JP2016131238A - 原子スケールのald(原子層堆積)プロセスとale(原子層エッチング)プロセスとの統合 - Google Patents

原子スケールのald(原子層堆積)プロセスとale(原子層エッチング)プロセスとの統合 Download PDF

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Abstract

【解決手段】 原子層エッチング及び原子層堆積を、これらのプロセスを同じチャンバ内又はリアクタ内で実施することによって統合するための方法が提供される。方法は、エッチング中における特徴の劣化を保護する、選択性を向上させる、及び半導体基板の感受性の層を封入するために、原子層エッチングと原子層堆積とを順次交互に行うことを伴う。
【選択図】 図1C

Description

特徴サイズの縮小にともなって、原子層堆積(ALD)及び原子層エッチング(ALE)などの原子スケールの処理を求める要求が高まっている。ALDプロセス及びALEプロセスは、従来、全てのALD動作が全てのALE動作の前に実施されるように又は全てのALE動作が全てのALD動作の前に実施されるように、別々のプロセスとして実施される。従来のALDプロセス及びALEプロセスは、対応する各プロセスの条件、前駆体化学剤、及びパラメータに適応するために、別々のリアクタ又はチャンバを使用する。
原子層エッチングと原子層堆積とを統合する方法が提供される。一態様は、チャンバ内で原子層エッチングによって基板をエッチングすることと、チャンバ内で原子層堆積によって膜を堆積させることと、によって基板を処理する方法を伴う。ここで、エッチング及び堆積は、真空を破壊することなく実施される。
エッチングは、サイクル単位で実施されてよく、1サイクルは、基板を、その表面を改質するためにエッチングガスに暴露することと、改質された基板の少なくとも一部を除去するために、基板を除去ガスに暴露することとを含む。基板をエッチングガスに暴露することは、更に、プラズマを点火することを含んでいてよい。一部の実施形態では、方法は、更に、基板にバイアスを印可することを含む。エッチングガスは、塩素含有化合物であってよい。各種の実施形態において、1サイクルは、約1Åから約50Åの膜をエッチングする。チャンバは、暴露と暴露との間でパージされてよい。
堆積は、サイクル単位で実施されてよく、1サイクルは、基板を、その表面を改質するために堆積前駆体に暴露することと、膜を堆積させるために、基板を還元剤に暴露することとを含む。一部の実施形態では、方法は、更に、プラズマを点火することを含む。一部の実施形態では、基板が堆積前駆体に暴露されている間に、堆積前駆体の少なくとも一部が基板の表面に吸着する。チャンバは、暴露と暴露との間にパージされてよい。
一部の実施形態では、エッチング及び堆積は、基板上に材料を堆積させるために実施される。一部の実施形態では、エッチング及び堆積は、基板上の材料をエッチングするために実施される。
各種の実施形態において、エッチングは、更に、基板を指向的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチング及び堆積は、同じチャンバ内で実施される。エッチングは、非共形的に、すなわちその下の構造に添わない形で実施されてよい。一部の実施形態では、エッチング又は堆積の少なくともいずれかが、自己制限的な反応である。
別の一態様は、(a)チャンバに収容された基板を、該基板を一層ずつエッチングするためにエッチングガス及び除去ガスの交互パルスに暴露することと、(b)基板上に膜を堆積させるために、第1の反応剤及び第2の反応剤の交互パルスに基板を暴露することと、(c)同じチャンバ内で(a)及び(b)を繰り返すこととを含む。
除去ガスは、N2、Ar、He、及びNeからなる群より選択されるキャリアガスであってよい。一部の実施形態では、(a)及び(b)は、同じチャンバ内で実施され、順次実施される。更に、チャンバは、パルスとパルスとの間でパージされてよい。各種の実施形態において、(a)は、更に、基板にバイアスを印可することを含む。一部の実施形態では、(a)は、更に、基板を指向的にスパッタリングすることを含む。
一部の実施形態では、方法は、また、基板を除去ガスに暴露するときにプラズマを点火することも含む。方法は、また、基板を第2の反応剤に暴露するときにプラズマを点火することを含んでいてもよい。
各種の実施形態において、(a)又は(b)の少なくとも1つは、自己制限的な反応である。一部の実施形態では、(a)及び(b)は、基板上に材料を堆積させるために繰り返される。一部の実施形態では、(a)及び(b)は、基板上の膜をエッチングするために繰り返される。各種の実施形態において、基板は、金属及び誘電体からなる群より選択される。
別の一態様は、基板を処理するための装置を伴い、該装置は、それぞれチャックを含む1つ以上のプロセスチャンバと、これらのプロセスチャンバへの1つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、少なくとも1つのプロセッサ、及びメモリを有するコントローラとを含み、少なくとも1つのプロセッサ、及びメモリは、通信可能方式で互いに接続されており、少なくとも1つのプロセッサは、流量制御ハードウェアを少なくとも動作可能に接続されており、メモリは、チャンバ内で原子層エッチングによって基板をエッチングすることと、チャンバ内で原子層堆積によって膜を堆積させることとに関して、流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように少なくとも1つのプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納し、エッチング及び堆積は、真空を破壊することなく実施される。
別の一態様は、基板を処理するための装置を伴い、該装置は、それぞれチャックを含む1つ以上のプロセスチャンバと、これらのプロセスチャンバへの1つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、少なくとも1つのプロセッサ、及びメモリを有するコントローラとを含み、少なくとも1つのプロセッサ、及びメモリは、通信可能方式で互いに接続されており、少なくとも1つのプロセッサは、少なくとも動作可能方式で流量制御ハードウェアに接続されており、メモリは、(a)基板を一層ずつエッチングするために、エッチャント及びパージガスの交互パルスに基板を暴露することと、(b)エッチングされた基板上に膜を堆積させるために、還元剤及び前駆体の交互パルスに基板を暴露することと、(c)(a)の実施と(b)の実施との間で真空を破壊することなく(a)と(b)とを繰り返すこととに関して、流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように少なくとも1つのプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納する。
これらの及びその他の態様が、図面を参照にして以下で更に詳しく説明される。
開示される実施形態にしたがった方法の動作を示したプロセスの工程図である。
エッチング及び堆積の例を示した概略図である。
開示される実施形態にしたがった方法の動作を示したプロセスの工程図である。
開示される実施形態にしたがって実施される動作の一例を示したタイミングチャートである。
開示される実施形態を実施するためのプロセスチャンバの一例を示した概略図である。
開示される実施形態を実施するためのプロセス装置の一例を示した概略図である。
開示される実施形態にしたがって行われた実験から得られたエッチングされた基板の画像である。
以下の詳細な説明では、本発明の完全な理解を与えるために、数々の具体的詳細が述べられる。開示される実施形態は、これらの具体的詳細の一部又は全部を伴わずとも実施されえる。また、開示される実施形態を不必要に不明瞭にしないように、周知のプロセス動作の詳細な説明は省略される。開示される実施形態は、具体的な実施形態に関連付けて説明されるが、これは、開示される実施形態を制限することを意図していないことが理解される。
特徴サイズの縮小にともなって、原子層堆積(ALD)及び原子層エッチング(ALE)などの原子スケールの処理を求める要求が高まっている。これらは、膜厚の段階的に細かい変化をもたらす、名目上は自己制限的な工程をサイクル単位で繰り返すプロセスである。プロセスは、滑らかさ及び共形性、すなわち形状がその下の構造に倣うことによって特徴付けられ、一部のALEの場合は、更に、指向性によっても特徴付けられる。ALDプロセス及びALEプロセスは、従来、全ての堆積プロセスが全てのエッチングプロセスの前に実施されるように及び逆もまた然りであるように、互いに独立に実施されてきた。従来のALDプロセス及びALEプロセスは、それぞれ異なるツールで実施される。例えば、従来、ALDツールはALEプロセスを実施せず、ALEツールはALDプロセスを実施しない。
