JP5527586B2 - 多層配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、ＳＡＷ圧電体素子を搭載してＳＡＷデバイスを構成した場合に、表面弾性波用のフィルタ機能を確保することが可能な樹脂製の多層配線基板に関し、特には通信モジュール用の多層配線基板に関する。

近年、携帯電話等の移動通信機器の小型化・薄型化・高性能化に伴い、高周波フィルタとしてのＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ：表面弾性波）デバイスの小型化・薄型化・高周波化が進んでいる。これに伴い、ＳＡＷデバイスを構成する配線基板にも、高密度化に加え、薄型化におけるフィルタ機能を確保するために配線パターン表面の平滑化が要求されている。

従来のＳＡＷデバイスとしては、基体の一方主面側（活性面側）に機能素子領域と入出力電極とを有するＳＡＷ圧電体素子を、基体の一方主面側（活性面側）を配線基板側に向けて、フェイスダウンで接続端子にフリップチップ実装してＳＡＷフィルタを構成したものがある（特許文献１）。また、配線基板上にＳＡＷ圧電体素子をフリップチップ実装し、ＳＡＷ圧電体素子の活性面上に封止樹脂の流れを堰き止めるために設ける堰き止め手段を備えたものがある（特許文献２）。

特開平１１−０９７４７９号公報 特開２００６−２１１６１２号公報

しかしながら、特許文献１及び２のＳＡＷデバイスを構成する配線基板では、ＳＡＷ圧電素子を搭載する面の配線パターンの表面凹凸については考慮されていない。近年では、移動体通信機器の高周波化（例えば、０．４５〜４．０ＧＨｚ）とともに、一層の小型化・薄型化が進んでおり、フェイスダウンでフリップチップ接続されたＳＡＷ圧電素子の活性面（表面弾性波の振動部分）と配線基板表面の配線パターンとの隙間に形成される振動空間が、より狭く（例えば、１０μｍ程度以下）なるように設計される傾向がある。

一方、従来の多層配線基板は、コア基板となる薄型の配線基板の両側に、絶縁樹脂層と銅箔を積層した後、めっきにより層間接続を形成し、その後、エッチングにより配線パターンを形成するのが一般的である。この場合は、最終的に表層となる第１層配線パターンが、銅箔とその上に層間接続により生じるめっき層とを有することになる。この層間接続により生じるめっき層は、銅箔上の凹凸を成長させ易いので、銅箔単体の場合に比べて、表面突起の高さが拡大し易い。表層である第１層配線パターンは、通常はさらに表面に保護めっきを形成するため、表面突起の高さがさらに拡大することになる。また、表層となる第１層導体層の厚みが、層間接続により生じるめっき層によって厚くなるため、微細パターンの形成に不利になる。ハーフエッチングや研磨等で、第１層導体層の厚みを減らすことも可能であるが、この場合は、導体層表面の表面突起の高さが拡大する。

上記のように、ＳＡＷ圧電体素子を搭載してＳＡＷデバイスを構成するために、従来の多層配線基板を用いると、層間接続により生じるめっき層またはハーフエッチングや研磨の影響によって、表層の第１層配線パターンの表面突起が高くなるため、表面突起とＳＡＷ圧電素子の活性面が接触することがあり、フィルタとしての機能を確保できない問題があった。また、ハーフエッチングや研磨を行なわない場合は、表層の第１層導体層の厚みが厚いため、表面突起が高いうえ、微細パターンの形成が困難となる問題があった。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、電子部品素子搭載領域内に配置された表層の配線パターンを、金属箔のみで構成される導体層を回路加工して形成し、表面突起が高くならないようにすることで、ＳＡＷ圧電体素子を搭載してＳＡＷデバイスを構成した場合に、表面弾性波用のフィルタ機能を確保することが可能であり、しかも、めっきによる層間接続と微細配線の形成によって、高密度化が可能な樹脂製の多層配線基板を提供することを目的とする。

