JP2005236244A - 回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 製造工程で何ら不具合が発生することなく、回路基板を低コストで製造できる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１金属（銅）よりなる金属箔１６が剥離可能な状態で形成された基板を用意し、金属箔１６上に第２金属（はんだ）よりなる金属層２４を含むビルドアップ配線を形成し、金属箔１６を基板から剥離することにより、金属箔１６上にビルドアップ配線が形成された構造の回路部材３０を得た後に、回路部材３０の金属箔１６を金属層２４に対して選択的に除去することにより、金属層２４を露出させることを含む。
【選択図】 図５

Description

本発明は回路基板の製造方法に係り、さらに詳しくは、電子部品の実装基板に適用できる回路基板の製造方法に関する。

電子部品が実装される回路基板の製造方法として、特許文献１には、銅板の一方の面に所要のビルドアップ多層配線を形成した後に、銅板を選択的に除去することにより、回路基板を得る方法が記載されている。また、特許文献２には、２枚の銅板をその周辺部に接着剤をつけて貼着し、その両面に所要のビルドアップ多層配線をそれぞれ形成し、次いで銅板の周辺部を銅板本体から切り離して２枚の銅板を分離した後に、銅板をそれぞれ選択的に除去することにより、回路基板を得る方法が記載されている。

さらに、特許文献３には、メタルベースの両面に所要のビルドアップ多層配線をそれぞれ形成した後に、メタルベースをその表面に平行な面に沿って切断してメタルベースを２つに分離した後に、各メタルベースを部分的に除去して半導体素子が接続される配線が露出する回路基板を得る方法が記載されている。
特開２０００−３２３６１３号公報 特開２００３−１４２６１７号公報 特開２００２−８３８９３号公報

しかしながら、特許文献１〜３に関連する製造方法では、基板として比較的重い銅板を使用するので、製造工程において各種のトラブルが発生しやすい。例えば、特許文献２に関連する製造方法では、面積が５０×５０ｃｍ²、厚みが０．４ｍｍの２枚の銅板が使用され、この２枚の銅板を貼着すると重さが１．８ｋｇ程度と重くなる。このため、銅板を扱う際に作業性が悪いと共に、製造工程において重い銅板を搬送する必要があるので搬送装置にトラブルが発生しやすい。

また、銅板は最終的に除去されるのでその厚みは薄い方がよいが、薄すぎると弾性及び剛性が弱くなり、搬送時に割れるなどのトラブルが発生する。逆に、銅板の厚みを厚くすると、銅板を除去する際のエッチング量が多くなり、コスト上昇を招くことになる。

さらに、特許文献２に関連する製造方法では、２枚の銅板の接着剤が設けられた周辺部（例えば３ｃｍ程度）はいわゆる糊しろとなって破棄されるので、銅板全体を有効利用することができず、生産性が不利になる場合が想定される。

本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、製造工程で何ら不具合が発生することなく、回路基板を低コストで製造できる回路基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は回路基板の製造方法に係り、少なくとも一方の面に第１金属よりなる金属箔が剥離可能な状態で形成された基板を用意する工程と、前記金属箔上に、第２金属よりなる金属層を含むビルドアップ配線を形成する工程と、前記金属箔を前記基板から剥離することにより、前記金属箔上に前記ビルドアップ配線が形成された構造の回路部材を得る工程と、前記回路部材の前記金属箔を前記金属層に対して選択的に除去することにより、前記金属層を露出させる工程とを有することを特徴とする。

本発明では、回路基板を製造するためのベース基板として、基板（樹脂など）上に金属箔（銅箔など）が剥離可能な状態で形成されたものが使用される。このため、従来技術のような重い銅板を使用する場合よりも格段に軽量化を図ることができるので、作業性を向上させることができると共に、ベース基板を搬送装置で搬送する際のトラブル発生が防止される。

そして、このベース基板の金属箔上に、第２金属よりなる金属層（はんだ層など）を含むビルドアップ配線が形成された後に、金属箔が基板から剥離されて、金属箔上に金属層を含むビルドアップ配線が形成された構造の回路部材が得られる。続いて、回路部材の金属箔が金属層に対して選択的に除去されて、金属層が露出して回路基板が得られる。回路基板の金属層は、例えば、バンプとして機能し、回路基板に搭載される電子部品（半導体チップなど）に接続される。

