DE2822190A1

DE2822190A1 - Photopolymerisierbares gemisch

Info

Publication number: DE2822190A1
Application number: DE19782822190
Authority: DE
Inventors: Raimund Josef Dr Ing Faust
Original assignee: Hoechst AG
Current assignee: Hoechst AG
Priority date: 1978-05-20
Filing date: 1978-05-20
Publication date: 1979-11-22
Also published as: JPS6239417B2; EP0005750A1; US4250248A; EP0005750B1; CA1121204A; DE2962226D1; JPS54153624A

Description

HOECHST AK TIENGESELLSCHAFT

KALLE Niederlassung der Hoechst AG Hoe 78/K 02?

Wiesbaden-Biebrich

Photopolymerisierbares Gemisch

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HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG

Hoe 78/K 02 7 - Jr -

Photopolymerisierbares Gemisch

Die Erfindung betrifft ein photopolymerisierbares Gemisch, das polymere Bindemittel, polymerisierbare Verbindungen und Photoinitiatoren enthält.

Derartige Gemische werden in der Reproduktionstechnik zur Herstellung von Druckplatten, Photoresists, d. h. Ätz- und GaIvanoreservagen, und - ggf. farbigen - Reliefbildern verwendet.

Eine besondere Gruppe derartiger Gemische, die zur Photoresistherstellung dienen, wird als trockene photopolymerisierbare Schicht auf einem temporären Schichtträger aus einer transparenten flexiblen Kunststoffolie verwendet, wobei die Schicht unter Druck und Erwärmen auf einen bildmäßig zu modifizierenden Träger aus Metall, z. B. eine Kupferplatte, laminiert, dort belichtet und zum Photoresist entwickelt wird. Die Schichten sollen bevorzugt die Eigenschaft haben, sich mit wäßrigen, normalerweise wäßrigalkalischen Entwicklerlösungen entwickeln zu lassen. Derartige Materialien und Verarbeitungsverfahren sind Z. B. in der DE-AS 15 22 515 und den DE-OS 20 64 079 und 23 61 041 beschrieben.

Besonders die in den genannten Offenlegungsschriften ²^ beschriebenen Schichten zeigen bei wäßrig-alkalischer

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Entwicklung eine gute Haftung auf dem Träger, insbesondere auf Kupfer, und eine gute Resistenz gegenüber Ätzlösungen und galvanischen Bädern.
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Die hierfür erforderlichen, in wäßrig-alkalischen Lösungen löslichen, mindestens aber quellbaren Bindemittel haben häufig den Nachteil, der belichteten Schicht eine gewisse Sprödigkeit zu verleihen. Das gilt insbesondere für solche Bindemittel, die wegen ihres Gehalts an Monomereinheiten, die dem Polymerisat eine höhere Glastemperatur verleihen, zur Vermeidung des Kaltflusses der unbelichteten Schicht besonders bevorzugt werden. Derartige Bindemittel sind z. B. in der US-PS 3 930 865 beschrieben.

Auch Monomere mit mehr als zwei polymerisierbaren Gruppen im Molekül, die wegen der hohen Vernetzungsdichte ihrer Belichtungsprodukte an sich besonders vorteilhaft sind, führen in der Regel zu Belichtungsprodukten, die relativ spröde sind, insbesondere wenn die Belichtung über das optimale Maß hinaus ausgedehnt wird.

Als Monomere oder polymerisierbare Verbindungen, die mit diesen Bindemitteln gut verträglich sind und andere für die Photoresisttechnik vorteilhafte Eigenschaften haben, haben sich besonders bestimmte Verbindungen mit Urethangruppen im Molekül bewährt. Derartige polymerisierbare Verbindungen sind in den oben genannten DE-OS beschrieben. Die Verbindungen der DE-OS 20 64 079, die stets zwei Urethangruppen im Molekül enthalten, ergeben infolge

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ihrer größeren Zahl an Acrylestergruppen oder ihres relativ niedrigen Molekulargewichts eine hohe Vernetzungsdichte und damit Schichten, die nach der Belichtung zur Versprödung neigen. Diejenigen Vertreter, die ein höheres Molekulargewicht haben, ergeben wiederum Schichten, die zum Kaltfluß neigen.

Die Verbindungen der DE-OS 23 61 041, die Biuretgruppen enthalten, weisen ebenfalls eine Tendenz zur Bildung relativ spröder Belichtungsprodukte auf. Die dort weiterhin beschriebenen Verbindungen mit vier Urethangruppen und einer PoIyäthergruppe im Molekül sind wiederum den genannten Verbindungen mit zwei Urethangruppen noch recht ähnlich.

Man kann generell sagen, daß photopolymerisierbare Schichten, deren Kaltfluß im unbelichteten Zustand genügend klein ist, und die nach der Belichtung eine gute Haftung am Trägermetall, eine gute Entwicklerres^'s tenz und Beständigkeit gegen fitzlösungen und galvanische Bäder aufweisen, verhältnismäßig

spröde Belichtungsprodukte bilden. Das gilt besonders bei Oberbelichtungen, d. h. es verbleibt für die Verarbeitung derartiger Schichten in der Regel nur ein sehr geringer Belichtungsspielraum, wenn man eine optimale Kombination von Eigenschaften erreichen will. Ein weiteres Verspröden

kann schließlich auch beim Lagern oder Handhaben der Produkte bei Tageslicht eintreten.

Durch die erhöhte Sprödigkeit der belichteten und auch der unbelichteten Photoresistschicht treten bei der Weiterverarbeitung, z. B. der Herstellung gedruckter Schaltungen, erhebliche

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Schwierigkeiten auf. Diese Schwierigkeiten bestehen darin, daß beim Beschneiden der mit dem Trockenresist kaschierten Kupferleiterplatten die spröde Resistschicht zur Bildung von Füttern neigt, die eine erhebliche Verschmutzung und Störung bei der Wei terverarbeitung zur Folge haben können. Zum anderen brechen die spröden Resistüberhänge beim Ätzen in den üblichen Sprühätzmaschinen leicht ab, oder es kommt zum Abplatzen feinerer Details der Photomasken in ungünstigen Galvanobädern, insbesondere bei Goldbädern, bei denen die Stromausbeute relativ gering ist (z. B. 45 % bis herab zu 25 %). Hierbei verursacht der entstehende Wasserstoff leicht ein Abplatzen von spröden Resistmasken.

