JP2001077659A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】容器内に弾性表面波素子をフェースダウン方式
にて実装した弾性表面波装置において、素子と容器間の
機械的、電気的接合の不良や、素子機能面上の配線パタ
ーンの断線や、素子と容器との電気的な短絡等を防ぐこ
とができる弾性表面波装置を提供する。 【解決手段】本発明における弾性表面波装置は、パッケ
ージ容器の素子実装面上または素子実装面上に形成され
たパッケージ電極上に存在するバンプ電極を除く凸部
が、いずれも弾性表面波素子の表面または表面に形成さ
れた櫛形電極、入出力電極などの電極に接していないこ
とを特徴とする。
にて実装した弾性表面波装置において、素子と容器間の
機械的、電気的接合の不良や、素子機能面上の配線パタ
ーンの断線や、素子と容器との電気的な短絡等を防ぐこ
とができる弾性表面波装置を提供する。 【解決手段】本発明における弾性表面波装置は、パッケ
ージ容器の素子実装面上または素子実装面上に形成され
たパッケージ電極上に存在するバンプ電極を除く凸部
が、いずれも弾性表面波素子の表面または表面に形成さ
れた櫛形電極、入出力電極などの電極に接していないこ
とを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装を可能と
するパッケージ容器内に電子デバイス素子を収容した電
子部品に関するもので、特に、パッケージ容器内に弾性
表面波素子をバンプ電極を介してフェースダウン方式で
実装した弾性表面波装置に関するものである。
するパッケージ容器内に電子デバイス素子を収容した電
子部品に関するもので、特に、パッケージ容器内に弾性
表面波素子をバンプ電極を介してフェースダウン方式で
実装した弾性表面波装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子部品の小型化、低背化に伴
い、電子デバイス素子の表面側を基板の実装面に対向さ
せ直接実装する、フェースダウン方式による実装が開発
されている。
い、電子デバイス素子の表面側を基板の実装面に対向さ
せ直接実装する、フェースダウン方式による実装が開発
されている。
【0003】従来のフェースダウン方式による実装を用
いた弾性表面波装置を、図2〜7を用いて説明する。図
2は弾性表面波装置の断面図、図3は弾性表面波装置を
構成する弾性表面波素子の表面側を示した平面図、図4
は弾性表面波装置を構成するパッケージ容器の平面図、
図5は図4に示すパッケージ容器のA−A線における断
面図を示す。また、図6、7は弾性表面波素子のパッケ
ージ容器へのバンプ電極を介した実装部分の拡大断面図
である。
いた弾性表面波装置を、図2〜7を用いて説明する。図
2は弾性表面波装置の断面図、図3は弾性表面波装置を
構成する弾性表面波素子の表面側を示した平面図、図4
は弾性表面波装置を構成するパッケージ容器の平面図、
図5は図4に示すパッケージ容器のA−A線における断
面図を示す。また、図6、7は弾性表面波素子のパッケ
ージ容器へのバンプ電極を介した実装部分の拡大断面図
である。
【0004】図3に示すように、弾性表面波素子2は表
面に櫛形電極20や入出力電極16、17などが形成さ
れている。すなわち、弾性表面波素子2は、圧電基板2
1と、圧電基板21上にAlを主成分とする導電性の薄
膜で形成された櫛形電極20、反射器電極19、入力電
極16、出力電極17、アース電極18等で構成されて
いる。
面に櫛形電極20や入出力電極16、17などが形成さ
れている。すなわち、弾性表面波素子2は、圧電基板2
1と、圧電基板21上にAlを主成分とする導電性の薄
膜で形成された櫛形電極20、反射器電極19、入力電
極16、出力電極17、アース電極18等で構成されて
いる。
【0005】図2に示すように、弾性表面波素子2は櫛
形電極20や反射器電極19等が形成された表面3を下
に向け、すなわち、素子2の表面3がパッケージ容器4
の素子実装面5に対向するように配置されており、バン
プ電極11を介して素子2とパッケージ容器4が機械
的、電気的に接続、すなわちフェースダウンボンドされ
ている。パッケージ容器4は金属等の蓋8を用いて気密
封止されている。
形電極20や反射器電極19等が形成された表面3を下
に向け、すなわち、素子2の表面3がパッケージ容器4
の素子実装面5に対向するように配置されており、バン
プ電極11を介して素子2とパッケージ容器4が機械
的、電気的に接続、すなわちフェースダウンボンドされ
ている。パッケージ容器4は金属等の蓋8を用いて気密