第２金属よりなる金属層を含むビルドアップ配線の形成方法は、好適には、まず、所要部に開口部が設けられた絶縁膜がベース基板の金属箔上に形成された後に、その開口部の金属箔の部分に凹部が形成される。続いて、金属箔をめっき給電層に利用した電解めっきにより、凹部及び開口部に金属層（はんだ層など）が形成される。さらに、金属層に接続される配線パターンが絶縁膜上に形成される。

本発明では、薄膜の金属箔（厚みが例えば３０〜４０μｍ）上にバンプとなる金属層やそれに接続される配線パターンを形成した後に金属箔を選択的に除去して回路基板を得るようにしたので、従来技術のような銅板（厚みが０．４ｍｍ程度）を使用する場合に比べてエッチング量を格段に少なくすることができ、大幅なコスト低減を図ることができる。

さらには、ベース基板の両面側に金属層やそれに接続される配線パターンを形成する場合においても、従来技術のような２枚の銅板の周辺部を貼着する方法と違って、廃棄される部分がないので、ベース基板上の全体領域を有効利用することができ、生産性を向上させることができる。

また、上記した課題を解決するため、本発明は回路基板の製造方法に係り、少なくとも一方の面に金属箔が剥離可能な状態で形成された基板を用意する工程と、開口部が設けられた絶縁膜を前記金属箔上に形成する工程と、前記開口部を介して前記金属箔に電気的に接続される第１配線パターンを前記絶縁膜上に形成する工程と、前記基板から前記金属箔を剥離することにより、前記金属箔、絶縁膜及び前記第１配線パターンにより構成される回路部材を得る工程と、前記回路部材の金属箔をパターニングすることにより、前記第１配線パターンに前記絶縁膜の開口部を介して電気的に接続される第２配線パターンを、前記絶縁膜の第１配線パターンが形成された面と反対面に形成する工程とを有することを特徴とする。

本発明では、基板（樹脂など）上に剥離できる状態で設けられた金属箔上に所要のビルドアップ配線を形成される。次いで、基板から金属箔が剥離され、一方の面にビルドアップ配線が形成され、他方の面に金属箔を設けられた回路部材を得る。その後に、回路部材の金属箔がパターニングされてビルドアップ配線に接続される配線パターンとなる。

このようにしても、上記した発明と同様に、基板の軽量化を図ることができるので、作業性を向上させることができると共に、ベース基板を搬送装置で搬送する際のトラブル発生が防止される。また、本発明では、金属箔は、最終的に除去されるのではなく、配線パターンとして有効利用するようにしたので、さらに低コスト化を図ることができる。

以上説明したように、本発明では、製造工程で何ら不具合が発生することなく、回路基板を低コストで製造することができる。

以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。

（第１の実施の形態）
図１〜図５は本発明の第１実施形態の回路基板の製造方法を順に示す断面図である。

図１（ａ）に示すように、まず、ガラスエポキシ樹脂などよりなる樹脂基板１０を用意する。その後に、図１（ｂ）に示すように、厚さが３〜５μｍの薄膜銅箔１２上に厚みが３０〜４０μｍのキャリア銅箔１６が剥離層（接着層）１４を介して貼着された構造のキャリア付き銅箔１８を用意する。キャリア銅箔１６は、薄膜銅箔１２の取り扱いを容易にするための支持材として設けられている。

次いで、同じく図１（ｂ）に示すように、このキャリア付き銅箔１８の薄膜銅箔１２の露出面を樹脂基板１０の両面にそれぞれ貼着する。このとき、キャリア付き銅箔１８の薄膜銅箔１２の露出面にはこぶ状の凹凸が付与されているため、銅箔１８の凹凸が樹脂基板１０に食い込んでいわゆるアンカー効果により、キャリア付き銅箔１８は樹脂基板１０に密着性がよい状態で貼着される。一方、薄膜銅箔１２とキャリア銅箔１６とは剥離層１４を介して貼着されており、キャリア銅箔１６は剥離層１４との界面から容易に剥離できるようになっている。

本実施形態では、図１（ｂ）の構造体をベース基板２０として使用する。本実施形態に係るベース基板２０は、樹脂基板１０上にキャリア付き銅箔１８が貼着されたものであるので、従来技術で使用される銅板よりも格段に軽量化を図ることができる。これにより、ベース基板２０の取り扱いが容易となって作業性が向上すると共に、ベース基板２０を搬送装置で搬送する際のトラブル発生が防止される。