本明細書で提供されるのは、エッチングプロセスと堆積プロセスとをin−situで(例えば1つのツールの同じチャンバ内で又は真空を破壊することなく)統合するための方法である。開示される実施形態は、基板上に材料を実質的に堆積させる又は実質的にエッチングするために使用されてよい。本明細書で説明される一部の方法は、ALEプロセス中にALDによって不働態化層を堆積させることを伴う。開示される方法は、溝及びホールのためのエッチングプロセス、MRAMの製作、相変化材料の加工、エッチングプロセスにおける選択性の向上、及びポリダミー除去などの、広範囲の用途に適している。例えば、エッチング時における堆積は、エッチング時に側壁若しくはマスクを保護するために、又はエッチング時に材料を封止しその後に大気に暴露するために、又は堆積が選択性である場合にその選択性を提供するために使用されてよく、堆積中のエッチングは、堆積時に特徴を開かれた状態に維持するために使用されてよい。
図1Aは、開示される実施形態にしたがった方法の動作を実施するためのプロセスフローチャートを提供している。図1Aにおける動作は、例えば約1ミリトールから約1トールの間などの、約1ミリトールから約100トールの間のチャンバ圧力で実施される。動作101では、基板又はウエハが処理チャンバに提供される。チャンバは、複数チャンバの装置又は単独チャンバの装置におけるチャンバであってよい。基板は、例えば200mmウエハ、300mmウエハ、又は450mmウエハなどのシリコンウエハであってよく、1枚以上の誘電体、導体、又は半導体の材料層をその上に堆積されたウエハを含む。一部の実施形態では、基板は、非晶質シリコンなどのシリコンのブランケット層、又はゲルマニウムのブランケット層を含む。基板は、基板上に事前に堆積されてパターン形成されたパターン化マスク層を含んでいてよい。例えば、非晶質シリコンのブランケット層を含む基板上に、マスク層が堆積されてパターン形成されてよい。
一部の実施形態では、基板上の層がパターン形成されてよい。基板は、ビア又はコンタクトホールなどの「特徴」を有してよく、これらは、狭い及び/又は再入可能な開口、特徴内における狭窄性、並びに高いアスペクト比のうちの1つ以上によって特徴付けられてよい。特徴は、上述された層の1枚又は複数枚の中に形成されてよい。特徴の一例は、半導体基板の中の又は半導体基板上の層の中の、ホール又はビアである。別の一例は、基板の中の又は基板の層の中の溝である。各種の実施形態において、特徴は、障壁層又は接着層などの下層を有してよい。下層の非限定的な例として、シリコン酸化物層、シリコン窒化物層、シリコン炭化物層、金属酸化物層、金属窒化物層、金属炭化物層、及び金属層などの、誘導体層及び導体層が挙げられる。
一部の実施形態では、特徴は、少なくとも約2:1、少なくとも約4:1、少なくとも約6:1、少なくとも約10:1、少なくとも約30:1、又はそれよりも高いアスペクト比を有していてよい。高アスペクト比では、特徴側壁の保護が所望されるだろう。開示される方法は、約150nm未満の開口を有する特徴を伴う基板に対して実施されてよい。特徴のビア又は溝は、充填されていない特徴、又は閉じられた終端である底から先細る、即ち内壁が開口に向かって伸びる、再入可能な形状の特徴として言及することができる。一部の実施形態では、本明細書で説明される方法は、これらの特性を有する特徴を形成するために使用されてよい。
図1Aに戻り、動作103において、基板は、チャンバ内でALEによってエッチングされる。エッチングは、自己制限的な順次反応を使用して薄い材料層を除去する技術である。総じて、ALEは、任意の適切な技術を使用して実施されてよい。原子層エッチング技術の例が、2014年11月11日に発行された米国特許第8,883,028号、及び2014年8月19日に発行された米国特許第8,808,561号に記載されており、これらの特許は、原子層堆積技術及び原子層エッチング技術の例を説明する目的で、参照によって本明細書に組み込まれる。各種の実施形態において、ALEは、プラズマによって実施されてよい、又は熱によって実施されてよい。
動作103は、サイクル単位で実施されてよい。「ALEサイクル」の概念は、本明細書における各種の実施形態の考察に関わっている。総じて、ALEサイクルは、単原子層をエッチングするなどの1回のエッチングプロセスを実施するために使用される最小の動作集合である。1サイクルの結果は、基板表面上の膜層の少なくとも一部がエッチングされることである。通常、ALEサイクルは、反応性の層を形成するための改質動作と、それに続く、この改質された層のみを除去又はエッチングするための除去動作とを含む。サイクルは、いずれかの反応剤又は副生成物を掃き出すなどの、幾つかの付随的動作を含んでいてよい。総じて、1サイクルは、固有な一連の動作からなる1つの過程を含む。一例として、一ALEサイクルは、(i)反応剤ガスを供給する動作、(ii)反応剤ガスをチャンバからパージする動作、(iii)除去ガス及び随意のガスを供給する動作、並びに(iv)チャンバをパージする動作を含んでいてよい。一部の実施形態では、非共形的にエッチングが実施されてよい。図1Bは、ALEサイクルの2つの例の概略を示している。図示171a〜171eは、一般的なALEサイクルを示している。171aでは、基板が提供される。171bでは、基板の表面が改質される。171cでは、次の工程の準備がされる。171bでは、改質された層がエッチングされている。171eでは、改質された層が除去される。同様に、図示172a〜172eは、シリコン膜をエッチングするためのALEサイクルの一例を示している。172aでは、多数のシリコン原子を含むシリコン基板が提供される。172bでは、反応剤ガスである塩素が基板に導かれ、基板の表面を改質する。172bの概略図は、一例として、基板の表面に一部の塩素が吸着されることを示している。図1Bでは塩素が描かれているが、任意の塩素含有化合物又は適切な反応剤が使用されてよい。172cでは、反応剤ガスである塩素がチャンバからパージされる。172dでは、Ar+プラズマ種及び矢印で示されるように、除去ガスであるアルゴンが指向性プラズマとともに導入され、基板の改質表面を除去するためのイオン衝撃が実施される。この動作時には、イオンを惹き付けるために基板にバイアスが印可される。172eでは、チャンバはパージされ、副生成物は除去される。
1サイクルは、約0.1nmから約50nmの材料、又は約0.1nmから約5nmの材料、又は約0.2nmから約50nmの材料、又は約0.2nmから約5nmの材料のみを、部分的にエッチングすることができる。1サイクルでエッチングされる材料の量は、ALDとの統合の目的次第であってよい。例えば、もし、側壁保護のためにALDが統合される場合は、ALEサイクルでエッチングされる量は、ALDの実施によって特徴の底の露出側壁が保護されるように変更されてよい。一部の実施形態では、1サイクルのALEによって、1枚の単分子層未満の材料が除去されてよい。
図1Aの動作103では、エッチング化学剤がチャンバに導入される。本明細書で説明されるように、プラズマを使用した原子層エッチングを伴う一部の実施形態では、チャンバに材料が導入される動作において、リアクタ又はチャンバは、基板又はウエハの処理に先立ってチャンバに化学剤を導入することによって安定化されてよい。チャンバの安定化は、安定化に続く動作で使用される化学剤と同じ流量、圧力、温度、及びその他の条件を使用してよい。一部の実施形態では、チャンバの安定化は、異なるパラメータを伴ってよい。一部の実施形態では、動作103の際に、N2、Ar、Ne、He、及びこれらの組み合わせなどのキャリアガスが継続的に流される。一部の実施形態では、キャリアガスは、除去時にのみ使用される。キャリアガスは、以下で説明されるように、一部の動作ではパージガスとして使用されてよい。一部の実施形態では、動作103の際に、改質された層を除去するために酸素などの別の反応剤ガスが使用される。一部の実施形態では、除去の際に、キャリアガスは流されない。
本明細書で提供されるのは、動作103で実施されえる改質動作及び除去動作の一例である。改質動作は、後に続く除去動作で非改質材料よりも容易に除去される厚さを有する薄い反応性表面層を形成する。改質動作では、チャンバに塩素を導入することによって、基板が塩素化されてよい。開示される実施形態では、エッチャント種の一例として塩素が使用されるが、実施形態によっては、異なるエッチャントガスがチャンバに導入されることがわかる。エッチングガスは、エッチングされる基板のタイプ及び化学的性質に応じて選択されてよい。一部の実施形態では、プラズマが点火されてよく、塩素は、エッチングプロセスのために基板と反応する。一部の実施形態では、塩素は、基板と反応するだろう又は基板の表面に吸着されるだろう。各種の実施形態において、塩素は、ガス状でチャンバに導入され、随意としてキャリアガスを伴ってよい。このときのキャリアガスは、上述された任意であってよい。塩素プラズマから生成される種は、基板を収容しているプロセスチャンバ内でプラズマを発生させることによって直接的に生成されてよい、又は基板を収容していない遠く離れたプロセスチャンバ内で生成されて、基板を収容しているプロセスチャンバに供給されてよい。一部の実施形態では、プラズマは使用されず、塩素は、熱的にチャンバに導入される。
