WO2023157794A1

WO2023157794A1 - 配線回路基板およびその製造方法

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Publication number: WO2023157794A1
Application number: PCT/JP2023/004740
Authority: WO
Inventors: 裕紀 ▲桑▼山; 淳石井; 恭也大薮; 真樹鎌倉; 将行程野; 直史重良; 知起阿曽
Original assignee: 日東電工株式会社
Priority date: 2022-02-16
Filing date: 2023-02-13
Publication date: 2023-08-24
Also published as: TW202341823A

Abstract

再配線基板は、互いに反対を向く上面および下面を有するとともにビアホールを有する金属支持体を含む。金属支持体の上面および下面のうち予め定められた絶縁領域とビアホールの内周面とは、被覆層により覆われる。被覆層を介して金属支持体の上面上に第１の導体層が形成される。被覆層を介して金属支持体の下面上に第３の導体層が形成される。金属支持体のビアホール内には、第１の導体層と第３の導体層とを電気的に接続するようにビア導体が設けられている。ビア導体は、金属支持体と同じ金属からなり、被覆層を介してビアホールの内部空間を埋めるように形成されている。

Description

配線回路基板およびその製造方法

　本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。

　電子機器においては、複数の電子部品間で電気信号の授受を行わせるために配線回路基板が用いられる。配線回路基板には、半導体チップ等の電子部品が接続される。配線回路基板に接続された電子部品から発生される熱を効率よく放散させるために、金属製の基板を含む配線回路基板が提案されている。

　例えば、特許文献１に記載された配線板（配線回路基板）は、コア基板を備える。コア基板は、例えばアルミからなり、貫通ビアを有する。コア基板の上面、下面および貫通ビアの内周面は、絶縁層により覆われている。その絶縁層は、有機酸を用いた陽極酸化処理により形成されている。コア基板の上面および下面の各々の面上に、絶縁層を介して配線層が設けられている。また、コア基板の貫通ビアの内部に、絶縁層を介して導体層が設けられている。
特開２００４－１７９２９１号公報

　上記の配線板の貫通ビアの内部には、絶縁層の内周面を覆うように導体層が形成されている。そのため、貫通ビアの中心部には、コア基板の上面から下面にかけて貫通孔が形成されている。このような構成においては、当該貫通ビア上にさらに他の配線板の貫通ビアを重ねること、および当該貫通ビア上に電子部品の実装用の端子を形成することが難しい。

　そこで、高い汎用性を得るために、上記の配線板においては、ビアフィルめっきにより貫通ビア内部を導体層で充填することが望ましい。ビアフィルめっきでは、通常のめっきとは異なる特殊なめっき浴等が用いられる。そのため、ビアフィルめっきを行うための装置を新たに用意する必要がある。したがって、このようなビアフィルめっきを用いた配線板の製造においては、通常のめっきを用いた配線板の製造に比べて容易ではない。

　また、ビアフィルめっきにより貫通ビア内に導体層を形成する場合、めっきの形成過程で導体層にボイド等の欠陥が発生しやすい。この場合、配線板の電気的導通の信頼性が低下する。

　本発明の目的は、製造が容易でかつ電気的導通の信頼性が向上された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。

　（１）本発明の一局面に従う配線回路基板は、互いに反対を向く第１の面および第２の面を有するとともに第１の面から第２の面に貫通するビアホールを有する金属支持体と、金属支持体の第１の面および第２の面のうち少なくとも一部の領域を覆うとともにビアホールの内周面を覆うように形成された絶縁被覆層と、金属支持体の第１の面上に形成される第１の導体層と、金属支持体の第２の面上に形成される第２の導体層と、金属支持体と同じ金属からなり、第１の導体層と第２の導体層とを電気的に接続するようにかつ絶縁被覆層を介してビアホールの内部空間を埋めるように形成されたビア導体とを備える。

　その配線回路基板においては、金属支持体は、例えば金属板を加工することにより形成される。そのため、金属支持体の形成時に、金属板の一部をビア導体として形成することが可能になる。この場合、ビアホール内のビア導体が金属板の一部で構成されるので、めっき等によりビアホール内にビア導体を形成する必要がなくなる。したがって、ビアホール内のビア導体の形成が容易である。また、ビア導体にボイド等の欠陥が発生することを防止することができる。これらの結果、製造が容易でかつ電気的導通の信頼性が向上された配線回路基板が実現される。

　（２）絶縁被覆層は、有機絶縁材料により形成されてもよい。この場合、有機絶縁材料により、第１の導体層、第２の導体層およびビア導体と金属支持体との間の絶縁性が確保される。

　（３）絶縁被覆層は、感光性の有機絶縁材料により形成されてもよい。この場合、感光性の有機絶縁材料により、第１の導体層、第２の導体層およびビア導体と金属支持体との間の絶縁性が確保される。また、この場合、フォトリソグラフィ技術を用いることにより、金属支持体の表面の所望の領域に絶縁被覆層を容易に形成することができる。

　（４）金属支持体の線膨張率は、０μｍ／Ｋ以上２５μｍ／Ｋ以下であってもよい。この場合、配線回路基板の温度の変化に伴って金属支持体が大きく変形することが防止される。それにより、配線回路基板の信頼性が向上する。

　（５）絶縁被覆層は、金属支持体に接触するように形成され、金属支持体は、金属支持体に対する絶縁被覆層の密着性を向上させる成分を含んでもよい。この場合、絶縁被覆層が金属支持体の表面から剥がれることが抑制される。それにより、金属支持体と、第１の導体層、第２の導体層およびビア導体との間の絶縁性が確保されるので、配線回路基板の信頼性が向上する。

　（６）配線回路基板は、金属支持体と絶縁被覆層との間で金属支持体および絶縁被覆層に接触するように形成され、金属支持体に対する絶縁被覆層の密着性を向上させる成分を含む密着性強化層をさらに備えてもよい。

　この場合、絶縁被覆層が金属支持体の表面から剥がれることが抑制される。それにより、金属支持体と、第１の導体層、第２の導体層およびビア導体との間の絶縁性が確保されるので、配線回路基板の信頼性が向上する。

　（７）密着性強化層は、クロムまたはアルミニウムを含み、密着性強化層におけるクロムまたはアルミニウムの含有量は、５０重量％以下であってもよい。

　クロムおよびアルミニウムは、酸化することにより熱伝導率が低下する。上記の構成によれば、密着性強化層におけるクロムまたはアルミニウムの含有量が５０重量％よりも大きい場合に比べて、密着性強化層が酸化することによる熱伝導率の低下が低減される。

　（８）第１の導体層は、第１の面上に配置される第１の電子部品と電気的に接続可能に形成され、第２の導体層は、第２の面上に配置される第２の電子部品と電気的に接続可能に形成されてもよい。この場合、配線回路基板を再配線基板として使用することができる。

　（９）絶縁被覆層は、金属支持体の第１の面を覆う第１の面被覆部を含み、第１の導体層は、平面視でビア導体に重なる第１の接続導体部と、平面視でビア導体に重ならない第２の接続導体部とを含み、第１の接続導体部は、ビア導体に直接接触しかつビア導体から第１の面が向く方向に連続して延び、第１の接続導体部の先端部は、第１の面上に配置される電子部品の一の端子と電気的に接続可能に構成され、第２の接続導体部は、第１の面被覆部の一部分を介して金属支持体の第１の面上に形成されかつ第１の面被覆部の一部分から第１の面が向く方向に連続して延び、第２の接続導体部の先端部は、第１の面上に配置される電子部品の他の端子と電気的に接続可能に構成され、第１の面が向く方向において、第１の接続導体部の先端部と第２の接続導体部の先端部との間の距離は、１５μｍ以下であってもよい。

　この場合、金属支持体の第１の面上に位置するように、配線回路基板上に電子部品を実装することができる。その実装時には、第１の接続導体部の先端部に電子部品の一の端子が接続され、第２の接続導体部の先端部に電子部品の他の端子が接続される。

　側面視で第１の接続導体部の先端部と第２の接続導体部の先端部との間に大きな差分があると、電子部品が意図しない姿勢で配線回路基板に実装される可能性がある。また、電子部品が備える複数の端子を配線回路基板の第１の導体層に電気的に接続することが困難になる可能性がある。

　上記の構成によれば、第１の面が向く方向、例えば第１の面および第２の面に直交する方向（配線回路基板の厚み方向）において、第１の接続導体部の先端部と第２の接続導体部の先端部との間の距離が１５μｍ以下である。したがって、第１の接続導体部の先端部と第２の接続導体部の先端部との間の距離が１５μｍよりも大きい場合に比べて、電子部品を配線回路基板上に構造的に安定して実装することができる。また、配線回路基板上に電子部品が実装された状態で、当該配線回路基板と電子部品との電気的導通の信頼性が向上する。

　（１０）第１の面が向く方向において、第１の面被覆部の一部分の厚みは、第１の面被覆部の他の部分の厚みよりも小さいか、または１５μｍ以下であってもよい。

　この場合、第１の面被覆部の少なくとも一部の厚みを調整することにより、第１の接続導体部の先端部と第２の接続導体部の先端部との間の距離が１５μｍ以下となる。

　（１１）第１の面が向く方向において、第１の接続導体部の厚みは、第２の接続導体部の厚みよりも大きくてもよい。

　この場合、第１の接続導体部の厚みおよび第２の接続導体部の厚みのいずれか一方の厚みを調整することにより、第１の接続導体部の先端部と第２の接続導体部の先端部との間の距離が１５μｍ以下となる。

　（１２）本発明の他の局面に従う配線回路基板の製造方法は、互いに反対を向く第１の面および第２の面を有する金属板を用意する工程と、金属板に第１の面から第２の面に貫通するビアホールを形成することにより金属支持体を形成する工程と、金属支持体の第１の面および第２の面のうち少なくとも一部の領域を覆うとともにビアホールの内周面を覆うように絶縁被覆層を形成する工程と、金属支持体の第１の面上に第１の導体層を形成する工程と、金属支持体の第２の面上に第２の導体層を形成する工程とを含み、金属支持体を形成する工程は、金属板のうち一部分を取り囲む領域を除去することにより、金属板の一部分を、ビアホールの内部空間を埋めるビア導体とすることを含み、第１の導体層を形成する工程は、ビア導体に電気的に接続されるように第１の導体層を形成することを含み、第２の導体層を形成する工程は、ビア導体に電気的に接続されるように第２の導体層を形成することを含む。

