JP5918108B2 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

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Description

本発明の種々の側面及び実施形態は、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置に関するものである。
特許文献１には、一種のプラズマ処理方法が記載されている。このプラズマ処理方法では、絶縁層が、下部磁性層及び上部磁性層により挟まれた磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を含む多層膜基体を処理してＭＲＡＭ素子を形成している。ここで、絶縁層の材料としてはＡｌ２Ｏ３が用いられている。下部磁性層は磁化方向が固定されており、上部磁性層は外部磁界によって磁化方向が変化する。具体的には、特許文献１に記載された方法では、（ａ）上部電極層上に第１のマスクを形成し、（ｂ）上部電極層、上部磁性層、及び絶縁層をプラズマエッチングし、（ｃ）第１のマスクを取り除き、（ｄ）上部電極層上に第２のマスクを形成し、（ｅ）下部電極層をエッチングして、ＭＲＡＭ素子を形成している。
米国特許出願公開２００４／０１３７７４９号明細書
特許文献１に記載の装置では、多層膜基体をエッチングする際に、絶縁層の側壁に導電性物質を含む残留物が付着する場合がある。絶縁層の側壁に残留物が付着すると、ＭＴＪでリーク電流が発生し、ＭＲＡＭ素子の特性が劣化してしまう。このような課題を解決するために、絶縁層の上面で一旦エッチングを止めることにより、絶縁層の側壁への残留物の付着を抑制することが考えられる。このような処理方法を行う場合には、磁性層と絶縁層とのエッチングレートの選択比を高くする必要がある。
ところで、ＭＴＪ素子の絶縁層の材料としてＭｇＯを採用すると高いＭＲ比を実現できることが知られている。しかしながら、ＭｇＯはＭＴＪ素子の絶縁層の材料としては新規の材料であるため、磁性層とＭｇＯから構成される絶縁層との間で高い選択比を実現するエッチング条件は知られていない。
さらに、磁性層をエッチングするためには、磁性層上に金属マスクをエッチング等により形成する必要がある。しかし、金属マスクを磁性層上に形成する際に、磁性層の上面（表面）が変質して磁性層とは異なる変質層が形成される場合がある。このような変質層を含めた磁性層のエッチング条件については知られていない。
このため、当技術分野においては、磁性層のエッチングをＭｇＯからなる絶縁層の上面で一旦止めることを実現することにより、リーク電流を防止してＭＲＡＭ素子の特性を向上させることができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置が望まれている。
本発明の一側面に係るプラズマ処理方法は、プラズマ処理装置を用いて多層膜材料をエッチングする方法である。該装置は、処理容器及びガス供給部を備える。処理容器は、プラズマが生成される処理空間を画成する。ガス供給部は、処理空間内に処理ガスを供給する。多層膜材料は、第１磁性層、絶縁層、第２磁性層及びマスク材料の順に積層された積層構造を含む。該方法は、マスクを形成する工程及びエッチング工程を備える。マスクを形成する工程では、マスク材料をエッチングして第２磁性層上にマスクを形成する。エッチング工程では、処理容器に処理ガスを供給し、プラズマを発生させ、マスクを用いて第２磁性層をエッチングし、絶縁層の表面でエッチングを終了する。ここで、第２磁性層は、ＣｏＦｅＢを含む。絶縁層は、ＭｇＯを含む。処理ガスは、Ｈ２及びＦもしくはフッ素化合物を含む。
このプラズマ処理装置によれば、Ｆ又はフッ素化合物を含んだ処理ガスによって第２磁性層がエッチングされる。Ｆラジカルは、第２磁性層に含まれるＣｏＦｅＢに反応し、絶縁層に含まれるＭｇＯに反応しないため、ＣｏＦｅＢを含む第２磁性層とＭｇＯを含む絶縁層とのエッチングレートの選択比を向上することができる。さらに、フッ素は他のハロゲン元素に比べて残留物の発生が少ない傾向にある。このため、第２磁性層の垂直性を向上しつつ、後述する絶縁層のエッチングの際に残留物が飛散して絶縁層の側壁へ残留物が付着することを回避することができる。また、ＣｏＦｅＢを含む第２磁性層の表面は変質し易く、条件によってはマスク処理後において第２磁性層の表面に変質層が形成される場合がある。処理ガスとしてＦを含むことにより、変質層が形成された場合であっても容易に第２磁性層をエッチングすることができる。また、このプラズマ処理方法によれば、Ｈ２を含んだ処理ガスにより、第２磁性層の側面及び絶縁層の上面に付着した残留物が除去されるので、第１磁性層の垂直性を向上しつつ、後述する絶縁層のエッチングの際に残留物が飛散して絶縁層の側壁へ残留物が付着することを一層回避することが可能となる。よって、本発明の一側面に係るプラズマ処理方法によれば、磁性層のエッチングをＭｇＯからなる絶縁層の上面で一旦止めることができるため、リーク電流を防止してＭＲＡＭ素子の特性を向上させることが可能となる。
一実施形態において、エッチング工程では、その表面に形成された変質層を含む第２磁性層をエッチングしてもよい。変質層が第２磁性層の表面に形成された場合であっても、処理ガスがＦを含むことにより容易に第２磁性層をエッチングすることができる。
一実施形態において、変質層は、マスク材料に含まれる金属元素を含んでもよい。一実施形態において、金属元素は、Ｔａを含んでもよい。このように変質層が金属元素を含有する難エッチング材料である場合であっても、処理ガスがＦを含むことにより、容易に第２磁性層をエッチングすることができる。
一実施形態では、エッチング工程は、第１エッチング工程、第２エッチング工程及び第３エッチング工程を有してもよい。第１エッチング工程は、処理容器に第１処理ガスを供給し、プラズマを発生させて、変質層を含む第２磁性層の表面をエッチングしてもよい。第２エッチング工程は、処理容器に第２処理ガスを供給し、プラズマを発生させて、第２磁性層をエッチングし、絶縁層の表面でエッチングを終了してもよい。第３エッチング工程は、処理容器に第３処理ガスを供給し、プラズマを発生させて第２エッチング工程で生成された残留物を除去してもよい。ここで、第１処理ガスは、Ｆ又はフッ素化合物を含み、第２処理ガスは、ハロゲン元素を有するガスを含み、第３処理ガスは、Ｈ２を含んでもよい。このように、エッチング工程を３つの工程に分けて実施してもよい。
一実施形態では、処理容器に第１処理ガス及び第２処理ガスを同時に供給し、第１エッチング工程と第２エッチング工程とを同時に行ってもよい。一実施形態では、処理容器に第２処理ガス及び第３処理ガスを同時に供給し、第２エッチング工程と第３エッチング工程とを同時に行ってもよい。このように構成することで、エッチング処理時間を短縮することができる。
一実施形態では、第３の処理ガスは、少なくともＮ２、Ａｒ、及びＨｅのうち、いずれ一種のガスを更に含んでもよい。この場合には、第１磁性層の側面及び絶縁層の上面に付着した残留物を確実に除去することができる。
一実施形態では、第１処理ガス及び第２処理ガスが同一成分であってもよい。このように構成することで、ガス供給部を簡素化することができる。
