JP2008098202A - 多層配線基板、多層配線基板構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱性を高めることができるとともに、剛性を高くすることで反りを防止でき、しかも肉薄化できて配線のデザインの自由度も高い多層配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の多層配線基板１１は、金属配線層５１〜５６及び接着絶縁層６１〜６５を備える。金属配線層５１〜５６は平面方向に延びる金属導体部７３を有し、接着絶縁層６１〜６５はビア導体８５を有する。金属配線層５１〜５６同士は接着絶縁層６１〜６５を介して接合され、異なる金属配線層５１〜５６に属する金属導体部７３同士はビア導体８５を介して互いに電気的に接続される。なお、金属配線層５１〜５６の厚さは、接着絶縁層６１〜６５の厚さよりも厚くなっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、金属配線層と接着絶縁層からなる多層配線基板、及び、多層配線基板を備える多層配線基板構造体に関するものである。

コンピュータのＣＰＵなどに使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載し、そのＩＣチップ搭載用配線基板をマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のＩＣチップ搭載用配線基板としては、例えば、内層の中心に他の層よりもかなり厚い高分子材料を配置し、その両側に金属配線層を備えるコア基板と、コア基板の両側に層間絶縁層及び導体層を積層したビルドアップ層とからなる配線基板が従来提案されている（例えば、図７，図８及び特許文献１参照）。また、内層の中心に他の層よりもかなり厚い金属層を配置し、その両側に金属配線層を備えるコア基板（いわゆるメタルコア基板）と、メタルコア基板の両側に層間絶縁層及び導体層を積層したビルドアップ層とからなる配線基板（いわゆるメタルコアビルドアップ配線基板）も従来提案されている（例えば、図９及び特許文献２参照）。

ところで、上記の配線基板は、パーソナルコンピュータ、デジタル家電などの電気製品分野や、自動車分野などに用いられているが、製品の小型化、高機能化、高付加価値化が進むのに伴って益々高密度化が望まれるようになっている。ところが、上記のようなコア基板を有する配線基板は、コア基板を厚さ方向に貫通するスルーホール導体を用いてコア基板の上下の導通を図っているため、配線基板の高密度化を図ることが困難である。また、コア基板は、配線基板全体の剛性を高めるために比較的厚く形成されるため、配線基板を薄くすることが困難である。そこで近年では、金属配線層と接着絶縁層とを交互に配置した状態で一括積層し、異なる金属配線層同士を接着絶縁層が有するビア導体（具体的にはＩＶＨ：Interstitial Via Hole ）を介して互いに接続する構造とした配線基板も提案されている（例えば、図１０及び特許文献３参照）。なお、この配線基板においては、コア基板やスルーホール導体を有していない。
特開平６−２２４５６１号公報（図９など） 特開２００３−３０４０６３号公報（図１など） 特開２００４−３５６５６９号公報（図１１など）

ところが、上記特許文献１，３などに記載の配線基板は、金属部分の比率が小さいために放熱性が低い。その結果、配線基板内の熱が外部に放散されにくくなるため、大電流用途のＩＣチップを実装する場合には、熱の影響によってＩＣチップが誤作動してしまう。また、熱膨張などによって配線基板の信頼性低下を招くおそれもある。なお、特許文献２などに記載の配線基板（メタルコアビルドアップ配線基板）は、金属部分の比率が大きく放熱性が高いものの、上記したように比較的厚いコア基板を有するため、肉薄化が困難である。

また、上記特許文献３などに記載の配線基板は、硬い部分である金属部分の比率が小さいために剛性が低い。その結果、熱膨張などに起因して配線基板に反りやうねりが生じる可能性がある。ゆえに、ＩＣチップ等の実装性が悪くなり、反りやうねりによる歪みがはんだ等の接合部に残留応力として蓄積されるため、接合信頼性の低下を招いてしまう。さらに、上記特許文献１，２などに記載の配線基板は、コア基板やスルーホール導体を避けて配線を形成しなければならないため、配線基板内における配線のデザインの自由度が小さくなっている。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、放熱性を高めることができるとともに、剛性を高くすることで反りを防止でき、しかも肉薄化できて配線のデザインの自由度も高い多層配線基板を提供することにある。また、第２の目的は、上記の優れた多層配線基板を備える多層配線基板構造体を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、以下のものがある。平面方向に延びる金属導体部（７３）を有する複数の金属配線層（５１，５２，５３，５４，５５，５６）と、ビア導体（８５）を有する接着絶縁層（６１，６２，６３，６４，６５）とを備え、前記複数の金属配線層（５１，５２，５３，５４，５５，５６）同士が前記接着絶縁層（６１，６２，６３，６４，６５）を介して接合されることにより、異なる金属配線層（５１，５２，５３，５４，５５，５６）に属する金属導体部（７３）同士が前記ビア導体（８５）を介して互いに電気的に接続された多層配線基板（１１，１１０，１１１，１１２）であって、前記金属配線層（５１，５２，５３，５４，５５，５６）の厚さが前記接着絶縁層（６１，６２，６３，６４，６５，６６）の厚さよりも厚くなっていることを特徴とする多層配線基板。

従って、上記手段１の多層配線基板によると、金属配線層の厚さが接着絶縁層の厚さよりも厚くなっているため、多層配線基板において熱伝導率が高い部分である金属配線層の金属導体部の比率が高くなる。よって、多層配線基板の放熱性を向上させることができる。また、多層配線基板において硬い部分である金属部分の比率が高くなることにより、多層配線基板が金属部分によって補強されて剛性が高くなるため、多層配線基板に生じる反りを防止することができる。ゆえに、反りに起因する多層配線基板の信頼性低下も防止できる。しかも、多層配線基板の剛性確保のために内層の中心に他の層よりもかなり厚いコア基板を設けなくても済むため、多層配線基板の肉薄化を図ることができる。また、配線を形成する際にコア基板を避けるなどの工夫をしなくても済むため、多層配線基板内における配線のデザインの自由度が高くなる。

