）は、（ウェル壁またはスタンドオフ高さを決定する）１／２オンス銅トレースに適するように１０μｍまで薄型化することができる。
一例では、薄型チップとスタンドオフとの間に、接着層を配設するための幾らかの隙間を残すことができ、接着層は、薄型チップ１０１（任意の他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）の配置前に可撓性ポリマー層１０４上に分注されるか、または、薄型チップ（任意の他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）がスタンドオフウェル領域１０２内に配設される前に薄型チップに予め接着される。
一例では、チップまたは他のデバイスアイランド上のメタライゼーションに、追加の導電性材料層を追加することができる。一般に、薄型チップ１０１（任意の他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）の選択された部分に幾らかの量のメタライゼーションが提供されて、薄型チップ（任意の他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）の機能への電気的接触の作成を容易にする。このメタライゼーションは、厚さが約１μｍ〜約２μｍでよい。幾つかの例では、メタライゼーションはアルミニウムからなる。しかし、導電性材料に関連して上述した任意の他の金属または金属合金など他の材料をメタライゼーションに使用することもできる。レーザドリル加工を使用して、可撓性ポリマーと接着材を通してチャネルを作成することができ、埋込型デバイス構造内部の薄型チップ１０１または他のデバイスアイランドのメタライゼーションへのアクセスを形成する。メタライゼーションで止まり、かつメタライゼーションを除去しない、または薄型チップ１０１または他のデバイスアイランドを穿孔しないようにレーザドリル加工を制御することは難しいことがある。例えば、メタライゼーションの除去または穿孔の危険を伴わずにレーザドリル加工を終了するために、約５μｍの厚さの銅が必要とされ得る。エッチングを含めた、スルーチャネルを作成するための他の技法も、薄型チップ１０１または他のデバイスアイランドを損傷する同様の危険があり得る。この例で薄型チップ１０１または他のデバイスアイランド上のメタライゼーションに追加される追加の導電性材料層は、レーザドリル加工に耐える助けとなり得る追加の厚さを提供する。一例では、追加の導電性材料層（限定はしないが、追加される金属または金属スタックなど）は、幾つかの特性を有するように選択され、そのような特性は、限定はしないが、チップまたは他のデバイスアイランドのメタライゼーションへの接着性；約２μｍ〜約７μｍの厚さまで追加することができること；および／または限定はしないが金属または金属合金電気めっき（Ｃｕ電気めっきを含む）など、バイア内に電気めっきされた材料を支持し、その材料と電気的連絡を形成することができる能力である。追加の導電性材料層（限定はしないが、追加される金属など）は、スタンドオフ１０３を形成するようにパターン形成およびエッチングすることができる。
追加の導電性材料層は、様々な方法で、チップまたは他のデバイスアイランド上のメタライゼーションに追加することができる。例えば、銅マイクロピラーに適したアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）を行うことができ、追加される通常のバンプを用いずに、追加の導電性材料層をメタライゼーション上に生成する。ＵＢＭは、例えば、多層クロム−銅系（Ｃｒ：Ｃｒ−Ｃｕ：Ｃｕ）、チタン−ニッケル−バナジウム系（Ｔｉ−Ｎｉ−Ｖ）、チタン−銅系（Ｔｉ−Ｃｕ）、チタン−タングステン−金系（Ｔｉ−Ｗ−Ａｕ）、またはニッケル−金系（Ｎｉ−Ａｕ）をベースとして行うことができる。別の例では、追加の導電性材料層は、１つまたは複数の適切なシード層の堆積後、チップ（または他のデバイスアイランド）パッド上への電気めっきを使用して追加することができる。電気めっきは、メタライゼーションが存在するチップ（または他のデバイスアイランド）の領域上にのみ堆積させることができる。別の例では、導電性材料を、チップ（または他のデバイスアイランド）のより大きな部分に追加することができ、元のメタライゼーションを有する薄型チップ１０１（または他のデバイスアイランド）の領域内にのみ存在するようにパターン形成し、（例えばエッチングによって）選択的に除去して、追加の導電性材料層を提供することができる。
一例では、薄型チップと外部回路との間の電気的連絡を容易にするために、限定はしないが無電解ニッケル金バンプ（ＥＮｉＧ）などのウェハバンピング技術を使用することができる。一例では、ＥＮｉＧは、薄い金層を有する無電解ニッケルバンプである。ＥＮｉＧは、薄型チップのコンタクトパッドの一部分の上に堆積されることがある。無電解ニッケル溶液からのＥＮｉＧの形成において制御することができるプロセスパラメータは、溶液温度、ｐＨ、安定剤濃度、およびアルミニウムパッドサイズを含む。
一例では、本明細書における原理に従って形成される埋込型デバイスは、チップ（または他のデバイスアイランド）および／または相互接続構造の一部分を囲わない可撓性ポリマーの一部分を除去するようにパターン形成またはスライスすることができる。例えば、埋込型デバイスは、可撓性ポリマーの内部に埋め込まれたデバイス構造の外形および／または輪郭に沿ってパターン形成することができる。これらのうちの任意の例によれば、埋込型デバイスは、埋込型デバイスの蛇行相互接続構造の外形および／または輪郭に沿ってパターン形成することができる。
本明細書で述べる例示的なシステム、装置、および方法は、周囲のスタンドオフまたはウェル壁よりも薄いチップまたは他のデバイスアイランドを利用して、フレックスボード層の間にチップまたは他のデバイスアイランドを埋め込む。非限定的な例では、周囲のスタンドオフまたはウェル壁は、金属トレースから形成される。
非限定的な例では、周囲のスタンドオフまたはウェル壁は、コーティング層のパターン形成およびエッチングからではなく、導電性材料の「インク」を描き入れるプロセスから形成される。非限定的な例では、導電性材料の「インク」は、インクジェットプリンタデバイスまたは他のデバイスを使用して描き入れることができる。
本明細書で述べる例示的なシステム、装置、および方法は、層の良好な接着性、チップまたは他のデバイスアイランドの周りに材料を埋め込む適合性、エアポケットの除去、および外部からの液体の進入の防止を実現する。
本明細書で述べる例示的なシステム、装置、および方法は、可撓性を有する全体的なアセンブリを提供するように、薄型チップまたは他のデバイスアイランドおよび／または伸縮性相互接続構造を埋め込むことを可能にする。一例では、可撓性ポリマー内に形成される埋込型デバイスは、蛇行トレースとなるように切断または他の方法で形成することができ、これにより、アセンブリ回路全体を単に可撓性だけでなく、さらに伸縮性も有するようにする。
本明細書で述べるシステム、装置、および方法による例示的な埋込型デバイスは、埋込型構造が湾曲または他の形で変形される場合に、デバイス素子が「抜け落ちる」、または他の形で外され得る可能性がほとんどまたは全くない。
非限定的な例では、チップまたは他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造は、全体的な埋込型デバイスの中立機械面の近くに配設される。チップまたは他のデバイスアイランドおよび／または伸縮性相互接続構造の上および／または下で適切な可撓性ポリマー層を選択することによって、埋込型デバイスの機能層に対する歪を最小限にすることができる。本明細書での機能層は、チップまたは他のデバイスアイランドおよび／または伸縮性相互接続構造を含むことができる。一例では、可撓性ポリマーは、約３ＧＰａのヤング率を有する材料から形成することができる。そのような可撓性ポリマーの非限定的な例は、限定はしないが、（ＤｕＰｏｎｔ（米国デラウェア州）から市販されている）ＫＡＰＴＯＮ（登録商標）などのポリイミドを含む。
本明細書における原理によるシステムまたは装置の任意の例において、チップ１０１または他のデバイスアイランドおよび／または伸縮性相互接続構造を、埋込型デバイスの機能層がシステムまたは装置の中立機械面（ｎｅｕｔｒａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｌａｎｅ：ＮＭＰ）または中立機械表面（ｎｅｕｔｒａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｕｒｆａｃｅ：ＮＭＳ）に位置するように位置決めすることができる。ＮＭＰまたはＮＭＳは、任意の印加される歪が最小限にされるまたは実質的にゼロである、システムまたは装置に関するデバイス層の厚さを通る位置にある。一例では、本明細書で述べる原理によるシステムまたは装置の機能層は、複数のチップまたは他のデバイスアイランドおよび／または伸縮性相互接続構造を含む。
ＮＭＰまたはＮＭＳの位置は、歪緩衝の助けとなる材料をシステムまたは装置の様々な層に導入することによって、システムまたは装置の層構造に対して変化させることができる。様々な例において、本明細書で述べるポリマー材料を歪緩衝材として働くように導入することができる。例えば、本明細書で上述したカプセル化材料を使用して、例えばカプセル化材料のタイプおよび／または層の厚さを変えることによってＮＭＰまたはＮＭＳを位置決めすることができる。例えば、本明細書で述べる機能層の上に配設されるカプセル化材料の厚さは、全体のシステムまたは装置の厚さに対して機能層を押し下げるように修正される（すなわち減少または増加される）ことがあり、これは、機能層に対するＮＭＰまたはＮＭＳの位置を変えることができる。別の例では、カプセル化材料の弾性率（ヤング率）の任意の相違を含むカプセル化のタイプ。
別の例では、機能層に対してＮＭＰまたはＮＭＳを位置決めするために、歪緩衝を提供することが可能な材料の少なくとも部分的な中間層を機能層と可撓性基板との間に配設することができる。一例では、中間層は、本明細書で述べる任意のポリマー材料、エアロゲル材料、または適用可能な弾性機械的特性を有する任意の他の材料から形成することができる。
本明細書で述べる原理に基づいて、ＮＭＰまたはＮＭＳは、限定はしないが機能層など、歪感受性構成要素を含むシステムまたは装置の層の近位に、またはそのような層と一致させて、またはそのような層に隣接して位置決めすることができる。破損しやすい場合、または印加される歪のレベルに応じてその性能が損なわれることがある場合、層を「歪感受性」とみなすことができる。ＮＭＰまたはＮＭＳが歪感受性構成要素に一致せず、歪感受性構成要素の近位にある一例では、ＮＭＰまたはＮＭＳの位置は、それでも歪感受性構成要素に対して機械的な利益を提供することができ、例えば歪緩衝層がないときに通常であれば歪感受性構成要素に及ぼされる歪を実質的に低下させる。様々な例において、ＮＭＳまたはＮＭＰ層は、歪感受性構成要素の近位にあると考えられ、所与の印加される歪に関して、歪感受性構成要素（例えば、そこで埋込型デバイスが変形される）の歪を少なくとも１０％、２０％、５０％、または７５％減少させる。
様々な例において、カプセル化材料および／または中間層材料は、歪感受性構成要素と一致する埋込型デバイスに対する位置に配設されることがある。例えば、カプセル化材料および／または中間層材料の一部は、機能層内部の位置を含めて埋込型デバイスを通して、歪感受性構成要素の一部と共に散りばめられることがある。
図３Ａ〜図３Ｅは、導電層内に作成されたスタンドオフウェル領域内に薄型化されたチップを埋め込むための例示的な方法を示す。図３Ａは、可撓性ポリマー３０４上で、スタンドオフ３０３によって画定されるスタンドオフウェル領域３０２の内部に配設された薄型チップ３０１の上面図および断面図を提供する。上述したように、プロセスは、金属コーティングされた可撓性ポリマーシートとして形成された基板から始めることができる。次いで、金属コーティングをパターン形成して、スタンドオフ３０３を作成することができる。別の例では、スタンドオフを作成するために、パターン形成プロセス中に金属層にアライメントマークを形成することができる。アライメントマークは、スタンドオフウェル領域３０２の内部で薄型チップ１０１を適切に見当合わせする助けとなり得る。
図３Ｂに示されるように、スタンドオフ３０３と、スタンドオフウェル領域３０２の内部に配設された薄型チップ３０１とを含む装置に対して追加の処理を施すことができる。例えば、図３Ｂに示されるように、薄型チップの上方に接着剤３１０を塗着することができる。上述したように、温度処理により、接着剤３１０をスタンドオフウェル領域の内部および薄型チップ３０１の周りに流すことができる。やはり図３Ｂに示されるように、薄型チップ３０１を含む装置の上に追加のポリマーシート３２０を配設することができる。上述したように、この例では、第２の可撓性ポリマー３２０を第２の導電層３２２と結合させることができる。一例では、層３２０および３２２は、スタンドオフウェル領域３０２を形成するのに使用されるポリマー層３０４および導電性材料層３０３とそれぞれ同じである。別の例では、ポリマー層３２０および導電性材料層３０３は、ポリマー層３０４および導電性材料層３０３と異なっていてもよい。例えば、それぞれの層が異なる材料を含んでいてよく、および／または異なる厚さを有していてもよい。一例では、接着剤ポリマー層３１０は、ＤｕＰｏｎｔ（商標）ＰＹＲＡＬＵＸ（登録商標）Ｂｏｎｄ−Ｐｌｙでよい。別の例では、接着剤ポリマー層３１０の材料は、非導電性（誘電性）であり、可撓性ポリマー層に接着することが可能であるように選択することができる。
図３Ｃに示されるように、図３Ｂの層状構造を熱処理して硬化させることができ、それにより、接着剤層３１０は、薄型チップ３０１の周りおよびスタンドオフウェル領域３０２の内部に流される。幾つかの例では、スタンドオフ３０３が薄型チップ３０１よりも高くてよく、硬化プロセスが完了したとき、第２のポリマー層３２０は薄型チップ３０１と接触しない。
図３Ｄに示されるように、上部導電層３２２、上部可撓性ポリマーシート３２０、および接着剤層３１０を通る薄型チップ３０１へのチャネルとしてバイアを生成することができる。バイアが作成された後、バイアを電気めっきして、またはスパッタリングによって充填して、上部導電層３２２から薄型チップ３０１の電気コンタクトパッドへの電気的バイア３２５を作成することができる。
図３Ｅに示されるように、次いで、導電層３２２をパターン形成することができる。上部導電層３２２にオーバーレイ３３０を塗布することができる。幾つかの実装形態では、オーバーレイ３３０は非導電性である。下にある金属を露出させるようにオーバーレイをパターン形成することができ、この例では、露出された金属３２２に追加の耐変色性メタライゼーション３３５を追加して、露出された金属３２２を、酸素、水、および他の環境成分との反応から保護することができる。そのような例示的なデバイスは、高さが約１０マイクロメートル〜約１００マイクロメートルの間でよい。別の例では、上述したように、多層埋込型デバイスの全体的な厚さを増加させるために埋込型デバイスをカプセル化することもできる。例えば、後続のカプセル化ステップが、多層埋込型デバイスの厚さを約７０マイクロメートル、約８０マイクロメートル、または約１００マイクロメートルに増加させることができる。カプセル化は、多層埋込型デバイスの耐久性を高めることができる。さらに、カプセル化を使用して、多層埋込型デバイスの機能層を構造のＮＭＳに配置することができる。
図４は、本明細書で述べる原理に従ってポリマーウェル領域４０２内に埋め込まれた薄型チップ４０１から形成される別の例示的な装置４００の断面図を示す。この例でも、本明細書での任意の他の例と同様に、薄型チップ４０１は、薄型化されたチップでよい。ポリマーウェル領域４０２は、導電性材料４０４の層の露出部分と境界を画す少なくとも１つのポリマー壁４０３から形成される。ポリマー壁４０３は、ポリマーウェル領域４０２の壁を形成し、それによりポリマーウェル領域を提供する。この例では、薄型チップ４０１は、ポリマー壁４０３の近位の導電性材料４０４の露出部分の上に配設される。ポリマー壁４０３は、薄型チップ４０１の高さと同等の高さ４０５を有することができる。他の例では、ポリマー壁４０３は、薄型チップ４０１の高さよりも大きい、または小さい高さ４０５を有することができる。
本明細書で述べる例示的なシステム、装置、および方法において、薄型チップ４０１は、１つまたは複数の受動電子素子および／または能動電子素子でよい。本明細書で述べる任意の原理に従って埋め込むことができる素子の非限定的な例は、トランジスタ、増幅器、光検出器、フォトダイオードアレイ、ディスプレイ、発光デバイス、光起電力デバイス、センサ、ＬＥＤ、半導体レーザアレイ、光学撮像システム、大面積電子デバイス、論理ゲートアレイ、マイクロプロセッサ、集積回路、電子デバイス、光学デバイス、光電デバイス、機械デバイス、マイクロ電気機械デバイス、ナノ電気機械デバイス、マイクロ流体デバイス、熱的デバイス、または他のデバイス構造を含む。
一例では、本明細書で述べる原理による埋込型デバイスは、本明細書における原理に従って複数のチップ（または他のデバイスアイランド）および／または複数の相互接続構造を、可撓性ポリマーに形成されたポリマーウェル領域内に埋め込むことによって形成することができる。一例では、埋込型デバイス（例えば薄型チップ４０１）は、集積デバイスから形成することができ、または本明細書における原理に従って埋め込まれた複数の相互接続構造によって相互接続された複数のチップ（または他のデバイスアイランド）から形成することもできる。
薄型チップ４０１（本明細書で述べる集積デバイスまたはデバイスアイランドを含む）は、可撓性ポリマー層４０４（そこからポリマーウェル領域４０２のポリマー壁４０３が作成される）の厚さよりも薄くすることができる。導電性材料コーティングは、限定はしないが金属トレースまたは他の金属コーティングを含んでいてよい。ポリマーウェル領域４０２は、導電性材料４０４の表面まで通るエッチング、ドリル加工、または可撓性ポリマーのレーザアブレーションによって、可撓性ポリマーに形成することができる。ポリマー層上の導電性材料コーティングがパターン形成され、ポリマーウェル領域が形成された後、チップ（任意のデバイスアイランドを含む）をポリマー「ウェル」の壁の間に配設して固定し、ポリマーの上方に、ポリマーウェル領域の壁とほぼ同じ高さのフィーチャを作成することができる。他の例では、ポリマー壁４０３の高さ４０５は、薄型チップ４０１の高さよりも大きくても、小さくてもよい。
様々な例において、ポリマーウェル領域４０２は、位置決めされたチップまたは他のデバイスアイランドがウェル高さ４０５よりも短くなる、またはほぼ等しくなるように形成することができる。他の例では、ポリマーウェル領域４０２は、位置決めされた薄型チップ４０１（デバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）がウェルの壁の高さよりも高くなるように形成することができる。ポリマーウェル領域４０３のポリマー壁４０３は、薄型チップ４０１（デバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）の厚さの約８０％、約９０％、約１００％、約１１０％、約１２０％、約１４０％、または約１５０％でよい。他の例では、ポリマーウェル領域４０３のポリマー壁４０３は、薄型チップ４０１または他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造の厚さの約２倍でよい。
非限定的な例では、薄型チップがポリマーウェル領域内に配設される前に、導電性材料の露出部分に接着剤を塗着することができる。接着剤は、さらなる処理の温度に耐えられるように構成された導電性接着剤または非導電性（誘電性）接着剤でよい。導電性接着剤を使用して、基板の導電性材料と、薄型チップの表面上の導電性コンタクトパッドとの間の電気的連絡を確立することができる。例えば、基板の導電性材料と、導電性コンタクトパッドとに電圧を印加することができる。この例の一態様では、導電性接着剤の導電性が、基板の導電性材料と導電性コンタクトパッドとの両方を実質的に同じ電圧で保つことを容易にすることができる。この例の別の態様では、導電性接着剤の導電性が、基板の導電性材料と導電性コンタクトパッドとの両方を接地電位で保つことを容易にすることができる。非限定的な例として、薄型チップは、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）チップの一部分でよい。
別の例では、接着剤は、さらなる処理の温度に耐えられるように構成された熱伝導性接着剤でよい。熱伝導性接着剤を使用して、基板と薄型チップとの間に熱的経路を確立することができる。例えば、接着剤の熱伝導性を使用して、薄型チップの加熱を減少させる、またはなくすことができる。熱伝導性接着剤は、熱の影響を受けやすいチップである薄型チップ、またはより大きな表面積を有するチップの温度の管理を容易にすることができる。例えば、薄型チップは、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）チップでよい。非限定的な例では、クーラントまたは他の冷却技術（限定はしないが熱電冷却など）を基板の一部分に適用することができ、それにより、接着剤は、薄型チップの冷却を容易にするために熱的連絡を容易にする。
図５Ａ〜図５Ｅにおける例示的な構造と同様に、ポリマーウェル領域は、様々な形状を有することができる。図５Ａ〜図５Ｅは、ポリマーウェル領域の様々な形状の非限定的な例を示す。図示されているように、ポリマーウェル領域４０２（ポリマー壁４０３を含む）は、チップまたは他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を内部に配設することができるように、正方形状、長方形状、丸形状もしくは他のドーナツ形状、または任意の他の多角形状を有することができる。
図５Ｄは、薄型チップ（デバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）を完全には取り囲まないように作製された非限定的な例示的なポリマーウェル領域（ポリマー壁を含む）を示す。この例では、ポリマーウェル領域４０２は、薄型チップ４０１の３つの側面と境界を画す。図５Ｅの非限定的な例では、ポリマーウェル領域（ポリマー壁を含む）は、薄型チップ４０１（デバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）の側面の幾つかの部分と境界を画すように作製され、ポリマーウェル領域のポリマーの幾つかの部分に幾つかの隙間を有する。
幾つかの例では、図３に関連して上述したのと同様に、薄型チップ４０１（任意の他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）の周りに接着剤を流すことができる。例えば、接着剤は、熱処理プロセスを使用して流すことができる。一例では、熱処理プロセスは、約６０℃から約２５０℃まで変化する温度で行うことができる。デバイスアイランドおよび／または相互接続構造と、可撓性ポリマー壁１０３間の接着剤層とを含む積層された層を、２つの金属プレートの間に位置決めして、接着剤がデバイスアイランドおよび／または相互接続構造の周りを流れるような温度にすることができる。
図６Ａ〜図６Ｇは、ポリマーウェル領域の内部に埋め込まれた薄型チップを有する装置を製造するための例示的なプロセスを示す。図６Ａ〜図６Ｇの例では、ポリマーウェル領域を作成するために、可撓性ポリマー層内で、金属層の一部分までキャビティが生成される。薄型チップは、露出された導電性材料の一部分の上でポリマーウェル領域の内部に配設される。この例では、例えば薄型チップと導電性材料との間に導電性接着剤が配設される場合に、バイアを使用せずに、薄型チップ４０１と基板の導電性材料との間に電気的連絡を確立することができる。一例では、この例による装置を幾つか積層して、多層デバイスを作成することができる。
図６Ａは、導電性材料層５０６の上に配設された可撓性ポリマー層５０５を含む基板を示す。ポリマー層５０５は、非限定的な例として、約２０μｍ、約３０μｍ、約３５μｍ、約４５μｍ、約５５μｍ、約６６μｍ、または約７５μｍの厚さを有する、限定はしないがＤｕＰｏｎｔ（商標）ＫＡＰＴＯＮ（登録商標）フィルムなどのポリイミドフィルム、または液晶ポリマーを含むことができる。導電性材料層５０６は、銅層でよく、厚さが約５μｍ、約８μｍ、約１５μｍ、約２０μｍ、または約３０μｍでよい。
図５Ｂに示されるように、ポリマーウェル領域を生成するために、ポリマー層５０５にキャビティを形成することができる。例えば、ポリマー層５０５をエッチングして、導電性材料層５０６を露出させることができる。キャビティは、少なくとも１つのポリマー壁５０４を含むポリマーウェル領域５０７を形成する。別の例では、ポリマーウェル領域５０７は、レーザアブレーション、ドリル加工、パターン形成、および／またはダイカットにより形成されるキャビティによって生成することができる。図５Ｃに示されるように、薄型チップの配置前に、導電性材料５０６の一部分の上のポリマーウェル領域５０７内に接着剤５０８を塗着することができる。幾つかの例では、硬化ステップ中のダイの亀裂を回避するために、接着剤５０８は、硬化された後に低応力特性を有する。この例では、接着剤５０８は、リフローイングを必要とせず、後の処理の温度に耐えることができる熱硬化性接着剤でよい。接着剤５０８は、熱伝導性および／または導電性もしくは非導電性（誘電性）でよい。例えば、導電性接着剤を使用して、ダイチップと導電性材料層５０６の一部分との間の電気的接続を確立することができる。一例では、この導電性接着材を採用して、薄型チップの下面と導電性材料層５０６との間に、完成されたデバイスのための接地面接続を確立することができる。
別の例では、ポリマー層５０５は、ベース導電性材料層５０６を含まない。この例では、ポリマー壁５０３およびポリマーウェル領域５０７を作成するために生成されるキャビティは、ポリマー層５０５を貫通はしない。そうではなく、キャビティは、ポリマー層５０５の厚さの一部分にわたって作成され、その部分に、後でダイ５０４が埋め込まれる。この例は、ＰＣＢボードのポリマーを含め、市販のポリイミドまたは液晶ポリマーをベースとする埋込型の薄型チップを提供するために使用することができ、よりコストのかかる感光性スピンオンポリイミドの処理は必要ない。
図６Ｄに示されるように、薄型チップダイ５０４がポリマーウェル領域５０７内に配置される。幾つかの実装形態では、このステップで、接着剤５０７を硬化させることができ、薄型チップダイ５０４をポリマーウェル領域５０７内に固定する。図６Ｅに示されるように、接着剤ポリマー層５０９を、ポリマーウェル領域５０７内の薄型チップダイの上に配設し、熱処理によって薄型チップダイの周りの領域内に流すことができる。図６Ｅの例では、接着剤５０９は、ポリマー層５１０を含むポリマーシート５１１と、ポリマーウェル領域５０７との間に塗着することができる。幾つかの例では、導電性材料−クラッドポリマー層は、金属−クラッドポリイミド層でよい。一例では、層５１１および５１０は、ポリマーウェル領域５０７を形成するのに使用されるポリマー層５０５および導電性材料層５０６とそれぞれ同じである。別の例では、ポリマー層５１１および導電性材料層５１０は、ポリマー層５０５および導電性材料層５０６と異なっていてもよい。例えば、それぞれの層が異なる材料を含んでいてよく、および／または異なる厚さを有していてもよい。一例では、接着剤ポリマー層５０９は、ＤｕＰｏｎｔ（商標）ＰＹＲＡＬＵＸ（登録商標）Ｂｏｎｄ−Ｐｌｙでよい。別の例では、接着剤ポリマー層５０９の材料は、非導電性（誘電性）であり、可撓性ポリマー層を接着することが可能であるように選択することができる。
図６Ｆに示されるように、接着剤ポリマー層５０９、ポリマー層５１１、および導電性材料層５１０を、ポリマーウェル領域およびダイ層に押し当てることができる。この例では、処理温度に加熱された状態で真空ラミネートを使用して層を結合させることができる。真空ラミネートプロセスにより、接着剤ポリマー５０９が、薄型チップダイ５０４の周りを流れて、ポリマーウェル領域５０７を充填することができる。
図５６に示されるように、上部金属層５１０および／または底部導電性材料層５０６をパターン形成して、追加の回路を適用することができる。図５Ｇの例など幾つかの例では、ポリマー層と導電性材料層の少なくとも一方を通してチャネルを作成することができる。例えば、埋込型システムの上面から薄型チップダイの電気コンタクトパッドへのバイア５１２を形成するために、レーザアブレーションまたは反応性イオンエッチングによってチャネルを作成することができる。次いで、埋込型デバイスの薄型チップ内部の回路への電気的連絡を作成するために、例えば電気めっき、蒸着、および／またはスパッタリングによってチャネルを金属化することができる。例えば、金属化されたバイア５１２は、薄型チップダイのボンドパッドまたは他のそのような電気コンタクトとの電気的連絡を容易にすることができる。幾つかの実装形態では、ダイのボンドパッドに追加の導電性材料を予め追加する（当産業で、「ダイをバンプする」と言われるプロセス）ことなくスルーチャネルを作成することができる。ウェハバンプ技術の非限定的な例は本明細書で上述した。非限定的な例として、バイアを金属化するために、銅、チタン、チタン−タングステン合金、金、ニッケル、およびクロムなどの金属を使用することができる。
図７Ａ〜図７Ｄは、薄型化されたチップを生成するために使用することができる例示的なプロセスを示す。この例では、本明細書で述べる任意のシステム、方法、および装置に従って、より厚い基板を有するチップを、埋め込まれる前に薄型化することができる。この例では、ダイシングビフォアグラインディング（ＤＢＧ）技法を使用してチップダイを薄型化することができる。幾つかの例では、ＤＢＧ技法は、厚さ約５μｍ、約８μｍ、約１０μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、または約５０μｍまでのチップの薄型化を可能にする。また、ＤＢＧ技法は、他の研削技法で見られ得るウェハの反りの危険を減少させることもできる。図７Ａに示されるように、プロセスは、始めにダイシングソー７０５または他のダイシングプロセスを用いてダイを半分だけダイカットすることから始めることができる。図７Ｂに示されるように、ダイカットによるウェハ７００内のチャネル７０１は、深さ７０２までカットされ、薄型化されるダイの望みの厚さに対するガイドとして使用される。図７Ｃに示されるように、ウェハ７００を逆さにすることができ、ダイがテープ７０３に貼着される。テープ７０３は、ウェハの裏面が望みの厚さまで研削されるときにウェハの位置を保つことができる。研削プロセスが、停止位置を示すために使用されるチャネル７０１に到達すると、薄型化されたチップダイ７０４がウェハ７００から外される。一例では、ここで離れたチップの背面にテープの第２の層を貼着することができる。次いで、テープ７０３を紫外光に露出することによって、薄型チップをテープ７０３から剥がすことができる。薄型化されたチップ７４０は、薄型チップ１０１および薄型チップ４０１を含めて薄型チップに関連付けて本明細書で述べた任意の処理で使用することができる。
図８Ａ〜図８Ｈは、本明細書で述べる方法、装置、またはシステムの１つまたは複数に適用することができる製造プロセスの非限定的な例を示す。例えば、図８Ａ〜図８Ｈで述べる製造プロセスは、図１〜図７Ｄにおけるものを含め、本明細書で述べる任意のシステム、方法、および装置に従って生成される埋込型の薄型チップに関して行うことができる。図８Ａに示されるように、この処理は、両側に導電性金属コーティングを含むポリマーシート８０１に適用することができる。この例では、導電性材料層８０２および８０３は、厚さ７５μｍのＫＡＰＴＯＮ（登録商標）基板上の１７．５μｍの銅層である。
図８Ｂに示されるように、１つの導電性材料層から第２の導電性材料層へ、スルーチャネルが作成される。電気的バイア８０４を作成するために、スルーチャネルが電気めっきされる。図８Ｃに示されるように、導電性材料層８０２および８０３の一方または両方をパターン形成することができる。
次に、図８Ｄに示されるように、パターン形成された導電性材料層８０２および８０３と追加のポリマーシート８０６との間に接着剤層８０６が挿入される。この例では、導電層８０７を作成するために、各ポリマーシート８０６が金属コーティングされる。別の例では、第２のポリマーシート８０６の一方または両方が金属コーティングされない。
図８Ｅに示されるように、接着剤層８０５に熱および圧力が加えられる。熱および圧力により、接着剤層８０５が溶融して、バイアとパターン形成された導電層８０２および８０３とによって作成される隙間に流れる。次に、図８Ｆに示されるように、追加のスルーチャネルが作成され、電気めっきされて、様々な導電層を接続する。この例では、バイアは、１つまたは複数の層である。例えば、バイア８０８は、底部導電層８０７を内部導電層８０２に電気的に接続し、バイア８０９は、底部導電層８０７を内部導電層８０３に電気的に接続する。
図８Ｇに示されるように、ここで外側の導電層８０７をパターン形成することができる。この例では、両方の外側導電層８０７がパターン形成されるが、別の例では、外層８０７の一方をパターン形成することもでき、またはどちらもパターン形成しなくてもよい。図８Ｈに示されるように、外側導電層８０７にオーバーレイ８１０を塗布することができる。別の例では、オーバーレイ８１０もパターン形成することができる。耐食性およびはんだ耐熱性のメタライゼーションを、任意の露出された銅トレース上に電着することができる。