次いで、このようなベース基板２０の両面にビルドアップ多層配線を形成する。すなわち、図１（ｃ）に示すように、まず、所要部に開口部２２ｘが設けられた第１絶縁膜２２をベース基板２０の両面側のキャリア銅箔１６上にそれぞれ形成する。第１絶縁膜２２の材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂又はアクリル系樹脂などが使用される。第１絶縁膜２２の形成方法としては、感光性樹脂膜をフォトリソグラフィによりパターニングする方法がある。又は、フィルム状の樹脂をラミネートして形成するか、又は樹脂膜をスピンコートもしくは印刷により形成し、その後に、この樹脂膜をレーザやＲＩＥによりエッチングすることにより開口部を形成する方法を採用してもよい。あるいは、フィルム状の樹脂の所要部を金型により打ち抜いて開口部を形成し、この樹脂膜を貼着する方法を用いてもよい。さらには、スクリーン印刷により開口部が設けられた樹脂膜をパターニングしてもよい。

次いで、図２（ａ）に示すように、第１絶縁膜２２の開口部２２ｘに露出するキャリア銅箔１６の部分をエッチングすることにより凹部１６ｘを形成する。

続いて、図２（ｂ）に示すように、キャリア銅箔１６をめっき給電層に利用した電解めっきにより、ベース基板２０の両面側のキャリア銅箔１６の凹部１６ｘ及び第１絶縁膜２２の開口部２２ｘの一部にはんだ層２４をそれぞれ形成する。なお、後述するように、キャリア銅箔１６は最終的にエッチングされて除去されるので、キャリア銅箔１６上に形成される金属層の材料としては、キャリア銅箔１６のエッチングに対して耐性をもつ金属が選択される。そのような金属材料としては、はんだの他に金（Ａｕ）などがある。

続いて、図２（ｃ）に示すように、はんだ層２４に接続される第１配線パターン２６を樹脂基板１０の両面側の第１絶縁膜２２上にそれぞれ形成する。第１配線パターン２６は、例えばセミアディティブ法により形成される。詳しく説明すると、まず、無電解めっき又はスパッタ法により、Ｃｕシード層（不図示）を形成した後に、第１配線パターン２６に対応する開口部を備えたレジスト膜（不図示）を形成する。次いで、Ｃｕシード層をめっき給電層に利用した電解めっきにより、レジスト膜の開口部にＣｕ膜パターン（不図示）を形成する。続いて、レジスト膜を除去した後に、Ｃｕ膜パターンをマスクにしてＣｕシード層をエッチングすることにより、第１配線パターン２６を得る。

次いで、図３（ａ）に示すように、第１配線パターン２６上にビアホール２２ｙが設けられた第２絶縁膜２２ａをベース基板２０の両面側にそれぞれ形成する。第２絶縁膜２２ａは、前述した第１絶縁膜２２と同様な方法により形成される。続いて、図３（ｂ）に示すように、前述した第１配線パターン２６の形成方法と同様な方法により、ビアホール２２ｙを介して第１配線パターン２６に接続される第２配線パターン２６ａをベース基板２０の両面側の第２絶縁膜２２ａ上にそれぞれ形成する。

以上により、キャリア銅箔１６上に、はんだ層２４を含むビルドアップ配線が形成される。図３（ｂ）では、はんだ層２４に接続される２層の第１、第２配線パターン２６，２６ａが形成された形態が例示されているが、ｎ層（ｎは１以上の整数）の配線パターンを形成した形態としてもよい。

さらに、図４（ａ）に示すように、ベース基板２０の両面側の第２配線パターン２６ａの接続部２６ｘをそれぞれ露出させる開口部２８ｘが設けられたソルダレジスト膜２８を図３（ｂ）の構造体の両面にそれぞれ形成する。

続いて、図４（ｂ）に示すように、樹脂基板１０の両面側のキャリア銅箔１６を剥離層１４との界面からそれぞれ剥離することにより、樹脂基板１０からキャリア銅箔１６を分離する。これにより、図５（ａ）に示すようなキャリア銅箔１６上にはんだ層２４を含むビルドアップ配線が形成された構造の回路部材３０が得られる。

その後に、図５（ｂ）に示すように、この回路部材３０のキャリア銅箔１６をはんだ層２４及び第１絶縁膜２２に対して選択的に除去する。例えば、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウェットエッチングにより、はんだ層２４及び第１絶縁膜２２に対してキャリア銅箔１６を選択的にエッチングして除去することができる。