一実施形態では、該方法は、エッチング工程よりも後に、多層膜材料の表面を絶縁膜で被覆する被覆工程を更に備えてもよい。この場合には、後段の処理において、絶縁層の側壁へ残留物が付着することを確実に防止することができる。
一実施形態では、該方法は、被覆工程よりも後に、処理容器に第４の処理ガスを供給し、プラズマを発生させて絶縁層及び第１磁性層をエッチングする第４エッチング工程を更に備えてもよい。そして、第１磁性層は、ＣｏＦｅＢを含み、第４の処理ガスは、ＣＨ４を含んでもよい。この場合には、多層膜材料からＭＲＡＭ素子を形成することができる。
一実施形態では、プラズマ処理装置が、処理容器内に配置される第１電極と、第１電極に対して対向して配置される第２電極と、第１電極に第１周波数の電力を供給する第１電源部と、第２電極に第２周波数の電力を供給する第２電源部と、を備え、第２電源部から第２周波数として１ＭＨｚ以下の周波数の電力を第２電極に供給して、処理容器にプラズマを発生させてもよい。この場合には、第２電極に比較的低い周波数が供給されることにより、被処理体に対して離間した位置にプラズマが生成される。これにより、第２電極により引き込まれるイオンの垂直性が向上し、その結果、被処理体の側壁の垂直性を向上することができる。
一実施形態では、第２電源部から第２周波数として４００ｋＨｚ以下の周波数の電力を第２電極に供給して、処理容器内にプラズマを発生させてもよい。この場合には、第２電極に４００ｋＨｚという比較的低い周波数が供給されることにより、被処理体に対して離間した位置にプラズマが生成される。これにより、エッチングされる多層膜材料の側壁の垂直性を向上することができる。
一実施形態では、第１電源部から１００Ｗ〜３００Ｗの電力を第１電極に供給して、処理容器にプラズマを発生させてもよい。この場合には、第１電極に比較的低い電力が供給されることにより、プラズマ着火マージンの低限界にて低密度のプラズマが生成され、例えばエッチングされた絶縁層や第２磁性層を大きい分子構造を有する有機金属錯体の状態で外部に排出することができる。
一実施形態では、プラズマ処理装置が、処理空間を所望の気圧まで減圧することができる排気部と、排気部を制御する制御部を更に備え、制御部が処理空間の圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒ（１．３３Ｐａ〜４．００Ｐａ）になるように排気部を制御してもよい。この場合には、処理空間Ｓの圧力を低く設定することで、処理空間に発生するプラズマの密度を低下させ、イオン平均自由行程を長くすることにより、エッチングの垂直性を向上させることができる。
一実施形態では、処理空間は、２０ｍｍ〜３０ｍｍのギャップを有していてもよい。このような形態によれば、スパッタ効果が強まり、低いレジデンスタイム（短い滞留時間）による排気を促進することができる。
本発明の他の側面に係るプラズマ処理装置は、第１磁性層、絶縁層、第２磁性層及びマスク材料の順に積層された積層構造を含む多層膜材料をエッチングするプラズマ処理装置である。該装置は、処理容器、ガス供給部及び制御部を備える。処理容器は、プラズマが生成される処理空間を画成する。ガス供給部は、処理空間内に処理ガスを供給する。制御部は、ガス供給部を制御する。ここで、制御部は、マスク材料をエッチングして第２磁性層上にマスクを形成し、処理容器に処理ガスを供給し、プラズマを発生させ、マスクを用いて第２磁性層をエッチングし、絶縁層の表面でエッチングを終了する。第２磁性層は、ＣｏＦｅＢを含み、絶縁層は、ＭｇＯを含み、処理ガスは、Ｈ２及びＦもしくはフッ素化合物を含む。
本発明の他の側面に係るプラズマ処理装置によれば、上述したプラズマ処理方法と同様の効果を奏する。
本発明の種々の側面及び一実施形態によれば、リーク電流を防止してＭＲＡＭ素子の特性を向上させることができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置が提供される。
一実施形態に係るプラズマ処理方法で製造されるＭＲＡＭ素子の一例を模式的に示す図である。 一実施形態に係るプラズマ処理装置を備える基板処理システムの概要図である。 一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す断面図である。 一実施形態に係るプラズマ処理方法を示す流れ図である。 一実施形態に係るプラズマ処理方法を用いたＭＲＡＭ素子の製造工程を示す図である。 一実施形態に係るプラズマ処理方法を用いたＭＲＡＭ素子の製造工程を示す図である。 一実施形態に係るプラズマ処理方法を用いたＭＲＡＭ素子の製造工程を示す図である。 一実施形態に係るプラズマ処理方法を用いたＭＲＡＭ素子の製造工程を示す図である。 一実施形態に係るプラズマ処理方法を用いたＭＲＡＭ素子の製造工程を示す図である。 一実施形態に係るプラズマ処理方法を用いたＭＲＡＭ素子の製造工程を示す図である。 一実施形態に係るプラズマ処理方法を用いたＭＲＡＭ素子の製造工程を示す図である。 一実施形態に係るプラズマ処理方法を用いたＭＲＡＭ素子の製造工程を示す図である。 被処理体のＴＥＭ像の模式図である。 図１３に示す箇所におけるＥＤＸ測定結果である。 比較例で得られた被処理体のＴＥＭ像の模式図である。 実施例で得られた被処理体のＴＥＭ像の模式図である。 実施例で得られた被処理体のＴＥＭ像の模式図である。 比較例で得られた被処理体のＳＥＭ像の模式図である。 実施例で得られた被処理体のＳＥＭ像の模式図である。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図１は、一実施形態に係るプラズマ処理方法で製造されるＭＲＡＭ素子１００の断面図である。図１に示すＭＲＡＭ素子１００は、基板Ｂ上に配置されており、下層から順に下部電極層１０１、ピン止め層１０２、第１磁性層１０３、絶縁層１０４、第２磁性層１０５及びエッチングマスク１０７が積層されている。また、ＭＲＡＭ素子１００の第２磁性層１０５及びエッチングマスク１０７の側壁には、絶縁膜１０８が設けられている。
下部電極層１０１は、基板Ｂ上に形成される電気伝導性を有する電極部材である。下部電極層１０１の厚さは、例えば約５ｎｍである。ピン止め層１０２は、下部電極層１０１及び第１磁性層１０３の間に配置される。ピン止め層１０２は、反強磁性体によるピン止め効果により第１磁性層１０３の磁化の方向を固定する。ピン止め層１０２としては、例えばＩｒＭｎ（イリジウムマンガン）、ＰｔＭｎ（プラチナマンガン）等の反強磁性体材料が用いられ、その厚さは、例えば約７ｎｍである。
第１磁性層１０３は、ピン止め層１０２上に配置される強磁性体を含む層である。第１磁性層１０３は、ピン止め層１０２によるピン止め効果により、磁化の方向が外部磁界の影響を受けず一定に保持されるいわゆるピンド層として機能する。第１磁性層１０３としては、ＣｏＦｅＢが用いられ、その厚さは、例えば約２．５ｎｍである。