図９Ａおよび図９Ｂは、埋込型の薄型チップを形成するために使用することができる例示的な装置９００および９１０の断面図を示し、ここでは、薄型チップ９０１がスタンドオフウェル領域９０２内に埋め込まれる。本明細書での任意の他の例と同様に、薄型チップ９０１は、薄型化されたチップでよい。例示的な装置９００は、可撓性ポリマー９０４と、可撓性ポリマー９０４の露出部分と境界を画すスタンドオフ９０３から形成されたウェル領域９０２とを含む。スタンドオフ１０３は、ウェル領域９０２の壁を形成し、それによりスタンドオフウェル領域を提供する。例示的な装置９１０は、基板９０８上に配設された薄型チップ９０１を含む。基板９０８は、可撓性ポリマーでよい。一例では、基板９０８は、少なくとも１つの導電性材料層を含むことがあり、ここで、導電性材料は、薄型チップ９０１と連絡することができる。この例では、埋込型の薄型チップを形成するためのプロセスは、装置９００を装置９１０と結合させることを含み、それにより、薄型チップ９０１が、可撓性ポリマー９０４の露出部分の近位に、およびスタンドオフ９０３の近位に配設される。スタンドオフ９０３は、薄型チップ９０１の高さ９０９と同等の高さ９０５を有することができる。
図１０Ａおよび図１０Ｂは、埋込型の薄型チップを形成するために使用することができる例示的な装置１０００および１０１０の断面図を示し、ここでは、薄型チップ１００１がポリマーウェル領域１００２内に埋め込まれる。本明細書での任意の他の例と同様に、薄型チップ１００１は、薄型化されたチップでよい。例示的な装置１０００は、導電性材料１００４の層の露出部分と境界を画す少なくとも１つのポリマー壁１００３から形成されるポリマーウェル領域１００２を含む。ポリマー壁１００３は、ポリマーウェル領域１００２の壁を形成する。ポリマー壁１００３は、ポリマーウェル領域４０２の壁を形成し、それによりポリマーウェル領域を提供する。例示的な装置１０１０は、基板９０８上に配設された薄型チップ９０１を含む。基板１００８は、可撓性ポリマーでよい。一例では、基板１００８は、少なくとも１つの導電性材料層を含むことがあり、ここで、導電性材料は、薄型チップ１００１と連絡することができる。この例では、埋込型の薄型チップを形成するためのプロセスは、装置１０００を装置１０１０と結合させることを含み、それにより、薄型チップ１００１が、導電性材料１００４の露出部分の近位に、かつポリマー壁１００３の近位に配設される。ポリマー壁１００３は、薄型チップ１００１の高さと同等の高さ１００５を有することができる。他の例では、ポリマー壁１００３は、薄型チップ１００１の高さよりも大きい、または小さい高さ１００５を有することができる。
図１〜図８Ｇに関連する素子、ならびに関連の材料、処理ステップ、および寸法の全ての関連の説明が、図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ、および図１０Ｂの各同様の構成要素にも当てはまる。
本明細書で述べる例示的なシステム、装置、および方法において、薄型チップ９０１または１００１は、１つまたは複数の受動電子素子および／または能動電子素子でよい。本明細書で述べる任意の原理に従って埋め込むことができる素子の非限定的な例は、トランジスタ、増幅器、アンテナ、光検出器、フォトダイオードアレイ、ディスプレイ、発光デバイス、光起電力デバイス、センサ、ＬＥＤ、半導体レーザアレイ、光学撮像システム、大面積電子デバイス、論理ゲートアレイ、マイクロプロセッサ、集積回路、電子デバイス、光学デバイス、光電デバイス、機械デバイス、マイクロ電気機械デバイス、ナノ電気機械デバイス、マイクロ流体デバイス、熱的デバイス、送信機、受信機、または他のデバイス構造を含む。
一例では、本明細書で述べる原理による埋込型デバイスは、本明細書における原理に従って複数のチップ（または他のデバイスアイランド）および／または複数の相互接続構造を可撓性ポリマー内に埋め込むことによって形成することができる。一例では、埋込型デバイス（例えば薄型チップ１０１）は、集積デバイスから形成することができ、または本明細書における原理に従って埋め込まれた複数の相互接続構造によって相互接続された複数のチップ（または他のデバイスアイランド）から形成することもできる。
図１１Ａ〜図１１Ｃは、ウェル領域内に埋め込まれた薄型チップの配列を形成するために使用することができる装置の構成の非限定的な例を示す。図１１Ａは、基板１１０８の上でそれぞれ異なる高さの薄型チップ１１０１−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）を含む例示的な装置１１００を示す。例えば、薄型チップ１１０１−ｂは、薄型チップ１１０１−ａの高さ１１０９−ａよりも大きい基板１１０８の上での高さ１１０９−ｂである。この例では、薄型チップ１１０１−ａは、薄型チップ１１０１−ｃの高さ１１０９−ｃよりも大きい基板１１０８の上での高さ１１０９−ａである。例示的な装置１１１０は、複数のウェル領域１１０２−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）を含み、各ウェル領域が、それぞれの露出部分１１０４−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）を含む。埋込型の薄型チップの配列を形成するためのプロセスは、装置１１００を装置１１１０と結合させることを含み、それにより、各薄型チップ１１０１−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）が、それぞれの露出部分１１０４−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）の近位のそれぞれのウェル領域１１０２−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）の内部に配設される。露出部分１１０４−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）の少なくとも１つは、それぞれの薄型チップ１１０１−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）との電気的連絡および／または熱的連絡を容易にするために使用することができる伝導性材料を含むことができる。各ウェル領域１１０２−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）は、本明細書で述べる原理に従う任意の例で述べるように、ポリマーウェル領域またはスタンドオフウェル領域でよい。一例では、埋込型の薄型チップの配列は、スタンドオフウェル領域内に埋め込まれた少なくとも１つの薄型チップと、ポリマーウェル領域内に埋め込まれた少なくとも１つの薄型チップとを含む。図１１Ａの任意の例示的な実施形態において、各薄型チップ１１０１−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）は、１つまたは複数の受動電子素子および／または能動電子素子でよい。
図１１Ｂは、埋込型の薄型チップを形成するための例示的なプロセスを示し、ここでは、例示的な装置１１００が例示的な装置１１５０と結合される。例示的な装置１１００は、図１１Ａに関連して上述したのと同様に、それぞれ異なる高さの薄型チップ１１０１−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）を含む。図１１Ａの各同様の素子に関する材料、処理ステップ、および寸法の全ての関連の説明が、この図１１Ｂの例示的な装置１１００にも当てはまる。例示的な装置１１１０は、複数のウェル領域１１０２−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）を含み、各ウェル領域が、それぞれの露出部分１１０４−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）を含む。図１１Ｂに示されるように、ある量の接着材１１１１−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）が各ウェル領域１１０２−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）内に塗着されることがある。接着材１１１１−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）の配置の位置の量は、各ウェル領域の壁が同じ高さ１１０５であるように構成することができる。例えば、薄型チップ１１０１−ｂが、薄型チップ１１０１−ａの高さ１１０９−ａよりも大きい基板上方での高さ１１０９−ｂであると仮定すると、接着材１１１１−ａは、接着材１１１１−ｂがウェル領域１１０２−ｂ内に延がるよりも大きい距離にわたってウェル領域１１０２−ａに延在する。この例では、薄型チップ１１０１−ｂが、薄型チップ１１０１−ｃの高さ１１０９−ｃよりも大きい基板上方での高さ１１０９−ｃであり、したがって、接着材１１１１−ｃは、接着材１１１１−ｂがウェル領域１１０２−ｂ内に延在するよりも大きい距離にわたってウェル領域１１０２−ｃに延在する。
図１１Ｃは、埋込型の薄型チップを形成するための別の例示的なプロセスを示し、ここでは、薄型チップを含む例示的な装置１１６０が、ウェル領域を含む例示的な装置１１７０と結合される。例示的な装置１１５０において示されるように、基板１１０８の１つまたは複数の領域を薄型化することができ、薄型化された領域内に薄型チップを配設することができる。例示的な装置１１６０において示されるように、薄型チップ１１０１−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）はそれぞれ異なる高さであるが、基板の十分に薄型化された領域内にそれぞれ配設され、薄型チップ１１０１−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）は全て、基板１１０８の表面の上で同様の高さ１１１５まで延在する。図１１Ａの各同様の素子に関する材料および寸法の全ての関連の説明が、この図１１Ｃの例示的な装置１１５０にも当てはまる。例示的な装置１１７０は、複数のウェル領域１１０２−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）を含み、各ウェル領域が、それぞれの露出部分１１０４−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）を含む。図１１Ｂに示されるように、各ウェル領域の壁は、ベース１１８０から異なる高さまで延在していてよい。例えば、ウェル領域１１０２−ｃの壁は、ウェル領域１１０２−ａの壁の高さ１１３５よりも小さい高さ１１２５まで延在する。この例では、ウェル領域１１０２−ａは、異なる高さ（高さ１１３５と高さ１１４５）の壁を有する。図１１Ｃに示されるように、任意の所与のウェル領域の壁の高さは、ウェル領域内に埋め込むべき薄型チップの高さと、取付け基板１１０８内への薄型チップの押し下げの度合いとに基づいて構成される。埋込型の薄型チップの配列を形成するためのプロセスは、装置１１６０を装置１１７０と結合させることを含み、それにより、各薄型チップ１１０１−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）が、それぞれの露出部分１１０４−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）の近位のそれぞれのウェル領域１１０２−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）の内部に配設される。露出部分１１０４−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）の少なくとも１つは、それぞれの薄型チップ１１０１−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）との電気的連絡および／または熱的連絡を容易にするために使用することができる伝導性材料を含むことができる。各ウェル領域１１０２−ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，ｃ）は、本明細書で述べる原理に従う任意の例で述べるように、ポリマーウェル領域またはスタンドオフウェル領域でよい。一例では、埋込型の薄型チップの配列は、スタンドオフウェル領域内に埋め込まれた少なくとも１つの薄型チップと、ポリマーウェル領域内に埋め込まれた少なくとも１つの薄型チップとを含む。
図１〜図８Ｇに関連する素子、ならびに関連の材料、処理ステップ、および寸法の全ての関連の説明が、図１１Ａ、図１１Ｂ、および図１１Ｃの各同様の構成要素にも当てはまる。
図１１Ａ〜図１１Ｃによる任意の例において、薄型チップ１１０１−ｉ（本明細書で述べる集積デバイスまたはデバイスアイランドを含む）は、可撓性ポリマー層上の導電性コーティング（そこからスタンドオフウェル領域のスタンドオフが作成される）の厚さよりも薄くすることができる。導電性材料コーティングは、限定はしないが金属トレースまたは他の金属コーティングを含んでいてよい。これらの埋込型の薄型チップ構造内の任意のスタンドオフウェル領域は、例えば、可撓性ポリマー上の導電性材料コーティングをパターン形成し、可撓性ポリマーの表面までエッチングすることによって、導電性コーティングに形成することができる。エッチングプロセスは、可撓性ポリマーの幾らかの表面部分の除去を含むこともある。別の例では、パターン形成は、レーザアブレーションまたは同様のパターン形成プロセスによって行われることがある。ポリマー層上の導電性材料コーティングがパターン形成され、スタンドオフウェル領域が形成された後、薄型チップ（任意のデバイスアイランドを含む）を導電性コーティング「ウェル」の壁の間に配設して固定し、ポリマーの上方に、スタンドオフウェル領域の壁とほぼ同じ高さのフィーチャを作成することができる。他の例では、任意のスタンドオフの高さは、薄型チップ１１０１−ｉの高さよりも大きくても、小さくてもよい。
様々な例において、スタンドオフウェルまたはポリマーウェルは、位置決めされた薄型チップ（任意の他のデバイスアイランドを含む）がウェル高さよりも短くなる、またはほぼ等しくなるように形成することができる。他の例では、ウェル領域は、位置決めされた薄型チップ１１０１−ｉ（デバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）がウェル領域の壁の高さよりも高くなるように形成することができる。埋込型の薄型チップ構造の任意のスタンドオフウェル領域のスタンドオフは、薄型チップ１０１（デバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）の厚さの約８０％、約９０％、約１００％、約１１０％、約１２０％、約１４０％、または約１５０％の任意のものでよい。他の例では、スタンドオフウェル領域のスタンドオフは、薄型チップ１０１（任意の他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）の厚さの約２倍でよい。
図１１Ａ〜図１１Ｃの例示的な埋込型の薄型チップ構造は、図２Ａ〜図２Ｅのスタンドオフウェル領域の様々な形状の非限定的な任意の例、および／または図５Ａ〜図５Ｅのポリマーウェル領域の様々な形状の非限定的な任意の例に従って構成されたウェル領域を含むことができる。これは、薄型チップ（任意の他のデバイスアイランドおよび／または相互接続構造を含む）を内部に配設することができるように、正方形状、長方形状、丸形状もしくは他のドーナツ形状、または任意の他の多角形状を有する任意の数のウェル領域を含む。
様々な例において、基板の可撓性ポリマーの厚さ、またはキャビティが表面から可撓性ポリマー内に延びる深さに基づいて、ポリマー壁またはスタンドオフの高さは、薄型チップの高さと同等でよい。他の例では、薄型チップは、薄型チップの上面の高さが薄型チップの上面と同等になるようにポリマーウェル領域またはスタンドオフウェル領域内に実装することができる。一例では、薄型チップが、約５０マイクロメートル、約６０マイクロメートル、約７０マイクロメートル、約８０マイクロメートル、約９０マイクロメートル、約１００マイクロメートル、約１２０マイクロメートル、約１３５マイクロメートル、または約１５０マイクロメートルである。
一例では、薄型チップは、薄型チップの上面の平面がスタンドオフの上面の平面よりも下になるようにスタンドオフウェル領域内に配設することができる。例えば、薄型チップは、その上面がスタンドオフの上面よりも約１０マイクロメートル、２０マイクロメートル、２５マイクロメートル、３０マイクロメートル、約３５マイクロメートル、４０マイクロメートル、または約４５マイクロメートル下に位置されるように配設することができる。以下により詳細に述べるように、薄型チップは、その上面がスタンドオフ壁よりも所定の高さだけ下になるように基板の薄型化された部分に入れ子にすることができる。
一例では、薄型チップは、薄型チップの上面の平面がポリマー壁の上面の平面よりも下になるようにポリマーウェル領域内に配設することができる。例えば、薄型チップは、その上面がポリマー壁の上面よりも約１０マイクロメートル、２０マイクロメートル、２５マイクロメートル、３０マイクロメートル、約３５マイクロメートル、４０マイクロメートル、または約４５マイクロメートル下に位置されるように配設することができる。以下により詳細に述べるように、薄型チップは、その上面がポリマー壁よりも所定の高さだけ下になるように基板の薄型化された部分に入れ子にすることができる。
本発明の様々な実施形態を本明細書で説明および例示してきたが、当業者は、本明細書で述べる機能を実施するため、および／または本明細書で述べる結果および／または利点の１つまたは複数を得るための様々な他の手段および／または構造を容易に想定されよう。そのような変形形態および／または修正形態はそれぞれ、本明細書で述べる本発明の実施形態の範囲内にあるものと考えられる。より一般には、本明細書で述べる全てのパラメータ、寸法、材料、および構成が例として意図されており、実際のパラメータ、寸法、材料、および／または構成は、本発明の教示が使用される特定の用途または適用例に応じて決まることを当業者は容易に理解されよう。当業者は、本明細書で述べる特定の本発明の実施形態に対する多くの均等形態を認識し、通常の実験を使用して確かめることができよう。したがって、前述の実施形態は例としてのみ提示されており、特に述べたもの以外の形で本発明の実施形態を実施することもできることを理解されたい。本開示における本発明の実施形態は、本明細書で述べられるそれぞれの特徴、システム、物品、材料、キット、および／または方法を対象とする。さらに、そのような特徴、システム、物品、材料、キット、および／または方法が互いに矛盾していない場合には、２つ以上のそのような特徴、システム、物品、材料、キット、および／または方法の任意の組合せが本開示における本発明の範囲内に含まれる。
本発明の上述した実施形態は、いくつかの形態で実装することができる。例えば、いくつかの実施形態は、ハードウェア、ソフトウェア、またはそれらの組合せを使用して実装することができる。一実施形態の任意の態様が少なくとも一部はソフトウェアとして実装されるとき、単一のデバイスまたはコンピュータ内に提供されるか、複数のデバイス／コンピュータに分散されるかに関わらず、ソフトウェアコードを任意の適切な処理装置または処理装置の集合で実行することができる。
また、本明細書で述べる技術は、方法として具現化されることもあり、その少なくとも１つの例を提示してきた。方法の一部として実施される作用は、任意の適切な順序でよい。したがって、例示した以外の順序で作用が行われる実施形態が構成されることもあり、これは、例示的実施形態では順次の作用として示されているが、いくつかの作用を同時に行うことを含むこともある。
本明細書で定義して使用する全ての定義は、辞書的な定義、参照により援用する文書における定義、および／または定義される用語の通常の意味を網羅するものと理解すべきである。
本明細書で使用される単数詞は、特に明記されていない限り、「少なくとも１つ」を意味するものと理解すべきである。
本明細書で使用される語句「および／または」は、そのように連結された要素の「いずれかまたは両方」を意味するものと理解すべきであり、すなわち、要素は、いくつかの場合には接続的に存在し、他の場合には離接的に存在する。「および／または」を用いて列挙される複数の要素も同様に解釈すべきであり、すなわち、そのように連結された要素の「１つまたは複数」である。任意選択で、特に識別される要素に関係するか無関係であるかに関わらず、「および／または」節によって特に識別される要素以外の他の要素が存在してもよい。したがって、非限定的な例として、「備える」など制限のない語に関連して使用されるときの「Ａおよび／またはＢ」への言及は、例えば、一実施形態では、（任意選択でＢ以外の要素を含んで）Ａのみを表すことができ、別の実施形態では、（任意選択でＡ以外の要素を含んで）Ｂのみを表すことができ、さらに別の実施形態では、（任意選択で他の要素を含んで）ＡとＢの両方を表すことができる。
本明細書で使用するとき、「または」は、上で定義した「および／または」と同じ意味を有するものと理解すべきである。例えば、リスト中の項目を隔てるとき、「または」または「および／または」は、包含的なものと解釈され、すなわち、いくつかの要素または要素のリストのうちの少なくとも１つの要素、さらにまた複数の要素、および任意選択で追加の列挙されていない項目が包含される。「〜のただ１つ」または「〜の正確に１つ」または「〜からなる」など、そうでないことが明らかに示される用語のみが、いくつかの要素または要素のリストの正確に１つの要素の包含を表す。一般に、本明細書で使用する用語「または」は、「〜のいずれか」、「〜の１つ」、「〜の１つのみ」、または「〜の正確に１つ」など排他的用語によって先行されるときにのみ、排他的な選択肢（すなわち「一方または他方であり、両方ではない」）を示すものと解釈されるものとする。
本明細書で使用するとき、１つまたは複数の要素のリストに関する語句「少なくとも１つ」は、要素のリスト中の要素の任意の１つまたは複数から選択される少なくとも１つの要素を意味するものと理解すべきであるが、必ずしも、要素のリスト中に特に列挙されるあらゆる要素の少なくとも１つを含まず、要素のリスト中の要素の任意の組合せを排除しない。また、この定義は、特に識別される要素に関係するか無関係であるかに関わらず、語句「少なくとも１つ」が表す要素のリスト中で特に識別される要素以外の要素が任意選択で存在してもよいものとする。したがって、非限定的な例として、「ＡおよびＢの少なくとも１つ」（または同等に「ＡまたはＢの少なくとも１つ」、または同等に「Ａおよび／またはＢの少なくとも１つ」）は、例えば、一実施形態では、Ｂは存在せずに（および任意選択でＢ以外の要素を含んで）、少なくとも１つ、任意選択で複数のＡを表し；別の実施形態では、Ａは存在せずに（および任意選択でＡ以外の要素を含んで）、少なくとも１つ、任意選択で複数のＢを表し；さらに別の実施形態では、（任意選択で他の要素を含んで）少なくとも１つ、任意選択で複数のＡと、少なくとも１つ、任意選択で複数のＢとを表す。

Claims (98)

  1. Ａ）スタンドオフウェル領域を備える基板を備える装置であって、
    前記基板が、可撓性ポリマーの層の上に配設された第１の導電性材料の層を備え、
    前記第１の導電性材料のパターン形成部分が、露出された可撓性ポリマーの一部分と境界を画すスタンドオフを備え、それにより前記スタンドオフウェル領域を形成し、
    装置がさらに、
    Ｂ）前記スタンドオフの近位の前記露出された可撓性ポリマーの一部分の上で前記スタンドオフウェル領域の内部に配設された薄型チップを備え、
    前記スタンドオフの高さが、前記薄型チップの高さと同等である
    装置。
  2. 前記スタンドオフの近位の前記露出された可撓性ポリマーの一部分で、前記スタンドオフウェル領域の内部に塗着された接着材を備え、前記薄型チップが、前記スタンドオフの近位の前記接着材の上に配設される請求項１に記載の装置。
  3. 前記接着材が、約８μｍ、約１０μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２０μｍ、約２５μｍ、または約３０μｍの厚さを有する請求項２に記載の装置。
  4. 前記接着材が、導電性接着剤または非導電性接着剤を含む請求項２に記載の装置。
  5. 前記第１の導電性材料の前記パターン形成部分が、レーザアブレーションまたはエッチングを使用して形成される請求項１に記載の装置。
  6. 前記可撓性ポリマーが、ポリイミドまたは液晶ポリマーである請求項１に記載の装置。
  7. 前記第１の導電性材料が、銅、金、アルミニウム、またはそれらの何らかの組合せを含む請求項１に記載の装置。
  8. 前記基板が、銅−クラッドポリイミドである請求項１に記載の装置。
  9. 前記可撓性ポリマーの層が、約８μｍ、約１０μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、約７５μｍ、または約８５μｍの厚さを有する請求項１に記載の装置。
  10. 前記第１の導電性材料の層が、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有する請求項１に記載の装置。
  11. 前記薄型チップが、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有する請求項１に記載の装置。
  12. 前記薄型チップが、薄型化されたチップである請求項１に記載の装置。
  13. 前記薄型化されたチップが、エッチングプロセスまたは研削プロセスを使用して薄型化されたチップから形成される請求項１２に記載の装置。
  14. 前記スタンドオフの前記高さが前記薄型チップの前記高さよりも大きくなる、またはほぼ等しくなるように、前記薄型チップが前記スタンドオフウェル領域の内部に配設される請求項１に記載の装置。
  15. 前記スタンドオフの前記高さが前記薄型チップの前記高さよりも小さくなるように、前記薄型チップが前記スタンドオフウェル領域の内部に配設される請求項１に記載の装置。
  16. 前記薄型チップが、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有する第１の導電性材料の層を有する請求項１に記載の装置。
  17. 前記基板の上に配設されたポリマーシートと、
    前記ポリマーシートを通して形成された少なくとも１つのバイアと、
    前記少なくとも１つのバイアの近位の前記ポリマーシートの一部分の上に配設された第２の導電性材料とをさらに備え、それにより、前記第２の導電性材料が、前記薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する
    請求項１に記載の装置。
  18. 前記第２の導電性材料が、チタン、タングステン、金、ニッケル、クロム、またはそれらの何らかの組合せを含む請求項１７に記載の装置。
  19. 前記スタンドオフが、前記薄型チップの一部分を取り囲む請求項１に記載の装置。
  20. 前記スタンドオフが、前記薄型チップを完全に取り囲む請求項１に記載の装置。
  21. 誘電体材料が、前記スタンドオフと前記薄型チップの一部分との間に配設される請求項１に記載の装置。
  22. 前記第１の導電性材料の上または前記可撓性ポリマーの上に配設された少なくとも１つの追加の層をさらに備え、前記少なくとも１つの追加の層が、前記薄型チップを前記装置の中立機械面に位置決めする請求項１に記載の装置。
  23. 薄型チップを埋め込むための方法であって、
    Ａ）スタンドオフウェル領域を備える基板を提供するステップを含み、
    前記基板が、可撓性ポリマーの層の上に配設された第１の導電性材料の層を備え、
    前記第１の導電性材料の少なくとも一部分が、露出された可撓性ポリマーの一部分と境界を画すスタンドオフを形成するようにパターン形成され、それにより前記スタンドオフウェル領域を形成し、
    方法がさらに、
    Ｂ）前記スタンドオフの高さが前記薄型チップの高さと同等になるように、前記スタンドオフの近位の前記露出された可撓性ポリマーの一部分の上に薄型チップを配設するステップ
    を含む方法。
  24. ステップＢ）の前に、前記スタンドオフの近位の前記露出された可撓性ポリマーの一部分に接着材を配設するステップを含み、ステップＢ）が、前記スタンドオフの近位の前記露出された可撓性ポリマーの前記部分に塗着された接着材上に前記薄型チップを配設するステップを含む請求項２３に記載の方法。
  25. 前記スタンドオフの前記高さが、薄型チップの前記高さよりも大きい、またはほぼ等しい請求項２３に記載の方法。
  26. ステップＢ）が、前記スタンドオフの前記高さが前記薄型チップの前記高さよりも大きくなる、またはほぼ等しくなるように、前記スタンドオフの近位の前記可撓性ポリマーの一部分の上に前記薄型チップを配設するステップを含む請求項２３に記載の方法。
  27. 前記薄型チップが、薄型化されたチップであり、ステップＢ）が、前記薄型化されたチップを提供するために、エッチングプロセスまたは研削プロセスを使用してチップを薄型化するステップと、前記スタンドオフの前記高さが前記薄型化されたチップの前記高さと同等になるように、前記スタンドオフの近位の前記露出された可撓性ポリマーの一部分の上に前記薄型化されたチップを配設するステップとを含む請求項２３に記載の方法。
  28. 前記基板の上にポリマーシートを配設するステップと、
    前記ポリマーシートを通して少なくとも１つのバイアを形成するステップと、
    前記少なくとも１つのバイアの近位の前記第２のポリマーシートの一部分の上に導電性材料を配設するステップとをさらに含み、それにより、前記導電性材料が、前記薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する
    請求項２３に記載の方法。
  29. 前記第１の導電性材料の上または前記可撓性ポリマーの上に少なくとも１つの追加の層を配設するステップをさらに含み、前記少なくとも１つの追加の層が、前記薄型チップを前記装置の中立機械面に位置決めする請求項２３に記載の方法。
  30. Ａ）ポリマーウェル領域を備える基板を備える装置であって、
    前記基板が、第１の導電性材料の層の上に配設された可撓性ポリマーの層を備え、
    前記可撓性ポリマーの少なくとも一部分にキャビティが形成されて、露出された第１の導電性材料の一部分と境界を画す少なくとも１つのポリマー壁を形成し、それによりポリマーウェル領域を形成し、
    装置がさらに、
    Ｂ）前記少なくとも１つのポリマー壁の近位の前記露出された第１の導電性材料の少なくとも一部分の上でポリマーウェル領域の内部に配設された薄型チップ
    を備える装置。
  31. 前記少なくとも１つのポリマー壁の近位の前記露出された第１の導電性材料の少なくとも一部分で、前記ポリマーウェル領域の内部に塗着された接着材を備え、前記薄型チップが、前記少なくとも１つのポリマー壁の近位の前記接着材の上に配設される請求項３０に記載の装置。
  32. 前記接着材が、約８μｍ、約１０μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２０μｍ、約２５μｍ、または約３０μｍの厚さを有する請求項３１に記載の装置。
  33. 前記接着材が、導電性接着剤または非導電性接着剤を含む請求項３１に記載の装置。
  34. 前記キャビティが、レーザアブレーションまたはエッチングを使用して形成される請求項３０に記載の装置。
  35. 前記可撓性ポリマーが、ポリイミドまたは液晶ポリマーである請求項３０に記載の装置。
  36. 前記第１の導電性材料が、銅、金、アルミニウム、またはそれらの何らかの組合せを含む請求項３０に記載の装置。
  37. 前記基板が、銅−クラッドポリイミドである請求項３０に記載の装置。
  38. 前記可撓性ポリマーの層が、約８μｍ、約１０μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、約７５μｍ、または約８５μｍの厚さを有する請求項３０に記載の装置。
  39. 前記第１の導電性材料の層が、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有する請求項３０に記載の装置。
  40. 前記薄型チップが、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有する請求項３０に記載の装置。
  41. 前記薄型チップが、薄型化されたチップである請求項３０に記載の装置。
  42. 前記薄型化されたチップが、エッチングプロセスまたは研削プロセスを使用して薄型化されたチップから形成される請求項４０に記載の装置。
  43. 前記少なくとも１つのポリマー壁の前記高さが前記薄型チップの前記高さよりも大きくなる、またはほぼ等しくなるように、前記薄型チップが前記ポリマーウェル領域の内部に配設される請求項３０に記載の装置。
  44. 前記少なくとも１つのポリマー壁の前記高さが前記薄型チップの前記高さよりも小さくなるように、前記薄型チップが前記ポリマーウェル領域の内部に配設される請求項３０に記載の装置。