封止されている。
【0006】パッケージ容器4は図4、5に示すよう
に、Al2O3等のセラミックスからなるベース基板3
2、および側壁31から構成される。パッケージ容器4
の内底面に位置する弾性表面波素子2を実装するための
素子実装面5の上には、素子2とパッケージ容器4を電
気的に接続するためのパッケージ電極、すなわち、入力
電極パターン13、出力電極パターン14、アース電極
パターン15が形成されている。また、パッケージ容器
の外側には、弾性表面波装置1の表面実装を可能とする
ための外部電極端子、すなわち、入力電極端子23、出
力電極端子(図示せず)、アース電極端子25が形成さ
れている。入力電極端子23と入力電極パターン13、
出力電極端子と出力電極パターン14、アース電極端子
25とアース電極パターン15はそれぞれ電気的に接続
されている。入力電極パターン13、出力電極パターン
14、アース電極パターン15、入力電極端子23、出
力電極端子、アース電極端子25は、タングステンやモ
リブデン等の金属膜上にNiめっき、Auめっきが施さ
れた構成を有する。
に、Al2O3等のセラミックスからなるベース基板3
2、および側壁31から構成される。パッケージ容器4
の内底面に位置する弾性表面波素子2を実装するための
素子実装面5の上には、素子2とパッケージ容器4を電
気的に接続するためのパッケージ電極、すなわち、入力
電極パターン13、出力電極パターン14、アース電極
パターン15が形成されている。また、パッケージ容器
の外側には、弾性表面波装置1の表面実装を可能とする
ための外部電極端子、すなわち、入力電極端子23、出
力電極端子(図示せず)、アース電極端子25が形成さ
れている。入力電極端子23と入力電極パターン13、
出力電極端子と出力電極パターン14、アース電極端子
25とアース電極パターン15はそれぞれ電気的に接続
されている。入力電極パターン13、出力電極パターン
14、アース電極パターン15、入力電極端子23、出
力電極端子、アース電極端子25は、タングステンやモ
リブデン等の金属膜上にNiめっき、Auめっきが施さ
れた構成を有する。
【0007】次に、従来の弾性表面波装置の製造方法を
説明する。まず、パッケージ容器4のベース基板32お
よび側壁31形成用のセラミックグリーンシートのマザ
ーシートにパンチング加工やカッティング加工を施しス
ルーホールや打ち抜き部を形成した後、ベース基板32
形成用のセラミックグリーンシートに、パッケージ電極
13〜15と外部電極端子23、25を形成するための
タングステンやモリブデン等の金属膜を厚膜印刷により
形成する。次に、ベース基板32と側壁31形成用のセ
ラミックグリーンシートを積層、圧着し、焼成した後、
前記金属膜表面にNiめっき、Auめっきを施す。最後
に多数の基板に分割し、パッケージ容器4が完成する。
説明する。まず、パッケージ容器4のベース基板32お
よび側壁31形成用のセラミックグリーンシートのマザ
ーシートにパンチング加工やカッティング加工を施しス
ルーホールや打ち抜き部を形成した後、ベース基板32
形成用のセラミックグリーンシートに、パッケージ電極
13〜15と外部電極端子23、25を形成するための
タングステンやモリブデン等の金属膜を厚膜印刷により
形成する。次に、ベース基板32と側壁31形成用のセ
ラミックグリーンシートを積層、圧着し、焼成した後、
前記金属膜表面にNiめっき、Auめっきを施す。最後
に多数の基板に分割し、パッケージ容器4が完成する。
【0008】このようにして形成されたパッケージ容器
4の素子実装面5上に、弾性表面波素子2をフェースダ
ウン方式にて実装する。まず、素子2の表面3に形成さ
れた入力電極16、出力電極17、アース電極18上
に、バンプ電極11をAuワイヤ等を用いたボールボン
ディング工法により形成する。つづいて、入力電極1
6、出力電極17、アース電極18が、前記パッケージ
容器4の内底面に位置する素子実装面5に形成された入
力電極パターン13、出力電極パターン14、アース電
極パターン15にそれぞれ対向するように素子2とパッ
ケージ容器4を配置し、これらの電極をバンプ電極11
を介して互いに接続する。接続時には、超音波と熱を同
時に印加し、バンプ電極11とパッケージ電極13〜1
5を機械的、電気的に接続する。最後に、パッケージ容
器4の開口部を金属等の蓋8を用いて気密封止し、弾性
表面波装置1が完成する。
4の素子実装面5上に、弾性表面波素子2をフェースダ
ウン方式にて実装する。まず、素子2の表面3に形成さ
れた入力電極16、出力電極17、アース電極18上
