JP2011119722A - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高密度で、フリップチップ接続性やワイヤーボンド接続性に優れ、しかもＳＡＷデバイスを構成する配線基板として用いた場合のフィルタ機能を確保することが可能な、多層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】配線パターンと絶縁層とが交互に設けられ、前記絶縁層を貫通して配線パターン間を接続する層間接続を有する多層配線基板であって、前記層間接続がめっきによるフィルドビアで形成され、最外層の配線パターンが、前記層間接続上に配置されかつ前記めっきによるフィルドビアと接続された金属箔により形成される多層配線基板及びその製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、表層の配線パターンが高密度かつ平滑で、しかもフリップチップ接続性やワイヤーボンド接続性に優れた多層配線基板及びその製造方法に関し、特には通信モジュール用の多層配線基板に関する。

近年、携帯電話等の移動通信機器の小型化・薄型化・高性能化に伴い、高周波フィルタとしてのＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ：表面弾性波）デバイスの小型化・薄型化・高周波化が進んでいる。これに伴い、ＳＡＷデバイスを構成する配線基板にも、高密度化に加え、薄型化におけるフィルタ機能を確保するために配線パターン表面の平滑化が要求されている。

従来のＳＡＷデバイスとしては、基体の一方主面側（活性面側）に機能素子領域と入出力電極とを有するＳＡＷ圧電体素子を、基体の一方主面側（活性面側）を配線基板側に向けて、フェイスダウンで接続端子にフリップチップ実装してＳＡＷフィルタを構成したものがある（特許文献１）。また、配線基板上にＳＡＷ圧電体素子をフリップチップ実装し、ＳＡＷ圧電体素子の活性面上に封止樹脂の流れを堰き止めるために設ける堰き止め手段を備えたものがある（特許文献２）。

また、高密度化・薄型化の要求に応える多層配線基板としては、全層に亘って、非貫通ビアをシーケンシャル構造で接続したものや（特許文献３）、全層に亘って、非貫通ビアの直上に非貫通ビアを形成したいわゆるフルスタック構造を備えた多層配線基板が提案されている（特許文献４、５）。

特開平１１−０９７４７９号公報 特開２００６−２１１６１２号公報 特開２００１−３０８５４８号公報 特開２００４−１５２９１５号公報 特開２００７−１２９１８０号公報

しかしながら、特許文献１及び２のＳＡＷデバイスを構成する配線基板では、ＳＡＷ圧電素子を搭載する面の配線パターンの表面凹凸については考慮されていない。近年では、移動体通信機器の高周波化（例えば、０．４５〜４．０ＧＨｚ）とともに、一層の小型化・薄型化が進んでおり、フェイスダウンでフリップチップ接続されたＳＡＷ圧電素子の活性面（表面弾性波の振動部分）と配線基板表面の配線パターンとの隙間に形成される振動空間が、より狭く（例えば、１０μｍ程度）なるように設計される傾向がある。このような場合、ＳＡＷ圧電素子を搭載する配線基板表面の配線パターンの表面凹凸が大きいと、配線パターンとＳＡＷ圧電素子の活性面が接触する可能性があり、フィルタとしての機能を確保できない問題があった。

また、特許文献１及び２のＳＡＷデバイスを構成する配線基板では、ＳＡＷ圧電素子のフリップチップ接続用のバンプは、配線基板の層間接続用のビア直上ではなく、配線パターンの一部に設けられた表層電極上に接続されている。このため、樹脂製の配線基板を用いた場合、熱や圧力で軟化し易いので、フリップチップ接続の際の圧着力や超音波が接続箇所に伝わり難く、接続信頼性を確保するのが難しい問題がある。

特許文献３のシーケンシャルビア構造を有する多層配線基板では、非貫通ビア内がめっき等の金属で充填されていないため、ＳＡＷ圧電素子のフリップチップ接続用のバンプを、配線基板の層間接続用のビア上に設けることはできず、絶縁層上の配線パターンの一部に設けられた表層電極上に接続される。このため、フリップチップ接続の際の圧着力や超音波が接続箇所に伝わり難く、接続信頼性を確保するのが難しい問題がある。

特許文献４多層配線基板は、フルスタックビア構造を有する。しかしながら、フィルドビアの直上に電子部品素子を搭載するための接続端子を有していない。仮に、ＳＡＷ圧電素子のフリップチップ接続用のバンプを、配線基板の層間接続用のビア上に設けたとしても、ビア内を導電ペーストで充填するため、熱や圧力で軟化し易いので、フリップチップ接続の際の圧着力や超音波が接続箇所に伝わり難く、接続信頼性を確保するのが難しい問題がある。

特許文献５の多層配線基板では、ビア内をめっき金属で充填して、フィルドビアを直上に積重ねたスタック構造が可能となる。しかしながら、フィルドビアの直上に電子部品素子を搭載するための接続端子を有していない。また、表面の銅箔上にバリア金属層を形成しておき、非貫通孔に層間接続の際のめっきを充填する際に、バリア金属層を形成した表面の銅箔上にも、層間接続の際のめっきによるめっき層が形成され、その後バリア金属層上のめっきを除去して銅箔のみとする。このため、ＳＡＷ圧電素子のフリップチップ接続用のバンプを、配線基板の層間接続用のビア上に設けたとしても、表面の銅箔のバリア金属層上のめっきを除去する際に、バリア金属層のない部分のフィルドビア表面に凹凸が生じてしまう。したがって、フリッチップ実装時の圧着力が配線基板の表面端子上に均一に伝わり難く、やはり接続信頼性上の問題がある。これは、フリップチップ接続だけでなく、ワイヤーボンド接続の場合も同様である。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、高密度で、フリップチップ接続性やワイヤーボンド接続性に優れ、しかもＳＡＷデバイスを構成する配線基板として用いた場合のフィルタ機能を確保することが可能な、多層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、以下のものに関する。
１． 配線パターンと絶縁層とが交互に設けられ、前記絶縁層を貫通して配線パターン間を接続する層間接続を有する多層配線基板であって、前記層間接続がめっきによるフィルドビアで形成され、最外層の配線パターンが、前記層間接続上に配置されかつ前記めっきによるフィルドビアと接続された金属箔により形成される多層配線基板。
２． 上記１において、金属箔の一方の面にのみ、絶縁層と配線パターンとそれぞれの配線パターン間を接続する層間接続とを形成した後、前記金属箔を回路加工することにより、最外層の配線パターンが金属箔により形成される多層配線基板。
３． 上記１または２において、フィルドビアで形成される層間接続が、多層配線基板の厚み方向全体に亘って、略柱状に設けられた多層配線基板。
４． 上記１から３の何れかにおいて、最外層の配線パターン上に保護めっきとして、ニッケルめっきまたはニッケルめっきと金めっきまたはニッケルめっきとパラジウムめっきと金めっきとを有する多層配線基板。
５． 上記１から４の何れかにおいて、最外層の配線パターンを構成する金属箔が、厚さ１〜１８μｍの銅箔である多層配線基板。
６． 上記１から５の何れかにおいて、最外層の配線パターン上に形成された保護めっきの表面の最大粗さ（Ｒｚ）が、８μｍ未満である多層配線基板。
７． 上記１から６の何れかにおいて、層間接続の直上に位置する最外層の配線パターンが、フリップチップ接続端子またはワイヤーボンド接続端子を形成する多層配線基板。
８． 上記７の多層配線基板の最外層の配線パターンで形成されるフリップチップ接続端子またはワイヤーボンド接続端子を用いて、電子部品素子を実装した電子装置。
９． 上記８において、電子部品素子として、ＳＡＷ圧電素子またはＰＡ素子を搭載して通信モジュールとした電子装置。
１０． 最外層の第１層導体となる金属箔Ａを準備する工程（１）と、前記金属箔Ａ上に第１絶縁層と第２層導体となる金属箔Ｂとを積層する工程（２）と、前記第１絶縁層に第２層導体から第１層導体に到る層間接続孔を形成する工程（３）と、この層間接続孔内及び前記第２層導体上に、前記第１層導体と前記第２層導体とを電気的に接続するためのフィルドビアめっきを行なう工程（４）と、前記フィルドビアめっき後の第２層導体を回路加工して、第２層配線パターンを形成する工程（５）と、前記第２層配線パターン上に前記工程（２）〜（５）を必要な回数繰り返す工程（６）と、前記第１層導体である金属箔Ａを回路加工して、第１層配線パターンを形成することにより、前記フィルドビアめっきを行なった層間接続孔の直上に接続端子を形成する工程（７）と、を有する多層配線基板の製造方法。
１１． 上記１０において、第１層導体である金属箔Ａを回路加工して、第１層配線パターンを形成することにより、フィルドビアめっきを行なった層間接続孔の直上に接続端子を形成する工程の後、前記接続端子の上に保護めっきを形成する多層配線基板の製造方法。
１２． 上記１０または１１において、両面に金属箔を有するコア基板を準備し、このコア基板の金属箔の上に、工程（１）で準備した表層の第１層となる金属箔Ａを直接重ねた後、工程（２）〜（６）を行ない、その後、前記コア基板の金属箔と金属箔Ａとの界面で、前記複数の配線層と前記コア基板とを分離する工程（９）と、第１層導体である金属箔Ａを回路加工して、第１層配線パターンを形成することにより、フィルドビアめっきを行なった層間接続孔の直上に接続端子を形成する工程（７）と、を有する多層配線基板の製造方法。