絶縁層１０４は、第１磁性層１０３及び第２磁性層１０５により挟まれて配置される。第１磁性層１０３と第２磁性層１０５との間に絶縁層１０４が介在することにより、第１磁性層１０３と第２磁性層１０５との間には、トンネル磁気抵抗効果が生じる。すなわち、第１磁性層１０３と第２磁性層１０５との間には、第１磁性層１０３の磁化方向と第２磁性層１０５の磁化方向との相対関係（平行または反平行）に応じた電気抵抗が生じる。絶縁層１０４としては、ＭｇＯが用いられ、その厚さは、例えば１．３ｎｍである。
第２磁性層１０５は、絶縁層１０４上に配置される強磁性体を含む層である。第２磁性層１０５は、磁気情報である外部磁場に磁化の向きが追従する、いわゆるフリー層として機能する。第２磁性層１０５としては、ＣｏＦｅＢが用いられ、その厚さは、例えば約２．５ｎｍである。
エッチングマスク１０７は、第２磁性層１０５上に形成される。エッチングマスク１０７は、ＭＲＡＭ１００の平面形状に応じた形状に形成される。エッチングマスク１０７としては、例えばＴａ（タンタル）、ＴｉＮ（チタンナイトライド）等が用いられ、その厚さは例えば５０ｎｍである。なお、第２磁性層１０５とエッチングマスク１０７との間に上部電極層が形成されてもよい。上部電極層は、基板Ｂ上に形成される電気伝導性を有する電極部材である。上部電極層の厚さは、例えば約５ｎｍである。
次に、ＭＲＡＭ１００の製造システムについて説明する。ＭＲＡＭ１００は、例えば図２に示す基板処理システムを用いて製造される。図２は、一実施形態に係る基板処理システムを概略的に示す平面図である。図２に示す基板処理システム２００は、基板載置台２２ａ〜２２ｄ、収容容器２４ａ〜２４ｄ、ローダモジュールＬＭ、ロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、及び、トランスファーチャンバ２１を備えている。
基板載置台２２ａ〜２２ｄは、ローダモジュールＬＭの一縁に沿って配列されている。これら基板載置台２２ａ〜２２ｄの上には、収容容器２４ａ〜２４ｄがそれぞれ載置されている。収容容器２４ａ〜２４ｄ内には、被処理体Ｗが収容されている。
ローダモジュールＬＭ内には、搬送ロボットＲｂ１が設けられている。搬送ロボットＲｂ１は、収容容器２４ａ〜２４ｄの何れかに収容されている被処理体Ｗを取り出して、当該被処理体Ｗを、ロードロックチャンバＬＬ１又はＬＬ２に搬送する。
ロードロックチャンバＬＬ１及びＬＬ２は、ローダモジュールＬＭの別の一縁に沿って設けられており、予備減圧室を構成している。ロードロックチャンバＬＬ１及びＬＬ２は、トランスファーチャンバ２１にゲートバルブを介してそれぞれ接続されている。
トランスファーチャンバ２１は、減圧可能なチャンバであり、当該チャンバ内には別の搬送ロボットＲｂ２が設けられている。トランスファーチャンバ２１には、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ３が対応のゲートバルブを介してそれぞれ接続されている。搬送ロボットＲｂ２は、ロードロックチャンバＬＬ１又はＬＬ２から被処理体Ｗを取り出して、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、及びＰＭ３に順に搬送する。基板処理システム２００のプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３はそれぞれ、基板処理装置（反応生成物を除去する基板処理装置）、成膜装置、プラズマエッチング装置であり得る。成膜装置としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）を用いた成膜装置であり得る。以下では説明理解の容易性を考慮して、プロセスモジュールＰＭ１として反応生成物を除去する基板処理装置が採用され、プロセスモジュールＰＭ２として成膜装置が採用され、プロセスモジュールＰＭ３としてプラズマエッチング装置が採用された基板処理システムを例に説明する。
以下では、プロセスモジュールＰＭ３として採用されたプラズマ処理装置であるプラズマエッチング装置の詳細を説明する。図３は、ＭＲＡＭ１００を製造するためのプラズマ処理装置の断面を示している。
プラズマ処理装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、略円筒形状を有しており、その内部空間として処理空間Ｓを画成している。プラズマ処理装置１０は、処理容器１２内に、略円板形状のベース１４を備えている。ベース１４は、処理空間Ｓの下方に設けられている。ベース１４は、例えばアルミニウム製であり、第２電極を構成している。ベース１４は、プロセスにおいて後述する静電チャック５０の熱を吸熱して、静電チャック５０を冷却する機能を有する。
ベース１４の内部には、冷媒流路１５が形成されており、冷媒流路１５には、冷媒入口配管、冷媒出口配管が接続される。そして、冷媒流路１５の中に適宜の冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、ベース１４及び静電チャック５０を所定の温度に制御可能な構成とされている。
一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、筒状保持部１６及び筒状支持部１７を更に備えている。筒状保持部１６は、ベース１４の側面及び底面の縁部に接して、ベース１４を保持している。筒状支持部１７は、処理容器１２の底部から垂直方向に延在し、筒状保持部１６を介してベース１４を支持している。プラズマ処理装置１０は、この筒状保持部１６の上面に載置されるフォーカスリング１８を更に備えている。フォーカスリング１８は、例えば、シリコン又は石英から構成され得る。
一実施形態においては、処理容器１２の側壁と筒状支持部１７との間には、排気路２０が形成されている。排気路２０の入口又はその途中には、バッフル板２２が取り付けられている。また、排気路２０の底部には、排気口２４が設けられている。排気口２４は、処理容器１２の底部に嵌め込まれた排気管２８によって画成されている。この排気管２８には、排気装置（排気部）２６が接続されている。排気装置２６は、真空ポンプを有しており、処理容器１２内の処理空間Ｓを所定の真空度まで減圧することができる。処理容器１２の側壁には、被処理体（基板）Ｗの搬入出口を開閉するゲートバルブ３０が取り付けられている。
ベース１４には、プラズマ生成用の第２高周波電源（第２電源部）３２が整合器３４を介して電気的に接続されている。第２高周波電源３２は、第２周波数（例えば、４００ＫＨｚ）の高周波電力を第２電極、即ち、ベース１４に印加する。
プラズマ処理装置１０は、更に、内にシャワーヘッド３８を備えている。シャワーヘッド３８は、処理空間Ｓの上方に設けられている。シャワーヘッド３８は、電極板４０及び電極支持体４２を含んでいる。
電極板４０は、略円板形状を有する導電性の板であり、第１電極を構成している。電極板４０には、プラズマ生成用の第１高周波電源（第１電源部）３５が整合器３６を介して電気的に接続されている。第１高周波電源３５は、第１周波数（例えば６０ＭＨｚ）の高周波電力を電極板４０に印加する。第２高周波電源３２及び第１高周波電源３５によってベース１４及び電極板４０に高周波電力がそれぞれ与えられると、ベース１４と電極板４０との間の空間、即ち、処理空間Ｓには高周波電界が形成される。