に、バンプ電極11をAuワイヤ等を用いたボールボン
ディング工法により形成する。つづいて、入力電極1
6、出力電極17、アース電極18が、前記パッケージ
容器4の内底面に位置する素子実装面5に形成された入
力電極パターン13、出力電極パターン14、アース電
極パターン15にそれぞれ対向するように素子2とパッ
ケージ容器4を配置し、これらの電極をバンプ電極11
を介して互いに接続する。接続時には、超音波と熱を同
時に印加し、バンプ電極11とパッケージ電極13〜1
5を機械的、電気的に接続する。最後に、パッケージ容
器4の開口部を金属等の蓋8を用いて気密封止し、弾性
表面波装置1が完成する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなフェースダウン方式による実装を用いた弾性表面波
装置1の場合、以下のような問題が発生する。すなわ
ち、従来の弾性表面波装置1の製造方法においては、セ
ラミックグリーンシートにパンチングやカッティング等
の加工を施す工程でセラミックの屑が生じることがあ
る。また、パッケージ電極13〜15形成用のタングス
テンやモリブデン等の金属膜を素子実装面5に厚膜印刷
により形成する工程において、金属の屑が生じることが
ある。このようにして生じたセラミックの屑や金属の屑
はパッケージ容器4の素子実装面5に付着することがあ
る。
うなフェースダウン方式による実装を用いた弾性表面波
装置1の場合、以下のような問題が発生する。すなわ
ち、従来の弾性表面波装置1の製造方法においては、セ
ラミックグリーンシートにパンチングやカッティング等
の加工を施す工程でセラミックの屑が生じることがあ
る。また、パッケージ電極13〜15形成用のタングス
テンやモリブデン等の金属膜を素子実装面5に厚膜印刷
により形成する工程において、金属の屑が生じることが
ある。このようにして生じたセラミックの屑や金属の屑
はパッケージ容器4の素子実装面5に付着することがあ
る。
【0010】図6に示すように、セラミックスの屑がパ
ッケージ容器の素子実装面5上に付着する場合、これら
の付着物51、52は、5〜100μm程度の高さのも
のが存在する。一方、パッケージ容器の素子実装面に形
成されるパッケージ電極13〜15は、下層のタングス
テンやモリブデン等の金属膜54とその上に施されるN
iめっき層55、Auめっき層56の厚さを合計しても
10〜30μm程度の膜厚であるため、これよりも高さ
の高い前記付着物51、52は、パッケージ電極の表面
から突出し、突起異物となる。素子実装面表面でパッケ
ージ電極が形成されない部分に付着したセラミックスの
屑51は、そのままセラミックスの突起異物となり、パ
ッケージ電極が形成される部分に付着したセラミックス
の屑52は、その上からパッケージ電極が形成されるこ
とにより、パッケージ電極上に存在する導電性の突起異
物となる。
ッケージ容器の素子実装面5上に付着する場合、これら
の付着物51、52は、5〜100μm程度の高さのも
のが存在する。一方、パッケージ容器の素子実装面に形
成されるパッケージ電極13〜15は、下層のタングス
テンやモリブデン等の金属膜54とその上に施されるN
iめっき層55、Auめっき層56の厚さを合計しても
10〜30μm程度の膜厚であるため、これよりも高さ
の高い前記付着物51、52は、パッケージ電極の表面
から突出し、突起異物となる。素子実装面表面でパッケ
ージ電極が形成されない部分に付着したセラミックスの
屑51は、そのままセラミックスの突起異物となり、パ
ッケージ電極が形成される部分に付着したセラミックス
の屑52は、その上からパッケージ電極が形成されるこ
とにより、パッケージ電極上に存在する導電性の突起異
物となる。
【0011】また、図7に示すように、タングステンや
モリブデン等の金属の屑がパッケージ容器の素子実装面
5上に付着した場合、パッケージ電極が形成されない部
分に付着した金属の屑57は、そのまま導電性の突起異
物となり、パッケージ電極となるタングステンやモリブ
デン等の金属膜54の上に付着した金属の屑53は、N
iめっき55、Auめっき56を施すことで成長し、パ
ッケージ電極上に存在する導電性の突起異物となる。ま
た、めっき工程におけるめっき屑が付着した場合や、そ
の他の要因で金属屑が付着した場合にも同様の突起異物
が形成される。
モリブデン等の金属の屑がパッケージ容器の素子実装面
5上に付着した場合、パッケージ電極が形成されない部
分に付着した金属の屑57は、そのまま導電性の突起異
物となり、パッケージ電極となるタングステンやモリブ
デン等の金属膜54の上に付着した金属の屑53は、N