これにより、第１配線パターン２６の下面に接続されたはんだ層２４が露出してバンプ２５となり、第１実施形態の回路基板１が得られる。

図６は本発明の実施形態の回路基板を電子部品のパッケージに使用した一例を示す断面図である。本実施形態の回路基板１では、図６に示すように、電子部品のパッケージに使用される場合は、回路基板１のバンプ２５に半導体チップなどの電子部品４０が接続され、第２配線パターン２６ａの接続部２６ｘに外部接続端子２７が設けられる。図６には、回路基板１をＢＧＡ（Ball Grid Array）型として使用する形態が例示されており、この場合、外部接続端子２７ははんだボールより構成される。また、回路基板１をＰＧＡ（Pin Grid Array）型として使用する場合は、第２配線パターン２６ａの接続部２６ｘにリードピンが接続される。また、回路基板１をＬＧＡ（Land Grid Array）型として使用する場合は、接続部２６ｘがランドとして使用される。

そして、回路基板１の外部接続端子２７（はんだボールやリードピン）、又は第２配線パターン２６ａの接続部２６ｘ（ランド）が配線基板（マザーボード）に実装される。

キャリア銅箔１６上に形成されるバンプ２５は位置精度が高くかつ高密度で形成され、しかもバンプ２５に接続される配線パターンもキャリア銅箔１６側の方が高精度で形成される。これは、配線パターンを積層するにつれて絶縁膜の平坦性が悪くなる傾向があるので、上側の配線パターンの方が下側の配線パターンよりも精度が低下しやすいからである。

従って、本実施形態の回路基板１では、図６に示すように、バンプ２５を高密度な接続部を備えた電子部品に接続される接続端子として利用すると都合がよい。

あるいは、図６の形態とは逆に、第２配線パターン２６ａの接続部２６ｘに半導体チップなどの電子部品のバンプが接続され、回路基板１のバンプ２５が配線基板（マザーボード）に接続されるようにしても差し支えない。

なお、本実施形態では、第１金属よりなる金属箔としてキャリア銅箔１６を例示し、第２金属よりなる金属層としてはんだ層２４を例示したが、この組み合わせに限定されるものではなく、第１金属が第２金属に対して選択的に除去できる金属材料の組み合わせを採用することができる。

また、樹脂基板１０の両面にキャリア付き銅箔１８が貼着されたベース基板２０使用し、その両面側にビルドアップ配線をそれぞれ形成する形態を例示したが、樹脂基板１０の片面にキャリア付き銅箔１８が貼着されたベース基板を使用し、その片面にビルドアップ配線を形成するようにしてもよい。さらには、ベース基板２０の一方の面から複数の回路基板が得られるようにしてもよい。

本実施形態では、回路基板１を製造するためのベース基板２０として、樹脂基板１０上にキャリア付き銅箔１８が貼着されたものを使用するので、軽量化を図ることができ、製造工程での搬送時にトラブルが発生しにくい。

また、キャリア銅箔１６はその厚みが例えば３０〜４０μｍであって、従来技術で使用される銅板（厚みが０．４ｍｍ）よりも厚みが格段に薄いためエッチング量を大幅に削減することができ、コスト低減を図ることができる。

さらには、２枚の銅板の周辺部を貼着してベース基板として使用する従来技術と違って、廃棄される領域がなくベース基板２０上の全体領域を有効利用することができるので、生産性を向上させることができる。

（第２の実施の形態）
図７〜図１０は本発明の第２実施形態の回路基板の製造方法を順に示す断面図である。第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、ベース基板として、樹脂基板上に剥離できる状態で１層の銅箔が形成されたものを使用し、銅箔を最終的に除去するのではなく、銅箔を配線パターンとして利用することにある。

第２実施形態の回路基板の製造方法は、図７（ａ）に示すように、まず、第１実施形態と同様な樹脂基板１０を用意し、厚みが例えば１０〜４０μｍの銅箔１２を樹脂基板１０の両面に接着層１３でそれぞれ貼着する。図７（ｂ）の平面図を加えて参照すると、接着層１３は樹脂基板１０の全体にわたって設けられるのではなく、樹脂基板１０のうちの周縁側のリング状領域（図７（ｂ）の斜線部）に選択的に設けられる。つまり、樹脂基板１０と銅箔１２は、接着層１３が設けられた部分以外の領域では単に接触した状態となっている。