電極板４０には、複数のガス通気孔４０ｈが形成されている。電極板４０は、電極支持体４２によって着脱可能に支持されている。電極支持体４２の内部には、バッファ室４２ａが設けられている。プラズマ処理装置１０は、ガス供給部４４を更に備えており、バッファ室４２ａのガス導入口２５にはガス供給導管４６を介してガス供給部４４が接続されている。ガス供給部４４は、処理空間Ｓに処理ガスを供給する。ガス供給部４４は、複数種のエッチングガスを供給し得る。電極支持体４２には、複数のガス通気孔４０ｈにそれぞれ連続する複数の孔が形成されており、当該複数の孔はバッファ室４２ａに連通している。したがって、ガス供給部４４から供給されるガスは、バッファ室４２ａ、ガス通気孔４０ｈを経由して、処理空間Ｓに供給される。また、ラジカル分布を制御するために、被処理体Ｗの中心領域における処理ガスの流量（ＦＣ）と、被処理体Ｗの周囲領域における処理ガスの流量（ＦＥ）とを制御してもよい。
一実施形態においては、処理容器１２の天井部に、環状又は同心状に延在する磁場形成機構４８が設けられている。この磁場形成機構４８は、処理空間Ｓにおける高周波放電の開始（プラズマ着火）を容易にして放電を安定に維持するよう機能する。
一実施形態においては、ベース１４の上面に静電チャック５０が設けられている。この静電チャック５０は、電極５２、並びに、一対の絶縁膜５４ａ及び５４ｂを含んでいる。絶縁膜５４ａ及び５４ｂは、セラミック等の絶縁体により形成される膜である。電極５２は、導電膜であり、絶縁膜５４ａと絶縁膜５４ｂの間に設けられている。この電極５２には、スイッチＳＷを介して直流電源５６が接続されている。直流電源５６から電極５２に直流電圧が与えられると、クーロン力が発生し、当該クーロン力によって被処理体Ｗが静電チャック５０上に吸着保持される。静電チャック５０の内部には、加熱素子であるヒータ５３が埋め込まれ、被処理体Ｗを所定温度に加熱できるようになっている。ヒータ５３は、配線を介してヒータ電源に接続される。ベース１４及び静電チャック５０は、載置台７０を構成している。
一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、ガス供給ライン５８及び６０、並びに、伝熱ガス供給部６２及び６４を更に備えている。伝熱ガス供給部６２は、ガス供給ライン５８に接続されている。このガス供給ライン５８は、静電チャック５０の上面まで延びて、当該上面の中央部分において環状に延在している。伝熱ガス供給部６２は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック５０の上面と被処理体Ｗとの間に供給する。また、伝熱ガス供給部６４はガス供給ライン６０に接続されている。ガス供給ライン６０は、静電チャック５０の上面まで延びて、当該上面においてガス供給ライン５８を囲むように環状に延在している。伝熱ガス供給部６４は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック５０の上面と被処理体Ｗとの間に供給する。
一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、制御部６６を更に備えている。この制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、第２高周波電源３２、整合器３４、第１高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、並びに、伝熱ガス供給部６２及び６４に接続されている。制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、第２高周波電源３２、整合器３４、第１高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、並びに、伝熱ガス供給部６２及び６４のそれぞれに制御信号を送出する。制御部６６からの制御信号により、排気装置２６による排気、スイッチＳＷの開閉、第２高周波電源３２からの電力供給、整合器３４のインピーダンス調整、第１高周波電源３５からの電力供給、整合器３６のインピーダンス調整、ガス供給部４４による処理ガスの供給、伝熱ガス供給部６２及び６４それぞれによる伝熱ガスの供給が制御される。
このプラズマ処理装置１０では、ガス供給部４４から処理空間Ｓに処理ガスが供給される。また、電極板４０とベース１４との間、即ち処理空間Ｓにおいて高周波電界が形成される。これにより、処理空間Ｓにおいてプラズマが発生し、処理ガスに含まれる元素のラジカル等により、被処理体Ｗのエッチングが行われる。
以下、上述したプラズマ処理装置１０を用いたプラズマ処理方法の一実施形態について説明する。図４は、一実施形態に係るプラズマ処理方法を示す流れ図である。一実施形態のプラズマ処理方法では、図４に示すように、まず工程Ｓ１において被処理体Ｗが準備され、被処理体Ｗが処理容器１２の静電チャック５０に載置される。図５には、ＭＲＡＭ１００の製造方法の中間工程において生成される被処理体Ｗの一例が示されている。この被処理体Ｗは、プロセスモジュールＰＭ２として採用された成膜装置によって基板Ｂ上に積層された多層膜材料である。多層膜材料は、基板Ｂ上に下部電極層１０１、ピン止め層１０２、第１磁性層１０３、絶縁層１０４、第２磁性層１０５及びマスク材料１０７を順に積層した積層構造を含む。以下、図５に示す被処理体Ｗを例に挙げて、一実施形態のプラズマ処理方法について説明する。
工程Ｓ２（マスク形成工程）においては、マスク材料１０７をエッチングする。この際に用いられるエッチングガスが任意であるが、例えばＢＣｌ３、Ｃｌ２、ＣＦ４、ＮＦ３、ＣＨ４又はＳＦ６等を用いることができる。なお、マスク材料１０７をエッチングするためのマスクとしては、例えばカーボンが用いられる。エッチングの際に、図６に示すように、エッチングによって露出した第２磁性層１０５の表面が、マスク材料に含まれる金属の反応生成物と結合等することにより変質し、変質層１０６が形成される。あるいは、エッチングによって露出した第２磁性層１０５の表面上にエッチング残留物が堆積して変質層１０６が形成される。あるいは、第２磁性層１０５及びマスク材料１０７の成膜時に第２磁性層１０５の表面が変質し、変質層１０６が形成される。このため、少なくとも変質層１０６は、マスク材料１０７に含まれる金属元素を含み得る。例えば変質層１０６は、Ｔａを含有する。また、この変質層１０６は、第２磁性層１０５の構成元素を含み得る。すなわち、変質層１０６は、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｏを含み得る。なお、マスク形成工程においては、マスク１０７の表面が変質することでマスク変質層１１０が形成される。