　上記の製造方法においては、金属支持体を形成する際に、ビアホールの内周面に接触しないように、ビアホール内に、金属板の一部で構成されたビア導体が形成される。この場合、ビアホール内のビア導体が金属板の一部で構成されるので、めっき等によりビアホール内にビア導体を形成する必要がなくなる。したがって、ビアホール内のビア導体の形成が容易である。また、ビア導体にボイド等の欠陥が発生することを防止することができる。これらの結果、製造が容易でかつ電気的導通の信頼性が向上された配線回路基板が実現される。

　（１３）絶縁被覆層を形成する工程は、金属支持体に接触するように絶縁被覆層を形成することを含み、金属板を用意する工程は、金属支持体に対する絶縁被覆層の密着性を向上させる成分を含む金属板を金属板として用意することを含んでもよい。

　（１４）配線回路基板の製造方法は、絶縁被覆層の形成前に、金属支持体の第１の面および第２の面のうち予め定められた絶縁領域を覆うとともにビアホールの内周面を覆うように、かつ金属支持体に接触するように密着性強化層を形成する工程をさらに含み、絶縁被覆層を形成する工程は、密着性強化層に接触するように、密着性強化層上に絶縁被覆層を形成することを含み、密着性強化層は、金属支持体に対する絶縁被覆層の密着性を向上させる成分を含んでもよい。

　（１５）絶縁被覆層を形成する工程は、金属支持体の第１の面を覆う第１の面被覆部を形成することを含み、第１の導体層を形成する工程は、平面視でビア導体に重なる第１の接続導体部と、平面視でビア導体に重ならない第２の接続導体部とを形成することを含み、第１の接続導体部は、ビア導体に直接接触しかつビア導体から第１の面が向く方向に連続して延び、第１の接続導体部の先端部は、第１の面上に配置される電子部品の一の端子と電気的に接続可能に構成され、第２の接続導体部は、第１の面被覆部の一部分を介して金属支持体の第１の面上に形成されかつ第１の面被覆部の一部分から第１の面が向く方向に連続して延び、第２の接続導体部の先端部は、第１の面上に配置される電子部品の他の端子と電気的に接続可能に構成され、第１の面が向く方向において、第１の接続導体部の先端部と第２の接続導体部の先端部との間の距離は、１５μｍ以下であってもよい。

　上記の製造方法により作成された配線回路基板においては、金属支持体の第１の面上に位置するように、配線回路基板上に電子部品を実装することができる。その実装時には、第１の接続導体部の先端部に電子部品の一の端子が接続され、第２の接続導体部の先端部に電子部品の他の端子が接続される。

　本発明によれば、製造コストが低減されかつ電気的導通の信頼性が向上された配線回路基板が実現される。

図１は本発明の一実施の形態に係る再配線基板の構成を示す模式的断面図である。図２は図１の再配線基板の模式的平面図である。図３は図１の再配線基板の模式的底面図である。図４は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図５は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図６は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図７は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図８は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図９は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図１０は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図１１は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図１２は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図１３は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図１４は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図１５は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図１６は図１の再配線基板の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図１７は図１の再配線基板の製造方法の第２の例を説明するための模式的断面図である。図１８は図１の再配線基板の製造方法の第２の例を説明するための模式的断面図である。図１９は図１の再配線基板の製造方法の第２の例を説明するための模式的断面図である。図２０は図１の再配線基板の製造方法の第２の例を説明するための模式的断面図である。図２１は図１の再配線基板の製造方法の第２の例を説明するための模式的断面図である。図２２は図１の再配線基板の製造方法の第２の例を説明するための模式的断面図である。図２３は図１の再配線基板の製造方法の第２の例を説明するための模式的断面図である。図２４は複数の端子部の高さ位置のばらつきの低減を考慮した再配線基板の第１の構成例を示す模式的断面図である。図２５は図２４の第１の端子部、第１の接続導体部、第２の端子部、第２の接続導体部、金属支持体およびビア導体の位置関係を示す平面図である。図２６は図２４の再配線基板に半導体素子を実装する際の一例を示す図である。図２７は図２４の再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図２８は図２４の再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図２９は図２４の再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図３０は図２４の再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図３１は図２４の再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図３２は図２４の再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図３３は図２４の再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図３４は図２４の再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図３５は複数の端子部の高さ位置のばらつきの低減を考慮した再配線基板の第２の構成例を示す模式的断面図である。図３６は複数の端子部の高さ位置のばらつきの低減を考慮した再配線基板の第３の構成例を示す模式的断面図である。図３７は複数の端子部の高さ位置のばらつきの低減を考慮した再配線基板の第４の構成例を示す模式的断面図である。図３８は密着性強化層を備える再配線基板の模式的断面図である。

　以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しつつ説明する。配線回路基板の一例として、再配線基板を説明する。再配線基板は、例えば半導体素子等の電子部品とリジッドプリント配線回路基板（以下、リジッド基板と略記する。）等の他の配線回路基板との間に配置され、電子部品の微細パターンと他の配線回路基板の粗パターンとのピッチを変換する役割を担う。再配線基板は、インターポーザ基板とも呼ばれる。

　１．再配線基板の基本構成
　図１は、本発明の一実施の形態に係る再配線基板の構成を示す模式的断面図である。図２は、図１の再配線基板１００の模式的平面図である。図３は、図１の再配線基板１００の模式的底面図である。図１は、図２および図３のＡ－Ａ線断面を表す。図１に示すように、再配線基板１００は、主として金属支持体１０、絶縁層２０，３０および導体層５０，６０から構成され、６０μｍ以上５００μｍ以下の厚みを有する。また、再配線基板１００は、半導体素子７００とリジッド基板８００との間に配置される。半導体素子７００は複数の電極パッド７１を有し、リジッド基板８００は複数の電極パッド８１を有する。図１～図３では、半導体素子７００が一点鎖線で示され、リジッド基板８００が二点鎖線で示される。

　図１の再配線基板１００においては、金属支持体１０は、例えば、銅、アルミニウム、鉄、ニッケル、クロム、チタンおよびモリブデンからなる群より選択された１種もしくは複数種の元素を含む金属または合金により形成される。本実施の形態では、金属支持体１０は、ステンレスにより板状に形成される。金属支持体１０のうち半導体素子７００を向く面（図１において上方を向く面）を上面１０ａと呼び、金属支持体１０のうちリジッド基板８００を向く面（図１において下方を向く面）を下面１０ｂと呼ぶ。本実施の形態に係る上面１０ａおよび下面１０ｂは、互いに平行でかつ金属支持体１０の厚み方向に直交しかつ平坦である。また、以下の説明では、金属支持体１０の上面１０ａが向く方向を再配線基板１００の上方とし、金属支持体１０の下面１０ｂが向く方向を再配線基板１００の下方とする。

　上記の例に限らず、金属支持体１０としては、４２アロイまたはインバー合金等が用いられてもよい。金属支持体１０にインバー合金が用いられる場合、インバー合金中のニッケル（Ｎｉ）組成の変化に対応して、金属支持体１０の線膨張係数を調整することが可能になる。この場合、再配線基板１００を構成する各層に反りが発生することを抑制することが可能になる。

　本実施の形態に係る金属支持体１０は、絶縁層２０，３０の熱伝導率に対してより高い熱伝導率を有することが好ましく、例えば１０Ｗ／ｍＫ以上４００Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する。また、金属支持体１０は、１０μｍ以上１００μｍ以下の厚みを有することが好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下の厚みを有することがより好ましい。さらに、金属支持体１０の２５℃から２００℃における線膨張係数は、０μｍ／Ｋ以上２５μｍ／Ｋ以下である。

　また、金属支持体１０には、複数のビアホール１９が形成されている。本例の複数のビアホール１９の各々は、再配線基板１００の厚み方向（再配線基板１００の上下方向）に見た平面視で円形または矩形の開口部を有する。再配線基板１００の厚み方向に直交する各ビアホール１９の開口部の最大寸法は、例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下である。なお、上記の最大寸法とは、例えばビアホール１９の開口部が平面視で円形状を有する場合、ビアホール１９の内径の最大寸法をいう。また、例えばビアホール１９の開口部が平面視で矩形状を有する場合、ビアホール１９の開口部の対角線の最大寸法をいう。

　金属支持体１０の外表面には、被覆層１１が形成されている。より具体的には、金属支持体１０においては、上面１０ａ、下面１０ｂおよび各ビアホール１９の内周面１０ｃの全体を覆うように、被覆層１１が形成されている。被覆層１１は、例えば有機絶縁材料により形成される。被覆層１１の有機絶縁材料は、例えば感光性ポリイミドである。被覆層１１の有機絶縁材料は、例えば感光性ポリイミドである。この場合、被覆層１１は、１μｍ以上１０μｍ以下の厚みを有する。なお、被覆層１１は、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の他の有機絶縁材料により形成されてもよい。また、被覆層１１の材料としては、上記の有機絶縁材料に代えて、無機絶縁材料を用いることもできる。具体的には、被覆層１１の材料としては、炭化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウム等を用いることもできる。これらの無機絶縁材料を用いる場合には、被覆層１１は、後述するように、例えばスパッタリングまたは化学気相成長法等の成膜技術を用いて形成することができる。被覆層１１の材料としてスパッタリングまたは化学気相成長法等の成膜技術を適用可能な材料を選択する場合、被覆層１１の厚みは、感光性ポリイミドを用いる場合の厚み（１μｍ以上１０μｍ以下）に比べてさらに小さくすることができる。

　金属支持体１０の上面１０ａ上には、所定パターンを有する第１の絶縁層２１および第２の絶縁層２２がこの順で積層されている。第１の絶縁層２１および第２の絶縁層２２により絶縁層２０が形成されている。また、金属支持体１０の下面１０ｂ上には、所定パターンを有する第３の絶縁層３１および第４の絶縁層３２がこの順で積層されている。第３の絶縁層３１および第４の絶縁層３２により絶縁層３０が形成されている。

　絶縁層２０，３０は、例えば、感光性ポリイミドにより形成される。なお、絶縁層２０，３０は、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の他の樹脂により形成されてもよい。