第２実施形態では、図７（ａ）の構造体をベース基板２０ａとして使用する。ベース基板２０ａは、樹脂基板１０上に銅箔１２が設けられたものであるので、第１実施形態と同様に、従来技術よりも軽量化を図ることができ、ベース基板２０ａの取り扱いが容易となって搬送トラブルの発生が防止される。

続いて、図８（ａ）に示すように、開口部３２ｘが設けられた絶縁膜３２をベース基板２０ａの両面側の銅箔１２上にそれぞれ形成する。これにより、絶縁膜３２の開口部３２ｘの底部に銅箔１２が露出した状態となる。そのような絶縁膜３２は、第１実施形態の第１絶縁膜２２と同様な材料及び方法によって形成される。

次いで、図８（ｂ）に示すように、第１実施形態で説明したセミアディティブ法などにより、絶縁膜３２の開口部３２ｘを介して銅箔１２に電気的に接続される第１配線パターン３６をベース基板２０ａの両面側の絶縁膜３２上にそれぞれ形成する。なお、ベース基板２０ａの両面側の絶縁膜３２上にｎ層（ｎは１以上の整数）の配線パターンがそれぞれ積層されるようにしてもよい。

その後に、図８（ｃ）に示すように、第１配線パターン３６上に開口部２８ｘが設けられたソルダレジスト膜２８をベース基板２０ａの両面側にそれぞれ形成する。さらに、ソルダレジスト膜２８の開口部２８ｘ内の第１配線パターン３６上にＮｉ／Ａｕめっきを施すことにより接続部２９を形成する。

次いで、図８（ｃ）のＡで示される部分（図７（ｂ）の接着層１３から内側のリング状部分に相当）を切断する。これにより、図９（ａ）に示すように、図８（ｃ）の構造体からベース基板２０ａの接着層１３を含む周縁部分が除去される。

この段階では、図９（ａ）の構造体では接着層１３が形成された領域が除去されていることから、樹脂基板１０と銅箔１２とは全体にわたって単に接触しているだけであり、樹脂基板１０と銅箔１２とを容易に分離できる状態となっている。

次いで、図９（ｂ）に示すように、樹脂基板１０と銅箔１２との界面から剥離し、樹脂基板１０と銅箔１２とを分離することにより、２つの回路部材５０が得られる。回路部材５０は、銅箔１２、絶縁膜３２、その開口部３２ｘを介して銅箔１２に接続された第１配線パターン３６及びソルダレジスト膜２８により構成される。そして、樹脂基板１０は廃棄される。

続いて、図１０（ａ）に示すように、回路部材５０の一方の面の銅箔１２をフォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングして第２配線パターン３６ａを形成する。第２配線パターン３６ａは絶縁膜３２の開口部３２ｘを介して第１配線パターン３６に電気的に接続される。その後に、図１０（ｂ）に示すように、第２配線パターン３６ａ上に開口部２８ｘが設けられたソルダレジスト膜２８を図１０（ａ）の回路部材５０の下面側に形成する。さらに、ソルダレジスト膜２８の開口部２８ｘの第２配線パターン３６ａ上にＮｉ／Ａｕめっきを施して接続部２９を形成する。

以上により、第２実施形態の回路基板１ａが得られる。

なお、樹脂基板１０の片面に銅箔１２が設けられたべース基板を使用し、その片面にビルドアップ配線を形成するようにしてもよい。また、ベース基板２０の片面側から複数の回路基板が得られるようにしてもよい。

本実施形態に係る回路基板１ａでは、好適には、回路基板１ａの第１配線パターン３６の接続部２９が配線基板（マザーボード）に接続される外部接続部となり、第２配線パターン３６ａの接続部２９に半導体チップなどの電子部品（不図示）が接続される。あるいは、逆に、回路基板１ａの第１配線パターン３６の接続部２９に半導体チップなどの電子部品が接続され、第２配線パターン３６ａの接続部２９が外部接続部になるようにしても差し支えない。

以上説明したように、第２実施形態では、まず、樹脂基板１０の周縁部に設けられた接着層１３によって樹脂基板１０上に貼着された銅箔１２の上に所要のビルドアップ配線が形成される。その後に、樹脂基板１０の接着層１３を含む周縁部分が切断されて除去される。次いで、樹脂基板１０と銅箔１２との界面から剥離し、一方の面にビルドアップ配線を備え、他方の面に銅箔１２を備えた回路部材５０を得る。その後に、回路部材５０の銅箔１２をパターニングする。