このため、工程Ｓ３１（第１エッチング形成工程）において、マスク形成工程で副次的に形成された変質層１０６を除去する。ガス供給部４４から処理容器１２にフッ素Ｆ又はフッ素化合物（ＮＦ３又はＳＦ６等）を含む第１処理ガスを供給し、プラズマを発生させて被処理体Ｗをエッチングする。変質層１０６は金属元素を含有するため、Ｆラジカルを用いることによりエッチングすることができる。例えばマスク材料１０７がＴａを含有している場合には、変質層１０６にはＴａが含まれる。このため、Ｆラジカルを変質層１０６に作用させることでＴａＦを形成して蒸発及び排気させることによりエッチングすることができる。なお、塩素Ｃｌ２を用いることによりＴａを含有する変質層１０６をエッチングすることもできるものの、ＴａＦの方がＴａＣｌ２よりも飽和蒸気圧が低いため、第１処理ガスとしてはフッ素Ｆ又はフッ素化合物が有効である。第１処理ガスとしては、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガス、Ｈ２を含み得る。図７に示すように、工程Ｓ３１において第１処理ガスにより変質層１０６がエッチングされる。
次に、工程Ｓ３２（第２エッチング形成工程）において、上部磁性層である第２磁性層１０５をエッチングする。ガス供給部４４から処理容器１２にハロゲン元素を含む第２処理ガスを供給し、プラズマを発生させて被処理体Ｗをエッチングする。ハロゲン元素としては、フッ素Ｆ又は塩素Ｃｌ２が用いられる。第２処理ガスとしては、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガス、Ｈ２を含み得る。工程Ｓ３２において第２処理ガスにより、第２磁性層１０５のうち、エッチングマスク１０７で覆われていない領域はフッ素Ｆ等のハロゲン元素と反応してエッチングされるが、ＭｇＯはハロゲン元素に対して反応しないため絶縁層１０４はエッチングされない。このため、工程Ｓ３２においては、絶縁層１０４の表面でエッチングが終了する。
工程Ｓ３２において第２磁性層１０５が第２処理ガスを用いてエッチングされる際には、被エッチング材料が第２処理ガスと反応して副生成物が生じる。この副生成物は、第２磁性層１０５のＣｏＦｅＢと第２処理ガスに含まれるフッ素Ｆ又は塩素Ｃｌ２が反応することで生成される。副生成物は、例えばＣｏＣｌ２、ＣｏＦである。
この副生成物は、図８に示すように第２磁性層１０５及びエッチングマスク１０７の側壁に残留物Ｚとして付着することとなる。残留物Ｚは、導電性物質を含むためＭＲＡＭ素子にリーク電流を発生させる原因となる。
続く工程Ｓ３３（第３エッチング工程）において、ガス供給部４４から処理容器１２に水素（Ｈ２）を含む第３処理ガスを供給し、プラズマを発生させてＳ３２工程で生成された残留物Ｚを除去する。第３処理ガスとしては、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガスを含み得る。
工程Ｓ３３において、処理容器１２内では残留物ＺのＣｏＣｌ２、ＣｏＦ等と第３処理ガスに含まれるＨ２とにより、式（１）又は式（２）に示す反応が生じる。
ＣｏＣｌ２ ＋ Ｈ２ → ２ＨＣｌ ＋ Ｃｏ ・・・（１）
２ＣｏＦ ＋ Ｈ２ → ２ＨＦ ＋ ２Ｃｏ ・・・（２）
工程Ｓ３３では、上記式（１）又は（２）に示すように、残留物Ｚを構成するＣｏＣｌ２又はＣｏＦ等と第３処理ガスに含まれるＨ２が反応してＨＣｌ及びＣｏ、又は、ＨＦ及びＣｏが生成される。工程Ｓ３３における生成物のうち、ＨＣｌ又はＨＦは揮発して外部に排出される。また、工程Ｓ３３において生成されるＣｏは、ポーラス状をなしており、例えばＮ２又はＡｒによってスパッタされ離散して除去される。なお、Ｆｅについても上記と同様に除去され得る。このような工程Ｓ３３により、図９に示すように、第２磁性層１０５及びエッチングマスク１０７の側壁から残留物Ｚが除去される。
なお、上記工程Ｓ３１〜Ｓ３３は同時に実行可能である。例えば、第１処理ガス及び第２処理ガスを混合して、工程Ｓ３１及び工程Ｓ３２を同時に実施してもよい。あるいは、第１処理ガス及び第２処理ガスを同一成分としてもよい。また、例えば、第２処理ガス及び第３処理ガスを混合して、工程Ｓ３２及び工程Ｓ３３を同時に実施してもよい。例えば、第１処理ガス、第２処理ガス及び第３処理ガスを混合して、工程Ｓ３１〜Ｓ３３を一つの工程Ｓ３として同時に実施してもよい。
ここで、工程Ｓ３をプラズマ処理装置１０で実施する場合の処理条件の一例を以下に示す。
（工程Ｓ３）
処理空間Ｓの圧力：１０ｍＴｏｒｒ（１．３３Ｐａ）
第１高周波電源３５の電力：５００Ｗ
第２高周波電源３２の電力：５００Ｗ
第１処理ガス、第２処理ガス及び第３処理ガスの流量
ＮＦ３ガス：１０ｓｃｃｍ
Ｈ２ガス：３００ｓｃｃｍ
Ａｒガス：１００ｓｃｃｍ
ラジカル分布制御（ＲＤＣ）ＦＣ／ＦＥ：５０
処理時間：３０〜４０秒
一実施形態のプラズマ処理方法では、続く工程Ｓ４（被覆工程）において、図１０に示すように、被処理体Ｗの表面を絶縁膜１０８で被覆する。例えば、被処理体Ｗを、図２に示すプロセスモジュールＰＭ２として採用された成膜装置（例えばＲＬＳＡ装置やＣＶＤ装置）へ移動させて成膜する。この絶縁膜１０８としては、例えばＳｉＮやＳｉＯ２が用いられる。その後、被処理体Ｗを図３に示すプラズマ処理装置１０に戻し、第２磁性層１０５及びエッチングマスク１０７の側壁に絶縁膜１０８が残るように、絶縁膜１０８をエッチングする。
一実施形態のプラズマ処理方法では、続く工程Ｓ５（第４エッチング工程）において、ガス供給部４４から処理容器１２にメタン（ＣＨ４）を含む第４処理ガスを供給し、プラズマを発生させて、絶縁層１０４及び第１磁性層１０３をエッチングする。なお、ピン止め層１０２まで含めてエッチングしてもよい。工程Ｓ５にいて、エッチングされた被処理体Ｗを図１１に示す。第４処理ガスとしては、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガスやカルボニル基を含有するガス、Ｈ２等、メタン以外のガスを含み得る。工程Ｓ５において第４処理ガスにより、絶縁層１０４、第１磁性層１０３及びピン止め層１０２のうち、エッチングマスク１０７及び絶縁膜１０８に覆われていない領域がエッチングされる。このとき、被エッチング層に含まれる金属は、有機金属となり、揮発して排気される。これにより、ピン止め層１０２、第１磁性層１０３及び絶縁層１０４は、第２磁性層１０５及びエッチングマスク１０７よりも、第２磁性層１０５及びエッチングマスク１０７の側壁形成された絶縁膜１０８の幅の分だけ、幅が広くなるように形成される。
一実施形態のプラズマ処理方法では、続く工程Ｓ６において、ガス供給部４４から処理容器１２に第５処理ガスを供給し、プラズマを発生させて、下部電極層１０１をエッチングする。工程Ｓ６にいて、エッチングされた被処理体Ｗを図１２に示す。第５処理ガスとしては、第４処理ガスと同様の処理ガスを用いることができる。すなわち、第５処理ガスとしては、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガスやカルボニル基を含有するガス、ＣＨ４、Ｈ２等のガスを含み得る。工程Ｓ６において第４の処理ガスにより、下部電極層１０１のうち、エッチングマスク１０７及び絶縁膜１０８に覆われていない領域がエッチングされる。このとき、被エッチング層に含まれる金属は、有機金属となり、揮発して排気される。これにより、下部電極層１０１は、第２磁性層１０５及びエッチングマスク１０７よりも、第２磁性層１０５及びエッチングマスク１０７の側壁形成された絶縁膜１０８の幅の分だけ、幅が広くなるように形成される。
工程Ｓ６が終了すると、図４に示すプラズマ処理が終了する。このようにして、多層膜構造を有する被処理体Ｗから所望の形状のＭＲＡＭ素子が形成される。次に、プラズマ処理装置１０で実施する場合の処理条件について詳細に説明する。