　金属支持体１０の各ビアホール１９内には、被覆層１１を介してビア導体４１が設けられている。本実施の形態においては、ビア導体４１は、金属支持体１０と同じ金属からなる。金属支持体１０の上面１０ａ上には、第１の絶縁層２１に加えて第１の導体層５１が形成されている。具体的には、金属支持体１０の上面１０ａ上には、第１の絶縁層２１の非形成領域（第１の絶縁層２１のパターンとは逆パターンの領域）に、被覆層１１を介して第１の導体層５１が形成されている。第１の導体層５１の一部はビア導体４１に電気的に接続されている。本例の複数のビア導体４１の各々は、再配線基板１００の厚み方向に見た平面視で、例えば当該ビア導体４１が設けられたビアホール１９の開口部と相似形を有する。再配線基板１００の厚み方向に直交する各ビア導体４１の最大寸法は、例えば５μｍ以上２００μｍ以下である。

　また、第１の絶縁層２１および第１の導体層５１上には、第２の絶縁層２２の非形成領域（第２の絶縁層２２のパターンとは逆パターンの領域）に、第２の導体層５２が形成されている。第２の導体層５２の一部は、第１の導体層５１に電気的に接続されている。第１の導体層５１および第２の導体層５２により導体層５０が形成されている。

　第２の導体層５２には、第２の絶縁層２２の非形成領域において上方に露出する複数の端子部Ｔ１が形成されている。これらの端子部Ｔ１には、半導体素子７００の複数の電極パッド７１が半田Ｓを介して接続される。そのため、複数の端子部Ｔ１の数および配置は、半導体素子７００の複数の電極パッド７１の数および配置に対応するように定められている。

　金属支持体１０の下面１０ｂ上には、第３の絶縁層３１に加えて第３の導体層６１が形成されている。具体的には、金属支持体１０の下面１０ｂ上には、第３の絶縁層３１の非形成領域（第３の絶縁層３１のパターンとは逆パターンの領域）に、被覆層１１を介して第３の導体層６１が形成されている。第３の導体層６１の一部はビア導体４１に電気的に接続されている。

　また、第３の絶縁層３１および第３の導体層６１上には、第４の絶縁層３２の非形成領域（第４の絶縁層３２のパターンとは逆パターンの領域）に、第４の導体層６２が形成されている。第４の導体層６２の一部は、第３の導体層６１に電気的に接続されている。第３の導体層６１および第４の導体層６２により導体層６０が形成されている。

　第４の導体層６２には、第４の絶縁層３２の非形成領域において下方に露出する複数の端子部Ｔ２が形成されている。これらの端子部Ｔ２には、リジッド基板８００の複数の電極パッド８１が半田Ｓを介して接続される。そのため、複数の端子部Ｔ２の数および配置は、リジッド基板８００の複数の電極パッド８１の数および配置に対応するように定められている。

　上記の導体層５０，６０は、銅により形成される。なお、導体層５０，６０は、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステンおよびルテニウム等のうち１種または複数種を含む金属または合金により形成されてもよい。

　また、上記の複数の端子部Ｔ１，Ｔ２の各々は、ニッケル膜および金めっき膜の積層構造を有する。詳細には、各端子部Ｔ１は、第２の導体層５２の上端部の表面上にニッケル膜および金めっき膜がこの順で形成された構成を有する。また、各端子部Ｔ２は、第４の導体層６２の下端部の表面上にニッケル膜および金めっき膜がこの順で形成された構成を有する。なお、各端子部Ｔ１，Ｔ２は、ニッケル膜を有さず、金めっき膜のみで構成されてもよい。金めっき膜により各端子部Ｔ１，Ｔ２の耐腐食性が確保される。あるいは、各端子部Ｔ１は、導体層５０（第２の導体層５２）自体で構成されてもよいし、第２の導体層５２の上端部の表面に防錆処理が施された構成を有してもよい。また、各端子部Ｔ２は、導体層６０（第４の導体層６２）自体で構成されてもよいし、第４の導体層６２の下端部の表面に防錆処理が施された構成を有してもよい。

　上記の再配線基板１００においては、再配線基板１００の上面に形成される複数の端子部Ｔ１の各々が、複数のビア導体４１および導体層５０，６０を通して再配線基板１００の下面に形成される複数の端子部Ｔ２のいずれかと電気的に接続されている。また、再配線基板１００の複数の端子部Ｔ１に半導体素子７００の複数の電極パッド７１がそれぞれ接続され、再配線基板１００の複数の端子部Ｔ２にリジッド基板８００の複数の電極パッド８１がそれぞれ接続される。それにより、半導体素子７００の複数の電極パッド７１とリジッド基板８００の複数の電極パッド８１とが、再配線基板１００を介して電気的に接続される。

　なお、図２および図３に示すように、本実施の形態では、再配線基板１００の上面に位置する複数の端子部Ｔ１の数と、再配線基板１００の下面に位置する複数の端子部Ｔ２の数とは一致するが、本発明はこれに限定されない。再配線基板１００の上面に位置する複数の端子部Ｔ１の数と、再配線基板１００の下面に位置する複数の端子部Ｔ２の数とは一致しなくてもよい。

　２．再配線基板１００の製造方法
　（１）再配線基板１００の製造方法の第１の例
　図４～図１６は、図１の再配線基板１００の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。図４～図１６に示される模式的断面図は、図１の模式的断面図に対応する。なお、図４～図１６のうち図７、図９および図１０には、模式的断面図に加えて、吹き出し内に対象物（再配線基板１００の中間体）の一部拡大平面図が示される。本例の再配線基板１００は、ロール・ツー・ロール方式により製造される。

　まず、ステンレス製の長尺状の金属板９０が巻回されたロール（以下、繰り出しロールと呼ぶ。）が用意される。用意された繰り出しロールから金属板９０が繰り出される。繰り出しロールから繰り出された金属板９０は、他のロールに巻き取られる。図４では、繰り出しロールから繰り出された金属板９０の一部の断面が示される。金属板９０は、上記の金属支持体１０を形成するための部材であり、上面１０ａおよび下面１０ｂを有する。ロール・ツー・ロール方式によれば、長尺状の金属板９０が長手方向に移動しつつ金属板９０の各領域に順次以下の処理が行われる。

　まず、図５に示すように、金属板９０の下面１０ｂ上にキャリアフィルムＣＦ０が貼り付けられる。さらに、図６に示すように、金属板９０の上面１０ａ上に感光性ドライフィルムレジスト２９ａが貼り付けられる。その後、感光性ドライフィルムレジスト２９ａを所定パターンで露光し、現像処理を行うことにより、図７に示すように、金属板９０の上面１０ａ上にエッチングレジスト２９ｂが形成される。

　本例のエッチングレジスト２９ｂは、図７の吹き出し内に示すように、金属板９０の厚み方向に見た平面視において、金属板９０の複数の部分をそれぞれ取り囲む円環状の複数の開口部２９ｘを有する。これにより、エッチングレジスト２９ｂの複数の開口部２９ｘにそれぞれ重なる金属板９０の上面１０ａの複数の部分は、上方に向かって露出している。なお、エッチングレジスト２９ｂの複数の開口部２９ｘの各々は、図１のビアホール１９を形成するための開口部である。

　次に、図８に示すように、エッチングレジスト２９ｂの複数の開口部２９ｘを通して露出する金属板９０の複数の部分がエッチングされる。また、図９に示すように、金属板９０の上面１０ａからエッチングレジスト２９ｂが剥離される。このようにして、金属板９０に複数のビアホール１９が形成されることにより、金属支持体１０が形成される。このとき、図９の吹き出し内に示すように、ビアホール１９内部には、金属板９０の一部が、ビアホール１９の内周面１０ｃに接触しないように、ビア導体４１として島状に形成される。

　次に、図１０に示すように、ビア導体４１の上面を除いて、露出する金属支持体１０の上面１０ａおよび内周面１０ｃに感光性ポリイミドからなる被覆層１１が形成される。被覆層１１の形成は、具体的には、次のように行われる。

　まず、金属支持体１０の上面１０ａ上に感光性ポリイミドの前駆体が塗布される。また、金属支持体１０の各ビアホール１９の内部において、ビアホール１９の内周面１０ｃとビア導体４１の外周面との間の領域に感光性ポリイミドの前駆体が充填される。その後、塗布された感光性ポリイミドの前駆体が、露光および現像されることにより、ビア導体４１の上面の部分を除いて被覆層１１が形成される。形成された被覆層１１は硬化処理される。

　なお、被覆層１１の材料として炭化ケイ素、二酸化ケイ素または窒化アルミニウムが用いられる場合、被覆層１１は、例えばスパッタリングにより形成される。あるいは、被覆層１１の材料として炭化ケイ素または酸化アルミニウムが用いられる場合、被覆層１１は、例えば化学気相成長法により形成される。

　次に、図１１に示すように、金属支持体１０の下面１０ｂからキャリアフィルムＣＦ０が剥離される。その後、図１２に示すように、ビア導体４１の下面の部分を除いて、露出する金属支持体１０の下面１０ｂに感光性ポリイミドからなる被覆層１１が形成される。金属支持体１０の下面１０ｂに対する被覆層１１の形成は、金属支持体１０の上面１０ａに対する被覆層１１の形成と同じ方法で行われる。形成された被覆層１１は硬化処理される。

　次に、図１３に示すように、複数のビア導体４１の上面および金属支持体１０の上面１０ａにおける所定領域に銅からなる第１の導体層５１が形成される。さらに、複数のビア導体４１の下面および金属支持体１０の下面１０ｂにおける所定領域に銅からなる第３の導体層６１が形成される。上記の第１の導体層５１および第３の導体層６１の形成は、具体的には、次のように行われる。

　まず、金属支持体１０の上面１０ａ、金属支持体１０の下面１０ｂ、ビア導体４１の上面およびビア導体４１の下面に、スパッタリングまたは無電解めっきにより、例えばクロム薄膜および銅薄膜からなるシード層が形成される。次に、上記のエッチングレジスト２９ｂの例と同様に、シード層上に所定パターンのめっきレジストが形成される。次に、めっきレジストの開口部を通して露出するシード層上に、電解めっきにより第１の導体層５１および第３の導体層６１の一部が形成される。このとき、第１の導体層５１は、複数のビア導体４１と電気的に接続される。また、第３の導体層６１は、複数のビア導体４１と電気的に接続される。ここで形成される第１の導体層５１および第３の導体層６１の部分は、配線部分として用いられる。

　第１の導体層５１および第３の導体層６１は、上記の配線部分に加えてビア部分を含む。そのため、第１の導体層５１および第３の導体層６１の配線部分の形成後には、さらにめっきレジストを用いた電解めっきにより第１の導体層５１および第３の導体層６１のビア部分が形成される。