Für andere Zwecke, d. h. für die Herstellung von Flexodruckplatten, sind in der DE-AS 21 15 373 polymerisierbar höhermolekulare Polyurethanverbindungen beschrieben, die PoIyätherblöcke mit mindestens 5, vorzugsweise 9 bis 10 Ätherbindungen, enthalten. Diese Verbindungen werden nicht in Kombination mit hochpolymeren Bindemitteln beschrieben. Wenn sie mit solchen zu festen lichtempfindlichen Schichten kombiniert werden, weisen diese bei den zu einer ausreichenden Vernetzung erforderlichen Konzentration an polymerisierbarer Verbindung eine Neigung zum Kaltfluß auf. Weiterhin haben derartige Schichten im belichteten Zustand den Nachteil, daß bei ihnen die Abscheidung von Kupfer aus sauren galvanischen Kupferbädern bis zu einem Abstand von etwa 50,um und mehr von den Resistlinien gestört wird, d. h. an feinen Leiterbahnen eines Schaltbilds wird kein Kupfer abgeschieden. Dieser Typ von polymerisierbaren Polyurethanen ist deshalb für die Photoresistherstellung nicht geeignet.

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In der US-PS 3 850 770 sind Urethanmonomere beschrieben, die in Kombination mit alkalilöslichen Bindemitteln flexible photopoiymerisierbare Schichten ergeben, die zur Herstellung von Druckplatten dienen. Auch diese Urethane enthalten Polyäthersequenzen mit vorzugsweise 8 bis 10 Ätherbindungen. Die Verbindungen enthalten jeweils vier Urethangruppen, und es wird angegeben, daß ein zu hoher Gehalt an Urethangruppen je Molekulargewichtseinheit diese Verbindungen für den vorgesehenen Zweck unbrauchbar macht.

Aufgabe der Erfindung war es, neue Urethangruppen enthaltende photopolymerisierbare Verbindungen anzugeben, die sich mit alkalilöslichen bzw. in wäßrigem Alkali quellbaren Bindemitteln zu photopolymerisierbaren Schichten kombinieren lassen, die geringen oder gar keinen Kaltfluß aufweisen und die Belichtungsprodukte mit hoher Vernetzungsdichte und damit hoher Entwickler-, Ätz- und Galvanoresistenz sowie guter Haftung auf metallischen Trägern, insbesondere auf Kupfer, ergeben, die auch bei beträchtlicher Oberbelichtung noch flexibel sind und im übrigen alle für die Herstellung von Photoresists erforderlichen Eigenschaften haben.

Die Erfindung geht aus von einem photopolymerisierbaren Gemisch, das ein polymeres, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösliches oder mindestens quejlbares Bindemittel, einen Photoinitiator und ein zur Additionspolymerisation befähigtes Polyurethan mit zwei Acryl- oder Methacrylsäureestergruppen im

Molekül enthält.
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Das erfindungsgemäße Gemisch ist dadurch gekennzeichnet, daß es ein Polyurethan der Formel I

CH₂=C-COO-Z-CONH-Y-(NHCOO-X-CONH-Y-)_nNHC00-Z-C0-C=CH₂ (I) R₁ R₁

enthält, worin -X- eine der Gruppen

(-CH₂-CH-O)_n,- , R₂

(-CH₂-CH-S-)_m_₁CH₂CH-0-

~^Ck^H2k"⁰" ^und

Y ein gesättigter aliphatischer oder cycloaliphatischer Rest mit 2 bis 12 Kohlen-Stoffatomen,

Z (-CH₂-CH-O)_p

^R3 30

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R^, R₂ und R₃ Wasserstoffatome oder Methylgruppen,

η eine Zahl von 2 bis 15, m eine Zahl von 2 bis 4, ρ eine Zahl von 1 bis 4,

k eine Zahl von 2 bis 12, 10

r eine Zahl von 4 bis 12 ist.

Die erfindungsgemäßen Gemische enthalten im allgemeinen 10 bis 60 Gew.-%, vorzugsweise 15 bis 35 Gew.-%, bezogen auf ihre nichtfTüchtigen Bestandteile, an Verbindungen der Formel I.

Die Verbindungen enthalten mindestens 6 Urethangruppen im Molekül, d. h. mindestens 3 Urethangruppen je Doppelbindung. Ihre Molekulargewichte liegen im allgemeinen zwischen 800 und 10000, vorzugsweise bei 1000 bis 7000. Die Viskosität der niedermolekularen Vertreter soll mindestens 10 mPa-s betr gen, die höhermolekularen Vertreter sind fest.

Von den Verbindungen der Formel I werden diejenigen mit η = 2 bis 11 bevorzugt. Verbindungen mit η = 2 bis 4 sind geeignet, als einzige polymerisierbare Verbindungen in dem Gemisch verwendet zu werden. Verbindungen, in denen η = 5

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oder größer ist, werden vorzugsweise mit niedermolekularen Urethanen kombiniert. Hierfür sind sowohl die Vertreter mit η = 2 bis 4 als auch die aus der DE-OS 20 64 079 bekannten Diurethane aus 1 Mol Diisocyanat und 2 Molen Hydroxyalkylmethacrylat oder -acrylat sowie die aus der DE-OS 23 61 041 bekannten Tetraurethane aus 1 Mol Diol bzw. Polyätherdiol,

2 Molen Diisocyanat und 2 Molen Hydroxyalkylmethacrylat oder -acrylat geeignet. Je nach dem Molekulargewicht des höhermolekularen Polyurethans kann die Menge des niedermolekularen Urethans bis zu 70 Gew.-%, bevorzugt 20 bis 55 Gew.-% der Gesamtmenge an polymerisierbaren Urethanen betragen.

Der Diolrest X in der allgemeinen Formel I kann von einem gesättigten oder einfach ungesättigten Diol abgeleitet sein. Als gesättigte Diole sind lineare und verzweigte Verbindungen mit 2 bis 12 Kohlenstoffatomen, vorzugsweise 4 bis 12 Kohlenstoffatomen, geeignet.