iめっき55、Auめっき56を施すことで成長し、パ
ッケージ電極上に存在する導電性の突起異物となる。ま
た、めっき工程におけるめっき屑が付着した場合や、そ
の他の要因で金属屑が付着した場合にも同様の突起異物
が形成される。
【0012】フェースダウン方式の実装を用いた弾性表
面波装置1では、パッケージ容器の素子実装面5に素子
2の表面3を対向させパッケージ容器に直接実装するた
め、実装面5にバンプ電極11の高さ以上の突起異物が
存在すると、素子2とパッケージ容器4間の機械的、電
気的接合がうまく行かず接合不良となる。
面波装置1では、パッケージ容器の素子実装面5に素子
2の表面3を対向させパッケージ容器に直接実装するた
め、実装面5にバンプ電極11の高さ以上の突起異物が
存在すると、素子2とパッケージ容器4間の機械的、電
気的接合がうまく行かず接合不良となる。
【0013】また、例えば超音波を印加しながら弾性表
面波素子を実装する場合では、素子2の表面3に形成さ
れた櫛形電極20や反射器電極19、入出力電極16、
17、アース電極18等の電極に突起異物が物理的に接
触していると、超音波振動により素子2が揺動され、こ
れら素子表面の電極パターンが断線する恐れがある。
面波素子を実装する場合では、素子2の表面3に形成さ
れた櫛形電極20や反射器電極19、入出力電極16、
17、アース電極18等の電極に突起異物が物理的に接
触していると、超音波振動により素子2が揺動され、こ
れら素子表面の電極パターンが断線する恐れがある。
【0014】さらに、突起異物53が導電性であり、か
つ、実装面5上のアース電極パターン15上に存在する
場合、この突起が素子2の表面3に形成された入力電極
16、出力電極17、あるいはそれらに電気的につなが
っている電極に接触することで電気的に短絡され、弾性
表面波素子としての電気的な機能を果たさなくなるとい
う問題もある。
つ、実装面5上のアース電極パターン15上に存在する
場合、この突起が素子2の表面3に形成された入力電極
16、出力電極17、あるいはそれらに電気的につなが
っている電極に接触することで電気的に短絡され、弾性
表面波素子としての電気的な機能を果たさなくなるとい
う問題もある。
【0015】なお、弾性表面波素子は、櫛形電極20や
入出力電極16、17などの電極が素子表面に露出した
状態で設けられているため、前記突起異物による上述の
電極パターンの断線や素子とパッケージ容器との電気的
短絡等の問題が特に生じやすい。
入出力電極16、17などの電極が素子表面に露出した
状態で設けられているため、前記突起異物による上述の
電極パターンの断線や素子とパッケージ容器との電気的
短絡等の問題が特に生じやすい。
【0016】そこで、本発明は、パッケージ容器内に弾
性表面波素子をフェースダウン方式にて実装した弾性表
面波装置において、素子とパッケージ容器間の機械的、
電気的接合の不良や、素子表面の電極パターンの断線や
素子とパッケージ容器との電気的な短絡等を防ぐことを
目的とする。
性表面波素子をフェースダウン方式にて実装した弾性表
面波装置において、素子とパッケージ容器間の機械的、
電気的接合の不良や、素子表面の電極パターンの断線や
素子とパッケージ容器との電気的な短絡等を防ぐことを
目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次のような構成を有することを特徴とす
る。すなわち本発明は、表面に櫛形電極および入出力電
極が形成された弾性表面波素子と、内底面に弾性表面波
素子を実装するための素子実装面を有するとともに、そ
の素子実装面にパッケージ電極が形成されたパッケージ
容器と、パッケージ容器を気密封止するための蓋とを有
し、弾性表面波素子の表面をパッケージ容器の素子実装
面に対向させた状態で、弾性表面波素子の入出力電極と
パッケージ容器のパッケージ電極とをバンプ電極を介し
て接続した弾性表面波装置において、パッケージ容器の
素子実装面上またはパッケージ電極上に存在するバンプ
電極を除く凸部が、いずれも弾性表面波素子の表面また
は表面に形成された櫛形電極などの電極に接していない
ことを特徴とする。
め、本発明は次のような構成を有することを特徴とす
る。すなわち本発明は、表面に櫛形電極および入出力電
極が形成された弾性表面波素子と、内底面に弾性表面波
素子を実装するための素子実装面を有するとともに、そ
の素子実装面にパッケージ電極が形成されたパッケージ
容器と、パッケージ容器を気密封止するための蓋とを有
し、弾性表面波素子の表面をパッケージ容器の素子実装
面に対向させた状態で、弾性表面波素子の入出力電極と