多層配線基板では、複数の金属配線層同士を接着絶縁層を介して接合することにより、異なる金属配線層に属する金属導体部同士がビア導体（具体的にはＩＶＨ：Interstitial Via Hole ）を介して互いに電気的に接続される。その結果、多層配線基板の各層の導通が図られる。なお、多層配線基板は、前記金属配線層及び前記接着絶縁層の全てを貫通するスルーホール導体を有しないことがよい。仮に、上記のようなスルーホール導体を有していると、多層配線基板内における配線のデザインの自由度が小さくなるからである。

なお、前記金属導体部の合計の厚さは、前記多層配線基板全体の厚さの５０％以上であることが好ましい。仮に、金属導体部の合計の厚さが多層配線基板の厚さの５０％未満であると、上記の剛性向上の効果が小さくなる。ここで、「多層配線基板全体の厚さ」とは、金属導体部の合計の厚さにビア導体の合計の厚さを加えた厚さをいう。

前記金属導体部の厚さは接着絶縁層のビア導体よりも厚くなるように設定される。例えば、前記金属導体部の厚さは、前記ビア導体の厚さの１．１倍以上５０倍以下であることが好ましい。仮に、金属導体部の厚さがビア導体の厚さの１．１倍未満であると、多層配線基板における金属導体部の比率がそれ程高くならないため、多層配線基板の剛性の確保が困難になる。また、前記金属導体部の厚さは、１３μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。仮に、金属導体部の厚さが１３μｍ未満であると、金属導体部の強度が低下し、多層配線基板の剛性の確保が困難になる。なお、前記複数の金属配線層の厚さは互いに等しくてもよい。

なお、少なくとも１層の前記金属配線層の前記金属導体部が、電気的な機能が互いに異なる複数の導体部を有し、前記複数の導体部の間に絶縁材が充填されることが好ましい。このような構造であれば、複数の導体部の間に絶縁材が充填されるため、複数の導体部の平面方向への位置ずれが防止される。ゆえに、金属配線層の強度が向上し、多層配線基板の剛性を確保しやすくなる。また、金属配線層及び接着絶縁層を積層した際に、複数の導体部の間に空隙が生じないため、多層配線基板の信頼性が向上する。ここで、導体部としては、信号が流れる導体部、電源接続用の導体部、グランド接続用の導体部などを挙げることができる。

また、異なる金属配線層同士を接合するビア導体としては、導電ペースト、はんだ、ロウ材などが挙げられる。しかし、はんだやロウ材を用いた場合には、ビア導体を含む接着絶縁層を個別に製作することが困難であるため、複数の金属配線層と接着絶縁層とを一括で積層することが困難であり、生産性が劣る。従って、ビア導体を含む接着絶縁層を個別に製作することが容易な導電ペーストを用いることが好ましい。さらに、導電ペーストとして、圧接型導電ペーストではなく、金属結合型導電ペーストを用いることが特に好ましい。このようにすれば、金属導体部及び導電ペーストからなるビア導体部の接合界面に固相拡散により合金層が形成され、しかもビア導体部では金属粒子同士が金属結合されるため、両者を強固に接続することができ、導体同士の接続信頼性も向上する。このことは、多層配線基板全体の低抵抗化にもつながる。

ここで、前記金属導体部は導電性金属により形成される。前記導電性金属としては特に限定されないが、例えば銅、アルミニウム、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される１種または２種以上の金属を挙げることができる。特に、前記金属導体部は、他の導電性金属よりも導電性や放熱性に優れた銅からなることが好ましい。なお、前記金属導体部は銅箔または銅板からなることがより好ましい。金属導体部が特に圧延によって形成された「箔」であれば、結晶が凝集していて緻密なため、導電性が高く、剛性も高い。また、前記金属導体部はアルミニウムからなることも好ましい。アルミニウムは、他の導電性金属よりも導電性や放熱性に優れるだけでなく、他の導電性金属よりも軽量かつ安価であるからである。

前記絶縁材としては、低コスト化などの観点から樹脂などの有機材料を選択することが好ましい。絶縁材として樹脂材料を選択した金属配線層であれば、微細な金属導体部を比較的簡単にかつ正確に形成することができる。樹脂材料の好適例としては、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、シリコン樹脂などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス不織布やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。

また、前記絶縁材としては、熱膨張係数が金属（例えば銅）に近いものを選択することが好ましい。このようにすれば、絶縁材−金属導体部間の熱膨張係数差に起因して応力が発生しにくくなる。その結果、絶縁材と金属導体部との接合部分にクラックが発生しにくくなるため、多層配線基板の信頼性向上につながる。さらに、前記絶縁材として熱硬化性樹脂を使用する場合には、溶融粘度の大きさ（流動性）を示す貯蔵弾性率が、金属導体部の埋め込みが可能となる程度である１ＭＰａ以下に設定されることが望ましい。このようにすれば、金属導体部の間に絶縁材を充填する充填工程が実施しやすくなる。具体的には、例えば絶縁材となる樹脂フィルムを金属導体部を覆うように配置し、樹脂フィルムを押圧するだけで、金属導体部の間に絶縁材が確実に充填される。ゆえに、充填工程において、例えば金属導体部の間の形状に合わせて絶縁材を形成しなくても済む。また、前記絶縁材の形態は、フィルムでもよいしワニスでもよい。

なお、前記金属導体部の形成方法としては、金属導体部よりも大きい金属箔を貼付した後、金属箔に対するエッチングを行って金属導体部を形成する方法などが挙げられる。しかし、上記の方法以外にも、基材（キャリア）に金属ペーストを印刷して金属導体部を形成する方法や、金属導体部と同じ大きさの金属箔を貼付して金属導体部を形成する方法や、めっきによって金属導体部を形成するなどの方法を採用することも可能である。