一実施形態のプラズマ処理方法では、工程Ｓ２、Ｓ３、Ｓ５、Ｓ６におけるエッチング処理において、第２高周波電源３２から第２周波数として１ＭＨｚ以下の周波数の電力を第２電極に供給してもよい。特に、第２高周波電源３２から第２周波数として４００ｋＨｚ以下の周波数の電力をベース１４に供給してもよい。このように、ベース１４に比較的低い周波数の電力を供給すると、ベース１４に高周波電力を供給する場合よりも、処理空間Ｓの上部空間、すなわち被処理体Ｗに対して離間した位置にプラズマが生成される。これにより、陰極降下電圧（Ｖｄｃ）が高くなり、第２電極により引き込まれるイオンの垂直性が向上し、その結果、エッチングの垂直性が向上する。また、被処理体のＷの直上においてはプラズマが発生されないため、工程Ｓ５、Ｓ６において被処理体Ｗから分離した有機金属錯体が解離することを防止することができる。
また、一実施形態のプラズマ処理方法では、工程Ｓ２、Ｓ３、Ｓ５、Ｓ６におけるエッチング処理、特に工程Ｓ５、Ｓ６において、第１高周波電源３５が１００Ｗ〜３００Ｗの電力を電極板４０に供給して、処理容器にプラズマを発生させてもよい。これにより、低乖離領域でのプラズマを発生させて、ＣｏＦｅＢを含む第１磁性層１０３をプラズマエッチングすることで、大きい分子構造の有機金属錯体の状態で排気することができる。
また、一実施形態のプラズマ処理方法では、工程Ｓ２、Ｓ３、Ｓ５、Ｓ６におけるエッチング処理において、処理空間Ｓの圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒ（１．３３Ｐａ〜４．００Ｐａ）としてもよい。このように、処理空間Ｓの圧力を３０ｍＴｏｒｒ（４．００Ｐａ）以下に設定することで、処理空間Ｓに発生するプラズマの密度を低下させ、イオン平均自由行程を長くすることにより、エッチングの垂直性を向上させることができる。一方、処理空間Ｓの圧力が１０ｍＴｏｒｒ（１．３３Ｐａ）以上とすることで絶縁膜１０８と絶縁層１０４とのエッチングレートの選択比を適切にとることができる。
また、一実施形態のプラズマ処理方法で用いるプラズマ処理装置１０は、例えば２０ｍｍ〜３０ｍｍのギャップを有していてもよい。ここで、ギャップとは、処理容器１２に画成される処理空間Ｓの高さを示している。このような比較的低いギャップを有するプラズマ処理装置１０により、スパッタ効果が強まり、低いレジデンスタイムによる排気が促進される。
以上説明したプラズマ処理方法によれば、第１エッチング工程において、フッ素又はフッ素化合物を含む第１処理ガスを供給し、プラズマを発生させて変質層１０６を含む第２磁性層１０５をエッチングする。Ｆラジカルは変質層１０６に含まれるＴａと反応する。このため、フッ素又はフッ素化合物を用いることで、Ｔａを含み難エッチング材となった変質層１０６をエッチングすることが可能である。そして、第２エッチング工程において、ハロゲン元素を含む第２処理ガスを供給し、プラズマを発生させて第２磁性層１０５をエッチングし、絶縁層１０４の表面でエッチングを終了する。ハロゲン元素としてフッ素を採用した場合、Ｆラジカルは第２磁性層１０５に含まれるＣｏＦｅＢに反応し、絶縁層１０４に含まれるＭｇＯに反応しないため、ＣｏＦｅＢを含む第２磁性層１０５とＭｇＯを含む絶縁層１０４とのエッチングレートの選択比を向上することができる。このように、フッ素又はフッ素化合物を用いることで、変質層１０６及び第２磁性層１０５を一度にエッチングすることが可能となる。また、フッ素又はフッ素化合物は、ＭＲＡＭ特性を妨げる残留物Ｚの生成量を塩素に比べて抑制することができる。このため、フッ素又はフッ素化合物を採用することでＭＲＡＭ特性を一層向上させることができる。また、このプラズマ処理方法によれば、エッチング工程において、Ｈ２を用いたエッチングガスにより、第２磁性層１０５の側面及び絶縁層１０４の上面に付着した残留物Ｚが除去されるので、第２磁性層１０５の垂直性を向上しつつ、後述する絶縁層１０４のエッチングの際に残留物Ｚが飛散して絶縁層１０４の側壁へ残留物Ｚが付着することを回避することができる。よって、実施形態に係るプラズマ処理方法によれば、リーク電流を防止し、ＭＲＡＭ素子１００の特性を向上することができる。そして、フッ素又はフッ素化合物とＨ２とを混合させた処理ガスを用いることで、変質層１０６及び第２磁性層１０５をエッチングしながら残留物Ｚを同時に除去することができるため、生産効率を向上させることが可能となる。
また、第３処理ガスは、少なくともＮ２、Ａｒ、及びＨｅのうち、いずれ一種のガスを更に含んでいるので、第２磁性層１０５の側面及び絶縁層１０４の上面に付着した残留物Ｚを確実に除去することができる。
また、上記プラズマ処理方法は、被処理体Ｗの表面を絶縁膜１０８で被覆する被覆工程を更に含んでいるので、後段の処理において、絶縁層１０４の側壁へ残留物Ｚが付着することを確実に防止することができる。
また、上記プラズマ処理方法は、被覆工程よりも後に、処理容器１２にＣＨ４を含む第３の処理ガスを供給し、プラズマを発生させて絶縁層１０４及び第１磁性層１０３をエッチングする第４エッチング工程を更に備えているので、被処理体ＷからＭＲＡＭ素子を形成することができる。
また、図３に示すプラズマ処理装置１０が、処理容器１２内に配置される電極板４０と、電極板４０に対して対向して配置されるベース１４と、電極板４０に６０ＭＨｚの電力を供給する第１高周波電源３５と、ベース１４に４００ｋＨｚの電力を供給する第２高周波電源と、を備え、第２高周波電源３２から４００ｋＨｚの周波数の電力をベース１４に供給して、処理容器１２にプラズマを発生させている。この場合には、ベース１４に比較的低い周波数が供給されることにより、被処理体Ｗに対して離間した位置にプラズマが生成される。これにより、ベース１４により引き込まれるイオンの垂直性が向上し、その結果、被処理体Ｗの側壁の垂直性を向上することができる。
上記プラズマ処理方法は、第１高周波電源３５から１００Ｗ〜３００Ｗの電力を電極板４０に供給して、処理容器１２にプラズマを発生させている。このため、電極板４０に比較的低い電力が供給されることにより、プラズマ着火マージンの低限界にて低密度のプラズマが生成され、例えばエッチングされた絶縁層１０４や第１磁性層１０３を大きい分子構造を有する有機金属錯体の状態で外部に排出することができる。
上記プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置１０が、処理容器１２を所望の気圧まで減圧することができる排気装置２６と、排気装置２６を制御する制御部６６を更に備え、制御部６６が処理空間の圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒ（１．３３Ｐａ〜４．００Ｐａ）になるように排気装置２６を制御している。このように、処理空間Ｓの圧力を低く設定することで、処理空間Ｓに発生するプラズマの密度を低下させ、イオン平均自由行程を長くすることにより、エッチングの垂直性を向上させることができる。
上記プラズマ処理方法では、処理空間Ｓは、２０ｍｍ〜３０ｍｍのギャップを有していている。このため、スパッタ効果が強まり、低いレジデンスタイム（短い滞留時間）による排気を促進することができる。