　その後、めっきレジストが剥離され、露出するシード層の部分（第１の導体層５１および第３の導体層６１が形成されていない部分）がエッチングにより除去される。さらに、第１の導体層５１および第３の導体層６１の外表面に、銅の拡散を抑制するためのバリア層が形成される。バリア層は、例えばニッケル薄膜からなる。なお、図１３では、シード層およびバリア層の図示は省略されている。

　第１の導体層５１および第３の導体層６１の形成後、図１４に示すように、金属支持体１０の上面１０ａのうち第１の導体層５１が形成されていない領域に感光性ポリイミドからなる第１の絶縁層２１が形成される。第１の導体層５１の配線部分の領域にも第１の絶縁層２１が形成される。それにより、第１の導体層５１の配線部分が第１の絶縁層２１により覆われ、第１の導体層５１のビア部分（配線部分以外の部分）が露出する。

　また、金属支持体１０の下面１０ｂのうち第３の導体層６１が形成されていない領域に感光性ポリイミドからなる第３の絶縁層３１が形成される。第３の導体層６１の配線部分の領域にも第３の絶縁層３１が形成される。それにより、第３の導体層６１の配線部分が第３の絶縁層３１により覆われ、第３の導体層６１のビア部分（配線部分以外の部分）が露出する。

　第１の絶縁層２１および第３の絶縁層３１は、金属支持体１０の上面１０ａおよび下面１０ｂに感光性ポリイミドの前駆体を塗布し、その前駆体が露光および現像されることにより形成される。また、形成された第１の絶縁層２１および第３の絶縁層３１は硬化処理される。

　次に、第１の導体層５１の上面のうち、予め定められた領域に存在するバリア層が除去される。また、第３の導体層６１の上面のうち、予め定められた領域に存在するバリア層が除去される。

　その後、図１５に示すように、バリア層が除去された第１の導体層５１の上面および第１の絶縁層２１の上面における所定領域に、第２の導体層５２が形成される。また、バリア層が除去された第３の導体層６１の下面および第３の絶縁層３１の下面における所定領域に、第４の導体層６２が形成される。第２の導体層５２および第４の導体層６２の各々は、第１の導体層５１および第３の導体層６１と同様に、配線部分およびビア部分を有する。そのため、第２の導体層５２および第４の導体層６２の形成は、基本的に、第１の導体層５１および第３の導体層６１の形成と同じ手順で行われる。

　次に、図１６に示すように、第１の絶縁層２１および第１の導体層５１の上面のうち第２の導体層５２が形成されていない領域に感光性ポリイミドからなる第２の絶縁層２２が形成される。第２の導体層５２の配線部分の領域にも第２の絶縁層２２が形成される。それにより、第２の導体層５２の配線部分が第２の絶縁層２２により覆われ、第２の導体層５２のビア部分（配線部分以外の部分）が露出する。

　また、第３の絶縁層３１および第３の導体層６１の下面のうち第４の導体層６２が形成されていない領域に感光性ポリイミドからなる第４の絶縁層３２が形成される。第４の導体層６２の配線部分の領域にも第４の絶縁層３２が形成される。それにより、第４の導体層６２の配線部分が第４の絶縁層３２により覆われ、第４の導体層６２のビア部分（配線部分以外の部分）が露出する。

　第２の絶縁層２２および第４の絶縁層３２の形成は、基本的に、第１の絶縁層２１および第３の絶縁層３１の形成と同じ手順で行われる。

　最後に、第２の導体層５２のうち上方に露出する複数の部分に形成されたバリア層が除去されるとともに、バリア層が除去された第２の導体層５２の複数の部分に端子部Ｔ１（図１）が形成される。また、第４の導体層６２のうち下方に露出する複数の部分に形成されたバリア層が除去されるとともに、バリア層が除去された第４の導体層６２の複数の部分に端子部Ｔ２（図１）が形成される。上記のように、端子部Ｔ１，Ｔ２は、例えばニッケル膜および金めっき膜の積層構造を有する。なお、端子部Ｔ１，Ｔ２は、金めっき膜のみで形成されてもよい。これにより、再配線基板１００が完成する。

　上記の再配線基板１００の製造方法においては、初期の工程で金属板９０に貼り付けられるキャリアフィルムＣＦ０が感光性ポリイミド等の感光性材料で構成されてもよい。この場合、例えば図１０に示すように、金属支持体１０の上面１０ａに被覆層１１を形成した後、キャリアフィルムＣＦ０を露光および現像することにより、金属支持体１０の下面１０ｂに被覆層１１を形成することができる。したがって、キャリアフィルムＣＦ０を剥離する必要がなくなる。また、金属支持体１０の下面１０ｂに、被覆層１１を形成するための感光性ポリイミドの前駆体を塗布する必要がなくなる。それにより、再配線基板１００の製造工程の数が低減される。

　（２）再配線基板１００の製造方法の第２の例
　図１７～図２３は、図１の再配線基板１００の製造方法の第２の例を説明するための模式的断面図である。図１７～図２３に示される模式的断面図は、図４～図１６の模式的断面図と同様に、図１の模式的断面図に対応する。なお、図１７～図２３のうち図１８、図２０、図２１、図２２および図２３には、模式的断面図に加えて、吹き出し内に対象物（再配線基板１００の中間体）の一部拡大平面図が示される。以下、再配線基板１００の製造方法の第２の例について、主として再配線基板１００の製造方法の第１の例と異なる点を説明する。

　本例の再配線基板１００は、第１の例と同様に、ロール・ツー・ロール方式により製造される。したがって、本例においても、最初に、ステンレス製の長尺状の金属板９０が巻回された繰り出しロールが用意される。用意された繰り出しロールから金属板９０が繰り出され、繰り出された金属板９０が他のロールに巻き取られる。繰り出しロールから他のロールに移動する金属板９０の各領域に順次以下の処理が行われる。

　まず、金属板９０の下面１０ｂに図５のキャリアフィルムＣＦ０に相当する部材が貼り付けられない状態で、図１７に示すように、金属板９０の上面１０ａ上に感光性ドライフィルムレジスト２９ａが貼り付けられる。その後、感光性ドライフィルムレジスト２９ａを所定パターンで露光し、現像処理を行うことにより、図１８に示すように、金属板９０の上面１０ａ上にエッチングレジスト２９ｂが形成される。

　本例のエッチングレジスト２９ｂは、図１８の吹き出し内に示すように、金属板９０の厚み方向に見た平面視において、円弧状の複数の開口部２９ｙを有する。これにより、エッチングレジスト２９ｂの複数の開口部２９ｙにそれぞれ重なる金属板９０の上面１０ａの複数の部分は、上方に向かって露出している。なお、複数の開口部２９ｙの各々は、図１のビアホール１９を形成するための開口部である。また、本例の複数の開口部２９ｙの各々の形状は、平面視で円環状に近い。

　次に、図１９に示すように、エッチングレジスト２９ｂの複数の開口部２９ｙを通して露出する金属板９０の複数の部分がエッチングされる。その後、図２０に示すように、金属板９０の上面１０ａからエッチングレジスト２９ｂが剥離される。

　このとき、図２０の吹き出し内に示すように、金属板９０には、円弧状の複数の開口部１０ｙが形成される。これにより、金属板９０における各開口部１０ｙの形成領域には、導体形成部１０ｉおよび連結部１０ｊが形成される。連結部１０ｊは、平面視で円弧状に延びる開口部１０ｙの一端部と他端部との間に位置する部分である。また、導体形成部１０ｉは、平面視で開口部１０ｙおよび連結部１０ｊにより取り囲まれる部分である。図２０および後述する図２１では、導体形成部１０ｉおよび連結部１０ｊが一点鎖線で示される。

　上記の導体形成部１０ｉは、最終的には金属板９０の他の部分から分離されることによりビア導体４１として用いられることになる。しかしながら、図２０の工程においては、連結部１０ｊは、金属板９０の他の部分と一体的に形成されている。それにより、複数の導体形成部１０ｉを含む金属板９０は、キャリアフィルムＣＦ０を用いることなく、単独でロール・ツー・ロール方式による搬送が可能となっている。

　次に、図２１に示すように、金属板９０の複数の導体形成部１０ｉの上面および下面を除いて、露出する金属板９０の上面１０ａおよび下面１０ｂに感光性ポリイミドからなる被覆層１１が形成される。また、金属板９０の複数の開口部１０ｙ内に被覆層１１が形成される。

　具体的には、金属板９０の上面１０ａおよび下面１０ｂ上に感光性ポリイミドの前駆体が塗布される。また、金属板９０の各開口部１０ｙの内部に感光性ポリイミドの前駆体が充填される。その後、塗布された感光性ポリイミドの前駆体が、露光および現像されることにより、導体形成部１０ｉの上面および下面の部分を除いて金属板９０の表面全体に被覆層１１が形成される。形成された被覆層１１は硬化処理される。

　次に、図２２に示すように、金属板９０の複数の連結部１０ｊが除去される。複数の連結部１０ｊは、レーザ加工技術を用いて連結部１０ｊを含む金属板９０の部分に貫通孔Ｈ１を形成することにより除去することができる。このようにして、金属板９０に開口部１０ｙおよび貫通孔Ｈ１からなる複数のビアホール１９が形成される。それにより、金属板９０が金属支持体１０として形成される。なお、複数の連結部１０ｊを除去するための貫通孔Ｈ１の形成は、例えばドリル加工技術またはパンチング加工技術を用いて行われてもよい。

　次に、図２３に示すように、複数の連結部１０ｊを除去するために形成された複数の貫通孔Ｈ１の内部に、絶縁性材料ＭＩが埋め込まれる。絶縁性材料ＭＩとしては、炭化ケイ素、二酸化ケイ素または窒化アルミニウム等の絶縁性フィラーが用いられる。この場合、各導体形成部１０ｉがビアホール１９の内周面１０ｃに対して、被覆層１１および絶縁性材料ＭＩにより電気的に分離される。それにより、各導体形成部１０ｉは、当該導体形成部１０ｉが収容された各ビアホール１９内でビア導体４１として用いることが可能になる。

　その後、図２３に示される金属支持体１０の上方に、再配線基板１００の製造方法の第１の例と同様の手順で、導体層５０および絶縁層２０が形成される。また、図２３に示される金属支持体１０の下方に、再配線基板１００の製造方法の第１の例と同様の手順で、導体層６０および絶縁層３０が形成される。

