JP2019186322A - 被加工物の処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、一実施形態に係る処理方法を示すフローチャートである。図1に示される処理方法(以下、「方法MT」という)は、ルテニウム膜をエッチングするために実行される。ルテニウム膜とは、ルテニウムで形成された膜である。図2は、方法MTが適用され得る一例の被加工物の断面図である。図2に示される被加工物(以下、「ウエハW」という)は、ルテニウム膜L2を有する。ルテニウム膜L2は、エッチング対象の膜である。ルテニウム膜L2は、一例として下地層L1上に形成される。
方法MTの詳細は、方法MTがプラズマ処理装置10を用いて図2に示されるウエハWに適用される場合を例として説明される。方法MTは、プラズマ処理装置10の処理容器12内、即ち、処理空間Spの中にウエハWが配置された状態で実行される。処理空間Spの中では、ウエハWは、静電チャックESC上に載置され、静電チャックESCによって保持される。
最初に、工程S14のエッチング原理が説明される。図6は、酸素含有ガスによるプラズマエッチングにおける処理時間とRuエッチング量との関係を示すグラフである。図6に示されるグラフの横軸は処理時間、縦軸はRuエッチング量である。図6に示されるように、ルテニウム膜の表面には、酸素含有ガスのプラズマによる化学反応によって、揮発性のルテニウム酸化物が生成される。揮発性酸化物の一例は、RuO3(g)やRuO4(g)である。揮発性酸化物が生成されることにより、ルテニウム膜の表面はエッチングされる。
方法MTにおいては、工程S14及び工程S16は交互に実行される。工程S14及び工程S16が交互に実行されることにより、工程S14で発生したエッチング阻害要因は次の工程S16で除去される。同様に、工程S16で発生したエッチング阻害要因は次の工程S14で除去される。
工程S14及び工程S16は、それぞれ自己制限が存在するため、工程S14と工程S16とをセットとした1サイクル当たりのRuエッチング量は、ある処理時間以上においては一定値となる。そして、1サイクル当たりのRuエッチング量が飽和するまでの処理時間は、ルテニウム膜の制御温度に依存する。1サイクル当たりのエッチング量とルテニウム膜の制御温度と各工程の処理時間との関係を予め取得しておくことにより、制御部Cntは、目標となる1サイクル当たりのRuエッチング量を達成する目標温度及び目標処理時間を決定することができる。以下、1サイクル当たりのエッチング量をEPC(Etch per cycle)ともいう。
方法MTによれば、酸素含有ガスと塩素含有ガスとを交互に使い分けてエッチングするため、エッチングレートが混合ガスのプラズマの分布に依存することを回避することができる。このため、エッチングレートのばらつきを抑制することができる。さらに、方法MTによれば、マスクMK及びルテニウム膜L2の表面上に、原子堆積法により保護膜L3が形成される。そして、第1領域R31が残されるように保護膜L3がエッチングされる。これにより、エッチングに伴うマスクMKの横方向の形状変化を保護膜L3によって補うことができる。さらに、保護膜L3の第1領域R31がマスクMKの側壁面に沿って設けられるので、ルテニウム膜L2のプラズマエッチングに対してより強固なマスクが提供される。よって、方法MTは、面内方向におけるルテニウム膜L2の形状のばらつきを抑制することができる。つまり、方法MTによれば、ルテニウム膜L2の深さ方向及び横方向のエッチングを任意に制御することができる。
方法MTにおける工程S14及び工程S16の処理時間を変更してルテニウム膜をエッチングした。プラズマ処理の条件を以下に示す。
<工程S14>
第1の高周波:100MHz、50W
処理空間Spの圧力:1.33Pa(10mTorr)
処理ガス:O2
処理ガスの流量:200sccm
ウエハWの制御温度:25℃、80℃
処理時間:15sec〜180sec
<工程S16>
第1の高周波:100MHz、50W
処理空間Spの圧力:1.33Pa(10mTorr)
処理ガス:Cl2
処理ガスの流量:200sccm
ウエハWの制御温度:25℃、80℃
処理時間:15sec〜180sec
<サイクル数>
5回
(酸化膜)
ウエハWの処理温度を10℃〜80℃に設定し、原子堆積法により保護膜L3を形成し、膜厚(堆積量)を測定した。保護膜L3の材料は、酸化シリコンとした。結果を図15に示す。図15は、ウエハの温度と酸化膜の膜厚との関係を示す実験結果である。横軸がウエハWの温度であり、縦軸はシリコン酸化膜の膜厚である。図15に示されるように、ウエハWの温度が大きくなるにつれて、シリコン酸化膜の膜厚が大きくなることが確認された。つまり、方法MTによれば、ウエハWの面内温度を調整しながら酸化膜の保護膜を形成することによって、マスクMKの面内方向の寸法を調整することができることが確認された。
(金属膜)
ウエハWの処理温度を−60℃〜20℃に設定し、原子堆積法により保護膜L3を形成し、膜厚(堆積量)を測定した。保護膜L3の材料は、タングステンとした。図16は、タングステン膜の膜厚測定箇所を示す図である。図16に示されるタングステン膜WFの膜厚FTa、FTb、FTc、FTdをそれぞれ測定した。膜厚FTaは、マスクEMKの上面の上でのタングステン膜WFの膜厚である。膜厚FTbは、マスクEMKの上面を含む横断面上でのタングステン膜WFの横方向の膜厚である。膜厚FTcは、マスクEMK及びタングステン膜WFによって提供されているスペースMSの幅が最小である横断面上でのタングステン膜WFの横方向の膜厚である。膜厚FTdは、マスクEMKの上面から下方に150nmの距離を有する横断面上でのタングステン膜WFの膜厚である。図17は、タングステン膜の膜厚測定結果を示すグラフである。図17において、横軸は、膜形成時のウエハWの温度を示しており、縦軸はタングステン膜の膜厚を示している。図17に示されるように、ウエハWの温度が大きくなるにつれて、タングステン膜の膜厚が小さくなることが確認された。つまり、方法MTによれば、ウエハWの面内温度を調整しながら金属膜の保護膜を形成することによって、マスクMKの面内方向の寸法を調整することができることが確認された。
Claims (5)
- 被加工物の処理方法であって、