本発明によれば、高密度で、フリップチップ接続性やワイヤーボンド接続性に優れ、しかもＳＡＷデバイスを構成する配線基板として用いた場合のフィルタ機能を確保することが可能な、多層配線基板及びその製造方法を提供することができる。

本発明の多層配線基板及びこれを用いて作製した通信モジュールの断面図を示す。 本発明の多層配線基板の断面図を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。

本発明の多層配線基板は、電子部品素子を搭載するための基板である。本発明において、電子部品素子とは、半導体素子、ＳＡＷ圧電素子、ＰＡ（パワーアンプ）素子などのフリップチップ接続やワイヤーボンド接続によって、配線基板上の接続端子に接続される表面実装型の電子部品素子をいう。電子部品素子を、フリップチップ接続またはワイヤーボンド接続して搭載する用途であれば、特に限定はないが、例えばＳＡＷ圧電素子もしくはＰＡ（パワーアンプ）素子を搭載して、いわゆるＳＡＷフィルタパッケージもしくはＰＡモジュールなどの通信モジュールを形成するための部材として、主に携帯電話などの通信モジュールでベアチップ実装用途に用いられるのが望ましい。

本発明の多層配線基板の一形態としては、配線パターンと絶縁層とが交互に設けられ、前記絶縁層を貫通して配線パターン間を接続する層間接続を有する多層配線基板であって、前記層間接続がめっきによるフィルドビアで形成され、このフィルドビアで形成される層間接続の直上に位置する前記配線パターンのうち、第１層配線パターンが、金属箔により形成される多層配線基板が挙げられる。つまり、最外層の配線パターンである第１層配線パターンが、層間接続上を覆うように配置されかつめっきによるフィルドビアと裏面が直接接続された金属箔により形成される多層配線基板が挙げられる。

本発明の多層配線基板の一形態をより具体的に示すと、図１、図２に示すように、一方の面にフリップチップ接続端子５を含む第１層配線パターン８を、第１絶縁層９に形成された第１フィルドビア１０を層間接続として、第２層配線パターン１１に電気的に接続された配線構造を有し、さらに第２絶縁層１２に形成された第２フィルドビア１３を層間接続として第３層配線パターン１４に電気的に接続された配線構造を有し、さらに第３絶縁層１５に形成された第３フィルドビア１６を層間接続として、裏面電極７となる部分を含む第４層配線パターン１７に電気的に接続された配線構造を備える多層配線基板１であって、前記第１層配線パターン８は金属箔Ａ１９で構成され、その上に保護めっき２２を備えており、第１フィルドビア１０の直上に、電子部品素子３を搭載するためのフリップチップ接続端子５が設けられる多層配線基板１である。

つまり、図１、図２に示す形態では、一方の面にフリップチップ接続端子５を、他方の面に裏面電極７を有する多層配線基板１であり、フリップチップ接続端子５は層間接続である各フィルドビア１０、１３、１６の直上に設けられ、これらのフィルドビア１０、１３、１６は多層配線基板１の厚み方向全体に亘って直上に設けられており、裏面電極７に接続された構造の多層配線基板１としている。多層配線基板１の表面側（第１層側）には、第１フィルドビア１０の直上に、電子部品素子３をバンプ４で接続するためのフリップチップ接続端子５が設けられており、電子部品素子３はバンプ４で多層配線基板１に固定されて搭載された構造となる。

このため、図１、図２に示す形態では、バンプ４とフリップチップ接続端子５と裏面電極７とは多層配線基板１の厚さ方向に、層間接続（第１フィルドビア１０、第２フィルドビア１３、第３フィルドビア１６）を介して連続した状態で繋がるため、電子部品素子３を搭載する時の熱・圧力・超音波振動が伝わりやすい構造となる。しかも、フリップチップ接続端子５となる部分を含む第１層配線パターン８は、金属箔Ａ１９だけで構成され、その上部には、フィルドビアめっきにより層間接続を形成する際にも、フィルドビアめっき２１ａ、２１ｂ、２１ｃが形成されない。このため、このような層間接続の際に生じるめっき層３１により、金属箔Ａ１９の表面粗さや凹凸が拡大することがない。ここで、層間接続の際に生じるめっき層３１とは、例えば、コンフォーマル工法において、ビア内に層間接続のためのフィルドビアめっき等を行なうと、表面の金属箔上にもフィルドビアめっきが形成され、表面の導体の厚みが厚くなるが、このときの金属箔上に形成されたフィルドビアめっきのことをいう。また、金属箔Ａ１９で構成される第１層導体３０（図４に示す。）の厚みが、層間接続の際に生じるめっき層３１によって増大することがないので、微細パターンを形成する場合でも、それに応じた厚みの金属箔Ａ１９を選択することができ、ハーフエッチングやバフ研磨を行なう必要がないので、金属箔Ａ１９の表面粗さが拡大することがない。したがって、金属箔Ａ１９の表面平滑性をほぼそのまま利用することができ、優れた表面平滑性を有する第１層配線パターン８を形成することができる。また、フリップチップ接続端子５となる部分を含む第１層配線パターン上に保護めっき２２を形成する場合でも、第１層配線パターン８の表面が平滑なので、その上に形成する保護めっき２２の表面も平滑性を維持することができる。このため、表面平滑性に優れたフリップチップ接続端子５を形成できるので、フリップチップ接続性に優れる多層配線基板１を提供できる。また、フリップチップ接続端子５を、ワイヤーボンド接続端子として形成した場合は、ワイヤーボンド接続性に優れる多層配線基板１を提供できる。なお、ここでハーフエッチングとは、回路加工によって配線パターンを形成する前に、エッチングによって導体厚みを薄くしておき、微細な回路加工を容易にするための処理をいう。用いる金属箔Ａ１９を選択することにより、第１層配線パターン８上の保護めっき２２の表面粗さは、最大粗さ（Ｒｚ）で８μｍ未満の表面平滑性を得ることも可能である。ここで、最大粗さ（Ｒｚ）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）で規定される最大粗さ（Ｒｚ）であり、触針式表面粗さ計などを用いて測定することが可能である。

