JP2008218450A - 配線基板の製造方法及び電子部品装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】仮基板10の配線形成領域Aに下地層20が配置され、下地層20の大きさより大きな剥離性積層金属箔30が下地層20の上に配置されて仮基板10の配線形成領域Aの外周部に部分的に接着された構造を得る。剥離性積層金属箔30は、第1金属箔32と第2金属箔34とが剥離できる状態で仮接着されて構成される。その後に、剥離性積層金属箔30の上にビルドアップ配線層52,54を形成し、その構造体の下地層20の周縁に対応する部分を切断することにより、仮基板10から剥離性積層金属箔30を分離して、剥離性積層金属箔30の上にビルドアップ配線層52,54が形成された配線部材60を得る。
【選択図】図5
Description
図1〜図6は本発明の第1実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図、図7は本発明の第1実施形態の電子部品装置を示す断面図である。
図10〜図12は本発明の第2実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。第2実施形態の特徴は、第1実施形態で使用した剥離性積層銅箔30を上下反転させた状態で仮基板上に配置し、仮基板から配線部材を分離した後に、第2銅箔を除去し、残った第1銅箔をパターニングして配線層に利用することにある。第2実施形態では、第1実施形態と同一工程及び同一符号の要素においてはその詳しい説明を省略する。
図13〜図16は本発明の第3実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図である。
Claims (17)
- 仮基板の配線形成領域に下地層が配置され、前記下地層の大きさより大きな剥離性積層金属箔が前記下地層の上に配置されて前記仮基板の前記配線形成領域の外周部に部分的に接着された構造を得る工程であって、前記剥離性積層金属箔は、第1金属箔と第2金属箔とが剥離できる状態で仮接着されて構成され、
前記剥離性積層金属箔の上にビルドアップ配線層を形成する工程と、
前記仮基板上に前記下地層、前記剥離性積層金属箔及び前記ビルドアップ配線層が形成された構造体の前記下地層の周縁に対応する部分を切断することにより、前記仮基板から前記剥離性積層金属箔を分離して、前記剥離性積層金属箔の上に前記ビルドアップ配線層が形成された配線部材を得る工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記仮基板の上に前記下地層及び剥離性積層金属箔が接着された構造を得る工程は、半硬化状態のプリプレグ上に前記下地層及び前記剥離性積層金属箔を重ねて配置し、加熱・加圧によって前記プリプレグを硬化させて前記仮基板を得ると同時に、該仮基板に前記下地層及び剥離性積層金属箔を接着することを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第1金属箔の膜厚は前記第2金属箔の膜厚より厚く設定されており、前記剥離性積層金属箔は、前記第1金属箔が前記仮基板側になって前記仮基板に接着され、
前記配線部材を得る工程の後に、
前記第1金属箔を剥離して前記第2金属箔を露出させる工程と、
前記第2金属箔を利用して前記ビルドアップ配線層に接続される配線層を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板の製造方法。 - 前記ビルドアップ配線層に接続される前記配線層を得る工程は、
前記第2金属箔の上に開口部が設けられたレジストを形成する工程と、
前記第2金属箔をめっき給電経路に利用する電解めっきによって前記開口部に金属パターン層を形成する工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記金属パターン層をマスクにして前記第2金属箔をエッチングして除去する工程とを含むことを特徴とする請求項3に記載の配線基板の製造方法。 - 前記ビルドアップ配線層に接続される前記配線層を得る工程は、前記第2金属箔をパターニングすることにより前記配線層を得ることを含むことを特徴とする請求項3に記載の配線基板の製造方法。
- 前記ビルドアップ配線層に接続される前記配線層を得る工程は、
前記第2金属箔の上に金属めっき層を形成する工程と、
前記金属めっき層及び前記第2金属箔をパターニングすることにより前記配線層を得る工程とを含むことを特徴とする請求項3に記載の配線基板の製造方法。 - 前記第1金属箔の膜厚は前記第2金属箔の膜厚より厚く設定されており、前記剥離性積層金属箔は、前記第1金属箔が前記仮基板側になって前記仮基板に接着され、かつ前記ビルドアップ配線層の最下には接続電極が設けられており、