前記被加工物は、ルテニウム膜と、前記ルテニウム膜上に設けられたマスクとを有し、
前記処理方法は、
プラズマ処理により前記ルテニウム膜をエッチングする工程と、
原子堆積法により前記被加工物に保護膜を形成する工程であり、前記保護膜は前記マスクの側壁面に沿って延在する第1領域及び前記ルテニウム膜上に延在する第2領域を含む、前記工程と、
前記第1領域を残しつつ前記第2領域を除去するように前記保護膜をエッチングする工程と、
を備え、
前記ルテニウム膜をエッチングする工程は、
酸素含有ガスを用いたプラズマ処理により前記ルテニウム膜をエッチングする第1工程と、
塩素含有ガスを用いたプラズマ処理により前記ルテニウム膜をエッチングする第2工程と、
を含み、
前記第1工程と前記第2工程とは交互に実行される、
被加工物の処理方法。 - 保護膜は、金属膜、酸化膜、窒化膜及び有機膜からなる群から選択された膜である、請求項1に記載の被加工物の処理方法。
- 前記保護膜を形成する前記工程は、
前記被加工物上に前記保護膜の原料を含有する前駆体を堆積させるために、前記保護膜の前記原料を含有する前駆体ガスを前記被加工物に供給する工程と、
前記被加工物上の前記前駆体に活性種を供給するためにプラズマを生成する工程と、
を各々が含む複数回のサイクルを実行する、請求項1に記載の被加工物の処理方法。 - 前記マスクの寸法の面内分布データを取得する工程と、
前記保護膜の堆積量と前記被加工物の温度との予め取得された関係と、前記マスクの寸法の面内分布データとに基づいて、前記マスクの寸法が設計値となるように、前記被加工物の各位置での目標温度を決定する工程と、
を含み、
前記保護膜を形成する工程においては、前記決定された前記被加工物の各位置での目標温度となるように前記被加工物の温度分布を制御する、
請求項1〜3の何れか一項に記載の被加工物の処理方法。 - 前記ルテニウム膜の厚さの面内分布データを取得する工程と、
前記第1工程と前記第2工程とをセットとした1サイクル当たりのエッチング量と前記被加工物の温度と各工程の処理時間との予め取得された関係と、前記ルテニウム膜の厚さの前記面内分布データと、前記各工程の目標処理時間とに基づいて、前記ルテニウム膜の厚さが平坦となるように、前記被加工物の各位置の目標温度を決定する工程と、
を含み、
前記第1工程の目標処理時間はルテニウムと酸素との反応が飽和する処理時間以下であり、及び/又は、前記第2工程の目標処理時間はルテニウムと塩素との反応が飽和する処理時間以下であり、
前記第1工程及び前記第2工程においては、前記決定された前記被加工物の各位置での目標温度となるように前記被加工物の温度分布を制御する、
請求項1〜4の何れか一項に記載の被加工物の処理方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019169627A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
US11322364B2 (en) * | 2020-04-01 | 2022-05-03 | Tokyo Electron Limited | Method of patterning a metal film with improved sidewall roughness |
JP2023535388A (ja) * | 2020-07-19 | 2023-08-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ホウ素がドープされたシリコン材料を利用した集積プロセス |
WO2022169567A1 (en) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | Tokyo Electron Limited | Removal of stray ruthenium metal nuclei for selective ruthenium metal layer formation |
US11749532B2 (en) * | 2021-05-04 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
US20220392752A1 (en) * | 2021-06-03 | 2022-12-08 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer etching of ru metal |
JP7099675B1 (ja) * | 2021-07-27 | 2022-07-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、半導体装置の製造方法、プログラムおよびプラズマ処理装置 |
US20230420267A1 (en) * | 2022-05-27 | 2023-12-28 | Tokyo Electron Limited | Oxygen-free etching of non-volatile metals |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275402A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Hitachi Ltd | 固体表面加工方法 |
JPH11111683A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001284317A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Hitachi Ltd | 固体表面及び半導体製造装置の処理方法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2003027240A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-01-29 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