各種の実施形態において、プラズマは、誘導結合プラズマ又は容量結合プラズマであってよい。誘導結合プラズマは、約50Wから約2000Wのプラズマに設定されてよい。一部の実施形態では、約0Vから約500Vの間でバイアスが印可されてよい。
一部の実施形態では、改質動作後にパージが実施されてよい。パージ動作では、表面に結合されていない活性塩素種がプロセスチャンバから除去されてよい。これは、吸着層を除去することなく活性種を除去するためにプロセスチャンバをパージする及び/又は排気することによって行うことができる。塩素プラズマ内で発生する種は、単純にプラズマを停止させて、残りの種を減衰させることによって除去することができ、これは、随意として、チャンバのパージ及び/又は排気と組み合わされる。パージは、N2、Ar、Ne、He、及びこれらの組み合わせなどの不活性ガスを使用して行うことができる。
除去動作では、基板は、指向性スパッタリングによって基板をエッチングするために、アルゴン又はヘリウムなどのエネルギ源(例えば、除去を誘発する活性化ガス又はスパッタリングガス又は化学的に反応性の種)に暴露されてよい。一部の実施形態では、除去動作は、イオン衝撃によって実施されてよい。除去の際は、指向性スパッタリングを促すために、随意としてバイアスがオンにされてよい。一部の実施形態では、ALEは、等方的であってよい。
スパッタリングガスの量は、材料を目標量だけエッチングするように制御されてよい。各種の実施形態において、チャンバの圧力は、改質動作と除去動作との間で変更されてよい。ガスの圧力は、チャンバのサイズ、ガスの流量、リアクタの温度、基板のタイプ、及びエッチングされる基板のサイズ次第であってよい。もし、除去時にバイアスがオンにされる場合は、該バイアスは、非晶質シリコンなどの柔らかい材料内に特徴、溝、又はホールをエッチングするために、約50eVに設定されてよい。一部の実施形態では、チャンバは、除去動作後にパージされてよい。パージプロセスは、改質動作後のパージのために使用されるプロセスの任意であってよい。
各種の実施形態において、改質動作及び除去動作は、約1サイクルから約30サイクル、又は約1サイクルから約20サイクルのように、サイクル単位で繰り返されてよい。所望の量の膜をエッチングするために、任意の適切な数のALEサイクルが含められてよい。一部の実施形態では、ALEは、基板上の層の表面を約1Åから約50Åエッチングするために、サイクル単位で実施される。一部の実施形態では、ALEエッチングのサイクルは、基板上の層の表面を約2Åから約50Åエッチングする。
図1Aに戻り、動作105では、動作103で基板がエッチングされたのと同じチャンバ内で又は動作103から真空を破壊することなく、ALDによって基板上に薄膜が堆積される。動作103及び動作105は、in−situで又は真空内で、空気を入れることなく、即ち真空を破壊することなく実施されてよい。各種の実施形態において、動作105では、シリコン含有膜が堆積される。シリコン含有膜の例として、シリコン酸化物及びシリコン酸窒化物及びシリコン窒化物が挙げられる。一部の実施形態では、金属膜又は金属含有膜が堆積されてよい。一部の実施形態では、動作105が動作103に先立って実施されてよい。一部の実施形態では、動作103が動作105に先立って実施されてよい。
ALDは、自己制御的な順次反応を使用して薄い材料層を堆積させる技術である。ALDは、任意の適切な技術を使用して実施されてよい。各種の実施形態において、ALDは、プラズマによって実施されてよい又は熱によって実施されてよい。動作103は、サイクル単位で実施されてよい。
「ALDサイクル」の概念は、本明細書における各種の実施形態の考察に関わっている。総じて、ALDサイクルは、表面堆積反応を1回実施するために使用される最小の動作集合である。1サイクルの結果は、基板表面上にシリコン含有膜層が少なくとも部分的に形成されることである。通常、ALDサイクルは、基板表面に少なくとも1種の反応剤を供給する及び吸着させるための動作と、次いで、膜の部分層を形成するために、吸着された反応剤を1種以上の反応剤と反応させるための動作とを含む。サイクルは、いずれかの反応物若しくは副生成物を掃き出す及び/又は堆積された部分膜を加工するなどの、幾つかの付随的動作を含んでいてよい。総じて、1サイクルは、固有な一連の動作からなる1つの過程を含む。一例として、1ALDサイクルは、(i)シリコン含有前駆体を供給する/吸着させる動作、(ii)シリコン含有前駆体をチャンバからパージする動作、(iii)第2の反応剤及びプラズマを供給する動作、並びに(iv)プラズマをチャンバからパージする動作を含んでいてよい。
図1Bは、シリコン酸化物(SiO2)を堆積させるためのALDサイクルの一例の概略を示している。図面182a〜182eは、一般的なALDサイクルを示している。182aでは、多数のシリコン原子を含むシリコン基板が提供される。182bでは、酸素ラジカルとして酸素が基板に導かれ、基板の表面を改質する。これは、反応剤及びプラズマの供給であってよい。着目すべきは、一例として、酸素ラジカルの一部が基板の表面に吸着されることである。182cでは、酸素ラジカルは、チャンバからパージされる。182dでは、シリコン含有前駆体又はシリコン源が導入され、シリコン源は、基板の表面に吸着された酸素ラジカルと反応する。182eでは、チャンバはパージされ、副生成物は除去され、堆積されたSiO2の層が残される。
一部の実施形態では、ALDによって堆積される膜は、共形性が高いだろう。膜の共形性は、回り込み率によって測ることができる。回り込み率は、特徴の底部、側壁、又は頂部に堆積された膜の平均厚さを、特徴の底部、側壁、又は頂部に堆積された膜の平均厚さと比較することによって算出されてよい。例えば、回り込み率は、側壁に堆積された膜の平均厚さを、特徴の頂部に堆積された膜の平均厚さで割り、それに100を掛けて百分率を得ることによって算出されてよい。
化学気相成長(CVD)技術と異なり、ALDプロセスは、一層ずつ膜を堆積させるために、表面介在性の堆積反応を使用する。ALDプロセスの一例では、表面活性部位が集まっている基板表面が、基板を収容しているプロセスチャンバに投与されるシリコン含有前駆体などの第1の膜前駆体の気相分布に暴露される。この第1の前駆体の、化学吸着種及び/又は物理吸着分子を含む分子が、基板表面上に吸着される。なお、本明細書で説明されるように基板表面上に化合物が吸着される場合は、この吸着層は、化合物はもちろんその化合物の誘導体も含むだろうことが理解されるべきである。例えば、シリコン含有前駆体が吸着された層は、シリコン含有前駆体はもちろん、シリコン含有前駆体の誘導体も含むだろう。特定の実施形態では、投与されたALD前駆体が、基板表面を部分的に飽和させる。一部の実施形態では、ALDサイクルの投与段階は、表面を均等に飽和させるために、前駆体が基板に接触する前に終結する。通常、前駆体の流れは、この時点でオフにされ又は分岐され、パージガスのみが流される。この亜飽和状態で動作することによって、ALDプロセスのサイクル時間が短縮され、スループットが向上される。しかしながら、前駆体の吸着は、飽和を制限されないので、吸着された前駆体の濃度は、基板表面の場所によって僅かに異なるだろう。亜飽和状態で動作するALDプロセスの例が、参照によって本明細書に全体を組み込まれた、2013年10月23日に出願され発明の名称を「SUB-SATURATED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CONFORMAL FILM DEPOSITION(亜飽和原子層堆積及び共形膜堆積)」とする米国特許出願第14/061,587号に提供されている。第1の前駆体の投与後、リアクタは、吸着された種のみが残るように、気相内に残るあらゆる第1の前駆体を除去するために排気される。酸素又は窒素含有ガスなどの第2の反応剤が、それらの一部の分子が表面上に吸着された第1の前駆体と反応するように、リアクタに導入される。プロセスによっては、第2の前駆体は、吸着された第1の前駆体と直ちに反応する。その他の実施形態では、第2の前駆体は、活性化源が一時的に加えられた後に初めて反応する。リアクタは、次いで、未結合の第2の前駆体分子を除去するために、再び排気されてよい。膜の厚さを築くために、更なるALDサイクルが使用されてよい。
一部の実装形態では、ALD方法は、第2の反応剤がチャンバに供給されるときのような、プラズマ活性化を含む。本明細書で説明されるように、本明細書で説明されるALD方法及び装置は、共形膜堆積(CFD)方法であってよく、これらは、参照によって本明細書に全体を組み込まれた、2011年4月11日に出願され発明の名称を「PLASMA ACTIVATED CONFORMAL FILM DEPOSITION(プラズマ活性化による共形膜堆積)」とする米国特許出願第13/084,399号(現在は米国特許第8,728,956号)、及び2011年4月11日に出願され発明の名称を「SILICON NITRIDE FILMS AND METHODS(シリコン窒化物膜及び方法)」とする米国特許出願第13/084,305号で概ね説明されている。ALDプロセスの更なる例が、適切なALDプロセスの説明を提供する目的で参照によって本明細書に組み込まれたPuurunenによる「Surface chemistry of atomic layer deposition:for the trimethylaluminium/water process(原子層堆積の表面の化学的性質:トリメチルアルミニウム/水プロセスに関して)」、97 J.Applied Physics 12301(2005)で説明されている。