  45. 前記薄型チップが、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有する第１の導電性材料の層を有する請求項３０に記載の装置。
  46. 前記基板の上に配設されたポリマーシートと、
    前記ポリマーシートを通して形成された少なくとも１つのバイアと、
    前記少なくとも１つのバイアの近位の前記ポリマーシートの一部分の上に配設された第２の導電性材料とをさらに備え、それにより、前記第２の導電性材料が、前記薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する
    を備える請求項３０に記載の装置。
  47. 前記第２の導電性材料が、チタン、タングステン、金、ニッケル、クロム、またはそれらの何らかの組合せを含む請求項４６に記載の装置。
  48. 前記少なくとも１つのポリマー壁が、前記薄型チップの一部分を取り囲む請求項３０に記載の装置。
  49. 前記少なくとも１つのポリマー壁が、前記薄型チップを完全に取り囲む請求項３０に記載の装置。
  50. 前記少なくとも１つのポリマー壁と前記薄型チップの一部分との間に誘電体材料が配設される請求項３０に記載の装置。
  51. 前記第１の導電性材料の上または前記可撓性ポリマーの上に配設された少なくとも１つの追加の層をさらに備え、前記少なくとも１つの追加の層が、前記薄型チップを前記装置の中立機械面に位置決めする請求項３０に記載の装置。
  52. 前記薄型チップが、薄型化されたチップであり、ステップＢ）が、前記薄型化されたチップを提供するために、エッチングプロセスまたは研削プロセスを使用してチップを薄型化するステップと、前記少なくとも１つの壁の前記高さが前記薄型化されたチップの前記高さと同等になるように、前記少なくとも１つのポリマー壁の近位の前記露出された第１の導電性材料の少なくとも一部分の上で前記ポリマーウェル領域内に前記薄型化されたチップを配設するステップとを含む請求項３０に記載の装置。
  53. 薄型チップを埋め込むための方法であって、
    Ａ）ポリマーウェル領域を備える基板を提供するステップを含み、前記基板が、可撓性ポリマーの層と、第１の導電性材料の層とを備え、前記ポリマーウェル領域が、前記可撓性ポリマーの一部分から形成された少なくとも１つのポリマー壁と、前記第１の導電性材料の少なくとも一部分から形成されたベース領域とを備え、
    方法がさらに、
    Ｂ）前記少なくとも１つのポリマー壁の近位の前記第１の導電性材料の一部分の上で前記ポリマーウェル領域内に前記薄型チップを配設するステップ
    を含む方法。
  54. ステップＢ）の前に、前記少なくとも１つのポリマー壁の近位の前記第１の導電の前記部分に接着材を配設するステップを含み、ステップＢ）が、前記少なくとも１つのポリマー壁の近位の前記接着材上に前記薄型チップを配設するステップを含む請求項５３に記載の方法。
  55. 前記少なくとも１つのポリマー壁の前記高さが前記薄型チップの前記高さよりも大きくなる、またはほぼ等しくなるように、前記薄型チップが前記ポリマーウェル領域の内部に配設される請求項５３に記載の方法。
  56. 前記少なくとも１つのポリマー壁の前記高さが前記薄型チップの前記高さよりも小さくなるように、前記薄型チップが前記ポリマーウェル領域の内部に配設される請求項５３に記載の方法。
  57. 前記第１の導電性材料が前記薄型チップと物理的および電気的に連絡するように、前記薄型チップが前記ポリマーウェル領域の内部に配設される請求項５３に記載の方法。
  58. 前記基板の上に配設されたポリマーシートと、
    前記ポリマーシートを通して形成された少なくとも１つのバイアと、
    前記少なくとも１つのバイアの近位の前記ポリマーシートの一部分の上に配設された第２の導電性材料とをさらに備え、それにより、前記第２の導電性材料が、前記薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する
    請求項５３に記載の方法。
  59. 前記第１の導電性材料の上または前記可撓性ポリマーの上に少なくとも１つの追加の層を配設するステップをさらに含み、前記少なくとも１つの追加の層が、前記薄型チップを前記装置の中立機械面に位置決めする請求項５３に記載の方法。
  60. Ａ）ウェル領域を備える可撓性基板を備える装置であって、前記可撓性基板が、ポリイミドまたは液晶ポリマーを備え、前記可撓性基板が、前記可撓性基板にウェル領域を形成するキャビティを含み、
    装置がさらに、
    Ｂ）前記ウェル領域の内部に配設された薄型チップを備え、前記ウェル領域の少なくとも１つのポリマー壁の高さが、前記薄型チップの高さと同等であり、
    装置がさらに、
    Ｃ）前記薄型チップの少なくとも一部分と実質的に接触する、前記ウェル領域の内部に配設されたポリマー接着材
    を備える装置。
  61. 前記可撓性基板の上に配設されたポリマーシートと、
    前記ポリマーシートを通して形成された少なくとも１つのバイアと、
    前記少なくとも１つのバイアの近位の前記ポリマーシートの一部分の上に配設された導電性材料とをさらに備え、それにより、前記第２の導電性材料が、前記薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する
    請求項６０に記載の装置。
  62. 前記ポリマー接着材を通して形成された少なくとも１つのバイアと、
    前記少なくとも１つのバイアの近位の前記ポリマー接着材の一部分の上に配設された導電性材料とをさらに備え、それにより、前記導電性材料が、前記薄型チップの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する
    請求項６０に記載の装置。
  63. 前記ウェル領域の内部に塗着された接着材を備え、前記薄型チップが前記接着材の上に配設される請求項６０に記載の装置。
  64. 前記少なくとも１つのポリマー壁の前記高さが前記薄型チップの前記高さよりも大きくなる、またはほぼ等しくなるように、前記薄型チップが前記ウェル領域の内部に配設される請求項６０に記載の装置。
  65. 前記少なくとも１つのポリマー壁の前記高さが前記薄型チップの前記高さよりも小さくなるように、前記薄型チップが前記ウェル領域の内部に配設される請求項６０に記載の装置。
  66. 前記少なくとも１つのポリマー壁と前記薄型チップの一部分との間に誘電体材料が配設される請求項６０に記載の装置。
  67. Ａ）少なくとも２つのスタンドオフウェル領域を備える基板を備える装置であって、
    前記基板が、可撓性ポリマーの層の上に配設された第１の導電性材料の層を備え、
    前記第１の導電性材料のパターン形成部分が、露出された可撓性ポリマーの幾つかの部分と境界を画す少なくとも２つのスタンドオフを備え、前記スタンドオフがそれぞれ、前記少なくとも２つのスタンドオフウェル領域の少なくとも１つを形成し、
    装置がさらに、
    Ｂ）少なくとも２つの薄型チップを備え、各薄型チップが、前記少なくとも２つのスタンドオフウェル領域の各１つの前記スタンドオフの近位の前記露出された可撓性ポリマーの一部分の上で、前記少なくとも２つのスタンドオフウェル領域の各１つの内部に配設され、
    前記少なくとも２つの薄型チップの１つの厚さが、前記少なくとも２つの薄型チップの別のものの厚さよりも大きく、
    前記スタンドオフの高さが、前記少なくとも２つの薄型チップの１つの高さと同等である
    装置。
  68. 前記少なくとも２つのスタンドオフウェル領域の各１つの前記スタンドオフの近位の前記露出された可撓性ポリマーの一部分で、前記少なくとも２つのスタンドオフウェル領域の少なくとも１つの内部に塗着された接着材を備え、前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つが、前記スタンドオフの近位の前記接着材の上に配設される請求項６７に記載の装置。
  69. 前記接着材が、約８μｍ、約１０μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２０μｍ、約２５μｍ、約３０μｍ、約４０μｍ、約５０μｍ、または約５５μｍの厚さを有する請求項６８に記載の装置。
  70. 前記接着材が、導電性接着剤、および／または熱伝導性接着剤、および／または非導電性接着剤を含む請求項６８に記載の装置。
  71. 前記接着材が導電性接着剤を含み、前記導電性接着剤を介して、前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つに接地電位が印加される請求項７０に記載の装置。
  72. 前記第１の導電性材料の前記パターン形成部分が、レーザアブレーションまたはエッチングを使用して形成される請求項６７に記載の装置。
  73. 前記可撓性ポリマーが、ポリイミドまたは液晶ポリマーである請求項６７に記載の装置。
  74. 前記第１の導電性材料が、銅、金、アルミニウム、またはそれらの何らかの組合せを含む請求項６７に記載の装置。
  75. 前記可撓性ポリマーの層が、約８μｍ、約１０μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、約７５μｍ、約８５μｍ、約１００μｍ、約１２５μｍ、約１５０μｍ、約１７５μｍ、または約２００μｍの厚さを有する請求項６７に記載の装置。
  76. 前記第１の導電性材料の層が、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有する請求項６７に記載の装置。
  77. 前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つが、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、約７０μｍ、８０マイクロメートル、約９０マイクロメートル、約１００マイクロメートル、約１２０マイクロメートル、約１３５マイクロメートル、または約１５０マイクロメートルの厚さを有する請求項６７に記載の装置。
  78. 前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つが、薄型化されたチップであり、前記薄型化されたチップが、エッチングプロセスまたは研削プロセスを使用して薄型化されたチップから形成される請求項６７に記載の装置。
  79. 前記スタンドオフの前記高さが前記基板の上での前記薄型チップの前記高さよりも約１０マイクロメートル、約２０マイクロメートル、約２５マイクロメートル、約３０マイクロメートル、約３５マイクロメートル、約４０マイクロメートル、または約４５マイクロメートルだけ大きくなるように、前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つが前記少なくとも２つのスタンドオフウェル領域の少なくとも１つの内部に配設される請求項６７に記載の装置。
  80. 前記スタンドオフの前記高さが前記薄型チップの前記高さよりも小さくなるように、前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つが前記スタンドオフウェル領域の少なくとも１つの内部に配設される請求項６７に記載の装置。
  81. 前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つが、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有する第１の導電性材料の層を有する請求項６７に記載の装置。
  82. 前記基板の上に配設されたポリマーシートと、
    前記ポリマーシートを通して形成された少なくとも１つのバイアと、
    前記少なくとも１つのバイアの近位の前記ポリマーシートの一部分の上に配設された第２の導電性材料とをさらに備え、それにより、前記第２の導電性材料が、前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する
    請求項６７に記載の装置。
  83. 前記第２の導電性材料が、チタン、タングステン、金、ニッケル、クロム、またはそれらの何らかの組合せを含む請求項８２に記載の装置。
  84. 前記スタンドオフが、前記薄型チップの一部分を取り囲む請求項６７に記載の装置。
  85. 前記少なくとも２つのスタンドオフの少なくとも１つと、前記少なくとも２つの薄型チップの１つの一部分との間に誘電体材料が配設されて接触する請求項６７に記載の装置。
  86. 前記第１の導電性材料の上または前記可撓性ポリマーの上に配設された少なくとも１つの追加の層をさらに備え、前記少なくとも１つの追加の層が、前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つを前記装置の中立機械面に位置決めする請求項６７に記載の装置。
  87. Ａ）少なくとも１つのポリマーウェル領域と、少なくとも１つのスタンドオフウェル領域とを備える基板を備える装置であって、
    前記基板が、第１の導電性材料の層の上に配設された可撓性ポリマーの層を備え、
    前記可撓性ポリマーの少なくとも一部分にキャビティが形成されて、露出された第１の導電性材料の一部分と境界を画す少なくとも１つのポリマー壁を形成し、それによりポリマーウェル領域を形成し、
    前記第１の導電性材料のパターン形成部分が、露出された可撓性ポリマーの一部分と境界を画すスタンドオフを備え、それにより前記スタンドオフウェル領域を形成し、
    装置がさらに、
    Ｂ）少なくとも２つの薄型チップを備え、
    前記少なくとも２つの薄型チップの１つが、前記少なくとも１つのポリマー壁の近位の前記露出された第１の導電性材料の少なくとも一部分の上で前記ポリマーウェル領域の内部に配設され、
    前記少なくとも２つの薄型チップの別のものが、前記スタンドオフの近位の前記露出された可撓性ポリマーの少なくとも一部分の上で前記スタンドオフウェル領域の内部に配設され、
    前記少なくとも２つの薄型チップの１つの厚さが、前記少なくとも２つの薄型チップの別のものの厚さよりも大きい
    装置。
  88. （ａ）前記少なくとも１つのポリマー壁の近位の前記露出された第１の導電性材料の少なくとも一部分の上で前記ポリマーウェル領域の内部に、または（ｂ）前記スタンドオフの近位の前記露出された可撓性ポリマーの一部分で、前記スタンドオフウェル領域の内部に塗着された接着材を備え、前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つが前記接着材の上に配設される請求項８７に記載の装置。
  89. 前記接着材が、約８μｍ、約１０μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２０μｍ、約２５μｍ、約３０μｍ、約４０μｍ、約５０μｍ、または約５５μｍの厚さを有する請求項８８に記載の装置。
  90. 前記接着材が、導電性接着剤、および／または熱伝導性接着剤、および／または非導電性接着剤を含む請求項８８に記載の装置。
  91. 前記可撓性ポリマーが、ポリイミドまたは液晶ポリマーである請求項８７に記載の装置。
  92. 前記第１の導電性材料が、銅、金、アルミニウム、またはそれらの何らかの組合せを含む請求項８７に記載の装置。
  93. 前記可撓性ポリマーの層が、約８μｍ、約１０μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、約７５μｍ、約８５μｍ、約１００μｍ、約１２５μｍ、約１５０μｍ、約１７５μｍ、または約２００μｍの厚さを有する請求項８７に記載の装置。
  94. 前記第１の導電性材料の層が、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、または約７０μｍの厚さを有する請求項８７に記載の装置。
  95. 前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つが、約２μｍ、約５μｍ、約８μｍ、約１２μｍ、約１５μｍ、約２５μｍ、約３５μｍ、約５０μｍ、約６０μｍ、約７０μｍ、８０マイクロメートル、約９０マイクロメートル、約１００マイクロメートル、約１２０マイクロメートル、約１３５マイクロメートル、または約１５０マイクロメートルの厚さを有する請求項８７に記載の装置。
  96. 前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つが、薄型化されたチップであり、前記薄型化されたチップが、エッチングプロセスまたは研削プロセスを使用して薄型化されたチップから形成される請求項８７に記載の装置。
  97. 前記基板の上に配設されたポリマーシートと、
    前記ポリマーシートを通して形成された少なくとも１つのバイアと、
    前記少なくとも１つのバイアの近位の前記ポリマーシートの一部分の上に配設された第２の導電性材料とをさらに備え、それにより、前記第２の導電性材料が、前記少なくとも２つの薄型チップの少なくとも１つの電気コンタクトとの電気的連絡を形成する
    請求項８７に記載の装置。
  98. 前記第１の導電性材料の上または前記可撓性ポリマーの上に配設された少なくとも１つの追加の層をさらに備え、前記少なくとも１つの追加の層が、前記薄型チップを前記装置の中立機械面に位置決めする請求項９７に記載の装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6191808B1 (ja) * 2016-04-20 2017-09-06 株式会社村田製作所 多層基板および電子機器
JP2017183649A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 大日本印刷株式会社 電子デバイス及びその製造方法
WO2017183394A1 (ja) * 2016-04-20 2017-10-26 株式会社村田製作所 多層基板および電子機器

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2704769C (en) 2006-11-03 2016-01-12 Trustees Of Tufts College Nanopatterned biopolymer optical device and method of manufacturing the same
JP2010509593A (ja) 2006-11-03 2010-03-25 トラスティーズ オブ タフツ カレッジ バイオポリマーセンサーおよびその製造方法
US8574461B2 (en) * 2006-11-03 2013-11-05 Tufts University Electroactive biopolymer optical and electro-optical devices and method of manufacturing the same
US9119533B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US9123614B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US9545216B2 (en) 2011-08-05 2017-01-17 Mc10, Inc. Catheter balloon methods and apparatus employing sensing elements
US8389862B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US9289132B2 (en) 2008-10-07 2016-03-22 Mc10, Inc. Catheter balloon having stretchable integrated circuitry and sensor array
US8886334B2 (en) 2008-10-07 2014-11-11 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices using stretchable or flexible electronics for medical applications
US9723122B2 (en) 2009-10-01 2017-08-01 Mc10, Inc. Protective cases with integrated electronics
EP2681538B1 (en) 2011-03-11 2019-03-06 Mc10, Inc. Integrated devices to facilitate quantitative assays and diagnostics
JP2014523633A (ja) 2011-05-27 2014-09-11 エムシー１０ インコーポレイテッド 電子的、光学的、且つ／又は機械的装置及びシステム並びにこれらの装置及びシステムを製造する方法
US9757050B2 (en) 2011-08-05 2017-09-12 Mc10, Inc. Catheter balloon employing force sensing elements
WO2013033724A1 (en) 2011-09-01 2013-03-07 Mc10, Inc. Electronics for detection of a condition of tissue
DE112012004146T5 (de) 2011-10-05 2014-11-06 Mc10, Inc. Herzkatheter mit Verwendung oberflächentreuer Elektronik zur Abbildung
WO2017185050A1 (en) * 2016-04-21 2017-10-26 Sensoria, Inc. Sensor assemblies; sensor-enabled garments and objects; devices and systems for data collection
FR2988223B1 (fr) * 2012-03-19 2016-09-02 Solarwell Dispositif emettant de la lumiere contenant des nanocristaux colloidaux semiconducteurs anisotropes aplatis et procede de fabrication de tels dispositifs
US9226402B2 (en) 2012-06-11 2015-12-29 Mc10, Inc. Strain isolation structures for stretchable electronics
US9247637B2 (en) 2012-06-11 2016-01-26 Mc10, Inc. Strain relief structures for stretchable interconnects
JP2015521894A (ja) 2012-07-05 2015-08-03 エムシー１０ インコーポレイテッドＭｃ１０，Ｉｎｃ． 流量センシングを含むカテーテルデバイス
US9295842B2 (en) 2012-07-05 2016-03-29 Mc10, Inc. Catheter or guidewire device including flow sensing and use thereof
US9171794B2 (en) * 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
KR20150072415A (ko) 2012-10-09 2015-06-29 엠씨10, 인크 의류에 집적되는 컨포멀 전자기기
DE102012110358B4 (de) * 2012-10-30 2016-04-07 Leibniz-Institut für Neurobiologie Magdeburg Mikroelektrodenarray
US10840536B2 (en) * 2013-02-06 2020-11-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Stretchable electronic systems with containment chambers
US9706647B2 (en) 2013-05-14 2017-07-11 Mc10, Inc. Conformal electronics including nested serpentine interconnects
KR20160040670A (ko) 2013-08-05 2016-04-14 엠씨10, 인크 곡면부착형 전자기기를 포함하는 유연한 온도 센서
KR20160065948A (ko) 2013-10-07 2016-06-09 엠씨10, 인크 감지 및 분석용 등각 센서 시스템
CN105813545A (zh) 2013-11-22 2016-07-27 Mc10股份有限公司 用于感测和分析心搏的适形传感器系统
WO2015103580A2 (en) 2014-01-06 2015-07-09 Mc10, Inc. Encapsulated conformal electronic systems and devices, and methods of making and using the same
US10485118B2 (en) 2014-03-04 2019-11-19 Mc10, Inc. Multi-part flexible encapsulation housing for electronic devices and methods of making the same
EP3117206A4 (en) 2014-03-12 2017-11-15 Mc10, Inc. Quantification of a change in assay
US10492703B2 (en) * 2014-03-28 2019-12-03 Board Of Regents, The University Of Texas System Epidermal sensor system and process
US9899330B2 (en) 2014-10-03 2018-02-20 Mc10, Inc. Flexible electronic circuits with embedded integrated circuit die
US10297572B2 (en) * 2014-10-06 2019-05-21 Mc10, Inc. Discrete flexible interconnects for modules of integrated circuits
USD781270S1 (en) 2014-10-15 2017-03-14 Mc10, Inc. Electronic device having antenna
FR3030112B1 (fr) * 2014-12-12 2018-02-02 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Assemblage d'une puce de circuits integres et d'une plaque
US10477354B2 (en) 2015-02-20 2019-11-12 Mc10, Inc. Automated detection and configuration of wearable devices based on on-body status, location, and/or orientation
WO2016140961A1 (en) 2015-03-02 2016-09-09 Mc10, Inc. Perspiration sensor
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
US10264669B2 (en) * 2015-05-01 2019-04-16 Research Triangle Institute Flexible electronic assemblies with embedded electronic devices and methods for their fabrication
US10182284B2 (en) * 2015-06-11 2019-01-15 Facebook Technologies, Llc Connector assembly for detachable audio system
TWI555044B (zh) * 2015-06-25 2016-10-21 Wafer Mems Co Ltd A method for producing a passive element with a terminal electrode
TWI592955B (zh) 2015-06-25 2017-07-21 Wafer Mems Co Ltd Embedded passive components and methods of mass production
WO2017015000A1 (en) 2015-07-17 2017-01-26 Mc10, Inc. Conductive stiffener, method of making a conductive stiffener, and conductive adhesive and encapsulation layers
WO2017031129A1 (en) 2015-08-19 2017-02-23 Mc10, Inc. Wearable heat flux devices and methods of use
WO2017052254A1 (ko) * 2015-09-23 2017-03-30 주식회사 아모그린텍 웨어러블 디바이스 및 그의 제조 방법
WO2017059215A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Mc10, Inc. Method and system for interacting with a virtual environment
CN108289630A (zh) 2015-10-05 2018-07-17 Mc10股份有限公司 用于神经调节和刺激的方法和系统
WO2017070030A1 (en) 2015-10-21 2017-04-27 Massachusetts Institute Of Technology Nanowire fet imaging system and related techniques
US10083888B2 (en) * 2015-11-19 2018-09-25 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package
EP3206229B1 (en) 2016-02-09 2020-10-07 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Methods of manufacturing flexible electronic devices
CN115175014A (zh) 2016-02-22 2022-10-11 美谛达解决方案公司 贴身传感器系统
CN108781313B (zh) 2016-02-22 2022-04-08 美谛达解决方案公司 用以贴身获取传感器信息的耦接的集线器和传感器节点的系统、装置和方法
WO2017156502A1 (en) 2016-03-10 2017-09-14 Carnegie Mellon University Integrated electronic device with flexible and stretchable substrate
EP3445230B1 (en) 2016-04-19 2024-03-13 Medidata Solutions, Inc. Method and system for measuring perspiration
US9930773B2 (en) 2016-06-21 2018-03-27 Microsoft Technology Licensing, Llc Flexible interconnect
US10815121B2 (en) * 2016-07-12 2020-10-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Composite wafers
US10447347B2 (en) 2016-08-12 2019-10-15 Mc10, Inc. Wireless charger and high speed data off-loader
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10902310B2 (en) 2016-12-14 2021-01-26 Trackonomy Systems, Inc. Wireless communications and transducer based event detection platform
US10885420B2 (en) 2016-12-14 2021-01-05 Ajay Khoche Package sealing tape types with varied transducer sampling densities