パッケージ容器のパッケージ電極とをバンプ電極を介し
て接続した弾性表面波装置において、パッケージ容器の
素子実装面上またはパッケージ電極上に存在するバンプ
電極を除く凸部が、いずれも弾性表面波素子の表面また
は表面に形成された櫛形電極などの電極に接していない
ことを特徴とする。
【0018】このように、素子実装面上またはパッケー
ジ電極上に存在するバンプ電極を除く凸部、例えば従来
の弾性表面波装置において生じていた突起異物等が、い
ずれも弾性表面波素子の表面または櫛形電極や入出力電
極などの電極に接していない状態であれば、素子とパッ
ケージ容器間の機械的、電気的接合の不良や、素子表面
の電極パターンの断線や素子とパッケージ容器との電気
的な短絡等を防ぐことができる。
ジ電極上に存在するバンプ電極を除く凸部、例えば従来
の弾性表面波装置において生じていた突起異物等が、い
ずれも弾性表面波素子の表面または櫛形電極や入出力電
極などの電極に接していない状態であれば、素子とパッ
ケージ容器間の機械的、電気的接合の不良や、素子表面
の電極パターンの断線や素子とパッケージ容器との電気
的な短絡等を防ぐことができる。
【0019】また、前記素子実装面上またはパッケージ
電極上に存在するバンプ電極を除く凸部の高さは、パッ
ケージ電極上面を基準として、10μm以下であること
が望ましい。例えば、直径が20〜35μmのワイヤを
用いたボールボンディング工法によりバンプ電極を形成
する場合、バンプ電極の形成された前記素子をパッケー
ジ容器内の実装面にバンプ電極を介してフェースダウン
ボンデイングすると、前記素子と前記パッケージ容器の
接合信頼性が得られるバンプ電極の高さはおおよそ15
〜35μm程度となる。したがって、本発明のように、
素子実装面上またはパッケージ電極上に存在するバンプ
電極を除く凸部、例えば突起異物等の高さがパッケージ
電極上面を基準として10μm以下、すなわち、バンプ
電極の高さよりも低ければ、凸部が素子の表面や表面に
形成された櫛形電極や入出力電極などの電極と接触する
ことなく、接合不良や、配線パターンの断線や電気的短
絡等の問題を防ぐことができる。
電極上に存在するバンプ電極を除く凸部の高さは、パッ
ケージ電極上面を基準として、10μm以下であること
が望ましい。例えば、直径が20〜35μmのワイヤを
用いたボールボンディング工法によりバンプ電極を形成
する場合、バンプ電極の形成された前記素子をパッケー
ジ容器内の実装面にバンプ電極を介してフェースダウン
ボンデイングすると、前記素子と前記パッケージ容器の
接合信頼性が得られるバンプ電極の高さはおおよそ15
〜35μm程度となる。したがって、本発明のように、
素子実装面上またはパッケージ電極上に存在するバンプ
電極を除く凸部、例えば突起異物等の高さがパッケージ
電極上面を基準として10μm以下、すなわち、バンプ
電極の高さよりも低ければ、凸部が素子の表面や表面に
形成された櫛形電極や入出力電極などの電極と接触する
ことなく、接合不良や、配線パターンの断線や電気的短
絡等の問題を防ぐことができる。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図1を用い
て説明する。図1は本発明の弾性表面波装置36の断面
図を示す。従来の弾性表面波装置と同様に、弾性表面波
素子33は櫛形電極や入出力電極などの形成された表面
35を下に向け、すなわち、表面35がパッケージ容器
45の素子実装面43に対向するように配置され、バン
プ電極37を介して素子33とパッケージ容器45が機
械的、電気的に接続、すなわちフェースダウン方式によ
り実装される。パッケージ容器45は金属等の蓋34を
用いて気密封止される。
て説明する。図1は本発明の弾性表面波装置36の断面
図を示す。従来の弾性表面波装置と同様に、弾性表面波
素子33は櫛形電極や入出力電極などの形成された表面
35を下に向け、すなわち、表面35がパッケージ容器
45の素子実装面43に対向するように配置され、バン
プ電極37を介して素子33とパッケージ容器45が機
械的、電気的に接続、すなわちフェースダウン方式によ
り実装される。パッケージ容器45は金属等の蓋34を
用いて気密封止される。
【0021】本発明の弾性表面波装置36は、パッケー
ジ容器45の内底面に位置する素子実装面43上に存在
するの凸部44の高さが低い点を除いては、パッケージ
容器45、弾性表面波素子33、蓋34ともに従来の弾
性表面波装置と同じ構造を有する。
ジ容器45の内底面に位置する素子実装面43上に存在
するの凸部44の高さが低い点を除いては、パッケージ