Beispiele für geeignete Diole sind Äthylenglykol , Propylenglykol, Butandiol-(1,4), But-2-endiol-(1,4), 2-Äthyl-hexandiol-(1,6), Decandiol-(1,10) und 1,4-Bis-hydroxymethyl-cyclohexan.

Der Diolrest X kann ferner in seiner Kette Sauerstoff- oder Schwefelatome enthalten. Bevorzugt werden Reste von PoIyglykolen, insbesondere Polyathylenglykolen, mit 1 bis

3 Ätherbindungen. Triäthylenglykole werden als Diolkomponente besonders bevorzugt.

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ORIGINAL INSPECTED

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Die Gruppe Y, die sich von dem zur Herstellung verwendeten Diisocyanat ableitet, ist eine gesättigte aliphatische oder cycloaliphatische Gruppe mit 2 bis 12, vorzugsweise 6 bis 12 Kohlenstoffatomen. Bevorzugt werden acyclische aliphatische Diisocyanate, insbesondere solche mit mindestens einer seitenständigen Methyl gruppe. Dabei ist das 2,2,4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat ein besonders bevorzugter Vertreter.

R^ ist vorzugsweise eine Methyl gruppe, R₃ ebenso wie R₂ bevorzugt ein Wasserstoffatom, ρ ist bevorzugt 1.

Die Herstellung der neuen polymerisierbaren Polyurethane erfolgt normalerweise in zwei Stufen. Zuerst wird die Diolkomponente HO-X-OH mit dem Gewünschten Oberschuß an Diisocyanat OCN-Y-NCO umgesetzt. Wenn man 3 Mole Diisocyanat mit 2 Molen Diol umsetzt, so erhält man ein Zwischenprodukt mit 2 endständigen Isocyanatgruppen, das im Mittel 3 Diisocyanat- und 2 Dioleinheiten enthält, also eine Verbindung mit η = 2. Die endständigen Isocyanatgruppen werden dann mit dem gewünschten Hydroxyalkylacrylat oder -methacrylat umgesetzt. Bei diesem Verfahren werden in der Regel polymerhomologe Gemische erhalten, d. h. Gemische von Verbindungen mit unterschiedlichem n. Das gilt insbesondere bei den Vertretern mit höheren mittleren Werten für n. Diese Gemische sind für die Zwecke der Erfindung hervorragend geeignet und können unmittelbar eingesetzt werden. Wenn man Produkte mit genauer definiertem oder zumindest weniger streuendem Molekulargewicht erhalten will, kann man das genannte Diisocyanat-Zwischenprodukt auch stufenweise durch Umsetzen von 1 Mol Diol mit 2 Molen Diisocyanat, Umsetzen des Reaktionsprodukts mit 2 Molen Diol usw. herstellen.

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Wie bereits erwähnt, können die erfindungsgemäßen Gemische außer den genannten Polyurethanen auch einen gewissen Anteil an bekannten polymerisierbaren Di- oder Tetraurethanen enthalten. Hierfür werden bevorzugt Reaktionsprodukte aus 1 Mol eines'der oben genannten Diisocyanate und 2 Mol Hydroxyalkylacrylat, vorzugsweise Hydroxyalkylmethacrylat, als Diurethane und Reaktionsprodukte aus 1 Mol Diol, vorzugsweise Triäthylenglykol, 2 Mol des entsprechenden Diisocyanats und 2 Mol Hydroxyalkylacrylat bzw. -methacrylat als Tetraurethane verwendet. Es ist auch möglich, andere Acryl- oder Methacrylsäureester, die keine Urethangruppen enthalten, in kleiner Menge, z. B. bis zu 10 % der Monomermenge, zuzusetzen, doch werden bevorzugt nur Urethanmonomere verwendet.

Die erfindungsgemäßen Gemische ergeben photopolymerisierbare Schichten mit hoher Lichtempfindlichkeit, hoher Flexibilität, aber geringer oder keiner Neigung zum Kaltfluß. Die Belichtungsprodukte zeichnen sich durch hohe Flexibilität und Resistenz gegen wäßrig-alkalische Entwicklerlösungen sowie gegenüber Ätzlösungen und galvanischen Bädern aus. Sie weisen im übrigen alle Vorzüge der bekannten Gemische auf der Basis von al kaiilöslichen Bindemitteln und Urethangruppen enthaltenden Monomeren auf. Es ist besonders überraschend, daß es durch Verwendung der neuen Urethanmonomeren möglich ist, im Vergleich zu Schichten mit bekannten Urethanmonomeren sowohl den Kaltfluß der unbelichteten Schicht zu verringern als auch die Flexibilität der Belichtungsprodukte zu erhöhen. Die gewünschte Kombination von schwer miteinander zu vereinbarenden Eigenschaften bleibt auch bei erheblicher überbelichtung der Schicht erhalten, so daß dem Verbraucher

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die kostspielige und mühsame Aufgabe erspart bleibt, für jede Vorlage und Belichtung die optimale Belichtungszeit genau zu ermitteln.

Die erfindungsgemäßen photopolymerisierbaren Gemische enthalten ferner polymere, vorzugsweise thermoplastische, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösliche oder mindestens quellbare Bindemittel. Derartige Polymere enthalten Gruppen, die im alkalischen Medium Salze bilden, z. B. COOH, PO₃H₂, SO₃NH₂, SO₂NHCO oder OH-Gruppen. Bevorzugt werden Polymere mit Carboxylgruppen. Geeignete Bindemittel sind Maleinatharze, Polymerisate aus N-(p-Toluolsulfonyl)-carbaminsäure-(ß-methacryloyloxy)-äthylester und Mischpolymerisate derartiger Monomerer, Styrol-Maleinsäureanhydrid-Mischpolymerisate und insbesondere Mischpolymerisate von Acryl- und Methacrylsäure. Die letzteren können als Comonomere Alkylacrylate und -methacrylate, wovon mindestens ein Teil Alkylgruppen mit 4 bis 15 C-Atomen hat, und zusätzlich zu diesen Styrol, ein substituiertes Styrol, Acrylnitril, Benzylacrylat oder ein ähnliches Monomeres enthalten, das ein Homopolymerisat mit einer Glastemperatur Tg von mindestens 80° C bildet. Derartige bevorzugte Bindemittel sind in den US-PS 3 804 631 und 3 930 865 beschrieben. Das Bindemittel soll ein mittleres Molekulargewicht von mindestens 10000, vorzugsweise von etwa 20000 bis 200000 haben. Die Säurezahl beträgt im allgemeinen 50 bis 250, vorzugsweise 100 bis 200. Besonders bevorzugt werden Terpolymerisate aus Methacrylsäure, einem Alkylmeth-

acrylat mit 4 bis 12 C-Atomen im Alkylrest und Styrol oder einem substituierten Styrol. Die Menge der Bindemittel beträgt im allgemeinen 20-80, bevorzugt 35-65 Gew.-% der nichtflüchtigen Bestandteile des Gemischs.