US10445634B2 (en) 2016-12-14 2019-10-15 Trackonomy Systems, Inc. Fabricating multifunction adhesive product for ubiquitous realtime tracking
US11138490B2 (en) 2016-12-14 2021-10-05 Ajay Khoche Hierarchical combination of distributed statistics in a monitoring network
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
EP3948750A4 (en) * 2018-02-06 2022-11-16 Wickersham, Jill Anne SYSTEMS AND PROCEDURES FOR REAL-TIME DETECTION AND PROCUREMENT OF ARTICLES
WO2020162935A1 (en) * 2019-02-06 2020-08-13 Wickersham Jill Anne Systems and methods for real-time item identification and sourcing
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
EP3768186B1 (en) * 2018-05-31 2022-09-14 St. Jude Medical, Cardiology Division, Inc. Catheter handle with compliant circuit
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
JP2020150168A (ja) * 2019-03-14 2020-09-17 キオクシア株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US11768262B2 (en) 2019-03-14 2023-09-26 Massachusetts Institute Of Technology Interface responsive to two or more sensor modalities
WO2020247354A1 (en) 2019-06-05 2020-12-10 Trackonomy Systems, Inc. Temperature monitoring in cold supply chains
WO2021051087A1 (en) 2019-09-13 2021-03-18 Trackonomy Systems, Inc. Roll-to-roll additive manufacturing method and device
US11464451B1 (en) 2020-03-11 2022-10-11 Huxley Medical, Inc. Patch for improved biometric data capture and related processes
US11123011B1 (en) 2020-03-23 2021-09-21 Nix, Inc. Wearable systems, devices, and methods for measurement and analysis of body fluids
US11864058B1 (en) 2020-10-04 2024-01-02 Trackonomy Systems, Inc. Flexible tracking device for cables and equipment
US11900195B2 (en) 2020-07-24 2024-02-13 Trackonomy Systems, Inc. Tearing to turn on wireless node with multiple cutouts for re-use
US12047841B2 (en) 2020-09-21 2024-07-23 Trackonomy Systems, Inc. Detecting special events and strategically important areas in an IoT tracking system
US11527148B1 (en) 2020-10-04 2022-12-13 Trackonomy Systems, Inc. Augmented reality for guiding users to assets in IOT applications
US12051916B1 (en) 2020-10-05 2024-07-30 Trackonomy Systems, Inc. Method for recharging wireless IOT devices and system thereof
WO2022126020A1 (en) 2020-12-12 2022-06-16 Trackonomy Systems, Inc. Flexible solar-powered wireless communication device
US20220264703A1 (en) * 2021-02-12 2022-08-18 William Marsh Rice University Integrated microheater array for efficient and localized heating of magnetic nanoparticles at microwave frequencies
US11660005B1 (en) 2021-06-04 2023-05-30 Huxley Medical, Inc. Processing and analyzing biometric data
US12109010B1 (en) 2021-08-24 2024-10-08 Huxley Medical, Inc. Photoplethysmography sensors and processes

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020079572A1 (en) * 2000-12-22 2002-06-27 Khan Reza-Ur Rahman Enhanced die-up ball grid array and method for making the same
US20030045025A1 (en) * 2000-01-26 2003-03-06 Coyle Anthony L. Method of fabricating a molded package for micromechanical devices
JP2005108942A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Nitto Denko Corp フレキシブル配線回路基板の製造方法
JP2007294724A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Toppan Printing Co Ltd 多層回路配線基板及び半導体装置
WO2008056499A1 (en) * 2006-11-06 2008-05-15 Nec Corporation Semiconductor device and method for manufacturing same
US20080211087A1 (en) * 2006-12-20 2008-09-04 Infineon Technologies Ag Chip module and method for producing a chip module
JP2008244473A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Endicott Interconnect Technologies Inc スタンドオフ付きフレキシブル電子回路パッケージ、及びその製造方法
US20110051384A1 (en) * 2006-02-02 2011-03-03 Arno Kriechbaum Printed circuit board element having at least one component embedded therein and method for embedding at least one component in a printed circuit board element
JP2011517370A (ja) * 2008-03-05 2011-06-02 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 伸張可能及び折畳み可能な電子デバイス
JP2011176112A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路及びその製造方法
JP2012023237A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Nec Corp 機能素子内蔵基板

Family Cites Families (780)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3716861A (en) 1971-03-22 1973-02-13 J Root Serpentine antenna mounted on a rotatable capacitive coupler
US3805427A (en) 1972-12-18 1974-04-23 H Epstein Medical alarm bracelet
US3838240A (en) 1973-04-04 1974-09-24 Rca Corp Bonding tool and method of bonding therewith
US4058418A (en) 1974-04-01 1977-11-15 Solarex Corporation Fabrication of thin film solar cells utilizing epitaxial deposition onto a liquid surface to obtain lateral growth
US3949410A (en) 1975-01-23 1976-04-06 International Business Machines Corporation Jet nozzle structure for electrohydrodynamic droplet formation and ink jet printing system therewith
CA1105565A (en) 1978-09-12 1981-07-21 Kaufman (John G.) Hospital Products Ltd. Electrosurgical electrode
US4278474A (en) 1980-03-25 1981-07-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Device for conversion of electromagnetic radiation into electrical current
US4416288A (en) 1980-08-14 1983-11-22 The Regents Of The University Of California Apparatus and method for reconstructing subsurface electrophysiological patterns
US4471003A (en) 1980-11-25 1984-09-11 Cann Gordon L Magnetoplasmadynamic apparatus and process for the separation and deposition of materials
US4487162A (en) 1980-11-25 1984-12-11 Cann Gordon L Magnetoplasmadynamic apparatus for the separation and deposition of materials
US4392451A (en) 1980-12-31 1983-07-12 The Boeing Company Apparatus for forming thin-film heterojunction solar cells employing materials selected from the class of I-III-VI2 chalcopyrite compounds
US4658153A (en) 1984-06-18 1987-04-14 Amnon Brosh Planar coil apparatus for providing a frequency output vs. position
US4761335A (en) 1985-03-07 1988-08-02 National Starch And Chemical Corporation Alpha-particle protection of semiconductor devices
US4855017A (en) 1985-05-03 1989-08-08 Texas Instruments Incorporated Trench etch process for a single-wafer RIE dry etch reactor
US4784720A (en) 1985-05-03 1988-11-15 Texas Instruments Incorporated Trench etch process for a single-wafer RIE dry etch reactor
US4663828A (en) 1985-10-11 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Process and apparatus for continuous production of lightweight arrays of photovoltaic cells
US4763275A (en) 1986-02-20 1988-08-09 Carlin John A Force accumulating device for sporting protective gear
US4918811A (en) * 1986-09-26 1990-04-24 General Electric Company Multichip integrated circuit packaging method
US4766670A (en) 1987-02-02 1988-08-30 International Business Machines Corporation Full panel electronic packaging structure and method of making same
JPH01223064A (ja) 1988-03-02 1989-09-06 Hitachi Ltd 駆動輪空転防止装置
US5439575A (en) 1988-06-30 1995-08-08 Board Of Trustees Of The University Of Illinois Hybrid method for depositing semi-conductive materials
CA1292572C (en) 1988-10-25 1991-11-26 Fernando C. Lebron Cardiac mapping system simulator
US4911169A (en) 1989-03-13 1990-03-27 Ferrari Robert K Biomedical electrode with limb band
US5178957A (en) 1989-05-02 1993-01-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Noble metal-polymer composites and flexible thin-film conductors prepared therefrom
US5250903A (en) 1989-05-31 1993-10-05 Amoco Corporation Method and apparatus using oscillatory magnetic field to determine state of charge of an electrolytic storage cell
US5086785A (en) 1989-08-10 1992-02-11 Abrams/Gentille Entertainment Inc. Angular displacement sensors
US5059424A (en) 1989-11-01 1991-10-22 Ndm Acquisition Corp. Hydrogel wound dressing product
US5118400A (en) 1990-01-29 1992-06-02 Spire Corporation Method of making biocompatible electrodes
US5108819A (en) 1990-02-14 1992-04-28 Eli Lilly And Company Thin film electrical component
DE59109246D1 (de) 1990-05-03 2003-04-03 Hoffmann La Roche Mikrooptischer Sensor
US5147519A (en) 1990-07-27 1992-09-15 Motorola, Inc. Method of manufacturing elastomers containing fine line conductors
US5206749A (en) 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
US5475514A (en) 1990-12-31 1995-12-12 Kopin Corporation Transferred single crystal arrayed devices including a light shield for projection displays
US6387052B1 (en) 1991-01-29 2002-05-14 Edwards Lifesciences Corporation Thermodilution catheter having a safe, flexible heating element
US5560974A (en) 1991-03-22 1996-10-01 Kappler Safety Group, Inc. Breathable non-woven composite barrier fabric and fabrication process
WO1992017240A1 (en) 1991-04-05 1992-10-15 Medtronic, Inc. Subcutaneous multi-electrode sensing system
US5204144A (en) 1991-05-10 1993-04-20 Celestech, Inc. Method for plasma deposition on apertured substrates
JPH0587511A (ja) 1991-07-24 1993-04-06 Yamaha Corp 曲げ検出装置
US5246003A (en) 1991-08-28 1993-09-21 Nellcor Incorporated Disposable pulse oximeter sensor
US5272375A (en) 1991-12-26 1993-12-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic assembly with optimum heat dissipation
US5539935A (en) 1992-01-10 1996-07-30 Rush, Iii; Gus A. Sports helmet
US5313094A (en) 1992-01-28 1994-05-17 International Business Machines Corportion Thermal dissipation of integrated circuits using diamond paths
US5491651A (en) 1992-05-15 1996-02-13 Key, Idea Development Flexible wearable computer
US5306917A (en) 1992-08-12 1994-04-26 Reliant Laser Corporation Electro-optical system for measuring and analyzing accumulated short-wave and long-wave ultraviolet radiation exposure
US5309910A (en) 1992-09-25 1994-05-10 Ep Technologies, Inc. Cardiac mapping and ablation systems
US5549108A (en) 1992-09-25 1996-08-27 Ep Technologies, Inc. Cardiac mapping and ablation systems
US5471982A (en) 1992-09-29 1995-12-05 Ep Technologies, Inc. Cardiac mapping and ablation systems
US5687737A (en) 1992-10-09 1997-11-18 Washington University Computerized three-dimensional cardiac mapping with interactive visual displays
DE4241045C1 (de) 1992-12-05 1994-05-26 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium
AU676711B2 (en) 1992-12-31 1997-03-20 Alza Corporation Electrotransport system having flexible means
US6233491B1 (en) 1993-03-16 2001-05-15 Ep Technologies, Inc. Cardiac mapping and ablation systems
GB2276326B (en) 1993-03-23 1996-10-09 Mclaughlin James A Profiled biosignal electrode device
US5617870A (en) 1993-04-29 1997-04-08 Scimed Life Systems, Inc. Intravascular flow measurement system
US5477088A (en) 1993-05-12 1995-12-19 Rockett; Angus A. Multi-phase back contacts for CIS solar cells
US5326521A (en) 1993-05-26 1994-07-05 East Douglas A Method for preparing silicone mold tooling
US5860974A (en) 1993-07-01 1999-01-19 Boston Scientific Corporation Heart ablation catheter with expandable electrode and method of coupling energy to an electrode on a catheter shaft
US5837546A (en) 1993-08-24 1998-11-17 Metrika, Inc. Electronic assay device and method
CA2170402C (en) 1993-08-24 2000-07-18 Michael P. Allen Novel disposable electronic assay device
US5591941A (en) 1993-10-28 1997-01-07 International Business Machines Corporation Solder ball interconnected assembly
US5793107A (en) 1993-10-29 1998-08-11 Vlsi Technology, Inc. Polysilicon pillar heat sinks for semiconductor on insulator circuits
US5360987A (en) 1993-11-17 1994-11-01 At&T Bell Laboratories Semiconductor photodiode device with isolation region
US5427096A (en) 1993-11-19 1995-06-27 Cmc Assemblers, Inc. Water-degradable electrode
US5545291A (en) 1993-12-17 1996-08-13 The Regents Of The University Of California Method for fabricating self-assembling microstructures
US5904545A (en) 1993-12-17 1999-05-18 The Regents Of The University Of California Apparatus for fabricating self-assembling microstructures
US6864570B2 (en) 1993-12-17 2005-03-08 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures
US5824186A (en) 1993-12-17 1998-10-20 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures
US5514242A (en) 1993-12-30 1996-05-07 Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Method of forming a heat-sinked electronic component
EP0676814B1 (en) 1994-04-06 2006-03-22 Denso Corporation Process of producing trench semiconductor device
US5434751A (en) 1994-04-11 1995-07-18 Martin Marietta Corporation Reworkable high density interconnect structure incorporating a release layer
US5753529A (en) 1994-05-05 1998-05-19 Siliconix Incorporated Surface mount and flip chip technology for total integrated circuit isolation
US5454270A (en) 1994-06-06 1995-10-03 Motorola, Inc. Hermetically sealed pressure sensor and method thereof
US5567975A (en) 1994-06-30 1996-10-22 Santa Barbara Research Center Group II-VI radiation detector for simultaneous visible and IR detection
US5525815A (en) 1994-10-03 1996-06-11 General Electric Company Diamond film structure with high thermal conductivity
US5767578A (en) 1994-10-12 1998-06-16 Siliconix Incorporated Surface mount and flip chip technology with diamond film passivation for total integated circuit isolation
US5625471A (en) 1994-11-02 1997-04-29 Litel Instruments Dual plate holographic imaging technique and masks
US6266623B1 (en) 1994-11-21 2001-07-24 Phatrat Technology, Inc. Sport monitoring apparatus for determining loft time, speed, power absorbed and other factors such as height
US5686697A (en) 1995-01-06 1997-11-11 Metatech Corporation Electrical circuit suspension system
US6176842B1 (en) 1995-03-08 2001-01-23 Ekos Corporation Ultrasound assembly for use with light activated drugs
US5917534A (en) 1995-06-29 1999-06-29 Eastman Kodak Company Light-emitting diode arrays with integrated photodetectors formed as a monolithic device and methods and apparatus for using same
US6459418B1 (en) 1995-07-20 2002-10-01 E Ink Corporation Displays combining active and non-active inks
US6639578B1 (en) 1995-07-20 2003-10-28 E Ink Corporation Flexible displays
US6023638A (en) 1995-07-28 2000-02-08 Scimed Life Systems, Inc. System and method for conducting electrophysiological testing using high-voltage energy pulses to stun tissue
US5872051A (en) 1995-08-02 1999-02-16 International Business Machines Corporation Process for transferring material to semiconductor chip conductive pads using a transfer substrate
GB9611437D0 (en) 1995-08-03 1996-08-07 Secr Defence Biomaterial
EP0784542B1 (en) 1995-08-04 2001-11-28 International Business Machines Corporation Stamp for a lithographic process
US6518168B1 (en) 1995-08-18 2003-02-11 President And Fellows Of Harvard College Self-assembled monolayer directed patterning of surfaces
US5612513A (en) 1995-09-19 1997-03-18 Micron Communications, Inc. Article and method of manufacturing an enclosed electrical circuit using an encapsulant
US5772905A (en) 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
NL1001890C2 (nl) 1995-12-13 1997-06-17 Cordis Europ Catheter met plaatvormige elektrode-reeks.