好適な前記接着絶縁層としては、例えば金属配線層と別体で製作された絶縁性接着樹脂材料を用いて構成された接着シートを挙げることができる。具体的に言うと、接着絶縁層としては、液晶ポリマー、熱可塑性ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトンなどの熱可塑性樹脂や、エポキシなどの熱硬化性樹脂を主体とする接着シートを挙げることができる。その中でも、特に室温でのハンドリング性が優れる熱可塑性樹脂を主体とする接着シートであることが好ましい。このような材料を使用すれば、室温でのハンドリング性、加工性に優れているため、接着シートの作製を個別に行うことができる。また、ポリエーテルエーテルケトンは、一般的な材料に比べて高温でも弾性率が高いため、基板作製時やリフロー時の熱履歴を受けても寸法安定性が良い。なお、接着絶縁層のビア導体は接着シートの表裏を導通させるものであることがよい。その理由は、上記のようなビア導体があると、それを介して各金属配線層の金属導体部同士をより確実に接続しやすくなるからである。

また、前記ビア導体の厚さ（ビア導体の両端面間の距離）は、１２μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。仮に、ビア導体の厚さが１２μｍ未満であると、接着絶縁層が薄くなりすぎるため、絶縁信頼性の低下を招いてしまう。また、接着絶縁層の製作も困難になる。一方、ビア導体の厚さが２００μｍよりも大きくなると、接着絶縁層が厚くなるため、多層配線基板の肉薄化、高剛性化を図ることができない。また、ビア導体が長くなるため、高抵抗化してしまう。

なお、前記ビア導体は、例えば導電性金属により形成される。前記導電性金属としては特に限定されないが、例えば銅、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される１種または２種以上の金属を挙げることができる。２種以上の金属からなる導電性金属としては、例えば、スズ及び鉛の合金であるはんだ等を挙げることができる。２種以上の金属からなる導電性金属として、鉛フリーのはんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系はんだ等）を用いても勿論よい。

また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、以下のものがある。上記手段１に記載の多層配線基板（１１，１１０，１１１，１１２）と、層間絶縁層（３３，３４，３５，３６，３７，３８）及び導体層（４２）を前記多層配線基板（１１，１１０，１１１，１１２）の片側または両側にて交互に積層した構造を有する配線積層部（３１，３２）とを備えることを特徴とする多層配線基板構造体（１０，１００，２１４）。

従って、上記手段２の多層配線基板構造体によると、金属配線層の厚さが接着絶縁層の厚さよりも厚くなっているため、多層配線基板において熱伝導率が高い部分である金属配線層の金属導体部の比率が高くなる。よって、多層配線基板及び多層配線基板構造体の導体部の低抵抗化や放熱性の向上を図ることができる。また、多層配線基板において硬い部分である金属導体部の比率が高くなることにより、多層配線基板が金属部分によって補強されて剛性が高くなるため、多層配線基板、ひいては多層配線基板構造体に生じる反りを防止することができる。ゆえに、反りに起因する多層配線基板構造体の信頼性低下も防止できる。しかも、多層配線基板の剛性確保のために内層の中心に他の層よりもかなり厚いコア基板を設けなくても済むため、多層配線基板及び多層配線基板構造体の肉薄化を図ることができる。また、配線を形成する際にコア基板を避けるなどの工夫をしなくても済むため、多層配線基板内における配線のデザインの自由度が高くなる。

以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図２３に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の多層配線基板構造体１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板構造体であって、略矩形板状の多層配線基板１１と、多層配線基板１１の上面１２上に形成される第１ビルドアップ層３１（配線積層部）と、多層配線基板１１の下面１３上に形成される第２ビルドアップ層３２（配線積層部）とからなる。

多層配線基板１１の上面１２上に形成された第１ビルドアップ層３１は、エポキシ樹脂からなる３層の層間絶縁層３３，３５，３７と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第３層の層間絶縁層３７の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。また、層間絶縁層３７の表面は、ソルダーレジスト４０によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト４０の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、半導体集積回路素子であるＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５は、第１ビルドアップ層３１において多層配線基板１１の真上の領域内に位置しており、この領域が半導体素子搭載部２３となる。また、層間絶縁層３３，３５，３７内には、それぞれビア導体４３が設けられている。これらのビア導体４３は、導体層４２と端子パッド４４とを相互に電気的に接続している。

図１に示されるように、多層配線基板１１の下面１３上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、エポキシ樹脂からなる３層の層間絶縁層３４，３６，３８と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第３層の層間絶縁層３８の下面上における複数箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、層間絶縁層３８の下面は、ソルダーレジスト４７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト４７の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部５０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される多層配線基板構造体１０は図示しないマザーボード上に実装される。

図１，図２に示されるように、多層配線基板１１は、６枚の金属配線層５１，５２，５３，５４，５５，５６と５枚の接着シート６１，６２，６３，６４，６５（接着絶縁層）とを積層した構造を有している。具体的に言うと、金属配線層５１、接着シート６１、金属配線層５２、接着シート６２、金属配線層５３、接着シート６３、金属配線層５４、接着シート６４、金属配線層５５、接着シート６５、金属配線層５６が順番に積層されている。即ち、多層配線基板１１は、金属配線層と接着シートとを交互に積層した構造を有している。

金属配線層５１〜５６は、配線層第１主面７１及び配線層第２主面７２を有するとともに、銅箔からなる複数の金属導体部７３を有している。各金属導体部７３は、金属配線層５１〜５６の平面方向に延びるとともに、配線層第１主面７１及び配線層第２主面７２にて露出している。金属配線層５１〜５６において、隣接する金属導体部７３の間には、耐熱性の熱硬化性樹脂（本実施形態では熱硬化性のエポキシ）からなる絶縁材７６が充填されている。

図１，図２に示されるように、金属配線層５１〜５６の厚さは、接着シート６１〜６５の厚さ（５０μｍ）よりも厚くなっている。また、各金属配線層５１〜５６の厚さは、本実施形態では５５μｍに設定されている。これに伴い、各金属導体部７３の厚さも５５μｍに設定される。従って、金属導体部７３の合計の厚さ（即ち、金属配線層５１〜５６の合計の厚さ）は３３０μｍに設定される。