さらに、図１、図２に示す形態では、フリップチップ接続端子５となる部分以外においても、第１層配線パターン８上の保護めっき２２の表面は、同様に平滑性を有している。このため、電子部品素子３としてＳＡＷ圧電素子３を搭載する場合、第１層配線パターン８が、ＳＡＷ圧電素子３の活性面３９（表面弾性波の振動部分）の下方領域に形成された場合でも、ＳＡＷ圧電素子３のフィルタ機能を確保することができる。例えば、０．４５〜４．０ＧＨｚの高周波領域に用いるＳＡＷデバイスでは、小型化・薄型化の要求から、多層配線基板１に搭載されるＳＡＷ圧電素子３の下面（活性面３９）と、多層配線基板１の第１層配線パターン８上の保護めっき２２との間に設ける隙間（振動空間）が１０μｍ程度になるように設計される場合がある。このため、ＳＡＷ圧電素子３を搭載する面の第１層配線パターン８上の保護めっき２２の表面凹凸が、１０μｍに近いかそれ以上であると、第１層配線パターン８上の保護めっき２２とＳＡＷ圧電素子３が電気的に繋がる恐れがあり、フィルタとして機能しない。したがって、第１層配線パターン８上の保護めっき２２の最大粗さ（Ｒｚ）が８μｍ未満の表面平滑性を有するように調整すれば、０．４５〜４．０ＧＨｚ程度の高周波のＳＡＷフィルタ用の基板として用いられた場合に、フィルタ機能を確保するのに有効である。

また、図１、図２に示す形態では、第１層配線パターン８は、金属箔Ａ１９をエッチング等で回路加工するだけで形成できるので、厚みの薄い金属箔Ａ１９を用いれば、配線パターンの高密度化を図ることができる。さらに、第１層配線パターン８には、その上部に、層間接続を形成する際に用いるフィルドめっき層が形成されないので、微細な配線パターンを形成する場合でも、いわゆるハーフエッチングやバフ研磨等によって、導体厚みを薄くする工程が必要ないため、工数が増加せず、安価な多層配線基板１を提供することが可能になる。また、ハーフエッチングやバフ研磨等を行なうと、導体の表面粗さが大きくなるため、これらの工程が不要であることは、工数低減ばかりでなく、第１層配線パターン８及びその上の保護めっき２２の表面の表面平滑性を維持する効果を有する。このように、本発明によれば、特にフリップチップ接続端子５を含む第１層配線パターン８上の保護めっき２２の表面平滑性を要求される、電子部品素子３搭載用途に適した多層配線基板１を提供することができる。

本発明の多層配線基板は、電子部品素子を搭載するための基板であり、例えばＳＡＷ圧電素子もしくはＰＡ（パワーアンプ）素子を搭載していわゆるＳＡＷフィルタパッケージもしくはＰＡモジュールなどの通信モジュールを形成するための部材として用いることができる。主に携帯電話などの通信モジュールでベアチップ実装用途に用いられるのが、本発明の第１層配線パターンが高密度で、その上に形成される保護めっきが平滑表面を有するという特徴を生かすことができる点で望ましい。

本発明において、導体とは、絶縁層の表面に設けられ、上部に層間接続の際に生じるめっき層を有する金属箔または金属箔のみで構成される、回路加工前の状態のものをいう。配線パターンとは、この導体を回路加工して配線や接続端子のパターンが形成されたものをいい、例えばコンフォーマルマスク用の開口を設けただけのもの等は含まない。層間接続の際に生じるめっき層とは、例えば、コンフォーマル工法において、ビア内に層間接続のためのフィルドビアめっき等を行なうと、表面の金属箔上にもフィルドビアめっきが形成され、表面の導体の厚みが厚くなるが、このときの金属箔上に形成されたフィルドビアめっきのことをいう。また、第１層配線パターンとは、上記の配線パターンのうち、電子部品素子との接続端子を有する側の表層（第１層）に設けられる配線パターンをいう。各層の配線パターンは、フィルドビアで形成される層間接続の直上の位置を含むように形成される。

フィルドビアで形成される層間接続の直上に位置する配線パターンのうち、第１層配線パターンは、金属箔Ａにより形成される。つまり、第１層配線パターンでは、回路加工前の金属箔Ａの上部には、層間接続の際に生じるめっき層は形成されておらず、金属箔Ａが露出し、金属箔Ａのみで第１層導体が構成されており、第１層配線パターンは、この第１層導体を回路加工することにより形成される。このため、第１層配線パターンは、金属箔Ａの表面平滑性をほぼそのまま利用することができ、優れた表面平滑性を備えることができる。このため、第１層配線パターン上に形成する保護めっきの表面も平滑になる。また、第１層配線パターンは、金属箔Ａのみをエッチングして回路加工するので、導体厚みが薄いため、微細な配線パターンの形成が可能になる。このため、回路加工前に、ハーフエッチングやバフ研磨等によって、導体厚みを薄くする工程が不要である。

第１層配線パターンを除く各層の配線パターンの回路加工の方法としては、一般の電子部品素子実装用基板に用いられる回路形成方法によって行なうことができる。このような回路形成方法として、サブトラクト法、セミアディティブ法等が挙げられる。

本発明に用いる金属箔Ａとしては、一般の電子部品素子実装用基板に用いられるものを使用することができるが、電気特性や回路加工性等の点から、特には銅箔が望ましい。また、銅箔の表面粗さは、最大粗さ（Ｒｚ）で８μｍ未満の表面平滑性を有するものが望ましい。このような銅箔を用いれば、この銅箔の表面粗さを維持するように回路加工することで、得られる配線パターンの表面も、最大粗さ（Ｒｚ）で８μｍ未満とすることができる。さらに、配線パターン上に保護めっきを形成した場合でも、保護めっきの表面は、銅箔の表面粗さと同等の平滑性を維持できる。このような銅箔としては、３ＥＣ−ＶＬＰ−１２（三井金属鉱業株式会社製、商品名）等が例示できる。また、金属箔は、アルミニウム、真鍮、ニッケル、鉄等の単独、合金又は複合箔からなる金属箔、または銅箔にアルミニウム、ニッケル、銀、金等の金属をめっきや蒸着したものに置き換えることができる。

本発明において、層間接続とは、絶縁層に設けられた層間接続孔を介して、各層の配線パターン同士を電気的に接続するものをいい、いわゆるフィルドビアめっきにより形成される。フィルドビアめっきとしては、例えば、一般の電子部品素子実装用基板に用いられる電気銅めっきを用いたフィルドビアめっきが挙げられる。

本発明に述べるフィルドビアとは、フィルドビアめっきにより形成される層間接続であり、層間接続孔の内部がフィルドビアめっきにより形成された金属で充填されているものをいう。フィルドビアは、絶縁層をレーザー等により加工して、直径１μｍから３００μｍ程度の層間接続孔を形成した後、この層間接続孔を、フィルドビアめっきで満たすことにより形成することができる。