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Die erfindungsgemäßen Gemische können ferner mit Vorteil bestimmte Weichmacher enthalten, die die Flexibilität der Schichten nach der Belichtung zusätzlich zur Wirkung der Monomeren wesentlich verbessern. Diese Weichmacher sind im einzelnen in der gleichzeitig eingereichten Patentanmeldung P ... (Hoe 78/K 026) beschrieben. Sie sind Verbindungen der Formel II

\_c-O-(CH,-CH-O-)R

(II)

15 worin

R₁ ein Wasserstoff- oder Halogenatom oder ein Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen,

Rp ^ein Wasserstoffatom, eine OH-Gruppe oder ein Alkylrest mit 1 - 4 Kohlenstoffatomen,

R₃ ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe,

R₄ einen Alkyl- oder Alkenylrest mit 1 bis 20 C-Atomen und η Null oder eine Zahl von 1 bis 20 bedeutet,

wobei R, mindestens 4 C-Atome hat, wenn η Null oder 1 ist. 30

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■λ*-

Als Photoinitiatoren können eine Vielzahl von Substanzen Verwendung finden. Beispiele sind Benzoin, Benzoinäther, Mehrkernchinone, z. B. 2-Äthyl-anthrachinon, Acridinderivate, z. B. 9-Phenyl-acridin, 9-p-Methoxyphenyl-acridin, 9-Acetylamino-acridin, Benz(a)acridin, Phenazinderivate, z. B. 9,10-Dimethyl-benz(a)-phenaziη, 9-Methyl-benz(a)phenazin, 10-Methoxy-benz(a)phenazin, Chinoxalinderivate, z. B. 6,4' ,4"-Trimethoxy-2,3-diphenyl-chinoxalin, 4',4"-Dimethoxy-2,3-diphenyl-5-aza-chinoxalin, Chinazolinderivate und dergl. mehr. Ihre Menge beträgt im allgemeinen 0,1 bis 10 Gew.-% der nichtflüchtigen Bestandteile des Gemisches.

Das erfindungsgemäße Gemisch kann außer Monomeren, Weichmachern, Photoinitiatoren und Bindemitteln noch eine Reihe weiterer üblicher Zusätze enthalten, z. B. Inhibitoren zur Verhinderung der thermischen Polymerisation der Monomeren, Haftvermittler, Wasserstoffdonatoren, sensitometrische Regler, Farbstoffe, Farbpigmente, ungefärbte Pigmente, Farbbildner und

Indikatoren.
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Diese Bestandteile sind zweckmäßig so auszuwählen, daß sie in dem für den Initiierungsvorgang wichtigen aktinischen Wellenlängenbereich möglichst nicht zu stark absorbieren.

Das erfindungsgemäße photopolymerisierbare Gemisch kann in bekannter Weise als Lösung oder Dispersion in den Handel gebracht werden, die vom Verbraucher insbesondere zur Herstellung von Ätzschutzschichten verwendet wird. Ein bevorzugtes Anwendungsgebiet für die erfindungsgemäßen Gemische sind Trockenresistfolien, die aus einer auf einem temporären

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Träger, z. B. einer transparenten Kunststoffolie, befindlichen fertigen Photoresistschicht bestehen und die vom Verbraucher auf die bildmäßig zu ätzende oder zu galvanisierende Unterlage kaschiert werden und dort belichtet und entwickelt werden, wobei vor dem Entwickeln der temporäre Träger entfernt wird.

Das erfindungsgemäße Gemisch eignet sich besonders gut für diese Anwendungsform. Es kann aber auch in Form eines vorsensibilisierten Kopiermaterials auf einem geeigneten Träger,

!O z. B. auf Aluminium oder Zink, für die photomechanische Herstellung von Offset- oder Hochdruckformen fabrikmäßig hergestellt werden. Es istferner zur Herstellung von ReIiefbiIdern, Siebdruckschablonen, Farbprüffolien und dergl. geeignet. Seine Vorteile kommen in allen den Fällen zur Geltung, wo es auf gute und dauerhafte Flexibilität der belichteten Schicht bei geringem Kaltfluß der unbelichteten Schicht sowie hohe Resistenz der belichteten Schicht gegen aggressive Chemikalien ankommt.

Die Herstellung der lichtempfindlichen Materialien unter Verwendung des erfindungsgemäßen-Gemisches erfolgt in bekannter Weise. So kann man die Mischung in einem Lösungsmittel aufnehmen und die Lösung bzw. Dispersion durch Gießen, Sprühen, Tauchen, Antragen mit Walzen usw. auf den vorgesehenen Träger als Film aufbringen und anschließend trocknen. Dicke Schichten (z. B. von 250 ,um und darüber) kann man auch durch Extrudieren oder Verpressen als selbsttragende Folie herstellen, welche dann auf den Träger laminiert wird.

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AIs Träger für die zu Kopierschichten verarbeiteten Gemische kommen Metalle, ζ. Β. Aluminium, Zink, Kupfer, Stahl, Chrom, Messing und andere Metallegierungen; Siebdruckschablonenträger, z. B. aus Nickel oder Perlongaze; und Kunststoffolien in Frage, wobei die Kunststoffolien, z. B. Polyesterfolien, speziell oberflächenbehandelt sein können.