図1Aに戻り、動作105において、一部の実施形態では、N2、Ar、Ne、He、及びこれらの組み合わせなどのキャリアガスが継続的に流されてよい。キャリアガスは、パージガスとして使用されてよい。不活性ガスは、プロセスチャンバの圧力及び/若しくは温度制御、液状反応剤の気化、より迅速な反応物の供給を助けるために、並びに/又はプロセスチャンバ及び/若しくはプロセスチャンバの配管系統からプロセスガスを除去するための掃き出し用のガスとして、提供されてよい。
本明細書で提供されるのは、動作105で実施されえる吸着動作及び第2の反応剤供給動作の一例である。ALDサイクルの吸着動作では、基板は、基板表面上に吸着させるために、四塩化シリコン(SiC4)などの膜前駆体に暴露されてよい。一部の実施形態では、膜前駆体は、シリコン含有前駆体であってよい。一部の実施形態では、SiC4などの膜前駆体が、基板表面の約60%に吸着されてよい。各種の実施形態において、膜前駆体は、チャンバに流し込まれたときに、基板表面上の活性部位に吸着し、その表面上に膜前駆体の薄い層を形成する。各種の実施形態において、この層は、1枚の単分子層未満であってよい。
吸着後、チャンバは、基板表面上に吸着されなかった気相内の余分な前駆体を除去するために、随意としてパージされてよい。パージは、掃き出し用のガスを伴ってよく、このガスは、他の動作で使用されたキャリアガス又は異なるガスであってよい。一部の実施形態では、パージは、チャンバを排気することを伴ってよい。
ALDサイクルの第2の反応剤供給動作では、基板は、第2の反応剤と、随意としてプラズマとに暴露されてよい。各種の実施形態において、第2の反応剤は、酸素(O2)又は窒素(N2)又はこれらの混合である。シリコン酸化物層が堆積される一部の実施形態では、酸素が第2の反応剤として使用される。一部の実施形態では、第2の反応剤の流れ及びプラズマの両方がオンにされる。一部の実施形態では、例えば第2の反応剤の流れが安定化することを可能にするために、第2の反応剤の流れがプラズマに先立ってオンにされる。
一部の実施形態では、随意のプラズマは、チャンバ内で基板表面の真上にプラズマが形成されるように、in−situプラズマである。各種の実施形態において、プラズマは、誘導結合プラズマ又は容量結合プラズマであってよい。誘導結合プラズマは、約50Wから約2000Wのプラズマに設定されてよい。一部の実施形態では、約0Vから約500Vでバイアスが印可されてよい。第2の反応剤の供給の際は、SiC4などの膜前駆体がオフにされる。基板は、基板表面上に吸着された全ての前駆体とプラズマが相互作用するための時間を超える持続時間にわたって第2の反応剤及び随意のプラズマに暴露されてよく、こうして、基板表面の上に連続した膜が形成される。
第2の反応剤供給動作後、チャンバは、キャリアガス又は不活性ガスを導入するなどによってパージされてよい。この動作のための条件は、パージプロセスについて上述された任意の条件であってよい。
各種の実施形態において、ALDサイクルは、繰り返されてよい。例えば、ALDのための動作は、約5サイクルから約70サイクルにわたって実施されてよい。所望の膜厚の堆積膜を堆積させるために、任意の適切な数の堆積サイクルが含められてよい。一部の実施形態では、ALDサイクルは、サイクルごとに約1Åを堆積させてよい。動作の暴露時間に応じて、各サイクルは、約0.05Åから約5Åの厚さを有するシリコン酸化物膜又はシリコン酸窒化物膜などの膜を堆積させてよい。一部の実施形態では、毎分約2サイクルから約3サイクルのALDが実施されてよい。一部の実施形態では、基板に近めに入口が位置決めされたチャンバ内などで、毎分約3サイクルを超えるALDが実施されてよい。
一部の実施形態では、ALD動作は、同じチャンバ内で生じえる後続のALEプロセスにおける側方エッチングから特徴を保護することができる共形膜を形成する。一部の実施形態では、ALDは、特徴のコーナー部に膜を堆積させてそれらのコーナー部をエッチングプロセス時におけるエロージョンから保護するなどのために基板上に選択的に膜を堆積させるために統合される。一部の実施形態では、動作103及び動作105の少なくともいずれかが、自己制限的な反応である。一部の実施形態では、動作103及び動作105の少なくともいずれかが、可能な限り自己制限的な反応である。例えば、一部の実施形態では、動作103のみが、自己制限的なプロセスである。一部の実施形態では、動作105のみが、自己制限的なプロセスである。一部の実施形態では、動作103及び動作105の両方が、自己制限的である。各種の実施形態において、動作103及び動作105は、順次実施されてよい。これらの動作を順次実施する例が、図1C及び図1Dに関連して更に以下で説明される。
動作107では、バイアスが随意に印可される。バイアスの印可は、側壁をエッチングすることができるので、各種の実施形態において、バイアスは、継続的に印可されるのではなく、ALD及びALEの各種のサイクル後に印可されてよい。この動作は、ALDによって堆積された膜を突破するために実施されてよい。一部の実施形態では、バイアスは、ALDのサイクルによって堆積された層を突破するために、約80eVに設定される。
動作109では、十分なエッチングが実施されたかどうかが判定される。もし、形状が十分にエッチングされていない場合は、動作103〜109が繰り返されてよい。一部の実施形態では、動作103〜109は、繰り返されるサイクルの場合も、初期サイクルと同じチャンバ内で又は初期サイクルから真空を破壊することなく実施される。
図1C及び図1Dは、開示される実施形態の更なる例を提供する。動作110では、チャンバに収容された基板が、基板の表面を改質するために、エッチャント、即ちエッチングガスに暴露されてよい。これは、「表面改質」動作と呼ぶことができる。一部の実施形態では、これは、図1Dに示されている表面改質段階150Aに相当してよく、エッチングサイクルの一部であってよい。図1Dに示されるように、この動作時には、チャンバにエッチャントが流される間に、随意としてキャリアガスが流されてよい。キャリアガスは、図1Aに関連して上述されたキャリアガスの任意であってよい。一部の実施形態では、キャリアガスは、表面改質時には流されない。エッチャントは、それが基板の停止表面のみを改質するように流されてよい。各種の実施形態において、動作110では、バイアスが印可されてよい。バイアスは、約0Vから約500Vの電力で印可されてよい。
図1Cに戻り、動作112では、除去動作において基板をスパッタリングガスに暴露することによって、基板の改質層が基板から除去されてよく、スパッタリングガスは、キャリアガスと同じであってよい又は異なっていてよい。各種の実施形態において、この動作では、基板表面の少なくとも一部がエッチングされてよい。動作103に関連して上述された例が、これらの動作にしたがって使用されてよい。一部の実施形態では、動作110及び動作112の実施が、一回の原子層エッチングの実施を構成している。一部の実施形態では、動作110及び動作112は、随意として1回又は2回以上にわたって(例えば1サイクル又は2サイクル以上にわたって)繰り返されてよい。
動作112は、図1Dに示されるような除去段階152Aに相当してよい。表面改質150A及び除去152Aの実施は、エッチングサイクル130Aを構成していてよい。一部の実施形態では、1サイクルが、更に多くの動作を含んでいてよい。除去時には、キャリアガスが、他のいかなる化学剤も流すことなく流されてよい。キャリアガスは、改質層がエッチングされた状態でのパージの促進を助けるために流されてよい。図1Dに提供された例は、図1Cの動作110及び動作112を、これらの動作を繰り返すことなく一回実施する例である。
動作114では、基板は、基板表面の少なくとも一部に第1の反応剤を吸着させるために、第1の反応剤に暴露される。この動作は、動作110及び動作112の実施から真空を破壊することなく実施されてよい。一部の実施形態では、第1の反応剤は、本明細書で説明されるような膜前駆体である。各種の実施形態において、第1の反応剤は、基板の活性部位に吸着されるだろう。上述された、ALDサイクル時における吸着の例が、この動作に関わっている。
動作114は、図1Dの第1の前駆体暴露段階164Aに相当してよい。この動作中は、第1の前駆体が、随意のキャリアガスとして流されてよい。着目すべきは、この動作中は、エッチャント及び後ほど更に説明される第2の反応剤が流されなくてよいことである。この動作は、基板の表面の少なくとも一部を飽和させるのに十分な持続時間にわたって実施されてよい。一部の実施形態では、表面の少なくとも約40%、又は少なくとも約60%、又は少なくとも約80%、又は約100%が飽和されてよい。