本発明に用いる絶縁層は、各層間及び同一層内の配線パターン同士の電気的な絶縁を図るものであるとともに、各層の導体を貼り合わせたり、各層の配線パターンの支持体になるものである。一般の電子部品素子搭載用基板の製造において使用される一般的なものを使用することができる。例えば、熱硬化性樹脂プリプレグ、高分子量エポキシ樹脂を主成分としたものやＢＴレジンを主成分とする熱硬化タイプの液状やシート状の絶縁層を使用することができる。熱硬化性樹脂プリプレグとしては、高分子量エポキシ樹脂を主成分としたＧＥＡ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製、商品名）やＢＴレジンを主成分としたＧＨＰＬ−８３０ＮＸ Ｔｙｐｅ Ａ（三菱ガス化学株式会社製、商品名）等が、液状接着剤としては、ＳＦＸ５１３（信越化学工業株式会社製、商品名）等が、シート状接着剤としては、ＡＳ−３０００、ＡＳ２６００Ｗ（何れも日立化成工業株式会社製、商品名）、電子部品用高性能接着シート ＴＡＳ（東レ株式会社製、商品名）等が例示できるが、これらに限定されるわけではない。絶縁層は、１種類のものを単独で用いても良いし、２種類以上をシート状のものは重ねて、液状のものは混合して用いても良い。

本発明に用いる絶縁層は、高Ｔｇ（ガラス転移点）・低α（熱膨張係数）材であるのがより望ましい。これにより、電子部品素子搭載（バンプ接続またはワイヤーボンド接続）時の高温加熱（例えば２３０℃）による絶縁層の軟化によって、接続端子の沈み込みが生じ、接続信頼性を低下させるのを抑制することができる。ここで、高Ｔｇ・低α材とは、Ｔｇ点が１６０〜２８０℃（ＴＭＡ法：熱機械的分析法）、熱膨張係数が１２０〜１８０ｐｐｍ／℃（Ｔｇ点以上の厚さ方向）である絶縁層をいい、このような高Ｔｇ・低α材としては、例えば、エポキシ系樹脂に無機系フィラーを充填した絶縁層などが使用できる。

金属箔Ａの一方の面にのみ、絶縁層と配線パターンとそれぞれの配線パターン間を接続する層間接続とを積み上げて形成し、最外層の配線パターンである第１層配線パターンは前記金属箔Ａを回路加工して形成する。つまり、金属箔Ａの一方の面にのみ多層化を行ない、金属箔Ａの他方の面には多層化せずにそのまま回路加工する。金属箔Ａの他方の面は、絶縁層や配線パターンは形成されず、金属箔Ａの初期の表面状態が維持されている。この金属箔Ａを回路加工することによって、層間接続の直上に位置する配線パターンのうち、第１層配線パターンが金属箔Ａにより形成される。これにより、第１層配線パターンは、金属箔Ａの表面平滑性をそのまま利用することができ、優れた表面平滑性を備えることができる。このため、第１層配線パターン上に形成される保護めっきの表面平滑性も優れている。また、第１層配線パターンは、金属箔Ａのみをエッチングして回路加工するので、導体厚みが薄いため、微細な配線パターンの形成が可能になる。このため、回路加工前に、ハーフエッチングやバフ研磨等によって、導体厚みを薄くする工程が不要である。

フィルドビアで形成される層間接続が、多層配線基板の厚み方向全体に亘って、直上に設けられるフルスタック構造を有するのが望ましい。つまり、フィルドビアで形成される層間接続が、多層配線基板の厚み方向全体に亘って、略柱状に設けられるのが望ましい。これにより、金属が充填されたフィルドビアが、多層配線基板の厚さ方向全体に亘って積み重ねられた状態となるため、フィルドビアの直上に接続端子を設ければ、接続端子上にフリップチップ接続やワイヤーボンド接続を行なう際の熱・圧力・超音波振動が伝わりやすい構造となる。このため、フリップチップ接続性やワイヤーボンド接続性の優れた多層配線基板を提供できる。

接続端子となる部分を含む第１層配線パターン上には、保護めっきとして、ニッケルめっきまたはニッケルめっきと金めっきとを有するのが望ましい。ニッケルめっき上にパラジウムめっきを行なってから金めっきを行なうのが、電子部品素子との接続信頼性を向上できる点でさらに望ましい。金めっきの代わりに銀めっきを用いてもよい。これらのめっき方法としては、電子部品素子実装用基板で用いられる無電解めっきや電気めっき、置換めっきを用いることができる。なお、保護めっきとは、配線パターンを保護して、フリップチップ接続性やワイヤーボンド接続性を付与するため、回路形成後の配線パターンの上部に設けられるめっき層をいう。

第１層配線パターンを構成する金属箔Ａが、厚さ１〜１８μｍの銅箔であるのが望ましい。本発明の多層配線基板では、第１層配線パターンが、金属箔Ａを回路加工することにより形成されるため、適切な金属箔Ａの厚さを選択できるが、金属箔Ａが、厚さ１〜１８μｍの銅箔であれば、例えば、ライン／スペースが、３０μｍ／３０μｍ以下の高密度配線パターンを形成するのが容易である。

第１層配線パターンを構成する金属箔Ａは、表面の最大粗さ（Ｒｚ）が８μｍ未満であるのが望ましい。これにより、金属箔Ａは、当初の表面粗さを維持した状態で回路加工され、第１層配線パターンとなるため、第１層配線パターンの表面の最大粗さ（Ｒｚ）を８μｍ未満とすることができる。また、第１層配線パターンの上に形成される保護めっきの表面粗さも同等に維持することができる。ここで、最大粗さ（Ｒｚ）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）で規定される最大粗さ（Ｒｚ）であり、触針式表面粗さ計などを用いて測定することが可能である。

層間接続の直上に位置する第１層配線パターンが、フリップチップ接続端子またはワイヤーボンド接続端子を形成するのが望ましい。本発明の多層配線基板では、第１層配線パターンが、金属箔Ａを回路加工することにより形成されるため、金属箔Ａの表面状態が維持されるので、金属箔Ａの表面平滑性をそのまま利用することができる。このため、この金属箔Ａで形成される配線パターンを、フリップチップ接続端子またはワイヤーボンド接続端子として形成することにより、配線パターン上に形成される保護めっきの表面平滑性も優れるので、フリップチップ接続性及びワイヤーボンド接続性に優れた多層配線基板を提供することができる。

本発明において、接続端子とは、一般の電子部品素子実装用基板で用いられるものと同様に、バンプやワイヤーボンドによって、電子部品素子と電気的接続を行なうための端子である。接続端子は、金属箔Ａで形成した第１層配線パターンの表面を金や銀等の保護めっきで被覆して形成するのが、バンプやワイヤーボンドもしくははんだによる接続を行う際の作業性や信頼性上、好ましい。

接続端子の上部に設けられる保護めっき表面は、金めっきであるのが望ましい。これにより、フリップチップ接続に用いるバンプとして金バンプを用いる際に、接続端子とバンプとの接合を強固にすることができる。ワイヤーボンド接続に金ワイヤを用いた場合も同様に、接続端子と金ワイヤとの接合を強固にできる。さらに、はんだ付けを行う際のはんだ濡れ性を確保することができる。また、金めっきの下地としてニッケルめっきを設けるのが望ましく、さらにニッケルめっき上にパラジウムめっきを設けてから金めっきするのが望ましい。本発明において、接続端子となる部分を含む第１層配線パターンは、銅箔等の金属箔Ａを用いて形成されるが、金めっきの下地としてニッケルめっきを設けることにより、銅が金めっき表面に拡散し、バンプとの接続信頼性を低下させるのを抑制することができる。

金めっきの厚さは、０．０１〜３μｍが望ましい。これにより、金めっきは、バンプとの接合強度を確保することができ、下地ニッケルめっきの酸化を防止することができる。また、下地のニッケルめっきの厚さは、１〜２０μｍが望ましい。さらにニッケルめっき上に設けるパラジウムめっきの厚さは、０．０１〜１μｍが望ましい。これにより、ニッケルめっきが、銅の金めっき表面への拡散を抑制するため、バンプ接続の信頼性を確保できる。