Die Kopierschichten werden in bekannter Weise belichtet und entwickelt. Als Entwickler sind wäßrige, vorzugsweise wäßrigalkalische Lösungen, z. B. von Alkaliphosphaten oder Alkalisilikaten, geeignet, denen gegebenenfalls kleine Mengen, z. B. bis zu 10, vorzugsweise weniger als 5, Gew.-% an mischbaren organischen Lösungsmitteln oder auch Netzmittel zugesetzt werden können. Die Entwicklung kann von Hand oder in handelsüblichen Sprüh- oder Bürstentwicklungsgeräten erfolgen.

Die erfindungsgemäßen Gemische lassen sich, wie oben erwähnt, für die verschiedensten Anwendungsgebiete einsetzen. Mit besonderem Vorteil werden sie zur Herstellung von Photoresist- bzw. Ätzschutzschichten auf metallischen Trägern verwendet. Vor allem sind sie zur Anwendung auf Trägern aus Kupfer geeignet. Die ausgezeichnete Haftung und Flexibilität der belichteten Schichtteile bewährt sich bei diesen bevorzugten Anwendungsformen nicht nur während der Entwicklung, sondern auch während einer nachfolgenden fitzung des Trägers, bei der die Schichten eine gute Flexibilität und Ätzresistenz zeigen.

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Die Gemische lassen sich besonders gut in der Form sogenannter Trockenresistmaterialien, wie sie oben erwähnt wurden, einsetzen und handhaben, da sie sich auch trocken zu gut haftenden Schichten auf Metallträger übertragen lassen. In diesem Fall sind als temporäre Trägerfolien besonders Polyesterfolien geeignet.

Die folgenden Beispiele erläutern einzelne Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Gemischs. Wenn nichts anderes angegeben ist, sind Prozentzahlen und Mengenverhältnisse in Gewichtseinheiten zu verstehen.

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Beispiel 1

Eine Lösung aus:

6,5 g eines Terpolymerisats aus n-Hexylmethacrylat, Methacrylsäure und Styrol (60 : 30 : 10 Gew.-Teile) mit einem mittleren Molgewicht von ca. 35000,

2,8 g eines polymerisierbaren Diurethans, das durch

Umsetzung von 1 Mol 2,2,4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat mit 2 Molen Hydroxyäthylmethacrylat erhalten wurde,

2,8 g des unten beschriebenen polymerisierbaren Polyurethans ,

0,2 g 9-Phenyl-acridin,
0,1 g 3-Mercapto-propionsäure-2,4-dichlor-anilid,

0,035 g eines blauen Azofarbstoffs, erhalten durch Kuppeln von 2,4-Dinitro-6-chlor-benzoldiazoniumsalz mit 2-Methoxy-5-acetylamino-N-cyanoäthyl-N-hydroxyäthyl anilin und

2,8 g 4-Hydroxy-benzoesäure-(2-äthyl-hexyl)ester in

g Methylethylketon und
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g Äthanol

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wird auf eine biaxial verstreckte und thermofixierte PoIyäthylenterephthalatfolie der Stärke 25,um so aufgeschleudert,

2 daß nach dem Trocknen bei 100° C ein Schichtgewicht von 28 g/m

erhalten wird.
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Man erhält eine Trockenresistföl ie, die mit einer handelsüblichen Laminiervorrichtung bei 120° C auf eine mit 35,um starker Kupferfolie kaschierte Phenoplast-Schichtstoffplatte laminiert und 8 Sekunden mit einem handelsüblichen Belichtungsgerät belichtet wird. Als Vorlage dient eine Strichvorlage mit Linienbreiten und Abständen bis herab zu 80,um.

Nach der Belichtung wird die Polyesterfolie abgezogen und die Schicht in einer 0,8 %igen Na₉CO,-Lösung in einem Sprühentwicklungsgerät 50 Sekunden lang entwickelt.

Die Platte wird dann 30 Sekunden mit Leitungswasser gespült, 1 Minute in einer 25 %igen Ammoniumperoxydisulfat-Lösung angeätzt und sodann nacheinander in den folgenden Elektrolytbädern galvanisiert:

1.) 40 Minuten in einem Kupferelektrolytbad der Firma Blasberg, Solingen, Typ "Feinkornkupferplastic-Bad"

Stromdichte: 2 A/dm²
Metallaufbau: ca. 20,um

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2.) 10 Minuten in einem Nickelbad Typ "Norma" der Firma Blasberg, Solingen

Stromdichte: 4 A/dm²
Metallaufbau: 6,um und

3.) 15 Minuten in einem Goldbad Typ "Autronex N" der Firma Blasberg, Solingen

Stromdichte: 0,6 A/dm²
Metallaufbau: 2,5,um

Die Platte zeigt keinerlei Unterwanderungen oder Beschädigungen.
15

Die Platte kann sodann in 5 %iger KOH-Lösung bei 50° C entschichtet und das freigelegte Kupfer in den üblichen Ätzmedien weggeätzt werden.

Die oben beschriebene Trockenresistfolie ist auch bei 10-facher Oberbelichtung, also auch noch nach 80 Sekunden Belichtungszeit mit dem oben beschriebenen Beiichtungsgerät, voll ig flexibel. Dies kann man zeigen, wenn man einen etwa 2 cm breiten und 20 cm langen Streifen aus Trägerfolie und Schicht im belichteten Zustand mit der Hand dehnt. Hierbei läßt sich der 10-fach überbelichtete Trockenresiststreifen ohne Platzen oder Reißen der Schicht auf mindestens das Doppelte der Länge bei Zimmertemperatur verstrecken.

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Diese Flexibilität ist in vielen Verarbeitungsschritten, wie Beschneiden nach dem Laminieren, Ätzen, für Goldgalvanoresistenz u. a. von ausschlaggebendem Vorteil. Die oben beschriebene Trockenresistfolie hat ferner einen sehr geringen Kaltfluß im unbelichteten Zustand, der das Lagern von Rollen auch über lange Zeit ohne Ausquellen der Resistschicht an den Rändern ermöglicht.