なお図３，図４に示されるように、上記金属導体部７３は、複数の導体部７４またはプレーン導体部７５である。導体部７４は電源接続用であり、プレーン導体部７５はグランド接続用の導体部である。各導体部７４及びプレーン導体部７５は、多層配線基板１１の内層（図１，図２では金属配線層５４）において互いに同一平面内に形成されている。これにより、多層配線基板１１の内層において複雑なパターンを形成できるため、多層配線基板１１内における配線のデザインの自由度がよりいっそう高くなる。即ち、多層配線基板１１において、ビア導体８５を平面方向に移動させることができる。図３に示されるように、プレーン導体部７５は、金属配線層５４の略全体を構成するプレーン状導体であり、導体部７４を避けるための孔を複数有している。また、各導体部７４は、金属配線層５４において互いに独立して配置されたパターンであり、円形状、長円形状及び帯状のいずれかに形成されている。そして、電源接続用の導体部７４とグランド接続用のプレーン導体部７５との間には、絶縁材７６が充填されている。なお図３，図４では、６枚の金属配線層５１〜５６のうち１枚の金属配線層５４について示している。導体部７４及びプレーン導体部７５の構成は、他の金属配線層５１〜５３，５５，５６においても略同様であるため、それらの説明は省略する。

図１，図２に示されるように、前記接着シート６１〜６５は、金属配線層５１〜５６同士を接続する機能を有している。具体的に言うと、接着シート６１は金属配線層５１，５２同士を接合する機能を有し、接着シート６２は金属配線層５２，５３同士を接合する機能を有し、接着シート６３は金属配線層５３，５４同士を接合する機能を有している。同様に、接着シート６４は金属配線層５４，５５同士を接合する機能を有し、接着シート６５は金属配線層５５，５６同士を接合する機能を有している。また、接着シート６１〜６５は、耐熱性の熱可塑性樹脂からなる絶縁基材を主体として形成されている。本実施形態において、かかる絶縁基材は、ポリエーテルエーテルケトンを主体とする樹脂によって形成されている。また、かかる絶縁基材の平面方向における熱膨張係数は約２０ｐｐｍ／℃、ヤング率は約４ＧＰａ、伸び率は約４％である。

図２等に示されるように、接着シート６１〜６５を構成する接着シート本体８１は、シート第１主面８２及びシート第２主面８３を有している。また、接着シート６１〜６５には、シート第１主面８２及びシート第２主面８３を連通する複数のビア孔８４（図１２参照）が格子状に形成されている。そして、かかるビア孔８４内には、表面に銀をコートした銅粉を含む導電ペーストの充填により形成されたビア導体８５が設けられている。

図１〜図４に示されるように、各ビア導体８５の基端面は、下層側に位置する金属配線層５１〜５５の金属導体部７３の上面（配線層第１主面７１）に圧接して接続されている。一方、各ビア導体８５の先端面は、上層側に位置する金属配線層５２〜５６の金属導体部７３の下面（配線層第２主面７２）に圧接して接続されている。例えば図３，図４では、接着シート６４に設けられたビア導体８５（図３では実線部分）の基端面が金属配線層５４の金属導体部７３の上面に接続されるとともに、接着シート６３に設けられたビア導体８５（図３では破線部分）の先端面が金属配線層５４の金属導体部７３の下面に接続された状態が示されている。その結果、異なる金属配線層５１〜５６に属する金属導体部７３同士がビア導体８５を介して互いに電気的に接続され、多層配線基板１１の各層の導通が図られる。なお、本実施形態の多層配線基板１１は、金属配線層５１〜５６及び接着シート６１〜６５の全てを貫通するスルーホール導体を有していない。

図１，図２に示されるように、接着シート６１〜６５の厚さは互いに等しく、本実施形態では５０μｍに設定されている。これに伴い、各ビア導体８５の厚さ（本実施形態では接続時の厚さ）も５０μｍに設定される。従って、金属導体部７３（即ち金属配線層５１〜５６）の厚さ（５５μｍ）は、ビア導体８５（即ち接着シート６１〜６５）の厚さの１．１倍となる。そして、ビア導体８５の合計の厚さ（即ち、接着シート６１〜６５の合計の厚さ）は２５０μｍに設定される。その結果、多層配線基板１１全体の厚さ（即ち、金属導体部７３の合計の厚さ＋ビア導体８５の合計の厚さ）は５８０μｍとなる。ゆえに、金属導体部７３の合計の厚さは多層配線基板１１全体の厚さの約５７％となり、ビア導体８５の合計の厚さは多層配線基板１１全体の厚さの約４３％となる。

従って、このような構造の多層配線基板構造体１０では、半導体素子搭載部２３にＩＣチップ２１を実装した場合に、ＩＣチップ２１の面接続端子２２が、はんだバンプ４５、端子パッド４４、ビア導体４３及び導体層４２を介して、金属配線層５１の金属導体部７３（導体部７４）に電気的に接続される。

次に、上記の多層配線基板構造体１０を製造する手順について説明する。

まず、個別作製工程を実施して、金属配線層５１〜５６及び接着シート６１〜６５を個別に作製する。最初に、個別作製工程において接着シート６１〜６５を作製する手順を説明する。具体的には、接着シート６１〜６５となる接着性有機材料シート６０（図１１参照）に対してメカニカルドリル、ＹＡＧレーザー、ＣＯ_２レーザー、パンチング装置等を用いて孔あけ加工を行い、接着性有機材料シート６０を貫通するビア孔８４（図１２参照）を所定位置にあらかじめ形成しておく（ビア孔形成工程）。なお、ビア孔８４は、上側開口部の直径が約１１７μｍとなり、下側開口部の直径が約１１３μｍとなる。