本発明は、以下のものに関する。
１． 表層に形成された第１層配線パターンと、この第１層配線パターンの下に配置された絶縁樹脂層及びこの絶縁樹脂層の下に配置された高層側の配線パターンを有する少なくとも１層の配線層と、を有する多層配線基板であって、前記第１層配線パターンは、ＳＡＷ圧電体素子をフェイスダウンで接続する複数の接続端子と、この接続端子以外の表層パターンとを有し、前記複数の接続端子に跨って、前記ＳＡＷ圧電体素子を搭載する電子部品素子搭載領域が設けられるとともに、この電子部品素子搭載領域内に配置される前記表層パターンが、金属箔のみで構成される導体層を回路加工して形成される多層配線基板。
２．上記１において、電子部品素子搭載領域内に配置される表層パターンの表面突起の高さが８μｍ以下である多層配線基板。
３．上記１または２において、接続端子及び表層パターンを含む第１層配線パターン上に、保護めっきが形成され、前記保護めっきが、ニッケルめっきまたはニッケルめっきと金めっきまたはニッケルめっきとパラジウムめっきと金めっきにより形成される多層配線基板。
４．上記１から３の何れかにおいて、第１層配線パターンと高層側の配線パターンとを電気的に接続する層間接続を有し、この層間接続がめっきで形成される多層配線基板。
５．上記１から４の何れかにおいて、表層パターンまたは接続端子が、第１層配線パターンと高層側の配線パターンとを電気的に接続する層間接続の直上に形成される多層配線基板。

本発明によれば、電子部品素子搭載領域内に配置された表層の配線パターンを、金属箔のみで構成される導体層を回路加工して形成し、表面突起が高くならないようにすることで、ＳＡＷ圧電体素子を搭載してＳＡＷデバイスを構成した場合に、表面弾性波用のフィルタ機能を確保することが可能であり、しかも、めっきによる層間接続と微細配線の形成によって、高密度化が可能な樹脂製の多層配線基板を提供することができる。

本発明の多層配線基板及びこれを用いて作製した通信モジュールの断面図を示す。 本発明の多層配線基板の断面図を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。 本発明の多層配線基板の製造工程の一部を示す。

本発明の多層配線基板の一形態としては、図１、図２に示すように、表層に形成された第１層配線パターン８と、この第１層配線パターン８の下に配置された絶縁樹脂層９、１２、１５及びこの絶縁樹脂層９、１２、１５の下に配置された高層側の配線パターン１１、１４、１７を有する少なくとも１層の配線層と、を有する多層配線基板１であって、前記第１層配線パターン８は、電子部品素子３を接続する複数の接続端子５と、この接続端子５以外の表層パターン４０とを有し、前記複数の接続端子５に跨って、前記電子部品素子３を搭載する電子部品素子搭載領域４１が設けられるとともに、この電子部品素子搭載領域４１内に配置される前記表層パターン４０が、金属箔Ａ１９のみで構成される第１層導体層３０（図４に示す。）を回路加工して形成され、前記接続端子５及び表層パターン４０を含む第１層配線パターン８上に、保護めっき２２が形成される多層配線基板１が挙げられる。

本発明において、配線パターンとは、導体層を回路加工して形成された接続端子や表層パターン等をいう。導体層とは、絶縁樹脂層の表面に設けられ、金属箔のみまたは金属箔とその上の層間接続の際に生じるめっき層とで構成される、回路加工前の状態のものをいう。層間接続の際に生じるめっき層とは、例えば、コンフォーマル工法において、ビア内に層間接続のためのフィルドビアめっき等を行なうと、表面の金属箔上にもフィルドビアめっき等が形成され、表面の導体の厚みが厚くなるが、このときの金属箔上に形成されたフィルドビアめっき等のことをいう。また、第１層配線パターンとは、上記の配線パターンのうち、電子部品素子を搭載する側の表層（第１層）に設けられる配線パターンをいう。また、高層側の配線パターンとは、第１層配線パターンよりも、図１、図２においては下方に形成された配線パターンをいい、第１層配線パターンに対しては、第２層配線パターン以降の配線パターンをいう。また、配線層とは、絶縁樹脂層と配線パターンの両者によって形成される層をいう。