JP2007305892A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Fujitsu Ltd | 金属膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2008532324A (ja) * | 2005-03-03 | 2008-08-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 制御された処理結果分布を有するエッチング方法 |
JP2012019242A (ja) * | 2003-08-26 | 2012-01-26 | Lam Res Corp | フィーチャ微小寸法の低減 |
JP2016131238A (ja) * | 2015-01-12 | 2016-07-21 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 原子スケールのald(原子層堆積)プロセスとale(原子層エッチング)プロセスとの統合 |
JP2017076784A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-20 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
JP2017212331A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2956485B2 (ja) | 1994-09-07 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6528363B2 (en) * | 2001-03-19 | 2003-03-04 | International Business Machines Corporation | Fabrication of notched gates by passivating partially etched gate sidewalls and then using an isotropic etch |
US9293319B2 (en) * | 2011-03-09 | 2016-03-22 | Micron Technology, Inc. | Removal of metal |
US9852923B2 (en) * | 2015-04-02 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Mask etch for patterning |
US10361282B2 (en) * | 2017-05-08 | 2019-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming a low-K spacer |
KR102601862B1 (ko) * | 2017-10-04 | 2023-11-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 상호접속부를 위한 루테늄 금속 피처 충전 |
-
2018
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- 2019-04-04 US US16/375,071 patent/US11049730B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275402A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Hitachi Ltd | 固体表面加工方法 |
JPH11111683A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001284317A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Hitachi Ltd | 固体表面及び半導体製造装置の処理方法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2003027240A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-01-29 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
JP2012019242A (ja) * | 2003-08-26 | 2012-01-26 | Lam Res Corp | フィーチャ微小寸法の低減 |
JP2008532324A (ja) * | 2005-03-03 | 2008-08-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 制御された処理結果分布を有するエッチング方法 |
JP2007305892A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Fujitsu Ltd | 金属膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2016131238A (ja) * | 2015-01-12 | 2016-07-21 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 原子スケールのald(原子層堆積)プロセスとale(原子層エッチング)プロセスとの統合 |
JP2017076784A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-20 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
JP2017212331A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230173646A (ko) | 2022-06-15 | 2023-12-27 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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