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
例えば、上記実施形態のプラズマ処理装置１０では、電極板４０がプラズマ処理装置１０上部に配置され、第１高周波電源３５により処理空間Ｓの上方から高周波電力が供給されているが、電極板４０をプラズマ処理装置１０下部に配置して、第１高周波電源３５により処理空間Ｓの下方から高周波電力が供給してもよい。
また、上記実施形態のＭＲＡＭ素子１００は、第２磁性層１０５及びエッチングマスク１０７との間に上部電極層を備えてもよい。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（変質層１０６の確認）
図３に示すプラズマ処理装置１０により、第１処理ガスを用いて図５に示す被処理体Ｗをエッチングした。エッチングは、以下に示す処理条件とした。
（エッチング条件）
処理空間Ｓの圧力：１５０ｍＴｏｒｒ（２０Ｐａ）
第１高周波電源３５の電力：１００Ｗ
第２高周波電源３２の電力：２００Ｗ
第１処理ガスの流量
ＳＦ６ガス：３０ｓｃｃｍ
Ａｒガス：２７０ｓｃｃｍ
ラジカル分布制御（ＲＤＣ）ＦＣ／ＦＥ：９
処理時間：４９秒
（被処理体Ｗ）
マスク１０７：Ｔａ
第２磁性層１０５：ＣｏＦｅＢ
絶縁層１０４：ＭｇＯ
そして、エッチング後の被処理体Ｗの断面を電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察した。結果を図１３に示す。図１３は、ＴＥＭ像の模式図である。図１３に示すように、エッチング後の被処理体Ｗの表面には変質層１０６が形成されていることが確認された。また、被処理体Ｗに形成された多層膜の組成をエネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）で分析した。図１３に組成測定点１〜５を示し、ＥＤＸ分析結果を図１４に示す。組成測定点１は、マスク１０７を覆うように形成された層に位置しており、その組成はＴａとＯであることから、マスク１０７の酸化層（マスク変質層１１０）であると推定される。組成測定点２は、マスク１０７に位置しており、その組成はＴａのみであることから、マスク１０７である。なお、マスク１０７上に存在する層はカーボンからなるマスク１１１であり、１１２はマスク１１１の表面改質層である。組成測定点３は、ＴＥＭ観察用の埋め込み材に位置しており、その組成はＰｔのみであることから、埋め込み材である。組成測定点５は、第２磁性層１０５に位置しており、その組成はＣｏ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｓ、Ｏ及びＰｔを含む。Ｓｉは、下地Ｗａｆｅｒの成分がＳｉのため、該Ｓｉが混入したと予想される。ＰｔはＴＥＭ用の埋め込み材が混入したと予想される。Ｓはマスク１０７形成時に用いた処理ガスのＳＦ６から得られたものであると予想される。このため、組成測定点５は、その主成分がＴａ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｏから成っているため、第２磁性層１０５である。ここで、図１３に示すように、第２磁性層１０５上に層が一層だけ形成されていることが確認された。組成測定点４は、第２磁性層１０５上に一層だけ形成された層に位置している。組成測定点４の結果からこの層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｓ、Ｏ、Ｐｔ及びＴａを含むことが明らかになった。Ｓｉは、下地Ｗａｆｅｒの成分がＳｉのため混入したと予想される。ＰｔはＴＥＭ用の埋め込み材が混入したと予想される。Ｓはマスク１０７形成時に用いたＳＦ６から得られたものであると予想される。このため、第２磁性層１０５上に形成された層は、第２磁性層１０５の元素と、マスク１０７の金属元素とを含むことが確認された。これは、第２磁性層１０５の表面が変質した変質層１０６であること、及び、該変質層１０６はマスク材料のエッチング時以降に形成されたことを示唆している。このように、第２磁性層１０５上に変質層１０６が形成されていることが確認された。
（第２磁性層１０５及び絶縁層１０４の選択比の確認）
マスク１０７をＴａ、第２磁性層１０５をＣｏＦｅＢ、絶縁層１０４をＭｇＯとし、図６に示す状態の処理基体Ｗを初期条件とし、以下の条件でエッチングした。
（実施例１）
処理空間Ｓの圧力：１０ｍＴｏｒｒ（１．３３Ｐａ）
第１高周波電源３５の電力：５００Ｗ
第２高周波電源３２の電力：５００Ｗ
第１処理ガス、第２処理ガス及び第３処理ガスの流量
ＮＦ３ガス：１０ｓｃｃｍ
Ｈ２ガス：３００ｓｃｃｍ
Ａｒガス：１００ｓｃｃｍ
ラジカル分布制御（ＲＤＣ）ＦＣ／ＦＥ：５０
処理時間：３０秒又は４０秒
（比較例１）
処理ガスの流量
ＣＨ４ガス：１０ｓｃｃｍ
Ａｒガス：２００ｓｃｃｍ
処理時間：１０秒
その他の条件は実施例１と同一とした。
（比較例２）
比較例１の条件でのエッチングのあとにアッシングを行った。
実施例１、比較例１，２について、エッチング後又はアッシング後の被処理体Ｗの断面を電子顕微鏡で観察した。比較例１の断面ＴＥＭ像の模式図を図１５の（Ａ）、比較例２の断面ＴＥＭ像の模式図を図１５の（Ｂ）に示す。また、処理時間が３０秒の実施例１の断面ＴＥＭ像の模式図を図１６，処理時間が４０秒の実施例１の断面ＴＥＭ像の模式図を図１７に示す。
図１５の（Ａ），（Ｂ）に示すように、処理ガスとしてＣＨ４／Ａｒガスを用いた場合には、第２磁性層１０５及び絶縁層１０４の何れもがエッチングされた。図１５の（Ａ），（Ｂ）に示すように、点線で囲った部分にはＭｇＯからなる絶縁層１０４を確認することができなかった。このため、第２磁性層１０５及び絶縁層１０４の選択比が取れていないことが確認された。
一方、図１６に示すように、処理時間が３０秒の場合に絶縁層１０４でエッチングがストップしていることが確認された。さらに、図１７に示すように、処理時間が４０秒の場合であっても絶縁層１０４でエッチングがストップしていることが確認された。このように、実施例１のガス種類の条件によって、絶縁層１０４上面でエッチングを終了できることが確認された。
（残留物発生の抑制効果の確認）
フッ素によるエッチングと塩素によるエッチングとを比較して、残留物の発生の程度を確認した。
（実施例２）
処理時間を３０秒とした。その他は実施例１と同様である。
実施例１とした。
（比較例３）
第１高周波電源３５の電力：３００Ｗ
第２高周波電源３２の電力：７００Ｗ
処理ガス
ＢＣｌ３ガス：１０ｓｃｃｍ
Ａｒガス：２００ｓｃｃｍ
処理時間：１０秒
その他は実施例２と同様である。
実施例２及び比較例３について、ＳＥＭで観察した。比較例３の断面ＳＥＭ像の模式図を図１８の（Ａ）、斜視ＳＥＭ像の模式図を図１８の（Ｂ）に示す。また、実施例１の断面ＳＥＭ像の模式図を図１９の（Ａ）、斜視ＳＥＭ像の模式図を図１９の（Ｂ）に示す。
図１８の（Ａ），（Ｂ）に示すように、処理ガスとしてＢＣｌ３を用いた場合には、マスク１０７及びマスク１０７間を覆う残留物Ｚ２が形成されていることが確認された。残留物Ｚ２の発生の原因は、消費されなかった余剰なＣｌによって残留塩化物が多量に発生したものと考えられる。