本発明において、裏面電極とは、多層配線基板の接続端子が設けられる面（一方の面）の反対面（他方の面）に設けられる電極をいい、本発明の多層配線板を用いて作製した通信モジュール等が、他の基板に実装される際に、他の基板の実装端子と接続するために用いられる。裏面電極と他の基板の実装端子との接続は、導電性接着剤を用いた圧着や、はんだ付けなどで行うことができる。

本発明の多層配線基板の製造方法の一形態について、図を用いて説明する。まず、図３に示すように、両面に金属箔３８を有するコア基板２５と、表層の第１層導体３０（図４に示す。）となる金属箔Ａ１９を準備し（工程（１））、コア基板２５の金属箔３８の上に、最外層である表層の第１層導体３０となる金属箔Ａ１９を直接重ねる。金属箔Ａ１９は、コア基板２５の金属箔３８よりも一回り小さいサイズのものを用いる。その後、金属箔Ａ１９の一方の面上に第１絶縁層９と金属箔Ｂ２０とを積層する（工程（２））。第１絶縁層９は、金属箔Ａ１９よりも一回り大きいサイズのものを用いる。このように積層された状態では、金属箔Ａ１９の他方の面と、コア基板２５の金属箔３８とは、接触しているだけで接着はされていない状態であり、一方、金属箔Ａ１９の周囲にはみ出した第１層絶縁層９と、コア基板２５の金属箔３８とは、接着された状態となっている。このため、金属箔Ａ１９の他方の面はコア基板２５の金属箔３８に保護された状態となるため、この後に続く多層配線基板１の製造プロセスにおいても、金属箔Ａ１９の他方の面は表面状態が当初の状態のまま維持される。なお、図３の実施形態では、金属箔Ａ１９の表面は、コア基板２５の金属箔３８により保護されるが、金属箔Ａ１９の表面を保護でき、かつ剥離可能なものであれば、その材料・方法について特に限定はなく、樹脂製のフィルム等を用いることもできる。なお、図３の実施形態では、コア基板２５の両面の金属箔３８上に金属箔Ａ１９を重ねて多層化プロセスを行うが、この場合、１回の多層化プロセスを行うだけで、２枚の多層配線基板１を製造することができ、生産効率がよい。また、コア基板２５の上下両側に多層化プロセスを行うので、反りが生じ難く、製造プロセスにおけるトラブルが生じ難い。さらに、コア基板２５が支持体となるので、薄い多層配線基板１の場合でも、製造プロセスでの取り扱いが容易であり、作業性が向上する。なお、コア基板２５の片方の金属箔３８上にのみ金属箔Ａ１９を重ねて多層化プロセスを行うこともできる。

次に、図４に示すように、第１絶縁層９に、金属箔Ｂ２０から第１層導体３０に到る第１層間接続孔２９を形成する（工程（３））。第１層間接続孔２９の形成は、金属箔Ｂ２０にエッチングにより開口を形成し、この開口に炭酸ガスレーザ等を照射するコンフォーマル工法、金属箔Ｂ２０に開口を形成せずに直接ＵＶレーザ等を照射するダイレクトレーザ工法等を用いて行なうことができる。

次に、図４に示すように、第１層間接続孔２９内及び金属箔Ｂ２０上に、第１層導体３０と金属箔Ｂ２０とを電気的に接続するためのフィルドビアめっき２１ａを行なう（工程（４））。第１層間接続孔２９内には、第１フィルドビア１０が形成され、金属箔Ｂ２０の上には層間接続の際に生じるめっき層３１が形成される。また、金属箔Ｂ２０と層間接続の際に生じるめっき層３１の両者により、第２層導体３３が形成される。このとき、金属箔Ｂ２０の表面に形成されるフィルドビアめっき２１ａ（層間接続の際に生じるめっき層３１）の厚みにもよるが、第２層導体３３の表面粗さは、金属箔Ｂ２０よりも拡大した状態となる。また、フィルドビアめっき２１ａは、第１層間接続孔２９内を埋めるように形成されるが、第１層間接続孔２９内に形成されたフィルドビアめっき２１ａの表面（第１フィルドビア１０部分の表面）は、金属箔Ｂ２０上に形成されたフィルドビアめっき２１ａの表面とは完全に平坦になり難い。このため、図示はしないが、第１層間接続孔２９内に形成されたフィルドビアめっき２１ａの表面（第１フィルドビア１０部分の表面）は、金属箔Ｂ２０表面上に形成されたフィルドビアめっき２１ａの表面に対して、突出や窪みを生じ易い。

次に、図５に示すように、フィルドビアめっき後の第２層導体３３（図４に示す。）を回路加工して、第２層配線パターン１１を形成する（工程（５））。フィルドビアめっき後の第２層導体３３は、金属箔Ｂ２０の厚みに、層間接続の際に生じるめっき層３１の厚みが加わっているため、これらの両者を合わせた厚みの導体に対して回路加工が必要である。また、上述したように、フィルドビアめっき後の第２層導体３３は、第１フィルドビア１０部分に突出や窪みを生じ易い。微細回路を形成するために、第２層導体３３の厚みを薄くしたり、第１フィルドビア１０部分の突出や窪みを小さくして平坦にする必要がある場合は、回路加工の前に、ハーフエッチングやバフ研磨等を行う。フィルドビアめっき後の第２層導体３３に対してハーフエッチングやバフ研磨等を行うと、第２層導体３３の厚み自体は薄くなり、第１フィルドビア１０部分の突出や窪み自体は小さくなる。しかし、これらのフィルドビアめっき２１ａやハーフエッチング、バフ研磨等の処理を行った後は、第２層導体３３の表面粗さが、これらの処理を行う前の金属箔Ｂ２０の表面粗さに比べると大幅に拡大する。また、第１フィルドビア１０部分の突出や窪みも完全に消失させるのは難しいため、金属箔Ｂ２０の表面上に形成されたフィルドビアめっき２１ａの表面に比べると平坦性が劣る。一方、コア基板２５の金属箔３８上に配置された金属箔Ａ１９の表面（金属箔３８側の表面）は、金属箔Ｂ２０側への第１フィルドビア１０や第２層配線パターン１１形成のためにフィルドビアめっき２１ａやハーフエッチング、バフ研磨等の処理を行った後においても、これらの処理に曝されることがないため、当初の状態が維持されている。このため、金属箔Ａ１９は、当初の銅箔としての表面粗さや、コア基板２５の金属箔３８上に積層されたときの平坦性を維持している。また、層間接続のためのフィルドビアめっき２１ａは、金属箔Ａ１９の裏面（第１絶縁層９側）に直接接続するように、第１層間接続孔２９内に形成されるが、金属箔Ａ１９の表面（金属箔３８側）には形成されないため、導体厚みが厚くなることもない。したがって、金属箔Ａ１９を用いて、最外層となる第１層配線パターン８として微細回路を形成する際も、金属箔Ａ１９の厚みを選択すれば、ハーフエッチングやバフ研磨等で導体厚みを薄くする必要がなく、金属箔Ａ１９をそのままエッチング等で回路形成すればよいので、高密度かつ平坦で、表面粗さが金属箔と同等に維持された配線パターンを形成することができる。