第２実施形態では、第１実施形態と同様な技術思想に基づいて、ベース基板２０ａとして樹脂基板１０上に銅箔１２が設けられたものを使用するので、第１実施形態と同様に、ベース基板２０ａの軽量化を図ることができ、製造工程での搬送トラブルの発生が防止される。

さらには、第２実施形態では、第１実施形態と違って、銅箔１２は最終的に除去されるのではなく、第２配線パターン３６ａとして利用されるようにしたので、第１実施形態よりも銅箔１２を有効利用できるという観点から低コスト化を図ることができる。しかも、樹脂基板（支持板）１０は銅箔１２から分離された後に廃棄されるので、従来技術のような支持金属板をエッチングにより除去する必要もないので、製造工程が簡易になり、製造コストを低減することができる。

さらに、第２実施形態では、１層の銅箔１２が貼着された樹脂基板１０をベース基板２０ａとして使用するので、第１実施形態よりもベース基板の構造を簡易とすることができる。

（第３の実施の形態）
図１１及び図１２は本発明の第３実施形態の回路基板の製造方法を順に示す断面図である。第３実施形態が第２実施形態と異なる点は、ベース基板として、樹脂基板上に剥離層を介して銅箔が貼着されたものを使用することにある。

第３実施形態の回路基板の製造方法は、図１１（ａ）に示すように、まず、樹脂基板１０の両面側に剥離層１４を介して銅箔１２が貼着された構造のベース基板２０ｂを用意する。剥離層１４はシリコーンなどよりなり、後の工程で、剥離層１４と銅箔１２との界面から容易に剥離できるようになっている。

次いで、図１１（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、ベース基板２０ｂの両面側の銅箔１２上に、開口部３２ｘが設けられた絶縁膜３２をそれぞれ形成した後に、開口部３２ｘを介して銅箔１２に電気的に接続される第１配線パターン３６をそれぞれ形成する。

続いて、図１１（ｃ）に示すように、第２実施形態と同様に、ベース基板２０ｂの両面側の第１配線パターン３６上に開口部２８ｘが設けられたソルダレジスト膜２８をそれぞれ形成した後に、その開口部２８ｘ内の第１配線パターン３６上にＮｉ／Ａｕめっきを施すことにより接続部２９をそれぞれ形成する。

次いで、図１２（ａ）に示すように、剥離層１４と銅箔１２との界面から剥離し、２つの回路部材５０を得る。そして、剥離層１４が残された樹脂基板１０は廃棄される。

さらに、図１２（ｂ）に示すように、回路部材５０の銅箔１２をパターニングすることにより、絶縁膜３２の開口部３２ｘを介して第１配線パターン３６に接続される第２配線パターン３６ａを形成する。

さらに、図１２（ｃ）に示すように、第２配線パターン３６ａ上に開口部２８ｘが設けられたソルダレジスト膜２８を図１２（ｂ）の回路部材５０の下面側に形成した後に、その開口部２８ｘの第２配線パターン３６ａ上に接続部２９を形成する。

以上により、第２実施形態と同一構造の回路基板１ｂが得られる。

第３実施形態は、第１及び２実施形態と同様な効果を奏する。さらに、第３実施形態では、ベース基板２０ｂとして樹脂基板１０上に剥離層１４を介して銅箔１２が貼着されたものを使用し、剥離層１４と銅箔１２の界面から容易に剥離することができる。このため、第２実施形態と違って、樹脂基板１０と銅箔１２とを剥離するためにベース基板２０ｂの周縁部分を切断する必要がないので、第２実施形態よりも製造工程を簡易とすることができ、製造コストをさらに低減することができる。

なお、前述した第２及び第３実施形態において、銅箔１２を配線パターンとして利用する代わりに、第１実施形態のキャリア銅箔１６と同様に、銅箔１２に凹部を設け、バンプ形成に利用するようにしてもよい。

図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その１）である。 図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その２）である。 図３（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その３）である。 図４（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その４）である。 図５（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その５）である。 図６は本発明の第１実施形態の回路基板を電子部品のパッケージに使用した一例を示す断面図である。 図７（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その１）である。 図８（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その２）である。 図９（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その３）である。 図１０（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その４）である。 図１１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その１）である。 図１２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その２）である。