一部の実施形態では、第1の前駆体暴露段階164Aを実施した後、図1Dのパージ段階165Aにおいて、基板を収容しているチャンバが随意にパージされてよい。パージ段階165A中は、基板の表面に吸着しなかった余分な第1の前駆体を除去するために、キャリアガスが流される。一部の実施形態では、パージ段階は実施されない。
図1Cに戻り、基板が第2の反応剤に暴露されるように、動作116が実施されてよい。各種の実施形態において、第2の反応剤は、還元剤であってよい。第2の反応剤は、基板上に薄い膜を堆積させるために、吸着された層と反応する。着目すべきは、一部の実施形態では、基板の表面上に第1の反応剤を吸着させる前に動作116が実施されるように、動作114と動作116とが逆の順番で実施されてよいことである。動作116は、図1Dに示されるような第2の反応剤暴露段階166Aに相当してよい。この段階では、第2の反応剤が流され、キャリアガスは随意で流される。一部の実施形態では、第2の反応剤が、キャリアガスを伴うことなく流される。この段階中は、エッチャント及び第1の前駆体の流れはオンにされない。各種の実施形態において、第2の反応剤暴露段階は、プラズマを点火することも含んでいてよい(不図示)。一部の実施形態では、プラズマの使用を伴うことなく薄い膜層が堆積されてよい。一部の実施形態では、チャンバは、第2の反応剤暴露段階166A後、パージ段階167A中に随意にパージされる。パージ段階167Aは、気相内の副生成物又は余分な第2の反応剤をチャンバから除去するために実施されてよい。一部の実施形態では、チャンバはパージされない。
図1Cの動作114及び動作116は、随意として、1回又は2回以上にわたって繰り返されてよい。動作114及び動作116の実施は、図1Aに関連して上述されたALDサイクルを構成していてよい。各種の実施形態において、動作110〜116は、1回又は2回以上にわたって繰り返されてよい。動作110及び動作112からなる繰り返しサイクルと、動作114及び動作116からなる繰り返しサイクルとの組み合わせが、更なるサイクルとして実施されてよい。例えば、一部の実施形態では、動作110〜112を2回実施することと、動作114〜116を3階実施することとを含むサイクルが、2回又は3回以上にわたって繰り返されてよい。一部の実施形態では、動作110〜112のサイクルと、動作114〜116のサイクルとが順次実施される。例えば、動作110〜112の実施後に動作114〜116が実施される、又はその逆が実施される。プロセスで使用されるサイクルの頻度及びサイクルの数は、開示される実施形態が使用される用途のタイプ次第であってよい。
図1Dにおいて、各サイクルは、1回繰り返される。このように、エッチングサイクル130Aは、図1Cの動作110〜112の1回の繰り返しを構成し、堆積サイクル132Aは、図1Cの動作114〜116の1回の繰り返しを構成し、次いで、これらのサイクルは、ともに、エッチングサイクル130B及び堆積サイクル132Bにおいて、もう1回繰り返される。エッチングサイクル130Bが、表面改質段階150B及び除去段階152Bを含む一方で、堆積サイクル132Bは、第1の前駆体暴露段階164B、パージ段階165B、第2の反応剤暴露段階166B、及びパージ段階167Bを含む。着目すべきは、一部の実施形態では、更なる繰り返しサイクルが、パージ段階165B及び167Bを含んでいても又は含んでいなくてよいことである。一部の実施形態では、暴露段階及びパージ段階の持続時間が、統合プロセスにおいてサイクルごとに異なっていてよい。一部の実施形態では、サイクルの数が、エッチング統合プロセスにおいて時間の経過とともに変動してよい。
一部の実施形態では、キャリアガスは、堆積サイクル中は流されず、エッチングサイクル中にのみ流されてよい。一部の実施形態では、キャリアガスは、エッチングサイクル中は流されず、堆積サイクル中にのみ流されてよい。一部の実施形態では、キャリアガスは、エッチングサイクルと堆積サイクルとで異なっていてよい。
各種の実施形態において、台座温度、チャンバ温度、チャンバ圧力、ガス流量、ガス流の化学的性質、パルス、暴露、及びパージの持続時間、プラズマ周波数、プラズマ電力、並びにバイアス電力などのプロセス条件が、開示される実施形態が実行に移される用途のタイプ及び装置又はツールのタイプに応じて調整されてよい。
本明細書で説明される方法は、様々な用途に適しているだろう。用途の例として、(1)高アスペクト比の側壁又はマスクの保護、(2)MRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリ)のエッチング及び封入のプロセス、並びに(3)指向性エッチングプロセス時における選択性の向上が挙げられる。
一部の半導体プロセスでは、非晶質シリコン又は非晶質ゲルマニウムなどの柔らかい材料が、溝若しくはホールを形成するために指向的にエッチングされる、又はそのような特徴を中に有する層を伴う基板が、指向性エッチングを施される。しかしながら、中性種には、溝又は特徴内で発生して特徴の側壁をエッチングしえるものがある。なかでも特に、小さい特徴内におけるALEプロセスは、側壁を、側方エッチングを受けやすくする恐れがあり、これは、特徴を細長くするかもしれない。本明細書で説明される、ALEプロセスとALDプロセスとを統合することによる方法では、ALD中に堆積された膜が、これらの特徴の側壁を、ALE中にエッチングされないように保護することができる。同様に、これらのALEとALDとの統合プロセスは、マスクのコーナー部のファセッティング(角が削り落とされてしまう現象)を軽減するために、マスクの剛性を向上させるために、及びマスクの劣化を防ぐために使用することができる。
従来のMRAMエッチング及び封入のプロセスは、感湿性の層の暴露を伴うことが多く、それゆえに、デバイスが汚染されるリスクがある。封入は、MRAM製作で使用されるが、本明細書で説明されるような封入は、他のデバイスの製作にも使用されてよく、また、他の感受性の層にも使用されてよい。
MRAMエッチングにおいて、MRAM積層体は、MTJ(磁気トンネル接合)上に堆積されたタンタルマスクと、基板とを含み、MTJは、更に、コバルト及び/又はタンタルの層上に堆積されている。一部の実施形態では、これらの層の間に、更に層が堆積されている。MTJは、2枚のコバルト鉄ホウ素(CoFeB)層と、これら2枚のCoFeB層の間に挟まれたマグネシウム酸化物(MgO)層とを含んでいてよい。
この積層体は、ルテニウム層を先ずエッチングすることによってエッチングされてよい。一部の実施形態では、ルテニウム層は、ALEによってエッチングされてよい。続いて、MTJをエッチングして開くためにアルゴン又はヘリウムのプラズマが使用されてよく、それによって、感湿性の層が露出される。本明細書で説明される方法は、次いで、感湿性の層の上に薄い封入膜が堆積して感湿性の層を封入するためにALDが実施される間も、同じチャンバ内に基板がとどまることを可能にする。一部の実施形態では、この薄い封入膜は、酸化物層又は窒化物層である。各種の実施形態では、次いで、基板を突破して引き続き下の層をエッチングするために、下にあるコバルト及び/又はタンタル層がエッチングされてよい。
本明細書で説明される方法は、エッチングプロセスにおける選択性の向上にも適しているだろう。例えば、一部の実施形態では、より厚い層を基板上のどこかの表面上に堆積させるために、共形膜堆積が実施されてよい。一部の実施形態では、後続のALEプロセスが、ALDによる堆積を受けた領域ではなく露出している領域をエッチングするように、選択的ALDが、薄い膜を一部の領域には堆積させる一方でその他の領域には堆積させないように実施されてよい。例えば、ALDは、特徴の縁に堆積が生じてALE中における縁のファセッティングを防ぐように実施されてよい。
装置:
次に、特定の実施形態における原子層エッチング(ALE)動作及び原子層堆積(ALD)動作に適しているだろう誘導結合プラズマ(ICP)リアクタが説明される。このようなICPリアクタは、あらゆる目的のために参照によって全体を本明細書に組み込まれた、2013年10月12日に出願され発明の名称を「IMAGE REVERSAL WITH AHM GAP FILL FOR MULTIPLE PATTERNING(複数パターン形成のためのAHMギャップ充填を伴う像反転)」とする米国特許出願公開第2014/0170853号でも説明されている。本明細書では、ICPリアクタが説明されているが、実施形態によっては、容量結合プラズマリアクタが使用されてもよいことが理解されるべきである。