　なお、再配線基板１００の製造方法の第２の例においては、導体層５０の形成時に、第１の導体層５１の少なくとも一部は、上方に露出する複数のビア導体４１の上面に電気的に接続するように形成される。また、第３の導体層６１の少なくとも一部は、下方に露出する複数のビア導体４１の下面に電気的に接続するように形成される。

　再配線基板１００の製造方法の第２の例では、金属支持体１０とビア導体４１とを電気的に分離するために、被覆層１１に加えて絶縁性材料ＭＩが用いられる。そのため、第２の例に従って作製される再配線基板１００の構成によれば、図１の断面図には、金属支持体１０のビアホール１９内に絶縁性材料ＭＩが追加されることになる。

　３．効果
　（１）上記の再配線基板１００の製造方法の第１および第２の例においては、ビアホール１９の内周面１０ｃに接触しないように、ビアホール１９内に金属板９０の一部からなるビア導体４１が形成される。この場合、金属支持体１０の形成後に、導体層５０，６０を互いに電気的に接続するためのビア導体４１を形成する工程を別途設ける必要がなくなる。また、ビアホール１９内のビア導体４１が金属板９０の一部で構成されるので、めっき等によりビアホール１９内にビア導体４１を形成する必要がなくなる。したがって、ビアホール１９内のビア導体４１の形成が容易である。また、ビア導体４１にボイド等の欠陥が発生することを防止することができる。これらの結果、製造が容易でかつ電気的導通の信頼性が向上された再配線基板１００が実現される。

　（２）上記のように、金属支持体１０の表面を覆う被覆層１１の材料としては、例えば感光性ポリイミドが用いられる。この場合、フォトリソグラフィ技術を用いることにより、金属支持体１０の表面の所望の領域に被覆層１１を容易に形成することができる。

　したがって、上記の例では、被覆層１１は金属支持体１０の表面のほぼ全体に渡って形成されているが、被覆層１１は金属支持体１０の表面の一部に選択的に形成されてもよい。例えば、被覆層１１は、金属支持体１０のビアホール１９の内周面１０ｃ、金属支持体１０の上面１０ａのうち第１の導体層５１の形成領域および金属支持体１０の下面１０ｂのうち第３の導体層６１の形成領域のみに形成されてもよい。

　（３）上記のように、金属支持体１０の２５℃から２００℃における線膨張係数は、０μｍ／Ｋ以上２５μｍ／Ｋ以下である。この場合、再配線基板１００の温度の変化に伴って金属支持体１０が大きく変形することが防止される。それにより、再配線基板１００の信頼性が向上する。

　（４）金属支持体１０は、当該金属支持体１０と被覆層１１との間の密着性を向上させる成分を含むことが好ましい。この場合、被覆層１１が金属支持体１０の表面から剥がれることが抑制される。それにより、金属支持体１０とビア導体４１および導体層５０，６０との間の絶縁性が確保されるので、再配線基板１００の信頼性が向上する。金属支持体１０と被覆層１１との間の密着性を向上させる成分としては、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、チタンおよびモリブデン等が挙げられる。

　４．複数の端子部間の高さ位置のばらつきを考慮した構成
　以下の説明では、再配線基板１００の厚み方向（再配線基板１００の上下方向）における再配線基板１００の各部分の位置を、適宜、当該部分の高さ位置と呼ぶ。

　＜１＞複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつき
　上記のように再配線基板１００上には、半導体素子７００が実装される。半導体素子７００は、複数の端子として複数の電極パッド７１を備える。それらの複数の電極パッド７１は、基本的に複数の電極パッド７１の先端部（再配線基板１００に対する電気的接続部）が一の平面上に位置するように形成されている。

　そのため、再配線基板１００の厚み方向において、再配線基板１００の上方に露出する複数の端子部Ｔ１の位置（高さ位置）に大きいばらつきがあると、当該再配線基板１００に対する半導体素子７００の実装の信頼性が低下する。

　例えば、複数の端子部Ｔ１の高さ位置に大きいばらつきがあると、再配線基板１００が意図しない姿勢で再配線基板１００に実装される可能性がある。あるいは、半導体素子７００の実装時に、半導体素子７００の複数の電極パッド７１を再配線基板１００の複数の端子部Ｔ１に電気的に接続することが困難になる可能性がある。

　ところで、半導体素子７００の各電極パッド７１の先端部は、例えば直径３０μｍ程度の円形の露出面を有する。再配線基板１００に対する半導体素子７００の実装時において、各電極パッド７１の先端部の露出面には予め半球状の半田Ｓが設けられる。そのため、各電極パッド７１に設けられる半田Ｓは、当該電極パッド７１の先端部から約１５μｍ分突出する。したがって、再配線基板１００は、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきが少なくとも１５μｍ以下となるように形成される必要がある。

　ただし、再配線基板１００に対する半導体素子７００の実装の信頼性を考慮すると、再配線基板１００は、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきが１０μｍ以下となるように形成されることが好ましい。また、再配線基板１００は、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきが５μｍ以下となるように形成されることがより好ましく、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきが２μｍ以下となるように形成されることがさらに好ましい。

　＜２＞複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきの発生要因
　複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきの発生要因について検討する。平面視でビア導体４１に重なる１または複数の端子部Ｔ１は、例えば、金属支持体１０の上面１０ａと同じ高さ位置にあるビア導体４１の上面上に、導体層５０を直接形成することにより形成される。一方、平面視でビア導体４１に重ならない１または複数の端子部Ｔ１は、ビア導体４１を除く金属支持体１０の上面１０ａ上に、被覆層１１を介して導体層５０を形成することにより形成される。

　そのため、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきは、主として平面視でビア導体４１に重なる１または複数の端子部Ｔ１と、平面視でビア導体４１に重ならない１または複数の端子部Ｔ１との間で発生する。この点を考慮して、再配線基板１００は、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきが少なくとも１５μｍ以下となるように、以下に説明する構成（第１～第４の構成例）を有してもよい。なお、以下に説明する第１～第４の構成例において、複数の端子部Ｔ１の各々は、導体層５０自体で形成されるものとする。

　＜３＞複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきの低減を考慮した第１の構成例
　図２４は、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきの低減を考慮した再配線基板１００の第１の構成例を示す模式的断面図である。図２４では、第１の構成例に係る再配線基板１００の一部が拡大して示される。

　図２４の再配線基板１００は、ビアホール１９が形成された金属支持体１０を有する。図２４では、ビアホール１９が太い点線の枠により示される。金属支持体１０のビアホール１９内には、金属支持体１０と同じ金属からなるビア導体４１が形成されている。

　金属支持体１０の上面１０ａおよび下面１０ｂを覆うとともに、金属支持体１０のビアホール１９の内周面１０ｃを覆うように被覆層１１が形成されている。本例では、被覆層１１のうち金属支持体１０の上面１０ａを覆う部分を上面被覆部１１ａと呼ぶ。また、被覆層１１のうち金属支持体１０の下面１０ｂを覆う部分を下面被覆部１１ｂと呼ぶ。さらに、被覆層１１のうち金属支持体１０の内周面１０ｃを覆う部分をホール内被覆部１１ｃと呼ぶ。ホール内被覆部１１ｃは、平面視でビアホール１９の内部に位置し、ビア導体４１を取り囲む。

　被覆層１１の上面被覆部１１ａ上には、所定のパターンを有する複数の導体層５０が形成されている。また、各導体層５０の一部を覆うように絶縁層２０が形成されている。被覆層１１の下面被覆部１１ｂ上には、所定のパターンを有する複数（本例では２つ）の導体層６３，６４および複数（本例では２つ）の絶縁層３３，３４が積層形成されている。

　第１の構成例において、複数の導体層５０のうち一の導体層５０は、第１の接続導体部５０ａを含む。第１の接続導体部５０ａは、ビア導体４１に接触しかつビア導体４１から再配線基板１００の上方に向かって延びている。すなわち、第１の接続導体部５０ａは、ビア導体４１から金属支持体１０の上面１０ａが向く方向に延びている。第１の接続導体部５０ａの先端部は、端子部Ｔ１を構成する。以下の説明では、第１の接続導体部５０ａの先端部で構成される端子部Ｔ１を、第１の端子部Ｔ１ａと呼ぶ。

　また、複数の導体層５０のうち他の導体層５０は、第２の接続導体部５０ｂを含む。第２の接続導体部５０ｂは、上面被覆部１１ａの一部分を介して金属支持体１０の上面１０ａ上に形成されている。また、第２の接続導体部５０ｂは、上面被覆部１１ａの一部分から再配線基板１００の上方に向かって延びている。すなわち、第２の接続導体部５０ｂは、上面被覆部１１ａの一部分から金属支持体１０の上面１０ａが向く方向に延びている。第２の接続導体部５０ｂの先端部は、端子部Ｔ１を構成する。以下の説明では、第２の接続導体部５０ｂの先端部で構成される端子部Ｔ１を、第２の端子部Ｔ１ｂと呼ぶ。

　図２５は、図２４の第１の端子部Ｔ１ａ、第１の接続導体部５０ａ、第２の端子部Ｔ１ｂ、第２の接続導体部５０ｂ、金属支持体１０およびビア導体４１の位置関係を示す平面図である。なお、図２５の平面図の縮尺は、図２４の模式的断面図の縮尺とは異なる。図２５に示すように、第１の端子部Ｔ１ａおよび第１の接続導体部５０ａは、平面視でビア導体４１に重なる。一方、第２の端子部Ｔ１ｂおよび第２の接続導体部５０ｂは、平面視でビア導体４１に重ならない。

　第１の構成例に係る再配線基板１００においては、図２４に示すように、第１の接続導体部５０ａの上下方向の長さ（厚み）ｄａおよび第２の接続導体部５０ｂの上下方向の長さ（厚み）ｄｂは、ほぼ同じである。そのため、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との差分は、金属支持体１０と第２の接続導体部５０ｂとの間に位置する上面被覆部１１ａの厚みによって定まる。そこで、本例では、上面被覆部１１ａのうち第２の接続導体部５０ｂが形成される部分の厚みが、他の部分の厚みに比べて小さくなるように、上面被覆部１１ａが形成されている。