Die oben beschriebene Schicht erlaubt Linien der Breite 50,um kantenscharf aufzulösen, dies kann leicht durch Belichtung durch eine Auflösungstestvorlage und Entwicklung mit 0,8 %iger Na^COg-Lösung nachgewiesen werden. Die Entwicklerresistenz beträgt mindestens das Fünffache der Ent-

wickungszeit.
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Synthese des Polyurethans

In einem Dreihalskolben mit Rührer, Rückflußkühler mit aufgesetztem CaCl„-Trockenrohr und Tropftrichter werden 11 Mole 2,2,4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat in 4,5 kg Methyläthyl keton vorgelegt. Nach Zugabe einer als Katalysator wirkenden Mischung aus

1,5 g Eisen(III )acetylacetonat und 2,0 g Diäthylcyclohexy'
50,0 g Methylethylketon

2,0 g Diäthylcyclohexylamin in

werden 10 Mole wasserfreies Triäthylenglykol, gelöst in 500 g Methyläthylketon, so zudosiert, daß die Reaktionstemperatur konstant auf 70+1⁰C gehalten wird. Hierzu wird von außen

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durch ein Wasserbad, das zunächst eine Temperatur von 60° C hat, erwärmt und - nach Erreichung der gewünschten Innentemperatur durch die Reaktionswärme der Polyadditionsreaktion - gekühlt (Badtemperatur: ca. 40 bis 50° C). Nach Ende der Zugabe des Triäthylenglykols werden 15 g p-Benzochinon zugegeben. Sodann werden 2 Mole Hydroxyäthylmethacrylat bei 70° C zugetropft. Nach Ende der Reaktion wird noch 2 Std. bei 70° C gerührt₅ dann werden 30 g Hydrochinonmonomethyläther zugegeben und die Lösung wird abgekühlt. Das so erhaltene Polyurethan kann in Lösung oder nach Abdestil1ieren des Lösungsmittels als Harz in den photomerisierbaren Gemischen verwendet werden; in den Beispielen wurden die Polyurethane jeweils als Harz eingesetzt.

Beispiel 2

Statt des in Beispiel 1 beschriebenen ungesättigten Polyurethans kann auch in gleicher Menge (2,8 g) ein Polyurethan verwendet werden, das in analoger Weise aus 20

11 Molen 2,2,4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat und 10 Molen Buten-2-diol-1,4 (1. Reaktionsstufe) und danach 2 Molen Hydroxyäthylmethacrylat (2. Reaktionsstufe)

hergestellt wurde.

Nach analoger Verarbeitung zu einer Trockenresistfolie mit einem Schichtgewicht von 34 g/m² wird eine auch bei 5-facher überbelichtung noch dehnbare und flexible Resistschicht erhalten. Die Galvanoresistenzen in den in Beispiel 1 angegebenen Elektrolytbädern sind ausgezeichnet.

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Beispiel 3

Statt des in Beispiel 1 beschriebenen Polyurethans kann auch in gleicher Menge (2,8 g) ein Polyurethan verwendet werden, das in analoger Weise aus

11 Molen 2,2,4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat und 10 Molen Thiodipropylenglykol (1. Reaktionsstufe) und danach

2 Molen Hydroxyäthylmethacrylat (2. Reaktionsstufe) IO

synthetisiert wurde.

Die Prüfung in einer Trockenresistfolie mit einem Schichtgewicht von 30 g/m² ergibt ähnlich gute Eigenschaften hinsichtlich Galvanoresistenz und Flexibilität der Resistfolie.

Beispiel 4

Statt des in Beispiel 1 beschriebenen Polyurethans kann auch in gleicher Menge (2,8 g)
das in analoger Weise aus

in gleicher Menge (2,8 g) ein Polyurethan verwendet werden,

11 Molen 2,2,4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat und

einem Gemisch von

5 Molen Triäthylenglykol und

5 Molen Thiodiglykol (1. Reaktionsstufe) und danach 2 Molen Hydroxyäthylmethacrylat (2. Reaktionsstufe)

synthetisiert wurde.
30

909847/0505

So

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Beispiel 5

11 Molen 2,2,4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat und

einem Gemisch von
5 Molen Decandiol-(1,10) und

5 Molen Triäthylenglykol (1. Reaktionsstufe) und danach 2 Molen Hydroxyäthylmethacrylat (2. Reaktionsstufe)

synthetisiert wurde.
Beispiel 6

Eine Lösung aus

6,5 g des in Beispiel 1 angegebenen Terpolymerisats, 5,0 g eines ungesättigten Polyurethans, das in

analoger Reaktion wie in Beispiel 1 beschrieben aus

3 Molen 2,2,4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat und 2 Molen Triäthylenglykol (1. Reaktionsstufe) und danach 2 Molen Hydroxyäthylmethacrylat (2. Reaktionsstufe)

synthetisiert wurde,

2,8 g 4-Hydroxy-(2-äthylhexyl)-benzoat 0,2 g 9-Phenyl-acridin

0,1 g 3-Mercapto-propionsäure-2,4-dichlor-anil id und 0,025 g des Farbstoffs "Disperse Red" (CJ. 179) in

909347/0505

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25 g Methyläthylketon und
2 g Äthanol

wird, wie in Beispiel 1 beschrieben, auf eine Polyesterfolie aufgeschleudert und getrocknet, so daß ein Schichtgewicht von 50 g/m² erhalten wird.

Es wird durch eine Filmvorlage, die Liniengruppen verschiedener Linienbreiten aufweist, mit dem in Beispiel 1 beschriebenen Belichtungsgerät 15 Sekunden belichtet.

Nach 120 Sekunden Entwicklung im Sprühentwicklungsgerät mit 0,8 %iger Sodalösung werden noch Linien der Breite 50,Um aufgelöst. Die Entwicklerresistenz beträgt mindestens das 3- bis 5-fache der normalen Entwicklungszeit.

Die Flexibilität ist auch bei 160 Sekunden Belichtungszeit noch sehr gut.

Die Galvanoresistenzen in den in Beispiel 1 angegebenen Galvanobädern sind sehr gut.