次に、第２層配線パターン１１上に、工程（２）〜（５）を必要な回数繰り返す（工程（６））。この工程（６）は、具体的には、図５に示すように、第２層配線パターン１１上に、第２絶縁層１２と金属箔Ｃ２３とを積層し（工程（２））、次に、図６に示すように、第２絶縁層１２に金属箔Ｃ２３から第２層導体３３に到る第２層間接続孔３２を形成し（工程（３））、第２層間接続孔３２内及び金属箔Ｃ２３上に、第２層導体３３（図４に示す。）と金属箔Ｃ２３とを電気的に接続するためのフィルドビアめっき２１ｂを行ない、第２フィルドビア１３及び第３層導体３５とを形成し（工程（４））、次に、図７に示すように、フィルドビアめっき後の第３層導体３５（図６に示す。）を回路加工して、第３層配線パターン１４を形成した後（工程（５））、さらに第３層配線パターン１４上に、第３絶縁層１５と金属箔Ｄ２４とを積層し（工程（２））、第３絶縁層１５に金属箔Ｄ２４から第３層導体３５に到る第３層間接続孔３４を形成し（工程（３））、第３層間接続孔３４内及び金属箔Ｄ２４上に、第３層導体３５と金属箔Ｄ２４とを電気的に接続するためのフィルドビアめっき２１ｃを行ない、第３フィルドビア１６及び第４層導体３７とを形成する（工程（４））。次に、フィルドビアめっき後の第４層導体３７を回路加工して、第４層配線パターン１７（図９に示す。）を形成する（工程（５））。なお、この工程（５）の第４層導体３７の回路加工は、コア基板２５と、多層配線基板１とを分離する前に行なってもよいし、図８に示すように、これらを分離した後で行なってもよく、また、後述する第１層導体３０の回路加工と同時に行なってもよい。

次に、図８に示すように、コア基板２５と多層配線基板１とを分離し、図９に示すように、第１層導体３０である金属箔Ａ１９を回路加工して、第１層配線パターン８を形成することにより、フィルドビアめっきを行なった第１層間接続孔２９の直上に接続端子５を形成する（工程（７））。第１層導体３０である金属箔Ａ１９の上には、層間接続の際にも、めっき層が生じないため、第１層導体３０の厚みは、金属箔Ａ１９の厚みそのものとなる。このため、第１層導体３０の回路加工は、金属箔Ａ１９をエッチングするだけで行うことができるので、金属箔Ａ１９の厚みを１μｍ〜１８μｍに設定すれば、高密度な配線パターンを形成することが可能となる。また、このため、第１層導体３０に対して、ハーフエッチングやバフ研磨を行う必要がないので、表面の平滑性が保たれる。なお、工程（７）の第１層導体３０の回路加工は、工程（５）の第４層導体３７の回路加工と同時に行なってもよい。なお、このように、コア基板２５の金属箔３８上に、平滑で厚み精度のよい金属箔Ａ１９を積層し、この金属箔Ａ１９の一方の面のみに、絶縁層と配線パターンと絶縁層を介して配線パターン間を接続する層間接続とを形成することで多層配線基板１を形成した後、この多層配線基板１とコア基板２５とを分離することにより、平滑で厚み精度のよい金属箔Ａ１９を用いて最外層である第１層配線パターン８を形成することが可能になる。したがって、高密度で、フリップチップ接続性やワイヤーボンド接続性に優れ、しかもＳＡＷデバイスを構成する配線基板として用いた場合のフィルタ機能を確保することが可能な、多層配線基板及びその製造方法を提供することができる。

次に、図９に示すように、第１層間接続孔２９の直上に形成された接続端子５の上に保護めっき２２を形成する。保護めっき２２としては、ニッケルめっきまたはニッケルめっきと金めっきとを有するのが望ましい。これにより、第１層配線パターン８を保護して、フリップチップ接続性やワイヤーボンド接続性を付与することができる。また、ニッケルめっきと金めっきとの間にパラジウムめっきを形成すると、電子部品素子３との接続信頼性が向上するので更に望ましい。金めっきの代わりに銀めっきを用いることもできる。

以下、図３から図９を用いて、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
まず、図３に示すように、ガラスエポキシ材に厚さ１２μｍの銅箔（金属箔３８）を張り合わせた銅張積層板２５（日立化成工業株式会社製 ＭＣＬ−Ｅ−６７）の両側に、その銅張積板２５の銅箔（金属箔３８）よりも幅の狭い金属箔Ａ１９として、厚さ１２μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製 ３ＥＣ−ＶＬＰ−１２）の光沢面が銅張積層板２５の銅箔（金属箔３８）に対向するように配置した。金属箔Ａ１９として用意した銅箔の光沢面（第１層側となる面）は、表面の最大粗さ（Ｒｚ）が、３μｍ未満であった。その外側に第１絶縁層９として、プリプレグ（日立化成工業株式会社製 ＧＥＡ−６７９ＦＧ）と、その外側に金属箔Ｂ２０として厚さ５μｍの極薄銅箔に厚さ１８μｍのキャリア銅箔が貼りあわされたキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業株式会社製 ＭＴ１８ＳＤＨ５）を、５μｍの極薄銅箔の粗化面が第１絶縁層９と接着するように構成し、真空ホットプレスにて積層し、１８μｍのキャリア銅箔を剥がすことで積層板ａ２６を形成した。絶縁層厚さとしては、多層配線基板１の仕上り厚さ要求により任意に決定することができる。

次に、図４に示すように、この積層板ａ２６の両外側の銅箔（金属箔Ｂ２０）にエッチング法により直径１００μｍの開口を有するコンフォーマルマスクを形成した。このコンフォーマルマスクの開口は、金属箔Ａ１９との層間接続をとり、かつフリップチップ接続用のバンプ４が配置される位置に形成される。レーザー加工により第１層間接続孔２９となる非貫通孔を設け、銅箔（金属箔Ｂ２０）上及び非貫通孔（第１層間接続孔２９）内部にパラジウムコロイド触媒であるＨＳ２０１Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用して触媒核を付与後、ＣＵＳＴ２０００（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用して厚さ１μｍの下地無電解めっき層を形成し、非貫通孔（第１層間接続孔２９）を電解フィルドビアめっき液によるフィルドビアめっき２１ａにより充填し、第１フィルドビア１０を形成した。フィルドビアめっき２１ａにより、層間接続の際に生じるめっき層３１の厚さとしては２０μｍであった。

次に、図５に示すように、両外側の導体（第２層導体３３）に所定の配線パターンをエッチング法により形成し、得られた配線パターン（第２層配線パターン１１）の表面を粗化処理液マルチボンドＭＢ−１００（日本マクダーミッド株式会社製、商品名）で粗化する。次いで、第２絶縁層１２としてプリプレグ（日立化成工業株式会社製 ＧＥＡ−６７９ＦＧ）と、その外側に金属箔Ｃ２３として厚さ５μｍの極薄銅箔に厚さ１８μｍのキャリア銅箔が貼りあわされたキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業株式会社製 ＭＴ１８ＳＤＨ５）を、５μｍの極薄銅箔の粗化面が第２絶縁層１２と接着するように構成し、真空ホットプレスにて積層し、１８μｍのキャリア銅箔を剥がすことで積層板ｂ２７を形成した。絶縁層厚さとしては、多層配線基板１の仕上り厚さ要求により任意に決定することができる。

次いで、図６に示すように、積層板ｂ２７に第２層間接続孔３２となる非貫通孔を設け、フィルドめっき２１ｂにより、第３層導体３５と層間接続をとりかつフリップチップ接続用のバンプ４が配置される位置に、第２フィルドビア１３を形成した。

配線パターンの形成、積層板の形成、フィルドビアの形成をする工程を繰り返すことにより、図７に示すように、銅張積層板２５の両側に、片側４層の配線パターンを有し、全てのフィルドビアが直上に形成されたフルスタック構造の多層配基板１を備えた積層板ｃ３６を形成した。本実施例では、片側４層の配線パターンを有する構造の多層配線基板１を構成したが、さらに、配線パターンの形成、積層板の形成、フィルドビアの形成をする工程を繰り返すことにより、片側５層以上の任意の層数の配線パターンを有する構造の積層板が形成できる。