　図２６は、図２４の再配線基板１００に半導体素子７００を実装する際の一例を示す図である。図２６に示すように、再配線基板１００の上方から半導体素子７００が実装される。このとき、半導体素子７００の複数の電極パッド７１の各々には、上記のように半田Ｓが設けられる。半田Ｓは、電極パッド７１の先端部から所定の長さｓｈ分突出している。

　第１の構成例においては、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との差分ｄｄが、半導体素子７００の複数の電極パッド７１に設けられた半田Ｓの長さｓｈ以下となるように、第２の接続導体部５０ｂに重なる上面被覆部１１ａの部分の厚みが調整される。本例において、複数の電極パッド７１に設けられた半田Ｓの長さｓｈは、１５μｍである。

　このような構成によれば、第１の端子部Ｔ１ａおよび第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置の差分ｄｄが、複数の電極パッド７１に設けられた半田Ｓの長さｓｈ（１５μｍ）よりも大きい場合に比べて、半導体素子７００を再配線基板１００上に構造的に安定して実装することができる。また、再配線基板１００上に半導体素子７００が実装された状態で、当該再配線基板１００と半導体素子７００との電気的導通の信頼性が向上する。

　ここで、半導体素子７００の複数の電極パッド７１に設けられた半田Ｓの長さｓｈが１５μｍである場合、第１の構成例の再配線基板１００における上記の差分ｄｄは１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以下であることがさらに好ましい。これらの場合、再配線基板１００に対する半導体素子７００の実装の信頼性がより向上する。

　図２７～図３４は、図２４の再配線基板１００の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。第１の構成例に係る再配線基板１００は、図４～図１６を用いて説明した再配線基板１００の製造方法の第１の例と同様に、例えばロール・ツー・ロール方式により製造される。

　まず、ステンレス製の長尺状の金属板９０が巻回された繰り出しロールが用意され、用意された繰り出しロールから金属板９０が繰り出される。繰り出された金属板９０は、他のロールに巻き取られる。金属板９０は、図４の金属板９０と同様に、金属支持体１０を形成するための部材であり、上面１０ａおよび下面１０ｂを有する。金属板９０が長手方向に移動しつつ金属板９０の各領域に順次以下の処理が行われる。

　図２７に示すように、金属板９０の下面１０ｂに所定のパターンで下面被覆部１１ｂが形成される。下面被覆部１１ｂは、感光性材料により形成される。この場合、下面被覆部１１ｂを構成する感光性材料の露光を選択的に行うことにより、下面被覆部１１ｂを容易にパターニングすることができる。感光性材料としては、例えば感光性ポリイミドを用いることができる。なお、感光性材料としては、感光性ポリイミドに代えて、他の感光性樹脂（アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の他の感光性樹脂）を用いることもできる。

　次に、図２８に示すように、下方に露出する下面被覆部１１ｂの一面上および下方に露出する金属板９０の部分上に、所定のパターンで複数の導体層６３が形成される。また、図２９に示すように、導体層６３の少なくとも一部を覆うように下面被覆部１１ｂ上に所定のパターンで絶縁層３３が形成される。

　さらに、図３０に示すように、下方に露出する絶縁層３３の一面上および下方に露出する導体層６３の部分上に、所定のパターンで複数の導体層６４が形成される。また、図３１に示すように、導体層６４の少なくとも一部を覆うように絶縁層３３上に所定のパターンで絶縁層３４が形成される。

　上記の導体層６３，６４の形成は、図４～図１６を用いて説明した再配線基板１００の製造方法における各導体層（５１，５２，６１，６２）の形成と同じ手順で行われる。また、上記の絶縁層３３，３４の形成は、図４～図１６を用いて説明した再配線基板１００の製造方法における各絶縁層（２１，２２，３１，３２）の形成と同じ手順で行われる。

　次に、図３２に示すように、金属板９０に、円環状の開口部１９ｘが形成される。円環状の開口部１９ｘにより、ビアホール１９が形成されるとともに金属支持体１０が形成される。このビアホール１９は、図４～図１６を用いて説明した再配線基板１００の製造方法におけるビアホール１９の形成（特に図６～図９に対応する説明部分参照）と同様の方法で形成される。これにより、金属板９０の一部が、ビアホール１９の内周面１０ｃに接触しないように、ビア導体４１として島状に形成される。

　次に、図３３に示すように、上方に露出する下面被覆部１１ｂの一面上でビアホール１９の内周面１０ｃを覆うようにホール内被覆部１１ｃが形成される。また、金属支持体１０の上面１０ａ上に所定のパターンで上面被覆部１１ａが形成される。

　上面被覆部１１ａは、下面被覆部１１ｂと同様に、感光性材料により形成される。ここで、図２４の第１の接続導体部５０ａが形成されるべきビア導体４１の上方の位置には、ビア導体４１の上面を露出させるための開口部ｈ１１が形成される。また、図２４の第２の接続導体部５０ｂが形成されるべき上面被覆部１１ａの一部分の位置に、当該一部分の厚みを上面被覆部１１ａの他の部分の厚みよりも局所的に小さくするための開口部ｈ１２が形成される。この開口部ｈ１２は、例えば、諧調露光技術を用いて形成される。開口部ｈ１２が形成された上面被覆部１１ａの部分の厚みは、１μｍ～５μｍであることが好ましく、本例では２μｍである。また、本例では、開口部ｈ１２が形成されていない上面被覆部１１ａの部分の厚みは、１０μｍである。

　ここで、開口部ｈ１２は、平面視したときの開口部ｈ１２の最大寸法の値が平面視したときの設計上の第２の端子部Ｔ１ｂの最大寸法の値よりも１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲で大きくなるように形成することが好ましい。また、開口部ｈ１２は、平面視したときの開口部ｈ１２の最大寸法の値が平面視したときの設計上の第２の端子部Ｔ１ｂの最大寸法の値よりも１５μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きくなるように形成することがより好ましい。例えば、第２の端子部Ｔ１ｂが平面視で直径３０μｍの円形状を有するように設計される場合、開口部ｈ１２は、平面視で直径４０μｍの円形状または平面視で直径５０μｍの円形状を有するように形成されることが好ましい。この場合、再配線基板１００の製造工程で、複数の導体層５０の形成位置にずれが生じる場合でも、その位置ずれが開口部ｈ１２の大きさにより吸収される。

　その後、図３４に示すように、上面被覆部１１ａの露出する上面、および開口部ｈ１１を通して露出するビア導体４１の部分のうち予め定められた複数の領域に、複数の導体層５０が所定のパターンで形成される。

　このとき、ビア導体４１上に形成される導体層５０においては、第１の接続導体部５０ａが形成される。また、上面被覆部１１ａの開口部ｈ１２の底部上に形成される導体層５０においては、第２の接続導体部５０ｂが形成される。第１の接続導体部５０ａおよび第２の接続導体部５０ｂの各々は、例えば再配線基板１００の上下方向に延びる円柱形状を有する。

　複数の第１の接続導体部５０ａの先端部は上記の第１の端子部Ｔ１ａを構成し、複数の第２の接続導体部５０ｂの先端部は上記の第２の端子部Ｔ１ｂを構成する。本例で形成される第１の接続導体部５０ａの上下方向の長さ（厚み）ｄａおよび第２の接続導体部５０ｂの上下方向の長さ（厚み）ｄｂは、同じである（図２４参照）。

　最後に、各導体層５０の一部を覆うように、上面被覆部１１ａ上に所定のパターンで絶縁層２０が形成される。本例の絶縁層２０の形成は、図４～図１６を用いて説明した再配線基板１００の製造方法における各絶縁層（２１，２２，３１，３２）の形成と同じ手順で行われる。これらの結果、図２４の再配線基板１００が完成する。

　上記の図２４の再配線基板１００において、開口部ｈ１２が形成された上面被覆部１１ａの部分の厚みが２μｍであり、開口部ｈ１２が形成されていない上面被覆部１１ａの部分の厚みが１０μｍである場合を想定する。この場合、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との差分ｄｄ（図２６）は８μｍとなる。

　＜４＞複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきの低減を考慮した第２の構成例
　図３５は、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきの低減を考慮した再配線基板１００の第２の構成例を示す模式的断面図である。図３５では、第２の構成例に係る再配線基板１００の一部が拡大して示される。第２の構成例に係る再配線基板１００について、図２４の第１の構成例に係る再配線基板１００と異なる点を説明する。

　図３５に示すように、第２の構成例に係る再配線基板１００においては、被覆層１１のうち上面被覆部１１ａの全体の厚みが、第１の構成例に係る上面被覆部１１ａの最大厚みよりも小さい。具体的には、第２の構成例に係る上面被覆部１１ａは、１５μｍ以下の厚みを有し、１０μｍ以下の厚みを有することが好ましく、５μｍ以下の厚みを有することがより好ましく、２μｍ以下の厚みを有することがさらに好ましい。

　この場合、第１の接続導体部５０ａの上下方向の長さ（厚み）ｄａおよび第２の接続導体部５０ｂの上下方向の長さ（厚み）ｄｂが、同じである場合でも、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との差分ｄｄは、上面被覆部１１ａの厚みである１５μｍ以下となる。

　なお、図３５の例では、下面被覆部１１ｂも、上面被覆部１１ａと同じ程度の厚みを有するように形成されている。

　第２の構成例に係る再配線基板１００は、全体的に厚みが均一になるように上面被覆部１１ａを形成する点を除いて、第１の構成例に係る図２７～図３４の製造方法と基本的に同じ方法で作製することができる。なお、小さい厚みを有する上面被覆部１１ａを感光性ポリイミドで形成する場合には、例えば金属支持体１０の上面１０ａ上に感光性ポリイミドの前駆体を塗布し、ビアホール１９内に感光性ポリイミドの前駆体を充填する。このとき、金属支持体１０の上面１０ａ上に塗布される前駆体の厚みが十分に小さくなるように、前駆体の供給量を調整する。その後、塗布および充填された感光性ポリイミドを露光し、現像することにより、小さい厚みを有する上面被覆部１１ａが形成される。

　第２の構成例に係る上面被覆部１１ａは、感光性ポリイミド等の感光性樹脂に代えて、炭化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウム等の無機絶縁材料により形成されてもよい。この場合、スパッタリングまたは化学気相成長法等の成膜技術を用いて上面被覆部１１ａを形成することができる。

　第１の構成例と同様に、半導体素子７００の複数の電極パッド７１に設けられた半田Ｓの長さｓｈが１５μｍである場合、第２の構成例の再配線基板１００における上記の差分ｄｄは１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以下であることがさらに好ましい。これらの場合、再配線基板１００に対する半導体素子７００の実装の信頼性がより向上する。