本発明において、絶縁樹脂層とは、各層間及び同一層内の配線パターン同士の電気的な絶縁を図るものであるとともに、各層の導体を貼り合わせたり、各層の配線パターンの支持体になるものである。一般の電子部品素子搭載用基板の製造において使用される一般的なものを使用することができる。例えば、熱硬化性樹脂プリプレグ、高分子量エポキシ樹脂を主成分としたものやＢＴレジンを主成分とする熱硬化タイプの液状やシート状の絶縁樹脂層を使用することができる。熱硬化性樹脂プリプレグとしては、高分子量エポキシ樹脂を主成分としたＧＥＡ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製、商品名）やＢＴレジンを主成分としたＧＨＰＬ−８３０ＮＸ Ｔｙｐｅ Ａ（三菱ガス化学株式会社製、商品名）等が、液状接着剤としては、ＳＦＸ５１３（信越化学工業株式会社製、商品名）等が、シート状接着剤としては、ＡＳ−３０００、ＡＳ２６００Ｗ（何れも日立化成工業株式会社製、商品名）、電子部品用高性能接着シート ＴＡＳ（東レ株式会社製、商品名）等が例示できるが、これらに限定されるわけではない。絶縁樹脂層は、１種類のものを単独で用いても良いし、２種類以上をシート状のものは重ねて、液状のものは混合して用いても良い。

本発明の多層配線基板は、電子部品素子を搭載するための基板として用いることができるものである。本発明において、電子部品素子とは、半導体素子、ＳＡＷ圧電素子、ＰＡ（パワーアンプ）素子などのフリップチップ接続やワイヤーボンド接続によって、配線基板上の接続端子に接続される表面実装型の電子部品素子をいう。本発明の多層配線基板は、第１層配線パターンが高密度で、その上に形成される保護めっきが平滑表面を有するという特徴を有する。このため、電子部品素子を、フリップチップ接続またはワイヤーボンド接続して搭載する用途であれば、特に限定はないが、例えばＳＡＷ圧電素子もしくはＰＡ（パワーアンプ）素子を搭載して、いわゆるＳＡＷフィルタパッケージもしくはＰＡモジュールなどの通信モジュールを形成するための部材として、主に携帯電話などの通信モジュールでベアチップ実装用途に用いられるのが望ましい。

図１、図２に示すように、第１層配線パターン８は、電子部品素子３を接続する複数の接続端子５と、この接続端子５以外の表層パターン４０とを有している。接続端子５とは、多層配線基板１の表層に設けられる第１層配線パターン８のうち、一般の電子部品素子実装用基板で用いられるものと同様に、バンプやワイヤーボンドによって、電子部品素子３と電気的接続を行なうための端子である。また、表層パターン４０とは、多層配線基板１の表層に設けられる第１層配線パターン８のうち、接続端子５以外に設けられる配線パターンをいう。いわゆるグランド強化のための配線パターンのほか、接続端子同士を電気的に接続するために引き回される配線パターン等が挙げられる。

図１、図２に示すように、複数の接続端子５に跨って、電子部品素子３を搭載する電子部品素子搭載領域４１が設けられる。１個の電子部品素子３は、多層配線基板１と接続する接続電極（図示しない。）を複数有しており、それぞれの接続電極を、多層配線基板１上の接続端子５に接続すると、電子部品素子３が複数の接続端子５に跨って搭載される。本発明において、電子部品素子搭載領域４１とは、電子部品素子３が多層配線基板１上に搭載される場合に、多層配線基板１の表面と垂直方向に、電子部品素子３を多層配線基板１上に、投影した領域をいう。

図１、図２に示すように、電子部品素子搭載領域４１内に配置される表層パターン４０が、金属箔Ａ１９のみで構成される第１層導体層３０を回路加工して形成される。第１層導体層３０とは、電子部品素子３を搭載する側の表層（第１層）に設けられる導体層であり、金属箔Ａ１９のみで構成されている。この図１、２において、電子部品素子搭載領域４１内に配置される表層パターン４０は、いわゆるグランド強化のために設けられている。