図８に示すように、幅の狭い金属箔Ａ１９の端部またはそれより内側に設けた裁断部２８で裁断することにより、銅張積層板２５と上下各１枚の多層配線基板１とをそれぞれ分離し、２枚の多層配線基板１を得た。この時点での、金属箔Ａ１９の表面粗さは、最大粗さ（Ｒｚ）で３μｍ未満であり、銅張積層板２５によって、金属箔Ａ１９は当初の表面粗さのまま、保護されていた。本実施例では、第４層導体３７を形成後に裁断部２８で裁断を行なったが、第２層導体３３を形成後ならびに第３層導体３５を形成後に幅の狭い金属箔Ａ１９の端部またはそれより内側に設けた裁断部２８で裁断することにより、２層構造ならびに３層構造の積層板が形成でき、この時点での金属箔Ａ１９の表面粗さは、最大粗さ（Ｒｚ）で３μｍ未満であり、銅張積層板２５によって、金属箔Ａ１９は当初の表面粗さのまま、保護されていた。

次いで、図９に示すように、分離した多層配線基板１の最外層（第１層導体３０である金属箔Ａ１９及び第４層導体３７）をエッチング法で回路加工することにより第１層配線パターン８及び第４層配線パターン１７を形成した。このとき、第１層配線パターン８の一部をフリップチップ接続端子５となる部分として形成し、このフリップチップ接続端子５となる部分が、第１フィルドビア１０の直上に配置されるようにした。即ち、フィルドビアがフルスタック構造で形成されており、これらのフィルドビアの直上の最も表層には、金属箔Ａ１９を回路加工して形成されるフリップチップ接続端子５となる部分が配置される。この時点での、金属箔Ａ１９の表面粗さは、最大粗さ（Ｒｚ）で３μｍ未満であり、金属箔Ａ１９は当初の表面粗さのまま、保護されていた。

次に、図９に示すように、フリップチップ接続端子５となる部分及び裏面電極７となる部分を除く所定の領域に、ソルダーレジスト１８を形成した。その後、保護めっき２２として、厚さ１０μｍの無電解ニッケルめっき上に厚さ０．０３μｍの無電解パラジウムめっきを行い、パラジウムめっきの上に厚さ０．０５μｍの無電解金めっきを行い、フリップチップ接続端子５及び裏面電極７を形成して多層配線基板１を完成させた。接続端子５の上部の保護めっき２２及び第１層配線パターン上の保護めっき２２の表面粗さは、最大粗さ（Ｒｚ）が０．５μｍ〜２．９μｍであり、金属箔Ａ１９の当初の表面粗さと同等であった。

（実施例２）
金属箔Ａ１９として用意した銅箔の表面（第１層側となる面）は、表面の最大粗さ（Ｒｚ）が、５μｍ未満であること以外は、実施例１と同様にして、多層配線基板１を作製した。接続端子５の上部の保護めっき２２及び第１層配線パターン上の保護めっき２２の表面粗さは、最大粗さ（Ｒｚ）が０．７μｍ〜４．８μｍであった。

（実施例３）
金属箔Ａ１９として用意した銅箔の表面（第１層側となる面）は、表面の最大粗さ（Ｒｚ）が、８μｍ未満であること以外は、実施例１と同様にして、多層配線基板１を作製した。接続端子５の上部の保護めっき２２及び第１層配線パターン上の保護めっき２２の表面粗さは、最大粗さ（Ｒｚ）が０．９μｍ〜７．７μｍであった。

（実施例４）
フリップチップ接続端子５を、第１フィルドビア１０の直上に形成したが、第１フィルドビア１０、第２フィルドビア１３、第３フィルドビア１６の位置をそれぞれにずらして、表層側から見たとき、何れのフィルドビアも重ならないように形成した。これ以外は、実施例１と同様にして多層配線基板１を作製した。接続端子５の上部の保護めっき２２及び第１層配線パターン上の保護めっき２２の表面粗さは、最大粗さ（Ｒｚ）が０．５μｍ〜２．９μｍであり、金属箔Ａ１９の当初の表面粗さと同等であった。

（参考例１）
金属箔Ａ１９として、厚さ１２μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製 ３ＥＣ−ＶＬＰ−１２）を準備し、この金属箔Ａ１９の表面（第１層側となる面）に対して、研磨紙を用いて研磨を行い、表面の最大粗さ（Ｒｚ）が、８μｍ以上のものを準備した。これ以外は、実施例１と同様にして、多層配線基板１を作製した。接続端子５の上部の保護めっき２２及び第１層配線パターン上の保護めっき２２の表面粗さは、最大粗さ（Ｒｚ）が８μｍを超えていた。

（比較例１）
電子部品素子３搭載面の配線パターンを、金属箔Ａ１９により形成した第１層配線パターン８で形成するのではなく、金属箔Ｄ２４と層間接続の際に生じるめっき層３１とを有する第４層導体３７を回路加工して形成した第４層配線パターン１７によって形成した。その後、接続端子５となる部分を含む第４層配線パターン１７上に保護めっき２２を行い、接続端子５を形成した。以下、工程を示す。

実施例１と同様にして、配線パターンの形成、積層板の形成、フィルドビアの形成をする工程を繰り返すことにより、図７に示すように、銅張積層板２５の両側に、片側４層の配線パターンを有する多層配基板１を備えた積層板ｃ３６を形成した。

次に、第４層導体３７に対して、ハーフエッチングを行なった。このハーフエッチングの目的は、比較例１では、金属箔Ａ１９よりも厚い第４層導体３７によって、微細な接続端子５となる部分を形成する必要があるため、第４層導体３７の厚みを薄くしておき、微細な回路加工を行い易くするためである。第４層導体３７の厚みは、金属箔Ｄ２４の厚さ（５μｍ）とフィルドビアめっき２１ｃによって層間接続の際に生じるめっき層３１の厚さ（２０μｍ）との和でありおよそ２５μｍであった。ハーフエッチング量は、第４層導体３７の厚さを金属箔Ａ１９と同等の厚さにするため１３μｍとし、残った第４層導体３７の厚みは、金属箔Ａ１９と同等の１２μｍであった。

次に、図８に示すように、幅の狭い金属箔Ａ１９の端部またはそれより内側に設けた裁断部２８で裁断することにより、銅張積層板２５とその上下各１枚の多層配線基板１とを分離し、２枚の多層配線基板１を得た。

次いで、図９に示すように、分離した多層配線基板１の最外層（第１層導体３０である金属箔Ａ１９及び第４層導体３７）をエッチング法で回路加工することにより第１層配線パターン８及び第４層配線パターン１７を形成した。フリップチップ接続端子５となる部分及び裏面電極７となる部分を除く所定の位置に、ソルダーレジスト１８を形成した（なお、比較例１は、図９とは、フリップチップ接続端子５と裏面電極７の位置が、上下反転している）。その後、保護めっき２２として厚さ１０μｍの無電解ニッケルめっき上に厚さ０．０３μｍの無電解パラジウムめっきを行い、パラジウムめっきの上に厚さ０．０５μｍの無電解金めっきを行い、多層配線基板１を完成させた。接続端子５の上部の保護めっき２２及び第１層配線パターン上の保護めっき２２の表面粗さは、最大粗さ（Ｒｚ）が８μｍを超えていた。

（参考例２）
図９の多層配線基板１において、接続端子５を第１フィルドビア１０の直上ではなく、ずらした位置の第１絶縁層９上に設け、また第１フィルドビア１０、第２フィルドビア１３、第３フィルドビア１６の位置をそれぞれにずらし、表層側から見たとき、何れのフィルドビアも重ならないように形成した。これ以外は、実施例１と同様である。