　＜５＞複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきの低減を考慮した第３の構成例
　図３６は、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきの低減を考慮した再配線基板１００の第３の構成例を示す模式的断面図である。図３６では、第３の構成例に係る再配線基板１００の一部が拡大して示される。第３の構成例に係る再配線基板１００について、図２４の第１の構成例に係る再配線基板１００と異なる点を説明する。

　図３６に示すように、第３の構成例では、被覆層１１の上面被覆部１１ａに図３３の開口部ｈ１２が形成されていない。すなわち、上面被覆部１１ａに局所的な小さい厚みの部分が形成されていない。

　一方、第３の構成例では、平面視でビア導体４１に重なる第１の接続導体部５０ａの上下方向の長さ（厚み）ｄａが、平面視でビア導体４１に重ならない第２の接続導体部５０ｂの上下方向の長さ（厚み）ｄｂよりも大きい。換言すれば、ビア導体４１に接触する第１の接続導体部５０ａの上下方向の長さ（厚み）ｄａが、上面被覆部１１ａを介して金属支持体１０上に形成された第２の接続導体部５０ｂの上下方向の長さ（厚み）ｄｂよりも大きい。それにより、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との差分ｄｄが１５μｍ以下とされている。図３６の例では、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との差分ｄｄは０である。

　第３の構成例に係る再配線基板１００は、複数の導体層５０の形成方法および上面被覆部１１ａの形成方法を除いて、第１の構成例に係る図２７～図３４の製造方法と基本的に同じ方法で作製することができる。

　本例の上面被覆部１１ａは、全体的に厚みが均一になるように形成される。すなわち、上面被覆部１１ａに局所的な開口部ｈ１２（図３３）は形成されない。

　複数の導体層５０の形成時には、例えば第１の接続導体部５０ａを形成するためのめっき形成工程と、第２の接続導体部５０ｂを形成するためのめっき形成工程とが互いに異なる条件で個別に行われる。各めっき形成工程の条件は、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との差分ｄｄが０かまたは１５μｍ以下となるように調整される。

　第３の構成例に係る複数の導体層５０を形成する場合、第１の接続導体部５０ａに対応するめっき形成工程と第２の接続導体部５０ｂに対応するめっき形成工程とを個別に行う代わりに、以下の方法を採用してもよい。

　例えば、第１の接続導体部５０ａおよび第２の接続導体部５０ｂを含む全ての導体層５０を共通の条件で同時に形成する。この場合、第１の接続導体部５０ａの上下方向の長さ（厚み）ｄａと第２の接続導体部５０ｂの上下方向の長さ（厚み）ｄｂとは、例えば同じ長さに形成される。それにより、複数の導体層５０が形成された時点で、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との間には、基本的に上面被覆部１１ａの厚み分の差分ｄｄが発生する。そこで、全ての導体層５０が形成された後、第２の接続導体部５０ｂの先端部を上面被覆部１１ａの厚み分、研磨または切削により除去する。その結果、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との差分ｄｄが０かまたは１５μｍ以下となるように調整される。

　第１の構成例と同様に、半導体素子７００の複数の電極パッド７１に設けられた半田Ｓの長さｓｈが１５μｍである場合、第３の構成例の再配線基板１００における上記の差分ｄｄは１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以下であることがさらに好ましい。これらの場合、再配線基板１００に対する半導体素子７００の実装の信頼性がより向上する。なお、図３６の例では、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との差分ｄｄが０であるため、差分を示す符号ｄｄの図示が省略されている。

　＜６＞複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきの低減を考慮した第４の構成例
　図３７は、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきの低減を考慮した再配線基板１００の第４の構成例を示す模式的断面図である。図３７では、第４の構成例に係る再配線基板１００の一部が拡大して示される。第４の構成例に係る再配線基板１００について、図３７の第３の構成例に係る再配線基板１００と異なる点を説明する。

　第４の構成例に係る再配線基板１００は、複数の導体層５０の形成方法が異なる点を除いて、第３の構成例に係る再配線基板１００と同じ方法で作製することができる。具体的には、第４の構成例に係る再配線基板１００の作製時には、金属支持体１０上に上面被覆部１１ａが形成された後、各ビア導体４１上に形成された開口部ｈ１１を埋めるようにビアフィルめっきが行われる。それにより、図３７に二点鎖線の枠とともに符号ｖｆで示すように、ビアフィルめっきにより開口部ｈ１１に充填された導体層５０の部分の上端部が上面被覆部１１ａの上面の高さ位置と面一またはほぼ面一となる。

　その後、例えば通常の電解めっきにより、さらに上面被覆部１１ａ上に複数の導体層５０の残りの部分が形成される。それにより、ビア導体４１上に位置する複数の導体層５０と、上面被覆部１１ａ上に位置する複数の導体層５０とが形成される。

　この場合、第１の接続導体部５０ａの上下方向の長さ（厚み）ｄａは、第２の接続導体部５０ｂの上下方向の長さ（厚み）ｄｂよりも、開口部ｈ１１内のビアフィルめっきの厚み分大きい。この構成によれば、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との差分ｄｄが０かまたはほぼ０となる。

　第１の構成例と同様に、半導体素子７００の複数の電極パッド７１に設けられた半田Ｓの長さｓｈが１５μｍである場合、第４の構成例の再配線基板１００における上記の差分ｄｄは１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以下であることがさらに好ましい。これらの場合、再配線基板１００に対する半導体素子７００の実装の信頼性がより向上する。なお、図３７の例では、第１の端子部Ｔ１ａの高さ位置と第２の端子部Ｔ１ｂの高さ位置との差分ｄｄが０であるため、差分を示す符号ｄｄの図示が省略されている。

　＜７＞複数の端子部Ｔ２の高さ位置のばらつきの低減
　上記の第１～第４の構成例においては、再配線基板１００の上部に位置する複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきが低減されている。これに限らず、再配線基板１００は、当該再配線基板１００の下部に位置する複数の端子部Ｔ２（図１）の高さ位置のばらつきを低減するための構成を含んでもよい。

　例えば、金属支持体１０の下面１０ｂ上に積層形成される複数の層に、上記の第１～第４の構成例のいずれかの構成例に係る上面被覆部１１ａ、絶縁層２０および導体層５０に対応する層が形成されてもよい。この場合、複数の端子部Ｔ２の高さ位置のばらつきが１５μｍ以下となることにより、再配線基板１００をリジッド基板８００上に構造的に安定して実装することができる。また、リジッド基板８００上に再配線基板１００が実装された状態で、当該再配線基板１００とリジッド基板８００との電気的導通の信頼性が向上する。

　５．他の実施の形態
　（１）上記実施の形態に係る図１の再配線基板１００においては、金属支持体１０とビア導体４１および導体層５０，６０との間の絶縁性を得るために、金属支持体１０の外表面に被覆層１１が形成される。ここで、金属支持体１０とビア導体４１および導体層５０，６０との間の絶縁の信頼性を向上させるために、金属支持体１０の外表面と被覆層１１との間に、金属支持体１０の外表面と被覆層１１との間の密着性を向上させる密着性強化層が形成されてもよい。

　図３８は、密着性強化層を備える再配線基板１００の模式的断面図である。図３８では、再配線基板１００のうち金属支持体１０の一のビアホール１９およびその周辺部分の断面が拡大して示される。図３８の例では、金属支持体１０の上面１０ａ、下面１０ｂおよび内周面１０ｃと被覆層１１との間に、密着性強化層１２が形成されている。

　密着性強化層１２は、金属支持体１０と被覆層１１との間の密着性を向上させる成分を含み、例えば金属支持体１０の上面１０ａ、下面１０ｂおよび内周面１０ｃに対してスパッタリングまたは化学気相成長法等を用いた成膜処理を行うことにより形成される。あるいは、密着性強化層１２は、金属支持体１０と被覆層１１との間の密着性を向上させる成分を含み、例えば金属支持体１０の上面１０ａ、下面１０ｂおよび内周面１０ｃに対して陽極酸化処理等の表面処理を行うことにより形成される。

　この場合、密着性強化層１２により金属支持体１０と被覆層１１との間の密着性が向上するので、被覆層１１が金属支持体１０から剥がれることが抑制される。それにより、金属支持体１０とビア導体４１および導体層５０，６０との間の絶縁性が確保されるので、金属支持体１０の信頼性が向上する。

　ここで、金属支持体１０には、ビア導体４１、導体層５０および被覆層１１を通して半導体素子７００から発生する熱が伝達される。さらに、金属支持体１０に伝達された熱は、例えば導体層６０を通してリジッド基板８００に伝達される。この場合、金属支持体１０は、樹脂等に比べて高い熱伝導率を有するので、半導体素子７００の放熱部材または半導体素子７００とリジッド基板８００との間の熱伝達部材として機能する。この点を考慮すると、密着性強化層１２がクロムまたはアルミニウムの酸化物で構成される場合には、密着性強化層１２におけるクロムまたはアルミニウムの酸化物の含有量は、５０重量％以下であることが好ましい。

　クロムおよびアルミニウムは、酸化することにより熱伝導率が低下する。そのため、上記の構成によれば、密着性強化層１２におけるクロムまたはアルミニウムの酸化物の含有量が５０重量％よりも大きい場合に比べて、密着性強化層１２の熱伝導率の低下が低減される。したがって、密着性強化層１２による半導体素子７００の放熱効率の低下が低減される。

　（２）上記実施の形態に係る被覆層１１は、金属支持体１０の上面１０ａ上で、第１の導体層５１と金属支持体１０との絶縁性を確保するために用いられているが、本発明はこれに限定されない。被覆層１１は、金属支持体１０の上面１０ａ上で、第１の導体層５１の一部が金属支持体１０の上面１０ａに直接接触するように形成されてもよい。この場合、金属支持体１０の上面１０ａに直接接触する第１の導体層５１の部分を、金属支持体１０の上面１０ａ上に設けられる電子部品と金属支持体１０との間で効率よく熱を伝達させるための熱伝達用配線（サーマル配線）とすることができる。

　なお、上記の構成においては、金属支持体１０上に直接形成される第１の導体層５１の端子部Ｔ１の高さ位置と、金属支持体１０上に被覆層１１を介して形成される第１の導体層５１の端子部Ｔ１の高さ位置との間に差分が生じる。したがって、第１の導体層５１の一部が金属支持体１０上に直接形成される再配線基板１００には、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきの低減を考慮した上記の第１～第４の構成例のいずれかの構成を適用することが好ましい。