図2は、本明細書における特定の実施形態を実行に移すのに適した誘導結合プラズマエッチング・堆積統合装置200の断面図の概略を示している。装置の一例は、カリフォルニア州フリーモントのLam Research Corp.によって製作されているKiyo(商標)リアクタである。誘導結合プラズマ装置200は、チャンバ壁201と窓211とによって構造的に定められた全体プロセスチャンバを含む。チャンバ壁201は、ステンレス鋼又はアルミニウムで製作されてよい。窓211は、石英又はその他の誘電体材料で製作されてよい。随意の内部プラズマ格子260が、全体プロセスチャンバを上方サブチャンバ202と下方サブチャンバ203とに分ける。大半の実施形態では、プラズマ格子250を取り外し、それによって、サブチャンバ202と203とで形成されたチャンバ空間を利用することができる。チャック217が、下方サブチャンバ203内の内側の底面近くに位置決めされる。チャック217は、エッチングプロセス及び堆積プロセスが実施される半導体ウエハ219を受けて保持するように構成される。チャック217は、ウエハ219が存在するときにそのウエハ219を支えるための静電チャックであってよい。一部の実施形態では、エッジリング(不図示)がチャック217を取り囲み、チャック217上にあるときのウエハ219の上面とおおよそ同一平面の上面を有する。チャック217は、ウエハを把持する及び解放するための静電電極も含む。この目的のために、フィルタとDCクランプ電源(不図示)とが提供されてよい。ウエハ219をチャック217から持ち上げるための他の制御システムも提供されてよい。チャック217は、RF電源223を使用して電気的に充電することができる。RF電源223は、接続部227を通じて整合回路構成221に接続される。整合回路構成221は、接続部225を通じてチャック217に接続される。こうして、RF電源223は、チャック217に接続される。
プラズマ生成のための構成要素が、窓211の上方に位置決めされる。開示される実施形態によっては、コイルが使用されないことがある。コイル233は、電気伝導性の材料で作成され、少なくとも1回の完全な巻きを含む。図2に示されたコイル233の例は、3回の巻きを含む。図では、コイル233の断面が記号で示されており、「X」を有するコイルは、ページに進入する方向に巻いており、「●」を有するコイルは、ページから突き出す方向に巻いている。プラズマ生成のための構成要素は、RF電力をコイル233に供給するように構成されたRF電源241も含む。通常、RF電源241は、接続部245を通じて整合回路構成239に接続される。整合回路構成239は、接続部243を通じてコイル233に接続される。こうして、RF電源241は、コイル233に接続される。コイル233と窓211との間には、随意のファラデーシールド249が位置決めされる。ファラデーシールド249は、コイル233に対して相隔たれた位置関係に維持される。ファラデーシールド249は、窓211の真上に配される。コイル233、ファラデーシールド249、及び窓211は、それぞれ、互いに実質的に平行であるように構成される。ファラデーシールドは、プラズマチャンバの誘電体窓上に金属又は他の種が堆積するのを防ぐことができる。
上方チャンバ内に位置決めされた1つ以上の主ガス流入口260を通じて及び/又は1つ以上の脇ガス流入口270を通じて、プロセスガス(例えば塩素、アルゴン、四塩化シリコン、酸素、窒素など)がプロセスチャンバに流し込まれてよい。同様に、図には明示されていないが、プロセスガスを容量結合プラズマ処理チャンバに供給するために、同様なガス流入口が使用されてよい。プロセスガスをプロセスチャンバ224から引き出すために及びプロセスチャンバ200内の圧力を維持するために、1段階若しくは2段階以上の機械式ドライポンプ、及び/又はターボ分子ポンプ240などの、真空ポンプが使用されてよい。例えば、ポンプは、ALDのパージ動作中にチャンバ201を排気するために使用されてよい。真空ポンプを処理チャンバに流体連通式に接続し、真空ポンプによって提供される真空環境の適用を選択的に制御するために、弁制御式の導管が使用されてよい。これは、操作式のプラズマ処理中に、絞り弁(不図示)又は振り子弁(不図示)などの閉ループ制御式の流量制限機器を用いてなされてよい。同様に、容量結合プラズマ処理チャンバへの、真空ポンプ及び弁によって制御される流体連通式の接続も用いられてよい。
装置の動作中は、ガス流入口260及び/又は270を通じて1種以上のプロセスガスが供給されてよい。特定の実施形態では、プロセスガスは、主ガス流入口260を通じてのみ、又は脇ガス流入口270を通じてのみ供給されてよい。場合によっては、図に示されているガス流入口は、例えば、より複雑なガス流入口や1つ以上のシャワーヘッドなどで置き換えられてよい。ファラデーシールド249及び/又は随意の格子250は、チャンバへのプロセスガスの供給を可能にする内部通路及び穴を含んでいてよい。ファラデーシールド249及び随意の格子250は、そのいずれか又は両方が、プロセスガスの供給のためのシャワーヘッドとして機能してよい。一部の実施形態では、液状の反応剤又は前駆体が気化されたら、その気化された反応剤又は前駆体がガス流入口260及び/又は270を通じてチャンバに導入されるように、チャンバ201の上流に液体気化・供給システムが配されてよい。液状前駆体の例として、SiCl4及びシリコンアミドが挙げられる。
RF電源241からコイル233に供給される高周波電力は、RF電流をコイル233に流れさせる。コイル233を流れるRF電流は、コイル233の周囲に電磁場を発生させる。該電磁場は、上方サブチャンバ202内に誘導電流を発生させる。生成された様々なイオン及びラジカルとウエハ219との物理的及び化学的相互作用が、ウエハ上の特徴を選択的にエッチングするとともにウエハ上に層を選択的に堆積させる。
もし、上方サブチャンバ202及び下方サブチャンバ203の両方があるようにプラズマ格子が使用される場合は、誘導電流は、上方サブチャンバ202内に存在するガスに作用して、上方サブチャンバ202内に電子・イオンプラズマを発生させる。この随意の内部プラズマ格子250は、下方サブチャンバ203内における高温電子の量を制限する。一部の実施形態では、装置は、下方サブチャンバ203内に存在するプラズマがイオン・イオンプラズマであるように設計され動作される。
上方の電子・イオンプラズマ及び下方のイオン・イオンプラズマは、ともに、陽イオン及び陰イオンを含むだろう。ただし、イオン・イオンプラズマは、陽イオンよりも高い割合の陰イオンを有する。下方サブチャンバ203からは、ポート222を通じて揮発性のエッチング及び/又は堆積副生成物が除去されてよい。本明細書で開示されるチャック217は、約10℃から約250℃の範囲にわたる高温で動作してよい。温度は、プロセスの動作及び具体的なレシピに依存する。
チャンバ201は、洗浄室内又は製造施設内に設置されるときに、設備(不図示)につながれてよい。設備には、処理ガス、真空、温度制御、及び環境粒子制御を提供する配管系統がある。これらの設備は、対象の製造施設内に設置されるときに、チャンバ201につながれる。また、チャンバ201は、代表的な自動化を使用してチャンバに対してロボットが半導体ウエハを出し入れすることを可能にする移送チャンバにつながれてよい。
一部の実施形態では、処理チャンバの動作の一部又は全部を、システムコントローラ230(1つ以上の物理的又は論理的コントローラが挙げられる)が制御する。システムコントローラ230は、1つ以上のメモリデバイスと、1つ以上のプロセッサとを含んでいてよい。一部の実施形態では、装置は、開示される実施形態が実施されるときに流量及び持続時間を制御するための切り替えシステムを含む。一部の実施形態では、装置は、最長で約500msの、又は最長で約750msの切り替え時間を有していてよい。切り替え時間は、流れの化学的性質、選ばれるレシピ、リアクタの構造、及びその他の要素に依存するだろう。
一部の実装形態では、コントローラ230は、システムの一部であり、該システムは、上述された例の一部であってよい。このようなシステムは、1つ若しくは複数の処理ツール、1つ若しくは複数のチャンバ、処理のための1つ若しくは複数のプラットフォーム、及び/又は特定の処理コンポーネント(ウエハ台座やガス流システムなど)などの、半導体処理機器を含むことができる。これらのシステムは、半導体ウエハ又は基板の処理の前、最中、及び後におけるそれらの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてよく、1つ又は複数のシステムの様々なコンポーネント又は副部品を制御することができる。コントローラ230は、処理要件及び/又はシステムのタイプに応じ、処理ガスの供給、温度の設定(加熱及び/若しくは冷却)、圧力の設定、真空の設定、電力の設定、高周波(RF)発生器の設定、RF整合回路の設定、周波数の設定、流量の設定、流体供給の設定、位置及び動作の設定、特定のシステムに接続された若しくはインターフェース接続されたツール及びその他の移送ツール及び/若しくはロードロックに対してウエハを出入りさせるウエハ移送など、本明細書で開示される任意のプロセスを制御するようにプログラムされてよい。