JP3316820B2 (ja) 1995-12-28 2002-08-19 シィグナス インコーポレィティド 被験者の生理的分析物の継続モニタリング装置及び方法
GB9601289D0 (en) 1996-01-23 1996-03-27 Nimbus Manufacturing Uk Limite Manufacture of optical data storage disc
SE9600334D0 (sv) 1996-01-30 1996-01-30 Radi Medical Systems Combined flow, pressure and temperature sensor
JP3957803B2 (ja) 1996-02-22 2007-08-15 キヤノン株式会社 光電変換装置
US5880369A (en) 1996-03-15 1999-03-09 Analog Devices, Inc. Micromachined device with enhanced dimensional control
US5790151A (en) 1996-03-27 1998-08-04 Imaging Technology International Corp. Ink jet printhead and method of making
US6628987B1 (en) 2000-09-26 2003-09-30 Medtronic, Inc. Method and system for sensing cardiac contractions during vagal stimulation-induced cardiopalegia
US5968839A (en) 1996-05-13 1999-10-19 Metrika, Inc. Method and device producing a predetermined distribution of detectable change in assays
US6784023B2 (en) 1996-05-20 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method of fabrication of stacked semiconductor devices
US5978972A (en) 1996-06-14 1999-11-09 Johns Hopkins University Helmet system including at least three accelerometers and mass memory and method for recording in real-time orthogonal acceleration data of a head
DE19643550A1 (de) 1996-10-24 1998-05-14 Leybold Systems Gmbh Lichttransparentes, Wärmestrahlung reflektierendes Schichtensystem
US5691245A (en) 1996-10-28 1997-11-25 He Holdings, Inc. Methods of forming two-sided HDMI interconnect structures
US5817008A (en) 1996-10-31 1998-10-06 Spacelabs Medical, Inc. Conformal pulse oximetry sensor and monitor
GB9704737D0 (en) 1997-03-07 1997-04-23 Optel Instr Limited Biological measurement system
US6980196B1 (en) 1997-03-18 2005-12-27 Massachusetts Institute Of Technology Printable electronic display
US5998291A (en) 1997-04-07 1999-12-07 Raytheon Company Attachment method for assembly of high density multiple interconnect structures
US6063046A (en) 1997-04-11 2000-05-16 Allum; John H. Method and apparatus for the diagnosis and rehabilitation of balance disorders
AUPO662497A0 (en) 1997-05-05 1997-05-29 Cardiac Crc Nominees Pty Limited An epicardial electrode array
US5907189A (en) 1997-05-29 1999-05-25 Lsi Logic Corporation Conformal diamond coating for thermal improvement of electronic packages
DE19829309B4 (de) 1997-07-04 2008-02-07 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki Verfahren zur Herstellung eines thermischen Oxidfilms auf Siliciumcarbid
US6024702A (en) 1997-09-03 2000-02-15 Pmt Corporation Implantable electrode manufactured with flexible printed circuit
US5928001A (en) 1997-09-08 1999-07-27 Motorola, Inc. Surface mountable flexible interconnect
FR2769640B1 (fr) 1997-10-15 1999-12-17 Sgs Thomson Microelectronics Amelioration de la resistance mecanique d'une tranche de silicium monocristallin
US6730047B2 (en) 1997-10-24 2004-05-04 Creative Sports Technologies, Inc. Head gear including a data augmentation unit for detecting head motion and providing feedback relating to the head motion
DE19748173A1 (de) 1997-10-31 1999-05-06 Ahlers Horst Dr Ing Habil Elektronikbauelemente einschließlich Sensoren
US6171730B1 (en) 1997-11-07 2001-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and exposure apparatus
US20050096513A1 (en) 1997-11-11 2005-05-05 Irvine Sensors Corporation Wearable biomonitor with flexible thinned integrated circuit
US6009632A (en) 1997-12-12 2000-01-04 Mercury Diagnostics, Inc. Alignment system for optical analyte testing meter components
WO1999035488A1 (fr) 1997-12-31 1999-07-15 Jean Desarnaud Capteurs capacitifs de mesure d'humidite et procede de fabrication de tels capteurs
JP3219043B2 (ja) 1998-01-07 2001-10-15 日本電気株式会社 半導体装置のパッケージ方法および半導体装置
US5955781A (en) 1998-01-13 1999-09-21 International Business Machines Corporation Embedded thermal conductors for semiconductor chips
JP3359910B2 (ja) 1998-01-22 2002-12-24 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン マイクロシステム及びマイクロシステムを製造する方法
GB9805214D0 (en) 1998-03-11 1998-05-06 Univ Glasgow Cell adhesion
US6316283B1 (en) 1998-03-25 2001-11-13 Asulab Sa Batch manufacturing method for photovoltaic cells
WO1999052588A1 (en) 1998-04-14 1999-10-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electro-stimulation apparatus
US6181551B1 (en) 1998-04-15 2001-01-30 Dell Usa, L.P. Pin soldering enhancement and method
US6338727B1 (en) 1998-08-13 2002-01-15 Alsius Corporation Indwelling heat exchange catheter and method of using same
US5979972A (en) 1998-04-29 1999-11-09 Fleetwood Folding Trailers, Inc. Folding trailer with integral cargo platform
US6057212A (en) 1998-05-04 2000-05-02 International Business Machines Corporation Method for making bonded metal back-plane substrates
KR100275730B1 (ko) 1998-05-11 2000-12-15 윤종용 트렌치 소자분리 방법
JP3511895B2 (ja) 1998-06-05 2004-03-29 株式会社村田製作所 セラミック多層基板の製造方法
US6322963B1 (en) 1998-06-15 2001-11-27 Biosensor Systems Design., Inc. Sensor for analyte detection
US7209787B2 (en) 1998-08-05 2007-04-24 Bioneuronics Corporation Apparatus and method for closed-loop intracranial stimulation for optimal control of neurological disease
US6239980B1 (en) * 1998-08-31 2001-05-29 General Electric Company Multimodule interconnect structure and process
US6148127A (en) 1998-09-23 2000-11-14 Lucent Technologies Inc. Tunable dispersion compensator and optical system comprising same
WO2000030084A1 (en) 1998-11-16 2000-05-25 Cambridge Scientific, Inc. Biopolymer-based holographic optical element
US6097984A (en) 1998-11-25 2000-08-01 Medtronic, Inc. System and method of stimulation for treating gastro-esophageal reflux disease
IT1310000B1 (it) 1999-01-26 2002-02-05 Consiglio Nazionale Ricerche Sensore a fibra ottica e trasduttore fotocromico per fotometria eradiometria e relativo metodo
US6236883B1 (en) 1999-02-03 2001-05-22 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods and systems for localizing reentrant circuits from electrogram features
KR100686784B1 (ko) 1999-02-05 2007-02-23 알리엔 테크놀로지 코포레이션 어셈블리를 형성하는 방법 및 장치
US6281038B1 (en) 1999-02-05 2001-08-28 Alien Technology Corporation Methods for forming assemblies
US6850312B2 (en) 1999-03-16 2005-02-01 Alien Technology Corporation Apparatuses and methods for flexible displays
US6683663B1 (en) 1999-02-05 2004-01-27 Alien Technology Corporation Web fabrication of devices
US6274508B1 (en) 1999-02-05 2001-08-14 Alien Technology Corporation Apparatuses and methods used in forming assemblies
US6555408B1 (en) 1999-02-05 2003-04-29 Alien Technology Corporation Methods for transferring elements from a template to a substrate
US6291896B1 (en) 1999-02-16 2001-09-18 Alien Technology Corporation Functionally symmetric integrated circuit die
US6606079B1 (en) 1999-02-16 2003-08-12 Alien Technology Corporation Pixel integrated circuit
US6380729B1 (en) 1999-02-16 2002-04-30 Alien Technology Corporation Testing integrated circuit dice
US6752505B2 (en) 1999-02-23 2004-06-22 Solid State Opto Limited Light redirecting films and film systems
US6334960B1 (en) 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
US6316278B1 (en) 1999-03-16 2001-11-13 Alien Technology Corporation Methods for fabricating a multiple modular assembly
US6468638B2 (en) 1999-03-16 2002-10-22 Alien Technology Corporation Web process interconnect in electronic assemblies
KR100434537B1 (ko) 1999-03-31 2004-06-05 삼성전자주식회사 다공질 실리콘 혹은 다공질 산화 실리콘을 이용한 두꺼운 희생층을 가진 다층 구조 웨이퍼 및 그 제조방법
US6433401B1 (en) 1999-04-06 2002-08-13 Analog Devices Imi, Inc. Microfabricated structures with trench-isolation using bonded-substrates and cavities
EE04249B1 (et) 1999-04-21 2004-02-16 Asper O� Meetod biopolümeermaatriksi lugemiseks ja fluorestsentsdetektor
US6276775B1 (en) 1999-04-29 2001-08-21 Hewlett-Packard Company Variable drop mass inkjet drop generator
US6225149B1 (en) 1999-05-03 2001-05-01 Feng Yuan Gan Methods to fabricate thin film transistors and circuits
US6150602A (en) 1999-05-25 2000-11-21 Hughes Electronics Corporation Large area solar cell extended life interconnect
US7426409B2 (en) 1999-06-25 2008-09-16 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for detecting vulnerable atherosclerotic plaque
JP3419348B2 (ja) 1999-06-28 2003-06-23 日本電気株式会社 集積回路素子接続用ケーブルおよびその製造方法
US20020082515A1 (en) 1999-07-01 2002-06-27 Campbell Thomas H. Thermography catheter
DE60043441D1 (de) 1999-07-21 2010-01-14 E Ink Corp Bevorzugte methode, elektrische leiterbahnen für dellen
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
GB2355116B (en) 1999-10-08 2003-10-08 Nokia Mobile Phones Ltd An antenna assembly and method of construction
WO2001031082A1 (en) 1999-10-28 2001-05-03 P1 Diamond, Inc. Improved diamond thermal management components
US6623579B1 (en) 1999-11-02 2003-09-23 Alien Technology Corporation Methods and apparatus for fluidic self assembly
US6479395B1 (en) 1999-11-02 2002-11-12 Alien Technology Corporation Methods for forming openings in a substrate and apparatuses with these openings and methods for creating assemblies with openings
US6420266B1 (en) 1999-11-02 2002-07-16 Alien Technology Corporation Methods for creating elements of predetermined shape and apparatuses using these elements
US6527964B1 (en) 1999-11-02 2003-03-04 Alien Technology Corporation Methods and apparatuses for improved flow in performing fluidic self assembly
US6451191B1 (en) 1999-11-18 2002-09-17 3M Innovative Properties Company Film based addressable programmable electronic matrix articles and methods of manufacturing and using the same
US6641860B1 (en) 2000-01-03 2003-11-04 T-Ink, L.L.C. Method of manufacturing printed circuit boards
US6220916B1 (en) 2000-01-21 2001-04-24 Philip D. Bart Toy band with pre-recorded message
WO2001053559A1 (en) 2000-01-24 2001-07-26 Smart Therapeutics, Inc. Thin-film shape memory alloy device and method
AU2001240043A1 (en) 2000-03-06 2001-09-17 University Of Connecticut Apparatus and method for fabrication of photonic crystals
JP4360015B2 (ja) 2000-03-17 2009-11-11 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法
ATE280976T1 (de) * 2000-03-24 2004-11-15 Infineon Technologies Ag Gehäuse für biometrische sensorchips
CA2404923A1 (en) 2000-03-31 2001-10-11 Rita Medical Systems, Inc. Tissue biopsy and treatment apparatus and method
US7252664B2 (en) 2000-05-12 2007-08-07 Cardima, Inc. System and method for multi-channel RF energy delivery with coagulum reduction
US7070098B1 (en) 2000-05-24 2006-07-04 Silverbrook Res Pty Ltd Printed page tag encoder
US6360615B1 (en) 2000-06-06 2002-03-26 Technoskin, Llc Wearable effect-emitting strain gauge device
WO2001097276A1 (en) 2000-06-14 2001-12-20 Sekisui Chemical Co., Ltd. Microparticle arrangement film, electrical connection film, electrical connection structure, and microparticle arrangement method
US6787052B1 (en) 2000-06-19 2004-09-07 Vladimir Vaganov Method for fabricating microstructures with deep anisotropic etching of thick silicon wafers
CN1214286C (zh) 2000-06-22 2005-08-10 皇家菲利浦电子有限公司 形成光学图象的方法、用于本方法的掩模、用本方法制造器件的方法及实施本方法的设备
US6403397B1 (en) 2000-06-28 2002-06-11 Agere Systems Guardian Corp. Process for fabricating organic semiconductor device involving selective patterning
US6723576B2 (en) 2000-06-30 2004-04-20 Seiko Epson Corporation Disposing method for semiconductor elements
US6511478B1 (en) 2000-06-30 2003-01-28 Scimed Life Systems, Inc. Medical probe with reduced number of temperature sensor wires
JP4120184B2 (ja) 2000-06-30 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 実装用微小構造体および光伝送装置
EP1297387A2 (en) 2000-06-30 2003-04-02 President And Fellows of Harvard College Electric microcontact printing method and apparatus
EP1178302B1 (en) 2000-07-03 2005-10-26 Matsushita Electric Works, Ltd. Capacitance type moisture sensor and method of producing the same
EP1305659B1 (en) 2000-07-21 2004-12-08 Micro Managed Photons A/S Surface plasmon polariton band gap structures
US6938783B2 (en) * 2000-07-26 2005-09-06 Amerasia International Technology, Inc. Carrier tape
DE10037715A1 (de) 2000-08-02 2002-02-14 Endress Hauser Gmbh Co Vorrichtung zur Messung des Füllstands eines Füllguts in einem Behälter
US6836744B1 (en) 2000-08-18 2004-12-28 Fareid A. Asphahani Portable system for analyzing human gait
US6780696B1 (en) 2000-09-12 2004-08-24 Alien Technology Corporation Method and apparatus for self-assembly of functional blocks on a substrate facilitated by electrode pairs
JP2002092984A (ja) 2000-09-18 2002-03-29 Hitachi Maxell Ltd スタンパ及びその製造方法、並びにプラスチック基板
US6980184B1 (en) 2000-09-27 2005-12-27 Alien Technology Corporation Display devices and integrated circuits
US6640120B1 (en) 2000-10-05 2003-10-28 Scimed Life Systems, Inc. Probe assembly for mapping and ablating pulmonary vein tissue and method of using same
US6826509B2 (en) 2000-10-11 2004-11-30 Riddell, Inc. System and method for measuring the linear and rotational acceleration of a body part
US7526389B2 (en) 2000-10-11 2009-04-28 Riddell, Inc. Power management of a system for measuring the acceleration of a body part
US6814898B1 (en) 2000-10-17 2004-11-09 Seagate Technology Llc Imprint lithography utilizing room temperature embossing
US6775906B1 (en) 2000-10-20 2004-08-17 Silverbrook Research Pty Ltd Method of manufacturing an integrated circuit carrier
US6421016B1 (en) 2000-10-23 2002-07-16 Motorola, Inc. Antenna system with channeled RF currents
GB2385975B (en) 2000-11-21 2004-10-13 Avery Dennison Corp Display device and methods of manufacture and control
JP2004521485A (ja) 2000-11-27 2004-07-15 コピン コーポレーション 格子整合されたベース層を有するバイポーラトランジスタ
JP2004520870A (ja) 2000-11-28 2004-07-15 アレズ フィジオニックス リミテッド 非侵襲的な生理学的評価システムおよびその方法
US6743982B2 (en) 2000-11-29 2004-06-01 Xerox Corporation Stretchable interconnects using stress gradient films
AUPR174800A0 (en) 2000-11-29 2000-12-21 Australian National University, The Semiconductor processing
GB0029312D0 (en) 2000-12-01 2001-01-17 Philips Corp Intellectual Pty Flexible electronic device
US20020070443A1 (en) * 2000-12-08 2002-06-13 Xiao-Chun Mu Microelectronic package having an integrated heat sink and build-up layers
US6603440B2 (en) 2000-12-14 2003-08-05 Protura Wireless, Inc. Arrayed-segment loop antenna
US6608360B2 (en) 2000-12-15 2003-08-19 University Of Houston One-chip micro-integrated optoelectronic sensor
US20070031607A1 (en) 2000-12-19 2007-02-08 Alexander Dubson Method and apparatus for coating medical implants
US6541098B2 (en) * 2000-12-22 2003-04-01 Avery Dennison Corporation Three-dimensional flexible adhesive film structures
US6666821B2 (en) 2001-01-08 2003-12-23 Medtronic, Inc. Sensor system
AU2002241834B2 (en) 2001-01-09 2006-11-09 Microchips, Inc. Flexible microchip devices for opthalmic and other applications
US7078582B2 (en) 2001-01-17 2006-07-18 3M Innovative Properties Company Stretch removable adhesive articles and methods
US6655286B2 (en) 2001-01-19 2003-12-02 Lucent Technologies Inc. Method for preventing distortions in a flexibly transferred feature pattern
US20030017848A1 (en) 2001-07-17 2003-01-23 Engstrom G. Eric Personalizing electronic devices and smart covering
US6944482B2 (en) 2001-01-22 2005-09-13 Wildseed Ltd. Visualization supplemented wireless mobile telephony
US20020110766A1 (en) 2001-02-09 2002-08-15 Industrial Technology Research Institute Process method of using excimer laser for forming micro spherical and non-spherical polymeric structure array
JP3665579B2 (ja) 2001-02-26 2005-06-29 ソニーケミカル株式会社 電気装置製造方法
ES2587906T3 (es) 2001-03-06 2016-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Dispositivo de visualización
EP1370322B1 (en) 2001-03-08 2005-11-09 Medtronic, Inc. Lead with adjustable angular and spatial relationships between electrodes
WO2002073699A2 (en) 2001-03-14 2002-09-19 University Of Massachusetts Nanofabrication
US6417025B1 (en) 2001-04-02 2002-07-09 Alien Technology Corporation Integrated circuit packages assembled utilizing fluidic self-assembly
US6600363B2 (en) 2001-04-05 2003-07-29 Cornell Research Foundation, Inc. Folded floating-gate differential pair amplifier
US6667548B2 (en) 2001-04-06 2003-12-23 Intel Corporation Diamond heat spreading and cooling technique for integrated circuits
US6477417B1 (en) 2001-04-12 2002-11-05 Pacesetter, Inc. System and method for automatically selecting electrode polarity during sensing and stimulation
US7232460B2 (en) 2001-04-25 2007-06-19 Xillus, Inc. Nanodevices, microdevices and sensors on in-vivo structures and method for the same
US6864435B2 (en) 2001-04-25 2005-03-08 Alien Technology Corporation Electrical contacts for flexible displays
KR100380107B1 (ko) 2001-04-30 2003-04-11 삼성전자주식회사 발열체를 갖는 회로 기판과 기밀 밀봉부를 갖는 멀티 칩패키지
DE10122324A1 (de) 2001-05-08 2002-11-14 Philips Corp Intellectual Pty Flexible integrierte monolithische Schaltung
US6455931B1 (en) 2001-05-15 2002-09-24 Raytheon Company Monolithic microelectronic array structure having substrate islands and its fabrication
US6533731B2 (en) 2001-05-15 2003-03-18 Lifecheck, Llc Method and apparatus for measuring heat flow
WO2002092778A2 (en) 2001-05-17 2002-11-21 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Device and method for three-dimensional spatial localization and functional interconnection of different types of cells
US6988667B2 (en) 2001-05-31 2006-01-24 Alien Technology Corporation Methods and apparatuses to identify devices
US6606247B2 (en) 2001-05-31 2003-08-12 Alien Technology Corporation Multi-feature-size electronic structures
WO2002103760A2 (en) 2001-06-14 2002-12-27 Amberware Systems Corporation Method of selective removal of sige alloys
US6626940B2 (en) 2001-06-15 2003-09-30 Scimed Life Systems, Inc. Medical device activation system
US20030006527A1 (en) 2001-06-22 2003-01-09 Rabolt John F. Method of fabricating micron-and submicron-scale elastomeric templates for surface patterning
US6984934B2 (en) 2001-07-10 2006-01-10 The Trustees Of Princeton University Micro-lens arrays for display intensity enhancement
US6410971B1 (en) 2001-07-12 2002-06-25 Ferrotec (Usa) Corporation Thermoelectric module with thin film substrates
US6657289B1 (en) 2001-07-13 2003-12-02 Alien Technology Corporation Apparatus relating to block configurations and fluidic self-assembly processes
US6590346B1 (en) 2001-07-16 2003-07-08 Alien Technology Corporation Double-metal background driven displays
US6856830B2 (en) 2001-07-19 2005-02-15 Bin He Method and apparatus of three dimension electrocardiographic imaging
WO2003009396A2 (en) 2001-07-20 2003-01-30 Microlink Devices, Inc. Algaas or ingap low turn-on voltage gaas-based heterojunction bipolar transistor
US6661037B2 (en) 2001-07-20 2003-12-09 Microlink Devices, Inc. Low emitter resistance contacts to GaAs high speed HBT
AU2002322581A1 (en) 2001-07-20 2003-03-03 Microlink Devices, Inc. Graded base gaassb for high speed gaas hbt
US6706402B2 (en) 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US6770966B2 (en) 2001-07-31 2004-08-03 Intel Corporation Electronic assembly including a die having an integrated circuit and a layer of diamond to transfer heat
JP4638626B2 (ja) 2001-08-01 2011-02-23 北川工業株式会社 磁性体の成形方法、磁性体、およびプリント基板
US6949199B1 (en) 2001-08-16 2005-09-27 Seagate Technology Llc Heat-transfer-stamp process for thermal imprint lithography
US6863219B1 (en) 2001-08-17 2005-03-08 Alien Technology Corporation Apparatuses and methods for forming electronic assemblies
US6731353B1 (en) 2001-08-17 2004-05-04 Alien Technology Corporation Method and apparatus for transferring blocks
US6861757B2 (en) * 2001-09-03 2005-03-01 Nec Corporation Interconnecting substrate for carrying semiconductor device, method of producing thereof and package of semiconductor device
WO2003021679A2 (en) 2001-09-03 2003-03-13 National Microelectronic Research Centre University College Cork - National University Of Ireland Cork Integrated circuit structure and a method of making an integrated circuit structure
JP2003077940A (ja) 2001-09-06 2003-03-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
AUPR795401A0 (en) 2001-09-28 2001-10-18 University Of Queensland, The Components based on melanin and melanin-like bio-molecules and processes for their production
US7193504B2 (en) 2001-10-09 2007-03-20 Alien Technology Corporation Methods and apparatuses for identification
US6936181B2 (en) 2001-10-11 2005-08-30 Kovio, Inc. Methods for patterning using liquid embossing
TW594947B (en) 2001-10-30 2004-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7146221B2 (en) 2001-11-16 2006-12-05 The Regents Of The University Of California Flexible electrode array for artifical vision
AU2002360407A1 (en) 2001-11-20 2003-09-02 California Institute Of Technology Neural prosthetic micro system
JP4301950B2 (ja) 2001-12-04 2009-07-22 オリジン エナジー ソーラー ピーティーワイ リミテッド 太陽電池用の薄いシリコンシートを製造する方法
US6844673B1 (en) 2001-12-06 2005-01-18 Alien Technology Corporation Split-fabrication for light emitting display structures
US20040092806A1 (en) 2001-12-11 2004-05-13 Sagon Stephen W Microelectrode catheter for mapping and ablation