　また、上記実施の形態に係る被覆層１１は、金属支持体１０の下面１０ｂにおいて、第３の導体層６１と金属支持体１０との絶縁性を確保するために用いられているが、本発明はこれに限定されない。被覆層１１は、金属支持体１０の下面１０ｂ上で、第３の導体層６１の一部が金属支持体１０の下面１０ｂに直接接触するように形成されてもよい。この場合、金属支持体１０の下面１０ｂに直接接触する第３の導体層６１の部分を、金属支持体１０の下面１０ｂ上に設けられる電子部品と金属支持体１０との間で効率よく熱を伝達させるための熱伝達用配線（サーマル配線）とすることができる。

　（３）上記実施の形態は本発明を再配線基板に適用した例であるが、これに限らず、ビアホールを有する他の配線回路基板に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態に係る再配線基板１００は、半導体パッケージ基板の一部を構成してもよい。

　（４）上記実施の形態では、絶縁層２０が第１の絶縁層２１および第２の絶縁層２２により形成されているが、本発明はこれに限定されない。絶縁層２０が単一の絶縁層であってもよく、３以上の複数の絶縁層により形成されてもよい。また、上記実施の形態では、絶縁層３０が第３の絶縁層３１および第４の絶縁層３２により形成されているが、本発明はこれに限定されない。絶縁層３０が単一の絶縁層であってもよく、３以上の複数の絶縁層により形成されてもよい。これらの場合、導体層５０，６０の形状は、絶縁層２０，３０の構成に応じて定まる。

　（５）再配線基板１００の製造時においては、金属支持体１０の上面１０ａに形成される被覆層１１および金属支持体１０の下面１０ｂに形成される被覆層１１は、感光性のキャリアフィルムＣＦ０を用いて形成されてもよい。具体的には、金属支持体１０（または金属板９０）の上面１０ａ上に感光性ポリイミドからなるキャリアフィルムを貼り付け、金属支持体１０（または金属板９０）の下面１０ｂ上に感光性ポリイミドからなるキャリアフィルムを貼り付けてもよい。この場合、金属支持体１０の上下のキャリアフィルムを露光および現像することにより、金属支持体１０の上下に被覆層１１を形成することができる。

　（６）上記実施の形態においては、金属支持体１０のビアホール１９は平面視で円形または矩形の開口部を有するが、ビアホール１９は平面視で楕円形の開口部を有してもよいし、三角形または五角形等の四角形以外の多角形の開口部を有してもよい。また、上記実施の形態においては、各ビアホール１９内に設けられるビア導体４１は平面視で当該ビアホール１９の開口部と相似形を有するが、ビア導体４１は平面視で当該ビアホール１９の開口部と異なる形状を有してもよい。

　６．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
　以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

　上記実施の形態では、再配線基板１００が配線回路基板の例であり、金属支持体１０の上面１０ａが第１の面の例であり、金属支持体１０の下面１０ｂが第２の面の例であり、ビアホール１９がビアホールの例であり、金属支持体１０が金属支持体の例であり、被覆層１１が絶縁被覆層の例である。また、導体層５０が第１の導体層の例であり、導体層６０が第２の導体層の例であり、ビア導体４１がビア導体の例であり、密着性強化層１２が密着性強化層の例であり、半導体素子７００が第１の電子部品の例であり、リジッド基板８００が第２の電子部品の例である。

　また、上面被覆部１１ａが第１の面被覆部の例であり、第１の接続導体部５０ａが第１の接続導体部の例であり、第２の接続導体部５０ｂが第２の接続導体部の例であり、半導体素子７００が電子部品の例であり、複数の電極パッド７１の一部が電子部品の一の端子の例であり、複数の電極パッド７１の他の一部が電子部品の他の端子の例である。

Claims

互いに反対を向く第１の面および第２の面を有するとともに前記第１の面から前記第２の面に貫通するビアホールを有する金属支持体と、
　前記金属支持体の前記第１の面および前記第２の面のうち少なくとも一部の領域を覆うとともに前記ビアホールの内周面を覆うように形成された絶縁被覆層と、
　前記金属支持体の前記第１の面上に形成される第１の導体層と、
　前記金属支持体の前記第２の面上に形成される第２の導体層と、
　前記金属支持体と同じ金属からなり、前記第１の導体層と前記第２の導体層とを電気的に接続するようにかつ前記絶縁被覆層を介して前記ビアホールの内部空間を埋めるように形成されたビア導体とを備える、配線回路基板。
前記絶縁被覆層は、有機絶縁材料により形成される、請求項１記載の配線回路基板。
前記絶縁被覆層は、感光性の有機絶縁材料により形成される、請求項１または２記載の配線回路基板。
前記金属支持体の線膨張率は、０μｍ／Ｋ以上２５μｍ／Ｋ以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
前記絶縁被覆層は、前記金属支持体に接触するように形成され、
　前記金属支持体は、前記金属支持体に対する前記絶縁被覆層の密着性を向上させる成分を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
前記金属支持体と前記絶縁被覆層との間で前記金属支持体および前記絶縁被覆層に接触するように形成され、前記金属支持体に対する前記絶縁被覆層の密着性を向上させる成分を含む密着性強化層をさらに備える、請求項１～４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
前記密着性強化層は、クロムまたはアルミニウムを含み、
　前記密着性強化層におけるクロムまたはアルミニウムの含有量は、５０重量％以下である、請求項６記載の配線回路基板。
前記第１の導体層は、前記第１の面上に配置される第１の電子部品と電気的に接続可能に形成され、
　前記第２の導体層は、前記第２の面上に配置される第２の電子部品と電気的に接続可能に形成された、請求項１～７のいずれか一項に記載の配線回路基板。
前記絶縁被覆層は、前記金属支持体の前記第１の面を覆う第１の面被覆部を含み、
　前記第１の導体層は、
　平面視で前記ビア導体に重なる第１の接続導体部と、
　平面視で前記ビア導体に重ならない第２の接続導体部とを含み、
　前記第１の接続導体部は、前記ビア導体に直接接触しかつ前記ビア導体から前記第１の面が向く方向に連続して延び、
　前記第１の接続導体部の先端部は、前記第１の面上に配置される電子部品の一の端子と電気的に接続可能に構成され、
　前記第２の接続導体部は、前記第１の面被覆部の一部分を介して前記金属支持体の前記第１の面上に形成されかつ前記第１の面被覆部の前記一部分から前記第１の面が向く方向に連続して延び、
　前記第２の接続導体部の先端部は、前記第１の面上に配置される電子部品の他の端子と電気的に接続可能に構成され、
　前記第１の面が向く方向において、前記第１の接続導体部の先端部と前記第２の接続導体部の先端部との間の距離は、１５μｍ以下である、請求項１～８のいずれか一項に記載の配線回路基板。
　前記第１の面が向く方向において、前記第１の面被覆部の一部分の厚みは、前記第１の面被覆部の他の部分の厚みよりも小さいか、または１５μｍ以下である、請求項９記載の配線回路基板。
　前記第１の面が向く方向において、前記第１の接続導体部の厚みは、前記第２の接続導体部の厚みよりも大きい、請求項９記載の配線回路基板。
互いに反対を向く第１の面および第２の面を有する金属板を用意する工程と、
　前記金属板に前記第１の面から前記第２の面に貫通するビアホールを形成することにより金属支持体を形成する工程と、
　前記金属支持体の前記第１の面および前記第２の面のうち少なくとも一部の領域を覆うとともに前記ビアホールの内周面を覆うように絶縁被覆層を形成する工程と、
　前記金属支持体の前記第１の面上に第１の導体層を形成する工程と、
　前記金属支持体の前記第２の面上に第２の導体層を形成する工程とを含み、
　前記金属支持体を形成する工程は、前記金属板のうち一部分を取り囲む領域を除去することにより、前記金属板の前記一部分を、前記ビアホールの内部空間を埋めるビア導体とすることを含み、
　前記第１の導体層を形成する工程は、前記ビア導体に電気的に接続されるように前記第１の導体層を形成することを含み、
　前記第２の導体層を形成する工程は、前記ビア導体に電気的に接続されるように前記第２の導体層を形成することを含む、配線回路基板の製造方法。
前記絶縁被覆層を形成する工程は、前記金属支持体に接触するように前記絶縁被覆層を形成することを含み、
　前記金属板を用意する工程は、前記金属支持体に対する前記絶縁被覆層の密着性を向上させる成分を含む金属板を前記金属板として用意することを含む、請求項１２記載の配線回路基板の製造方法。
前記絶縁被覆層の形成前に、前記金属支持体の前記第１の面および前記第２の面のうち予め定められた絶縁領域を覆うとともに前記ビアホールの内周面を覆うように、かつ前記金属支持体に接触するように密着性強化層を形成する工程をさらに含み、
　前記絶縁被覆層を形成する工程は、
　前記密着性強化層に接触するように、前記密着性強化層上に前記絶縁被覆層を形成することを含み、
　前記密着性強化層は、前記金属支持体に対する前記絶縁被覆層の密着性を向上させる成分を含む、請求項１２または１３記載の配線回路基板の製造方法。
前記絶縁被覆層を形成する工程は、前記金属支持体の前記第１の面を覆う第１の面被覆部を形成することを含み、
　前記第１の導体層を形成する工程は、平面視で前記ビア導体に重なる第１の接続導体部と、平面視で前記ビア導体に重ならない第２の接続導体部とを形成することを含み、
　前記第１の接続導体部は、前記ビア導体に直接接触しかつ前記ビア導体から前記第１の面が向く方向に連続して延び、
　前記第１の接続導体部の先端部は、前記第１の面上に配置される電子部品の一の端子と電気的に接続可能に構成され、
　前記第２の接続導体部は、前記第１の面被覆部の一部分を介して前記金属支持体の前記第１の面上に形成されかつ前記第１の面被覆部の前記一部分から前記第１の面が向く方向に連続して延び、
　前記第２の接続導体部の先端部は、前記第１の面上に配置される電子部品の他の端子と電気的に接続可能に構成され、
　前記第１の面が向く方向において、前記第１の接続導体部の先端部と前記第２の接続導体部の先端部との間の距離は、１５μｍ以下である、請求項１２～１４のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。