本発明に用いる金属箔Ａとしては、一般の電子部品素子実装用基板に用いられるものを使用することができるが、電気特性や回路加工性等の点から、特には銅箔が望ましい。また、銅箔の表面突起の高さが、８μｍ以下の表面平滑性を有するものが望ましい。このような銅箔を用いれば、この銅箔の表面粗さを維持するように回路加工することで、得られる配線パターンは、表面突起の高さが８μｍを超えるものの発生を抑制することができる。さらに、配線パターン上に保護めっきを形成した場合でも、保護めっきの表面は、銅箔の表面粗さと同等の平滑性を維持できる。このような銅箔としては、３ＥＣ−ＶＬＰ−１２（三井金属鉱業株式会社製、商品名）等が例示できる。また、金属箔は、アルミニウム、真鍮、ニッケル、鉄等の単独、合金又は複合箔からなる金属箔、または銅箔にアルミニウム、ニッケル、銀、金等の金属をめっきや蒸着したものに置き換えることができる。また、銅箔が、厚さ１〜１８μｍの銅箔であるのが望ましい。これにより、ライン／スペースが、３０μｍ／３０μｍ以下の高密度配線パターンを形成するのが容易となる。

回路加工の方法としては、一般の電子部品素子実装用基板に用いられる回路形成方法によって行なうことができる。このような回路形成方法として、サブトラクト法、セミアディティブ法等が挙げられる。

表層パターンは、金属箔Ａのみで構成される第１層導体層を回路加工して形成されるので、金属箔Ａの表面状態の品質がそのまま維持されている。これは、表層パターンの上部には、めっきによる層間接続を形成する際にも、層間接続の際に生じるめっき層が形成されないためである。このため、層間接続の際に生じるめっき層により、金属箔Ａの表面突起が成長して高くなったり、新たに発生することがない。したがって、表面突起の高さが低く、その発生数も少ない表層パターンを形成することができる。ここで、層間接続の際に生じるめっき層とは、例えば、コンフォーマル工法において、ビア内に層間接続のためのフィルドビアめっき等を行なうと、表面の金属箔上にもフィルドビアめっきが形成され、表面の導体の厚みが厚くなるが、このときの金属箔上に形成される層間接続のためのめっき（この場合はフィルドビアめっき）のことをいう。

また、図１、図２に示すように、金属箔Ａ１９上には、層間接続の際に生じるめっき層３１が形成されない。このため、微細パターンの形成が容易となり、高密度化に対応できる。また、微細パターンを形成する場合でも、それに応じた厚みの金属箔Ａ１９を選択すればよく、ハーフエッチングや研磨等によって厚みを薄くする必要がないので、第１層導体層３０の表面状態が、金属箔Ａ１９の表面状態のまま維持できる。なお、ハーフエッチングとは、回路加工によって配線パターンを形成する前に、エッチングによって導体厚みを薄くしておき、微細な回路加工を容易にするための処理をいう。このため、ハーフエッチングや研磨等によって、表面凹凸が拡大して表面突起が成長したり、新たに発生するのを抑制できる。したがって、金属箔Ａ１９の表面平滑性をほぼそのまま利用することができ、表面突起の高さが低く、その発生数も少ない表層パターン４０を形成することができる。

図１、図２に示すように、接続端子５及び表層パターン４０を含む第１層配線パターン８上に、保護めっき２２が形成される。本発明において、保護めっき２２とは、配線パターンを保護して、腐食を抑制したり、フリップチップ接続性やワイヤーボンド接続性を付与するため、回路形成後の配線パターンの上部に設けられるめっき層をいう。保護めっきとして、ニッケルめっきまたはニッケルめっきと金めっきとを有するのが望ましい。ニッケルめっき上にパラジウムめっきを行なってから金めっきを行なうのが、腐食を抑制し、電子部品素子３との接続信頼性を向上できる点でさらに望ましい。金めっきの代わりに銀めっきを用いてもよい。これらのめっき方法としては、電子部品素子実装用基板で用いられる無電解めっきや電気めっき、置換めっきを用いることができる。