JP4263400B2 (ja) 2001-12-21 2009-05-13 株式会社ブリヂストン 路面摩擦係数推定方法と路面摩擦係数推定装置
US6887450B2 (en) 2002-01-02 2005-05-03 Zyvex Corporation Directional assembly of carbon nanotube strings
US7998080B2 (en) 2002-01-15 2011-08-16 Orsan Medical Technologies Ltd. Method for monitoring blood flow to brain
DE10202123A1 (de) 2002-01-21 2003-07-31 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Integration von Elektronik in Textilien
US6653030B2 (en) 2002-01-23 2003-11-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features
AU2003205307B2 (en) 2002-01-23 2009-03-26 Ruizhang Technology Limited Company Apparatus incorporating small-feature-size and large-feature-size components and method for making same
US6608370B1 (en) 2002-01-28 2003-08-19 Motorola, Inc. Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same
US20030149456A1 (en) 2002-02-01 2003-08-07 Rottenberg William B. Multi-electrode cardiac lead adapter with multiplexer
US6693384B1 (en) 2002-02-01 2004-02-17 Alien Technology Corporation Interconnect structure for electronic devices
US20030162507A1 (en) 2002-02-20 2003-08-28 Vatt Gregory B. Semiconductor structure for high speed digital and radio frequency processing
JP3975272B2 (ja) 2002-02-21 2007-09-12 独立行政法人産業技術総合研究所 超微細流体ジェット装置
EP1340622B1 (en) 2002-03-01 2006-12-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Thermally transferable image protective sheet, method for protective layer formation, and record produced by said method
AU2003212753A1 (en) 2002-03-07 2003-09-16 Acreo Ab Electrochemical device
JP3889700B2 (ja) 2002-03-13 2007-03-07 三井金属鉱業株式会社 Ｃｏｆフィルムキャリアテープの製造方法
US6950220B2 (en) 2002-03-18 2005-09-27 E Ink Corporation Electro-optic displays, and methods for driving same
US20060134713A1 (en) 2002-03-21 2006-06-22 Lifescan, Inc. Biosensor apparatus and methods of use
JP3980918B2 (ja) 2002-03-28 2007-09-26 株式会社東芝 アクティブマトリクス基板及びその製造方法、表示装置
JP2003297974A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Seiko Epson Corp 半導体装置、電気光学装置および半導体装置の製造方法
US6872645B2 (en) 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US20040026684A1 (en) 2002-04-02 2004-02-12 Nanosys, Inc. Nanowire heterostructures for encoding information
WO2003089515A1 (fr) 2002-04-22 2003-10-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Composition de semi-conducteur organique, element semi-conducteur organique et procede pour les produire
US8328420B2 (en) 2003-04-22 2012-12-11 Marcio Marc Abreu Apparatus and method for measuring biologic parameters
KR100896167B1 (ko) 2002-04-24 2009-05-11 이 잉크 코포레이션 전자 표시장치
US6946205B2 (en) 2002-04-25 2005-09-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wiring transfer sheet and method for producing the same, and wiring board and method for producing the same
DE10219120A1 (de) 2002-04-29 2003-11-20 Infineon Technologies Ag Oberflächenfunktionalisierte anorganische Halbleiterpartikel als elektrische Halbleiter für mikroelektronische Anwendungen
US7307293B2 (en) 2002-04-29 2007-12-11 Silicon Pipe, Inc. Direct-connect integrated circuit signaling system for bypassing intra-substrate printed circuit signal paths
US6930608B2 (en) 2002-05-14 2005-08-16 Motorola, Inc Apparel having multiple alternative sensors and corresponding method
JP4052631B2 (ja) 2002-05-17 2008-02-27 株式会社東芝 アクティブマトリクス型表示装置
WO2004000915A2 (en) 2002-06-24 2003-12-31 Tufts University Silk biomaterials and methods of use thereof
AU2003253690A1 (en) 2002-06-24 2004-01-06 Massachusetts Institute Of Technology Silk biomaterials and methods of use thereof
AU2003258969A1 (en) 2002-06-27 2004-01-19 Nanosys Inc. Planar nanowire based sensor elements, devices, systems and methods for using and making same
US6665187B1 (en) * 2002-07-16 2003-12-16 International Business Machines Corporation Thermally enhanced lid for multichip modules
US7371963B2 (en) 2002-07-31 2008-05-13 Kyocera Corporation Photovoltaic power generation system
US6980777B2 (en) 2002-07-31 2005-12-27 Nokia Corporation Smart pouch cover for mobile device
AU2003281855A1 (en) 2002-07-31 2004-02-23 Schering Aktiengesellschaft Vegfr-2 and vegfr-3 inhibitory anthranylamidopyridines
US7117581B2 (en) 2002-08-02 2006-10-10 Symbol Technologies, Inc. Method for high volume assembly of radio frequency identification tags
WO2004014169A2 (en) 2002-08-07 2004-02-19 Phoenix Consultants, Ltd Temperature regulated clothing
US6965160B2 (en) * 2002-08-15 2005-11-15 Micron Technology, Inc. Semiconductor dice packages employing at least one redistribution layer
NL1021298C2 (nl) 2002-08-19 2004-02-20 Tno Voertuigbediening die gebruikmaakt van een wegdek-band interactiemodel.
EP1530510A1 (de) 2002-08-27 2005-05-18 Nanosys GMBH Verfahren zur hydrophobierung der oberfläche eines porösen substrats unter beibehaltung seiner porosität
US6805809B2 (en) 2002-08-28 2004-10-19 Board Of Trustees Of University Of Illinois Decal transfer microfabrication
EP1540741B1 (en) 2002-09-05 2014-10-29 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
KR101032672B1 (ko) 2002-09-05 2011-05-06 나노시스, 인크. 나노구조로의 전하 이동 또는 나노구조로부터의 전하 이동을 용이하게 하는 유기종
AU2003298998A1 (en) 2002-09-05 2004-04-08 Nanosys, Inc. Oriented nanostructures and methods of preparing
US7068898B2 (en) 2002-09-05 2006-06-27 Nanosys, Inc. Nanocomposites
US7227240B2 (en) 2002-09-10 2007-06-05 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor device with wire bond inductor and method
KR100512960B1 (ko) 2002-09-26 2005-09-07 삼성전자주식회사 플렉서블 ｍｅｍｓ 트랜스듀서와 그 제조방법 및 이를채용한 플렉서블 ｍｅｍｓ 무선 마이크로폰
EP2218681A2 (en) 2002-09-30 2010-08-18 Nanosys, Inc. Et AL. Applications of Nano-Enabled Large Area Macroelectronic Substrates Incorporating Nanowires and Nanowire Composites
US7051945B2 (en) 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
EP1563480A4 (en) 2002-09-30 2010-03-03 Nanosys Inc INTEGRATED ADS WITH NANOWIRE TRANSISTORS
AU2003283973B2 (en) 2002-09-30 2008-10-30 Oned Material Llc Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7698909B2 (en) 2002-10-01 2010-04-20 Nellcor Puritan Bennett Llc Headband with tension indicator
WO2004034025A2 (en) 2002-10-10 2004-04-22 Nanosys, Inc. Nano-chem-fet based biosensors
US20040081384A1 (en) 2002-10-25 2004-04-29 Datesman Aaron M. Multiple-mode planar-waveguide sensor, fabrication materials and techniques
US20040085469A1 (en) 2002-10-30 2004-05-06 Eastman Kodak Company Method to eliminate bus voltage drop effects for pixel source follower amplifiers
TWI239606B (en) 2002-11-07 2005-09-11 Kobe Steel Ltd Heat spreader and semiconductor device and package using the same
JP2006509537A (ja) 2002-11-14 2006-03-23 エシコン・エンド−サージェリィ・インコーポレイテッド 組織細胞を検出するための方法および機器
JP2004179258A (ja) 2002-11-25 2004-06-24 Hamamatsu Photonics Kk 紫外線センサ
US7204130B2 (en) 2002-12-03 2007-04-17 Ppg Industries Ohio, Inc. Windshield moisture detector
US20040200734A1 (en) 2002-12-19 2004-10-14 Co Man Sung Nanotube-based sensors for biomolecules
US7842780B2 (en) 2003-01-07 2010-11-30 Trustees Of Tufts College Silk fibroin materials and use thereof
JP2006517117A (ja) 2003-01-16 2006-07-20 ガリル メディカル リミテッド 血管のプラク誘発狭窄を検出し、位置確認し、かつ識別するための装置、システム、及び方法
US7190051B2 (en) 2003-01-17 2007-03-13 Second Sight Medical Products, Inc. Chip level hermetic and biocompatible electronics package using SOI wafers
US6894265B2 (en) 2003-01-31 2005-05-17 Foveon, Inc. Vertical color filter sensor group and semiconductor integrated circuit fabrication method for fabricating same
US20040149921A1 (en) 2003-02-05 2004-08-05 Alexander Smyk Personal solar adviser
AU2004269297A1 (en) 2003-03-11 2005-03-10 Nanosys, Inc. Process for producing nanocrystals and nanocrystals produced thereby
US6855638B2 (en) 2003-03-24 2005-02-15 Union Semiconductor Technology Corporation Process to pattern thick TiW metal layers using uniform and selective etching
US7253735B2 (en) 2003-03-24 2007-08-07 Alien Technology Corporation RFID tags and processes for producing RFID tags
US7491892B2 (en) 2003-03-28 2009-02-17 Princeton University Stretchable and elastic interconnects
US20050227389A1 (en) 2004-04-13 2005-10-13 Rabin Bhattacharya Deformable organic devices
US7465678B2 (en) 2003-03-28 2008-12-16 The Trustees Of Princeton University Deformable organic devices
EP1467224A1 (en) 2003-04-07 2004-10-13 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA Optical proximity detector
WO2005012606A2 (en) 2003-04-10 2005-02-10 Tufts University Concentrated aqueous silk fibroin solution and use thereof
US7056409B2 (en) 2003-04-17 2006-06-06 Nanosys, Inc. Structures, systems and methods for joining articles and materials and uses therefor
US7074294B2 (en) 2003-04-17 2006-07-11 Nanosys, Inc. Structures, systems and methods for joining articles and materials and uses therefor
US20050038498A1 (en) 2003-04-17 2005-02-17 Nanosys, Inc. Medical device applications of nanostructured surfaces
AU2004256392B2 (en) 2003-04-28 2009-10-01 Oned Material Llc Super-hydrophobic surfaces, methods of their construction and uses therefor
US20040211458A1 (en) 2003-04-28 2004-10-28 General Electric Company Tandem photovoltaic cell stacks
US7337012B2 (en) 2003-04-30 2008-02-26 Lawrence Livermore National Security, Llc Stretchable polymer-based electronic device
TWI427709B (zh) 2003-05-05 2014-02-21 Nanosys Inc 用於增加表面面積之應用的奈米纖維表面
US7803574B2 (en) 2003-05-05 2010-09-28 Nanosys, Inc. Medical device applications of nanostructured surfaces
AU2003902270A0 (en) 2003-05-09 2003-05-29 Origin Energy Solar Pty Ltd Separating and assembling semiconductor strips
US7244326B2 (en) 2003-05-16 2007-07-17 Alien Technology Corporation Transfer assembly for manufacturing electronic devices
US7374949B2 (en) 2003-05-29 2008-05-20 Bayer Healthcare Llc Diagnostic test strip for collecting and detecting an analyte in a fluid sample
US7265298B2 (en) 2003-05-30 2007-09-04 The Regents Of The University Of California Serpentine and corduroy circuits to enhance the stretchability of a stretchable electronic device
US7129935B2 (en) 2003-06-02 2006-10-31 Synaptics Incorporated Sensor patterns for a capacitive sensing apparatus
US7317532B2 (en) 2003-06-04 2008-01-08 Inverness Medical Switzerland Gmbh Flow sensing for determination of assay results
WO2005000483A1 (en) 2003-06-06 2005-01-06 Tufts University Method for forming inorganic coatings
CN1788481B (zh) 2003-06-12 2010-04-21 诺基亚有限公司 移动通信装置外壳及其操作方法
US7494896B2 (en) 2003-06-12 2009-02-24 International Business Machines Corporation Method of forming magnetic random access memory (MRAM) devices on thermally-sensitive substrates using laser transfer
US7413919B2 (en) 2003-06-20 2008-08-19 Acellent Technologies, Inc. Method of manufacturing a structural health monitoring layer
US7033961B1 (en) 2003-07-15 2006-04-25 Rf Micro Devices, Inc. Epitaxy/substrate release layer
US7439158B2 (en) 2003-07-21 2008-10-21 Micron Technology, Inc. Strained semiconductor by full wafer bonding
US20080119703A1 (en) 2006-10-04 2008-05-22 Mark Brister Analyte sensor
AU2004265938B2 (en) 2003-08-04 2009-07-02 Nanosys, Inc. System and process for producing nanowire composites and electronic substrates therefrom
JP2005052212A (ja) 2003-08-05 2005-03-03 Axiom Co Ltd 肌センサ
WO2005015480A2 (en) 2003-08-09 2005-02-17 Alien Technology Corporation Methods and apparatuses to identify devices
US7223609B2 (en) 2003-08-14 2007-05-29 Agilent Technologies, Inc. Arrays for multiplexed surface plasmon resonance detection of biological molecules
JP4554176B2 (ja) 2003-08-19 2010-09-29 株式会社ブリヂストン 路面状態推定方法
CA2539547A1 (en) 2003-08-20 2005-03-03 Philometron, Inc. Hydration monitoring
JP2005072528A (ja) 2003-08-28 2005-03-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 薄層電界効果トランジスター及びその製造方法
DE202004021946U1 (de) 2003-09-12 2013-05-29 Vessix Vascular, Inc. Auswählbare exzentrische Remodellierung und/oder Ablation von atherosklerotischem Material
US7029951B2 (en) 2003-09-12 2006-04-18 International Business Machines Corporation Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same
JP2007507101A (ja) 2003-09-24 2007-03-22 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 半導体装置、半導体装置の製造方法、識別ラベル及び情報担体
EP1519220A1 (en) 2003-09-27 2005-03-30 3M Innovative Properties Company Electrochemical display device
GB0323285D0 (en) 2003-10-04 2003-11-05 Koninkl Philips Electronics Nv Device and method of making a device having a patterned layer on a flexible substrate
GB0323286D0 (en) 2003-10-04 2003-11-05 Koninkl Philips Electronics Nv Device and method of making a device having a flexible layer structure
US20050082526A1 (en) 2003-10-15 2005-04-21 International Business Machines Corporation Techniques for layer transfer processing
DE10349963A1 (de) 2003-10-24 2005-06-02 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer Folie
JP2005126595A (ja) 2003-10-24 2005-05-19 Dainippon Ink & Chem Inc ポリウレタン樹脂組成物、及びそれを用いてなるホットメルト接着剤
US7689260B2 (en) 2003-11-06 2010-03-30 The Regents Of The University Of Colorado Shape-memory polymer coated electrodes
WO2005045483A1 (en) 2003-11-11 2005-05-19 Tae Il Kim Advertising sheet using micro-prism retroreflective sheet and method for manufacturing the same
US20050113744A1 (en) 2003-11-21 2005-05-26 Cyberkinetics, Inc. Agent delivery systems and related methods under control of biological electrical signals
JP2007523468A (ja) 2003-12-01 2007-08-16 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ ３次元ナノスケール構造を形成するための方法及び装置
US20050124712A1 (en) 2003-12-05 2005-06-09 3M Innovative Properties Company Process for producing photonic crystals
WO2005058083A2 (en) 2003-12-12 2005-06-30 Beck Gregory S Safety helmet with shock detector, helmet attachement device with shock detector & methods
US7632087B2 (en) 2003-12-19 2009-12-15 Wd Media, Inc. Composite stamper for imprint lithography
EP1704585B1 (en) 2003-12-19 2017-03-15 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods for fabricating isolated micro- and nano- structures using soft or imprint lithography
US20090198293A1 (en) 2003-12-19 2009-08-06 Lawrence Cauller Microtransponder Array for Implant
DE10361940A1 (de) 2003-12-24 2005-07-28 Restate Patent Ag Degradationssteuerung biodegradierbarer Implantate durch Beschichtung
KR20050066128A (ko) 2003-12-26 2005-06-30 주식회사 팬택앤큐리텔 체인지 커버를 이용한 메모리카드의 교체구조 및 방법
US7150745B2 (en) 2004-01-09 2006-12-19 Barrx Medical, Inc. Devices and methods for treatment of luminal tissue
US20060003709A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Nokia Corporation Protective enclosure for a mobile terminal
US8025960B2 (en) 2004-02-02 2011-09-27 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US7618260B2 (en) 2004-02-27 2009-11-17 Daniel Simon R Wearable modular interface strap
ATE490567T1 (de) 2004-03-08 2010-12-15 Univ Illinois Mikrofluidische elektrochemische reaktoren
DE102004011617B4 (de) 2004-03-10 2013-07-18 Hilti Aktiengesellschaft Planetengetriebe
TWI299358B (en) 2004-03-12 2008-08-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Thermal interface material and method for making same
US20050203366A1 (en) 2004-03-12 2005-09-15 Donoghue John P. Neurological event monitoring and therapy systems and related methods
US7727228B2 (en) 2004-03-23 2010-06-01 Medtronic Cryocath Lp Method and apparatus for inflating and deflating balloon catheters
AU2005232074A1 (en) 2004-03-29 2005-10-20 LumaChip, Inc. Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
US7259030B2 (en) 2004-03-29 2007-08-21 Articulated Technologies, Llc Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
US7052924B2 (en) 2004-03-29 2006-05-30 Articulated Technologies, Llc Light active sheet and methods for making the same
CN100383213C (zh) 2004-04-02 2008-04-23 清华大学 一种热界面材料及其制造方法
EP1742893B1 (en) 2004-04-27 2012-10-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Composite patterning devices for soft lithography
US20080055581A1 (en) 2004-04-27 2008-03-06 Rogers John A Devices and methods for pattern generation by ink lithography
JP4814873B2 (ja) 2004-04-28 2011-11-16 アイユーシーエフ‐エイチワイユー 可撓性電気光学装置及びその製造方法
US7302751B2 (en) 2004-04-30 2007-12-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of fabricating a rat's nest RFID antenna
TWI255572B (en) 2004-05-05 2006-05-21 Advanced Connectek Inc A portable electrical power unit with transmission display
JP2005322858A (ja) 2004-05-11 2005-11-17 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US7473816B2 (en) 2004-05-18 2009-01-06 Lohmann & Rauscher, Inc. Multilayer moisture management fabric
CN103954668B (zh) 2004-05-21 2016-11-23 埃葛梅崔克斯股份有限公司 电化学电池和生产电化学电池的方法
US20050261561A1 (en) 2004-05-24 2005-11-24 Christopher W. Jones Blood testing and therapeutic compound delivery system
US7799699B2 (en) 2004-06-04 2010-09-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
US8217381B2 (en) 2004-06-04 2012-07-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics
US7943491B2 (en) 2004-06-04 2011-05-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp
CN103633099B (zh) 2004-06-04 2016-09-28 伊利诺伊大学评议会 可拉伸半导体元件、可拉伸电路及其制造方法
US7521292B2 (en) 2004-06-04 2009-04-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates
EP1605502A1 (en) 2004-06-08 2005-12-14 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Transfer method for the manufacturing of electronic devices
US6987314B1 (en) * 2004-06-08 2006-01-17 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package with solder on pads on which second semiconductor package is stacked
CA2608862C (en) 2004-06-11 2020-05-05 Trustees Of Tufts College Silk-based drug delivery system
US7629691B2 (en) 2004-06-16 2009-12-08 Honeywell International Inc. Conductor geometry for electronic circuits fabricated on flexible substrates
EP1761792A2 (en) 2004-06-17 2007-03-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible and wearable radio frequency coil garments for magnetic resonance imaging
US7425523B2 (en) 2004-07-05 2008-09-16 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Thermal transfer recording material and thermal transfer recording method
JP2006044383A (ja) 2004-08-02 2006-02-16 Fuji Heavy Ind Ltd 車両のタイヤ情報表示装置
US7687886B2 (en) 2004-08-19 2010-03-30 Microlink Devices, Inc. High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor
WO2006026748A1 (en) 2004-08-31 2006-03-09 Lifescan Scotland Limited Method of manufacturing an auto-calibrating sensor
US7214189B2 (en) 2004-09-02 2007-05-08 Proteus Biomedical, Inc. Methods and apparatus for tissue activation and monitoring
WO2006028996A2 (en) 2004-09-03 2006-03-16 Trustees Of Tufts College Emulsan-alginate microspheres and methods of use thereof
US8920414B2 (en) 2004-09-10 2014-12-30 Vessix Vascular, Inc. Tuned RF energy and electrical tissue characterization for selective treatment of target tissues
KR100643756B1 (ko) 2004-09-10 2006-11-10 삼성전자주식회사 유연소자, 유연압력센서, 및 이들의 제조방법
US20060068576A1 (en) 2004-09-30 2006-03-30 Burdick William E Jr Lithography transfer for high density interconnect circuits
JP2006108431A (ja) 2004-10-06 2006-04-20 Sharp Corp 半導体装置
WO2006042287A2 (en) 2004-10-12 2006-04-20 Trustees Of Tufts College Method for producing biomaterial scaffolds
US7662545B2 (en) 2004-10-14 2010-02-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Decal transfer lithography
JP2006118441A (ja) 2004-10-21 2006-05-11 Toyota Motor Corp 内燃機関の制御装置
US7621044B2 (en) 2004-10-22 2009-11-24 Formfactor, Inc. Method of manufacturing a resilient contact
US20060095121A1 (en) 2004-10-28 2006-05-04 Medtronic Vascular, Inc. Autologous platelet gel on a stent graft
WO2006050325A2 (en) 2004-10-29 2006-05-11 Worcester Polytechnic Institute System and method for multi-channel electrophysiologic signal data acquisition
GB2419940B (en) 2004-11-04 2007-03-07 Mesophotonics Ltd Metal nano-void photonic crystal for enhanced raman spectroscopy
JP4825488B2 (ja) 2004-11-09 2011-11-30 株式会社リコー 画像形成装置
US7695602B2 (en) 2004-11-12 2010-04-13 Xerox Corporation Systems and methods for transporting particles
JP2006186294A (ja) 2004-12-03 2006-07-13 Toppan Printing Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7999023B2 (en) 2004-12-03 2011-08-16 3M Innovative Properties Company Process for making pressure sensitive adhesive hydrogels
US20060127817A1 (en) 2004-12-10 2006-06-15 Eastman Kodak Company In-line fabrication of curved surface transistors
US20060129056A1 (en) 2004-12-10 2006-06-15 Washington University Electrocorticography telemitter
JP4517845B2 (ja) 2004-12-13 2010-08-04 日本電気株式会社 フレキシブルケーブル及び電子機器の製造方法
US7229901B2 (en) 2004-12-16 2007-06-12 Wisconsin Alumni Research Foundation Fabrication of strained heterojunction structures
US8118740B2 (en) 2004-12-20 2012-02-21 Ipventure, Inc. Moisture sensor for skin
EP1827583B1 (en) 2004-12-22 2013-01-23 Proteus Digital Health, Inc. Implantable hermetically sealed structures
JP4137061B2 (ja) 2005-01-11 2008-08-20 株式会社カイジョー ワイヤループ形状、そのワイヤループ形状を備えた半導体装置、ワイヤボンディング方法
WO2006076711A2 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Trustees Of Tufts College Fibrous protein fusions and use thereof in the formation of advanced organic/inorganic composite materials