概して、コントローラ230は、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、終点測定を可能にするなどの様々な集積回路、ロジック、メモリ、及び/又はソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形態をとるチップ、デジタル信号プロセッサ(DSP)、特殊用途向け集積回路(ASIC)として定められたチップ、及び/又はプログラム命令(例えばソフトウェア)を実行する1つ以上のマイクロプロセッサ若しくはマイクロコントローラを含んでいてよい。プログラム命令は、様々な個別設定(又はプログラムファイル)の形態でコントローラに伝えられて半導体ウエハに対して又はシステムのために特定のプロセスを実行に移すための動作パラメータを定義する命令であってよい。動作パラメータは、一部の実施形態では、1枚以上の層、材料、金属、酸化物、シリコン、シリコン二酸化物、表面、回路、及び/又はウエハダイの製作における1つ以上の処理工程を実現するためにプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。
コントローラは、一部の実現形態では、システムと一体化された、システムにつながれた、それ以外の形でシステムにネットワーク接続された、若しくはそれらを組み合わせたコンピュータの一部であってよい、又はそのようなコンピュータに接続されてよい。例えば、コントローラは、「クラウド」の中、又はファブホストコンピュータシステムの全体若しくは一部の中にあってよく、これは、ウエハ処理の遠隔アクセスを可能にすることができる。コンピュータは、製作動作の現進行状況を監視し、過去の製作動作の履歴を調査し、複数の製作動作から傾向若しくは性能基準を調査するために、又は現処理のパラメータを変更するために、又は現処理を追跡するための処理工程を設定するために、又は新しいプロセスを開始させるために、システムへの遠隔アクセスを可能にすることができる。一部の例では、遠隔コンピュータ(例えばサーバ)が、ローカルネットワーク又はインターネットなどのネットワークを通じてシステムにプロセスレシピを提供することができる。遠隔コンピュータは、パラメータ及び/若しくは設定の入力又はプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでいてよく、これらのパラメータ及び/又は設定は、次いで、遠隔コンピュータからシステムに伝えられる。一部の例では、コントローラ230は、1つ以上の動作中に実施される各処理工程のためのパラメータを指定するデータの形式で命令を受信する。なお、パラメータは、実施されるプロセスのタイプに、及びコントローラがインターフェース接続されるように又は制御するように構成されたツールのタイプに特有であってよいことが理解されるべきである。したがって、上述のように、コントローラ230は、ネットワークによって結ばれて本明細書で説明されるプロセス及び制御などの共通の目的に向かって作業する1つ以上の個別のコントローラを含むなどによって分散されてよい。このような目的のための分散コントローラの一例として、(プラットフォームレベルに又は遠隔コンピュータの一部として)遠隔設置されてチャンバにおけるプロセスを協同して制御する1つ以上の集積回路と通じているチャンバ上の1つ以上の集積回路が挙げられる。
代表的なシステムとしては、制限なく、プラズマエッチングチャンバ若しくはプラズマエッチングモジュール、堆積チャンバ若しくは堆積モジュール、スピンリンスチャンバ若しくはスピンリンスモジュール、金属めっきチャンバ若しくは金属めっきモジュール、洗浄チャンバ若しくは洗浄モジュール、ベベルエッジエッチングチャンバ若しくはベベルエッジエッチングモジュール、物理蒸着(PVD)チャンバ若しくはPVDモジュール、化学気相成長(CVD)チャンバ若しくはCVDモジュール、ALDチャンバ若しくはALDモジュール、ALEチャンバ若しくはALEモジュール、イオン注入チャンバ若しくはイオン注入モジュール、追跡チャンバ若しくは追跡モジュール、並びに半導体ウエハの製作及び/若しくは製造に関係付けられる若しくは使用されるその他の任意の半導体処理システムが挙げられる。
上記のように、ツールによって実施される1つ以上の処理工程に応じ、コントローラは、その他のツール回路若しくはツールモジュール、その他のツールコンポーネント、クラスタツール、その他のツールインターフェース、隣接するツール、近隣のツール、工場の随所にあるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、又は半導体製造工場におけるツール場所及び/若しくは装填ポートに対してウエハ入りの容器を出し入れする材料輸送に使用されるツールのうちの、1つ以上とやり取りするだろう。
図3は、真空移送モジュール338(VTM)と境界を接する様々なモジュールを伴う半導体プロセスクラスタアーキテクチャを示している。複数の貯蔵設備と処理モジュールとの間でウエハを「移送する」ための移送モジュールの配置構成は、「クラスタツールアーキテクチャ」システムと呼ぶことができる。VTM338では、ロードロック又は移送モジュールとしても知られるエアロック330が、4つの処理モジュール320a〜320dとともに示されている。これら4つの処理モジュールは、様々な製作プロセスを実施するように個別に最適化されてよい。例えば、処理モジュール320a〜320dは、基板エッチング、堆積、イオン注入、ウエハ洗浄、スパッタリング、及び/又はその他の半導体プロセスを実施するように実装されてよい。一部の実施形態では、ALD及びALEは、同じモジュール内で実施される。一部の実施形態では、ALD及びALEは、同じツールの異なるモジュール内で実施される。基板エッチングプロセスモジュールは、その1つ以上(320a〜320dの任意)が、本明細書で開示されるように、即ち共形膜を堆積させるために、及びALDによって膜を選択的に堆積させるために、及びパターンをエッチングするために、及び開示される実施形態にしたがったその他の適切な機能用に実装されてよい。エアロック330及びプロセスモジュール320は、「ステーション」と呼ぶことができる。各ステーションは、それをVTM338につなぐファセット336を有する。各ファセットの内部では、それぞれのステーション間で移動されるときのウエハ326の通過を検出するために、センサ1〜18が使用される。
ロボット322が、ステーション間でウエハ326を移送する。一実施形態では、ロボット322は、1本のアームを有し、別の一実施形態では、ロボット322は、2本のアームを有し、各アームは、搬送のためにウエハ326などのウエハを拾い上げるためのエンドエフェクタ324を有する。ウエハ326をカセット、即ちロードポートモジュール(LPM)342内の前面開閉式一体化ポッド(FOUP)から、エアロック330に移送するために、大気圧移送モジュール(ATM)340内のフロントエンドロボット332が使用される。プロセスモジュール320内のモジュールセンタ328は、ウエハ326を置くための1つの場所である。ウエハを位置合わせするために、ATM340内のアライナ344が使用される。
代表的な処理方法では、LPM342内のFOUP334の1つの中に、ウエハが置かれる。フロントエンドロボット332が、ウエハをFOUP334からアライナ344に移送し、アライナ344は、ウエハ326がエッチング前又は処理前に正しく中心合わせされることを可能にする。位置を揃えられた後、ウエハ326は、フロントエンドロボット332によってエアロック330内へ移動される。エアロックモジュールは、ATMとVTMとの間で環境を一致させる機能を有するので、ウエハ326は、損傷されることなく2つの圧力環境間で移動することができる。エアロックモジュール330から、ウエハ326は、ロボット322によってVTM338を経てプロセスモジュール320a〜320dの1つに移動される。このウエハ移動を実現するために、ロボット322は、その各アーム上のエンドエフェクタ324を使用する。処理されたウエハ326は、ロボット322によってプロセスモジュール320a〜320dからエアロックモジュール330へ移動される。ここから、ウエハ326は、フロントエンドロボット332によってFOUP334の1つ又はアライナ344へ移動されてよい。
着目すべきは、ウエハ移動を制御しているコンピュータが、クラスタアーキテクチャの内部にあってよい、又はクラスタアーキテクチャの外の製造現場内にあってよい、又は遠隔地にあってネットワークを通じてクラスタアーキテクチャに接続されてよいことである。図2に関連して上述されたコントローラが、図3におけるツールに実装されてよい。
実験:
実験1:
開示される実施形態にしたがって、実験が行われた。非晶質シリコン基板が提供された。基板は、パターン形成されたマスクも含んでいた。基板は、カリフォルニア州フリーモントのLam Research Corp.から入手可能なKiyo(商標)リアクタに入れられた。基板は、特徴をエッチングするために、50サイクルのALEを施された。これらのALEサイクル後、基板は、次いで、5nmのSiO2を形成するために、真空を破壊することなく同じKiyoリアクタ内で、前駆体としてSiCl4を及び第2の反応剤としてO2を使用して、50サイクルのALDを施された。なお、5nmのSiO2が堆積されたのは、基板の画像に明白に結果を示すためである。