容器45、弾性表面波素子33、蓋34ともに従来の弾
性表面波装置と同じ構造を有する。
【0022】次に、本発明の弾性表面波装置36の製造
方法を説明する。パッケージ容器45のベース基板42
および側壁41を形成するためのセラミックグリーンシ
ートのマザーシートにパンチング加工やカッティング加
工を施し、スルーホールや打ち抜き部を形成した後、ベ
ース基板42形成用のセラミックグリーンシートに、パ
ッケージ電極38、39、および外部接続端子46、4
7を形成するためのタングステンやモリブデン等の金属
膜を厚膜印刷により形成する。次に、ベース基板42と
側壁41形成用のセラミックグリーンシートを積層、圧
着し、焼成する。以上の工程は、従来の弾性表面波装置
の製造方法と同様である。
方法を説明する。パッケージ容器45のベース基板42
および側壁41を形成するためのセラミックグリーンシ
ートのマザーシートにパンチング加工やカッティング加
工を施し、スルーホールや打ち抜き部を形成した後、ベ
ース基板42形成用のセラミックグリーンシートに、パ
ッケージ電極38、39、および外部接続端子46、4
7を形成するためのタングステンやモリブデン等の金属
膜を厚膜印刷により形成する。次に、ベース基板42と
側壁41形成用のセラミックグリーンシートを積層、圧
着し、焼成する。以上の工程は、従来の弾性表面波装置
の製造方法と同様である。
【0023】つづいて、金属膜の形成されたパッケージ
容器の素子実装面43に付着したセラミックや金属の屑
を除去する。除去の方法としては、例えば、素子実装面
43に高空圧のAirまたは高空圧のN2を吹き付ける
方法や、素子実装面43に高水圧の水または溶剤を吹き
付ける方法や、セラミックや金属の屑にレーザー等を照
射することにより除去する方法等を用いることができ
る。このように、パッケージ容器の素子実装面の付着物
のうちサイズの大きな物を除去することによって、素子
実装面43が平坦化される。
容器の素子実装面43に付着したセラミックや金属の屑
を除去する。除去の方法としては、例えば、素子実装面
43に高空圧のAirまたは高空圧のN2を吹き付ける
方法や、素子実装面43に高水圧の水または溶剤を吹き
付ける方法や、セラミックや金属の屑にレーザー等を照
射することにより除去する方法等を用いることができ
る。このように、パッケージ容器の素子実装面の付着物
のうちサイズの大きな物を除去することによって、素子
実装面43が平坦化される。
【0024】次に、後に形成するバンプ電極との密着強
度を上げるため、金属膜表面にめっきを施す。具体的に
は、金属膜表面にNiめっきを施し、つづけてAuめっ
きを施す。最後にカッティング加工を施すことにより多
数の基板に分割し、パッケージ容器45が完成する。本
発明では、めっきを行う前の工程で素子実装面43に付
着したセラミックや金属の屑のうちサイズの大きなもの
は除去されている。また、残った付着物の上にめっき金
属が堆積し、突起異物が成長しても、その高さはバンプ
電極の高さ以下に抑えられ、弾性表面波素子を実装する
際に突起異物が弾性表面波素子の表面または表面に形成
された櫛形電極や入出力電極などの電極に接触するのを
防ぐことができる。
度を上げるため、金属膜表面にめっきを施す。具体的に
は、金属膜表面にNiめっきを施し、つづけてAuめっ
きを施す。最後にカッティング加工を施すことにより多
数の基板に分割し、パッケージ容器45が完成する。本
発明では、めっきを行う前の工程で素子実装面43に付
着したセラミックや金属の屑のうちサイズの大きなもの
は除去されている。また、残った付着物の上にめっき金
属が堆積し、突起異物が成長しても、その高さはバンプ
電極の高さ以下に抑えられ、弾性表面波素子を実装する
際に突起異物が弾性表面波素子の表面または表面に形成
された櫛形電極や入出力電極などの電極に接触するのを
防ぐことができる。
【0025】このようにして形成された電極38、39
を有するパッケージ容器45上に、弾性表面波素子33
をバンプ電極37を介してフェースダウン方式にて実装
する。バンプ電極37の形成方法および素子33の実装
方法は従来の方法と同様とする。最後に、前記パッケー
ジ容器45の開口部を金属等の蓋34を用いて気密封止
し、弾性表面波装置が完成する。
を有するパッケージ容器45上に、弾性表面波素子33
をバンプ電極37を介してフェースダウン方式にて実装
する。バンプ電極37の形成方法および素子33の実装
方法は従来の方法と同様とする。最後に、前記パッケー
ジ容器45の開口部を金属等の蓋34を用いて気密封止
し、弾性表面波装置が完成する。