符号の説明

１…回路基板、１０…樹脂基板、１２…薄膜銅箔（又は銅箔）、１３…接着層、１４…剥離層、１６…キャリア銅箔（金属箔）、１６ｘ…凹部、１８…キャリア付き銅箔、２０，２０ａ，２０ｂ…ベース基板、２２…第１絶縁膜、２２ｘ，２８ｘ，３２ｘ…開口部、２２ａ…第２絶縁膜、２２ｙ…ビアホール、２４…はんだ層（金属層）、２５…バンプ、２６，３６…第１配線パターン、２６ａ，３６ａ…第２配線パターン、２６ｘ，２９…接続部、２７…外部接続端子、２８…ソルダレジスト膜、３０，５０…回路部材、３２…絶縁膜、４０…電子部品。

Claims (12)

1. 少なくとも一方の面に第１金属よりなる金属箔が剥離可能な状態で形成された基板を用意する工程と、
   前記金属箔上に、第２金属よりなる金属層を含むビルドアップ配線を形成する工程と、
   前記金属箔を前記基板から剥離することにより、前記金属箔上に前記ビルドアップ配線が形成された構造の回路部材を得る工程と、
   前記回路部材の前記金属箔を前記金属層に対して選択的に除去することにより、前記金属層を露出させる工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
2. 前記金属箔上にビルドアップ配線を形成する工程は、
   所要部に開口部が設けられた絶縁膜を前記金属箔上に形成する工程と、
   前記絶縁膜の開口部の前記金属箔の部分に凹部を形成する工程と、
   前記金属箔をめっき給電層に利用した電解めっきにより、前記凹部及び前記開口部の少なくとも一部に前記金属層を形成する工程と、
   前記金属層に前記開口部を介して接続される配線パターンを前記絶縁膜上に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
3. 少なくとも一方の面に金属箔が剥離可能な状態で形成された基板を用意する工程と、
   開口部が設けられた絶縁膜を前記金属箔上に形成する工程と、
   前記開口部を介して前記金属箔に電気的に接続される第１配線パターンを前記絶縁膜上に形成する工程と、
   前記基板から前記金属箔を剥離することにより、前記金属箔、絶縁膜及び前記第１配線パターンにより構成される回路部材を得る工程と、
   前記回路部材の金属箔をパターニングすることにより、前記第１配線パターンに前記絶縁膜の開口部を介して電気的に接続される第２配線パターンを、前記絶縁膜の第１配線パターンが形成された面と反対面に形成する工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
4. 前記金属箔が剥離可能な状態で形成された基板は、該基板の周縁部に選択的に設けられた接着層によって前記基板上に前記金属箔が貼着されたものであり、
   前記回路部材を得る工程は、前記基板の前記接着層を含む周縁部分を切断して除去した後に、前記基板から前記金属箔を分離することを含むことを特徴とする請求項３に記載の回路基板の製造方法。
5. 前記金属箔が剥離可能な状態で形成された基板は、前記基板と前記金属箔の間に剥離層が介在したものであり、
   前記回路部材を得る工程は、前記剥離層と前記金属箔の界面から剥離することを含むことを特徴とする請求項３に記載の回路基板の製造方法。
6. 前記第１の金属よりなる金属箔は、銅箔であり、前記第２の金属よりなる前記金属層は、はんだ層であることを特徴とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
7. 前記基板は、樹脂よりなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
8. 前記金属箔が剥離可能な状態で形成された基板は、
   銅箔、剥離層及びキャリア銅箔が順に積層された構造のキャリア付き銅箔が貼着された基板であって、前記金属箔は前記キャリア銅箔であり、
   前記回路部材を得る工程において、前記キャリア銅箔を前記剥離層との界面から剥離することを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
9. 前記基板の両面に前記キャリア付き銅箔が貼着されており、前記基板の両面側から前記回路部材がそれぞれ得られることを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
10. 前記金属箔が剥離可能な状態で形成された基板を用意する工程において、前記金属箔は前記基板の両面に設けられており、
    前記回路部材を得る工程において、前記基板の両面側から前記回路部材がそれぞれ得られることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
11. 前記金属層を露出させる工程において、前記金属層は前記配線パターンに接続されるバンプとなることを特徴とする請求項１、２又は８に記載の回路基板の製造方法。
12. 前記配線パターンを前記絶縁膜上に形成する工程において、前記配線パターンはｎ層（ｎは１以上の整数）で積層されて形成されることを特徴とする請求項２又は３に記載の回路基板の製造方法。

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