配線部材を得る工程の後に、
前記第1金属箔を剥離して前記第2金属箔を露出させる工程と、
前記第2金属箔をエッチングにより除去して前記接続電極を露出させる工程とをさらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板の製造方法。 - 前記第1金属箔の膜厚は前記第2金属箔の膜厚より厚く設定されており、前記剥離性積層金属箔は、前記第2金属箔が前記仮基板側になって前記仮基板に接着され、
前記配線部材を得る工程の後に、
前記第2金属箔を剥離して前記第1金属箔を露出させる工程と、
前記第1金属箔をパターニングすることにより、前記ビルドアップ配線層に接続される配線層を得る工程とをさらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板の製造方法。 - 前記下地層は、金属箔、離型フィルム、又は離型剤からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板の製造方法。
- 請求項3乃至9のいずれか一項の製造方法によって前記配線基板を得る工程と、
前記配線基板の最上又は最下の前記配線層に電子部品を接続して実装する工程とを有することを特徴とする電子部品装置の製造方法。 - 仮基板の配線形成領域に下地層が配置され、前記下地層の上に配置されて前記下地層の大きさより大きな剥離性積層金属箔が前記仮基板の前記配線形成領域の外側の外周部に接着された構造を得る工程であって、前記剥離性積層金属箔は、第1金属箔と第2金属箔とが剥離できる状態で仮接着されて構成され、
前記剥離性積層金属箔の上にビルドアップ配線層を形成する工程と、
前記仮基板上に前記下地層、前記剥離性積層金属箔及び前記ビルドアップ配線層が形成された構造体の前記下地層の周縁に対応する部分を切断することにより、前記仮基板から前記剥離性積層金属箔を分離して、前記剥離性積層金属箔の上に前記ビルドアップ配線層が形成された配線部材を得る工程と、
前記ビルドアップ配線層を形成する工程の後、又は、前記配線部材を得る工程の後に、前記ビルドアップ配線層の最上の配線層に電子部品を接続して実装する工程とを有することを特徴とする電子部品装置の製造方法。 - 前記第1金属箔の膜厚は前記第2金属箔の膜厚より厚く設定されており、前記剥離性積層金属箔は、前記第1金属箔が前記仮基板側になって前記仮基板に接着され、
前記電子部品が実装された前記配線部材を得る工程の後に、
前記第1金属箔を剥離して前記第2金属箔を露出させる工程と、
前記第2金属箔を利用して前記ビルドアップ配線層に接続される配線層を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項11に記載の電子部品装置の製造方法。 - 前記ビルドアップ配線層に接続される前記配線層を得る工程は、
前記第2金属箔の上に開口部が設けられたレジストを形成する工程と、
前記第2金属箔をめっき給電経路に利用する電解めっきによって前記開口部に金属パターン層を形成する工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記金属パターン層をマスクにして前記第2金属箔をエッチングする工程とを含むことを特徴とする請求項12に記載の電子部品装置の製造方法。 - 前記ビルドアップ配線層に接続される前記配線層を得る工程は、前記第2金属箔をパターニングすることにより前記配線層を得ることを含むことを特徴とする請求項12に記載の電子部品装置の製造方法。
- 前記ビルドアップ配線層に接続される前記配線層を得る工程は、
前記第2金属箔の上に金属めっき層を形成する工程と、
前記金属めっき層及び前記第2金属箔をパターニングすることにより前記配線層を得る工程とを含むことを特徴とする請求項12に記載の電子部品装置の製造方法。 - 前記ビルドアップ配線層の最下には接続電極が設けられており、
前記電子部品が実装された配線部材を得る工程の後に、前記電子部品が実装された前記配線部材から前記剥離性積層金属箔を除去する工程をさらに有し、前記剥離性積層金属箔を除去する工程で前記接続電極を露出させることを特徴とする請求項11に記載の電子部品装置の製造方法。 - 電子部品は半導体チップであり、前記半導体チップが前記配線層にフリップチップ接続されることを特徴とする請求項11乃至16のいずれか一項に記載の電子部品装置の製造方法。
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