次に、従来周知の印刷法により、導電ペーストをビア孔８４に充填しビア導体８５を形成する。具体的には、接着性有機材料シート６０を支持台（図示略）に載置する。次に、ビア孔８４に対応した位置に開口部を有する印刷マスクを用い、印圧を２ｋｇｆ／ｃｍ^２、印刷スピードを５０ｍｍ／ｓｅｃに設定して、表面に銀をコートした銅粉を含む導電ペーストを印刷し、ペースト充填層を形成する。そして、印刷装置から取り外した後、導電ペーストを加熱して溶剤等を蒸発させ、固形化させる。次いで、１００℃程度の温度で約３０分間加熱して仮硬化を行う。これにより、導電ペーストからなるビア導体８５が少しだけ硬化し、接着シート６１〜６５が完成する。その結果、ビア孔８４内にビア導体８５が形成される。このとき、ビア導体８５の先端部分が、接着性有機材料シート６０の上面から突出する（図１３参照）。このような構造にすれば、接着シート６１〜６５及び金属配線層５１〜５６を接合する際に、ビア導体８５の先端部分と上層側の金属配線層の金属導体部７３とが圧接する。よって、例えば先端部分がフラットである場合に比べて金属導体部７３との接合強度が高くなり、接続信頼性の向上が図りやすくなる。

次に、個別作製工程において金属配線層５１〜５６を作製する手順を説明する。即ち、銅箔７７（図１４参照）の裏面に、樹脂製または金属製のキャリアフィルム７８を貼付する（図１５参照）。次に、銅箔７７に対するエッチングを行って金属導体部７３を形成する（図１６参照）。なお、金属導体部７３を、セミアディティブ法によって形成してもよい。具体的には、金属製のキャリアフィルムや銅張積層板を用意し、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で不要なキャリアフィルムや銅張積層板を共通電極として電解銅めっきを施した後、まずレジストを溶解除去してパターンを形成する。その結果、金属導体部７３を得る。

さらに、隣接する金属導体部７３の間に絶縁材７６を充填する充填工程を実施する。本実施形態において具体的には、絶縁材７６となる樹脂フィルムを金属導体部７３を覆うように配置し、２０Ｔｏｒｒ（≒２６６６Ｐａ）以下の真空下で１５０℃以上の温度となるように加熱を行いながら積層方向に押圧力（４ＭＰａ）を加える（真空熱プレス）。これに伴い、樹脂フィルムが金属導体部７３側に押圧されるとともに、熱により樹脂フィルムの可塑性が大きくなる。その結果、金属導体部７３に対して樹脂フィルムが接合（熱圧着）される。この際、樹脂フィルムの大部分が金属導体部７３の上面を覆うとともに、樹脂フィルムの一部が隣接する金属導体部７３の間に充填される（図１７参照）。このとき、金属導体部７３に対する樹脂フィルムの接合は真空雰囲気下での接合となるため、エアの巻き込みによるボイドの発生を効果的に抑制できる。また、樹脂フィルムとして粘度の低いもの（本実施形態では熱硬化性のエポキシ）を用いれば、樹脂フィルムの一部を金属導体部７３の間に確実に充填させることができる。なお、絶縁材７６の充填を従来周知の印刷法を用いて行ってもよい。

その後、金属導体部７３を覆っている樹脂フィルムを研磨し、金属導体部７３の上面を露出させる。また、キャリアフィルム７８を剥離する。その結果、金属配線層５１〜５６を得る（図１８参照）。

次に、電気検査工程を実施し、完成した金属配線層５１〜５６及び接着シート６１〜６５に対する電気検査を個別に行う。なお、本実施形態における電気検査とは、例えば、インサーキットテスタを用いて行う一般的なインサーキットテストを指す。さらに、完成した金属配線層５１〜５６及び接着シート６１〜６５に対し、この時点で併せて外観検査を個別に行ってもよい。このとき、不良品を発見した場合には、その不良品を事前に除去する。そして、電気検査や外観検査に合格した金属配線層５１〜５６及び接着シート６１〜６５のみを用いて位置決め工程以降の工程を行う。従って、多層配線基板構造体１０が不良品となる確率が低くなり、歩留まりの向上につながる。

そして、位置決め工程では、まず、平板状の下治具１０１上に、金属配線層５１、接着シート６１、金属配線層５２、接着シート６２、金属配線層５３、接着シート６３、金属配線層５４、接着シート６４、金属配線層５５、接着シート６５、金属配線層５６を順番に重ねる。そして、６枚の金属配線層５１〜５６と５枚の接着シート６１〜６５とからなる積層物に複数の位置決め用孔１０２を形成し、これらの位置決め用孔１０２に、下治具１０１に突設された複数の位置決めピン１０５を挿通する。これにより、積層物の平面方向への位置ずれが防止される。その後、金属配線層５６上に平板状の上治具１０４を載置する（図１９参照）。なお、上記のような治具を用いて位置決めを行う代わりに、基板などの位置を検出する画像認識装置を有する、いわゆるダイマウンタ装置を用いて位置決めを行うことも可能である。

そして次に、下記の要領で接合工程を実施する。具体的には、２０Ｔｏｒｒ（≒２６６６Ｐａ）以下の真空下で２３０℃以上の温度となるように加熱を行いながら積層方向（接合方向）に押圧力（４ＭＰａ）を加える（真空熱プレス）。これに伴い、金属配線層５１〜５６及び接着シート６１〜６５が積層方向に沿って押圧されるとともに、熱により接着シート６１〜６５の可塑性が大きくなる。そして、金属配線層５１〜５６及び接着シート６１〜６５が接合（熱圧着）される。この際、金属配線層５１〜５６の金属導体部７３が接着シート６１〜６５のビア導体８５に圧接する。よって、ビア導体８５及び金属導体部７３が互いに電気的に接続され、多層配線基板１１が形成される。即ち、金属配線層５１〜５６及び接着シート６１〜６５の接合は真空雰囲気下での接合となるため、エアの巻き込みによるボイドの発生を効果的に抑制できる。

その後、前記積層物の不要部分（位置決め用孔１０２が形成されている部分）を除去し、ビルドアップ層形成工程を実施する。ビルドアップ層形成工程では、従来周知の手法に基づいて多層配線基板１１の上面１２の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、多層配線基板１１の下面１３の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。具体的には、多層配線基板１１の上面１２に感光性エポキシ樹脂を被着するとともに、多層配線基板１１の下面１３に感光性エポキシ樹脂を被着し、第１層の層間絶縁層３３，３４を形成する（図２０参照）。

さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いて孔あけ加工を行い、層間絶縁層３３においてビア導体４３が形成されるべき位置に、金属配線層５６の金属導体部７３を露出させるビア穴２２３をそれぞれ形成する（図２１参照）。また、層間絶縁層３４においてビア導体４３が形成されるべき位置に、金属配線層５１の金属導体部７３を露出させるビア穴２２４をそれぞれ形成する。そして、層間絶縁層３３，３４に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、層間絶縁層３３上及び層間絶縁層３４上に導体層４２がパターン形成される（図２２参照）。これと同時に、各ビア穴２２３，２２４の内部にビア導体４３が形成される。

次に、第１層の層間絶縁層３３，３４上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３が形成されるべき位置に盲孔２５１，２５２を有する第２層の層間絶縁層３５，３６を形成する（図２３参照）。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記盲孔２５１，２５２の内部にビア導体４３を形成する。さらに、第２層の層間絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３が形成されるべき位置に盲孔（図示略）を有する第３層の層間絶縁層３７，３８を形成する。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記盲孔の内部にビア導体４３を形成するとともに、第３層の層間絶縁層３７上に端子パッド４４を形成し、第３層の層間絶縁層３８上にＢＧＡ用パッド４８を形成する。

次に、第３層の層間絶縁層３７，３８上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト４０，４７を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト４０，４７に開口部４６，５０をパターニングする。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。その結果、多層配線基板１１及びビルドアップ層３１，３２からなる多層配線基板構造体１０が完成する。

次に、多層配線基板１１，１１０，１１１，１１２及び多層配線基板構造体１０，１００，２１４の評価方法及びその結果について述べる。

まず、評価用サンプルを次のように準備した。一般的なコア基板を内層に備える配線基板のデザインルールを適用した多層配線基板構造体２１４（図６参照）を準備し、これを実施例１とした。詳述すると、金属配線層の層数（金属配線層数）を「４」、接着シート（接着絶縁層）の層数を「３」、金属配線層の厚みを７５μｍ、接着シート（接着絶縁層）の厚みを５０μｍとした多層配線基板１１１と、多層配線基板１１１の両側に導体層の層数を「４」、層間絶縁層の層数を「４」、導体層の厚みを１５μｍ、層間絶縁層の厚みを３０μｍとしたビルドアップ層３１，３２とからなる多層配線基板構造体２１４を準備し、これを実施例１とした。なお、多層配線基板構造体２１４の全体の厚みは６３０μｍである。また、多層配線基板単体での実施例として、高放熱性に特化した多層配線基板１１０（図２５参照）を準備し、これを実施例２とした。詳述すると、金属配線層数を「４」、接着シート（接着絶縁層）の層数を「３」、金属配線層の厚みを５５μｍまたは１０００μｍ、接着シート（接着絶縁層）の厚みを５０μｍ、全体の厚みを２２６０μｍとし、導体層及び層間絶縁層を省略した多層配線基板１１０を準備し、これを実施例２とした。

一方、内層の中心に他の層よりもかなり厚い高分子材料を配置し、その両側に金属配線層を備えるコア基板と、コア基板の両側に層間絶縁層及び導体層を積層したビルドアップ層とからなる配線基板２１０，２１１（図７，図８参照）を準備し、これを比較例１，２とした。詳述すると、金属配線層数を「２」、コア基板の接着絶縁層の層数を「１」、金属配線層の厚みを２５μｍ、接着絶縁層の厚みを８００μｍとしたコア基板と、コア基板の両側に層間絶縁層の層数を「４」、導体層の層数を「４」、層間絶縁層の厚みを３０μｍ、導体層の厚みを１５μｍとしたビルドアップ層とからなる配線基板２１０を比較例１とした。なお、配線基板２１０の全体の厚みは１０３０μｍである。また、金属配線層数を「２」、コア基板の接着絶縁層の層数を「１」、金属配線層の厚みを２５μｍ、接着絶縁層の厚みを４００μｍとしたコア基板と、コア基板の両側に層間絶縁層の層数を「４」、導体層の層数を「４」、層間絶縁層の厚みを３０μｍ、導体層の厚みを１５μｍとしたビルドアップ層とからなる配線基板２１１を比較例２とした。なお、配線基板２１１の全体の厚みは６３０μｍである。さらに、内層の中心に他の層よりもかなり厚い金属層を配置し、その両側に金属配線層を備えるコア基板（いわゆるメタルコア基板）と、メタルコア基板の両側に層間絶縁層及び導体層を積層したビルドアップ層とからなる配線基板２１２（図９参照）を準備し、これを比較例３とした。具体的には、金属配線層数を「３」、メタルコア基板の接着絶縁層の層数を「２」、メタルコア基板の中央に配置された金属配線層の厚みを２００μｍ、両側の金属配線層の厚みを２５μｍ、１層当たりの接着絶縁層の厚みを１００μｍとしたメタルコア基板と、メタルコア基板の両側に層間絶縁層の層数を「４」、導体層の層数を「４」、層間絶縁層の厚みを３０μｍ、導体層の厚みを１５μｍとしたビルドアップ層とからなる配線基板２１２を比較例３とした。なお、配線基板２１２の全体の厚みは６３０μｍである。また、金属配線層と接着絶縁層とを交互に配置した状態で一括積層し、異なる金属配線層同士を接着絶縁層が有するビア導体（ＩＶＨ：Interstitial Via Hole ）を介して互いに接続する構造とした配線基板２１３（図１０参照）を準備し、これを比較例４とした。具体的には、金属配線層数を「６」、接着絶縁層の層数を「５」、金属配線層の厚みを１５μｍまたは３５μｍ、接着絶縁層の厚みを１００μｍとした配線基板２１３を比較例４とした。なお、配線基板２１３の全体の厚みは６３０μｍであり、コア基板やスルーホール導体を有していない。