本発明の多層配線基板は、第１層配線パターンの表面が平滑なので、表層パターンを含む第１層配線パターン上に保護めっきを形成する場合でも、その上に形成する保護めっきの表面も平滑性を維持することができる。電子部品素子としてＳＡＷ圧電素子を搭載する場合、表層パターンが、電子部品素子搭載領域内のＳＡＷ圧電素子の活性面（表面弾性波の振動部分）の下方領域に形成された場合でも、接続端子以外のパターン上の保護めっきの表面突起が、ＳＡＷ圧電素子の下面（活性面）と接触するのを抑制できる。このため、ＳＡＷ圧電素子のフィルタ機能を確保し易くすることができる。また、保護めっきを行なった後でも、表面平滑性に優れた接続端子を形成できるので、フリップチップ接続性やワイヤーボンド接続性に優れる多層配線基板を提供できる。

電子部品素子搭載領域内に配置される表層パターンの表面突起の高さが８μｍ以下であるのが望ましい。本発明において、表面突起とは、表面の凹凸のうち、基準面に対して凸の部分をいう。表面突起の高さや発生数は、１μｍ程度の分解能を有する光学顕微鏡を用い、焦点深度によって測定することができる。即ち、表層パターンの表面突起以外の平坦な位置の表面に焦点を合わせてこれを基準面とし、次に、表面突起の頂点に焦点を合わせ、表面突起と基準面の焦点位置との差異を表面突起の高さとして測定することができる。なお、例えば、０．４５〜４．０ＧＨｚの高周波領域に用いるＳＡＷデバイスでは、小型化・薄型化の要求から、多層配線基板に搭載されるＳＡＷ圧電素子の下面（活性面）と、多層配線基板１の表層パターン上の保護めっきとの間に設ける隙間（振動空間）が１０μｍ程度になるように設計される場合がある。このため、ＳＡＷ圧電素子を搭載する面の表層パターン上の保護めっき２２の表面突起の高さが、１０μｍに近いかそれ以上であると、表層パターン上の保護めっきとＳＡＷ圧電素子が電気的に繋がる恐れがあり、フィルタとして機能しない。したがって、表層パターン上の保護めっきの表面突起の高さが８μｍ以下の表面平滑性を有するように調整すれば、０．４５〜４．０ＧＨｚ程度の高周波のＳＡＷフィルタ用の基板として用いられた場合に、フィルタ機能を確保するのに有効である。

第１層配線パターンと高層側の配線パターンとを電気的に接続する層間接続を有し、この層間接続がめっきで形成されるのが、高密度な層間接続構造を形成できる点で望ましい。本発明の多層配線基板は、めっきで層間接続を形成しても、第１層配線パターンの上部には、層間接続の際に生じるめっき層が形成されない。このため、このような層間接続の際に生じるめっき層により、金属箔Ａの表面突起が成長して高くなったり、新たに発生することがない。したがって、表面突起の高さが低く、その発生数も少ない表層パターンを形成することができる。

本発明において、層間接続とは、絶縁樹脂層に設けられた層間接続孔を介して、各層の配線パターン同士を電気的に接続するものをいう。めっきとしては、通常の無電解銅めっきや電解銅めっきのほか、いわゆるフィルドビアめっきを用いることができる。通常のめっきの場合、層間接続の直上に配線パターンを形成しようとすると、めっき後の層間接続孔に穴埋樹脂を充填し、蓋めっきを行なってから、回路形成する必要があるが、フィルドビアめっきを用いると、穴埋や蓋めっきを行なうことなく、層間接続の直上に配線パターンを形成することができる点で望ましい。フィルドビアめっきとしては、例えば、一般の電子部品素子実装用基板に用いられる電解銅めっきを用いたフィルドビアめっきが挙げられる。

本発明において、フィルドビアとは、フィルドビアめっきにより形成される層間接続であり、層間接続孔の内部がフィルドビアめっきにより形成された金属で充填されているものをいう。フィルドビアは、絶縁樹脂層をレーザー等により加工して、直径１μｍから３００μｍ程度の層間接続孔を形成した後、この層間接続孔を、フィルドビアめっきで満たすことにより形成することができる。