一方、図１９の（Ａ），（Ｂ）に示すように、処理ガスとしてＮＦ３を用いた場合には、ＢＣｌ３の場合に比べてマスク１０７及びマスク１０７間を覆う残留物Ｚ３が少ないことが確認された。すなわち、塩素よりもフッ素を用いた方が良好なＭＲＡＭ素子を形成することができることが確認された。
１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、１４…ベース（第２電極）、２６…排気装置、３２…第２高周波電源（第２電源部）、３５…第１高周波電源（第１電源部）、４０…電極板（第１電極）、１００…ＭＲＡＭ素子、１０１…下部電極層、１０２…ピン止め層、１０３…第２磁性層、１０４…絶縁層、１０５…第１磁性層、１０７…エッチングマスク、１０８…絶縁膜、Ｓ…処理空間、Ｗ…被処理体、Ｚ，Ｚ２，Ｚ３…残留物。

Claims (17)

  1. プラズマが生成される処理空間を画成する処理容器と、前記処理空間内に処理ガスを供給するガス供給部と、を備えるプラズマ処理装置を用いて、第１磁性層、絶縁層、第２磁性層及びマスク材料の順に積層された積層構造を含む多層膜材料をエッチングするプラズマ処理方法であって、
    前記マスク材料をエッチングして前記第２磁性層上にマスクを形成する工程と、
    前記処理容器に処理ガスを供給し、プラズマを発生させ、前記マスクを用いて前記第２磁性層をエッチングし、前記絶縁層の表面でエッチングを終了するエッチング工程と、
    を備え、
    前記第２磁性層は、ＣｏＦｅＢを含み、
    前記絶縁層は、ＭｇＯを含み、
    前記処理ガスは、Ｈ２及びＦもしくはフッ素化合物を含む、
    プラズマ処理方法。
  2. 前記エッチング工程では、その表面に形成された変質層を含む前記第２磁性層をエッチングする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  3. 前記変質層は、前記マスク材料に含まれる金属元素を含む請求項２に記載のプラズマ処理方法。
  4. 前記金属元素は、Ｔａを含む請求項３に記載のプラズマ処理方法。
  5. 前記エッチング工程は、
    前記処理容器に第１処理ガスを供給し、プラズマを発生させて、前記変質層を含む前記第２磁性層の表面をエッチングする第１エッチング工程と、
    前記処理容器に第２処理ガスを供給し、プラズマを発生させて、前記第２磁性層をエッチングし、前記絶縁層の表面でエッチングを終了する第２エッチング工程と、
    前記処理容器に第３処理ガスを供給し、プラズマを発生させて前記第２エッチング工程で生成された残留物を除去する第３エッチング工程と、
    を有し、
    前記第１処理ガスは、Ｆ又はフッ素化合物を含み、
    前記第２処理ガスは、ハロゲン元素を有するガスを含み、
    前記第３処理ガスは、Ｈ２を含む、
    請求項２〜４の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  6. 前記処理容器に前記第１処理ガス及び前記第２処理ガスを同時に供給し、前記第１エッチング工程と前記第２エッチング工程とを同時に行う請求項５に記載のプラズマ処理方法。
  7. 前記処理容器に前記第２処理ガス及び前記第３処理ガスを同時に供給し、前記第２エッチング工程と前記第３エッチング工程とを同時に行う請求項５に記載のプラズマ処理方法。
  8. 前記第３の処理ガスは、少なくともＮ２、Ａｒ、及びＨｅのうち、いずれ一種のガスを更に含む、請求項５〜７の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  9. 前記第１処理ガス及び前記第２処理ガスが同一成分である請求項５〜８の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  10. 前記エッチング工程よりも後に、前記多層膜材料の表面を絶縁膜で被覆する被覆工程を更に備える請求項１〜９の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  11. 前記被覆工程よりも後に、前記処理容器に第４の処理ガスを供給し、プラズマを発生させて前記絶縁層及び前記第１磁性層をエッチングする第４エッチング工程を更に備え、
    前記第１磁性層は、ＣｏＦｅＢを含み、
    前記第４の処理ガスは、ＣＨ４を含む、請求項１０に記載のプラズマ処理方法。
  12. 前記プラズマ処理装置が、前記処理容器内に配置される第１電極と、前記第１電極に対して対向して配置される第２電極と、前記第１電極に第１周波数の電力を供給する第１電源部と、前記第２電極に第２周波数の電力を供給する第２電源部と、を備え、
    前記第２電源部から第２周波数として１ＭＨｚ以下の周波数の電力を前記第２電極に供給して、前記処理容器にプラズマを発生させる、請求項１〜１１の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  13. 前記第２電源部から第２周波数として４００ｋＨｚ以下の周波数の電力を前記第２電極に供給して、前記処理容器内にプラズマを発生させる、請求項１２に記載のプラズマ処理方法。
  14. 前記第１電源部から１００Ｗ〜３００Ｗの電力を前記第１電極に供給して、前記処理容器にプラズマを発生させる、請求項１２又は１３に記載のプラズマ処理方法。
  15. 前記プラズマ処理装置が、前記処理空間を所望の気圧まで減圧することができる排気部と、前記排気部を制御する制御部を更に備え、
    前記制御部が処理空間の圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒ（１．３３Ｐａ〜４．００Ｐａ）になるように前記排気部を制御する、請求項１〜１４の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  16. 前記処理空間が、２０ｍｍ〜３０ｍｍのギャップを有する、請求項１〜１５の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  17. 第１磁性層、絶縁層、第２磁性層及びマスク材料の順に積層された積層構造を含む多層膜材料をエッチングするプラズマ処理装置であって、
    プラズマが生成される処理空間を画成する処理容器と、
    前記処理空間内に処理ガスを供給するガス供給部と、
    前記ガス供給部を制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    前記マスク材料をエッチングして前記第２磁性層上にマスクを形成し、
    前記処理容器に処理ガスを供給し、プラズマを発生させ、前記マスクを用いて前記第２磁性層をエッチングし、前記絶縁層の表面でエッチングを終了し、
    前記第２磁性層は、ＣｏＦｅＢを含み、
    前記絶縁層は、ＭｇＯを含み、
    前記処理ガスは、Ｈ２及びＦもしくはフッ素化合物を含む、
    プラズマ処理装置。
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