次に、各評価用サンプル（実施例１，２、比較例１〜４）の金属配線層及びビルドアップ層の導体層の合計の厚さを算出した。また、接着絶縁層及びビルドアップ層の層間絶縁層の合計の厚さも算出した。そして、算出した値と各測定用サンプルとに基づいて、金属配線層と接着絶縁層の合計の厚み（多層配線基板全体の厚み）に対する金属配線層の厚み比率（以下、厚み比率１とする）を算出した。また、金属配線層と導体層と接着絶縁層と層間絶縁層との合計の厚み（多層配線基板構造体全体の厚み。但し、実施例２及び比較例４においては多層配線基板全体の厚みにあたる）に対する、金属配線層とビルドアップ層の導体層との合計の厚み比率（以下、厚み比率２とする。但し、実施例２及び比較例４においては厚み比率１と同じ）を算出した（図５参照）。

このように算出した結果、比較例１の厚み比率１が６％、厚み比率２が１１％、比較例２の厚み比率１が１１％、厚み比率２が１７％、比較例３の厚み比率１が５６％、厚み比率２が４９％、比較例４の厚み比率１が２１％、厚み比率２が２１％となった。

そして、比較例１，２，４では、硬い部分（金属配線層）が少なく剛性が低いため、配線基板２１０，２１１，２１３に反りの発生が確認された。特に、比較例１，２では、コア基板やスルーホール導体の形成が必要なため、配線のデザインの自由度が小さいことが確認された。また、比較例１では、厚いコア基板を有するため、配線基板２１０全体が肉厚になることが確認された。さらに、比較例１，２では、金属配線層が薄く、スルーホール導体のビア長さも長いため、配線基板２１０，２１１全体の抵抗が大きく放熱特性が悪いことが確認された。また、比較例３では、配線基板２１２に反りの発生は確認されなかったものの、比較例１，２と同様に、コア基板やスルーホールに起因する問題を解決できないことが確認された。特に、比較例３のコア基板は金属製のコア基板（メタルコア基板）であるが、配線に使えないデッドスペースとなっているため、配線のデザインの自由度は大きくならない。一方、比較例４は、コア基板やスルーホール導体を有しないため、コア基板やスルーホールに起因する問題を解決することができる。しかし、金属配線層が薄いため、配線基板２１３全体の抵抗が大きく放熱特性が悪いことが確認された。

一方、実施例１の厚み比率１は６７％、厚み比率２は５７％、実施例２の厚み比率１は９３％、厚み比率２は９３％となった。そして、多層配線基板単体である実施例２では、金属層比率が非常に高く、放熱特性が非常に良いことが確認された。それに対して、実施例１は、実施例２に比べると金属層比率が若干低いものの、本実施形態の多層配線基板１１が、現行の多層配線基板のコア部の代替として非常に優れた特性（高放熱、低抵抗、デザイン自由度高、高密度、高剛性）を有することを証明した。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態の多層配線基板１１によれば、接着シート６１〜６５の厚さ（５０μｍ）よりも金属配線層５１〜５６の厚さが厚くなっている（５５μｍ）ため、多層配線基板１１において熱伝導率が高い部分（金属導体部７３）の比率が高くなる。よって、多層配線基板１１内の熱が外部に放散されやすくなる。ゆえに、熱の影響によるＩＣチップ２１の誤作動を防止できる。また、熱膨張などに起因する多層配線基板１１の信頼性低下を招くおそれもない。

さらに、多層配線基板１１において硬い部分（金属導体部７３）の比率が高くなることにより、多層配線基板１１が金属部分によって補強されて剛性が高くなる。しかも、多層配線基板１１は、金属配線層と接着シートとを交互に積層した構造を有しているため、多層配線基板１１の上面１２側から下面１３側に亘って金属導体部７３がある程度均等に存在している。これにより、多層配線基板１１に生じる反りを防止することができる。ゆえに、多層配線基板１１とビルドアップ層３１，３２との密着強度を確保できるため、多層配線基板１１−層間絶縁層３３，３４間でのデラミネーションの発生や層間絶縁層３３，３４の浮きを防止でき、多層配線基板構造体１０に高い信頼性を付与することができる。これに伴い、第１ビルドアップ層３１にも反りが生じにくくなるため、半導体素子搭載部２３のコプラナリティが高くなる。よって、ＩＣチップ２１の面接続端子２２と半導体素子搭載部２３との接続不良が生じにくくなり、高い接続信頼性を得ることができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、大電流用途のパワーＩＣや、発熱量が大きいために熱応力の影響が大きい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップ、Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。

（２）本実施形態では、多層配線基板１１の剛性確保のために比較例１，２，３の配線基板２１０，２１１，２１２（図７〜図９参照）が有しているコア基板を設けなくても済むため、多層配線基板１１の肉薄化を図ることができる。また、配線を形成する際にコア基板を避けるなどの工夫をしなくても済むため、多層配線基板１１内における配線のデザインの自由度が高くなる。

（３）本実施形態では、接着シート６１〜６５の厚さが互いに等しいため、多層配線基板構造体１０を製造する際に全ての接着シート６１〜６５を同じ厚さに形成すればよい。よって、接着シート６１〜６５の加工が容易である。

なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施形態の多層配線基板１１の両側（上面１２及び下面１３）にはビルドアップ層３１，３２が形成されていたが、ビルドアップ層３１，３２のいずれか一方が省略されていてもよい。即ち、多層配線基板１１の片側のみにビルドアップ層が形成されていてもよい。さらに、図２４，図２５に示されるように、ビルドアップ層３１，３２の両方が省略された多層配線基板１１０，１１２であってもよい。また図２４に示されるように、多層配線基板は、最上層の金属配線層５６の上面にＩＣチップ２１を搭載した多層配線基板１１２であってもよい。例えば、金属配線層５６が有する金属導体部７３の一部を、ＩＣチップ２１が搭載されるダイパッド５７として用いるとともに、ダイパッド５７の周囲に配置されている複数の金属導体部７３を、ＩＣチップ２１のワイヤ２４が接続されるボンディングパッド５８として用いてもよい。また、金属配線層５６が有する金属導体部７３を、ＩＣチップ２１の面接続端子２２がフリップチップの形態で接続されるパッドとして用いてもよい。