表層パターンまたは接続端子が、第１層配線パターンと高層側の配線パターンとを電気的に接続する層間接続の直上に形成されるのが望ましい。これにより、接続端子または表層パターンと層間接続とを電気的に接続するための、配線パターンや層間接続ランドを設ける必要がないので、高密度化が可能になる。本発明は、第１層配線パターンが、金属箔Ａのみで構成される第１層導体層を回路加工して形成されるので、層間接続を形成した場合でも、表層パターンや接続端子の表面は、金属箔Ａの表面状態を維持している。このため、層間接続の直上に形成されたとしても、表面突起の高さが低く、その発生数も少ない表層パターンや接続端子を形成することができる。

以下、図３から図９を用いて、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

まず、図３に示すように、ガラスエポキシ材に厚さ１２μｍの銅箔（金属箔３８）を張り合わせた銅張積層板２５（日立化成工業株式会社製 ＭＣＬ−Ｅ−６７）の両側に、その銅張積層板２５の銅箔（金属箔３８）よりもひとまわり小さい金属箔Ａ１９として、厚さ１２μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製 ３ＥＣ−ＶＬＰ−１２）の光沢面が銅張積層板２５の銅箔（金属箔３８）に対向するように配置した。その外側に第１絶縁樹脂層９として、プリプレグ（日立化成工業株式会社製 ＧＥＡ−６７９ＦＧ）と、その外側に金属箔Ｂ２０として厚さ５μｍの極薄銅箔に厚さ１８μｍのキャリア銅箔が貼りあわされたキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業株式会社製 ＭＴ１８ＳＤＨ５）を、５μｍの極薄銅箔の粗化面が第１絶縁樹脂層９と接着するように構成し、真空ホットプレスにて積層し、１８μｍのキャリア銅箔を剥がすことで積層板ａ２６を形成した。絶縁樹脂層厚さとしては、多層配線基板１の仕上り厚さ要求により任意に決定することができる。

次に、図４に示すように、この積層板ａ２６の両外側の銅箔（金属箔Ｂ２０）にエッチング法により直径１００μｍの開口を有するコンフォーマルマスクを形成した。このコンフォーマルマスクの開口は、金属箔Ａ１９との層間接続をとり、かつフリップチップ接続用のバンプ４が配置される位置に形成される。レーザー加工により第１層間接続孔２９となる非貫通孔を設け、銅箔（金属箔Ｂ２０）上及び非貫通孔（第１層間接続孔２９）内部にパラジウムコロイド触媒であるＨＳ２０１Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用して触媒核を付与後、ＣＵＳＴ２０００（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用して厚さ１μｍの下地無電解めっき層を形成し、非貫通孔（第１層間接続孔２９）を電解フィルドビアめっき液によるフィルドビアめっき２１ａにより充填し、第１フィルドビア１０を形成した。フィルドビアめっき２１ａにより、層間接続の際に生じるめっき層３１の厚さとしては２０μｍであった。

次に、図５に示すように、両外側の導体（第２層導体層３３）に所定の配線パターンをエッチング法により形成し、得られた配線パターン（第２層配線パターン１１）の表面を粗化処理液マルチボンドＭＢ−１００（日本マクダーミッド株式会社製、商品名）で粗化する。次いで、第２絶縁樹脂層１２としてプリプレグ（日立化成工業株式会社製 ＧＥＡ−６７９ＦＧ）と、その外側に金属箔Ｃ２３として厚さ５μｍの極薄銅箔に厚さ１８μｍのキャリア銅箔が貼りあわされたキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業株式会社製 ＭＴ１８ＳＤＨ５）を、５μｍの極薄銅箔の粗化面が第２絶縁樹脂層１２と接着するように構成し、真空ホットプレスにて積層し、１８μｍのキャリア銅箔を剥がすことで積層板ｂ２７を形成した。絶縁樹脂層厚さとしては、多層配線基板１の仕上り厚さ要求により任意に決定することができる。

次いで、図６に示すように、積層板ｂ２７に第２層間接続孔３２となる非貫通孔を設け、フィルドビアめっき２１ｂにより、第３層導体層３５と層間接続をとりかつフリップチップ接続用のバンプ４が配置される位置に、第２フィルドビア１３を形成した。