KR100688826B1 (ko) 2005-01-20 2007-03-02 삼성전기주식회사 리지드-플렉시블 인쇄회로기판 제조방법
US7374968B2 (en) 2005-01-28 2008-05-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of utilizing a contact printing stamp
US7794742B2 (en) 2005-02-08 2010-09-14 University Of Washington Devices for promoting epithelial cell differentiation and keratinization
US20090291508A1 (en) 2008-05-20 2009-11-26 Rapid Pathogen Screening Inc. Nanoparticles in diagnostic tests
EP1856931A1 (en) 2005-02-15 2007-11-21 Vodafone Group PLC Improved security for wireless communication
EP2765839A1 (en) 2005-02-28 2014-08-13 Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation Flexible electronic device
GB0505826D0 (en) 2005-03-22 2005-04-27 Uni Microelektronica Ct Vsw Methods for embedding of conducting material and devices resulting from said methods
JP4914828B2 (ja) 2005-03-28 2012-04-11 パイオニア株式会社 ゲート絶縁膜、有機トランジスタ、有機ｅｌ表示装置の製造方法、ディスプレイ
EP2438877B1 (en) 2005-03-28 2016-02-17 Vessix Vascular, Inc. Intraluminal electrical tissue characterization and tuned RF energy for selective treatment of atheroma and other target tissues
US9290579B2 (en) 2005-04-20 2016-03-22 Trustees Of Tufts College Covalently immobilized protein gradients in three-dimensional porous scaffolds
US8101498B2 (en) 2005-04-21 2012-01-24 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
WO2008103195A2 (en) 2005-04-28 2008-08-28 Second Sight Medical Products, Inc. Flexible circuit electrode array
US7300631B2 (en) 2005-05-02 2007-11-27 Bioscale, Inc. Method and apparatus for detection of analyte using a flexural plate wave device and magnetic particles
US8252191B2 (en) 2005-05-10 2012-08-28 Dow Corning Corporation Sub-micron decal transfer lithography
CA2608252A1 (en) 2005-05-13 2006-11-16 Imbibo Incorporated Method for customizing cover for electronic device
US8688189B2 (en) 2005-05-17 2014-04-01 Adnan Shennib Programmable ECG sensor patch
US20060266475A1 (en) 2005-05-24 2006-11-30 American Standard Circuits, Inc. Thermally conductive interface
US8024022B2 (en) 2005-05-25 2011-09-20 Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research Hermetically sealed three-dimensional electrode array
US7501069B2 (en) 2005-06-01 2009-03-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible structures for sensors and electronics
WO2006130721A2 (en) 2005-06-02 2006-12-07 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
TWI427802B (zh) 2005-06-02 2014-02-21 Univ Illinois 可印刷半導體結構及製造和組合之相關方法
US7763353B2 (en) 2005-06-10 2010-07-27 Ut-Battelle, Llc Fabrication of high thermal conductivity arrays of carbon nanotubes and their composites
US20070103697A1 (en) * 2005-06-17 2007-05-10 Degertekin Fahrettin L Integrated displacement sensors for probe microscopy and force spectroscopy
WO2007002579A2 (en) 2005-06-23 2007-01-04 Bioveris Corporation Assay cartridges and methods for point of care instruments
US7226821B2 (en) * 2005-06-24 2007-06-05 Cardiac Pacemakers, Inc. Flip chip die assembly using thin flexible substrates
WO2007000037A1 (en) 2005-06-29 2007-01-04 Mitchell, Richard, J. Bendable high flux led array
WO2007003019A2 (en) 2005-07-01 2007-01-11 K.U. Leuven Research & Development Means for functional restoration of a damaged nervous system
US7479404B2 (en) 2005-07-08 2009-01-20 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Photonic crystal biosensor structure and fabrication method
US20070015357A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Government Of The Usa, As Represented By Secretary Of U.S. Army Process of adhesive bonding with patternable polymers for producing microstructure devices on a wafer assembly
US7268428B2 (en) * 2005-07-19 2007-09-11 International Business Machines Corporation Thermal paste containment for semiconductor modules
US20070027485A1 (en) 2005-07-29 2007-02-01 Kallmyer Todd A Implantable medical device bus system and method
US7769472B2 (en) 2005-07-29 2010-08-03 Medtronic, Inc. Electrical stimulation lead with conformable array of electrodes
US8354501B2 (en) 2005-08-02 2013-01-15 Trustees Of Tufts College Methods for stepwise deposition of silk fibroin coatings
US20070043416A1 (en) 2005-08-19 2007-02-22 Cardiac Pacemakers, Inc. Implantable electrode array
US8657814B2 (en) 2005-08-22 2014-02-25 Medtronic Ablation Frontiers Llc User interface for tissue ablation system
KR100758699B1 (ko) 2005-08-29 2007-09-14 재단법인서울대학교산학협력재단 고종횡비 나노구조물 형성방법 및 이를 이용한 미세패턴형성방법
US8005526B2 (en) 2005-08-31 2011-08-23 The Regents Of The University Of Michigan Biologically integrated electrode devices
JP4784606B2 (ja) * 2005-09-30 2011-10-05 パナソニック株式会社 シート状複合電子部品とその製造方法
CN101288348A (zh) 2005-10-13 2008-10-15 Nxp股份有限公司 电子器件或电路及其制造方法
KR100730152B1 (ko) 2005-10-14 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 플렉시블 평판 표시장치
JP2007105316A (ja) 2005-10-14 2007-04-26 Konica Minolta Sensing Inc 生体情報測定器
US20070233185A1 (en) 2005-10-20 2007-10-04 Thomas Anderson Systems and methods for sealing a vascular opening
US8097025B2 (en) 2005-10-25 2012-01-17 X-Spine Systems, Inc. Pedicle screw system configured to receive a straight or curved rod
WO2007056183A1 (en) 2005-11-02 2007-05-18 Second Sight Medical Products, Inc. Implantable microelectronic device and method of manufacture
US8771805B2 (en) 2005-11-10 2014-07-08 Second Sight Medical Products, Inc. Polymer layer comprising silicone and at least one metal trace and a process of manufacturing the same
US7271393B2 (en) 2005-11-15 2007-09-18 Nokia Corporation UV radiation meter using visible light sensors
US7759167B2 (en) 2005-11-23 2010-07-20 Imec Method for embedding dies
US20070122819A1 (en) 2005-11-25 2007-05-31 Industrial Technology Research Institute Analyte assay structure in microfluidic chip for quantitative analysis and method for using the same
KR101199250B1 (ko) 2005-12-12 2012-11-09 삼성디스플레이 주식회사 연성회로필름 및 이를 갖는 표시패널 어셈블리
US20070139451A1 (en) 2005-12-20 2007-06-21 Somasiri Nanayakkara L Microfluidic device having hydrophilic microchannels
US20070179373A1 (en) 2005-12-22 2007-08-02 Provex Technologies, Llc. Integrated patch and assay device with visual detection means
US9629567B2 (en) 2006-01-12 2017-04-25 Biosense Webster, Inc. Mapping of complex fractionated atrial electrogram
US7936062B2 (en) * 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
DE102006008501B3 (de) 2006-02-23 2007-10-25 Albert-Ludwigs-Universität Freiburg Sonde und Verfahren zur Datenübertragung zwischen einem Gehirn und einer Datenverarbeitungsvorrichtung
BRPI0707961A2 (pt) 2006-02-28 2011-05-10 Coloplast As mÉtodo para detectar o desprendimento de um curativo, curativo apropriado para aplicar o mÉtodo, conjunto sensor e blindagem para reduzir o acoplamento capacitivo a partir das vizinhanÇas ambientais para os eletrodos do curativo
WO2007126412A2 (en) 2006-03-03 2007-11-08 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods of making spatially aligned nanotubes and nanotube arrays
WO2007103442A1 (en) 2006-03-06 2007-09-13 Board Of Supervisors Of Louisiana State Universityand Agricultural And Mechanical College Biocompatible scaffolds and adipose-derived stem cells
IL174211A0 (en) 2006-03-09 2007-07-04 Rotschild Carmel Method and system for using a cellular phone in water activities
US20070233208A1 (en) 2006-03-28 2007-10-04 Eastman Kodak Company Light therapy bandage with imbedded emitters
US20070227586A1 (en) 2006-03-31 2007-10-04 Kla-Tencor Technologies Corporation Detection and ablation of localized shunting defects in photovoltaics
US20090283891A1 (en) 2006-04-07 2009-11-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Elastically deformable integrated-circuit device
US7809441B2 (en) 2006-05-17 2010-10-05 Cardiac Pacemakers, Inc. Implantable medical device with chemical sensor and related methods
WO2007136726A2 (en) 2006-05-18 2007-11-29 Ndi Medical, Llc Portable assemblies, systems, and methods for providing functional or therapeutic neurostimulation
TWI288067B (en) 2006-06-22 2007-10-11 Univ Chung Hua Microarray bioprobe device integrated with a semiconductor amplifier
US20080046080A1 (en) 2006-07-07 2008-02-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for forming packaged microelectronic devices and devices thus obtained
US7705280B2 (en) 2006-07-25 2010-04-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Multispectral plasmonic crystal sensors
KR101272332B1 (ko) 2006-07-26 2013-06-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US7368930B2 (en) 2006-08-04 2008-05-06 Formfactor, Inc. Adjustment mechanism
DE102006037433B4 (de) 2006-08-09 2010-08-19 Ovd Kinegram Ag Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers sowie Mehrschichtkörper
US20080036097A1 (en) 2006-08-10 2008-02-14 Teppei Ito Semiconductor package, method of production thereof and encapsulation resin
TWI378747B (en) 2006-08-18 2012-12-01 Ind Tech Res Inst Flexible electronic assembly
US8786033B2 (en) 2006-09-01 2014-07-22 IVI Holdings, Ltd. Biometric sensor and sensor panel, method for detecting biometric pattern using the same, and method for manufacturing the same
AU2007289057C1 (en) 2006-09-01 2014-01-16 Pacific Biosciences Of California, Inc. Substrates, systems and methods for analyzing materials
TWI587527B (zh) 2006-09-06 2017-06-11 美國伊利諾大學理事會 二維設備陣列
US7932123B2 (en) 2006-09-20 2011-04-26 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Release strategies for making transferable semiconductor structures, devices and device components
US7751663B2 (en) * 2006-09-21 2010-07-06 Uni-Pixel Displays, Inc. Backside reflection optical display
US20080077225A1 (en) 2006-09-22 2008-03-27 Carlin Donald B Accuracy lumen sizing and stent expansion
EP1903000B1 (fr) 2006-09-25 2019-09-18 Sorin CRM SAS Composant biocompatible implantable incorporant un élément actif intégré tel qu'un capteur de mesure d'un paramètre physiologique, microsystème électromécanique ou circuit électronique
US20100028451A1 (en) 2006-09-26 2010-02-04 Trustees Of Tufts College Silk microspheres for encapsulation and controlled release
US20080074383A1 (en) 2006-09-27 2008-03-27 Dean Kenneth A Portable electronic device having appearance customizable housing
WO2008049087A2 (en) 2006-10-18 2008-04-24 Minnow Medical, Inc. System for inducing desirable temperature effects on body tissue
AU2007310986B2 (en) 2006-10-18 2013-07-04 Boston Scientific Scimed, Inc. Inducing desirable temperature effects on body tissue
US8046039B2 (en) 2006-10-20 2011-10-25 Lg Electronics Inc. Mobile terminal and case for mobile terminal
US8574461B2 (en) 2006-11-03 2013-11-05 Tufts University Electroactive biopolymer optical and electro-optical devices and method of manufacturing the same
JP2010509593A (ja) 2006-11-03 2010-03-25 トラスティーズ オブ タフツ カレッジ バイオポリマーセンサーおよびその製造方法
US20100068740A1 (en) 2006-11-03 2010-03-18 Trustees Of Tufts College Microfluidic device with a cylindrical microchannel and a method for fabricating same
US20100046902A1 (en) 2006-11-03 2010-02-25 Trustees Of Tufts College Biopolymer photonic crystals and method of manufacturing the same
CA2704769C (en) 2006-11-03 2016-01-12 Trustees Of Tufts College Nanopatterned biopolymer optical device and method of manufacturing the same
US7868354B2 (en) 2006-11-08 2011-01-11 Duke University GaN-based nitric oxide sensors and methods of making and using the same
WO2008108838A2 (en) 2006-11-21 2008-09-12 Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Microfluidic devices and methods for fabricating the same
WO2008070809A2 (en) 2006-12-06 2008-06-12 Spinal Modulation, Inc. Implantable flexible circuit leads and methods of use
US8979755B2 (en) 2006-12-08 2015-03-17 The Boeing Company Devices and systems for remote physiological monitoring
KR100849363B1 (ko) 2006-12-27 2008-07-29 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US20120223293A1 (en) 2007-01-05 2012-09-06 Borenstein Jeffrey T Biodegradable Electronic Devices
WO2008143635A1 (en) 2007-01-17 2008-11-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Optical systems fabricated by printing-based assembly
US20100117660A1 (en) 2007-01-19 2010-05-13 Douglas Malcolm F Cable for a capacitive proximity sensor
JP2008202022A (ja) 2007-01-23 2008-09-04 Fujifilm Corp 光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US8057390B2 (en) 2007-01-26 2011-11-15 The Regents Of The University Of Michigan High-resolution mapping of bio-electric fields
US7709812B2 (en) 2007-02-01 2010-05-04 Barrington L. Simon Ultraviolet radiation monitoring device and a method of using the same
US9944031B2 (en) 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
US20080200973A1 (en) 2007-02-20 2008-08-21 General Electric Company Method and system using MRI compatibility defibrillation pads
WO2008106485A2 (en) 2007-02-27 2008-09-04 Trustees Of Tufts College Tissue-engineered silk organs
US8761846B2 (en) 2007-04-04 2014-06-24 Motorola Mobility Llc Method and apparatus for controlling a skin texture surface on a device
US20080262381A1 (en) 2007-04-12 2008-10-23 Magneto Inertial Sensing Technology, Inc. Infant SID Monitor Based On Accelerometer
TWI339087B (en) 2007-04-18 2011-03-11 Ind Tech Res Inst Stretchable flexible printed circuit (fpc) and fabricating method thereof
WO2008136958A1 (en) 2007-04-30 2008-11-13 Opthera, Inc. Uva1-led phototherapy device and method
US7525304B1 (en) 2007-05-14 2009-04-28 Kla-Tencor Corporation Measurement of effective capacitance
US7693167B2 (en) 2007-05-22 2010-04-06 Rockwell Collins, Inc. Mobile nodal based communication system, method and apparatus
KR101839659B1 (ko) 2007-05-29 2018-03-16 트러스티즈 오브 터프츠 칼리지 음파 처리를 이용한 실크 피브로인 겔화 방법
JP5584616B2 (ja) 2007-06-08 2014-09-03 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 光出力デバイス
US8140154B2 (en) 2007-06-13 2012-03-20 Zoll Medical Corporation Wearable medical treatment device
US8877565B2 (en) 2007-06-28 2014-11-04 Intel Corporation Method of forming a multilayer substrate core structure using sequential microvia laser drilling and substrate core structure formed according to the method
US20090000377A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Shipps J Clay Brain impact measurement system
US20090015560A1 (en) 2007-07-13 2009-01-15 Motorola, Inc. Method and apparatus for controlling a display of a device
WO2009011709A1 (en) 2007-07-19 2009-01-22 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois High resolution electrohydrodynamic jet printing for manufacturing systems
US7651891B1 (en) * 2007-08-09 2010-01-26 National Semiconductor Corporation Integrated circuit package with stress reduction
WO2009023615A1 (en) 2007-08-10 2009-02-19 Trustees Of Tufts College Tubular silk compositions and methods of use thereof
WO2009026139A1 (en) 2007-08-17 2009-02-26 Isis Biopolymer Llc Iontophoretic drug delivery system
US8764653B2 (en) 2007-08-22 2014-07-01 Bozena Kaminska Apparatus for signal detection, processing and communication
US20090076345A1 (en) 2007-09-14 2009-03-19 Corventis, Inc. Adherent Device with Multiple Physiological Sensors
DE102007046886B4 (de) 2007-09-28 2010-07-29 Dieter Miehlich EMS-Kleidungsstück und Elektrode sowie EMS-Modul dafür
US20090088750A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Tyco Healthcare Group Lp Insulating Boot with Silicone Overmold for Electrosurgical Forceps
US7739791B2 (en) 2007-10-26 2010-06-22 Delphi Technologies, Inc. Method of producing an overmolded electronic module with a flexible circuit pigtail
US9599891B2 (en) 2007-11-05 2017-03-21 Trustees Of Tufts College Fabrication of silk fibroin photonic structures by nanocontact imprinting
US20090149930A1 (en) 2007-12-07 2009-06-11 Thermage, Inc. Apparatus and methods for cooling a treatment apparatus configured to non-invasively deliver electromagnetic energy to a patient's tissue
EP2219726B1 (en) 2007-12-10 2013-02-13 Neuronano Ab Medical electrode, electrode bundle and electrode bundle array
US8290557B2 (en) 2007-12-12 2012-10-16 Medtronic, Inc. Implantable optical sensor and method for use
KR100919642B1 (ko) 2007-12-17 2009-09-30 한국전자통신연구원 지향성 음향 생성 장치 및 그를 이용한 휴대용 단말기
JP2009170173A (ja) 2008-01-11 2009-07-30 Denso Corp Ｅｌ素子及びその製造方法
GB0800797D0 (en) 2008-01-16 2008-02-27 Cambridge Entpr Ltd Neural interface
JP4530180B2 (ja) 2008-01-22 2010-08-25 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 紫外線センサおよびその製造方法
US9504575B2 (en) 2008-02-07 2016-11-29 Trustees Of Tufts College 3-dimensional silk hydroxyapatite compositions
JP2011513952A (ja) 2008-02-25 2011-04-28 フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション 一体化薄膜インダクタを含むマイクロモジュール及びその製造方法
US8728025B2 (en) 2008-03-10 2014-05-20 S.E.A. Medical Systems, Inc. Intravenous fluid monitoring
WO2009114689A1 (en) 2008-03-12 2009-09-17 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Flexible and scalable sensor arrays for recording and modulating physiologic activity
US8206774B2 (en) 2008-03-13 2012-06-26 Trustees Of Tufts College Diazonium salt modification of silk polymer
US8152744B2 (en) 2008-03-25 2012-04-10 Comfort Lab. Inc. Shoe or insole fitting navigation system
CN102027615A (zh) 2008-03-26 2011-04-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光二极管器件
US8470701B2 (en) 2008-04-03 2013-06-25 Advanced Diamond Technologies, Inc. Printable, flexible and stretchable diamond for thermal management
US9068282B2 (en) 2008-04-08 2015-06-30 Trustees Of Tufts College System and method for making biomaterial structures
US7619416B2 (en) 2008-04-17 2009-11-17 Universität Zürich Prorektorat Forschung Eidgenössische Technische Hochschule Coil assembly and multiple coil arrangement for magnetic resonance imaging
JP2009275060A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Nitto Denko Corp 粘着シート、その粘着シートを使用した被着体の加工方法、及び粘着シート剥離装置
WO2010005707A1 (en) 2008-06-16 2010-01-14 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Medium scale carbon nanotube thin film integrated circuits on flexible plastic substrates
US8207473B2 (en) 2008-06-24 2012-06-26 Imec Method for manufacturing a stretchable electronic device
US20090322480A1 (en) 2008-06-30 2009-12-31 Robert Leon Benedict Rfid tag and method of vehicle attachment thereof
WO2010033901A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Sensors For Medicine & Science, Inc. Optical sensor assembly
US8679888B2 (en) 2008-09-24 2014-03-25 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Arrays of ultrathin silicon solar microcells
JP5885505B2 (ja) 2008-09-26 2016-03-15 タフツ ユニバーシティー／トラスティーズ オブ タフツ カレッジ 活性なシルク粘液接着剤、シルク電気的ゲル化方法、およびデバイス
US20100152629A1 (en) 2008-10-02 2010-06-17 Haas Jr Douglas D Integrated system to assist in the rehabilitation and/or exercising of a single leg after stroke or other unilateral injury
US9545216B2 (en) 2011-08-05 2017-01-17 Mc10, Inc. Catheter balloon methods and apparatus employing sensing elements
WO2010042957A2 (en) 2008-10-07 2010-04-15 Mc10, Inc. Systems, devices, and methods utilizing stretchable electronics to measure tire or road surface conditions
US9123614B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US8389862B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
US9119533B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US8372726B2 (en) 2008-10-07 2013-02-12 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US9289132B2 (en) 2008-10-07 2016-03-22 Mc10, Inc. Catheter balloon having stretchable integrated circuitry and sensor array
US8886334B2 (en) 2008-10-07 2014-11-11 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices using stretchable or flexible electronics for medical applications
US20100271191A1 (en) 2008-10-07 2010-10-28 De Graff Bassel Systems, devices, and methods utilizing stretchable electronics to measure tire or road surface conditions
BRPI0920453A2 (pt) 2008-10-09 2015-12-22 Tufts College pelicula de seda, construção para engenharia de tecido, metodos para preparar uma película de seda, para cobrir uma superfície de um substrato com uma composição de seda, e para embutir pelo menos um agente ativo em uma película de seda, e, substrato coberto com película de sedal
US9750592B2 (en) 2008-10-10 2017-09-05 Carsten Nils Gutt Arrangement for implanting and method for implanting
US8056819B2 (en) 2008-10-14 2011-11-15 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Miniature and multi-band RF coil design
FR2937511B1 (fr) 2008-10-23 2014-05-16 Oreal Dispositif de distribution d'un produit avec ajustement automatique ou semi-automatique des proprietes du produit grace a un capteur d'ambiance integre
EP2345069B1 (en) 2008-10-27 2016-02-17 Nxp B.V. Method of manufacturing a biocompatible electrode
KR101013557B1 (ko) 2008-11-06 2011-02-14 주식회사 하이닉스반도체 플랙시블 반도체 패키지 및 이를 제조하기 위한 와이어 본딩 장치
WO2010056857A2 (en) 2008-11-12 2010-05-20 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
US9427499B2 (en) 2008-11-17 2016-08-30 Trustees Of Tufts College Surface modification of silk fibroin matrices with poly(ethylene glycol) useful as anti-adhesion barriers and anti-thrombotic materials
US20110101789A1 (en) 2008-12-01 2011-05-05 Salter Jr Thomas Steven Rf power harvesting circuit