【0026】本実施例では、素子実装面43に付着した
セラミックや金属の屑のうちサイズの大きなものを除去
しているため、パッケージ容器の弾性表面波素子実装面
のバンプ電極を除く突起異物の高さは、バンプ電極の高
さよりも十分に低く、パッケージ電極の上面を基準とし
て10μm以下に抑えられている。したがって、突起異
物が素子の表面や表面に形成された櫛形電極や入出力電
極などの電極と接触することなく、接合不良や配線パタ
ーンの断線や電気的短絡等の問題を防ぐことができる。
セラミックや金属の屑のうちサイズの大きなものを除去
しているため、パッケージ容器の弾性表面波素子実装面
のバンプ電極を除く突起異物の高さは、バンプ電極の高
さよりも十分に低く、パッケージ電極の上面を基準とし
て10μm以下に抑えられている。したがって、突起異
物が素子の表面や表面に形成された櫛形電極や入出力電
極などの電極と接触することなく、接合不良や配線パタ
ーンの断線や電気的短絡等の問題を防ぐことができる。
【0027】また、本実施例ではパッケージ容器の電極
の材料としてタングステンを用いる場合を示したが、こ
れに限られずモリブデンや銅、AgPd合金等を用いて
もよい。また、パッケージ容器の材料としてAl2O3を
用いたが、Al2O3以外のセラミックスやガラスエポキ
シ系の樹脂材料等を用いてもよい。
の材料としてタングステンを用いる場合を示したが、こ
れに限られずモリブデンや銅、AgPd合金等を用いて
もよい。また、パッケージ容器の材料としてAl2O3を
用いたが、Al2O3以外のセラミックスやガラスエポキ
シ系の樹脂材料等を用いてもよい。
【0028】また、パッケージ容器の製造工程における
セラミックや金属の屑を取り除く方法は、それらを除去
できるものであれば何でもよく、実施例に記載の方法お
よび工程の順序に限定されるものではない。
セラミックや金属の屑を取り除く方法は、それらを除去
できるものであれば何でもよく、実施例に記載の方法お
よび工程の順序に限定されるものではない。
【0029】
【発明の効果】このように、本発明における弾性表面波
装置では、パッケージ容器の素子実装面に弾性表面波素
子の表面を対向させ、パッケージ容器に直接実装する
が、素子実装面またはパッケージ電極上に存在するバン
プ電極を除く凸部、例えば突起異物などの高さをバンプ
電極の高さに比べて十分に低くすることで、実装時の素
子とパッケージ容器間の機械的、電気的な接合不良を防
ぐことができる。
装置では、パッケージ容器の素子実装面に弾性表面波素
子の表面を対向させ、パッケージ容器に直接実装する
が、素子実装面またはパッケージ電極上に存在するバン
プ電極を除く凸部、例えば突起異物などの高さをバンプ
電極の高さに比べて十分に低くすることで、実装時の素
子とパッケージ容器間の機械的、電気的な接合不良を防
ぐことができる。
【0030】また、例えば弾性表面波素子を超音波を印
加しながら実装する場合でも、素子の表面上の櫛形電極
や入出力電極などの電極に突起異物などの凸部が物理的
に接触することはないため、超音波振動により前記素子
が揺動され、素子表面の電極パターンが断線することも
ない。
加しながら実装する場合でも、素子の表面上の櫛形電極
や入出力電極などの電極に突起異物などの凸部が物理的
に接触することはないため、超音波振動により前記素子
が揺動され、素子表面の電極パターンが断線することも
ない。
【0031】さらに、アース電極パターン上に存在する
導電性の突起異物などの凸部が、素子表面の入力電極、
あるいはそれに電気的に接続されている電極に接触する
こともなく、電気的な短絡により弾性表面波素子として
の機能を果たさなくなるという問題も解消できる。
導電性の突起異物などの凸部が、素子表面の入力電極、
あるいはそれに電気的に接続されている電極に接触する
こともなく、電気的な短絡により弾性表面波素子として
の機能を果たさなくなるという問題も解消できる。
【0032】以上のように、本発明の弾性表面波装置で
は、突起異物などの凸部による接合不良や電子部品とし
ての機能劣化がなくなるため、製造工程においては歩留
まりを改善でき、生産性向上につながる。またフェース
ダウン方式による接合強度が安定するので、弾性表面波
装置の長期的信頼性も高くなる。
は、突起異物などの凸部による接合不良や電子部品とし
ての機能劣化がなくなるため、製造工程においては歩留
まりを改善でき、生産性向上につながる。またフェース
ダウン方式による接合強度が安定するので、弾性表面波
装置の長期的信頼性も高くなる。
【図1】本発明の弾性表面波装置を示す断面図である。