配線パターンの形成、積層板の形成、フィルドビアの形成をする工程を繰り返すことにより、図７に示すように、銅張積層板２５の両側に、片側４層の配線パターンまたは導体層を有し、全てのフィルドビアが直上に形成されたフルスタック構造の多層配線基板１を備えた積層板ｃ３６を形成した。本実施例では、片側４層の配線パターンを有する構造の多層配線基板１を構成したが、さらに、配線パターンの形成、積層板の形成、フィルドビアの形成をする工程を繰り返すことにより、片側５層以上の任意の層数の配線パターンを有する構造の積層板が形成できる。

図７、図８に示すように、銅張積層板２５の金属箔３８よりひとまわり小さい金属箔Ａ１９の端部またはそれより内側に設けた裁断部２８で裁断することにより、銅張積層板２５と上下各１枚の多層配線基板１とをそれぞれ分離し、２枚の多層配線基板１を得た。本実施例では、第４層導体３７を形成後に裁断部２８で裁断を行なったが、第２層導体層３３を形成後ならびに第３層導体層３５を形成後に幅の狭い金属箔Ａ１９の端部またはそれより内側に設けた裁断部２８で裁断することにより、２層構造ならびに３層構造の積層板が形成できる。

次いで、図９に示すように、分離した多層配線基板１の最外層（第１層導体層３０である金属箔Ａ１９及び第４層導体３７）をエッチング法で回路加工することにより第１層配線パターン８及び第４層配線パターン１７を形成した。このとき、第１層配線パターン８の一部を接続端子５となる部分として形成し、この接続端子５となる部分が、第１フィルドビア１０の直上に配置されるようにした。即ち、フィルドビアがフルスタック構造で形成されており、これらのフィルドビアの直上の最も表層には、金属箔Ａ１９を回路加工して形成される接続端子５となる部分が配置される。

次に、図９に示すように、接続端子５となる部分及び裏面電極７となる部分を除く所定の領域に、ソルダーレジスト１８を形成した。その後、保護めっき２２として、厚さ１０μｍの無電解ニッケルめっき上に厚さ０．０３μｍの無電解パラジウムめっきを行い、パラジウムめっきの上に厚さ０．０５μｍの無電解金めっきを行い、接続端子５及び裏面電極７を形成して多層配線基板１を完成させた。

（比較例）
電子部品素子３搭載面の配線パターンを、金属箔Ａ１９により形成した第１層配線パターン８で形成するのではなく、金属箔Ｄ２４と層間接続の際に生じるめっき層３１とを有する第４層導体３７を回路加工して形成した第４層配線パターン１７によって形成した。その後、接続端子５となる部分を含む第４層配線パターン１７上に保護めっき２２を行い、接続端子５を形成した。以下、工程を示す。

実施例と同様にして、配線パターンの形成、積層板の形成、フィルドビアの形成をする工程を繰り返すことにより、図７に示すように、銅張積層板２５の両側に、片側４層の配線パターンを有する多層配基板１を備えた積層板ｃ３６を形成した。

次に、第４層導体３７に対して、ハーフエッチングを行なった。このハーフエッチングの目的は、比較例では、金属箔Ａ１９よりも厚い第４層導体３７によって、微細な接続端子５となる部分を形成する必要があるため、第４層導体３７の厚みを薄くしておき、微細な回路加工を行い易くするためである。第４層導体３７の厚みは、金属箔Ｄ２４の厚さ（５μｍ）とフィルドビアめっき２１ｃによって層間接続の際に生じるめっき層３１の厚さ（２０μｍ）との和でありおよそ２５μｍであった。ハーフエッチング量は、第４層導体３７の厚さを金属箔Ａ１９と同等の厚さにするため１３μｍとし、残った第４層導体３７の厚みは、金属箔Ａ１９と同等の１２μｍであった。

次に、図７、図８に示すように、幅の狭い金属箔Ａ１９の端部またはそれより内側に設けた裁断部２８で裁断することにより、銅張積層板２５とその上下各１枚の多層配線基板１とを分離し、２枚の多層配線基板１を得た。