Beispiel 7

Statt der in Beispiel 6 angegebenen 5,0 g des dort beschriebenen Urethan-Monomeren kann auch eine Mischung aus

2,8 g des in Beispiel 6 beschriebenen polymerisier-

baren Polyurethans und
2,8 g eines polymerisierbaren Polyurethans, das aus

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11 Molen 2,2,4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat und

einer Mischung aus
5 Molen Triäthylenglykol und 5 Molen 2-Äthyl-2-n-butylpropandiol-1,3 (1. Reaktionsstufe) und danach 2 Molen Hydroxyäthylmethacrylat (2. Reaktionsstufe)

in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise synthetisiert wurde, verwendet werden.
IO

Beispiel 8

Statt der in Beispiel 6 angegebenen 5,0 g des dort beschriebenen Urethan-Monomeren können auch 5,6 g eines Urethan-Monomeren verwendet werden, das aus

4 Molen 2,2₅4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat und 3 Molen Triäthylenglykol (1. Reaktionsstufe) und danach 2 Molen Hydroxyäthylmethacrylat (2. Reaktionsstufe) in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise synthetisiert wurde.

Aus den Gemischen der Beispiele 7 und 8 werden Trockenresistfolien mit 45,um dicken photopolymerisierbaren Schichten hergestellt. Die Ergebnisse sind ähnlich wie in Beispiel 6.

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Be ispiel 9
Eine Lösung aus

6,5 g des in Beispiel 1 angegebenen Terpolymerisats, 2,8 g des in Beispiel 1 angegebenen polymerisierbaren

Diurethans,

0,1 g 3-Mercapto-propionsäure-2,4-dichlor-ani1 id, 0,2 g 9-Phenyl-acridin,
2,8 g des in Beispiel 6 angegebenen polymerisierbaren

Polyurethans,

0,035 g des in Beispiel 1 beschriebenen blauen Farbstoffs und

2,8 g des 3,5-Dihydroxy-benzoesäureesters von Diäthylenglykol-mono-2-äthylhexyläther in

30 g Methyläthyl keton und
2 g Äthanol

wurde wie in Beispiel 1 beschrieben zu einer Trockenresistfolie vom Schichtgewicht 30 g/m² verarbeitet.

Nach dem Laminieren bei 120° C auf eine mit Kupfer kaschierte Schichtstoffplatte wurde durch die in Beispiel 6 verwendete Filmvorlage 6 Sekunden mit dem in Beispiel 1 angegebenen Belichtungsgerät belichtet. Nach 45 Sekunden Sprühentwickel η mit 0,8 %iger Na^CO^-Lösung wird ein originalgetreues Abbild der Linien der Vorlage bis zu Linienbreiten von 50,um erhalten

Die Flexibilität dieser Schicht ist auch nach 160 Sekunden Belichtungszeit, also nach 25-facher überbelichtung, noch sehr gut.

909847/0505

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Beispiel 10 (Vergleichsbeispiel)
Eine Lösung aus

6j5 g des in Beispiel 1 angegebenen Terpolymerisats,

5,6 g des in Beispiel 1 angegebenen polymerisier-

baren Diurethans,

2,8 g 4-Hydroxy-(2-äthylhexyl)-benzoat,

0,1 g S-Mercapto-propionsäure-ZjA-dichlorani1 id,

0,2 g 9-Phenyl-acridin und

0,025 g des Farbstoffes "Disperse Red" (CJ. 179) in

25 g Methyl äthyl keton und

2 g Äthanol

wurde wie in Beispiel 1 beschrieben zu einer Trockenresistfolie vom Schichtgewicht 52 g/m² verarbeitet.

Man erhält eine Trockenresistschicht, die eine gute Lichtempfindlichkeit besitzt, jedoch beim überbelichten zum Verspröden neigt. So ist die Schicht bei einfacher Belichtungszeit (15 Sekunden) noch flexibel; bei doppelter Belichtungszeit, also bei 30 Sekunden und zunehmend ab 40 Sekunden Belichtungszeit mit dem in Beispiel 1 angegebenen Belichtungsgerät wird die Schicht jedoch spröde und läßt sich nicht mehr dehnen, ohne zu reißen und zu splittern. Darüber hinaus neigt die Schicht zum Fließen bei Zimmertemperatur und damit zu störendem Randaustritt bei Trockenresistrollen-, z. B. mit einer Wickellänge von 50 m. Eine Schicht, die anstelle des Diurethans 5,0 g des in Beispiel 6 angegebenen polymerisierbaren Polyurethans enthält, zeigt keinen störenden Randaustritt der Resistrollen beim Lagern, was

809847/0505

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-JMr-

auf den wesentlich geringeren Kaltfluß zurückgeführt werden kann. Sie ist auch bei 10-facher überbelichtung noch flexibel.

In den folgenden Tabellen sind Viskositäten von bekannten polymerisierbaren Urethanen und von solchen gemäß der Erfindung entweder in 80 %iger Lösung in Toluol (Tabelle A) oder in lösungsmittelfreiem Zustand (Tabelle B) angegeben. Mit dem Viskositätsanstieg ist jeweils eine entsprechende Abnahme des Kaltflusses der Schichten verbunden, die die angegebenen Monomeren in der Mischung von Beispiel 10 enthalten.

	I Triäthylen- glykol	Tabell	e A	Viskosität in Toluol, 80 Gew.-% bei 23° C
	i 4 6			mPa-s >
	Monomeren Molen)	mittleres Molekular gewicht (errechnet aus ein gesetzter Mol zahl)	1410 3900 8930 12750 13400
Zusammensetzung des (Ausgangsstoffe in	HEMA ²⁾
TMDI ¹)	ro ro ro ro ro	830 1190 1550 1910 2630
* 2 3 4 5 7

1) TMDI = 2,2,4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat

2) HEHA = Hydroxyäthylmethacrylat * DE-OS 23 61

$09847/0505

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Tabelle B

Monomeres bzw. Monomerengemisch	Viskosität bei 23° C₅ mPa-s
Diurethan von Beispiel 1 (nach DE-OS 20 64 079) 1 TMDI + 2 HEMA	10 700
Tetraurethan nach DE-OS 23 61 041 2 TMDI + 1 Triäthylenglykol + 2 HEMA	183 400
Mischung aus 50 % Tetraurethan nach OS 23 61 041 und 50 % Polyurethan aus 4 TMDI + 3 Triäthylen glykol + 2 HEMA	802 300
Mischung aus 50 % Diurethan nach Beispiel 1 50 % Polyurethan aus 11 TMDI + 10 Triäthylenglykol + 2 HEMA	3 772 000

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Der Kaltfluß von Schichten, die diese Monomeren enthalten, nimmt wiederum entsprechend dem Viskositätsanstieg ab.