【図2】従来の弾性表面波装置を示す断面図である。
【図3】従来の弾性表面波装置を構成する弾性表面波素
子の表面側を示す平面図である。
子の表面側を示す平面図である。
【図4】従来の弾性表面波装置を構成するパッケージ容
器示す平面図である。
器示す平面図である。
【図5】従来の弾性表面波装置を構成するパッケージ容
器示す断面図である。
器示す断面図である。
【図6】従来の弾性表面波素子のパッケージ容器へのバ
ンプ電極を介した実装部分の拡大断面図である。
ンプ電極を介した実装部分の拡大断面図である。
【図7】従来の弾性表面波素子のパッケージ容器へのバ
ンプ電極を介した実装部分の拡大断面図である。
ンプ電極を介した実装部分の拡大断面図である。
33 弾性表面波素子 37 バンプ電極 38、39 パッケージ電極 43 素子実装面 45 パッケージ容器
Claims (2)
- 【請求項1】表面に櫛形電極および入出力電極が形成さ
れた弾性表面波素子と、 内底面に弾性表面波素子を実装するための素子実装面を
有するとともに、その素子実装面にパッケージ電極が形
成されたパッケージ容器と、 パッケージ容器を気密封止するための蓋とを有し、 弾性表面波素子の表面をパッケージ容器の素子実装面に
対向させた状態で、弾性表面波素子の入出力電極とパッ
ケージ容器のパッケージ電極とをバンプ電極を介して接
続した弾性表面波装置において、 パッケージ容器の素子実装面上またはパッケージ電極上
に存在するバンプ電極を除く凸部が、弾性表面波素子の
表面または表面に形成された櫛形電極、入出力電極など
の電極に接していないことを特徴とする弾性表面波装
置。 - 【請求項2】表面に櫛形電極および入出力電極が形成さ
れた弾性表面波素子と、 内底面に弾性表面波素子を実装するための素子実装面を
有するとともに、その素子実装面にパッケージ電極が形
成されたパッケージ容器と、 パッケージ容器を気密封止するための蓋とを有し、 弾性表面波素子の表面をパッケージ容器の素子実装面に
対向させた状態で、弾性表面波素子の入出力電極とパッ
ケージ容器のパッケージ電極とをバンプ電極を介して接
続した弾性表面波装置において、 パッケージ容器の素子実装面上またはパッケージ電極上
に存在するバンプ電極を除く凸部の高さが、パッケージ
電極の上面を基準として10μm以下であることを特徴
とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25024899A JP2001077659A (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25024899A JP2001077659A (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001077659A true JP2001077659A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17205062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25024899A Pending JP2001077659A (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001077659A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129681A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層配線基板 |
WO2012020649A1 (ja) * | 2010-08-10 | 2012-02-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波デバイス |
-
1999
- 1999-09-03 JP JP25024899A patent/JP2001077659A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129681A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層配線基板 |
WO2012020649A1 (ja) * | 2010-08-10 | 2012-02-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波デバイス |
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