・上記実施形態の場合よりも金属配線層５１〜５６を厚く形成するとともに、金属配線層及び接着シートの層数を減少させた多層配線基板１１０，１１１であってもよい（図２５，図２６参照）。このようにすれば、多層配線基板１１０，１１１全体における金属部分の比率がよりいっそう高くなって剛性が高くなる。しかも、多層配線基板１１０，１１１は、金属配線層と接着シートとを交互に積層した構造を有しているため、多層配線基板１１の上面１２側から下面１３側に亘って金属導体部７３がある程度均等に存在している。これにより、多層配線基板１１０，１１１に生じる反りをより確実に防止できる。なお、この場合、多層配線基板は、上面１２及び下面１３の両方にビルドアップ層３１，３２が形成される多層配線基板１１１であってもよいし、ビルドアップ層３１，３２のいずれか一方が省略された多層配線基板であってもよいし、ビルドアップ層３１，３２の両方が省略された多層配線基板１１０であってもよい。

・上記実施形態では、金属配線層５１，５２同士が１枚の接着シート６１を介して接合され、金属配線層５２，５３同士が１枚の接着シート６２を介して接合され、金属配線層５３，５４同士が１枚の接着シート６３を介して接合されていた。同様に、金属配線層５４，５５同士が１枚の接着シート６４を介して接合され、金属配線層５５，５６同士が１枚の接着シート６５を介して接合されていた。しかし、金属配線層同士を２枚以上の接着シートを介して接合してもよい。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）平面方向に延びる金属導体部を有する複数の金属配線層と、ビア導体を有する接着絶縁層とを備え、前記複数の金属配線層同士が前記接着絶縁層を介して接合されることにより、異なる金属配線層に属する金属導体部同士が前記ビア導体を介して互いに電気的に接続された多層配線基板であって、前記金属配線層の厚さが前記接着絶縁層の厚さよりも厚くなっており、最上層の金属配線層が有する金属導体部の一部が、半導体集積回路素子が搭載可能なダイパッドとして用いられるとともに、前記ダイパッドの周囲に配置されている複数の金属導体部が、前記半導体集積回路素子から延びるワイヤが接続可能なボンディングパッドとして用いられることを特徴とする多層配線基板。

（２）平面方向に延びる金属導体部を有する複数の金属配線層と、ビア導体を有する接着用樹脂絶縁層とを備え、前記複数の金属配線層同士が前記接着用樹脂絶縁層を介して接合されることにより、異なる金属配線層に属する金属導体部同士が前記ビア導体を介して互いに電気的に接続された多層配線基板であって、前記金属配線層の厚さが前記接着用樹脂絶縁層の厚さよりも厚くなっていることを特徴とする多層配線基板。

本実施形態において、多層配線基板及びビルドアップ層などからなる多層配線基板構造体を示す概略断面図。 金属配線層及び接着シートからなる多層配線基板の構成を示す分解断面図である。 特定の金属配線層を示す概略平面図。 金属導体部とビア導体との接続状態を示す概略斜視図。 実施例１，２及び比較例１〜４における各種設定を示す表。 実施例１の配線基板を示す概略断面図。 比較例１の配線基板を示す概略断面図。 比較例２の配線基板を示す概略断面図。 比較例３の配線基板を示す概略断面図。 比較例４の配線基板を示す概略断面図。 接着シートの製造方法を示す概略断面図。 接着シートの製造方法を示す概略断面図。 接着シートの製造方法を示す概略断面図。 金属配線層の製造方法を示す概略断面図。 金属配線層の製造方法を示す概略断面図。 金属配線層の製造方法を示す概略断面図。 金属配線層の製造方法を示す概略断面図。 金属配線層の製造方法を示す概略断面図。 多層配線基板の製造方法において、金属配線層及び接着シートを接合するときの様子を示す概略断面図。 多層配線基板構造体の製造方法を示す概略断面図。 多層配線基板構造体の製造方法を示す概略断面図。 多層配線基板構造体の製造方法を示す概略断面図。 多層配線基板構造体の製造方法を示す概略断面図。 他の実施形態における多層配線基板を示す概略断面図。 他の実施形態における多層配線基板を示す概略断面図。 他の実施形態における多層配線基板構造体を示す概略断面図。

符号の説明

１１，１１０，１１１，１１２…多層配線基板
３１…配線積層部としての第１ビルドアップ層
３２…配線積層部としての第２ビルドアップ層
３３，３４，３５，３６，３７，３８…層間絶縁層
４２…導体層
５１，５２，５３，５４，５５，５６…金属配線層
６１，６２，６３，６４，６５…接着絶縁層としての接着シート
７３…金属導体部
７４…導体部
７５…導体部としてのプレーン導体部
７６…絶縁材
８５…ビア導体

Claims (9)

1. 平面方向に延びる金属導体部を有する複数の金属配線層と、ビア導体を有する接着絶縁層とを備え、
   前記複数の金属配線層同士が前記接着絶縁層を介して接合されることにより、異なる金属配線層に属する金属導体部同士が前記ビア導体を介して互いに電気的に接続された多層配線基板であって、
   前記金属配線層の厚さが前記接着絶縁層の厚さよりも厚くなっていることを特徴とする多層配線基板。
2. 前記金属導体部の合計の厚さは、前記多層配線基板全体の厚さの５０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
3. 前記金属導体部の厚さは、前記ビア導体の厚さの１．１倍以上５０倍以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
4. 前記金属導体部の厚さは、１３μｍ以上１０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
5. 前記金属導体部は銅箔または銅板からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
6. 少なくとも１層の前記金属配線層の前記金属導体部が、電気的な機能が互いに異なる複数の導体部を有し、前記複数の導体部の間に絶縁材が充填されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
7. 前記ビア導体の厚さは、１２μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
8. 前記接着絶縁層は、ポリエーテルエーテルケトンを主体とする接着シートであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層配線基板。
9. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の多層配線基板と、
   層間絶縁層及び導体層を前記多層配線基板の片側または両側にて交互に積層した構造を有する配線積層部と
   を備えることを特徴とする多層配線基板構造体。

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