実施例１〜４、参考例１、比較例１、参考例２の結果を、表１に示す。実施例１〜３では、フィルドビアをフルスタック構造としており、第１層配線パターン８の保護めっき２２の表面粗さ（Ｒｚ）が８μｍ未満であるため、フリップチップ接続性、ワイヤーボンド接続性が良好であった。実施例４では、フルスタック構造ではないものの、第１フィルドビアの直上に接続端子が配置されているため、超音波や熱の伝わりが確保され、フリップチップ接続性やワイヤーボンド接続性は良好であった。一方、参考例１、比較例１では、フィルドビアをフルスタック構造で設けているが、第１層配線パターンの保護めっきの表面粗さ（Ｒｚ）が８μｍを超えているため、フリップチップ接続性、ワイヤーボンド接続性は、良好とは言えなかった。参考例２では、第１層配線パターンの保護めっきの表面粗さ（Ｒｚ）は０．５〜２．９μｍと小さいものの、フィルドビアがフルスタック構造で配置されていないため、フリップチップ接続性、ワイヤーボンド接続性は、良好とは言えなかった。

表面粗さは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）において規定される最大粗さＲｚであり、触針式表面粗さ計サーフテストＳＶ−３０００（株式会社ミツトヨ社製、商品名）を用いて測定した。

フリップチップ接続性を評価するために以下の評価を行なった。フリップチップ接続は、多層配線基板の接続端子と電子部品素子の金バンプとが対向するように位置合わせした後、上からフリップチップボンダによりフリップチップ接続を行った。フリップチップ接続の圧着条件は、超音波を併用しつつ、２３０℃に昇温し１バンプ当たり５０ｇの加圧を行いながら、４秒間保持した。フリップチップボンダから取り出し、フリップチップ接続をチェックした。電子部品素子全体に未接続のバンプが無いものを”○”とし、未接続のバンプがあるものを”×”とした。

ワイヤーボンド接続性を評価するために以下の評価を行なった。直径０．０２５ｍｍの金ワイヤを用い、温度が１４０℃、１ｓｔボンディング側は超音波印加時間が４０ミリ秒、加重が７５グラム、２ｎｄボンディング側は超音波印加時間が４５ミリ秒、荷重が１００グラムの条件で、超音波熱圧着法を用いて行ない、ボンドテスタによるプル強度が７ｇ以上を”○”とし、５ｇ以上から７ｇ未満を”△”とし、５ｇ未満を”×”とした。

１…多層配線基板、 ２…通信モジュール、 ３…電子部品素子またはＳＡＷ圧電素子、 ４…（フリップチップ接続用）バンプ、 ５…（フリップチップ）接続端子、 ６…モールド用の樹脂、 ７… 裏面電極、 ８…第１層配線パターン、 ９…第１絶縁層、 １０…第１フィルドビア、 １１…第２層配線パターン、 １２…第２絶縁層、 １３…第２フィルドビア、 １４…第３層配線パターン、 １５…第３絶縁層、 １６…第３フィルドビア、 １７…第４層配線パターン、 １８…ソルダーレジスト、 １９…金属箔Ａ、 ２０…金属箔Ｂ、 ２１ａ、２１ｂ、２１ｃ…フィルドビアめっき、 ２２…保護めっき、 ２３…金属箔Ｃ、 ２４…金属箔Ｄ、 ２５…銅張積層板またはコア基板、 ２６…積層板ａ、 ２７…積層板ｂ、 ２８…裁断部、 ２９…第１層間接続孔、 ３０…第１層導体、 ３１…層間接続の際に生じるめっき層、 ３２…第２層間接続孔、 ３３…第２層導体、 ３４…第３層間接続孔、 ３５…第３層導体、 ３６…積層板ｃ、 ３７…第４層導体、 ３８…（コア基板の）金属箔、 ３９…ＳＡＷ圧電素子の活性面

Claims (12)

1. 配線パターンと絶縁層とが交互に設けられ、前記絶縁層を貫通して配線パターン間を接続する層間接続を有する多層配線基板であって、
   前記層間接続がめっきによるフィルドビアで形成され、
   最外層の配線パターンが、前記層間接続上に配置されかつ前記めっきによるフィルドビアと接続された金属箔により形成される多層配線基板。
2. 請求項１において、金属箔の一方の面にのみ、絶縁層と配線パターンとそれぞれの配線パターン間を接続する層間接続とを形成した後、前記金属箔を回路加工することにより、最外層の配線パターンが金属箔により形成される多層配線基板。
3. 請求項１または２において、フィルドビアで形成される層間接続が、多層配線基板の厚み方向全体に亘って、略柱状に設けられた多層配線基板。
4. 請求項１から３の何れかにおいて、最外層の配線パターン上に保護めっきとして、ニッケルめっきまたはニッケルめっきと金めっきまたはニッケルめっきとパラジウムめっきと金めっきとを有する多層配線基板。
5. 請求項１から４の何れかにおいて、最外層の配線パターンを構成する金属箔が、厚さ１〜１８μｍの銅箔である多層配線基板。
6. 請求項１から５の何れかにおいて、最外層の配線パターン上に形成された保護めっきの表面の最大粗さ（Ｒｚ）が、８μｍ未満である多層配線基板。
7. 請求項１から６の何れかにおいて、層間接続の直上に位置する最外層の配線パターンが、フリップチップ接続端子またはワイヤーボンド接続端子を形成する多層配線基板。
8. 請求項７の多層配線基板の最外層の配線パターンで形成されるフリップチップ接続端子またはワイヤーボンド接続端子を用いて、電子部品素子を実装した電子装置。
9. 請求項８において、電子部品素子として、ＳＡＷ圧電素子またはＰＡ素子を搭載して通信モジュールとした電子装置。
10. 最外層の第１層導体となる金属箔Ａを準備する工程（１）と、
    前記金属箔Ａ上に第１絶縁層と第２層導体となる金属箔Ｂとを積層する工程（２）と、
    前記第１絶縁層に第２層導体から第１層導体に到る層間接続孔を形成する工程（３）と、
    この層間接続孔内及び前記第２層導体上に、前記第１層導体と前記第２層導体とを電気的に接続するためのフィルドビアめっきを行なう工程（４）と、
    前記フィルドビアめっき後の第２層導体を回路加工して、第２層配線パターンを形成する工程（５）と、
    前記第２層配線パターン上に前記工程（２）〜（５）を必要な回数繰り返す工程（６）と、
    前記第１層導体である金属箔Ａを回路加工して、第１層配線パターンを形成することにより、前記フィルドビアめっきを行なった層間接続孔の直上に接続端子を形成する工程（７）と、
    を有する多層配線基板の製造方法。
11. 請求項１０において、第１層導体である金属箔Ａを回路加工して、第１層配線パターンを形成することにより、フィルドビアめっきを行なった層間接続孔の直上に接続端子を形成する工程の後、前記接続端子の上に保護めっきを形成する多層配線基板の製造方法。
12. 請求項１０または１１において、
    両面に金属箔を有するコア基板を準備し、このコア基板の金属箔の上に、工程（１）で準備した表層の第１層となる金属箔Ａを直接重ねた後、工程（２）〜（６）を行ない、
    その後、前記コア基板の金属箔と金属箔Ａとの界面で、前記複数の配線層と前記コア基板とを分離する工程（９）と、
    第１層導体である金属箔Ａを回路加工して、第１層配線パターンを形成することにより、フィルドビアめっきを行なった層間接続孔の直上に接続端子を形成する工程（７）と、
    を有する多層配線基板の製造方法。

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