JP2004297084A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. ガラス基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に下地膜を形成し、
   前記下地膜上に薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタ上に樹脂層を形成し、
   前記樹脂層を形成後、前記剥離層をエッチングすることにより、前記薄膜トランジスタより前記ガラス基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. ガラス基板上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に下地膜を形成し、
   前記下地膜上に薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタ上に接着層を形成し、
   前記接着層を介して前記ガラス基板に樹脂基板を固定し、
   前記樹脂基板を固定後、前記樹脂基板に前記薄膜トランジスタを保持させた状態で、前記樹脂基板より前記ガラス基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. ガラス基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に下地膜を形成し、
   前記下地膜上に薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタ上に接着層を形成し、
   前記接着層を介して前記ガラス基板に樹脂基板を固定し、
   前記樹脂基板を固定後、前記樹脂基板に前記薄膜トランジスタを保持させた状態で、前記剥離層をエッチングすることにより、前記樹脂基板から前記ガラス基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. ガラス基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に下地膜を形成し、
   前記下地膜上に薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタ上に接着層を形成し、
   前記接着層を介して前記ガラス基板に第１の樹脂基板を固定し、
   前記第１の樹脂基板を固定後、前記第１の樹脂基板に前記薄膜トランジスタを保持させた状態で、前記第１の樹脂基板より前記ガラス基板を剥離し、
   前記ガラス基板の剥離後、前記薄膜トランジスタの前記下地膜側に第２の樹脂基板を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. ガラス基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に下地膜を形成し、
   前記下地膜上に薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタ上に接着層を形成し、
   前記接着層を介して前記ガラス基板に第１の樹脂基板を固定し、
   前記第１の樹脂基板を固定後、前記第１の樹脂基板に前記薄膜トランジスタを保持させた状態で、前記剥離層をエッチングすることにより、前記第１の樹脂基板から前記ガラス基板を剥離し、
   前記ガラス基板の剥離後、前記薄膜トランジスタの前記下地膜側に第２の樹脂基板を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項２または請求項３において、前記樹脂基板は可撓性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項４または請求項５において、前記第１及び前記第２の樹脂基板は可撓性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１、請求項３または請求項５において、前記剥離層のエッチングは、フッ酸を含むエッチャントを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記薄膜トランジスタ上に有機樹脂を含む層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜上に前記接着層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、非晶質珪素膜をレーザー光で照射して結晶化した領域を用いて前記薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記薄膜トランジスタの活性層は単結晶または実質的に単結晶とみなせる領域で構成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記半導体装置の作製方法は、液晶表示装置の作製方法であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記半導体装置の作製方法は、ＥＬ表示装置の作製方法であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項１２または請求項１３において、画素領域を駆動する周辺駆動回路をＩＣチップで外付けすることを特徴とする半導体装置の作製方法。