WO2010065957A2 (en) 2008-12-05 2010-06-10 Trustees Of Tufts College Vascularized living skin constructs and methods of use thereof
WO2010082993A2 (en) 2008-12-11 2010-07-22 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices using stretchable or flexible electronics for medical applications
WO2010081137A2 (en) 2009-01-12 2010-07-15 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
GR1006723B (el) 2009-01-16 2010-03-09 ������������ ������������-������� ����������� ����������� ��������� ������� (���� ������� 5%) Ολοκληρωμενο ή τυπωμενο πηνιο σε σχημα μαργαριτας
US20100188799A1 (en) 2009-01-28 2010-07-29 Avx Corporation Controlled esr low inductance capacitor
WO2010086033A1 (en) 2009-01-30 2010-08-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Stretchable electronic device
EP2392196B1 (en) 2009-01-30 2018-08-22 IMEC vzw Stretchable electronic device
KR100992411B1 (ko) 2009-02-06 2010-11-05 (주)실리콘화일 피사체의 근접여부 판단이 가능한 이미지센서
WO2010126640A2 (en) 2009-02-12 2010-11-04 Trustees Of Tufts College Nanoimprinting of silk fibroin structures for biomedical and biophotonic applications
EP2404171A4 (en) 2009-03-03 2016-01-27 Mc10 Inc SYSTEMS, METHODS AND DEVICES HAVING INTEGRATED INTEGRATED CIRCUIT ELEMENTS FOR DETECTING AND ADMINISTERING THERAPY
JP5909362B2 (ja) 2009-03-04 2016-04-26 タフツ ユニバーシティー／トラスティーズ オブ タフツ カレッジ 抗生物質送達のための絹フィブロインシステム
RU2521734C2 (ru) 2009-03-13 2014-07-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Датчик измерения температуры нулевого теплового потока
US10729357B2 (en) 2010-04-22 2020-08-04 Leaf Healthcare, Inc. Systems and methods for generating and/or adjusting a repositioning schedule for a person
AU2010232407B2 (en) 2009-04-03 2014-10-30 Intrapace, Inc. Feedback systems and methods to enhance obstructive and other obesity treatments
US8476668B2 (en) 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US8332053B1 (en) 2009-04-28 2012-12-11 Hrl Laboratories, Llc Method for fabrication of a stretchable electronic skin
KR101706915B1 (ko) 2009-05-12 2017-02-15 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 변형가능 및 반투과 디스플레이를 위한 초박형, 미세구조 무기발광다이오드의 인쇄 어셈블리
US20120070427A1 (en) 2009-06-01 2012-03-22 Trustees Of Tufts College Vortex-induced silk fibroin gelation for encapsulation and delivery
US8593256B2 (en) 2009-06-23 2013-11-26 Avery Dennison Corporation Washable RFID device for apparel tracking
US20100327387A1 (en) 2009-06-26 2010-12-30 Ichiro Kasai Avalanche Photodiode
US20110135674A1 (en) 2009-06-30 2011-06-09 Abbott Laboratories Markers of XMRV Infection and Uses Thereof
JP4788850B2 (ja) 2009-07-03 2011-10-05 株式会社村田製作所 アンテナモジュール
US9188963B2 (en) 2009-07-06 2015-11-17 Autonomous Id Canada Inc. Gait-based authentication system
JP2011018805A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
WO2011006133A2 (en) 2009-07-10 2011-01-13 Trustees Of Tufts College Bioengineered silk protein-based nucleic acid delivery systems
EP2453931A4 (en) 2009-07-14 2014-04-30 Tufts College WOUND HEALING SYSTEMS WITH AN ELECTRO-SPONSORED SILK MATERIAL
EP2275805A1 (en) 2009-07-16 2011-01-19 Acreo AB Moister sensor
WO2011046652A2 (en) 2009-07-20 2011-04-21 Trustees Of Tufts College All-protein implantable, resorbable reflectors
US8293486B2 (en) 2009-07-21 2012-10-23 Trustees Of Tufts College Functionalization of silk material by avidin-biotin interaction
TW201104540A (en) 2009-07-22 2011-02-01 Ritdisplay Corp Capacitive type touch sensor
WO2011026101A2 (en) 2009-08-31 2011-03-03 Trustees Of Tufts College Silk transistor devices
US20110066041A1 (en) 2009-09-15 2011-03-17 Texas Instruments Incorporated Motion/activity, heart-rate and respiration from a single chest-worn sensor, circuits, devices, processes and systems
US20110071603A1 (en) 2009-09-24 2011-03-24 Joshua John Edward Moore Cyclic Heat Therapy Device
EP2483460B1 (en) 2009-09-28 2015-09-02 Trustees Of Tufts College Method to prepare drawn silk egel fibers
JP5730317B2 (ja) 2009-09-29 2015-06-10 タフツ ユニバーシティー／トラスティーズ オブ タフツ カレッジ 絹ナノスフェアおよび絹マイクロスフェアならびにこれらを作製する方法
US20130192356A1 (en) 2009-10-01 2013-08-01 Mc10, Inc. Methods and apparatus for measuring technical parameters of equipment, tools, and components via conformal electronics
US9723122B2 (en) 2009-10-01 2017-08-01 Mc10, Inc. Protective cases with integrated electronics
WO2011127331A2 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Mc10, Inc. Methods and apparatus for measuring technical parameters of equipment, tools and components via conformal electronics
US20120065937A1 (en) 2009-10-01 2012-03-15 Mc10, Inc. Methods and apparatus for measuring technical parameters of equipment, tools and components via conformal electronics
US20110218756A1 (en) 2009-10-01 2011-09-08 Mc10, Inc. Methods and apparatus for conformal sensing of force and/or acceleration at a person's head
WO2011041507A1 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Apparatus and method for nanocomposite sensors
KR101611422B1 (ko) 2009-11-17 2016-04-12 삼성전자주식회사 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법
US8390516B2 (en) 2009-11-23 2013-03-05 Harris Corporation Planar communications antenna having an epicyclic structure and isotropic radiation, and associated methods
WO2011066215A1 (en) 2009-11-30 2011-06-03 Corning Incorporated Rfid condition latching
US10441185B2 (en) 2009-12-16 2019-10-15 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible and stretchable electronic systems for epidermal electronics
JP6046491B2 (ja) 2009-12-16 2016-12-21 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ コンフォーマル電子機器を使用した生体内での電気生理学
US9936574B2 (en) 2009-12-16 2018-04-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Waterproof stretchable optoelectronics
US20130118255A1 (en) 2009-12-17 2013-05-16 Gilman Callsen Methods and apparatus for conformal sensing of force and/or change in motion
US8618914B2 (en) 2010-01-05 2013-12-31 The Regents Of The University Of California MEMS sensor enabled RFID system and method for operating the same
US9057994B2 (en) 2010-01-08 2015-06-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois High resolution printing of charge
KR101732178B1 (ko) 2010-01-15 2017-05-04 삼성전자주식회사 나노 섬유-나노 와이어 복합체 및 그 제조방법
US8872663B2 (en) 2010-01-19 2014-10-28 Avery Dennison Corporation Medication regimen compliance monitoring systems and methods
US20110184320A1 (en) 2010-01-26 2011-07-28 Shipps J Clay Measurement system using body mounted physically decoupled sensor
US20110185611A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Global Emergency Resources, Llc Apparatus and method for rapid identification and tracking of individuals in an emergency situation
US8930147B2 (en) 2010-02-05 2015-01-06 Prima-Temp, Inc. Multi-sensor patch and system
TWI623063B (zh) 2010-03-12 2018-05-01 美國伊利諾大學理事會 生物醫學裝置及其製造方法、流體遞送監視器、監視在管子中流動之流體的方法、近接感測器及感測兩個物件之間的距離的方法
JP2012013676A (ja) 2010-03-15 2012-01-19 Seiko Instruments Inc 紫外線測定装置および紫外線計測機能付電子腕時計
CN102892356B (zh) 2010-03-17 2016-01-13 伊利诺伊大学评议会 基于生物可吸收基质的可植入生物医学装置
GB201005889D0 (en) 2010-04-08 2010-05-26 Cambridge Entpr Ltd Tuning of mechanical properties of polymers
KR101130697B1 (ko) 2010-05-07 2012-04-02 삼성전자주식회사 복수 층의 신축성 배선
SG185131A1 (en) 2010-05-08 2012-12-28 Univ California Sem scanner sensing apparatus, system and methodology for early detection of ulcers
KR101834023B1 (ko) 2010-05-20 2018-03-02 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 가요성 회로 커버필름 부착성 향상
CN103068346B (zh) 2010-06-11 2016-03-02 W·R·曼德尔 用于对人或哺乳动物的身体部分进行治疗性冷却和加温的装置
US8715204B2 (en) 2010-07-14 2014-05-06 Prima Temp, Inc. Wireless vaginal sensor probe
WO2012011289A1 (ja) 2010-07-23 2012-01-26 パナソニック株式会社 Ｎｆｃ通信装置およびその制御方法
US8198109B2 (en) 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
US8035284B2 (en) 2010-09-22 2011-10-11 Bridgelux, Inc. Distributed LED-based light source
US8836101B2 (en) 2010-09-24 2014-09-16 Infineon Technologies Ag Multi-chip semiconductor packages and assembly thereof
US8506158B2 (en) 2010-10-12 2013-08-13 P.S.L. Limited Watch
DE102010042567B3 (de) * 2010-10-18 2012-03-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen eines Chip-Package und Chip-Package
TW201221165A (en) 2010-10-20 2012-06-01 Medtronic Ardian Luxembourg Catheter apparatuses having expandable mesh structures for renal neuromodulation and associated systems and methods
CN107007348B (zh) 2010-10-25 2019-05-31 美敦力Af卢森堡有限责任公司 用于神经调节治疗的估算及反馈的装置、系统及方法
US8520399B2 (en) * 2010-10-29 2013-08-27 Palo Alto Research Center Incorporated Stretchable electronics modules and circuits
US8562095B2 (en) 2010-11-01 2013-10-22 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois High resolution sensing and control of electrohydrodynamic jet printing
US8456021B2 (en) 2010-11-24 2013-06-04 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit device having die bonded to the polymer side of a polymer substrate
FR2968532B1 (fr) 2010-12-14 2013-04-26 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede de determination d'un taux d'excretion d'un fluide corporel par un individu ou un animal
US8391947B2 (en) 2010-12-30 2013-03-05 Biosense Webster (Israel), Ltd. Catheter with sheet array of electrodes
US9442285B2 (en) 2011-01-14 2016-09-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Optical component array having adjustable curvature
EP2484750A1 (en) 2011-02-07 2012-08-08 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Monitoring system for cell culture
WO2012112407A1 (en) 2011-02-14 2012-08-23 Chung Wayne Wireless physiological sensor system and method
US8581731B2 (en) 2011-02-16 2013-11-12 Connor Kent Purks Circuits, systems, and methods for monitoring and reporting foot impact, foot placement, shoe life, and other running/walking characteristics
JP2014514032A (ja) 2011-03-11 2014-06-19 プロテウス デジタル ヘルス， インコーポレイテッド 様々な物理的構成を備えた着用式個人身体関連装置
EP2681538B1 (en) 2011-03-11 2019-03-06 Mc10, Inc. Integrated devices to facilitate quantitative assays and diagnostics
KR20120111661A (ko) 2011-04-01 2012-10-10 삼성전자주식회사 신축가능한 전도성 나노섬유, 이를 이용한 신축가능한 섬유전극 및 그 제조방법
JP2012218147A (ja) 2011-04-11 2012-11-12 Imec マイクロキャビティを封止するための方法
CN202068986U (zh) 2011-04-19 2011-12-14 江苏太阳鸟校园服饰有限公司 防紫外线的智能预警服装
US20120279762A1 (en) 2011-05-03 2012-11-08 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Composition for forming stretchable conductive pattern, method of producing the stretchable conductive pattern using the composition, and electronic device including stretchable conductive electrode
US9765934B2 (en) 2011-05-16 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed LED arrays assembled by printing
JP2014523633A (ja) 2011-05-27 2014-09-11 エムシー１０ インコーポレイテッド 電子的、光学的、且つ／又は機械的装置及びシステム並びにこれらの装置及びシステムを製造する方法
US8934965B2 (en) 2011-06-03 2015-01-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Conformable actively multiplexed high-density surface electrode array for brain interfacing
US20120316455A1 (en) 2011-06-10 2012-12-13 Aliphcom Wearable device and platform for sensory input
US20130185003A1 (en) 2011-07-14 2013-07-18 Mc10, Inc. Detection of a force on a foot or footwear
US9555644B2 (en) 2011-07-14 2017-01-31 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Non-contact transfer printing
US9757050B2 (en) 2011-08-05 2017-09-12 Mc10, Inc. Catheter balloon employing force sensing elements
US9176530B2 (en) 2011-08-17 2015-11-03 Apple Inc. Bi-stable spring with flexible display
US8702619B2 (en) 2011-08-26 2014-04-22 Symap Holding Limited Mapping sympathetic nerve distribution for renal ablation and catheters for same
US20130116520A1 (en) 2011-09-01 2013-05-09 Masoud Roham Single and multi node, semi-disposable wearable medical electronic patches for bio-signal monitoring and robust feature extraction
WO2013033724A1 (en) 2011-09-01 2013-03-07 Mc10, Inc. Electronics for detection of a condition of tissue
WO2013034987A2 (en) 2011-09-08 2013-03-14 Offshore Incorporations (Cayman) Limited, Sensor device and system for fitness equipment
US8496842B2 (en) * 2011-09-12 2013-07-30 Texas Instruments Incorporated MEMS device fabricated with integrated circuit
WO2013049716A1 (en) 2011-09-28 2013-04-04 Mc10, Inc. Electronics for detection of a property of a surface
DE112012004146T5 (de) 2011-10-05 2014-11-06 Mc10, Inc. Herzkatheter mit Verwendung oberflächentreuer Elektronik zur Abbildung
US8836136B2 (en) 2011-10-17 2014-09-16 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US9603560B2 (en) 2012-01-26 2017-03-28 The University Of Akron Flexible electrode for detecting changes in temperature, humidity, and sodium ion concentration in sweat
US9320907B2 (en) 2012-02-02 2016-04-26 The United States Government, As Represented By The Department Of Veterans Affairs Integrated surface stimulation device for pain management and wound therapy
EP2626755B1 (en) 2012-02-10 2019-04-10 Nxp B.V. Calibration method, calibration device and measurement device
WO2013126591A1 (en) 2012-02-21 2013-08-29 Zih Corp. Method and apparatus for implementing near field communications with a printer
US9184798B2 (en) 2012-03-12 2015-11-10 Broadcom Corporation Near field communications (NFC) device having adjustable gain
US8895864B2 (en) 2012-03-30 2014-11-25 Nokia Corporation Deformable apparatus and method
US20140121540A1 (en) 2012-05-09 2014-05-01 Aliphcom System and method for monitoring the health of a user
US20130316645A1 (en) 2012-05-23 2013-11-28 Health & Life Co., Ltd. Near field communication enabled medical device system
US20130321373A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, program, and recording medium
US8803089B2 (en) 2012-06-01 2014-08-12 Landauer, Inc. System and method for wireless, motion and position-sensing, integrating radiation sensor for occupational and environmental dosimetry
US20130331914A1 (en) 2012-06-11 2013-12-12 Martin Lee Thermal therapy system and method of use
US9247637B2 (en) 2012-06-11 2016-01-26 Mc10, Inc. Strain relief structures for stretchable interconnects
US9226402B2 (en) 2012-06-11 2015-12-29 Mc10, Inc. Strain isolation structures for stretchable electronics
US8948832B2 (en) 2012-06-22 2015-02-03 Fitbit, Inc. Wearable heart rate monitor
JP2015521894A (ja) 2012-07-05 2015-08-03 エムシー１０ インコーポレイテッドＭｃ１０，Ｉｎｃ． 流量センシングを含むカテーテルデバイス
US9295842B2 (en) 2012-07-05 2016-03-29 Mc10, Inc. Catheter or guidewire device including flow sensing and use thereof
WO2014047205A1 (en) 2012-09-21 2014-03-27 Proteus Digital Health, Inc. Wireless wearable apparatus, system, and method
KR20150072415A (ko) 2012-10-09 2015-06-29 엠씨10, 인크 의류에 집적되는 컨포멀 전자기기
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
US20140188426A1 (en) 2012-12-27 2014-07-03 Steven FASTERT Monitoring hit count for impact events
JP2016506281A (ja) 2013-01-08 2016-03-03 エムシー１０ インコーポレイテッドＭｃ１０，Ｉｎｃ． 表面の特性のモニタリングの応用
EP2954762B1 (en) 2013-02-06 2022-04-06 The Board of Trustees of the University of Illinois Stretchable electronic systems with containment chambers
US9516743B2 (en) * 2013-02-27 2016-12-06 Apple Inc. Electronic device with reduced-stress flexible display
US9425627B2 (en) 2013-03-04 2016-08-23 Hello Inc. Telemetry system with remote firmware updates
US20150164377A1 (en) 2013-03-13 2015-06-18 Vaidhi Nathan System and method of body motion analytics recognition and alerting
US10456038B2 (en) 2013-03-15 2019-10-29 Cercacor Laboratories, Inc. Cloud-based physiological monitoring system
US20140308930A1 (en) 2013-04-12 2014-10-16 Bao Tran Timely, glanceable information on a wearable device
US20140350883A1 (en) 2013-05-10 2014-11-27 Abraham Carter Platform for Generating Sensor Data
US9706647B2 (en) 2013-05-14 2017-07-11 Mc10, Inc. Conformal electronics including nested serpentine interconnects
EP3003149A4 (en) 2013-06-03 2017-06-14 Kacyvenski, Isaiah Motion sensor and analysis
US10524661B2 (en) 2013-06-12 2020-01-07 Proactive Live, Inc. Sleep monitoring and stimulation
EP3010360A4 (en) 2013-06-21 2017-02-22 Mc10, Inc. Band with conformable electronics
US20150035743A1 (en) 2013-07-31 2015-02-05 Plantronics, Inc. Wrist Worn Platform for Sensors
KR20160040670A (ko) 2013-08-05 2016-04-14 엠씨10, 인크 곡면부착형 전자기기를 포함하는 유연한 온도 센서
KR20160065948A (ko) 2013-10-07 2016-06-09 엠씨10, 인크 감지 및 분석용 등각 센서 시스템
CA2924005A1 (en) 2013-10-09 2015-04-16 Mc10, Inc. Utility gear including conformal sensors
CN105813545A (zh) 2013-11-22 2016-07-27 Mc10股份有限公司 用于感测和分析心搏的适形传感器系统
WO2015102951A2 (en) 2014-01-03 2015-07-09 Mc10, Inc. Catheter or guidewire device including flow sensing and use thereof
KR20160105819A (ko) 2014-01-03 2016-09-07 엠씨10, 인크 저전력 정량적 측정을 위한 집적된 디바이스
WO2015103580A2 (en) 2014-01-06 2015-07-09 Mc10, Inc. Encapsulated conformal electronic systems and devices, and methods of making and using the same
CN106030798A (zh) 2014-02-24 2016-10-12 Mc10股份有限公司 具有变形指示器的适形电子器件
US10485118B2 (en) 2014-03-04 2019-11-19 Mc10, Inc. Multi-part flexible encapsulation housing for electronic devices and methods of making the same
EP3117206A4 (en) 2014-03-12 2017-11-15 Mc10, Inc. Quantification of a change in assay
EP3122295A1 (en) 2014-03-28 2017-02-01 Lini, Mario Body temperature regulating device and method
US20160015962A1 (en) 2014-07-16 2016-01-21 Mehdi Shokoueinejad Maragheh Smart Patch For Wound Management
US20160086909A1 (en) 2014-09-22 2016-03-24 Mc10, Inc. Methods and apparatuses for shaping and looping bonding wires that serve as stretchable and bendable interconnects
US9899330B2 (en) 2014-10-03 2018-02-20 Mc10, Inc. Flexible electronic circuits with embedded integrated circuit die
US10297572B2 (en) 2014-10-06 2019-05-21 Mc10, Inc. Discrete flexible interconnects for modules of integrated circuits
USD781270S1 (en) 2014-10-15 2017-03-14 Mc10, Inc. Electronic device having antenna
WO2016081244A1 (en) 2014-11-18 2016-05-26 Mc10, Inc. System, device, and method for electronic device activation
US10393414B2 (en) 2014-12-19 2019-08-27 Palo Alto Research Center Incorporated Flexible thermal regulation device
WO2016127050A1 (en) 2015-02-05 2016-08-11 Mc10, Inc. Method and system for interacting with an environment
US10477354B2 (en) 2015-02-20 2019-11-12 Mc10, Inc. Automated detection and configuration of wearable devices based on on-body status, location, and/or orientation
WO2016140961A1 (en) 2015-03-02 2016-09-09 Mc10, Inc. Perspiration sensor
WO2016187536A1 (en) 2015-05-20 2016-11-24 Mc10 Inc. Ultra-thin wearable sensing device
CN107708991A (zh) 2015-06-15 2018-02-16 Mc10股份有限公司 用于皮肤安装装置的吸湿粘合剂
WO2016209909A1 (en) 2015-06-22 2016-12-29 Mc10 Inc. Method and system for structural health monitoring
WO2017015000A1 (en) 2015-07-17 2017-01-26 Mc10, Inc. Conductive stiffener, method of making a conductive stiffener, and conductive adhesive and encapsulation layers
WO2017031129A1 (en) 2015-08-19 2017-02-23 Mc10, Inc. Wearable heat flux devices and methods of use
CN108293174A (zh) 2015-09-22 2018-07-17 Mc10股份有限公司 用于众包算法开发的方法和系统
WO2017059215A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Mc10, Inc. Method and system for interacting with a virtual environment
CN108289630A (zh) 2015-10-05 2018-07-17 Mc10股份有限公司 用于神经调节和刺激的方法和系统

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030045025A1 (en) * 2000-01-26 2003-03-06 Coyle Anthony L. Method of fabricating a molded package for micromechanical devices
US20020079572A1 (en) * 2000-12-22 2002-06-27 Khan Reza-Ur Rahman Enhanced die-up ball grid array and method for making the same
JP2005108942A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Nitto Denko Corp フレキシブル配線回路基板の製造方法
US20110051384A1 (en) * 2006-02-02 2011-03-03 Arno Kriechbaum Printed circuit board element having at least one component embedded therein and method for embedding at least one component in a printed circuit board element
JP2007294724A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Toppan Printing Co Ltd 多層回路配線基板及び半導体装置
WO2008056499A1 (en) * 2006-11-06 2008-05-15 Nec Corporation Semiconductor device and method for manufacturing same
US20080211087A1 (en) * 2006-12-20 2008-09-04 Infineon Technologies Ag Chip module and method for producing a chip module
JP2008244473A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Endicott Interconnect Technologies Inc スタンドオフ付きフレキシブル電子回路パッケージ、及びその製造方法
JP2011517370A (ja) * 2008-03-05 2011-06-02 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 伸張可能及び折畳み可能な電子デバイス
JP2011176112A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路及びその製造方法
JP2012023237A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Nec Corp 機能素子内蔵基板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017183649A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 大日本印刷株式会社 電子デバイス及びその製造方法
JP6191808B1 (ja) * 2016-04-20 2017-09-06 株式会社村田製作所 多層基板および電子機器
WO2017183394A1 (ja) * 2016-04-20 2017-10-26 株式会社村田製作所 多層基板および電子機器
US10187975B2 (en) 2016-04-20 2019-01-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer substrate and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
US9583428B2 (en) 2017-02-28
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