次いで、図９に示すように、分離した多層配線基板１の最外層（第１層導体層３０である金属箔Ａ１９及び第４層導体３７）をエッチング法で回路加工することにより第１層配線パターン８及び第４層配線パターン１７を形成した。接続端子５となる部分及び裏面電極７となる部分を除く所定の位置に、ソルダーレジスト１８を形成した（なお、比較例は、図９とは、接続端子５と裏面電極７の位置が、上下反転している）。その後、保護めっき２２として厚さ１０μｍの無電解ニッケルめっき上に厚さ０．０３μｍの無電解パラジウムめっきを行い、パラジウムめっきの上に厚さ０．０５μｍの無電解金めっきを行い、多層配線基板１を完成させた。

実施例と比較例の表層パターン（Ｎ＝約１，０００／ロット、５ロット）について、高さが８μｍ以上の表面突起の発生率を調べた結果を、表１に示す。銅箔を回路加工して表層パターンを形成した本発明の多層配線基板（実施例）では、保護めっき後でも、８μｍ以上の表面突起は発生しなかった。一方、従来の銅箔上にめっき層を有する導体層を回路加工して形成した表層パターンを形成した比較例では、保護めっき前でも８μｍ以上の表面突起が発生し、保護めっき後は発生率が増加した。

表面突起の高さは、１μｍ程度の分解能を有する光学顕微鏡を用い、３０倍の倍率で、焦点深度によって測定した。即ち、表層パターンの表面突起以外の表面に焦点を合わせてこれを基準面とし、次に、表面突起の頂点に焦点を合わせ、基準面との焦点位置の差異を表面突起の高さとして測定した。

１…多層配線基板、２…通信モジュール、３…電子部品素子またはＳＡＷ圧電素子、４…（フリップチップ接続用）バンプ、５…（フリップチップ）接続端子、６…モールド用の樹脂、７… 裏面電極、８…第１層配線パターン、９…第１絶縁樹脂層、１０…第１フィルドビア、１１…第２層配線パターン、１２…第２絶縁樹脂層、１３…第２フィルドビア、１４…第３層配線パターン、１５…第３絶縁樹脂層、１６…第３フィルドビア、１７…第４層配線パターン、１８…ソルダーレジスト、１９…金属箔Ａ、２０…金属箔Ｂ、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ…フィルドビアめっき、２２…保護めっき、２３…金属箔Ｃ、２４…金属箔Ｄ、２５…銅張積層板またはコア基板、２６…積層板ａ、２７…積層板ｂ、２８…裁断部、２９…第１層間接続孔、３０…第１層導体層、３１…層間接続の際に生じるめっき層、３２…第２層間接続孔、３３…第２層導体層、３４…第３層間接続孔、３５…第３層導体層、３６…積層板ｃ、３７…第４層導体、３８…（コア基板の）金属箔、３９…ＳＡＷ圧電素子の活性面、４０…表層パターン、４１…電子部品素子搭載領域

Claims (5)

1. 表層に形成された第１層配線パターンと、この第１層配線パターンの下に配置された絶縁樹脂層及びこの絶縁樹脂層の下に配置された高層側の配線パターンを有する少なくとも１層の配線層と、を有する多層配線基板であって、
   前記第１層配線パターンは、ＳＡＷ圧電体素子をフェイスダウンで接続する複数の接続端子と、この接続端子以外の表層パターンとを有し、
   前記複数の接続端子に跨って、前記ＳＡＷ圧電体素子を搭載する電子部品素子搭載領域が設けられるとともに、この電子部品素子搭載領域内に配置される前記表層パターンが、金属箔のみで構成される導体層を回路加工して形成される多層配線基板。
2. 請求項１において、電子部品素子搭載領域内に配置される表層パターンの表面突起の高さが８μｍ以下である多層配線基板。
3. 請求項１または２において、接続端子及び表層パターンを含む第１層配線パターン上に保護めっきが形成され、前記保護めっきが、ニッケルめっきまたはニッケルめっきと金めっきまたはニッケルめっきとパラジウムめっきと金めっきにより形成される多層配線基板。
4. 請求項１から３の何れかにおいて、第１層配線パターンと高層側の配線パターンとを電気的に接続する層間接続を有し、この層間接続がめっきで形成される多層配線基板。
5. 請求項１から４の何れかにおいて、表層パターンまたは接続端子が、第１層配線パターンと高層側の配線パターンとを電気的に接続する層間接続の直上に形成される多層配線基板。

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