結果として得られた、基板400内にエッチングされた特徴が、図4に示されている。画像401は、パターン形成されたマスク410の上にSiO2の共形ブランケット層420が堆積された、エッチングされた基板を示している。着目すべきは、示された画像に、クロムのキャップ層430が示されていることである。画像403は、画像401と同じ特徴の拡大画像である。画像403に示されるように、ALDによって堆積されたSiO2420は、共形性であり、特徴の側壁上で約5nm、特徴の底で約5.4nmである。これらの結果は、同じチャンバ内で実施されるALEとALDとの統合プロセスの実現性を立証している。
結論:
以上の実施形態は、理解を明瞭にする目的で幾分詳細に説明されてきたが、添付の特許請求の範囲内で特定の変更及び修正が加えられてよいことが明らかである。着目すべきは、これらの実施形態のプロセス、システム、及び装置を実現する代替のやり方が、多数存在することである。したがって、これらの実施形態は、例示的なものであって限定的ではないと見なされ、本明細書で与えられる詳細に限定されない。

Claims (30)

  1. 基板を処理する方法であって、
    チャンバ内で、原子層エッチングによって前記基板をエッチングすることと、
    前記チャンバ内で、原子層堆積によって膜を堆積させることと、
    を備え、前記エッチング及び前記堆積は、真空を破壊することなく実施される、方法。
  2. 請求項1に記載の方法であって、
    前記エッチングは、サイクル単位で実施され、1サイクルは、
    基板を、前記基板の表面を改質するためにエッチングガスに暴露することと、
    前記改質された表面の少なくとも一部を除去するために、前記基板を除去ガスに暴露することと、
    を含む、方法。
  3. 請求項1に記載の方法であって、
    前記堆積は、サイクル単位で実施され、1サイクルは、
    前記基板を、前記基板の表面を改質するために堆積前駆体に暴露することと、
    前記膜を堆積させるために、前記基板を還元剤に暴露することと、
    を含む、方法。
  4. 請求項2に記載の方法であって、
    前記基板をエッチングガスに暴露することは、更に、プラズマを点火することを含む、方法。
  5. 請求項2に記載の方法であって、更に、
    前記基板にバイアスを印可することを備える方法。
  6. 請求項3に記載の方法であって、更に、
    プラズマを点火することを備える方法。
  7. 請求項2に記載の方法であって、
    前記エッチングガスは、塩素含有化合物である、方法。
  8. 請求項1に記載の方法であって、
    前記エッチングは、非共形的に実施される、方法。
  9. 請求項2に記載の方法であって、
    1サイクルは、約1Åから約50Åの膜をエッチングする、方法。
  10. 請求項3に記載の方法であって、
    前記堆積前駆体の少なくとも一部は、前記基板を前記堆積前駆体に暴露している最中に前記基板の表面に吸着する、方法。
  11. 請求項2又は3のいずれか一項に記載の方法であって、
    前記チャンバは、暴露と暴露との間にパージされる、方法。
  12. 請求項1ないし11のいずれか一項に記載の方法であって、
    前記エッチング及び前記堆積は、同じチャンバ内で実施される、方法。
  13. 請求項1ないし11のいずれか一項に記載の方法であって、
    前記エッチング又は前記堆積のいずれか一方は、自己制限的な反応である、方法。
  14. 請求項1ないし11のいずれか一項に記載の方法であって、
    前記エッチング及び前記堆積は、前記基板上に材料を堆積させるために実施される、方法。
  15. 請求項1ないし11のいずれか一項に記載の方法であって、
    前記エッチング及び前記堆積は、前記基板上の材料をエッチングするために実施される、方法。
  16. 請求項1ないし11のいずれか一項に記載の方法であって、
    前記エッチングは、更に、前記基板を指向的にスパッタリングすることを含む、方法。
  17. 方法であって、
    (a)チャンバに収容された基板を、前記基板を一層ずつエッチングするためにエッチングガス及び除去ガスの交互パルスに暴露することと、
    (b)前記基板上に膜を堆積させるために、前記基板を第1の反応剤及び第2の反応剤の交互パルスに暴露することと、
    (c)同じチャンバ内で(a)及び(b)を繰り返すことと、
    を備える方法。
  18. 請求項17に記載の方法であって、
    (a)は、更に、前記基板にバイアスを印可することを含む、方法。
  19. 請求項17に記載の方法であって、
    (a)は、更に、前記基板を指向的にスパッタリングすることを含む、方法。
  20. 請求項17に記載の方法であって、更に、
    前記基板を前記除去ガスに暴露するときにプラズマを点火することを備える方法。
  21. 請求項17に記載の方法であって、更に、
    前記基板を前記第2の反応剤に暴露するときにプラズマを点火することを備える方法。
  22. 請求項17ないし21のいずれか一項に記載の方法であって、
    前記除去ガスは、N2、Ar、He、及びNeからなる群より選択されるキャリアガスである、方法。
  23. 請求項17ないし21のいずれか一項に記載の方法であって、
    (a)及び(b)は、同じチャンバ内で実施され、順次実施される、方法。
  24. 請求項17ないし21のいずれか一項に記載の方法であって、
    前記チャンバは、パルスとパルスとの間でパージされる、方法。
  25. 請求項17ないし21のいずれか一項に記載の方法であって、
    (a)又は(b)の少なくとも1つは、自己制限的な反応である、方法。
  26. 請求項17ないし21のいずれか一項に記載の方法であって、
    (a)及び(b)は、前記基板上に膜を堆積させるために繰り返される、方法。
  27. 請求項17ないし21のいずれか一項に記載の方法であって、
    (a)及び(b)は、前記基板上の膜をエッチングするために繰り返される、方法。
  28. 請求項17ないし21のいずれか一項に記載の方法であって、
    前記基板は、金属及び誘電体からなる群より選択される、方法。

  29. 基板を処理するための装置であって、
    それぞれチャックを含む1つ以上のプロセスチャンバと、
    前記プロセスチャンバへの1つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、
    少なくとも1つのプロセッサ、及びメモリを有するコントローラであって、
    前記少なくとも1つのプロセッサ、及び前記メモリは、通信可能方式で互いに接続され、
    前記少なくとも1つのプロセッサは、少なくとも動作可能方式で前記流量制御ハードウェアに接続され、
    前記メモリは、
    チャンバ内で原子層エッチングによって前記基板をエッチングすることと、
    前記チャンバ内で原子層堆積によって膜を堆積させることと、に関して、
    前記流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように前記少なくとも1つのプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納し、前記エッチング及び前記堆積は、真空を破壊することなく実施される、
    コントローラと、
    を備える装置。
  30. 基板を処理するための装置であって、
    それぞれチャックを含む1つ以上のプロセスチャンバと、
    前記プロセスチャンバへの1つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、
    少なくとも1つのプロセッサ、及びメモリを有するコントローラであって、
    前記少なくとも1つのプロセッサ、及び前記メモリは、通信可能方式で互いに接続され、
    前記少なくとも1つのプロセッサは、少なくとも動作可能方式で前記流量制御ハードウェアに接続され、
    前記メモリは、
    (a)基板を、前記基板を一層ずつエッチングするためにエッチャント及びパージガスの交互パルスに暴露することと、
    (b)前記エッチングされた基板上に膜を堆積させるために、還元剤及び前駆体の交互パルスに前記基板を暴露することと、
    (c)(a)及び(b)を、(a)の実施と(b)の実施の間に真空を破壊することなく繰り返すことと、に関して、
    前記流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように前記少なくとも1つのプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納する、コントローラと、
    を備える装置。
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