Mit steigender Viskosität der verwendeten Monomeren nimmt auch die Flexibilität der Schichten nach der Belichtung bzw. überbelichtung zu. Die Haftung der belichteten Schichten auf Kupfer sowie ihre Entwickler- und Galvanoresistenz bleiben im wesentlichen gleich.

Beispiel 11 (Vergleichsbeispiel)

Verwendet man in der in Beispiel 10 beschriebenen Mischung anstelle des dort angegebenen polymerisierbaren Diurethans

die gleiche Menge (5,6 g) eines Tetraurethans, das aus 15

2 Molen 2,2,4-Trimethyl-hexamethylendiisocyanat und

1 Mol Polyäthylenglykol mit dem mittleren Molgewicht

(1. Reaktionsstufe) und danach

2 Molen Hydroxyäthylmethacrylat (2. Reaktionsstufe) 20

hergestellt wurde und verarbeitet das Gemisch in gleicher Weise wie in Beispiel 1 zu einer Trockenresistfolie mit 52 g/m² Schichtgewicht, so erhält man nach der in Beispiel 1 angegebenen Weiterverarbeitung eine Resistschablone, bei der in dem Kupferbad das Kupfer erst in einem Abstand um etwa 50,um von der Resistkante abgeschieden wird. Das bedeutet, daß ζ. B. auf Leiterbahnen von weniger als 100,um Breite überhaupt kein Kupfer abgeschieden wird.

•109847/0 50 S

Claims

HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG Hoe 78/K 027 --AfT- 16. Mai 1978 WLK-Dr.N.-ur Patentansprüche

1. Photopolymerisierbares Gemisch, enthaltend ein polymeres, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösliches oder quellbares Bindemittel, einen Photoinitiator und ein zur Additionspolymerisation befähigtes Polyurethan mit zwei endständigen Acryl- oder Methacrylsäureestergruppen, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch ein Polyurethan der Formel I

CH₉=C-COO-Z-CONh-Y-(NHCOO-X-CONH-Y-) NHCOO-Z-CO-C=CH₉ (I)

C- \ Mit.

R₁ ^R1

enthält, worin

-X- eine der Gruppen

(-CH₂-CH-O)_n,- ,

R₂ 20

(-CH₂-CH-S-)_m_₁CH₂CH-0-

"^Ck^H2k"⁰" ^und

8 09 847/O 5OS _0RIG1NAL INSPECTED

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Hoe 78/K 027

Y ein gesättigter aliphatischer oder cycloaliphatischer Rest mit 2 bis 12 Kohlenstoffatomen,

Z (-CH₂-CH-0)_p

^R3

R.., Rp und Ro Wasserstoff atome oder Methylgruppen,

η eine Zahl von 2 bis 15,

m eine Zahl von 2 bis 4, ρ eine Zahl von 1 bis 4, k eine Zahl von 2 bis 12,

r eine Zahl von 4 bis 12

ist.

2. Photopolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Verbindung der Formel I enthält, worin η eine Zahl von 2 bis 11 ist.

3. Photopolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Verbindung der Formel I enthält, worin R₁ eine Methylgruppe ist.

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Hoe 78/K 027

4. Photopolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Verbindung der Formel I enthält, worin X die Gruppe

R₂

bedeutet.

5. Photopolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Verbindung der Formel I enthält, worin R₂ ein Wasserstoffatom ist.

6. Photopolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Verbindung der Formel I enthält, worin m = 3 und R₂ ein Wasserstoffatom ist.

7. Photopolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Verbindung der Formel I enthält, worin R₃ ein Wasserstoffatom und ρ = 1 ist.

8. Photopolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Verbindung der Formel I enthält, worin Y ein gesättigter aliphatischer Rest mit mindestens einer seitenständigen Methylgruppe ist.

9. Photopolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es 10 bis 60 Gew.-%, bezogen auf seine nichtflüchtigen Bestandteile, an Verbindungen der Formel I enthält.

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Hoe 78/K 027

10. Photopolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Bindemittel ein Mischpolymerisat der Acryl- oder Methacrylsäure mit einer Säurezahl von 50 bis 250 ist.

11. Photopolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Mischpolymerisat ein Terpolymerisat aus Methacrylsäure, einem Alkylmethacrylat mit 4 bis C-Atomen in der Alkylgruppe und einem weiteren, damit mischpolymerisierbaren Monomeren ist, dessen zugehöriges Homopolymerisat eine Glastemperatur von mindestens 80° C aufweist.

12. Lichtempfindliches Schichtübertragungsmaterial aus einem temporären flexiblen Schichtträger, einer thermoplastischen photopolymerisierbaren Schicht, die ein polymeres, thermoplastisches, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösliches oder quellbares Bindemittel, ein zur Additionspolymerisation befähigtes Polyurethan mit zwei endständigen Acryl- oder Methacrylsäureestergruppen und einen Photoinitiator enthält, und gegebenenfalls einem abziehbaren Deckblatt auf der dem Schichtträger abgewandten Seite der Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht ein Polyurethan der Formel I

OM₂-O

CH₂=C-COO-Z-CONH-Y-(NHCOO-X-CONH-Y-)_nNHC00-Z-C0-C=CH₂ (I)

ρ R-

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Hoe 78/K 027

enthält, worin

-X- eine der Gruppen

5 (-CH₂-CH-O)_1n-

R₂

(-CH₂-CH-S-)_m_₁CH₂CH-0-IO R₂ R₂

"^Ck^H2k"⁰" ^und

₁₅ "^Cr^H2r-2"°; '

Y ein gesättigter aliphatischer oder cyclo· aliphatischer Rest mit 2 bis 12 Kohlenstoffatomen,

^{20 Z} (-CH₂-CH-0)_p

^R3

R., R₂ und R₃ Wasserstoffatome oder Methylgruppen,

η eine Zahl von 2 bis 15,

m eine Zahl von 2 bis 4, 3Q ρ eine Zahl von 1 bis 4,

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HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT KALLE Niederlassung der Hoechst AG

Hoe 78/K 027 - k TT -

k eine Zahl von 2 bis 12, _r eine Zahl von 4 bis 5 ist.

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